TWI248638B - Methods of filling gaps and methods of depositing materials using high density plasma chemical vapor deposition - Google Patents

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TWI248638B
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gas
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Neal R Rueger
William Budge
Weimin Li
Gurtej S Sandhu
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Micron Technology Inc
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1248638 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 而特定具體例 本發明係有關在基板上形成一層之方法 則係有關填補間隙之方法。 【先前技術】 =緣材料及絕緣材料之層在各種半導體應用上係廣泛用 於、巴或電隔離結構特徵及電路元件。此種材料及層之絕 緣性質常會受到絕緣材料沉積時減少或排除所形成孔隙區 或此力所衫響。沉積時整個沉積層之沉積均勻性會影響 膜品質及有效減少孔隙含入之能力。由於裝置之特徵2 t J A而要填補的間隙寬度也縮小而此等間隙的縱橫比會變 仔非吊大。因此，間隙_填補内之孔隙區域之縮小便 難，但對有效隔離却愈形重要。表面全面之沉積速㈣異會 讓孔隙排除之最適沉積條件及參數難以達成，若非不可能。 ^用來解決精確間隙·填補之需要之-種方法，是高密度 =化學蒸氣沉積法（HDP_CVD)。勝過其他習知方法之= 步改良，已由另類噴濺氣體如H2取代HDP_CVD習用之喷 減氣體如氬氣’而獲得。以出取代已讓在某些沉積條件下 間隙•填補應用之孔隙之發生減少。 有而要開發？文良之間隙-填補技術及提供？文良之沉積速 度均勻性之方法。 、、 【發明内容】 在一方面，本發明涵蓋一 基板係放在南密度電漿反應 種在基板上沉積一層之方法。 至内。至少一種具有重氫同位 96265.doc 1248638 素取代物之化合物送人反應室内並在室内產生高密度電 浆。含有至少-部份重氨化合物之層即化學蒸氣沉積在基 板上。 在-方面’本發明涵蓋—種填補半導體基板上間隙之方 法。基板放在反應室内，並在反應室内提供氣體混合物。 氣體混合物含有至少一種含重氯化合物。氣體混合物反應 而在基板上形成一材料層’此層係同時沉積及蝕刻。材料 層填補間隙，使得間隙内之材料幾無孔隙。 在一方面’本發明涵蓋-種提供改良之沉積速度均句性 之方法。材料係在至少-種自D2、HD、dt、从th所組 成之族群中所選出之氣體之存在下沉積於表面上。沉積期 間之整體况積速度’其定義為材料沉積與材料同時钱刻速 度之比。整體沉積速度在表面全面有變異度，其與沉積時 2而在成乎凡全相同條件下發生之對應變異度相較， 明顯改良。 【實施方式】 '月/函盖一種在基板上沉積諸層之改良方法。諸層可 」日用或夕種重氫化合物藉化學蒸氣沉積法沉積。為了本 j月2用，重氫一詞可指氘（D)或氚（丁），而重氫化合物可指 一/、有個 些或全部氫原子被〇及/或T取代超過對應 素天然含量以上之化合物。更明確言之，含矽層 藉门*度電漿化學蒸氣沉積法（HDP-CVD)在重氫噴濺氣 體3重虱珂驅物化合物或重氫前驅物與重氫喷濺氣體兩 者之存在下形成。 96265.doc 1248638 HDP-CVD通常包含沉積材料之同時化學沉積及噴濺蝕 刻。同時沉積及蝕刻所產生的淨沉積速度也可稱為整體沉 積速度。本發明之方法可用於在表面全面提供淨沉積速度 之改良均勻性（減低之變異）。