TWI234195B

TWI234195B - Pattern determining method and system, method of manufacturing mask, adjusting method of imaging performance, exposure method and apparatus, information recording medium

Info

Publication number: TWI234195B
Application number: TW093110653A
Authority: TW
Inventors: Shigeru Hirukawa
Original assignee: Nikon Corp
Priority date: 2003-04-16
Filing date: 2004-04-16
Publication date: 2005-06-11
Also published as: US20060068301A1; TW200507054A; KR20050121728A; JPWO2004099874A1; WO2004099874A1

Description

1234195 玖、發明說明：【發明所屬之技術領域】、本發明係有關圖案決定方法及系統、光罩製造方法、成像性能調整方法、曝光方法及裝置、以及程式及資訊記錄媒體；詳言<，係有關決定待形成於光罩之圖案資訊之夬定方法及圖案決定系、统、利用該圖案決定方法之光罩製 k方法、將形成於光罩之圖案投影於物體上之投影光學系統之成像性能調整方法、利用該成像性能調整方法之曝光 :法及實施該曝光方法中較佳之曝光裝置、以及使電腦執仃用來设計光罩之既定處理之程式及記錄該程式之資訊記錄媒體。【先前技術】 …習知在以光微影步驟製造半導體元件、液晶顯示元件或薄膜磁頭等日寺，係使用透過投影光學系統，將光罩或標 ^片（以下，總柄「標線片」）之圖案轉印於表面塗布光阻刮等感光劑之晶圓或玻璃板等物體（以下，總稱「晶圓」）上的投影曝光裝置’例如，使用步進及反複方式之縮小投 :曝光裳置（所謂之步進器）、步進及掃描方式之掃描型投衫曝光裝置（所謂之掃描步進器）等。 /疋衣k半導體兀件等時’因必須將不同電路圖案重疊若干層在晶圓上來形成，故重要的是正確重疊形成電路圖案之標線片、與業已形成於晶圓上各照射區域之圖案精度進行該重疊時，將投影光以統之成像性能嶋期望狀態(例如’修正標線片圖案對晶圓上照射區 1234195 域（圖案）之轉印像之倍率誤差等）是不可欠缺的。此外，在曰曰圓上之各照射區域轉印第丨層之標線片圖案時，為了將第2層以後之標線片圖案面精度的轉印於各照射區域，亦最好是能事先調整投影光學系統之成像性能。又，近年來隨著半導體元件等之高積體化，電路圖案日益微細，最近之曝光裝置’僅修正塞德(㈣⑴之5像差(低次像差)是不夠的。因此，先前為了修正曝光裝置之投影光學系統之像差與與光近接效應等起因而產生之標線片圖案轉印像之線寬變化等，例如，係在標線片上之圖案之一部分’使其線寬與設計值相異，而在標線片形成圖案 (例如’參照日本專利第334391 9號公報及對應之美國專利第 5, 546, 225 號）。敕± 純，5^學錢之圖案成像性能及成像狀態之調 ^如，係、使用調㈣鏡元件等（構成投影光學系統）丁凡之位置與傾斜等之成像性能調整機構等。可是成像性能係隨曝光條件，例如，照明條件（照明^ ^ 影先學系統之Μ(數值孔徑）、所使用之圖案等而變化又此在某曝光條件之最佳成像性能調整機構之一件之調整位置，在JL他暖古反从兀子凡位置。，、他曝先條件下，有時不是最佳之調整 σ等來決成像 )、投影光學系統之NA(數、术1千（照數值孔徑）、所使用之图安. 規定之曝光條件，將妒旦，固累· 仟將技影光學系統之圖案成性能）及成像狀鲅予以^L 乂土儿寺性〜'予以取佳化之調整機構之調整方〉、 1234195 、成像特性調整方法及其程式之發明（例如，$照國際公開02/ 054036號及所對應之美國專利申請公開第2〇〇4/ 0059444 號）。但疋，s在複數台曝光裝置適用上述曰本專利第 3 3 4 3 91 9號公報日專，出μ &^ y w t 、於係複數口曝光裝置個別使用該專利λ報所名载之發明’進行各曝光裝置所使用之標線片之圖案修正（最佳化），闵卜卜甘；口此對某一台曝光裝置已最佳化之標線片’有時並無法使用在其他曝光裝置。亦即，複數台曝置共用；^線片有其困難。這是因為曝光裝置之投影光 =統之像差狀態，每一曝光裝置(各機)不同，各機間像的至（相異）即會產生圖案像之位置偏移與線寬差，事實上，這種標線片之共用化不易之故。载之=方面’使用上述國際公開G2//G54G36號公報所記肖某個圖案，將複數台曝光裝置之投影光學夺 (成像性能)予以最佳化時，在所要求;= 調整機構能=範圍較大的情形等，若係在各曝光裝置之台曝先整之範圍内的話，則對同-圖案，無論哪-作是，ΪΓ能將投影光學系統之成像性能予以最佳化。二進Γ:光r公報之發明’係提供標線片圖案，由於或像差)的？：置之投影光學系統之成像特性(成像性能，特別’故上述㈣機構之調整以達到極限情形時:、於;號機共用同一標線片之性變高1^°曝^置產生不㈣整成像性能之或然別疋，當所要求之成像性能之誤差容許範圍較 1234195 小時，上述情形更易發生。另一方面，在同一半導體工廢内，若能用更多台曝光褒置共用同-標線片的話’其結果，&降低半導體元件等電子裝置之製造成本，並且，有提高圾回曝先I置（號機）之運用面自由度（彈性）之好處。本發明係在上述背景下產生，其第】目的，係提供易於製造（製作Μ數台曝光裝置能共用之光罩的圖案決定方法及圖案決定系統。本兔明之帛2目的，係提供易於製造複數台曝光裝置能共用之光罩之製造方法。本發明之第3目的，係提供能實質上提高投影光學系統對光罩上圖案之成像性能之調整能力的成像性能調整方法。本發明之第4目的，係提供能將光罩上之圖案高精度轉印於物體上之曝光方法及曝光裝置。本發明之第5目的，係提供能使用電腦、容易的設計複數台曝光裝置所使用之光罩的程式及資訊記錄媒體。【發明内容】從第1觀點來看，本發明第1圖案決定方法，係決定將形成於光罩之圖案像投透過投影光學系統形成於物體上之複數台曝光裝置，所使用之該光罩上待形成之圖案的資訊’其特徵在於，包含：第1步驟，係根據包含在既定曝光條件下（含該圖案之資Λ )’调整該圖案投影像在物體上之形成狀態之調整裝 1234195 置之調整資訊及對應此調整資訊之該投影光學系統之成像性能相關資訊、該圖案之修正資訊、成像性能之容許範圍資訊的複數種資訊，就每一曝光裝置算出在考慮該圖案修正資訊之目標曝光條件下，該調整裝置之適當調整量；第2步驟，係依據該第1步驟所算出之各曝光裝置之適當調整量之該調整裝置之調整結果，判斷在該目標曝光條件下，至少1台曝光裝置之投影光學系統之既定成像性能是否在該容許範圍外，該判斷結果，根據在容許範圍外之成像性能，依照既定基準，來設定該修正資訊；最佳化處理步驟，係反覆該第丨步驟與該第2步驟，直到第2步驟之判斷結果，所有曝光裝置之投影光學系統之成像性能皆在容許範圍内；以及 :疋步驟，係在該所有曝光裝置之投影光學系統之成 ==在容許範圍内時，將該最佳化處理步驟所設定之 W ’夕正貝汛，決定為圖案修正資訊。。又=書中：圖案之修正資訊包含修正值為零之情形光學㈣之光量分佈等)、投影間距、線比:::立:為線寬與線距圖案時之觸窗時-縱寬、橫寬，窗圖時之線寬’若為接移相圖案，在投影光學系統中：否間距等)’是否為定曝光之有關條件。又，：謂適：工田凋迻！係指當投影該投 1234195 影對象之圖案時，投麥〜光予糸統之成像性能可調整之^ m ，大致為最佳調整位置之調整量。 μ之乾圍右知用此種方式，則在最佳化處理步驟中之最佳化處理。订如下根據包含調聲梦罢，γ 衣置（係調整包含圖案資訊（只要是之圖案資訊擊即可，你h u 受疋已知丁— 如也可是設計值）之既定曝光侔杜下之該圖案之投影像木件有關對應該調整資訊之兮机少门i貝戒及、亥杈影光學系統（最佳化對象之氓光裝置之投影氺塾金#、 ^ ^ 少 ’、、、先）之成像性能之資訊、該圖案之攸正資訊、成像性能之容，^ β _ ·'、夕 & Λ 谷4粑圍之貧訊之複數種資訊，重福第1步驟（係在考廣今岡安灵心^圖案之修正資訊之目標曝光條在將該圖案取代為藉由兮你 > μ 巧稭由，亥修正貧訊修正所修正後之 :標曝繼：)，就每-曝光裝置算出該調整裝置= 田D周整里）、及弟2步驟（係依照該第1步驟所算出之各曝光裝置之適當調整量之該調整裴置(各曝光裝置之調整^

置）之調整結果，在上述目標曝光條件下，判斷至少H 光裝置之投影光學系統之既定成像性能是否在該容許；圍外，當該判斷結果，有在容許範圍外之成像性能之情形時 ’即根據該成像性能’依照既定基準，來設定該修正資訊 )，直到判斷該第2步驟之判斷結果，所有曝光裝置之投影光學系統之成像性能在容許範圍内。並且，在上述最佳化處理步驟中，當所有曝光裝置之投影光學系統之成像性能皆在容許範圍内時，亦即，藉由修正資訊之設定，沒有在容許範圍外之成像性能時，^從 10 1234195 一開始所有曝光裝置之投影光學系統之成像性能皆在容許 fe圍内時，即決定上述最佳化處理步驟所設定之修正資訊來作為圖案之修正資訊（決定步驟）。因此，當製造光罩之際，使用本發明之第丨圖案決定方法所決定之圖案之修正資訊或使用該修正資訊來修正原來圖案之圖案資訊，藉此能易於實現複數台曝光裝置能共用之光罩之製造（製作）。此時，該第2步驟包含：第1判斷步驟，係根據該第i步驟所算出之各曝光裝馨置之適g凋整1、與有關在該既定曝光條件下，該調整裝置之調整資訊及對應該調整資訊之投影光學系統之成像性能之資訊，判斷依據該適當調整量之該調整裝置之調整結果，在該目標曝光條件下，至少丨台曝光裝置之投影光學系統之既定成像性能是否在該容許範圍外；以及設定步驟，該第1判斷步驟之判斷結果，當至少丨台曝光裝置之投影光學系統之既定成像性能在該容許範圍外時，根據在該各泎範圍外之成像性能，依照既定基準，來設定該修正資訊。此日守’该弟2步驟係進^步包含有：第2判斷步驟，係根據該第丨步驟所算出之各曝光裝 ^之適當調整量，該設定程序中所設定之修正資訊，該既定曝光條件下該調整裝置之調查資訊及與此對應之該投影光學系統成像性能相關資訊，與該成像性能容許範圍之資訊，依據該適當調整量之曝光裝置調整結果，判斷在該目 11 1234195 標曝光條件下，至少1台曝光裝置之投影光學系統之既定成像性能是否在該容許範圍外。

此情形下，係在設定步驟設定修正資訊後，在第2判斷步驟中，根據該設定之修正資訊、其他之資訊（係在第工步驟所算出之各曝光裝置之適當調整量、既定曝光條件下調整裝置之調整資訊及對應該調整資訊之該投影光學系統之成像性能相關貢訊、以及成像性能之容許範圍之資訊），在設定該修正貢訊之前，依照第丨步驟所算出之適當調整量之調整裝置之調整結果，在該目標曝光條件下（在將該圖案取代為藉由該修正資訊修正所修正後之圖案之目標曝光條件下），判斷至少i台曝光裝置之投影光學系統之既定成像性能是否在容許範圍外。因此，#在第2判斷步驟 ’所有曝光裝置之投影光學系統之既定成像性能皆在容許範圍内時’不回到帛i步驟’而移至決定步驟’決定此時所。又疋之4正資汛來作為圖案之修正資訊。因此，回到第 L步私，再度异出適當調整量後，確認所有曝光裝置之投 ”光子系、之成像性能皆在容許範圍Θ，與決定圖案之修正貝Λ之情形相較，能用短時間來決定圖案之修正資訊。 ^本發明之第1圖案決定方法中，作為用來決定修正資訊之既定基準，係根據在容許範圍外之成像性能的基準，美“b :仃圖案之修正，俾使該成像性能在容許範圍内的基準。因Λ，例如，能將在該容許範圍外之成像性能之i /2當作修正資訊（修正值）。本^月之第1圖案決定方法中，該修正資訊能根據該 12 1234195 複數台曝光裝置既定之成像性能之殘留誤差之平均值來進行設定。本發明之第i圖案決定方法中，有關該成像性能之資訊為調整裝置之調整資訊、與在目標曝光條件下之調整裝置之最佳調整量之算出之基礎資訊即可，故能包含各種資訊。例如，有關該成像性能之資訊也能包含該既定曝光條件下調整後之該投影光學系統之波面像差之資訊，或有關該成像性能之資訊也能包含該投影光學系統之單體波面像差與該既定曝光條件下之該投影光學系統之成像性能之資訊。後者之情形，係假定投影光學系統單體（例如，將投波面像差）、

影光學系統裝入曝光裝置前）之波面像差（單體

與基準曝光條件丁之調整後之組裝狀態（即，將投影光學系統裝入曝光裝置後）之投影光學系統之波面像差偏移係對應調整裝置之調整量偏移者，#由運算，根據成像性能偏離理想狀態之程度，求出該調整量之修正量，根據該修正量，能求出波面像差之修正量。然後，根據該波面像差之修正量與單體波面像差與基準曝光條件下之調整裝置之位置基準之波面像差轉換值之資訊，能求出基準曝光條件下之調整後之投影光學系統之波面像差。本發明之第1圖案決定方法中，有關該成像性能之資訊，係在該既定曝光條件下該投影光學系統之成像性能與該成像性旎之既定目標值的差之資訊；該調整裝置之調整資訊係該調整裝置之調整量資訊；該第丨步驟，係使用前述差，顯示在該目標曝光條件下、該投影光學系統之成像 13 1234195 性能與Zernike多項式各項係數之關係白勺感度表 ’由表示該調整褒置之調整與該投影光學系統之波面像差，化之關係的參數群所構成的波面像差變化表，及該調整置之關係式，就各曝光裝置算出該適當的調整量。此處，成像性能之既定目標值亦包含成像性能(例如，像差）之目標值為零之情形。、在這種情形下’該關係式係包含用以對該2咖也多項式各項内之任意項進行加權之加權函數之式。在這種情形下，該加權，係被設定為在該目標曝光條_ 件下該投影光學系統之成像性能中，在容許範圍外之部分之加權變高。本發明之第1圖案決定方法，該第2步驟中至少1台曝光裝置之投影光學系統之成像性能是否在該容許範圍外之判斷’係根據該投影光學系統之成像性能、與該成像性能目標值的差來進行；該投影光學系統之成像性能，係根據該既定曝光條件下該調整裝置之調整資訊及對應此調整資訊=該投影光學系統之波面像差資訊、與根據該第i纟♦ 驟所异出之適當調整量所得之調整後的波面像差資訊，與 D玄目私曝光ir、件下t Zern lke感度表，就各曝光裝置所算出者。本^明之第1圖案決定方法，作為該目標曝光條件下之Zernike感度表，係使用考慮該第2步驟設定該修正資訊後，藉由計算所作成之該修正資訊之目標曝光條件下的 Zernike感度表。 14 1234195 本發明之第1圖案決定方法，該既定之目標值係在該投影光學系統之至少一個評價點之成像性能之目標值。在這種情形下，該成像性能之目標值係所選擇之代表點之成像性能之目標值。本發明之第1圖案決定方法中，該最佳化處理步驟，可進一步考慮以該調整裝置之調整量極限所規定之限制條件，來算出該適當調整量。本發明之第1圖案決定方法中，該最佳化處理步驟，

係將該投影光學系統之視野内之至少一部分當作最佳化場範圍，來算出該適當調整量。本發明之第1圖案決定方法，進一步包含重複次數限制步驟，其係判斷是否已重複該第i步驟與第2步驟既定次數，在判斷該第2步驟之全部曝光裴置之投影光學系統之成像性能在容許範圍内之前，判斷出已重複該既定次數時’即結束處g。例如’當成像性能之容許範圍非常小時，或不欲過度增大圖案之修正值之情形等時，前述最佳化處理步驟中，即使進行數次修正資訊（修正值）之設定，在滿足所要求之條件下，會發生不能算出所有曝光裝置之適當調整量之情形。在此情形下月小下由於係在重複第1步驟與第2步驟既定次數之時點，七0日 1、、、口釆處理，故能防止浪費無效時間。

本务明弟2觀點之光罩掣 • m安冰—丰_ , 衣化方法，其特徵在於，包含 •圖木决疋步·‘，係使用本發 ^…β π > 〜明之弟1圖案決定方法，來

決疋待形成於光罩之圖荦I 卞貝讯，以及圖案形成步驟，係使 15 1234195 用。亥，疋之圖案資訊，在空白光罩上形成圖案。則在圖案決定步驟中，採用本發明之第1圖 :::方法，㈣數台曝光裝置之投影光學系統來形成 ::之在任—台曝光裝置皆能將成像性能在容許範木之貧訊，決定為待形成於光罩之圖案之資m。圖圖案形成步驟中，使用該決定之圖案之資訊:將置二☆空白光罩上。因此，能易於製造複數台曝光裝置此共用之光罩。

…本發明第3觀點之帛！曝光方法，其特徵在於，包含 :搭载步驟，係將採用申請專利範圍第18項之製造方法所製造之光罩搭載於該複數台曝光裝置中之1台曝光裝置. ，及曝光步驟，係在㈣1台曝光裝置所具備之投影光學，統之成像性能配合該光罩圖案加以調整的狀態下，透過亥光罩及δ亥投影光學系統，使物體曝光。

若依此，將本發明第丨光罩之製造方法所製造之光罩裝載於該複數台曝光裝置中< !台曝光裝置，在配合該光罩之圖案，調整該1台曝光裝置所具備之投影光學系統之成像性能之狀態下，通過光罩及投影光學系統，將物體加以曝光。此處，形成於光罩之圖案係在該圖案資訊之決定 ^段，用複數台曝光裝置之任―纟，來進行決定俾使採用才又衫光學系統之成像性能在容許範圍内，故藉由配合上述 j罩圖案之投影光學系統之成像性能之調整，成像性能確實被調整在容許範圍内。這種情形之成像性能之調整係事先記憶在圖案資訊之決定階段所求出之成像性能之調整參 16 1234195 數（例如，調整機構之旦* 來谁一％ Μ ϋ 1里寺）之值，也可仍舊使用該值木進订s周整，也可再^ 。她 — X,出成像性能之調整參數之適當值〜之，糟由上述曝光，將 u將圖案咼精度轉印於物體上。本發明第4觀點之第風 2圖木決疋方法，係透過投影光子糸統將形成於光罩之圖囷案杈衫像形成於物體上之複數台曝光裝置所佬用、用^ 》、疋待形成於該光罩之圖案資訊，其特被在於：決定該圖宰要± 茱之貝甙，俾使用該複數台曝光裝置之投影光學系統來形成兮安旦烕μ圖木杈衫像時之既定成像性能

皆在容許範圍内。右依此’則當決定摩來点、卜應烙成於先罩之圖案資訊時，採複數台曝光裝置之投影朵風〜先子糸統之该圖案投影像之形成 ’決定該圖案資訊，俾傕既宗# 丨午便既疋成像性能也成為容許範圍〇因此，當製造光罩之ρ技，桢田士 U 使用本發明之第2圖案決定法所決定之圖案資訊，藉此能稍此月b易於貫現複數台曝光裝置共用之光罩之製造（製作）。

本發明第5觀點之第2光罩製造方法，其特徵在於，包含：圖案m驟，係使用本發明帛2圖案決定方法，來決定待形成於光罩之圖案資訊；以及圖案形成步驟，係使用該決定之圖案資訊，在空白光罩上形成圖案。若依此，則在圖案決定步驟中，採用本發明之第2圖案決定方》’以複數台曝光裝置之投影光學系統形成投影像之際在4壬σ曝光裝置皆能將成像性能在容許範圍内之圖案資訊決定為待形成於光罩之圖案資訊。其次，在圖案形成步驟中，使用該決定之圖案資訊，冑圖案形成於空 17 1234195 白光罩上。因a，能易於製造複數台曝光裝置能共用之光本發明第6觀點之第2曝光方法，其特徵在於，包含 :搭載步驟，係將使用本發明第2製造方法所製造之光罩搭載於該複數台曝光裝置中之！台曝光裝置；以及曝光步驟，係在將該i台曝光裝置所具備之投影光學“之成^ 性能配合該光罩之圖案加以調整的狀態下，透過該光罩及該投影光學系統使物體曝光。

若依此，則與該第丨曝光方法同樣之理由，圖案被高精度轉印於物體上。本發明第7觀點之投影光學系統之成像性能調整方法，、係調整投影光學系、統之成像性能，投影光學“係將形成於光罩之圖案投影至物體上，其特徵在於，包含：算出步驟，係使用既定曝光條件下，用來調整該投影光學系統所進行之該圖案投影像在物體上之形成狀態的調整裝置之調整資訊、及該投影光學系統之成像性能相關資訊：以及在光罩製造階段之該圖案的修正資訊，來算出在考慮該圖案之修正資訊之目標曝光條件下’該調整裝置之適當調整量；以及調整步驟，係依照該適當調整量來調整該調整裝置。右依此，係在既定曝光條件（投影條件）下，使用調整裝置之調整資訊及有關投影光學系統之成像性能之資訊、以及光罩製造階段之圖案修正資訊，在考慮該圖案修正資訊之目標曝光條件（投影條件）下，算出調整裝置之適當調 18 1234195 整量。因&，與不考慮圖案之修正資訊之情形相較，能管出投影光學糸統之成像性能更良好之調整量。&，當不: 慮圖案之修正找之情形，纟目標曝光條件下，即使投影光學系統之成像性能達到預定容許範圍内之調整量之算出困難之情形，在考；# 安4 ^ 芩。圈案之修正資訊之目標曝光條件下，算出調整裝置之調整量H有時能算“turn 之成像性能達到預定容許範圍内之調整量。

此處’光罩製造階段之圖案之修正資訊，例如，能藉由前述圖案之決定方法等來取得。又依據所t出之適當調整量，藉由調整該調整裝置，與不考慮'圖案修正資訊之情形相較，能將投影光學系統之成像性能調整的更為良好。因此，能對光罩上之圖案實貝長：南投影光學系統之成像性能之調整能力。

在這種情形下，有關該成像性能之資訊，包含在該既定曝光條件下調整後之該投影光學系統之波面像差之資訊。或者，有關該成像性能之資訊，包含在該既定曝光條件下该投影光學系統之成像性能之資訊。本發明之成像性能調整方法，有關該成像性能之資訊 ’係在該既定曝光條件下該投影光學系統之成像性能與該成像性能之既定目標值之差的資訊，該調整裝置之調整資訊，係該調整裝置之調整量資訊之情形時，該算出步驟，可使用Zern i ke感度表（係表示該目標曝光條件下之該投影光學系統之成像性能與Zernike多項式各項係數之關係）、波面像差變化表（係由表示該調整裝置之調整與該投影光 19 1234195 學系統之波面像差變化之參數群組所構成）、及該調整量之關係式，來算出該適當調整量。在這種情形下，該關係式，包含對該Zemike多項式各項内之任意項用來進行加權之加權函數之式。本發明第8觀點之第3曝光方法，係使用投影光學系統將形成於光罩之圖案轉印至物體上，其特徵在於，包含』凋整步，驟’係使用本發明之成像性能調整方法，來調整该目標曝光條件下，該投影光學系統之成像性能；以及轉印步驟，係使用已調整成像性能之投影光學系統，將該圖案轉印至該物體上。若依此，係使用本發明之成像性能調整方法，良好的调整投影光學系統之成像性能，&用該成像性能被良好調正之技衫光學系統，在該目標曝光條件下將該圖案轉印於物體上。因此，能將圖案高精度轉印於物體上。本發明第9觀點之圖案決定系統，係通過投影光學系統將形成於光罩之圖案投影像形成在物體上之複數台曝光裝置所使用、用以決定待形成於該光罩之圖案的資訊，其特徵在於，具備：複數台曝光裝置，係分別具有投影光學系統、與用以調整該圖案之投影像在物體上之形成狀態的调整裝置；以及電腦’其係透過通訊線路連接於該複數台曝光裝置；該電腦，係就從該複數台曝光裝置中所選擇之最佳化對象之曝光裝置，執行以下步驟··第1步驟，係根據包含該既定曝光條件（含該圖案之資訊）下該調整褒置之調整資訊及對應該調整資訊之該投影光學系統之成像性能 20 1234195 相關資訊、該圖案之修正資訊、與成像性能之容許範圍資 _ 訊的複數種資訊，就每一曝光裝置，算出在考慮該圖案2 修正資訊的目標曝光條件下該調整裝置之適當調整量第 2步驟，係判斷依照該第丨步驟所算出之各曝光裝^之= 當調整量的該調整裝置之調整結果，在該目標曝光條件^ ，、至少1台最佳化對象之曝光裝置之投影光學系統之既定成像性能是否在該容許範圍外，根據該判斷結果，根據在容許範圍外之成像性能，依照既定基準來設定該修正資訊」，佳化處理步驟，係在該第2步驟之判斷結果:判斷全 # :最佳化對象之曝光裝置之投影光學系、統之成像性能皆I f許範圍内之前，重複第丨及第2步驟；以及決定步驟，係^該所有最佳化對象之曝光裝置之投影光學系統之成像性能在容許範圍内時，將該最佳化處理步驟所設定之修正資訊’決定為圖案修正資訊。若依此’電腦係針對從通過通訊線路所連接之複數么曝光裝置中選擇之最佳化對象之曝光裝置，用最佳化H 步驟來進行如下之最佳化處理。鲁即’根據包含圖案資訊（只要是已知圖案資訊即可，如可以I < 疋。又叶值）之既定曝光條件下，調整該圖案之投$ 像之物μ 4 / 、 ^ ^ 形成狀態之調整裝置之調整資訊及有關對應舌亥整 j 、5之該投影光學系統（最佳化對象之曝光裝置投影光學& Μ λ ^ ’、、、死）之成像性能之資訊、該圖案之修正資訊、成像性能夕六 Μ 、與Μ 之各許乾圍之資訊之複數種資訊，重複第1步驟 2步私’直到判斷該第2步驟之判斷結果，所有之最 / 21 1234195 ^化對象之曝光裝置之投影光學系統之成像性能皆在容許乾圍内；該第1步驟係在考慮該圖案之修正資訊之目標曝光條件下（將該圖案取代為藉由該修正資訊所修正之修正後之圖案之目標曝光條件下），就每一曝光裝置，算出该凋整裝置之適當調整量；該第2步驟係依照該第丨步驟所异出之各曝光裝置之適當調整量之該調整裝置（各曝光裝置之調整裝置）之調整結果，在該目標曝光條件下，判斷至少1台之最佳化對象之曝光裝置之投影光學系統之既定成像性能是否在該容許範圍外，根據該判斷結果，有在容彳範圍外之成像性能時，根據該成像性能，依照既定之基準’設定該修正資訊）。又，在上述最佳化處理步驟中，當所有最佳化對象之曝光裝置之投影光學系統之成像性能皆在容許範圍内時，亦即，藉由修正資訊之設定而沒有在容許範圍外之成像性能時、或從一開始所有曝光裝置之投影光學系統皆在容許範圍内時形，電腦即用決定步驟，將上述最佳化處理步驟所設定之修正資訊決定為圖案之修正資訊。因此，當製造光罩之際，使用藉由本發明之圖案決定系統所決定之圖案修正資訊或該修正資訊，修正原來圖案之圖案資訊，即能易於製造複數台曝光裝置能共用之光罩 (製作）。在這種情形下，根據該第1步驟所算出之各曝光裝置之適S凋整置、該既定曝光條件下之該調整裝置之調整資訊及有Μ應該調整資訊之該投影光學系、统之成像性能之 22 1234195 資訊，依照該適當調黎旦該目標曝光條件下執行二:周整衣置之'周整結果’能在化對象之曝光裝置之該容許範㈣）、既疋成像性能是否在又力驟（係根據該第1判斷步驟之判歐Γ結果，至少〗A曰a , ,. °取土匕對象之曝光裝置之投影光學系統之成像性能在該容耸龁岡 ^ ,4 At . °圍卜日"，根據在該容許範圍外之成像性m、既定基準，來設定修正資訊）。

