TWI224816B - Photoresist removing composition and process for producing semiconductor device - Google Patents

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TWI224816B
TWI224816B TW087114321A TW87114321A TWI224816B TW I224816 B TWI224816 B TW I224816B TW 087114321 A TW087114321 A TW 087114321A TW 87114321 A TW87114321 A TW 87114321A TW I224816 B TWI224816 B TW I224816B
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photoresist
removing composition
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sorbitol
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TW087114321A
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Takehito Maruyama
Hisaoki Abe
Tetsuya Karita
Tetsuo Aoyama
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Mitsubishi Gas Chemical Co
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Description

1224816 Λ7 Η 7 五、發明説明（〖） 發明背景 1 .發明領域 本發明乃有關去除’’光阻"（Photoresist，感光膠）之 組成物，尤其是有關於半導體積體電路或液晶顯示器 (LCD)之布線製程中所用之去除光阻組成物。 2 .相關技藝之説明 半導體積體電路之製法包含將光阻劑（感光膠）塗在無 機基板，以光線照射而形成光阻圖案，然後顯像，沒有 被光阻圖案罩蓋之無機基板就被蝕刻而形成細緻的線路 ,然後自無機基板移除光阻劑。殘留在無機基板上的光 阻劑乃利用去除劑直接移除之；或是先灰化使光阻劑中 的有機成分氣化，然後利用移除劑去除仍殘留之光阻劑 殘留物。 欲以光阻去除劑移除之目標包含塗在無機基板上的光 阻層，乾式蝕刻後殘留在基板上的光阻層，灰化後之光 阻劑殘留物。此等光阻層及光阻劑殘留物以後均稱之為 光阻殘留物。 傳統上用於前述製程之移除劑一般是酸性移除劑或鹼 性移除劑。 酸性移除劑之例子有包含芳磺酸，如苯磺酸，甲苯磺 酸或二甲苯磺酸，酚類，以及含氛之有機溶劑的移除劑 (參閲美國專利3,582, 401號）及包含芳烴，如萘，酚類及 芳磺酸之移除劑（日本專利申請公開案：昭62(1987年） - 3 5 3 5 7 號）0 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規梠（210X297公楚） 7;·!衣|丨 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 1224816 Λ7 B7 五、發明説明（> ) 此等酸性移除劑之去除能力低，而且容易腐蝕常做為 線路圖案材料之鋁及銅。因此，此等移除劑並不適用於 近年來尺寸精密要求極駸格之精密製品。此外，因為此 等酸性移除劑在水中的溶解度小，故去除光阻層後之産 物必須以例如醇之有機溶劑洗，接著以水清洗；其缺點 就是製程太複雜。 鹼性移除劑之例子有包含烷醇胺或聚烷撐多胺之環氣 乙烷加合物，磺酸化合物及二醇單烷®之移除劑（日本 專利申請公開案：昭6 2 ( 1 9 8 7 ) - 4 9 3 5 5號）及包含做為主 要成分的二甲基亞5M，二甘醇單烷ffi及含氮之有機羧基 化合物（日本專利申請公開案：昭6 4 ( 1 9 8 9年）-4 2 6 5 3號）。 經多拓·〒.夭t一、.