TWI222251B - Semiconductor laser - Google Patents

Semiconductor laser Download PDF

Info

Publication number
TWI222251B
TWI222251B TW092104643A TW92104643A TWI222251B TW I222251 B TWI222251 B TW I222251B TW 092104643 A TW092104643 A TW 092104643A TW 92104643 A TW92104643 A TW 92104643A TW I222251 B TWI222251 B TW I222251B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
layer
semiconductor
semiconductor laser
carrier concentration
semiconductor layer
Prior art date
Application number
TW092104643A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200406962A (en
Inventor
Yuichiro Okunuki
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Publication of TW200406962A publication Critical patent/TW200406962A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI222251B publication Critical patent/TWI222251B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
    • H01S3/091—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
    • H01S3/094—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light
    • H01S3/0941—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light of a laser diode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/16—Window-type lasers, i.e. with a region of non-absorbing material between the active region and the reflecting surface
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S2301/00—Functional characteristics
    • H01S2301/17—Semiconductor lasers comprising special layers
    • H01S2301/173—The laser chip comprising special buffer layers, e.g. dislocation prevention or reduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S2301/00—Functional characteristics
    • H01S2301/18—Semiconductor lasers with special structural design for influencing the near- or far-field
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/16—Window-type lasers, i.e. with a region of non-absorbing material between the active region and the reflecting surface
    • H01S5/168—Window-type lasers, i.e. with a region of non-absorbing material between the active region and the reflecting surface with window regions comprising current blocking layers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Description