之高合、種^形下’根據該帛1步驟所算出之各曝光裝置 ::調整量、該既定步驟所設定之修正資訊、該既定曝木件T之該調整裝置之調整資訊及有關對應該調整資訊 =投影^㈣統之成像性能之資訊、及該成像性能之容軏圍之貝„fl ’依照該適當調整量之該調整裝置之調整結果’即能在該目標曝光條件下進—步執行帛2判斷步驟，其，判斷至少丨台最佳㈣象之曝^置之投影光學系統既定之成像性能是否在該容許範圍外。

本發明之圖案決定系統’該既定基準係根據在容許範圍外之成冑性能的基I，且係進#圖案之修正俾使性能在容許範圍内的基準。本發明之圖案決定系統’該電腦係在該最佳化處理步驟中，根據該複數台最佳化對象之曝光裝置之成像性能之殘留誤差的平均值，來設定該修正資訊。本發明之圖案決定系統，該投影光學系統之成像性能相資訊，係在該既定曝光條件下該投影光學系統之成像性能與該成像性能之既定目標值之差的資訊；該調整褒置之 23 1234195 調整資訊，係該調整裝置調整量之資訊；該電腦在該第：步驟中，使用該差、顯示該目標曝光條件下該投影光學系統之成像性能與Zermke多項式各項係數之關係的

Zerruke感度表、由顯示該調整裝置之調整與該投影光學系統之波面像差變化之關係的參數群組所構成的波面像差變化表、以及與該調整量之關係式，就每一曝光裝置算出 6亥適當之調整量〇在這種情形下，該既定目標值係從外部輸入、於該投影光學系統之至少一個評價點之成像性能的目標值。在這種情形下，該成像性能之目標值係所選擇之代表

點之成像性能之目標值，或該成像性能之目標值，係使用像差分解法將該投影光學系統之成像性能加以成分分解，以該分解後之分解係數為基準，將為了改善不佳成分而設定之係數之目標值加以轉換之成像性能之目標值。

本發明之圖案決定系統，該關係式包含用以對該 Zern i ke夕項式各項内之任意進行加權之加權函數之式 ^在這種情形下，該電腦係在該既定曝光條件下，在容许耗圍之内部與外冑，用顏色區分來顯示該投影光學系統之成像H % i進_步執行顯示該加權之^定畫面的步驟本發明之圖案決定系統，該加權，係在該目標曝件下m〜光n统之成像性能中，將容許範圍外的加權設定得較高。 77 本金明之圖案決定系統，該電腦係根據該目標曝光條 24 1234195 件下之該投影光學系統之成像性能、與該成像性能之該目標值的差，來判斷至少1台曝光裝置之投影光學系統之既定成像性能是否在該容許範圍外；該目標曝光條件下該投影光學系統之成像性能，係根據調整後之波面像差資訊、與Zernike感度表，就每一曝光裝置算出；該調整後之波面像差資訊’係根據該既定曝光條件下該調整裝置之調整資訊及對應該調整資訊之投影光學系統之成像性能資訊、與該第1步驟所算出之適當調整量所得；該Zernike感度表’係顯示該目標曝光條件下該投影光學系統之成像性能、與Zernike多項式各項係數之關係。本發明之圖案決定系統，該電腦係在該第2步驟中，設定該修正資訊後，在考慮該修正資訊之目標曝光條件下，藉由计异來作成Zernike感度表，然後，使用該

Zermke感度表來作為在該目標曝光條件下之感度表。〜本舍明之圖案決定系、統，該既定之目標值係從外部輸入Wx Μ光學系統之至少1個評價點之成像性能之目標值0 在运種情形Τ 1成像性能點之成像性能之目標值本發明之圖牵沬仝么口木成疋糸統，該電腦係在該最佳化虛牛驟中，進一步者唐获y 可乜猎由採用該調整裝置之調整量之極限所決定之限制條件，算出該適當調整量。本^明之圖案決定系統，在該電腦中，能從外部設定 25 1234195 ’將該投影光學系統之視野内至少一部分當作最佳化場範圍。本發明之圖案決定系統，該電腦係判斷是否已重複該 =1步驟與第2步驟既定次數’在判斷該第2步驟中所有最佳化對象之曝光裝置之投影光學系統之成像性能皆在容許範圍内之前，韻已重複既定次數時，即結束處理。、本發明之®案決定系、統，該電腦係能控制該複數台曝光裝置之任一構成各部之控制用電腦。本發明10觀點之曝光裝置，係通過投影光學系統將形成於光罩之圖案轉印在物體上，其特徵在於，具備：調整裝置，係、用以調整該投影光學系統所進行《該圖案之投影像在物體上之形成狀態；以及處理裝置，係透透過訊號線連接於該調整裝置，使用既定曝光條件下之該調整資訊及 f投影光學系統之成像性能相關資訊、以及在光罩製造階奴之B亥圖案之修正資訊，來算出考慮該圖案修正資訊之目光條件下該調整裝置之適當調整量，根據該算出之調正里，來控制該調整裝置。若依此，則藉由處理裝置，在既定曝光條件下，使用 I周整貧訊及有關該投影光學系統之成像性能之資訊、以 =罩製造階段之該圖案之修正資訊，在考慮該圖案之修 =目標曝光條件下’算出該調整裝置之適當調整量根據该所算出之調整量，來控制該調整裝置。使用罩製造階段之圖案修正資訊，例如，能藉由使用別述圖案決定方法等來加以取得。這種情形，與不考 26 1234195 慮圖案修正資％貝汛之t月形相較，處理裝置統之成像W® 月匕π出才又衫先學系之'" 調整量。又，在不考慮圖案修… 成像性能在預定衮杈〜先子糸統之你頂疋奋4乾圍内之調整量置也能在考慮圖案修、^ ’处理裝調整量，藉此，有時條件下，算出裝置之有&此异出投影光學系定容許範圍内。麸銘分几心攻傢Γ生此在預制該碉整壯署：、所算出之調整量’處理裝置控 A，猎此投影光學系統之成像性與不考慮圖荦你正貝汛之情形相較，能 5周整。因此，通過該 :周t:投影光學系統，將光罩上之圖案轉印於物體上，猎此旎將圖案高精度轉印於物體上。本發明第11觀點之記錄媒體，其記錄有程式，該程式係使電腦執行用來設計透過投影光學系統將形成於光罩之圖案投影像形成於物體上之複數台曝光震置所使用之該光罩的既定處理’其特徵在於，使該電腦執行以下步驟：第 1步驟’係根據包含在既定曝光條件下(含該圖案之資訊） ’調整該圖案投影像在物體上之形成狀態之調整裝置之調整資訊及對應此調整資訊之該投影光學系統之成像性能相關資訊、該圖案之修正資訊、成像性能之容許範圍資訊的複數種資訊’就每-曝光裝置算出在考慮該圖案修正資訊之目標曝光條件下該調整裝置之適當調整量；第2步驟，係依據該第1步驟所算出之各曝光裝置之適當調整量之該調整裝置之調整結果，判斷在該目標曝光條件下，至少j 台曝光裝置之投影光學系統之既定成像性能是否在該容許 27 1234195 範圍外，該判斷結果，根據在容許範圍外之成像性能，依 ^既疋基準’來設定該修正資訊；最佳化處理步驟，係反復该第1步驟與該帛2步·驟，直到第2步驟之判斷結果，所有曝光裝置之投影光學系統之成像性能皆在容許範圍内 ’以及決疋步驟’係在該所有曝光裝置之投影光學系統之成像性肥ό在谷许範圍内時，將該最佳化處理步驟所設定之該修正資訊，決定為圖案修正資訊。若在女衣有遺私式之電腦中，輸入包含各曝光裝置之既疋曝光备、件下之調整裝i之調*資訊及有關對應該調整資訊之該投影光學系統成像性能之資訊、該圖案之修正資 Λ、成像性能之容許範圍之資訊之複數種資訊，響應此輸入，電腦即進行如下之最佳化處理步驟之處理。。η亦即，在包含圖案資訊（只要是已知圖案資訊，例如亦 σ疋又汁值）之既定曝光條件下，根據包含··調整該圖案杈知像之物體上之形成狀態之調整裝置之調整資訊及有關 =相整貢訊之該投影光學系、統之成像性能之資訊、該圖木之正貝矾、成像性能之容許範圍資訊之複數種資訊安在1第^步驟之判斷結果，重複第i步驟（係在考慮該圖 :之正貝汛之目標曝光條件下（係將該圖案取代為藉由忒修正貝訊進行修正後之圖案之目標曝光條件下），在各曝：裝置算出該調整裝置之適當調整量)與第2步驟(依照該第1步驟所算出之各曝光裝置之適當調整量之該調整裝置(各曝光裝置之調整裝置)之調整結果，在上述目標曝‘ 备、件下姜,J斷至少1台曝光裝置之投影光學系統之既定成 28 1234195 像性能是否在該容許範圍外，該判斷之結果，當在圍外之成像性能之情形，根據該成像性能，依照既定基準 :设定該修正資訊），直到判斷所有曝光裝置之投影光學系統之成像性能皆在容許範圍内。 :後’在上述最佳化處理步驟中，當該所有曝光裝置之投影光學系統之成像性能在容許範圍内時，即，當藉由 ^正育訊之μ，沒有在料||@外之成像性能時，^從 -開始所有曝光裝置之投影光學系統之成像性能皆在容許範圍内時，則電腦決定上述最佳化處理步驟所設定之該修正貧訊作為圖案修正資訊（決定步驟）。 ^ 制=此，使用上述決定之圖案修正資訊或該修正資訊，在衣造光罩之際使用修正原來®案之B案資訊，與前述同樣的，旎易於製作複數台曝光裝置能共用之光罩（製作）^ 亦即，右依本發明之程式，則使用電腦能易於設計複數台曝光裝置能共用之光罩。在這種h形下，作為該第2步驟，係使該電腦執行下」v知·第1判斷步驟，係根據該第丨步驟所算出之各曝光衣置之適當調整量、與該既定曝光條件下該調整裝置之 °周整貝訊及董子應該言周I資訊之投景多《學系…统之成像性能相關貝Λ，判斷依照該適當調整量之該調整裝置之調整結果。亥目標曝光條件下，至少1台曝光裝置之投影光學系統 ^既定成像性能是否在該容許範圍外；以及設定步驟，係該第1步驟之判斷結果，至少1台曝光裝置之投影光學系先之成像性忐在該容許範圍外時，根據在該容許範圍外之 29 1234195 成像性能’依據既定基準來設定修正資訊。 —^在這種情形下，作為第2步驟，係進一步使該電腦執订第2判斷步驟，其係根據該第丨步驟所算出之各曝光裝置之適當調整量、該設定步驟所設定之修正資訊、該既定曝光條件下該調整裝置之調整資訊及對應該調整資訊之投影光學系統之成像性能相關資訊、及該成像性能之容許範圍之資訊，判斷依照該適當調整量之該調整裝置之調整結果，在該目標曝光條件下，至少1台曝光裝置之投影光學系統之既定成像性能是否在該容許範圍外。本發明之程式中，該既定基準，係根據在容許範圍外之成像性能的基準，且係進行圖案之修正俾使該成像性能在容許範圍内的基準，也是根據該複數台曝光裝置之成像性能之殘留誤差之平均值來設定該修正資訊的基準。本發明之程式中，該成像性能之資訊，包含在既定曝光條件下調整後之該投影光學系統之波面像差相關資訊，或該成像性能之資訊，包含該投影光學系統之單體波面像差、與該既定曝光條件下之該影光學系統之成像性能相關資訊。本發明之程式中，該投影光學系統之成像性能相關資訊，係該既定曝光條件下該投影光學系統之成像性能與該成像性能之既定目標值之差值的資訊；該調整裝置之調整資訊，係該調整裝置之調整量資訊；作為該第i步驟，使電腦執行以下步驟，亦即使用前述差、顯示該目標曝光條件下該投影光學系統之成像性能與Zernike多項式各項係 30 1234195 數間之關係的Zernike感度表、由顯示該調整裝置之調整與该技衫光學系統之波面像差變化之關係之參數群所構成的波面像差變化表、及與該調整量之關係式，就每裝置异出該適當調整量。在這種情形下’也能使該電腦進—步執行顯示該投麥光學系統視野内之各評價點之該目標值之設定晝面之步驟，或使該電腦進一步執行：採用像差分解法，將該投影光學系統之成像性能加以成分分解，並且與該分解後之分解係數，顯示該目韓佶，执令金二々止一曰铩值之-疋晝面之步驟；及將與該設定畫面之顯不響應而設定之择备曰# 又疋t係數目軚值轉換為該成像性能目標值之步驟。本电明之程式中’進一步使該電腦執行下列步驟，亦即’顯示在該投影光學系統視野内各評價點之該目標值設定畫面，或進-步使該電腦執行以下步驟：顯示步驟，係使^像差分解法’將該投影光學系统之成像性能加以成分分解，與该分解後之分解係數一起吳顯不該目標值之設定晝面；以及轉換步驟，係將響應該設面顯不所设疋之係數目標值轉換為該成像性能之桿 ^ 曰知值。該關係式，係對該

Zennke多項式各項内之任意項卜、仃用以加權之加權函數之式。在這種情形下，進一步 . "使。玄电骗執行，在該基準之曝先I件下，在容許範圍之内部盥盘么„ 丄、a ” Γ砕，分色顯示該投影光子糸、、充之成像性能，並且顯示該加 ^ — 之έ又定晝面的步驟。本發明之程式，係在該第2 ‘中，根據該目標曝光 31 1234195

條件下該投影光學系統之成像性能、與該成像性能之該目標值之差，使該電腦判斷至少丨台曝光裝置之投影光學系統之既定成像性能是否在該容許範圍外；該目標曝光條件下該投影光學系統之成像性能，係根據調整後波面像差之資訊、與Zermke感度表，就每一曝光裝置算出；該調整後波面像差之資訊，係根據在該既定曝光條件下該調整裝置之調整貧訊及對應該調整資訊之該投影光學系統之波面像差資訊、與該第丨步驟所算出之適當調整量所得； Zernike感度表，係顯示在該目標曝光條件下該投影光學系統之成像性能與Zerrnke多項式各項係數的關係。步驟中，使該電腦執行以本發明之程式，係於該第下步m該修正資訊後’藉由計算製作考慮該修正資訊之目標曝光條件下的Zernike感度表，之後，使用該

Zerruke感度表來作為該目標曝光條件下之2咖如感度表0

本發明之程式，係判斷是否重複該第1步驟與第2步 ,、、：无疋人it Θ斷所有曝光裝置之投影光學系統成像性能係容許範圍内之前’當判斷重複該既定次數之情形，使該電腦進一步執行結束處理之步驟。本::明第12觀點之來看的話，本發明係資訊記錄媒 ’其係藉由記錄本發明程式之電腦，能加以讀取。

、又’在微影步驟中，使用本發明之第丨〜帛3曝光法中之任一福古、JL 裡力忐，將元件圖案轉印於感應物體上，在應物體上高艢$泌Α、^ 又/成兀件圖案，藉此，能良率高地製造 32 1234195 高積體度之微元件。因此，若從其他觀點來看的話，本發明可說是包含使用本發明之m 3曝光方法中之二種方法，來將元件圖案轉印於感應物體上之步驟之元件製造方法。 < 【實施方式】以下，根據第1圖〜第18圖，說明本發明之一實施形態。 / 第1圖係表示一實施形態中作為圖案決定系統之元件製造系統1 0之全體構成的部分省略圖。 _ 該第1圖所示之元件製造系統丨〇，係構築於曝光裝置等之元件製造裝置使用者之元件製造商（以下，簡稱「製造商A」）之半導體工場内之公司内LAN系統。該電腦系統 10，具備··微影系統912(包含第}電腦92〇，設置於潔淨室）、標線片設計系統932(包含在構成該微影系統912之弟1電腦920 ’通過當作通訊線路之本地區域網路 (LAN)926所連接之第2電腦930)、及標線片製造系統942( 包含在第2電腦930，通過LAN936所連接之工程管理用之 ® 電腦940，設置於另”潔淨室）。該微影系統912，包含透過LAN918相互連接之中型電腦所構成之第1電腦920、第1曝光裝置922i、第2曝光裝置9222 ........第N曝光裝置922N、（以下，總稱「曝光裝置922」）之構成。第2圖係表示該第1曝光裝置922ι之概略構成。該曝光裝置9221係在曝光用光源（以下，稱為「光源」），使用 · 33 ^234195 脈衝雷射光源之步進及播 4田方式之％描型投影曝光裝置，即所έ胃之掃描步進器（掃描)。曝光衣置922,，具備：由光源J 6及照明光學系統12 所構成之照㈣、標線片心脱（係藉由當作來自該照明系之能量束之曝光用照明光EL，當作保持所照明之光罩之標線片R之光罩載台）、投影光學系統pL(係將從標線片r 射出之曝光用照明光EL投射於當作物體之晶圓w±(像面上）、晶圓載台WSK搭載保持晶圓？之z傾斜载台58)、及該等之控制系統等。作為光源16,此處，係使用輸出F2雷射（輪出波長為 157随）或ArF準分子雷射（輸出波長& 193_)等直空紫外域之脈衝光之脈衝紫外光源。又，作為光源、16，也可使用

KrF準分子雷射（輸出波長為248_等遠紫外域或紫外域之脈衝光之光源。 ^ "亥光源1 6，實際上，收藏曝光裝置（其係由照明光學系統12之各構成要件及標線片載台RST、投影光學系統^ 、及晶圓載台WST等所構成）本體之處理室11係與所設置之β淨至°又置於其他潔淨度低之服務室，在處理室丨丨中，係透過未圖*之送光用光學系統（至少一部分包含稱為光束匹配單體之光軸調整用光學系統)來連接。至於這種光源16,根據來自主控制裝置5〇之控制資訊Ts，藉由内部之控制為、，來控制雷射光束LB輸出之開/關、雷射光束 LB之平均1脈衝之能量、振盪頻率（重複頻率）、中心波長及頻譜半值寬（波長寬）等。 34 1234195 哭(:二明先統12，具備:柱型透鏡、包含光束擴展 :不)及光學積分儀22等光束整形/照度均勻化光 …0、照明系孔徑光闌板24、第i中繼透鏡28 中繼透鏡28B、固定標線片遮簾3〇a、可動標線片遮簾 =、光程彎曲用反射鏡M及聚光透鏡32等。又，作為光 =儀，能使用複眼透鏡、捍型積分儀(内面反射型積刀、—’、或折射光學元件等。在本實施形態中，由於係使用複眼透鏡來作為光學積分儀22 ^ 22。谓刀儀“故以下也稱為複眼透鏡該光束整形/照度均勾化光學系統2〇，係透過設於處理室U <光透過窗17,連接於未圖示之送光用光學系統。此光束整形、照度均句化光學系統2。，例如係使用柱型透鏡與光束擴展器，來將發自光源16透光透過窗Η射入之雷射光束LB之截面形狀加以整形。並且，位於光束整形、照度均句化光學系統20内部之射出端側之複眼透鏡Μ ’為了以均勾之照度分布來照明標線片R，藉由該截面形狀被整形之雷射光束LB之射人，在配置得俾使與照明光學系統12之瞳面大致-致之該射出側焦點面，形成由多數點光源（光源像）所構成之面光源（2次光源）。以下，從該2 次光源所射出之雷射光束稱為「照明光EL 。在複眼透鏡22之射出側焦點面附近，配置了由圓板狀構件所構成之照明系孔徑光闌板24。在該照明系孔徑光闌板24上，以大致等角度間隔，例如，由通常之圓形開口所構成之孔徑光闌（通常錢）、用來縮小由小的圓形開所構 35 1234195 成之同調因子（coherence factor) σ值之孔徑光闌（小σ光闌）、環帶照明用之環帶狀之孔徑光闌（環帶光闌）、及變形光源法用，使複數個開口偏心配置而成之變形孔徑光闌（在第1圖中，只圖示2種之孔徑光闌）等。該照明系孔徑光闌板24係藉由主控制裝置5〇所控制之馬達等驅動裝置4〇，來加以旋轉，藉此，任一個孔徑光闌係在照明光乩之光程上，被選擇性地設定，後述之柯勒（K〇ehler)照明中之光源面形狀係被限制於環帶、小圓形、大圓形、或第四種等

〇

還有，取代^•、明系孔徑光闌板2 4，或與照明系孔徑光闌板24組合，例如，在照明光學系統之瞳面上相異之區域 ’使照明光分布’在光源16與光學積分儀之間，配置：複數個繞射光學元件(係交換配置於照明光學系統内）、複數個菱鏡(圓錐菱鏡、多面體菱鏡等，、沿著照明光學系統之光軸IX，至少一個可動，即，有關照明光學系統光軸方向之間隔為可變）、及光學單元(成形光學系統，至少包含；個變焦光學系統），當光學積分儀22為複眼透鏡時，變更㈣入面上之照明光之強度分布，當光學積分儀22為内面 :射f積分儀時，對該射入面變更照明光之射入角度範園 :错此希望抑制照明光學系統之瞳面上之照明光之光量分布(2 :欠光源之大小與形狀），即希望抑制變更標之照明條件所造成之光量損失。χ，本實施形態中，藉由 :面反射型積分儀所形成之複數個光源像（虛像）也稱為2 ' '、又不僅可設定照明光學系統光瞳面上之照明光 36 1234195 光里刀布，也可將以光斑（f〗are)之減光為目的之可變孔徑光闌（虹彩光圈）與該成形光學系統併用。在攸照明系孔徑光闌板24射出之照明光EL之光程上係"在固疋標線片遮簾30A及可動標線片遮簾3〇b，配置了由第1中繼透鏡28A及第2中繼透鏡28B所構成之中繼光學系統。固疋標線片遮簾30A係配置於從對標線片R之圖案面之共軛面稍散焦之面，在標線片1?上，形成規定照明區域 UR之矩形開口。又，在該固定標線片遮簾30A之附近，配置了可動標線片遮簾3〇B(具有對應掃描方向之位置及寬可變之開口部）’在掃描曝光之開始時及結束時，通過該可動橾線片遮簾30B ’進一步限制照明區域iar，來防止不 :部分之曝光。並且’可動標線片遮$ 3〇β，關於對應與掃祸方向正父之非掃描方向之方向’ ％口部之寬度係可變 ’依據應轉印於晶圓上之標線片R之圖案，能調整照明區域1A'之非掃描方向之寬。此外，本實施形態，將固定標線片遮簾30A加以散焦配置，藉此，將有關標線片r上之照明光IL之掃描方向之強度分布大致作成台形狀，但採用其他構成，例如，也可周邊部減光率逐漸變高之濃度濾波裔’或也可將部分繞射照明光之繞射光學元件等配置於日召明光：系統内，將照明光IL之強度分布作成台形狀。又’:、 =本實施形態’設置固定標線片遮簾3〇A與可動標線片遮簾30B ’但也可不設置固定標線片遮簾，只當作可動標線片遮簾。進—步使用内面反射型積分儀（從矩形射出面與 37 1234195 標線片圖案面之共軛面稍分開配置）當作光學積分儀此時，例如，為了與標線片之與内面反射型積分儀之射出面也可不要固定標線片遮簾。圖案面之共軛面大致一致，接近，配置可動標線片遮簾（遮罩片）。在構成中繼光學系統之第2中繼透鏡28B後方之照明光EL之光程上，將通過該第2中繼透鏡28b之照明光el 反射向標線片R之彎曲反射鏡M，在此反射鏡M後方之照明光EL之光程上，配置聚光透鏡3 2。、上構成中，複眼透鏡2 2之射入面、可動標線片遮簾 30B之配置面、及標線片R之圖案面（投影光學系統凡之物體面）係被設定成在光學上彼此共軛，形成於複眼透鏡 22之射出側焦點面之光源面（照明光學系統之瞳面）、投影光子系、、先PL之傅立葉轉換面（射出瞳面）係被設定成在光學上彼此共輛’成為柯勒（Koehler)照明系。 /若簡單說明這種構成之照明系之作用，則從光源16脈衝發光之雷射光束LB係射入光束整形、照度均勻化光學系統20，截面形狀被整形後，射入複眼透鏡22。因此，在複眼透鏡22之射出側焦點面，形成前述2次光源。 k上述2次光源射出之照明光EL，通過照明系孔徑光闌板24上之任一孔徑光闌後，經由第丨中繼透鏡28a，通過固定標線片遮簾30A及可動標線片遮簾3〇β之開口後，通過第2中繼透鏡28B，藉由反射鏡M將光程彎曲向垂直下方後，經由聚光透鏡32以均勻之照明分布來照明保持於標線片載台RST上之標線片

38 1234195 物。照明區…在x轴方向細長延伸， ::投影光學系統PL之光軸AX大致一致。该標線片載台靜電夹上，裝載標線片R，透過未圖示之包入碩（或真空夹 RST係藉由包八绫极、吸著保持。標線片載台 ^ . k, 3'馬達等未圖示之標線片載台驅動部，指第）内镟小驅動，且在掃描方向（此處係曰乐1圖之紙面左古行掃γ。姆6 ΰ之γ軸方向），用既定行程範圍進

