(1) 1249183 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於使被曝光構件在特定方向上移動同時實 施光罩及標線等遮罩（原版）圖案之曝光轉印之投影曝光技 術。 【先前技術】 第22圖係對使用於液晶顯示面板等之大型基板實施電 路圖案之曝光之投影曝光裝置（掃描曝光裝置）。 圖中，81係遮罩，82係遮罩掃描平台，83係投影光學 系，84係基板掃描平台，85係被曝光基板。 此掃描曝光裝置在將電路圖案轉印至被曝光基板85上 時，會從圖中之箭頭方向對相當於相片之負片之遮罩8 1照 射曝光光。透射形成於遮罩81上之遮罩圖案的光，會利用 投影光學系83在像面側形成遮罩圖案之影像。因此，會對 配置於該遮罩圖案影像之成像位置之被曝光基板85上實施 遮罩圖案影像之曝光。 然而，對液晶顯示面板等大型基板實施電路圖案之曝 光之投影曝光裝置，爲了在被曝光基板上實施期望之遮罩 圖案之同時曝光而裝設大口徑投影光學系時’會有裝置之 設置面積、裝置之重量、安定性、以及裝置成本上之問題 。因此，使用可使遮罩圖案影像形成狹縫狀影像之投影光 學系，並使遮罩及被曝光基板相對於此投影光學系進行掃 描移動，則可以在不需要大口徑之投影光學系下’以小規 -5- (2) 1249183 模之裝置亦可實施大面積曝光。 此時，使考慮形成於被曝光基板8 5上之遮罩圖案影像 之大小及投影光學系之投影倍率之大小的遮罩8 1及被曝光 基板8 5，在控制曝光光量之情形下，以一定速度在圖中之 箭頭方向移動，實施掃描曝光。 又，實施掃描曝光之投影曝光裝置如日本特開平i 1 _ 219900號公報所示者等。 又’對大型被曝光基板實施高密度週期式圖案之投影 曝光之投影曝光裝置如日本特開2000-208410號公報所示 〇 如上所示之對大型被曝光基板實施電路圖案之曝光時 使遮罩平台及基板平台移動之掃描型曝光裝置有以下之問 題。 (1) 遮罩會隨著被曝光基板之大型化而大型化，而增 加遮罩之製作成本。 (2) 因爲遮罩之大型化，曝光裝置內之遮罩會因爲自 重而發生變形，而難以獲得需要之曝光解析性。 (3) 曝光裝置整體之大型化及大重量化。 針對上述（1)進行詳細說明。實施液晶顯示面板等基 板之曝光時，用以實施曝光之電路圖案係由：具有如信號 線或閘極線等具有連續形狀之連續圖案；及例如閘極、源 極、汲極、透明點電極、及蓄積電容器電極等互相獨立圖 案週期式重複出現之不連續週期圖案；所構成。因此，連 續圖案之形成上很難採用所謂綴縫曝光方法。因此，曝光 -6 - (3)1249183 裝置一 亦會隨 在遮罩 又 處理， 題，而 因。 又 周邊部 爲自重 因此， ，很難 【發明 本 型且低 構件之 爲 以對被 列遮罩 罩照射 光構件 用以移 對前述 般都會以一對一之投影倍率實施曝光處 著液晶顯示面板用基板之大型化而大型 之製作時間及成本上都有很大的問題。 ’若將連續圖案及不連續週期圖案分開 會有曝光製程增加、以及製程管理上及 這些也會成爲增加遮罩之製作時間及成 ，針對（2)進行詳細說明。掃描型曝光g 分支持遮罩。因此，隨著遮罩之大型化 而變形，而需在遮罩側使用投影系之焦 很難確保被曝光基板側之平面度等製作 獲得必要之曝光解析性。 內容】 發明之目的係在提供一種適合圖案之重 成本之投影曝光裝置、投影曝光方法、 製造方法。 了達成上述目的，本發明之第一觀點， 曝光構件實施曝光圖案列之重複曝光爲 圖案之遮罩之投影曝光裝置，且其具有 光之照明系；將來自前述遮罩之光投射 之投影系；用以移動前述被曝光構件之 動前述遮罩之遮罩平台；以及用以控制 遮罩之光照射 '及前述曝光平台及前述 理，而遮罩 化。因此， 以不同製程 調正上之問 本的重要原 置只能從 ，遮罩會因 深之容限。 容限，結果 複曝光之小 以及被曝光 係採用具有 目的之複數 :對前述遮 於前述被曝 曝光平台； 前述照明系 遮罩平台之 (4) 1249183 驅動之控制器。前述控制器會交互實施前述光照射、及以 前述曝光圖案之配列間距之η倍（但，前述η係小於前述 遮罩圖案之列數之自然數）之移動量移動前述被曝光構件 之前述曝光平台之步進驅動。又，控制器會隨著前述曝光 圖案之重複曝光之初期及終期之前述曝光平台之步進驅動 ，實施以前述遮罩圖案之配列間距之η倍之移動量移動前 述遮罩之前述遮罩平台之步進驅動。 又，本發明之第二觀點，係採用以對被曝光構件實施 曝光圖案列之重複曝光爲目的之複數列遮罩圖案之遮罩之 投影曝光裝置，且其具有：對前述遮罩照射光之照明系； 將來自前述照明系之光投射於前述被曝光構件之投影系； 用以移動前述被曝光構件之曝光平台；使前述複數列遮罩 圖案當中之部分遮罩圖案列不會對前述被曝光構件實施光 投射而用以阻隔光之遮光構件；用以移動前述遮光構件之 遮光構件平台；以及用以控制前述照明系對前述遮罩之光 照射、及前述曝光平台及前述遮光構件平台之驅動之控制 器。前述控制器會交互實施前述光照射、及以前述曝光圖 案之配列間距之η倍（但，前述η係小於前述遮罩圖案之 列數之自然數）之移動量移動前述被曝光構件之前述曝光 平台之步進驅動。又，控制器會隨著前述曝光圖案之重複 曝光之初期及終期之前述被曝光平台之步進驅動，實施在 前述被曝光構件之光投射區域以相當於η列遮罩圖案之間 距之移動量移動前述遮光構件之前述遮光構件平台之步進 驅動。 -8 - (5) 1249183 又，本發明之第三觀點之投影曝光方法及被曝光構件 之製造方法，係具有：用以準備具有以對被曝光構件實施 曝光圖案列之重複曝光爲目的之複數列遮罩圖案之遮罩之 第1步驟；以及交互實施以對前述遮罩之光照射來實施從 前述遮罩對前述被曝光構件之光投射、及以前述曝光圖案 之配列間距之η倍（但，前述η係小於前述遮罩圖案之列 數之自然數）之移動量移動前述被曝光構件之前述被曝光 構件之步進移動之第2步驟。前述第2步驟中，會隨著前述 曝光圖案之重複曝光之初期及終期之前述被曝光構件之步 進移動，而以前述遮罩圖案之配列間距之η倍之移動量實 施前述遮罩之步進移動。 又，本發明之第四觀點之投影曝光方法及被曝光構件 之製造方法，係具有：用以準備具有以對被曝光構件實施 曝光圖案列之重複曝光爲目的之複數列遮罩圖案之遮罩之 第1步驟；以及交互實施以對前述遮罩之光照射來實施從 前述遮罩對前述被曝光構件之光投射、及以前述曝光圖案 之配列間距之η倍（但，前述η係小於前述遮罩圖案之列 數之自然數）之移動量移動前述被曝光構件之前述被曝光 構件之步進移動之第2步驟。前述第2步驟中，會形成使前 述複數列遮罩圖案當中之部分遮罩圖案列不會對前述被曝 光構件實施光投射之遮光區域，並隨著前述曝光圖案之重 複曝光之初期及終期之前述被曝光構件之步進移動，在前 述被曝光構件之光投射區域以相當於η列遮罩圖案之間距 之移動量實施該遮光區域之步進移動。 -9- (6) 1249183 又，半導體裝置係上述被曝光構件之代表實例。 本發明之特徴可由下述參照圖面之具體實施例說明獲 得更明確之了解。 