1222251 五 、發明說明（2) 回上，光的強度分佈呈擴展的狀態。到達正面的一部 y v 1 一〜 77、即使在施以無反射塗層的情況下稍有反射，由於光的 強度为佈擴展開來，反射光中有相當多的部分仍不會返回 活II層。於是，藉由設置窗孔構造，可有效地降低反射 率 〇
除此之外，窗孔構造和分佈反饋型雷射相同，為有效 降低2面反射率，亦使用於將調變器和雷射積體化的元件 中。窗孔構造亦進一步被使用於高輸出雷射中。在高輸出 运射中’當正面的光密度高時，有時容易發生一部份溫产 上升的現象，正面部分因熱而引起損壞，導致雷射的=$ 化。為了迴避此種劣質化，緩緩擴大光束並降低正面之杏 密度的窗孔構造為一有效的方法。 【非專利文獻1】 IEEE Journal of Quantum Electronics, Vol. QE-20 No· 3， pp·236-245 (1984) ’ 【發明内容】 【發明所欲解決的課題】
在習知之窗孔構造中，會降低反射光和光密度， 方面，有射出光的射出角度容易在上下方向（與射 垂直的方向）偏移的問題。該理由如下。 ° 半導體雷射以活性層為中心，關於沉積方向， 上易為不對稱構造。其原因& ’半導體雷射為二 ^ P導體和η型半導體構成。通常，若活性層的下 t，則上側為η型，若下側為η变，則上側為ρ型。再者’、Ρ
1222251 " 五、發明說明（4 ) 構造’可射出射出角度不偏移的光。 【用以解決課題的手段】 本發明之半導體雷射係在活性層上所產生的 孔所射出，該窗孔具有第一半導體層，以第固· 成；及第二半導體層’在上述第一半導體層上=开^ 性層的延長面且以低於上述第—載子濃度的第二載子 形成，其中，在上述第二半導體層的上方，設有^ 子濃度形成的第三半導體層’該窗孔的光折射率的分：： 上述活性層的延長面為中心且在沉積方向上 達成上述目的。 』將精此， 上述第三載子濃度大致和上述第一載子濃度相等。 上述第三半導體層沉積於上述第二半導體層上。 上述第二半導體層沉積於在上述第二半導声一 的第四半導體層上。 《上/儿積 上述第三半導體層進一步設於上述活性層的上方 -丰二^型⑽基板’上述第一半導體層及上述第 二丰導體層為η型InP層。 币 上述第二半導體層由InGaAsP所形成。 將本毛月之半導體雷射和光調變器積體化， 一 種光通信元·件。 于到一 【貫施方式】 以下參照附加的圖面來說明本發明的實施型熊。 (實施型態一） 、〜 在第1圖中，（a)為實施型態一之半導體雷射的剖面 第9頁 2065-55l6-PF(Nl).ptd 1222251 五、發明說明（5) 二 =广’：在的半導體雷射剖面圖。本實施型態 ，亡導體雷射10具有在射出光的正面具有窗孔。在此所謂 固孔」，係指從InGaAsP活性#的正面至半導體雷射1〇 的射出正面的寬度’亦即炎在電極7及電極8之間的區域。 mr上’在inGaAsp活性層2中所產生的光從該層射 出後，通過自孔射出至半導體雷射丨〇外部。 、InPH體^射1(\具有P型1ΠΡ基板1、InGaAsP活性層2、n 5 p電流阻隔層4、p型Inp電流阻隔層 t t ^8νΛ tί il l： r ^ 的/门及電子在InGaAsP活性層2中結 合，產生光。光雖然在所有的方向產生，但僅有和 丨^:二活^層2平仃的光被取出。於是，光經過窗孔射出 貝施型悲一的特徵為，設有 型InP折射㈣整㉟，窗孔//二用//周整載子濃度的11 · 率分佈相等。以活性層在上下方向的折射 射率分佈呈上下對穑J /面為中心，沉積方向的折 , ^ ^ . 所以產生的光可均勻傳播，在上下 方向（>儿積方向）不偏移的情況下射出。 所示二體雷射1〇的製程。第1圖的(a)及(b)中 葬由、導體雷射1〇可藉由蠢晶成長法沉積各層，再 長之有機金屬的氣’其向基板流八含有成 县，式剎田古德a體糟由基板表面上的化學反應來成 ^ 、金屬分子線成長法（MOMBE)，其在高真空
2065-5516-PF(Nl).ptd 第10頁
1222251 五、發明說明（6) 中向基板蒸發有機金屬，使其附著在基板上成長。 在此說明利用MOVPE的具體沉積步驟。首先\在 Q InP基板1上’沉積InGaAsP活性層2。然後，進行餘 去一部份的InGaAsP活性層2。蝕刻進行至參照符號/所示* 之層的下部。之後，η型InP電流阻隔層4、p型inj/電流= 隔層5、n型I nP折射率調整層6及〇型丨np被覆層3依序=
積。最後，形成電極7及8。 /JL 在本實施型態中，p型InP基板i的載子濃度可為5>< ΙΟ"個/cW。以下將「個/cm3」簡單地表示為「cm_3」，其 他層的載子濃度分別如下：nsInP被覆層3為1>( 1〇18cm_/、， η型InP電流阻隔層4為8x 1(pcnr3，psInP電流阻隔層5為1 X 1 018cnr3 ’ η型InP折射率調整層6為8 χ 1〇18cm-3。n型Inp電 流阻隔層4係為將電流集中在InGaAsp活性層2而設置。n型 I ηΡ+電流阻隔層4的載子濃度之所以較高，係為了得到良好 的南溫及而輸出特性。 在半導體雷射10中，窗孔光軸的正下方，存在高載子 濃度的η型InP電流阻隔層4，另一方面，光軸正上方，設 有相同載子濃度的nSInP折射率調整層6。於是，窗孔所 在的折射率分佈以活性層2的延長面為中心，在沉積方向 (上下）大致對稱。結果，所產生的光可均勻傳播，在上下
方=(沉積方向）不偏移的情況下射出。第2圖顯示藉由BpM "十算在半導體雷射1 0中所產生的光的傳播的狀態。由此圖 可知’光的射出方向實際上為水平，光射出的角度偏移不 存在。
