JPH10233360A - 露光装置、デバイス製造方法およびマスク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 １つの露光区画において同一パターンでの繰
返し露光が多い場合に、大幅な露光時間の短縮を図る。 【解決手段】 露光光６に対して相対的にマスク１と被
露光基板３とを同期させてスキャン移動させることによ
り被露光基板上にマスクのパターンを被露光基板の各露
光区画上にスキャン露光する際に、１つの露光区画内に
同一のパターン像Ｂを繰返し連続的に形成すべき領域が
あるときは、そのパターン像に対応するマスクパターン
のパターン部分Ｂがその露光位置に到達したとき（ｙ
２）にマスクの移動を停止させるとともに、被露光基板
の移動を続行させ（ｙ４〜ｙ５）、前記パターン像を繰
返し形成すべき領域内の各パターン像部分Ｂがその露光
位置に到達する毎に露光を行う。この際、１つの露光区
画上に対して繰返し連続的に形成されるパターン像に対
応するパターン部分としては、その繰返しの単位となる
１つのパターン部分Ｂのみを有するマスクを使用するこ
とができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、フォトマスク、レ
チクル等のマスク（原版）と被露光基板とを同期させて
スキャン移動させながらマスクのパターンを被露光基板
上にスキャン露光する露光装置およびデバイス製造方法
ならびにこれらに使用することができるマスクに関し、
特に、半導体デバイスや液晶デバイスの製造に適したも
のに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の半導体デバイスや液晶デバイスの
製造用のスキャン露光装置においてはウエハに回路パタ
ーンを転写する場合には、写真でいうネガフィルムに相
当するマスク（レチクル）に焼付け光を当て、マスクを
透過した光を１／４〜１／７ぐらいにレンズで縮小して
焼き付けていた。通常、スキャン露光では、一括露光と
違い、焼付け光照射時において、マスクの移動（スキャ
ニング動作）に同期してウエハを移動させる必要がある
ため、１つの露光区画中に繰返し現れる同一の回路パタ
ーンがある場合でも、そのパターンを繰返し数だけマス
ク上に並べて設け、マスクステージの速度に同期させな
がら一定スピードでウエハステージを移動させて、露光
を行なっていた。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】従来は、このように、
半導体基板または液晶基板の露光時には、マスクステー
ジに同期させたウエハステージの移動（スキャン動作）
を行なっていたため、スピードに余裕があったとして
も、ウエハステージは必ずマスクステージのスピードに
合わせて（同期させて）移動する。したがって、通常パ
ターンのマスクにおいても、同一パターンの繰返しの多
いマスク（メモリ、ＣＣＤ、ＴＦＴ液晶などのマスク）
においても、その露光時間（スループット）は同等であ
る。

【０００４】また、同様に、一般に大変時間がかかるた
めにボトルネックとなっているマスク作成時間において
も、通常パターンのマスクおよび同一パターンの繰返し
の多いマスクとは同等である。

【０００５】これらの従来技術の問題点に鑑み、本発明
の目的は、１つの露光区画において同一パターンでの繰
返し露光が多い場合に、大幅な露光時間の短縮を図るこ
とができる、露光装置およびデバイス製造方法ならびに
これらに使用することができるマスクを提供することに
ある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
本発明では、図３に示すように、露光光６に対して相対
的にマスク１と被露光基板３とを同期させてスキャン移
動させることにより被露光基板上にマスクのパターンを
被露光基板の各露光区画上にスキャン露光する露光装置
およびデバイス製造方法において、１つの露光区画内に
同一のパターン像Ｂを繰返し連続的に形成すべき領域が
あるときは、そのパターン像に対応するマスクパターン
のパターン部分Ｂがその露光位置に到達したとき（ｙ
２）にマスクの移動を停止させるとともに、被露光基板
の移動を続行させ、前記パターン像を繰返し形成すべき
領域内の各パターン像部分Ｂがその露光位置に到達する
毎（ｙ３〜Ｙ５）に露光を行うようにしている。