【實施方式】 (實施形態1) 第1圖係本發明實施形態1之以液晶顯示面板用基板（ 半導體裝置）爲目的之投影曝光裝置（液晶基板曝光裝置： 透鏡投影方式等倍掃描型曝光裝置）之槪略構成。此液晶 基板曝光裝置中，4係曝光用遮罩，後面會針對遮罩圖案 之形狀等進行說明。1係遮罩平台，用以載置遮罩4，可在 相對於來自後述之照明系7之照明光之照射光軸、及後述 之投射透鏡2之投射光軸之垂直方向（第！圖之左右方向）上 移動。 投影透鏡2會將照射於遮罩4之照明光當中透射遮罩4 之遮罩圖案之光（曝光光）投射於液晶顯示面板用玻璃基板 之被曝光基板3上。又，被曝光基板3之表面塗布著感光劑 之光阻劑。 5係基板平台，用以載置被曝光基板3，並會在相對於 投影透鏡2之投射光軸成垂直方向（第1圖中之左右方向及 縱深方向）上被步進驅動。 對遮罩4照射照明光之照明系7之構成上，具有：光源 56 ;擴大來自光源56之光束且使其成爲平行光束之聚光透 鏡53 ;爲了形成用以阻隔來自聚光透鏡53之平行光束當中 -10- (7) 1249183 之不當做對遮罩4之照射光使用之部分的特定面積之曝光 照射區域，而構成於該遮罩4之共軛位置之限制狹縫板5 5 ;以及反射來自限制狹縫板5 5之光束並對遮罩4照射狹縫 狀照明光束之鏡子5 8。 以上構成之照明系係採用所謂科勒照明系。 又，8係內建著控制電路之控制箱，控制電路配設著 用以控制照明系之光源之動作之光源控制部、用以檢測各 平台1、5之位置之感測部、以及利用來自該感測部之檢測 信號來控制各平台1、5之驅動之平台控制部。各控制部會 依據特定之電腦程式控制光源5 6、遮罩平台1、以及基板 平台5。 照射於遮罩4之照明光當中之透射遮罩圖案之曝光光 ，會經由投影透鏡2照射至基板平台5上之被曝光基板3上 ，然而，因爲遮罩平台1上會以遮罩圖案面位於投影透鏡2 之物體側焦點位置之方式載置著遮罩4，而基板平台5上則 會以被曝光基板3之感光面位於投影透鏡2之影像側焦點位 置之方式載置著被曝光基板3，故和遮罩圖案爲等倍之影 像會形成於被曝光基板3之感光面上，該遮罩圖案影像會 對被曝光基板3之感光面實施曝光。 第2圖（A)係使用於第1圖之液晶基板曝光裝置之遮罩4 。又，第2圖（B)係第2圖（A)中之B部之放大圖。 這些圖中，4a係以對被曝光基板3實施不連續週期（重 複）圖案之圖素圖案之曝光爲目的之圖素遮罩圖案（第1遮 罩圖案）。 -11 - (8) 1249183 被曝光基板3上之圖素圖案係由透明電極所構成，在 橫向（第1圖中之空心箭頭所示之基板平台5之驅動方向）及 縱向上分別以特定間距並列之方式形成複數之橫向延伸之 圖像圖案行、及縱向延伸之圖素圖案列，亦即，實施行列 狀之曝光。 本實施形態之遮罩4上，會以在遮罩4之縱向（圖中之 上下方向：對應被曝光基板5之縱向之方向）上形成列之方 式形成圖素遮罩圖案4a，遠少於在被曝光基板3上實施曝 光之全部圖素圖案列數之5列圖素遮罩圖案列1 L〜5 L，會 並列於和遮罩4之縱向成垂直之方向（圖中之左右方向：第 1圖中以空心箭頭表示之遮罩平台1之驅動方向）上。以對 被曝光基板3實施複數次5列圖素遮罩圖案列1 L〜5 L影像 之重複曝光，可在被曝光基板3上實施全部圖素圖案列之 曝光。 又，會以在和遮罩4之縱向成垂直之方向上延伸成行 且爲複數行之方式形成圖素遮罩圖案4a，本實施形態之遮 罩4上形成之此圖素遮罩圖案行1G、2G、3G、…，係和被 曝光基板3上應曝光之全部圖素圖案行數相同之數。 又，本實施形態之曝光裝置時，遮罩圖案之影像係等 倍投影於被曝光基板3上，故圖素遮罩圖案列之間距（配列 間距）P、及曝光於被曝光基板3上之圖素圖案列之間距（配 列間距）會相同。以下，曝光於被曝光基板3上之圖像圖案 列之間距亦以P表示。 其次，4b係以在被曝光基板3上之圖像圖案行間實施 -12- (9) 1249183 連續圖案之閘極線圖案之曝光爲目的之閛極線遮罩圖案（ 第2遮罩圖案），係形成於圖素遮罩圖案行間之連續之直線 形狀圖案。 又，4c係以和各圖素圖案列之間距相同之間距在被 曝光基板3之各圖素圖案列之縱向兩側實施不連續週期圖 案之驅動器圖案之曝光爲目的之驅動器遮罩圖案。在遮罩 4之各圖素遮罩圖案列1 L〜5 L之兩側各形成1個驅動器遮 罩圖案4c。 又，形成遮罩4之上述各遮罩圖案之區域以外之周邊 部分係空白區域，遮罩平台1係利用此空白區域來支持遮 罩4。其次，來自照明系7之狹縫狀照明光束，會照射於遮 罩4上之含所有圖素遮罩圖案4a、閘極線遮罩圖案4b、以 及驅動器遮罩圖案4c在內之矩形區域。 本實施形態在採用如上述之具有以實施不連續週期圖 案之重複曝光爲目的之圖素遮罩圖案4 a(及驅動器遮罩圖 案4c)、及以實施連續圖案之曝光爲目的之閘極線遮罩圖 案4 b之遮罩4時會特別有用。因此，以上者爲例繼續進行 說明。然而，採用不含有以實施連續圖案之曝光爲目的之 遮罩圖案之遮罩時，本實施形態亦有用。 其次，針對使用上述遮罩4時之本實施形態之液晶基 板曝光裝置之曝光動作進行說明。本實施形態之曝光動作 係在固定遮罩4之狀態下，以交互實施利用照明系7對遮罩 4之照明光照射而從各遮罩圖案4a〜4c對被曝光基板3實 施曝光光之投射、及利用基板平台5之步進驅動來實施被 -13- (10) 1249183 曝光基板3之步進移動，來對被曝光基板3實施各圖案之重 複曝光。 又，曝光光投射於被曝光基板3之期間，不會驅動基 板平台5 ^而使被曝光基板3處於停止狀態。 利用此種曝光方法，不必同步驅動遮罩平台1及基板 平台5，被曝光基板3上之曝光圖案影像十分安定，結果， 可改善被曝光基板之廢料率。 步進移動量及1次曝光時間（被曝光基板3及基板平台5 之停止時間），係依據塗布於被曝光基板3上之抗蝕劑感度 、及投影透鏡2之像面照度之關係而以使被曝光基板3上可 得到必要曝光光量之方式來決定。 本實施形態時，被曝光基板3之1次步進移動量（基板 平台5之1次步進驅動量）係對被曝光基板3實施曝光之圖素 圖案列之間距P之η倍，η係小於圖素遮罩圖案列（5列）之 自然數。 以1次曝光光之投射可對被曝光基板實施曝光之圖素 圖案列數爲a，亦即，遮罩上之圖素遮罩圖案之列數爲a( 複數），以b(複數）次曝光光之投射對被曝光基板實施圖素 圖案列之曝光上可得到必要之曝光光量之方式進行設定時 ，步進移動量可以aP/b之方式來進行設定。此時，a/b相 當於上述η。 例如，上述遮罩4時，係a = 5(列），以得到b = 5(次）之 曝光光之投射上必要之曝光光量來進行設定時，會成爲1 X P/l=P(n=l < a = 5)，被曝光基板3之1次步進移動量會成 -14- (11) 1249183 爲對被曝光基板3實施曝光之圖素圖案列之1間距p份。又 ，遮罩之圖素圖案列數爲a = 6 (列），以得到b = 3 (次）之曝光 光之投射上必要之曝光光量來進行設定時，會成爲6 X P/3=2 X P(n = 2 < a = 6)，被曝光基板3之1次步進移動量會 成爲對被曝光基板3曝光之圖素圖案列之2間距P份。 