TWI223255B - An optical recording medium and a recording system - Google Patents

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TWI223255B
TWI223255B TW091122061A TW91122061A TWI223255B TW I223255 B TWI223255 B TW I223255B TW 091122061 A TW091122061 A TW 091122061A TW 91122061 A TW91122061 A TW 91122061A TW I223255 B TWI223255 B TW I223255B
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TW
Taiwan
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recording
layer
recording medium
optical recording
optical
Prior art date
Application number
TW091122061A
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English (en)
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Hiroyasu Inoue
Hideki Hirata
Original Assignee
Tdk Corp
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1223255 Α7 Β7 經濟部智慈財產局g(工消費合作社印製 五、發明説明（1 ) [發明的技術領域] 本發明是關於光記錄媒體，更具體而言，是和功率範 圍較廣之光記錄媒體及其記錄系統相關。 [習知技術] 傳統之 CD(Compact Disc)及 DVD(Digital Versatile Disc) 等之光記錄媒體（碟片），在製造完成之狀態（初期狀態）時， 各種特性（電性特性及機械特性）會處於特定規格內，尤其是 基本特性方面，要求其再生抖動値爲一定値以下。 此再生抖動値之變動要因之一，就是記錄時之雷射光 記錄功率Pw、及照射以記錄爲目的之雷射光前之以消除記 錄爲目的而照射之消除功率Pe的比。 通常，提出Pe/Pw之比率時，亦即代表pe增大時，消 除記錄時之雷射光的熱會產生記錄時之自抹除，而導致再 生抖動値之惡化。 所以，雷射光之消除功率Pe應儘可能較小，該消除功 率Pe雖然會因爲半導體雷射之製造時的誤差及控制系之變 'V 動而朝增大方向變動，仍然必須採用不會使再生抖動値惡 化之記錄策略。 進一步詳細說明，若使用前述記錄方式，讀取資料時 再生用雷射束會沿著光記錄媒體之軌道照射，並以檢測該 反射光之方式，讀取記錄標不所具有之資訊。又，資料寫 入時，記錄用雷射束會沿著光記錄媒體之軌道照射，形成 特定長度之記錄標示。例如，使用者可以執行資料置換之 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格—(2]ΟΧ29ϋΤ~ 一-一~ -- • 4 - i ! ·1 ...... I ........ !! I— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 丨參 * ml ml ml nn I 丨1 1223255 I 5 p7 五、發明説明（2 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 光記錄媒體之一的DVD-RW時，會使用對應3T〜11T及 14T(T爲1時脈週期）之長度的記錄標示，並利用它來執行 資料記錄。 此時，對光記錄媒體執行資料記錄時，一般而言，不 會以具有和對應必須形成之記錄標示的長度之時間相同的 脈衝寬度之雷射束來照射光記錄媒體，而會以依必須形成 之記錄標示的長度爲基礎而決定之數量的脈波連列所構成 之雷射束照射光記錄媒體，並利用它來形成具有特定長度 之記錄標示。例如，對前述DVD-RW執行資料記錄時，會 連續照射η-1或n-2(n爲記錄標示之種類，爲3〜11及14 之任一數値）之數的脈衝，利用它來形成具有對應3T〜11T 及14T之長度的任一種記錄標示。所以，n-2時，形成具有 對應3T之長度的記錄標示上，應使用1個脈衝，而形成具 有對應1 1 T之長度的記錄標示上，應使用9個脈衝。又，η-1時，形成具有對應3Τ之長度的記錄標示上，應使用2個 脈衝，而形成具有對應1 1 Τ之長度的記錄標示上，應使用 1 0個脈衝。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 此時，對已經記錄著資料之光記錄媒體重寫和記錄之 資料不同的資料時，一般而言，會在對應現在已記錄著資 料之記錄標示列上，直接重寫（d i r e c t ο ν e r w 1· i t e)對應必須重 為/<£資料的記錄標示列。 然而，在記錄於光記錄媒體上已經經過長期間之資料 上直接重寫新資料時，有時無法充份消除舊記錄資料。尤 其是，記錄資料後，若光記錄媒體曝露於高溫、高濕環境 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -5- 1223255 A7 -- B7____ 五、發明説明（3 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 下時，舊記錄資料更不容易消除。因此，若在記錄於光記 錄媒體後經過長時間之資料上直接重寫新資料，重寫之新 資料的抖動會惡化，有時會有無法正確再生資料的問題。 此種問題在資料傳送率設定於較高（例如，3 5 M b p s以上）時 會更爲明顯。 爲了充份消除此種舊資料，提高消除功率是有效的方 法。然而，爲了形成具有良好形狀之記錄標示，則必須對 其對象之各光記錄媒體設定適當之記錄用雷射束之記錄功 率及消除功率的比（Pe/Pw)，記錄功率及消除功率之比若偏 離適當範圍時，.