【０００７】これによれば、同一パターン像を繰返し連
続的に形成すべき領域においては、マスクを移動させる
ためのマスクステージを止めて、被露光基板を移動させ
るための基板ステージのみを高速に移動させて露光する
ことができる。このため、単位時間当たりの被露光基板
の処理枚数（スループット）が向上する。なお、このと
き、基板ステージが高速移動するため、被露光基板に露
光光（エキシマレーザ等）を照射するタイミングを、正
確に基板ステージに同期させて、露光位置ずれを防止す
る。

【０００８】また、露光光に対して相対的にマスクと被
露光基板とを同期させてスキャン移動させることにより
被露光基板上に前記マスクのパターンを前記被露光基板
の各露光区画上にスキャン露光する際に用いられる前記
マスクにおいて、１つの露光区画上に対して繰返し連続
的に形成されるパターン像に対応する部分としては、そ
の繰返しの単位となる１つのパターン部分のみを有する
ことを特徴とする。

【０００９】このマスクを本発明の露光装置およびデバ
イス製造方法において用いる場合、同一パターンを何回
も繰り返すことが必要なメモリ、ＣＣＤ等のパターン像
を形成する際に、本発明のマスク中の繰返しの単位とな
る１つのパターン部分を用いて、そのパターン像を繰返
し形成すべき領域内の各パターン像が形成される。

【００１０】これによれば、マスクの大幅なパターン面
積の削減、および作成時間の短縮をが図られる。

【００１１】

【発明の実施の形態】本発明の好ましい実施形態におい
ては、各露光区画内における前記連続的にパターン像を
形成すべき領域とその他の領域とを分け、各露光区画に
ついて一方の領域の露光位置における露光光の照射は行
わないことにより、他方の領域についての露光を各露光
区画について行い、その後、各露光区画について前記他
方の領域の露光位置における露光光の照射は行わないこ
とにより、前記一方の領域についての露光を各露光区画
について行うことを特徴とする。そしてこの場合、隣接
露光区画が連続しているときはそれらの間で前記被露光
基板のスキャン移動を停止させないようにすることがで
きる。

【００１２】これにより、被露光基板上の露光区画の数
が多い場合でも、有効にスループットの向上が図られ
る。

【００１３】また、本発明のマスクにおいては、１つの
露光区画内に連続した繰返しパターンが必要な場合は、
その繰返し単位のみをマスクパターン内に設けるように
しているため、マスクパターンの大きさが小さくて済
む。したがって、複数種類の露光区画あるいは被露光基
板に対応する複数のマスクパターンを１つのマスク上に
設けるようにすることもできる。すなわち、例えば、１
枚のマスクで、従来の５枚分のマスクに相当するパター
ン情報を有するようにすることができる。

【００１４】

【実施例】以下、図面に基づき本発明の実施例を説明す
る。 ［実施例１］図１は、本発明の第１の実施例に係る半導
体製造装置の概略を示す。同図に示すように、半導体製
造装置の露光光学系は、露光時においてマスクを載せて
横にスライドするようにスキャン駆動するマスクステー
ジ４、回路パターン等が刻印された露光用マスク１、ウ
エハを載せて縦横にステップ駆動するウエハステージ
５、焼付けのターゲットであるウエハ３、マスクパター
ンをウエハ３に縮小投影するプロジェクションレンズ
２、半導体焼付け用の光源であるエキシマレーザ５６、
光源からの光を拡大し平行光化する光集束用コンデンサ
レンズ５３、露光領域以外の必要でない露光光部分をカ
ットする制限スリット５５等の露光光投影系で構成さ
れ、さらにまた、前述の各ユニットのセンシング部およ
び駆動部のための制御ボックス５７といった制御系より
構成されている。そして、制御ボックス５７がプログラ
ムに従ってマスクステージ４、ウエハステージ５、およ
びエキシマレーザ５６をコントロールする構造になって
いる。

