TWI242036B - Electrophosphorescent arrangement comprising conductive polymers - Google Patents

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TWI242036B
TWI242036B TW091123627A TW91123627A TWI242036B TW I242036 B TWI242036 B TW I242036B TW 091123627 A TW091123627 A TW 091123627A TW 91123627 A TW91123627 A TW 91123627A TW I242036 B TWI242036 B TW I242036B
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Rolf Wehrmann
Helmut-Werner Heuer
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1242036 A7 B7 五、發明說明（1 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明有關一種供電-光學裝置使用之層狀配置體， 其含有電磷光材料，及包含有該層狀配置體之電致發光配 置體。 電致發光配置體具有廣泛之用途，例如製造螢幕或顯 5 示器。目前發光顯示器及顯示裝置愈來愈具有吸引力，尤 其是利用用以增加光效能之電磷光（比較Baldo等人，Appl. Phys. Lett·，Vol. 75, Νο·1，4, 1999; WO 00/70 655 A2)。 以三重線為主之發光係稱為磷光（WO 00/70 655 A2)。磷光優於螢光之處係為在電致發光層中因為電洞及 1〇 電子重組所形成之以三重線為主之激子的主要部分係可使 用發光進行能量轉移。 為了確定發光配置體之效率儘可能地高，需要電致發 光配置體經調整之層狀結構。WO 00/70 655 A2揭示該種 層狀結構，然而，其對於長期安定性及外加量子產率皆非 15 最佳化。因此，例如，電洞注射層係藉真空方法施加，即 將低分子量胺氣相沉積於塗覆有氧化銦錫（ITO)之基材 上。該ITO表面之固定糙度係不可避免地轉移至該基材 上，且保持留於其上層。然而，糙度於電致發光配置體之 操作期間具有極負面之影響，因為其導致電壓尖峰，使得 2〇 層狀結構較快地老化及降解。 WO 00/70 655 A2描述一種有機發光二極體…LED)， 其具有電洞導體層及電子輸送層。該層係含有化合物例如 三-(8-羥基喳啉）铭（Alq3)，其僅可藉複雜且昂貴之氣相沉 積方法施加。期望藉由旋塗法、鑄造法或喷墨法而自溶液 裝 訂· 線
I 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210x297公复） 1242036 A7 B7 五、發明說明（2) 施加之較簡易且公認之處理。 根據W0 00/70 655 A2，聚合物薄膜諸如聚碳酸酯或 其他透明聚合物係作為用以製造OLED之透明基材。此 等基材少具有導電層，以氧化銦錫（ITO)為佳。然而，導 5 電層過大之糙度可能於操作過程中導致短路，且於製造過 程中產生大量廢棄物，較為不利。製造之結果，塑料基材 上之習用無機導電層具有較位於玻璃上者高之糙度。此 外，無機導電層諸如ITO較脆，故因膨脹係數或延伸性 及韌性不同，而於可撓性基材上發生裂紋，可能破壞導電 10 性。此種情況尤其是發生於捲繞基材之儲存及/或操作期 間，諸如例如ITO-PET (PET=聚對苯二甲酸乙二醇酯）或 滾筒-至-滾筒之過程中。 因此，本發明之目的係發展一種新穎之層狀配置體， 其容許自激發三重線狀態下發光，且不具有前述缺點。 15 為了達到該項目的，有機導電性層聚合物系統之薄層 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 係直接施加於已存在基材上之導電層例如ITO上。藉著 施加導電性聚合物系統，位於基材上，尤其是位於塑料基 材上之導電層的表面糙度係經補償。此外，該聚合物系統 涵蓋任何所存在之裂紋。