因此，被曝光基板3上，每次投影透鏡2對像面區域實 施步進移動都會實施η列圖素圖案之新曝光，同時，會對 從前次曝光之a列圖素圖案減去η列之數之圖素圖案列， 以重疊方式實施曝光。 又，以此方式實施被曝光基板3之步進移動而在各停 止位置實施曝光，故被曝光基板3之各圖素會分成b次來 實施曝光。亦即，若各圖素之適當曝光上必要之曝光光量 爲A(mW)，1次之曝光光量爲A/b(mW)即可。因此，即使 光源56之發光光量較小，最終亦可得到適當之曝光光量。 其次，相對於投影透鏡2之像面區域實施被曝光基板3 之各爲nxP之量之步進移動並重複實施重疊曝光，不但 可實施可滿足必要曝光光量之曝光，且可保証連續圖案之 閘極線圖案之連續性，尙可以交互實施曝光光之投射、及 被曝光基板3之步進移動之1個（一連串）之曝光製程即可完 成對被曝光基板3上之曝光區域全區之圖案曝光。 利用第3圖（A)、（B)來詳細說明此關係。這些圖中， 係曝光製程之被曝光基板3及遮罩4之位置關係變化。又， 這些圖係遮罩4之圖素遮罩圖案4a列爲5列且被曝光基板3 之步進移動量爲圖素圖案列之1間距份（n=l)時之例示。又 -15- (12) 1249183 ，這些圖中，被曝光基板3之步進移動方向係圖中之箭頭 方向（左方向）。 第3圖（A)中，係一連串曝光製程之初期狀態。首先， 實施最初之曝光光之投射（s h 01)之1 ’ s t s h 01。利用此對被 曝光基板3實施5列圖素圖案列1L’〜5L’之曝光。但是，此 時之曝光光量係相當於前述之A/b(mW) ’未達到必要之曝 光光量。 其次，被曝光基板3在朝第3圖（A)之左方向實施圖素 圖案列之1間距份之步進移動並停止後，實施2’iid shot。 此時，以前次之1 ’st shot實施曝光之5列圖素圖案列當中 ，從左方第2列以後之圖素圖案列2L’〜5L’會重疊曝光。 又，以2’nd shot對以1 ’st shot實施曝光之最右側之圖素 圖案列5 L ’之右側實施1列圖素圖案列之新曝光。 其次，被曝光基板3實施圖素圖案列之1間距份之步進 移動並停止後，會實施3’rd shot。因此，會對以1 ’st shot 實施曝光之5列圖素圖案列當中之左方第3列以後之圖素圖 案列3L’〜5L’實施第3次之重疊曝光。又，以3’rd shot對 以2’nd shot實施新曝光之圖素圖案列之右側實施1列圖素 圖案列之新曝光。 其後，被曝光基板3每次實施圖素圖案列之1間距份之 步進移動會逐次實施4’th、5’th、6’th、...shot，從l’st shot實施曝光之最左側之圖素圖案列1L起算之第5列以後 之圖素圖案列之曝光光量，會達到5次份曝光光量之適當 曝光光量，亦即，達到A(mW)。 -16- (13) 1249183 此時，以上之曝光製程之初期，因從以1 ’St Shot實施 曝光之最左側之圖素圖案列起算之第4列爲止之圖素匱I ^ 列1 L，〜4 L ’並未實施5次重疊曝光，若未採取任何對策’ 則會發生未達到適當曝光光量之圖素圖案列。 因此，本實施形態時，如第1圖及第4圖所示’遮罩1 及投影透鏡2之間配設著阻隔來自遮罩4(圖素遮罩圖案4a) 之部分曝光光之限制曝光區域之遮光片9a、9b。這些遮光 片9a、9b分別配置於遮罩4之左右，利用第1圖所示之片 平台10之驅動而可以互相獨立之方式實施位置控制，而可 以在阻隔來自第2圖所示之遮罩4之5列圖素遮罩圖案列1L 〜5 L當中之從配置著該遮光片之側起算之1列份至4列份 之圖素遮罩圖案列之曝光光射入投影透鏡2(亦即，投射至 被曝光基板3)之4個遮光位置、及所有來自圖素遮罩圖案 列1 L〜5 L之曝光光射入投影透鏡2之非遮光位置間進退移 動。又，片平台1 〇之進退驅動亦利用配設於控制箱8內之 控制電路上之平台控制部來執行控制。 第5圖（A)係曝光製程之初期以遮光片9a限制曝光區 域、及被曝光基板3實際曝光之圖素圖案列之模式關係圖 。此圖中，係使上圖中爲固定之遮罩4上之圖素遮罩圖案 步進移動至下圖中之左側時之被曝光基板3上之圖素圖案 之曝光狀態。 又，上圖中，斜線部分係以遮光片9 a阻隔從遮罩4朝 向投射透鏡2之曝光光時。又，下圖中，以點線區隔成上 下之各欄中，上側係本次曝光之圖素圖案列，下側則係前 -17- (14) 1249183 次曝光之圖素圖案列。 遮光片9a在實施1’st shot前’會移動至阻隔來自圖 素遮罩圖案列1L〜4L之曝光光而使來自圖素遮罩圖案列 5L之曝光光可射入投射透鏡2之位置（遮光初期位置）。因 此，1’st shot時，對應圖素遮罩圖案列1L〜4L之圖素圖 案列1L’〜4L，不會曝光，而只有對應圖素遮罩圖案列5L 之圖素圖案列5L，會曝光。其後，在每次實施被曝光基板3 之步進移動時，會依序將遮光片9a移至阻隔來自圖素遮 罩圖案列1L〜3L之曝光光而只實施圖素圖案列4L’、5L’ 之曝光的位置（2’nd shot時）、阻隔來自圖素遮罩圖案列1L 、2L之曝光光而只實施圖素圖案列3L’〜5L’之曝光的位 置（3’rd shot時）、以及阻隔來自圖素遮罩圖案列1L之曝 光光而只實施圖素圖案列2L’〜5L’之曝光的位置（4’ th shotB#)° 亦即，遮光片9a會和被曝光基板3之步進移動同步， 實施和被曝光基板3之步進移動方向相同方向（參照第1圖 之實線箭頭）之開放來自圖素遮罩圖案1列之曝光光之移動 量（亦即，對被曝光基板3之光投射區域逐次改變1列份之 圖素遮罩圖案，換言之，相當於被曝光基板3之光投射區 域上之η列圖素遮罩圖案之間距之移動量）之步進移動。 其次，在實施5’ th shot時（4’ th shot後之被曝光基板3 之步進移動時）及其後，至後述之曝光製程之終期爲止， 會使遮光片9退至非遮光位置。因此，從5’ th shot開始 ，會實施對應所有圖素遮罩圖案列1 L〜5 L之圖素圖案列 -18- (15) 1249183 1 L ’〜5 L ’之曝光。 因此，可從以l’st shot實施曝光之對應於圖素遮罩圖 案列5L之圖素圖案列5L’之位置開始實施對被曝光基板3 之實際曝光。因此，在l’st shot之前，以來自圖素遮罩圖 案列5L之曝光光可投射於第3圖（A)及第5圖（A)之圖素圖 案曝光區域當中最左端之曝光開始位置（第3圖（A)中之圖 素圖案列1 L的位置）之方式實施被曝光基板3之初期位置 設定，可以從圖素圖案曝光區域之曝光開始位置以適當之 曝光光量實施圖素圖案列之曝光。 又，第3圖（B)係一連串曝光製程之終期狀態。在實施 含最後shot之m’th shot在內之5次曝光之終期，亦會對 被曝光基板3實施圖素圖案列之曝光。然而，只有以m’th shot實施曝光之圖素圖案列當中之對應於圖素遮罩圖案列 1L之圖素圖案列1L’爲止可得到適當曝光光量。 