JP2005506665A

JP2005506665A - 導電性ポリマーを含む電子りん光性アセンブリ

Info

Publication number: JP2005506665A
Application number: JP2003537134A
Authority: JP
Inventors: ホイアー，ヘルムート−ベルナー; ベーアマン，ロルフ
Original assignee: Bayer AG
Current assignee: Bayer AG
Priority date: 2001-10-16
Filing date: 2002-10-04
Publication date: 2005-03-03
Also published as: KR20100036393A; CN1572031A; EP1438756A1; EP1438756B1; TWI242036B; DE50212080D1; US20030108769A1; ATE392017T1; ES2303861T3; US6869697B2; WO2003034512A1; DE10150477A1; HK1073390A1; KR20050033536A; KR101218962B1; CN100530745C

Abstract

本発明は、電気的に伝導性の層を含有する第２の基質の他に、電気的に伝導性の層、電子−光学的に活性な層を含有する少なくとも１つの透明基質を含む層のアセンブリに関する。本発明に従うと、２つの電気的に伝導性の基質の少なくとも１つにはさらに有機導電性ポリマー系がコーティングされ、電子−光学的に活性な層は電子りん光性化合物を含有する。

Description

【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子りん光性（ｅｌｅｔｒｏｐｈｏｓｐｈｏｒｅｓｃｅｎｔ）材料を含有する電子−光学装置のための層配置ならびにこの層配置を含むエレクトロルミネセント配置に関する。
【背景技術】
【０００２】
エレクトロルミネセント配置は、例えばスクリーン又はディスプレーの製造において広範囲の用途を有する。近年、特に光効率の向上のために電子りん光を用いた発光ディスプレー及びディスプレー装置に興味が増している（非特許文献１；特許文献１を参照されたい）。
【０００３】
三重項に基づく発光はりん光という用語により知られている（特許文献１）。蛍光を超えるりん光の利点は、エレクトロルミネセント層におけるホールと電子の再結合により生成する三重項に基づく励起子の大部分を、ルミネセンスを伴うエネルギー移動に利用できることである。
【０００４】
発光配置の可能な高い効率を保証するために、要求に適合させたエレクトロルミネセント配置の層構造が必要である。特許文献１はそのような層構造を開示しているが、それは長期間の安定性及び外部量子収率の両方に関してまだ最適ではない。かくして例えばホール注入層は真空プロセスにより、すなわち酸化錫インジウム（ＩＴＯ）がコーティングされた基質への低分子量アミンの蒸着により適用される。ＩＴＯ表面の本質的粗さは必然的に基質に運ばれ、その上に保持される。しかしながら粗さでさえ、それが電圧ピークを生じ、それは層構造のより早い老化及び劣化を生ずるので、エレクトロルミネセント配置の運転の間に非常に不利な影響を有する。
【０００５】
特許文献１は、ホール伝導体層及び電子輸送層を有する有機発光ダイオード（ＯＬＥＤｓ）を記載している。これらの層は、複雑且つ高価な蒸着法によってのみ適用され得る化合物、例えばトリス−（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム（Ａｌｑ_３）を含有する。スピンコーティング、流延法又はインキジェット法による溶液からのもっと簡単且つ確立された処理が望ましい。
【０００６】
