TWI225181B - Substrate for liquid crystal display (LCD) and manufacturing method thereof - Google Patents

Substrate for liquid crystal display (LCD) and manufacturing method thereof Download PDF

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TWI225181B
TWI225181B TW088123031A TW88123031A TWI225181B TW I225181 B TWI225181 B TW I225181B TW 088123031 A TW088123031 A TW 088123031A TW 88123031 A TW88123031 A TW 88123031A TW I225181 B TWI225181 B TW I225181B
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Taiwan
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film
area
busbars
main surface
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TW088123031A
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English (en)
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Atuyuki Hoshino
Tadashi Hasegawa
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Fujitsu Display Tech
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Description

1225181 經濟部智慧財產局員工消費合作社印剩衣 A7 __B7_ 五、發明說明（1 ) 技術領域 本發明係關於一種液晶顯示裝置用之基板及其製造 方法，特別關於在基板邊緣附近上設置與外部電路連接的 端子之液.晶顯示裝置用基板及其製造方法。 技術背景 第6圖係顯示主動矩陣型液晶顯示裝置的與外部連接 之端子部分的截面圖；在玻璃基板100的表面上，形成閘 極絕緣膜101 ;閘極絕緣膜101之功能係作為各像素之薄膜 電晶體（TFT)的閘極絕緣膜；在閘極絕緣膜1 〇 1上面，形成 沒極匯流排線102 ;汲極匯流排線102係連接TFT之汲極電 極。 覆蓋汲極匯流排線102地，在閘極絕緣膜1 〇 1上面形 成絕緣膜103 ;在絕緣膜103之外周附近的區域上，形成外 部端子104 ;外部端子104經由設於絕緣膜1〇3的接觸孔105 來連接至汲極匯流排線102。 在玻璃基板100中，面對隔開的間隔地配置有對向基 板110 ;對向基板110在其邊緣附近以接著劑115固定於基 板100 ;外部端子104之上面中，基板外周側之區域也以接 著劑115配置於靠近接著處之外側並露出來；在玻璃基板 100與對向基板110間填充有液晶材料118。 在對著玻璃基板100固定對向基板中，由基板垂直方 向觀看時，對向基板110之邊緣係與玻璃基板100之對應邊 緣大約重疊地配置；對向基板110固著於玻璃基板100後， 切掉對向基板110之邊緣附近的部分110a ;由切掉對向基 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2〗0 X 297公釐） I"r--·-------裝--------訂· — —------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 4 五、發明說明（2 ) 板110之邊緣附近部分ll〇a，可能把外部端子104連接至外 部驅動電路。 切掉對向基板11 〇之邊緣附近部分11 〇a時，外部端子 104受到損傷，可能發生斷線；再者，在對向基板11〇之對 向面上形成共同電極；由於在切落時發生的導電性細屬， 外部端子104及共同電極可能發生短路的情形。 