【００１５】露光動作時には、エキシマレーザ５６から
の光がコンデンサレンズ５３を通して拡大、平行光化さ
れたのち、制限スリット５５によって、露光エリア以外
の部分の光をカットされ、露光領域幅のライン形状光と
なって、マスク１に照射される。そして、マスク１に照
射され、パターン情報の載った露光光は、プロジェクシ
ョンレンズ２を通過し縮小されて、ウエハステージ５上
のウエハ３に照射される。このとき、マスクステージ４
は左横方向にスライドするように動き、それに同期して
ウエハステージ５も、反対の右横方向にマスクステージ
４の１／４倍（プロジェクションレンズ２の縮小率が１
／４であった場合）のスピードで動く、通常は、このま
ま、一区画分動いて一区画分の露光を終了するが、本発
明においては、メモリ、ＣＣＤ等のような同一パターン
を繰り返すようなマスクの場合、その同一パターンの区
間のみ、マスクステージ４を止めて露光するようになっ
ている。よって、マスクステージ４を止めて露光するた
め、マスクステージ４とウエハステージ５の同期動作の
必要がなく、結果的に、その分スループットが上がる。

【００１６】図２は、図１の半導体製造装置におけるマ
スクとウエハおよび露光光の関係を示す斜方図である。
図１のＡ′−Ａ″間が図２のＡ′−Ａ″間の断面に相当
する。また、図２中の７、８はウエハ位置合せ用観察顕
微鏡、９、１０はマスク位置合せ用観察顕微鏡、２１は
マスク１上のパターン領域、２２はウエハ３上の転写領
域、４１、４５はマスク側のマスク基準マーク、４２、
４６はマスクステージ側のマスク基準マーク、４３、４
７はマスク側のウエハ基準マーク、４４、４８はウエハ
側のウエハ基準マークである。

【００１７】図３は、図１の半導体製造装置の露光動作
におけるマスク１とウエハ３の両ステージ４および５の
動きについて、従来例の場合と本実施例の場合の違いを
示した図である。

【００１８】図３において、マスク１は、Ａ、Ｂ、Ｂ、
Ｂ、Ｂ、Ｃといった３種類６区間のマスクパターンを有
しており（図８（ｂ）に拡大して表示）、ｘ１〜ｘ６は
従来例、ｙ１〜ｙ６は本実施例において各区間のマスク
パターンを順次露光する様子を示す。マスクステージよ
りウエハステージのスピードの方が最高速において早い
のだが、同期している時にはウエハステージはマスクス
テージに合わせて遅く動いている。

【００１９】従来例の場合には、Ａ、Ｂ、Ｃのパターン
の違いに関係なくマスクステージは右から左に一定量ず
つスライドし、それに同期してウエハステージも左から
右にスライドするので、その間で一定間隔おきに一定量
分エキシマレーザを照射すれば露光は完了する。しか
し、ｘ２〜ｘ５の同一パターンの間でもウエハステージ
は、マスクステージに合わせて遅く動くことになる。

【００２０】本発明の場合には、まず、Ａの区間（ｙ
１）は、従来例と同様に駆動する。その後、Ｂの区間
（ｙ２）になるとマスクステージは停止し、ウエハステ
ージのみがスライドし、図８（ｂ）に示すようなＢ区間
の繰返しパターンの間隔おきに、１ショット分（一定量
分）のエキシマレーザを照射する。そして、Ｃの区間に
なると、再び従来例と同様に駆動して終了する。また、
従来例と違い、ｙ２〜ｙ５の同一パターンの区間では、
ウエハステージは、マスクステージに同期せずに高速に
動くことになる。

【００２１】図８（ａ）は、マスク１を示す。このマス
クは、従来のものと同様のものである。同図において、
αはマスクのパターンの左上部分、βは左下部分であ
り、同図（ｂ）は部分αおよびβを拡大して示した図で
ある。同図（ｂ）において、区間Ａのパターン（以下、
Ａパターンという）と区間Ｃのパターン（以下、Ｃパタ
ーンという）の間のＢ区間のパターン（以下、Ｂパター
ンという）は同一のものが繰り返されている。

