JPS6334992A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
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- JPS6334992A JPS6334992A JP17946386A JP17946386A JPS6334992A JP S6334992 A JPS6334992 A JP S6334992A JP 17946386 A JP17946386 A JP 17946386A JP 17946386 A JP17946386 A JP 17946386A JP S6334992 A JPS6334992 A JP S6334992A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 45
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 4
- 238000010276 construction Methods 0.000 abstract 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 abstract 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 abstract 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 abstract 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 14
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 2
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 101000958771 Homo sapiens N-acylethanolamine-hydrolyzing acid amidase Proteins 0.000 description 1
- 102100038360 N-acylethanolamine-hydrolyzing acid amidase Human genes 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 description 1
- AXAZMDOAUQTMOW-UHFFFAOYSA-N dimethylzinc Chemical compound C[Zn]C AXAZMDOAUQTMOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- SPVXKVOXSXTJOY-UHFFFAOYSA-N selane Chemical compound [SeH2] SPVXKVOXSXTJOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000058 selane Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002747 voluntary effect Effects 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、有機金属熱分解気相成長法（以下ＭＯＶ Ｐ
Ｅと略記する）を用いて作られる高出力で９頓性の高
い窓構造型の半導体レーザ装置に関する。
Ｅと略記する）を用いて作られる高出力で９頓性の高
い窓構造型の半導体レーザ装置に関する。
（従来の技術）
ＡＩ Ｇａ Ａｓ系短波長半導体レーザの高出力化を阻
んでいる最大の原因は、端面部での光吸収による端面破
壊（ＣＯＤ）の現象である。このＣＯＤレベルを上げる