本發明之概要 本發明之目的係提供一種液晶顯示裝置用之基板及 其製造方法’其在切掉面對形成外部端子的基板之基板的 邊緣附近部分時外部端子不受損傷。 依據本發明之一層面，提供一種液晶顯示裝置用的 基板，其包含有：在主表面内劃定畫像顯示區並在其外側 之一部分上劃定端子區的第一基板；配置在該第一基板之 主表面内的该畫像顯示區上的多條第一匯流排線；覆蓋該 等第一匯流排線地配置於該第一基板之主表面上的第一絕 緣膜；對應於各條該等第一匯流排線而設於該第一基板之 端子區上，並經由貫通該第一絕緣膜達到該等第一匯流排 線之上面的接觸孔，電氣連接於對應該等第一匯流排線的 外部端子；以及在該外部端子上面中不覆蓋至少該第一基 板之外周側端部附近之區域地，由覆蓋該外部端子上面之 一部分的絕緣材料形成之保護膜。 外部端子之一部分為了用保護膜來覆蓋，設於以下 的製程處理及加工可以防止外部端子受到損傷；又，由於 外部端子之外周側區域不用保護膜來覆蓋，可以在此部分 1225181 A7 五、發明說明（3 ) 連接外部端子及外部電路。 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 X 消 費 合 作 社 印 製 依據本發明之另一層面，提供一種液晶顯示裝置之 製造方法，其包含下列步驟··準備第一基板的製程，在該 第一基板之主表面内劃定畫像顯示區，並在其外彳則之一部 为劃疋知子區’設置配置在該畫像顯示區上的多條第一匯 流排線；覆蓋該等第一匯流排線地，配置在該第一基板之 主表面上的第一絕緣膜；對應於各條該等第一匯流排線來 設於該第一基板之端子區上，且經由貫通該第一絕緣膜達 到該等第一匯流排線之上面的第一接觸孔，並電氣連接至 對應該等第一匯流排線的外部端子；在該外部端子之上面 中不覆蓋至少該第一基板之外周側的端部附近區域地，由 覆蓋該外部端子上面之一部分的絕緣材料形成的保護膜； 在該畫像顯示區上，與該等第一匯流排線交叉形成的多數 第一匯流排線；在該畫像顯示區上，對應於該等第一匯流 排線和第二匯流排線之各個交又處來配置的像素電極；連 接於對應各個該等像素電極的第一及第二匯流排線中之一 ，準備依據施加於另一匯流排線的信號來形成控制導通狀 態的切換元件之該第一基板的製程；在該第一基板之主表 面形成該第二基板之共同電極的一面隔有相對間隔地，配 置該等第一基板及第二基板，在該保護膜之上面中，不以 雄封材料覆蓋至少該第一基板之外周側的一部分區域地， 用該密封材料固著該等第一和第二基板的製程；切掉該第 一基板之邊緣附近部分的製程，從該第一基板的垂直方向 觀看時’切掉後的第二基板之新邊緣通過該保護膜之内部 x 297公釐） 本紙張尺$適用b _票準（cns)A4 1225181
五、發明說明（4 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制农 地切掉的製程。 由於外部端子之一部分用保護膜來覆蓋，切掉第二 基板之邊緣附近的部分時，外部端子不致受到損傷；據此 ，可以防止外部端子發生導通不良。 圖式之簡單描诚 第1圖係依據本發明之第一實施例的液晶顯示裝置之 平面圖； 第2Α及2Β圖係為了說明突起圖形之效果的液晶顯示 裝置之橫截面圖； 第3圖係依據第一實施例的液晶顯示裝置之橫截面囷 第4A〜4F圖係依據第一實施例為了說明液晶顯示裝 置之TFT基板的製造方法的基板橫截面圖； 第5A及5B圖係依據第二實施例為了說明液晶顯示裝 置之TFT基板的製造方法的基板橫截面圖；及 第6圖係習知液晶顯示裝置之外部端子部分的橫截面 圖。 第1圖係顯示依據第一實施例的同方向扭曲型液晶顯 不裝置之平面圖；在玻璃基板1之内表面上，劃定畫像顯 不區2，在其外側的一部分上劃定端子區3 ;多條閘極匯流 排線5向圖之行方向（橫方向）延伸；在相鄰的兩條閘極匯 μ排線5之間’往行方向延伸配置有容量匯流排線6 ;閘極 絕緣膜覆蓋著閘極匯流排線5和容量匯流排線6 ;在此閘極 I----^----I I I I ^----I---•線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