特許文献１によると、ポリカーボネート又は他の透明ポリマーのようなポリマーフィルムがＯＬＥＤｓの製造のための透明基質として用いられる。これらの基質に導電性層、好ましくは酸化錫インジウム（ＩＴＯ）が設けられる。しかしながら導電性層の過剰に大きな粗さは、運転の間の短絡及び製造の間の多量の廃棄物を生じ得、不利である。製造の結果として、プラスチック基質上の通常の無機導電性層は常にガラス上より大きな粗さを有する。さらにＩＴＯのような無機導電性層は脆く、異なる膨張率又は伸び率及び靭性のために柔軟性基質上で亀裂が起こり得、導電率における破断を生じ得る。これは特に、例えばロール−ツウ−ロール法（ｒｏｌｌ−ｔｏ−ｒｏｌｌｐｒｏｃｅｓｓｅｓ）のためのＩＴＯ−ＰＥＴ（ＰＥＴ＝ポリエチレンテレフタレート）のような巻き取られた基質の保存及び／又は取り扱いの間に起こる。
【非特許文献１】
Ｂａｌｄｏｅｔａｌ．，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，Ｖｏｌ．７５，Ｎｏ．１，４，１９９９
【特許文献１】
国際公開第００／７０６５５Ａ２号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
従って、本発明の目的は、励起された三重項状態からの発光を可能にし且つ上記の欠点を有していない新規な層配置を開発することであった。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
目的の達成のために、基質のすでに存在する導電性層、例えばＩＴＯに有機導電性ポリマー系の層を直接適用する。導電性ポリマー系の適用により、基質上、特にプラスチック基質上の導電性層の表面粗さが補償される。さらに、ポリマー系は存在する亀裂を覆う。その伸び率及び靭性を介し、本発明に従う層系を取り扱った後でも、それは存在する亀裂が導電路により覆われたままであり且つ表面導電率が破断されないことを保証する。
【０００９】
本発明は、電気的に伝導性の層を含有する少なくとも１つの透明基質、電子−光学的に活性な層及び電気的に伝導性の層を含有するさらなる基質よりなる層配置に関し、２つの電気的に伝導性の基質の少なくとも１つにはさらに有機導電性ポリマー系がコーティングされ、そして電子−光学的に活性な層は電子りん光性化合物を含有する。
【００１０】
本発明に従う層配置は、りん光の形態での発光を可能にし、且つ基質上の透明導電性無機層（ＴＣＯ層；透明導電性酸化物）上で電気的に伝導性のポリマー系を用いることにより、この層配置を含有するＯＬＥＤｓの運転の間の短絡を妨げる。
【００１１】
電子−光学的に活性な層は、電子−光学的化合物、すなわち電子とホールが再結合すると発光する化合物を含有する層を意味すると理解される。
【００１２】
本出願の範囲内で電子りん光性化合物は、電子とホールが輻射再結合（ｒａｄｉａｎｔｒｅｃｏｍｂｉｎａｔｉｏｎ）するとりん光の現象を有する光を発する化合物である。これらの化合物は、光で励起されるとりん光の形態におけるホトルミネセンスの現象も示す。蛍光と対照的に、りん光を生ずる励起状態は比較的長い寿命を有する。蛍光の量子収率は理論的に最初からスピン統計学に制限される（三重項状態の７５％に対して蛍光を生ずる一重項状態の２５％）。他方、りん光性材料の場合、すべての励起状態が放射線を伴って崩壊する（ｄｅｃａｙ）ことができ、それはより高い量子収率から明らかである。
【００１３】
本発明に従う層配置の好ましい態様において、透明基質の電気的に伝導性の層は透明導電性無機層であり、この層に有機導電性ポリマー系が適用される。
【００１４】
透明無機導電性層として酸化錫インジウムの層が好適に用いられる。
【００１５】
適した電子りん光性化合物は特許文献１に開示されている。例えば、りん光性有機イリジウム又はオスミウム化合物を用いることができる。
【００１６】
好適に用いられる電子りん光性化合物は、式（Ｉ）
【００１７】
【化１】
【００１８】
のｆａｃ−トリス（２−フェニルピリジン）−イリジウム又はこの親構造の置換誘導体である。
【００１９】
式（Ｉ）の非置換ｆａｃ−トリス（２−フェニルピリジン）イリジウムが電子りん光性化合物として特に好適に用いられる。
【００２０】
