TWI247262B - Semiconductor device and display device - Google Patents

Description

1247262 五、發明說明（1) 【技術領域】 本發明係有關一種用以控制電致發光顯示元件等之被 驅動元件之電路構成。 :背景技術】 將自發光元件之電致發光（Electroluminescence:以 下稱EL)元件用於各畫素以作為發光元件之u顯示裝置， 除為自發光型外，並且具有薄型且消耗電力小等優點，其 作為替代液晶顯示裝置（LCD)及CRT等之顯示裝置而受到矚 目，且其研究仍不斷進行中。 此外，其中將個別控制EL元件之薄膜電晶體（TFT)等 之開關元件設置於各畫素，並依每一畫素控制^^元件的主 動矩陣型EL顯示裝置’作為高精密度的顯示裝置而深受期 待。 第1 3圖係顯示m列η行的主動矩陣型EIJ|示裝置中之各 畫素的電路構成。在EL顯示裝置中，於基板上複數個閘極 線GL朝列方向延伸，而複數個數據線儿以及驅動電源線η 則朝行方向延伸。又，各畫素具有有機EL元件5 〇、開關用 TFT(第1 TFT)10、EL元件驅動用TFT(第2 TFT)2m及保持 電容Cs。 第1 TFT 10係與閘極線GL與數據線儿相連接，其係在 問極電極接收問極信號（選擇信號）而導通。此時，供給至 數據線DL的數據信號，係保持於連接在第！ tft ι〇與 TFT 21間之保持電容Cs。對於第2 TFT 21之閘極，供給有 與透過上述第i TFT 10所供給之數據信號相對應之電壓，

314163.ptd 1247262 五、發明說明（2) 此第2 TFT 2 1係將與該電壓值相對應之電流從電源線VL供 給至有機EL元件50。有機EL元件50係在發光層内將由陽極 主入之正孔與由陰極注入之電子再結合而激發發光分子， 且此發光分子由激發狀態返回基底狀態之際發光。有機EL 元件5 0的發光亮度與供給至有機EL元件5 0之電流大致成正 比，其如上述所示係以於各畫素中配合數據信號而控制流 至有機EL元件5 0之電流之方式，俾能以配合該數據信號之 亮度將有機EL元件發光，在整體顯示裝置中顯示所希望的 圖像。 【發明欲解決之問題】 在有機EL元件50中，為了實現高顯示品質，而需以配 合數據信號的亮度確實地使有機EL元件50發光。因此，在 主動矩陣型中，對於配置於驅動電源線VL與有機EL元件50 間之第2TFT 2卜可要求電流在有機EL元件50流動，即使 該EL元件50的陽極電位變動而其汲極電流亦不會變動者。 因此，如第1 3圖所示，大多係採用源極連接於驅動電 源線VL，且汲極連接於有機EL元件50之陽極側，並施加與 數據信號相對應的電壓的閘極，以及藉由與上述源極間之 電位差Vgs而能控制源極汲極間電流之pch-TFT，來作為第 2TFT 2 卜 但是，在將pch-TFT使用於第2 TFT 21之際，如上述 所示，源極連接於驅動電源線V L，並藉由此源極與閘極間 之電位差而使汲極電流，亦即供給至有機EL元件50之電流 受到控制，因此具有當驅動電源線VL的電壓變動時，在各

314163.ptd 第 7 頁 I247262 五 元 述 的 有 各 電 離 、發明說明 件5〇中 戶斤示為 圖像為 機EL元 位會產 較長， 著的區域 源線V L的 電源位置 (3) 的發光亮 電流驅動 高亮度時 件5 0，會 源線VL— 生變動的 且因驅動 ’例如在 電壓低， 的元件低 度會變動的問題。 型的元件，其在例 (例如整面白色）， 有由單一的驅動電 次流動許多的電流 情況發生。此外， 電源線VL的配線電 離電源較遠位置的 而使各有機EL元件 有機EL元件 如某訊框期 相對於基板 源Pvdd透過 ，而驅動電 離驅動電源 阻所造成的 畫素中，由 5 0的發光亮 5 0係如上 間所顯示 上的許多 所對應的 源線VL的 Pvdd之距 電壓降顯 於驅動電 度比靠近 再者’在將pch-TFT使用於第2 TFT 21之際，對此第2 TFT 2 1供給之數據信號，需將其極性設定成與視頻 (V I DEO )#號的極性相反，亦需於驅動電路設置極性反轉 裝置。 為解決上述課題， 給至被驅動元件的I力 影響。 本發明之目的係使從驅動電源線供 ’不易受到驅動電源的電壓變動的 此外，本發明+ s Q ,, ^ ^ a ^ &奴乃之另一目的，係使供給至元件驅動用薄 膜電日日體之數據作缺夕n以 ^ 唬之極性，與視頻信號的極性一致，並 達成驅動電路的簡化。 【解決問題之手段^ 1 t ·腺ϋ π述目的，本發明係一種半導體裝置，其具備 :田=:曰接收於閘極而動，，且取入數據信號之開 '、。a曰體；沒極連接於驅動電源，而源極連接於被

314163.ptd 第8頁 1247262 五、發明說明（4) 驅動元件，且於閘極接收前述開關用薄膜電晶體所供給之 數據信號，而控制由前述驅動電源供給至前述被驅動元件 之電力之元件驅動用薄膜電晶體，·第1電極連接於前述開 關用薄膜電晶體與前述元件驅動用薄膜電晶體之前述閉汗 極，而第2電極連接於前述元件驅動用薄膜電晶體之源$極 與前述被驅動元件之間，並依據前述數據信號而保持前 元件驅動用薄膜電晶體的閘極源極間電壓之保持電容月 及用以控制前述保持電容的第2電極之電位之開關元“件’。从 本發明之另一態樣，係一種具備複數個配置成矩 的畫素的主動矩陣型顯示裝置，其中，各畫素至少具 3祕，驅動元件；將選擇信號接收於閘極二動作，2 源極連接於前述被驅動元件，且於閘極= J = :田而 至前述被驅動元件之ΐ =元：=由前述驅動電源供給 電極連接於前、μ Η電力之件驅動用薄膜電晶體；第1 ^旒而保持前述元件驅之間並依據削述數據 之保持電容；以及用以 )^日日體的閘極源極間電壓 位之開關元件。 工别述保持電容的第2電極之電 如上所述，由於葬由^ =之閑極與連接：被^ =之保持元件驅動用薄媒 驅動元件動作且連接於此元件：之；極間之電壓’因此 牛之疋件驅動用薄膜電晶體