則無法形成具有適當形狀之記錄標示，抖 動易會大幅惡化。記錄功率及消除功率比的適當範圍，一 般稱之爲「功率範圍」，爲了執行安定之記錄，最好具有 較廣之功率範圍。所以，即使爲充份消除舊記錄資料而提 高記錄功率及消除功率比時，仍有可獲得良好抖動之光記 錄媒體。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 另一方面，近年來，強烈要求光記錄媒體具有更高之 資料傳送率。然而，爲了提高資料傳送率，必須實施記錄 用雷射之高速驅動，結果，使記錄功率及消除功率比 (Pe/Pw)降低，而導致脈衝無法確實追蹤。因爲前述理由， 以高資料傳送率執行記錄時，記錄功率及消除功率之比 (Pe/Pw)必須設定爲較大，而且，希望在有在此種情形下亦 能獲得良好抖動之光記錄媒體。 然而，如前面所述之記錄策略，半導體雷射之控制十 分複雜，尤其是高速度記錄時，驅動半導體雷射之記錄脈 本紙張尺度適用中國國家標準（ CNS ) A4規格（210X 297公釐） _ 一 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1223255 A7 ______B7___ 五、發明説明（4 ) 衝的脈衝寬度極爲狹窄時，Pe/Pw若較小，則有實際雷射光 波形無法充份追蹤記錄脈衝的問題。 其次，被採用於DVD-RW等之一般記錄策略上，有記 錄功率、消除功率、及基層功率之3數値的功率電平，而 有記錄策略十分複雜的問題。 有鑑於前述傳統問題，本發明之目的即在提供一種可 抑制自抹除、可改善再生抖動値，且同時可實質同畤採用2 種功率電平之記錄策略之光記錄媒體的記錄系統。 又，本發明之目的，就是提供功率範圍較廣之光記錄 媒體。 又，本發明之其他目的，就是提供一種光記錄媒體， 即使使用記錄功率及消除功率比較大之記錄用雷射束來形 成記錄標示時，亦可獲得良好抖動。 [發明之槪述] 亦即，利用下面所述發明實現前述目的。 本發明之目的可利用具有下述特徵之光記錄媒體來達 成。 (1)至少具有記錄層，並利用以記錄用雷射束在前述 記錄層上形成記錄標示實施資訊記錄之光記錄媒體，前述 記錄用雷射束之記錄功率爲Pw、消除功率爲pe時，將
Pe/Pw比設定爲1·〇,使形成之記錄標示的抖動爲丨3%以下 〇 依據本發明，因爲記錄功率及消除功率比的範圍較廣 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Μ規格（210X 297公H —η~ -— 辦衣丨· 、訂 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A223255
五、發明説明（5 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ’在舊資料上直接重寫新資料時，即使爲了充份消除舊資 科而提高記錄功率及消除功率之比，亦可將抖動抑制於較 低之水準，實現安定之資料記錄。 (2)具有下述特徵之光記錄媒體，利用將pe/pw比設定 爲丨.〇，使形成之記錄標示的抖動爲11%以下。 依據（2)之發明，因爲記錄功率及消除功率比的範圍較 廣，即使提高記錄功率及消除功率之比，亦可將抖動抑制 於較低之水準，實現更安定之資料記錄。 (3 )具有下述特徵之光記錄媒體，利用將p e / p〜比設定 爲〇·7，使形成之記錄標示的抖動爲10%以下。 依據（3)之發明，因爲記錄功率及消除功率比的範圍會 更廣，即使提高記錄功率及消除功率之比，亦可將抖動抑 制於更低之水準，實現更安定之資料記錄。 (4) 具有下述特徵之光記錄媒體，利用將Pe/Pw比設定 爲〇 · 7，使形成之記錄標示的抖動爲9 %以下。 依據（4)之發明，因爲記錄功率及消除功率比的範圍會 極廣，即使提高記錄功率及消除功率之比，亦可將抖動抑 制於極低之水準，實現極安定之資料記錄。 (5) 具有下述特徵之光記錄媒體，更具有設於前述記 錄用雷射束之入射面側的光透過層、以及設於前述記錄層 及前述光透過層間之介電質層及散熱層。 (6) 具有下述特徵之光記錄媒體，前述散熱層之厚度 爲 10〜200nm。 依據（6)之發明，製造步驟中之通量不會過度降低，而 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ：^ ^ ^訂 i------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -8- 1223255 A7 _ _ B7 五、發明説明（6 ) 可安定地獲得較廣功率範圍^ (7) 具有下述特徵之光記錄媒體，前述散熱層之厚度 爲 30〜lOOnm。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 依據（7)之發明，製造步驟中之通量不會過度降低，而 可更安定地獲得較廣功率範圍。 (8) 具有下述特徵之光記錄媒體的記錄系統，具有至 少在支持基體上形成之記錄層上覆蓋著光透過層之光記錄 媒體、以及從前述光透過層側對此光記錄媒體入射記錄功 率Pw及消除功率Pe之雷射光來對前述記錄層執行資訊之 記錄、再生、及消除的照射光學系，前述照射光學系會通 過物鏡之數値孔徑爲0.7以上之透鏡系使波長450nm以下 之雷射光入射至前述記錄層，前述光記錄媒體在前述雷射 光之前述記錄功率Pw及消除功率Pe之關係爲0.7SPe/Pw ^ 1.0時，可對前述記錄層實施資訊之記錄及消除。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (9) 具有下述特徵之（8)之光記錄媒體的記錄系統，前 述照射光學系會通過物鏡之數値孔徑爲0.7以上之透鏡系使 波長450nm以下之雷射光入射至前述記錄層實施資訊之記 錄及消除，前述光記錄媒體之前述已記錄資訊之再生抖動 値爲10%以下。 此處之抖動爲時脈抖動，以時距分析儀測量再生信號 來求取「信號之波動（σ )」，是使用檢測窗寬度Tw以 /Tw(%)計算所得之値。 (10) 具有下述特徵之（8)或（9)之光記錄媒體的記錄系統 ，前述照射光學系之前述雷射光波長爲3 80mm以上。