A7 A7 五、 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制农 發明說明（5 ) 、邑緣膜上’配置有往圖之列方向（縱方向）延伸的多數資料 匯流排線7。 對應於閘極匯流排線5和資料匯流排線7之交差處設 有薄膜電晶體（TFT)l〇 ; 丁？丁10之汲極電極連接至對應的 資料匯流排線7 ;閘極匯流排線5兼作對應的tfti 〇之閘極 電極。 層間絕緣膜覆蓋資料匯流排線7和TFT1〇 ;在圍繞兩 條閘極匯流排線5和兩條資料匯流排線7的區域内，配置有 像素電極12 ;像素電極12被連接至對應的叮丁1〇之源極區 〇 從容量匯流排線6分支的補助容量支線14沿著像素電 極12之邊緣延伸；容量匯流排線6及補助容量支線14在像 素電極12間形成補助容量；容量匯流排線6之電位被固定 如果資料匯流排線7之電位改變，依據雜散電容引起 的電容耦合，像素電極12之電位改變；在第1囷之結構中 由於像素電極12通過補助容量來連接至容量匯流排線6， 故可以減少像素電極12之電位改變。 在形成TFT的玻璃基板1及對向基板的相對面上，沿 著往列方向延伸的曲折圖形，第一突起圖形16及第二突起 圖形18分別被形成；在第1圖中，為了區別第一突起囷形16 及第二突起圖形18，在第一突起圖形16上附有窗口；第一 突起圖形16在行方向以等間隔配列，其之轉折點位在閘極 匯流排線5及容量匯流排線6的上面；第二突起圖形18具有 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2】0 X 297公釐） I卜 ^ 裝--------訂---------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1225181 A7 --- B7 五、發明說明（6 ) 與第一突起圖形16大致同樣的圖形，被配置在相鄰兩條第 一突起圖形16之大約中央處。. 在第1圖下方之端子區内，資料端子20係對應於各條 資料匯流排線7來配置，在左邊端子區3内，閘極端子21係 對應於各條閘極匯流排線5來配置；各資料端子2〇經由接 觸孔24來連接至對應的資料匯流排線7 ;各閘極端子21經 由接觸孔25來連接至對應的閘極匯流排線5 ;閘極匯流排 線5及資料匯流排線7分別通過閘極端子21及資料端子2 5來 連接至外部之驅動電路。 往行方向橫過資料端子20之大約中央地，配置有保 護膜26 ;在資料端子20之上面中，保護膜不覆蓋玻璃基板 1之外周側的端部附近區域。 請參考第2A及2B圖，其說明關於第一及第二突起圖 形16及18之功能。 第2 A圖顯示關於無施加電壓狀態的液晶顯示裝置之 橫截面圖；在玻璃基板之相對面上，第一突起圓形16被形 成，在對向基板36之相對面上形成有第二突起圖形18;在 TFT形成的玻璃基板1及對向基板36之相對面上，覆蓋突 起圖形16及18地，形成有垂直配置膜28 ;在TFT形成的玻 璃基板1和對向基板36之間，夾含有含液晶分子30的液晶 材料29 ;液晶分子30係具有負數導電率異方性；在玻璃基 板1及對向基板36之外側，偏光板3 1及32分別配置有交叉 偏光鏡。 在不施加電壓時液晶分子30對著基板表面垂直地配 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------------裝i — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂： ;線- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 9 ^25181 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明（7 ) 置；第一及第二突起圖形16及18之斜面上的液晶分子30a 對著其斜面垂直地配置；因此，·第一及第二突起圖形16及 18之斜面上的液晶分子30a對著基板表面傾斜地配置；但 是’由於在像素内之寬廣區域中液晶分子30垂直地配置， 故可得到良好的暗顯示狀態。 第2B圖顯示施加使液晶分子30變成傾斜程度的電壓 之狀態’亦即關於中間色調顯示狀態的橫截面圖；如顯示 第2A圖同樣的，預先成傾斜的液晶分子3〇a，向其傾斜方 向更大地傾斜；其周圍之液晶分子3〇受到液晶分子3〇a之 傾斜影響也向同一方向來傾斜；因此，第一突起圖形16和 第二突起圖形1 8間的液晶分子30其長軸（方向）係從圖之左 下沿著朝向右上的直線來配置；靠近第一突起圖形16左側 之液晶分子30及靠近第二突起圖形18右側之液晶分子3〇其 長軸係從圖之右下沿著朝向左上的直線來配置。 如此，在一像素内，劃定多數個液晶分子之傾斜方 向一致的領域；第一及第二突起圖形16及18劃定領域邊界 ;第一及第二突起圖形16及18依據關於基板内面來互相平 行地配置，可以形成兩種領域；在第丨圖中，由於第一及 第二突起圖形16及18為曲折的，故共形成四種領域；依據 在一像素内形成多數領域，可以改善關於中間色調顯示狀 態的視角特性。 