片载:RST A片載台RST之ΧΥ面内之位置係透過設於標線，以^ 或形叙反射面，藉由標線片雷奸涉儀54R 旦 U· 5〜1·程度之分解能）來測里’该測量結果供應給主㈣裝置5〇。又有’標線片R所你開斤使用之材貝必須依照使用光源來分開使用。即，以ArF準分子帝矣+ r d 、隹' 本、、店π士平刀于田射、KrF準分子雷射來作為先源日守，能使用石英、氟嚷t 寺之鼠化物結晶、或摻氟石英寺，但使用F2雷射時，必須用翁工μ ^ # 八亂石寻之氟化物結晶 '或摻氣素石英等來形成。作為投影光學㈣PL，例如，使用兩側遠心之縮小系。該投影光學系統PL之投影倍率，例如係"[Μ或 1/6等。因此’如前述般，以照明光EL來照射標線片R 上之照明區域IAR’形成於該標線片R之圖案即被投影光學系統PL將以該投影倍率縮小之像形成於表面塗有光阻（感光劑）之晶圓w上之狹縫狀曝光區域（與照明區域ur共輛之區域）IA。作為投影光學系統PL，如第2圖所示，係使用由複數 39 1234195 例如’僅由10〜20片左右之折射光學元件(透鏡元件透/斤構成之折射系。在構成該投影光學系統PL之複數片鏡:件13中，物體面側（標線片R側）之複數以此處， :了簡化祝明’设““之透鏡元件。!、；^、；^、：^ 5系使用成像性月巨修正控㈣器、48，從外部成為可驅動可動透鏡。透鏡元件％〜％係分別通過未圖示之雙重〜造之透鏡支持器，加以保持於鏡筒。這些透鏡元件％ :135係分別保持於内側透鏡保持器，這些内側透鏡保持哭1 糟由未圖示之驅動元件，例如，壓電元件等，在重力方向 ’以3點支持於外側透鏡保持器。又，對上述驅動元件獨立的施加電壓以進行調整，即能往投影光學PL之光軸方向 (z軸方向）’分別位移驅動透鏡元件1^〜135、及在對面之傾斜方向(亦即繞X軸之旋轉方向（θχ)及繞γ軸之旋轉方向’分別驅動（能傾斜）透鏡元件ΐ3ι〜％之構成。除此以外之透鏡元件13,係通過一般的透鏡保持器保持於鏡筒。又，不限於透鏡元件％〜％，亦可是能驅動配置於投影光學系統PL之光瞳面附近或像面側之透鏡、或投影光學系統PL之像差、特別係修正該非旋轉對稱成分之像差修正板（光學板）等之構成。再者，該等可驅動之光學元件之自由度（能移動之方向）並不限於3個，也可是丨個、2個或4個以上。又，投影光學系統凡之鏡筒構造或透鏡元件之驅動機構不受限於上述構成，任意構成也無妨。又’在投影光學系統PL光瞳面之附近設有光瞳孔徑光 40 1234195 闌15(係在既定範圍内能連續變更數值孔徑（na))。作為該光目里孔徑光闌丨5，例如，係使用所謂之彩虹光闌。該光瞳孔徑光闌15，係以主控制裝置5〇來加以控制。。又，作為照明光EL使用ArF準分子雷射光、KrF準分子雷射光時，作為構成投影光學系、统PL之各透鏡元件，除了能使用氟石等氟化物結晶或前述之摻氟素石英之外，也能使用合成石英，但使用雷射光時，該投影光學系統扎所使用之透鏡之材質，則全部使用氣石等氣化氟素石英。該晶圓載台WST，係藉由包含線性馬達等之晶圓載A :區動部56,而能在XY2維面内自由驅動。在搭載於該晶；载” ST上之2傾斜載台58上，通過未圖示之晶圓保持器曰曰圓W係藉由靜電吸附（或真空吸附）等來加以支持。又1傾斜載台58係在晶圓載台WST上，藉由未圖示動系’在Z軸方向之移動及對以平面之傾斜方向(即旋轉方向(θχ)及繞γ轴之旋轉方向㈣)，成為力（此傾斜）之構成。藉此，保持於ζ傾斜載A 58上之二圓W之面位置(2轴方向位置及對心面之轉所欲之狀態。 =者’在2傾斜載台58上固^有移動鏡㈣，藉由配方丨之晶圓雷射干涉儀54W’測量2傾斜載台58之又轴 …γ軸方向及θζ(繞z轴之旋轉方向）之位置，以干步義54W測量之位置f訊供應給主控制裝m = 5〇根據該干涉儀54ff #工制#置丁 ^儀之測里值，透過晶圓載台驅動 41 1234195 包含所有晶圓載台WST之驅動系及2傾斜載台58之驅動系 )’控制晶圓載台WST(及Z傾斜载台58)。又，亦可取代移動鏡52W，例如，使用將Z傾斜載台58之端面（側面）予以鏡面加工所形成之反射面。又’在Z傾斜載台58上’固定有後述對準系alg之基線測量用基準記號等基準記號之基準記號FM，其係被固疋為其表面與晶圓w之表面大致同一高度。 μ 又，在Ζ傾斜載台58之+ "(第2圖之紙面内右側）之側面，安裝有作為拆裝自如之手提式波面測量裝置之波面像差測量器80。該波面像差測量器80，如第3圖所示，具備有：中空之框體82、文光光學系統84 (係在該框體82之内部，以既定位置關係配置之複數個光學元件所構成）、受光部⑽（係配置於框體82内部之—X側端部）。

该框體82 ’係由Χζ截面呈L字形、内部形成空間構件所構成’其最上部(+ ζ方向端部），為使來自框體上方之光射入框體82之内部空間，形成俯視(從上方看) 形之開口 82a。又，為了從框體82之内部側覆蓋該開仏’設置有玻璃i 88。在玻璃蓋88之上面，藉由絡等屬蒸鍍，在中央部形成具有圓形開口之遮光膜，藉由該光膜’在測量投影光學系統PL之波面像差時，遮蔽來自圍之不要光射入受光光學系統84。该叉光光學系統84，係在框體82内部之玻璃蓋88 · ϋ#下依序配置，由物 84a、中繼透鏡84b , 42 1234195 弓曲反射鏡84c、準直透鏡84d(依序配置於該彎曲反射鏡 84c之一X側）及微透鏡陣列84e所構成。彎曲反射鏡84c 係45°傾斜設置，藉由該管曲反射鏡84c，將從上方往下垂直射入物鏡84a之射入光之光程彎曲向準直透鏡84d。又，構成此受光光學系統84之各光學構件，係透過未圖示之保持構件分別固定於框體82壁之内側。該微透鏡陣列 84e，其複數個小凸透鏡（透鏡元件）係在對光程正交之面内陣列狀配置構成。該受光部86,係由受光元件(由2維⑽等所構成）、與例如電荷轉送控制電路等之電氣電路等構成。受光元件係射入物鏡84a，接收從微透鏡陣列8杬所射出之所有光束，故具有充分之面積。還有，藉由受光部86之計側資料係通過未圖示之訊號線，或用無線傳送訊號輸出至主控制裝置50。藉由上述波面像差測量器80之使用’能在組裝（〇n body)狀態下進行投影光學系統pL之波面像差之測量。再者’使用該波面像差測量器80之投影光學系統PL之波面像差之測量方法，留待後述。回到第2圖’本實施形態之曝光裝置叫中，設置昭射系_有以主控制裝置5〇進行開，關控制之光源，向投影光學系統PL之成像面’從相對光軸Αχ之斜方向昭射用來形成多數引線孔或狹縫像之成像光束）、及射入方式之多點焦點位置檢出系(由受光系_所構成，該受光系 6〇b係接收該等成像光束在晶圓w表面之反射光束，以下 43 1234195 :焦點位置檢出系」）。作為該焦點位置檢出系（60a 如，係使用與曰本特開平一號公報及對國專利第5,448,332號等所揭示之同樣構成内去人/利所指定之指定國（或所選擇之選擇國）之國内法7允岭範圍内，援用上 .go ^ ^ A報及吳國專利之揭示作為本況明書記载之一部分。又’揭示於上述公郝；^呈阳击Μ 報及吴國專利之焦點位置檢出系，不僅在W述曝光區域IA内，甘日/从,丨u 照射之測量點，”質上二：外側也設定被成像光束口— 、貝上，也可僅在曝光區域IA之内部， /、u又疋锻數個測量點。又^ ^ 你贴兀昍谷則里”，，占成像先束之照射區域七狀不限於引線孔或狹邊形或菱形等。 & 了疋其料狀，例如平形四主控制裝置50’在曝光時等，根據來自受光系咖之焦點偏離訊號（散隹气鲈） d政，、、、Λ唬），例如，根據s曲線訊號，為 j偏離為零，透過晶圓载台驅動部5 位置及XY面之傾斜，莪卜μ W你之Ζ 、斜稭此來執行自動聚焦及自動調平。於=制裝置5G係在測量後述波面像差時，使用焦檢出系（60a、60b)，谁耔、* π你¥ )進仃波面像差測量器80之Ζ位置之測里及對位。此時，亦可視需要進行波面像差測量斜測量。 ^ 進一步，曝光裝置922]具備離軸(〇ff_axis)方式之對準系ALG，其係使用形成於被保持在晶圓載台謂上之曰圓W上之對準記號及形成於基準記號板FM上之基準記號：置則里等作為此對準系AL(J，係使用影像處理方式之 44 1234195

FlA(Field Image Alignment)，例如，在對象標記，照射使晶圓上之光阻劑不感光之寬頻的檢出光束，藉由來自該對象記號之反射光，使用攝影元件（CCD等），將成像於受光面之對象記號之像與未圖示之指標像加以攝影，輸出這些攝影訊號。此外，不限於FIA系，當然可以單獨或適當組合使用對準感測器，其係在對象記號照射同調之檢出光，檢出從該對象記號所產生之散射光或繞射光，將從該對

象記號所產生之2種繞射光（例如同級數）進行干涉，並加以檢出。再者，本實施形態之曝光裝置922ι雖省略圖示 —---I Ό 叫 /1、，旦置了—對標線片對準系，其係由TTR(Thr〇ugh 丁丨 Kettle)對準系所構成’該m系係使用曝光波長之光（ :私線片R之上方’透過投影光學系统pL，用來同時觀】枯線片R上之標線片記號（或標線片載台rs丁之基準記號立與對應基準記號板上之基準記號）。本實施？:

=準系似及標線片對準系，例如，係使用與日本㈣號等戶:：68唬公報及對應該公報之美國專利帛5, “6, 41 /V者同樣構成者。在本國際專利所指定之指定g /所選擇之選擇國）之國内法令允許 : 報及美國專利之揭示作為本說明書記載之一部：。用上心違控制系，在第2圖中，主要伤構成。主"，由邊主控制裝置5〇戶/1 主L制裝置50,係由CPU(中央運算處理、RAM等所構成之所謂的工作站（" )、ROi 了、，，旳作站（或微電腦）等所構成，^ 進订Μ各種㈣㈣外H料體裝置除 45 1234195 又，主控制裝置50中，例如，由硬碟機所構成之記情裝置42、輸入裝置45 (包含鍵盤或滑鼠等指示元件等所構成）、CRT顯示器（或液晶顯示器）等之顯示裝置44、及 CD(compact disc) 、 DVD(digital versatile disc) MO(magneto-optical)或 FD(flexible disc)等資訊記錄媒體之驅動裝置46係外接。又，主控制裝置5〇係連接於前述 LAN918 〇

該記憶裝置42中，在曝光裝置之製造階段將投影光學系統PL裝入曝光裝置本體之前，例如，儲存被稱為 PMI (Phase Measurement Interfer〇meter)之波面像差測量機所測量之投影光學系統PL單體之波面像差（以下，稱為「單體波面像差」）之測量資料。下，例如，為使藉由投影光學系統PL投影於晶圓… 影像形成狀態成為適當值（例如，像差為零或容許值以 ’在分別調整前述可動秀转

T動透鏡13广％之3自由度方向之置及日日圓W(Z傾斜截a 针载口 58)之z位置及傾斜、及照明为波長λ之狀態下，儲在像差資枓… 像差測量器80所測量之滅像差貝抖或波面像差修正异$ I w 一 w " (波面像差與前述單體波面二之差）之貝料、此時之〜*1 Q γ 貝5fl、亦即，可動透鏡〜5 y刀別於3自由度方向方向之位置資訊、昭明光之以^晶圓界之3自由 …、明光之波長λ之資訊。+老 μ、+，準曝光條件，分別总t 此處，上述以下中，稱夂以訊，用ID來進行管理，故 σ曝光條件為基準ID。亦即，在記憶裝 46 1234195 42中’儲存了複數個基準ID之調整量資訊、波面像差或波面像差修正量之資料。在設定於驅動裝置46之資訊記憶媒體（在以下之說明中為了方便起見’當作CD__中，儲存轉換程式（其係如後述n皮面像差測量$ 8〇，將所測量之位置偏移量轉換為Zernike多項式各項之係數）。其他之曝光裝置922^ 9223……922N係與上述曝光裝置922}同樣之構成。

一回到第1圖，該標線片設計系統932係用來設計當作光罩之标線片（之圖案）之系統。該標線片設計系統9犯係 =備由中型電腦（或大型電腦）所構成之第2電腦、由小型電腦（其係通過LAN934，連接於該第2電腦93〇)所構成之，計用終端機936A〜_、光學模擬器用電腦938。在終鈿機936A〜936D中，分別進行對應半導體體元件等各層電路圖案（晶片圖案）之標線片圖案之部分設計。第2電腦

930係在本實施形態中，兼作電路設計集中管理裝置，藉由該第2電腦930,來管理各終端機936A〜 936])之設計區域之分擔等。在936A〜936D之分別所設計之標線片圖案中，有線寬精度較嚴之部分與較鬆之部分，在各自之終端冑936A〜 936D巾’為了識別電路能分割之位置(例如，線寬精度鬆之口P刀）’ I生識別貧tfi，該識別f訊係與部分標線片圖案之設計資料同時’傳送給第2電腦93〇。第2電腦93〇將識別資訊(表示各層所使用之標線片圖案之設計資料之 47 1234195 資訊及能分割位置）’透過LAN936，傳送給標線片製造系統942中之工程管理用電腦940。該標線片製造系統942係用來製造工件標線片（藉由標線片設計系統932來形成所設計之轉印用圖案）之系統。該標線片製造系統942係具備由中型電腦所構成之工程管理用電腦940、EB(電子線）曝光裝置944(其係通過UN948，相互連接於該電腦940)、塗料機顯影機（以下，簡稱「〇」）946及光曝光裝置945等。在曝光裝置944與 D946之間，及C/D946與光曝光裝置945之間，分別透過介面部947、949，用線内來連接。該ΕΒ曝光裝置944,係在由合成石英等石英（si〇2)、摻入說（F)之石英、或螢石（CaF2)等所構成，已塗布既定電子線光阻劑之空白標線片上，使用f子光束描繚既定之圖案。忒C/ D946係在主標線片或工件標線片之基板（空白標線片）上，進行光阻劑塗布及該基板曝光後之顯影。就4光曝光裝置945而言，係使用與前述之曝光裝置 922!同樣之掃描步進機。但是，該光曝光裝置料5，係設置了基板保持器（其係用來保持作為基板之空白標線片）。在該介面部947之内部，在EB曝光裝置944中之真空壤境中、與處於大致大氣壓之既定氣體環境中《c/卿之間，&有基板搬送系（進行基板（主標線片用之空白標線片）之又β曰）。又，在該界面部949之内部，同時在處於大致大氣C之既定氣體壞境中之C/D與光曝光裝置邮之間 48 1234195 ，設置了基板搬送系（其係進行基板（主標線片或工件標線 · 片用之空白標線片）之交替）。除此之外，雖未圖示，但該標線片製造系統942係設置了空白收藏部（收藏主標線片或工件標線片用之複數個空白標線片（基板））及標線片收藏部（收藏預先製造（製作）之複數個主標線片）。本實施形態中，作為主標線片，係如後述，除了使用該標線片製造系統942所製造之主標線片之外’也使用藉由蒸鍍鉻等，在既定之基板上，形成既存圖案者等。 φ 至於這種構成之標線片製造系統9 4 2，電腦9 4 0係根據從第2電腦930傳送來之標線片圖案之設計資料之資訊、及表示可分割之位置之識別資訊，將用既定倍率α (例如，α為4倍或5倍）放大之原版圖案，在由上述識別資訊所規定之分割位置，分割為複數個原版圖案，在該分割之原版圖案中’作成與收藏於前述之標線片收藏部之主標線片相異之圖案（包含目前未作成之圖案）之資料。其次，電腦940係根據該所作成之新的原版圖案資料 _ 使用ΕΒ曝光裝置944 ’在藉由C/ D946來塗布既定電子、、泉光阻別之主標線片用之相異空白標線片上，能分別描書該新的原版圖案。因此，新的原版圖案被分別描畫之複數個空白標線片係藉由C/ D946分別加以顯影，例如，當電子線光阻劑為正型時，未被電子線照射之區域的光阻劑圖案係當作原版圖案而殘留。本實施形態中，作為電子線光阻劑，由於係 · 49 1234195 使用包含吸收(或反射)光曝光裝置942所使用之色素，故在該顯影後，對形成光阻劑圖案之空白，不施予當作金屬膜之蒸㈣膜、及㈣之步驟^如，能使用形成該光阻劑圖案之空白標線 (以下，也可稱為「母標線片」）。 ’、不、’’ 並且，光曝光裳置945係依據電腦94〇之指複數個主標線片（如上述f 使用備之主㈣η 4所“之新規主標線片及預先準連接曝夢此Φ進订晝面連接’―面進行曝光（進行鐮 …將用i/α縮小複數個主標線片上定基板’即表面塗布光阻劑之工件標線“ 層之電路圖案之所㈣此’在製造半導體元件等各成不所使用之工件標線片被加以製造。此外，有關該卫件標線片之製造，進—步加以後述。其-人’在維護保養時或在該複數個基準曝光條件下，二了藉由投影光學系統PL，投影於晶圓W上之投影像之形成狀態成為適當，係在調整投影光學系統pL之狀態針對第1〜第N曝光裝置―2n之波面像差之測Ϊ方法加以今明。像差測量器：内之二，二說明中，為簡化說明到能忽視之程度。又Μ子糸統84之像差能，係視為小 …作為刚提，設定於驅動裝置46之CD-_内之轉換程式係安裝於記憶裝置42中。 △ U之曝光時’丨皮面像差測量器8〇，為了從z傾斜载 58拆下，當測量波面時，係靠操作者或服務工程師等（ 50 1234195 =安像操作:等」)’對2傾斜載台58之側面，面時，為 /測量器8〇之作業。該安裝之際，測量波載台：)：動:^ .,s 7辁内，在既定之基準面（此處為+γ側之面），6通過螺栓或磁鐵等，W定。側之之輸：述安裝€，藉由操作者等，與開始測量之指令月’J a應'’主控制裝i 50係在對準系、ALG之下方，放置波面像差測|哭、Q 、置 σσ ，通過晶圓載台驅動部56，使晶圓載台

W 6 1矛夕重^。光ρ 以，主控制裝置50係藉由對準系ALG，檢出口又置於波面像罢、、目丨旦σο $态80之未圖示之對位記號，根據該檢出、、、口果與此時之雷* 才< 田射干涉儀54Ψ之測量值，算出對位記號之：置座標，求出波面像差測量器80之正確位置。並且，、皮面像差測里為' 8〇之位置後，主控制裝置5。係如以下般執行波面像差之測量。 /首先上铨制裝置50藉由未圖示之標線片裝載器，將

形成針孔圖案之未圖示之測量用標線片（以下，稱為「針孔標線片」）裝載於標線片載台RST上。該引線孔標線片係在對應5亥圖案面之前述照明區域IAR之區域内之複數點，形成引線孔（大致成為理想之點光源，產生球面波之引線孔）之標線片。退有，在此處所使用之引線孔標線片中，係在上面設置擴政面寺在技影光學系統PL瞳面之大致全面，使來自引線孔圖案之光分布，藉此在投影光學系統PL光曈面之全面，能測量波面像差者。又，本實施形態中，由於在投影 51 1234195 光學系統PL之光瞳面附近設有孔徑光闌1 5，故實質上，在孔輕光闌1 5所規定之該光瞳面能測量波面像差。 I載引線孔標線片後，主控制裝置5〇即使用後述標線片對準系’檢測形成於引線孔標線片之標線片對準記號，根據該檢出結果，將引線孔標線片對準既定位置。藉此，引線孔標線片之中心與投影光學系統PL之光軸大致一致。

然後’主控制裝置50對光源16賦予控制資訊TS，使雷射光束LB發光。藉此，來自照明光學系統丨2之照明光 EL恥射於引線孔標線片。並且，從引線孔標線片之複數個引線孔射出之光係通過投影光學系統PL，集光於像面上，引線孔之像係成像於像面。共二人，主控制裝置50係在線 ^ 一> 糾π〜你球乃上H壬一個孔（以下，也稱為對象針孔）之像成像之點，俾使波面差測量器80之開口 82a之大致中心一致，一面監控晶圓射干涉儀54W之測量值，透過晶圓載台驅動部

«。此時，主控制裝置50根據焦點位置檢出系（⑽a 6㈤之檢測結果，為了在引線孔像成像之像面使波面像測量器80之玻璃i 88之上面-致，透過晶圓載台驅動 56，在Z軸方向微量驅動z傾斜載台⑽。此時，視晶圓载台WST之傾斜角也加以調整。藉此，所著眼之引孔像光束通過玻璃蓋88之中央開口，射入受光: 84,錯由構成受光部如之受光元件來進行受光。、、若進-步詳述此内容，則從引線孔標線片上之對^ 孔生球面波，該球面波係照射物鏡仏（其係構成投影； 52 1234195 學系統PL及波面像差測量器8〇之受光光學系統）、中繼透鏡84B、反射鏡84c、微透鏡陣列84e(透過準直透鏡84d，成為平行光束）。藉此，投影光學系統PL之光瞳面係中繼於微透鏡陣列84e，被加以分割。然後，藉由該微透鏡陣列84e之各透鏡元件，將分別的光（被分割的光）聚光於受光元件受光面，在該受光面，引線孔之像分別成像。此日守’右4又衫光學糸統p L係無波面像差之理想光學系統的話，則投影光學系統PL光瞳面之波面成為理想之波面 (此處係平面），因此，射入微透鏡陣列84e之平行光束成為平面波，該波面理應成為理想之波面。此時，如第4a圖所示，在構成微透鏡陣列84e之各透鏡光軸上之位置，成像點像（以下，也稱為「點」）。

但是’在投影光學系統PL中，通f，因存在波面像差，故射入微透鏡陣歹84e之平行光束之波面_離理^ 波面’該偏離’即依據對波面之理想波面之斜度，如第4B 圖所示，各點之成像位置從微透鏡陣歹"牦之各透鏡元件之光軸上之位置偏離。這種情炸…“ 、禋㈡开广攸各點之基準點（各透鏡兀件光轴上之位置）之位詈低雜在 , 姐罝偏離係對應波面之斜度。並且，射入構成受光部“之又尤兀件上之各聚弁赴夕光（點像之光束）係用受光元件分轉換訊號係通過電氣電路，傳送至主控、4先電裝置50係根據該光電轉換 ^工"50。主控制 -轉換^虎，算出各點之 -步，使用該异出結果與既知之基準偏移（△卜〇)，儲存於RAM。此時置貝+，异出在主控制裝置50 53 1234195 1’、應雷射干涉儀 :上述，只要藉由1個顯眼之引線孔像之成像差測量180,點像之位置偏離之測量結束，主控制裝之„在下—引線孔像之成像點，俾使波面像差測量器80 tr 82a之大致中心—致，移動晶圓載台。只要該移動則與前述同樣’藉由主控制裝置5〇,從光源』，進 2LT光’同樣地，藉由主控制…。，算出各點㈣4 '然後，在其他之引線孔像成像點，依序進行冋樣之測量。 τ _ Γ’在必要之測量結束階段，在主控制裝置5〇之 Λ中i存前述各引線孔像成像點之位置偏移資料（q 進;與各成像點之座標資料（在各引線孔像之成像點進订測里之際之雷射干涉儀5指之測量值(、，” i在上述測量時，使用可動標線片遮I _，俾使用日^ 先EL來照明只標線片上所著眼之引線眼之引線孔-部分區域，例如，也可在各… 者線片上之照明區域之位置或大小等也;1在各引線孔，變更標心=ΑΓ制裝置5°將轉換程式安裝在主記憶體，根據儲存在RAM内之各引線孔像成像點之位置偏移广）、與各成像點之座標資料，依照以下所說明之, 理’依照轉換程式，來運算波面(= 係對應引線孔像之成像點，即：)’…像差野肉m ,,旦別對應投影光學系統PL視弟測…第“則量點，此處，係指後述各式⑻ 之Zernike多項式各項純，例如，第^之係數〜第） 54 1234195 37項之係數z37。至於本實施形態，係根據上述之位置偏移（ )’依據轉換程式，藉由運算來求出投影光學系統心波面斜：P ’位置偏移(△卜△") ’仍舊成為反應理相 /子傾斜之值，相反地，能根據位置偏移（Λ ’復原波面。還有，由上述之位置偏移(△卜△㈠二面之物理性關係可瞭解，本實施形態之波面算出原理：闽知之Shack-Hartmann之波面算出原理。、“。加據上述之位置偏移，針㈣出波面之方法’ 如上述’位置偏移（△卜“）係對應波面之斜戶， :波面斜度積分’來求出波面之形狀(嚴： =想波面)之偏移:。設波面(從波面之基準面之::基) 成立 1 : W(X Υ)，比例係數為k，則下式⑴、⑵之關係式 — k -·. · (1) dx