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210Χ 297公釐） _ g · 1223255 A7 B7 五、發明説明（7 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) (11) 具有下述特徵之（8)或（9)之光記錄媒體的記錄系統 ，前述照射光學系之前述雷射光波長爲405mm，且前述透 鏡系之物鏡的數値孔徑爲0.85。 (12) 具有下述特徵之（8)至（11)之其中任一項之光記錄 媒體的記錄系統，前述記錄層之前述光透過層側設有散熱 層。 (13) 具有下述特徵之（12)之光記錄媒體的記錄系統， 前述散熱層之膜厚爲10nm以上、200nm以下，最好爲30nm 以上、lOOnm以下。 [圖式之簡單說明] 圖1爲本發明實施形態之記錄系統的方塊圖。 圖2爲使用於前述記錄系統之光記錄媒體層構成的模 式槪略剖面圖。 圖3爲光記錄媒體1 0之製造方法的流程圖。 圖4爲前述實施形態例之記錄系統中，記錄於光記錄 媒體時之脈衝策略及雷射光發光波形之關係線圖。 經濟部智慧財產局.員Η消費合作社印製 圖5爲未設置本發明散熱層之光記錄媒體時的脈衝策 略''及雷射光發光波形之關係線圖。 圖6爲形成對應2T之長度的記錄標示時之記錄策略實 例圖。 圖7爲本發明實施例1及比較例1之雷射光之消除功 率Pe對記錄功率Pw比Pe/Pw、及再生抖動値的關係線圖。 圖8爲本發明實施例2中改變雷射光記錄功率Pw時之 本紙張尺度適用中國國家標準( CNS ) A4規格（210X 297公餐) ~ 1223255 五、發明説明（8 )
Pe/Pw、及再生抖動値的關係線圖。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖9爲本發明實施例3及比較例2之雷射光之消除功 率Pe對記錄功率Pw比Pe/Pw '及再生抖動値的關係線圖。 圖1 0爲本發明實施例4中改變雷射光記錄功率Pw時 之Pe/Pw、及再生抖動値的關係線圖。 圖11爲本發明實施例5之雷射光之消除功率Pe對記 錄功率Pw比Pe/Pw、及再生抖動値的關係線圖。 主要元件對照表 1 記錄系統 2 轉軸馬達 3 光學讀寫頭 4 控制器 5 雷射驅動電路 6 透鏡驅動電路 7 焦點伺服追蹤電路 8 循跡伺服追蹤電路 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 9 雷射控制電路 10、10-1、10-2 光記錄媒體 11 基板 12 支持基體 16 反射膜 — 18 第2介電質層 20 記錄層 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） -11 - 1223255 A7 -—__ 67 _ 五、發明説明（9 ) 22 第1介電質層 24 散熱層 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 26 光透過層 28 孔 3〇 光記錄再生裝置、光記錄裝置 36 雷射 ^ B月之良好實施形態] 以下，參照附錄圖面實施本發明良好實施形態之詳細 說明。 圖1所示本實施形態例之記錄系統1所使用的光記錄 M IS 1 〇，如圖2之放大模式圖所示，是在由聚碳酸脂形成 之支持基體1 2上（圖2之下側），至少依序形成反射膜1 6、 第2介電質層18、記錄層20 '第1介電質層22、光透過層 26，必要時，在第1介電質層22及光透過層26之間設置 散熱層24。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 此處，前述支持基體1 2是以聚碳酸脂之射出成型來形 成，其厚度約Ι.Ιιώιπ。其上依序形成前述反射膜16、第2 介電質層1 8、記錄層20、第1介電質層22、及（必要時）散 熱層24，前述光透過層26是以丙烯酸系樹脂旋轉塗布而成 ，其厚度則爲1 00 // m左右。光記錄媒體丨〇之中央部份設 有孔28。具有此種構造之光記錄媒體1〇中，會從光透過層 2 6側照射記錄用雷射束來執行資料記錄，並會從光透過層 26側照射再生用雷射束來執行資料再生。 本紙張尺度適用中Ϊ國家標準（CNS ) A4規格（21〇T^^v董） ---- 1223255 A7 __B7 五、發明説明（1〇) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 所以，和傳統之CD及DVD等中相當於此光記錄媒體 10之光透過層26位置的樹脂層…亦即反射膜上之保護層的 厚度（約5〜10// m)比較，前述光透過層26之形成厚度相當 厚。 雖然並無特別限制，支持基體1 2上由前面所述之聚碳 酸脂構成之前述反射膜1 6，只要滿足要求之反射率即可， 因未限定故可使用各種金屬材料等，此處則採用以Ag爲主 要成分之合金所構成。第1及第2介電質層22、18亦可使 用各種材料，此處之第2介電質膜1 8則由A12 ◦ 3所構成， 第1介電質層22由ZnS-Si〇2所構成。又，記錄層20爲相 變化型之記錄層組成的AglnSbTeGe系。前述光透過層26 則由紫外線硬化性樹脂所構成。 散熱層24是以實施記錄層20所承受之熱量的有效散 熱爲目的之層，具有擴大光記錄媒體1〇之功率範圍的機能 。所以，要求散熱層24之熱傳導係數至少要高於第1介電 質層22之熱傳導係數。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 又，雖然並未特別限定，但支持基體1 2之厚度約爲 反射膜16之厚度約爲10〜3〇〇nm、第2介電質層 18之厚度約爲2〜50nm、記錄層20之厚度約爲5〜30nm、 第1介電質層22之厚度約爲1〇〜3 0〇nm、光透過層26之厚 度約爲10〜300// m、最好爲50〜150// in。 此時，散熱層24若爲1 Onm以下，則會有膜厚控制困 難的問題，膜厚只要有少許不同，功率範圍就會產生很大 的變動。又，若爲30nm以上時，可明顯獲得功率範圍之擴 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） - 13- 1223255
