JP2003257025A - 光記録媒体への情報記録方法、情報記録装置及び光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体への情報記録方法、情報記録装置及び光記録媒体Info
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- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/2403—Layers; Shape, structure or physical properties thereof
- G11B7/24035—Recording layers
- G11B7/24038—Multiple laminated recording layers
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- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
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- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
- Optical Head (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 複数の情報記録層を有する書き替え型光記録
媒体に対する情報記録方法であって、良好な形状の記録
マークを形成することが可能な情報記録方法を提供す
る。 【解決手段】 積層された少なくともＬ０層２０及びＬ
１層３０を備える光記録媒体１０に対し、光入射面１３
ａからレーザビームを照射することによって、互いに長
さの異なる複数種類の記録マークからなる群より選ばれ
た複数の記録マークを形成する情報記録方法であって、
複数種類の記録マークのうち少なくとも一つの種類の記
録マークについて、Ｌ０層２０に形成する場合に照射す
るレーザビームのトップパルスＴｔｏｐ及びラストパル
スＴｌｐの記録パワーをマルチパルスＴｍｐの記録パワ
ーＰｗ０より低い記録パワーＰｗ０’に設定する。
媒体に対する情報記録方法であって、良好な形状の記録
マークを形成することが可能な情報記録方法を提供す
る。 【解決手段】 積層された少なくともＬ０層２０及びＬ
１層３０を備える光記録媒体１０に対し、光入射面１３
ａからレーザビームを照射することによって、互いに長
さの異なる複数種類の記録マークからなる群より選ばれ
た複数の記録マークを形成する情報記録方法であって、
複数種類の記録マークのうち少なくとも一つの種類の記
録マークについて、Ｌ０層２０に形成する場合に照射す
るレーザビームのトップパルスＴｔｏｐ及びラストパル
スＴｌｐの記録パワーをマルチパルスＴｍｐの記録パワ
ーＰｗ０より低い記録パワーＰｗ０’に設定する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光記録媒体への情
報記録方法に関し、特に、複数の情報記録層を有する書
き替え型光記録媒体への情報記録方法に関する。また、
本発明は、光記録媒体に情報を記録するための情報記録
装置に関し、特に、複数の情報記録層を有する書き替え
型光記録媒体に情報を記録するための情報記録装置に関
する。さらに、本発明は、光記録媒体に関し、特に、複
数の情報記録層を有する書き替え型光記録媒体に関す
る。
報記録方法に関し、特に、複数の情報記録層を有する書
き替え型光記録媒体への情報記録方法に関する。また、
本発明は、光記録媒体に情報を記録するための情報記録
装置に関し、特に、複数の情報記録層を有する書き替え
型光記録媒体に情報を記録するための情報記録装置に関
する。さらに、本発明は、光記録媒体に関し、特に、複
数の情報記録層を有する書き替え型光記録媒体に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来より、デジタルデータを記録するた
めの記録媒体として、ＣＤやＤＶＤに代表される光記録
媒体が広く利用されている。このような光記録媒体に要
求される記録容量は年々増大し、これを達成するために
種々の提案がなされている。かかる提案の一つとして、
光記録媒体に含まれる情報記録層を２層構造とする手法
が提案され、再生専用の光記録媒体であるＤＶＤ−Ｖｉ
ｄｅｏやＤＶＤ−ＲＯＭにおいて実用化されている。こ
のような再生専用の光記録媒体においては、基板表面に
形成されたプレピットが情報記録層となり、このような
基板が中間層を介して積層された構造を有している。
めの記録媒体として、ＣＤやＤＶＤに代表される光記録
媒体が広く利用されている。このような光記録媒体に要
求される記録容量は年々増大し、これを達成するために
種々の提案がなされている。かかる提案の一つとして、
光記録媒体に含まれる情報記録層を２層構造とする手法
が提案され、再生専用の光記録媒体であるＤＶＤ−Ｖｉ
ｄｅｏやＤＶＤ−ＲＯＭにおいて実用化されている。こ
のような再生専用の光記録媒体においては、基板表面に
形成されたプレピットが情報記録層となり、このような
基板が中間層を介して積層された構造を有している。
【０００３】また、近年、ユーザによるデータの書き換
えが可能な光記録媒体（書き替え型光記録媒体）につい
ても、情報記録層が２層構造であるタイプの光記録媒体
が提案されている（特開２００１−２７３６３８号公報
参照）。情報記録層が２層構造である書き替え型光記録
媒体においては、記録膜及びこれを挟んで形成された誘
電体膜（保護膜）が情報記録層となり、かかる情報記録
層が中間層を介して積層された構造を有している。
えが可能な光記録媒体（書き替え型光記録媒体）につい
ても、情報記録層が２層構造であるタイプの光記録媒体
が提案されている（特開２００１−２７３６３８号公報
参照）。情報記録層が２層構造である書き替え型光記録
媒体においては、記録膜及びこれを挟んで形成された誘
電体膜（保護膜）が情報記録層となり、かかる情報記録
層が中間層を介して積層された構造を有している。
【０００４】書き替え型光記録媒体の記録膜としては、
一般に相変化材料が用いられ、結晶状態である場合とア
モルファス状態である場合の反射率差を利用してデータ
の記録が行われる。すなわち、未記録状態においては記
録膜の実質的に全面が結晶状態となっており、データを
記録する場合、記録膜の所定の部分がアモルファス状態
に変化させられ、これが記録マークとなる。結晶状態で
ある相変化材料をアモルファス状態に変化させるために
は、融点以上の温度に加熱した後、急冷すればよい。逆
に、アモルファス状態である相変化材料を結晶状態に変
化させるためには、結晶化温度以上の温度に加熱した
後、徐冷すればよい。
一般に相変化材料が用いられ、結晶状態である場合とア
モルファス状態である場合の反射率差を利用してデータ
の記録が行われる。すなわち、未記録状態においては記
録膜の実質的に全面が結晶状態となっており、データを
記録する場合、記録膜の所定の部分がアモルファス状態
に変化させられ、これが記録マークとなる。結晶状態で
ある相変化材料をアモルファス状態に変化させるために
は、融点以上の温度に加熱した後、急冷すればよい。逆
に、アモルファス状態である相変化材料を結晶状態に変
化させるためには、結晶化温度以上の温度に加熱した
後、徐冷すればよい。
【０００５】このような加熱及び冷却は、レーザビーム
のパワー（出力）を調整することによって行うことがで
きる。すなわち、レーザビームを強度変調することによ
り、未記録状態である記録膜にデータを記録するのみな
らず、既に何らかのデータが記録されている部分に異な
るデータを直接上書き（ダイレクトオーバーライト）す
ることが可能となる。一般に、記録膜を融点以上の温度
に加熱するためには、レーザビームのパワーが記録パワ
ー（Ｐｗ）から基底パワー（Ｐｂ）までの振幅を有する
パルス波形で設定されたパワーとされ、記録膜を急冷す
るためには、レーザビームのパワーが基底パワー（Ｐ
ｂ）に設定される。また、記録膜を結晶化温度以上の温
度に加熱し、徐冷するためには、レーザビームのパワー
が消去パワー（Ｐｅ）に設定される。この場合、消去パ
ワー（Ｐｅ）は、記録膜が結晶化温度以上、融点未満の
温度となるようなレベルに設定され、これによりいわゆ
る固相消去が行われる。
のパワー（出力）を調整することによって行うことがで
きる。すなわち、レーザビームを強度変調することによ
り、未記録状態である記録膜にデータを記録するのみな
らず、既に何らかのデータが記録されている部分に異な
るデータを直接上書き（ダイレクトオーバーライト）す
ることが可能となる。一般に、記録膜を融点以上の温度
に加熱するためには、レーザビームのパワーが記録パワ
ー（Ｐｗ）から基底パワー（Ｐｂ）までの振幅を有する
パルス波形で設定されたパワーとされ、記録膜を急冷す
るためには、レーザビームのパワーが基底パワー（Ｐ
ｂ）に設定される。また、記録膜を結晶化温度以上の温
度に加熱し、徐冷するためには、レーザビームのパワー
が消去パワー（Ｐｅ）に設定される。この場合、消去パ
ワー（Ｐｅ）は、記録膜が結晶化温度以上、融点未満の
温度となるようなレベルに設定され、これによりいわゆ
る固相消去が行われる。
【０００６】ここで、情報記録層が２層構造である書き
替え型光記録媒体においては、レーザビームのフォーカ
スをいずれか一方の情報記録層に合わせることによって
データの記録／再生が行われることから、光入射面から
遠い側の情報記録層（以下、「Ｌ１層」という）に対し
てデータの記録／再生を行う場合、光入射面から近い側
の情報記録層（以下、「Ｌ０層」という）を介してレー
ザビームが照射されることになる。このため、Ｌ０層は
十分な光透過率を有している必要があり、そのため、Ｌ
０層には反射膜が設けられないか、設けられる場合であ
ってもその膜厚は非常に薄く設定されることが一般的で
ある。
替え型光記録媒体においては、レーザビームのフォーカ
スをいずれか一方の情報記録層に合わせることによって
データの記録／再生が行われることから、光入射面から
遠い側の情報記録層（以下、「Ｌ１層」という）に対し
てデータの記録／再生を行う場合、光入射面から近い側
の情報記録層（以下、「Ｌ０層」という）を介してレー
ザビームが照射されることになる。このため、Ｌ０層は
十分な光透過率を有している必要があり、そのため、Ｌ
０層には反射膜が設けられないか、設けられる場合であ
ってもその膜厚は非常に薄く設定されることが一般的で
ある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】このように、情報記録
層が２層構造である書き替え型光記録媒体においては、
Ｌ０層には反射膜が設けられないか、設けられる場合で
あってもその膜厚が非常に薄く設定されることから、十
分な膜厚の反射膜を有するＬ１層に比べて放熱性が低
く、再結晶化現象が起きやすいという問題が生じる。す
なわち、反射膜の材料としては一般に金属が用いられる
ため、Ｌ１層においてはレーザビームの照射によって発
生した熱が熱伝導性の高い反射膜を介して速やかに放熱
される一方、Ｌ０層にはこのような熱伝導性の高い層が
存在しないか、非常に薄い層であることからレーザビー
ムの照射によって発生した熱が速やかに放熱されず、こ
のため、Ｌ０層においては記録マーク（アモルファス状
態）の形状が歪み、良好な再生信号が得られないという
問題があった。
層が２層構造である書き替え型光記録媒体においては、
Ｌ０層には反射膜が設けられないか、設けられる場合で
あってもその膜厚が非常に薄く設定されることから、十
分な膜厚の反射膜を有するＬ１層に比べて放熱性が低
く、再結晶化現象が起きやすいという問題が生じる。す
なわち、反射膜の材料としては一般に金属が用いられる
ため、Ｌ１層においてはレーザビームの照射によって発
生した熱が熱伝導性の高い反射膜を介して速やかに放熱
される一方、Ｌ０層にはこのような熱伝導性の高い層が
存在しないか、非常に薄い層であることからレーザビー
ムの照射によって発生した熱が速やかに放熱されず、こ
のため、Ｌ０層においては記録マーク（アモルファス状
態）の形状が歪み、良好な再生信号が得られないという
問題があった。
【０００８】特に、近年、記録／再生に用いるレーザビ
ームの波長（λ）とレーザビームを集束するための対物
レンズの開口数（ＮＡ）との比（λ／ＮＡ）を７００ｎ
ｍ以下、例えば、ＮＡを０．７以上、特に０．８５程度
まで大きくするとともに、かかるレーザビームの波長λ
を２００〜４５０ｎｍ程度まで短くすることによってレ
ーザビームの集光スポット径を小さくし、これにより大
容量のデジタルデータを記録する試みがなされている。
このような、短波長のレーザビームを高ＮＡの対物レン
ズで集光することによってデータの記録／再生を行うシ
ステムにおいては、集光されたレーザビームの単位面積
当たりのエネルギーが非常に高いことから、上述したＬ
０層における熱干渉の影響が顕著となり、再結晶化現象
が発生しやすくなる。さらに隣接トラックの記録マーク
の影響でクロストークやクロスイレーズが生じるという
問題があった。
ームの波長（λ）とレーザビームを集束するための対物
レンズの開口数（ＮＡ）との比（λ／ＮＡ）を７００ｎ
ｍ以下、例えば、ＮＡを０．７以上、特に０．８５程度
まで大きくするとともに、かかるレーザビームの波長λ
を２００〜４５０ｎｍ程度まで短くすることによってレ
ーザビームの集光スポット径を小さくし、これにより大
容量のデジタルデータを記録する試みがなされている。
このような、短波長のレーザビームを高ＮＡの対物レン
ズで集光することによってデータの記録／再生を行うシ
ステムにおいては、集光されたレーザビームの単位面積
当たりのエネルギーが非常に高いことから、上述したＬ
０層における熱干渉の影響が顕著となり、再結晶化現象
が発生しやすくなる。さらに隣接トラックの記録マーク
の影響でクロストークやクロスイレーズが生じるという
問題があった。
【０００９】したがって、本発明の目的は、複数の情報
記録層を有する書き替え型光記録媒体に対する情報記録
方法であって、良好な形状の記録マークを形成すること
が可能な情報記録方法を提供することである。
記録層を有する書き替え型光記録媒体に対する情報記録
方法であって、良好な形状の記録マークを形成すること
が可能な情報記録方法を提供することである。
【００１０】また、本発明の他の目的は、複数の情報記
録層を有する書き替え型光記録媒体に情報を記録するた
めの情報記録装置であって、良好な形状の記録マークを
形成することが可能な情報記録装置を提供することであ
る。
録層を有する書き替え型光記録媒体に情報を記録するた
めの情報記録装置であって、良好な形状の記録マークを
形成することが可能な情報記録装置を提供することであ
る。
【００１１】また、本発明のさらに他の目的は、複数の
情報記録層を有する書き替え型光記録媒体であって、良
好な形状の記録マークを形成することが可能な光記録媒
体を提供することである。
情報記録層を有する書き替え型光記録媒体であって、良
好な形状の記録マークを形成することが可能な光記録媒
体を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明のかかる目的は、
積層された少なくとも第１及び第２の情報記録層を備え
る光記録媒体に対し、光入射面から少なくとも記録パワ
ーを含む複数のパワーに変調されたパルス状のレーザビ
ームを照射することによって、互いに長さの異なる複数
種類の記録マークからなる群より選ばれた複数の記録マ
ークを形成する情報記録方法であって、前記第１の情報
記録層に形成する場合に照射する前記レーザビームのト
ップパルス及び／又はラストパルスの記録パワーをマル
チパルスの記録パワーより低いレベルに設定して情報の
記録を行うことを特徴とする情報記録方法によって達成
される。
積層された少なくとも第１及び第２の情報記録層を備え
る光記録媒体に対し、光入射面から少なくとも記録パワ