試みとして、活性層の薄膜化、非対称コーティング、等
により端面の光密度を低減することが行われている。し
かし本質的にＣＯＤを防ぐためには、端面部を発振光の
吸収のない窓構造とするのが理想的である。このような
窓構造を有する半導体レーザの構造として、従来は第３
図に示すようなものが提案されていた。図において１２
はｐ型Ｇａ Ａｓ基板、１３はｎ型ＧａＡｓブロック層
、１４はｐ型Ａｌ（Ｌ４１ Ｇａ６．５． Ａｓクラッ
ド層、１５はＡＩ （１，ｅｓ ｃａｏＯ！ Ａｓ活性
層、１６はｎ型Ａｌ ｏ、ａｌＧａｕｓｓ Ａｓクラッ
ド層、１７はｎ型ＧａＡｓ電極層、８はｎ型電極、９ば
ｐＷ電極をそれぞれ示す。
んでいる最大の原因は、端面部での光吸収による端面破
壊（ＣＯＤ）の現象である。このＣＯＤレベルを上げる
試みとして、活性層の薄膜化、非対称コーティング、等
により端面の光密度を低減することが行われている。し
かし本質的にＣＯＤを防ぐためには、端面部を発振光の
吸収のない窓構造とするのが理想的である。このような
窓構造を有する半導体レーザの構造として、従来は第３
図に示すようなものが提案されていた。図において１２
はｐ型Ｇａ Ａｓ基板、１３はｎ型ＧａＡｓブロック層
、１４はｐ型Ａｌ（Ｌ４１ Ｇａ６．５． Ａｓクラッ
ド層、１５はＡＩ （１，ｅｓ ｃａｏＯ！ Ａｓ活性
層、１６はｎ型Ａｌ ｏ、ａｌＧａｕｓｓ Ａｓクラッ
ド層、１７はｎ型ＧａＡｓ電極層、８はｎ型電極、９ば
ｐＷ電極をそれぞれ示す。
この構造では基板１２に形成する溝が発光部で深く、端
面部で浅くなっており、従って活性層は発光部で窪み端
面部で平担となる。この結果第４図（ａ）の断面図が示
すように発光部と端面部で活性層の位置が異なることに
なシ、発振光は光吸収のないクラッド層１４を透過して
端面に到り、ＣＯＤフリーな高出力な特性が得られる。
面部で浅くなっており、従って活性層は発光部で窪み端
面部で平担となる。この結果第４図（ａ）の断面図が示
すように発光部と端面部で活性層の位置が異なることに
なシ、発振光は光吸収のないクラッド層１４を透過して
端面に到り、ＣＯＤフリーな高出力な特性が得られる。
（アプライド フィジックス レター Ａｐｐｌ、Ｐｈ
ｙｓ。
ｙｓ。
Ｌｅｔｔ、４２ （５）、ｌ Ｍａｒｃｈ １９８３
ｐ４０６−４０８）。
ｐ４０６−４０８）。
（発明が解決しようとする問題点）
しかし従来の構造では、発振光は端面部で光導波機構の
ないクラッド層１４を通過することになバ発撮光が端面
で反射し発振部に再び入射する率が低下する０これは共
振器の反射率が低下したことと等価となり、発振閾値の
上昇、効率の低下をもたらす。さらにこの構造では端面
部にも屈折率の高い活性層１５があるから、発振光の一
部がこの活性層１５で導波され、発光近視野像がふたつ
のスポットに分離しやすい。こうした発振閾値の上昇、
効率の低下、発光スポットの分離が従来の構造の問題点
であった。
ないクラッド層１４を通過することになバ発撮光が端面
で反射し発振部に再び入射する率が低下する０これは共
振器の反射率が低下したことと等価となり、発振閾値の
上昇、効率の低下をもたらす。さらにこの構造では端面
部にも屈折率の高い活性層１５があるから、発振光の一
部がこの活性層１５で導波され、発光近視野像がふたつ
のスポットに分離しやすい。こうした発振閾値の上昇、
効率の低下、発光スポットの分離が従来の構造の問題点
であった。
（問題点を解決するための手段）
前述の問題点を解決するために本発明が提供する半導体
装置は、発光部となる主部と端面近傍の副部とから成り
、前記主部が形成された部分の基板は前記副部が形成さ
れた部分の基板より低く、前記主部部分と前記副部部分
との境界において前記基板は段差を有し、その段差は（
ＩＬＬ）Ｂ面でなり、第一導電型の第一半導体層、第一
導電型の第二半導体層、第一導電型の第三半導体層、活
性層および第二導電型の第四半導体層が前記基板上に順