五、發明説明（11 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 大效果。另一方面，散熱層24之膜厚太厚時，成膜時間會 變長，不但會降低通量，基板丨丨亦可能產生熱損傷。若考 慮此點，應將散熱層24之厚度設定爲10〜 200nm，最好設 定爲30〜lOOnm。 光錄媒體1〇之記錄層20(AgInSbTeGe)爲相變化膜， 利用晶體狀態時之反射率及非晶狀態時之反射率的不同， 實施資料之記錄。具體而言，未記錄區域之記錄層20的狀 態爲晶體狀態，所以，其反射率爲例如20%。將某資料記 錄於此種未記錄區域時，依據必須記錄之資料，將記錄層 20之特定部份加熱至超過融點的溫度後，利用急冷使其變 化成非晶狀態。非晶狀態之部份的反射率爲如7%，利用此 方式，成爲記錄特定資料之狀態。其次，重寫已記錄之資 料時，會依據必須記錄於必須重寫記錄著資料之部份的記 錄層20上之資料，加熱至晶化溫度以上或融點以上之溫度 ，使其成爲晶體狀態或非晶狀態。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 此時，熔融記錄層20時照射之記錄用雷射束的功率 Pw(記錄功率）、冷卻記錄層20時照射之記錄用雷射束的功 率Pb(基層功率）、及使記錄層20晶化時照射之記錄用雷射 束的功率Pe(消除功率）的關係爲pwg pe>Pb。 雖然並無特別限制，本實施形態之光記錄媒體1 〇最好 儲存著「記錄條件設定資訊」。記錄條件設定資訊爲對光 記錄媒體10執行資料之記錄/再生時的各種必要條件，例如 ,以限定記錄用雷射束之功率及記錄策略等爲目的之資訊 。記錄條件設定資訊不但包括具體明示之資料記錄/再生的 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 1223255 A7 ______B7_____ 五、發明説明（12 ) 各必要條件，亦包括以指定預先儲存於資訊記錄裝置內之 各種條件來限定記錄條件/再生條件者。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 又，「記錄策略」是指以形成記錄標示爲目的之記錄 用雷射束的照射方法，亦即，記錄用雷射束之脈衝數、各 脈衝之脈衝寬度、脈衝間隔、記錄用雷射束之功率（Pw、Pe 、Pb)等之設定，會依據光記錄媒體ι〇含有之記錄條件設定 資訊來決定。 所以，將資料記錄於光記錄媒體1 0時，必須將記錄用 雷射柬之記錄功率Pw及消除功率pe之比（Pe/Pw)設定於適 當範圍內，記錄功率Pw及消除功率Pe之比（Pe/Pw)偏離適 當範圍時，無法形成具有適當形狀之記錄標示，抖動也會 大幅惡化。此處，將記錄功率Pw及消除功率 Pe之比 (Pe/Pw)爲1.0時之抖動定義爲Jhterd.O)，本實施形態之光 記錄媒體 10 滿足 Jitter(l.〇)<13%......(1) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 之條件。所以，本實施形態之光記錄媒體1 0中，在舊 資料上直接重寫新資料時，即使爲了確實消除舊資料而提 高記錄功率及消除功率之比，亦可有效抑制抖動之惡化。 又，本實施形態之光記錄媒體 10 應滿足 Jitter(1.0)<ll%......(2) 之條件。若滿足此條件，在舊資料上直接重寫新資料 時，即使爲了確實消除舊資料而提高記錄功率及消除功$ 之比，可更有效抑制抖動之惡化。 又，將記錄功率Pw及消除功率Pe之比（Pe/Pw)爲〇·7 時之抖動定義爲Jitter(0.7)，本實施形態之光記錄媒體 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) A4規格（2Κ)Χ 297公釐） 1223255 A7 B7 五、發明説明（13 ) 最好滿足：Mtter(0.7)<10%……(3) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 之條件。若滿足此條件，在舊資料上直接重寫新資料 時，即使爲了確實消除舊資料而提高記錄功率及消除功率 之比，可更有效抑制抖動之惡化。又，本實施形態之光記 錄媒體10若能更進一步滿足Jitter(0.7)<9%……(4) 之條件。若滿足此條件，在舊資料上直接重寫新資料 時，即使爲了確實消除舊資料而提高記錄功率及消除功率 之比，可極有效抑制抖動之惡化。 其次，實施本實施形態光記錄媒體1 0之製造方法的說 明。 圖3爲本實施形態光記錄媒體1 0之製造方法的流程圖 。如上面所述，光記錄媒體10之光透過層26的厚度爲極 薄之10〜300 μιη，所以，以和傳統一般DVD-RW相反之順 序實施成膜。 首先，使用壓模實施具有槽寬約0.15 // m、軌距約0.32 /X m、槽深約20nm之預槽且厚度約l.lniin基板11之射出成 型（步驟S1)。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其次，將支持基體1 2移至濺鍍裝置之第1室（圖上未標 示）。濺鍍裝置之第1室內備有以銀爲主要成分之目標合金 。其次，使第1室內成爲約lxl 0_4Pa之減壓狀態，接著將 氬氣導入第1室內並將氣壓設定爲0.1〜l.OPa後，施加直 流電壓或高頻電壓執行目標之濺鍍。利用此方式，支持基 體12之上面會形成厚度1〇〜300 /i m的反射膜16(步驟S2) 本纸張尺度適用中國國家標準（CMS ) A4規格（2丨0X297公釐） -π - 93·1223255 A7 B7 五、發明説明（14 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 其次，將形成反射膜16之支持基體12從第1室移至 第2室（圖上未標示）。濺鍍裝置之第2室內備有目標之 Ah〇3。其次，使第2室內成爲約ixl0^Pa之減壓狀態，接· 著將氬氣導入第2室內並將氣壓設定爲ojwi.OPa執行濺 鍍。利甩此方式，反射膜1 6之上面會形成厚度2〜5 Onm的 第2介電質層1 8(步驟S3)。 其次，將形成反射膜16及第2介電質層1 8之支持基 體12從第2室移至第3室（圖上未標示）。濺鍍裝置之第3 室內備有混合目標之Ag、In、Sb、Te、及Ge。其次，使第 3室內成爲約lxl (T4Pa之減壓狀態，接著將氬氣導入第3室 內並將氣壓設定爲0.1〜l.OPa執行濺鍍。