生局員二消費合作社印袈 和酸性移除劑（：b較起來，鹼性移除劑對於光阻層殘餘 物等具較大的去除能力，而且對於線路圖案材料之腐蝕 性較低。但在近來的超細製作技術中，線路圖案材料的 蝕刻條件變成很嚴厲，蝕刻中所用的光阻層容易劣化。 於是傳統的鹼性移除劑之移除能力不足，所造成的困擾 是光阻層殘餘物等仍遣留在無機基板上。此外，圆案之 線幅很細，在移除步驟中必須不可損害到線路圖案。就 此觀點而言，傳統的鹼性移除劑仍是不夠好。此外，傳 統的鹼性移除劑必須在8 G °C或以上使用，在如此的高溫 下，會産生大量的蒸氣及霧氣，會污染工作環境。 為解決前逑困擾，科學家們提出一種移除劑，包含烷 醇胺，烷氯胺或烷氧烷醇胺，二醇單烷_，糖或糖醇， 氫氧化季胺及水（日本專利申請公開案：平8 ( 1 9 9 6 )- 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X297公釐） -¾¾「部士，夭#皇与員二消費合^-;;^髮 1224816 Λ7 B1 五、發明説明（；） 2 6 2 7 4 6號}及另種移除劑，包含烷醇胺，烷氣胺或烷氣 烷醇胺，醯胺，糖或糖醇及水（日本專利申請公開案： 平8(1996)-202051號）。但是，此等移除劑對於光阻層 殘留物等之去除能力仍不足。於是目前急需一種具極佳 的移除能力，而且不會引起無機基板上的線路圖案腐蝕 的移除劑。 此外，為操作方便，所要求的移除條件包含低的移除 溫度及較短的移除時間。 本發明之目的乃提供去除光阻之組成物，其可去除塗 於無機基板上的光阻層，亦即在低溫、短時間内，能容 易地去除乾式蝕刻後殘留的光阻層，及灰化後的光阻層 殘留物，而且在清除時決不會侵蝕到線路圖案，而能超 細地製造高度精密的線路圖案。 本案發明者為解決前述問題，經徹底的研究後發現包 含氫氯化季銨，水溶性胺及烷基吡咯烷酮之去除光阻之 組成物或尚包含防锈蝕劑之去除光阻之組成物能於半導 體積體電路之圖案化製程中在低溫短時間内去除光阻層 殘餘物等，本組成物亦具有極佳的無銹蝕性及操作方便 性，於是完成本發明之目的。 因此，本發明提供去除光阻之組成物，其中包含氫氯 化季銨，水溶性胺及烷基吡咯烷酮；或提供另一種光阻 移除組成物，其中包含氫氣化季銨，水溶性胺，烷基吡 咯烷_及抗綉蝕劑。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X 297公兑） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁
、1T 1224816 Λ7 Β7 五、發明説明（4 ) 圖式簡Μ説明 第1圖乃以光阻層為罩蓋，利用乾式蝕刻所形成具鋁 線路圖案之半導體裝置的截面圖，·及 第2圖乃利用氣電漿（等離子體）進一步使光阻層灰化 所得之半導體裝置的截面圖。 用於本發明之氫氧化季銨包含氫氣化四甲銨，氫氣化 四乙銨，氫氣化四丙銨，氫氧化四丁銨，氫氧化三甲基 乙銨，氫氧化二甲基二乙銨，氫氣化三甲基（2 -羥乙基） 銨及氫氧化三乙基（2 -羥乙基 > 銨。 在此等氫氧化季銨中，特佳為氫氧化四甲銨（以下輅 ΤΜΑΗ)及氳氣化2-羥乙基三甲銨（以下略為”膽鹼”）。 氫氧化季銨的濃度是佔整锢溶液重量的0.1至15% , 較佳為0 . 5至5 %。 用於本發明之水溶性胺例如烷醇胺，多胺，親核胺。 烷醇胺之例子有乙醇胺，Ν-甲基乙醇胺，Ν，Ν-二甲基乙 醇胺，Ν -乙基乙醇胺，Ν，Ν -二乙基乙醇胺，丙醇胺，卜 甲基丙酵胺，Ν，Ν-二甲基丙醇胺，2-(2-胺乙氣 > 乙醇， 2-胺-卜丙醇及卜胺-2-丙醇。 經濟部中央標導局員工消費合作社印¾ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 多胺例如二胺，如乙二胺，三甲撐二胺，四甲撐二乙 胺，五甲撐二胺，六甲撐二胺，七甲撐二胺及八甲撐二 胺；N-烷基取代之二胺；多六胺，如1,2, 3-三胺丙烷， 三（2_胺乙基）胺，四（胺甲基）甲烷；及多烷撐多胺，如 二乙撐三胺，三乙撐四胺，四乙撐五胺，七乙撐八胺， 九乙撐十胺，六甲撐四胺及雙（3-胺乙基 > 胺。 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4规格（210X 297公犮） 1224816 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 Λ7 B7 五、發明説明（i·) 親核胺例如阱，Ν,Ν -二甲阱，羥胺及二乙基羥胺。