經由其延伸性及韌性，確定即使 20 在操作本發明層狀系統之後，所存在之裂紋保持被導電性 路徑覆蓋，且不破壞表面導電性。 本發明有關一種層狀配置體，其包括至少一種含有導 電層之透明基材、電-光學活性層、及另一含有導電層之 基材，該兩導電性基材中至少一片係附加地塗覆有機導電 -4- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1242036 A7 B7 五、發明說明 性聚合物系統及含有電磷光化合物之電-光學活性層。 本發明層狀配置體係於磷光氣下發光，且藉著使用位 於基材上之透明導電性無機層（TCO層；透明導電性氧化 物）上的導電性聚合物系統，防止含有此種層狀配置體之 5 OLED於操作期間短路。 已知電-光學活性層係意指含有電-光學化合物之層， 即於電子與電洞重組時發光之化合物。 裝 線 本發明中之電磷光化合物係為在電子與電洞照射重組 時具有磷光現象之發光的化合物。此等化合物亦在使用光 10 激發時具有磷光形式之發光現象。與螢光相反地，導致磷 光之激發狀態係具有較長之壽命。螢光之量子效率理論上 自開始即受旋轉靜力學所限制（與75百分比三重線態相反 地，有25百分比導致螢光之單重線態）。另一方面，若為 鱗光物質，則所有激態皆會因輻射而衰減，此係自較高之 15 量子效率得證。 本發明層狀配置體之較佳具體實例中，透明基材之導 電層係為透明導電性無機層，該有機導電性聚合物系統係 施加於此層上。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 使用氧化銦錫層作為透明無機導電層為佳。 20 適當之電磷光化合物係揭示於WO 00/70 655 A2中。 例如，可使用填光有機銦或鐵化合物。 所使用之較佳電磷光化合物係為具有通式（I)之fac-三 (2-苯基吼淀)-錶 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 x297公釐） 1242036 A7 B7 五、發明說明（4
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
(D 或此種親代結構之經取代衍生物。 通式（I)之未經取代fa c -三（2 -苯基吡啶）銥以於電磷光 化合物形式下使用特佳。 10 適當之取代基有例如（Ci-C8)-烷基、鹵素、氰基（CN) 及CF3，該苯基吡啶配位基之苯基環及吡啶環皆可具有一 或多個相同或相異之取代基，且各個苯基吡啶配俾基以經 相同取代為佳。該取代基以（Ci-Cd-烷基、F、或CF3為 佳，F或CF3特佳。 15 具有通式（I-a)及（I-b)之化合物： 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1242036 λ7 Β7 五、發明說明（5 ) 15 可以經取代之衍生物的形式例示。 通式（II)之銥絡合物 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1242036 A7 B7 五、發明說明（6 )
亦可作為電磷光化合物，
Rx及Ry個別表示視情況經取代之（Ci-Cs)-烷基、視情況經 10 取代之(c6-c1(})-芳基或經鹵素取代之(C6-C1G)-芳基。
Rx及Ry較佳係個別表示（Ci-CJ-烷基、苯基或經氟取代之 苯基，尤其是表示（C^Cd-烷基或苯基。 具有通式（Π-a)之化合物 5 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1242036 A7 B7 五、發明說明（7) 可於適當之銀絡合物的形式下例示。 通式（III)之銥絡合物
m 亦適於作為電磷光化合物， 10 Rv及Rw係一起形成具有5或6個環原子之芳族含硫雜 環，此雜環上可稠合其他芳族環，以C6-環為佳。
Rv及Rw以一起形成噻吩環為佳。 通式（ΙΙΙ-a)之化合物 裝 訂· 15 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 20
(m-a)
I 25 可於適當之銥絡合物的形式下例示。 而且，可使用通式（IV)之銥絡合物 -9- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1242036 Λ7 B7 五、發明說明（8 )