利用此方式，第2 介電質層18之上面會形成厚度5〜30nm的記錄層20 (步驟 S4) ° 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其次，將形成反射膜1 6〜記錄層20之支持基體1 2從 桌3室移至桌4室（圖上未標不）。雜鍍裝置之第4室內備有 混合之目標的ZnS及SiO:。其次，使第4室內成爲約 1 xl (T4Pa之減壓狀態，接著將氬氣導入第4室內並將氣壓設 定爲0.1〜1 .OPa執行濺鍍。利用此方式，記錄層.20之上面 會形成厚度10〜300nm的第1介電質層22(步驟S5)。 其次，將形成反射膜16〜第1介電質層22之支持基體 12從第4室移至第5室（圖上未標示）。||鍍裝置之第5室 內備有目標之Ah〇3。其次，使第5室內成爲約ixi(T4pa之 減壓狀態，接著將氬氣導入第5室內並將氣壓設定爲〇.丨〜 l.OPa執行濺鍍。利用此方式，第1介電質層22之上面會 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -17 - 1223255
五、發明説明（15 ) 形成厚度10〜200nm、最好爲30〜lOOnm的散熱層24(步驟 S6) °又，散熱層24之濺鍍亦可使用第2室實施。 利用此方式，在支持基體1 2上形成反射膜1 6、第2介 電質層18、記錄層20、第1介電質層22、及散熱層24後 ，將形成前述各層之支持基體1 2從第5室取出，以旋轉塗 布法、滾筒塗布法、網板印染法等在散熱層24之表面塗敷 紫外線硬化型樹脂，然後照射紫外線，形成厚度約丨〇〜3 〇 〇 之光透過層26(步驟S7)。以上，完成本實施形態之光 S己錄媒體10。又，光透過層26之形成上，亦可將預先成型 之聚碳酸脂或聚烯烴等樹脂性板材黏著於散熱層24之表面 〇 其次，參照圖1針對對前述記錄系統1之光記錄媒體 1 0實施資料記錄爲目的之光記錄再生裝置3 〇進行說明。 圖1爲對光記錄媒體1 0實施資料記錄之良好資訊記錄 裝置的主要部位槪略圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 如圖1所示，此光記錄再生裝置3 0具有使光記錄媒體 1 0旋轉之轉軸馬達2、將記錄用雷射束照射至光記錄媒體 10之光學讀寫頭3、控制轉軸馬達2及光學讀寫頭3之動 作的控制器4、對光學讀寫頭3供應雷射驅動·信號之雷射驅 動電路5、以及對光學讀寫頭3供應透鏡驅動信號之透鏡驅 動電路6。 又，如圖1所示，控制器4具有焦點伺服追蹤電路7、 循跡伺服追蹤電路8、及雷射控制電路9。焦點伺服追蹤電 路7啓動時，會處於焦點對準旋轉之光記錄媒體1記錄面 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0 X 297公釐） ~ ^ 1223255 kl B7 五、發明説明（16) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 的狀態，循跡伺服追蹤電路8啓動時，會處於雷射點自動 追蹤光記錄媒體1之偏心信號軌道的狀態。焦點伺服追蹤 電路7及循跡伺服追蹤電路8，分別具有以自動調整焦點增 益爲目的之自動增益控制機能、及以自動調整循跡增益爲 目的之自動增益控制機能。又，雷射控制電路9爲產生由 雷射驅動電路5提供之雷射驅動信號的電路，光記錄媒體 1 0記錄著記錄條件設定資訊時，會依據該記錄條件設定資 訊產生適當之雷射驅動信號。 又，焦點伺服追蹤電路7、循跡伺服追蹤電路8、及雷 射控制電路9不必爲控制器4之內建電路，而可以爲和控 制器4分開的構件。又，這些電路亦不必爲物理電路，亦 可以爲在控制器4內可執行軟體。 經濟部智慈財產局2(工消費合作社印製 雖然並無特別限制，然而，對光記錄媒體1 0執行資料 記錄之良好資訊記錄裝置方面，記錄用雷射束之波長爲 45 0ηηι以下、3 80〜450nm更佳、405nm最佳，是光學讀寫 頭3之一部份，以收斂記錄用雷射束爲目的之物鏡（圖上未 標示）的NA(數値孔徑）最好爲0.7以上。對使用此種資訊記 錄裝置之光記錄媒體1 〇實施資料記錄時，物鏡及光記錄媒 體10之表面的距離（運用距離）會極短（例如，約80〜150 // ΙΏ)，因此，可實現遠小於傳統之束點直徑。利用此方式 ，對使用此種資訊記錄裝置之光記錄媒體1 〇實施資料記錄 時，可實現極高之資料傳送率（例如，35Mbps以上）。 又，對使用此種光記錄裝置30之本實施形態光記錄媒 體實施資料記錄時，如上面所述，光記錄媒體10儲存 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 1223255 A7 B7 _ ' 1 ^ 圓 五、發明説明（17 ) 著記錄條件設定資訊時，會採用依據此記錄條件設定資訊 決定之記錄策略，並決定記錄用雷射束之記錄功率Pw及消 除功率pe之比。 更具體而言，將前面所述之雷射光，從前述光透過層 26側經由前述物鏡，以記錄功率Pw、消除功率Pe照射前 述記錄層2 0 ,可實施前述記錄層2 0之資料記錄、消除。又 ，在0.7 S P e / P w € 1 · 0之條件下照射雷射光實施已記錄之資 訊的再生時，前述記錄媒體1 0之抖動値爲1 0 %以下。 前述散熱層24之膜厚爲10nm以上之理由，是因爲 1 Onm以下時，少許之膜厚誤差會導致雷射光之功率範圍產 生很大的變化。因此，前述膜厚最好爲30nm以上。 又，前述膜厚爲200nm以下之理由，是因爲超過此摩 度時，製造上之成膜時間會很長，同時，對支持基體1 2也 會產生較大之熱損傷。因此，前述膜厚最好爲1 Ο Ο n m以下 〇 本實施形態例之光記錄媒體1 〇時，如前面所述，雖然 以消除記錄爲目的之雷射光消除功率Pe對記錄功率Pw $ 比在0·7 € Pe/Pwg 1.0之範圍內，再生抖動値卻爲10%以下 。又，如圖3所示，對於驅動雷射36(參照圖1)之記錄脈衝 信號，實際從雷射36輸出之雷射光的發光波形爲具有極良 好追蹤性者。又，圖4(A)爲35Mbps記錄傳送速度時，圖 4(B)爲100Mbps記錄傳送速度時。 相對於此，如圖5 (A)及圖5 (B)所示，P e / P w爲0.5程度 時，發光波形對記錄脈衝信號之追蹤性較低，尤其如圖 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁〕 、|--口 經濟部智慧財產局資工消費合作社印製 -20 - 1223255 A7 B7 五、發明説明（18) 5(B)所示之100Mbps記錄傳送速度時，因記錄脈衝信號之脈 衝寬度較狹窄，發光波形尙未達到頂點即開始下降。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 亦即，利用散熱層24之設置，可促成記錄層20之散 熱而防止熱積存，而相對傳統方式，即使雷射光之記錄消 除時的消除功率Pe更大於記錄功率Pw時，此熱量亦不會 導致記錄時之自抹除。因此，可抑制再生抖動値之惡化。 又，爲了將資訊記錄於記錄層2 0，雷射光之記錄功率