3l4163.ptd 第9頁 1247262 五、發明說明（5) 之源極電位在上升時，亦能對於被驅動元件供給與數據信 號相對應之電流，並可使用η通道型薄膜電晶體，以作為 元件驅動用薄膜電晶體。再者，可使供給至被驅動元件的 電力，不易受到驅動電源線中的電壓變動之影響，以進行 穩定的電力供給。 再者，η通道型薄膜電晶體最好具有通道區域、以及 在注入高濃度不純物的源極區域與汲極區域之間注入低濃 度不純物之LD區域。 尤其，此驅動電晶體係以設定成至少大於周邊電路中 之η通道電晶體之LD區域為最佳，並以大於開關電晶體之 LD區域為最佳。 藉此，即使不增大電晶體，亦能提昇相對於在閘極接 收之電壓變化之電流量調整精密度。此外，可縮小配置電 晶體的專有面積，且可實現因開口率增大而導致之亮度上 升以及低消耗電流化。 在本發明之另一態樣中，前述被驅動元件為電致發光 元件。在電致發光元件中，由於係以與例如供給電流相對 應之亮度而發光，故藉由以上述之電路構成而進行電流供 給之方式，即能以與數據信號相對應的亮度使各元件發 在本發明之另一態樣中，前述開關元件係依據前述開 關用薄膜電晶體之導通關斷而控制前述保持電容之第2電 極的電位。 在本發明之另一態樣中，係藉由前述開關元件，而使

314163.ptd 第10頁 1247262 五、發明說明（6) 前述保持電容之第2電極在前述開關用薄膜電晶體之導通 動作時控制在固定電位。 在本發明之另一態樣中，係藉由前述開關元件，而使 前述保持電容之第2電極在前述開關用薄膜電晶體之導通 動作之前控制在固定電位，並於前述開關用薄膜電晶體關 斷之後，停止對於前述保持電容之第2電極之電位控制。 在本發明之另一態樣中，前述開關元件為薄膜電晶 體，其係依據預定之重設信號或供給至前述開關用薄膜電 晶體之選擇信號，而控制前述保持電容之第2電極的電 位。 藉由以上之開關元件之控制，來控制保持電容之第2 電極電位，可確實且簡單地於保持電容積蓄與數據信號相 對應之電荷，並可維持預定期間、元件驅動用薄膜電晶體 之閘極源極間電壓。 在本發明之另一態樣中，前述開關元件係連接於前述 元件驅動用薄膜電晶體之源極，且用來使電荷放電，而該 電荷係以預定時序積蓄於前述被驅動元件。 在本發明中，由於分別與被驅動元件對應並與該元件 相連接之開關元件係設於各晝素，故以例如預定時序將開 關元件予以導通之方式，即可藉由開關元件且不需設置其 他專用的元件而使被驅動元件確實且簡單地進行放電。 在本發明之另一態樣中，前述開關元件係連接於前述 元件驅動用薄膜電晶體之源極，且用於連接至前述被驅動 元件之前述元件驅動用薄膜電晶體之源極電位或電流之測

314163.ptd 第11頁 1247262 五、發明說明（7) 定。 例如由薄膜電晶體所構成之開關元件，係連接於元件 驅動用薄膜電晶體之源極，因此以導通控制開關元件之方 式，即能藉由此開關而檢測出元件驅動用薄膜電晶體之源 極電位或電流。因此，此種測定亦可預先檢查供給至被驅 動元件之預期電力量。 此外，本發明係一種將電致發光元件配置成複數個矩 陣狀之有機EL面板，其係使用以控制供給至電致發光元件 之驅動電流之驅動電晶體與各電致發光元件相對應設置， 而此驅動電晶體為η通道電晶體，且在通道區域以及注入 高濃度不純物之源極與汲極區域之間設有注入低濃度不純 物之LD區域。尤其是，驅動電晶體之LD區域係以至少大於 周邊電晶體之LD電晶體者為佳。 以採用此種大的LD區域之方式，可確保高的開口率， 同時亦可精確地控制供給至電致發光元件的電流。 此外，在前述驅動電晶體之閘極，電容的一端與開關 電晶體相連接，而前述電致發光元件與驅動電晶體之連接 點，係藉由放電電晶體連接於低電壓電源，且在前述電致 發光元件與驅動電晶體的連接點，最好連接有前述電容的 另一端。 【發明實施形態】 以下，茲使用圖式說明本發明之最佳實施形態（以下 稱實施形態）。 第1圖係顯示用以驅動本發明實施型態之有機EL元件

314163.ptd 第12頁 1247262 五、發明說明（8) 之電路構成。此外，在此舉例具體說明主 EL顯示裝置中之i畫素的電路構成。 E陣i之有機 1畫素係如第1圖所示，具備有作為被 元件之有機EL元件50、開關用薄膜電晶體 70牛或顯示 元件驅動用薄膜電晶體（第2 TFT)20以及保 yT)i〇、 具有重設用之薄膜電晶體（第3 TFT)3〇以作;更 關元件。 U马重汉用的開 第1TFT 10在此處係由nch —以丁所構成，i 接至閘極線GL，汲極則連接至# μ '、甲^電極連 示連接至第"F"〇以及；i;=DL，源'極則如後述所

第2TFT 20在本實施形態中係由nch TF 極係連接至驅動電源Pvdd(實際上此處為μ 、汲 源極則連接至有機EL元件5〇之胃$ #^為動電源線几）， 至上述第1TFT 1 〇之源極、以及以下 、]連接 第i電極。 ^料€容Cs的 保持電容Cs係具備第丨及第2電極，其第丨電極係盘 TFT 之源極與第2 TFT 2G之閘極相連接 則=1 接於第2 TFT 20之源極與有機EL元件5〇之陽極之間。、]連 第3 TFT(放電電晶體）30,在此處係由nch TFT所 (惟pch-TFT亦可），其問極係連接至施加有重設信號的重 設線RSL，汲極則連接至保持電容的第2電極’源極則連接 至供給有用以規定保持電容之第2電極電位的電壓之 線SL〇 在上述之電路構成中，當將選擇信號（間極信號）輸出

314]63.ptd 第13頁 1247262 —----------------- 五、發明說明（9) ^- 至閘極線GL時，第1 TFT 1 〇將與此對應而呈導通狀態。第 3 TFT 3 0係以與此第i TFT 1〇幾乎同時的時序來控制導通 關斷’當第1 TFT 10導通時，第3 TFT 30亦因重設信號而 ‘通而保持電谷Cs的弟2電極，係與連接至此第3 TFT 3 0之源極之電容線SL的固定電位Vsl (例如〇v)相等。因 此，當第1 TFT 10導通而使第1 TFT 1〇之源極電壓與供給 至數據線DL之數據^號之電壓相等時，保持電容cs則依據 第2電極之固定電位與上述第1 TFT丨〇之源極電位間之 差’貫質上係依據與數據信號相對應的電壓進行充電。 第2 T F T 2 0係在與保持於保持電容c s之電荷相對應之 電壓施加於第2 TFT 20之閘極，而使該第2 TFT呈導通狀 態時’與此閘極電壓相對應之電流，係從驅動電源線 由第2 TFT 2 0之汲極/源極間而供給至有機EL元件5〇。因 此，使得第2 T F T 2 0之源極電位依所流動之電流量而上 升。此時，第3 TFT 30受到關斷控制，而保持電容Cs之第 2電極，則由電容線SL切離。是以，保持電容Cs將呈連接 至第2 TFT 2 0之閘極源極間之狀態，即使源極電位上升亦 使閘極電位同等上升，且與數據信號相對應之第2 TFT 2 0 之閘極源極間電壓V g s，藉由此保持電容c s所維持。 因此，依據本實施形態之電路構成，即使電流流動於 有機EL元件5 0而使第2 TFT 20之源極電位上升，亦能藉由 保持電容Cs之功能，對於有機EL元件5 0穩定地供給與數據 信號相對應的電流。此外，由於採用nch-TFT作為第2 TFT 2 0，故可利用與視頻（V I DEO )信號同一極性的數據信號。

