TWI237530B - Circuit-forming substrate and the method of manufacturing the circuit-forming substrate - Google Patents

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1237530 A7 B7 五、發明説明（2 時連接強度以外之基板特性多將劣化，現實中滿足所有特 性之材料開發是困難的。 又’在高密度電路形成基板上層間之電氣性接續係使 用導電性電漿或電鍍等接續方法，但形成於基板上之層間 接續用之貫通或不貫通孔，即與通孔之形成間距及與通孔 鄰接之配線間之距離將窄間距化，而朝用於導電性漿液及 電鍍之電鍍液通孔週邊擴散而將形成電路形成基板之信賴 上之問題。 本發明之電路形成基板之製造方法中，係於電路形成 基板之製程中包含有以下步驟，即： 孔洞形成步驟，其係以能束照射由單一或多數材質所 構成之板狀或片狀之基板，以進行貫通或不貫通之孔洞之 加工者； 、接續構件形成步"驟，其係使於前述孔洞形成步驟中形 成之貫通或不貫通之孔洞與基板之表裡或内外層電性 者；及 、另一步驟，係令於基板表面形成金屬箔或薄膜以形成 導電層，再圖像化為所需形狀之電路形成步驟為以各獨立 步驟或前述步驟之内容為目的而混合有各步驟之要素者； ”此外，在前述孔洞形成步驟前並具有一於前述基板之 單面或雙面張貼薄膜狀隔離膜之步驟，以使前述隔離膜之 一部份轉印於前述基板上。 若依本發明，則係將其他薄的材料轉印於基板上面， 並糟該材料之效果使連接強度提高’且可使用可獲得基板 五、發明說明（3 ) 特丨生之材料作為基板材料。換言之，選擇性地將可使 基板材料以外之連接強度提高之材料僅轉印於基板上之電 ^或槽脊（Und)之連接部分，而可無損基板之綜合特性並 提供呵畨度且高信賴性之電路形成基板。 〃又於製程中包含有以下步驟，即··孔洞形成步驟， 係以能束照射由單一或多數材質所構成之板狀或片狀之b 、、及化狀態之基板，以進行貫通或不貫通之孔洞之加工者； 接、、、只構件形成步驟，係使於前述孔洞形成步驟中形成之貫 通或不貫通之孔洞與基板之表冑或内外層電性連接者；及 另一步驟，係令於基板表面形成金屬羯或薄膜以形成導電 f再圖像化為所需形狀之電路形成步驟為以各獨立步驟或 刖述步驟之内容為目的而混合有各步驟之要素者；此外， 在别述孔洞形成步驟前並包含有一於前述基板之單面或雙 面張貼薄膜狀隔離膜之步驟，另，使已於前述孔洞形成步 驟中藉别述張貼步驟而概略一體化之基板與隔離膜於前述 貫通或不貫通之孔洞周圍更密接而呈一體化，藉此可防止 接續構件擴散至通孔周圍，而可提供高密度且高信賴性之 電路形成基板。 本發明之第丨實施樣態為一種電路形成基板之製造方 法，係於電路形成基板之製程中包含以下步驟，即：孔洞 形成步驟，其係以能束照射由單一或多數材質所構成之板 狀或片狀之基板，以進行貫通或不貫通之孔洞之加工者； 接續構件形成步驟，其係使於前述孔洞形成步驟中形成之 貫通或不貫通之孔洞與基板之表裡或内外層電性連接者； 五、發明説明（4 ) 及另一步驟，係令於基板表面形成金屬猪或薄膜以形成導 電層，再圖像化為所需形狀之電路形成步驟為以各獨立步 驟或前述步驟之内容為目的而混合有各步驟之要素者；此 外，在前述孔洞形成步驟前並具有一於前述基板之單面或 雙面張貼薄膜狀隔離膜之步驟，以於前述孔洞形成步驟及 電路形成步驟中使前述隔離膜之一部份轉印於前述基板 上；並藉轉印材料而具有使基板與金屬猪或薄膜間之連接 強度由習知約〇.9kg/Cm者提高為約！ 2kg/cm等之效果該 連接強度係藉以lem之寬由基板剝下35微米厚之銅箱之強 度測試而求得者。 本發明之第2實施樣態為一種電路形成基板之製造方 法，係於電路形成基板之製程中包含以下步驟，即：孔洞 形成步驟，其係以能束照射由單一或多數材質所構成之板 狀或片狀之基板，以進行貫通或不貫通之孔洞之加工者； 接續構件形成步驟，其係使於前述孔洞形成步驟中形成之 貫通或不貫通之孔洞與基板之表裡或内外層電性連接者； 及另-步驟，係令於基板表面形成金屬箔或薄膜以形成導 電層’再圖像化為所需形狀之電路形成步驟為以各獨立步 驟或前述步驟之内容為目的而混合有各步驟之要素者；此 外，於前述孔洞形成步驟前，t具有一將薄膜狀之隔離膜 張貼於前述基板之單面或雙面上之步驟，而於前述孔洞形 成步驟中，使基板與隔離薄膜於前述貫通或不貫通之孔洞 周圍更密接而-體化。因而具有防止接續構件形成步驟中 所用之接續構件如導電性漿液等擴散至孔洞周圍之效果。 