ーを含む複数のパワーに変調されたパルス状のレーザビ
ームを照射することによって、互いに長さの異なる複数
種類の記録マークからなる群より選ばれた複数の記録マ
ークを形成する情報記録方法であって、前記第１の情報
記録層に形成する場合に照射する前記レーザビームのト
ップパルス及び／又はラストパルスの記録パワーをマル
チパルスの記録パワーより低いレベルに設定して情報の
記録を行うことを特徴とする情報記録方法によって達成
される。
【００１３】本発明の好ましい実施態様においては、前
記第１の情報記録層が前記第２の情報記録層よりも前記
光入射面側に位置している。
記第１の情報記録層が前記第２の情報記録層よりも前記
光入射面側に位置している。
【００１４】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記第２の情報記録層に形成する場合に照射する前
記レーザビームのトップパルス及び／又はラストパルス
の記録パワーをマルチパルスの記録パワーと略等しく設
定して情報の記録を行う。
は、前記第２の情報記録層に形成する場合に照射する前
記レーザビームのトップパルス及び／又はラストパルス
の記録パワーをマルチパルスの記録パワーと略等しく設
定して情報の記録を行う。
【００１５】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記トップパルスと前記ラストパルスの記録パワー
を同レベルに設定する。
は、前記トップパルスと前記ラストパルスの記録パワー
を同レベルに設定する。
【００１６】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記レーザビームの波長をλとし、前記レーザビー
ムを集光するための対物レンズの開口数をＮＡとした場
合に、λ／ＮＡ ≦ ７００ｎｍの条件を満たす。
は、前記レーザビームの波長をλとし、前記レーザビー
ムを集光するための対物レンズの開口数をＮＡとした場
合に、λ／ＮＡ ≦ ７００ｎｍの条件を満たす。
【００１７】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記レーザビームの波長λが２００〜４５０ｎｍで
ある。
は、前記レーザビームの波長λが２００〜４５０ｎｍで
ある。
【００１８】本発明の前記目的はまた、積層された少な
くとも第１及び第２の情報記録層を備える光記録媒体に
対し、光入射面から少なくとも記録パワーを含む複数の
パワーに変調されたパルス状のレーザビームを照射する
ことによって、互いに長さの異なる複数種類の記録マー
クからなる群より選ばれた複数の記録マークを形成する
情報記録装置であって、前記第１の情報記録層に形成す
る場合に照射する前記レーザビームのトップパルス及び
／又はラストパルスの記録パワーをマルチパルスの記録
パワーより低いレベルに設定して情報の記録を行う。
くとも第１及び第２の情報記録層を備える光記録媒体に
対し、光入射面から少なくとも記録パワーを含む複数の
パワーに変調されたパルス状のレーザビームを照射する
ことによって、互いに長さの異なる複数種類の記録マー
クからなる群より選ばれた複数の記録マークを形成する
情報記録装置であって、前記第１の情報記録層に形成す
る場合に照射する前記レーザビームのトップパルス及び
／又はラストパルスの記録パワーをマルチパルスの記録
パワーより低いレベルに設定して情報の記録を行う。
【００１９】本発明の好ましい実施態様においては、前
記第１の情報記録層が前記第２の情報記録層よりも前記
光入射面側に位置している。
記第１の情報記録層が前記第２の情報記録層よりも前記
光入射面側に位置している。
【００２０】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記第２の情報記録層に形成する場合に照射する前
記レーザビームのトップパルス及び／又はラストパルス
の記録パワーをマルチパルスの記録パワーと略等しく設
定して情報の記録を行う。
は、前記第２の情報記録層に形成する場合に照射する前
記レーザビームのトップパルス及び／又はラストパルス
の記録パワーをマルチパルスの記録パワーと略等しく設
定して情報の記録を行う。
【００２１】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記レーザビームの波長をλとし、前記レーザビー
ムを集光するための対物レンズの開口数をＮＡとした場
合に、λ／ＮＡ ≦ ７００ｎｍの条件を満たす。
は、前記レーザビームの波長をλとし、前記レーザビー
ムを集光するための対物レンズの開口数をＮＡとした場
合に、λ／ＮＡ ≦ ７００ｎｍの条件を満たす。
【００２２】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記レーザビームの波長λが２００〜４５０ｎｍで
ある。
は、前記レーザビームの波長λが２００〜４５０ｎｍで
ある。
【００２３】本発明の前記目的はまた、積層された少な
くとも第１及び第２の情報記録層を備え、光入射面から
少なくとも記録パワーを含む複数のパワーに変調された
パルス状のレーザビームを照射することによって、互い
に長さの異なる複数種類の記録マークからなる群より選
ばれた複数の記録マークを形成可能な光記録媒体であっ
て、前記第１の情報記録層に形成する場合に照射する前
記レーザビームのトップパルス及び／又はラストパルス
の記録パワーをマルチパルスの記録パワーより低いレベ
ルに設定するために必要な設定情報を有していることを
特徴とする光記録媒体によって達成される。
くとも第１及び第２の情報記録層を備え、光入射面から
少なくとも記録パワーを含む複数のパワーに変調された
パルス状のレーザビームを照射することによって、互い
に長さの異なる複数種類の記録マークからなる群より選
ばれた複数の記録マークを形成可能な光記録媒体であっ
て、前記第１の情報記録層に形成する場合に照射する前
記レーザビームのトップパルス及び／又はラストパルス
の記録パワーをマルチパルスの記録パワーより低いレベ
ルに設定するために必要な設定情報を有していることを
特徴とする光記録媒体によって達成される。
【００２４】本発明の好ましい実施態様においては、前
記第１の情報記録層が前記第２の情報記録層よりも前記
光入射面側に位置している。
記第１の情報記録層が前記第２の情報記録層よりも前記
光入射面側に位置している。
【００２５】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記第２の情報記録層に形成する場合に照射する前
記レーザビームのトップパルス及び／又はラストパルス
の記録パワーをマルチパルスの記録パワーと略等しく設
定して情報の記録を行う。
は、前記第２の情報記録層に形成する場合に照射する前
記レーザビームのトップパルス及び／又はラストパルス
の記録パワーをマルチパルスの記録パワーと略等しく設
定して情報の記録を行う。
【００２６】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記レーザビームの光路となる光透過層を備え、前
記光透過層の厚さが３０〜２００μｍである。
は、前記レーザビームの光路となる光透過層を備え、前
記光透過層の厚さが３０〜２００μｍである。
【００２７】本発明によれば、いずれの情報記録層に対
してダイレクトオーバーライトを行った場合において
も、良好な形状の記録マークを形成することが可能とな
る。
してダイレクトオーバーライトを行った場合において
も、良好な形状の記録マークを形成することが可能とな
る。
【００２８】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照しながら、
本発明の好ましい実施態様について詳細に説明する。
本発明の好ましい実施態様について詳細に説明する。
【００２９】図１は、本発明の好ましい実施態様にかか
る光記録媒体１０の構造を概略的に示す断面図である。
る光記録媒体１０の構造を概略的に示す断面図である。
【００３０】図１に示されるように、本実施態様にかか
る光記録媒体１０は、基体１１と、中間層１２と、光透
過層１３と、中間層１２と光透過層１３との間に設けら
れたＬ０層２０と、基体１１と中間層１２との間に設け
られたＬ１層３０とを備える。Ｌ０層２０は、光入射面
１３ａから近い側の情報記録層を構成し、第１の誘電体
膜２１、Ｌ０記録膜２２及び第２の誘電体膜２３によっ
て構成される。また、Ｌ１層３０は、光入射面１３ａか
ら遠い側の情報記録層を構成し、第３の誘電体膜３１、
Ｌ１記録膜３２、第４の誘電体膜３３及び反射膜３４に
よって構成される。このように、本実施態様にかかる光
記録媒体１０は、２層の情報記録層（Ｌ０層２０及びＬ
１層３０）を有している。
る光記録媒体１０は、基体１１と、中間層１２と、光透
過層１３と、中間層１２と光透過層１３との間に設けら
れたＬ０層２０と、基体１１と中間層１２との間に設け
られたＬ１層３０とを備える。Ｌ０層２０は、光入射面
１３ａから近い側の情報記録層を構成し、第１の誘電体
膜２１、Ｌ０記録膜２２及び第２の誘電体膜２３によっ
て構成される。また、Ｌ１層３０は、光入射面１３ａか
ら遠い側の情報記録層を構成し、第３の誘電体膜３１、
Ｌ１記録膜３２、第４の誘電体膜３３及び反射膜３４に
よって構成される。このように、本実施態様にかかる光
記録媒体１０は、２層の情報記録層（Ｌ０層２０及びＬ
１層３０）を有している。
【００３１】基体１１は、光記録媒体１０の機械的強度
を確保する役割を果たし、その表面にはグルーブ１１ａ
及びランド１１ｂが設けられている。これらグルーブ１
１ａ及び／又はランド１１ｂは、Ｌ１層３０に対してデ
ータの記録／再生を行う場合におけるレーザビームのガ
イドトラックとしての役割を果たす。特に限定されるも
のではないが、グルーブ１１ａの深さとしては１０〜４
０ｎｍに設定することが好ましく、グルーブ１１ａのピ
ッチとしては０．２〜０．４μｍに設定することが好ま
しい。基体１１の厚みは約１．１ｍｍに設定され、その
材料としては、特に限定されるものではないがポリカー
ボネートを用いることが好ましい。但し、基体１１は光
入射面１３ａとは反対側の面を構成することから、特に
光透過性を備える必要はない。
を確保する役割を果たし、その表面にはグルーブ１１ａ
及びランド１１ｂが設けられている。これらグルーブ１
１ａ及び／又はランド１１ｂは、Ｌ１層３０に対してデ
ータの記録／再生を行う場合におけるレーザビームのガ
イドトラックとしての役割を果たす。特に限定されるも
のではないが、グルーブ１１ａの深さとしては１０〜４
０ｎｍに設定することが好ましく、グルーブ１１ａのピ
ッチとしては０．２〜０．４μｍに設定することが好ま
しい。基体１１の厚みは約１．１ｍｍに設定され、その
材料としては、特に限定されるものではないがポリカー
ボネートを用いることが好ましい。但し、基体１１は光
入射面１３ａとは反対側の面を構成することから、特に
光透過性を備える必要はない。
【００３２】中間層１２は、Ｌ０層２０とＬ１層３０と
を十分な距離をもって離間させる役割を果たし、その表
面にはグルーブ１２ａ及びランド１２ｂが設けられてい
る。これらグルーブ１２ａ及び／又はランド１２ｂは、
Ｌ０層２０に対してデータの記録／再生を行う場合にお
けるレーザビームのガイドトラックとしての役割を果た
す。グルーブ１２ａの深さやピッチは、基体１１に設け
られたグルーブ１１ａの深さやピッチと同程度に設定す
ればよい。中間層１２の厚みとしては、約１０〜５０μ
ｍに設定することが好ましい。また、中間層１２の材料
としては、特に限定されるものではないが、紫外線硬化
性アクリル樹脂を用いることが好ましい。中間層１２
は、Ｌ１層３０に対してデータの記録／再生を行う場合
にレーザビームの光路となることから、十分に高い光透
過性を有している必要がある。
を十分な距離をもって離間させる役割を果たし、その表
面にはグルーブ１２ａ及びランド１２ｂが設けられてい
る。これらグルーブ１２ａ及び／又はランド１２ｂは、
Ｌ０層２０に対してデータの記録／再生を行う場合にお
けるレーザビームのガイドトラックとしての役割を果た
す。グルーブ１２ａの深さやピッチは、基体１１に設け
られたグルーブ１１ａの深さやピッチと同程度に設定す
ればよい。中間層１２の厚みとしては、約１０〜５０μ
ｍに設定することが好ましい。また、中間層１２の材料
としては、特に限定されるものではないが、紫外線硬化
性アクリル樹脂を用いることが好ましい。中間層１２
は、Ｌ１層３０に対してデータの記録／再生を行う場合
にレーザビームの光路となることから、十分に高い光透
過性を有している必要がある。
【００３３】光透過層１３は、レーザビームの光路とな
るとともに光入射面１３ａを構成し、その厚みとして
は、約３０〜２００μｍに設定することが好ましい。光
透過層１３の材料としては、特に限定されるものではな
いが、中間層１２と同様、紫外線硬化性アクリル樹脂を
用いることが好ましい。上述のとおり、光透過層１３は
レーザビームの光路となることから、十分に高い光透過
性を有している必要がある。
るとともに光入射面１３ａを構成し、その厚みとして
は、約３０〜２００μｍに設定することが好ましい。光
透過層１３の材料としては、特に限定されるものではな
いが、中間層１２と同様、紫外線硬化性アクリル樹脂を
用いることが好ましい。上述のとおり、光透過層１３は
レーザビームの光路となることから、十分に高い光透過
性を有している必要がある。
【００３４】Ｌ０記録膜２２及びＬ１記録膜３２は、い
ずれも相変化材料によって構成され、結晶状態である場
合の反射率とアモルファス状態である場合の反射率とが
異なることを利用してデータの記録が行われる。Ｌ０記
録膜２２及びＬ１記録膜３２の具体的な材料としては、
特に限定されるものではないがＳｂＴｅ系材料を用いる
ことが好ましい。ＳｂＴｅ系材料としてはＳｂＴｅのみ
でもよいし、添加物としてＩｎ、Ｔｅ、Ｇｅ、Ａｇ等を
加えたＩｎＳｂＴｅＧｅやＡｇＩｎＳｂＴｅ、ＡｇＳｂ
ＴｅＧｅ、ＡｇＩｎＳｂＴｅＧｅ等を用いることができ
る。
ずれも相変化材料によって構成され、結晶状態である場
合の反射率とアモルファス状態である場合の反射率とが
異なることを利用してデータの記録が行われる。Ｌ０記
録膜２２及びＬ１記録膜３２の具体的な材料としては、
特に限定されるものではないがＳｂＴｅ系材料を用いる
ことが好ましい。ＳｂＴｅ系材料としてはＳｂＴｅのみ
でもよいし、添加物としてＩｎ、Ｔｅ、Ｇｅ、Ａｇ等を
加えたＩｎＳｂＴｅＧｅやＡｇＩｎＳｂＴｅ、ＡｇＳｂ
ＴｅＧｅ、ＡｇＩｎＳｂＴｅＧｅ等を用いることができ
る。
【００３５】ここで、Ｌ０記録膜２２は、Ｌ１層３０に
対してデータの記録／再生を行う場合にレーザビームの
光路となることから、十分な光透過性を有している必要
があり、このためＬ０記録膜２２の膜厚は、Ｌ１記録膜
３２の膜厚と比べて十分に薄く設定される。具体的に
は、Ｌ１記録膜３２の膜厚としては、約３〜２０ｎｍに
設定することが好ましく、Ｌ０記録膜２２の膜厚は、Ｌ
１記録膜３２の膜厚に対して０．３〜０．８倍に設定す
ることが好ましい。
対してデータの記録／再生を行う場合にレーザビームの
光路となることから、十分な光透過性を有している必要
があり、このためＬ０記録膜２２の膜厚は、Ｌ１記録膜
３２の膜厚と比べて十分に薄く設定される。具体的に
は、Ｌ１記録膜３２の膜厚としては、約３〜２０ｎｍに
設定することが好ましく、Ｌ０記録膜２２の膜厚は、Ｌ
１記録膜３２の膜厚に対して０．３〜０．８倍に設定す
ることが好ましい。
【００３６】Ｌ０記録膜２２を挟むように設けられた第
１の誘電体膜２１及び第２の誘電体膜２３は、Ｌ０記録
膜２２に対する保護膜として機能し、Ｌ１記録膜３２を
挟むように設けられた第３の誘電体膜３１及び第４の誘
電体膜３３は、Ｌ１記録膜３２に対する保護膜として機
能する。第１の誘電体膜２１の厚みとしては２〜２００
ｎｍに設定することが好ましく、第２の誘電体膜２３の
厚みとしては２〜２００ｎｍに設定することが好まし
く、第３の誘電体膜３１の厚みとしては２〜２００ｎｍ