【００２２】図１０は、上述の各実施例の場合に、ウエ
ハ上において、連続して隣接する露光区画の位置関係と
そうでない場合の位置関係について説明した図である。

【００２３】図４はこの装置における露光処理に関する
動作を示すフローチャートである。同図に示すように、
この装置において露光処理を開始すると、装置はまず、
ステップｆ１において、本発明に従って同一パターンを
繰り返す区間でのスピードアップ露光が選択されている
か否かを判定し、選択されていると判定されたときはス
テップｆ３へ進み、選択されていないと判定されたとき
はステップｆ２へ進む。ステップｆ２では、通常のスキ
ャン露光のサブルーチンに従った処理を行い、その後、
露光処理を終了する。

【００２４】ステップｆ３〜５では、Ａ、Ｂ、Ｃ各パタ
ーンが露光される領域（以下、それぞれ、Ａ領域、Ｂ領
域、Ｃ領域という）での同一（繰返し）パターンの露光
回数およびその繰返しパターンの繰返し間隔、ならびに
各露光区画間の幅の入力を受け入れる。

【００２５】ステップｆ６、ｆ８では、入力された各領
域での露光回数、各領域での繰返しパターンの繰返し間
隔をチェックし、入力間違いならエラー表示後、ステッ
プｆ３に戻り、さもなければステップｆ１０へ進む。

【００２６】ステップｆ１０〜１２では、各領域の露光
回数、繰返しパターンの繰返し間隔のデータより、各領
域での制限スリットの幅、露光周期、ウエハステージの
スピード、領域終了チェック用パラメータを計算して求
める。

【００２７】次のステップｆ１３では、マスク位置合せ
用顕微鏡９、１０を用いてマスク上のマスク基準マーク
４１、４５とマスクステージ上のマスク基準マーク４
２、４６とが合うようにセットし、その後、ウエハ位置
合せ用顕微鏡７、８を用いてマスク上のウエハ基準マー
ク４３、４７とウエハ上のウエハ基準マーク４４、４８
とが合うようにセットし、ステップｆ１０において求め
たスリット幅になるような位置へ露光領域制限スリット
５５をセットする。

【００２８】次のステップｆ１４、ｆ１５では、最初の
露光区画を露光するために、マスクステージ４のＡ領域
先頭への移動、およびウエハステージ５の最初の露光区
画先頭への移動を行なう。

【００２９】次のステップｆ１６では、Ａ領域の露光が
終了したかをチェックし、終了であればステップｆ２１
へ進み、さもなければステップｆ１７〜ｆ１９へ進む。

【００３０】ステップｆ１７〜ｆ１９では露光処理（露
光光照射）、マスクステージ４の移動、ウエハステージ
５の移動を同時に並行して行なう。そして、ステップｆ
２０において露光回数をカウント・アップし、ステップ
ｆ１６に戻って、同様の処理を繰り返す。

【００３１】ステップｆ２１、ｆ２２では、Ｂ領域での
露光動作を行なうため、マスクステージ４とウエハステ
ージ５を露光動作に同期させながら同時に並行して停止
させる。次のステップｆ２３では、Ｂ領域の露光が終了
したかをチェックし、終了であればステップｆ２７に進
み、未終了であればステップｆ２４、ｆ２５へ進む。

【００３２】ステップｆ２４、ｆ２５では、露光処理
（露光光照射）およびウエハステージの移動を同時に並
行して行なう。そして、ステップｆ２６において露光回
数をカウント・アップし、ステップｆ２３に戻って、同
様の処理を繰り返す。

【００３３】ステップｆ２７では、Ｃ領域での動作を行
なうため、ウエハステージを露光動作に同期させながら
同時に平行して停止させる。次のステップｆ２８では、
マスクステージのＣ領域の先頭位置への移動を行なう。
次のステップｆ２９では、Ｃ領域の露光が終了したか否
かをチェックし、終了であればステップｆ３４に進み、
未終了であればステップｆ３０〜ｆ３２に進む。