1237530 、發明説明（5 本發月之第3實施樣態為一種電路形成基板之製造方 :二係於電路形成基板之製程中包含有以下步驟，即：孔 门开:成步驟’其係以能束照射由單-或多數材質所構成之 :或片狀之B級化狀態之基板，以進行貫通或不貫通之 同之加工者，接續構件形成步驟，其係使於前述孔洞形 成步驟中形成之貫通或不貫通之孔洞與基板之表裡或内外 I電14連接者，及另—步驟，係令於基板表面上形成金屬 名或;I膜以形成導電層’再圖像化為所需形狀之電路形成 v驟為以各獨立步驟或前述步驟之内容為目的而混合有各 V驟之要素者，此外，在前述孔洞形成步驟前並包含有-於刖述基板之單面或雙面張貼薄膜狀隔離膜之步驟，於前 述孔洞开y成步驟中，該隔離膜係藉能束受熱，並在貫通孔 或不貫通孔之略圓周部或外周部之隔離膜外側及基板側兩 邊或一邊上形成隔離膜之隆起部或以隔離膜為主體並含基 板之隆起。卩，且令能束之入射側與出射側之前述隆起部 中’入射側之厚度增大。藉此而具有使隆起部之有利特徵 係於能束入射側發揮作用等效果。 本發明之第4實施樣態為如第1實施樣態所述之電路形 成基板之製造方法，其係使隔離薄膜之一部分轉印於孔洞 形成步驟中所形成之貫通或不貫通之孔洞之概略周邊上， 而具有使孔洞周圍之電路即槽脊與基板之連接強度提高之 效果。 本發明之第5實施樣態為如第1實施樣態所述之電路形 成基板之製造方法，其係對電路形成步驟中所形成電路之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、可. 1237530 A7 --------—____B7______ 五、發明説明（6 ) 整個或-部分之位置照射能束，並使隔離膜之^部分轉 印，而具有提高電路及基板之連接強度之效果。 本發明之第6實施樣態為如第丨或2實施樣態所述之電 路形成基板之製造方法，其中該基板材料係使用於基板材 料中含空隙之多孔質基材，且於前述孔洞形成步驟中形成 之貝通或不貫通孔之孔洞周圍藉隔離膜或混合有基板材料 與隔離膜㈣之材料形成無空隙或空隙少之無孔隙層，而 可提间對槽脊基板之連接強度，並可獲得防止導電性聚液 於孔洞周圍擴散而引起之電路短路等效果。 本發明之第7實施樣態為如第丨、2或3實施樣態所述之 電路形成基板之製造方法，其中該接續構件形成步驟係由 將導電性衆液填入孔洞形成步驟中所形成之貫通或不貫通 孔之充填動作所構成，之後並具有一電路形成步驟，係由 基板剝離隔離膜，並於基板之單面或雙面配置金屬箔或内 層用電路形成基板後加熱加壓，以使基板與金屬落或基板 與内層電路形成基板呈現一體化，並藉導電性聚液使基板 之表裡或外層與内層呈現電性連接後，進而使金屬箱圖像 化者，而可於剝離隔離膜時令導電性聚液較少被隔離膜所 帶走之表面側之隆起部增大，進而具有確保導電性襞液之 填入量等效果。 本發明之第8實施樣態為如第！、2或3實施樣態所述之 電路形成基板之製造方法，其係於孔洞形成步驟後將隔離 膜由基板剝離，並於基板之單面或雙面上配置金屬箱或内 層用電路形成基板後加熱加壓，以使基板與金屬箔或基板 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（2WX297公楚） --------黌…： I · (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .、可| .嚷， -9- 1237530 A7 ___B7_ 五、發明説明（7 ) 與内層電路形成基板一體化，之後再於基板之孔洞内及單 面或雙面之全部或一部分上使用電鍍或蒸鍍或其他薄膜形 成法以形成薄膜，使基板之表裡或外層與内層呈現電性連 接後’再將則述薄膜圖像化’以形成所需之電路，而呈有 確保電鍍或薄膜與基板之連接強度或防止電鍍液滲入等效 果。 本發明之第9實施樣態為如第1、2或3實施樣態所述之 電路形成基板之製造方法，其中該隔離膜係由在基礎薄膜 材料之單面或雙面上施有單層或多層之塗附層者所構成， 而’在孔洞形成步驟及電路形成步驟中，該塗附層中之一 層或數層係藉隔離膜而轉印於基板上或呈一體化，甚或成 為隆起部’而具有使將轉印於基板上之材料之選擇對改盖 連接強度之目的及孔洞形成步驟中之加工性等多數要求可 具自由度之效果。 本發明之第10實施樣態為如第9實施樣態所述之電路 形成基板之製造方法，其中藉前述隔離膜而轉印於基板上 之塗附層係由熱可塑樹脂或於熱硬化性樹脂中混合熱可塑 性樹脂以賦予其熱可塑性之材料所構成者，且藉熱可塑性 樹脂之柔軟性而具有使電路與基板之剝離強度提高等效 果。 > 本發明之第11實施樣態為如第9實施樣態所述之電路 形成基板之製造方法，其中藉前述隔離膜而轉印於基板上 之塗附層係由熱硬化樹脂或於熱可塑性樹脂中混合熱硬化 性樹脂以賦予其熱硬化性及耐熱性之材料所構成者，且藉 本紙張尺度適用中國國家標準（OJS) A4規格（2】0Χ297公爱） -----------------—ί、\¥·-------------- (·請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) · - / -10· 1237530 A7 --—^ ______B7_ 五、發明説明（8 ) 請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 熱硬化性樹脂而具有提高基板與電路或槽脊之連接強度及 耐熱性等效果。