314163.ptd 第14頁 1247262 五、發明說明（10) 再者，連接有第2 TFT 20之汲極之驅動電源Pvdd，由於可 例如為14V相當高的電壓，故針對nch-TFT之第2 TFT 2亦 可在其飽和區域中驅動’並且可不受源極汲極間電壓變動 之影響而供給電流至有機E L元件5 0。此外，在此施加於問 極線G L之閘極信號，其中一例為，在〇 v至1 2 V之範圍内， 數據彳a號為1 V至6 V ’電谷線S L之固定電位為〇 V程度即可驅 動各電路元件。此外，由於採用nch-TFT以作為第2 TFT 2 0，故可使用與視頻信號同一極性之信號以作為數據信 號。 另外，如後述所示，在上述n通道型之第2 TFT 20 中，亦可採用在通道與源極/汲極間具有低濃度不純物注 入區域之所謂的LDD構造（本發明說明書中稱此為ld構 造）。 第2圖係顯示針對上述之各畫素，用以供給所對應的 閘極信號（G1至Gm)以及重設信號（rsi至RSm)之電路之概 略，而第3圖則係顯示此電路之動作。在主動矩陣型之有 機EL顯示裝置中，排列成矩陣狀的畫素的各第1 TFT 1 〇， 係藉由第2圖概略所示之垂直驅動器1 〇 〇所輸出之閘極信號 而以每列（每一閘極線GL )依次選出，並於此時將從未圖示 之水平驅動器輸出至各數據線之數據信號予以取入。 垂直驅動器1 〇 〇之位移暫存器1 〇 〇，係使垂直啟動脈衝 以每1 Η ( 1水平掃描期間）位移，如第3圖所示，並針對輪出 部120’依序地輸出位移脈衝si、S2、S3......Sm。 輸出部1 2 0以其中一例而言，係如第2圖（b )所示之構

314163.ptd 第15頁 1247262 五、發明說明（11) 成，具有2個與閘極（and gate) 1 22、1 24與各行相對應， 而將第3圖所示之閘極信號G 1、G 2、G 3.....G m，與重設信 號RSI、RS2、RS3.....RSm依次地輸出至對應的線。與閘 極1 2 2係取用互為前後的位移脈衝的邏輯積。對於與閘極 1 2 4之其中一方的輸入端子，於1 Η的切換期間内，供給有 禁止對於閘極線GL輸出閘極信號之致能信號ΕΝΒ (參照第3 圖），而與閘極124係取用此ΕΝΒ與上述與閘極122間之邏輯 積。從與閘極1 2 2輸出之2個位移脈衝（第2圖中為S 1與S 2 ) 之邏輯積，於本實施形態係用作為重設信號RS (在此處為 R S 1 )。再者，與閘極1 2 4僅於依Ε Ν Β信號而許可輸出之期 間’將上述與閘極1 22之邏輯積結果輸出至各閘極線GL以 作為閘極信號（在此處為G 1 )。 從與閘極1 2 2輸出之重設信號R S，係如上述所示藉由 重設線RSL而施加於所對應的畫素的第3 TFT 30之閘極， 此外’閘極信號G係施加於所對應的畫素的第1 TFT 1 0之 閘極。在此，依第2圖之電路而作成之重設信號RS與閘極 信號G，與第3圖所示之例如供給至第1列像素之G卜RS 1比 較可得知，閘極信號G的Η準位期間（nch-TFT 10的導通控 制期間），比重設信號的Η位準期間（nch-TFT 30的導通控 制期間），僅短少了依ENB信號限制的期間。 因此，以受Gl、RS1控制之第1行的畫素為例，首先藉 由重設信號RS1將第3 TFT 30控制導通。換言之，保持電 容Cs之第2電極固定於保持電容線之電位後，第1 TFT 10 會因閘極信號G 1而導通，且與在數據線DL中之數據信號幾

314163.ptd 第16頁 1247262 五、發明說明（12) 乎相同之電壓，將被施加於保持電容Cs之第1電極。此 外，重設信號RS係於閑極信號g成為l位準（TFT關斷位準） 後再成為L準位。亦即，保持電容Cs之第2電極，係於第土 TFT 1 0關斷而至第1電極側的電位決定前，維持在固定電 位Vsl。因此，可確實地防止因在第i TFT 1〇的導通 中第3 TFT 30關斷而使保持電容Cs之第i電極電位變動@ 使得藉由導通中的第1 TFT 1 〇而一度保持於數據線D 據信號汽漏之情況發生。 第4圖及第5圖係顯示本實施形態中可採用之另一— 一晝素之電路構成。此外，與第1圖共通之部分，種母 同之符號，並省略其說明。 vs己相 在第4圖之電路構成中，與第1圖相 圖中驅動電源線VL與有機EL元件50之間廿η ’、社弟4 (在此處為2個）nch-TFT，其他則包含動作愈# 後数個 以將第2 TFT 20設定為複數個（k個）之方式、，弟圖，同。

20所流動之電流相等為「i」時，則總計:’使各第2 TFT

元件50供給「kx i」的電流。例如以k = =將對有機EL 方的第2 TFT 20即使發生完全不動作之怜二：、、、例’其中一 他有機EL元件50所供給之「2x i」電流二况，相對於由其 件5 0供給「i」的電流。在僅僅採用以固^可對有機EL兀 此TFT 2 0如發生不良時，則電流值為r 〇 TFT 20之際’ 素缺陷。因此，與此種情況相較，則可如」亦即成為畫 設置複數個第2 TFT 20，緩和各有機E丨-弟4圖所示藉由 L凡件50之各晝素的