次に形成してあり、前記第二半導体層の屈折率は前記第
一、三及び四半導体層の屈折率より大きく、前記主部の
前記活性層と前記副部の前記第二半導体層とは高さ方向
の位置が一致していることを特徴とする。
装置は、発光部となる主部と端面近傍の副部とから成り
、前記主部が形成された部分の基板は前記副部が形成さ
れた部分の基板より低く、前記主部部分と前記副部部分
との境界において前記基板は段差を有し、その段差は（
ＩＬＬ）Ｂ面でなり、第一導電型の第一半導体層、第一
導電型の第二半導体層、第一導電型の第三半導体層、活
性層および第二導電型の第四半導体層が前記基板上に順
次に形成してあり、前記第二半導体層の屈折率は前記第
一、三及び四半導体層の屈折率より大きく、前記主部の
前記活性層と前記副部の前記第二半導体層とは高さ方向
の位置が一致していることを特徴とする。
（作用）
有機金属熱分解気相成長法（ＭＯＶＰＥ）により結晶成
長を行う場合（１１１）Ｂ面の結晶成長速度は、他の結
晶面に比べて極端に遅くほとんどゼロである。このため
（ｉ ｔ ｌ） Ｂ面を段差面にもつ凸凹基板上にＭＯ
ＶＰＥにより結晶成長を行うとその段差が埋ってしまう
までは成長層は段差面でとぎれ基板底面に平行な層構造
が得られる。
長を行う場合（１１１）Ｂ面の結晶成長速度は、他の結
晶面に比べて極端に遅くほとんどゼロである。このため
（ｉ ｔ ｌ） Ｂ面を段差面にもつ凸凹基板上にＭＯ
ＶＰＥにより結晶成長を行うとその段差が埋ってしまう
までは成長層は段差面でとぎれ基板底面に平行な層構造
が得られる。
従って、本発明の構造では、基板が高くなっている端面
部において発光部の活性層５の位置に第二半導体層（光
ガイド層３）が位置し、かつ上述の成長効果により、発
光部の活性層５が、他の層をほとんど介さず第二半導体
層と結合するので共振器の反射率の等測的な低下をもた
らすことなく、端面での光吸収のないＣＯＤフリーな高
出力特性が得られる。さらに端面部の第二半導体層は周
囲を屈折率の低い第一、第三半導体ＪΔ（ｎ型りラッド
Ｉ・Ｊ２．４）で囲まれているから、端面部にも完全な
光導波機構が存在することになり、光利用率が窩く低閾
値で高効率な特性が期待できる。また端面部の第二半導
体層は端面部の活性層５から第三半導体層（ｎ型クラッ
ド層４）を介して分離しているから、発振光が端面部の
活性層５に導波することなく単一な光ビームを得ること
が呂来る。
部において発光部の活性層５の位置に第二半導体層（光
ガイド層３）が位置し、かつ上述の成長効果により、発
光部の活性層５が、他の層をほとんど介さず第二半導体
層と結合するので共振器の反射率の等測的な低下をもた
らすことなく、端面での光吸収のないＣＯＤフリーな高
出力特性が得られる。さらに端面部の第二半導体層は周
囲を屈折率の低い第一、第三半導体ＪΔ（ｎ型りラッド
Ｉ・Ｊ２．４）で囲まれているから、端面部にも完全な
光導波機構が存在することになり、光利用率が窩く低閾
値で高効率な特性が期待できる。また端面部の第二半導
体層は端面部の活性層５から第三半導体層（ｎ型クラッ
ド層４）を介して分離しているから、発振光が端面部の
活性層５に導波することなく単一な光ビームを得ること
が呂来る。
（実施例）
次に実施例を挙げて本発明を一層詳しく説明する０
第１図は本発明の一実施例を示す斜視図、第２図（ａ）
は第１図のＡ−Ａ’矢視断面図、第２図（ｂ）は第１図
のＢ−Ｂ’矢視’、ｆｆｔ面図、第２図（Ｃ）は第１図
のｃ−ｃ’矢視断面図である。但し、第１図において破
断面を示す直線Ａ−Ａ’、Ｂ−Ｂ’及びｃ−ｃ’はいず
れもｐ型電極１０上に接するものとする。これら図に於
いて、１はｎ型ＧａＡＳ基板、２はｎｆｆ１Ａ１ｏ、４
ｔ Ｇａ６．Ｂ Ａｓ第２クラツド偕、３はｎ型Ａ １
ｏ、ｓ Ｇ ａ Ｏ，Ｗ Ａ ｓ光ガイド層、４はｎ
型Ａ １Ｇ、４５Ｇａｏ、５１ Ａｓ第１クラッド層、
５はＡＩｏ、ｏ３ Ｇａｏ、＊ｔＡｓ活性層、６はｐ型
Ａ ｌ Ｏ，４１Ｇａ６，５ ｏＡｓクラッド１１．７
ケまｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ ’Ｊｌ ｇ Ｅ’ｊ、８はｐ
’＊散層、９はｎ型電極、１０はｐ型組１．１１は（１
１１）Ｂ而をそれぞれ示す。
は第１図のＡ−Ａ’矢視断面図、第２図（ｂ）は第１図
のＢ−Ｂ’矢視’、ｆｆｔ面図、第２図（Ｃ）は第１図
のｃ−ｃ’矢視断面図である。但し、第１図において破
断面を示す直線Ａ−Ａ’、Ｂ−Ｂ’及びｃ−ｃ’はいず
れもｐ型電極１０上に接するものとする。これら図に於
いて、１はｎ型ＧａＡＳ基板、２はｎｆｆ１Ａ１ｏ、４
ｔ Ｇａ６．Ｂ Ａｓ第２クラツド偕、３はｎ型Ａ １
ｏ、ｓ Ｇ ａ Ｏ，Ｗ Ａ ｓ光ガイド層、４はｎ
型Ａ １Ｇ、４５Ｇａｏ、５１ Ａｓ第１クラッド層、
５はＡＩｏ、ｏ３ Ｇａｏ、＊ｔＡｓ活性層、６はｐ型
Ａ ｌ Ｏ，４１Ｇａ６，５ ｏＡｓクラッド１１．７
ケまｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ ’Ｊｌ ｇ Ｅ’ｊ、８はｐ
’＊散層、９はｎ型電極、１０はｐ型組１．１１は（１
１１）Ｂ而をそれぞれ示す。
この実施例の製造においては、まずフォトレジストをマ
スクとして化学エツチングにより、基板１上に幅５０１
ｚｍ、高さ１．６１ｘｍで段差面が（１１１）Ｂ面でな
るメサストライプを形成する。
スクとして化学エツチングにより、基板１上に幅５０１
ｚｍ、高さ１．６１ｘｍで段差面が（１１１）Ｂ面でな
るメサストライプを形成する。
次にＭＯＶＰＥを用いて半導体層２． ３． ４． ５
゜６．７を順次成長する。原料物質として、トリメチル
ガリウム（ＣＨｓ ） ｓ Ｇａ 、 トリメチルア
ルミニウム（ＣＨｓ ） ｓ Ａ １ ｚアルシンＡｓ
Ｈ３、ｐ型ドーパントのジメチル亜鉛（ｃＨ３）ｔＺｎ
、ｎ型ドーパントのセレン化水素Ｈｏ５ｅを用いた。成
長条件は、成長温度７５０°Ｃ１成長圧力９３３０Ｐａ
。
゜６．７を順次成長する。原料物質として、トリメチル
ガリウム（ＣＨｓ ） ｓ Ｇａ 、 トリメチルア
ルミニウム（ＣＨｓ ） ｓ Ａ １ ｚアルシンＡｓ
Ｈ３、ｐ型ドーパントのジメチル亜鉛（ｃＨ３）ｔＺｎ
、ｎ型ドーパントのセレン化水素Ｈｏ５ｅを用いた。成
長条件は、成長温度７５０°Ｃ１成長圧力９３３０Ｐａ
。
Ｖ族原料気体と■族原料気体（２種以上のときはその合
計）のモル比を３０／Ｌ、キャリアガス（Ｈ２）の総流
量５１／ｍｉｎとした。それぞれの層厚は順に１．０．
０．３． １．０． Ｏ，Ｌ、 １．０． ０．
７ｔｔｍとする。この成長ではメサの高さと同じ厚みの
結晶層が成長するまでは先に述べた成長効果でメサ上面
、および底面に平行な結晶膜が成長する。このとき形成
される新しい段差面は（ｔ ｔ Ｌ） Ｂ而ではなく、
このためそれ以降形成される結晶膜は、この新しい段差
面にも成長し始める。しかしながら（ｔ ｔ １）ｎ面
が消失してから活性層５までの店は薄いから、発光部の
活性層５は、他の層をほとんど介さず直接光ガイド１−
３と結合する。この光ガイド層３は屈折率の低いｎ型第
１．第２クラツド層４，２で囲まれているから、端面ま
で完全な光導波機構が存在することになる。最後に、発
光領域のみにＳｉｎ、をマスクとしてストライプ状のＰ
拡散層８を形成し、ｎ型電極９、ｐ型電極１０を形成し
て、本発明に係わる一実施例が形成される。
計）のモル比を３０／Ｌ、キャリアガス（Ｈ２）の総流
量５１／ｍｉｎとした。それぞれの層厚は順に１．０．
０．３． １．０． Ｏ，Ｌ、 １．０． ０．
７ｔｔｍとする。この成長ではメサの高さと同じ厚みの
結晶層が成長するまでは先に述べた成長効果でメサ上面
、および底面に平行な結晶膜が成長する。このとき形成
される新しい段差面は（ｔ ｔ Ｌ） Ｂ而ではなく、
このためそれ以降形成される結晶膜は、この新しい段差
面にも成長し始める。しかしながら（ｔ ｔ １）ｎ面