1222251 五、發明說明（7) (實施型態二） 在實施型態二中，説明透過振動器來沉積η型I n p折射 率調整層6的半導體雷射。 . 在第3圖中，（a )為實施型態二之半導體雷射的剖面 圖。（b)為（a)A-A’所在的半導體雷射剖面圖。本實施型態 之半導體雷射30亦具有和實施型態一相同的窗孔構造。 半導體雷射30的積層構造除了n型InP折射率調整層6 的位置及範圍外，其餘部分皆和半導體雷射〗〇 (第1圖）S相 同。以下主要說明η型InP折射率調整層6。此外，各層的 濃度和實施型態一相同。 η型InP折射率調整層6係插入n型InP被覆層3的積層中 而形成。換言之，n型InP折射率調整層6設於沉積於
InGaAsP活性層2及p型Inp電流阻隔層5上的n型inp被覆層 被覆層3上。在11型11^折射率調整層6的上 型InP被覆層3。此種構造 丹人"l積η 電流阻隔層5的沉積Τ，V由：一所說明的Ρ型1 η Ρ 折射率調整層6及再-Ϊ、„ 儿積11型1ηΡ被覆層3、η型1ηΡ 構造，t 、曰/人，儿積η型1 nP被覆層3而得。藉由此種 構以，亦可以活性層2 ^ (上下方向）上對稱。A長面為中心，大致在沉積方向 但是，通過整個光9的射〜出角度不會偏移。 調整層6)，因此，難、益，存在局載子濃度層（折射率 加，效率降低。於^，吸收自由載子，雷射的閾值電流增 覆層3作為高載子、濃疋产’在構造上，必須不將整個a型InP被 插入折射率調整層^而在一部份的η型InP被覆層3上 曰’將自由載子吸收的影響抑制至最低
1222251
五、發明說明（8) 限度。 以上係說明實施型態一及二。在這些實施型態中，n 型InP阻隔層4的載子濃度為8χ 1018cm_3。但是，若以改善 高溫特性等為目的，有時會考慮將濃度調整為2 X l〇19cm-3，增加η型InP阻隔層4的載子濃度。其理由為，〇型 InP阻隔層4的折射率亦會比周圍的InP低2%，所、以在適用 於實施型態一或二的情況下，窗孔之光軸附近的平均折射 率相較於周圍的被覆層3，變得相當低，反導航作用的關' 係’光分上下兩路傳播。於是，將P型Inp阻隔層5(第1圖 的（a)、（b)、第3圖的（a)、（b))作為psInGaAsP為一有效 的方法。但是，為了得到良好的高溫及高輸出特性， InGaAsP的組成成分最好盡可能和ιηΡ相近（例如，得到 1 · 24eV以上之能隙的成分）。藉此，即使在〇型Inp阻隔層 的載子濃度非常高的情況下，亦可得到光的射出角度不偏 移的半導體雷射。 到目前為止在實施型態一及二的說明中，已選定了各 層的導電型態來說明。但是，這些僅為範例，本發明的適 用範圍不受這些限定。 本發明適用於具有第i圖及第3圖之（a)及“）所示構造 的各種雷射。例如，具有折返網格的分佈反饋型雷射 (Distribution Feedback Laser (Diode); DFB 雷射）。所 明分佈反饋型雷射，係指在振動器内以折返網格構成反射 面的雷，。藉由折返網格，產生單一模式振動，藉此，可♦ 輸出特定波長的光。由於可得到特定波長的光，所以可用
1222251 五'發明說明 於超高迷、長距 子，亦可適用於 縱向模式單一化 開折返網袼，藉 振，成為單一模 射。為了具有窗 軸的情況下射出 在上述的實 組成的雷射，作 射。 本發明之半 中’若要在光中 有調變半導體雷 裝置來調變來自 調變的調變器_ 號起物理變化， 之半導體雷射和 樣能發揮本發明 射，光軸不偏移 光通信。 【發明效果】 在窗孔中， 率的分佈以活性 相等。藉此，所 離的光通信。此外，本發明作為別的例 入/4移位DFB雷射。此為將半導體雷射之 的雷射中的一種，其藉由在中央僅以疋姅 此，使滿足阻隔條件的最低限度模式共曰 式。所以，本發明亦可適用於高輸出^ 孔構造，可降低光密度，並可在不傾 光。 、九 施型態中，已說明了由ΙηΡ系列之材料所 其亦適用於使用GaAs系列等其他材料的雷 導體雷 重疊信 射的驅 半導體 般稱為 藉此來 此種光 的優點，所以 射在光通信 號，須調變 動電源的直 雷射之光的 光調變器。 調變光的強 調變器單一 。換言之， 可達成不降 中有用 光。有 接調變 外部調 光調變 度、相 積體化 藉由本 低結合 途。在 關光調 和以光 變。使 器根據 位等。 的光通 發明之 至光纖 光通信 變，已知 源以外的 用於外部 調變器信 將本發明 信元件照 半導體雷 之效率的 設有用來調整載子濃度的積層6，光折射 層的延長面（光軸）為中心，且在沉積方向 產生的光可均勻傳播，所以可射出在上^
2065-5516-PF(Nl).ptd 1222251 五、發明說明（ίο) 方向（沉積方向）不偏移的光 2065-5516-PF(Nl).ptd 第15頁 1222251 圖式簡單說明 在第1圖中，（a)為實施型態一之半導體雷射的剖面 圖。（b)為（a)A-A’所在的半導體雷射剖面圖。 第2圖顯示藉由BPM計算在半導體雷射中所產生的光的 傳播的狀態。 在第3圖中，（a)為實施型態二之半導體雷射的剖面 圖。（b)為（a)A-A’所在的半導體雷射剖面圖。， 【符號說明】 1〜p型I η P基板 2〜I n G a A s Ρ活性層 3〜η型InP被覆層 4〜η型I η P電流阻隔層 5〜ρ型InP電流阻隔層 6〜η型InP折射率調整層 7，8〜電極 9〜光的射出方向 10〜半導體雷射ρ[]
2065-5516-PF(Nl).ptd 第16頁