に設定することが好ましく、第４の誘電体膜３３の厚み
としては２〜２００ｎｍに設定することが好ましい。
１の誘電体膜２１及び第２の誘電体膜２３は、Ｌ０記録
膜２２に対する保護膜として機能し、Ｌ１記録膜３２を
挟むように設けられた第３の誘電体膜３１及び第４の誘
電体膜３３は、Ｌ１記録膜３２に対する保護膜として機
能する。第１の誘電体膜２１の厚みとしては２〜２００
ｎｍに設定することが好ましく、第２の誘電体膜２３の
厚みとしては２〜２００ｎｍに設定することが好まし
く、第３の誘電体膜３１の厚みとしては２〜２００ｎｍ
に設定することが好ましく、第４の誘電体膜３３の厚み
としては２〜２００ｎｍに設定することが好ましい。
【００３７】また、これら第１の誘電体膜２１〜第４の
誘電体膜３３は、１層の誘電体膜からなる単層構造であ
ってもよいし、２層以上の誘電体膜からなる積層構造で
あってもよい。これら第１の誘電体膜２１〜第４の誘電
体膜３３の材料としては特に限定されないが、Ｓｉ
Ｏ２、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、ＴａＯ、Ｚｎ
Ｓ、ＣｅＯ２等、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔａ、Ｚｎの酸化物、窒
化物、硫化物、炭化物あるいはそれらの混合物を用いる
ことが好ましい。
誘電体膜３３は、１層の誘電体膜からなる単層構造であ
ってもよいし、２層以上の誘電体膜からなる積層構造で
あってもよい。これら第１の誘電体膜２１〜第４の誘電
体膜３３の材料としては特に限定されないが、Ｓｉ
Ｏ２、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、ＴａＯ、Ｚｎ
Ｓ、ＣｅＯ２等、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔａ、Ｚｎの酸化物、窒
化物、硫化物、炭化物あるいはそれらの混合物を用いる
ことが好ましい。
【００３８】反射膜３４は、光入射面１３ａから入射さ
れるレーザビームを反射し、再び光入射面１３ａから出
射させる役割を果たし、その厚さとしては２０〜２００
ｎｍに設定することが好ましい。反射膜３４の材料とし
ては特に限定されないが、ＡｇやＡｌを主成分とする合
金を用いることが好ましく、ＡｕやＰｔ等を用いること
もできる。また、反射膜３４の腐食を防止するために、
反射膜３４と基体１１との間に防湿膜を設けてもよい。
かかる防湿膜としては、第１の誘電体膜２１〜第４の誘
電体膜３３と同様の材料を用いることができる。さら
に、Ｌ０層２０は反射膜を備えていないが、３〜１５ｎ
ｍ程度の薄い反射膜をＬ０層２０に設けても構わない。
この場合、かかる反射膜の材料としては、反射膜３４と
同じ材料を用いることができる。
れるレーザビームを反射し、再び光入射面１３ａから出
射させる役割を果たし、その厚さとしては２０〜２００
ｎｍに設定することが好ましい。反射膜３４の材料とし
ては特に限定されないが、ＡｇやＡｌを主成分とする合
金を用いることが好ましく、ＡｕやＰｔ等を用いること
もできる。また、反射膜３４の腐食を防止するために、
反射膜３４と基体１１との間に防湿膜を設けてもよい。
かかる防湿膜としては、第１の誘電体膜２１〜第４の誘
電体膜３３と同様の材料を用いることができる。さら
に、Ｌ０層２０は反射膜を備えていないが、３〜１５ｎ
ｍ程度の薄い反射膜をＬ０層２０に設けても構わない。
この場合、かかる反射膜の材料としては、反射膜３４と
同じ材料を用いることができる。
【００３９】このような構造を有する光記録媒体１０に
記録されたデータを再生する場合、光入射面１３ａから
２００〜４５０ｎｍの波長を持つレーザビームが照射さ
れ、その反射光量が検出される。上述のとおり、Ｌ０記
録膜２２及びＬ１記録膜３２は相変化材料によって構成
され、結晶状態である場合とアモルファス状態である場
合とで光反射率が異なっていることから、レーザビーム
を光入射面１３ａから照射してＬ０記録膜２２及びＬ１
記録膜３２の一方にフォーカスを合わせ、その反射光量
を検出することにより、レーザビームが照射された部分
におけるＬ０記録膜２２またはＬ１記録膜３２が結晶状
態であるかアモルファス状態であるかを判別することが
できる。
記録されたデータを再生する場合、光入射面１３ａから
２００〜４５０ｎｍの波長を持つレーザビームが照射さ
れ、その反射光量が検出される。上述のとおり、Ｌ０記
録膜２２及びＬ１記録膜３２は相変化材料によって構成
され、結晶状態である場合とアモルファス状態である場
合とで光反射率が異なっていることから、レーザビーム
を光入射面１３ａから照射してＬ０記録膜２２及びＬ１
記録膜３２の一方にフォーカスを合わせ、その反射光量
を検出することにより、レーザビームが照射された部分
におけるＬ０記録膜２２またはＬ１記録膜３２が結晶状
態であるかアモルファス状態であるかを判別することが
できる。
【００４０】光記録媒体１０に対してデータの記録を行
う場合も、光入射面１３ａから約２００〜４５０ｎｍの
波長を持つレーザビームが照射され、Ｌ０記録膜２２ま
たはＬ１記録膜３２にフォーカスが合わせられ、記録す
べきデータにしたがい、Ｌ０記録膜２２またはＬ１記録
膜３２の所定の部分を融点以上の温度に加熱した後、急
冷すれば、当該部分の状態がアモルファス状態となり、
Ｌ０記録膜２２またはＬ１記録膜３２の所定の部分を結
晶化温度以上の温度に加熱した後、徐冷すれば、当該部
分の状態が結晶状態となる。アモルファス状態となった
部分は「記録マーク」と呼ばれ、記録データは、記録マ
ークの始点から終点までの長さ及び終点から次の記録マ
ークの始点までの長さに形成される。各記録マークの長
さ及び記録マーク間の長さ（エッジ間）は、特に限定さ
れるものではないが、（１，７）ＲＬＬの変調方式が採
用される場合、２Ｔ〜８Ｔ（Ｔは、クロックの周期）に
対応する長さのいずれかに設定される。尚、Ｌ０記録膜
２２に対してデータの記録を行う場合の記録ストラテジ
及びＬ１記録膜３２に対してデータの記録を行う場合の
記録ストラテジについては後述する。
う場合も、光入射面１３ａから約２００〜４５０ｎｍの
波長を持つレーザビームが照射され、Ｌ０記録膜２２ま
たはＬ１記録膜３２にフォーカスが合わせられ、記録す
べきデータにしたがい、Ｌ０記録膜２２またはＬ１記録
膜３２の所定の部分を融点以上の温度に加熱した後、急
冷すれば、当該部分の状態がアモルファス状態となり、
Ｌ０記録膜２２またはＬ１記録膜３２の所定の部分を結
晶化温度以上の温度に加熱した後、徐冷すれば、当該部
分の状態が結晶状態となる。アモルファス状態となった
部分は「記録マーク」と呼ばれ、記録データは、記録マ
ークの始点から終点までの長さ及び終点から次の記録マ
ークの始点までの長さに形成される。各記録マークの長
さ及び記録マーク間の長さ（エッジ間）は、特に限定さ
れるものではないが、（１，７）ＲＬＬの変調方式が採
用される場合、２Ｔ〜８Ｔ（Ｔは、クロックの周期）に
対応する長さのいずれかに設定される。尚、Ｌ０記録膜
２２に対してデータの記録を行う場合の記録ストラテジ
及びＬ１記録膜３２に対してデータの記録を行う場合の
記録ストラテジについては後述する。
【００４１】Ｌ１層３０に対してデータの記録／再生を
行う場合、レーザビームはＬ０層２０を介してＬ１記録
膜３２に照射されることになる。このため、Ｌ０層２０
は十分な光透過性を有している必要があり、上述のとお
りＬ１記録膜３２の膜厚と比べて、Ｌ０記録膜２２の膜
厚はかなり薄く設定されている。
行う場合、レーザビームはＬ０層２０を介してＬ１記録
膜３２に照射されることになる。このため、Ｌ０層２０
は十分な光透過性を有している必要があり、上述のとお
りＬ１記録膜３２の膜厚と比べて、Ｌ０記録膜２２の膜
厚はかなり薄く設定されている。
【００４２】次に、本実施態様にかかる光記録媒体１０
の製造方法について説明する。
の製造方法について説明する。
【００４３】図２〜図５は、光記録媒体１０の製造方法
を示す工程図である。
を示す工程図である。
【００４４】まず、図２に示されるように、スタンパ４
０を用いて、グルーブ１１ａ及びランド１１ｂを有する
基体１１を射出成形する。次に、図３に示されるよう
に、基体１１のうちグルーブ１１ａ及びランド１１ｂが
形成されている面のほぼ全面に、スパッタリング法によ
って、反射膜３４、第４の誘電体膜３３、Ｌ１記録膜３
２及び第３の誘電体膜３１を順次形成する。これによ
り、Ｌ１層３０が完成する。尚、スパッタリング直後に
おけるＬ１記録膜３２の状態は通常アモルファス状態で
ある。
０を用いて、グルーブ１１ａ及びランド１１ｂを有する
基体１１を射出成形する。次に、図３に示されるよう
に、基体１１のうちグルーブ１１ａ及びランド１１ｂが
形成されている面のほぼ全面に、スパッタリング法によ
って、反射膜３４、第４の誘電体膜３３、Ｌ１記録膜３
２及び第３の誘電体膜３１を順次形成する。これによ
り、Ｌ１層３０が完成する。尚、スパッタリング直後に
おけるＬ１記録膜３２の状態は通常アモルファス状態で
ある。
【００４５】次に、図４に示されるように、Ｌ１層３０
上に、紫外線硬化性樹脂をスピンコートし、その表面に
スタンパ４１を被せた状態でスタンパ４１を介して紫外
線を照射することにより、グルーブ１２ａ及びランド１
２ｂを有する中間層１２を形成する。次に、図５に示さ
れるように、グルーブ１２ａ及びランド１２ｂが形成さ
れた中間層１２のほぼ全面に、スパッタリング法によっ
て、第２の誘電体膜２３、Ｌ０記録膜２２及び第１の誘
電体膜２１を順次形成する。これにより、Ｌ０層２０が
完成する。尚、スパッタリング直後におけるＬ０記録膜
２２の状態は通常アモルファス状態である。
上に、紫外線硬化性樹脂をスピンコートし、その表面に
スタンパ４１を被せた状態でスタンパ４１を介して紫外
線を照射することにより、グルーブ１２ａ及びランド１
２ｂを有する中間層１２を形成する。次に、図５に示さ
れるように、グルーブ１２ａ及びランド１２ｂが形成さ
れた中間層１２のほぼ全面に、スパッタリング法によっ
て、第２の誘電体膜２３、Ｌ０記録膜２２及び第１の誘
電体膜２１を順次形成する。これにより、Ｌ０層２０が
完成する。尚、スパッタリング直後におけるＬ０記録膜
２２の状態は通常アモルファス状態である。
【００４６】そして、図１に示されるように、Ｌ０層２
０上に、紫外線硬化性樹脂をスピンコートし、紫外線を
照射することによって光透過層１３を形成する。以上に
より、全ての成膜工程が完了する。本明細書において
は、成膜工程が完了した状態の光記録媒体を「光記録媒
体前駆体」と呼ぶことがある。
０上に、紫外線硬化性樹脂をスピンコートし、紫外線を
照射することによって光透過層１３を形成する。以上に
より、全ての成膜工程が完了する。本明細書において
は、成膜工程が完了した状態の光記録媒体を「光記録媒
体前駆体」と呼ぶことがある。
【００４７】次に、光記録媒体前駆体をレーザ照射装置
の回転テーブル（図示せず）に載置し、回転させながら
トラックに沿った方向における長さが短く、且つ、トラ
ックに垂直な方向における長さが長い矩形状のレーザビ
ームを連続的に照射し、光記録媒体前駆体が１回転する
ごとに照射位置をトラックに対して垂直な方向にずらす
ことによって、矩形状のレーザビームをＬ０記録膜２２
及びＬ１記録膜３２のほぼ全面に照射する。これによ
り、Ｌ０記録膜２２及びＬ１記録膜３２を構成する相変
化材料は結晶化温度以上の温度に加熱され、その後徐冷
されることから、Ｌ０記録膜２２及びＬ１記録膜３２の
実質的に全面が結晶状態、すなわち、未記録状態とな
る。このような工程は、一般に「初期化工程」と呼ばれ
る。
の回転テーブル（図示せず）に載置し、回転させながら
トラックに沿った方向における長さが短く、且つ、トラ
ックに垂直な方向における長さが長い矩形状のレーザビ
ームを連続的に照射し、光記録媒体前駆体が１回転する
ごとに照射位置をトラックに対して垂直な方向にずらす
ことによって、矩形状のレーザビームをＬ０記録膜２２
及びＬ１記録膜３２のほぼ全面に照射する。これによ
り、Ｌ０記録膜２２及びＬ１記録膜３２を構成する相変
化材料は結晶化温度以上の温度に加熱され、その後徐冷
されることから、Ｌ０記録膜２２及びＬ１記録膜３２の
実質的に全面が結晶状態、すなわち、未記録状態とな
る。このような工程は、一般に「初期化工程」と呼ばれ
る。
【００４８】かかる初期化工程が完了すると、光記録媒
体１０が完成する。
体１０が完成する。
【００４９】このようにして製造された光記録媒体１０
に対しては、上述の通り、レーザビームのフォーカスを
Ｌ０記録膜２２及びＬ１記録膜３２のいずれかに合わせ
て記録マークを形成することにより、所望のデジタルデ
ータを記録することができる。また、光記録媒体１０の
Ｌ０記録膜２２及び／又はＬ１記録膜３２にデータを記
録した後は、上述の通り、レーザビームのフォーカスを
Ｌ０記録膜２２及びＬ１記録膜３２のいずれかに合わせ
てその反射光量を検出することにより、記録されたデジ
タルデータを再生することができる。
に対しては、上述の通り、レーザビームのフォーカスを
Ｌ０記録膜２２及びＬ１記録膜３２のいずれかに合わせ
て記録マークを形成することにより、所望のデジタルデ
ータを記録することができる。また、光記録媒体１０の
Ｌ０記録膜２２及び／又はＬ１記録膜３２にデータを記
録した後は、上述の通り、レーザビームのフォーカスを
Ｌ０記録膜２２及びＬ１記録膜３２のいずれかに合わせ
てその反射光量を検出することにより、記録されたデジ
タルデータを再生することができる。
【００５０】次に、Ｌ０記録膜２２に対してデータの記
録を行う場合の記録ストラテジ及びＬ１記録膜３２に対
してデータの記録を行う場合の記録ストラテジについて
詳述する。
録を行う場合の記録ストラテジ及びＬ１記録膜３２に対
してデータの記録を行う場合の記録ストラテジについて
詳述する。
【００５１】上述のとおり、Ｌ１層３０には熱伝導性の
高い反射膜３４が設けられるため放熱性が高い一方、Ｌ
０層２０には反射膜が設けられないか、設けられる場合
であってもその膜厚が非常に薄く設定されるため放熱性
が低く、熱干渉によって再結晶化しやすい。このため、
本発明においては、Ｌ０記録膜２２に対して記録を行う
場合と、Ｌ１記録膜３２に対してデータの記録を行う場
合とで異なるストラテジを採用し、これにより、冷却効
果の低いＬ０記録膜２２における熱干渉を緩和してい
る。
高い反射膜３４が設けられるため放熱性が高い一方、Ｌ
０層２０には反射膜が設けられないか、設けられる場合
であってもその膜厚が非常に薄く設定されるため放熱性
が低く、熱干渉によって再結晶化しやすい。このため、
本発明においては、Ｌ０記録膜２２に対して記録を行う
場合と、Ｌ１記録膜３２に対してデータの記録を行う場
合とで異なるストラテジを採用し、これにより、冷却効
果の低いＬ０記録膜２２における熱干渉を緩和してい
る。
【００５２】以下、（１，７）ＲＬＬの変調方式を採用
する場合における記録ストラテジについて具体的に説明
する。以下に詳述するが、本実施態様では、Ｌ１記録膜
３２に対してデータの記録を行う場合には、レーザビー
ムの記録パワーＰｗをＰｗ１に設定し（以下、「１値記
録」と呼ぶことがある）、また、Ｌ０記録膜２２に対し
てデータの記録を行う場合には、レーザビームの記録パ
ワーＰｗをＰｗ０又はＰｗ０’のいずれかに設定してい
る（以下、「２値記録」と呼ぶことがある）。
する場合における記録ストラテジについて具体的に説明
する。以下に詳述するが、本実施態様では、Ｌ１記録膜
３２に対してデータの記録を行う場合には、レーザビー
ムの記録パワーＰｗをＰｗ１に設定し（以下、「１値記
録」と呼ぶことがある）、また、Ｌ０記録膜２２に対し
てデータの記録を行う場合には、レーザビームの記録パ
ワーＰｗをＰｗ０又はＰｗ０’のいずれかに設定してい
る（以下、「２値記録」と呼ぶことがある）。
【００５３】図６は、Ｌ１記録膜３２に対してデータの
記録を行う場合の記録ストラテジを示す図であり、
（ａ）は２Ｔ信号を形成する場合の記録ストラテジであ