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 作為電磷光化合物，其與通式⑴化合物相異之處為苯基 吼咬配位基被咐σ定-2-緩酸配位基所置換。 10 苯基吡啶配位基及吡啶-2-羧酸配位基可視情況經取 代。適當之取代基為例如（CVC8)-烷基、鹵素、氰基(CN) 及CF3，苯基吡啶配位基之苯基環及吡啶環兩者及吡啶-2-羧酸配位基之吡啶環可具有一或多個相同或相異之取代 基，且各個苯基吡啶配位基以相同地經取代為佳。該取代 15 基較佳係為（CVQ)-烷基、F或CF3，以F或CF3尤佳。 通式（IV-a)之化合物 < 20
-a) έ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1242036 A7 B7 五、發明說明（9) 5 10 可以適當之通式（IV)銥絡合物例示。 所述之通式（I)至（IV)鈒絡合物可依已知方式自適當之 錶化合物一以乙醯基醋酮酸銥（ΙΠ)為佳一藉配位基交換而 製備。 部分配位基係市售品或可藉習用方法製備。 該有機導電性聚合物系統可為例如以聚苯胺、聚吡略 或聚噻吩為主之系統。 已知導電性聚合物系統係意指除了實際之有機導電性 聚合物之外，可另外含有其他成份之系統。其可包含例如 薄膜形成劑、交聯劑、熱溶劑、黏合劑或改善電導係數之 添加劑。實例係描述於US-A 5 766 515或EP-A 602 713 〇 本發明較佳具體實例中，該有機導電性聚合物係為負 有陽離子電荷之聚噻吩，其包含具有通式之結構單元 裝 訂' 15 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 20 其中
(V) A及A2個別表示視情況經取代之（Ci-C18)-烷基或一起形 成視情況經取代之(Ci-C^)-伸烷基且 n 係表示由2至10 000之整數，以由3至5 000為 佳， 11. 本紙張尺度適UT國國冢標準(CNS>A4規格（210 X 297公楚） 參 1242036
五、發明說明（10) 存在聚陰離子。 特佳之陽離子性聚噻吩係包括通式（Va)或（vb)之 οσ 一 早兀 結構 5
(Va) 10
(Vb) 其中 15 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 20
Ri及R2個別表示氫、視情況經取代之（Ci-Cis)-烷基—以 (CVCw)-烷基為佳，尤其是（(^(^戶烷基、視情況經 取代之（CrCn)-稀基一以（C2_C8)-稀基為佳、視情況 經取代之（C^C7)-環烷基一以環戊基、環己基為佳、 視情況經取代之（CVCn)-芳烷基一以苯基-(cvc4)-烷 基為佳、視情況經取代之（C6-C1G：l·芳基一以苯基、萘 基為佳、視情況經取代之（Ci-Cu)-烷氧基一以（Cr C 10)-烧氧基為佳，例如曱氧基、乙氧基、正-或異_丙 氧基、或視情況經取代之(c2-c18)-烷氧酯且 R3 ’ R4個別但非同時表示氫、（Ci-Ci8)_烧基一以（Ci- -12- 本紙張尺度適用T國國家標準(CNS)A4規格（—210 X 297公楚） A7 B7 1242036 五、發明說明（η) c10)-烷基為佳，尤其是（Cl_c6)_烷基，其各經至少一 個磺酸根所取代、（c2-c〖2)-稀基一以（CVC8)-烯基為 佳，其各經至少一個確酸根所取代、（C：rC7)-環烧 基一以環戊基、環己基為佳，其各經至少一個石黃酸根 5 所取代、芳烷基一以苯基兴Crc4：l·烷基為 佳，其各經至少一個磺酸根所取代、（C6-C1G)-芳基一 以苯基、萘基為佳，其各經至少一個磺酸根所取代、 (CrCi8)-烷氧基一以（eve!。)·烷氧基為佳，以甲氧 基、乙氧基、正-或異-丙氧基為佳，其各可經至少一 10 個磺酸根所取代、或（CrC^)-烷氧酯，其經至少一個 磺酸根所取代且 η 係表示由2至10 000之數，以由3至5 〇〇〇為佳。 特佳之R3及尺4係個別但非同時表示氣，或前述基團 中之一’該基團係經績酸根所取代。 15 肖佳者係為具有通式（Va-ι)及（vtw)的陽離子 性聚烷二氧基噻吩
