TWI236462B - A magnesium zing titanate powder with a barium boron lithium silicate flux and a multilayer ceramic cog capacitor made therefrom - Google Patents

A magnesium zing titanate powder with a barium boron lithium silicate flux and a multilayer ceramic cog capacitor made therefrom Download PDF

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Description

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五、發明說明（1) 有關申請的相^參考 本申請是於1 9 98年1 2月31日提交的未審定專利申請 09/224，536的部分延續。 發明之領域 本發明涉及符合COG標準並含有陶瓷電介質的多層陶瓷 電谷為"亥陶瓷電介質基於與含燒結助熔劑的玻璃進行混 合的鈦酸鎂鋅，該混合材料在遠低於u〇(rc的溫度下能夠 發明之背景 符合EIA標準、C〇G(a· k. a· NP0)的溫度穩定的陶瓷電容 為在從-5 5 C至1 2 5 °C的溫度範圍内的電容變化必須保持在 + /-30 ppm内。這種電容器還必須具有在i兆赫下大於 1，0 0 0的品質因數Q，相當於耗散因數（DF)不大於〇. 〇1。已 經在一定條件下燒製了陶瓷前體粉末，獲得95%理論密度 的熟化陶瓷，這種陶瓷是很適合作為這種高質量電介質陶 瓷的。高燒結溫度的陶瓷前體材料如鈦酸鎂鋅的燒結二护 在11 0 0 C的溫度下完成。眾所周知的是，在高溫燒製 (high-firing)的陶瓷粉末中加入少量含助熔劑的玻璃作 為燒結助劑來降低製造熟化電介質陶瓷所需的燒結溫度。 在約11 00 C可燒結的COG陶瓷組合物的例子披露於1 989年 11月11日公佈的美國專利4, 882, 65 0和1 985年8月6日公佈 的美國專利4, 533, 974中。 在製造多層電容器（MLC)時，將一些金屬層狀電極分別 夾置在包含助炫劑（若有的話）的生料前體陶瓷粉末的各連
C:\2D-CODE\90-10\90121140.ptd 第5頁 1236462 五、發明說明（2) ' 續層之間。這樣，掩埋在生料（未燒結）陶瓷中的金屬電極 必然會經受高得足以將陶瓷燒結成熟化的溫度。金屬電極 最常用的材料配方是7〇重量％的人8和30重量％的？(1。這種組 成的合金的熔化溫度為丨丨5 〇 ，它一般用於加熱到不高2 1 1 40 °C溫度的MLC電容器的電極，以免金屬熔化和流出^、 危險。當使用不能將溫度保持在丨〇 偏差内的燒結爐時' , 就得使用設置在更低溫度的爐子，在製造MLC時 步採用10 C的安全因數。 加入較多量的燒結助熔劑能降低MLC的燒結溫度，作^ 是以降低介電常數（K)和降低其他性能指標如Q為X代’ /它 能在低於約1 1 0 0 °c的溫度下燒結成高密度的陶兗前:、。 助熔劑的已知原料配方是比較少的，而工業上實於二加上 種原料粉末混合物甚至更少，因為該配方和燒結:用這 苛刻，導致較低的產率。 、、° /、件較為 把的費用比銀的費用高一個數量級，|巴一船H制 電容器成本中最大的因素。一種在掩埋的電極 辦法是使用一種賤金屬如鎳和/或銅。然而，用賤A 1巴的 極，必須在低於賤金屬熔點（對鎳來說是丨4 5 3。。，至屬電 說是1 0 8 3 °C )的溫度下進行燒結。並且燒結必須在^，來 環境中進行，這就大大地使步驟複雜化。對低壓氣的 境進行控制本身會提高成本，並且對由於在声姓$氣的環 失去氧而變成半導體性的陶瓷組合物的選擇^ ^ ^不會因 電介質陶瓷性能來說，就受到很大限制。 X件特定的 在許多空氣燒製的MLC電容器中所用的助炫劑 1236462 五、發明說明（3) 鎘和鉛的氧化物，這此氧化铷 饺點。斟认,人+曰i 一 物特別能有效地降低助熔劑的 的助炫劑，這就能有利地進-步降二 這些氧化物往往會降丽電容器二 與銀纪電極發生反應，甚至使品質因數更差。這 些揮發性的重金屬氧化物還奋 ^ 性的燒結結果。也許最重要二：a結爐’產生缺乏規律 尤A是饼w卜土! 要的疋它們會對環境構成危險， 上的危險。