本發明方法學之諸方面特別可 用於間隙填補方法且可減少或消除所得經填補之間隙内之 孔隙。 本發明之方法學係參照圖1-9說明。請參閱圖1 ,所示反 應器10可用於進行本發明之方法。反應器1〇可為例如化學 蒸氣沉積反應器如HDP-CVD反應器。如圖1所描繪，反應 器10有反應室12，且可包含圓頂13，其具有一或多個無限 電頻率（RF)線圈14。反應器1〇可包含一或多個入口 18且可 包含一或多個出口 20。入口 18可為例如氣體注入器。 反應器10可包含基板平台22，用以固定或扣住基板9〇。 在反應器10為HDP反應器時，基板平台22可為靜電夾具 (ESC)。為進行本發明之方法，反應器1〇通常可為誘發搞合 反應器，雖然本發明涵蓋電容耦合反應器或電子加速器共 振（ECR)反應器。 可用於貫行本發明之方法之代表性誘發輕合HDP-CVD 反應器’疋諸知勒斯糸统公司（Novellus Systems，Inc.5San Jose，California)之諾偉勒斯（Novellus) HDp 室（speed®)。 當利用此種反應器時，低頻（LF)功率可施加於圓頂線圈 14，在室12内誘發RF電場。RF電場可用以產生高密度電漿 16。為本發明之用，「高密度電漿」一詞係指密度大於或等 於約1 0離子/cm3之電漿。rf偏壓可藉施加高頻功率（hf) 96265.doc 1248638 於靜電夾具22而施加於矽晶片90，造成離子化之電漿分子 自電漿1 6被吸至矽晶片90而進行喷濺。 為簡化以下說明，條件及參數將就SpEE]D®HDP系统之使 用提出。然而，應了解的是，本發明涵蓋另類反應器之利 用，其條件及參數會與明確所述者有所差異。 本發明之特別方面將參照圖1-4加以說明。請參閲圖2， 所示半導體矽晶片或晶片段9〇係在本發明方法之初步步 驟。晶片段90可包含半導基板1〇〇。為幫助解說以下申請專 利乾圍’「半導基板」及「半導體基板」二詞之定義為意指 包含半導材料之任何構造，包括但不限於，整體半導材料 如半導體矽晶片（單獨或包含其上有其他材料之組合）及半 導材料層（單獨或包含其上有其他材料之組合）。「基板」一 詞係指任何支撑結構，包括但不限於，上料導體基板。 基板1〇〇可包含表面102，其可為如圖2所示為平面或其另外 可包含一或多個外形特徵。 呑月多閱圖3, 一層材料1〇4可利用例如HDp_cvi^^一或多 種含重氫之化合物之存在下沉積於表面1〇2上。層104可例 如在如圖1所示之高密度電漿反應室内形成。該至少一種人 重氫同位素取代物之化合物係經由—或多個入口18送入: (固）了包括例如絕緣材料如氧化石夕，而 、疋方面’可為—氧切或經掺雜之二氧化石夕。 利用卿-⑽形成氧化物層w方法通常包 用遍合物沉積；該氣體混合物可包含一 : 化合物、一或多種惰性氣體如氯㈤，及在有些情π 96265.doc 1248638 含〇2、〇3及n〇3之-或多種之氧化劑氣體。在耐沉積期 間，-些氣體混合物會參與沉積材料之喷減，並可稱為、、曰 合物之喷細。在有些情形’習知方法用會影響沉積J 料之喷濺之出或He取代-些或整個惰性氣體組份。然而， 在HDP.CVD系统制H4，沉積速度在整個表面會有所不 同，而產生不可預測性及非均勻沉積。 習知氧化石夕沉積方法所用之代表性前驅物化合物包括石夕 烷（SiH4)、二矽烷（Si2H6)、二氣_矽烷Sicl2H2&si(〇c2H5)4 ("TEOS")。摻雜氧化物層之習知形成包含在膦（pH3)、二删 烷（Β2Ηδ)、胂（AsH4)、磷酸三甲酯（C3H9〇3p3)及硼酸三甲醋 (C3H9〇3B3)之一或多種之存在下沉積。 本發明之方法包括氘化及/或氣化之前驅物化合物、氘化 及/或氚化之摻雜劑化合物、重二原子氫氣體或任何這些之 組合之一或多種之使用。為本發明之用，重二原子氫氣體 或重氫氣體可指DH、DT、D2、T2、TH及其混合物。 在特定方面，本發明之方法可包含提供一或多種前驅物 为子、含氧氣體及氘化及/或氚化型之氫氣進入反應室12 (圖丨）内。兩密度電漿16可在反應室12内產生以供層1〇4化學 条氣沉積於基板90上。