λ 7 dW Αη = ----(2)

dy J 若將僅在點位置之波面傾度原封不動的加以積分合易’故係將面形狀展開為極級，級數伤撰S下丄么个、口於此。此時，、、又糸。Zernike多項式係適合軸對稱面之展開之級數，圓周方向係二之棹系Γ … -角、，及數展開。亦即，若用極座、，、（Ρ μ )來ί示波面的話，則能展開如下式m ㈣·.·⑶ 下式（3)。用適當值因係正交系立決定各項之係數 55 1234195 來分割i係對應進行某種濾波器環。還有，例如，若同時例示設第1項〜第37項之h為Zi，則成為以下之表1。但是，表1中之第37項，在實際之Zernike多項式中，雖相當於第49項，但在本說明書，係當作i=37之項（第37 項）來處理者。即，在本發明中，Zern ike多項式之項數係無特別限定。 Ά ί Z, 1 Zj9 (5 ρ5A p3)cosi θ Zo ροοηθ 4) (5ρ5Αρ3>βϊβθ Z3 ράηθ 4 (Ιδρ^ΙΟρ^ρ^ηΙΘ Z4 2ρ2Λ ΖΖ2 (I5p6-20p4^6p2)m2e 忑 ρ2ο〇β1θ Ζζβ (35p7Wp5+30pUp)conG ρ2ύη1θ 2,4 (35 ρ7-60 ρ5+30 ρ3-4 θ (3p3-2p)con(9 ^25 70p^l40p6mp4-20p2+l Z. (3 ρ3-2ρ)^ηθ ρ5οοη5θ Z, 6ρ4-6ρΜ ΖΖ7 ρ5άη5θ Z!〇 p3con3(9 (6ρ6-5 p^sAO Z„ ρ3άη3θ {β ρβ-5 Zj2 (4p4-3p2)cos20 〇λρΊ-30ρ5+\Ορ2)ωχβθ Zl3 (40^0^120 Ζ31 {2\ρΊ-1>0ρ5Η0ρ^θ Zl4 _5-12ρ3+3ρ)οοη0 Ζ32 (56 ρ8-105 ρ6+60 ρ4-10 ρ>)ΐι2 θ Z丨5 (\0ρ5Λ2ρ3+3ρ)έηθ 2^3 (56 ρ8-105 ^6+60 ρ4Λ0 ρ^μηΐ θ Z16 20ρ6-30ρ4+12ρ2-1 心 (126 ρ9-280 ρ7+210 ρ5-60 p3y~5 ρ)ωηθ Z17 ρ4ο〇ΐΛΘ (126 ρ9-280 ρ7+210 ρ5-60 ρ3)+5 p)sin θ z】8 ρ4ήη4θ Ζ36 252 ρ 】0430 ρ8+560 ρ6-210 ρ4+30 ρ2-1 Ζ37 924 ρ κ-2772 ρ 10+315 ρ8-1680 ρ6Ή20 pU2 ρ2+\

實際上，該微分係以上述之位置偏移來加以檢出，故修整（f i tt ing)必須針對微係數來進行。至於極座標系（x = pc〇s0，y=psin<9)，係用下式（4)、（5)來表示。 56 1234195

ew dx dW sw n \ sw . n ~z—cos <9---sin0···⑷

dp p 5Θ W 。因Zernike多項式之微分形不是正交系，故修整必須用取小平方法來進行。1個點像之成像點之資訊係與X方向與Y方向有關，設引線孔數為n(在本實施形態中’例如，U 33)，貝上述式⑴〜⑸所表示之觀測方程式之數為2n( = 66)。

Zernike多項式之各項係對應光學像差。而且，低次，（1之小項）係大致對應塞德（Seidel)像差。使用Zernike 多項式，藉此能求出投影光學系統PL之波面像差。依照上述之原理，來決定轉換程式之運算步驟，藉由依照=轉換之運算處理，能求出對應投影光學系統PL視野第1測里點〜第η測置點之波面資訊（波面像差），此處，能求A Zernike多項式各項之係數，例如，求出第i 項之係數ζι〜第37項之係數z37。 ▲回到第1圖’在備有第i電腦92〇之硬碟機等内部，儲存了用帛i〜第3曝光裝置922ι〜 9223應達成之目標、例如，解像度(解析力）、f用最小線寬(元件規則）、照明光EL之波長（中心波長及波長寬等）、轉印對象圖案之資訊、有關=定其他曝光裝置922]〜9223性能之投影光學系統之某些貝訊’成為目標值之f訊。又，在備有第上電腦犯〇之硬碟機等内部，今後導入之預定曝光裝置之目標資 Λ ’例如’計劃使用之圖案f訊等以目標資訊來儲存。另方面，在備有第2電腦930之硬碟機等記憶裝置 57 1234195 之内部’在依插岡安 Θ木之目標曝光條件下，既定圖案之投影像之晶圓面（傻而、μ 卜 )上之形成狀態，在曝光裝置922}〜9223 等之性能任一個中，儲#適當之標線片之設計程式等3 ’並且’附屬於該設計程式之第1資料庫及第2資料庫等〇即，附屬於哕执呌和4 、 ^ ^ 、Μ 5又计^式之第1資料庫及第2資料庫，例如係5己錄於CD-_等資訊記錄媒體，該資訊記錄媒體係插入備有第2電腦93〇之CD-ROM驅動器等驅動裝置，從該驅動裂置將設計程式安裝於硬碟機等記憶裝置，並且，複製第1資料庫及第2資料庫。該第i資料庫係備有曝光裝置922i〜 922n等曝光裝置之投影光學系統(投影透鏡)之各種波面像差變化表之資料庫。此處，所謂波面像差變化表係依照既定之規則，由並列之資料群組所構成之變化表；該資料群組係表示調整參數之單位調整量變化（其係使用與投影光學系統pl實質等效之機型’進行模擬，將該錢結果所得収圖案投影像之晶圓上之形成狀態能使用於最佳化）、與變動量（其係分別對應投影光學系統PL視野内之複數個測量點之成像性能，具體而言’係波面資料，例如，Zernike多項式之第1 項〜第3 7項之係數）關係之資料。本實施形態，就上述之調整參數而言，係使用可動透鏡13〗、132、133、134、135之各自由度方向(能驅動之方向 )之驅動量（Zl、Θ &、Θ y!、z2、θ χ2、θ 7 Λ 2 y2 Ζ3、0 &、 y3、ζ4、θ χ4、θ y4、ζ5、θ χ5、θ y5)、晶圓 w 表面（ζ 傾斜載台58)之3自由度方向之驅動量（Wz、W0x、w6^y)、 58 1234195 及照明光EL之波長位移量△ λ之合計19個參數。此處，針對該第i資料庫之作成步驟，簡單加以說明。在女奴特定光學軟體之模擬用電腦中，首先，輸入投影光學系統PL之設計值（數值孔徑NA、同調因子口值、照明光之波長λ、各透鏡之資料等）。其次，在模擬用電腦中，輸入投影光學系統PL之視野内任意之第}測量點之資料 Ο 其次，針對各可動透鏡13ι〜135之各自由度方向（可動方向）、晶圓W表面之上述各自由度方向、照明光之波長位移量，輸入單位量之資料。例如，有關z方向位移之+ 方向，只要輸入僅單位量驅動可動透鏡丨3〗之指令，則藉由模擬用電腦，針對投影光學系統PL視野内所預定之第）冽$點，算出從第1波面之理想波面之變化量資料，例如，Zernike多項式各項（例如，第}項〜第37項）之係數變化量，該變化量之資料係顯示於模擬用電腦之顯示器晝面上，並且，該變化量係以參數PARA1P1記憶在記憶體中—。其次，有關Y方向傾斜（繞X軸之旋轉0 “之+方向，只要輸入僅單位量驅動可動透鏡13ι之指令，則藉由模擬用電腦，針對第1測量點，算出從第2波面之資料，例如 ’ Zernike多項式各項係數之變化量，該變化量之資料係顯示於模擬用電腦之顯示器畫面上，並且，該變化量係以參數PARA2P1記憶在記憶體中。其次，有關X方向傾斜（繞y軸之旋轉0 y)之+方向，只要輪入僅單位量驅動可動透鏡131之指令，則藉由模擬 59 1234195 用電腦，針對第1測量點，算出從第3波面之資料，例如 ’ Zern ike多項式各項係數之變化量，該變化量之資料係顯示於模擬用電腦之顯示器晝面上，並且，該變化量係以翏數PARA3P1記憶在記憶體内。

以後’以和上述同樣之步驟，進行第2測量點〜第η 測I點之各測量點之輸入，在每次進行可動透鏡丨&之Ζ 方向位移、Y方向傾斜、X方向傾斜之指令輸入時，藉由模擬用電腦，算出各測量點之第i波面、帛2波面、第3波面之貝料，例如，算出Zernike多項式上述各項係數之變里"玄’义化1之資料係顯示於模擬用電腦之顯示器晝面上，亚且，該變化量係以參數PARA1P2、PARA2P2、PARA3P2 .....PARA2Pn、pARA3Pn，記憶在記憶體内。 -關於其他可動透鏡Ur 133、134、135,亦係以和上 5樣之步驟’進行各測量點之輸人、與有關各自由度方鄉在分別僅單位量+方向，驅動之指令輸人，與這些輸

響應，藉由模擬用電腦，在各自由度方向，只用單位量 :力可動透鏡132、133、134、135之際，算出第卜第n測 :之各波面資料，例如，算* Zernike多項式各項之變里，參數（PARA4P1、PARA5P1、PARA6pi........pARAi5p :參數（舰4P2、P聰P2.............PARA15p2) =數（PARA4Pn、PARA5Pn、pARA6Pn.................. 在記憶體内。又’關於晶圓W，也用盘卜味pr|採旦吧用共上述冋樣之步驟，進行各測里":、t之輸入、與有關各自由目由度方向，在分別僅單位量+方 60 1234195 向，驅動之指令輸入，與這些輸入響應，藉由模擬用電腦，在Z、0 X、β y之自由度方向，只用單位量驅動晶圓w 之際，算出第1〜第η測量點之各波面資料，例如，算出 Zernike多項式各項之變化量，參數（pARA16pi、pARAi7pi 、PARA18P1)、參數（PARA16P2、PARA17P2、PARA18P2)、… …、參數（PARA16Pn、PARAHPn、PARA18Pn、PARA18Pn)係記憶在記憶體内。

並且，關於波長變換，也用與上述同樣之步驟，進行各測量點之輸入、與有關各自由度方向，在分別僅單位量 :方向，㈣之指令輸入，與這些輸入響應藉由模擬用電月6)，在+方向，只用單位量位移波長之際，算出第1〜第1 測量點之各波面資料，例如，算丨多項式各項之變化量，mA19P1、P腦9P2........P刪9Pn係記憶在記憶體内。 —此處，分別之上述參數PARAiPKi=l〜19，j=i〜“係

1仃37列之仃矩陣(向量）。_，若η，，％針對調整參數 PARA1，成為下式（6)。 paraipi=[ZiiZ]2……z】37] PARA1P2,2iz22······z2 37] .··⑹ PARAlPn=[Z33iZ33i2……Z33,37] 又，關於參數PARA2,則成為次式（7)。 PARA2P1^[ZiiZ]2······Zi37] PARA2P2,2jZ22……z2 37] ...(7) PARA2Pn，33】Z33 2……心』同樣地，關於其他之調整參數舰3〜pARAi9,也成 61 1234195 為下式（8)。 '33,37」 PARA3Pn=[Z33]Z33 2···..·z 驅19師】，】zu·..··.z137] PARA19P2=[Z2jZ2,2······z2；37] PARA19Pn=[Z33JZ33,2··"··Z33,7] 因此，這樣一來，由記憶於記憶體内之Zernike多項式各項係數變化量所構成之PARA1P1〜PARA19Pn係匯總於各調整參數，以分別19個調整參數之波面像差變化表進行排列。即，在T式（9)，針對參數p細，作成代表性所示 'PARAIPI' PARAIP2 X z 乙2，1 I · ..Z 气，35 ^1,37 7 ^2,37 PARAlPn 7 ^32,1 7 1^33,1 ^33,2 ·. 7 ^33,36 ^32,37 7 心 33,37 _ •(9) 因此，以此方式作成之投影光學系統之各種類之波面像至變化表所構成之資料庫，係作為第丨資料庫儲存於第 2電腦930所具備之硬碟機等内部。又，本實施形態中，在同一種類（相同設計資料）之投影光學系統，係作成丨個波面像差變化表，但與該種類無關，也可在各投影光學系統’作成波面像差變化表（即，用曝光裝置單位）。其次，針對第2資料庫加以說明。該第2資料庫係包含藉由分別不同之曝光條件，即光學條件（曝光波長、投影光學系統之數值孔徑NA(最大na、 62 1234195 曝光時所設定之ΝΑ等）、及照明條件（照明NA(照明光學系統之數值孔徑NA)或照明σ (同調因子）、照明系孔徑光闇板24之開口形狀（照明光學系統之瞳面上之照明光之光量分布’即2次光源之形狀）等）、評價項目（光罩種類、線寬砰價罝、圖案之資訊等）、及這些光學條件與評價項目之組合，所規定之複數個曝光條件下，分別求出之投影光學系統之成像性能，例如，各像差（或該指標值）之 zernike多項式各項’例如，帛丄項〜第37 又之變化量所構成之計算表(即Zernik感度表)之資料庫。又，以下之說明中，Z咖k感度表也叫做Zernike S、enSltlvlty _ ZS。又，在複數㈣光條件下，纟感度表所構成之檔案，以下也適當叫做「zs檔案」。又， Zernike多項式各項之變化量並不受限於每，」苴例如，每0· 5 λ等）亦可。 -值（本實㈣態’在各Zernike感度表中，作為像性能， …下之12種像差，亦即，x軸方向、Y轴方向之畸變 D1Sx、D1Sy’ 4種慧形像差之指標值之線寬異常值w、cm

、CMR、CML ’ 4 種像面彎曲之 cf、cfh、CF rv V H 之球面像差之sav、SAh。 CFk、cW2種其次，使用前述標線片圖案之設計程式，台曝光裝置能共通使用之標線片上，設計待形成⑥=複數法等，沿著第5圖（及第β圖〜第圖矣一 ' 方衣不具借楚 9帝腦930之處理器之處理算法），加以說明。包從該第5圖所示之流程圖開始，例如，你攸潔淨室内 63 1234195 ^iu92G之操作者，藉由電子郵料方式，傳送包 -成為取佳化對象之曝光裝置(號機)之指定其他之必要資後述之成像性能之容許值之指定資訊、有關限制本：刖入之育m、有關加權設定之資訊、及有關成像性能目*值之指定資訊等)等的最佳化指示，第2電月“3〇側操 4者將開始處理之指示輸人第2電腦93() _。此處，所謂「最佳化對象之曝光裝置」’本實施形態中，係如後述，在上述標線片i，設計待形成圖案之過程，藉由所選擇之各曝光裝i 922具備之投影光學系、統PL，進行圖案之投影像之像面上之形成狀態成為最佳之成像性能之調整（投影光學系統之成像性能之最佳化），故以此方式稱呼。首先，在步驟102中，將對象號機之指定晝面顯示於顯示器。义在下-步驟104巾’等待進行指定號機，#操作者將先…之黾子郵件所指疋之號機，例如曝光裝置9 2 2丨、9 2 2 等，例如透過滑鼠等指示裝置來加以指定時，即進至步驟z 1〇6，儲存該指定之號機。此號機之記憶，例如，係以儲存「裝置No.」之方式進行。在下一步驟108中，清除作為修正資訊之圖案修正值（歸I )，並將在步驟11 0中後述之各號機投影光學系統之成像性能之最佳化、表示最佳化之結果評價（判斷）等執行次數之§十數器m加以初始化（m — 1)。在下一步驟112中，將表示投影光學系統成像性能之隶仏化對象之號機號碼之計數器k加以初始化（k — 1)。 64 1234195 在下一步驟】】4 Φ Α 號機之最佳化處理之子：至第"虎(此處為第"虎)之该隶佳化處理之子尸驟取得最佳化對象Γ賊光係在第6圖之步

豕之曝光條件（以下，冰M 化曝光條件J )。且w4 也％為取仏案之種類、及為二二了第】電腦92°，詢問對象圖影光學系統之二二:轉印用對象號機能設定之投之種類箄）之次/、、月條件（照明财或照明σ、孔徑光闌之種類寺）之貧訊來加 ^ ^ ^ Λ 传。此處，本實施形態，係以稷數口對象械硓共用之樟為目的，&WΜ V線片上，進行待形成圖案之設計马目的故攸弟1雷脫Ο Ο η ,, 第2 H ; 920 ’作為對象圖案之資訊，係由弟 Ζ電細來和回欠钟/工二欠、口對象號機皆為同一目的之圖案貝 stL。在下一步驟204中，盤楚·|兩 ^ . ^ ^ ^ #弟1笔腦920，在上述最佳化曝光條件下，詢問悬技π ^ 妾ι之對象機之基準ID，取得該基準丄D之投影光學系統之鮮及a N ,条件（例如，照明NA或照明σ、孔徑光闌之種類）等之設定資訊。在下一步驟206中，於穿1兩口《弟1黾腦920，取得對象號機之單體波面像差及上述基準 + + 1D之必要貢訊，具體而言，取知·基準ID之調整量（調整灸皇门1苓數）之值、對基準ID之單體波面像差之波面像差修正量（或成像性能之資訊）等。 /此處之所以為波面像差修正量(或成像性能之資訊）係因為基準Π)之波面傻墓伙τ ©丄差心正$未知之情形時，能根據成像性能推測波面像差修正量（或波面像差故。又，關於根據該成像性能來推測波面像差修正量，容後再詳述。 65 1234195 通系，投影光學系統之單^^ 後之投影光學系…波波面像差），雖會因某種原因：此、：岌狀悲之明，該佟1：尨々—壯但此處為簡化說 Θ “正係在安裝曝光裝一基準τηη、、隹h , 了 $衣以階段之調整，就每丞旱ID(基準曝光條件）進行者。在下一步驟2 0 8中，；^笙ί Λ 機種名, 中攸弟1電腦920取得對象號機之械種名、曝光波長、投影〜先子系統之最大ΝΑ等裝置資訊。在下一步驟2 1 0，传從箓9次L·丨 ,βλ ^ . ’、弟2貝料庫檢索對應前述最佳化曝光條件之ZS槽案。件之zs下步'214中’判斷是否發現對應最佳化曝光條 ^ 3發現時，將該ZS檔㈣人RAM等記憶體内。另-方面，步物之判斷為否定時佳化曝光條件下之zs檔案不存在 f二取移至步驟218,在前 ]庫4形時，即隹則迩先子杈擬用之電腦938中，提供必

要之資訊並且提供作成對應最佳化曝光條件之zs播安U 示’該作成後之ZS擋案係追加於第2資料庫。‘" 又，對應最佳化曝光條件之ZS4#案係在趨近最佳化曝光條件之複數個曝光條件下，使、 1*丨卞Γ 1文用仏貝枓庫，也能使用補全法（Completion)來作成該ZS檔案。、，其:欠，在帛7目之步驟220,將成像性能（前述12種像差)容許值之指定畫面顯示於顯示器上後，在步驟222判斷是否已輸入容許值，此判斷為否定時，即移至步驟咖顯示上述容許值之輸入晝面後，判斷是否已經過一定時間，此判斷為否定時’即回到步驟222。另一方面，在步驟 66 1234195 222，由操作者透過鍵盤等指定容許值時，將該指定像差之容許值儲存於RAM等記憶體後，移至步驟226。亦即，重複此步驟222— 226之環路，或222— 224— 226之環路，等待容許值之指定一定時間。此處，容許值並不一定須使用於最佳化計算本身（本實施形態係如後述，算出使用績效函數φ (merit 之調整參數之調整量），例如，在後述步驟丨2〇等評價計算結果之際是必要的。又，本實施形態中，該容許值在設定後述成像性能之加權也是必要的。此外，本實施形態中，容許值（包含該目標值）在其性質上有可能為正負值^情形時，規定該成像性能容許範圍之上限、下限，當成像性能在性質上僅為正值之情形時，則規定該成像性能之容許範圍上限值（此時之下限為零）。因此，在經過一定時間之時點，移至步驟228，依照 (default)設定，從第2資料庫内之以資料庫讀取未才曰疋之像差容許值。因此，在RAM等之記憶體内，被指定之像差谷許值、與從zs資料庫所讀取之剩餘像差容許值係與號機之識別資訊對應，例如，與號機N〇•對應而加以儲存。又，以下，儲存該容許值之區域稱為「暫存區域」。曰一在下一步驟230中，將調整參數限制條件之指定晝面顯示^顯示器上後’在步，驟232㈣是否輸人限制條件， =判斷為否定時，即移至步驟236顯示上述限制條件之指疋晝面後’判斷是否已經過一定時間，此判斷為否定時，即到步驟232。另一方面，在步·驟232由操作者透過鍵盤 67 1234195 寻相疋限制條件時，即移到步數之限制條件儲存於Ram Λ 將該指定之調整參、AM寺屺憶體後，即，重複此步驟232— 236之環路夕至步驟挪。亦路，等待限制條件之指定-定時間/ 234— 236之環此處，所謂限制條件，係指‘述可動各自由度之容許可動範圍、z 兄1 5之之容許可動範圍、及波手位/t 8之3自由度方向 (調整參數）之容許可變範圍之意。㉟圍寺U各调整量因此’在經過一定時間之時照缺陷設定，就未指定之士周敕“ "^ 238 5 ^ , + 正 > 數之限制條件算出根據各 5周整簽數之上述某進τ η 咚令一之值（或現在值）所計算之能可動夕耗圍，儲存於RAM等之記憶阳之存被指定之調整灸數之㈣: ’在記憶體内，儲數之限制條件。 ^参其次’在第8圖之步驟24〇 ’將成像性能之加權指定旦面顯示於顯示器上。此處，成像性能之加權之指定:本貫施形態中，係針對投影光學系統視野内之33點評價點（測量點），因必須針對前述12種像差加以指定，故必須指 ^ 33X12 = 396個加權。因此’在加權之指定畫面，為了倉: :2階段來指定加權，首先’顯示12種成像性能之加權指定晝面後，顯示視野内各評價點加權之指定畫面。又，在成像性能之加權指定晝面，同時顯示自動指定之選擇鈕。然後，在步驟242中判斷任一種成像性能之加權是否已指定。然後，在由操作者透過鍵盤等已指定加權之情形 68 1234195 =，即進至步驟244將所指定之成像性能(像差)之加權儲子方' RAM寺'己憶體内後，進行至步驟248。在該步驟248 t ’從開始顯示前述加權指定畫面，判斷是否已經過一定時間’此判斷為否定時，則回到步驟242。另一方面，當上述步驟242之判斷為否定時，即移至 =⑽判斷是否已選擇自動指定。然後，當此判斷為否 11 P^步驟248 °另—方面’在操作者透過滑鼠等才曰定自動選擇^^ >〖主士 # U形呀，即移至步驟250，根據下式 (10)，异出現在之成像性能。现· ZS+C ……(10) 步驟::所12=)所表示之成像性能’wa係從前述赞？ifi… 波面像差之資料。又，zs係步人】/1,2 八1 料。又，C係下式u⑽-么)所表示之以標案之資「几八2 ...T之圖案修正值之資料 Λ,12

Wa

'32,1 厂33，〗/33，:弋Z ^2,3 h，】 LZ33,1 Z *^32,12 33,11 f33 12 1,2 z 1,36 z 1,37 ,37 33,2 z 33,36 zz •(11) 32,37 33,37 69 •*•(12) 1234195 zs ^2,1 36,1 ^1,2 **' ^1,11 ^1,12 ^2,12 ·.· : *-(13) ^37,2 ^37,11 ^ J C]，3 ^1,4 C】，5 C】，6 0 0 ^2,4 C2,S Q,6 0 0 c ^3,3 C3,4 c3,6 0 0 r ^33,3 C33, C33,5 ^33,6 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 37,1 Ο ο ο ο ο ο ο ο c ο" ο Ο ·,·(14) ο 在式（11)中，fuUM〜33)係表示第i個測量點之 D i sx，f i，2係表示第i個測量點之D i sy，f i，3係表示第i個測量點之CMV，f丨，4係表示第i個測量點之CMH，f丨，5係表示第i個測量點之CMR，f丨，6係表示第i個測量點之CML，f i，7 係表示第i個測量點之CFv，f丨，8係表示第i個測量點之 CFM，i i，9係表示第i個測量點之CFR，f i，丨o係表示第i個測量點之CFL，Ln係表示第i號測量點之SAV，fi，12係表示第i個測量點之SAH。又，在式（12)中，Ζι」係表示展開第i個之測量點之波面像差之Zernike多項式第j項（卜1〜37)之係數。又，在式（13)中，bp，JpH〜37，qH〜12)係表示ZS 槽案之各要件，其中，bp，丨係表示展開波面像差之Zernike 多項式第P項平均1又之Disx之變化，bp，2係表示第p項平均1 λ之Disy之變化，bp，3係表示第p項平均1又之CMV 之變化，bp，4係表示第p項平均1 λ之CMH之變化，bp，5係表示第P項平均1 λ之CMR之變化，bp，6係表示第p項平均 1 λ之CML之變化，bp，7係表示第p項平均1 λ之CFV之變化 70 1234195 ，、，8係表示第p項平均^之CFh之變化，係表示第 P項平均1λ之cfr之變化，bp，]G係表示第p項平均丨又之 L之又化bp, 11係表示第p項平均1 a之SAV之變化， bp，12係表示第P項平均1又之SAH之變化。又’在式（14)中，就右邊之33行12列之矩陣而言，例如，係使用各行之第3、4、5、6列之要件，即^ ΓΛ 1 ϊ 3 C, ，4 C!，5、Ci，6(i = i〜33)以外之要件全部為零者。這是因為在本實施形態中，藉由應形成於標線片之圖案之修正，以修正慧形像差指標值之線寬異常值為目的之故。在上式（14)中，Ci，3係表示第丨個之測量點之縱線之線見異常值CMV之修正值（即，縱線圖案之線寬差修正值），h，4係表示第i個之測量點之橫線之線寬異常值◦心之修正值(曰即’橫線圖案之線寬差修正值），Ci5係表示第i個之測ΐ點之右上斜線（傾斜角45。）之線寬異常值之修正值（即，右上斜線圖案之線寬差修正值），Ci 6係表示第土個之測量點之左上斜線(傾斜角45。）之線寬異常值％之 L正值（即，左上斜線圖案之線寬差修正值）。這些圖案修正值係在步驟108中被清除，故初始值都成為零。即:、矩陣C之所有要素當初為零。至於下-步驟252,係在所算出之12種成像性能（像中’根據先前所指^之容許值，增大從所規^之容許祀圍偏移量（從容許範圍之背離量）很多之成像性能之加權後，轉移綱254。又，並不一定非如此不可，也可從容許範圍將偏移量多之成像性能分色，顯示於晝面上。如 71 1234195 此，即能以操作者補助成像性能之加權指定。本實施形態中，藉由重複步驟242- 24“ 248之環路，或重複步驟2㈣“ 248之環路，從前述之成像性能 =權指^晝面之顯示開始’只等待指^成像性能加權一 2日'間。並且，在此其間，選擇自動指定之情形，則進行 :指定。另一方面，在未選擇自動指定之情形，及至少德曰疋」個以上成像性能之加權之情形，則記憶該指定之成 :生此之加榷。並且’只要經過—定時間，則轉移至步驟 5 ’依照缺陷之設定’將未指定之各成像性能之加權設定 1後，移至步驟254。因此，在記憶體内，儲存所指定之成像性能之加權、剩餘之成像性能之加權卜丨）。在下7驟254 ’係在顯不器顯示指定視野内評價點（之加權，在步驟256中，判斷評價點之加權是否被 ;:，當此判斷為否定時’即移至步驟26〇，從指定上述 2點(測量點)之加權畫面顯示開始，判斷是否已經過-疋知間。而在此判斷為否定時，回到步驟256。方面，在步驟256巾，當由操作者透過鍵盤等指 ::個#價點(通常係特別選擇希望改善之評價點)之加 258設定該評價點之加權並儲存於· 寺。己丨思脰後，即移至步驟260 〇 ’重複步驟256〜260之環路，或重複步驟π6— — 之環路’藉此，從前述評價點之加權指定畫面之 ’’、、不幵始’僅等待指定評價點之加權一定時間。 72 1234195 然後，當經過上述一定時間後，即移至步驟262依照缺陷之設定將未指定之所有評價點之加權設定為丨後，至第9圖之步驟264。夕因此’在記憶體内’儲存所指定之評價點之加權指〜值、與剩餘評價點之加權（=丨）。日疋在第9圖之步驟264中，係在顯示器上顯示視野評價點成像性能（前述之12種像差）之目標值之指此處，成像性能之目標值夕扣今 ,_ ^ ^ 作值之‘疋，本貫施形態中，係關於投影光學系統視野内33點之評價點（測量點），必須針對前述之12種像差加以指i故必須指定33χΐ2=396個目^ 值。因此，在目標值之指定晝面，顯示人工指定之顯示; 分’並且顯示設定補助叙。在下一步驟266中，將指定目標值具有既定時間（即，判斷疋否已•曰疋目标值），目標值未被指定時(此判斷為否定時），即移至步驟27°’判斷設定補助是否被指定。在此判斷為否定時’即判斷是否已經過-定時間。t此判斷為否定時，即回到步驟266。另一方面’在步驟270巾，操作者藉由滑鼠等選取設 1補助紐以指^設㈣助時，即移至步驟㈣執行像差分解法。此處，針對該像差分解法加以說明。、’ Υ為了用下式（15)來表示前述成像性能f之要件之各成像性能（像差），進行冪次展開。 f=G · A …··· (15) 73 1234195 在上式（15)中，G係以下式（16)所示之33行17列之行列（矩陣）。 αΟά) G= ； g2(X^yi)…§ΐΛΧ1^ΐ) 公1702,少2) ··. ： ---(16) ^2(^325^32) S]7 (X32 5 ^32 ) (¾ 5 ^33 ) §2 (¾ . 3；33 ) * * * ^16 (^33 ? ^33 ) (X33 ? ^33 ). 式中，gi = l，g2二X，g3=y，gfX2，g5 = xy，g6-y2 5 g7=x3 ，g8=x2y，g^xy2，gi〇=y3，gu=x4，gi2=x3y，gi3二xV， gi4=xy3，gi5=y4，gi6=x(x2+y2)，gi7=y(x2+y2) 0 又，(xi5 係第i個之評價點之xy座標。又，在上述式（15)中，A係以下式（17)所示之17行12 列之分解項目係數當作要件之矩陣。 a\,\ ai，2 ^1,11 ^1,12

a2,] a2M A =

a\t,\ a\6,\2 a\l,\ a\l,2 ··· ^17,11 ^17,12 為使上式（15)能成為最小平方法，加以變形成下式 (18)。 GT · f=GT · G · A …（18) 式中，GT係矩陣G之轉換行列。

