TWI228595B - Nickel alloy probe card frame laminate - Google Patents

Description

1228595 0Π A7 B7 五、發明説明（】 發明背景 Π)發明範疇 本發明係有關一種上壓模及一下壓模之組合，其使用於 在譬如垂直銷探針裝置等半導體測試設備中藉以引導小直 位測忒銷。更特定言之，上壓模及下壓模係具有由低熱膨 脹係數（CTE)合金的複數個較薄金屬層疊成之一開孔狀框架 部，具有一孔陣列的一低熱膨脹係數陶瓷插入件係密封住 開孔並引導小直徑測試銷。 (2)相關技藝描& 積體電路製造已進展到在較大的2〇·3公分（8吋）左右直徑 的單一矽晶圓上以光微影術形成數百個左右的積體電路（ic) 晶片之程度。在製造與測試之後，將個別晶片分割組裝成 個別兀件，因為較大的矽晶圓較容易處理，較佳在分割之 前進行晶μ的功能性測試，可制數種測試裝置來測試晶 圓上的晶# ’利用探針裝置來測試處於晶圓狀態的積體電 路，其探針傳統上為懸臂式或垂直式構造。在—種已知類 型的垂直銷探針裝置中，探針係固持在間隔狀的上與下壓 模之間並與大致垂直突起通過殼體下壓模之_直線部大致 呈現彎曲狀。當所測試晶圓升高而接觸到探針裝置並隨後 被過度驅動千分之η時，探針將退人殼體内且探針的彎 曲部撓曲產生簧力而提供與積體電路墊的良好電性接觸。 習知情形中，係由一種介電材料製成用於引導探針銷的 殼體，此材料常為譬如德林⑧(Delrin⑧)(德拉瓦州威明頓的 E.I杜邦公司（E.L duPont de Nem〇urs&c。）之商標博—種塑 -4-

1228595 2 五、發明説明（ 膠。數種1C測試協定係包含在兩種或更多#不同溫度（譬如〇 °CM35t(32M27rF))下測試晶片功能性。塑膠梦的習 =技藝探針殼體係^受測試的㈣圓切基材料明顯更 局之熱膨脹速率產生膨脹。膨脹差異將造成探針位置盘積 體電路墊位置產生錯配，此狀況不但導致無法產生滿意= 電性接觸亦可能因為IC電路區中的探針穿透而造成^的致 命傷害。 題的—種解決方式係在尺寸上補償殼體中的探針 皿即距尺寸，藉以在指定的測試溫度使其產生膨服而 -對於探針與墊位置提供近乎精確的配合。除了位於狹 窄範圍内Μ度之夕卜，此選擇對於各種溫度均需要 :別的楝針裝置，因此大幅增高使用者對於探針裝置的 資金投入。 另一種解決方式係尋求可匹配矽晶圓的熱膨脹係數之 -種塑膠或其他適當的介電材料。但迄今為止，對於介 電㈣的大部份實用選擇係具有遠高於㈣膨脹速率；， 塑谬-般僅有有限的高溫能量因此避免用於⑴的古 針用途。 门/皿木 。名為’，溫度補償式垂直銷探針裝置，，之美國專利6，ΐ63，ΐ62 號係揭露了藉由—種低熱膨脹係數金屬（殷鋼（ΐην叫成 體^於引導銷之部份。殷鋼係為印菲公司（Imphy，S A⑽ 商Ί鋼為-種具有36%錦及64%鐵重量標稱組成物且具 有約等於矽的熱膨脹係數之合金。 殷鋼為導電性，為了防止殼體使銷短路，此專利案揭露以 -5- X 297公董7" 規格(210