本紙張尺度適用中國國家標準(CNS>A4規格（210 X 297公楚） !242036 Λ7 一 B7 五、發明說明（12) 其中 反5係表示（C「Ci8)-烧基一以（C 1-C 10)-烧基為佳，尤其是 (CrC6)-烷基’其各經至少一個磺酸根所取代、（c2-C〗2)-烯基一以（C^C：8)-烯基為佳，其各經至少一個磺 5 酸根所取代、（C3_C7)-環烷基一以環戊基、環己基為 佳，其各經至少一個磺酸根所取代、（C7_Cl5)-芳烷 基一以苯基-(CrC4)-燒基為佳，其各經至少一個磺酸 根所取代、（C6-C1G)-芳基一以苯基、萘基為佳，其各 經至少一個磺酸根所取代、（c「c18)-烷氧基一以（cr 10 Cio)-烷氧基為佳，例如甲氧基、乙氧基、正-或異-丙 氧基，其各經至少一個磺酸根所取代、或（C2-C18)-烷 氧酯，其經至少一個磺酸根所取代且 n 係表示由1至10 000之整數，以由3至5 000為 佳。 15 特佳之R5係表示前述基團中之一，該基團係經磺酸 根所取代。 * 本發明另一較佳具體實例中，該式中之η係表示由4 至15之整數。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 所使用之聚陰離子係為聚合緩酸，諸如聚丙烯酸、聚 20甲基丙烯酸、聚順丁烯二酸及聚合磺酸，諸如聚苯乙烯磺 酸及聚乙烯基磺酸。此等聚羧酸及聚g酸亦可為乙烯基羧 酸及乙烯基磺酸與其他可聚合單體諸如丙烯酸酯及苯乙烯 之共聚物。 聚苯乙烯續酸(PSS)之陰離子以相反離子形式特佳。 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（21〇 X 297公爱） A7 1242036 B7 五、發明說明（13) 提供該聚陰離子之聚酸的分子量以1 000至2 000 〇〇〇為佳，2 000至500 000特佳。聚酸或其鹼金屬鹽係 市售品，例如聚笨乙烯磺酸及聚丙烯酸，或可藉已知方法 製備（比較例如 Houben Weyl，Methoden der organischen 5 Chemie [Methods of organic chemistry], Vol. E 20 Makro-molekulare Stoffe [Macromolecular substances]，第 2 部 (1987)第1141頁以下）。 除了自聚烷二氧基噻吩形成分散液所需之游離聚酸之 外，亦可使用聚酸之鹼金屬鹽與對應量之單酸的混合物。 1〇 若為通式（vb-i)，則聚烷二氧噻吩之結構單元中具有 正及負電荷。 聚烷二氧噻吩之製備係描述於例如EP-A 〇 440 957(=US-A 5 300 575)中。該聚烷二氧噻吩係藉由氧化聚 合物製備。因為無法令人滿意地決定其數量及其位|，因 15 此其得到正電荷一未出示於該通式中。 該聚嗔吩分散液可藉公認之經濟方法諸如鑄造、P 刷、噴霧、浸潰、溢流或喷墨而施加於透明導電性基讨 上。不需要昂貴之真空方法。
Wy 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 較佳具體實例中，含有芳族胺之電洞導體詹係施如’ 20導電性聚合物系統上。可能之胺類之列系係出示於A 0 532 798 中。 較佳係使用通式（VI)之芳族胺
-15- 本紙張尺度適用中國國家if^(CNS)A4規格（210x297公釐y 1242〇36
發明說明（ 14
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 R 係表示氫、視情況經取代之烷基或i素且 R及r8個別表示視情況經取代之（cvc1G)-烷基、經烷氧 羰基取代之（C^-Cio)-烷基、或芳基、芳烷基或環烷 基’其各視情況經取代，且 R7及R8個別表示（Cl-C6)-烷基，尤其是甲基、乙基、正_ 或異-丙基、正_、異_、第二-或第三_丁基、（Ci-C4)-烧氧羰基-(Cl-C6)-烷基諸如例如曱氧基_、乙氧基… 15 丙氧基-或丁氧基羰基-(CrCO-烷基、或苯基-(Crc4)- 烧基 ' 萘基-(CVC4)-烧基、環戊基、環己基、笨基或 萘基，其各視情況經（CVCU)-烷基及/或（Q-C4)-烷氧 基所取代。 特佳之R7及R8個別表示未經取代之笨基或萘基或表 20 示本基或萘基，其各經甲基、乙基、正-或異-丙基、甲氧 基、乙氧基、正-及/或異-丙氧基所單取代至三取代。 