314163.ptd 第17頁 1247262 五、發明說明（13) &光7C度不均勻’並且可更加減少畫素所產生的缺陷的比 重，以^現可靠性高的電路構成。 在第5圖電路構成中，與第1圖相異之處，係第3 TFT 3 0之問極與第1 TFT 1〇之閘極共同連接於閘極線gl，且由 相同的閘極信冑G所控制。如第3圖之時序圖所#，雖然藉 由將第3 TFT 30之導通期間設定成比第1 tft 10之導通期 間長’而使保持電容c s所保持之電位的變動更確實地降 低’，即使以_相同時序導通控制第1 TFT丨〇與第3 TFT 30 作為第5圖所不之電路構成，第3 TFT 3〇比第^ 1 〇更 陕=f 可此丨生亦極低，而可於保持電容c s正確地累積與 數據信號相對應之電荷，並驅動第2 tft 2〇。另外在第5 圖所不之電路構成中，由後述第8圖 内的配線以及第3 TFT 30所i:夕％ T將1旦常 .廿日+ γ之配置空間抑制在最小限 度 並且比車父弟1圖與第4圖之槿士 配置區域（發光區域）亦即開口率予以^Γ將有機EL元件5 0之 第6圖係顯示具備第4圖所示之=增大。

平面構成之例。此外，第7圖（a)電路構成之每一晝素之 1 TFT 10之剖面；第7圖（b)係顯1、顯示沿第6圖A-A線之第 TFT 20之剖面；第7圖（c)係顯===第6圖B —B線之第2 30之剖面之一例。 /〇弟6圖C-C線之第3 TFT 在第6圖之構成中，當然如 素係於畫素區域内具備有機EL元、％的第4圖所示，各晝 TFT 10、20、30、以及保持電容。0、第1、第2及第3 線（GL)40係朝列方向延伸，且2個。在第6圖之例中，閘極 Μ極電極2由此閘極線40

314163.ptd 1247262 五、發明說明（14) 朝該T F T 1 0之主動層6之形成區域上延伸而採用雙閘極構 造的TFT。此外，形成有與閘極線4 0平行且於列方向用以 驅動第3 TFT 3 0之重設線（RSL)46，而在第3 TFT 3 0之主 動層3 6上從此重設線4 6延伸有閘極電極3 2。 此外，將數據信號供給至第1 TFT 1 0之數據線 (DL) 42，與將來自驅動電源Pvdd之電流供給至第2 TFT 20 之驅動電源線（VL ) 4 4，係分別配置在畫素的行方向。再 者，藉由第3 TFT 30 (在此處為TFT 30之汲極）而對保持電 容C s之第2電極8，用以供給固定電位V s 1之電容線 (S L ) 4 8，係與上述數據線4 2以及驅動電源線4 4並列配置於 行方向。 再者’在驅動電源線44與有機EL元件50之間，係並列 連接有2個第2 TFT 20，其中1個第2 TFT 20係如第6圖所 示’ 2個並列成一直線狀設置，以使各通道長方向沿著行 方向（在此處為與畫素長度方向一致，且與數據線4 2以及 驅動電源線4 4之延伸方向一致），並從與保持電容c s之第1 電極7之間的接觸部分拉出與2個TFT 2 0共通的閘極電極 24’以覆蓋第2 TFT 2 0之主動層16。當然，第2 TFT 2 0雖 不限定於此種配置，但藉由將通道長方向配置成沿著晝素 延ί方ΐ之方式，而期能以增長第2 TFT 20之通道長度來 提什可罪度時，可將此種第2 TFT 20有效地配置於限定的 1畫素内。再者，如後所述在採用將非晶矽予以雷射退火 處理而^晶化所獲得的多晶矽來作為主動層丨6時，將雷射 退火的抑描方向設定成行方向，並如第6圖所示，將第2

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五、發明說明（15) TFT 2 0之較長通道長度方向朝向行方向，並 朴 將2個第2 TFT 20間隔配置於行方向’、，且，藉由採用 2 0之主動層1 6照射複數次的脈衝雷射之可 、口一 可使TFT 20之特性的參差在晝素間平」將升两，並 小）。 间十均化（可使參差縮 其=，再參照第7圖說明畫素的各電路元件的剖面 造。如第7圖（a)至（c)所示，在本眚妳y 冓 肛不貝靶形態中，不論第] 第2及第3 TFT 10、20、30,均係搡用佔„此㊉ 卜 J你秌用使閘極電極（2、 24、32)挾持閘極絕緣膜4於其間，並配置於主動層（6、 1 6、36 )之上方之所謂的頂閘極型之τρτ 底閘極型）。 、田…刀J為 在第卜第2及第3 TFT 10、2〇、3〇之各主動層6、 16、36中，係採用將形成於玻璃等之透明絕緣基板丨上 a-Si，以相同的雷射退火處理步驟 得之P-Sd以圖案化所獲得之；驟：：多;曰化’並將所獲

又丁义層。此外，在此任一個TFT 之：動：’其源極區域、没極區域均藉由相同的 驟 而摻雜有n型不純物，任一者均構成為nch —TFT。 在第1 TFT 10中，将於 極電極2,並形成電路式雙閘=:Ϊ線40突出形成有閘 其閑極電極2正下方區：成=;2TFT。主動層6係在 道區域6c，*在通道區域6娜兩\雜有I不純物之真性的通 磷（P )等不純物之汲極區域6 d / _貝形成有在此處推雜 nch-TFT〇 /原極區域以，並構成 第1 TFT 10的汲極區域6d’係藉由開口於該層間絕緣

314163.ptd 第20頁 1247262 五、發明說明（16) 膜14及閘極絕緣膜4之接觸孔，鱼 整體而形成的層間絕緣膜丨4上且田V ;伋盍第1 TFT 1 〇 顏色之數據信號之數據、線42相^則共、給與畫素相對應之 第1 TFT 10之源極區域，总* 電極7。在第丨電極7之上形成;抽\兼用保持電容k之第！ 極線40等同一材料所構成之第斤極絕緣膜4而由與問 7 β妯枝叫代π蜂时， 弟2私極8，並由第1及第2電極 8挾持閘極、，、巴、，彖Μ 4而重疊的區域構 電極7係朝第2 TFT 20的形成區衿〜知/丹先合弟1 丄土 风1^域（主動層1 6 )延伸，並μ 由連接配線26，與第2 TFT 20的η托士 4 立猎 外，第2電極8係於此第2電極8以及問 此 線40而形成的層間絕緣膜14之上層，藉由 ^問極 =同時形成之共通連接配線34，與第3二敗=線 第2TFT2〇之源極…、以及與有機EL元件50之灸述 之陽極5 2相連接。 便遗 2個第2 TFT 20之主動層16，其閘極電極24的下方 3道區域16〇,而在通道區域16c的兩側，分別形成掺有 破（p)等不純物之汲極區域16d、源極區域16s，並構 I nch-TFT。2個第2 TFT 20的各没極區域16d，在第嗔及 7圖（b)的例中係相互共通，其係藉由在層間絕緣膜“以 問極絕緣膜4開口之1個共通接觸孔，與兼用汲極電極之驅 動電源線44相連接。另一方面，2個第2 TFT 20的源極區 域1 6 s，係分別藉由在層間絕緣膜1 4以及閘極絕緣膜4開口 的接觸孔，與上述共通連接配線3 4相連接。 第3 TFT 3 0係如第7圖（c)所示，在與第1及第2 tft