第3圖顯示第1圖之液晶顯示裝置之橫截面圖；靠近 第3圖中央之斷裂部分的右側及左側圖分別相當於關於第1 圖之斷面線A-A及斷面線B-B的橫截面圖；TFT基板35和 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） I l· . --------訂----------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 , A7 ^_________B7_ _ 五、發明說明（8 ) 對向基板36以互相隔開的間隙來平行地配置。 首先’說明關於TFT基板3.5之結構；在玻璃基板1之 ' 相對面上’閘極匯流排線5被形成；閘極匯流排線5具有厚 度100nm之链膜和厚度50nm之鈦膜的兩層構造；·覆蓋閘極 匯流排線5地，在玻璃基板1上形成有閘極絕緣膜40 ;閘極 絕緣膜40係厚度4〇〇nm之氮化矽膜。 • 在閘極絕緣膜40的表面上，跨越閘極匯流排線5地形 成有活性區41 ;活性區41係厚度30nm之未摻雜非晶矽膜 ，在活性區41之表面中，在閘極匯流排線5之上方區域上 形成有通道保護膜42 ;通道保護膜42係厚度140nm之氮化 石夕膜；通道保護膜42設於第1圖來覆蓋TFT10之通道區地 - 被圖形化。 活性區4 1之上面中，在通道保護膜42的兩側區域上 分別形成有源極電極44及汲極電極46 ;源極電極44及汲極 電極46同樣地具有以厚度3〇nm之n+型非晶石夕膜、厚度 2〇nm之鈦膜、厚度75nm之鋁膜、及厚度80nm之鈦膜的順 序積層的積層構造；TFT10係由閘極匯流排線5、閘極絕 緣膜、活性區41、源極電極44、及汲極電極46所構成。 设於端子區的在閘極絕緣膜4〇上面配置有資料匯流 排線7之端部；資料匯流排線7具有與在畫像顯示區2内形 成的沒極電極46相同的積層構造；仍然，在資料匯流排線 7之下方’殘留與活性區4丨同時形成的非晶矽膜；覆蓋TFT 10及資料匯流排線7地，在閘極絕緣膜40上面形成有絕緣 膜48 ;絕緣膜48為厚度330nm之氮化矽膜。 I ^-------I til------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
1225181 A7 B7 五、發明說明（9 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在絕緣膜48上面形成有像素電極12 ;像素電極12為 厚度70nm之氧化銦錫（ITO)膜，.並經由貫通絕緣膜48的接 觸孔50來連接至源極電極。 在像素電極12及絕緣膜48上面形成有第一突起圖形 16 ;第一突起圖形16係由光阻所形成；以配置膜28來覆蓋 像素顯示區2内的最上層。 設於端子區3的在絕緣膜48上面形成有資料端子20 ; 資料端子20與像素電極12同時形成膜層地被圖形化；資料 端子20經由貫通絕緣膜48的接觸孔24來連接至資料匯流排 線7 ;以保護膜26來覆蓋資料端子20上面的一部分；資料 端子20之上面中玻璃基板外周側之一部分區域顯露出來。 其次’說明關於對向基板36之結構；在玻璃基板27 之相對面定出的區上形成有由铯等做成的遮光膜52 ;覆蓋 遮光膜52地，在玻璃基板27之相對面上形成由ITO做成的 共同電極54;以配置膜28來覆蓋像素顯示區2内的共同電 極54之表面；設於端子區的共同電極54顯露出來。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 對向基板26由設於其周圍部分的接著劑56固著於tft 基板35 ; TFT基板35和對向基板36間的間隙由接著劑56來 封住；在TFT基板3 5和對向基板36間的間隙内填充有液晶 材料29 ;液晶材料29具有負數導電率異方性；接著劑56設 於靠近保護膜26内側之區域來固著於TFt基板35 ;仍然， 接著劑56較佳接觸於保護膜26地來配置。 