因此，在終期時，會使另1個遮光片9b和被曝光基板 3同步，在和該基板3之步進移動方向相同之方向上，以逐 次阻隔來自圖素遮罩圖案1列之曝光光之移動量實施步進 移動，用以限制曝光區域。 第5圖（B)係此曝光製程之終期時之以遮光片9b限制 曝光區域、及在被曝光基板3上實際曝光之圖素圖案之模 式關係圖。此圖中，上圖係被固定之遮罩4上之圖像遮罩 圖案，而下圖則係朝圖中左側實施步進移動之被曝光基板 3上之圖素圖案之曝光情形。 又，上圖中，斜線部分係以遮光片9b阻隔從遮罩4朝 -19- (16) 1249183 向投射透鏡2之曝光光時。又，下圖中，以點線區隔成上 下之各欄中，上側係本次曝光之圖素圖案列，下側則係前 次曝光之圖素圖案列。 曝光製程之終期時，至實施m-4’ th shot爲止會使遮 光片9b退至非遮光位置，而在m-4’ th shot後之被曝光 基板3之步進移動的同時，則會使遮光片9b步進移動至可 阻隔圖素遮罩圖案列5L之曝光光而使只有圖素遮罩圖案 列1L〜4L之曝光光可射入投影透鏡2之位置。因此，而在 執行下一 m-3’th shot時，則只會實施對應圖素遮罩圖案 列1L〜4L之圖素圖案1L’〜4L’之曝光。 其後，在每次實施被曝光基板3之步進移動時，會依 序將遮光片9b移至阻隔來自圖素遮罩圖案列4L、5L之曝 光光而只實施圖素圖案列1L’〜L3’之曝光的位置（md’th shot時）、阻隔來自圖素遮罩圖案列3L〜5L之曝光光而只 實施圖素圖案列1L’、2L5之曝光的位置（m-l’th shot時）、 以及阻隔來自圖素遮罩圖案列2L〜5L之曝光光而只實施 圖素圖案列1L’之曝光的位置（m’th shot時）。 因此，以m’th shot實施曝光之至對應於圖素遮罩圖 案列1 L之圖素圖案列1 L’爲止，實際上可以適當光量對對 被曝光基板3實施曝光。 因此，一連串重複曝光之初期及終期時，會以遮光片 9a、9b限制曝光區域，而可在被曝光基板3之圖素圖案曝 光區域之全區以適當曝光光量圖素圖案實施曝光。 又，本實施形態係以利用阻隔來自遮罩4之曝光光之 -20- (17) 1249183 遮光片9a、9b來限制曝光區域爲例來進行說明，然而， 亦可使配設於照明光學系7內之用以決定對遮罩4之照明光 之照射區域之限制狹縫板5 5具有和該遮光片相同之機能。 此時，和使用遮光片9a、9b時相比，除了可簡化裝置之 構成，尙因爲遮罩4及遮光片9a、9b之間不需要物理空間 ，而具有影像形成上之優點。 又，因爲遮光片9a、9b係配置於用以限制曝光區域 之遮光位置，亦即，因爲遮光片9a、9b係配置於部分來 自遮罩4之曝光光會照射到之位置，在遮光片9上配設光量 檢測用檢測元件，可以檢測曝光光束之基板移動方向之光 量分布，而可取得用以實施光源5 6狀況檢查及適當曝光時 間演算之資料。 此處只針對圖素圖案之曝光進行說明，然而，對於驅 動器圖案亦同樣可實施適當曝光光量之曝光。又，對於閘 極線圖案，只需各shot實施圖素圖案列之1間距份長度之 偏移，即可以適當曝光光量實施連續圖案之曝光。 如以上所示，只需一連串曝光製程即可利用針對被曝 光基板3之遮罩4以適當曝光光量實施全部之圖素圖案（不 連續週期圖案）、驅動器圖案（不連續週期圖案）、以及閘 極線圖案（連續圖案）之曝光。 第6圖係上述一連串曝光製程之遮光片9a、9b之移動（ 片平台10之驅動）、曝光光之投射（光源56之發光）、以及 被曝光基板3之移動（基板平台5之驅動）之時序。遮罩4係 固定於各遮罩圖案包含於照明光之照射區域內之位置。 -21 - (18) 1249183 如此圖所示，首先，被曝光基板3會移動至前述之初 期位置，且遮光片9a亦會移動至阻隔來自圖素遮罩圖案 列1L〜4L之曝光光之初期位置。其後，交互實施曝光光 之投射shot(曝光）、及被曝光基板3之步進移動。 又，曝光製程之初期及終期時，爲了得到適當曝光光 量，遮光片9a、9b會如第5圖（A)、（B)所示，和被曝光基 板3同時實施步進移動。其次，在基板3及遮光片9a、9b 停止之時點會實施shot(曝光）。 第7圖係上述一連串曝光製程之控制電路之動作流程 圖。以下，併用第1圖針對該動作流程圖進彳了說明。 步驟S1中，控制電路會驅動基板平台5及片平台10， 將被曝光基板3及遮光片9a分別移動至上述初期位置。開 始曝光製程。 其次，步驟S2中，會實施shot(曝光）。此時，控制電 路會將s h 〇 t次數之計數値加1。 其次，步驟S3中，控制電路會依據shot次數之計數 値判別步驟S2之shot是否爲第5次（5’th)以上者，未達到 第5次時，進入步驟S4，以第5圖（A)說明之方式實施被曝 光基板3及遮光片9a之步進移動。接著，回到步驟S2，再 度實施shot(曝光）。 另一方面，步驟S3中，若判別步驟S2之shot爲第5 次（5 ’ t h)以上者時，進入步驟S 5，判別步驟S 2之s h 〇 t是 否爲第m-4次（m-4’th)以上者。此處，m係以利用遮罩4對 被曝光基板3實施全部電路圖案之曝光爲目的之必要之全 -22- (19) 1249183 部曝光次數（shot次數），係預先由使用者等實施輸入設定 c 步驟S5中，亦判別爲未達到第m-4次（m-4’th)之shot 時，控制電路會進入步驟S 6，在只實施被曝光基板3之步 進移動後，回到步驟S2，再度實施shot(曝光）。 又，步驟S5中，若判別步驟S2之shot爲m-4次（m-4’th)以上者時，控制電路會進入步驟S7，判別步驟S2之 shot是否爲最終次（m’th)者。其次，判別成非最終次 (m’th)者時，進入步驟S8，以第5圖（B)之說明所示之方式 實施被曝光基板3及遮光片9b之步進移動。 此處，從步驟S3至步驟S4之流程期間，如第5圖（A) 所示，會以遮光片9a實施曝光區域之步進限制。又，從 步驟S3至步驟S8之流程期間，如第5圖（B)所示，會以遮 光片9b實施曝光區域之步進限制。 又，步驟S7中，判別步驟S2之shot爲最終次（m’th) 者時，結束本流程（亦即，曝光製程）。 依據本實施形態，利用被曝光基板3之步進移動、及 圖案之重疊曝光之組合，即使使用小型遮罩4亦可實現對 大型被曝光基板3之適當曝光。又，利用上述步進移動及 圖案之重疊曝光之組合，可緩和照明系7之光源56之高輸 出化、投影透鏡2之透射率（反射率）之改善、以及針對塗 布於基板3之光阻劑之高感度化之要求度，而可實現所謂 flash on the fly，提高產量。此時，會要求基板平台5具 有驅動之流暢性及安定性。 -23- (20) 1249183 又，上述曝光製程後，如第8圖（A)所示，使用2個只 具有欄標遮罩圖案34d之遮罩34，對被曝光基板3之圖像 圖案曝光區域之外圍當中之該被曝光基板3之步進移動方 向兩側實施欄標圖案之曝光。又，第8圖（B)係第8圖（A)之 B部分放大圖。此時，如後述實施形態2之欄標圖案之曝 光時，只要使遮罩34(遮罩平台）隨著被曝光基板3之步進 移動（同步）實施步進移動，並實施欄標圖案之重疊曝光即 可。 