地衣k陶究粉末和MLC電容器的人員構成健康 準的夕ί:: Π:目的是提供一種用於製造符合c〇g標 ,nnn f 0 :電谷器的陶瓷粉末，這種原料粉末能夠在 以用二50Λ溫度在空氣氣氛中燒結成熟化，使得mlc可 =用銀δ置車父多而昂貴組分含量較少如85%Ag/i5%pd的電 月的再個目的疋提供這樣一種陶瓷粉末，它包含 由鋅組成的高溫燒製部分和基本不含錯 些有害重金屬氧化物的低溫燒結助溶劑部分。… 發明之概诫 取I種電介質陶竞粉末混合物主要由聚集顆粒組成，每個 I ίΐ ΐ由兩種粉末顆粒經溫和鍛燒並發生表面共反應 > =二、’、α 口起來，形成聚集顆粒的。這兩種粉末，一種是 究前體粉末’它是欽酸鎮鋅’占電介質陶兗 ;^5物的87 — 98重量％。另一種是粉末狀的硼矽酸鋇 鋰&結助熔劑’ έ電介質陶瓷粉末混合物的2 __ 13重量％。 欽酸鎮鋅粉末較好是充分反應的化合物Mg2/3Zn1/3Ti〇3，
第7頁 1236462 五、發明說明（4) ί中=高達2〇摩爾叫被等摩爾量的驗土金屬所取 代Η皮鋇所取代時，也可以取代高達6〇摩爾％。 對=;鋇=劑，，一種特別有…^ W 重里％ gl4Sl〇4，3 — 4〇 重量％ 的 重量"3Ba0. B2〇3。另一種較好的助=广二二 26 t *% 6Ul4S1〇4，20. 5 - 23. 5 t *% 6,B 〇 ^ #； ® " 重量％^Ba〇· B2 03。 30 β2°3^50-56 上述電介質陶甍粉末混合物經下述 重量％的鈦酸鎂辞與2—13重量％ /衣付將87—98 助溶劑加在-&，混合成=酸鎖鐘燒結 。(：的溫度下進行溫和鍛燒，#广由=:’在6 〇 〇 — 7 5 0 獲传由均勻粉末混合物的聚隹 顆拉，、且成的粉末，其中各聚集顆粒基本上具有與總體粉太 中相同的鈦酸鎂鋅和硼矽酸鋇鋰的組： 集顆粒進行粉碎，•電介質陶究粉ΐ;合 平均聚Ϊ顆粒大小約為12微米的自由流動的粉末。成為 ::造多層陶瓷電容器的方法需要先製備漿料， 法疋在有機載體中研磨上述電介質陶兗粉末混合物，再步 成水料？ ’然後乾燥。冑第一層有圖案的鈀銀合金膜沈積 到一層乾燥層上。然後將至少第二層生陶瓷層置於上述第 一層有圖案的合金膜上，獲得一個堆疊（stack)。再將第 二層有圖案的合金膜沈積在第二層生陶瓷層上，又將至少 第二層生陶瓷層堆積在第二層有圖案的合金膜的上面。然 後在9 5 0 — 1 1 2 0 C的溫度範圍内燒結此堆疊，冷卻後，將 銀糊料施塗到第一和第二合金層的邊緣延伸到的（陶竟）
C:\2D-CODE\90-10\90121140.ptd 第8頁
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五、發明說明（5) 體的兩個端面上。使銀糊料熱固化之後，就形 第二合金層都接觸的終端。然後在固化的銀終端^ 和 層鎳膜。 电鍍一 Ϊ就獲得了一種多層陶兗電容器，它包含緻密熟化的陶 究體和至少-層掩埋在陶兗體内的層狀電極 ：： 87 -98重量％的鈦酸鎂鋅和2—13重量％的粉末狀:體包含 锂燒結助炫劑。埋入的電極可以由銀和把的合 貝 中銀的含量至少為80重《。本發明認為，在製造c八 MLC電容器中，陶兗所需燒結溫度的降低可允許埋入銀良人 量，：的電極，並且具有此較高導電率的掩埋電極的心 電容器會顯不出較高的Q值。對Q值較為取決於電極電阻 而不太取決於電介質陶瓷本身固有Q值的C0G MLC電容器， 尤其如此、。這樣，COG多層電容器較低燒結溫度的這個°°好 處就可以導致較低的製造成本和較好的⑶G性能。 本發明還認為在陶瓷粉末的助熔劑部分中包含鋰可以降 低助熔劑的熔化溫度，並可以意想不到地減少多層^沉電 容器使用壽命試驗中不合格的現象。 本發明的上述目的可以使用上述硼矽酸鎂鋰燒結助熔劑 而達到。事實上’使用本發明的原料粉末並在約9 4 〇 _ 11 〇〇 °c的溫度範圍内進行燒結就可以製得MLC電容器，在 這個意義上本發明的上述目的已被超越。 較佳具體例之說明 製 造了試驗盤形陶瓷電容器，其中原料粉末的高溫燒製 組分是鈦酸鎂鋅。這些試驗盤形電容器製成如圖丨所示