が消失してから活性層５までの店は薄いから、発光部の
活性層５は、他の層をほとんど介さず直接光ガイド１−
３と結合する。この光ガイド層３は屈折率の低いｎ型第
１．第２クラツド層４，２で囲まれているから、端面ま
で完全な光導波機構が存在することになる。最後に、発
光領域のみにＳｉｎ、をマスクとしてストライプ状のＰ
拡散層８を形成し、ｎ型電極９、ｐ型電極１０を形成し
て、本発明に係わる一実施例が形成される。
こうしてつくられた窓構造型半導体レーザば、同様の亜
鉛拡散ストライプ構造の、通常のダブルへテロ構造型半
導体レーザに比べて２０チ程度量子効率が低下した。こ
れは従来の窓構造壓半導体レーザの量子効率の低下が５
０％程度であることを考えると、小さな効率の低下に抑
えられていることがわかる。また発光近視野保がふたつ
のスボツＨＣ分離する素子は全く無かった。
鉛拡散ストライプ構造の、通常のダブルへテロ構造型半
導体レーザに比べて２０チ程度量子効率が低下した。こ
れは従来の窓構造壓半導体レーザの量子効率の低下が５
０％程度であることを考えると、小さな効率の低下に抑
えられていることがわかる。また発光近視野保がふたつ
のスボツＨＣ分離する素子は全く無かった。
以上に実施例を挙げてＡｌＧａＡｓ系について説明を行
ったが、ＧａＩｎＡｓＰ、ＡＩＧａＩｎＰ等の他の化合
物半導体に本発明を適用しても全く同様の効果がある。
ったが、ＧａＩｎＡｓＰ、ＡＩＧａＩｎＰ等の他の化合
物半導体に本発明を適用しても全く同様の効果がある。
また実施例では説明を容易にするために亜鉛拡散と言う
簡単な素子構造を用いたが、種々の横モード制御構造に
本発明を適用して高性能半導体レーザを作ることが出来
る。
簡単な素子構造を用いたが、種々の横モード制御構造に
本発明を適用して高性能半導体レーザを作ることが出来
る。
（発明の効果）
本発明の構造では、基板が低くなっている端面部では、
発光部の活性層５の位置に第二半導体層（光ガイド層３
）が他の層をほとんど介さず位置するため、端面での反
射率の低下なしに端面での光吸収がないＣＯＤ ７ ！
Ｊ−な高出力特性が得られる１、さらに端面部の第二半
導体層は周囲を屈折率の低い第一、第三半導体層（ｎ型
クラッド層２゜４）で囲まれているから、端面部にも完
全な光導波機構が存在することになり、光利用率が高く
低閾値で高効率な特性が期待できる。また端面部の第二
半導体層は端１可部の活性層５から第三半導体層（ｎ型
クラッド層４）を介して分離しているから発振光が端面
部の活性層５に導波することなく単一な光ビームを得る
ことが出来る。この結晶低閾値、高効率、高出力で信頼
性の高い半導体レーザが実現できる。
発光部の活性層５の位置に第二半導体層（光ガイド層３
）が他の層をほとんど介さず位置するため、端面での反
射率の低下なしに端面での光吸収がないＣＯＤ ７ ！
Ｊ−な高出力特性が得られる１、さらに端面部の第二半
導体層は周囲を屈折率の低い第一、第三半導体層（ｎ型
クラッド層２゜４）で囲まれているから、端面部にも完
全な光導波機構が存在することになり、光利用率が高く
低閾値で高効率な特性が期待できる。また端面部の第二
半導体層は端１可部の活性層５から第三半導体層（ｎ型
クラッド層４）を介して分離しているから発振光が端面
部の活性層５に導波することなく単一な光ビームを得る
ことが出来る。この結晶低閾値、高効率、高出力で信頼
性の高い半導体レーザが実現できる。
第１図は本発明の一実施例を示す斜視図、第２Ｍ （ａ
）、（ｂ）及び（ｃ）は第１図のＮＡＡＡ’。 Ｂ −Ｂ’及びｃ −ｃ’における断面でそれぞれ見た
矢視断面図、第３図は従来の窓構造半導体レーザの斜視
図、第４図（ａ）及び（ｂ）は第３図の線Ａ −ｈ／及
びｃ −ｃ’でそれぞれ見た矢視断面図である。 これら図において、１はｎ型Ｇａ Ａｓ基板、２はｎ型
Ａ １ ａ、ａ Ｉ Ｇａ ｏ、ｓ ｏ Ａ ｓ第２ク
ラッド層、３はｎ型Ａｌ、、３ ｃａｏ、ｙ Ａｓ光ガ