又，使用未圖示之其他遮罩（例如，具有5列之閘極線 遮罩圖案之遮罩），以如使用遮罩4實施曝光時之方式，使 被曝光基板3實施步進移動並實施沿著各圖素圖案列之（縱 向）閘極線圖案之曝光。 因此，最後可得到如第9圖（A)所示之被曝光基板3， 前述被曝光基板3上已實施配置成行列狀之圖素圖案3 a、 及在長寬方向上配置成格子狀之閘極線圖案3b之曝光， 且圖像圖案曝光區域之外圍會實施驅動器圖案3c及欄標 圖案3d之曝光。 又，第9圖（B)係第9圖（A)之B部放大圖。 (實施形態2) 第10圖（A)之遮罩14，除了具有和實施形態1說明之遮 罩相同之圖素遮罩圖案14a、閘極線遮罩圖案14b、以及驅 動器遮罩圖案14c以外，尙具有用以對被曝光基板3以單 獨圖案方式實施欄標圖案（針對各閘極線圖案之配線圖案） -24- (21) 1249183 之曝光之欄標遮罩圖案（第3遮罩圖案）14d、14d’ 。又， 第10圖（B)係第1〇圖（A)之B部放大圖。 又’本實施形態時，欄標遮罩圖案14d、14d’之寬度 設定成具有圖素遮罩圖案14a之間距P之2倍的寬度。此 處’將圖素遮罩圖案列1 L側之欄標遮罩圖案稱爲第1欄標 遮罩圖案1 4 d，而將圖素遮罩圖案列5 L側之左側之欄標遮 罩圖案稱爲第2欄標遮罩圖案14d’ 。 此外，本實施形態所使用之遮罩1 4上，在形成遮罩圖 案之部分之外側區域會實施遮光處理，在後述之曝光製程 之初期及終期時，可防止透射上述區域之曝光光漏出至投 射透鏡2側。 又，在以下之說明中，和實施形態1之液晶基板曝光 裝置相同之構成要素，會附與和實施形態1相同之符號。 上述實施形態1時，係針對從曝光製程之最初至最後 爲止會固定遮罩4，且在曝光製程之初期及終期會以和被 曝光基板3之步進移動爲同步之方式實施遮光片9a、9b之 步進移動時來進行說明，然而，本實施形態中，在曝光製 程之初期及終期會和被曝光基板3之步進移動同步實施遮 罩14之步進移動，而未使用遮光片9a、9b。 又，本實施形態中，會針對遮罩1 4規定照明光學系7 之照明區域，前述照明區域之寬度係圖素遮罩圖案1 4a之 間距之5倍。此照明區域之規定上，係利用第1圖所示之照 明光學系7內之限制狹縫板5 5來實施。 第11圖係曝光製程之終期時在圖素圖案之曝光後接著 -25- (22) 1249183 實施欄標圖案之曝光的情形。本實施形態中，係在遮罩1 4 及被曝光基板3同步實施相同方向之步進移動後實施曝光 製程之終期之從m-5’ th shot至m’th shot爲止之shot， 來實施圖素圖案（以及閘極線圖案及驅動器圖案）、及欄標 圖案之曝光。 又，第11圖中雖然未標示，然而，在曝光製程之初期 時，會在遮罩14及被曝光基板3同步實施相同方向之步進 移動後實施l’st shot後之從2’nd shot至6’ th shot爲止之 shot，實施欄標圖案、及圖素圖案（以及閘極線圖案及驅 動器圖案）之曝光。 第12圖及第13圖係曝光製程之初期及終期之遮罩14之 步進移動、被曝光基板3之步進移動、以及實際曝光之圖 素圖案列之模式圖。 這些圖中，上圖係遮罩14上之圖像遮罩圖案及欄標遮 罩圖案（第1欄標遮罩圖案14d’及第2欄標遮罩圖案14d’ ） ，下圖則係朝圖中左側之步進移動之被曝光基板3上之圖 素圖案及欄標圖案之曝光情形。 又，遮罩14中，第1欄標遮罩圖案14d係具有如上所 述之2 X P之寬度，其中，距離圖素遮罩圖案列1 L較遠側 (外側）之寬度P部分爲Tla，較近側（內側）之寬度P部分 爲Tib。又，第2欄標遮罩圖案亦同樣具有2xP之寬度
，其中，距離圖素遮罩圖案列5L較近側（內側）之寬度P 部分爲T 2 a，較遠側（外側）之寬度P部分爲τ 2 b。 又，上圖中，斜線部分係表示曝光區域以外之區域。 -26- (23) 1249183 又，下圖中，以點線區隔成上下之各欄中，上側係本次曝 光之圖素圖案列或欄標圖案，下側則係前次曝光之圖素圖 案列或欄標圖案。 如第1 2圖所示，本實施形態和實施形態1相同，在將 被曝光基板3移動至前述初期位置後，會交互實施曝光光 之投射（曝光）、及被曝光基板3之步進移動。 但，本實施形態中，在將被曝光基板3移至初期位置 時，會同時將遮罩14移至將第1欄標遮罩圖案14d之外側 部分T 1 a之影像投影於被曝光基板3之曝光開始位置之初 期位置。 其後，實施1 ’st shot(曝光）。利用此1 ’st shot，可在 被曝光基板3上實施對應於第1欄標遮罩圖案1 4d之外側部 分Tla之欄標圖案Tla’之曝光。 其次，使被曝光基板3及遮罩14在相同方向上實施步 進移動。被曝光基板3之步進移動量和實施形態1中之說明 相同。又，遮罩14之步進移動量爲圖素遮罩圖案列之1間 距（圖素遮罩圖案列之間距之η倍），遮罩影像爲等倍投影 之本實施形態，係和被曝光基板3之步進移動量相同。 其次，實施2’nd shot。被曝光基板3及遮罩14同步實 施步進移動後之2’nd shot時，除了會在1’st shot實施曝 光之圖案Tla’上實施對應於第1欄標遮罩圖案I4d之外側 部分Tla之圖案Tla’之重疊曝光以外，尙會在其右側實 施對應於第1欄標遮罩圖案14d之內側部分Tib之圖案 Tib’之曝光。 -27- (24) 1249183 其次’被曝光基板3及遮罩14朝相同方向實施步進移 動後’貫施 3’rdshot。3’rdshot 時，除 了會在 l*st 及 2，nd shot實施曝光之圖案Tla’上實施對應於第1欄標遮罩圖案 1 4 d之外側部分T 1 a之圖案T 1 a，之重疊曝光以外，尙會在 2’nd shot實施曝光之圖案Tlb’上實施對應於第1欄標遮罩 圖案14d之內側部分Tib之圖案Tib，之重疊曝光。又，圖 案T 1 b ’之右側上，會有對應於圖素遮罩圖案列1 l之圖素 圖案列1L’之新曝光。又，實施圖素圖案列之曝光時，和 其相對應之圖素遮罩圖案列同時位於照明區域（曝光區域） 之閘極線圖案及驅動器圖案亦會同時曝光。 其後，至5’ th shot爲止，會以相同方式重複實施被 曝光基板3及遮罩14之步進移動及曝光，而在第1欄標遮罩 圖案1 4d之外側部分T 1 a到達曝光區域之最左側時，即結 束對應於此第1欄標遮罩圖案14d之外側部分Tla之圖案 T la’之5次重疊曝光。此時點，對應於第1欄標遮罩圖案 14d之內側部分Tib之圖案Tib’之重疊曝光次數爲4次， 圖素圖案列1L’之重疊曝光次數爲3次，圖素圖案列2L’之 重疊曝光次數爲2次，圖素圖案列3 L ’之曝光次數爲1次。 其次，6’ th shot及7，thshot亦分別在實施被曝光基 板3及遮罩14之步進移動後實施。6’th及7, th shot時，因 爲第1欄標遮罩圖案1 4d之外側部分T 1 a係位於照明區域（ 曝光區域）之外，圖案Tla’不會實施超過5次之重疊曝光。 