層104之沉積可包含整體（淨）沉積速 度’其將視在無同時蝕刻（亦即，無偏壓電力）之存在下所發 生之沉積速度及在所用特定偏壓電力下發生之同時蝕刻速 度而定。淨沉積速度會受諸如偏壓電力、流速、壓力、温 度及其他參數所影響。因此，沉積淨速度可在層104沉積時 藉改變沉積期間之一或多個參數而改變或調整。 96265.doc -10- 1248638 提供於室12(圖1)之&或其他喷濺氣體組份之一部份或 全部被取代時，對增強基板9〇表面全面上之整體沉積速度 之均勻性有利。換言之，氘喷濺劑之存在，相較於利用例 如Η2而在完全相同條件下發生之對應速度變異度，在 HDP-CVD沉積層1〇4(圖3)時，可降低表面102全面之淨沉積 速度變異度。 圖4及5顯示，當在利用HDp_CVD沉積二氧化矽時以 (圖5)取代Η2 (圖4)時，可發生的改良之淨沉積均勻性。圖4 及5所呈現之數據係利用具有平坦表面1〇2之2〇〇 矽晶片 90(圖3)在諾偉勒斯SPEED⑧反應器*HDp_CVD而在其上沉 積二氧化矽層104所得。所測得蝕刻-深度比（E/D比）在圖4 及5每一圖中係就矽晶片9〇之中心點1〇8(圖3)、點ιι〇所代表 矽晶片90之邊環、位於中心點1〇8第一距離以點ιΐ2所代表 ,第一環及位於中心點108第二距離以點114所代表之第二 玉衣加以表示。 ㈣’所付之明顯改良之姓刻/沉積均勻性。如圖4及5所 不’ h2ad2都有助於在低偏麼電力下E/D比之沉積部份，而 得增強之淨沉積並造成負職bnD2%使在這些低偏 I電力下也會改良整體㈣/沉積均句性。氣喷触份之利 用，相較於其他噴I组份，可讓石夕晶片9〇整個平表面之淨 沉積速度之變異度降低，而造成整個切晶片之各點之層 旱度都Λ貝均句。所述本發明可藉由相對於非重氫方法降 低表面全面之淨沉積速度變異度18%或以上，而賦予改良 96265.doc 1248638 之沉積均勻性及/或層厚度均句性。 請再參閱圖3，用於層1〇4之代表性 二氧化矽、經磷摻雜之1仆 —可包含氧化矽、 ^ 巩化矽（PSG)、經硼摻雜之-备儿 矽（BSG)、經硼磷摻雜 ”一虱化 f、As、Ge养雜m )或經另類摻雜劑如
Ge摻雜之乳化物或其組合。在 化物層之本發明具體例中，可藉由提 多氧 化之_彳如PH3_xRx、B2H6_yIW =種=或氣 c3h9.zrz〇3b3 (盆中 3 9-zRz〇3p3& 一 3 3 u、甲尺為丁、0或其組合，及其中\叫_3、 合物可、=用中’―或多種氖化或氣化之摻雜劑化 σ 5上述一或多種二原子重氫氣體一起提供。 、根據本發明方法HDP-CVD沉積層1G4可利用藉由提供一 :夕種汛化或氚化之前驅物化合物而在高密度電漿内提供 汛及矶之一或二者。此種含重氫之前驅物可包 Sj2RyH6-y、SiCl2RH、SiCl2R2、Si〇4C8RqH2〇 q (其中 R為氣X、 氚2其組合，及其中m y十6及q=l-20)。此等一或多 種含重氫之前驅物可各別使用或連同提供氘化及/或氚化 之噴濺氣體於電漿16内及/或一或多種上述氣化或氣化之 摻雜劑使用。 士圖3所示’在面密度電漿中有氛及/或氖之存在下，藉 HDP-CVD在平表面1〇2上沉積層1〇4時，由於重氫而非氫之 存在所提供之改良淨沉積速度均勻性，可用於產生具有實 貝上平坦表面1〇6之層1〇4。本發明之方法也可有利地用於 在非平坦表面、在具不平外形之表面上、在具一或多個凹 96265.doc 1248638 部、開口或溝渠之基板上、在基板表 件之基板上或其各種組合上形成一層。 本發明方法特別有利之代表性應用是為填補間隙 職-CVD時提供氖及/或氣可有利地填補凹部、開口及/或 間隙’而提供具有較少孔隙之填補區域及/或較氫用於取代 重氫所會發生為少之孔隙區域。本發明方法可產生幾益孔 隙之間隙填補，其巾「無孔隙」—詞係指其中己無可债測 到之孔隙區域之填補區域。 本發明之方法之代表性應用將參照圖6及7加以說明。請 參閱圖6 ’其提供包含基板材料1〇〇之矽晶片或矽晶片段 9〇,其中具有開口 120。開口 120可被描述為間隙特徵或間 隙結構，且可為例如隔離區域如溝渠隔離區域。開口丄如 可用習知加工方法形成。 