烷 醇胺，多胺或親核胺之濃度傺佔整値溶液重量的1至90 % ,較佳為5至70%。 用於本發明之烷基吡咯烷酮例如甲基吡咯烷酮，Ν -乙基吡咯烷國，N -丙基吡咯烷國，N -丁基吡咯烷酮及N -辛基吡咯烷酮。在此等N-烷基吡咯烷酮中，特佳者為N-甲基吡咯烷_。 用於本發明之烷基吡咯烷_之濃度偽佔整個溶液重量 的10至90%，較佳為20至70%。 必要時，為保護無機基板以免銹蝕，可在本發明之去 除光阻之組成物中加入抗锈蝕劑。 用於本發明之抗銹蝕劑的例子有糖類，如甘油醛，蘇 糖，阿拉伯糖，木糖，核糖，木酮糖，葡萄糖，甘露糖 ，半乳糖，塔格糖，阿洛糖，阿卓糖，古羅糖，艾杜糖 ,塔羅糖，山梨糖，阿洛謂糖及水果糖；或糖醇，如蘇 糖醇，赤蘚醇，阿東糖醇，阿糖醇，木糖醇，塔羅糖醇 ，山梨糖醇，甘露糖醇，伊地醇。在此等糖及糖醇中， 較佳為《萄糖，半乳糖，山梨糖醇，甘露糖醇及木糖醇。 抗锈蝕劑尚可包含苯鄰二酚，焦兒茶酚，苯鄰甲内醯 胺，鄰羥苯胺，1,2 -羥環己烷，掊酸及掊酸酯。抗綉蝕 劑之濃度為0.1至15%重量，較佳為0.5至10 96重量。 在以本發明之去除光阻之組成物去除光阻層殘餘物等時 ，以普通的溫度或更高的溫度加熱，或必要時，同時施 太紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（21〇X 297公犮） ---?--,----------IT------Awl (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1224816 Λ7 B7 五、發明説明（b ) 以超音波等。採用木發明之去除光阻之組成物的典型操 作方法傺浸漬；亦可利用例如噴灑之其他方法。以本發 明去除光阻之組成物處理無機基板後，可用例如醇之有 機溶劑或用超純的水清洗基板。或採用例如醇之有機溶 劑及超純水之混合溶液進行清洗。 適用於本發明，可用來製造半導體積體電路或液晶顯 示器之無機基板包含半導體線路材料，如無定形矽（a-Si),聚矽氧化矽，氮化矽，鋁，鋁合金，鈦，鈦-鎢， 氮化鈦，鎢，鉅，氧化钽，钽合金，鉻，氣化鉻，鉻合 金，ITO(氣化銦-錫）；單晶矽；複合的半導體，如鎵-砷，鎵-磷，絪-磷；及液晶顯示器用的玻璃。 在無機基板中，矽，無定形矽，聚矽，鋁，鋁合金， 鈦尤其是會被傳統的鹼性移除劑所銹蝕。另方面，本發 明之去除光阻之組成物絶對不會侵蝕此等無機基板，故 頗合用。 光阻層塗於無機基板，經乾式蝕刻後殘留的光阻層及 經灰化後之光阻殘餘物可在低溫及短時間内利用本發明 之去除光阻之組成物容易地去除，而不會銹蝕線路圖案 材料，故能超細地製得高精密的線路圖案。 經濟部士 ：夭fd馬舅工消費合作钍印裝 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 玆以非限制本發明範圍的實施例及對照例説明本申請 專利之發明。 第1圖顯示利用光阻層4做罩蓋，經乾式蝕刻而形成 之鋁圖案3所得之半導體裝置。在第1圖中，半導體基 板1是塗以氧化物薄膜2,並且經乾式蝕刻後，可得側 壁保護沈積層5。 _ 8 - 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 1224816 Λ Β /\明説明發 Λ五 2 1 卒 1 例 液 溶 之 成 組 示 所 11 表 入 浸 置 裝 導 半 的 示 所 圖 11 第 使 下 如 準 標 除 估 移 留評 除全留殘之蝕有蝕 時”1 層?;移完殘份形銹没銹 之鏡積 P 全乎份部情無乎份 定徹沈Μ4完幾部大蝕毫幾部 預顯護SE........ 經子保以 ® 〇 △ X 中電壁 瞄 掃 側 及 〇 4 形 以層情 並阻蝕 ，光銹 燥出之 乾列 3 ， 1 路 洗表線 清。