舉例言之，於以聚鄰苯二曱酸乙二醇酯為 主體且厚度約2〇微米之基礎薄膜上，塗佈厚度約工微米之環 氧變性聚胺酯樹脂79重量份、雙酚A型環氧樹脂1〇重量 份、作為硬化劑之漆用酚醛型酚樹脂丨〇重量份且作為硬化 促進劑之咪唑1重量份之組成物，並使其乾燥硬化後，再使 用所得之隔離膜，而使藉第9實施樣態之製造方法製出之電 路形成基板於高溫下之連接強度以由基板剝離lcm寬之厚 度35微米之銅箔之強度測試下，且基板溫度為ι5〇χ：狀態， 使習知之〇.5kg/cm者改善為1.0kg/cm。 本發明之第12實施樣態為如第9實施樣態所述之電路 形成基板之製造方法，其中藉前述隔離膜而轉印於基板上 之塗附層係由金屬薄膜所構成，且利用金屬薄膜而具有防 止用於電路或槽脊之金屬材料發生腐蝕或移動等效果。 本發明之第13實施樣態為如第1、2或3實施樣態所述之 電路形成基板之製造方法，其中該金屬箔之單面或雙面係 已經過粗糙化處理，且藉粗化處理所產生之凹凸與轉印材 料間之相互作用而具有效提高連接強度之效果。 本發明之第14實施樣態為如第13實施樣態所述之電 路形成基板之製造方法，其中該已經粗縫化處理之面之平 均粗糙度係大於一部分轉印於基板材料上之隔離膜之厚 度，且因穿透已轉印之隔離膜之一部分而粗糙化之面之前 端將到達基板，而使基板及隔離膜雙方均黏接有金屬箔， 進而藉基板材料與隔離膜之物性值差異，而具有提高靜態 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） -11- 1237530 五、發明説明（9 的連接強度及掉落時發生衝擊等之動態連接強度之效果。 本發明之第15實施樣態為如第13實施樣態所述之電 路形成基板之製造方法，其中該已經粗糙化處理之面之平 均粗糖度係小於一部分轉印於基板材料上之隔離薄膜之厚 度，且由於基板與金屬薄膜不接觸，而具有使轉印之材料 之緩衝性更有效率’及若基板材料之組成包含有對金屬箔 具腐儀性之材料時可遮蔽基板及金屬箔等效果。 本發明之第16實施樣態為如第1、2或3實施樣態所述之 電路形成基板之製造方法，其係使用雷射作為前述孔洞形 成步驟中所用之能束，而可具有易於控制加工能源並有效 率地發生轉印等所需效果。 本發明之第17實施樣態為如第1 6實施樣態所述之電 路形成基板之製造方法，其係使用二氧化碳雷射作為前述 孔洞形成步驟中所用之能束，而具有雷射開孔之成本較低 且對樹脂材料之加工性優良之效果。 本發明之第18實施樣態為如第16實施樣態所述之電 路形成基板之製造方法，其中該雷射之波長係丨〇 # m以下 且9 // m以上，而具有使轉印、形成一體化部或隆起部之形 狀較為理想等效果。 本發明之第19實施樣態為如第16實施樣態所述之電 路形成基板之製造方法，其於前述孔洞形成步驟中係呈脈 衝狀地照射一次或多數次之雷射能束，且前述之一次或多 數次中至少第一次為10mj以上之脈衝能量，而具有使轉 印、形成一體化部或隆起部之形狀較為理想等效果。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） ......:費：… . * (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、¥ SW, -12- 1237530 A7 B7 五、發明説明（10 ) 本發明之第20實施樣態為如第1、2或3實施樣態所述 之電路形成基板之製造方法，其係使用使補強材料浸潰有 熱硬化性樹脂而呈B級化之所謂預浸料，或使用不用補強 材料而使熱硬化性樹脂B級化之薄膜作為基板，而具有輕 易使基板材料與隔離膜一體化之效果。 本發明之第21實施樣態為如第1實施樣態所述之電路 形成基板之製造方法’其轉印於基板上之隔離膜之部份厚 度係小於3 // m ’而具有不失去基板材料之特性而可製造電 路形成基板之效果。 本發明之第22實施樣態如第1或2實施樣態所述之電 路形成基板之製造方法，其係將基板之兩面中可有效進行 隔離膜之轉印或形成空隙層之面配置成電路形成基板之表 層側，而具有使電路及基板間之連接強度轉印於重要之表 層部上，或使一體化部有效地發揮作用等效果。 本發明之第23實施樣態，一種電路形成基板之製造方 法’其中形成於基板表面之電路或槽脊下方之基板材料係 構造成由電路或槽脊正下方朝基板之厚度及深度方向階段 性地逐漸減少熱可塑性者，而使電路或槽脊正下方之基板 上保有熱可塑性（即柔軟性），並維持電路或槽脊之連接強 度’同時藉採用熱硬化性材料作為基板之主要材料，而具 有確保剛性、機械性強度等所需特性之效果。 (圖示之簡單說明） 第1圖（a)〜(g)係本發明之第1實施樣態電路形成基板之 製造方法之步驟截面圖、第2圖（a)〜(c)係本發明之第2實施 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) t .