適した置換基は、例えば、（Ｃ_１−Ｃ_８）−アルキル、ハロゲン、シアノ（ＣＮ）及びＣＦ_３であり、フェニルピリジンリガンドのフェニル環及びピリジン環の両方が１個もしくはそれより多い同一もしくは異なる置換基を有することができ、それぞれのフェニルピリジンリガンドが好ましくは同一に置換されている。置換基は好ましくは（Ｃ_１−Ｃ_６）−アルキル、Ｆ又はＣＦ_３、特に好ましくはＦ又はＣＦ_３である。
【００２１】
例えば、式（Ｉ−ａ）及び（Ｉ−ｂ）：
【００２２】
【化２】
【００２３】
の化合物を置換誘導体として挙げることができる。
【００２４】
一般式（ＩＩ）
【００２５】
【化３】
【００２６】
のイリジウム錯体も電子りん光性化合物として用いることができ、
Ｒ^ｘ及びＲ^ｙは互いに独立して、場合により置換されていることができる（Ｃ_１−Ｃ_８）−アルキル、場合により置換されていることができる（Ｃ_６−Ｃ_１０）−アリール又はハロゲンで置換された（Ｃ_６−Ｃ_１０）−アリールを示す。
【００２７】
Ｒ^ｘ及びＲ^ｙは互いに独立して、好ましくは（Ｃ_１−Ｃ_６）−アルキル、フェニル又はフッ素−置換フェニルを示し、特に（Ｃ_１−Ｃ_６）−アルキル又はフェニルを示す。
【００２８】
式（ＩＩ−ａ）
【００２９】
【化４】
【００３０】
の化合物を適したイリジウム錯体の例として挙げることができる。
【００３１】
一般式（ＩＩＩ）
【００３２】
【化５】
【００３３】
のイリジウム錯体はさらに電子りん光性化合物として適しており、
Ｒ^ｖ及びＲ^ｗは一緒になって、５もしくは６個の環原子を有する芳香族硫黄含有複素環を形成し、さらに別の芳香環、好ましくはＣ_６−環がこの複素環上に縮合していることができる。
【００３４】
Ｒ^ｖ及びＲ^ｗは好ましくは一緒になってチオフェン環を形成する。
【００３５】
式（ＩＩＩ−ａ）
【００３６】
【化６】
【００３７】
の化合物を適したイリジウム錯体の例として挙げることができる。
【００３８】
さらに、フェニルピリジンリガンドがピリジン−２−カルボン酸リガンドで置き換えられていることにより式（Ｉ）の化合物と異なる一般式（ＩＶ）
【００３９】
【化７】
【００４０】
のイリジウム錯体を電子りん光性化合物として用いることができる。
【００４１】
フェニルピリジンリガンド及びピリジン−２−カルボン酸リガンドは場合により置換されていることができる。適した置換基は、例えば、（Ｃ_１−Ｃ_８）−アルキル、ハロゲン、シアノ（ＣＮ）及びＣＦ_３であり、フェニルピリジンリガンドのフェニル環及びピリジン環の両方ならびにピリジン−２−カルボン酸リガンドのピリジン環が１個もしくはそれより多い同一もしくは異なる置換基を有することができ、それぞれのフェニルピリジンリガンドが好ましくは同一に置換されている。置換基は、好ましくは、（Ｃ_１−Ｃ_６）−アルキル、Ｆ又はＣＦ_３、特に好ましくはＦ又はＣＦ_３である。
【００４２】
式（ＩＶ−ａ）
【００４３】
【化８】
【００４４】
の化合物を式（ＩＶ）の適したイリジウム錯体の例として挙げることができる。
【００４５】
上記の式（Ｉ）〜（ＩＶ）のイリジウム錯体は既知の方法で、適したイリジウム化合物、好ましくはアセチル酢酸イリジウム（ＩＩＩ）から、リガンド交換により製造することができる。
【００４６】
リガンドのいくつかは商業的に入手可能であるか、又は通常の方法により製造することができる。
【００４７】
有機導電性ポリマー系は、例えばポリアニリン類、ポリピロール類又はポリチオフェン類に基づく系であることができる。
【００４８】
導電性ポリマー系は、実際の有機導電性ポリマーの他にさらなる成分を含有することができる系を意味すると理解される。それは例えばフィルム形成剤、架橋剤、サーマルソルベント（ｔｈｅｒｍａｌｓｏｌｖｅｎｔｓ）、結合剤又は導電率を向上させる添加剤を含むことができる。例は米国特許第５７６６５１５号明細書又は欧州特許出願公開第６０２７１３号明細書に記載されている。
【００４９】
本発明の好ましい態様において、有機導電性ポリマーは、ポリアニオンの存在下でカチオン的に帯電した、式（Ｖ）
【００５０】
【化９】
【００５１】
［式中、
Ａ^１及びＡ^２は互いに独立して場合により置換されていることができる（Ｃ_１−Ｃ_１８）−アルキルを示すか、又は一緒になって場合により置換されていることができる（Ｃ_１−Ｃ_１８）−アルキレンを形成し、