譬如聚合物或陶竟等一種介電物質來塗覆銷引導凹部。此介 電物質可以一塗層或插入件方式配置於凹部内。所揭露的一 種聚合物為菲斯玻⑧(Vespel®)(杜邦公司的商標）。所揭露的 一種陶变為馬可®(Μαο〇Λ(紐約州康寧的康寧玻璃（c〇ming Glass Works)的商標）。一般而言，若介電物質為一陶瓷，則 將一防黏塗層施加至陶瓷。一種適當的防黏塗層係揭露為惠 福公司（Whitford Corporation)製造的希蓮 ®(xylaN®)。 名為’’溫度補償式垂直探針裝置，，的美國專利6,297,657號 中揭路·壓模殼體若不是一塊經過加工的殷鋼，則可將多 層殷鋼箔塗覆一黏劑並疊併在一起形成壓模殼體。此構造 亦為導電性並需將銷引導凹部塗覆一種適當的介電物質。 文測试晶片上的電路跡線之間隔係在數微米的級數。結 果’探針頭總成具有極緊密的公差。框架必須極為平坦並 精確地加工。這對於可能另設有2·29公厘（〇〇9吋）級數深度 的經加工囊部以容納四千個〇· i 5公厘（〇·对）節距的探針之 2.54公厘（〇.1吋）級數厚度的大型殷鋼框架將會非常麻煩。除 了複雜的傳統加工程序之相關時間及費用以外，在一薄框 架上移除大量金屬將容易對於框架造成應力及變形，導致 完成的加工件具有高的剔退率。 因此需要一種較低成本的探針卡框架之製造方法，其特 徵係為精密的成形、低的剔退率以及大致不會因加工而產 生内部應力。 發明概述 可由說明書及下列圖式更清楚得知本發明及上述目的與 -6- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 1228595

發明説明 特性。 圖式簡單說明 圖！為得自習知技藝之—垂直銷探針裝置的剖視圖； 圖2為圖!的垂直銷探針裝置之一壓模部的放大剖視圖； 圖3為用於一垂直銷探針裝置中 衣1 Y之根據本發明的一壓模之 俯視圖； 圖4為圖3的壓模之剖視圖； 圖5為圖3的壓模之一部份的放大剖視圖； 圖6為用於一垂直銷探針裝詈φ夕相4金士 a η休玎衣置γ之根據本發明的一項替代 性實施例的一壓模之俯視圖； 、 圖7為圖6的壓模之剖視圖； 圖8為圖6的壓模之一部份的放大剖視圖； 圖9為習知技藝中軋製期間一金屬帶如何獲得—異向 粒結構的示意圖； ' 圖1 〇為依據本發明一項實施例之顆粒結構予以定向的壓 模疊層之立體圖； 圖11以方塊圖顯示一種圖6的壓模所用的一壓模框架之製 造方法。 詳細描述 圖1及2顯示一垂直銷探針裝置，此垂直銷探針裝置配人 使用稱為’’空間轉換器（space transformer)’’之一互連拿置以 及習知技藝所知的一印刷電路板。參照圖1，一個有時稱為 才木針卡’’的印刷電路測試板1 〇係包括導電跡線12，導電跡、線 12以測試電路關係連接至積體電路測試設備（未圖示）。實&