^4163.ptd 1247262 五、發明說明（17) 1 0、20基本上相同之構成中，與重設線（RSL)46—體的閘 極電極32之下方成為通道區域36c，並在通道區域36c的兩 側形成有#雜碟等不純物之源極區域3 β s以及汲極區域 36d，並構成 nch-TFT。 第3 TFT 3 0之源極區域3 6 s，係藉由在層間絕緣膜i 4 以及閘極絕緣膜4開口之接觸孔，與兼用源極電極之電容 線（SL)48相連接。此外，第3 TFT 3〇之汲極區域36d，係 藉由在層間絕緣膜1 4以及閘極絕緣膜4開口之接觸孔，與 兼用 >及極電極之上述共通連接配線3 4相連接。 第1 T F T 1 〇之閘極電極2 (閘極線4 〇 )、第2 T F T 2 0之 閘極電極2 4 (包含來自連接部2 6的配線部）、第3 T F T 3 0之 閘極電極3 2 (重設線4 8 )以及保持電容c s之第2電極8，係分 別採用例如Cr而同時圖案化形成。此外，數據線42、驅動 電源線4 4、電容線4 8以及共通連接配線3 4、連接配線2 6， 係分別採用例如A 1等而同時圖案化形成。另外，如第6圖 所示，連接於第2 TFT 20之源極區域163之共通連接配線 34，係沿著畫素長度方向（在此為行方向）配置，俾將後述 之有機EL元件50之陽極52與第2 TFT 20之閘極電極形成區 域之間予以覆蓋，並且能夠發揮從有機EL元件5 0出射至破 璃基板1側之光將第2 TFT 20之通道區域1 6c加以遮光之功 分別與第3 T F T 3 0之源極區域3 6 s、保持電容C s的第\ 電極8以及第2 T F T 2 0的源極區域1 6 s相連接的上述共通連 接配線3 4，係藉由在跟隨包含此配線3 4、數據線4 2、驅動

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五、發明說明（18) 電源線44、電容線48之基板整體而形成之第 1 丁工一彳t纟巴緣 層18開口之接觸孔，如第7圖（b)所示與有機EL元件5〇之陽

如以上所示在本實施形態中，於1晝素内雖分別 有第1、第2以及第3 TFT 10、20、30之3種類的TFT/但 由採用可使用nch-TFT作為第2 TFT 20的電路構成，。曰 種類的此等TFT 10、20、30經由同一步驟而同時形成可使因 此，如能同時形成，則可防止因TFT數增加所導致7之步驟A 有機E L元件5 0係在由iT〇(Indium Tin 〇xide)等所構 成之透明的陽極5 2，與例如由a 1等之金屬所構成之'陰極$ 7 之間形成有採用有機化合物之發光元件層（有機層）5丨而構 成，在本實施形態中，係如第3圖（b)所示由基板（側依陽 極5 2、發光元件層5卜陰極5 7之順序層積。另外，如第7 圖（b)所示，於上述第丄平坦化絕緣層18之上，形成有僅在 f機EL元件5 0之陽極5 2的形成中央區域開口的第2平坦化 矣巴緣層6 1，而此第2平坦化絕緣層6丨係覆蓋陽極5 2的邊 緣’且覆盍配線區域及第1及第2及第3 TFT形成區域、保 持電容形成區域’以防止陽極5 2與最上層的陰極5 7之間的 短路或發光元件層51的斷線。 發光凡件層5 1，在此例中，係藉由例如真空蒸鍍從陽 極側依序層積例如電洞傳輸層5 4、有機發光層5 5、電子傳 輪層5 6。發光層5 5在各畫素分配給不同的例如R (紅）、 G (綠）、B (監）等彩色顯示裝置時，在各分配之發光色係採

3l4】63.Ptd 第23頁 1247262 五、發明說明（19) 用不同的材料。其他的電洞傳輸層5 4、電子作 如第7圖（b )所示，可對全畫素共通形成，此外輸層5 6 ’則 用與發光層55同樣別的材料亦可。茲就用於a ’各顏色採 例如下。 於各層之材料舉 電洞傳輸層54 : NBP、 發光層5 5 ·紅（R ).....主材料（A 1 q 3 )摻吟 物（DC JTB)、 > _、、、工色的払雜 物（Coumarin 6)、 >雜、、彔色的&雜 ,,rp , | (R).....主材料（Alq3)摻雜藍色的摻雜 物（Perylene)、 電子傳輸層56: Alq3、 pH π亦1在陰極57與電子傳輸層56之間形成採用例 如氣化鐘（LiF)專之電子植入層。此外，電洞傳輸層亦可 由採用各個不同材料的第丨及第2電洞傳輸層所構成。此 外，各發光元件層51至少具備含有發光材料之發光層55， 但，據所使用之材料未必需要上述電洞傳輪層或電子傳輸 層等此外，以上分別以略稱所記載之材料的正式名稱如 下： NBP」.....N，N’-Di((naphthalene-l—yi)-N，N，-di phenyl-benzidine)、

「Alq3」 「 DCJTB .....Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminu m 」.....(2-(1, 1-Dimethylethyl )-6-(2-(2, 3

314163.ptd 第24頁 1247262 五、發明說明（20) ，6，7-tetrahydro-1，1，7，7-tetramethyl-lH，5H，benzo[ij ]quinol izin-9-yl)ethenyl)-4H-pyran-4-ylidene)propa nedinitrile、 「Coumarin6」.....3-(2-Benzothiazolyl)-7-(diet hylamino)coumarin、 「BAlq」.....（1，1’ -Bispheny 1-4-01ato)bis(2-met hyl-8-quinolinplate-N l，08)Aluminumo 惟，發光元件層51之構成，當然不限於此等構成、此 等材料。 其次，參照第8圖說明本發明實施型態之畫素的其他 的構成。第8圖係顯示具備第5圖所示之電路構成之每一畫 素之平面構成之例，對於與第6圖及第7圖共同之部分則標 記相同之符號。與上述第6圖之平面構成相異之處，主要 有：兼用第1 TFT 1 0之閘極電極2以供給閘極信號G之閘極 線41，係兼用第3 TFT 30之閘極電極32 ;以及在驅動電源 線44與有機EL元件50之陽極52之間，配置有單一的第2 TFT 20。各TFT 10、20、以及30、電容Cs、有機EL元件50 之基本的剖面構造，係幾乎與第7圖（a)至（c )相同。當 然，在第8圖之構成中，第2 TFT 20係由nch-TFT所構成， 其閘極源極間電壓，係藉由保持電容C s而維持於與數據信 號相對應的電壓。 在第8圖之構成例中，與第6圖比較即可得知，配置成 列方向之配線，係藉由閘極線4 1兼用第1 TFT 1 〇之閘極電 極2與第3 TFT 30之閘極電極32之方式，而能在各列以i