ｎは２〜１００００、好ましくは３〜５０００の整数を示す］
の構造単位を含むポリチオフェンである。
【００５２】
特に好ましいカチオン性ポリチオフェンは、式（Ｖａ）又は（Ｖｂ）
【００５３】
【化１０】
【００５４】
［式中、
Ｒ_１及びＲ_２は互いに独立して水素、場合により置換されていることができる（Ｃ_１−Ｃ_１８）−アルキル、好ましくは（Ｃ_１−Ｃ_１０）−アルキル、特に（Ｃ_１−Ｃ_６）−アルキル、場合により置換されていることができる（Ｃ_２−Ｃ_１２）−アルケニル、好ましくは（Ｃ_２−Ｃ_８）−アルケニル、場合により置換されていることができる（Ｃ_３−Ｃ_７）−シクロアルキル、好ましくはシクロペンチル、シクロヘキシル、場合により置換されていることができる（Ｃ_７−Ｃ_１５）−アラルキル、好ましくはフェニル−（Ｃ_１−Ｃ_４）−アルキル、場合により置換されていることができる（Ｃ_６−Ｃ_１０）−アリール、好ましくはフェニル、ナフチル、場合により置換されていることができる（Ｃ_１−Ｃ_１８）−アルキルオキシ、好ましくは（Ｃ_１−Ｃ_１０）−アルキルオキシ、例えばメトキシ、エトキシ、ｎ−もしくはイソ−プロポキシ又は場合により置換されていることができる（Ｃ_２−Ｃ_１８）−アルコキシエステルを示し、
Ｒ_３、Ｒ_４は互いに独立して水素を示すが両方が同時にではないか、あるいはそれぞれ少なくとも１個のスルホネート基で置換された（Ｃ_１−Ｃ_１８）−アルキル、好ましくは（Ｃ_１−Ｃ_１０）−アルキル、特に（Ｃ_１−Ｃ_６）−アルキル、それぞれ少なくとも１個のスルホネート基で置換された（Ｃ_２−Ｃ_１２）−アルケニル、好ましくは（Ｃ_２−Ｃ_８）−アルケニル、それぞれ少なくとも１個のスルホネート基で置換された（Ｃ_３−Ｃ_７）−シクロアルキル、好ましくはシクロペンチル、シクロヘキシル、それぞれ少なくとも１個のスルホネート基で置換された（Ｃ_７−Ｃ_１５）−アラルキル、好ましくはフェニル−（Ｃ_１−Ｃ_４）−アルキル、それぞれ少なくとも１個のスルホネート基で置換された（Ｃ_６−Ｃ_１０）−アリール、好ましくはフェニル、ナフチル、それぞれ少なくとも１個のスルホネート基で置換された（Ｃ_１−Ｃ_１８）−アルコキシ、好ましくは（Ｃ_１−Ｃ_１０）−アルコキシ、好ましくはメトキシ、エトキシ、ｎ−もしくはイソ−プロポキシ又は少なくとも１個のスルホネート基で置換された（Ｃ_２−Ｃ_１８）−アルコキシエステルを示し、
ｎは２〜１００００、好ましくは３〜５０００の数を示す］
の構造単位を含む。
【００５５】
特に好ましくは、Ｒ_３及びＲ_４は互いに独立して水素を示すが両方が同時にではないか、あるいは１個のスルホネート基により置換された上記の基の１つを示す。
【００５６】
特に好ましいのは式（Ｖａ−１）及び（Ｖｂ−１）
【００５７】
【化１１】
【００５８】
［式中、
Ｒ_５はそれぞれ少なくとも１個のスルホネート基で置換された（Ｃ_１−Ｃ_１８）−アルキル、好ましくは（Ｃ_１−Ｃ_１０）−アルキル、特に（Ｃ_１−Ｃ_６）−アルキル、それぞれ少なくとも１個のスルホネート基で置換された（Ｃ_２−Ｃ_１２）−アルケニル、好ましくは（Ｃ_２−Ｃ_８）−アルケニル、それぞれ少なくとも１個のスルホネート基で置換された（Ｃ_３−Ｃ_７）−シクロアルキル、好ましくはシクロペンチル、シクロヘキシル、それぞれ少なくとも１個のスルホネート基で置換された（Ｃ_７−Ｃ_１５）−アラルキル、好ましくはフェニル−（Ｃ_１−Ｃ_４）−アルキル、それぞれ少なくとも１個のスルホネート基で置換された（Ｃ_６−Ｃ_１０）−アリール、好ましくはフェニル、ナフチル、それぞれ少なくとも１個のスルホネート基で置換された（Ｃ_１−Ｃ_１８）−アルコキシ、好ましくは（Ｃ_１−Ｃ_１０）−アルコキシ、例えばメトキシ、エトキシ、ｎ−もしくはイソ−プロポキシ又は少なくとも１個のスルホネート基で置換された（Ｃ_２−Ｃ_１８）−アルコキシエステルを示し、
ｎは２〜１００００、好ましくは３〜５０００の整数を示す］
のカチオン性もしくは中性ポリアルキレンジオキシチオフェンである。
【００５９】