本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 五、發明説明（5 ) 使用時，跡線12係導往印刷電路板上的”寶格塾（㈣0㈣， ，在指定測試中，將外部測試設備導線連接至這些寶格塾 。-積體電路14或其他受測試裝置係支撐在—可移式夫頭 _ 6上積體電路14通常係具有藉由一垂直鎖積體電路探針 碩總成18同時探測之一接觸墊圖案或矩陣，此垂直銷積體 電路探針頭總成譬如為康乃狄克州布魯菲德的溫特沃司實 驗室（Wentworth Laborat〇des)銷售的考布拉⑧(⑶bra⑧)探針 =。一般而言，此IC具有大量晶片並具有在一石夕或石申化鎵 晶圓上以光微影術形成的電路特性。測試之後將晶片分離 ，有時亦稱為單體分割（signulati〇n)。探針裝置18包括具有 —陣列的第一孔之一第一壓模2〇以及具有一陣列的第二孔 之第一壓杈22，且其由一間隔件24所分離並承載多個垂直 探針銷26, 28。壓膜材料一般由譬如德林@(Deiri^)乙醯基 樹脂等一種塑膠絕緣材料所製成。 圖2為顯示代表性探針銷26的放大剖視圖，此探針銷％ ^括從第一陣列中的一孔21突起之一探針梢部2以以及從 第一陣列中的一孔23突起之探針頭26b。包含垂直探針銷 26的相對端點之孔21，23彼此係略微呈偏移，且探針銷以 蜿蜒狀構造彎曲以促進翹曲，所以積體電路墊i 4a上即使 有任何輕微的垂直不平整或不對準仍可生成大致均勻的 接觸壓力。 再度參照圖1，空間轉換器29包括一安裝體塊3〇，安裝體 塊30中形成有一井部32。在井部底部設有數個孔μ，這些 孔34係與探針頭總成18的外露探針頭2仍所界定之一第一小 -8 1228595 /奶， A7 _____ 五、發明説明（~g y * —- 内圖案呈現相符的尺寸。圖中為了清楚起見，•罙針頭總成 18與空間轉換器29分離，但在實際操作中則由螺絲（未圖示 一個別絕緣的線36係在一端連接至PCB導電跡線12，並 且在另一端上，線係延伸入安裝體塊30中的一孔34内以當 探針頭總成18螺栓至空間轉換器29時在安裝體塊3〇底側^ 才采針頭26b呈電性接觸。 空間轉換器29係藉由譬如螺絲38等裝置附接至pc板， 並用一環氧樹脂封裝化合物3 9固定住線3 6，探針頭姨成 1 8藉由螺絲（未圖示）附接至空間轉換器29底側，使得探針 頭26b與線36電性接觸。積體電路14具有在功能性測試期 間與探針梢部26a實體接觸且電性連續之數個間隔狀的接 觸墊l4a。若壓模材料的熱膨脹係數與矽晶圓的熱膨脹係 數（約1·6χ1(Τ6吋/吋/卞，亦即約2.8乂1〇-6公尺/公尺/。幻顯 著不同，探針梢部26a可能未在一測試溫度範圍與接觸墊 14a有效地接觸。 現在參照圖3，4，5，改良的溫度補償式垂直銷探針頭總成 概括標示為40並且包括一第一壓模構件42及一第二壓模構 件44。壓模係固持在一起並且以穿過沿著周邊適當放置的 孔46之螺絲或其他緊固件（未圖示）安裝至安裝體塊3〇(圖^斤 示）。苐一及第二壓模構件42，44各包括分別具有一開孔52, 54之一間隔件構件48，50。開孔52，54可為與受測試ic相符 之任何適當的形狀並且通常為長方形。開孔52, 54係分別由 一薄型介電片56, 58予以密封。 -9- I紙張尺度適财S @家料(CNS) A4規格(21GX297公釐)'---- 1228595 , A7 _____ B7 五、發明説明（7 ) 間隔件構件48, 50係由一種基材核心材料製成，此基材核 〜材料係具有盡量接近構成電路基材的矽之熱膨脹係數。 一種較佳材料為殷鋼。殷鋼以36%鎳的標稱重量組成物具有 略小於矽之1·〇χ1〇-6吋/吋/卞（18χ1〇-6公尺/公尺/〇K)的熱膨 服係數了依茜要錯由此技藝所習知地調整合金中的|臬百 分比來改變熱膨脹係數使其與矽精確地重合（西思科， 士直m(Sisco，Modern Metallurgy for ，第二 版’ Ρ.299)。亦可採用具有位於矽的約4χ1〇-6吋/对/卞 (7·6χ1(Γ6公尺/公尺/〇κ)以内的熱膨脹係數之其他的低熱膨 脹係數金屬及金屬合金。 介電片56，58係由具有位於矽的約4X1 忖/忖/卞 (7·6χ 1 〇公尺/公尺/〇κ)以内的熱膨脹係數之任何剛性介 電物質所形成並可在測試溫度範圍中保持結構完整性。 適當材料包括陶瓷及玻璃，且最佳為氮化矽陶瓷（熱膨脹 係數= 1·7χ1〇_6英吋/英吋/°F(3.〇Xl(T6公尺/公尺^κ))。 如此技藝所習知，探針銷64係在第一及第二壓模構件42, 44的間隔件構件48, 5〇分別支撐之介電片％，％中相隔且偏 移的孔60, 62的圖案之間延伸。探針銷64的一端終止於探針 梢部64a中，此探針梢部64a配置為與導往印刷電路測試板 之線（譬如圖1的36)電性接觸。探針銷64的相對端終止於一 探針梢部64b中’此探針梢部64b在探測一受測試晶圓時係 在孔62中以已知方式滑動。 參照沿著圖3的線A-A所取之圖4的剖視圖，可看出第一介 電片56的周邊係安裝在間隔件構件48的一第一表面65上， -10- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐)~ -------- 1228595