、^τ** · -13- 1237530 A7 B7 五、發明説明（11 樣態電路形成基板之製造方法之步驟截面圖、第3圖（a)(b) 係顯示依本發明之第3實施樣態電路形成基板之製造方法 所製造之電路形成基板。第4圖0)〜(d)係顯示本發明之第 實施樣態中電路形成基板之製造方法之步驟截面圖。 以下’利用第1至4圖而就本發明之實施樣態加以說明。 (第1實施樣態） 第1圖（a)〜(g)係顯示本發明之第1實施樣態中電路形成 基板之製造方法及電路形成基板之步驟截面圖。 基板1係如第1圖所示由熱硬化性樹脂2及玻璃纖維3之 複合材料所構成。熱硬化性樹脂2並非完全硬化者，不含未 硬化部分之所謂B級化狀態，基板丨通常稱為預浸料。 可單獨使用裱氧樹脂、不飽和聚酯樹脂、苯酚樹脂、 聚亞醯胺树脂、氰酸樹脂、氰酸酯樹脂、萘樹脂、尿素樹 脂、氨基系樹脂、醇酸樹脂、矽樹脂、呋喃樹脂、聚氨酯 樹脂、氟樹脂、聚亞苯基晴脂、氰酸醋樹脂等、或混合 兩種以上之熱硬化性樹脂組成物或由熱可塑性樹脂所變 之熱硬化亞性樹脂組成物，且可依需要添加難燃劑及無 填充劑。 舉環氧樹脂為例，有雙酚型或多官能之環氧樹脂， 組成物為雙酚型環氧樹脂-雙氰胺硬化系等。或環氧型丙丞 胺型環氧樹脂·雙氰胺硬化料。舉更具體之例，將漠化: 氧樹_量份、3官能環氧樹脂48重量份當作硬化劑，將 苯酚酚醛樹脂26重量份當作硬化促進劑，使用乙美* 基嗓唾0.25重量份之混合物（浸潰於破璃纖維時以^ 4 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) - V·丨訂- 性 機 其 基 甲 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公复） -14- 55 1237530 A7 B7 五、發明説明（12 ) ~ 重量份進行漆化）。 其-人’如第1圖（b)所示一邊對基板1之兩面加熱加壓隔 (♦請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 離薄膜4 ’ 一邊暫時連接。亦可使用一般之層壓機等的設備。 可在基礎薄膜上單獨使用以聚對苯二甲酸乙二醇酯為 主之聚碳酸酯系樹脂、聚磺系樹脂、聚脂磺系樹脂、聚縮 醛系樹脂、聚醚銅系樹脂、聚醚亞氨系樹脂、聚乙烯基硫 醚系樹脂、聚苯醚系樹脂、聚氨酯系樹脂、聚乙烯系樹脂、 %氧·二聚氰胺樹脂、氨基醇酸系樹脂、丙烯酸系樹脂等 的熱可塑性樹脂單體或混合物或熱硬化性樹脂與熱可塑性 樹脂之混合物。 舉更具體之例子，使用美朗27(商品名：日立化成股份 有限公司製·三聚氰胺樹脂）15重量份、美朗13(商品名： 曰立化成股份有限公司製：三聚氰胺樹脂）13重量份、艾比 池得1001(商品名：日立化成股份有限公司製：環氧樹脂）3 重量份作為三聚氰胺系樹脂，將碳黑# 3050B(商品名··三 菱化學股份有限公司製）L8重量份作為導電性粉末及將 MEK22重量份作為溶劑，將IpA22重量份及甲苯22重量份 均勻地分散後，將作為硬化催化劑之對甲苯基磺酸〇.〇〇5 重量份加以添加攪拌以得塗料，在厚度為2〇#m之聚酯薄 膜之雙面或連接基板之單面上形成厚度為15//m之樹脂 塗膜而獲得本發明之隔離薄膜。導電性粉末其主要目的為 防止帶電而依情況亦可不添加。 以該塗料之其他構成為例，亦可使用作為氨基醇酸系 樹脂之B克里亞（商品名··光和塗料股份有限公司製）35重量 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） -15 - 1237530 A7 ____B7_ 五、發明説明（13 ) 份及作為硬化催化劑之磷酸0.008重量份及作為溶劑之 MEK20重量份、將ipA2〇重量份及甲苯2〇重量份均勻地混 合者、或雙酚A型環氧樹脂40重量份對環氧變性聚氨酯樹 脂20重量份、作為硬化劑之漆用酚醛型苯酚樹脂19重量份 與作為硬化促進劑之咪唑2重量份之混合物。 又’亦有以提高脫模性及調整與基板之連接性為目的 而塗佈石夕脫模劑之情形，舉其具體之例將KS_847H(商品 名：信越化學工業股份有限公司製）5部及CAT_pL-5〇(商品 名：信越化學工業股份有限公司製）〇1部及作為溶劑之曱 苯50部及MEK50部加以混合後塗佈於與隔離薄膜基板相 連接之面上’其後以溫風等予以乾燥而獲得形成有矽脫模 塗膜之本發明之隔離薄膜。 如第1圖（c)所示照射雷射5而形成貫通孔6。且基板i及 隔離薄膜4係藉加工能量在貫通孔6周圍形成一體化部7。 其次，如第1圖（d)所示在貫通孔6内填入導電性漿液 8。填入方法係可使用滑動法等。 其次，如第1圖（e)所示隔離薄膜4由基板1剝離。且一 體化部7係由隔離薄膜4剝離並殘留於基板丨側上。圖中未 示，當選擇適當之材料並使用基礎薄膜與其上塗佈有塗附 層之多層構造時，在基礎薄膜與塗附層間將產生剝離而一 體化部7殘留於基板丨上之現象將產生。藉以上之步驟可將 隔離薄膜之一部分轉印於基板1上。 其次，如第1圖（f)所示由於在基板丨之雙面配置銅箔9 並使用熱壓装置加以加熱加壓而獲得雙面板1〇。