314163.ptd 第 25 頁 1247262 五、發明說明（21) 條閘極線4 1 ’將各晝素的形成區域予以擴大。第3 τ F T 3 0 之主動層36，在第8圖之例中，係與第1 TFT 1〇之主動層6 平行地配置於由此主動層6與閘極線4 1相距之位置。對於 第1 T F T 1 0供給數據信號之數據線4 2，係橫越過此第3 TFT 30之主動層36之上方。再者，第3 TFT 30之汲極側， 係與該數據線4 2平行，而連接至排列於行方向的電容線 48。此弟3 TFT 3 0之〉及極區域3 6 d，係藉由共通連接配線 3 4，在第8圖中分別連接至沿著驅動電源線4 4的長度方向 而配置之保持電容Cs之第2電極8、第2 TFT 20之源極區域 1 6 s、以及有機E L元件5 0之陽極5 2。 比較第8圖與第6圖即可明瞭，在驅動電源線44之列方 向之配置間距幾乎相同。在第8圖中，係於1畫素内確保寬 廣之有機EL元件5 0之陽極5 2的形成面積，而得以實現更高 之開口率，亦即更高亮度的顯示。 此外，在以上說明第1至第3 TFT 1 0、20、30之主動 層中雖分別以採用多晶矽為例進行說明，但當然亦可將非 晶矽採用於主動層。在採用將多晶矽用於主動層的TFT 時，將於同一基板形成用以驅動各畫素之上述垂直驅動器 或水平驅動器以及將相同多晶矽用於主動層之TFT。此 時，在驅動器部的TFT中大多採用CMOS構造，且需形成 nch-TFT以及pch-TFT兩方。另一方面，將非晶矽用於各畫 素的T F T時，用以驅動各畫素之驅動器可採用專用的外接 I C。因此，如本發明般在各畫素形成3種類的TFT時，由於 任一 TFT均能夠以nch-TFT構成，故與採用Pch-TFT於第2

314163.Ptd 第26頁 1247262 五、發明說明（22) TFT 2 0時之情況相比較，可更簡化製造作業。 此外，針對各TFT而言，亦可適當地於通道區域與汲 極區域之間或通道區域與源極區域之間形成L D ( L i n g 11 y Doped)區域。 其次，在本實施形態中，再就設於各晝素之重設用之 第3 TFT 3 0之其他用途進行說明。第3 TFT 30係如上所 述，在通常的顯示期間中，當然係為了使第2 TFT 20的閘 極源極間電壓保持在保持電容C s，而如上所述以與第1 TFT 1 0同樣的時序進行導通關斷控制，但在其他期間中， 亦可用於其他用途。 具體而言，為了以預定時序進行強制放電而可採用積 蓄在有機E L元件5 0之陽極—陰極間之電荷。在第2 T F T 2 0 之閘極源極間電壓Vgs藉由保持電容Cs維持於預定位準期 間中，在有機EL元件50之陽極52與陰極57之間，持續流動 有與此Vgs相對應的電流，並於該畫素之顯示期間終了時 點於陽極一陰極間留下某種程度的電荷。由於此種殘存電 何，在該畫素中，下一個顯示期間中的顯示内容將受到此 f存電荷的影響，亦即可能發生所謂殘像般的現象。於 疋，在每預定期間，例如i垂直掃描期間^欠，例如在該歸 線中，如使全畫素的第3 TFT 30同時或依序地導通，則可 ，有機EL元件50之陽極連接至電容線48，且將陽極電位設 丨為電容線48之電位，σ 〇v。士。 種 在 1頒示期間終了後，到下—個顧-* 、， 則在 ΤΤ7Τ π ^ 1口 ”、、員不期間開始W，可藉由筮3 TFT 30而使有機EL元件50中的終十 符甶弟3 U中的殘存電荷放電，並可進行無

1247262 五、發明說明（23) 殘像的高品質顯示。再者，由於有機E L元件5 0所流動之電 流量愈多愈會使特性惡化，故若將不需要的電荷予以放 電，則可防止在有機EL元件5 0中不需要的電荷繼續流動， 而延長有機EL元件50的壽命。 至於其他的用途，有在例如工廢出貨前，將第3 TFT 3 0用於各晝素的檢查。亦即，如將第1 TFT 1 0導通後並寫 入檢查用的數據信號以使第2 T F T 2 0導通，則與所寫入的 檢查用數據相對應之電流會由驅動電源線44流至第2 TFT 2 0的沒極源極間。因此，第2 TFT 2 〇的源極電壓，由於應 該會成為與供給至有機E L元件5 0之電流量相對應的電壓， 故此時可將第3 TFT 3 0予以導通控制，並可確實且簡易地 檢查是否可將此第2 TFT 20的源極電壓（或流動於源極之 電壓），藉由電容線48的電壓測定等，而對有機EL元件供 給適當的電流。 其次，針對上述第2 T F T 2 0之其他構造進行說明。第 9圖係此第2 TFT 2 0之構成例，其與第7圖構成相異之處， 在於第2 TFT 20係由具有輕摻雜（LD: Lightly Dope:通 常稱之為LDD)區域之所謂的LDD型的TFT所構成。此外，在 此圖中’以第2 TFT 2 0為早閘極之一般的構成，並於此設 置LD區域16 LD。亦即，在玻璃基板1上形成主動層16，旅 覆蓋此主動層1 6而形成閘極絕緣膜4。在主動層1 β之中央 部分之閘極絕緣膜4的上方配置有閘極電極2 4。 此外’在主動層1 6的兩端部’设有以高濃度摻雜不純 物之沒極區域1 6 d、源極區域1 6 s。再者，主動層1 β之問極

314163.ptd 第28頁 1247262 五、發明說明（24) 電極2 4之下方部分係成為通道區域1 6 c，其與此主動層1 6 的通道區域1 6 c以及與源極區域1 6 s、汲極區域1 6 d之間， 係成為由此低濃度不純物注入所形成的LD區域1 6 LD。 藉由採用具有比此種周邊電晶體更大的LD區域的TFT 以作為第2 TFT之方式，除可增大耐壓外，尚可增大相對 於閘極電壓的變化之電流量的變化。 亦即，如將TFT 20之閘極長度（通道長度方向）增長， 則將相對於閘極電壓的電流量變化之範圍增大，可提升電 流量對於閘極電壓變化之調整精密度。在本實施形態中， 係以設定為較大LD構造之方式，可獲得與增長度時閘極長 度時同樣的效果。 實際上在將閘極電極2 4的幅度加寬並增長閘極長度之 情況下，必須將幅寬（閘極長度較長）之閘極24予以捲繞以 確保與其他的絕緣。但是，藉由LD構造，如實質上能獲得 與增長閘極長度時相同的效果，則無須特別將遮光性的閘 極電極2 4的寬度加寬，即能提升1晝素内的開口率。 此外，此種L D構造亦有採用於第1 T F T 1 0或驅動電路 的TFT中之情況。 在本實施形態中，係將第2 TFT 20中之LD之區域，增 大為比第1 TFT 1 0或驅動電路之TFT大。 例如，在將第1 TFT 1 0或驅動電路中TFT之LD區域之 長度設定為第9圖之長度時，則將第2 TFT 20之LD區域增 大成如第1 0圖所示。藉此，可更精密地進行電流量的控 制，而且電晶體的大小本身，相較而言幾乎無變更必要。