C:\2D-CODE\90-10\90121140.ptd 第9頁 1236462 五」發明貌明⑹ =的龟介質陶瓷盤1 0具有黏合在盤形電容器兩個相反主 栌=的電極1 1和1 2。盤形電容器的製造比多層電容器容^ 成夕，且除了 DF和Q性能指標外，對於盤形電容器特定組 組1繞結條件的所有其他指標都是可由使用相同原料粉 _ :物的相應多層電容器所要獲得性能的有用指標。 製造原料陶瓷粉末一 教衣造陶瓷粉末原料混合物的一種方法，先是製備平均顆 ^大小約為1 · 〇微米的咼溫燒製粉末混合物，其辦法是將、 八〜9 8摩爾％的化學計量鈦酸鎂鋅（Μζτ)的一些前體物質現 二起來，其中高達4摩爾％的鎂可被鈣取代。這可以通過用 =摩爾量的鈦酸鈣替代鈦酸鎂部分（如2. 9摩爾％)實現。同 #地’也可以採用用來調節燒結粉末電容器體的TCC的其 這樣的鎂的部分取代物，例如等摩爾量的氧化鋇或錯酸 ^、。在锆酸鋇的情況下，它可以用來取代等摩爾量的鈦^ =。如上面提到的美國專利4,882,6 5 0所述，鋇在鈦酸鎂 鮮中的取代量可以高達60摩爾。/。。 、 度的粉末力… 硼和矽的氧化物或复箄=二 作燒結助熔劑，它由鋇、 〇 次其寺同物質組成。 :、、、、後研磨上述粉太、、日 在約6 0 0 t：的溫度下、、w ^ 口 ，，，、均勻的粉末混合物，而後 集顆粒組成的粉末下Τ中二二 體粉末混合物相同的;^各=顆粒基本上具有與均句前 微米。 ）、、且成，t集顆粒的平均大小約為丨，2 111
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第10頁 1236462 五、發明説明（7) 一製造盤形電容器— 製造諸如圖1所示盤形電容器所用的方法如下所述。在 直徑為半央寸（12.7毫采）的模具中以15，000镑/平方英寸 的壓力將原料粉末混合物壓至厚度約為3 5密耳（〇 · 8 9毫 米）。然後在1 1 0 〇 °C時（除非下面另有說明外）將所得的圓 形生盤燒結3小時。冷卻後，將銀糊料施塗到各燒結盤j 〇 的兩個相反的表面上，隨後將該盤加熱到8 〇 〇 °C，使電極 1 1和1 2固化。 在某些實施例中主要的高溫燒製原料粉末的組成是 Mg"3 ZnwT i 〇3 ’其中用少量的約取代等摩爾量（如2 · 9摩爾 %)的镁。在其他的實施例中則只加入一些B a Z r 〇3。這種驗 土金屬在鈦酸鎂鋅中的取代或加入能夠有利地用來調節燒 結盤形電容器的電容溫度係數（TCC)。還加入了約〇· 〇1重 量％的碳酸猛，它一般用於改進許多不同種類的電介質陶 瓷配方的使用壽命試驗性能。在原料混合物中同樣加入了 粉末狀的硼矽酸鋇燒結助熔劑。 參見表I和I I，當在1 1 〇 〇〜丨丨5 〇 的溫度範圍内燒結電 介質陶瓷粉末時’硼酸鋇和矽酸辞的雙組分助熔劑是有效 的，但表I I中的實施例6a除外。僅使用〇· 5重量％的3BaO · Β^3和1· 0重量％的ZnjiO4時，燒製的電容器產生了非常高 的密度並且K值為23或24。 而且’ TCC的值均在c〇G標準内。另外，DF的值很低，尤 其是實施例3/ 4和7。這些電容器實施例的Q因數至少為 1 0, 0 0 0。儘管實施例2(由1· 2重量％的；^〇2 ·匕〇3和I 〇重
1236462 五、發明說明（8) 量％製備得）和實施例6未 燒製同樣的配方能達到：例6並=到熟…在 上很好。 …1 卫且其初始性能在一定程度 1至和石夕酸鋅雙組分繞結助溶劑的實施例 Λ :=:'，，燒製的電容…^ :用I:，作：嗖果用了：些不同的添加劑，s的是延長 且曾用來延長使用壽命(=〇, ΓΒ:二劑是 表I I中的實施例1至6b所示，這此雷」 3和2〇3)。如 命試驗。 化些電谷器沒有通過使用壽 當試驗工少:量的碳酸链(〇·3重量 ，用二時’碳酸鐘的效果竟是很大，t想不到I: 表I和^中貫施例7所示，那些含有Li2C〇3的電容 使用哥命試驗，並且仍具有優良的電性 了 後，試驗了 Ll2S1〇4對使用壽命的影響。如表㈠…中匕， :j8所二，與Ll2c〇3相比’那些含#Li2Si〇4的電過 使用哥命試驗，並且達到了良好的電性能和線性性能」 施例8的(}因數比實施例7的低，這很可能是由於其ί ^ 一含有石朋石夕酸鎖鐘助熔劑的鈦酸鎂鋅約
較低燒結溫度的緣故。實施例7和8都在c〇G標 圍0C 衣k 了序列的忒知盤形電容器，其中原料粉末的 是90重量％的上述鈦酸鎂鋅铟知]n去曰Q/ a ☆ ^ 」、、且成 ^ ^ 秩鲜鈣和1 〇重量％的矽酸鋰硼酸鋇助 溶劑。 w 麥見表I I I，帛—組A組的試驗盤形電容器（即實施例卜