り、（ｂ）は３Ｔ信号を形成する場合の記録ストラテジ
であり（ｃ）は４Ｔ信号を形成する場合の記録ストラテ
ジであり（ｄ）は５Ｔ〜８Ｔ信号を形成する場合の記録
ストラテジである。
記録を行う場合の記録ストラテジを示す図であり、
（ａ）は２Ｔ信号を形成する場合の記録ストラテジであ
り、（ｂ）は３Ｔ信号を形成する場合の記録ストラテジ
であり（ｃ）は４Ｔ信号を形成する場合の記録ストラテ
ジであり（ｄ）は５Ｔ〜８Ｔ信号を形成する場合の記録
ストラテジである。
【００５４】図６（ａ）〜（ｄ）に示すように、本実施
態様では、Ｌ１記録膜３２に対してデータの記録を行う
場合、レーザビームの強度は、記録パワー（Ｐｗ１）、
消去パワー（Ｐｅ１）及び基底パワー（Ｐｂ１）からな
る３つの強度に変調される。記録パワー（Ｐｗ１）の強
度としては、照射によってＬ１記録膜３２が溶融するよ
うな高いレベルに設定され、消去パワー（Ｐｅ１）の強
度としては、照射によってＬ１記録膜３２が結晶化温度
以上、の温度に達するようなレベルに設定され、基底パ
ワー（Ｐｂ１）の強度としては、照射されても、溶融し
ているＬ１記録膜３２が冷却されるような低いレベルに
設定される。
態様では、Ｌ１記録膜３２に対してデータの記録を行う
場合、レーザビームの強度は、記録パワー（Ｐｗ１）、
消去パワー（Ｐｅ１）及び基底パワー（Ｐｂ１）からな
る３つの強度に変調される。記録パワー（Ｐｗ１）の強
度としては、照射によってＬ１記録膜３２が溶融するよ
うな高いレベルに設定され、消去パワー（Ｐｅ１）の強
度としては、照射によってＬ１記録膜３２が結晶化温度
以上、の温度に達するようなレベルに設定され、基底パ
ワー（Ｐｂ１）の強度としては、照射されても、溶融し
ているＬ１記録膜３２が冷却されるような低いレベルに
設定される。
【００５５】記録パワー（Ｐｗ１）、消去パワー（Ｐｅ
１）及び基底パワー（Ｐｂ１）の各パワーは、光記録媒
体の構造や情報記録装置の光学系に応じて適宜決定すれ
ばよく、例えば、記録パワー（Ｐｗ１）としては７．０
ｍＷ〜１０．０ｍＷ程度に設定し、消去パワー（Ｐｅ
１）としては４．０ｍＷ〜７．０ｍＷ程度に設定し、基
底パワー（Ｐｂ１）としては０．１ｍＷ〜０．５ｍＷ程
度に設定すればよい。尚、記録パワー（Ｐｗ１）、消去
パワー（Ｐｅ１）及び基底パワー（Ｐｂ１）の値は、レ
ーザビームを照射した際の盤面における値である。
１）及び基底パワー（Ｐｂ１）の各パワーは、光記録媒
体の構造や情報記録装置の光学系に応じて適宜決定すれ
ばよく、例えば、記録パワー（Ｐｗ１）としては７．０
ｍＷ〜１０．０ｍＷ程度に設定し、消去パワー（Ｐｅ
１）としては４．０ｍＷ〜７．０ｍＷ程度に設定し、基
底パワー（Ｐｂ１）としては０．１ｍＷ〜０．５ｍＷ程
度に設定すればよい。尚、記録パワー（Ｐｗ１）、消去
パワー（Ｐｅ１）及び基底パワー（Ｐｂ１）の値は、レ
ーザビームを照射した際の盤面における値である。
【００５６】Ｌ１記録膜３２に記録マークを形成する場
合（Ｌ１記録膜３２をアモルファス状態にする場合）に
は、レーザビームを記録パワー（Ｐｗ１）或いは記録パ
ワー（Ｐｗ１）から基底パワー（Ｐｂ１）までの振幅を
有するパルス波形とすることによりＬ１記録膜３２を融
点以上に加熱し、その後、レーザビームを基底パワー
（Ｐｂ１）に設定することによりＬ１記録膜３２を急冷
する。一方、記録マークを消去する場合（Ｌ１記録膜３
２を結晶状態にする場合）には、レーザビームを消去パ
ワー（Ｐｅ１）に固定し、これによりＬ１記録膜３２を
結晶化温度以上の温度に加熱し、徐冷する。これによっ
て、Ｌ１記録膜３２に形成されている記録マークが固相
消去される。以下、具体的な記録ストラテジについて、
記録マークごとに詳述する。
合（Ｌ１記録膜３２をアモルファス状態にする場合）に
は、レーザビームを記録パワー（Ｐｗ１）或いは記録パ
ワー（Ｐｗ１）から基底パワー（Ｐｂ１）までの振幅を
有するパルス波形とすることによりＬ１記録膜３２を融
点以上に加熱し、その後、レーザビームを基底パワー
（Ｐｂ１）に設定することによりＬ１記録膜３２を急冷
する。一方、記録マークを消去する場合（Ｌ１記録膜３
２を結晶状態にする場合）には、レーザビームを消去パ
ワー（Ｐｅ１）に固定し、これによりＬ１記録膜３２を
結晶化温度以上の温度に加熱し、徐冷する。これによっ
て、Ｌ１記録膜３２に形成されている記録マークが固相
消去される。以下、具体的な記録ストラテジについて、
記録マークごとに詳述する。
【００５７】まず、図６（ａ）に示すように、Ｌ１記録
膜３２に対して２Ｔ信号を形成する場合、レーザビーム
のパルス数は「１」に設定され、その後、冷却期間Ｔｃ
ｌが挿入される。Ｌ１記録膜３２に対する記録において
レーザビームのパルス数とは、レーザビームの強度が記
録パワー（Ｐｗ１）まで高められた回数によって定義さ
れる。また、本明細書においては、レーザビームのパル
スのうち、先頭パルスをトップパルス、最終パルスをラ
ストパルス、トップパルスとラストパルスの間に存在す
るパルスをマルチパルスと定義する。但し、図６（ａ）
に示すように、パルス数が「１」である場合には、当該
パルスはトップパルスである。
膜３２に対して２Ｔ信号を形成する場合、レーザビーム
のパルス数は「１」に設定され、その後、冷却期間Ｔｃ
ｌが挿入される。Ｌ１記録膜３２に対する記録において
レーザビームのパルス数とは、レーザビームの強度が記
録パワー（Ｐｗ１）まで高められた回数によって定義さ
れる。また、本明細書においては、レーザビームのパル
スのうち、先頭パルスをトップパルス、最終パルスをラ
ストパルス、トップパルスとラストパルスの間に存在す
るパルスをマルチパルスと定義する。但し、図６（ａ）
に示すように、パルス数が「１」である場合には、当該
パルスはトップパルスである。
【００５８】また、冷却期間Ｔｃｌにおいては、レーザ
ビームの強度が基底パワー（Ｐｂ１）に設定される。こ
のように、本明細書においては、Ｌ１記録膜３２に対す
る記録においてレーザビームの強度が基底パワー（Ｐｂ
１）に設定される最後の期間を冷却期間と定義する。し
たがって、２Ｔ信号を形成する場合、レーザビームの強
度は、タイミングｔ１１以前においては消去パワー（Ｐ
ｅ１）に設定され、タイミングｔ１１からタイミングｔ
１２までの期間（Ｔｔｏｐ）においては記録パワー（Ｐ
ｗ１）に設定され、タイミングｔ１２からタイミングｔ
１３までの期間（Ｔｃｌ）においては基底パワー（Ｐｂ
１）に設定され、タイミングｔ１３以降においては消去
パワー（Ｐｅ１）に設定される。
ビームの強度が基底パワー（Ｐｂ１）に設定される。こ
のように、本明細書においては、Ｌ１記録膜３２に対す
る記録においてレーザビームの強度が基底パワー（Ｐｂ
１）に設定される最後の期間を冷却期間と定義する。し
たがって、２Ｔ信号を形成する場合、レーザビームの強
度は、タイミングｔ１１以前においては消去パワー（Ｐ
ｅ１）に設定され、タイミングｔ１１からタイミングｔ
１２までの期間（Ｔｔｏｐ）においては記録パワー（Ｐ
ｗ１）に設定され、タイミングｔ１２からタイミングｔ
１３までの期間（Ｔｃｌ）においては基底パワー（Ｐｂ
１）に設定され、タイミングｔ１３以降においては消去
パワー（Ｐｅ１）に設定される。
【００５９】ここで、トップパルスのパルス幅Ｔｔｏｐ
は、特に限定されるものではないが、０．３Ｔ〜０．５
Ｔ、特に０．４Ｔに設定することが好ましい。また、冷
却期間Ｔｃｌは、特に限定されるものではないが、０．
６Ｔ〜１．０Ｔ、特に０．８Ｔに設定することが好まし
い。
は、特に限定されるものではないが、０．３Ｔ〜０．５
Ｔ、特に０．４Ｔに設定することが好ましい。また、冷
却期間Ｔｃｌは、特に限定されるものではないが、０．
６Ｔ〜１．０Ｔ、特に０．８Ｔに設定することが好まし
い。
【００６０】また、図６（ｂ）に示すように、Ｌ１記録
膜３２に対して３Ｔ信号を形成する場合、レーザビーム
のパルス数は「２」に設定され、その後、冷却期間Ｔｃ
ｌが挿入される。したがって、３Ｔ信号を形成する場
合、レーザビームの強度は、タイミングｔ２１以前にお
いては消去パワー（Ｐｅ１）に設定され、タイミングｔ
２１からタイミングｔ２２までの期間（Ｔｔｏｐ）及び
タイミングｔ２３からタイミングｔ２４までの期間（Ｔ
ｌｐ）においては記録パワー（Ｐｗ１）に設定され、タ
イミングｔ２２からタイミングｔ２３までの期間（Ｔｏ
ｆｆ）及びタイミングｔ２４からタイミングｔ２５まで
の期間（Ｔｃｌ）においては基底パワー（Ｐｂ１）に設
定され、タイミングｔ２５以降においては消去パワー
（Ｐｅ１）に設定される。
膜３２に対して３Ｔ信号を形成する場合、レーザビーム
のパルス数は「２」に設定され、その後、冷却期間Ｔｃ
ｌが挿入される。したがって、３Ｔ信号を形成する場
合、レーザビームの強度は、タイミングｔ２１以前にお
いては消去パワー（Ｐｅ１）に設定され、タイミングｔ
２１からタイミングｔ２２までの期間（Ｔｔｏｐ）及び
タイミングｔ２３からタイミングｔ２４までの期間（Ｔ
ｌｐ）においては記録パワー（Ｐｗ１）に設定され、タ
イミングｔ２２からタイミングｔ２３までの期間（Ｔｏ
ｆｆ）及びタイミングｔ２４からタイミングｔ２５まで
の期間（Ｔｃｌ）においては基底パワー（Ｐｂ１）に設
定され、タイミングｔ２５以降においては消去パワー
（Ｐｅ１）に設定される。
【００６１】ここで、トップパルスのパルス幅Ｔｔｏｐ
は、特に限定されるものではないが、０．３Ｔ〜０．５
Ｔ、特に０．４Ｔに設定することが好ましい。また、ラ
ストパルスのパルス幅Ｔｌｐは、特に限定されるもので
はないが、０．４Ｔ〜０．６Ｔ、特に０．５Ｔに設定す
ることが好ましい。また、オフ期間Ｔｏｆｆは、特に限
定されるものではないが、１−Ｔｎｘｔに設定すること
が好ましい。ここでＴｎｘｔとは、オフ期間Ｔｏｆｆ直
前に存在するパルスのパルス幅であって、図６（ｂ）に
おいてはトップパルスのパルス幅Ｔｌｐに相当する。し
たがって、Ｔｔｏｐが０．４Ｔであればオフ期間Ｔｏｆ
ｆは０．６Ｔとなる。そして、冷却期間Ｔｃｌは、特に
限定されるものではないが、０．６Ｔ〜１．０Ｔ、特に
０．８Ｔに設定することが好ましい。
は、特に限定されるものではないが、０．３Ｔ〜０．５
Ｔ、特に０．４Ｔに設定することが好ましい。また、ラ
ストパルスのパルス幅Ｔｌｐは、特に限定されるもので
はないが、０．４Ｔ〜０．６Ｔ、特に０．５Ｔに設定す
ることが好ましい。また、オフ期間Ｔｏｆｆは、特に限
定されるものではないが、１−Ｔｎｘｔに設定すること
が好ましい。ここでＴｎｘｔとは、オフ期間Ｔｏｆｆ直
前に存在するパルスのパルス幅であって、図６（ｂ）に
おいてはトップパルスのパルス幅Ｔｌｐに相当する。し
たがって、Ｔｔｏｐが０．４Ｔであればオフ期間Ｔｏｆ
ｆは０．６Ｔとなる。そして、冷却期間Ｔｃｌは、特に
限定されるものではないが、０．６Ｔ〜１．０Ｔ、特に
０．８Ｔに設定することが好ましい。
【００６２】さらに、図６（ｃ）に示すように、Ｌ１記
録膜３２に対して４Ｔ信号を形成する場合、レーザビー
ムのパルス数は「３」に設定され、その後、冷却期間Ｔ
ｃｌが挿入される。したがって、４Ｔ信号を形成する場
合、レーザビームの強度は、タイミングｔ３１以前にお
いては消去パワー（Ｐｅ１）に設定され、タイミングｔ
３１からタイミングｔ３２までの期間（Ｔｔｏｐ）、タ
イミングｔ３３からタイミングｔ３４までの期間（Ｔｍ
ｐ）及びタイミングｔ３５からタイミングｔ３６までの
期間（Ｔｌｐ）においては記録パワー（Ｐｗ１）に設定
され、タイミングｔ３２からタイミングｔ３３までの期
間（Ｔｏｆｆ）、タイミングｔ３４からタイミングｔ３
５までの期間（Ｔｏｆｆ）及びタイミングｔ３６からタ
イミングｔ３７までの期間（Ｔｃｌ）においては基底パ
ワー（Ｐｂ１）に設定され、タイミングｔ３７以降にお
いては消去パワー（Ｐｅ１）に設定される。
録膜３２に対して４Ｔ信号を形成する場合、レーザビー
ムのパルス数は「３」に設定され、その後、冷却期間Ｔ
ｃｌが挿入される。したがって、４Ｔ信号を形成する場
合、レーザビームの強度は、タイミングｔ３１以前にお
いては消去パワー（Ｐｅ１）に設定され、タイミングｔ
３１からタイミングｔ３２までの期間（Ｔｔｏｐ）、タ
イミングｔ３３からタイミングｔ３４までの期間（Ｔｍ
ｐ）及びタイミングｔ３５からタイミングｔ３６までの
期間（Ｔｌｐ）においては記録パワー（Ｐｗ１）に設定
され、タイミングｔ３２からタイミングｔ３３までの期
間（Ｔｏｆｆ）、タイミングｔ３４からタイミングｔ３
５までの期間（Ｔｏｆｆ）及びタイミングｔ３６からタ
イミングｔ３７までの期間（Ｔｃｌ）においては基底パ
ワー（Ｐｂ１）に設定され、タイミングｔ３７以降にお
いては消去パワー（Ｐｅ１）に設定される。
【００６３】ここで、トップパルスのパルス幅Ｔｔｏｐ
及びマルチパルスのパルス幅Ｔｍｐは、特に限定される
ものではないが、０．３Ｔ〜０．５Ｔ、特に０．４Ｔに
設定することが好ましい。また、ラストパルスのパルス
幅Ｔｌｐは、特に限定されるものではないが、０．４Ｔ
〜０．６Ｔ、特に０．５Ｔに設定することが好ましい。
さらに、オフ期間Ｔｏｆｆは、特に限定されるものでは
ないが、１−Ｔｎｘｔに設定することが好ましい。ここ
でＴｎｘｔとは、オフ期間Ｔｏｆｆ直前に存在するパル
スのパルス幅であって、図６（ｃ）においてはトップパ
ルスのパルス幅Ｔｔｏｐ又はマルチパルスのパルス幅Ｔ
ｍｐに相当する。したがって、Ｔｔｏｐが０．４Ｔであ
ればオフ期間Ｔｏｆｆは０．６Ｔとなり、Ｔｍｐが０．
４Ｔであればオフ期間Ｔｏｆｆは０．６Ｔとなる。そし
て、冷却期間Ｔｃｌは、特に限定されるものではない
が、０．６Ｔ〜１．０Ｔ、特に０．８Ｔに設定すること
が好ましい。
及びマルチパルスのパルス幅Ｔｍｐは、特に限定される
ものではないが、０．３Ｔ〜０．５Ｔ、特に０．４Ｔに
設定することが好ましい。また、ラストパルスのパルス
幅Ｔｌｐは、特に限定されるものではないが、０．４Ｔ
〜０．６Ｔ、特に０．５Ｔに設定することが好ましい。
さらに、オフ期間Ｔｏｆｆは、特に限定されるものでは
ないが、１−Ｔｎｘｔに設定することが好ましい。ここ
でＴｎｘｔとは、オフ期間Ｔｏｆｆ直前に存在するパル
スのパルス幅であって、図６（ｃ）においてはトップパ
ルスのパルス幅Ｔｔｏｐ又はマルチパルスのパルス幅Ｔ
ｍｐに相当する。したがって、Ｔｔｏｐが０．４Ｔであ
ればオフ期間Ｔｏｆｆは０．６Ｔとなり、Ｔｍｐが０．
４Ｔであればオフ期間Ｔｏｆｆは０．６Ｔとなる。そし
て、冷却期間Ｔｃｌは、特に限定されるものではない
が、０．６Ｔ〜１．０Ｔ、特に０．８Ｔに設定すること
が好ましい。
【００６４】そして、図６（ｄ）に示すように、Ｌ１記
録膜３２に対して５Ｔ〜８Ｔ信号を形成する場合、レー
ザビームのパルス数は「４」〜「７」に設定され、その
後、冷却期間Ｔｃｌが挿入される。したがって、５Ｔ〜
８Ｔ信号を形成する場合、レーザビームの強度は、タイ
ミングｔ４１以前においては消去パワー（Ｐｅ１）に設
定され、タイミングｔ４１からタイミングｔ４２までの
期間（Ｔｔｏｐ）、タイミングｔ４３からタイミングｔ
４４までの期間（Ｔｍｐ）、タイミングｔ４５からタイ
ミングｔ４６までの期間（Ｔｍｐ）及びタイミングｔ４
７からタイミングｔ４８までの期間（Ｔｌｐ）において
は記録パワー（Ｐｗ１）に設定され、タイミングｔ４２
からタイミングｔ４３までの期間（Ｔｏｆｆ）、タイミ
ングｔ４４からタイミングｔ４５までの期間（Ｔｏｆ
ｆ）、タイミングｔ４６からタイミングｔ４７までの期
間（Ｔｏｆｆ）及びタイミングｔ４８からタイミングｔ
４９までの期間（Ｔｃｌ）においては基底パワー（Ｐｂ
１）に設定され、タイミングｔ４９以降においては消去
パワー（Ｐｅ１）に設定される。
録膜３２に対して５Ｔ〜８Ｔ信号を形成する場合、レー
ザビームのパルス数は「４」〜「７」に設定され、その
後、冷却期間Ｔｃｌが挿入される。したがって、５Ｔ〜
８Ｔ信号を形成する場合、レーザビームの強度は、タイ
ミングｔ４１以前においては消去パワー（Ｐｅ１）に設
定され、タイミングｔ４１からタイミングｔ４２までの
期間（Ｔｔｏｐ）、タイミングｔ４３からタイミングｔ
４４までの期間（Ｔｍｐ）、タイミングｔ４５からタイ