イド層、４はｎ型Ａ １０．、、Ｇａｏ、ｓ＊Ａｓ第１
り〉ラド層、５はＡｌｏ、ｏｓ ＧａＯ，ＢＡｓ活注活
性層はｐ型Ａｌｏ４１ Ｇａｏ、ｓ＠Ａｓクラッド層、
７はｎ型ＧａＡｓ電極層、８はＰ＋拡散Ｊ’ｉｊ、９は
ｎ型電極、１０はｐ型電極、１１ば（１１１）Ｂ面、１
２はｐ型Ｇａ Ａｓ基板、１３はｎ型Ｇａ Ａｓブロッ
ク層、１４はｐ型Ａｌｅ、ａ＋ Ｇａ０．＝ｇ Ａｓク
ラッド層、１５はＡｌ（、、（、＠Ｇａ、）０．２Ａｓ
活性層、１６はｎ型Ａ１０．４１ Ｇａ（、、ＨＡｓク
ラッド層、１７はｎ型ＧａＡｓ電極ｊＡ１をそれぞれ示
す。 代理人 弁理士 本 庄 伸 介 ２ ｎ型ＡＲｏ４１Ｇａｏ５ｓＡｓ ｌ￥２７う゛、ド
層３ ： ｎ ’；！Ａ１ｏ、：＋Ｇａｏ、ｔＡｓ Ｉ
Ｃη゛イド７Ｉ４ ｎ型Ａｉｏ４＋Ｇａｏ、ｓ、Ａｓフ
ラー、Ｆ層５ ’ Ａ１１ｏ、ｏａＧａｏ９ｚＡｓ ；
ｔ＋ト！ 層６°ρ’ｉ’Ａｆｏ４＋Ｇａｏ５９Ａｓ
フラ・ｌＦ層７ ： ｎ ％’ＧａＡｓ４ 第１図 （ａ） 第２図 １４ ρ−Ａｉ’ｏ４＋Ｇａｏ５ｓＡｓフラ°・ド・着
１５ Ａｆｆｉｏ、ｏａＧａｏ ９ｚＡｓｊ！＋）１
ノ１；１５ ｎ−ＡＩｔｏ４＋Ｇａｏ、５９Ａｓ
７う・・ト、？第３図 （ａ） （ｂ） 第４図 手 続 補 正 書（自発）
）、（ｂ）及び（ｃ）は第１図のＮＡＡＡ’。 Ｂ −Ｂ’及びｃ −ｃ’における断面でそれぞれ見た
矢視断面図、第３図は従来の窓構造半導体レーザの斜視
図、第４図（ａ）及び（ｂ）は第３図の線Ａ −ｈ／及
びｃ −ｃ’でそれぞれ見た矢視断面図である。 これら図において、１はｎ型Ｇａ Ａｓ基板、２はｎ型
Ａ １ ａ、ａ Ｉ Ｇａ ｏ、ｓ ｏ Ａ ｓ第２ク
ラッド層、３はｎ型Ａｌ、、３ ｃａｏ、ｙ Ａｓ光ガ
イド層、４はｎ型Ａ １０．、、Ｇａｏ、ｓ＊Ａｓ第１
り〉ラド層、５はＡｌｏ、ｏｓ ＧａＯ，ＢＡｓ活注活
性層はｐ型Ａｌｏ４１ Ｇａｏ、ｓ＠Ａｓクラッド層、
７はｎ型ＧａＡｓ電極層、８はＰ＋拡散Ｊ’ｉｊ、９は
ｎ型電極、１０はｐ型電極、１１ば（１１１）Ｂ面、１
２はｐ型Ｇａ Ａｓ基板、１３はｎ型Ｇａ Ａｓブロッ
ク層、１４はｐ型Ａｌｅ、ａ＋ Ｇａ０．＝ｇ Ａｓク
ラッド層、１５はＡｌ（、、（、＠Ｇａ、）０．２Ａｓ
活性層、１６はｎ型Ａ１０．４１ Ｇａ（、、ＨＡｓク
ラッド層、１７はｎ型ＧａＡｓ電極ｊＡ１をそれぞれ示
す。 代理人 弁理士 本 庄 伸 介 ２ ｎ型ＡＲｏ４１Ｇａｏ５ｓＡｓ ｌ￥２７う゛、ド
層３ ： ｎ ’；！Ａ１ｏ、：＋Ｇａｏ、ｔＡｓ Ｉ
Ｃη゛イド７Ｉ４ ｎ型Ａｉｏ４＋Ｇａｏ、ｓ、Ａｓフ
ラー、Ｆ層５ ’ Ａ１１ｏ、ｏａＧａｏ９ｚＡｓ ；
ｔ＋ト！ 層６°ρ’ｉ’Ａｆｏ４＋Ｇａｏ５９Ａｓ
フラ・ｌＦ層７ ： ｎ ％’ＧａＡｓ４ 第１図 （ａ） 第２図 １４ ρ−Ａｉ’ｏ４＋Ｇａｏ５ｓＡｓフラ°・ド・着
１５ Ａｆｆｉｏ、ｏａＧａｏ ９ｚＡｓｊ！＋）１
ノ１；１５ ｎ−ＡＩｔｏ４＋Ｇａｏ、５９Ａｓ
７う・・ト、？第３図 （ａ） （ｂ） 第４図 手 続 補 正 書（自発）
Claims (1)
- 発光部となる主部と端面近傍の副部とから成り、前記主
部が形成された部分の基板は前記副部が形成された部分
の基板より低く、前記主部部分と前記副部部分との境界
において前記基板は段差を有し、その段差は（１１１）
Ｂ面でなり、第一導電型の第一半導体層、第一導電型の
第二半導体層、第一導電型の第三半導体層、活性層およ
び第二導電型の第四半導体層が前記基板上に順次に形成
してあり、前記第二半導体層の屈折率は前記第一、三及
び四半導体層の屈折率より大きく、前記主部の前記活性
層と前記副部の前記第二半導体層とは高さ方向の位置が