開口 120可被描述為具有底表面126及具有開放側壁I。 及124。如圖6所示，開口 120可具有實質垂重於平坦底表面 126之側壁122及124。開口 12〇可進一步被描述為具有縱橫 比，其定義為開口高度與開口寬度之比，或在圖6所示特定 實例之情形時，縱橫比可為側壁122、！24與底部表面126 之長度之比。或者，開口 120可具有非平坦底表面、可具有 非長方形之形狀、及/或可包含非實質垂直於底表面（未示出） 之側壁。 請參閱圖7，可在基板1〇〇或表面1〇2上沉積一層材料ι〇4 以填補開口 120。或者，可實行間隙填補ι〇4之形成，使得 在開口 120内發生材料1〇4之淨沉積，而表面1〇2上（未示出） 96265.doc -13- 1248638 無實質淨沉積。材料104之沉積可包含hdp_cvd，利用具 有包含氖及/或氣之喷減組份4高密度電^。在特定應用 中，氘及/或氣可藉由提供〇2、丁2或上述H、1及〇之任=二 原子組合而提供於高密度電漿之噴濺組份。 一 ^明之方法也涵蓋利用上述任何氖化錢化之前驅物 :物形成層刚。此等前驅物可各別使用，可和其他前驅 物、、、。合’及也可與提供重氫氣體結合。在層iQ4包含經換雜 =材料如經摻雜之氧化物之應用中，氣化及/或氣化之摻雜 提供於高密度電衆。用於形成層104之適當氣化及/或 鼠化摻雜劑已如上所述。 在間隙填補應用中使用一或多種氖化及/或氣化之化人 物於雨密度電漿沉積層104時，可提供相較於習知間 補技術’改良之間隙填補性f。利用本發明之 於僅利用非氣化之化合物而在實質完全相同之沉積：; α方法開口 120可填補至含有較少孔隙及/或減少之孔隙 區域，貫質完全相同」—詞意指在製程控制容許差内之 同。因此」本發明之方法可特別用於高縱橫比（大於約3， 2常高縱橫比（大於約5:1)之間隙填補應用。縱橫比高達 ::1之間隙，利用本發明方法可實質上填補至無孔隙。此 ，本方法可特別用於填補具次微米寬度之開口。寬度 益數：米之開口 ’利用本發明之方法’可有效填補至幾乎 子、隙然而’應了解的是，本發明也涵蓋利用所述方法 填補凹部及低縱橫比開口。 / 利用本發明方、木+ 法之另一應用將參照圖8-9加以說明。請參 96265.doc 1248638 閱圖8，可提供在基板1GG上具有介於元件132幻34間之門 口 13〇之石夕晶片段90。，130可被描述為間隙_特徵或間： 結構。元件i32&134不限於任何特定結構特徵，且可為例 如，導線。元件132及134可利用習知加卫方法形成。― 130可包含底部表面140及側壁136, 138，且可包含具有上述 有關開口 120(圖6)之值之縱橫比。 如圖9所示，可在基板100上沉積一層材料1〇4以實質填補 開口 130。略諳本技藝者將明白，在特定應用中，層1〇4可 藉在HDP-CVD時適當調整整個矽晶片之偏壓電力而形成 具有實質平坦表面106。利用本發明之技術時，材料1〇4可 藉由在CVD時在高密度電漿中提供氘及/或氚之一或多種 而實質填補間隙130至實質無孔隙.氘及/或氚可利用上述 重氫前驅物、重氫摻雜劑、重二原子氫化合物或其混合物 之任何一種提供於高密度電漿中。 在利用諾偉勒斯speedMdp-cvd反應器進行本發明之 方法時，適當條件可包括提供二原子氳及/或其重氫型態， 其:E為約100標準立方厘米/分（sccm)至約2000 sccm。含〇2 及/或〇3之含氧組份可以約2〇〇 seem至約20 seem提供於反 應器内。一或多種前驅物化合物或經重氫取代之前驅物化 曰物可以總量約1 00 sccm至約丨〇 seem提供。適當沉積温度 可為約400。(：至約800°C，壓力為約2毫托爾至約50毫托爾。 應了解的是，本發明涵蓋另類感應反應器、ECR反應器 或電容反應器之使用。此種另類反應器之使用可包含視各 別反應器及沉積時所用特定化合物而定之另類條件及參數 96265.doc -15- 1248638 之使用。 本發明己就結構及方法特徵略為特定地心 因 而’應了解的是’本發明不限於所示及所述特I拉 為此處所揭示方式包人用Μ A 述特疋特徵 式包合用於實行本發明之較佳别能 【圖式簡單說明】 心。 