R6較佳係表示氫、（CVC6)-烷基諸如例如甲基、乙基、 正-或異-丙基或正-、異-、第二-或第三-丁基、或 氣。 -16- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 1242036 B7 五、發明說明（15) 該化合物及其製備係描述於一使用於電子照相一US-A 4 923 774中，以提及方式併入本文中。該三-硝基苯基 化合物可轉化成三-胺笨基化合物，例如藉一般已知之催 化氫化方法，例如於阮來（Raney)鎳存在下進行（Houben-5 Weyl 4/1C，14-102, Ullmann (4)旦，135-148)。該胺基化合 物係依一般已知方式與經取代之鹵基苯進行反應。 可列出以下化合物以供例示： 訂· 丨線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 用 適 度 尺 張 紙 本 ψ( 標 家 國 國 祕
釐 公 97 2 X 1242036 五、發明說明（16) A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
A1 CH3-O
A2
0-CH, 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 B7 1242036 五、發明說明（17) 除了三級胺化合物之外，可視情況使用其他電洞導體，例 如其與三級胺基化合物之混合物的形式，以製造電致發光 元件。此者一方面可包含一或多種通式（VI)之化合物，亦 包括異構物之混合物，另一方面，亦包含電洞輸送化合物 5 與具有不同結構之三級胺基化合物一具有通式（VI)—之混 合物。 可能之電洞傳導性材料之列示係出示於EP-A 0 532 798 中。 若為芳族胺之混合物，則該化合物可於任何所需比例 10 下使用。 可例示下列者： 具有電洞傳導性且可於純物質形式下使用或於混合物 中成為三級胺基化合物之配合物質的物質有例如下列化合 物，X1至X4個別表示Η、鹵素、烷基、芳基、烷氧基或 15 芳氧基。 裝 訂· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 20
-19- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 B7 1242036 五、發明說明（l8 本發明層狀配置體較佳係另外包括電子輸送層。適用 於此層中之大量化合物係已知。 因此，根據W〇00/70 655 A2，使用例如Alq3。此化 合物係為顏料，因為不可溶於習用溶劑中，故可單藉氣相 沉積方法而施加。 較佳係使用來自由Ga(qa)2OR9、Ga(qa)2OCOR9或 Ga(qa)2-0-Ga(qa)2之群的鎵複合物製造電子輸送層。 R9 係表示經取代或未經取代之烷基、芳基、芳烷基或環 裝 烧基且 10 (qa)係表示 Ο ip 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 與Alq3相反地，此等鎵化合物可自溶液及藉氣相沉 15 積方法加工。適當之溶劑有例如甲醇、乙醇、正丙醇或異 丙醇。 < R9 較佳係表示視情況分支鏈之烷基，其係未經取代或經 鹵素或氰基所取代，特佳者係表示視情況分支鏈(C!-C8)-烷基，其未經取代或經鹵素或氰基所取代。以示 20 視情況分支鏈（CrC6)烷基為佳，其係未經取代或經 鹵素或氰基所取代。氟及氯係為#ΐ佳之i素。 使用通式（VII)至（IX)之鎵化合物特佳。 -20- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1242036 a7 B7 五、發明說明（I9 )
本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210x297公釐） 1242036 at B7 五、發明說明（20 ) 於特定具體實例中，本發明層狀配置體含有介於電 光學活性層與電子輸送層之間的障壁層。 該障壁層較佳係含有貝托枯普因（bathocuproin)(X)。 10 15