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公爱） .....·!訂 麟 * · - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) - -16. 1237530 A7 _____B7_ 五、發明説明（M ) 其次’如第1圖（g)所示藉腐蝕將雙面板1〇之銅箔9加以 圖像形成而形成電路11，以作成雙面電路形成基板。 在完成之雙面電路形成基板之槽脊12下部上轉印於基 板1上之一體化部7與包含在基板上之熱硬化性樹脂2依同 成形硬化，將隔離薄膜4之材質或隔離薄膜作為轉印於多層 材料之基板1上之上層材質而使用以熱可塑性樹脂為主體 者時槽脊12之下面係形成強力熱可塑性樹脂，熱硬化性將 形成朝深度方向依序增強者。 由作為電路形成基板之機械性韌性或财濕性之觀點來 看選擇樹脂組成以作為熱硬化樹脂2之範圍受限制，因此對 槽脊12之連接強度並不限於選擇最優良之材料。但，本實 施樣態中可形成有僅槽脊12下面之少部分由於將最合適之 材料由隔離薄膜轉印而配置。發明人發現轉印層之厚度若 為不滿3 # m則將確實地發揮其有效性。 又，藉雷射5形成貫通孔6時可形成一體化部7且以不對 隔離薄膜4及基板1產生損害之加工能量照射雷射而亦可在 無貫通孔之部分設一體化部7,並在電路丨丨下面之作成一體 化部7而可提高對電路丨丨之基板1之連接強度。 在本實施樣態之構造中，於槽脊12下面標示熱可塑性 之樹脂，換言之，配置具些許柔軟性之樹脂，以對雙面形 成基板施加機械性之壓力及使用槽脊12作為零件配裝用之 槽脊等而對施加如撕下槽脊12之應力般之形態，比無一體 化部7時還可製造具可信賴性之電路形成基板。 又，以連接強度之提升為目的在銅箔表面施行粗糙 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（210X297公爱） 屬 * (請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) ·+、^τ— .嘴- -17- 1237530 五、發明説明（15 ) 化’意識性地控制該粗糙化之粗糙度與轉印於基板上之隔 離薄膜之轉印厚度之關係而發揮下述般之效果。 當經粗糙化處理之面的平均粗糙度較轉印於基板上之

隔離薄膜之一 部分使粗糙化之面的前端到達基板，而將金屬箔於與基板 及隔離薄膜之雙面連接，依基板材料及隔離薄膜之物性值 不同而發揮提昇靜態之連接強度及掉落時之衝擊般之動態 強度之效果。 又，當經粗糙化處理之面的平均粗糙度較轉印於基板 上之隔離薄膜之一部分厚度小時，由於基板與金屬箔之不 相接觸而當轉印材料之緩衝性等變成有效率及對金屬箔具 有腐蝕性之材料係含有基板材料之組成時將發揮遮蔽基板 及金屬箔之效果。 可在由隔離薄膜轉印至基板上之塗附層上使用金屬薄 膜之構造’藉金屬薄膜以發揮使用於電路及槽脊之金屬之 防蝕或防止移動等的效果。 又’使用玻璃纖維3作為基板1之補強材料並加以說 明，但亦可使用以芳族聚胺醯纖維為代表之有機材料作為 補強材料’该時一體化部7亦可採用含有有機纖維之溶融或 已變質成分之構造，亦可改善連接強度。 (第2實施樣態） 第2圖（a)〜(c)係顯示本發明之第2實施樣態中電路形成 基板之製造方法之步驟截面圖。

第2圖（a)所示之B級化薄膜13係在本實施樣態中所謂B

1237530 A7 _______B7_ 五、發明説明（16 ) 級化狀態係以作為基板材料所使用之材料將與第丨實施樣 態相同之熱硬化性樹脂延伸成薄膜狀且尚未完全熱硬化 者。 …、 與第1實施樣態相同地在B級化薄膜13之雙面上張貼 隔離薄膜4並藉雷射5(圖中未示）形成貫通孔6。該時藉加工 能量一體化部7將如第2圖（b)所示形成於貫通孔6周邊。 一體化部7縱然由B級化薄膜13經溶融或變質者及隔 離薄膜經溶融或變質者加以混合而形成，但亦可由B級化 薄膜13或隔離薄膜4中其一經溶融或變質而形成。 由於任意控制加工能量及隔離薄膜4及B級化薄膜13 之材料而可選擇一體化部之性狀。由於一體化部7係在比將 隔離薄膜張貼於B級化薄膜時之溫度條件還高且短時間内 形成而可作成空隙較少且作為無空隙層，可防止在之後的 步驟中將導電性漿液及電鍍液填入貫通孔6或浸潰時該等 擴散於貫通孔6周圍。 又，之後之熱壓步驟中朝厚度方向壓縮基板1並提高導 電性漿液之壓縮以提高接續之信賴性等的目的，而當將具 有二隙之多孔質基材使用於基板1之材料時，一體化部7之 效果將變的顯著而可製造導電性漿液不滲出基板中之空隙 或滲出較少之電路形成基板。 若將於B級化薄膜13上張貼隔離薄膜4之步驟中之溫 度及壓力提高則可在B級化薄膜13及隔離薄膜4之張貼面 上形成與一體化部7相似之性狀，但在其溫度中將失去b級 化薄膜13之B級化狀態而硬化形成C級化狀態，藉材料内所 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂— 囔- -19- 1237530 A7 ____B7_ 五、發明説明（Π ) 包含之揮發部分之氣化而形成起泡等的不理想狀態。 