其次，根據上式（18)，藉由最小平方法，求出矩陣A A=( GT · G)-1 · GT · f --(19) 因此，執行像差分解法，求出分解後之各分解項目係 74 1234195 :至:第9圖之說明，在下一步驟278 _，在顯示器上 :二分解後之各分解項鳴，並且顯示該加数目私值之指定晝面。被二下：步，驟28°’等待所有之分解項目係數之目標值曰疋亚且，若藉由操作者，通過鍵盤等，指定所有之分解係數之目標值，則進行至步驟282，根據下式（2〇)，將分解項目係數之目標值轉換為成像性能之目標：。在這種=下，操作者進行只變更欲改善隸之目^值之目^ 值指定，關於剩下之係數之目標值，當然仍可將所顯示: 係數當作目標值。 ' ft = G · Α， ……(20) 在上式(20)中’匕係指定之成像性能之目標值，a，係將所指定之分解項目係數（改善後）當作要件之矩陣。還有’未必將藉由像差分解法所算出之各分解項目係數顯示於晝面上’以該算出之各分解項目係數為基準，能自動設定改善所必要之係數之目標值。另-方面，在上述步冑266 +，當由操作者透過鍵盤等指定任一個評價點之任一成像性能之目標值，則步驟 266之判斷被肯定’轉移至步驟268，設定該指定之目標值並儲存於RAM等之記憶體内後，轉移至步驟272。 τ 亦即，本實施形態中，重複步驟266〜27〇〜之環路，或重複步驟266— 268— 272之環路，藉此，從前述2 目標值之指定晝面之顯示開始’僅等待指定目標值一定時間。在此期間，設定補助被指定時，係如前述，用分解項 75 1234195 目係數之算出及_ 一流程，來進行目標二：及:：：目係數之目標值之指定以上_之】- *设定補助未被指定時，1個即儲存該指定評價:之上^象性能Λ!標值被以之情形，過-定時間後，即浐至：疋成像性能之目標值。又，在經宏夕々 P私至步驟274，依照缺陷弋之各評價點各成像柯At + ^ 丨曰之叹疋將未指 284。像^之目標設定為G後，轉移至步驟口此，在記憶體内^ 之矩陣f之ρ十例用下式（21)之33行12列 t 7式來儲存指定評價點之指定成像性能值、及剩餘之成像性能之目標值。鄉-之目標 Λ〗 A，】 /•33，1 /’332 Λι kl *** An f\n 2,12 /： •(21) f 32,12 /如 /’33，12 本實施形態，夫& $ θ描上成慮最户化·^曾 "私之砰^點之成像性能係不考能。于j解之後，再度評價成像性在下一步驟284，在顯干哭μ強- & 之蚩而％壬、— "、、、，、°σ上颁不私疋最佳化場範圍伙旦彳複步驟286—步-驟290之環路，從最佳化ρ 乾圍之指定晝面之顯示開始贫 ee |L ^ 寸打伯疋β %乾圍一定時 :。此處，能指定最佳化場範圍的係在本實施形態之掃描 ^進機等之掃描型曝光裝置’未必在投影光學系統之視野全域，將成像性能或晶圓上之圖案之轉印狀態最佳例如’即使是步進器’纟會因所使用之標線片或直圖宰= 域(即晶圓曝光時所使用之圖案區域之全體或其_部分)之 76 1234195 大小’在投影光學系圓上之Θ安之絲，、、視野王域，未必將成像性能或晶 U上之圖木之轉印狀態最佳化。因此，在一中n士邱‘ 疋日守間内，最佳化場範圍被指定之情則轉移至步驟288，將 φ 將该扎疋之範圍記憶於RAM等記情髀後，轉移至第10圄夕半_ 0 u ^ v驟294。另一方面，在未指定最佳化場範圍之情形，則直接轉移至步驟294。在步驟294，根據前述式（1〇)運算現在之成像性能。 v ‘ 2 9 6，使用各調整參數之波面像差參照前述之式衣、 ' (9))、與各調整參數之zs(Zernike Sensitivity)檔料，7 ” 、、 ^ P Zernike感度表），作成各調整參數二成)像性能變化表。若用公式來表示此變化表，則如下式成像性能變化表=波面像差變化表_ zs㈣—(22) 該式（22)之運算係波面像差變化表⑶# 37列之矩陣 )與ZS樓案（37行12列之矩陣）之乘算，故所得到之成像性能變化表B卜例如’係成為用下式（23)所示之33行12 列之矩陣。 \丨 ’71，2 ’hj Bl=：

1,12 2,12 “32J ^33,1 ^33,2 h 33,11 :---(23) ^32,12 ^33,12 在各1 9個調整參數算出該成像性能變化表。因此，分別能得到由33行12列之矩陣所構成之19個成像性能變化表B1〜B19。在下-步驟298，進行成像性能f及該目標值f之 77 1234195 列化（1維化）。此處，所謂一列化係指將33行12列之矩陣f、f t形式轉換為3 9 6行1列之矩陣之意。一列化後之f 、ft係分別成為下式（24)、（25)。 /i,1 /l，2 /2,2

/= /33,2 …㈣

/2,12 '33,12 /，U / 2,1 /’33，〗 f 1,2 Λ,2 /；= /33,2 …(25) 12 /]，

12

在下一步驟300，將上述步驟296所作成之各19個調整參數之成像性能表進行2維化。此處，所謂該2維化係 78 1234195 私將各評價點之成像性能變化對丨個調整參下仏 2維化後之成像性能表，例如，俜如下式（26)所示之B。戈畑如 Ί,ΐ 1，】 hli

U h

B 2,1 ^33,1 ^1,2 ^2,2 &33,2 Ί,12 A33j12 ^233,]2 ··· ... /2Η 33,12 以上式方式，進行成像性能變化表之2維化後，移至乂驟302,不考慮前述限制條件，而計算調整參數之變化量（調整量）。以下，詳述該步驟302之處理。在前述一列化後之成像性能之目標i ft、-列化後之成像性能f、2維化後之成像性能變化表B、調整參數之調整量dx之間，不考慮加權之情形，有下式（27)之關係。 (ft— Ο = B · dx ......(27) 此處，dx係以各調整參數之調整量為要件，用下式 (28)所示之19行1列之矩陣。又，（ft—〇係用下式（29) 所示之3 9 6行1列之矩陣。

79 1234195 dx ：

dx' dx2 dx3 dxA dx 19 (28) /’】，】-/u /'2,1 "/2,1 / 33，】-/33，】參八2-八2 A,2-Λ,2 (乂一/)= /’33,2—/33,2 ...(29) /'u2-/l,l2 /?2,12 ~/2,12 / 33,12 ~/33J2 若用最小平方法來解上式（27)，則成為下式。 dx=(BT - B)·1 - Βτ * (ft-f) ……(3〇) 式中，心前述成像性能變化表B之轉換_，（βΤ> Β)-1係（Βτ· Β)之反行列。丁力⑶ 但疋，不指定加權（全部 I加％-1)之情形，係很少，通常，因有加權之指定，故能用 ^ 取十方法來解下式（31) 所示之加權函數之績效函數φ。厂 f；)2 ...(31) 式中’ ftl係it之要件’ fi係灸要件。若將上式變 80 1234195 形，則成為下式。因此，設"2.fl為新的成像性能(像差)f •(33) 、為新的目標值f“'則績效函數φ成為下式: Φ=Σ(4·，〜—、因此，也可用最小平士+ ^ , 方法來解上述式（33)。#曰^ 種h形，就成像性能變化表 ^ 〜疋，廷你吕，必須使用下式所—夕# 像性能變化表。、所不之成 df^/dxr^2 · df^dxj .. (34) 因此，在步驟302，不者_ ^ ^ & ^ ... 考慮限制條件，使用最小平方法，求出dx之19個要素，即， J十方之調整參數之調整量。 “遠之19個調整參數在下-步驟3。4,將該所求之19 代入上述之式⑽等，算出矩陣f :之Μ里尤之各要辛，即，饼所有評價點之12種像差(成像 …：矩陣ί之各要素，即，對新女，印值之差、或异出 Φ , '有5平價點之12種像差（成像性月匕），例如，在RAM等記情妒囟々、，丄士义、、、年己L'體内之珂述暫存區域，儲存對應刖述像差之容許值（及目標值）後 ^ 退至步驟306。在步驟306，判斷上述步驟3〇2所算出之19個調整參 :之凋正里疋否延反先則所設定之限制條件(關於該判斷手法，容後進-步說明當此判斷為矣少驟 308。」十對包含該步驟之控制條件侵害時之處理，加以說明。 81 1234195 該控制條件侵害時之墙才您、、貝效函數係用下式（35)來表示。 Φ = Φ,+Φ2 …(35) Ή中’ φ1#、用式⑽所表示之通常之績效函數， ①2係运反函數（限制條件違反量）。設限制條件為g.，境力線為h之|^，φ2則係下式⑼）所示之境界值侵害量 (I — bj)之附加權平方和。 σ Φ2=Σ、·，· (g广吩 ...(36) 式中，將Φ 2設定為境界值侵扭丨又口里又十方與係因為設將φ2當作侵害量之平方盥為饭算，針對dx，來解下式（37)之故。叶 a Φ /ex^d φ j yex+d φ 2yax=〇 ...(37) 即，與通常之最小平方法同樣的，求出dx。其次，針對限制條件侵害時 σ吋之具體處理，加以說明。限制條件係在實際上，可動透鏡動軸（壓電元件等）分別之可動r^ ^ 限來決定。 ]之了動-圍及傾斜(θχ…)之極設zbz2、z3為各轴之位置下式（38a)〜（38c)來表示。 W月匕用 zla^zl ^zlb ......(38a) z2a^z2^z2b ......(38b) z3a^z3^z3b ......(38c) 又，傾斜獨自之極限，例如，係如下式(_所示。 (θχ^θγ2)^2^^ ····..(38d) 又，之所以記為40〃，其理由如右將40〃轉換為 82 1234195 弧度，則 40” =40/3600 度 =冗/(90乂180)弧度 =1.93925 XI 〇·4 弧度因此，例如’設可動透鏡％〜％等 200mm，則各軸之移動量為彳二r約為軸移動量=1.93925 X 1 ο·4 X 200_1 =0.03878mm 亦即，若傾斜為4(Γ，則周邊從水平 m。因各軸之蒋翻旦盔9Λ 置、、、勺私動40 // 釉之私動里為200 _左右為平均之衝程200#!!!相較，%耘，故與軸平乂 #係不可忽視的量之钕。7 t 之極限並不限於4 〇〃告，々丨Λ ’傾斜 …例如，也可依據驅動軸之衝程箄任思加以設定。又，限在丨欠冬及傾斜之Μ I件不僅考慮前述之可動範圍 … ^而且也考慮有關照明光EL之波异杨# > m 與晶圓（Z傾斜載△ 58)之7古^ 之波長位移範圍、口 58)之Z方向及傾斜之可動範圍。 _為了不違反限制條件，必須同時滿足上式⑶a)〜件，：處：：先，如上述步'驟302所說明，不考慮限制條第：：求出調整參數之調整量dx。該办係用回之不意圖所示之移動向量k〇(Zj，0 〜7)爽本-土 Yiii 、不者。此處，i = l〜5係分別對應可動透鏡13丨〜 :1 1 6係對應晶圓(Z傾斜載台），卜7係對應照明光 ’長位移。照明光之波長不具有3自由度，但為了方便 83 1234195 起見，假設其具有3自由度。其次’判斷是否滿足步驟咖），當此判^ ⑻〜（38d)條件之至少-< _〜陶時，因不要限制條件侵：：：式制條件侵害時處理。 ° 里，故結束限 (38d)條件之至少 ® ’當不能滿足上式叫〜種之h形，即移至步驟308。在該步驟308，係如第〗 , 之移動向* k0，找到…°不’按比例縮小所得到向量設㈣。取㈣反限制條件之條件與點。將該

作像差人將錢件作為限制條件，將限制條件違反量看作像差，進行追加’再度進行最 =看 4〇等… Z2b'Z3'z3b'^xH^y2) 意。、錢制條件違反量成為限制條件像差：田a違反Z2 S Z2b之限制條件時，將限制产Μ 延反量（z2—Z2b)視為像差，、隹、s $ 仏讲 ' 騎[切㈣之最佳化處理。因赴 :’在成像性能變化表中追加限制條件部分成像性能（像差）盥兮H沪伯士在時，巾，也追加限制條件部分。此右增大设定加權的話，結果z2被固定在境界值奶。，故=’因限制條件係有_ ζ、θχ、0y之非線性函數此因取4成像性能變化表之場所而得到不同之微係數因此，求_㈣==用W行計算。件違::係:：：條件違反量視為像差，限制條

84 1234195 。因此，必相肩逐次計算調整量。〈％動量）與成像性能變化表 '、如第11圖所示，將θ曰違反限制條件之條件與點。k2加以換算找到最初之後，逐次、：w點之向量設為k3。限制條件之順序述限制條件之設定（依移動向量違反 ^ ,序追加限制條彼、複求出移動量（ ^ ’再度進行最佳化，重 V里U周整：£)之處理，里。直到變成不違反限制條件

糟此，就：t終< # W k=kHk3+k5+... ⑼ §，能求出下式（39)。 ····.·(39) 此日守，簡易地解（笈）。或者也可在嚴袼之限制條° /即，也可進行1次近似次計算求出上式（39)之k。觀圍内，探索最佳值時以逐其人’針對考慮限。千之取佳化，進一步加以說明如別述，一般而言，下式成立。 (ί：’β · dx ······(27) 用最+平方法來解上 # 量dx。工猎此能求出調整參數之調整但是，成像性能變常之變化，、與限制條件=:式(4°)所示，能分為通式中，βι係通常之成像制條件之變化表，另-方面，Β2係限…二性能變化表，不依存於場所依存於場所。 85 1234195 如又對應該兩種變化夺下式（41)可分為兩種。又上式（27)之左邊Cit— ί)也 U〜/2 式中’ fU係通常像差之 t2 係限制條件，f ” f】係現在像差。又，因限制停件m之限制條件違反量。件違反量f2mtt 2'以之像^1、現在之限制條 h係依存於場所，故必行計算。 α牡合移動向i，重新進以後’使用該變 ^^ , gpA, 與通常同樣的進行最佳化計算的活即為考慮了限制條件之最佳化。 b 在步驟308，係以上述方4 整量後，Θ μ & 方式求出考慮了限制條件之調正里俊回到步驟304。反面’當步驟306之判斷為否定時，亦即當不違反限制ir、件之情形及限制條之最佳化處理^反被取料，結束該號機驟⑴。子路…理’回到第5圖之主路徑之步回到第5圖之說明，在步中針對刖述步驟斤才曰疋之所有號機，判斷最 m ^ ^ 仏化疋否已結束，當此判耐為否…即移至步驟'118將計數器k增加"灸，移至 :驟114’針對第k號(此處’係第2號)之號機，進行與刖述相同之成像性能之最佳化處理。、之後，重複步驟118步驟4 11 >1 / 乂驟〜1“〜步驟116之處理（包含判斷），直到步驟116之判斷為肯定。又，上述說明中，當計數器m為同-值（此處，初始值 86 1234195 :時’已說明了步驟114之子路握等之處理進行3次以上，但這是在步驟1〇4中，彳時，去卞—r.联禮、假叹丸疋（選擇）3台以上號機 ”卢二:疋：台號機時係進行2次，只指定(選擇)1 ;= 進行1次。亦即，步，請、-，在與什數“4同-值時，僅進行與指定號機數相同的次數。 &所有（選擇）號機結束前述最佳化時，步斷即為肯定’而移至步請，判斷所有號機《π 12G之« ’係根據儲存於前寻記憶體内之暫存區之號機I、成像性能（12種像至)之容許值' 各評價點之成像性能(12種像差)之算出值及^應之目標值（或各評價點之成像性能U2種像差）與該目標值之差）’針對任—台號機，任—個評價點，在各像，容許值所規定之容許範圍β，判斷所對應之像差算出值是否全部被涵蓋，藉此來進行。並且’當該步驟12〇之判斷為否定時，亦即，力至少 1台號機、之至少1個評價點，12種像差中至少】種像差在容許範圍外之情形時，即移至步驟122，判斷計數器讯之值是否I Μ以上。又’當此判斷為否定時，即移至步驟 124。此時’由於m係初始值i，故此處之判斷為否定。在步驟124，根據上述步驟12〇之判斷結果，全部特定像差算出值之容許範圍外之號機（NG號機）、像差之算出值是否在容許範圍外之評價點（NG位置）及該像差之種類 (NG項目）。在下一步驟

126，將NG位置之NG項目之殘留誤差號 87 1234195 平句值作為月ίι i4圖案修正值加以算Λ，設定（更新）圖木t正資料c ^述式（⑷所示之矩陣之對應要件）。例如，在步驟1〇4中選擇A號機與B號機來作為最佳化對象號機’在第i個之測量點(評價點），例如，當縱線之線寬異常值％ I A號機在容許範圍外時，例如，圖案修正值係用下式（42)來加以算出。 CU={(CM^A,+(CMJB,} ··.···(42) ^式中（CMv)A’1係A號機第i個測量點之縱線之線寬異系4 ( Mv)B’1係B號機第i個測量點之縱線之線寬異常值又，；5係§作取佳化對象機所選擇之率。還有，最佳化對象號機之台數少之情形，在第= 。平^貝點，針對線見異常值CMv為容許範圍内之b號機，也可當作⑽上…巧，使用上式(42)，算出圖案修正值c^。在下-步驟128,對前述之光學模擬器用之電腦938 供應必要之資訊’並且’使用圖案修正值，來修正前述之步驟2G2所取得之圖案資訊，提供作成對應目標曝光條件（所謂在前述步冑202’取得資訊之最佳化曝光條件係指僅圖案資訊相異之曝光條件）之zs槽案之指示。藉此，使用電腦938’作成對應該目標曝光條件之zs_，該作成後之ZS檔案係追加於第2資料庫。其次，轉移至步·驟132將計數器m增加j後，回到步驟U2後，重複步驟114^116〜118之環路，直到上述= 驟116之判斷為肯定，藉此，針對所有號機再度進行前述最佳化。但是，在此第2次（m=2)時所進行之步驟114之處 88 1234195 丨叹疋之值

Cl，6之至少一部分更新之矩陣理，‘以圖案修正值c，在前述 ’使用要件C^、Cl，4、（^ 咨财，々人啊炙矩I罕、”、。又，作為zs檔案，在前述步驟i 28所作成之以檔案係用步驟21 6來讀入。田然後，在針對所有號機結束前述最佳化後，步驟ιΐ6 =即為肯定’而移至步驟120如前述般判斷所有號機之朿佳化是否良好。、當此步驟12〇之判斷為否定時’移至步驟122後，依予進仃步驟122〜132之處理後’回到步驟i】述步驟116,之環路 126- 128- 132之環路處理。一另方面，當上述步驟120之判斷為肯定時，亦即，當初所指定（選擇）之所有號機之前述最佳化結果良好時， t財126之圖案修正值之更新設定，當所有號機之丽述隶佳化結果良好時，即移至步驟138。與此不同的，在重U次上述環路（步驟112〜132)之處理的期間，於步驟12〇 m 心刊断持績被否定時，在第Μ次之壞路步驟122之判斷被肯定， _ 月疋即移至步驟1 34在顯示器 :二：顯示不能最佳化後，強制結束。之所以如此，係口即使某種程度的重複上述 ,,a ^ ^ 祓玫衣路若干次，所有號機之最佳、、ό果亦無法良好時，即認為 .^ ^ 马从圖案修正值之設定，亦幾乎鹆法進行最佳介，囡t卜 τ止該處理之故。該Μ次，例如，係設定為1〇次。在步驟138，係將要件全部 ^ 、 4為尽之矩陣C之資料、或 89 1234195 方；刚述步冑126中部分要件被更新之圖案修正值（圖案修正資料)傳送至第1電腦92〇,且在_等記憶體内對應圖安資訊加以儲存。 ^水 ^二在下步驟140中，將被指定（選擇）之所有號機之適 :調整量(步驟A 114所算出之各號機之調整量)分別輸出至第1電腦920。第i電驟〇接收此等資訊，將前述最佳化曝光條件中，將使用圖案修正值來修正圖案資訊之曝^ 餘件作為各號機之新基準ID，將該新基準D與所接收之口號機之適當調整量之資訊連接，儲存於讀等記憶體内 !在下一步驟142,係在顯示器上顯示結束或繼續進行 =k擇晝面。於步驟i 44中，選擇繼續進行時，即回到步〇2另方面，當選擇結束時，則結束本路徑之一連串處理。此處，係使用已安裝與上述標線片圖案之設計程式同樣之耘式之電腦’進行實驗結果之一例，具體而言，係對測量投影光學系統之視野（靜場）内之波面像差之A號機與 B =機，針對實施標線片圖案之修正、與成像性能（像差）之最佳化之情形，加以說明。，…丨 X不一叫”丨小7诉假設縱向之微細- 線圖=在圖案區域PA内，均句分布形成之工件標線片寸在奴影光學系統之視野（靜場）内，以3行11 j 、車狀配置，來配置前述波面像差之測量點（評價點）工件標線片R1上’以能分別對應各測量點之狀態，延> 90 1234195 2條1組之縱向（γ轴方向）之線圖案係以3行11列之矩陣狀配置來形成。又，第12圖係從圖案面側來看工件標線片 R1之圖。 (步驟1) 標線片R1’由於圖案之線寬均勻性與圖案位置成為問題，故在既定曝光條件下，作為評價之成像性能，係針對聚焦依存性、左右線寬差、圖案中心位置，分別預先求$