鋁 水面及 純表以 超其性 以察除 ，觀移 後 Μ 之 間 S 5 下 如 隹f >v<- 標 估 評 性 除 移 之 銹 蝕 準 標 估 評 此 用 亦 例 照 對 及 蝕例 銹施 重實 嚴的 : 後 X 其 ---Γ：---电-I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、11 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公飨） 1224816 Λ7 B7 五、發明説明（^ ) 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 表 氫氧化季銨 水溶性胺 烷基吡咯烷圈 抗綉蝕劑 類型 用量(％ 重量） 類型 用量(％ 重量） 類型 用量(％ 重量） 類型 用量(％ 重量） 例1 ΤΜΑΗ 3 單乙醇胺 35 ΝΜΡ 60 例2 ΤΜΑΗ 2 單乙醇胺 45 ΝΜΡ 50 例3 ΤΜΑΗ 2 單乙醇胺 30 ΝΜΡ 55 山梨糖醇 5 例4 choline 2 單乙醇胺 30 ΝΜΡ 55 山梨糖醇 5 例5 ΤΜΑΗ 3 三乙撐三胺 20 ΝΜΡ 65 山梨糖醇 5 例6 ΤΜΑΗ 2 羥胺 10 ΝΜΡ 70 山梨糖醇 5 例7 ΤΜΑΗ 5 單乙醇胺 15 ΝΜΡ 60 山梨糖醇 10 例8 ΤΜΑΗ 1 單乙醇胺 30 ΝΜΡ 50 山梨糖醇 5 例9 ΤΜΑΗ 0.5 單乙醇胺 35 ΝΜΡ 45 山梨糖醇 10 例10 ΤΜΑΗ 1 三乙撐三胺 35 ΝΜΡ 50 山梨糖醇 5 例1】 ΤΜΑΗ 1 三乙撐三胺 35 ΝΜΡ 50 苯鄰二酚 1 例12 ΤΜΑΗ 2 單乙醇胺 30 ΝΜΡ 55 木糖醇 5 註：T M A Η :氫氣化四甲銨 膽鹼（choline): 2 -羥乙基三甲銨 Ν Μ P : N -甲基吡咯烷酮 -1 0 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 4 、1Τ • __ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） 1224816 Λ7 H7 五、發明説明（9 表1 -2 水 處理條件 移除性 锈蝕情形 用量（％ 重量） 溫度 (°C ) 時間 (分鐘） 光阻 層4 側壁保護 沈積層5 鋁線路3 例I 2 40 5 © @ 例2 3 4 0 5 © 例3 8 40 5 © @ © 例4 8 40 5 % © © 例5 7 40 5 @ @ © 例6 13 40 5 © ® © 例7 10 40 2 © Θ © 例8 14 40 5 © @ © 例9 9 . 5 4 0 2 © © © 例10 9 50 2 © © 例II 13 40 5 © © 例12 8 4 0 5 © © (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T 噼· 卒 1Χ 例 照 對 液 溶 之 成 組 的 示 所 2 表 入 浸 置 裝 體 導 半 的 示 所 例 使 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 以層 並積 ，沈 燥護 乾保 ，壁 洗側 清及 水4 純層。 超阻形 以光情 ，出蝕 後列綉 間亦之 時 2 3 的表線 定。鋁 預面及 經表性 中其除 察 觀 移 之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210Χ 297公漦） 1224816 Λ7 B7 五、發明説明（、。） 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 表2-1 氫氧化季銨 水溶性胺 有機溶劑 抗銹蝕劑 類型 用量(％ 類型 用量(％ 類型 用量《 類型 用量(％ 重量） 重量） 重量） 重量） 對照例1 ΤΜΑΗ 2 單乙醇胺 30 對照例2 ΪΜΑΗ 2 ΝΜΡ 55 對照例3 單乙醇胺 30 ΝΜΡ 55 對照例4 ΤΜΑΗ 2 單乙醇胺 30 DEGMME 55 對照例5 ΤΜΑΗ 2 單乙醇胺 30 山梨糖醇 5 對照例6 ΤΜΑΗ 2 ΝΜΡ 55 山梨糖醇 5 對照例7 單乙醇胺 30 ΝΜΡ 55 山梨糖醇 5 對照例8 ΤΜΑΗ 2 單乙醇胺 30 DEGMME 55 山梨糖醇 5 註：T M A Η :氫氣化四甲銨 DEGMME:二甘醇單甲醚 Ν Μ P : Ν -甲基吡咯烷酮 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁 -
、1T 1224816 五、發明説明（u ) 表2-2 水 處理條件 移除性 锈蝕情形 用量（％ 溫度 時間 光阻 側壁保護 鋁線路3 重量） (°C ) (分鐘） 層4 沈積層5 對照例1 68 40 5 △ △ X 對照例2 43 40 5 X X △ 對照例3 15 40 5 △ △ X 對照例4 13 40 5 〇 〇 △ 對照例5 63 40 5 △ △ 〇 對照例6 38 40 5 X X 〇 對照例7 10 40 2 △ △ △ 對照例8 8 40 5 〇 〇 〇 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 例1 3至24 經濟部中央標立局員工消費合作社印製 第2圖乃利用氣電漿灰化去除光阻層4所形成之第1 圖的半導體裝置的剖面圖。在第2圖中，侧壁保護沈積 層5並不會被氣電漿灰化所去除，只是側壁保護沈積層 5之頂部變形，而伸出鋁線3之中央。 使第2圖所示之半導體裝置浸入表3所示的組成之 溶液中經預定之時間後，以超純水清洗，乾燥，並以SEM 觀察其表面。表3亦列出之光阻層4及侧壁保護沈積層 5之移除性，以及鋁線3的锈蝕情形。 -1 3 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X 297公餘） 1224816 Λ7 B7 五、發明説明（…） 表3-1 氫氧化季銨 水溶性胺 烷基吡咯烷酮 抗锈蝕劑 類型 用量(％ 重量） 類型 用量(％ 重量） 類型 用量(％ 重量） 類型 用量(％ 重量） 例13 ΤΜΑΗ 3 單乙醇胺 35 ΝΜΡ 60 例14 ΤΜΑΗ 2 單乙醇胺 45 ΝΜΡ 50 例15 ΤΜΑΗ 2 單乙醇胺 30 ΝΜΡ 55 山梨糖醇 5 例16 choline 2 單乙醇胺 30 ΝΜΡ 55 山梨糖醇 5 例Π ΤΜΑΗ 3 二乙撐三胺 20 ΝΜΡ 65 山梨糖醇 5 例18 ΤΜΑΗ 2 羥胺 10 ΝΜΡ 70 山梨糖醇 5 例19 ΤΜΑΗ 5 單乙醇胺 15 ΝΜΡ 60 山梨糖醇 10 例20 ΤΜΑΗ 1 單乙醇胺 30 ΝΜΡ 50 山梨糖醇 5 例21 ΤΜΑΗ 0.5 單乙醇胺 35 ΝΜΡ 45 山梨糖醇 10 例22 ΤΜΑΗ 1 二乙,撐三胺 35 ΝΜΡ 50 山梨糖醇 5 例23 ΤΜΑΗ 1 二乙撐三胺 35 ΝΜΡ 50 苯鄰二酚 1 例24 ΤΜΑΗ 2 單乙醇胺 30 ΝΜΡ 55 木糖醇 5 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁 _«衣· 訂 經濟部中央標嗥局員工消費合作社印製 TMAH :氫氧化四甲銨 choline: 2-羥乙基三甲銨（膽鹼） Ν Μ P N -甲基吡咯烷_ -14-本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210Χ 297公釐） 1224816 Λ7 B? 五、發明説明（^ ) 表3 - 2 水 處理條件 移除性 銹蝕情形 用量（％ 重量） 溫度 (°C ) 時間 (分鐘） 側壁保護 沈積層5 鋁線路3 例1 2 40 5 ® ® 例2 3 4 0 5 @ 例3 8 4 0 5 @ 例4 8 40 5 ® 例5 η 4 0 5 @ 例6 13 40 5 @ 例7 1 Π 4 0 2 © 例8 14 4 0 5 @ 例9 9 . 5 4 0 2 @ 例10 9 50 2 ® 例1 1 13 4 0 5 例12 8 4 0 5 © (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1Τ 經濟部中央標進局員工消費合作社印製 對照例9牵1 6 使第2圖所示灰化後之半導體裝置浸入表4所示組成 之溶液中歷預定時間後，以超純水清洗，乾燥，以S E Μ 觀察其表面。表4亦列出光阻層4及側壁保護沈積層5 之移除性，以及铝線3之誘蝕情形。 -1 5 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210Χ 297公釐） 1224816 Λ7 B? 五、發明説明（4 ) 經多部·.