一致していることを特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17946386A JPS6334992A (ja) | 1986-07-29 | 1986-07-29 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17946386A JPS6334992A (ja) | 1986-07-29 | 1986-07-29 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6334992A true JPS6334992A (ja) | 1988-02-15 |
Family
ID=16066290
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17946386A Pending JPS6334992A (ja) | 1986-07-29 | 1986-07-29 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6334992A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01318271A (ja) * | 1988-06-17 | 1989-12-22 | Sanyo Electric Co Ltd | 高出力半導体レーザ |
| US4964135A (en) * | 1988-07-22 | 1990-10-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser |
| WO2003038956A1 (fr) * | 2001-10-29 | 2003-05-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Procede de production d'un element emetteur de lumiere |
| JP2004140142A (ja) * | 2002-10-17 | 2004-05-13 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザおよび光通信用素子 |
| JP2008066647A (ja) * | 2006-09-11 | 2008-03-21 | Fujitsu Ltd | 光半導体装置及びその製造方法 |
| US8177300B2 (en) | 2004-04-15 | 2012-05-15 | Kab Seating Limited | Seat suspension system |
-
1986
- 1986-07-29 JP JP17946386A patent/JPS6334992A/ja active Pending
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| US5045500A (en) * | 1988-07-22 | 1991-09-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of making a semiconductor laser |
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| US6884648B2 (en) | 2001-10-29 | 2005-04-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for fabricating semiconductor light emitting device |
| US6958493B2 (en) | 2001-10-29 | 2005-10-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for fabricating semiconductor light emitting device |
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