本發明之較佳具體例係參照 FI 1尨π m 逍W圖式加以說明。 圖1係可用於實行本發明方法之反應 圖2係半導俨其姑访曰 w σ之概略剖面圖。 你干¥體基板矽晶片在本菸明 略剖面圖。 X /初Υ步驟時之概 圖3係圖2基板矽晶片在圖2之後之加工 圖4係敍刻/沉積均勻性之圖解，顯示所旦7之圖。 利用Η2之方法之偏電a電力。…、斤測置絲刻/沉積對 圖5係蝕刻/沉積均勾性之圖解，顯示 根據本發明之—方面 J /儿積對 无之偏電壓電力。 圖6係基板矽晶片段在本發 概略剖面圖。 、體方法之初步步驟時之 圖7係圖6石夕晶片段在圖6之 / 7鄉所不之圖。 圖8係基板矽晶片段在根據本發明一 之概略剖面圖。 方面之初步步驟時 圖9係圖8矽晶片段在圖8之後之加工步驟所示之圖。 【主要元件符號說明】 β !〇 反應器 12 反應室 圓頂 96265.doc 16 1248638 14 無線電頻率線圈 16 高密度電漿 18 入口 20 出口 22 基板平台 90 基板 100 基板 102 表面 104 材料層 106 表面 108 中心點 110 點 112 點 114 點 120 開口 122 側壁 124 側壁 125 底表面 130 開口 132 元件 134 元件 136 側壁 138 侧壁 140 底表面
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Claims (1)

1248638 十、申請專利範圍： 1. 一種在基板上沉積一層之方法，包含： 在南密度電漿反應室内提供基板； 提供至少一種具有重氳同位素取代物之化合物 反 應室中； 在反應室内產生高密度電漿；及 在基板上化學蒸氣沉積一層，該層併含至少一部份之 該至少一種化合物。 刀 2. 3. 4. 5. 士明求項1之方法，其中重氫同位素係氘。 如明求項1之方法，其中該至少-種化合物係自 SlDxH“、Si2DyH6_y、PDzH3 z、Sicl2DH、“ο ~q、DH、D2 (其中 χ=1_4,〜6，z=i3 及 q二） 所組成之族群中所選出。 如凊求項1之方法，其中該層包含氧化物材料。 如請求項1 > 士、丄 、 / ，其中δ亥層係在沉積時同時沉積及名虫 刻0 、 6 · 如請求項1 > 士、丄 、<方法，其中沉積產生實質平坦之表面。 7 ·如請求項1之t、、i / ，其中δ亥至少一種化合物係由混合物所 成"亥’化合物進一步包含至少〇2及〇3之一。 8· -種填補間隙之方法，包含： 提供包含間隙結構之基板；及 利用至少—綠曰 ， 種具至少一種重氫同位素取代物之前驅 物，在基板上、^ 、 積材料；該材料在沉積後具有較利用1 η 取代重氫所况積為少的孔隙。 96265.doc 1248638 9. 10 11 12. 13. 14. 15. 16. 17. 18. 19. 20. 如明求項8之方法，其中間隙結構包含基板内之溝早。 之方法，其中間隙結構包含相隣元件間：間隙 項8之方法，其中間隙結構係第-間隙結構及其中 基板進一步包含第二間隙結構，第一 筮一 ^ 』旧、、、口構為溝渠而 弟：間隙結構為元件間之間隙，及其中材料之沉 填補溝渠及元件間之間隙。 、 如請求項8之方法’其中該至少_種前驅物係自 SlRxH4.x > Si2RyH6.y > PRzH3.z > SiCl2RH > SiCl2R2 . hCsRqHa-q (其中R為氘、氚或其組合，及其中pi·#、 y 1 6、ζ==1·3及q=1_2〇)所組成之族群中所選出。 一種產生基板填補區域之方法，包含在包含重氫化合物 之氣體之存在下在基板上同時沉積及蝕刻材料。 t請求項13之方法，其中氣體包含前驅物組份及喷濺組 伤’重氫化合物為噴濺組份所構成。 月求項14之方法，其中重氫化合物係第一重氫化合 物’及其中前驅物組份包含第二重氫化合物。 月长項13之方法，其中氣體包含前驅物組份及喷濺組 伤’重氫化合物為前驅物組份所構成。 月求項13之方法’其中氣體包含至少〇2、HD、DT、T: 及TH之一。 2 如請求項17之方法，其中氣體進一步包含私。 