【００３４】ステップｆ３０〜ｆ３２では、露光処理
（露光光照射）、マスクステージの移動、ウエハステー
ジの移動を同時に並行して行なう。そして、ステップｆ
３３において露光回数をカウント・アップし、ステップ
ｆ２９に戻って、同様の処理を繰り返す。

【００３５】ステップｆ３４、ｆ３５では、次の露光区
画のＡ領域での動作を行なうため、マスクステージとウ
エハステージを、露光動作に同期させながら同時に平行
して停止させる。次のステップｆ３６では、すでにウエ
ハ上の最終露光区画を露光したかどうかを調べ、もし露
光が終了しているのなら処理を終了し、さもなければス
テップｆ３７、ｆ３８へ進む。

【００３６】ステップｆ３７、ｆ３８では、次の露光区
画を露光するために、マスクステージのＡ領域先頭への
移動、およびウエハステージの次の露光区画先頭への移
動を行なう。この後、再びステップｆ１６に戻り、最終
露光区画の露光処理終了まで、以後同様の処理を繰り返
す。

【００３７】［実施例２］上述の実施例では、領域Ａと
ＢおよびＢとＣの境界では、ウエハステージを露光処理
に同期させて止めたり、スタートさせたりする動作が入
るため、ウエハ上の露光区画が少ない（区画境界の少な
い）大面積の素子の製造においては、有利であるが、露
光区画が多い小面積の素子の製造には向いていない。そ
こで、露光区画の多い場合に有利である本実施例を示
す。

【００３８】本実施例においては、露光区画間において
もなるべくウエハステージを止めること無く露光を行な
うために、１つの露光区画における露光を一度に行なわ
ず、Ｂ領域の露光とＡおよびＣ領域の露光とに分けて行
い、その代わりに連続して隣接する区画間ではウエハス
テージを停止させずに駆動している。以下に、その制御
方法について述べる。図５は、この制御による露光処理
の動作のフローチャートである。同図に示すように、ス
テップｇ１〜ｇ１３までは、上述の図４のステップｆ１
〜ｆ１３と同様である。

【００３９】ステップｇ１４、ｇ１５では、Ｂ領域の露
光での最初の露光区画を露光するために（図１１、左図
参照）、マスクステージのＢ領域先頭への移動およびウ
エハステージの最初の露光区画先頭への移動を行なう。
次のステップｇ１６〜ｇ２９においては、Ａ、Ｃ領域は
露光せずに素通りし（ステップｇ１７、ｇ１８、ｇ２
２、ｇ２３）、Ｂ領域のみ露光する「Ｂ領域露光」を行
なう。なお、ステップｇ２６において、次区間が連続か
否かの判定を行っているが、区間が連続か否かの意味
は、図１０において示したとおりである。ステップｇ２
４において最終区画までの露光が終了したと判定され、
Ｂ領域露光が終了すると、ステップｇ２５においてウエ
ハステージのスキャン移動を停止させ、図６のステップ
ｇ３１、ｇ３２へ進む。

【００４０】ステップｇ３１、ｇ３２では、Ａ、Ｃ領域
露光での最初の露光区画を露光するために（図１１、右
図参照）、マスクステージのＡ領域先頭への移動および
ウエハステージの最初の露光区画先頭への移動を行な
う。

【００４１】ステップｇ３３〜ｇ５０では、Ｂ領域は露
光せず素通りし（ステップｇ３８、ｇ３９）、Ａ、Ｃ領
域のみ露光する［Ａ・Ｃ領域露光］を行なう処理をす
る。そして、この処理内のステップｇ４５にて、最終露
光区画の露光を終了したと判断した場合には、ウエハス
テージスキャンを停止し（ステップｇ４６）、全処理を
終了する。