又，因6’ th shot而達到5次重疊曝光次數之圖案Tib’， 在7’th shot時，會因爲第1欄標遮罩圖案14d之內側部分 -28- (25) 1249183 TI b位於照明區域之外，而不會實施曝光。 結束7，th shot之階段時，遮罩14上之照明區域（曝光 區域）內已存在圖素遮罩圖案列1L〜5L° 其次，結束7 ’ t h s h 〇 t後，停止（固定）遮罩1 4 ’只對 被曝光基板3實施和至目前爲止相同之步進移動並繼續實 施曝光。因此，圖素遮罩圖案列1L〜4L之影像（1L’〜4L’） 會被重疊曝光於先前曝光之圖素圖案列之其中某一列上， 又，曝光區域之最右側部分上會實施圖素遮罩圖案列5 L 之影像（5 L’）之新曝光。又，遮罩14停止後，會對先前曝 光之圖素圖案列實施和相對應之圖素遮罩圖案列爲不同圖 素遮罩圖案列之影像的重疊曝光，然而，因爲圖素遮罩圖 案列全部爲相同形狀，故不會造成問題。 其次，參照第1 3圖針對曝光製程之終期進行說明。只 實施被曝光基板3之步進移動而在實施過m-6’ th shot之 時點，基板3上會存在從曝光區域之左側開始分別實施5次 、4次、3次、以及2次重疊曝光之圖素圖案列、及實施1次 曝光之圖素圖案列。 其次，和初期時相同，再度實施和被曝光基板3爲同 步之遮罩14之步進移動。因此，遮罩14上之照明區域（曝 光區域）會存在圖素遮罩圖案列2L〜5L及第2欄標遮罩圖 案14d’之內側部分T2a。因此，在此狀態下實施m-5’ th shot，則基板3上之前次曝光之圖素圖案列2L’〜5 L’上， 除了會分別實施圖素圖案列2L’〜5L’之重疊曝光以外，尙 會實施對應於第2欄標遮罩圖案14d’之內側部分T2a之圖 -29 - (26) 1249183 案T2a’之曝光。 其次，m_5’ th shot後，再度以同步方式使被曝光基 板3及遮罩14實施相同方向之步進移動並實施m-4’ th shot，則會對基板3上之前次曝光之圖素圖案列3L’〜5L' 、及圖案T2a'上分別實施圖素圖案列3L’〜5L’、及圖案 T2a’之重疊曝光，且同時實施對應於第2欄標遮罩圖案 14d’之外側部分T2b之圖案T2b’之曝光。 其後，至最後之m’th shot爲止，會在和初期相同之 被曝光基板3及遮罩14之步進移動後實施shot，而在m-2’th shot之時點結束最後圖素圖案列（5L’）之5次重疊曝光 ，其後，亦會完成第2欄標遮罩圖案14d’（對應於T2a、 T2b之欄標圖案T2a’、T2b’）之5次重疊曝光。因此，應曝 光於基板3上之全部圖案都可得到適當之曝光光量。 如以上所示，只以一連串之曝光製程即可利用針對被 曝光基板3之遮罩14，以適當之曝光光量實施全部圖素圖 案（不連續週期圖案）、驅動器圖案（不連續週期圖案）、閘 極線圖案（連續圖案）、以及欄標圖案（單獨圖案）之曝光。 第15圖係上述一連串之曝光製程之曝光光之投射（光 源56之發光）、遮罩14之移動（遮罩平台1之驅動）、以及被 曝光基板3之移動（基板平台5之驅動）之時序。 如此圖所示，首先，除了被曝光基板3會被移至前述 初期位置以外，遮罩14亦會被移至只有第1欄標遮罩圖案 之外側部分Tla位於照明區域（曝光區域）之初期位置。其 後，至曝光製程之初期爲止，會以如以第1 2圖實施說明之 -30- (27) 1249183 方式，交互實施曝光光之投射shot (曝光）、及被曝光基板 3及遮罩14之步進移動。 其後，交互實施shot(曝光）、及被曝光基板3之步進 移動。 其次，進入曝光製程之終期後，會再度交互實施曝光 、及被曝光基板3及遮罩14之步進移動。 第1 4圖係上述一連串之曝光製程之控制電路之動作流 程圖。以下，在同時參照第1圖之情形下，進行該動作流 程圖進行說明。 首先，步驟SI 1中，控制電路會驅動基板平台5及遮 罩平台1，將被曝光基板3及遮罩14移動至上述初期位置。 開始執行曝光製程。 其次，步驟S12中，會實施shot(曝光）。此時’控制 電路會將s h 〇 t次數之計數値加1。 其次，步驟S13中，控制電路會依據shot次數之計數 値判別步驟S12之shot是否爲第7次（7’th)以上者，未達到 第7次時，進入步驟S14，實施被曝光基板3及遮罩4之同 步步進移動。其次，回到步驟S12，再度實施shot (曝光） 〇 另一方面，步驟S13中，若判別步驟S12之shot爲第 7次（7，th)以上者時，進入步驟S15，判別步驟S12之shot 是否爲第m-6次（m-6’th)以上者。非第m-6次以上者時’ 進入步驟S16，只實施被曝光基板3之步進移動’而使遮 罩14保持停止。其次，回到步驟S12，再度實施shot(曝 -31 - (28) 1249183 光）。 又，步驟S15中，判別步驟S12之shot爲第m-6次 (m - 6 ’ t h)以上者時，進入步驟S 1 7，判別步驟S 1 2之s h 〇 t 是否爲最終次（m’th)者。此處，m係以利用遮罩1 4對被曝 光基板3實施全部電路圖案之曝光爲目的之必要之全部曝 光次數（shot次數），係預先由使用者等實施輸入設定。 步驟S 1 7中，亦判別爲未達到最終次（m ’ t h)之s h 〇 t時 ，控制電路會進入步驟S18，實施被曝光基板3及遮罩14 之同步步進移動後，回到步驟S12，再度實施shot(曝光） 〇 又，步驟S1 7中，判別步驟S 12之shot爲最終次 (m’th)者時，控制電路會結束本流程（亦即，曝光製程）。 依據本實施形態，和實施形態1相同，利用被曝光基 板3之步進移動、及圖案之重疊曝光之組合，即使使用小 型遮罩14亦可實現對大型被曝光基板3之適當曝光。又， 利用上述步進移動及圖案之重疊曝光之組合，可緩和照明 系7之光源56之高輸出化、投影透鏡2之透射率（反射率）之 改善、以及針對塗布於基板3之光阻劑之高感度化之要求 度，而可實現所謂flash on the fly，提高產量。此時，會 要求基板平台5具有驅動之流暢性及安定性。 其次，依據本實施形態，可以一連串之曝光製程實施 不連續週期圖案（圖素圖案、驅動器圖案）及連續圖案（閘 極線圖案）之曝光、及單獨圖案（欄標圖案）之曝光。 又，上述之曝光製程後，使用未圖示之其他遮罩（例 -32- (29) 1249183 如’具有5列之閘極線遮罩圖案之遮罩），以如實施形態1 之遮罩4實施曝光時之方式，使被曝光基板3實施步進移動 並實施沿著各圖素圖案列之（縱向）閘極線圖案之曝光。 因此，最後可得到如第9圖（A)、（B)所示之被曝光基 板3 ’前述被曝光基板3上已實施配置成行列狀之圖素圖案 3a '及在長寬方向上配置成格子狀之閘極線圖案3b之曝 光’且圖像圖案曝光區域之外圍會實施驅動器圖案3c及 欄標圖案3 d之曝光。 又，本實施形態所使用之遮罩1 4上，在形成遮罩圖案 之部分之外側區域會實施遮光處理，在曝光製程之初期及 終期時，可防止透射上述區域之曝光光漏出，然而，此時 必須配合配設該遮光區域而擴大遮罩1 4。