Pw X記錄脈衝之脈衝寬度=投入熱量必須爲特定範圍値內 〇 本實施形態例之光記錄媒體1 0時，因設有散熱層24， 記錄層2.0散熱較容易，因此，記錄功率pw爲一定時，可 以在較廣之範圍設定脈衝寬度。相對於此，未設置散熱層 24時，因短時間即會到達目標之投入熱量，脈衝寬度之設 定範圍的自由度會較小。 前述實施形態中，前述散熱層24之材料採用氧化銘， 然而，本發明並未限定於此，共要熱傳導係數爲前述範圍 內，且可形成覆蓋記錄層20之膜狀材料即可，例如氮化銘 等。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 又，前述實施形態例中，光透過層2 6是以丙燒酸系樹 脂形成，然而，其材料亦可從利用紫外線等能量線實施硬 化之能量線硬化型樹脂、或利用熱實施硬化之熱線硬化型 .樹脂中選取之各種選擇，亦可使用丙烯酸系樹脂、環氧系 樹脂、聚胺酯系樹脂等。又，亦可以黏著預成型之聚碳酸 脂及聚烯烴等樹脂薄膜。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 1223255 f ：, - :A7 I 1 ；R7 u，，.·，—-..，.〜外^_··,、—一·—» ···*-.·.·-·〜，'-...、_令,.,，·»···.13 / 五、發明説明（19) 又，前述支持基體1 2之材料除了實施形態例之聚碳酸 脂以外，亦可採用聚烯烴。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 又，前述光記錄再生裝置30亦可採用（1、7 )RLL調變 方式，並無特別限制。以對光記錄媒體1 〇執行資料記錄爲 目的之資訊記錄裝置，不必爲以此種調變方式來執行資料 記錄者，亦可爲以其他調變方式來執行資料記錄者。 其次，針kt使用（1、7) R L L調變方式時之記錄策略實例 進行說明。 圖6爲形成對應2T之長度的記錄標示時之記錄策略實 例圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如圖6所示，形成對應2T之長度的記錄標示時，將記 錄用雷射束之脈衝數設定爲「1」。此時，記錄用雷射束之 脈衝數的定義爲，將記錄用雷射束之功率升高至pw爲止之 次數。更具體而言，以記錄用雷射束位於記錄標示之始點 的時序爲時間ts，以雷射束位於記錄標示之終點的時序爲 時間te，從時間ts至時間te之期間，記錄用雷射束之功率 會一度成爲Pw，其次會成爲功率Pb。此時，時間ts以前 之記錄用雷射束功率設定爲pe ,記錄用雷射束會從時間ts 時開始提高。又，時間te時之記錄用雷射束功率會設定爲 Pe 或 Pb 。
Tpulse期間，光記錄媒體1〇之記錄層20會承受高能 量而使其溫度高於融點，Tc 1期間光記錄媒體1 0之記錄層 2 0會急速冷卻。利用此方式，光記錄媒體1 〇之記錄層2 0 上會形成對應2.T之長度的記錄標示。 -22- 本紙張尺度適用中国國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1223255 kl B7 五、發明説明（20 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 形成其他長度之記錄標示時，亦和前述形成對應2 T之 長度的記錄標示時相同，將記錄用雷射束功率設定爲Pw、 Pc'或Pb，以各特定數之脈衝形成具有期望長度之記錄標 示。 如前面所述，本實施形態之光記錄媒體丨〇因功率範圍 較廣，故在舊資料上直接重寫新資料時，即使爲確實消除 舊資料而提高記錄功率及消除功率之比，亦可降低抖動。 因此，即使設定較高之資料傳送率（例如，35Mbps以上）來 實施記錄，亦可確實消除舊資料。 以下即針對本發明實施例進行詳細說明。 [實施例1] 依下述步驟製作光記錄媒體。 在形成槽且以和前述實施形態例相同之聚碳酸脂樹脂 製成的碟狀支ίττ基體（槽涂以波長λ =405nm之光程長度來表 示而爲；I /18，記錄軌距爲〇·32 // m)表面，以濺鍍法形成厚 度100nm之以銀爲主要成分之反射膜。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其次，在此反射膜之表面，以濺鍍法形成厚度2〇]1111之 由Ah〇3構成之第2介電質層。 又，在前述第2介電質層上，使用由相變化材料構成 之合金目標，以濺鍍法形成厚度1 2nm之記錄層。此記錄層 之組成爲AglnSbTeGe。 又，在前述記錄層表面上，WZnS(80mol%)-S i〇2 (2.0 m ◦ 1 %)爲目標，以濺鍍法形成厚度3 0 n m之介電質層 -23- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公羞） 1223255 9a A7 B7 五、發明説明（21 ) 〇 在此介電質層之表面，會以濺鍍法形成厚度6〇nm且由 和前述第2介電質層相同之Al2〇3所構成的散熱層。 其次，在前述散熱層之表面，以旋轉塗布法塗敷紫外 線硬化型樹脂並照射紫外線，形成厚度1〇〇 之光透過層 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 [比較例1 ] 又，製作沒有散熱層之前述實施例1的光記錄媒體， 當做比較例1之光記錄媒體。 和前述實施形態例相同，在波長λ =405nm、物鏡之數 値孔徑NA = 0.85之條件下，使雷射光之記錄功率Pw固定爲 6.0mW，使雷射光之消除功率Pe在Pe/Pw爲0.25〜1.00之 範圍內變動，執行記錄並測量再生抖動値，結果.如圖7所 TfN ° 如圖7可知，相對於比較例1之0.67，本發明實施例 時，再生抖動値爲10%以下之Pe/Pw的上限値爲0.87程度 。又，相對於比較例1之0.75，本發明實施例時，再生抖 動値爲13%以下之Pe/Pw的上限値會超過1.0。 其結果如下述表1所示。 I--------^-- (請先閱讀背面之注意事項存填寫本頁) 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -24- 1223255