特に好ましくは、Ｒ_５は１個のスルホネート基により置換された上記の基の１つを示す。
【００６０】
本発明のさらに別の好ましい態様において、該式中のｎは４〜１５の整数を示す。
【００６１】
用いられるポリアニオンは、ポリマー性カルボン酸、例えばポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリマレイン酸及びポリマー性スルホン酸、例えばポリスチレンスルホン酸及びポリビニルスルホン酸のアニオンである。これらのポリカルボン酸及びポリスルホン酸は、ビニルカルボン酸及びビニルスルホン酸と他の重合可能なモノマー、例えばアクリレート及びスチレンとのコポリマーであることもできる。
【００６２】
ポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）のアニオンは反対のイオンとして特に好ましい。
【００６３】
ポリアニオンを与えるポリ酸の分子量は、好ましくは１０００〜２００００００、特に好ましくは２０００〜５０００００である。ポリ酸又はそれらのアルカリ金属塩は商業的に入手可能な例えばポリスチレンスルホン酸及びポリアクリル酸であるか、あるいは既知の方法により製造することができる（例えば、ＨｏｕｂｅｎＷｅｙｌ，ＭｅｔｈｏｄｅｎｄｅｒｏｒｇａｎｉｓｃｈｅｎＣｈｅｍｉｅ［Ｍｅｔｈｏｄｓｏｆｏｒｇａｎｉｃｃｈｅｍｉｓｔｒｙ］，Ｖｏｌ．Ｅ２０ＭａｋｒｏｍｏｌｅｋｕｌａｒｅＳｔｏｆｆｅ［Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌａｒｓｙｂｓｔａｎｃｅｓ］，Ｐａｒｔ２，（１９８７），ｐａｇｅ１１４１以下を参照されたい）。
【００６４】
ポリアルキレンジオキシチオフェン及びポリアニオンから分散液を調製するのに必要な遊離のポリ酸の代わりに、ポリ酸のアルカリ金属塩及び対応する量のモノ酸の混合物を用いることもできる。
【００６５】
式（Ｖｂ−１）の場合、ポリアルキレンジオキシチオフェンは構造単位中に正及び負の電荷を有している。
【００６６】
ポリアルキレンジオキシチオフェンの製造は、例えば、欧州特許出願公開第０４４０９５７号明細書（＝米国特許出願公開第５３００５７５号明細書）に記載されている。ポリアルキレンジオキシチオフェンは酸化的重合により製造される。かくして、それらは正の電荷を取得し、それらの数及びそれらの位置は満足に決定され得ないので、それらは式中で示されない。
【００６７】
確立された経済的な方法、例えば、流延、印刷、スプレー噴霧、浸漬、フラッディング（ｆｌｏｏｄｉｎｇ）又はインキジェットにより、ポリチオフェン分散液を透明導電性基質に適用することができる。高価な真空プロセスは必要でない。
【００６８】
好ましい態様において、芳香族アミンを含有するホール伝導体層を電気的に伝導性のポリマー系に適用する。可能なアミンのリストは欧州特許出願公開第０５３２７９８号明細書に示されている。
【００６９】
式（ＶＩ）
【００７０】
【化１２】
【００７１】
［式中、
Ｒ^６は水素、場合により置換されていることができるアルキル又はハロゲンを示し、
Ｒ^７及びＲ^８は互いに独立して、場合により置換されていることができる（Ｃ_１−Ｃ_１０）−アルキル、アルコキシカルボニル−置換（Ｃ_１−Ｃ_１０）−アルキルあるいはそれぞれ場合により置換されていることができるアリール、アラルキル又はシクロアルキルを示し、
Ｒ^７及びＲ^８は互いに独立して、好ましくは（Ｃ_１−Ｃ_６）−アルキル、特にメチル、エチル、ｎ−もしくはイソ−プロピル、ｎ−、イソ−、ｓｅｃ−もしくはｔｅｒｔ−ブチル、（Ｃ_１−Ｃ_４）−アルコキシカルボニル−（Ｃ_１−Ｃ_６）−アルキル、例えばメトキシ−、エトキシ−、プロポキシ−もしくはブトキシカルボニル−（Ｃ_１−Ｃ_４）−アルキルあるいはフェニル−（Ｃ_１−Ｃ_４）−アルキル、ナフチル−（Ｃ_１−Ｃ_４）−アルキル、シクロペンチル、シクロヘキシル、フェニル又はナフチルを示し、それらのそれぞれは場合により（Ｃ_１−Ｃ_４）−アルキル及び／又は（Ｃ_１−Ｃ_４）−アルコキシで置換されていることができる］
の芳香族アミンが好適に用いられる。
【００７２】