ミングｔ４６までの期間（Ｔｍｐ）及びタイミングｔ４
７からタイミングｔ４８までの期間（Ｔｌｐ）において
は記録パワー（Ｐｗ１）に設定され、タイミングｔ４２
からタイミングｔ４３までの期間（Ｔｏｆｆ）、タイミ
ングｔ４４からタイミングｔ４５までの期間（Ｔｏｆ
ｆ）、タイミングｔ４６からタイミングｔ４７までの期
間（Ｔｏｆｆ）及びタイミングｔ４８からタイミングｔ
４９までの期間（Ｔｃｌ）においては基底パワー（Ｐｂ
１）に設定され、タイミングｔ４９以降においては消去
パワー（Ｐｅ１）に設定される。
【００６５】ここで、トップパルスのパルス幅Ｔｔｏｐ
及びマルチパルスのパルス幅Ｔｍｐは、特に限定される
ものではないが、０．３Ｔ〜０．５Ｔ、特に０．４Ｔに
設定することが好ましい。また、ラストパルスのパルス
幅Ｔｌｐは、特に限定されるものではないが、０．４Ｔ
〜０．６Ｔ、特に０．５Ｔに設定することが好ましい。
さらに、オフ期間Ｔｏｆｆは、特に限定されるものでは
ないが、１−Ｔｎｘｔに設定することが好ましい。ここ
でＴｎｘｔとは、オフ期間Ｔｏｆｆ直前に存在するパル
スのパルス幅であって、図６（ｄ）においてはトップパ
ルスのパルス幅Ｔｔｏｐ又はマルチパルスのパルス幅Ｔ
ｍｐに相当する。したがって、Ｔｔｏｐが０．４Ｔであ
ればオフ期間Ｔｏｆｆは０．６Ｔとなり、Ｔｍｐが０．
４Ｔであればオフ期間Ｔｏｆｆは０．６Ｔとなる。そし
て、冷却期間Ｔｃｌは、特に限定されるものではない
が、０．６Ｔ〜１．０Ｔ、特に０．８Ｔに設定すること
が好ましい。
及びマルチパルスのパルス幅Ｔｍｐは、特に限定される
ものではないが、０．３Ｔ〜０．５Ｔ、特に０．４Ｔに
設定することが好ましい。また、ラストパルスのパルス
幅Ｔｌｐは、特に限定されるものではないが、０．４Ｔ
〜０．６Ｔ、特に０．５Ｔに設定することが好ましい。
さらに、オフ期間Ｔｏｆｆは、特に限定されるものでは
ないが、１−Ｔｎｘｔに設定することが好ましい。ここ
でＴｎｘｔとは、オフ期間Ｔｏｆｆ直前に存在するパル
スのパルス幅であって、図６（ｄ）においてはトップパ
ルスのパルス幅Ｔｔｏｐ又はマルチパルスのパルス幅Ｔ
ｍｐに相当する。したがって、Ｔｔｏｐが０．４Ｔであ
ればオフ期間Ｔｏｆｆは０．６Ｔとなり、Ｔｍｐが０．
４Ｔであればオフ期間Ｔｏｆｆは０．６Ｔとなる。そし
て、冷却期間Ｔｃｌは、特に限定されるものではない
が、０．６Ｔ〜１．０Ｔ、特に０．８Ｔに設定すること
が好ましい。
【００６６】以上により、記録信号（２Ｔ信号〜８Ｔ信
号）を形成すべき領域においては、記録パワー（Ｐｗ
１）をもつレーザビームの照射によって溶融したＬ１記
録膜３２が冷却期間Ｔｃｌにおいて急冷され、アモルフ
ァス状態となる。一方、その他の領域においては、消去
パワー（Ｐｅ１）をもつレーザビームの照射によってＬ
１記録膜３２が結晶化温度以上の温度に加熱され、その
後レーザビームが遠ざかるにことによって徐冷され、結
晶状態となる。
号）を形成すべき領域においては、記録パワー（Ｐｗ
１）をもつレーザビームの照射によって溶融したＬ１記
録膜３２が冷却期間Ｔｃｌにおいて急冷され、アモルフ
ァス状態となる。一方、その他の領域においては、消去
パワー（Ｐｅ１）をもつレーザビームの照射によってＬ
１記録膜３２が結晶化温度以上の温度に加熱され、その
後レーザビームが遠ざかるにことによって徐冷され、結
晶状態となる。
【００６７】以上が、Ｌ１記録膜３２に対してデータの
記録を行う場合の記録ストラテジである。このように、
本実施態様においては、光入射面１３ａから遠いＬ１記
録膜３２に対してデータの記録を行う場合、レーザビー
ムのトップパルス、マルチパルス及びラストパルスの記
録パワーＰｗを一律にＰｗ１に設定していることから、
良好な形状をもった記録マークを形成することが可能と
なる。
記録を行う場合の記録ストラテジである。このように、
本実施態様においては、光入射面１３ａから遠いＬ１記
録膜３２に対してデータの記録を行う場合、レーザビー
ムのトップパルス、マルチパルス及びラストパルスの記
録パワーＰｗを一律にＰｗ１に設定していることから、
良好な形状をもった記録マークを形成することが可能と
なる。
【００６８】次に、Ｌ０記録膜２２に対してデータの記
録を行う場合の記録ストラテジについて詳述する。
録を行う場合の記録ストラテジについて詳述する。
【００６９】図７は、Ｌ０記録膜２２に対してデータの
記録を行う場合の記録ストラテジを示す図であり、
（ａ）は２Ｔ信号を形成する場合の記録ストラテジであ
り、（ｂ）は３Ｔ信号を形成する場合の記録ストラテジ
であり、（ｃ）は４Ｔ信号を形成する場合の記録ストラ
テジであり、（ｄ）は５Ｔ信号〜８Ｔ信号を形成する場
合の記録ストラテジである。
記録を行う場合の記録ストラテジを示す図であり、
（ａ）は２Ｔ信号を形成する場合の記録ストラテジであ
り、（ｂ）は３Ｔ信号を形成する場合の記録ストラテジ
であり、（ｃ）は４Ｔ信号を形成する場合の記録ストラ
テジであり、（ｄ）は５Ｔ信号〜８Ｔ信号を形成する場
合の記録ストラテジである。
【００７０】図７（ａ）〜（ｄ）に示すように、本実施
態様では、Ｌ０記録膜２２に対してデータの記録を行う
場合、レーザビームの強度は、記録パワー（Ｐｗ０）、
記録パワー（Ｐｗ０’）、消去パワー（Ｐｅ０）及び基
底パワー（Ｐｂ０）からなる４つの強度に変調される。
記録パワー（Ｐｗ０）及び（Ｐｗ０’）の強度として
は、照射によってＬ０記録膜２２が溶融するような高い
レベルに設定され、消去パワー（Ｐｅ０）の強度として
は、照射によってＬ０記録膜２２が結晶化温度以上の温
度に達するようなレベルに設定され、基底パワー（Ｐｂ
０）の強度としては、照射されても、溶融しているＬ０
記録膜２２が冷却されるような低いレベルに設定され
る。
態様では、Ｌ０記録膜２２に対してデータの記録を行う
場合、レーザビームの強度は、記録パワー（Ｐｗ０）、
記録パワー（Ｐｗ０’）、消去パワー（Ｐｅ０）及び基
底パワー（Ｐｂ０）からなる４つの強度に変調される。
記録パワー（Ｐｗ０）及び（Ｐｗ０’）の強度として
は、照射によってＬ０記録膜２２が溶融するような高い
レベルに設定され、消去パワー（Ｐｅ０）の強度として
は、照射によってＬ０記録膜２２が結晶化温度以上の温
度に達するようなレベルに設定され、基底パワー（Ｐｂ
０）の強度としては、照射されても、溶融しているＬ０
記録膜２２が冷却されるような低いレベルに設定され
る。
【００７１】記録パワー（Ｐｗ０）、消去パワー（Ｐｅ
０）及び基底パワー（Ｐｂ０）の各パワーは、光記録媒
体の構造や情報記録装置の光学系に応じて適宜決定すれ
ばよく、例えば、記録パワー（Ｐｗ０）としては５．０
ｍＷ〜６．６ｍＷ程度に設定し、消去パワー（Ｐｅ０）
としては１．３ｍＷ〜１．７ｍＷ程度に設定し、基底パ
ワー（Ｐｂ０）としては０．１ｍＷ〜０．５ｍＷ程度に
設定すればよい。また、記録パワー（Ｐｗ０’）として
は記録パワーＰｗ０より低いレベル、例えばＰｗ０の
０．９倍程度（０．９×Ｐｗ０）に設定すればよい。
尚、記録パワー（Ｐｗ０）、記録パワー（Ｐｗ０’）、
消去パワー（Ｐｅ０）及び基底パワー（Ｐｂ０）の値
は、レーザビームを照射した際の盤面における値であ
る。
０）及び基底パワー（Ｐｂ０）の各パワーは、光記録媒
体の構造や情報記録装置の光学系に応じて適宜決定すれ
ばよく、例えば、記録パワー（Ｐｗ０）としては５．０
ｍＷ〜６．６ｍＷ程度に設定し、消去パワー（Ｐｅ０）
としては１．３ｍＷ〜１．７ｍＷ程度に設定し、基底パ
ワー（Ｐｂ０）としては０．１ｍＷ〜０．５ｍＷ程度に
設定すればよい。また、記録パワー（Ｐｗ０’）として
は記録パワーＰｗ０より低いレベル、例えばＰｗ０の
０．９倍程度（０．９×Ｐｗ０）に設定すればよい。
尚、記録パワー（Ｐｗ０）、記録パワー（Ｐｗ０’）、
消去パワー（Ｐｅ０）及び基底パワー（Ｐｂ０）の値
は、レーザビームを照射した際の盤面における値であ
る。
【００７２】Ｌ０記録膜２２に記録マークを形成する場
合（Ｌ０記録膜２２をアモルファス状態にする場合）に
は、レーザビームを記録パワー（Ｐｗ０）或いは記録パ
ワー（Ｐｗ０）から基底パワー（Ｐｂ０）までの振幅を
有するパルス波形とすることにより、又は記録パワー
（Ｐｗ０’）或いは記録パワー（Ｐｗ０’）から基底パ
ワー（Ｐｂ０）までの振幅を有するパルス波形とするこ
とにより、Ｌ０記録膜２２を融点以上に加熱し、その
後、レーザビームを基底パワー（Ｐｂ０）に設定するこ
とによりＬ０記録膜２２を急冷する。一方、記録マーク
を消去する場合（Ｌ０記録膜２２を結晶状態にする場
合）には、レーザビームを消去パワー（Ｐｅ０）に固定
し、これによりＬ０記録膜２２を結晶化温度以上の温度
に加熱し、徐冷する。これによって、Ｌ０記録膜２２に
形成されている記録マークが消去される。以下、具体的
な記録ストラテジについて、記録マークごとに詳述す
る。
合（Ｌ０記録膜２２をアモルファス状態にする場合）に
は、レーザビームを記録パワー（Ｐｗ０）或いは記録パ
ワー（Ｐｗ０）から基底パワー（Ｐｂ０）までの振幅を
有するパルス波形とすることにより、又は記録パワー
（Ｐｗ０’）或いは記録パワー（Ｐｗ０’）から基底パ
ワー（Ｐｂ０）までの振幅を有するパルス波形とするこ
とにより、Ｌ０記録膜２２を融点以上に加熱し、その
後、レーザビームを基底パワー（Ｐｂ０）に設定するこ
とによりＬ０記録膜２２を急冷する。一方、記録マーク
を消去する場合（Ｌ０記録膜２２を結晶状態にする場
合）には、レーザビームを消去パワー（Ｐｅ０）に固定
し、これによりＬ０記録膜２２を結晶化温度以上の温度
に加熱し、徐冷する。これによって、Ｌ０記録膜２２に
形成されている記録マークが消去される。以下、具体的
な記録ストラテジについて、記録マークごとに詳述す
る。
【００７３】まず、図７（ａ）に示すように、Ｌ０記録
膜２２に対して２Ｔ信号を形成する場合、レーザビーム
のパルス数は「１」に設定され、その後、冷却期間Ｔｃ
ｌが挿入される。Ｌ０記録膜２２に対する記録において
は、レーザビームのパルス数とは、レーザビームの強度
が記録パワー（Ｐｗ０）或いは（Ｐｗ０’）まで高めら
れた回数によって定義される。
膜２２に対して２Ｔ信号を形成する場合、レーザビーム
のパルス数は「１」に設定され、その後、冷却期間Ｔｃ
ｌが挿入される。Ｌ０記録膜２２に対する記録において
は、レーザビームのパルス数とは、レーザビームの強度
が記録パワー（Ｐｗ０）或いは（Ｐｗ０’）まで高めら
れた回数によって定義される。
【００７４】また、冷却期間Ｔｃｌにおいては、レーザ
ビームの強度が基底パワー（Ｐｂ０）に設定される。こ
のように、本明細書においては、Ｌ０記録膜２２に対す
る記録においてレーザビームの強度が基底パワー（Ｐｂ
０）に設定される最後の期間を冷却期間と定義する。し
たがって、２Ｔ信号を形成する場合、レーザビームの強
度は、タイミングｔ５１以前においては消去パワー（Ｐ
ｅ０）に設定され、タイミングｔ５１からタイミングｔ
５２までの期間（Ｔｔｏｐ）においては記録パワー（Ｐ
ｗ０’）に設定され、タイミングｔ５２からタイミング
ｔ５３までの期間（Ｔｃｌ）においては基底パワー（Ｐ
ｂ０）に設定され、タイミングｔ５３以降においては消
去パワー（Ｐｅ０）に設定される。
ビームの強度が基底パワー（Ｐｂ０）に設定される。こ
のように、本明細書においては、Ｌ０記録膜２２に対す
る記録においてレーザビームの強度が基底パワー（Ｐｂ
０）に設定される最後の期間を冷却期間と定義する。し
たがって、２Ｔ信号を形成する場合、レーザビームの強
度は、タイミングｔ５１以前においては消去パワー（Ｐ
ｅ０）に設定され、タイミングｔ５１からタイミングｔ
５２までの期間（Ｔｔｏｐ）においては記録パワー（Ｐ
ｗ０’）に設定され、タイミングｔ５２からタイミング
ｔ５３までの期間（Ｔｃｌ）においては基底パワー（Ｐ
ｂ０）に設定され、タイミングｔ５３以降においては消
去パワー（Ｐｅ０）に設定される。
【００７５】ここで、トップパルスのパルス幅Ｔｔｏｐ
は、特に限定されるものではないが、０．２Ｔ〜０．４
Ｔ、特に０．３Ｔに設定することが好ましい。また、冷
却期間Ｔｃｌは、特に限定されるものではないが、０．
８Ｔ〜１．２Ｔ、特に１．０Ｔに設定することが好まし
い。
は、特に限定されるものではないが、０．２Ｔ〜０．４
Ｔ、特に０．３Ｔに設定することが好ましい。また、冷
却期間Ｔｃｌは、特に限定されるものではないが、０．
８Ｔ〜１．２Ｔ、特に１．０Ｔに設定することが好まし
い。
【００７６】また、図７（ｂ）に示すように、Ｌ０記録
膜２２に対して３Ｔ信号を形成する場合、レーザビーム
のパルス数は「２」に設定され、その後、冷却期間Ｔｃ
ｌが挿入される。したがって、３Ｔ信号を形成する場
合、レーザビームの強度は、タイミングｔ６１以前にお
いては消去パワー（Ｐｅ０）に設定され、タイミングｔ
６１からタイミングｔ６２までの期間（Ｔｔｏｐ）及び
タイミングｔ６３からタイミングｔ６４までの期間（Ｔ
ｌｐ）においては記録パワー（Ｐｗ０’）に設定され、
タイミングｔ６２からタイミングｔ６３までの期間（Ｔ
ｏｆｆ）及びタイミングｔ６４からタイミングｔ６５ま
での期間（Ｔｃｌ）においては基底パワー（Ｐｂ０）に
設定され、タイミングｔ６５以降においては消去パワー
（Ｐｅ０）に設定される。
膜２２に対して３Ｔ信号を形成する場合、レーザビーム
のパルス数は「２」に設定され、その後、冷却期間Ｔｃ
ｌが挿入される。したがって、３Ｔ信号を形成する場
合、レーザビームの強度は、タイミングｔ６１以前にお
いては消去パワー（Ｐｅ０）に設定され、タイミングｔ
６１からタイミングｔ６２までの期間（Ｔｔｏｐ）及び
タイミングｔ６３からタイミングｔ６４までの期間（Ｔ
ｌｐ）においては記録パワー（Ｐｗ０’）に設定され、
タイミングｔ６２からタイミングｔ６３までの期間（Ｔ
ｏｆｆ）及びタイミングｔ６４からタイミングｔ６５ま
での期間（Ｔｃｌ）においては基底パワー（Ｐｂ０）に
設定され、タイミングｔ６５以降においては消去パワー
（Ｐｅ０）に設定される。
【００７７】ここで、トップパルスのパルス幅Ｔｔｏｐ
及びラストパルスのパルス幅Ｔｌｐは、特に限定される
ものではないが、０．１５Ｔ〜０．３Ｔ、特に０．２Ｔ
に設定することが好ましい。また、オフ期間Ｔｏｆｆ
は、特に限定されるものではないが、１−Ｔｎｘｔに設
定することが好ましい。ここでＴｎｘｔとは、オフ期間
Ｔｏｆｆ直前に存在するパルスのパルス幅であって、図
７（ｂ）においてはトップパルスのパルス幅Ｔｌｐに相
当する。したがって、Ｔｌｐが０．２Ｔであればオフ期
間Ｔｏｆｆは０．８Ｔとなる。そして、冷却期間Ｔｃｌ
は、特に限定されるものではないが、０．８Ｔ〜１．２
Ｔ、特に１．０Ｔに設定することが好ましい。
及びラストパルスのパルス幅Ｔｌｐは、特に限定される
ものではないが、０．１５Ｔ〜０．３Ｔ、特に０．２Ｔ
に設定することが好ましい。また、オフ期間Ｔｏｆｆ
は、特に限定されるものではないが、１−Ｔｎｘｔに設
定することが好ましい。ここでＴｎｘｔとは、オフ期間
Ｔｏｆｆ直前に存在するパルスのパルス幅であって、図
７（ｂ）においてはトップパルスのパルス幅Ｔｌｐに相
当する。したがって、Ｔｌｐが０．２Ｔであればオフ期
間Ｔｏｆｆは０．８Ｔとなる。そして、冷却期間Ｔｃｌ
は、特に限定されるものではないが、０．８Ｔ〜１．２
Ｔ、特に１．０Ｔに設定することが好ましい。
【００７８】さらに、図７（ｃ）に示すように、Ｌ０記
録膜２２に対して４Ｔ信号を形成する場合、レーザビー
ムのパルス数は「３」に設定され、その後、冷却期間Ｔ
ｃｌが挿入される。したがって、４Ｔ信号を形成する場
合、レーザビームの強度は、タイミングｔ７１以前にお
いては消去パワー（Ｐｅ０）に設定され、タイミングｔ
７１からタイミングｔ７２までの期間（Ｔｔｏｐ）及び
タイミングｔ７５からタイミングｔ７６までの期間（Ｔ
ｌｐ）においては記録パワー（Ｐｗ０’）に設定され、
タイミングｔ７３からタイミングｔ７４までの期間（Ｔ
ｍｐ）においては記録パワー（Ｐｗ０）に設定され、タ
イミングｔ７２からタイミングｔ７３までの期間（Ｔｏ
ｆｆ）、タイミングｔ７４からタイミングｔ７５までの
期間（Ｔｏｆｆ）及びタイミングｔ７６からタイミング