五、發明説明（8 ) 弟二介電片58安裝在間隔件構件5〇的一第一表面W上， =兩介電片以相隔關係保持分開。第一介電片％係包含 雷射或其他適當方式依照一種預定的第一孔圖案鑽設 數個孔60。第一介電片58係包含同樣利用雷射或其他 ^方式依照相同圖案鑽設之複數個孔62 ’差異在於此圖 案與第一圖案具有通常為〇·51公厘（〇〇2对）左右之小量偏移 〇 參照未依比例緣製之圖5的放大剖視圖，間隔件構件48中 的開孔52係在第一表面65中沿其周邊放大以提供一突架 ’亚將:類似的周邊突架54a設置於間隔件構件5〇的第一表 面中。第一介電片56係較薄（標稱0.25公厘（〇.01对））’第二 介電片亦較薄但較佳比第一介電片更厚且其較佳標稱厚度 ·51 A厘_2对）。將介電片56，58安裝跨越開孔52，μ 並分別由-種譬如環氧樹脂等高強度剛性黏劑或其他適當 方式結合至突架52a，54a。 根據本發明，吾人發現：氮切陶£可理想地適用在改 良的垂直鎖探針裝置所用之介電片56, 58中。氮化㈣究可 f升高溫度時提供高的機械強度，並且提供抗熱衝擊性及 初性且有低的摩擦係數，故能夠使探針鎖滑動而未必需要 防黏材料塗層。通常由熱壓產生氮化矽片且其為一種二相（ α及幻多晶系陶曼。其具有僅略大於石夕的熱膨脹係數 ΐ™6忖/叶rF(3.4xl0-6公尺/公尺/〇κ)的熱膨脹雜^ 為間隔件構件48, 5〇的熱膨脹係數略小於石夕並且氮化石夕的熱 膨服係數略大於砍，壓模構件所用的兩種材料彼此配合藉 -11 -

本紙張尺度it财關轉準(CNS) Α4規·格(21GX297^D

以使得壓模構件^7敕_ & 圓的熱膨 正體熱％脹係數極為近似矽 服係數。 之二發二一項替代性實施例係顯示於與圖3,4,5分別對應 圖’.’8中。若不採用實心殷鋼製成的一間隔件構件，吾 人發現：相較於圖3至5所示類型的實心殷鋼間隔件48, 50 : 一疊層狀的殷鋼間隔件可提’ — 」捉彳/、令易建造以及改良性能等顯 者優點。 參知圖6, 7, 8,，將一替代性溫度補償式垂直銷探針頭總成 概括標不為66並且句枯 唾 m 匕括一苐一壓模構件68及一第二壓模構 件70。如先則所描述般地藉由沿著周邊穿過適當放置的孔 72之螺絲（未圖示）將壓模固持在一起。第一及第二壓模構件 68:70係包括分別設有開孔78，8〇之一第一間隔件構件％及 -第二間隔件構件76。可能與圖3至5上文所述相同，各開 孔78, 80分別覆蓋有一薄型介電片56, ％。 從殷鋼箔或另一種適當的低熱膨脹係數金屬箔以化學 蝕刻間隔件構件74, 76並用一種黏劑將疊層黏合，藉以製 成間隔件構件74, 76。第一間隔件74包含疊層74a，74b， 74c，74d，74e，且第二間隔件76包含疊層76a，7外，76c， 76d’ 76e。宜層或诂以一種疊層結構結合在一起。一種適 當的黏劑為3M(明尼蘇達州的明尼亞波里斯）的結構性黏 劑#2290，將此黏劑噴上且加熱加壓予以結合。可在疊層 中钱刻中央孔或開孔的同時餘刻出支撐孔，藉以大幅 便利於建造並避免如同圖3至5的構造般地將孔鑽過實心 的殷鋼。用於製造疊層狀間隔件74及76之殷鋼箔的適當 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 1228595