Zernike感度表（ZS檔案）。 (步驟2) 設定上述ZS檔案、與A號機與B號機各自之投影光風系統視野内之波面像差資料、波面像差變化表、能變化：鏡位置範圍資料、及上述各成像性能（聚焦均勻性、左右差:圖案位置偏移）之容許範圍（容許值）’將圖案i正 B ^ 零，與前述步驟114同樣的，進行各A號機盘之成像性能之最佳化(算出適當調整量等），在該過転中立:與刖述步驟304同樣的，算出各成像性能。第==示右'1Γ(縱線之線寬異常值)，獲得掃描方向α軸方卜…3Α圖係表示存在於非，係2… 大致同一位置之各3個测量點(此處 ’、2 (卞1、、’且之縱線值者。此處，… 置)之左右線寬差之平均。、4種平均值的係以掃描曝光為前題之故彡乂進機等以靜止曝光為前點求出各成像性能。捉才係就母一測量 91 1234195 請圖中，•係表示A號機之左右線寬差，•係表丁 B號機之左右線寬差。又，斜線部一、由此第m可瞭解，僅A號機在曝光乾圍内。統之靜場)右端，左右線寬差之值二二域(投影光學系虚$ b — 左《值（D"h在容許範圍外。此处，虽左右線見差（dj)a、（Dj)b(j=1〜⑴為正值時右側線之線寬較左側之線寬大。又， "不有點，其聚焦均勻性、圖宰位置偏J㈣"虎機在所杀位置偏移皆在容許範圍内。 (步驟3) 因此，將上述值fl)彳夕枯广丨1)A 1/(2、石）作為圖案修正正值係對㈣13A中之箭η)，以光罩設計標二光結果’位於圖案區域^端（其前提為投影予糸、洗為折射光學系統)之各2條i組之線圖案，左側之 :圖案之寬度較右側之線圖案窄），使用該修正後之圖宰 ;:仍使用上述步驟2所算出之各號機適當調整量(及所對應之波面像差），盥前怵牛驟 n 4述步驟304同樣的，再度算出各成月匕。又，上述修正值之算出方法係假設容許範圍内之娩機之曝光區域右端之左右線寬差之值（d")b為零，實質上，與：用：前述式(42)同樣之式所算出之方法相同。' 、此日寸’帛13A係以掃描曝光為前提的關係，在算出此成像f·生月匕日寸’亦係於掃描方向將波面平均化，使用該平均化波面’來作為各點波面之數據。其結果，能得到第13B圖所示之結果。又，該第ΐ3β 圖”則述第13A圖同樣的’表示存在於非掃描方向（χ轴方 °之大致同一位置之各3個測量點(這種情形，各2條1 92 1234195 組之線圖案之投影位置）之左右線寬差之平均值者。八域由：第13β圖可瞭解，A號機與β號機在曝光區域之王或，左右線寬差之值都在容許範圍内。，一 (步驟4 ) 為了慎重起見，將上述圖案修正值内右端各測量點之線寬異常值項目之修正值㈣= 正值全部作為零，與前述步驟114同樣的，分別進: 機與Β號機之成像性能之最佳化(算出適當調丁 2 此過程中’與前述步驟3G4同樣的，算出各成像性能。，在其結果’能得到如第丨3C所示之鈇 ΐ3Α 之平::者同—位置之各3個測量點之左右線寬差八由該第13c圖可瞭解’ Α號機與β號機在曝光區域之王左右線寬差之值都在交今鉻盘笛1QD 值郡…中犯圍内。若將該帛13c圖 …3B圖加以比較’則能確認圖案差之最佳：能得到最良好之成像性能。又，方左右線見差以外之聚焦均勻性、圖案位置偏移，A號機與B號機也都良好。、但是，如前述，在上述步驟m之處理中，亦考準1〇之波面像差修正量未知之情形，在這種情形下，；；基準ID之成像性能推測波面像差修正量加以說明。此處’單面波面像差與安裝狀態(。“—)液面像差之 93 1234195 i35等之調整參數之調整之修正量。偏移係假設與前述可動透鏡l3l〜量之偏移Δχ，對應，推測波面像差 :假定單面波面像差與本體液面像差 !為心’調整量之修正量為Δχ，， Π 夕押认々你" 伯木句Zb ’基準之里娜成像性能（安裝狀態波成像性能)為κ。，美準_ΠΛ '形之理論〇基準ID(相同調整參數之值）之性能為L，波面像差變化夺爲際成像义化表為ίί，成像性能變化表

單體波面像差| Wp，波面像差修正量AAW表為式⑷)、⑼成立。紅正里為騎，則以下2 (43) (44)

Ko^ZS - (Wp+H - Δχ)

Ki^ZS · (Wp+H · (Δχ+Δχ5)) 因此， K]-K〇=ZS · Η · Δχ，，，. Δχ， ……㈣因此，若用最小平方法來解上式（45)，則調整量之修正量△,，能用下式來表示。

△ (46) 又’波面像差之修正量AWp，係用下式來表示 (46) △ Wp，=H · Δχ，口基準I D係具有該波面像差修正量△心。又，實際之安裝狀態波面像差係以下式（48)來表示。實際之安裝狀態波面像差,+Η·Δχ+Λρ……(48) 其次，就使用第1圖之標線片設計系統932及標線月製造系統942來製造工件標線片時之動作例，沿第14圖〜弟16圖之流程圖來加以說明。又，以下，係以製造第12 94 1234195 圖所不之工件標線片R1之情形為例，加以說明。 . f先，在第14圖之步驟701中，從第j圖所示之終端 · 936A〜936D，通過UN934，將製造對象之工件標線片部分之設计貧料、及表示能分割處（本實施形態中，係線寬控制精度之不嚴部分）之識別資訊，輸入至第2電腦。回應此等貧訊之輸入，第2電腦930通過LAN936，將統合所有部分設計資料之i個標線片圖案之設計資料、及對應這些識別資訊，傳送至標線片製造系統942之電腦94〇。在下一步驟702中，電腦940根據所接收之標線片圖春案之設計資料、及識別資訊，將該標線片圖案分割& P片之既存圖案部與Q片（P、q係i以上之整數）之新圖案。此時，所謂既存圖案部，係將已製造完成之元件用之主標線片之圖案以光曝光裝置945之投影倍率七加以縮小者相同之圖案，用α倍形成既存圖案部之主標線片係收藏於未圖示之標線片收藏部。相對於此，所謂新圖案部，係目前尚未製作、或是未形成於標線片收藏部内之主標線片之元件圖案。第12圖係 · 表示此處之製造對象之工件標線片R1之圖案之分割方法（以虛線表不各分割線）之一例。在該第丨2圖中，被工件標線片R1上之框狀遮光帶ES所圍住之圖案區域pA，係被= 剎成由既存圖案部S1〜S10、新圖案部N1〜N10、及新圖案部P1〜P5所構成之25個部分圖案。本實施形態中，既存圖案部si〜si〇係彼此相同的圖案，新圖案部N1〜N1 〇亦係彼此相同的圖案，新圖案部ρι〜p5亦是彼此相同的圖案 · 95 1234195 ，此時，電腦94(M系使用未圖示之標線片搬送機構，將形成有放大既存圖案部sl〜sl〇圖案之既定片數，此處，係從未圖示之既存標線片收藏部搬出1片主標線片MR，將 6亥1 :主標線片儲存於光曝光裝置945之標線片資料庫。 *第π圖係顯示上述主標線片MR。此第17圖中，於主標線片MR形成有將既存圖案部S1〜S10放大α倍之原版圖案邡。該原版圖案SB，例如，係藉由絡⑼膜等遮光膜之

㈣來&成。又’主標線片MR之原版圖案SB係被分別由鉻膜所構成之遮光帶ESB圍住，在遮光帶ESB之外側形成有對準記號RMA、RMB。作為主枯線片MR之基板（空白標線片），若光曝光裝置二5之曝光用光係KrF準分子雷射光或—準分子雷射光寺的洁’則能使用石英(例如，合成石英）。又，若該曝光用光係F2雷射光等的言舌，則能使用勞石或播入氣之石英等來作為該基板。

其次，電腦940製作將第12圖之新圖案部N1〜N10、 P1〜P5以投影倍率r之倒數。倍(例如，4倍或5倍等)加以放大之新原版圖案的資料。然後，在第14圖之步驟703〜710中，製造形成有該寺新原版圖案之主標線片。亦即，首先，在步驟7〇3中，電腦94〇將顯示新圖案部順序之計數器η值重設為〇)。其次，在下一步驟7〇4中，電腦94〇係確認計數器n 96 1234195 之值疋否達到N(此時，由於新主標線片只需製造2種（？）片即足夠’故N=2)。當n未達到N時，即移至步驟705，電腦940將計數器η增加ι((η —η + 1)。在下—步驟706中，使用基板搬送系將從未圖示之空白收藏部取出之螢石、或摻入敦素之石英等第"虎之基板( 空白標線片）於。烟6中塗布電子束光阻抗㈣，此基板被基板搬运糸從C/D946透過界面部947，搬送至肋曝光裝置944 。 ^ 此外，上述基板上，形成有既定對準記號。又，此時在ΕΒ曝光裝置944，係以電腦94〇供應ν片新圖案放大之原版圖案之設計資料。因此’在步驟707中’ ΕΒ曝光裝置_係使用該基板之對準記號，進行該基板描晝位置之定位後，進至步驟 708,在該基板上直接描η號之原版圖案。然後’在步驟709 t ’描畫原版圖案之基板被基板搬送系透過界面物搬送至C/D946，進行顯影處理。本實施形態中’由於電子束光阻劑具有吸收光曝光裝置945 所使用之曝光用光（準分子雷射光）之特性，故能將該顯影所殘留之抗蝕劑圖案仍作為原版圖案來使用。在下一步驟，顯影後之第n號（此時，係第U )基板，係作為第n個新圖案部用之主標線片，係藉由基板搬送系透過界面部949搬送至光曝光裝置945之標線片資料庫。之後’處理回到步驟74G ’電腦940再度料計數器n 97 1234195 之值是否已❹"⑼，此處之判斷為否定步驟7〇5〜710之處理，藉此來製造對應第1 (第a): 新圖案部之主標線片。即，藉此儿〕之圖案部之主標線片。 *對應所需數之新第18圖係顯示以此方式萝生飞衣乂之新主標線片NMR1、 NMR2、及主標線片MR。於此等主^飧寺主“線片龍R1、NMR2,亦在原版圖案之周圍形成有遮光帶。其次，在第15圖之步驟711中，根據電腦940之指示，藉由基板搬送系從未圖示之空白基板收藏部取出線片⑻）用之基板’亦即，取出空白標線片（由石英、營石下、掺入氟素之石英等所構成），搬送至_6。在該基板（ :白標線片）上，預先蒸鍍鉻膜等金屬膜，且亦形成大致定位用之記號。但是’此定位用記號並非絕對必要。在下一步驟713中，根據電腦94〇之指示，藉由匸/ 娜，在該基板上，塗布光曝光裝置⑽之曝光用光可濟光之光阻劑。 Μ 、其次，在步驟115中，電腦940，使用基板搬送系透鲁過界面部949將該基板搬送至光曝光裝置945，對該光曝光f置945之主控制裝置發出使用複數個主標線片來進^ 接合曝光（st itching曝光）之指示。此時，第12圖之圖案區域PA内之新圖案部、及既存圖案部之位置關係之資訊亦供應至主控制裝置。在下一步驟716中，依據上述指令，光曝光裝置以5 之主控制裝置使用未圖示之基板裝載系統，以外形基準來 98 Ϊ234195 進行該基板之位置料後（預對準），㈣基板裝載於基板保持器上。然後’視需要，例如，使用該基板上之對位用。己波、及料檢出系，對載台座標系進行對位。在下一步驟717,光曝光裝置945之主控制裝置，將顯不新的N片(此處為2片）主標線片之曝光順序之計數器 s重設為〇後，進至下_牛交進主下步驟Π9，確認計數器n之值是否 :至"。在該判斷為否定時，即進至步驟723，將計數器s ί曰加l(s —s + l)後，移至步驟723。在步驟723,主控制裝置從標線片庫取出第“虎(此處為弟1號)之主標線片，將其载置於標線片載台上後，使用 ^主標線片之對準記號、及標線片對準系，進行該主標線相對載台座標系、及工件標線片（R1)之基板的對位。在下-步驟725中，主控制裝置控制晶圓載台之位置 ’使其位於第s號之新主標線片之設計上之曝光位置後，開始掃描曝光’將該主標線片之原版圖案轉印於該基板上之既定區域。此處’當該新的主標線片為具有前述第以圖之新圖案部N1〜N10之原版圖案之主標線片剛時，係以接合曝光將該主標線片圖案之丫倍縮小像依序轉印至對應工件標線片(R1)之基板上之上述新圖案部n1〜ni〇的：參照第18圖）〇然後，此處理回到步驟719，主控制裝置再度確認計數器η之值是否達到N’當該判斷為否定時，重複步驟72ι 〜725之處理。此時，在㈣咖巾’係以接合曝光將具有新圖案部之原版圖案的另一主標線片NMR2之圖案之^倍 99 1234195 =小像’依序轉印至對應卫件標線片（R1)之基板上术部P1〜P5的區域（參照第18圖）。 '、回人如上述般，使用N片（此處為2片）之新主標線曝光結束後’此處理即從步驟719㈣16圖之步驟〃驟727 + ’主控制裝置將表示既定片數T(此處 ;:存之主標線片只要1種(…即足夠，故τ:二 I線>5之曝光順序之計數^ t之值重設為g(卜為：：：驟:29’確認計數器七之值是否達到T。當此判斷步二”在步驟731，將計數器t增加1(一)後移至栽於桿绫M a * 1就）之既存主軚線片MR裝

之圖安^ 進打對位’在步驟735將該主標線片MR 膺工：、倍’、像以掃描曝光方式之接合曝光，分別轉印於對 Μ工件標線片（R 1 ) 、于參照第18圖）。之既存圖案部S1〜S1G之區域（從步賢?2!:結束全部主標線片之接合曝光後，此處理即 v V 729移至步驟737。圖之tlfi737中’玉件標線請）之基板被搬送至第1 /D946，進行顯影處理。然後’該顯影後之基板殘餘光阻劑圖旬“， “至未圖不之蝕刻部，將進。*為光罩，進行蝕刻（步驟739)。進一步圖L 等處料忏铩線片R1之製造。 ^僅而重複步驟711〜739，即能在短時間内製造 100 1234195 所需片數之具有與工件標線片相同圖案之工件標線片。本實施形態中’以EB曝光裝置944描晝之原斑工件標線片R1相較較粗糙， ’、θ术〆、们之全體圖幸之1/2 " 案係工件標線片 S案之1/2左右以下。因此，ΕΒ曝光裝置… 之描晝時間與直接描晝之情形相較，大幅縮 R1之全部圖案。仵铩線片再者’作為光曝光裴置945(投影曝光裝置），一使用KrF準分子雷射或ArF準又’、能使用對應15〇〜⑽nm左右之。為光源’而仍投影曝光裝置。取小線見之y進掃描方式之藉由本實施形態之標線片設計系统9 3 2及標線片製造 “先942’以上述方式，能製造工件標線工件標線片。及〃他之從以上之說明可容易相〜實驗之A號機為曝光裝置：貫加形態中，設前述

"1，B唬機為曝光裝置922 則使用W述標線片圖案之 L 片(複數台曝光裝置共用)之二：’：設計待形成於標線圖案作為對象圖幸，在J“，係將工件標線片R1之象圖案在别述步驟1〇4巾，指定（選擇）這此 :光裝置叫、叫來作為最佳化之對象號機，藉此，： =叫能得到與前述實驗結果同樣之圖案修正值在 1:◦中，能得到適合該修正後之圖案轉印之曝光裝置922i、9222之各調整參數之調整量。此處π造貫際之工件標線片Ri後，在進行上述圖案修正值之處理時，就製造具有與工件議Rl( 101 1234195 曝光衣置922】及曝光裝置922,共用）同樣圖案之工線片之情形加以考慮。此時，係在上述步驟702之前，作為標線片圖案之設計育料，將工件標線片K1之設計資料中，位於圖案區域 ^内之第12圖右端之圖案部S2、S4、S6、S8、幻〇之圖案設計資料，根據上述圖案修正值進行修正後之圖案資料 (位於圖案區域PA之左端部之各組2條線圖案之線寬差被修正之資料）’從第2電腦93〇傳送至標線片 42 之電腦940。在標線片製造系統942,則係製造具有將圖案部s2、 S4: =、S8、S1°之圖案放大之原版圖案之主標線片，來作為前述新規主標線片。然後’使用此新製造之主標線片、及對應已製造之殘餘圖案部SI、S3、S5、S7、S9、Nl〜N1〇、ρι〜ρ5之主標襄片進订刖述接合曝光等，即能在短時間0 造戶片數之具有修正後圖案（將工 ^ m ^ ^ , 千铩線片R1之圖案根據圖案知正值加以修正後之圖案）之工件標線片。又’針對使用本實施形能俨々心之糕線片故计糸統及與標線片衣…同樣系統之標線片製造方法，例如，已詳細揭丁方' WQ99/ 34255號（對應美國專利第6,677，⑽8號）、 W099 / 66370號（斜庫盖宙』， 1對尤吴國專利第6,653,025號）、及美國專利第6, 607, 863號等，本每浐犯丄寻 ^ 奉Μ轭形態中，亦能原封不動、或變更其中一部分來使用掠一之夂錄丰。^不於該國際公開公報或美國專利 0 4 S際專利所指定之指定國（或所選擇之 102 1234195 壤擇國）利之揭亍/法令許可範圍内，㈣上述公報及美國專之揭-，作為本說明書記載之—部分。：專糸统942之w Α 杌線片衣造可使『先裝置州，雖係設為掃描步進器，作也能以步進接二“㈣置(步進器），此步進器亦同樣。進接5(咖-stltch)方式，進行前述接合曝光半導二2本實施歡曝光裝置9221〜9叫，當製造載台RST上：二件製造用之工件標線片係裝載於標線片 ° ，然後，進行標線片對準及晶圓對準夺測量、；5 ί?Γ Δ， u Μ」千示之基線及 £GA(enhance global alignmen 準備作業。 0日IU對準寻此外，針對上述標線片對準、基線測量等之準備作業，例如’已詳細揭示於前述曰本特開平7—176彻號公報及對應該公報之美國專利第5,646,413 ?虎，又，接下來，針對脇，詳細揭示於日本特開昭6卜444294號公報及㈣該公報之美國專利帛4,78G，617號等。在本國際專利所指以^_@所選擇之„國）之國内法令許可範圍内，援用上述公報及對應之上述美國專利之揭示，作為本說明書記載之一部分。然後’根據晶圓對準結果’進行步進掃描方式之曝光。又’因曝光時之動作等與-般掃描步進器並無不同:故詳細說明予以省略。此處，以該最佳化對象之複數台曝光裝置來使用以如前述方式製造之複數台曝光裝置能用為目的之工件編 103 1234195 :、:：：電腦92°’係對各曝裝請之主控制裝置50 在料步驟⑽，提供料於議等記憶體曝光裝置9⑵之料準ID與㈣叙適^各^

新=裝進置主控制裝置5°，根據該資訊. ”土準ID進行曝光條件之設定，且以下述方式執行線片之圖案之轉印像之最佳化。 T :即’根據作為適當調整量資訊所賦予 i::3,、135之各自由度方向(可驅動…^ 動置Zl、…θ〜、ζ2、〜〜Ζ3、θΧ3、θ η Ζ4、θχ4、〇4、Ζ5、θχ5、0y5之指令值，進行既定之運算來分別算出驅動各可動透鏡…個驅動元件的驅動和令值，供應至成像性能修正控制器，48。因 :象3性：修正控制器48 ’在各自由度方向，對驅動可‘透鏡 1 5之各驅冑凡件之施加電壓加以控制。&，根據昭明光EL之波長位移量U，對光源16賦予控制資訊TS: 進行中心波長之調整。

然後，在進行這種各部調整之狀態下，進行步進掃 2式之曝光’但在此曝光（掃描曝光）中，根據以適“周，所供應之晶圓表面（傾斜載台58)之3自由度方向二驅量Wz、W0X、W0y，實施使用前述焦點位置檢出系（6〇& 6〇b)之晶圓之聚焦、調平控制。藉此，任一台號機（曝光裝置922)中，皆能將該工件標線片之圖案高精度轉印於晶圓¥上。又，為了圖案之轉印狀態之最佳化，投影光學系統PL之成像性能之調整等也 104 1234195 能用極短時間來進行。但是上述情形中，第i電腦㈣未必需要提董之貨訊寺。在此種情形時，各曝光農置922《主控制裝置5 0係在將該工件禅绩η駐番私線片裝載於標線片載台RST上之狀熊下’以該工件標線片之圓査么f 乃之圖案為基準，進行最佳曝光條設定、及投影光學系鲚pi夕士多亍、'、死儿之成像性能之調整等，但此時，在任口曝光衣置皆能為了高精度轉印該工件標線片之圖案:而設定曝光條件及調整投影光學系統p[^成像性能。此係因如前述般，葬由挪綠错由4示線片没計糸統確認最佳化良好之故0 由以上之§兒明可瞭解，本實施形態係藉由可動透鏡 13广135、Z傾斜載台58、及光源16來構成調整部，並以可動透鏡i3l〜135、z傾斜載台58之2、θχ、〇方向之位置（或其變化詈）、及末自光源1 6之照明光之波長變動量為調整量。且以上祕欠^田# ^ 边各调整部、驅動可動透鏡之驅動元件及成像性旎修正控制器48、及驅動z傾斜載台58之晶圓載台驅動部56來構成調整裝置。但是，調整裝置之構成不_ 限定於此’例如，作為調整部，亦可包含可動透鏡13ι〜 135。即使如此，也能調整投影光學系統之成像性能（各像差）。如以上之詳細說明，若依本實施形態之元件製造系統 1 0的居則在决疋待形成於複數台曝光裝置所使用之標線片（工件標線片）之圖案資訊時，第2電腦93〇係針對從透過LAN926、918所連接之複數台曝光裝f 9221〜9娜中， 105 1234195 所選擇之最佳化對象之曝光裝置，用最佳化處理步驟（第$ 圖之步驟11G〜132) ’進行以下之最佳化處理。亦即’根據包含第6圖之步驟2〇2所取得之圖案資訊 ^既定曝光條件下之調整裝置之調整資訊、及對應該調整資訊之該投影光學系統PL成像性能之相關資訊、圖案修正值之資訊(例如，初始值為零）、及步驟22〇〜228所指定之容許值㈣定之成像性能之容許範圍f訊等之複數種資訊，在考慮該圖案之修正值之目標曝光條件下(藉由修正值，將該圖案取代為修正該圖案之修正後之圖案之目標曝光條件下）之前述調整量之適當調整量，就每一曝光裝置，算出之第1步驟(步驟114〜118)，依照該第】步驟戶"出之各曝光裝置之適正調整量之各曝光裝置之調整裝置:調整結果，在上述目標曝光條件下，判斷至少1台曝光震置之投影光料、統PL之成像性能是否在該容許範圍外，^判斷之結果’當有在容許範圍外之成像性能之情形時，即极據該成像性能’依照既定之基準，重複設定該修正值之第 2步驟（步驟m 126)’直到所有曝光裝置之投影光學系統之成像性能皆在容許範圍内，步驟12〇之判斷為肯定。 ’、亦即’ a. ·§·先，設目案修正值為既定初始值（例如，零 )’既知圖案為投影對象之圖案’分別就複數台曝光裝置，算出投影該圖案之際之調整裝置之適當調整量，b.根據各適當調整量’調整各曝光震置之調整裝置時，判斷至少 1台曝光裝置之投影光學系統之成像性能是否在容許範圍 106 1234195 外。C.該判斷 τ夂妖石嗥尤衮置中投旦〈去學系統之成像性能在容許範圍外時，根據在該容許範:外之成像性能，依照既定之基準設定圖案之修正值該設定之圖案修正值，將上述既知之圖案被修正之圖㈣了豕之α木刀別就硬數台曝光裝置，算爷圖案之際之調整褒置之適當調整量，以後，重複 ' C· 、 d· 。 ◦· 又，在上述最佳化處理步驟中，當所有曝光裳置之投影光學系統PL之成像性能皆在容許範圍内時，亦即，夢由 ^正值之設定，當沒有在容許範圍外之成像性能之情开;，或從一開始所有曝光裝置之投 <直之杈知先學糸統之成像性能皆在 Γ3; = 時，第2電腦930係在決定步驟(步驟 1、疋上述取佳化處理步驟所設定之修正值當作圖案 _乡貧訊’輸出（傳送）至第】電腦920,並對應圖案之貝λ ’储存於RAM等記憶體内。因此’將使用上述方式決定之圖案之修正資訊或該修貝：修正原本之圖案的圖案資訊，用於製造工件標線片 :即1於製造複數台曝光裝置能共用之工件標線片。此本j施形態之步驟126所說明之圖案修正值之算出基像^定基準）僅為一<列’例如，亦可將在容許範圍外之成此之1/2之值等作為圖案修正值，也可依據在容許範成像性旎，設定該成像性能在容許範圍内之基準。

若依本實施形態之元件製造系、统10，第2電腦 ,、、」斷(步驟122)是否重複上述第！步驟與第2步驟M 107 1234195 -人（既疋人數）纟列斷該第2步學系統之成像性能皆在容許 a衣置之技衫先時，即顯示不能最佳化 [判斷已重複M次此係由於，例如L 34)而結束處理。、或不欲過份增大成像性能之容許範圍非常窄 ”中，即你、修正值時等，在前述最佳化處理 Γ 若干次圖案修正值之設定，亦有可能產調整量的情形。亦即，2無法鼻出所有曝光裝置之適當既定次數之時點，έ士/在重複弟1步驟與第2步驟、、，D束處理（強制結束），效時間之浪費。但杲，Λ、你L 此丨万止無、成像性能之容許範圍不會太窄，或無論成像性能容許範圍 ^ 所謂時，在這種情=之見乍、圖案修正值即使變大亦無 Μ次的步驟122等。亚不"^需要上述判斷是否重複此處在十對上述強制結束後之對應方法，加以簡單說、弓—在A #u機與Β號機能共用之標線片之設計時，進订上述強制結束之情形，例如，分別設計(或製造 «與Β號機最佳化之標線片。或是，將新的c號機當作取佳化之候補，在最佳化對象之號機中，分別指定Α號機。唬機及B 5虎機與c號機，考慮依照前述第5圖之流程圖’進行處理等之對應。此時，能分別設計（或製造) 龙機與c號機能共用之標線片…號機與c號機能共用之標線片。構成二t實造系統1Q,如上述’係藉由叹计糸、、先之弟2電腦930，依照第5圖之流裎 108 1234195 圖進行處理，藉此來決定之修-值之資訊，修正=貧訊’根據該所決裝置皆& > a ” 之圖案，藉此在任一台曝光 “決定成像性能在容許範圍之㈣之資訊。製造述修正值㈣提供給標線片製造系統942中，使;二電細_，藉此’在標線片 m也 *用δ亥圖案之資訊，在空白標線片上， :二圖案，容易製造複數台曝光裝置能共通使用之工件標片制若依本實施形態之元件製造系統1〇,則藉由標線片J::糸，統942，如上述，所製造之工件標線片係在上述複數口曝光裝置中，分別搭載於作為最佳化對象而指定之曝先裝置，將該曝光裝置所具備之投影光學系統pl之成像性能配合工件標線片之圖案，進行調整之狀態了，透㈣工件標線片及投影光學系統PL，使晶圓w曝光。此處，形成m件標線片之圖t，係在該圖案資訊之決定階恐作為最佳化對象所指定(選擇)之複數台曝光裝置(號機)；任一台皆決定成藉由投影光學系統PL之成像性能在容許範圍内，故藉由配合上述工件標線片之圖案之投影光學系統凡之成像性能之調整，該成像性能確實被調整在容許範圍内。料’如前所述，為了決定圖案修正值，事先記憶在各曝光衣置之成像性能之最佳化階段所求出之調整機構之調整量之值，也可仍舊使用該值，來調整投影光學系統之成像性能，也可再度求出成像性能之調整參數之適當值。無論如何種方式，皆能藉由上述曝光在晶圓上以良好精度轉 109 1234195 印圖案。由上述說明可瞭解，本實施形態，係在製造工件標線片時，設計該圖案之際，同時進行預定使用該工件標線片之複數台曝光裝置（作為前述最佳化對象所指定之複數台號機）之成像性能最佳化，故也能得到如下之效益。亦即，若著眼於某圖案（形成該圖案之工件標線片）的話，則能使用該圖案之曝光裝置之範圍擴大。相反的，若著眼於某曝光裝置的話，則使用同一標線片（光罩），與在各曝光裝置只進行成像性能（像差）之最佳化之情形相較，月b擴大與在良好狀態下能運轉之其他曝光裝置能共用之圖案之範圍。又，前述日本專利334391 9號公報所記載之圖案修正方法，由於係進行各曝光裝置因投影光學系統之像差等所引起之圖案像之線寬差等之修正，故就每一號機分別製造形成有不同分別圖案之工件標線片之傾向很高，相對的，本實施形態，複數台號機能共用工件標線片之結果，能降低標線片成本及彈性運用號機。又，上述實施形態中，曝光裝置922】〜922〃中，作為最佳化對象號機所指定之至少丨台曝光裝置之主控制裝置 50係在既定曝光條件下，例如，使用有關最趨近前述最佳化曝光條件之基準ID之調整資訊及投影光學系統pL之成像性能之資訊、標線片設計系統932及標線片製造系統 942之工件標線片之製造階段之圖案修正資訊（此資訊可藉由詢問第1電腦來獲得），在考慮前述圖案之修正資訊之目 110 1234195 標曝光條件下，算出調整裝置之適當調整量，亦可根據該所异出之調整量控制調整裝置。此時，算出該適當調整量 ’例如’能採用與上述實施形態之步驟114之號機最佳化同樣之方法。又，此時，藉由主控制裝制50透過訊號線，構成連接於調整裝置之處理裝置。即使如此’與不考慮圖案之修正資訊之情形相較，能 #出投影光學系統PL之成像性能更良好之調整量。又，不考慮圖案之修正資訊之情形時，在目標曝光條件下，即使 /τλτ . ^投影光學系統之成像性能達到預定容許範圍内之調整里亦困難時，在考慮圖案修正資訊之目標曝光條件下，算出凋整裝置之調整量，藉此，有時能算出投影光學系統之成像性能達到預定容許範圍内之調整量。此外，依照所算出之適當調整量，調整裝置受到調整 2此，投影光學系統之成像性能與不考慮圖案修正資訊 ^ 乂相車乂，能良好地調整。因此，能實質提高投影光學糸統對工件標線片上圖案之成像性能之調整能力。此外’以上了便於說明，係將Α號機與β號機作 :最佳化對象之號機來加以說明，但本實施形態之元件製化系、、充二0不是只在2台曝光裝置間進行工件標線片之共用 :弟5圖之流程圖可以瞭解。即，若依本實施形態之凡牛』造系統10,則能製造複數台曝光裝置92 之任意複數台，用最…曝光裝置能共用之工件議中又’上述實施形態，使用在第6圖之步驟2〇6所取得 111 1234195 之單體波面像差之資訊、最趨近最枰