〒央標進局員工消費合作社印製 表4-1 氫氧化季銨 水溶性胺 有機溶劑 抗綉蝕劑 類型 用量(％ 類型 用量(％ 類型 用量(％ 類型 用量(¾ 重量） 重量） 重量） 重量） 對照例9 TMAH 2 單乙醇胺 30 對照例10 TMAH 2 NMP 55 對照例11 單乙醇胺 30 NMP 55 對照例12 TMAH 2 單乙醇胺 30 DEGMME 55 對照例13 TMAH 2 單乙醇胺 30 山梨糖醇 5 對照例14 TMAH 2 NMP 55 山梨糖醇 5 對照例15 單乙醇胺 30 NMP 55 山梨糖醇 5 對照例16 TMAH 2 單乙醇胺 30 DEGMME 55 山梨糖醇 5 註：T M A Η :氫氧化四甲銨DEGMME :二甘醇單甲醚 Ν Μ P : R -甲基吡咯烷酮 -1 6- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X297公漦） —— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) --Γ--i . 丁 、-口 ·#1 1224816 Λ7 B7 經濟部中央嘌注与員工消費合作社印製 五、發明説明（< ) 表4-2 水 處理條件 移除性 锈蝕情形 用量U 溫度 時間 側壁保護 鋁線路3 重量） (°c ) (分鐘） 沈積層5 對照例9 68 40 5 〇 X 對照例1 0 43 40 5 X X 對照例1 1 15 4 0 5 △ △ 對照例1 2 13 40 5 〇 △ 對照例1 3 63 40 5 A 〇 對照例1 4 38 40 5 X 〇 對照例1 5 10 40 5 △ A 對照例1 6 8 40 5 〇 〇 m 25^ 3 6 使在矽晶片所形成之無定形矽浸入表5所示組成之溶 液中歴預定時間後，以超純水清洗並乾燥，表5中亦列出 不定形矽之锈蝕情形。 -1 7 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X 297公釐） 11- II........ n n n __ ___丁______ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1224816 Λ7 η1 五、發明説明（士） 表5-1 氫氧化季銨 水溶性胺 烷基吡咯烷酬 抗锈蝕劑 類型 用量(％ 重量） 類型 用量(％ 重量） 類型 用量《 重量） 類型 用量(％ 重量） 例25 TMAH 3 單乙醇胺 35 NMP 60 例26 TMAH 2 單乙醇胺 45 NMP 50 例27 TMAH 2 單乙醇胺 30 NMP 55 山梨糖醇 5 例28 choline 2 單乙醇胺 30 NMP 55 山梨糖醇 5 例29 TMAH 3 二乙_携三胺 20 NMP 65 山梨糖醇 5 例30 TMAH 2 羥胺 10 NMP 70 山梨糖醇 5 例31 TMAH 5 單乙醇胺 15 NMP 60 山梨糖醇 10 例32 TMAH 1 單乙醇胺 30 NMP 50 山梨糖醇 5 例33 TMAH 0.5 單乙醇胺 35 NMP 45 山梨糖醇 10 例34 TMAH 1 二乙,撐三胺 35 NMP 50 山梨糖醇 5 例35 TMAH 1 二乙撐三胺 35 NMP 50 苯鄰二酚 1 例36 TMAH 2 單乙醇胺 30 NMF 55 木糖醇 5 ---------______丁______ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經1e.\a中央，-yi局員二./(/rfr合作，杜印裝 註：T M A Η :氫氧化四甲銨 c h ο 1 i n e (膽鹼）：2 -羥乙基三甲鞍 Ν Μ P : N -甲基吡咯烷酮 -1 8 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 1224816 Λ? Η 7 五、發明説明（^ ) 表5 - 2 水 處理條件 銹蝕情形 用量（％ 重量） 溫度 (°C ) 時間 (分鐘） 無定形矽 例25 1 4 0 5 例26 3 4 0 5 @ 例27 8 4 0 5 © 例28 8 40 5 @ 例29 7 4 0 5 © 例30 13 4 0 5 © 例3 1 10 4 0 2 © 例32 14 4 0 5 © 例3 3 9.5 4 0 2 © 例34 9 5 0 2 例35 1 3 4 0 δ 例36 8 4 0 5 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁
、1T 鬱丨 $;f一；中央標达局員工消費合作杜印製 對照例1 7牵2 4 使在矽晶片上所形成之無定形矽浸入表6所示組成之 溶液中歴預定時間後，以超純水清洗，並乾燥。表6中 亦列出無定形矽之綉蝕情形。 -19- 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公犛） 1224816 Λ7 B7 五、發明説明（-?) 經濟部中央標準局員工消f合作社印製 表6-1 氫氧化季銨 水溶性胺 有機溶劑 抗誘蝕劑 類型 用量(％ 類型 用量(％ 類型 用量(％ 類型 用量(％ 重量） 重量） 重量） 重量） 對照例17 TMAH 2 單乙醇胺 30 對照例18 TMAH 2 NMP 55 對照例19 單乙醇胺 30 NMP 55 對照例20 TMAH 2 單乙醇胺 30 DEGMME 55 對照例 TMAH 2 單乙醇胺 30 山梨糖醇 5 對照例22 TMAH 2 NMP 55 山梨糖醇 5 對照例23 單乙醇胺 30 NMP 55 山梨糖醇 5 對照例24 TMAH 2 單乙醇胺 30 DEGMME 55 山梨糖醇 5 註：T M A Η :氫氧化四甲銨 D E G Μ Μ Ε :二甘醇單甲醚 ΝΜΡ: Ν -甲基吡咯烷酮 -2 0 - 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29?公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、\d 1224816 Λ7 η1 五、發明説明（π ) 經;^，^0央^沒^員二消費合作社印η
表6 - 2 水 處理條件 銹蝕情形 用量U 重量） 溫度 (°c ) 時間 (分鐘） 無定形矽 對照例1 7 6 8 4 0 5 X 對照例1 8 4 3 4 0 5 X 對照例1 9 15 4 0 5 △ 對照例2 0 13 4 0 5 X 對照例2 1 6 3 4 0 5 X 對照例2 2 3 8 4 0 5 A 對照例2 3 10 4 0 2 △ 對照例2 4 8 4 0 5 X -21- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210Χ 297公赴） ---------------丁-------_ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1224816 Λ7 ΒΊ 五、發明説明（/ ) 參考符號說明 1 .....基板 2 .....氧化物薄膜 3 .....銘圖案 4 .....光阻層 5 .....沈積層 ---------------丁------- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 -2 2 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公蝥）

Claims (1)

1224816 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1. 一種去除光阻之組成物，包含氫氧化季銨，水溶性胺 及烷基吡咯烷酮。 2 . —種去除光阻之組成物，包含氫氧化季銨，水溶性胺 及烷基吡咯烷酮及抗綉蝕劑。 3 .如申請專利範圍第1或第2項之去除光阻之組成物， 其中氫氧化季銨偽氫氧化四甲銨或2 -羥乙基三甲銨。 4 .如申請專利範圍第1項之去除光阻之組成物，其中水 溶性胺選自烷醇胺，多胺及親核胺。 5 .如申請專利範圍第1或第2項之去除光阻之組成物， 其中烷基吡咯烷酮傺N -甲基吡咯烷醒！。 6 .如申請專利範圍第2項之去除光阻之組成物，其中抗 §秀蝕劑選自山梨糖醇，苯鄰二酚及木糖醇。 7. —種製造半導體裝置之711/，包含利用申請專利範圍 第1或第2項之去除光阻之組成物去除在基板上之光 阻層，乾式蝕刻後殘餘之光阻層或灰化後之光阻殘餘 物。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印裂 -23- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）
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