A7 B7 係為ίο密耳。這在典型應用中將 *積以製造一間隔件。 主6個伯的 宰之門I:係在介電片56, 58中間隔狀且偏移的孔6〇, 62圖 伸。探針銷64的第一端係終止於探針梢， ==⑽與導向印刷電路測試板之線譬如3_) 铋針銷64的相對端則終止於探針梢部64b中， 圖 1梢相b在探測晶圓14期間係在孔62中以已知方式滑動（ 安^^著圖6的線B_B所取之圖7的剖視圖，第-介電片56 文衣在間隔件構件74的一第一側上，第二介電片 二::件Γ:一：一側上，所以兩個介電片以間隔關係 幸、刀二。弟一及第二介電片56, 58分別包含孔60, 62的圖 =此專圖案相同但其差異在於：介電片％中的圖案係如 月J文所述與介電片56中的圖案呈現偏移。 參照圖8的放大剖視圖（未依比例緣製），其中顯示探針總 成的-部份。最外部的疊層74a係受到㈣以提供_更大間 口’使得下方的疊層74b，74c, 74d，74e提供一周邊凹部藉2 收納介電片56。最外部的疊層76a係姓刻比疊層鳩， 76d，76e更大的開口以對於介電片58提供一凹部。此钱刻方 法係為比起圖3至5中用以加工實心殷鋼體塊間隔件更為容 易之生成周邊突架以扣持住陶兗片的方式。介電片％⑻系 以黏劑82, 84固持在凹部中。—種適當的黏劑的結構 性黏劑#2290或-種高強度剛性環氧樹脂。較佳的黏劑為自 行整平喷灑式聚合物黏劑（譬如b_階段環氧樹脂），但亦可使 -13 本紙張尺度適财目國家i準(CNS) A4規格(no X 29?i¥) 1228595 8：1 Α7

1228595 彳 V Π Α7 --------— Β7 五、發明説明------- —圖11顯不根據本發明之一殷鋼壓模的製造流程圖。嬖如 藉由化學餘刻將特性形成在複數個壓膜疊層中。檢驗箱餘 刻102以確認特性具有適t尺寸且㈣時未損害職。孽如 :切割方式從羯移除104一第一壓模疊層。此第一壓模疊層°

Ik後在種譬如HFC(氫氟碳化合物）溶劑等適當溶劑中進行 去知106將一譬如環氧樹脂等黏劑層噴灑108在第_壓模 豐層上，然後在一烤爐中加熱11〇而部份地固化，此稱、_ 階段（b-staging)。 留下的壓模疊層隨後係從箔分離112，加以去脂並塗覆一 黏劑層。壓模疊設層係組裝i 14在一附件中以提供適當的對 準，然後在加熱加壓下疊設116形成壓模。檢驗經疊設的壓 模框架之平坦度118，一般需要小於0.0002公分每公分的偏 差（0.0002对每对）。 最外部壓模疊層的周邊係譬如以電鍍膠帶（plater，s bpe) 加以罩幕120 ,並以一種黏劑噴灑122突架。此黏劑在一烤 爐中部份地固化（b_階段）124，並插入126 一氮化矽片跨越由 突架所支撐的開孔。以加熱固化128此總成而將氮化矽片黏 結至突架。隨後在此片中譬如以雷射鑽設形成一孔陣列。 可如下描述本發明的操作。因為殷鋼材料具有比矽略微 更低但大致相符之熱膨脹係數，殷鋼係顯著膨脹以與石夕晶 圓的膨脹呈現對應尺寸。因此，孔及介電片的中線位置係 依據矽晶圓上的接觸墊而被定位並且遵循矽晶圓的膨脹及 收縮。 介電片可能以比矽晶圓及間隔件構件略高的熱膨脹係數 -15-