特に好ましくは、Ｒ^７及びＲ^８は互いに独立して、非置換フェニル又はナフチルを示すか、あるいはそれぞれメチル、エチル、ｎ−もしくはイソ−プロピル、メトキシ、エトキシ、ｎ−及び／又はイソ−プロポキシによりモノ−置換〜トリ置換されているフェニル又はナフチルを示す。
【００７３】
Ｒ^６は好ましくは水素、（Ｃ_１−Ｃ_６）−アルキル、例えばメチル、エチル、ｎ−もしくはイソ−プロピル又はｎ−、イソ−、ｓｅｃ−もしくはｔｅｒｔ−ブチル又は塩素を示す。
【００７４】
そのような化合物及びそれらの製造は、電子写真における使用に関し、米国特許第４９２３７７４号明細書に記載されており、それは引用することによりその記載事項が明らかに本明細書の内容となる。トリス−ニトロフェニル化合物を、例えば、一般的に既知の接触水素化により、例えばラネイニッケルの存在下でトリス−アミノフェニル化合物に転換することができる（Ｈｏｕｂｅｎ−Ｗｅｙｌ４／１Ｃ，１４−１０２，Ｕｌｌｍａｎｎ（４）１３，１３５−１４８）。アミノ化合物を一般的に既知の方法で置換ハロゲノベンゼンと反応させる。
【００７５】
以下の化合物を例として挙げることができる：
【００７６】
【化１３】
【００７７】
第３級アミノ化合物の他に、例えば第３級アミノ化合物との混合物の形態におけるさらに別のホール−伝導体を、場合によりエレクトロルミネセント要素の製造に用いることができる。これは一方で、異性体の混合物も含まれる１種もしくはそれより多い式（ＶＩ）の化合物及び他方で異なる構造を有する−一般式（ＶＩ）を有する−第３級アミノ化合物とのホール−輸送化合物の混合物も含むことができる。
【００７８】
可能なホール−伝導性材料のリストは欧州特許出願公開第３２７９８号明細書に示されている。
【００７９】
芳香族アミンの混合物の場合、いずれの所望の比率において化合物を用いることもできる。
【００８０】
以下を例として挙げることができる：
ホール−伝導性を有し、純粋な形態で又は混合物中で第３級アミノ化合物のためのパートナーとして用いられることができる材料は、例えば以下の化合物であり、Ｘ^１〜Ｘ^４は互いに独立してＨ、ハロゲン、アルキル、アリール、アルコキシ又はアリールオキシを示す。
【００８１】
【化１４】
【００８２】
好ましくは、本発明に従う層配置はさらに電子輸送層を含む。そのような層中での使用に適した多数の化合物がすでに知られている。
【００８３】
かくして、特許文献１に従うと、例えば、Ａｌｑ_３が用いられる。この化合物は、その通常の溶媒中における不溶性のために、蒸着法によってのみ適用され得る顔料である。
【００８４】
Ｇａ（ｑａ）_２ＯＲ^９、Ｇａ（ｑａ）_２ＯＣＯＲ^９又はＧａ（ｑａ）_２−Ｏ−Ｇａ（ｑａ）_２よりなる群からのガリウム錯体は電子輸送層の製造に好適に用いられ、
Ｒ^９は置換もしくは非置換アルキル、アリール、アリールアルキル又はシクロアルキルを示し、
（ｑａ）は
【００８５】
【化１５】
【００８６】
を示す。
【００８７】
Ａｌｑ_３と対照的に、これらのガリウム化合物は溶液から及び蒸着法によっての両方で処理され得る。適した溶媒は、例えばメタノール、エタノール、ｎ−プロパノール又はイソ−プロパノールである。
【００８８】
Ｒ^９は好ましくは場合により分枝鎖状であることができるアルキルを示し、それは非置換であるか又はハロゲンもしくはシアノにより置換されており、特に場合により分枝鎖状であることができる（Ｃ_１−Ｃ_８）−アルキルを示し、それは非置換であるか又はハロゲンもしくはシアノにより置換されており、特に好ましくは場合により分枝鎖状であることができる（Ｃ_１−Ｃ_６）−アルキルを示し、それは非置換であるか又はハロゲンもしくはシアノにより置換されている。ハロゲンとしてフッ素及び塩素が好ましい。
【００８９】
式（ＶＩＩ）〜（ＩＸ）のガリウム化合物が特に好適に用いられる。
【００９０】
【化１６】
【００９１】
特定の態様において、本発明に従う層配置は、電子−光学的に活性な層と電子輸送層の間に障壁層を含有する。
【００９２】
障壁層は好ましくはバトクプロイン（Ｘ）を含有する。
【００９３】
【化１７】
【００９４】