其次’說明關於TFT基板35和對向基板36之結合方法 ;在將對向基板36固著於TFT基板35時，從基板垂直方向 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 12 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225181 A7 ------------ B7 五、發明說明（10 ) 觀看時’對向基板36之邊緣與TFT基板35之對應邊緣大致 重疊地配置；固著後，把對向基板36之周圍部分36a切掉 〇 從基板垂直方向觀看時，切掉周圍部分36a後之對向 基板36的邊緣通過保護膜26之内部；因此，在切齊對向基 板36時，可防止在TFT基板35側之資料端子20上發生損傷 ;據此’防止資料端子20導通不良的發生，可能提升產品 之良率；又’可以防止由共同電極54之切屑引起的資料端 子20彼此間之短路。 其次，請參考第4A〜4F圖，其說明在第3圖中顯示的 TFT基板35之製作方法。 在第4A圖中說明至顯示狀態為止的製程；在玻璃基 板1之表面上順序形成厚度l〇〇nm之紹膜和厚度5〇nrn之鈦 膜；這些膜層之形成係由濺鍍來實施；使用光刻技術、囷 形化紹膜和鈦膜等兩層、留下閘極匯流排線；鋁膜和鈦膜 之餘刻係依據使用三氣化硼和氣之混合氣體的反應性離子 蝕刻（RIE)來實施。 第4B圖說明至顯示狀態為止的製程；覆蓋閘極匯流 排線5地’在玻璃基板1上形成由敗化^夕做成的厚度4〇〇nm 之閘極絕緣膜40 ;在閘極絕緣膜40上面形成厚度30nm之 非晶矽膜41a ;閘極絕緣膜40及非晶矽膜41a之形成係依據 例如電漿加強型化學氣相沉積（PE-CVD)來實施。 在非晶矽膜41a之上方由PE-CVD來形成厚度140nm之 I化矽膜；使用光刻技術對此氮化矽膜圖形化而留下通道 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2】0 X 297公釐） — — — — —--— — — — — — ^ i I I I I--I--I I I I 1^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 13 經濟部智髮財產局員工消費合作社印製
1225181 A7 __ __ B7 五、發明說明（11 ) 保護膜42 ;作為光罩來使用閘極匯流排線5，依據從玻璃 基板1之背面漏光可以劃定電阻圖形的平行於第1圖之行方 向之邊緣；平形於第1圖之列方向的邊緣係依據使用普通 光罩之漏光來劃定的；氮化矽之蝕刻可以由使用緩衝氟酸 系列的蝕刻劑之濕蝕刻以及使用氟素系列的RIE來實施。 在第4C圖中說明至顯示狀態為止的製程；覆蓋通道 保護膜42地，在基板之整個表面上以PE-CVd來形成厚度 30nm之n+型非晶矽膜；在此n+型非晶矽膜上以濺鍍順序 形成厚度20nm之鈦膜、厚度75nm之鋁膜、及厚度8〇nm之 鈦膜；從此之最上層鈦膜到未摻雜非晶矽為止被圖形化； 此等膜層之蝕刻係由使用三氣化硼和氣的混合氣體來實施 ;此時，設於閘極匯流，排線5之上方區域，通道保護膜42 用來作為蝕刻停止層的功能。 在閘極絕緣膜之上方，跨越閘極匯流排線5地留下由 未摻雜非晶矽做成的活性區41 ;又，在活性區41上面之保 護膜42之兩側區域上分別留下源極電極44及汲極電極46 ; 在端子區上留下資料匯流排線7。 第4D圖說明至顯示狀態為止的製程；在整個基板上 依據PE-CVD來形成由氮化矽做成的厚度33〇nm之絕緣膜 48 ,在絕緣膜4 8上形成使源極電極44之上面一部分露出的 接觸孔50 ’·同時，形成使資料匯流排線7之端部附近的上 面一部分露出之接觸孔24。 第4E圖說明至顯示狀態為止的製程；在整個基板上 形成厚度70nm之ITO膜；ΓΓΟ膜之形成係由例wDC磁控管 — l·--Γ.------裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2】0 X 297公釐） 五、發明說明（η ) 濺鍍來實施；把此ITO膜圖形化而留下像素電極12及資料 端子20 ; ιτα之蝕刻由使用溴酸系列之蝕刻劑的濕蝕刻來 實施。 第4F圖說明至顯示狀態為止的製程；在整個基板上 形電阻膜，把此電阻膜圖形化；據此，在畫像顯示區上留 下第一突起圖形，並在端子區上留下保護膜26;其次，在 畫像顯示區上形成配置膜28。 在依據上述第一實施例之方法中在第4F圓中設於顯 示製程的，與第一突起圖形16之形成同時實施保護膜26之 形成，因此，可以形成不伴隨工程數之增加的保護膜26。 又，使用保護膜26也可能形成產品種類、產品序號 、或者批次號碼等的識別標誌；例如，在畫像顯示區以外 的區域中，可以形成文字、條碼、鑲嵌狀之二維條碼等。 其次，就依據第二實施例的液晶顯示裝置之製造方 法來說明著眼於與依據第一實施例之製造方法的相異點。 