Claims (1)

1222251 月 修正 案號 92104643 六、申請專利範圍 1 · 一種半導體雷射，在活性 所射出，在基板上所形成的該產生的光經過窗孔 m體層’以第一載子濃度形成；⑨ 声的體層，在上述第一半導體層ι包含上述活性 成； 弟載子濃度的第二載子濃度形 、、曾危其巾在^述第—半導體層的上方，設有以第三載子 激度形成的第三半導體層， W麻ΛΛ , 增5亥固孔的光折射率的分佈以上 述活性層的延長面為中心且在沉積方向上對稱。 2·如中請㈣範圍仏項之半導體雷射’其中，上述 第二載子濃度大致和上述第一載子濃度相等。 其中，上述 一 3]如申請專利範圍第2項之半導體雷射 第一半導體層沉積於上述第二半導體層上e 其中，上述 4.如申請專利範圍第2項之半導體曰雷射穴τ，上 第二半導體層沉積於在上述繁-主道辦爲 _ 導體層上。 很％社上述第一+導體層上沉積的第四半 5·如申請專利範圍第2項之半導體雷射，其 第三半導體層進一步設於上述活性層的上方内。 6.如申請專利範圍第2項之半導體雷射，其中，上 基板為Ρ型InP基板，上述第一半導體層及上第 ’辦 層為η型InP層。 < 弟一丰導體 7·如申請專利範圍第6項之半導體雷射，其中， 第二半導體層由InGaAsP所形成。 以
Η 第17頁
TW092104643A 2002-10-17 2003-03-05 Semiconductor laser TWI222251B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002302711A JP4309636B2 (ja) 2002-10-17 2002-10-17 半導体レーザおよび光通信用素子

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200406962A TW200406962A (en) 2004-05-01
TWI222251B true TWI222251B (en) 2004-10-11

Family

ID=32089375

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW092104643A TWI222251B (en) 2002-10-17 2003-03-05 Semiconductor laser

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7039084B2 (zh)
JP (1) JP4309636B2 (zh)
KR (1) KR100576299B1 (zh)
CN (1) CN1251370C (zh)
DE (1) DE10326335B8 (zh)
TW (1) TWI222251B (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4735574B2 (ja) * 2006-03-24 2011-07-27 三菱電機株式会社 半導体レーザおよび半導体レーザモジュール
JP6256311B2 (ja) * 2014-11-17 2018-01-10 三菱電機株式会社 半導体光素子およびその製造方法
JP6790364B2 (ja) * 2016-01-25 2020-11-25 三菱電機株式会社 光半導体装置
JP2017224763A (ja) * 2016-06-16 2017-12-21 三菱電機株式会社 半導体素子の製造方法、半導体素子
JP7109934B2 (ja) * 2018-02-13 2022-08-01 スタンレー電気株式会社 照明装置及び車両用灯具