進而，經過將形成有貫通孔6之B級化薄膜13敘述於第 1實施樣態之步驟後，而獲得如第2圖（c)所示之雙面電路行 成基板。 (第3實施樣態） 如第1實施樣態及第2實施樣態中所示之雙面電路形成 基板之例，亦可使用雙面電路形成基板作為中心層在其雙 面上依前述之步驟配置孔加工及填入導電性漿液之預浸料 或B級化薄膜或銅箔並進行加熱加壓一體化，進而施行圖 像形成以製造多層電路形成基板。 第3圖係顯示依本發明之第3實施樣態中之電路形成基 板之製造方法而製造之電路形成基板之截面圖。 依雷射5之加工能量、脈衝幅度、波長等的條件將在基 板材料1兩側上形成一體化部7或在其一單面上有效地形 成，在前述多層電路形成基板上如第3圖（a)所示由於在表 層側上配置一體化部7而可將槽脊之連接強度提高。又，如 第3圖（b)所示形成之電路丨丨之密度係由於在高側配置一體 化而使層間之接續構件將擴散，而可防止電路間之絕緣不 良等的問題產生。 上述之實施樣態中將隔離薄膜之一部分轉印於貫通孔 周圍之例加以說明，關於稱為建造基板之基板上使用代表 性之不貫通孔之基板製造步驟亦可適用本發明，又不儘將 隔離薄膜之一部分轉印於孔洞周圍亦可轉印於信號線等的 電路配線部之下部，而可獲得提高電路配線部之連接強度 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公酱） 1237530 A7 _B7_ 五、發明説明（18 ) 之效果。 以上第1實施樣態至第3實施樣態中，就層間之接續構 件將使用導電性漿液之例加以說明，但亦可使用電鍍或金 屬蒸鍍作成接續構件。 (第4實施樣態） 第4圖（a)〜(d)係顯示本發明之第4實施樣態中電路形成 基板之製造方法之步驟截面圖。 對芳族聚醯胺不織布浸潰有環氧樹脂之基板1之雙面 上藉加熱滚筒之積層法等暫時連接隔離薄膜以形成如第4 圖（a)所示之構造。隔離薄膜4係在以聚對苯二甲酸乙二醇 酯為主材料之厚度20微米之基礎薄膜之雙面上使用由熱硬 化性樹脂所構成之塗附層當作熱可塑性材料。舉熱硬化性 樹脂層為例，塗附有約1微米之雙酚A型環氧樹脂4〇重量份 對環氧變性聚氨酯樹脂2 0重量份、作為硬化劑之漆用盼酸 型型苯酚樹脂19重量份、作為硬化促進劑之咪唑2重量份之 組成物並加以乾燥硬化之塗附層。又，該塗附層亦可使用 第1實施樣態中所說明之塗料。 其次，如第4圖（b)所示，由上方照射二氧化碳雷射以 形成貫通孔6。X加工時之熱影響射入側隆起部丨5及射出側 隆起部16係形成於概略貫通孔之圓周部上。此處之射入侧 及射出側係以雷射5之射入方向為基準。依發明人之實驗， 當使用波長為10.6以m之二氧化碳雷射時射出側隆起部16 比射出側隆起部15大，即厚度較大。 其次，如第4圖（c)所示藉滑動等方法填入導電性漿液 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（2〗〇x297公楚） -21- Ϊ237530 A7 ---— β7 —___ 五、發明説明（19 ) ^ " 8。導電性漿液8係以銅粒子及熱硬化性樹脂為主體分散至 接著劑中者。於填入後由於銅粒子之沉降其他之理由使射 出侧隆起部16附近較射入側隆起部15附近之導電性聚液8 之黏度提高。其次，如第4圖⑷所示隔離薄膜4由基板剝 離。其時如第4圖⑷所示兩者將由隔離薄膜4及導電性梁液 8之界面分離，就導電性漿液8由基板丨表面隆起之形狀將確 保導電性漿液8之量的方面來說是理想的。若條件不適當則 導電性漿液8將於隔離薄膜剝離時附著於射入側隆起部15 或射出側隆起部16上而由基板丨上被帶走。該種情況下導電 性漿液8之量比正規之情況下少，因此將為導電性漿液之層 間接續帶來影響。該被奪取現象多以導電性漿液8之黏度、 隔離薄膜之厚度及貫通孔6之孔徑為主要原因，此外射入側 隆起部15或射出側隆起部15之厚度亦為重要之原因。如前 述通常射出侧隆起部16附近之導電性漿液§之黏度將變 高，且容易產生被奪取現象。又，如第4圖（b)所述藉雷射 施行貫通孔加工時由於射出側隔離薄膜4之孔徑亦變小，因 此在射出側隆起部16上將容易產生被奪取現象。為防止被 奪取現象之產生，發明人使用前述二氧化碳雷射波長為9.4 # m者進行實驗以防止被奪取現象。即，當使用波長為1〇.6 // m之二氧化碳雷射時由於射出側隆起部16之厚度較大而 頻頻發生被奪取現象，在剝離隔離薄膜4後之基板1之雙面 上配置銅箔並進行熱壓，而作成與本發明之第1實施樣態相 同之雙面電路形成基板時接續雙面之電路之電氣電阻將極 為不均。因此，為將射出側隆起部1 6之厚度變小而將雷射5 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) — ‘丨·1· ' I fIT— .