在第4Α圖中設於顯示製程的，用含有兩摩爾0/〇铷的铷 化铭來形成閘極匯流排線5 ;相較於在第一實施例中使用 的鋁和鈦之積層構造做成的情形，可以減少配線阻抗。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在第4C圖中設於顯示製程的，源極電極44、汲極電 極46、及資料匯流排線7被做成厚度3〇nmin+型非晶矽膜 、厚度20nm之鈦膜、及厚度3〇〇nm之鋁膜的三層構造；依 據第一實施例，相較於做成n+型非晶矽膜、鈦膜、鋁膜 、鈦膜之四層構造的情形，可以加厚鋁膜；因此，可以減 少資料匯流排線7之配線阻抗；仍然，蝕刻比RIE更厚的 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公爱） 15 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225181 A7 _ B7 五、發明說明（13 ) 鋁膜時，有電阻燒焦發生的情形；像這樣的情形中最好濕 蚀刻銘膜。 在第二實施例中，由於源極電極44之最上層有鋁膜 ’故無法得到與ITO膜有良好的電氣連接；因此，以下的 製程係與第一實施例之情形不同。 如在第5A圖中顯示的，在整個基板上形成由氮化矽 做成的厚度330nm之絕緣膜48 ;仍然，為了接著形成深度 形狀之接觸孔，最好用上層蝕刻速度比下層蝕刻速度快的 條件來形成膜層。 在絕緣膜48之上方形成ITO膜，並把此ιτο膜圖形化 ’留下像素電極12及資料端子之外面連接部分2〇a。 如在第5B圖中顯示的，在絕緣膜48中形成使源極電 極44之上面一部分露出的接觸孔5〇及使資料匯流排線7之 上面一部分露出的接觸孔24 ;在整個基板上形成厚度2〇nm 之欽膜’並在其上形成光阻膜；把光阻膜圖形化並留下光 阻圖形60、61、及62。 光阻圖形60具有整合於第1圖之第一突起囷形16的圖 形；在第1圖中，一條第一突起圖形16通過多數像素電極12 之上方；但是，在第二實施例之情形中，相鄰的像素電極 12彼此之間不經由光阻圖形60來連接地使設於鄰接的兩個 像素電極12間的區域中的光阻圖形斷開。 光阻圖形61從接觸孔50之上方區域連續覆蓋到像素 電極12之端部；光阻圖形62從接觸孔24之上方區域連續覆 蓋到外面連接部分20a上方的一部分區域。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2】〇χ297公釐） I l·--^--------裝--------訂----r-----線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 16
、發明說明（14 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 此等之光阻圖形60、61、及62被作為光罩來蝕刻其 下方之款膜；藉由光阻圖形6〇與其下殘留的鈦膜65來形成 第一突起圖形16;藉由光阻圖形61下方殘留的鈦膜66，像 素電極12被電氣連接至源極電極44 ;藉由光阻圖冶62下方 殘留的鈦膜67，外面連接部分2〇a被電氣連接至資料匯流 排線7 ;藉由從鈦膜67做成的内部連接部分2〇b和外部連接 部分20a，構成資料端子2〇 ;用配置膜28來覆蓋畫像顯示 區上面。 至於第二實施例中的第一突起圖形16在其下層部分 具有導電性之鈦膜；然而，為了在互相鄰接的像素電極12 間分隔第一突起圖形16，像素電極12彼此間的短路不致發 生。 在第二實施例中，由1丁〇做成的像素電極12不直接接 觸於源極電極44最上層之鋁膜而通過鈦膜66來連接；因此 ’可以確保兩者間之良好電氣連接。 又’覆蓋資料端子20之内部連接部分2〇b的光阻囷形 62實施與在第3圖中顯示的第一實施例之保護膜％相同的 功能；因此，切掉對向基板之周圍部分時資料端子2〇被保 護，可以防止資料端子20導通不良之發生丨又，與第一實 施例之情形相同的，使用光阻圖形可能形成產品類別、產 品序號、或批號等識別標誌。 由以上貫施例來說明本發明，本發明不受其限制； 例如，各種改變、修正、組合等可能性為熟知該技術者所 瞭解。 I !ί·裝·！ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ϋ ϋ n · 灯- --線- -n I ϋ - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱' 17 1225181 A7 B7