五、發明説明（22 ) (表1) Pe/Pw 再生料 ♦動値（％) 實施例 比較例 0.5 7.5 8.0 0.6 7.5 8.3 0.7 8.3 11.0 0.8 8.5 >14 0.9 9.2 1.0 11.1· 一 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 [實施例2] 貫施例2爲將散熱層變更爲3 0 n m，針對和實施例1相 R Z光S己錄媒體分別選取3 · 8 m W、4.2 m W、6.0 m W之雷射 光的記錄功率Pw，相對於前述記錄功率，使消除功率 Pe在Pe/Pw爲0.3〜1.1之範圍內變動，執行記錄並測量再 生抖動値，結果如圖8所示。 如圖8可知，即使變更雷射光之記錄功率，若pe/p^ 在如實施形態例之範圍內，則再生抖動値爲1 〇 %以下。 [實施例3] 實施例3使用和實施例2相同之光記錄媒體。本實施 例3之光記錄媒體，如和未設置散熱層且第1介電質層厚 度爲4 5 n m之光記錄媒體的比較例2、及實施例3 ,使消p佘 功率Pe在Pe/Pw爲0.3〜1.0之範圍內變動，執行記錄並測 本紙張尺度適用中周國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -25- !223255 A7 〜___ B7_ 五、發明説明（23 ) 量再生抖動値，結果如圖9所示。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本!·) 如圖9可知，未設置散熱層之比較例時，pe/pw超過 〇·60之時點，抖動値會超過1〇%，而爲〇.8〇之時點時，抖 動値更會超過1 3 %。 相對於此，實施例3之光記錄媒體中，Pe/Pw即使達到 1 . 0，再生抖動値亦不會超過1 0 %。 [實施例4] 以前述方法，製作具有圖2所示構造的光記錄媒體1 Ο-ΐ ， 其支 持基體 12 的 厚度爲 l.lmm 、 反射膜 16 的 厚度爲 lOOnm、第2介電質層18的厚度爲20nm、記錄層20的厚度 爲12nm、第1介電質層22的厚度爲30nm、散熱層24的厚 度爲30nm、光透過層26的厚度爲100//Π1。 經濟部智慧財產局S工消費合作社印製 依表2所示條件將此光記錄媒體1 〇-1之記錄功率Pw 設定爲3.8mW，同時，使用各種消除功率pe形成由對應2T 〜8T之長度的記錄標示所形成之混合信號，其次，將記錄 功率Pw設定爲4.2mW ,同時，使用各種消除功率Pe形成 由對應2T〜8T之長度的記錄標示所形成之混合信號，然後 ,再將記錄功率Pw設定爲6.0mW，同時，使用各種消除功 率Pe形成由對應2T〜8T之長度的記錄標示所形成之混合 信號。基層功率Pb皆設定爲O.lmW。記錄採用（1、7)RLL 之調變方式，只對1軌道執行資料記錄。 -26- 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 1223255 ΑΊ Β7 五、發明説明（24 ) 表 2 ____ 時脈瘦, 66MHz 時脈週ϋΙΙΛ 1 5.15nsec 線速度 5.3 m / s e c 調變方式 _ _ (1、7)RLL 格式效率 80% 資料傳送率 35Mbps (考慮效率） 通道位元長度 0.12// m/bit 數値孔徑（ΝΑ) 0.85 雷射波長 4 0 5 n rn (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其次，測量形成於光記錄媒體1 0-1上之混合信號的時 脈抖動。測量時，以時間間距分析儀求取再生信號之「波 動（σ )」，並計算σ /Tw(Tw:時脈之1週期）。 測量結果如圖10所示。 如圖10所示，光記錄媒體10-1中，不論記錄功率Pw 設定爲3.8mW、4.2inW、或6.0mW，記錄功率Pw及消除功 率 Pe 之比（Pe/Pw)爲 1.0 時之抖動（Jhter( 1.0))爲 Jitter(l.〇)<ii%。又，光記錄媒體HM中，不論記錄功率 Pw設定爲3.8mW、4.2mW、或6.0mW，記錄功率Pw及消_ 功率 Pe之比（Pe/Pw)爲 0.7時之抖動（；Httei.(0.7))爲 Jitter(〇.7)<9%。 如上所示，光記錄媒體1 〇 - 1中，和記錄功率p W之設 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2I0X 297公釐） -27- 1223255
五、發明説明（25 ) 定無關，即使設定較高之記錄功率Pw及消除功率Pe比 (Pe/Pw),亦可將抖動抑制於較低，故確認功率範圍極廣。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 [實施例5] 以前述方法，製作具有圖2所示構造的光記錄媒體1 〇-2，其支持基體12的厚度爲1.1mm、反射膜16的厚度爲 10 0nm、第2介電質層18的厚度爲20nm、記錄層20的厚度 爲12nm、第1介電質層22的厚度爲45nm、散熱層24的厚 度爲Onm。此光記錄媒體10-2將第1介電質層22之厚度變 更爲45nm、將散熱層24之厚度變更爲〇nm(無散熱層），其 餘和前述光記錄媒體1 0-1相同。 依表2所示條件將此光記錄媒體10-2之記錄功率Pw 設定爲5.8mW，同時，使用各種消除功率pe形成由對應2T 〜8T之長度的記錄標示所形成之混合信號。記錄採用（1、 7)RLL之調變方式，只對1軌道執行資料記錄。 其次，測量形成於光記錄媒體1 0-1上之混合信號的時 脈抖動。 測量結果如圖1 1所示。圖1 1中，同時標示將光記錄 媒體1(K1之記錄功率Pw設定爲6.0mW時之測量結果。 如圖10所示，光記錄媒體10-2中， Jitterd .0)>13% , 且， J i 11 e 1· (0 · 7) > 1 0 %。 由本實施例可知，散熱層24不存在時，設定較高之記 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝·