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包含由1摩爾石夕酸鐘（Li4Si04)、3摩爾硼酸高鋇（Ba0 . 1〇3) ^摩爾蝴酸鋇（Ba〇 . Μ)組成的原料粉末助炫劑。 6: 1主另外三個攔内所示，也可以將各實施例中助熔劑 雷1 t表不成佔助炫劑總量的重量％。各實施例有4個盤带 10容盤形電容器在1 0 0 0。。燒結，實施例 、。。在9 7 5 C燒結，實施例1 1的電容器在95〇 t焯 二，从及實施例1 2的電容器在9 2 5 〇c燒結，均如表丨丨i = 不 ° 第一至第九組試驗盤形電容 20、21-24、25-28、29 - 32 的助熔劑組成（B、C、D、E、F 在表II I的中間六個攔内。 器，即實施例1 3 — 1 6、1 7〜 、33 —36、37—40 和 41 — 44 、G、Η和I )分別類似地表示 在燒結和冷卻後，測量各實施例中4個盤形電容器的耗 散因數（DF)、23 t室溫的介電常數（κ)和在—55和+ 125它 測=的電容溫度係數（TCC)，以κ的百分數變化表示，並對 所付的4個值取平均。這些資料列於表丨丨丨的最後五個攔 内。 在92 5 °C燒製九種組合物，所得樣品沒有一種是緻密和熟 化的，都是多孔的。進一步可以看出，具有A組原料粉末 組成且在1 0 0 0 °C和9 7 5 °C燒結的實施例9和丨0的電容器未達 到COG標準的TCC要求；所述要求是在—55。〇或+ 125的介 電常數（κ)的變化不大於室溫κ值的30%。在1〇〇(rc較高溫 度下燒結C、D、E和F組組成的電容器（對應於實施例丨7、 2 1、2 5和2 9 )也未達到C 0 G標準的這個τ c C要求。對於所有
1236462 五、發明說明（12) 米電介質厚度，此時 用壽命試驗的最初電持在125 r。若在使 1 P 口式驗的取初一百個小時内， 值降低兩個數量級， 為 。°、、、巴蝝電阻由初始 驗。 貝]°心為電谷為沒有通過使用壽命試 在表IV的實施例45、47、49和52中叽 並經焊料塗覆，而實施例46谷=終二 :電谷器終端沒有經歷這些過程。可二50、51和53 和47的電容器具有相同的陶瓷組成，即ί :貫施例45、46 熔劑（與表I II的C組中 I 3 1 〇重量％的助 、止甲相同的助炫劑），/
I 如何，實施例45和47細雷护M + j 仁不官其燒結溫度 4 ί趙電锻錦的雷交哭抑 命試驗。然而，其餘 /又有通過使用哥 貫施例4 8 — 5 3的雷宜盟土 f 壽命試驗，而不管它侗日丕％ A 的冤谷為'都通過了使用 &匕們是否預先進行過鎳φ μ ^ _ 器都包含5重量％或7 5番旦。/沾上 鎳電鍍；迫些電容 里尺丨· b重置％的助熔劑。較女曰从#卜今丨人 危及COG電容器的使用壽命試 / 大置的助熗劑會 r生月匕都疋良好的。戶斤以當塗銀的mlc 一 鎳電鍍時，較好的县> +饮πα 裔兩知要進订 曰电艰才 疋在本發明的MLC電容器中蚀田小於s舌 的硼矽酸鋇鋰助熔劑。 中使用/於8重 從表III和IV所列的資料可以看出，可以使用較多量的 硼矽酸鋇鋰助熔劑來製造C0G電容器，這就可以使掩埋的 電極所含的鈀比常用的70%Ag/30%Pd合金少得多。 一不同量的硼矽酸鋇鋰助熔劑對C0G標準規定的性能 影響一 製造了 一系列MLC電容器，其所用原料粉末混合物中的 助熔劑的量在0—12重量％的範圍内變化’並且燒結溫度從
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五、發明說明（13) 9 5 0 C變化到1 1 3 0 °C。這些變數連同相應的試驗資料 表V中。對於這一系列的試驗電容器，原料粉末使用、 Mg2/3Zni/3Ti03加上2· 9重量％的Ca〇，助熔劑由22· 61重旦
BaO · B2〇3、53· 23 重量％ 的3BaO · B2〇3 和 24· 1 6 重量％ 的。
LiJi〇4組成。在這裏證實了可以使用適當量的助熔 95(TC至1 13(TC範圍内的任何溫度下燒結這些原料至^^ 化。使用大量助熔劑（10 sl2重量的實施例62、κ 和64能提供優良的COG標準規定的性能。使用中等量助熔 劑（5 —8重量％)的實施例59〜61也是非常好的。實施例58 表明在助熔劑的量為5重量％時，丨〇 00 I的燒結溫度對原料 粉末來說要完全反應和達到熟化是太低了。全都在丨丨3 〇 t 燒製的實施例5 4 — 5 7能燒結並製得了良好的電介質體，但 不符合COG標準的TCC極限。可以認為，在鈦酸鎂鋅鈣中用 少量的鈦酸鋇取代鈦酸鈣會很可能使TCC性能更接近COG標 準的極限。然而，可以認為本發明所含助熔劑的量限制於 不小於2重量％，不包括實施例5 6的配方。
C:\2D-CODE\90-10\90121140.ptd 第17頁 1236462 五、發明說明（15)