如π求項13之方法，其中經填補區域包含至少一種自溝 木及元件間之空間所組成之族群中所選出之特徵。 如請求項19之方法，其中至少一種特徵之一或多個具有 96265.doc 1248638 縱檢比大於約1 : 1。 21, .如請求項19之方法 ，其 中 縱橫比大於約2:1。 22. 如請求項19之方法 ，其 中 縱橫比大於約3 :1。 23. 如請求項19之方法， ，其 中 縱橫比大於約4:1。 24. 如請求項19之方法， 其 中 縱橫比大於約5 .· 1。 25. 如請求項19之方法， 其 中 度為小於約10 nm。 至少一種特徵之一或多個具有 至少一種特徵之一或多個具有 至夕種特徵之一或多個具有 至夕種特徵之一或多個具有 至沙一種特徵之一或多個具寬 26·如請求項13之方法，其令 產生較不平外形更平坦之表面積疋在不平外形上沉積，並 27.如請求項13之方法’其中材料係自經蝴/磷摻雜之氧化 石夕、經氣摻雜之乳切、經❹雜之氧切、經爛換雜 之氧化石夕及未摻雜之氧切所組成之族群中所選出… 1 -種在高密度《化學蒸氣沉積時控制整體沉積速度之 方法，包含在沉積時提供至少—種包含重氫同位素之化 合物，整體沉積速度之^義為材料沉積速度與材料同時 餘刻速度之比。 29·如請求項28之方法，其中在喷濺氣體中提供該至少一種 化合物。 3〇.如請求項29之方法，其中該至少—種化合物係自具有至 少一個選自D及Τ之二原子氫所組成之族群中所選出。 96265.doc 1248638 31. 32. 33. 34. 35. 如請求項29之方法，其中沉 積係在石夕晶片之表面全面發 ，及其中在石夕晶片表面中 ”、名之整體沉積速度為實質 、於碎晶片表面邊緣任何_點之整體沉積速度。、 如凊求項31之方法，其中中 、 T ^點之整體沉積速度為實質 等於沿石夕晶片表面中心點盘 點與邊緣之點間之線在實質各 ”、、占务生之整體沉積速度。 :明求項29之方法’其中沉積係在矽晶片表面全面發 所★〃巾石夕日日片表Φ全面任何一點之整體沉積速度實 貝亡等於矽晶片表面全面其他各點之整體沉積速度。 如請求項17之方法，其中沉積包含絕緣材料沉積於具一 或夕個間隙之基板上，沉積以絕緣材料填補—或多個間 隙以形成具貫質上無孔隙之經填補間隙。 I求員17之方法，其中整體沉積速度較利用ιΗ型之至 少一種化合物在完全相同沉積條件下發生之對應整體沉 積速度為低。 36. 37. 一種填補半導體基板中高縱橫比間隙之方法，包含： 提供基板於反應室内； 提供包含至少一種含重氫化合物之氣體混合物於反應 室内；及 使氣體混合物反應以在基板上形成一層材料且該層同 時/儿積及蝕刻，該層之材料填補高縱橫比間隙，間隙内 之材料實質無孔隙。 如明求項36之方法，其中反應室係高密度電漿化學蒸氣 沉積室。 96265.doc 1248638 •月长項36之方法’其中該至少一種含重氫化合物係自 SlRxH4.x ^ Si2RyH6.y > PR2H3.z > SiCl2RH ^ SiCl2R2 > Si〇C8RqH2G_q、㈣& (其巾R為氛、氣或其組合，及其 ”心〜㈠…及〜叫所組成之族群中所選出二 39. -種提供改良之沉積速度均勻性之方法，包含在至少一 種自、HD、DT、了2及TH所組成之族群中所選出之氣體 之存在下在基板上沉積材料，該沉積係以材料沉積速度 與材料同時蝕刻速度之比所界定的整體沉積速度發生： 整體沉積速度在表面全面具有變異度，其較在沉積時利 用仏而在實質相同條件下發生之對應變異度明顯改進。 士 :求項39之方法，其中沉積包含高密度電衆沉積。 L 士明求項39之方法，其中利用至少一種氣體之變異度較 利=王部-種出所得之對應變異度改進至少約Μ%。 42· 士:凊求項39之方法，其中沉積包含利用高頻率偏壓電力 少於約5kW之高密度電漿沉積在基板上。 43·如清求項39之方法，其中表面係由2〇〇 mm直徑晶片所構 成。 44·如明求項39之方法，其中表面係由儿〇瓜❿直徑晶片所構 成0 96265.doc
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