1228595 A7 B7 五、發明説明（13 ) 微更低但大致相符之熱膨脹係數，殷鋼係顯著膨脹以與矽 晶圓的膨脹呈現對應尺寸。因此，孔及介電片的中線位置 係依據矽晶圓上的接觸墊而被定位並且遵循矽晶圓的膨脹 及收縮。 介電片可能以比碎晶圓及間隔件構件略南的熱膨服係數 沿其自身中線產生膨脹及收縮。然而，插入件係受到黏劑 所限制而僅可在與晶圓平面相垂直的一方向中膨脹。因此 ，儘管絕緣的插入件之熱膨脹係數略微高於矽晶圓，並未 在一大的溫度範圍中於接觸墊與探針點之間造成顯著的錯 配（mismatch)。利用較佳陶瓷材料所提供的潤滑性不需要防 黏塗層即可讓探針銷滑動。 雖然已經描述本發明的較佳實施例及其一項修改，熟悉 此技藝者可作其他修改，可在申請專利範圍中確保所有此 等修改均位於本發明的真實精神與範圍之内。 元件符號說明 10 測試板 23 、孔 12 導電跡線 24 間隔件 14 積體電路(晶圓） 26 垂直探針銷 14a 墊. 26a 探針梢部 16 可移式夾頭 26b 探針頭 18 探針頭總成 28 垂直探針銷 20 第一壓模 29 空間轉換器 21 孑L 30 安裝體塊 22 第二壓模 32 井部 -16- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 1228595 翼;正、替換頁

/年――月 J A7 B7 五、發明説明（14 ) 34 孔 72 孑L 36 線 74 第一間隔件構件 38 螺絲 74a，74b，74c，74d，74e 疊層 39 化合物 76 弟二間隔件構件 40 探針頭總成 76a，76b， 76c，76d，76e 疊層 42 第一壓模構件 78 開孔 44 第二壓模構件 80 開孔 46 孔 82 黏劑 48 間隔件構件 84 黏劑 50 間隔件構件 86 箔 52 開孔 88 金屬原料 52a 突架 90 輥 54 開孔 92 輥 54a 周邊突架 94 金屬顆粒 56 介電片 96 金屬顆粒 58 介電片 98 方向 60 孔 100 方向 62 孔 102 檢驗步驟 64 探針銷 104 移除步騾 64a 探針梢部 106 去脂步騾 64b 探針梢部 108 噴灑步騾 65 表面 110 加熱步驟 66 探針頭總成 112 分離步驟 68 第一壓模構件 114 組裝步騾 70 第二壓模構件 116 疊設步騾 -17- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 1228595 x 6. 17 A7 B7 五、發明説明（15 ) 118 檢驗步騾 126 插入步驟 120 罩幕步騾 128 固化步驟 122 噴灑步騾 124 加熱步驟 -18- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)

Claims (1)

1228595 六、申請專利範園 一種探針頭總成（66) 且其特徵為： 第心一什(74)，其具有一第-最内部表面及 u _置於中央的第一開孔（78)， 乐"電片（56)跨越盥兮坌 ^ Λ ^ 、該弟一取外部表面相鄰之該第 開孔（78)，該第一介雷ΰ 1寬片（56)具有界定一圖荦之一第 組的通孔； 口杀·^弟