表I I 使用壽命試驗 300V、125°C、1〇〇 小時 在1小時後未通過 在20小時後未通過 在10小時後未通過 在10小時後未通過 在1小時後未通過 < 在2小時後未通過 通過 通過 經過 300V、125°C、〇. 5 小時的IR(ohm) >109 τ-Η 八 >10° >109 < >109 >10" 〇 r-H 八 UDBD 伏 655 < 2100 2340 < 1860 2110 1800 ：%DF 1MHz 0. 03 0.01 0.01 < 0.09 〇 0. 04 CSI CS1 CO CN1 CO CS) < CO (X! C0 ΓΟ CN] 電容 lMHz(PF) 355 265 00 CN1 寸 420 432 2： 417 411 407 密度 g/cm'1 卜 T—Η — CJ5 y—i CS1 S 4. 18 4. 27 CN1 燒結溫度 i 1 °c 1100 1130 1130 1130 1140 1130 1150 1130 1110 實施 例 r-H CN! CO cd 卜 00
圓國·III C:\2D-CODE\90-10\90121140.ptd 第 19 頁 1236462 五、發明說明（16) 表 III ：(ΡΡΜ/^ 25 到 125 CNJ LO CNI 1 cc ◦ r—( 1 CD ① i C\1 LO 1 -53 LC C\l 00 1 TC( -55 到 25 ο 了 cn 下 r—i 1 〇· 〇〇 CNI 1 03 LO CN 1 〇 cp LO 1 %DP 0. 05 r—* 〇 0.04 1 0 0.0L 〇 1 〇 0.02 〇 1 〇 0. 02 〇 1 CO CO CNI CS1 1 Csl Csl 1 CNI CS] (XI CNI 1 1 密度 g/cm3 4. 16 4. 18 CO r-H j 4. 15 4. 12 4.04 r-H T "'( -^r 3. 97 _D hV"7 ' C\1 4. 12 r-H Γ'" < _D 徐 BaO · B2 0, 〇 0 〇 0 〇〇 〇〇 〇〇 CO 22.6 ! ① CO CNI ① CN] (Nl ◦ C\1 m ci LO LO ci LO 雷ft% 3BaO · B20, CO 守 CO 1—( CO 寸 CS] ai ① CN3 Cji CO CT2 ① CN3 CO c6 LO CM CO in CO c6 LO CM CO LO s T—H 5: § Li,丨 SiQ, οό CN1 〇5 (N1 28.6 28.6 CO CN) CS1 CM oa CS1 c6 T™< CO c6 c6 BaO · B2〇.i m ci LO LO ci LO ci LO csi r-H LO cn5 r—( LO LO cn3 LO CNI LO CS3 LO CNI LO CNI LO LO LO LC 摩爾 3BaO · B 2Ο3 LO LO cn5 t—H IO CNI y—H in oi LO CO LO S LO LO LO Csl LO CN! LO 〇〇 in CO LO CS] LO CNI LO CSI LO CNI Li,SiO, s s s s S s S S S g S g 另 燒結 潇 °C 1000 975 950 LO C\1 1000 LO & g cr. LO CNJ cn 1000 LO 950 LO CNI ⑦ 1000 LO 〇 LO LO CNI 驾S 0 1—H r-H CNI i—H CO r-H 寸 LO r-H 卜 2 CN〇 CO CO CO 寸 CNI Ed < CO 0 C:\2D-CODE\90-10\90121140.ptd 第20頁 1236462 五、發明說明（17) 表III (續） 馨 撇 LOSIlsLnCNll 9c\ls?99- V,/Ncy)x>l Z9丨
00 LO I 2 CS1 S' (N1 τζ co
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C:\2D-CODE\90-10\90121140.ptd 第23頁 1236462 圖式簡單說明 圖1表示盤形陶瓷電容器的側面剖視圖。 圖2表示具有掩埋電極的多層陶瓷（MLC)電容器的側面剖 視圖。
C:\2D-CODE\90-10\90121140.ptd 第25頁

Claims (1)