之調整量（調整參數）之值、對基準^ ^一“件之基準ID 差之波面像差修正量等；所瞀出《女裝狀態之波面像像差之數據作為用來算出成:二影光學系統孔之波面不受限於此，在前述成像性能之〒250)，但裝置之調整資訊及投影光學㈣^則，各號機之調整 ,, 之成像性能之實測眘挝也可使用前述波面像差測量器 10所測量之波面像差 I測資料，用來算出成像性能n在最佳化前ΐ

y祭所測量之投影光學系統之波面像差之實測資料，在1 土化曝光條件下或目標曝光條件調整量，&能算出正確之調整量…：：魏裝置之適當旦γ ' 一、义種情形所算出之調整 :乂 “]值為基礎’故與w述實施形態所算出者相較，成為同等以上之高精度者。

敕一在此情形下，作為實測資料，除了使用調整裝置之調 :貧訊外，也在最佳化曝光條件下（或目標曝光條件下），右成為算出調整裝置之適當調整量之基礎的話，則能使用 :壬何資料。❹，實測資料也可包含波面像差之實測資抖，但不限定於此，實測資料在最佳化曝光條件下，也可 !含任意成像性能之實測資料。此時，使用該成像性能之 H料與前述之Zernike感度表（ZS槽案），即能以簡單之運算求出波面像差。又，上述實施形態所說明之第2電腦930之處理算法例如’本發明當然不被限定於此。其次，針對上述實施形態之變形例加以說明。該變形 112 1234195 例，作為對應前述實施形態之第2電腦930之處理算法之程式，在採用第19圖之流程圖之點，有其特徵，系統全體之構成等則與上述實施形態相同。该第1 9圖之整個流程圖係與前述第5圖之流程圖大致相同，但在汁异圖案修正後之zs之步驟（步驟128)與增加扣m之步i (步驟13 2 )之間，追加步驟1 2 9與步驟13 〇之點相異。以下，針對該相差異點加以說明。

弟1 9圖之步驟129中，使用步驟1 26之圖案修正 ”斤A所求出之各號機之適當調整量（1 9個調整朱數調整量）、在步驟126更新該一部分要件之圖案修正值（案修正資料（前述之料G))、步驟128所更新之zs樓，將各號機所有評價點之12種像差（成像性能）算出如下化袁即，根據19個調整參數之調整量、前述之波面像差, 又及女衣狀恶之波面像差，求出前述式（12)之矩陣Y =要件、，使用該矩陣Wa、步驟128所更新之zs標案邛刀要件被更新之矩陣C，

，將所管山進仃則述式（10)之運算。藉J 出之各號機全部評價點之12種像差（成像性能） J如，對應所對應之目標值鱼體内之前述暫存區域。冑存在ram等記# 在下一步驟130，與上述步駐七10 129所异出之所有 '、、、之12種像差（成像性能） g, e ^ ^ 目才示值之差，係在各號機畊疋否為容許值所規定 ^ 撼夕士你k 午乾圍内，藉此，判斷所牛_ 止此日可，步驟130相當於第2 步称，步驟1 2 0相告A $ 1 , zu相田於弟1判斷步驟。 113 1234195 广當上述步驟130之判斷為否定時，回到步驟i32 將计數器m增加〗後，進杆旁a 仃重禝別述步驟]】2以後各之最佳化處理，相反地，者卜、十、丰· 谷錢相反地田上述步驟】30之判斷為肯定時，則跳到步驟138，在第1雷 "卿，輪出（傳送）步驟126 ^一‘刀要件之圖案修正值（圖案修正資料），且對應圖木貧汛儲存於RAM等記憶體内。 ‘ 其他之步驟處理，與前述第5圖之流程圖相同。 ==對應㈣19圖之程式來作為對應第2電腦_ 光與系έ#ρτ " 130 ’所有曝光裝置之投影 =糸、？L之成像性能在容許範圍内之情形時，不返回前 ^ 而移至步驟⑽（相當於決定步驟），將此時 1=”值決定為圖！之修正資訊，並加以輸出。因光狀置之步驟/再度#出適#調整量後，確認所有曝 ^史影光學系統之成像性能為容許範圍内，愈決定之前述實施形態相較，能用短時間決㈣案知正值（圖案之修正資訊），並加以輸出。此:’上述實施形態及上述變形例中，更新正 ^件使關案修正值，將對應修正該圖案資訊之目標曝先=之25檔案予以重新計算’但當圖案修正值小時，由 =案修正前後ZS幾乎不變化，故前述步驟128並不 ::再=:或是’亦可依據圖案修正值之大小，判斷此之力^、視野内各評價點之加權）之指定、目 114 1234195 =(視野内各評價點之成像性能之目標值）之化％乾圍之指定等，即使益法取佳玎Μ丄丨优…/去違仃亦可。此係因如前诂曰缺陷設定以預先指定分方式來加以因應之故。^ 因同樣理由，容許值或限制亦可。 M木件之指疋即使無法進行定坪m &可附加非上述之其他功能。例如，亦可护 :。厂:松式。具體而言，例如，能指定絕對值模式、！： =寬模式(各轴、全體)等評價之方法。此時， #本身係經常以成像性能之絕 “匕叶故絕對值模式作為缺陷設定，將最：二亚加以計算’ 式。將取大攻小寬模式作其他模將平==:二變等，關於各χ軸、方向小寬：：：以減去之成像性能，能指定最大：點像差之面内均勾性愈像面)彳關於可將_依存於非體之平均值作為二；；言曲之综合焦點差)"y面全最小寬料（範圍各轴偏=減去之成像性能，能指定最大此最大最小覓模式，在評價計算社* 藉由判斷寬是否在容許範圍内，；：：而要。亦即，即能變更計算條件( 二’在谷許範圍内時’ 又，上述實施形能，#丁表佳化計算。構成之圖案作為對象將由複數組2條線圖案所修正該2條線圖案之：：丄此圖案中為了用至少"且來之線寬異常值），針：’、即，對應慧形像差之指標值 '异出圖案修正值之情形加以說明， 115 1234195 但本發明並不限於此。亦即，例同時進行上沭m安々々〇仏正所述線寬差，回木之各2條線圖案之位置位置偏蒋、夕伙τ达艰矛夕（XY面内之矩陳Γ杜、取疋代入別述式（14)所示之，使用下式（49)所示之矩陣c，，進& 計算。進仃則述式（10)之 c r r ，一]，6 〇 0 J’】2,2 C2,3 C24 c25 C26 〇 0 0 0 〇〇 3J C3,2 C3,3 C3,4 C35 C3,6 0 0 〇〇〇〇 C Γ:：：： 33,1 33 2 〔33,3 C33 4 C% 5 C33 6 〇〇〇〇〇〇：u C〗，2 cu C14 C〗5 C] 6 〇〇〇 C'= •(4·

在上式(49)中，Ci i係第i個之測量點之x軸方向戈二變Disx之修正值(即，圖案之χ軸方向之位置偏移量戈 I正值），Ci，2係第1個之測量點之Υ軸方向之畸變DiSy之修正值（即，圖案之γ軸方向之位置偏移量之修正值）。

當然’以進行僅修正上述圖案之各2條線圖案之位漫偏移（XY面内之位置偏移）之修正為目的時，最好是使用辨上述矩陣C，中之第3、4、5、6列之要件全部當作〇之％陣來取代矩陣C。第2電腦930之處理算法之上述各種變更，能藉由_ 更軟體來容易的加以實現。又’上述實施形態所說明之系統構成，僅為一例，有關本發明之圖案決定系統係不被限定於此。例如，如第2〇圖所示之電腦系統，也可採用具有該一部分包含公眾線路 926’之通訊線路之系統構成。該第20圖所示之系統1 000,係由曝光裝置等元件製造裝置之客戶-元件製造商（以下，簡稱「製造商A」）之半 116 1234195 導體工廠内之微影系統912、標線片設計系統932(在該微影系統912中，透過該一部分包含公眾線路9 2 6，之通訊線路所連接之光罩製造商（以下，簡稱r製造商B」）側）、及標線片製造系統942所構成。該第2圖之系統1000，例如，特別適合製造商B係接受製造商A之委託，製造曝光裝置922i〜 922n中之預定複數台能共用之工件標線片之情形等。又，也可將上述實施形態所說明之微影系統912與標線片製造系統942設置於同一潔淨室内。此時，也可不設置構成標線片製造系統942 <光曝光裝置945，以連線來連接C/D946與至少i台曝光襄置922 ’將該曝光裝置似取代前述光曝光裝f 945。此時，作為該曝光裝置之晶圓載台WST，採用具有能更換晶圓支持器與基板支持器構造者0 腦930内儲存前述標線片設計 u

、心 T糸統之情形加以說明。作X 文限於此，例如，在備有至少丨台暖一 m Aa rU *光衣置922之驅動裝庫之’安裝記錄標線片設計程式及附屬於該程式之資料事弈’，也可從CD—_，在硬碟機等記憶裝置42、内庫。及複製標線片設計程式及附屬於該程式之資料庫如此，曝光裝置922之操作去焱、在之貝枓 930之π从土者係進行舆前述第2雨0似之刼作者同樣之操作，藉此線>5之J£田^ β 于到本裝置與欲FI Ρ 泉片之共用化之其他曝光裝置之任，人圖私正值（圖案之修正資訊），用φ —.. 此使用之圖案修 1234195 該圖案修正資訊傳送至本公造商等，藉此能確實繁造預定游=衣^門、或光罩製隹只衣&預疋稷數台曝光裝置能丑件標線月。又，對應圖案修正值之 ' 曝光裝置之投影光學夺统 / -、’、片之製造、 f……广成像性能之最佳化等各種處理 4 …” 早一電腦(例如，統籌控制微影f 程之電腦等）來執行之構成，也可是複數台電腦 2 對應各處理算法或是對應處算 ^ 仃成。方/麦之任思組合之程式之構又，上述實施形態及變形例所說明之圖案修正值之 '、办定方法，係本發明之圖案以方法之_例，當然，本發明、之圖案決定方法不被限定於此。亦即，本發明之圖案^定 ^法係決^待形成於複數台曝光裝置所使用之光罩之 M §fL之圖案決定方法，為了益士二七 ° 疋万奢為了糟由该複數台曝光裝置之投影光學系統’形成圖案之投影像時，既定之成像性能同時成為容許範圍内’最好是決定圖案之資訊。此時，將该所夫定之圖案資訊使用於光罩之製造時，能易於製造(製:乍複數台曝光裝置能共用之光罩。其結果，上述2種優點，即使用同一光罩，與在各曝光裝置只進行成像性能(像差)之最佳化之情形相較，能‘ 到能擴大良好狀態下進行轉印，能與其他曝光裝置共用b = 圖案範圍之優點、及複數台曝光裝置能共用光罩之結果，能降低光罩成本、及曝光裝置之彈性運用之優點。又，上述實施形態及變形例之標線片製造系統以2，係用EB曝光裝置944來製造主標線片，使用該主標線片以 118 1234195 又限於戎構成，例如，也可不設置光曝光裝置9 而僅使用EB曝光裝置944來製造工件標線片之系統。之^上述實施形態及變形例，操作者係執;各種條件定1寺，但例如，亦可事先將所需之各種曝光條件之設進==之設定值，依照該設定值由第2電腦930 各種處理。如此’不必透過操作者亦能進行各種二。此時，顯示晝面上之顯示也可與前述同樣地進行。定=者事見ΐ作成與上述缺陷設定相異之各種條件之設 9Sn…要，將該檔案之設定資料讀入第2電腦，方之CPU—’也可依照該讀人諸進行前述各種處理。此時 :亡述冋樣’不必透過操作者即能進行與缺陷設定相里，依照操作者所希望之條件〆、種處理。便弟2電知930進行各再者，上述實施形態中’當使用波面來作為投影光學孚统之成# w At ^ 貝戶J貝科像差之測旦，η 之貫測資料時，於該波面、里列如硓使用波面像差測量器，但也可使用入 “:：具f能與晶圓支持器交換之形狀的波面像差測量；圓載：ws^ :像差測量器係將晶圓或晶圓支持器搬入晶 ^ . 58)^ ^ Βθθ ® ^ " WST(Z ^ 。又，波面像差_?不=载器等)來進行自動搬送圖之構成，可“音^ 3圓、第❹、第^ 差測量器，例如，可、=外’搬入晶圓载台之波面像不哀入則述波面像差測量器δ〇之全部 119 1234195 ’而僅裝入一部分，其餘部分設於晶圓載台之外部亦可進-步的’上述實施形態中，波面像差測量器8〇雖能;: 圓载台裝卸自如，但也可被固定。此時， ' 」 J僅將波面傻羞測置器80之一部分設於晶圓載台，其餘部分設於晶圓載台之外部。又’上述實施形態，雖能忽略波面像差測量哭二之受光光學系統之像差’但也可考慮該波面像差來決。影光學系統之波面像差。又’波面像差之測量，例如，使用美國專利f 5,978,058號所揭示之測量標線片時，二、藉由具備曝光裝置之對準系ALG ’來檢出對轉印於晶圓上之光阻層所形成之測量用圖案之潛像之基準圖案之潛像之位置偏離。此外，當檢出測量用圖案之潛像時，可使二劑來作為晶圓等物體上之感光層’或也可使用光磁材料等。亦可在線上連接曝光裝置與鍍膜顯影機等，以曝光裝置之對準系、ALG，來檢出將前述測量用圖案轉印之晶圓；物體進行顯影處理所得到之光阻像，並且進行㈣處理所得到之姓刻像。又’亦可設置與曝光裝置不同之另外的專用測量裝置，檢出測量用圖案之轉印像（潛像、光阻像等），透過LAN、網際網路等，或藉由無線通訊將該結果傳送至曝光裝置。又，上述實施形態及變形例，係就使用UN、及公眾線路、其他訊號線來作為通訊線路之情形作了說明，但不限於此，訊號線與通訊線路無論是有線或無線皆可，又，上述貫施形態及變形例，係將丨2種之成像性能進行最佳化，成像性能之種類（數）不受限於此，變更最佳化 120 1234195 =之曝光條件之種類，藉此’也可將更多成像性能、咬

Ze::像性能加以最佳化。例如，最好是變更前述 rni e感度表中作為評價量所包含之成像性能之種類。 2上述貫施形態及變形例，雖係使用Zernike多項 :項第1項〜第n項的所有係數，但亦可使用第1項〜第 It之至少1項’而不使用該係數。例如，不使用第2項。弟士4項之各係數，而如f知般，調整所對應之成像性能、此日守’不使用此等第2項〜第4項之各係數時，可用前 j可動透鏡131〜135之至少_個3自由度方向之位置調整來進行所對應之成像性能之調整，也可使用晶圓w(z傾斜载台58)之z位置及傾斜之調整來進行所對應之成像性能之調整。又，上述貫施形態及變形例，係用波面測量裝置，算出到Zernike多項式之第81項，波面像差測量器之情形，係异出到Zernike多項式之37項，但不限於該項，該項可為任意之項。例如，可在任何情形下算出第82項以上之項。同樣地，前述波面像差變化表等，亦不限於有關第丨項〜第37項。再者，上述實施形態及變形例係採用最小平方法 (Least Square Method)，或衰減最小平方法（Damped [⑸以 Square Method)來進行最佳化，但例如，也能使用（丨）最急下降法（Steepest Decent Method)或共軛傾斜法（Conjugate Gradient Method)寺傾斜法、（2)Flecible 法、 (3)Variable by Variable 法、（4)〇rthonomalizati〇n 法 121 1234195 > CbMdaptive 法、（6)2 次微分法、（7)Gr〇bal

Optimization by Simulated annealing 、（8) Gr〇bal Optimization by Biological evolution、及（9)遺傳性的算法（參照 US2001 / 0053962A)等。又，上述實施形態及變形例中，作為照明條件之資訊，雖於通常照明上使用^值（同調因子）、於環帶照明:使用環帶比，但在環帶照明上除環帶比外，亦可加上或代之以内徑或外徑，至於4極照明等之變形照明（也稱為 SHRINC或多極照明），在照明光學系統剛瞳面之照明光之光量分布，亦即與照明光學系統光軸之距離大致相'等之位置，在設定該光量重心之複數個部分區域光量較高，故也可使用在照明光學系統光曈面之複數個部分區域1光量重心）之位置資訊（例如，在照明光學系統之光瞳面，以光軸為原點之座標系之座標值等）、複數個部分區域(光量重心）與照明光學系統之光軸之距離、及部分區域之大小广相告於σ值）等。、田又，上述實施形態及變形例，係移動投影光學系统PL 之光學元件來調整成像性能’但成像性能調整機構不限於 t學元件之驅動機構，亦可加上該驅動機構或取代該驅動 :構’例如’變更投影光學系訊之光學元件間之氣體壓，使標線片向投影光學系統之光軸方向移動或傾斜，或，用變更標線片與晶圓間所使用之平行平面板之光學性的厚度之機構等。但是，此時，能 μ 了此付到，交更上述實施形態或交形例之自由度數。 122 1234195 再者，上述實施形態，作為曝光裝掃描器之情形作了說明，但不限於此，針對使用 :揭…國專利帛5,243，195號等光軍與物體靜止之狀恶下’將光罩圖㈣印於物體上之靜止置（步進器等）。式之曝先裝又，上述實施形態及變形例，複數台曝光裝置係同一也可混用照明錢之波長相異之曝光震置，或混用 :成相異之曝光裝[例如，可混用靜止曝光方式之曝光衣置(步進器# )與掃描曝光方式之曝光裝置(掃描哭等）。可將複數台曝光裝置之—部分，使用電子線或離子 ^何電粒子線之曝光裝置、及使用X線或爾光之曝光 I裝置之至少一種裝置。又，办丨上忒置又例如，也可使用揭示於國際公開则9/ 495G4號等，在投影光學系統pL與晶圓之間，填滿液體之浸沒型曝光裝置。浸沒型曝光裝置也可是使用反射折射型之投影光學系統之掃描曝光方式，或使用投影倍率為1/8之投影光學系統之靜止曝光方式。至於後者之浸沒型曝光裝置’ 4 了在基板上形成大圖案，最好是採用步進接合方式。Λ夕卜，例如，也可如日本特開平1〇_ 214783號公報及所對應之美國專利第6,34i，qq7號及國際公開第98/4關號小冊子及對應美國專利第6,262,796 號等所揭示般，使用具有分別獨立可動之2個晶圓載台之曝光裝置。又，第1圖中所示之曝光裝置922N不限定於半導體製造用之曝光裝例如’也可係用來製造將液晶顯示元件 123 1234195 圖案轉印於方形玻璃板之液晶用曝光裝置、電衆顯示器或有機EL等顯示裝置、攝影元件（CCD等）、薄膜磁頭、微機及DNA晶片等之曝光裝置等。又’不僅為了製造半導體元件等之微元件，而且為了製造光曝光裝置、〇v曝光裝置、X線曝光裝置、及電子線曝光裝等所使用之標線片或光罩，將電路圖案轉印於玻璃基板或矽晶圓等之曝光裝置。

又，上述實施形態之曝光裝置光源，不受限於&雷射、ArF準分子雷射、KrF準分子雷射等紫外脈衝光源，也能使用連續光源，例如，產生g線（波長436nm)、i線（波長 365nm)等輝線之超高壓水銀燈。此外，作為照明光乩，亦可使用X線、特別係EUV光等。

仍如，亦可使用以摻入铒（或摻入餌與銦兩者）摻铒放大器’來放大從DFB半導體雷射射出之紅外域、可視域之單一波長雷射光’使用非線性光學結晶，加以長轉換為紫外光之高次諧波。又，投影光學㈣之倍率: 僅可使用縮小系’亦可使用等倍及放大系之任一種。又作為投影光學系統，不受限於折射系，也可使用具有反』先學凡件與折射光學元件之折反射系或僅使用反射光學; 射系再者’ §使用折反射系或反射系 =系統料，針對前述可動光學元件，變更反射光學: 件（凹面鏡或反射鏡箄）兄寺)之位置寺，调整投影光學系統之居谨’也能將投影光學系統&作為僅由反射元件所、之王反射系。但是，使用Ar2雷射光或EUV光等時， 124 1234195 標線片R亦使用反射型。此外，半導體元件係如前述，經過製造工件標線片之步驟、由矽材料製造晶圓之步驟、採用前述實施形態之曝光裝置’將標線片圖案轉印於晶圓之步驟、元件組裝步驟 (切割步驟、打線步驟、封裝步驟）、檢查步驟等，來加以製造。若依該元件製造方法，在微影步驟，係使用前述實施形態之曝光裝置，來進行曝光，故依據對象圖案，經過調整成像性能之投影光學系統PL，將工件標線片之圖案轉印於晶圓上，藉此，能高精度地重疊微細圖案，轉印於晶馨圓（感應物體）上。因此，能提高最終成品（元件）之良率，能提高其生產性。如以上之說明，本發明之圖案決定方法及圖案決定系統、及本發明之光罩製造方法，係適用於複數台曝光裝置能共用之光罩之製造（製作）。又，本發明之成像性能調整方法係適用於投影光學系統之成像性能之調整。又，本發明之曝光方法及曝光裝置係適用於將光罩上之圖案轉印於物體上。又’本發明之程式及資訊記錄媒體係適用於使肖_ 笔腦來設計複數台曝光裝置所使用之光罩。【圖式簡單說明】 (一）圖式部分第1圖，係表示本發明一實施形態之元件製造系統之構成圖。第2圖，係概略表示第i圖之第J曝光裝置9221之構成圖。 125 1234195 圖，係表示波面像差測量器例之截面圖。，從微透，：圖’ 4A #表示在光學系統中不存在像差時在像1車列射出之光束圖，幻系表示在光學系統中存 μ T，從微透鏡陣列射出之光束圖。 ' 第5圖，係表示藉由第2 + h ^ rmT 計算弟2 ^内之哪所執行之處理 ”。第6圖，係表示第5圖之步驟114之處理之流程圖(其 2)。

係表示第5圖之步驟u 4 之處理之流程圖（其

q、第8圖係表示第5圖之步驟1“之處理之流程圖(1 3) 〇 … 弟9圖，係表示第5圖之步驟114之處理之流程圖(直 4) 。 ’、第10圖，係表示第5圖之步驟114之處理之流其5)。第u圖，係表示違反限制條件時之處理示意圖。第1 2圖，係表示複數台號機（A號機、B號機）之像差最佳化及圖案修正之實驗之際，當作對象之工件標線片一例之俯視圖。第13A至l3c圖，13A係使用第12圖之工件標線片，不進行該圖案修正時之A號機、B號機之像差最佳化結果例之圖，1 3B係與i 3A之情形相同，用A號機、B號機之像差最佳化狀恶，進行圖案修正之情形之結果例圖，丨係 126 1234195 表系與13B相同，進行圖案修正，對該修正號之圖案，將 A號機、B號機之像差最佳化結果之一例圖。第14圖’係表示使用標線片設計系統及標線片製造系統，製造工件標線片之際之動作一例之流程圖（其1)。第15圖，係表示使用標線片設計系統及標線片製造系统，製造工件標線片之際之動作一例之流程圖（其2)。第16圖，係表示使用標線片設計系統及標線片製造系統，製造工件標線片之際之動作一例之流程圖（其。

第17圖，係表示製造第12圖之工件標線片之際所使用之既存之主標線片一例之俯視圖。 ^ 第18圖’係表示使用第17圖之主標線片，新製造之種主標線片之連接曝光狀況之概念圖。第1 9圖，係表示藉由第2電腦内之cpu所執行計首〈處理 ^ <另一例之流程圖。第2〇圖’係表示變形例之電腦系統之構成圖。 (二）元件代表符號

10 元件製造系統 11 處理室 12 照明光學系統 13 透鏡元件 15 孔徑光闌 16 光源 17 光透過窗 20 照度均勻化光學系統 127 1234195 22 光學積分儀 24 照明系孔徑光闌板 28A 第1中繼透鏡 28B 第2中繼透鏡 30A 固定標線片遮簾 30B 可動標線片遮簾 32 聚光透鏡 40，46 驅動裝置 42 記憶裝置 48 成像性能修正控制器 50 主控制裝置 52W 移動鏡 54W 雷射干涉儀 56 晶圓載台驅動部 58 Z傾斜載台 60a 照射系 60 受光系 80 波面像差測量器 82 框體 82a 開口 84 受光光學系統 84a 物鏡 84b 中繼透鏡 84c 彎曲反射鏡