(X) 裝 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 20 玻璃、極薄之玻璃（可撓性玻璃）及塑料適於作為配置 導電層之透明基材。 特別適用之塑料有：聚碳酸酯、聚酯、共聚碳酸酯、 聚艰、聚醚砜、聚醯亞胺、聚乙烯、聚丙烯或環狀聚烯烴 或環狀烯烴共聚物（COC)、氳化苯乙烯聚合物或氫化苯乙 稀共聚物。 < 較佳聚合物有聚碳酸酯、聚酯、聚砜、聚醚砜、環狀 烯烴共聚物、氫化苯乙烯聚合物及氫化苯乙烯共聚物。選 自由聚酯、PET及PEN(各為聚對苯二甲酸乙二醇酯及聚 萘酸乙二醇酯）之群為佳。 適當之聚合物基材有例如聚醋膜、購自Sumitomo之 PES薄膜或購自Bayer AG之聚碳酸酯薄膜（Makrofol®)。 此等基材可藉附加層例如Marnot®薄膜（Bayer AG)而 製成抗刮磨性且/或抗化學物質性質。 -22- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 X 297公釐） 訂· 1242036 a7 B7 五、發明說明（21) 選自聚碳酸酯之群之特別適用者有含有下列區段中之 一的聚合-或共聚碳酸酯：
本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1242036 A7 B7 五、發明說明（22 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其他用以合成聚碳酸醋之雙自分係描述於例如EP- A 359 953 中。 本發明層狀配置體可經封包。 本發明層狀配置體特別適於作為電致發光裝置。是 5 故，含有本發明狀層配置體之電致發光裝置亦為本發明之 標的。 本發明層狀配置體可如下製造：有機導電性聚合物係 以溶液或分散液形式施加於配置有氧化銦錫層（ITO層）之 導電性塗層的基材上。後續加熱程序係用以移除溶劑部 10 分。較佳之通式（VI)胺類隨之施加於有機導電性聚合物系 統之薄層上，亦為濕式塗覆步驟之形式。此情況下，亦進 行用以移除溶劑之加熱步驟。藉氣相沉積方法施加後續 電-光學活性層及選擇性障壁層。 包含鎵複合化合物之後續電子輸送層現在施加於電-15 光學活性層或障壁層上，仍以溶液為佳，例如於甲醇中。 本發明層狀結構之另一優點因此係為實質減少在製邊所有 有機功能層期間的必要高度真空塗覆步驟。 製造例如電致發光配置體時，可隨之施加作為陰極之 金屬基材。該ITO層係作為陽極。 20 實施例 1 ·導電性聚嗔吩層之施加（Baytron®P) Baytron® P層施加於ITO上： 約10毫升固體含量約1.2重量百分比之聚（乙二氧基 -24- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210x297公釐） 裝 訂^ 線 1242036 A7 B7 五、發明說明（23 ) σ塞吩）/聚笨乙稀石黃酸溶液（BAYER AG，Leverkusen， Baytron® P)經過濾（Millipore HV，〇·45微米）。將以基材放 置於旋塗器上，經過濾之溶液分配至該基材塗覆有ITO 之側面上。上清液藉旋塗法於500轉每分鐘下轉動該盤而 5 施加3分鐘時間。經塗覆之基材隨之於ll〇°C下於熱板上 乾燥5分鐘。層厚係為60奈米（藉Tencor，Alphastep 200 測定）。 表1出示Baytron⑧P對於基材之表面糙度的影響。 表1 10 基材中心線平均值（奈来） a) 玻璃/ITO 2.5 b) 玻璃/ITO/Baytron⑧P 1.6 c) 聚酯（PET)/ITO 3.9 d) 聚酯（PET)/ITO/ Baytron®P 2.5 該糙度係借助原子力顯微鏡(AFM)測定。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 清楚顯示位於基材表面上之導電層的平滑效果。試樣 d)即使在重複機械處理—彎曲、輥壓等—之後，仍未見到 表面裂紋。塗覆有Baytron®P之基材可用以製造電-光學 活性配置體，諸如例如電鱗光顯示器。 -25- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 X 297公爱）

Claims (1)