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1 · 一種電介質陶瓷余v古、、θ 成，該每個聚集顆粒;Β:合物，它主要由聚集顆粒組 生表面共反應而均勻纟士 ^兩種粉末顆粒經溫和鍛燒並發 個聚集顆粒中的該兩：1成聚集顆粒的’在該每 酸鎮鋅每粉末和2—13重4顆粒分別由87 一98重量％的鈦 劑組成，其中，該鈦ϋ㈣末狀财酸㈣燒結助溶 Mg η τ. 、次鎂鋅鈣粉末是完全反應的化合物 Mg2/3Ζη1/3Τ 1 〇3，該Mg 被算麼 m 旦 的_、15.5摩爾%的2二摩3\!:約所取代’並由31釋 τ·η 3·5摩爾％的〇8〇及50摩爾％的 1〇二成；—而，:夕酸鋇鐘助炫劑咖^ u 1 4 重1%的以0 . M3和10 — 76重量％的3BaO . B:03組成，故該聚集顆粒在95〇 一 112〇。。的溫度範圍内燒 、、、口，以形成緻密熟化的陶瓷體。 2·如申請專利範圍第丨項之電介質陶瓷粉末混合物，其 中，該硼矽酸鋇鋰助熔劑係由2 2 _ 2 6重量％的L丨4 s丨〇4、 20· 5 —23· 5 重量％ _a0 · b2〇3 和5〇 一56 重量％ 的二〇4 組成。 3 · —種電介質陶瓷粉末混合物之製造方法，其包含： a)將87 — 98重量％的鈦酸鎂辞鈣與2 一 13重量％的粉末狀 獨矽酸鎖鐘燒結助熔劑加在一起，其中，該鈦酸鎂鋅約粉 末疋元全反應的化合物Mg2,3 Zn"3 T i 〇3，該jfg被等摩爾量的 鈣所取代，並由3 1摩爾％的]^0、1 5 · 5摩爾％的2〇〇、3· 5摩 爾％的C a 0及5 0摩爾％的T i 〇2組成，而該石夕酸鋇裡助嫁劑 則係由10 — 55重量％ WLi4Si04、3 — 40重量％的63〇 ·氏〇3和 10 —76 重量％ 的383〇 · Β2 03 組成；
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修正 _案號9Q12〗Un 申請專利範圍 b)將該加在一起的兩種粉末混合 。)在60 0-750t的溫度 末混，物； f由該均句粉末混合物的聚集顆粒混二;； 聚集顆粒基本上具有與該整_ 曰2的知末，其中这各 鋅鈣和硼矽酸鋇鋰的組成；^π末此5物中相同的鈦酸鎂 d)該聚集顆粒在9 5 〇 — 11 2 〇 °c的、、四择μ㈤ 成緻密熟化的陶竟體。oc的-度乾圍内燒結，以形 4·如申請專利範圍第3項之方法，盆 一、 微米的能自由流動的電介質陶竟粉末混合物。 5· —種多層陶瓷電容器之製造方法，其包含·· a)製造漿料，其過程是在有機載體中研磨一種電陶 竞粉末混合物，該混合物主要由聚集顆粒組成，該每個聚 集顆粒都是由兩種粉末顆粒經溫和锻燒並發生表面並反應 而均勻結合起來，形成聚集顆粒的，在該每個聚集顆粒^ 的該兩種粉末顆粒分別由87 一 98重量％的鈦酸鎂辞鈣粉末 和2 — 13重量％的粉末狀硼矽酸鋇鋰燒結助熔劑組成，其 中’該鈦酸鎂鋅詞粉末是完全反應的化合物 Mg^Zn^TiO3 ’該Mg被等摩爾量的鈣所取代，並由31摩爾％ 的MgO、15· 5摩爾％的211〇、3. 5摩爾％的〇3〇及50摩爾％的 丁 1 〇2組成，而該硼矽酸鋇鋰助熔劑則係由丨〇 _ 5 5重量％的 Li4Si04、3 —40 重量％ 的BaO · B2〇3 和1〇 — 76 重量％ 的36&0 · B2 03組成， b)形成該漿料的一些層，乾燥這些層，將第一種有圖案
(：:\總檔\90\90121140\90121140(替換)-2.ptc 第27頁 1236462
案號 90121 Uf) 申請專利範圍 的=合ί膜沈積到-層該經乾燥的層上； 上，形成-個堆疊，再ί;置-層有圖案的合金膜 第二層生陶究層上，層合金膜沈積在該 第三層生陶竟層； Λ -曰有圖案的膜上形成至少 d )在9 5 0 — 1 1 2 0 °C的溫声β㈤ 熟化的陶究體； 又軌圍内燒結該堆疊，形成緻密 。將銀糊料施塗到該第—層和第二 可以延伸到的該陶瓷體的兩 口茶層的邊緣 f)加熱該堆疊，使該銀糊料 ^ 第二層合金層都接觸的、終’ >成^、該各第一層和 ^如㈣㈣範圍第5項之^ 錄在該固化的銀終端上施加—層錄層。 匕枯通過電 7. -種多層陶竟電容器’其包含：密 少-層掩埋在該陶竟體内的層狀電極，該至少一 :::陶究體的-端上’該陶竞體與該掩埋的電極共同』 、製，孩陶瓷體由87 — 98重量％的鈦酸鎂鋅鈣和2 一13重量 %的粉末狀硼矽酸鋇鋰燒結助熔劑組成，其中，該鈦酸鎮 鋅，粉末是完全反應的化合物Mg2/3Zni/3Ti〇3，該Mg被等摩 爾量的1弓所取代’並由31摩爾％的^〇、15· 5摩爾％的2[1〇、 3 · 5摩爾％的C a 0及5 0摩爾％的τ丨〇2組成，而該硼矽酸鋇鋰助 炫劑則係由10 —55重量％的!^。^、3 —4〇重量％的以〇 · 62 03和10-76重量％的36叻12〇3組成。 8 ·如申請專利範圍第7項之多層陶瓷電容器，其中，該