此時，亦可利用 遮光片9a、9b來防止來自遮罩圖案部分之外側區域之曝 光光的外漏。 亦即，初期中之第12圖所示之1 ’st shot之前’會將遮 光片9a移至用以阻隔透射第1欄標遮罩圖案之外側部分 Tla、及曝光區域之左端間之區域之曝光光的位置上，每 次結束2’nd〜4’thshot時會實施遮光片9a之步進移動， 防止來自該區域之曝光光之外漏。此時，遮光片9a之步 進移動量係對應於遮罩14之步進移動量之量，對被曝光基 板3之光投射區域係n(本實施形態爲1)列遮罩圖案份之變 化量。換言之，係相當於被曝光基板3之光投射區域上之 η列圖素遮罩圖案之間距的移動量。 又，終期中之第13圖所示之m-4’th〜m-l’thshot之 -33- (30) 1249183 各shot，會以和上述相同量實施遮光片9b之步進移動， 使其移至可阻隔透射第2欄標遮罩圖案之外側部分T2b及 曝光區域之右端間之區域之曝光光的位置上，防止來自該 區域之曝光光之外漏。 因此，因爲遮罩無需配設經過遮光處理之部分，故可 縮小遮罩。又，亦可使限制狹縫板5 5具有同樣之機能。 又，以上述實施形態1、2說明之遮罩只是實例，圖像 遮罩圖案之列數及各列含有之圖素數、以及閘極線圖案及 欄標遮罩圖案之數量及形狀等，並未受限於利用實施形態 1、2實施說明者。 (實施形態3 ) 其次，針對利用上述各實施形態說明之投影曝光裝置 之液晶顯示面板（半導體裝置）製造方法之實施形態進行說 明。 第1 6圖係液晶顯示面板之製造流程圖。本實施形態中 ，步驟S 1 0 1 (陣列設計製程）會實施液晶陣列之電路設計。 步驟S1 02 (遮罩製造製程）中，會製作具有對應設計之電路 之遮罩圖案的遮罩。 另一方面，步驟S103(基板製造製程）中，會製造當做 被曝光基板使用之玻璃基板。步驟S104(陣列製造製程）係 所謂「前製程」，利用步驟S 1 02準備之遮罩，以平版印 刷技術在玻璃基板上形成實際之陣列電路。 此步驟S1 04中，會實施以上述實施形態1、2說明之 -34- (31) 1249183 曝光製程。亦即，本實施形態之玻璃基板製造方法，係含 有用以準備遮罩之製程（步驟S101〜102)、及利用該遮罩 之實施形態1及2所示之曝光製程（步驟S104)。後面會對此 步驟S 1 04之陣列製造製程進一步進行詳細說明。 其後之步驟S105(面板製造製程）即所謂「後製程」， 係將步驟S 1 04製造之已實施電路圖案曝光之玻璃基板、 及以其他製程（步驟S1 09)製造之濾色器進行貼合，密封周 邊部，並在其間注入液晶之製程。以此方式可製造液晶顯 示面板之主體。 步驟S1 0 6 (模組製造製程）中，會將欄標及背光源等組 合至步驟S1 05製造之液晶顯示面板主體上，製成液晶顯 示面板模組。其次，步驟S107(檢査製程）中，會實施經過 老化之液晶顯示面板模組之動作確認測試及耐久性測試等 檢査。經過上述製程，即完成液晶顯示面板，並在步驟 S 1 0 8中進行出貨。 第1 7圖係詳細說明上述步驟S ! 04之陣列製造製程之 流程圖。首先’步驟S 1 1 1 (薄膜形成前洗淨）中，會實施以 在玻璃基板之表面上形成薄膜爲目的之前處理之洗淨製程 〇 其次’步驟S1 12(薄膜形成製程）中，會以PCVD法在 玻璃基板之表面上形成薄膜。其次，步驟S丨]3 (抗蝕劑塗 布製程）中，會在玻璃基板之表面塗布期望之光阻劑並實 施烘焙。 其次’步驟S1 14(曝光製程）中，會利用實施形態1、2 -35- (32) 1249183 說明之液晶基板曝光裝置及遮罩，在玻璃基板（光阻劑）上 實施陣列電路圖案之曝光。 步驟S1 15(顯影製程）中，會實施曝光於玻璃基板上之 電路圖案之顯影。其次，步驟S 1 1 6 (蝕刻製程）中，會以蝕 刻去除經過顯影之光阻劑以外之部分。其次，步驟S 1 1 7 ( 抗蝕劑剝離製程）中，會去除已經過鈾刻且已成爲不需要 之光阻劑。重複實施這些步驟，可在玻璃基板上形成多重 電路圖案。 其次，步驟SU8中，會實施形成電路圖案之玻璃基 板之檢査及修正等，並將其當做已完成之玻璃基板（陣列 基板）使用於第16圖之步驟S105之面板製造製程。 利用本實施形態之製造方法，很容易即可製造高精度 之液晶顯示面板。 (實施形態4) 以下，係以實例針對可使用於上述實施形態1、2所示 之液晶基板曝光裝置之遮罩進行說明。 第1 8圖（A)係實施形態4之遮罩24。此遮罩24係相當於 從實施形態2之以第9圖（A)說明之遮罩14去除驅動器圖案 14c者。亦即，遮罩24具有5列之圖素遮罩圖案24a、閘極 線遮罩圖案24b、以及形成於圖素遮罩圖案24a列之並列 方向（圖中之左右方向）兩側之欄標遮罩圖案24c。又，第 18圖（B)係第18圖（A)之B部放大圖。 利用此遮罩24，對被曝光基板實施和實施形態2相同 -36- (33) 1249183 之曝光製程，其次，利用第8圖（A)、（ B )所示之只有欄標 遮罩圖案34d之2個遮罩34(但，遮罩34之配置方向係垂直 於第8圖（A)所示之配置方向之方向），在上述被曝光基板 之圖像圖案曝光區域之外圍當中之在遮罩24未實施欄標圖 案之曝光之部分（垂直於被曝光基板之步進移動方向之方 向之兩側）實施欄標圖案之曝光。 又，使用未圖示之其他遮罩（例如，具有5列之閘極線 遮罩圖案之遮罩），以如實施形態1使用遮罩4實施曝光時 之方式，使被曝光基板3實施步進移動並實施沿著各圖素 圖案列之（縱向）閘極線圖案之曝光。 因此，最後可得到如第19圖（A)所示之被曝光基板3， 前述被曝光基板3上已實施配置成行列狀之圖素圖案3a、 及在長寬方向上配置成格子狀之閘極線圖案3b之曝光， 且圖像圖案曝光區域之外圍會實施欄標圖案3d之曝光。 又，第1 9圖（B)係第1 9圖（A)之B部放大圖。 (實施形態5) 第2 0圖（A)係實施形態5之遮罩44。此遮罩44係相當於 從實施形態1之以第2圖（A)說明之遮罩4去除驅動器圖案4c 者。亦即，遮罩44只具有5列之圖素遮罩圖案24a。又’第 20圖（B)係第20圖（A)之B部放大圖。 利用此遮罩44，對被曝光基板實施和實施形態1相同 之曝光製程，其次，利用第21圖（A)所示之4方只有欄標遮 罩圖案54d之框形遮罩54，在上述被曝光基板上之圖像圖 -37- (34) 1249183 案之曝光區域之外圍實施欄標圖案之曝光。 又，使用未圖示之其他遮罩（例如，具有5列之閘極線 遮罩圖案之遮罩），以如實施形態1使用遮罩4實施曝光時 之方式，使被曝光基板3實施步進移動並實施沿著各圖素 圖案列之（縱向）閘極線圖案之曝光。 因此，最後可得到如第19圖（A)、（B)所示之被曝光基 板3，前述被曝光基板3上已實施配置成行列狀之圖素圖案 3 a、及在長寬方向上配置成格子狀之閘極線圖案3 b之曝 光，且圖像圖案曝光區域之外圍會實施欄標圖案3d之曝 光。 以上說明之各實施形態，係以容易理解本發明爲目的 ，而非用以限制本發明。因此，上述實施形態所揭示之各 要素，包含屬於本發明之技術範圍之全部設計變更及等效 之物在內。 