五、發明說明（IS 元件標號對照 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1、27、100…玻璃基板 2···畫像顯示區 3…端子區 5…閘極匯流排線 6···容量匯流排線 7···資料匯流排線 10…薄膜電晶體（TFT) 12···像素電極 14…補助電容支線 16···第一突起圖形 18…第二突起圖形 20…資料端子 21…閘極端子 24、25、50、105·· 26…保護膜 28…配置膜 29、118…液晶材料 30、3〇a···液晶分子 31、32…偏光板 35…TFT基板 36、110…對向基板 36a···周圍部分 40、101…閘極絕緣膜 41…活性區 41a···非晶矽膜 42…通道保護膜 44…源極電極 46…汲極電極 48、103…絕緣膜 52…遮光獏 54…共同電極 50、115···接著劑 60、61、62···光阻圖形 65 ' 66 ' 67···鈦膜 102···汲極匯流排線 104…外部端子 110···邊緣部分 ---------------I--訂---I-----線 · (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 18 -

Claims (1)

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今請專利範
&充.1 第88123G31號專利巾請案申請專職圍修正本 修正日期：92年7月28曰 1·一種液晶顯示裝置用基板，包含有： 第一基板，係在主表面内劃定畫像顯示區，並在其 外侧之一部分上劃定端子區； 多條第一匯流排線，係配置在該第一基板之主表面 内的§玄畫像顯示區上； *第一絕緣膜，係配置於該第一基板之主表面上而將 該等第一匯流排線覆蓋者； 外部端子，係對應於各條第一匯流排線而設於該第 一基板之端子區上，並經由第一接觸孔而電氣性連接至 相對應之第一匯流排、線，該第一接觸孔係貫通該第一絕 緣膜而達到該等第一匯流排線上面者； 保護膜，係由絕緣材料所構成，且在不覆蓋該外部 端子上面的至少該第一基板之外周侧端部附近之區域 下，覆蓋該外部端子的上面之一部分； 多條第二匯流排線，係形成於該晝像顯示區上並與 該等第一匯流排線相交叉； 像素電極，係配置在該畫像顯示區上並與該等第一 匯流排線和第二匯流排線之各交又處相對應，· 切換元件，係使該等像素電極分別連接於相對應之 第-及第二匯流排線中之_匯流排線，而可藉施加於另 一匯流排線之信號來控制導通狀態者；及， 土堤狀突起圖形，係被配置於該像素電極上面且使 I紙張尺度適用中m @1 ( CNS ) （2l_GX29j公梦「 1225181 A8 B8 C8
裝 訂 線 六、申請專利範圍 该第一絕緣膜的第二接觸孔，而連接至該切換元件；該 外部端子和該像素電極係以相同材料形成； 該液晶顯示裝置用基板更包含有，被配置於該像素 電極上面且使用與該保護膜相同材料所形成的土堤狀突 起圖形。 3 · 一種液晶顯示裝置用基板，包含有： 第一基板，係在主表面内劃定畫像顯示區，並在其 外側之一部分上劃定端子區； 多條第一匯流排線，係配置在該第一基板之主表面 内的該畫像顯示區上； 第一絕緣膜，係配置於該第一基板之主表面上而將 該等第一匯流排線覆蓋者； 外邛鈿子，係對應於各條第一匯流排線而設於該第 一基板之端子區上，並經由第一接觸孔而電氣性連接至 相對應之第一匯流排線，該第一接觸孔係貫通該第一絕 緣膜而達到該等第一匯流排線上面者； 保護膜，係由絕緣材料所構成，且在不覆蓋該外部 端子上面的至少該第一基板之外周側端部附近之區域 下’覆蓋該外部端子的上面之一部分； 多條第二匯流排線，係形成於該畫像顯示區上並與 該等第一匯流排線相交又，· 像素電極，係配置在該晝像顯示區上並與該等第一 匯流排線和第二匯流排線之各交又處相對應，·及 切換元件，係使該等像素電極分別連接於 D8 六、申請專利範圍 第及第一匯流排線中之一匯流排線，而可藉施加於另 匯机排線之仏说來控制導通狀態者，·該等切換元件係 使用该第一絕緣膜來覆蓋； 像素連接配線，係經由設於該第一絕緣膜的第二接 觸孔’而電氣性連接各個像素電極及相對應之切換元件 者；及，