其適合用於一垂直銷探針裝置中 _1第t間，隔件構件（76),其具有一第二最内部表面及 一：一取外部表面以及一配置於中央的第二開孔(8〇)， 一第f介電片（58)與該第—介電片（56)大致平行而跨越 與該第二最外部表面相鄰之該第二開孔（8G)，該第二介 電片(5 8)具有一第二組的通孔，該第二組的通孔係界定 該相同圖案但與該第一組的通孔之垂直對準方向呈現水 平偏移狀，其中該第二最内部表面係與該第一最内部表 面相鄰；及 該第一間隔件構件（74)及該第二間隔件構件（76)中的 至少一者係為由疊設在一起之一低熱膨脹係數金屬合金 謂的複數個疊層（74a-74e，76a-76e)所形成之一複合物， 其中至少一第一疊層（74a，76a)及一第二疊層（74b_e， 76b-e)具有非對準伸長的金屬顆粒（96)。 2·如申請專利範圍第1項之探針頭總成（66)，其中該第一 間隔件構件（74)及該第二間隔件構件（76)係皆為由疊設 在一起之一低熱膨脹係數金屬合金箔的複數個疊層 (74a-74e，76a-76e)所形成之複合物，其中至少一第一疊 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 1228595, ' … B8 ' ，:二 r C8 ---—.................'」一..…_______ D8 六、申請專利範圍 層（74a，76a)及一第二疊層（7你7和，76b_7㈣具有非對 準伸長的金屬顆粒（96)。 3·=申請專利範圍第2項之探針頭總成（66)，其中該等 豐層(74a-74e，76a-76e)係具有位於一受測試積體電路 兀件的7x10 6公尺/公尺熱膨脹係數以内之埶膨服 係數。 … 4. 如申請專利範圍第3項之探針頭總成 片队糊-陶究，該陶究具有位於該等 74e，76a-76e)的7xl〇-6公尺/公尺/〇κ熱膨脹係數以内之轨 膨脹係數。 … 5. 如申請專利範圍第4項之探針頭總成（66)，其中該等聂 層(J4a-74e，76a_76e)為殷鋼，且該陶兗介電片（二，、^ 為氮化石夕。 6. 如申請專利範圍第2項之探針頭總成（66)，其中各個咳 等複數個疊層（74a，76a)係具有與各相鄰的該等複數: 叠層（74b-74e，76b_76e)呈偏移之伸長的金屬顆粒（96)。 7·如申請專利範圍第6項之探針頭總成（66)，其中各個該 等複數個疊層（74a，76a)係具有與各相鄰的該等複數: (7仙-7扑，76b-76e)偏移約9(Γ之伸長的金屬顆粒 8,如申請專利範圍第6項之探針頭總成（66)，其中該等Α 層（7知-7和，冗㈠㈣為殷鋼，且該陶瓷介電片（56且 為氮化石夕。 > 9·如申請專利範圍第2項之探針頭總成（66)，其中該等複 -2- 本紙張尺度適用悄目家縣(CNS) A4規格(210 X 2—97公釐y

A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 數個疊層（74a-74e，76a-76e)係從一最内部層延伸至一最 外部層，且該開孔（78, 80)在該最外部層中比該最内部 層中具有更大的邊長，藉以形成一擱架。 10·如申請專利範圍第9項之探針頭總成（66)，其中該介電 片（56, 58)為一陶瓷並由該擱架所支撐。 11·如申請專利範圍第10項之探針頭總成（66)，其中該陶瓷 • 片（56, 58)係以黏劑（82, 84)結合至該擱架。 ;12·如申請專利篇圍第丨丨項之探針頭總成（66)，其中各該等 複數個疊層（74a，76a)係具有與各相鄰的該等複^個疊 泠 層（74b_74e，76b_76e)呈偏移之伸長的金屬顆粒（96)。 C. I3·如申請專利範圍第12項之探針頭總成（66)，其中各該等 複數個疊層（74a，76a)係具有與各相鄰的該等複數個疊 層（74b-74e，76b-76e)偏移約90。之伸長的金屬顆粒（96) 〇 14·如申請專利範圍第13項之探針頭總成（66)，其中該等疊 層（74a-74e，76a-76e)為殷鋼，且該陶瓷介電片（56，58) 為氣化碎。 15.如申請專利範圍第14項之探針頭總成（66)，其中該間隔 件構件（74，76)每公分具有小於0·0002公分的平坦度變 異量。 -3- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公釐)