例如，上述之實施形態中，針對透鏡投影方式之等倍 掃描型曝光裝置進行說明，然而，本發明亦可應用於以圓 弧狀照明光束照射遮罩之曝光裝置。例如，投影系亦可應 用於具有鏡投影方式之光學系之掃描方式之投影曝光裝置 〇 又，曝光用照明光（亦即，來自光源56之光線）亦可以 使用水銀燈射出之輝線（例如，g線、i線）、KrF激分子雷 射（波長248nm)、ArF激分子雷射（波長193nm)、F2雷射（波 長157nm)、Ar2雷射（波長126nm)、或YAG雷射等高諧波 之其中之一。 -38- (35) 1249183 其次，上述實施形態時，將其視爲特別適合液晶顯示 面板用基板之曝光技術來進行說明，然而，本發明不但可 應用於液晶顯示面板之製造，亦可將其當做各種半導體元 件、薄膜磁頭、以及攝像元件（C CD等）之製造上之曝光技 術，此外，本發明亦可應用於以製造標線及遮罩爲目的而 將電路圖案轉印於玻璃基板或矽晶圓等之曝光技術上。 如以上說明所示，依據上述各實施例，每次實施曝光 平台之步進驅動（被曝光構件之步進移動），被曝光構件上 都會實施η列曝光圖案之新曝光，且先前曝光之曝光圖案 會各以特定次數實施重疊曝光。因此，可以使用具有遮罩 圖案列少於被曝光構件應曝光之曝光圖案列之全數之遮罩 ，而可使遮罩在遮罩圖案列並列之方向（被曝光構件之步 進移動方向）上之尺寸成爲最小。因此，即使利用遮罩之 周邊區域來實施支持時，亦可抑制遮罩發生自重變形，而 可以容易地以高解析力對大型被曝光構件實施投影曝光。 又，隨著遮罩之小型化，亦可實現遮罩之低成本化。 其次，利用曝光圖案之重疊曝光，即使1次之曝光光 量較小，最後亦可以必要曝光光量實施圖案曝光。因此， 可緩和照明光源之高輸出化要求、投影光學系之透射率（ 反射率）之改善要求、以及塗布於被曝光構件之光阻劑之 高感度化要求等。 其次，重複曝光之初期及終期中，利用遮光構件使複 數列之遮罩圖案當中之部分遮罩圖案列不會對被曝光構件 實施光投射，在實施曝光圖案之重疊曝光時之重複曝光之 -39- (36) 1249183 初期及終期中，可防止發生不必要之曝光。 又，採用配設著以在被曝光構件實施不連續圖案之曝 光爲目的之第1遮罩圖案、及以實施連續圖案之曝光爲目 的之第2遮罩圖案之遮罩，而可實施不連續圖案及連續圖 案之同時曝光。而且，利用被曝光構件之上述步進移動， 可確保對被曝光構件實施曝光之連續圖案之連續性。因此 ，無需區分成不連續圖案之重複曝光及連續圖案之曝光製 程，而可以1個（一連串）曝光製程實現。 又，因爲遮罩上亦配設著以單獨圖案之曝光爲目的之 第3遮罩圖案，如液晶顯示面板用基板之電路圖案之由單 獨圖案、不連續（重複）圖案、以及連續圖案所構成之電路 圖案，以1個（一連串）曝光製程即可完成對被曝光構件之 曝光，且因爲遮罩之小型化而防止自重變形，被曝光構件 之搬運、及遮罩及被曝光構件之調正調整更爲容易，因而 提高被曝光基板之產量。 【圖式簡單說明】 第1圖係本發明實施形態1之液晶基板曝光裝置之重要 部位槪略圖。 第2圖係使用於上述實施形態1之液晶基板曝光裝置之 曝光用遮罩之說明圖。 第3圖係利用上述實施形態1之液晶基板曝光裝置對被 曝光基板實施圖案曝光之槪略說明圖。 第4圖係使用於上述實施形態1之液晶基板曝光裝置之 • 40- (37) 1249183 遮光片之槪略平面圖。 第5圖係利用上述實施形態1之液晶基板曝光裝置對被 曝光基板實施圖案曝光（初期及終期）之模式說明圖。 第6圖係上述實施形態1之液晶基板曝光裝置之動作時 序圖。 第7圖係上述實施形態1之液晶基板曝光裝置之動作流 程圖。 第8圖係上述實施形態1使用之其他曝光用遮罩之說明 圖。 第9圖係以上述實施形態1之液晶基板曝光裝置實施曝 光之被曝光基板之說明圖。 第1 0圖係使用於本發明實施形態2之液晶基板曝光裝 置之曝光用遮罩之說明圖。 第1 1圖係利用上述實施形態2之液晶基板曝光裝置對 被曝光基板實施圖案曝光之槪略說明圖I ° 第1 2圖係利用上述實施形態2之液晶基板曝光裝置對 被曝光基板實施圖案曝光（初期）之模式說明匱1 ° 第1 3圖係利用上述實施形態2之液晶基板曝光裝置對 被曝光基板實施圖案曝光（終期）之模式說明圖1 ° 第1 4圖係上述實施形態2之液晶基板曝光裝置之動作 時序圖。 第1 5圖係上述實施形態2之液晶基板曝光裝置之動作 流程圖。 第1 6圖係含有使用上述實施形態1、2之液晶基板曝光 -41 - (38) 1249183 裝置之曝光製程在內之本發明實施形態3之液晶顯示面板 的製造流程圖。 弟1 7圖係弟1 6圖之曝光製程之流程圖。 第1 8圖係使用於本發明實施形態4之液晶基板曝光裝 置之曝 光 用 遮 罩 之 說 明 圖 〇 第 19 圖 係 以 上 述 實 施 形 態4之液晶基 板曝 光裝置實 施 曝光之 被 曝 光 基 板 之 說 明 圖 〇 第 20 圖 係 使 用 於 本 發 明 實施形態5之 液晶 基板曝光 裝 置之曝 光 用 遮 罩 之 說 明 圖 〇 第 2 1 圖 係 上 述 實 施 形 態 5使用之其他 曝光 用遮罩之 說 明圖。 第 22 圖 係 傳 統 掃 描 型 曝 光裝置之重要部位槪略圖。 [圖: 號說明 1 ] 1 遮 罩 平 台 1 G 圖 素 遮 罩 圖 案 行 1L 圖 素 遮 罩 圖 案 列 1L’ 圖 素 圖 案 列 2 投 射 透 鏡 2G 圖 素 遮 罩 圖 案 行 2L 圖 素 遮 罩 圖 案 列 2L9 圖 素 圖 案 列 3 被 曝 光 基 板 圖素圖案 -42- (39)1249183 3b 閘 極 線 圖 案 3 c 驅 動 器 圖 案 3d 欄 標 圖 案 3G 圖 素 遮 罩 圖 案 行 3L 圖 素 遮 罩 圖 案 列 3L’ 圖 素 圖 案 列 4 遮 罩 4 a 圖 素 遮 罩 圖 案 4b 閘 極 線 遮 罩 圖 案 4 c 驅 動 器 遮 罩 圖 案 4L 圖 素 遮 罩 圖 案 列 4L’ 圖 素 圖 案 列 5 基 板 平 台 5L 圖 素 遮 罩 圖 案 列 5L’ 圖 素 圖 案 列 7 照 明 系 8 控 制 箱 9a 遮 光 片 9b 遮 光 片 10 片 平 台 14 遮 罩 14a 圖 素 遮 罩 圖 案 14b 閘 極 線 遮 罩 圖 案 14c 驅 動 器 遮 罩 圖 案 -43 (40)1249183 1 4d 欄 標 遮 罩 圖 案 24 罩 24a 圖 素 遮 罩 圖 案 24b 閘 極 線 遮 罩 圖案 24c 欄 標 遮 罩 圖 案 34 遮 罩 34d 欄 標 遮 罩 圖 案 44 遮 罩 53 聚 光 透 鏡 54 遮 罩 54d 欄 標 遮 罩 圖 案 55 限 制 狹 縫 板 56 光 源 58 鏡 子 8 1 遮 罩 82 遮 罩 掃 描 平 台 83 投 影 光 學 系 84 基 板 掃 描 平 台 85 被 曝 光 基 板 -44-