覆盖膜，係用以覆蓋該等像素連接配線之上表面者； 忒外部端+包含冑西己置於該端子區i的外面連接部 分’及用以將該外面連接部分電氣性連接至該第一匯流 排線的内部連接部份； 該保護膜係覆蓋該内部連接部分之上表面； 该像素連接配線和該内部連接部分以相同材料形 成，且該像素電極和該外面連接部分以相同材料形成， 又該保護膜和該覆蓋膜以相同材料形成；而該像素連接 配線和該像素電極則以彼此不同的材料形成。 4·一種液晶顯示裝置用基板，包含有： 第一基板’係在主表面内劃定畫像顯示區，並在其 外側之一部分上劃定端子區； 多條第一匯流排線，係配置在該第一基板之主表面 内的該畫像顯示區上； 第一絕緣膜，係配置於該第一基板之主表面上而將 該等第一匯流排線覆蓋者； 外部端子’係對應於各條第一匯流排線而設於該第 一基板之端子區上，並經由第一接觸孔而電氣性連接至 本紙張尺度適用中®國雜準（CNS) A4_k格（21GX29)公 六、申請專利範圍 相對應之第一匯流排線，該第一接觸孔係貫通該第一絕 緣膜而達到該等第一匯流排線上面者； 保濩膜，係由絕緣材料所構成，且在不覆蓋該外部 鳊子上面的至少該第一基板之外周側端部附近之區域 下覆蓋該外部端子的上面之一部分； 多條第二匯流排線，係形成於該晝像顯示區上並與 該等第一匯流排線相交叉； 像素電極’係配置在該晝像顯示區上並與該等第一 匯流排線和第二匯流排線之各交叉處相對應； 切換疋件，係使該等像素電極分別連接於相對應之 第一及第二匯流排線中之一匯流棑線，而可藉施加於另 一匯流排線之信號來控制導通狀態者；該等切換元件係 使用該第一絕緣膜來覆蓋； 像素連接配線，係經由設於該第一絕緣膜的第二接 觸孔，而電氣性連接各個像素電極及相對應之切換元件 者；及， 覆蓋膜’係用以覆蓋該等像素連接配線之上表面 者；且， 該外部端子包含有配置於該端子區上的外面連接部 分，及用以將該外面連接部分電氣性連接至該第一匯流 排線的内部連接部份； 該保護膜係覆蓋該内部連接部分之上表面；又， 该液晶顯示裝置用基板包含有：被配置於該像素電 極上並使用與該像素連接配線相同的材料來形成的下 、申請專利範圍 層，使用和該覆蓋膜相同的材料來形成的上層，及形成 積層構造的土堤狀之突起圖形。 5.如申請專利範圍第3項之液晶顯示裝置用基板，係更包含 有：被配置於該像素電極上並使用與該像素連接配線相 同的材料來形成的下層，使用和該覆蓋膜相同的材料來 形成的上層，及f成積層構造的土堤狀之突起圖形。 6·—種液晶顯示裝置，包含有： 第一基板，係在主表面内劃定畫像顯示區，並在其 外側之一部分上劃定端子區； 多條第一匯流排線，係配置在該第一基板之主表面 内的該畫像顯示區上； 第一絕緣膜，係配置於該第一基板之主表面上而將 該等第一匯流排線覆蓋者； 外邛鳊子，係對應於各條第一匯流排線而設於該第 一基板之端子區上，並經由第一接觸孔而電氣性連接至 相對應之第一匯流排線，該第一接觸孔係貫通該第一絕 緣膜而達到該等第一匯流排線上面者； 保濩膜，係由絕緣材料所構成，且在不覆蓋該外部 端子上面的至少該第一基板之外周側端部附近之區域 下’覆蓋該外部端子的上面之一部分； 第二基板，係面對該第一基板之主表面並與該主表 面隔開一間隔而配置著，且在面對該第一基板的表面上 形成共同電極，又，從該第二基板的垂直方向來觀看該 第二基板時，該第二基板邊緣之一部分係通過該保護膜 1225181 A8 B8 CS
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貫通該第-絕緣膜而達到該等第一匯流排線上面者 保濩膜，係由絕緣材料所構成，且在不 外部端子上面的至少兮兹^ 。 两扪至夕忒第一基板之外周侧端部附近 品或下设盖該外部端子的上面之一部分； 、夕條第一匯流排線，係形成於該畫像顯示區上 並與該等第一匯流排線相交又； 像素電極，係配置在該晝像顯示區上並與該等 第-匯流排線和第二匯流排線之各交叉處相對應· K、 … 切換7L件，係使該等像素電極分別連接於相對 應之第-及第二匯流排線中之_匯流排線，而可藉 施加於另一匯流排線之信號來控制導通狀態者； 第二基板準備步驟，係準備一於表面上形成共同電 極之第二基板； 固著步驟，係將該第一基板和第二基板配置成，該 第一基板形成有共同電極之一面隔著一間隔與第一基板 表面相對向，且以密封材料將第一基板和第二基板 固著，而固著日夺，該密封材料係未覆蓋該保護膜上面之 至少該第一基板外周側的一部份區域；以及 切除步驟，係切除該第二基板之邊緣附近部份，且 使切除後之第二基板的新邊緣，當由第一基板之垂直方 向觀看時，呈現通過該保護膜之内部的狀態，· 並且，該外部端子及該像素電極係以相同材料形成。
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