128 1234195 84d 準直透鏡 84e 微透鏡陣列 86 受光部 88 玻璃蓋 912 微影系統 918, 926， 936 LAN 920 第1電腦 922 曝光裝置 930 第2電腦 932 標線片設計系統 940 工程管理用電腦 942 標線片製造系統 944 EB曝光裝置 945 光曝光裝置 946 塗布機顯影機（C / D) 947, 949 界面部 EL 照明光 IA 曝光區域 IAR 照明區域 LB 雷射光束 M 反射鏡 PL 投影光學系統 R 標線片 RST 標線片載台

129 1234195 w 曰曰a 圓 WST 曰 aa 圓載台

130

Claims

1234195 拾、申請專利範圍： 1 種圖案決定方法’係用來決定複數台曝光裝置所使用之光罩上待形成圖案的資訊，該曝光裝置係將形成於该光罩之圖案像透過投影光學系統形成於物體上，其特徵在於，包含：第1步驟，係根據包含在既定曝光條件下（含該圖案之資訊）、調整該圖案投影像在物體上之形成狀態之調整裝置之調整資訊、及對應此調整資訊之該投影光學系統之成像性能之相關資訊、該圖案之修正資訊、成像性能之容呼範圍資訊等的複數種資訊，就每一曝光裝置算出在考慮节圖案修正資訊之目標曝光條件下，該調整裝置之適當調整量； ° 第2步驟，係依據該第丨步驟所算出之各曝光裝置之適當調整量之該調整裝置之調整結果，判斷在該目標曝光條件下，至少1台曝光裝置之投影光學系統之既定成像性能是否在該容許範圍外，根據判斷結果在容許範圍外之成像性能，依照既定基準設定該修正資訊；隶佳化處理步驟，係反覆該第1步驟與該第2步驟，直到第2步驟之判斷結果，所有曝光裝置之投影光學系統之成像性能皆在容許範圍内；以及決定步驟，係在該所有曝光裝置之投影光學系統之成像性能皆在谷許範圍内時，將該最佳化處理步驟所設定之該修正資訊，決定為圖案修正資訊。 2、如申請專利範圍第1項之圖案決定方法，其中，該 131 1234195 第2步驟包含：第1判斷步驟，係根據該第1步驟所算出之各曝光裝置之適當調整量、與在該既定曝光條件下該調整裝置之調整資訊、及對應該調整資訊之投影光學系統之成像性能之相關資訊，依據該適當調整量之該調整裝置之調整結果，判斷在該目標曝光條件下，至少1台曝光裝置之投影光學系統之既定成像性能是否在該容許範圍外；以及設定步驟，該第1判斷步驟之判斷結果，當至少丨台曝光裝置之投影光學系統之既定成像性能在該容許範圍外馨時，根據在該容許範圍外之成像性能，依照既定基準設定該修正資訊。 3、如申請專利範圍第2項之圖案決定方法，其中，該第2步驟進一步包含有：第2判斷步驟，其係根據該第1步驟所算出之各曝光裝置之適當調整量，該設定步驟中所設定之修正資訊，該既定曝光條件下該調整裝置之調整資訊及與此對應之該投影光學系統成像性能之相關資訊，與該成像性能容許範圍 H 之貝訊，依據該適當調整量之曝光裝置調整結果，判斷在該目標曝光條件下，至彡丨台曝光裝置之投影光學系統之既定成像性能是否在該容許範圍外。 /、如申請專利範圍帛i項之圖案決定方法，其中，誃既疋基準係根據容許範圍外之成像性能的n，且係進二圖案修正俾使該成像十生能在容許範圍内的基帛。丁 5、如申請專利範圍第i項之圖案決定方法，其 132 1234195 修正貝訊係根據該複數台曝光裝置之既定成像性能之殘留誤差的平均值來加以設定。 6、如申請專利範圍第1項之圖案決定方法，其中，該成像性能之相關資訊，係包含該既定曝光條件下調整後之該投影光學系統波面像差之資訊。 7、如申請專利範圍第1項之圖案決定方法，其中，該成像性能之相關資訊，係包含該投影光學系統之單體波面像差，與该既定曝光條件下之該投影光學系統之成像性能等之資訊。 _ 8、如申請專利範圍第1項之圖案決定方法，其中，該成像性能之相關資訊，係在該既定曝光條件下該投影光學系統之成像性能與該成像性能之既定目標值的差之資訊；該調整裝置之調整資訊係該調整裝置之調整量資訊；。亥第1步驟，係使用前述差，顯示在該目標曝光條件下、該投影光學系統之成像性能與Zernike多項式各項係數之關係的Zernike感度表，由表示該調整裝置之調整與忒杈衫光學系統之波面像差變化之關係的參數群所構成的 _ 波面像差變化表，及該調整量之關係式，就各曝光裝置算出該適當的調整量。斤 9如申明專利範圍第8項之圖案決定方法，其中，今關係式，包含用以對Zernike多項式各項内之任意項進行加權的Zernike加權函數之式。丁 1 〇、如申請專利範圍第9項之圖案決定方法，其中，邊加權係設定成在該目標曝光條件下之該投影光學系統成 133 1234195 像性能中，在容許範圍外之部分的加權較高。 u、如申請專利範圍第8項之圖案Γ定方法，農中 =2步驟中至少1台曝光裝置之投影光學系統之成像性月b疋否在該容許範圍外之判斷，係根摅辦宁根據该投影光學系統之成像性能、與該成像性能目標值的差來進行·

該投影光學系統之成像性能，係根據該既定曝光 y該調整裝置之«資訊及對應此調整資^該投影光風糸統之波面像差資訊、與根據該帛！步驟所算出之適^ 整量所得之調整後的波面像差資訊，與該目標曝光條^ 之Zernike感度表，就各曝光裝置所算出者。 12、如申請專利範圍第8項之圖案決定方法，其中， =為該目標曝光條件下之Zernike⑤度表，係使用考慮該第2步驟巾設定該修正f訊㈣由計算所作成之該修^ 訊之目標曝光條件下的Zernike感度表。貝定方法，其中，一個評價點之成

13、如申請專利範圍第8項之圖案決該既定目標值，係該投影光學系統之至少像性能目標值。 14、如申請專利範圍第13項之圖案決定方法，其中，該成像性能之目標值，係所選擇之代表點的成像性能目標值。不 15、如申請專利範圍第1項之圖案決定方法，其中，忒取佳化處理步驟，係進一步考慮該調整裝置之調整量極限所決定之限制條件，來計算出該適當調整量。 1 6、如申請專利範圍第1項之圖案決定方法，其中， 134 1234195 該最佳化處理步驟，係將該投影光學系統視野内之至少一 t 邰分當作最佳化場範圍，來算出該適當調整量。、如申請專利範圍第1項之圖案決定方法，其中，進步包含重複次數限制步驟，其係判斷是否已重複該第 1步驟與第2步驟既定次數，在判斷該第2步驟之全部曝 $袭置之投影光學系統之成像性能在容許範圍内之前，判斷出已重複該既定次數時，即結束處理。 1 8、一種光罩製造方法，其特徵在於，包含：圖案決定步驟，係使用申請專利範圍第1至1 7項中任⑩ 項之圖案決定方法，來決定待形成於光罩之圖案資訊；以及圖案形成步驟，係使用該決定之圖案資訊，在空白光罩上形成圖案。 19、一種曝光方法，其特徵在於，包含：制t載步•驟，係將採用申請專利範圍f 18項之製造方法所製造之光罩搭載於該複數台曝光裝置中之丨台曝光裝置 ;以及馨 /曝光步驟，係在將該1台曝光裝置所具備之投影光學 y先之成像H此配合該光罩圖案加以調整的狀態下，透過该光罩及該投影光學系統，使物體曝光。 2〇種凡件製造方法，其特徵在於，包含： ^ p 乂 *驟’係使用申請專利範圍S 1 9項之曝光方法， :元件圖案轉印於感應物體上。種圖案決疋方法，係透過投影光學系統將形成 135 丄234195 方、光罩之圖案投影像形成於物體± 用、用取、物版上之複數台曝光裝置所使定待形成於該光罩之圖案資訊，其特徵在於：光學圖案之資訊，俾使用該複數台曝光裝置之投影範圍内。形成該圖案投影像時之既定成像性能皆在容許 •安種光罩製造方法，其特徵在於，包含：定方、叱步’驟’係使用申請專利範圍帛21 j員之圖案決 > ，來決定待形成於光罩之圖案資訊；以及

圖案形成步驟，係使用該決定之圖案資訊，在空白光卓上形成圖案。 23、一種曝光方法，其特徵在於，包含：，乜載步驟，係將使用申請專利範圍第22項之製造方法所製造之光罩搭載於該複數台曝光裝置中《i台曝光裝置 ;以及 ^ *光步驟，係在將该1台曝光裝置所具備之投影光學系統之成像性能配合該光罩之圖案加以調整的狀態下，透過該光罩及該投影光學系統使物體曝光。 24、一種元件製造方法，其特徵在於，包含：轉印步驟，係使用申請專利範圍第23項之曝光方法，將元件圖案轉印於感應物體上。 25、一種投影光學系統之成像性能調整方法，係調整才又影光學系統之成像性能，投影光學系統係將形成於光罩之圖案投影至物體上，其特徵在於，包含：异出步驟’係使用既定曝光條件下，關於用來調整該 136 1234195 投影光學系統所進行之該圖案投影像在物體上之形成狀態的調整裝置之調整資訊、及該投影光學系統之成像性能之資訊，以及在光罩製造階段之該圖案的修正資訊，來算出在考慮該圖案之修正資訊之目標曝光條件下，該調整裝置之適當調整量；以及調整步驟’係依照該適當調整量來調整該調整裝置。 26、如申請專利範圍第25項之成像性能調整方法，其中’關於該成像性能之資訊，包含在該既定曝光條件、調整後之投影光學系統波面像差之資訊。 27、如申請專利範圍第25項之成像性能調整方法，其中，關於該成像性能之資訊，包含該投影光學系統之單體波面像差與該既定曝光條件下之該投影光學系統之成像性能之資訊。 28、如申請專利範圍第25項之成像性能調整方法，其中，關於該成像性能之資訊，係在該既定曝光條件下，該投影光學系統之成像性能與該成像性能既定目標值之差的資訊；該調整裝置之調整資訊，係該調整裝置之調整量的資訊； ' 該算出步驟，係使用前述差，顯示在該目標曝光條件下、該投影光學系統之成像性能與Zernike多項式各項係數之關係的Zerrnke感度表，由顯示該調整裝置之調整與該投影光學系統之波面像差變化關係之參數群所構成的波面像差變化表，與該調整量之關係式，來算出該適當的調 137 1234195 整量。 29、如申請專利範圍第28項之成像性能調整方法，其中’忒關係式包含用以對該Zernike多項式各項内之任意項進行加權的加權函數之式。 30、一種曝光方法，係使用投影光學系統將形成於光罩之圖案轉印至物體上，其特徵在於，包含：調整步驟，係使用申請專利範圍第25至29項中任一項之成像性能調整方法，來調整該目標曝光條件下，該投影光學系統之成像性能；以及轉印步驟，係使用已調整成像性能之投影光學系統，將該圖案轉印至該物體上。 31、一種元件製造方法，其特徵在於，包含：轉印步驟，係使用申請專利範圍第3〇項之曝光方法，將元件圖案轉印至感應物體上。 32、一種圖案決定系統，係透過投影光學系統將形成於光罩之圖案投影像形成在物體上之複數台曝光裝置所使用，用以決定待形成於該光罩之圖案的資訊，其特徵在於，具備：複數台曝光裝置，係分別具有投影光學系統、與用以調整該圖案之投影像在物體上之形成狀態的調整裝置，·以及電腦，其係透過通訊線路連接於該複數台曝光裝置；該電腦，係就從該複數台曝光裝置中所選擇之最佳化對象之曝光衣置’執行以下步驟： 138 1234195 第1步驟’係根據包含關於該既定曝光條件（含該圖案之資訊）下該調整裝置之調整資訊及對應該調整資訊之該投影光學系統之成像性能之資訊、該圖案之修正資訊、與 — 成像性能之容許範圍資訊的複數種資訊，就每一曝光裝置 ’ 出在考慮该圖案之修正資訊的目標曝光條件下該調整裝置之適當調整量；第2步驟’係判斷依照該第1步驟所算出之各曝光裝置之適當調整量的該調整裝置之調整結果，在該目標曝光條件下’至少1台最佳化對象之曝光裝置之投影光學系統 _ 之既疋成像性能是否在該容許範圍外，根據該判斷結果，根據在容許範圍外之成像性能，依照既定基準來設定該修正資訊；取佳化處理步驟，係在該第2步驟之判斷結果，判斷全部取佳化對象之曝光裝置之投影光學系統之成像性能皆在合才範圍内之丽，重複第1及第2步驟；以及决疋步驟’係在該所有最佳化對象之曝光裝置之投影光學系統之成像性能在容許範圍内時，將該最佳化處理步_ 驟所設定之修正杳—IT . b止貝Λ，決定為圖案修正資訊。 33、如申请專利範圍第32項之圖案決定系統，其中，该電腦係執行： $ 1判斷步·驟’其係在該第2步驟中，根據該第1步 I♦所异出之各曝光裝置之適當調整量、與關於該既定曝光條件下該調整裝詈夕上田# _ μ ~ 衣直之调整育訊及對應該調整資訊之該投影光學系統之成像Μ处> — ^ 乂象〖生月匕之貢訊，判斷依照該適當調整量之該 139 1234195 調整裝置之調整結果，在該目標曝光條件下，至少1台最佳化對象之曝光裝置之投影光學系統之既定成像性能是否在該容許範圍外；以及設定步驟，係該第1判斷步驟之判斷結果，在至少1 台最佳化對象之曝光裝置之投影光學系統之成像性能在容許範圍外之情形，根據該容許範圍外之成像性能，依照既定基準來設定修正資訊。 34、如申請專利範圍第33項之圖案決定系統，其中，該電腦係進一步執行第2判斷步驟，其係在該第2步驟中 ’根據該第1步驟所算出之各曝光裝置之適當調整量、該。又疋步驟所設定之修正資訊、關於該既定曝光條件下該調整叙置之調整資訊及對應該調整資訊之該投影光學系統之成像性能之資訊、以及該成像性能容許範圍之資訊，判斷依照该適當調整量之該調整裝置之調整結果，在該目標曝光條件下’至少1台最佳化對象之曝光裝置之投影光學系統之既定成像性能是否在該容許範圍外。 35、如申請專利範圍第32項之圖案決定系統，其中，。亥既疋基準係根據在容許範圍外之成像性能的基準，且係進订圖案之修正俾使該成像性能在容許範圍内的基準。 36、如申請專利範圍第32項之圖案決定系統，其中，该電腦係在該最佳化處理步驟中，根據該複數台最佳化對象之曝光裝置之成像性能之殘留誤差的平均值，來設定該修正資訊。 37、如申請專利範圍第32項之圖案決定系統，其中， 140 1234195 該投影光學线之成像性能之相關資訊，係在該既定條件下該投影光學系統之成像性能與該成像性能和既定目標值之差值的資訊；該調整裝置之調整資訊，係該調整裝置調整量之資訊該電腦在該帛1步驟中，使用該差值、顯示該目標曝光條件下該投影光學系統之成像性能與Zernike多項式各項係數之關係白勺Zernike⑤度表、由顯示該調整裝置之調整與該投影光學系統之波面像差變化之關係的參數群組戶斤φ 構成的波面像差變化表、該調整量四者之關係式，就每一曝光裝置算出該適當之調整量。 38、如申請專利範圍第37項之圖案決定系統，其中，該既定目標值係從外部輸入、於該投影光學系統之至少一個評價點之成像性能的目標值。 39、如申請專利範圍第38項之圖案決定系統，其中，該成像性能之目標值係所選擇之代表點之成像性能的目標值。 · 40、如申請專利範圍第38項之圖案決定系統，其中，該成像性能之目標值，係採用像差分解法將該投影光學系統之成像性能加以成分分解，以該分解後之分解係數為基準，為改善不佳成分而設定之係數目標值被轉換後之成像性能之目標值。 41、如申請專利範圍第37項之圖案決定系統，其中，該關係式包含用以對該Zernike多項式各項内之任意項進 141 1234195 行加權之加權函數之式。 42、如申請專利範圍第41項之圖案決定系統，其中，該電腦係在該既定曝光條件下，在容許範圍之内部與外部，用顏色區分來顯.示該投影光學系統之成像性能，且進一步執行顯示該加權之設定畫面的步驟。 43、如申請專利範圍第41項之圖案決定系統，其中，忒加權，係在该目標曝光條件下之該投影光學系統之成像性能中’將容許範圍外部分的加權設定得較高。 44、如申请專利範圍第37項之圖案決定系統，其中，_ 該電腦係根據該目標曝光條件下之該投影光學系統之成像性能、與該成像性能之該目標值的差，來判斷至少1台曝光I置之投景> 光學系統之既定成像性能是否在該容許範圍外；該目標曝光條件下該投影光學系統之成像性能，係根據調整後之波面像差資訊、與Zernike感度表，就每一曝光裝置算出；該調整後之波面像差資訊，係根據該既定曝光條件下 ® 該調整裝置之調整資訊及對應該調整資訊之投影光學系統之成像性能資訊、與該第1步驟所算出之適當調整量所得，該Zern i ke感度表，係顯示該目標曝光條件下該投影光學系統之成像性能、與Zerni ke多項式各項係數之關係〇 45、如申請專利範圍第37項之圖案決定系統，其中， 142 1234195 該電腦在該第2步驟中設定該修正資訊後，藉由計算製作考慮該修正資訊之目標曝光條件下的Zernike感度表，之後，使用該Zerrnke感度表來作為該目標曝光條件下之 Zernike感度表。 46、如申請專利範圍第37項之圖案決定系統，其中，。亥既疋之目標值係從外部輸入、該投影光學系統之至少— 個評價點之成像性能的目標值。 47、如申請專利範圍第46項之圖案決定系統，其中，該成像性能之目標值係所選擇之代表點之成像性能的目標值。、 48如申请專利範圍第32項之圖案決定系統，其中，該電腦在該最佳化處理步驟中，係進—步考慮由該調整事 Ϊ之調整量極限所衫之限制條件，來算出該適當的調整〜w、如中請專利範圍第&項之圖案決定系統，其中， =’能從外部設定該投影光學系統視野内之至少-部刀來作為最佳化場範圍。續命如申叫專利範圍第32項之圖案決定系統’其中，，在重複该乐1步驟與第2步驟既定次數光學夺:：步驟中所有最佳化對象之曝光裝置之投影定次數日士之成像性能皆在容許範圍内之前，判斷已重複既数化’即結束處理。如申請專利範園篦的^ 決定系統，A ^圍弟32至50項中之任一項之圖案〃 ^電腦係控制該複數台曝光裝置之任一 143 1234195 構成部分的控制用電腦。罩之5Θ2安：種曝光裝置’係通過投影光學系統將形成於光之圖木轉印在物體上，其特徵在於，具備：安調整裝置，係用以調整該投影光學系統所進行之該圖木之投影像在物體上之形成狀態；以及處理衣置，係透透過訊號線連接於該調整裝置，使用既定曝光條件下之該調整資訊及關於該投影光學系統之成 :象：能資訊、以及在光罩製造階段之該圖案之修正資訊，來异出考慮該圖案修正資訊之目標曝光條件下該調整裝置之適當調整量，根據該算出之調整量，來控制該調整裝置卜53、一種記錄有程式之記錄媒體，其程式係使電腦執行用來設計透過投影光學系統將形成於光罩之圖案投影像形成於物體上之複數台曝光裝置所使用之該光罩的既定處理’其特徵在於，使該電腦執行以下步驟：第1步驟，係根據包含在既定曝光條件下（含該圖案之貧訊）’調整該圖案投影像在物體上之形成狀態之調整裝置之調整資訊及關於對應此調整資訊之該投影光學系統之成像性能之資訊、该圖案之修正資訊、成像性能之容許範圍資訊的複數種資訊，就每一曝光裝置算出在考慮該圖案修正資訊之目標曝光條件下該調整裝置之適當調整量· 第2步驟’係依據該第1步驟所算出之各曝光裝置之適當調整量之該調整裝置之調整結果，判斷在該目標曝光條件下’至少1台曝光裝置之投影光學系統之既定成像性 144 1234195 此是否在該容許範圍外，該判斷結果，根據在容許範圍外之成像性能，依照既定基準，來設定該修正資訊；最佳化處理步驟，係反覆該第1步驟與該第2步驟，直到第2步驟之判斷結果，所有曝光裝置之投影光學系統之成像性能皆在容許範圍内；以及決定步驟，係在該所有曝光裝置之投影光學系統之成像性能皆在容許範圍内時，將該最佳化處理步驟所設定之該修正資訊，決定為圖案修正資訊。

54、如申請專利範圍第53項之記錄有程式之記錄媒體其中’作為該第2步驟，係使該電腦執行下列步驟：第1判斷步驟，係根據該第1步驟所算出之各曝光裝置之適當調整量、與關於該既定曝光條件下該調整裝置之調整資訊及對應該調整資訊之投影光學系統之成像性能資訊，判斷依照該適當調整量之該調整裝置之調整結果，該目標曝光條件下，至少丨台曝光裝置之投影光學系統之既定成像性能是否在該容許範圍外；以及

設定步驟，係該第1步驟之判斷結果，至少丨台曝衣置之投影光學系統之成像性能在該容許範圍外時，根在該容許範圍外之成像性能，依據既定基準來設定修正訊0 55、如巾請專利範圍第54項之記錄有程式之記錄媒體，其中Μ乍為第2步驟’係進一步使該電腦執行第2判斷步‘，其係根據該第1步驟所算出山<谷曝光裝置之適當調整量、該設定步驟所設定之修正資貝口κ關於該既定曝光條 145 1234195 件下該調整裝置之調整資訊及對應該言周整資訊之投影光學系統之成像性旎資訊、及該成像性能之容許範圍之資訊，判斷依照該適當調整量之該調整裝置之調整結果，在該目標曝光條件下，至少、i台曝光裝置之投影光學系統之既定成像性志疋否在該容許範圍外。 56、如+請專利範圍帛531員之記錄有程式之記錄媒體 ’其中’絲定基準係根據在容許範圍外之成像性能的基準’且係騎圖案之修正俾使該成像性能在容許範圍内的基準。 57、如申請專利範圍第53項之記錄有程式之記錄媒體中4既A基準係根據該複數台曝光裝置之成像性能之殘留誤差的平均值，來設定該修正資訊之基準。 58、如申請專利範圍第53項之記錄有程式之記錄媒體 ’其中’關於該成像性能之資訊’包含在既定曝光條件下调整後之該投影光學系統之波面像差之資訊。 59、如申請專利範圍第53項之記錄有程式之記錄媒體 ’其中’關於該成像性能之資訊，包含該投影光學系統之單體波面像差、與該既定曝光條件下之該影光學系統之成像性能之資訊。 60、如申請專利範圍第53項之記錄有程式之記錄媒體，其中’關於該投影光學系統之成像性能資訊，係該既定曝光條件下該投影％學系統之成像性能與該成像性能之既定目標值之差的資訊；該調整裝置之調整資訊，係該調整裝置之調整量資訊 146 1234195 、，作為該第1步驟，使電腦執行以下步驟，亦即使用前述呈、顯示該目標曝光條件下該投影光學系統之成像性能與Zernike多項式各項係數間之關係的Zernike感度表、由顯示該調歸置之調整與該投影光學系统之波面:差變化之關係之參數群所構成的波面像差變化表、及與該調整量之關係式，就每一曝光裝置算出該適當調整量。

6卜如申請專利範圍第60項之記錄有程式之記錄媒體，其中，係進一步使該電腦執行下列步驟，亦即，顯示在該投影光學系統視野内各評價點之該目標值設定晝面。 62、如申請專利範圍第6〇項之記錄有程式之記錄媒體，其中，進一步使該電腦執行以下步驟：、顯不步驟，係使用像差分解法，將該投影光學系統之成像性能加以成分分解，與該分解後之分解係數— 該目標值之設定晝面；以及員不

轉換步驟，係將響應該設定晝面顯示所設定之係數目才不值轉換為該成像性能之目標值。 63、如申請專利範圍第，其中，該關係式包含在該進行加權之加權函數之式。 6 0項之§己錄有程式之記錄媒體 Zernike多項式之各項中用來 64、如申請專利範圍帛63項之記錄有程式之記錄媒體 ’其中’係'進一步使該電腦執行，在該基準之曝光條件下 ’在容許範圍之内部與外部，分色顯示該投影光學系統之成像性能，並且顯示該加權之設定晝面的步驟。 147 1234195 65、如申請專利範圍第6〇項之記錄有程式之記錄媒體，其中，係在該第2步驟中，根據該目標曝光條件下該投影光學系統之成像性能、與該成像性能之該目標值之差，使該電腦判斷至少1台曝光裝置之投影光學系統之既定成像性能是否在該容許範圍外；該目標曝光條件下該投影光學系統之成像性能，係根據調整後波面像差之資訊、與Zernike感度表，就每一曝光裝置算出； ' 該調整後波面像差之資訊，係根據在㈣定曝光條件 · 下該調整裝置之調整資訊及對應該調整資訊之該投影光學系統之波面像差資訊、與該帛！步驟所算出之適當調整量所得； Zernike感度表，係顯示在該目標曝光條件下該投影光學系統之成像性能與Zernike多項式各項係數的關係。 66、如申請專利範圍第其中，係於該第2步驟中

60項之記錄有程式之記錄媒體，使該電腦執行以下步驟：，错甶計具製作考慮該修正資訊$ Zernike感度表，之後’使用畜設定該修正資訊後目標曝光條件下的 Zernike感度表來作為該目標曝光條件 T r之Zernike感度表。錄有程式之記錄媒體進一步考慮以該調整 ’使該電腦算出該適 67、如申請專利範圍第53項之記，其中，係在該最佳化處理步驟中，裝置之調整量極限所決定之限制條件當調整量。 148 1234195 68、如申請專利範圍第5 ，其申，係在該最佳化處理牛：、：記錄有程式之記錄媒體，以該投影光學系統之視野内=，根據來自外部之指定圍，使該電腦算出該適當調整量。…p分作為最佳化場範 6 9、如申請專利範圍，其中，传判斯^ 丨53項之記錄有程式之記錄媒體丨年刊所疋否已番满勺Γ铉數，在判斷所右…弟1步驟與第2步驟既定次容許範圍内之义 w ”先子糸、、先之成像性能皆在兮+ 刚’判斷已重複該既定次敖萨P % 牛你魯〜執行結束處理之步驟。 “”即進-步使拾查、圖式: 如次頁

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