ガラス、非常に薄いガラス（柔軟性ガラス）及びプラスチックは透明基質として適しており、それに導電性層が設けられる。
【００９５】
特に適したプラスチックは：ポリカーボネート、ポリエステル、コポリカーボネート、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリイミド、ポリエチレン、ポリプロピレン又は環状ポリオレフィンもしくは環状オレフィンコポリマー（ＣＯＣ）、水素化スチレンポリマー又は水素化スチレンコポリマーである。
【００９６】
好ましいポリマーはポリカーボネート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、環状オレフィンコポリマー、水素化スチレンポリマー及び水素化スチレンコポリマーである。ポリエステルより成る群から、ＰＥＴ及びＰＥＮ（それぞれポリエチレンテレフタレート及びポリエチレンナフタレート）が好ましい。
【００９７】
適したポリマー基質は、例えばポリエステルフィルム、ＳｕｍｉｔｏｍｏからのＰＥＳフィルム又はＢａｙｅｒＡＧからのポリカーボネートフィルム（Ｍａｋｒｏｆｏｌ^Ｒ）である。
【００９８】
追加の層、例えばＭａｒｎｏｔ^Ｒフィルム（ＢａｙｅｒＡＧ）により、これらの基質をスクラッチ−抵抗性及び／又は化学品に対して抵抗性にすることができる。
【００９９】
ポリカーボネートより成る群から特に適しているのは、以下のセグメント：
【０１００】
【化１８】
【０１０１】
の１つを含有するポリ−もしくはコポリカーボネートである。
【０１０２】
さらに、ポリカーボネートの合成のためのビスフェノールが例えば欧州特許出願公開第３５９９５３号明細書に記載されている。
【０１０３】
本発明に従う層配置をカプセル封入することができる。
【０１０４】
本発明に従う層配置は、特にエレクトロルミネセント装置として適している。従って、本発明に従う層配置を含有するエレクトロルミネセント装置は同様に本発明の主題である。
【０１０５】
本発明に従う層配置を、例えば以下の通りにして製造することができる：酸化錫インジウム層（ＩＴＯ層）の電気的に伝導性のコーティングが設けられた基質に、電気的に伝導性の有機ポリマーを溶液又は分散液の形態で適用する。続く加熱プロセスは溶媒画分の除去のために働く。次いで好適に用いられる式（ＶＩ）のアミンを有機導電性ポリマー系の層に、同様に湿式コーティング段階の形態で適用する。ここでも溶媒の除去のための加熱段階を行なう。続く電子−光学的に活性な層及び場合により障壁層を蒸着プロセスにより適用する。
【０１０６】
続くガリウム錯体化合物を含む電子輸送層をここで電子−光学的に活性な層又は障壁層に、好ましくは再び例えばメタノール中の溶液から適用する。かくして本発明に従う層構造の利点は、すべての有機機能性層の形成の間に必要な高−真空コーティング段階が実質的に減少することにもある。
【０１０７】
エレクトロルミネセント装置の製造のために、例えば陰極として働く金属基質を次いで適用することができる。ＩＴＯ層は陽極として働く。
【実施例】
【０１０８】
１．導電性ポリチオフェン層（Ｂａｙｔｒｏｎ^ＲＰ）の適用
ＩＴＯへのＢａｙｔｒｏｎ^ＲＰ層の適用：
約１．２重量％の固体含有率を有する約１０ｍｌのポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸溶液（ＢＡＹＥＲＡＧ，Ｌｅｖｅｒｋｕｓｅｎ，Ｂａｙｔｒｏｎ^ＲＰ）を濾過した（ＭｉｌｌｉｐｏｒｅＨＶ，０．４５μｍ）。次いで基質をスピンコーター上に置き、濾過された溶液を基質のＩＴＯがコーティングされた側を覆って分布させた。次いでディスクを５００ｒｐｍで３分間に及んで回転させることによるスピンコーティングにより、上澄み溶液を適用した。かくしてコーティングされた基質を、次いで熱板上で１１０℃において５分間乾燥した。層厚さは６０ｎｍであった（Ｔｅｎｃｏｒ，Ａｌｐｈａｓｔｅｐ２００により決定）。
【０１０９】
表１は、基質の表面粗さへのＢａｙｔｒｏｎ^ＲＰ溶液の効果を示す。
表１
基質の中心線平均値ｒ _ａ（ｎｍ）
ａ）ガラス／ＩＴＯ２．５
ｂ）ガラス／ＩＴＯ／Ｂａｙｔｒｏｎ^ＲＰ１．６