314163.ptd 第29頁 1247262 五、發明說明（25) 此外，如採用與其他TFT 1 0等之閘極同等寬度之閘極，則 設計將變得更容易。 因此，由於以設定成為LDD構造之方式，無須將閘極 2 4過於加寬，即能增大開口率。由於每一晝素的發光面積 會因此而增大，故無須變更流動至各有機E L元件的電流， 即得以增大亮度。此外，由於開口率相反地會提昇，故為 實現同一亮度而可抑制供給至有機E L元件之電流，並可抑 制有機EL元件之惡化。此外，實質上，由於可將閘極長度 增長，亦即將通道長度（包含LD區域）增長，故可抑制有關 藉由準分子雷射退火處理之主動層之再結晶化（多晶化）的 特性參差不齊之產生。 此外，在第1 1圖中，係顯示其他實施形態之構成。在 此電路中，相對於第1圖之電路，係具有電壓調整用的二 極體3 1。亦即’在保持電容C s ’以及弟3 T F T (放電電晶 體）3 0與有機EL元件5 0之間設有二極體3卜此二極體3 1係 由具有與第2 TFT 20同一構成的TFT所形成，並使該TFT之 閘極汲極間形成短路。 藉由設置此二極體3 1，而可將第2 TFT 2 0之閘極電壓 設定成有機EL元件50之閾值（VtF)與二極體31之閾值（Vtn) 與視頻信號之和，並且即使有機EL元件50或TFT電晶體的 閾值參差不齊或惡化，第2 TFT 2 0亦經常能釋放與視頻信 號相符之電流。 亦即，藉由設置二極體3 1，可幾乎與元件特性的參差 不齊或惡化無關，而控制驅動電流，並且提供一種不會有

314163.ptd 第30頁 I247262 五、發明說明（26) 彥員色不均勻的顯示裝置。 此外，在此電路中，係設有第3 TFT 30。再者’藉由 此第3 TFT 30，將有機EL元件50之陽極側電位設定成作為 接地電位的電容線SL之電壓，並進行驅動有機EL元件5 0之 際的初期設定。如此，可藉由強制性將有機E L元件5 0之陽 極側電位設定成某電位之方式（拔除電荷），而得以抑制殘 像減少。此外，藉由將第3 TFT 30之源極側電位設定成比 有機EL之陰極側電位更低之電位，則可對有機EL元件中至 少包含有機發光膜的有機膜施加反偏差。藉此，將可促進 有機膜的特性復原，並延緩膜特性的惡化速度。 此外，由於在各畫素具有第3 TFT 30，故亦可使連接 至閘極線方向之全畫素的重設線RSL活性化，而控制不使 其發光的時間。藉此，除了可進行亮度的調整外，同時亦 可達到低消耗電力化的目的。再者，藉由在各RGB將重設 線RSL予以接線，並變更使各RGB導通之時間，而得以控制 各RGB之發光時間。藉此，可進行白平衡之調整，並防止 晝質之惡化。 此外，在第12圖中，係顯示將第11圖之第3 TFT 30之 閘極連接至閘極線GL而非重設線RSL之例。在此構成中， 亦可獲得與第11圖情況相同之作用效果。亦即，當閘極線 G L升起時’則苐1 T F T 1 0將導通’而數據線ρ l之第2 T F T 2 0之閘極電壓將設定成數據線DL之電壓。此外，由於第3 T F T 3 0導通’故來自電源線V L之電流會經由第2 τ F T 2 0、 第3 TFT 3 0流動至低電壓（接地電位）的電容線SL。

314163.ptd 第31頁 1247262 五、發明說明（27) 其次，藉由數據線DL降落，而使第卜第3 TFT 10、 30關斷，而來自第2 TFT 20之電流則流動於有機EL元件50 並發光。 此時，有機EL元件50之上側（連接至第2 TFT 20之側） 之電位，將成為有機EL元件50中之電壓降VtF以上之電 壓。另一方面，由於二極體31中之電壓降Vtη存在，故第2 TFT 2 0之閘極電壓，在電流流動於有機EL元件50時變為有 機EL元件5 0之閾值（VtF)+二極體31之閾值（Vtn)+視頻信號 之電壓（Vvideo)，且如上所述與元件特性之參差不齊或惡 化無關，可控制驅動電流，並獲得顏色不均勾較少的顯示 裝置。 【發明之效果】 如以上之說明，在本發明中，可對電致發光元件等之 被驅動元件穩定地供給電力。 此外，在例如顯示裝置中，無須形成使視頻信號之極 性反轉，即可利用使被驅動元件動作所需之數據信號。

314163.ptd 第32頁 1247262 圖式簡單說明 【圖面簡單說明】 第1圖係顯示驅動本發明實施型態之有機EL元件之每 一晝素之電路構成。 第2圖（a )及（b )係顯示作成對本發明之各晝素供給之 閘極信號以及重設信號之電路構成例圖。 第3圖係顯示第2圖之電路之動作之時序圖。 第4圖係顯示驅動本發明實施型態之有機EL元件之每 一晝素之其他電路構成。 第5圖係顯示驅動本發明實施型態之有機EL元件之每 一晝素之其他電路構成。 第6圖係顯示具備有第4圖所示之電路構成的每一畫素 之平面構成圖。 第7圖（a)至（c)係顯示沿第6圖之A-A線、B-B線以及 C - C線之剖面構造圖。 第8圖係顯示具備有第5圖所示之電路構成之每一晝素 之平面構成圖。 第9圖係顯示LD構造之TFT之構成例圖。 第1 0圖係顯示將LD區域放大之TFT之構成例圖。 第1 1圖係顯示作成對本發明之各晝素供給之閘極信號 以及重設信號之另一電路構成例圖。 第1 2圖係顯示作成對本發明之各晝素供給之閘極信號 以及重設信號之又一電路構成例圖。 第1 3圖係顯示習知主動矩陣型之有機EL顯示裝置之電 路構成圖。

514163.ptd 第33頁 1247262 圖式簡單說明 【元件符號說明】

2、 24、 3 2閘極 電 極 4 閘 極 絕 緣膜 6^ 16^ 36主動 層 7 保 持 電 容之第 8 保 持電容之 第 2電極 10 第 1 TFT(開 關 用薄膜 電 晶 體） 14 層 間絕緣膜 20、 21 第2 TFT(元件驅 動 用 薄膜 電 晶 體 ) 26 連 接配線（連接器部〕 ) 30 第 3TFT 31 電 壓調整用 二 極體 34 共 通 連 接配線 30 第 3 TFT(開 關 用薄膜 電 晶 體） 40、 41 閘極線（G L ) 42 數 據 線 (DL) 44 驅 動電源線 (VL) 46 重 設 線 (RSL) 48 電 容線（S L ) 50 有 機 EL元件 51 發 光元件層 52 陽 極 54 電 洞傳輸層 55 發 光 層 56 電 子傳輸層 57 陰 極 61 第 2平坦化絕緣層 100 垂 直 驅 動器 110 位 移暫存器 120 出 部 122 、1 2 4與閘極 C s 保 持 電 容 314163.ptd 第34頁