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6334993A (ja) * 1986-07-29 1988-02-15 Nec Corp 半導体レ−ザ装置
JPS6334992A (ja) * 1986-07-29 1988-02-15 Nec Corp 半導体レ−ザ装置
JPH02203586A (ja) * 1989-02-01 1990-08-13 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザ装置とその製造方法
JPH0786678A (ja) * 1993-05-31 1995-03-31 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザ装置
JPH07162086A (ja) * 1993-12-10 1995-06-23 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザの製造方法
US5539759A (en) * 1994-10-04 1996-07-23 Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Single mode laser with a passive antiguide region
JP2827919B2 (ja) * 1994-10-11 1998-11-25 三菱電機株式会社 半導体レーザ装置及びその製造方法
JPH09139550A (ja) * 1995-11-16 1997-05-27 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザ装置の製造方法、及び半導体レーザ装置
RO116694B1 (ro) 1997-06-09 2001-04-30 Iulian Basarab Petrescu-Prahova Dispozitiv cu efect laser de tip diodă, de mare putere, şi procedeu de obţinere
JP3441385B2 (ja) * 1998-11-20 2003-09-02 日本電信電話株式会社 光結合デバイス
JP2000277869A (ja) * 1999-03-29 2000-10-06 Mitsubishi Electric Corp 変調器集積型半導体レーザ装置及びその製造方法
JP2000323789A (ja) 1999-05-11 2000-11-24 Nec Corp 窓型半導体レーザおよびその製造方法
JP2001057458A (ja) * 1999-08-17 2001-02-27 Mitsubishi Chemicals Corp 半導体発光装置
JP2002185077A (ja) * 2000-12-14 2002-06-28 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザ装置及びその製造方法
JP3719705B2 (ja) * 2001-01-19 2005-11-24 ユーディナデバイス株式会社 化合物半導体装置の製造方法
US6829285B2 (en) * 2001-09-28 2004-12-07 The Furukawa Electric Co., Ltd. Semiconductor laser device and method for effectively reducing facet reflectivity

Also Published As

Publication number Publication date
JP4309636B2 (ja) 2009-08-05
JP2004140142A (ja) 2004-05-13
DE10326335B4 (de) 2008-02-14
CN1490909A (zh) 2004-04-21
US20040076206A1 (en) 2004-04-22
CN1251370C (zh) 2006-04-12
DE10326335A1 (de) 2004-05-13
TW200406962A (en) 2004-05-01
DE10326335B8 (de) 2008-06-05
KR20040034351A (ko) 2004-04-28
US7039084B2 (en) 2006-05-02
KR100576299B1 (ko) 2006-05-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20110080932A1 (en) Laser diode and laser diode device
JPH11163458A (ja) 半導体レーザ装置
JP2007165689A (ja) スーパールミネッセントダイオード
JP2004146833A (ja) 複数活性領域を備えた電気ポンピング式垂直共振器面発光レーザ
JP2008218915A (ja) 量子カスケードレーザ素子
US7633982B2 (en) Optically pumped surface emitting semiconductor laser device
JPS6412114B2 (zh)
JPH04211186A (ja) 垂直型半導体レーザ
JP2007227560A (ja) 利得結合型分布帰還型半導体レーザ
TWI222251B (en) Semiconductor laser
JPH0194689A (ja) 光半導体素子
Yi et al. Temperature dependence of threshold current density Jth and differential efficiency ηd of high‐power InGaAsP/GaAs (λ= 0.8 μm) lasers
JPS60149183A (ja) 分布帰還形半導体レ−ザ
JP2004523117A (ja) 光学装置のヒートシンク上への取り付け
US6493132B1 (en) Monolithic optically pumped high power semiconductor lasers and amplifiers
JPH1084130A (ja) 発光素子
JP3805295B2 (ja) 窒化物半導体レーザ
Hong et al. High‐efficiency, low‐threshold, Zn‐diffused narrow stripe GaAs/GaAlAs double heterostructure lasers grown by metalorganic chemical vapor deposition
KR20040098798A (ko) 양자점 구조를 활성층으로 이용하는 고휘도 발광소자 및그 제조 방법
RU2548034C2 (ru) Инжекционный лазер с модулированным излучением
JP3223969B2 (ja) 半導体レーザ
Lyutetskiy et al. High-power diode lasers (λ= 1.7–1.8 µm) based on asymmetric quantum-well separate-confinement InGaAsP/InP heterostructures
WO2020250268A1 (ja) 光デバイス
JP2003060309A (ja) 半導体レーザ
JPS6355878B2 (zh)

Legal Events

Date Code Title Description
MK4A Expiration of patent term of an invention patent