ｃ）ポリエステル（ＰＥＴ）／ＩＴＯ３．９
ｄ）ポリエステル（ＰＥＴ）／ＩＴＯ／Ｂａｙｔｒｏｎ^ＲＰ２．５
粗さは、原子間力顕微鏡（ａｔｏｍｉｃｆｏｒｃｅｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ）（ＡＦＭ）により決定された。
【０１１０】
基質表面上の導電性層が及ぼす平滑化効果は、疑いもなく明らかである。試料ｄ）は、繰り返される機械的処理−曲げ、回転などの後でさえ、可視の表面亀裂を有していなかった。Ｂａｙｔｒｏｎ^ＲＰがコーティングされた基質を電子−光学的に活性な配置、例えば電子りん光ディスプレーの製造に用いることができる。

Claims

電気的に伝導性の層を含有する少なくとも１つの透明基質、電子−光学的に活性な層及び電気的に伝導性の層を含有するさらなる基質よりなり、２つの電気的に伝導性の基質の少なくとも１つにさらに有機導電性ポリマー系がコーティングされ、そして電子−光学的に活性な層が電子りん光性化合物を含有することを特徴とする層配置。
透明基質の電気的に伝導性の層が透明導電性無機層であり、そして有機導電性ポリマー系がこの層に適用されることを特徴とする請求項１に従う層配置。
透明無機導電性層が酸化錫インジウムを含むことを特徴とする請求項２に従う層配置。
電子りん光性化合物としてりん光性有機イリジウムもしくはオスミウム化合物を用いることを特徴とする請求項１〜３の少なくとも１つに従う層配置。
電子りん光性化合物として式
のりん光性有機イリジウム化合物を用いることを特徴とする請求項４に従う層配置。
有機導電性ポリマー系がポリアニリン、ポリピロール又はポリチオフェン系であることを特徴とする請求項１〜５の少なくとも１つに従う層配置。
有機導電性ポリマー系がポリアニオンの存在下でカチオン的に帯電した式（Ｖ）
［式中、
Ａ^１及びＡ^２は互いに独立して、場合により置換されていることができる（Ｃ_１−Ｃ_１８）−アルキルを示すか、又は一緒になって、場合により置換されていることができる（Ｃ_１−Ｃ_１８）−アルキレンを形成し、
ｎは２〜１００００、好ましくは３〜５０００の整数を示す］
の構造単位を含んでなるポリチオフェンであることを特徴とする請求項６に従う層配置。
式（ＶＩ）
［式中、
Ｒ^６は水素、場合により置換されていることができるアルキル又はハロゲンを示し、
Ｒ^７及びＲ^８は互いに独立して、場合により置換されていることができる（Ｃ_１−Ｃ_１０）−アルキル、アルコキシカルボニル−置換（Ｃ_１−Ｃ_１０）−アルキルあるいはそれぞれ場合により置換されていることができるアリール、アラルキル又はシクロアルキルを示す］
の芳香族アミンを含有するホール伝導体層を電気的に伝導性のポリマー系にさらに適用することを特徴とする請求項１〜７のいずれか１つに従う層配置。
Ｇａ（ｑａ）_２ＯＲ^９、Ｇａ（ｑａ）_２ＯＣＯＲ^９又はＧａ（ｑａ）_２−Ｏ−Ｇａ（ｑａ）_２よりなる群からのガリウム錯体を含有する電子輸送層をさらに含み、ここで、
Ｒ^９は置換もしくは非置換アルキル、アリール、アラルアルキル又はシクロアルキルを示し、
（ｑａ）は
を示すことを特徴とする請求項１〜８の少なくとも１つに従う層配置。
透明基質がガラス又はプラスチックからなることを特徴とする請求項１〜９の少なくとも１つに従う層配置。
２つの基質の少なくとも１つがプラスチック基質であることを特徴とする請求項１〜１０の少なくとも１つに従う層配置。
プラスチックがポリカーボネートもしくはコポリカーボネート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリイミド、ポリプロピレン、ポリエチレン、環状ポリオレフィン、環状オレフィンコポリマー、水素化スチレンポリマー又は水素化スチレンコポリマーであることを特徴とする請求項１０又は１１に従う層配置。
プラスチック基質が耐スクラッチ性及び／又は耐化学薬品性にされることを特徴とする請求項１０〜１２の少なくとも１つに従う層配置。
配置をカプセル封入することを特徴とする請求項１〜１３の少なくとも１つに従う層配置。
請求項１〜１４の少なくとも１つに従う層配置を含有するエレクトロルミネセント装置。