Claims (1)

1247262 案號 91132641 ^年/月 曰 3牛年1月之0日修(粟)正本 修正__ 六、申請專利範圍 1. 一種半導體裝置，其特徵為具備有： 於閘極接收選擇信號而動作，且取入數據信號之 開關用薄膜電晶體； 汲極連接於驅動電源，而源極連接於被驅動元 件，且於閘極接收由前述開關用薄膜電晶體所供給之 數據信號，而控制由前述驅動電源供給至前述被驅動 元件之電力之元件驅動用薄膜電晶體， 第1電極連接於前述開關用薄膜電晶體與前述元件 驅動用薄膜電晶體之前述閘極，而第2電極連接於前述 元件驅動用薄膜電晶體之源極與前述被驅動元件之 間，並依據前述數據信號而保持前述元件驅動用薄膜 電晶體的閘極源極間電壓之保持電容；以及 用以控制前述保持電容的第2電極之電位之開關元 件。 2. —種顯示裝置，係具備複數個配置成矩陣狀的晝素的 主動矩陣型顯示裝置，其特徵為： 各晝素至少具備有： 被驅動元件； 於閘極接收選擇信號而動作，且取入數據信號之 開關用薄膜電晶體； 汲極連接於驅動電源，而源極連接於前述被驅動 元件，且於閘極接收由前述開關用薄膜電晶體所供給 之數據信號，而控制由前述驅動電源供給至前述被驅 動元件之電力之元件驅動用薄膜電晶體；

3]4]63 修正本.ptc 第35頁 1247262 心, _案號91132641_一年 月1J曰 修正_ 六、申請專利範圍 第1電極連接於前述開關用薄膜電晶體與前述元件 驅動用薄膜電晶體之前述閘極，而第2電極連接於前述 元件驅動用薄膜電晶體之源極與前述被驅動元件之 間，並依據前述數據信號而保持前述元件驅動用薄膜 電晶體的閘極源極間電壓之保持電容； 以及用以控制前述保持電容的第2電極之電位之開 關元件。 3. 如申請專利範圍第1項或第2項之裝置，其中，前述元 件驅動用薄膜電晶體為η通道型薄膜電晶體。 4. 如申請專利範圍第3項之裝置，其中， 前述η通道型之元件驅動用薄膜電晶體係具有在通 道區域以及注入高濃度不純物的源極區域與汲極區域 之間注入低濃度不純物之LD區域。 5. 如申請專利範圍第4項之裝置，其中， 前述η通道型之元件驅動用薄膜電晶體之LD區域， 係設定成至少大於周邊電路中之η通道薄膜電晶體之LD 區域。 6. 如申請專利範圍第1項或第2項之裝置，其中， 前述被驅動元件為電致發光元件。 7. 如申請專利範圍第1項或第2項之裝置，其中， 前述開關元件係依據前述開關用薄膜電晶體之導 通關斷而控制前述保持電容之第2電極的電位。 8. 如申請專利範圍第7項之裝置，其中， 藉由前述開關元件，而使前述保持電容之第2電極

314]63 修正本.ptc 第36頁 1247262 a _案號 91132641_一年 月 一 u 日__ 六、申請專利範圍 在前述開關用薄膜電晶體之導通動作時控制在固定電 位。 9.如申請專利範圍第7項之裝置，其中， 藉由前述開關元件，而使前述保持電容之第2電極 在前述開關用薄膜電晶體之導通動作之前控制在固定 電位，並於前述開關用薄膜電晶體關斷之後，停止對 前述保持電容之第2電極之電位控制。 1 0 .如申請專利範圍第7項之裝置，其中， 前述開關元件為薄膜電晶體，且依據預定之重設 信號或供給至前述開關用薄膜電晶體之選擇信號，控 制前述保持電容之第2電極的電位。 1 1.如申請專利範圍第1項或第2項之裝置，其中， 前述開關元件係連接於前述元件驅動用薄膜電晶 體之源極，並且用來以預定時序使積蓄於前述被驅動 元件之電荷進行放電。 1 2 .如申請專利範圍第7項之裝置，其中， 前述開關元件係連接於前述元件驅動用薄膜電晶 體之源極，並且用來以預定時序使積蓄於前述被驅動 元件之電荷進行放電。 1 3 .如申請專利範圍第1項或第2項之裝置，其中， 前述開關元件係連接於前述元件驅動用薄膜電晶 體之源極，並且用於連接至前述被驅動元件之前述元 件驅動用薄膜電晶體之源極電位或電流之測定。 1 4 .如申請專利範圍第7項之裝置，其中，

3]4163修正本.口“ 第37頁 1247262 ， 0 ， _案號 91132641 、一 年月^^ 日__ 六、申請專利範圍 前述開關元件係連接於前述元件驅動用薄膜電晶 體之源極，並且用於連接至前述被驅動元件之前述元 件驅動用薄膜電晶體之源極電位或電流之測定。 1 5. —種顯示裝置，係將電致發光元件配置成複數個矩陣 狀之顯示裝置，其特徵為： 將用以控制供給至電致發光元件之驅動電流之驅 動電晶體與各電致發光元件相對應設置， 而此驅動電晶體為η通道電晶體，且在通道區域以 及注入高濃度不純物之源極與汲極區域之間設有注入 低濃度不純物之LD區域。 1 6. —種顯示裝置，係將電致發光元件配置成複數個矩陣 狀之顯示裝置，其特徵為： 將用以控制供給至電致發光元件之驅動電流之驅 動電晶體與各電致發光元件相對應設置， 而此驅動電晶體為η通道電晶體，且在通道區域以 及注入高濃度不純物之源極與汲極區域之間設有注入 低濃度不純物之LD區域’ 此驅動電晶體之LD區域，係至少設定成大於周邊 電路中之η通道電晶體之LD區域。 1 7 .如申請專利範圍第1 5項或第1 6項之顯示裝置，其中， 將開關電晶體與電容的一端連接於前述驅動電晶 體之閘極， 前述電致發光元件與驅動電晶體之連接點，係藉 由放電電晶體連接於低電壓電源，

314163 修正本.ptc 第38頁 1247262 > _案號9Π32641_广年月’曰 修正_ 六、申請專利範圍 且在前述電致發光元件與驅動電晶體的連接點， 連接有前述電容的另一端。

314163 修正本.ptc 第39頁