ｔ７７までの期間（Ｔｃｌ）においては基底パワー（Ｐ
ｂ０）に設定され、タイミングｔ７７以降においては消
去パワー（Ｐｅ０）に設定される。
録膜２２に対して４Ｔ信号を形成する場合、レーザビー
ムのパルス数は「３」に設定され、その後、冷却期間Ｔ
ｃｌが挿入される。したがって、４Ｔ信号を形成する場
合、レーザビームの強度は、タイミングｔ７１以前にお
いては消去パワー（Ｐｅ０）に設定され、タイミングｔ
７１からタイミングｔ７２までの期間（Ｔｔｏｐ）及び
タイミングｔ７５からタイミングｔ７６までの期間（Ｔ
ｌｐ）においては記録パワー（Ｐｗ０’）に設定され、
タイミングｔ７３からタイミングｔ７４までの期間（Ｔ
ｍｐ）においては記録パワー（Ｐｗ０）に設定され、タ
イミングｔ７２からタイミングｔ７３までの期間（Ｔｏ
ｆｆ）、タイミングｔ７４からタイミングｔ７５までの
期間（Ｔｏｆｆ）及びタイミングｔ７６からタイミング
ｔ７７までの期間（Ｔｃｌ）においては基底パワー（Ｐ
ｂ０）に設定され、タイミングｔ７７以降においては消
去パワー（Ｐｅ０）に設定される。
【００７９】ここで、トップパルスのパルス幅Ｔｔｏ
ｐ、マルチパルスのパルス幅Ｔｍｐ及びラストパルスの
パルス幅Ｔｌｐは、特に限定されるものではないが、
０．１５Ｔ〜０．３Ｔ、特に０．２Ｔに設定することが
好ましい。さらに、オフ期間Ｔｏｆｆは、特に限定され
るものではないが、１−Ｔｎｘｔに設定することが好ま
しい。ここでＴｎｘｔとは、オフ期間Ｔｏｆｆ直前に存
在するパルスのパルス幅であって、図７（ｃ）において
はトップパルスのパルス幅Ｔｍｐ又はマルチパルスのパ
ルス幅Ｔｌｐに相当する。したがって、Ｔｔｏｐが０．
２Ｔであればオフ期間Ｔｏｆｆは０．８Ｔとなり、Ｔｍ
ｐが０．２Ｔであればオフ期間Ｔｏｆｆは０．８Ｔとな
る。そして、冷却期間Ｔｃｌは、特に限定されるもので
はないが、０．８Ｔ〜１．２Ｔ、特に１．０Ｔに設定す
ることが好ましい。
ｐ、マルチパルスのパルス幅Ｔｍｐ及びラストパルスの
パルス幅Ｔｌｐは、特に限定されるものではないが、
０．１５Ｔ〜０．３Ｔ、特に０．２Ｔに設定することが
好ましい。さらに、オフ期間Ｔｏｆｆは、特に限定され
るものではないが、１−Ｔｎｘｔに設定することが好ま
しい。ここでＴｎｘｔとは、オフ期間Ｔｏｆｆ直前に存
在するパルスのパルス幅であって、図７（ｃ）において
はトップパルスのパルス幅Ｔｍｐ又はマルチパルスのパ
ルス幅Ｔｌｐに相当する。したがって、Ｔｔｏｐが０．
２Ｔであればオフ期間Ｔｏｆｆは０．８Ｔとなり、Ｔｍ
ｐが０．２Ｔであればオフ期間Ｔｏｆｆは０．８Ｔとな
る。そして、冷却期間Ｔｃｌは、特に限定されるもので
はないが、０．８Ｔ〜１．２Ｔ、特に１．０Ｔに設定す
ることが好ましい。
【００８０】そして、図７（ｄ）に示すように、Ｌ０記
録膜２２に対して５Ｔ信号〜８Ｔ信号を形成する場合、
レーザビームのパルス数はそれぞれ「４」〜「７」に設
定され、その後、冷却期間Ｔｃｌが挿入される。したが
って、マルチパルスの数は、５Ｔ信号〜８Ｔ信号を形成
する場合それぞれ「２」〜「５」に設定される。この場
合も、Ｔｔｏｐ（タイミングｔ８１からタイミングｔ８
２までの期間）及びＴｌｐの期間（タイミングｔ８７か
らタイミングｔ８８までの期間）においては記録パワー
（Ｐｗ０’）に設定され、Ｔｍｐ（タイミングｔ８３か
らタイミングｔ８４までの期間、タイミングｔ８５から
タイミングｔ８６までの期間等）においては記録パワー
（Ｐｗ０）に設定され、オフ期間Ｔｏｆｆ（タイミング
ｔ８２からタイミングｔ８３までの期間、タイミングｔ
８６からタイミングｔ８７までの期間等）及び冷却期間
Ｔｃｌ（タイミングｔ８８からタイミングｔ８９までの
期間）においては基底パワー（Ｐｂ０）に設定され、そ
の他の期間においては消去パワー（Ｐｅ０）に設定され
る。
録膜２２に対して５Ｔ信号〜８Ｔ信号を形成する場合、
レーザビームのパルス数はそれぞれ「４」〜「７」に設
定され、その後、冷却期間Ｔｃｌが挿入される。したが
って、マルチパルスの数は、５Ｔ信号〜８Ｔ信号を形成
する場合それぞれ「２」〜「５」に設定される。この場
合も、Ｔｔｏｐ（タイミングｔ８１からタイミングｔ８
２までの期間）及びＴｌｐの期間（タイミングｔ８７か
らタイミングｔ８８までの期間）においては記録パワー
（Ｐｗ０’）に設定され、Ｔｍｐ（タイミングｔ８３か
らタイミングｔ８４までの期間、タイミングｔ８５から
タイミングｔ８６までの期間等）においては記録パワー
（Ｐｗ０）に設定され、オフ期間Ｔｏｆｆ（タイミング
ｔ８２からタイミングｔ８３までの期間、タイミングｔ
８６からタイミングｔ８７までの期間等）及び冷却期間
Ｔｃｌ（タイミングｔ８８からタイミングｔ８９までの
期間）においては基底パワー（Ｐｂ０）に設定され、そ
の他の期間においては消去パワー（Ｐｅ０）に設定され
る。
【００８１】ここで、トップパルスのパルス幅Ｔｔｏ
ｐ、マルチパルスのパルス幅Ｔｍｐ及びラストパルスの
パルス幅Ｔｌｐは、特に限定されるものではないが、
０．１５Ｔ〜０．３Ｔ、特に０．２Ｔに設定することが
好ましい。さらに、オフ期間Ｔｏｆｆは、特に限定され
るものではないが、１−Ｔｎｘｔに設定することが好ま
しい。ここでＴｎｘｔとは、オフ期間Ｔｏｆｆ直前に存
在するパルスのパルス幅であって、図７（ｄ）において
はトップパルスのパルス幅Ｔｍｐ又はマルチパルスのパ
ルス幅Ｔｌｐに相当する。したがって、Ｔｔｏｐが０．
２Ｔであればオフ期間Ｔｏｆｆは０．８Ｔとなり、Ｔｍ
ｐが０．２Ｔであればオフ期間Ｔｏｆｆは０．８Ｔとな
る。そして、冷却期間Ｔｃｌは、特に限定されるもので
はないが、０．８Ｔ〜１．２Ｔ、特に１．０Ｔに設定す
ることが好ましい。
ｐ、マルチパルスのパルス幅Ｔｍｐ及びラストパルスの
パルス幅Ｔｌｐは、特に限定されるものではないが、
０．１５Ｔ〜０．３Ｔ、特に０．２Ｔに設定することが
好ましい。さらに、オフ期間Ｔｏｆｆは、特に限定され
るものではないが、１−Ｔｎｘｔに設定することが好ま
しい。ここでＴｎｘｔとは、オフ期間Ｔｏｆｆ直前に存
在するパルスのパルス幅であって、図７（ｄ）において
はトップパルスのパルス幅Ｔｍｐ又はマルチパルスのパ
ルス幅Ｔｌｐに相当する。したがって、Ｔｔｏｐが０．
２Ｔであればオフ期間Ｔｏｆｆは０．８Ｔとなり、Ｔｍ
ｐが０．２Ｔであればオフ期間Ｔｏｆｆは０．８Ｔとな
る。そして、冷却期間Ｔｃｌは、特に限定されるもので
はないが、０．８Ｔ〜１．２Ｔ、特に１．０Ｔに設定す
ることが好ましい。
【００８２】以上により、記録信号（２Ｔ信号〜８Ｔ信
号）を形成すべき領域においては、記録パワー（Ｐｗ
０）及び／又は記録パワー（Ｐｗ０’）をもつレーザビ
ームの照射によって溶融したＬ０記録膜２２が冷却期間
Ｔｃｌにおいて急冷され、アモルファス状態となる。一
方、その他の領域においては、消去パワー（Ｐｅ０）を
もつレーザビームの照射によってＬ０記録膜２２が結晶
化温度以上の温度に加熱され、その後レーザビームが遠
ざかるにことによって徐冷され、結晶状態となる。
号）を形成すべき領域においては、記録パワー（Ｐｗ
０）及び／又は記録パワー（Ｐｗ０’）をもつレーザビ
ームの照射によって溶融したＬ０記録膜２２が冷却期間
Ｔｃｌにおいて急冷され、アモルファス状態となる。一
方、その他の領域においては、消去パワー（Ｐｅ０）を
もつレーザビームの照射によってＬ０記録膜２２が結晶
化温度以上の温度に加熱され、その後レーザビームが遠
ざかるにことによって徐冷され、結晶状態となる。
【００８３】以上が、Ｌ０記録膜２２に対してデータの
記録を行う場合の記録ストラテジである。このように、
本実施態様においては、光入射面１３ａに近いＬ０記録
膜２２に対してデータの記録を行う場合、レーザビーム
のトップパルス及びラストパルスの記録パワーをマルチ
パルスの記録パワーＰｗ０より低い記録パワーＰｗ０’
に設定していることから、冷却効果の低いＬ０記録膜２
２における熱干渉が緩和され、再結晶化現象を抑制する
ことが可能となる。
記録を行う場合の記録ストラテジである。このように、
本実施態様においては、光入射面１３ａに近いＬ０記録
膜２２に対してデータの記録を行う場合、レーザビーム
のトップパルス及びラストパルスの記録パワーをマルチ
パルスの記録パワーＰｗ０より低い記録パワーＰｗ０’
に設定していることから、冷却効果の低いＬ０記録膜２
２における熱干渉が緩和され、再結晶化現象を抑制する
ことが可能となる。
【００８４】以上説明したＬ０層２０及びＬ１層３０に
それぞれ対応する記録ストラテジを特定するための情報
は、「記録条件設定情報」として当該光記録媒体１０内
に保存しておくことが好ましい。このような記録条件設
定情報を光記録媒体１０内に保存しておけば、ユーザが
実際にデータの記録を行う際に、情報記録装置によって
かかる記録条件設定情報が読み出され、これに基づいて
記録ストラテジを決定することが可能となる。したがっ
て、例えば、ユーザがＬ１層３０に対するデータの記録
を指示した場合には、情報記録装置は図６に示した記録
ストラテジを用いてデータの記録を行い、ユーザがＬ０
層２０に対するデータの記録を指示した場合には、情報
記録装置は図７に示した記録ストラテジを用いてデータ
の記録を行う。
それぞれ対応する記録ストラテジを特定するための情報
は、「記録条件設定情報」として当該光記録媒体１０内
に保存しておくことが好ましい。このような記録条件設
定情報を光記録媒体１０内に保存しておけば、ユーザが
実際にデータの記録を行う際に、情報記録装置によって
かかる記録条件設定情報が読み出され、これに基づいて
記録ストラテジを決定することが可能となる。したがっ
て、例えば、ユーザがＬ１層３０に対するデータの記録
を指示した場合には、情報記録装置は図６に示した記録
ストラテジを用いてデータの記録を行い、ユーザがＬ０
層２０に対するデータの記録を指示した場合には、情報
記録装置は図７に示した記録ストラテジを用いてデータ
の記録を行う。
【００８５】記録条件設定情報としては、Ｌ０層２０及
びＬ１層３０にそれぞれ対応する記録ストラテジのみな
らず、光記録媒体１０に対してデータの記録を行う場合
に必要な各種条件（記録線速度等）を特定するために必
要な情報を含んでいることがより好ましい。記録条件設
定情報は、ウォブルやプレピットとして記録されたもの
でもよく、Ｌ０記録膜２２及び／又はＬ１記録膜３２に
データとして記録されたものでもよい。また、データの
記録に必要な各条件を直接的に示すもののみならず、情
報記録装置内にあらかじめ格納されている各種条件のい
ずれかを指定することにより記録ストラテジの特定を間
接的に行うものであっても構わない。
びＬ１層３０にそれぞれ対応する記録ストラテジのみな
らず、光記録媒体１０に対してデータの記録を行う場合
に必要な各種条件（記録線速度等）を特定するために必
要な情報を含んでいることがより好ましい。記録条件設
定情報は、ウォブルやプレピットとして記録されたもの
でもよく、Ｌ０記録膜２２及び／又はＬ１記録膜３２に
データとして記録されたものでもよい。また、データの
記録に必要な各条件を直接的に示すもののみならず、情
報記録装置内にあらかじめ格納されている各種条件のい
ずれかを指定することにより記録ストラテジの特定を間
接的に行うものであっても構わない。
【００８６】図８は、光記録媒体１０に対してデータの
記録を行うための情報記録装置５０の主要部を概略的に
示す図である。
記録を行うための情報記録装置５０の主要部を概略的に
示す図である。
【００８７】情報記録装置５０は、図８に示すように光
記録媒体１０を回転させるためのスピンドルモータ５２
と、光記録媒体１０にレーザビームを照射するとともに
その反射光を受光するヘッド５３と、スピンドルモータ
５２及びヘッド５３の動作を制御するコントローラ５４
と、ヘッド５３にレーザ駆動信号を供給するレーザ駆動
回路５５と、ヘッド５３にレンズ駆動信号を供給するレ
ンズ駆動回路５６とを備えている。
記録媒体１０を回転させるためのスピンドルモータ５２
と、光記録媒体１０にレーザビームを照射するとともに
その反射光を受光するヘッド５３と、スピンドルモータ
５２及びヘッド５３の動作を制御するコントローラ５４
と、ヘッド５３にレーザ駆動信号を供給するレーザ駆動
回路５５と、ヘッド５３にレンズ駆動信号を供給するレ
ンズ駆動回路５６とを備えている。
【００８８】さらに、図８に示すように、コントローラ
５４にはフォーカスサーボ追従回路５７、トラッキング
サーボ追従回路５８及びレーザコントロール回路５９が
含まれている。フォーカスサーボ追従回路５７が活性化
すると、回転している光記録媒体１０の記録面にフォー
カスがかかった状態となり、トラッキングサーボ追従回
路５８が活性化すると、光記録媒体１０の偏芯している
信号トラックに対して、レーザビームのスポットが自動
追従状態となる。フォーカスサーボ追従回路５７及びト
ラッキングサーボ追従回路５８には、フォーカスゲイン
を自動調整するためのオートゲインコントロール機能及
びトラッキングゲインを自動調整するためのオートゲイ
ンコントロール機能がそれぞれ備えられている。また、
レーザコントロール回路５９は、レーザ駆動回路５５に
より供給されるレーザ駆動信号を生成する回路であり、
光記録媒体１０に記録されている記録条件設定情報に基
づいて、適切なレーザ駆動信号の生成を行う。
５４にはフォーカスサーボ追従回路５７、トラッキング
サーボ追従回路５８及びレーザコントロール回路５９が
含まれている。フォーカスサーボ追従回路５７が活性化
すると、回転している光記録媒体１０の記録面にフォー
カスがかかった状態となり、トラッキングサーボ追従回
路５８が活性化すると、光記録媒体１０の偏芯している
信号トラックに対して、レーザビームのスポットが自動
追従状態となる。フォーカスサーボ追従回路５７及びト
ラッキングサーボ追従回路５８には、フォーカスゲイン
を自動調整するためのオートゲインコントロール機能及
びトラッキングゲインを自動調整するためのオートゲイ
ンコントロール機能がそれぞれ備えられている。また、
レーザコントロール回路５９は、レーザ駆動回路５５に
より供給されるレーザ駆動信号を生成する回路であり、
光記録媒体１０に記録されている記録条件設定情報に基
づいて、適切なレーザ駆動信号の生成を行う。
【００８９】尚、これらフォーカスサーボ追従回路５
７、トラッキングサーボ追従回路５８及びレーザコント
ロール回路５９については、コントローラ５４内に組み
込まれた回路である必要はなく、コントローラ５４と別
個の部品であっても構わない。さらに、これらは物理的
な回路である必要はなく、コントローラ５４内で実行さ
れるソフトウェアであっても構わない。
７、トラッキングサーボ追従回路５８及びレーザコント
ロール回路５９については、コントローラ５４内に組み
込まれた回路である必要はなく、コントローラ５４と別
個の部品であっても構わない。さらに、これらは物理的
な回路である必要はなく、コントローラ５４内で実行さ
れるソフトウェアであっても構わない。
【００９０】このような構成からなる情報記録装置５０
を用いて本実施態様にかかる光記録媒体１０に対するデ
ータの記録を行う場合、上述のとおり、光記録媒体１０
に記録されている記録条件設定情報が読み出され、これ
に基づいて記録ストラテジが決定される。したがって、
情報記録装置５０は、Ｌ１層３０に対してデータの記録
を行う場合、読み出された記録条件設定情報に基づき、
図６に示した記録ストラテジを用いてデータの記録を行
い、Ｌ０層２０に対してデータの記録を行う場合、読み
出された記録条件設定情報に基づき、図７に示した記録
ストラテジを用いてデータの記録を行う。
を用いて本実施態様にかかる光記録媒体１０に対するデ
ータの記録を行う場合、上述のとおり、光記録媒体１０
に記録されている記録条件設定情報が読み出され、これ
に基づいて記録ストラテジが決定される。したがって、
情報記録装置５０は、Ｌ１層３０に対してデータの記録
を行う場合、読み出された記録条件設定情報に基づき、
図６に示した記録ストラテジを用いてデータの記録を行
い、Ｌ０層２０に対してデータの記録を行う場合、読み
出された記録条件設定情報に基づき、図７に示した記録