囔， -22- 1237530 A7 —__B7 五、發明説明（2〇 ) 「請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 之能量變小而無法獲得目的貫通孔6之直徑。但，當使用波 長為9.4#m之二氧化碳雷射時因射出側隆起部16之厚度 較薄而部產生被奪取現象，而且不易產生被奪取現象之射 入側隆起部15之厚度係賦予確保較大之漿液量。結果，縱 然作成雙面電路形成基板，接續雙面之電路之電氣電阻亦 呈安定之狀態。 在本實施樣態中舉二氧化碳之波長為9.4 # m為例加 以說明，二氧化碳雷射係以調整其氣體組成之方法等而可 選擇波長，可採用9.6/zm等的10/zm以下9/zm以上之數種 振蕩線。 如上述之本發明之電路形成基板及其製造方法，在電 路形成基板上於孔洞形成步驟即電路形成步驟中將該隔離 剝膜之一部分轉印於該基板上，或在孔洞形成步驟中在貫 通孔或不貫通孔之周圍將基板及隔離薄膜加以密接而一體 化’或者由於形成以隔離薄膜為主體之隆起部而槽脊或電 路之連接強度將提高或在孔周圍上接續構件將不擴散，又 導電性漿液將防止被隔離薄膜帶走之現象，尤其可提高高 密度之電路形成基板之信賴性。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） •23- 1237530 A7 B7 五、發明説明（21 ) 元件標號對照表 1 基板 11 電路 2 熱硬化性樹脂 12 槽脊 3 玻璃纖維 13 B級化薄膜 4 隔離薄膜 14 芳族聚醯胺纖維 5 雷射 15 射入側隆起部 6 貫通孔 16 射出側隆起部 7 一體化部 8 導電性漿液 9 銅羯 10 雙面板 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、\f 嘴， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 24-

Claims (1)

1237530 六、申請專利範圍 第89126760號專利申請案申請專利範圍修正本. 修正日期：91年07月 1· 一種電路形成基板之製造方法，其係於電路形成基板之 製程中包含有以下步驟，即： 孔洞形成步驟，其係以能束照射由單一或多數材質 所構成之板狀或片狀之B級化狀態之基板，以進行貫通 或不貫通之孔洞之加 工者； 接續構件形成步驟，其係使於前述孔洞形成步驟中 形成之貫通或不貫通之孔洞與基板之表裡或内外層電 性連接者；及 另一步驟，係令於基板表面形成金屬箔或薄膜以形 成導電層，再圖像化為所需形狀之電路形成步驟為以各 獨立步驟或以前述步驟之内I為㈣而混合有各步驟 之要素者； 此外，在則述孔洞形成步驟前並具有一於前述基板 之單面或雙面張貼薄膜狀隔離膜之步驟，以使前述隔離 膜之一部份轉印於前述基板上。 2·,種電路形成基板之製造方法，其係⑨電路形成基板之 製程中包含有以下步驟，即： 孔洞形成步驟，其係以能束照射由單一或多數材質 所構成之板狀或片狀之B級化狀態之基板，以進行貫通 或不貫通之孔洞之加工者； 接々構件形成步驟，其係使於前述孔洞形成步驟中 形成之貫通或不貫通之孔洞與基板之表才里或内外層電 1237530 、申請專利範圍 性連接者；及 、、另-步驟，係令於基板表面形成金屬羯或薄膜以形 成導電層，再圖像化為所需形狀之電路形成步驟為以各 獨立步驟或前述步驟之内容為目的而混合有各步驟之 要素者； ^丨 此外’於前述孔洞形成步驟前，更具有_將薄膜狀 之隔離膜張貼於前述基板之單面或雙面上之步驟，而於 前述孔洞形成步驟中，使基板與隔離薄膜於前述貫通或 不貫通之孔洞周圍更密接而一體化。 3. 一種電路形成基板之製造方法，其係於電路形成基板之 製程中包含有以下步驟，即： 孔洞形成步驟，其係以能束照射由單一或多數材質 所構成之板狀或片狀之B級化狀態之基板，以進行貫通 或不貫通之孔洞之加 工者； 中 電 接績構件形成步驟，其係使於前述孔洞形成步驟 形成之貫通或不貫通之孔洞與基板之表冑或内外層 性連接者；及 以 另一步驟，係令於基板表面上形成金屬箔或薄膜 以 形成導電層，再圖像化為所需形狀之電路形成步驟為 各獨立步驟或前述步驟之内容為目的而混合有各步驟 之要素者； 此外，在前述孔洞形成步驟前並包含有一於前述基 板之單面或雙面張貼薄膜狀隔離膜之步驟；於孔洞形成 步驟中，该隔離膜在貫通孔或不貫通孔之孔洞之略圓周 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（21〇χ297公釐） 26 - I23753〇 A8 B8 C8 ^___ K、申請專利範圍 部或外周部之隔離膜外側及基板側兩邊或一邊上形成 隔離膜之隆起部或以隔離膜為主體並含基板之隆起 口Ρ ’且令能束之入射側與出射側之前述隆起部中，入射 側之厚度增大。 4·如申請專利範圍第1項之電路形成基板之製造方法，係 使前述隔離膜之一部分轉印於前述孔洞形成步驟中所 形成之貫通或不貫通之孔洞之概略周邊上。 