匸:\總檔\90\9〇121140\90121140(替換)-2.ptc 第28頁 1236462 _案號90121140_年月曰 修正_ 六、申請專利範圍 至少一層掩埋的電極是銀和鈀的合金，其中該銀的量至少 為8 0重量％。 9.如申請專利範圍第7項之多層陶瓷電容器，其中，該 石夕酸鋇鋰助溶劑由2 2 — 2 6重量％的L i 4 S i 04、2 0 · 5 — 2 3 · 5 重量％的B a Ο · B2 03和5 0 — 5 6重量％的3 B a Ο · B2 03組成。
C:\ 總檔\90\90121140\90121140(替換)-2.ptc 第29頁
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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1177776C (zh) * 1999-08-23 2004-12-01 卡伯特公司 硅酸盐基烧结助剂方法
US6723673B2 (en) * 2000-08-31 2004-04-20 Mra Laboratories, Inc. High dielectric constant very low fired X7R ceramic capacitor, and powder for making
US6727200B2 (en) 2000-08-31 2004-04-27 Mra Laboratories, Inc. High dielectric constant very low fired X7R ceramic capacitor, and powder for making
US7720443B2 (en) * 2003-06-02 2010-05-18 Kyocera Wireless Corp. System and method for filtering time division multiple access telephone communications
US7582147B1 (en) * 2004-08-19 2009-09-01 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Composite powder particles
US7378363B2 (en) * 2005-05-20 2008-05-27 Skyworks Solutions, Inc. Dielectric ceramic composition having wide sintering temperature range and reduced exaggerated grain growth
US7161795B1 (en) 2005-09-26 2007-01-09 Ferro Corporation COG dielectric composition for use with copper electrodes
KR101351150B1 (ko) * 2005-09-28 2014-02-17 페로 코포레이션 니켈 전극에 사용하기 위한 씨오지 유전성 조성물
US7547408B1 (en) * 2006-07-28 2009-06-16 General Electric Company Process for reducing non-uniformities in the density of sintered materials
CN101494116B (zh) * 2008-11-27 2011-08-10 成都宏明电子科大新材料有限公司 一种耐热冲击陶瓷电容器的制备方法
CN103578764B (zh) * 2013-11-01 2016-08-17 广州创天电子科技有限公司 一种提高陶瓷电容器q值的方法
US10065894B2 (en) 2015-08-05 2018-09-04 Ferro Corporation High-K LTCC dielectric compositions and devices