ストラテジを用いてデータの記録を行う。
【００９１】
【実施例】以下、本発明の実施例について具体的に説明
する。
する。
【００９２】光記録媒体１０の作製
まず、図２に示したスタンパ４０を用いたポリカーボネ
ートの射出成形を行い、これによって、グルーブ１１ａ
の深さ及びピッチがそれぞれ３４ｎｍ及び０．３２μｍ
であり、厚さが１．１ｍｍである基体１１を作成した。
ートの射出成形を行い、これによって、グルーブ１１ａ
の深さ及びピッチがそれぞれ３４ｎｍ及び０．３２μｍ
であり、厚さが１．１ｍｍである基体１１を作成した。
【００９３】次に、基体１１をスパッタリング装置（図
示せず）内に搬入し、基体１１のうちグルーブ１１ａ及
びランド１１ｂが形成されている面のほぼ全面にＡｇ合
金、ＺｎＳ−ＳｉＯ２（８０：２０）、ＡｇＳｂＴｅＧ
ｅ及びＺｎＳ−ＳｉＯ２（８０：２０）をこの順でスパ
ッタリングすることによって、それぞれ厚さが１００ｎ
ｍ、１５ｎｍ、１２ｎｍ及び８０ｎｍである反射膜３
４、第４の誘電体膜３３、Ｌ１記録膜３２及び第３の誘
電体膜３１（Ｌ１層３０）を成膜した。
示せず）内に搬入し、基体１１のうちグルーブ１１ａ及
びランド１１ｂが形成されている面のほぼ全面にＡｇ合
金、ＺｎＳ−ＳｉＯ２（８０：２０）、ＡｇＳｂＴｅＧ
ｅ及びＺｎＳ−ＳｉＯ２（８０：２０）をこの順でスパ
ッタリングすることによって、それぞれ厚さが１００ｎ
ｍ、１５ｎｍ、１２ｎｍ及び８０ｎｍである反射膜３
４、第４の誘電体膜３３、Ｌ１記録膜３２及び第３の誘
電体膜３１（Ｌ１層３０）を成膜した。
【００９４】次に、Ｌ１層３０が形成された基体１１を
スパッタリング装置から搬出した後、第３の誘電体膜３
１上に紫外線硬化性アクリル樹脂をスピンコートした。
そして、スピンコートした紫外線硬化性アクリル樹脂の
表面に、図４に示したスタンパ４１を被せた状態でスタ
ンパ４１を介して紫外線を照射した。これにより、グル
ーブ１２ａの深さ及びピッチがそれぞれ３４ｎｍ及び
０．３２μｍであり、厚さが２０μｍである中間層１２
を形成した。
スパッタリング装置から搬出した後、第３の誘電体膜３
１上に紫外線硬化性アクリル樹脂をスピンコートした。
そして、スピンコートした紫外線硬化性アクリル樹脂の
表面に、図４に示したスタンパ４１を被せた状態でスタ
ンパ４１を介して紫外線を照射した。これにより、グル
ーブ１２ａの深さ及びピッチがそれぞれ３４ｎｍ及び
０．３２μｍであり、厚さが２０μｍである中間層１２
を形成した。
【００９５】次に、Ｌ１層３０及び中間層１２が形成さ
れた基体１１をスパッタリング装置内に搬入し、グルー
ブ１２ａ及びランド１２ｂが形成されている中間層１２
のほぼ全面にＡｌ２Ｏ３、ＳｂＴｅ及びＺｎＳ−ＳｉＯ
２（８０：２０）をこの順でスパッタリングすることに
よって、それぞれ厚さが７０ｎｍ、８ｎｍ及び６０ｎｍ
である第２の誘電体膜２３、Ｌ０記録膜２２及び第１の
誘電体膜２１（Ｌ０層２０）を成膜した。
れた基体１１をスパッタリング装置内に搬入し、グルー
ブ１２ａ及びランド１２ｂが形成されている中間層１２
のほぼ全面にＡｌ２Ｏ３、ＳｂＴｅ及びＺｎＳ−ＳｉＯ
２（８０：２０）をこの順でスパッタリングすることに
よって、それぞれ厚さが７０ｎｍ、８ｎｍ及び６０ｎｍ
である第２の誘電体膜２３、Ｌ０記録膜２２及び第１の
誘電体膜２１（Ｌ０層２０）を成膜した。
【００９６】次に、Ｌ１層３０、中間層１２及びＬ０層
２０が形成された基体１１をスパッタリング装置から搬
出した後、第１の誘電体膜２１上に紫外線硬化性アクリ
ル樹脂をスピンコートし、紫外線を照射することによっ
て、厚さが１００μｍである光透過層１３を形成した。
これにより光記録媒体前駆体が完成した。
２０が形成された基体１１をスパッタリング装置から搬
出した後、第１の誘電体膜２１上に紫外線硬化性アクリ
ル樹脂をスピンコートし、紫外線を照射することによっ
て、厚さが１００μｍである光透過層１３を形成した。
これにより光記録媒体前駆体が完成した。
【００９７】そして、かかる光記録媒体前駆体をレーザ
照射装置の回転テーブル（図示せず）に載置し、回転さ
せながらトラックに沿った方向における長さが短く、且
つ、トラックに垂直な方向における長さが長い矩形状の
レーザビームを連続的に照射し、光記録媒体前駆体が１
回転するごとに照射位置をトラックに対して垂直な方向
にずらすことによって、Ｌ０記録膜２２及びＬ１記録膜
３２の実質的に全面を結晶状態に初期化した。これによ
り本実施例で用いる光記録媒体１０が完成した。
照射装置の回転テーブル（図示せず）に載置し、回転さ
せながらトラックに沿った方向における長さが短く、且
つ、トラックに垂直な方向における長さが長い矩形状の
レーザビームを連続的に照射し、光記録媒体前駆体が１
回転するごとに照射位置をトラックに対して垂直な方向
にずらすことによって、Ｌ０記録膜２２及びＬ１記録膜
３２の実質的に全面を結晶状態に初期化した。これによ
り本実施例で用いる光記録媒体１０が完成した。
【００９８】データの記録（シングルジッタ値の測定）
このようにして作製された光記録媒体１０のＬ０層２０
に対し、図７（ａ）〜（ｄ）に示した２値記録のストラ
テジを用い、１本のトラック上に、２Ｔ〜８Ｔの各信号
のランダム信号を記録した。ここで、記録ストラテジ
は、記録パワー（Ｐｗ０）をパラメータとし、記録パワ
ー（Ｐｗ０’）、消去パワー（Ｐｅ０）及び基底パワー
（Ｐｂ０）をそれぞれ０．９×Ｐｗ０、１．５ｍＷ及び
０．１ｍＷに設定した。またＴｔｏｐ、Ｔｍｐ及びＴｌ
ｐは、すべて０．２Ｔに設定し、Ｔｏｆｆは０．８Ｔに
設定し、Ｔｃｌは１．０Ｔに設定した。
に対し、図７（ａ）〜（ｄ）に示した２値記録のストラ
テジを用い、１本のトラック上に、２Ｔ〜８Ｔの各信号
のランダム信号を記録した。ここで、記録ストラテジ
は、記録パワー（Ｐｗ０）をパラメータとし、記録パワ
ー（Ｐｗ０’）、消去パワー（Ｐｅ０）及び基底パワー
（Ｐｂ０）をそれぞれ０．９×Ｐｗ０、１．５ｍＷ及び
０．１ｍＷに設定した。またＴｔｏｐ、Ｔｍｐ及びＴｌ
ｐは、すべて０．２Ｔに設定し、Ｔｏｆｆは０．８Ｔに
設定し、Ｔｃｌは１．０Ｔに設定した。
【００９９】さらに比較例として、光記録媒体１０のＬ
０層２０に対し、Ｌ１層３０に記録する場合に用いるス
トラテジである図６（ａ）〜（ｄ）に示した１値記録の
ストラテジを用い、１本のトラック上に、２Ｔ〜８Ｔの
各信号のランダム信号を記録した。ここで、記録ストラ
テジは、記録パワー（Ｐｗ０）をパラメータとし、消去
パワー（Ｐｅ０）及び基底パワー（Ｐｂ０）をそれぞれ
１．５ｍＷ及び０．１ｍＷに設定した。またＴｔｏｐ、
Ｔｍｐ及びＴｌｐは、すべて０．２Ｔに設定し、Ｔｏｆ
ｆは０．８Ｔに設定し、Ｔｃｌは１．０Ｔに設定した。
これは、Ｌ１層３０に記録する場合と同様の記録ストラ
テジでＬ０層２０を記録した場合との比較である。
０層２０に対し、Ｌ１層３０に記録する場合に用いるス
トラテジである図６（ａ）〜（ｄ）に示した１値記録の
ストラテジを用い、１本のトラック上に、２Ｔ〜８Ｔの
各信号のランダム信号を記録した。ここで、記録ストラ
テジは、記録パワー（Ｐｗ０）をパラメータとし、消去
パワー（Ｐｅ０）及び基底パワー（Ｐｂ０）をそれぞれ
１．５ｍＷ及び０．１ｍＷに設定した。またＴｔｏｐ、
Ｔｍｐ及びＴｌｐは、すべて０．２Ｔに設定し、Ｔｏｆ
ｆは０．８Ｔに設定し、Ｔｃｌは１．０Ｔに設定した。
これは、Ｌ１層３０に記録する場合と同様の記録ストラ
テジでＬ０層２０を記録した場合との比較である。
【０１００】記録においては、クロック周波数を６５．
７ＭＨｚに設定し（Ｔ＝１５．２ｎｓｅｃ）、記録線速
度を５．７ｍ／ｓｅｃに設定して、（１，７）ＲＬＬの
変調方式により信号の形成を行った。記録に用いたレー
ザビームの波長は４０５ｎｍであり、レーザビームを集
束するための対物レンズの開口数は０．８５である。
７ＭＨｚに設定し（Ｔ＝１５．２ｎｓｅｃ）、記録線速
度を５．７ｍ／ｓｅｃに設定して、（１，７）ＲＬＬの
変調方式により信号の形成を行った。記録に用いたレー
ザビームの波長は４０５ｎｍであり、レーザビームを集
束するための対物レンズの開口数は０．８５である。
【０１０１】データの再生
次に、Ｌ０層２０に対し、再生パワー（Ｐｒ０）を０．
５ｍＷに設定して２Ｔ〜８Ｔの各信号のランダム信号を
再生し、そのジッタ及びＣ／Ｎ（キャリア／ノイズ比）
を測定した。ジッタは、タイムインターバルアナライザ
によりクロックジッタを測定し、その再生信号の「ゆら
ぎ（σ）」を求め、ウィンドウ幅をＴｗとして、 σ／Ｔｗ（％） により算出した。なお、上述した１本のトラック上に記
録した信号のジッタ値をシングルジッタ値と呼ぶことが
ある。
５ｍＷに設定して２Ｔ〜８Ｔの各信号のランダム信号を
再生し、そのジッタ及びＣ／Ｎ（キャリア／ノイズ比）
を測定した。ジッタは、タイムインターバルアナライザ
によりクロックジッタを測定し、その再生信号の「ゆら
ぎ（σ）」を求め、ウィンドウ幅をＴｗとして、 σ／Ｔｗ（％） により算出した。なお、上述した１本のトラック上に記
録した信号のジッタ値をシングルジッタ値と呼ぶことが
ある。
【０１０２】図９は、上述したシングルジッタ値の測定
結果を示すグラフであって、●印が１値記録、▲印が２
値記録を示している。図９に示されるように、記録パワ
ーＰｗ０が５．０ｍＷ付近まではパワー不足のため、２
値記録のジッタ値のグラフは、１値記録のグラフと同じ
傾きで少し右にシフトしており、２値記録よりも１値記
録のほうが低いジッタ値となっている。
結果を示すグラフであって、●印が１値記録、▲印が２
値記録を示している。図９に示されるように、記録パワ
ーＰｗ０が５．０ｍＷ付近まではパワー不足のため、２
値記録のジッタ値のグラフは、１値記録のグラフと同じ
傾きで少し右にシフトしており、２値記録よりも１値記
録のほうが低いジッタ値となっている。
【０１０３】しかし記録パワーＰｗ０を５．０ｍＷより
上げていくと、２値記録のジッタ値もボトム値の略１２
％に達し、さらに記録パワーＰｗ０を上げていくと、１
値記録の場合は熱干渉を受けてジッタ値が悪化している
のに対し、２値記録の場合は熱干渉が抑えられてジッタ
値を低く保っている。
上げていくと、２値記録のジッタ値もボトム値の略１２
％に達し、さらに記録パワーＰｗ０を上げていくと、１
値記録の場合は熱干渉を受けてジッタ値が悪化している
のに対し、２値記録の場合は熱干渉が抑えられてジッタ
値を低く保っている。
【０１０４】このように、２値記録によるストラテジを
用いる場合には、１値記録のストラテジを用いる場合に
比べて、より高い記録パワーで良好なジッタ値が得ら
れ、ジッタ値が例えば１２％以下となる記録パワーＰｗ
０の範囲が広いことが分かる。したがって、本記録スト
ラテジを用いれば、前後の記録マークに対する熱干渉を
抑制することができ、パワーマージンを大きくとること
ができる。
用いる場合には、１値記録のストラテジを用いる場合に
比べて、より高い記録パワーで良好なジッタ値が得ら
れ、ジッタ値が例えば１２％以下となる記録パワーＰｗ
０の範囲が広いことが分かる。したがって、本記録スト
ラテジを用いれば、前後の記録マークに対する熱干渉を
抑制することができ、パワーマージンを大きくとること
ができる。
【０１０５】データの記録（クロスジッタ値の測定）
次に、光記録媒体１０のＬ０層２０に対し、図７（ａ）
〜（ｄ）に示した２値記録のストラテジを用い、５本の
トラック上に、２Ｔ〜８Ｔの各信号のランダム信号を記
録した。詳細には、５本のトラックのうち、まず両側２
本づつランダム信号を記録し、最後に中央のトラックに
ランダム信号を記録した。ここで、記録ストラテジは、
記録パワー（Ｐｗ０）をパラメータとし、記録パワー
（Ｐｗ０’）、消去パワー（Ｐｅ０）及び基底パワー
（Ｐｂ０）をそれぞれ０．９×Ｐｗ０、１．５ｍＷ及び
０．１ｍＷに設定した。またＴｔｏｐ、Ｔｍｐ及びＴｌ
ｐは、すべて０．２Ｔに設定し、Ｔｏｆｆは０．８Ｔに
設定し、Ｔｃｌは１．０Ｔに設定した。
〜（ｄ）に示した２値記録のストラテジを用い、５本の
トラック上に、２Ｔ〜８Ｔの各信号のランダム信号を記
録した。詳細には、５本のトラックのうち、まず両側２
本づつランダム信号を記録し、最後に中央のトラックに
ランダム信号を記録した。ここで、記録ストラテジは、
記録パワー（Ｐｗ０）をパラメータとし、記録パワー
（Ｐｗ０’）、消去パワー（Ｐｅ０）及び基底パワー
（Ｐｂ０）をそれぞれ０．９×Ｐｗ０、１．５ｍＷ及び
０．１ｍＷに設定した。またＴｔｏｐ、Ｔｍｐ及びＴｌ
ｐは、すべて０．２Ｔに設定し、Ｔｏｆｆは０．８Ｔに
設定し、Ｔｃｌは１．０Ｔに設定した。
【０１０６】さらに比較例として、光記録媒体１０のＬ
０層２０に対し、Ｌ１層３０に記録する場合に用いるス
トラテジである図６（ａ）〜（ｄ）に示した１値記録の
ストラテジを用い、５本のトラック上に、上記と同様に
して、２Ｔ〜８Ｔの各信号のランダム信号を記録した。
ここで、記録ストラテジは、記録パワー（Ｐｗ０）をパ
ラメータとし、消去パワー（Ｐｅ０）及び基底パワー
（Ｐｂ０）をそれぞれ０．９×Ｐｗ０、１．５ｍＷ及び
０．１ｍＷに設定した。またＴｔｏｐ、Ｔｍｐ及びＴｌ
ｐは、すべて０．２Ｔに設定し、Ｔｏｆｆは０．８Ｔに
設定し、Ｔｃｌは１．０Ｔに設定した。
０層２０に対し、Ｌ１層３０に記録する場合に用いるス
トラテジである図６（ａ）〜（ｄ）に示した１値記録の
ストラテジを用い、５本のトラック上に、上記と同様に
して、２Ｔ〜８Ｔの各信号のランダム信号を記録した。
ここで、記録ストラテジは、記録パワー（Ｐｗ０）をパ
ラメータとし、消去パワー（Ｐｅ０）及び基底パワー
（Ｐｂ０）をそれぞれ０．９×Ｐｗ０、１．５ｍＷ及び
０．１ｍＷに設定した。またＴｔｏｐ、Ｔｍｐ及びＴｌ
ｐは、すべて０．２Ｔに設定し、Ｔｏｆｆは０．８Ｔに
設定し、Ｔｃｌは１．０Ｔに設定した。
【０１０７】記録においては、クロック周波数を６５．
７ＭＨｚに設定し（Ｔ＝１５．２ｎｓｅｃ）、記録線速
度を５．７ｍ／ｓｅｃに設定して、（１，７）ＲＬＬの
変調方式により信号の形成を行った。記録に用いたレー
ザビームの波長は４０５ｎｍであり、レーザビームを集
束するための対物レンズの開口数は０．８５である。
７ＭＨｚに設定し（Ｔ＝１５．２ｎｓｅｃ）、記録線速
度を５．７ｍ／ｓｅｃに設定して、（１，７）ＲＬＬの
変調方式により信号の形成を行った。記録に用いたレー
ザビームの波長は４０５ｎｍであり、レーザビームを集
束するための対物レンズの開口数は０．８５である。
【０１０８】データの再生
次に、Ｌ０層２０の中央のトラックに対し、再生パワー
（Ｐｒ０）を０．５ｍＷに設定して２Ｔ〜８Ｔの各信号
のランダム信号を再生し、そのジッタ及びＣ／Ｎ（キャ
リア／ノイズ比）を測定した。ジッタは、タイムインタ
ーバルアナライザによりクロックジッタを測定し、その
再生信号の「ゆらぎ（σ）」を求め、ウィンドウ幅をＴ
ｗとして、 σ／Ｔｗ（％） により算出した。なお、上述した５本のトラックのう
ち、中央のトラックに記録した信号のジッタ値をクロス
ジッタ値と呼ぶことがある。
（Ｐｒ０）を０．５ｍＷに設定して２Ｔ〜８Ｔの各信号
のランダム信号を再生し、そのジッタ及びＣ／Ｎ（キャ
リア／ノイズ比）を測定した。ジッタは、タイムインタ
ーバルアナライザによりクロックジッタを測定し、その
再生信号の「ゆらぎ（σ）」を求め、ウィンドウ幅をＴ
ｗとして、 σ／Ｔｗ（％） により算出した。なお、上述した５本のトラックのう
ち、中央のトラックに記録した信号のジッタ値をクロス
ジッタ値と呼ぶことがある。
【０１０９】図１０は、上述したクロスジッタ値の測定
結果を示すグラフであって、●印が１値記録、▲印が２
値記録を示している。図１０に示されるように、記録パ
ワーＰｗ０が５．０ｍＷ付近まではパワー不足のため、
２値記録のジッタ値のグラフは、１値記録のグラフと同
じ傾きで少し右にシフトしており、２値記録よりも１値
記録のほうが低いジッタ値となっている。
結果を示すグラフであって、●印が１値記録、▲印が２
値記録を示している。図１０に示されるように、記録パ
ワーＰｗ０が５．０ｍＷ付近まではパワー不足のため、
２値記録のジッタ値のグラフは、１値記録のグラフと同