5·如申請專利範圍第1項之電路形成基板之製造方法，係 對前述電路形成步驟中所形成之電路之所有或一部分 之位置照射能束，以使隔離膜之一部分轉印者。 6·如申請專利範圍第1或2項之電路形成基板之製造方 法，其係棱用於基板材料中含空隙之多孔質基材，且於 前述孔洞形成步驟中形成之貫通或不貫通孔之孔洞周 圍藉隔離膜或混合有基板材料與隔離膜材料之材料形 成無空隙或空隙少之無孔隙層。 7·如申凊專利範圍第丨或2或3項之電路形成基板之製造方 法，其中該接續構件形成步驟係由將導電性漿液填入孔 洞形成步驟中所形成之貫通或不貫通孔之充填動作所 構成，之後並具有一電路形成步驟，係由基板剝離隔離 膜，並於基板之單面或雙面配置金屬箔或内層用電路形 成基板後加熱加壓，以使基板與金屬箔或基板與内層電 路形成基板呈現一體化，並藉導電性漿液使基板之表裡 或外層與内層呈現電性連接後，進而使金属洛圖像化 者。 本紙張尺度適财國國家標準（CNs) M規格Ul()X297M} -

:,'·訂 _ (着先閲議背面之注意事項再填寫本頁) -27- 1237530 六、申請專利範圍 8·如申請專利範圍第1或2或3項之電路形成基板之製造方 法，其係於孔洞形成步驟後將隔離膜由基板剝離，並於 基板之單面或雙面上配置金屬箔或内層用電路形成基 板後加熱加壓，以使基板與金屬箔或基板與内層電路形 成基板一體化，之後再於基板之孔洞内及單面或雙面之 全部或一部分上使用電鍍或蒸鍍或其他薄膜形成法以 形成薄膜，使基板之表裡或外層與内層呈現電性連接 後，再將前述薄膜圖像化，以形成所需之電路。 9.如申請專利範圍第丨、2或3項之電路形成基板之製造方 法，其中該隔離膜係由在基礎薄膜材料之單面或雙面上 施有單層或多層之塗附層者所構成，而，在孔洞形成步 驟中，該塗附層中之一層，或數層係藉隔離膜轉印於基板 上或呈一體化，甚或成為隆起部。 10·如申請專利範圍第9項之電路形成基板之製造方法，其 中藉别述隔離膜而轉印於基板上之塗附層係由熱可塑 樹脂或於熱硬化性樹脂中混合熱可塑性樹脂以賦予其 熱可塑性之材料所構成者。 U·如申請專利範圍第9項之電路形成基板之製造方法，其 中藉前述隔離膜而轉印於基板上之塗附層係由熱硬化 樹脂或於熱可塑性樹脂中混合熱硬化性樹脂以賦予其 熱硬化性及耐熱性之材料所構成者。 I2·如申請專利範圍第9項之電路形成基板之製造方法，其 中藉前述隔離膜而轉印於基板上之塗附層係由金屬薄 膜所構成。 本紙張尺度翻巾㈣家鮮（CNS) Α4規格（21GX297公釐) -28 - 1237530

(讀先閲魂背面之注意事項再填寫本頁) 13·如申睛專利範圍第丨、2或3項之電路形成基板之製造方 法，其中该金屬箔之單面或雙面係已經過粗糙化處理。 14. 如申請專利範圍第13項之電路形成基板之製造方法，其 中該已經粗糙化處理之面之平均粗糙度係大於一部分 轉印於基板材料上之隔離膜之厚度。 15. 如申請專利範圍第13項之電路形成基板之製造方法，其 中該已經粗链化處理之面之平均粗缝度係小於一部分 轉印於基板材料上之隔離薄膜之厚度。 16. 如申請專利範圍第1、2或3項之電路形成基板之製造方 法’其係使用雷射作為前述孔洞形成步驟中所用之能 束。 訂丨；_ 17·如申請專利範圍第16項之電路形成基板之製造方法，其 係使用一乳化碳雷射作為前述孔洞形成步驟中所用之 能束。 18·如申請專利範圍第16項之電路形成基板之製造方法，其 中該雷射之波長係1 〇 # m以下且9 # m以上。 19·如申請專利範圍第16項之電路形成基板之製造方法，其 於前述孔洞形成步驟中係呈脈衝狀地照射一次或多數 次之雷射能束’且前述之一次或多數次中至少第一次為 10mj以上之脈衝能量。 20.如申請專利範圍第1、2或3項之電路形成基板之製造方 法，其係使用使補強材料浸潰有熱硬化性樹脂而呈B級 化之所謂預浸料，或使用不用補強材料而使熱硬化性樹 脂B級化之薄膜作為基板材料。 太組铬尺麿谪用中圃國宝:摄進ί ΓΝΓ5：) A4梘板f 公螫）

1237530 六、申請專利範圍 21·如申請專利範圍第1項之電路形成基板之製造方法，其 轉印於基板上之隔離膜之部份厚度係小於m。 22·如申請專利範圍第！或2項之電路形成基板之製造方 法，其係將基板之兩面中可有效進行隔離膜之轉印或形 成空隙層之面配置成電路形成基板之表層側。 23. —種電路形成基板，其中形成於基板表面之電路或槽脊 下方之基板材料係構造成由電路或槽脊正下方朝基板 之厚度及深度方向階段性地逐漸減少熱可塑性者。 24· —種電路形成基板，其係使形成於基板表面之電路下面 之整個基板表面上具有基板材料與隔離膜之一體化部。 25· —種電路形成基板，其係使形成於基板上之貫通或不貫 通之孔洞外周部表面上具有基板材料與隔離膜之一體 化部。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） (身先閲議背面之注意事項再填寫本頁) 訂丨： -30 -