【００４２】［実施例３］図９（ａ）は、本発明の第３
の実施例に係る半導体製造装置のマスクを示す。同図
（ａ）において、γはマスクのパターンの左部分であ
り、同図（ｂ）はこの部分γを拡大して示した図であ
る。同図（ｂ）中のＡ、Ｂ、Ｃは図８のＡ、Ｂ、Ｃのパ
ターンに相当する。しかし、図８のマスク１と違い、Ａ
パターンとＣパターンの間にＢパターンの繰り返しは無
く、Ｂパターンは１つだけである。そのため、このマス
クを上述の実施例１においてマスク１の代わりに用いた
場合、図８のマスク１と同じ情報を非常に少ないパター
ンで実現できるため、マスクの作成時間が大幅に短縮す
ることができる。また、ＢパターンとＣパターン間の距
離も大変短いため、パターンＣまでマスクを移動させる
のに要する時間も大幅に短縮することができる。

【００４３】［実施例４］図７（ａ）は、本発明の第４
の実施例に係る半導体製造装置のマスクを示し、同図
（ｂ）はこのマスクのパターンの左部γ１〜γ５を拡大
して示す。このマスクは、図９のものと異なり、マスク
上のパターン部分は、１ケ所ではなく５ケ所あり、それ
ぞれが異なる別の情報を有している。このため、このマ
スク１枚で図９のマスクの５枚分に相当する構成となっ
ている。

【００４４】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、以
下の効果を奏する。

【００４５】 １つの露光区画内に同一のパターン像
を繰返し連続的に形成すべき領域があるときは、その部
分の露光を、マスクの移動を停止させ、被露光基板のみ
を移動させて行うようにしたため、通常のスキャン露光
装置のようにマスク全体のスキャン露光をする必要がな
くなり、マスクスキャンのための装置負荷を減らすこと
ができる。そのため、装置のスループットを大幅に向上
することができる。

【００４６】 １つの露光区画上に対して繰返し連続
的に形成されるパターン像に対応するパターンの部分と
しては、その繰返しの単位となる１つのパターン部分の
みを有するマスクとしたため、従来のマスク上に存在し
た同一パターンの繰り返しがなくなり、マスクの作成時
間を短縮することができる。

【００４７】 従来は、たった１種類の被露光基板の
露光においてもマスクを何枚か必要としていたが、の
場合において、さらに複数種類の露光区画あるいは被露
光基板に対応する複数のマスクのパターンを有するよう
にしたため、一つのマスクに何枚分ものマスクの機能を
持たせることができる。したがって、高価な消耗品であ
るマスクにかかるコストを削減することができる。さら
にその上、多量のマスクの使用が不要となり、マスク洗
浄装置、マスク異物検査装置といったマスクの洗浄や検
査のための設備、設備の維持費用も削減することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】 図１は本発明の第１の実施例に係る半導体製
造装置の全体ブロックの概略を示す図である。

【図２】 図１の半導体製造装置におけるマスクとウエ
ハおよび露光光の関係を示す斜方図である。

【図３】 図１の半導体製造装置の露光動作におけるマ
スクとウエハの両ステージの動きについて、従来例の場
合と第１実施例の場合の違いを示した図である。

【図４】 図１の装置における本発明の第１の実施例に
係る露光処理に関する動作を示すフローチャートであ
る。

【図５】 本発明の第２の実施例に係る露光処理を示す
フローチャートである。

【図６】 図５の処理に続く処理を示すフローチャート
である。

【図７】 本発明の第４の実施例に係る半導体製造装置
のマスクを示す図である。

【図８】 従来のマスクを示す図である。

【図９】 本発明の第３の実施例に係る半導体製造装置
のマスクを示す図である。

【図１０】 ウエハ上において、連続して隣接する露光
区画の位置関係とそうでない場合の位置関係について説
明した図である。

【図１１】 本発明の第２の実施例に従ってウエハが露
光される様子を示す図である。

【符号の説明】

１：マスク、２：プロジェクションレンズ、３：ウエ
ハ、４：マスクステージ、５：ウエハステージ、６：露
光光照射方向、７，８：ウエハ位置合せ用観察顕微鏡、
９，１０：マスク位置合せ用観察顕微鏡、２１：パター
ン領域、２２：転写領域、４１，４５：マスク基準マー
ク（マスク側）、４２，４６：マスク基準マーク（マス
クステージ側）、４３，４７：ウエハ基準マーク（マス
ク側）、４４，４８：ウエハ基準マーク（ウエハ側）、
５３：コンデンサレンズ、５５：露光領域制限スリッ
ト、５６：露光用エキシマレーザ、５７：制御ボック
ス。