CN107417273A (zh) * 2017-04-28 2017-12-01 武汉理工大学 一种低损耗高温度稳定性npo电容器介质材料及其制备方法
CN112408975B (zh) * 2019-08-23 2022-11-04 兴勤电子工业股份有限公司 陶瓷组成物、陶瓷烧结体、叠层型陶瓷电子元件及其制法
CN114773056B (zh) * 2022-05-11 2023-03-24 丽智电子（南通）有限公司 一种npo mlcc用陶瓷材料的助烧剂、陶瓷材料及制备方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2520729B1 (fr) 1982-02-02 1986-01-31 Europ Composants Electron Composition ceramique dielectrique a base de titanate de baryum, d'oxyde de lithium et de fluorure de zinc, condensateur utilisant une telle composition et procede de fabrication de ladite composition
US4533974A (en) 1984-04-09 1985-08-06 Sprague Electric Company Low-firing high Q monolithic ceramic capacitor
US4612600A (en) 1984-10-29 1986-09-16 Tam Ceramics Inc. Low fire ceramic compositions
US4898844A (en) * 1986-07-14 1990-02-06 Sprague Electric Company Process for manufacturing a ceramic body having multiple barium-titanate phases
US4882650A (en) * 1988-12-05 1989-11-21 Sprague Electric Company Magnesium titanate ceramic and dual dielectric substrate using same
US5051863A (en) * 1989-10-31 1991-09-24 Taiyo Yuden Co., Ltd. Solid dielectric capacitor and method of manufacture
US5089933A (en) * 1989-12-04 1992-02-18 Taiyo Yuden Co., Ltd. Solid dielectric capacitor and method of manufacture
JPH06349335A (ja) * 1993-06-11 1994-12-22 Ube Ind Ltd 誘電体磁器組成物
FI116139B (fi) * 1994-11-29 2005-09-30 Kyocera Corp Eristävä keraaminen koostumus, tästä koostumuksesta tehty monikerroksinen resonaattori ja tätä resonaattoria hyväksikäyttävä monikerroksinen suodatin
DE19546237A1 (de) 1995-12-12 1997-06-19 Philips Patentverwaltung Vielschichtkondensator mit Dielektrikum aus modifiziertem Bariumstrontiumtitanat
US6251816B1 (en) * 1998-12-31 2001-06-26 Mra Laboratories, Inc. Capacitor and dielectric ceramic powder based upon a barium borate and zinc silicate dual-component sintering flux

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