、1T ••加 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格{ 210X297公釐） -28- 1223255 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 :A7 _..…...........................................B7_五、發明説明（26 ) 錄功率Pw及消除功率Pe比（Pe/Pw)時，抖動會急速惡化， 功率範圍會變得較爲狹窄。 如上面所述，本實施形態之光記錄媒體1 0中，將記錄 功率Pw及消除功率Pe之比（Pe/Pw)爲1.0時之抖動定義爲 Jitter(l.O)時，因爲滿足 Jitter(1.0)<13% ……(1) 之條件，因此，在舊資料上直接重寫新資料時，即使 爲了確實消除舊資料而提高記錄功率及消除功率之比，亦 可降低抖動。 本發明並不限於前述實施形態，在記載於申請專利範 圍之發明的範圍內，可以實施各種變更，且各種變更當然 也都包含於本發明之範圍內。 例如，前述實施形態中，光記錄媒體1 0之具體構造以 .圖2所示構造爲例，然而，本發明之光記錄媒體的構造並 不受限於此。 [產業上之利用可能性] 因本發明之構成如前面所述，故可有效散發記錄時之 雷射光所產生的熱，具有相對於雷射光之記錄功岸而可以 採用較大之消除功率的優良效果。 因此，因功率範圍極廣，而可實施安定之資料記錄。 Ί J 裝 .訂 I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -29-

Claims (1)

1223255 ί j A8 ：丨B8 ::」C8 D8 夂、申請專利範圍1 1、 一種光記錄媒體，至少具有記錄層，並利用以記錄 用雷射束在前述記錄層上形成記錄標示實施資訊記錄，其 特徵爲： (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 前述記錄用雷射束之記錄功率爲Pw、消除功率爲pe 時，將Pe/Pw比設定爲1.0 ,使形成之記錄標示的抖動爲 1 3 %以下。 2、 如申請專利範圍第ί項之光記錄媒體，其中 利用將Pe/Pw比設定爲1.0，使形成之記錄標示的抖動 爲1 1 %以下。 3、 如申請專利範圍第1項之光記錄媒體，其中 利用將P e / P w比設定爲〇. 7，使形成之記錄標不的抖動 爲1 0 %以下。 4、 如申請專利範圍第1項之光記錄媒體，其中 利用將Pe/Pw比設定爲0.7，使形成之記錄標示的抖動 爲9 %以下。 5、 如申請專利範圍第1至4項之其中任一項之光記錄 媒體，其中 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 更具有設於前述記錄用雷射束之入射面側的光透過層 、以及設於前述記錄層及前述光透過層間之介電質層及散 熱層。 6、 如申請專利範圍第5項之光記錄媒體，其中 前述散熱層之厚度爲10〜200nm。 7、 如申請專利範圍第5項之光記錄媒體，其中 前述散熱層之厚度爲30〜100nm。 -30- 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1223255
B8 C8 D8 六、申請專利範圍2 8、 一種光記錄媒體之記錄系統，其特徵爲： 具有至少在支持基體上形成之記錄層上覆蓋著光透過 層之光記錄媒體、以及從前述光透過層側對此光記錄媒體 入射記錄功率Pw及消除功率Pe之雷射光來對前述記錄層 執行資訊之記錄、再生、及消除的照射光學系，且 前述照射光學系會通過物鏡之數値孔徑爲0.7以上之透 鏡系使波長380nm以上450nm以下之雷射光入射至前述記 錄層，前述光記錄媒體在前述雷射光之前述記錄功率Pw及 消除功率Pe之關係爲0.7SPe/PwS1.0時，可對前述記錄 層實施資訊之記錄及消除。 9、 如申請專利範圍第8項之光記錄媒體的記錄系統， 其中 前述照射光學系會通過物鏡之數値孔徑爲〇. 7以上之透 鏡系使波長380nm以上450nm以下之雷射光入射至前述記 錄層實施資訊之記錄及消除，前述光記錄媒體之前述已記 錄資訊之再生抖動値爲10%以下。 1 0、如申請專利範圍第8項之光記錄媒體的記錄系統 ，其中 前述照射光學系之前述雷射光波長爲405nm，且前述透 鏡系之物鏡的數値孔徑爲0.85。 1 1、如申請專利範圍第9項之光記錄媒體的記錄系統 ，其中 前述照射光學系之前述雷射光波長爲405nm，且前述透 鏡系之物鏡的數値孔徑爲0.85。 .. - ------------—-,——... - 1 " ~ _ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -31 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1223255 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 1 2、如申請專利範圍第8至n項之其中任一項之光記 錄媒體的記錄系統，其ψ 前述記錄層之前述光透過層側設有散熱層。 1 3、如申請專利範圍第1 2項之光記錄媒體的記 其中 錄系統 則述目女熱層之fe厚爲]〇nm以上、2〇〇nm以 3 0 n m _h ' 1 Ο 0 n m 〇 馬 請 k閲 t背 面 之 事 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -32 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 29*7公釐）
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