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 露光光に対して相対的にマスクと被露光
   基板とを同期させてスキャン移動させることにより被露
   光基板上に前記マスクのパターンを前記被露光基板の各
   露光区画上にスキャン露光する露光装置において、１つ
   の露光区画内に同一のパターン像を繰返し連続的に形成
   すべき領域があるときは、そのパターン像に対応する前
   記マスクパターンのパターン部分がその露光位置に到達
   したときに前記マスクの移動を停止させるとともに、前
   記被露光基板の移動を続行させ、前記パターン像を繰返
   し形成すべき領域内の各パターン像部分がその露光位置
   に到達する毎に露光を行うように装置を制御する制御手
   段を具備することを特徴とする露光装置。
2. 【請求項２】 前記制御手段は、各露光区画内における
   前記連続的にパターン像を形成すべき領域とその他の領
   域とを分け、各露光区画について一方の領域の露光位置
   における露光光の照射は行わないことにより、他方の領
   域についての露光を各露光区画について行い、その後、
   各露光区画について前記他方の領域の露光位置における
   露光光の照射は行わないことにより、前記一方の領域に
   ついての露光を各露光区画について行うように制御する
   ものであることを特徴とする請求項１記載の露光装置。
3. 【請求項３】 前記制御手段は、隣接露光区画が連続し
   ているときはそれらの間で前記被露光基板のスキャン移
   動を停止させないことを特徴とする請求項２記載の露光
   装置。
4. 【請求項４】 露光光に対して相対的にマスクと被露光
   基板とを同期させてスキャン移動させることにより被露
   光基板上に前記マスクのパターンを前記被露光基板の各
   露光区画上にスキャン露光するデバイス製造方法におい
   て、１つの露光区画内に同一のパターン像を繰返し連続
   的に形成すべき領域があるときは、そのパターン像に対
   応する前記マスクパターンのパターン部分がその露光位
   置に到達したときに前記マスクの移動を停止させるとと
   もに、前記被露光基板の移動を続行させ、前記パターン
   像を繰返し形成すべき領域内の各パターン像部分がその
   露光位置に到達する毎に露光を行うことを特徴とするデ
   バイス製造方法。
5. 【請求項５】 各露光区画内における前記連続的にパタ
   ーン像を形成すべき領域とその他の領域とを分け、各露
   光区画について一方の領域の露光位置における露光光の
   照射は行わないことにより、他方の領域についての露光
   を各露光区画について行い、その後、各露光区画につい
   て前記他方の領域の露光位置における露光光の照射は行
   わないことにより、前記一方の領域についての露光を各
   露光区画について行うことを特徴とする請求項４記載の
   デバイス製造方法。
6. 【請求項６】 隣接露光区画が連続しているときはそれ
   らの間で前記被露光基板のスキャン移動を停止させない
   ことを特徴とする請求項５記載のデバイス製造方法。
7. 【請求項７】 露光光に対して相対的にマスクと被露光
   基板とを同期させてスキャン移動させることにより被露
   光基板上に前記マスクのパターンを前記被露光基板の各
   露光区画上にスキャン露光する際に用いられる前記マス
   クにおいて、１つの露光区画上に対して繰返し連続的に
   形成されるパターン像に対応する部分としては、その繰
   返しの単位となる１つのパターン部分のみを有すること
   を特徴とするマスク。
8. 【請求項８】 複数種類の前記露光区画あるいは前記被
   露光基板に対応する複数の前記マスクのパターンを有す
   ることを特徴とする請求項７記載のマスク。