1242036 έ88 C8 _D8_ 六、申請專利範圍 專利申請案第91123627號 ROC Patent Appln. No.91123627 號 修正後無劃線之申請專利範圍中文本-附件(一） Amended Claims in Chinese - Encl.fD 5 (民國94年5月>3日送呈） (Submitted on May ? 2005) 1. 一種層狀配置體，其包括至少一種含有導電層之透明 基材、電-光學活性層、及另一種含有導電層之基材， 10 其特徵為該兩導電性基材中至少一者係另外塗覆有機 導電性聚合物系統且該電-光學活性層係含有電磷光化 合物。 2. 如申請專利範圍第1項之層狀配置體，其特徵為該透 明基材之導電層係為透明導電性無機層，而有機導電 15 性聚合物系統係施加於該層上。 3. 如申請專利範圍第2項之層狀配置體，其特徵為該透 明無機導電層係包含氧化銦錫。 4. 如申請專利範圍第1項之層狀配置體，其特徵為使用 磷光有機銥或锇化合物作為電磷光化合物。 20 5.如申請專利範圍第4項之層狀配置體，其特徵為使用 具有下式之磷光有機銥化合物 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 5 2
(I) 91416b-接 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1242036 Α8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 作為該電磷光化合物。 6.如申請專利範圍第1項之層狀配置體，其特徵為該有 機導電性聚合物系統係為聚苯胺、聚吡咯或聚噻吩系 統。 5 7.如申請專利範圍第6項之層狀配置體，其特徵為該有 機導電性聚合物系統係為包含通式(V)之結構單元的陽 性電荷聚噻吩
η 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其中 15 Α1及Α2個別表示視情況經取代之(CrC18)-烷基或一起 形成視情況經取代之(CrC18)_伸烷基且 η係表示由2至10 000之整數，以由3至5 000為 佳，存在聚陰離子。 8.如申請專利範圍第1項之層狀配置體，其特徵為該另 20 外於導電性聚合物系統上施加含有通式（VI)之芳族胺 的電洞導體層 -27 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210x297公釐） 1242036 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍
，R7 -R8 (VI) 其中 R6係表示氫、視情況經取代之烷基或鹵素且 R7及R8個別表示視情況經取代之(CrC1G)-烷基、經烷 10 氧羰基取代之(cvc^)-烷基、或芳基、芳烷基或環烷 基，其各視情況經取代。 9.如申請專利範圍第1項之層狀配置體，其特徵為其另 外包括電子輸送層，其含有選自由Ga(qa)2OR9、 Ga(qa)2OCOR9 或 Ga(qa)2_0_Ga(qa)2 組成之群的鎵複合 15 物，其中 R9係表示經取代或未經取代之烷基、芳基、芳烷基或 環烷基且 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 20 (qa)係表示
10. 如申請專利範圍第1項之層狀配置體，其特徵為該透 明基材係由玻璃或塑料所構成。 11. 如申請專利範圍第1至10項中至少一項之層狀配置 體，其特徵為該兩基材中之至少一者係為塑料基材。 -28 -
本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210x297公釐） 1242036 as B8 C8 _D8_ 六、申請專利範圍 12. 如申請專利範圍第10或11項之層狀配置體，其特徵 為該塑料為聚碳酸酯或共聚碳酸酯、聚酯、聚砜、聚 醚砜、聚醯亞胺、聚丙烯、聚乙烯、環狀聚烯烴、環 狀烯烴共聚物、氫化苯乙烯聚合物或氫化苯乙烯共聚 5 物。 13. 如申請專利範圍第1項之層狀配置體，其特徵為該塑 料基材係製成抗刮磨性及/或抗化學物質性。 14. 如申請專利範圍第1項之層狀配置體，其特徵為該配 置體係經封包。 10 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 X 297公釐）
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