じ傾きで少し右にシフトしており、２値記録よりも１値
記録のほうが低いジッタ値となっている。
【０１１０】しかし記録パワーＰｗ０を５．０ｍＷより
上げていくと、２値記録のジッタ値もボトム値の略１３
％に達し、さらに記録パワーＰｗ０を上げていくと、１
値記録の場合は熱干渉を受けてジッタ値が悪化している
のに対し、２値記録の場合は熱干渉が抑えられてジッタ
値を低く保っている。
上げていくと、２値記録のジッタ値もボトム値の略１３
％に達し、さらに記録パワーＰｗ０を上げていくと、１
値記録の場合は熱干渉を受けてジッタ値が悪化している
のに対し、２値記録の場合は熱干渉が抑えられてジッタ
値を低く保っている。
【０１１１】このように、２値記録によるストラテジを
用いる場合には、１値記録のストラテジを用いる場合に
比べて、より高い記録パワーＰｗで良好なジッタ値が得
られ、ジッタ値が例えば１３％以下となる記録パワーＰ
ｗ０の範囲が広いことが分かる。したがって、本記録ス
トラテジを用いれば、隣接トラックの記録マークの影響
を抑制してクロストークやクロスイレーズを防止するこ
とができ、パワーマージンを大きくとることができる。
用いる場合には、１値記録のストラテジを用いる場合に
比べて、より高い記録パワーＰｗで良好なジッタ値が得
られ、ジッタ値が例えば１３％以下となる記録パワーＰ
ｗ０の範囲が広いことが分かる。したがって、本記録ス
トラテジを用いれば、隣接トラックの記録マークの影響
を抑制してクロストークやクロスイレーズを防止するこ
とができ、パワーマージンを大きくとることができる。
【０１１２】以上より、光入射面１３ａに近いＬ０層２
０に対してデータの記録を行う場合、トップパルス及び
ラストパルスの記録パワーをマルチパルスの記録パワー
より低いレベルに設定した方が、形成された記録マーク
の信号特性が良好となることが分かった。
０に対してデータの記録を行う場合、トップパルス及び
ラストパルスの記録パワーをマルチパルスの記録パワー
より低いレベルに設定した方が、形成された記録マーク
の信号特性が良好となることが分かった。
【０１１３】本発明は、以上の実施態様に限定されるこ
となく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲内で種
々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含
されるものであることはいうまでもない。
となく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲内で種
々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含
されるものであることはいうまでもない。
【０１１４】例えば、上記実施態様においては、光記録
媒体１０が２つの記録層（Ｌ０層２０、Ｌ１層３０）を
備えている場合を例に説明したが、本発明の対象が記録
層を２層のみ有する光記録媒体に限定されるものではな
く、３層以上の記録層を有する光記録媒体に適用するこ
とも可能である。この場合、少なくとも一つの記録マー
クの形成に際し、光入射面１３ａから最も近い記録層に
対してデータの記録を行う場合において、トップパルス
及びラストパルスの記録パワーをマルチパルスの記録パ
ワーよりも低いレベルに設定すればよい。
媒体１０が２つの記録層（Ｌ０層２０、Ｌ１層３０）を
備えている場合を例に説明したが、本発明の対象が記録
層を２層のみ有する光記録媒体に限定されるものではな
く、３層以上の記録層を有する光記録媒体に適用するこ
とも可能である。この場合、少なくとも一つの記録マー
クの形成に際し、光入射面１３ａから最も近い記録層に
対してデータの記録を行う場合において、トップパルス
及びラストパルスの記録パワーをマルチパルスの記録パ
ワーよりも低いレベルに設定すればよい。
【０１１５】また、上記実施態様においては、（１，
７）ＲＬＬ変調方式を採用した場合における記録ストラ
テジを例に説明したが、これに限定されるものではな
く、例えば、８，１６変調方式（３Ｔ〜１１Ｔ及び１４
Ｔに変調）を採用したばあいにおける記録ストラテジに
適用することも可能である。
７）ＲＬＬ変調方式を採用した場合における記録ストラ
テジを例に説明したが、これに限定されるものではな
く、例えば、８，１６変調方式（３Ｔ〜１１Ｔ及び１４
Ｔに変調）を採用したばあいにおける記録ストラテジに
適用することも可能である。
【０１１６】また、上記実施態様においては、Ｌ０層２
０に対して情報の記録を行う場合、レーザビームの強度
を記録パワー（Ｐｗ０）、記録パワー（Ｐｗ０’）、消
去パワー（Ｐｅ０）、基底パワー（Ｐｂ０）の４つの強
度で変調し、特に記録パワーを（Ｐｗ０）と（Ｐｗ
０’）の２値とした場合を例に説明したが、これに限定
されるものではなく、例えばレーザビームの強度を５つ
以上の強度で変調することによって情報の記録を行って
もよく、また記録パワーＰｗを３値以上に設定して情報
の記録を行っても構わない。
０に対して情報の記録を行う場合、レーザビームの強度
を記録パワー（Ｐｗ０）、記録パワー（Ｐｗ０’）、消
去パワー（Ｐｅ０）、基底パワー（Ｐｂ０）の４つの強
度で変調し、特に記録パワーを（Ｐｗ０）と（Ｐｗ
０’）の２値とした場合を例に説明したが、これに限定
されるものではなく、例えばレーザビームの強度を５つ
以上の強度で変調することによって情報の記録を行って
もよく、また記録パワーＰｗを３値以上に設定して情報
の記録を行っても構わない。
【０１１７】さらにまた、上記実施態様においては、Ｌ
０層２０に対して情報を記録する場合におけるレーザビ
ームのトップパルス及び／又はラストパルスの記録パワ
ーを共に（Ｐｗ０’）とした場合を例に説明したが、こ
れに限定されるものではなく、トップパルスとラストパ
ルスの記録パワーを異ならせても構わない。さらにはト
ップパルス又はラストパルスのいずれか一方のみマルチ
パルスの記録パワーよりも低いレベルに設定しても構わ
ない。要するに、光入射面１３ａに最も近い記録層に情
報を記録する場合におけるレーザビームのトップパルス
及び／又はラストパルスの記録パワーが、マルチパルス
の記録パワーよりも低いレベルに設定されていればよ
い。
０層２０に対して情報を記録する場合におけるレーザビ
ームのトップパルス及び／又はラストパルスの記録パワ
ーを共に（Ｐｗ０’）とした場合を例に説明したが、こ
れに限定されるものではなく、トップパルスとラストパ
ルスの記録パワーを異ならせても構わない。さらにはト
ップパルス又はラストパルスのいずれか一方のみマルチ
パルスの記録パワーよりも低いレベルに設定しても構わ
ない。要するに、光入射面１３ａに最も近い記録層に情
報を記録する場合におけるレーザビームのトップパルス
及び／又はラストパルスの記録パワーが、マルチパルス
の記録パワーよりも低いレベルに設定されていればよ
い。
【０１１８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
熱干渉による再結晶化を緩和することができるので、良
好な形状の記録マークを形成することが可能となる。
熱干渉による再結晶化を緩和することができるので、良
好な形状の記録マークを形成することが可能となる。
【０１１９】尚、熱干渉の影響は、使用するレーザビー
ムの波長が短いほど顕著になるとともに、レーザビーム
を集光する対物レンズの開口数（ＮＡ）が大きいほど顕
著となる。このため、本発明は、使用するレーザビーム
の波長（λ）とレーザビームを集束するための対物レン
ズの開口数（ＮＡ）との比（λ／ＮＡ）が７００ｎｍ以
下、例えば、ＮＡが０．７以上（特に０．８５程度）で
あり、レーザビームの波長λが２００〜４５０ｎｍ程度
である場合に特に効果的である。
ムの波長が短いほど顕著になるとともに、レーザビーム
を集光する対物レンズの開口数（ＮＡ）が大きいほど顕
著となる。このため、本発明は、使用するレーザビーム
の波長（λ）とレーザビームを集束するための対物レン
ズの開口数（ＮＡ）との比（λ／ＮＡ）が７００ｎｍ以
下、例えば、ＮＡが０．７以上（特に０．８５程度）で
あり、レーザビームの波長λが２００〜４５０ｎｍ程度
である場合に特に効果的である。
【図１】本発明の好ましい実施態様にかかる光記録媒体
１０の構造を概略的に示す断面図である。
１０の構造を概略的に示す断面図である。
【図２】光記録媒体１０の製造方法を示す工程図であ
る。
る。
【図３】光記録媒体１０の製造方法を示す工程図であ
る。
る。
【図４】光記録媒体１０の製造方法を示す工程図であ
る。
る。
【図５】光記録媒体１０の製造方法を示す工程図であ
る。
る。
【図６】Ｌ１記録膜３２に対してデータの記録を行う場
合の記録ストラテジを示す図であり、（ａ）は２Ｔ信号
を形成する場合の記録ストラテジであり、（ｂ）は３Ｔ
信号を形成する場合の記録ストラテジであり、（ｃ）は
４Ｔ信号を形成する場合の記録ストラテジであり、
（ｄ）は５Ｔ信号〜８Ｔ信号を形成する場合の記録スト
ラテジである。
合の記録ストラテジを示す図であり、（ａ）は２Ｔ信号
を形成する場合の記録ストラテジであり、（ｂ）は３Ｔ
信号を形成する場合の記録ストラテジであり、（ｃ）は
４Ｔ信号を形成する場合の記録ストラテジであり、
（ｄ）は５Ｔ信号〜８Ｔ信号を形成する場合の記録スト
ラテジである。
【図７】Ｌ０記録膜２２に対してデータの記録を行う場
合の記録ストラテジを示す図であり、（ａ）は２Ｔ信号
を形成する場合の記録ストラテジであり、（ｂ）は３Ｔ
信号を形成する場合の記録ストラテジであり、（ｃ）は
４Ｔ信号を形成する場合の記録ストラテジであり、
（ｄ）は５Ｔ信号〜８Ｔ信号を形成する場合の記録スト
ラテジである。
合の記録ストラテジを示す図であり、（ａ）は２Ｔ信号
を形成する場合の記録ストラテジであり、（ｂ）は３Ｔ
信号を形成する場合の記録ストラテジであり、（ｃ）は
４Ｔ信号を形成する場合の記録ストラテジであり、
（ｄ）は５Ｔ信号〜８Ｔ信号を形成する場合の記録スト
ラテジである。
【図８】光記録媒体１０に対してデータの記録を行うた
めの情報記録装置５０の主要部を概略的に示す図であ
る。
めの情報記録装置５０の主要部を概略的に示す図であ
る。
【図９】シングルジッタ値の測定結果を示すグラフであ
る。
る。
【図１０】クロスジッタ値の測定結果を示すグラフであ
る。
る。
１０ 光記録媒体
１１ 基体
１２ 中間層
１１ａ，１２ａ グルーブ
１１ｂ，１２ｂ ランド
１３ 光透過層
１３ａ 光入射面
２０ Ｌ０層
２１ 第１の誘電体膜
２２ Ｌ０記録膜
２３ 第２の誘電体膜
３０ Ｌ１層
３１ 第３の誘電体膜
３２ Ｌ１記録膜
３３ 第４の誘電体膜
３４ 反射膜
４０，４１ スタンパ
５０ 情報記録装置
５２ スピンドルモータ
５３ ヘッド
５４ コントローラ
５５ レーザ駆動回路
５６ レンズ駆動回路
５７ フォーカスサーボ追従回路
５８ トラッキングサーボ追従回路
５９ レーザコントロール回路
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 水島 哲郎
東京都中央区日本橋一丁目13番１号 ティ
ーディーケイ株式会社内
Ｆターム(参考） 5D090 AA01 BB05 BB12 CC01 CC14
DD03 EE02 KK05
Claims (15)
- 【請求項１】 積層された少なくとも第１及び第２の情
報記録層を備える光記録媒体に対し、光入射面から少な
くとも記録パワーを含む複数のパワーに変調されたパル
ス状のレーザビームを照射することによって、互いに長
さの異なる複数種類の記録マークからなる群より選ばれ
た複数の記録マークを形成する情報記録方法であって、
前記複数種類の記録マークのうち、少なくとも一つの種
類の記録マークを前記第１の情報記録層に形成する場合
に照射する前記レーザビームのトップパルス及び／又は
ラストパルスの記録パワーをマルチパルスの記録パワー
より低いレベルに設定して情報の記録を行うことを特徴
とする情報記録方法。 - 【請求項２】 前記第１の情報記録層が前記第２の情報
記録層よりも前記光入射面側に位置していることを特徴
とする請求項１に記載の情報記録方法。 - 【請求項３】 前記トップパルスと前記ラストパルスの
記録パワーを同レベルに設定することを特徴とする請求
項１又は２に記載の情報記録方法。 - 【請求項４】 前記第２の情報記録層に形成する場合に
照射する前記レーザビームのトップパルス及び／又はラ
ストパルスの記録パワーをマルチパルスの記録パワーと
同レベルに設定して情報の記録を行うことを特徴とする
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の情報記録方法。 - 【請求項５】 前記レーザビームの波長をλとし、前記
レーザビームを集光するための対物レンズの開口数をＮ
Ａとした場合に、λ／ＮＡ ≦ ７００ｎｍの条件を満
たすことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に
記載の情報記録方法。 - 【請求項６】 前記レーザビームの波長λが２００〜４
５０ｎｍであることを特徴とする請求項１乃至５のいず
れか１項に記載の情報記録方法。 - 【請求項７】 積層された少なくとも第１及び第２の情
報記録層を備える光記録媒体に対し、光入射面から少な
くとも記録パワーを含む複数のパワーに変調されたパル
ス状のレーザビームを照射することによって、互いに長
さの異なる複数種類の記録マークからなる群より選ばれ
た複数の記録マークを形成する情報記録装置であって、
前記第１の情報記録層に形成する場合に照射する前記レ
ーザビームのトップパルス及び／又はラストパルスの記
録パワーをマルチパルスの記録パワーより低いレベルに
設定して情報の記録を行うことを特徴とする情報記録装
置。 - 【請求項８】 前記第１の情報記録層が前記第２の情報
記録層よりも前記光入射面側に位置していることを特徴
とする請求項７に記載の情報記録装置。 - 【請求項９】 前記第２の情報記録層に形成する場合に
照射する前記レーザビームのトップパルス及び／又はラ
ストパルスの記録パワーをマルチパルスの記録パワーと
略等しく設定して情報の記録を行うことを特徴とする請
求項７又は８に記載の情報記録装置。 - 【請求項１０】 前記レーザビームの波長をλとし、前
記レーザビームを集光するための対物レンズの開口数を
ＮＡとした場合に、λ／ＮＡ ≦ ７００ｎｍの条件を
満たすことを特徴とする請求項７乃至９のいずれか１項
に記載の情報記録装置。 - 【請求項１１】 前記レーザビームの波長λが２００〜
４５０ｎｍであることを特徴とする請求項７乃至１０の
いずれか１項に記載の情報記録装置。 - 【請求項１２】 積層された少なくとも第１及び第２の
情報記録層を備え、光入射面から少なくとも記録パワー
を含む複数のパワーに変調されたパルス状のレーザビー
ムを照射することによって、互いに長さの異なる複数種
類の記録マークからなる群より選ばれた複数の記録マー
クを形成可能な光記録媒体であって、前記第１の情報記
録層に形成する場合に照射する前記レーザビームのトッ
プパルス及び／又はラストパルスの記録パワーをマルチ
パルスの記録パワーより低いレベルに設定するために必
要な設定情報を有していることを特徴とする光記録媒
体。 - 【請求項１３】 前記第１の情報記録層が前記第２の情
報記録層よりも前記光入射面側に位置していることを特
徴とする請求項１２に記載の光記録媒体。 - 【請求項１４】 前記第２の情報記録層に形成する場合
に照射する前記レーザビームのトップパルス及び／又は
ラストパルスの記録パワーをマルチパルスの記録パワー
と略等しく設定して情報の記録を行うことを特徴とする
請求項１２又は１３に記載の光記録媒体。 - 【請求項１５】 前記レーザビームの光路となる光透過
層を備え、前記光透過層の厚さが３０〜２００μｍであ
ることを特徴とする請求項１２乃至１４のいずれか１項
に記載の光記録媒体。
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