JPH11135879A - リッジウエーブガイド半導体レーザ - Google Patents
リッジウエーブガイド半導体レーザInfo
- Publication number
- JPH11135879A JPH11135879A JP10241636A JP24163698A JPH11135879A JP H11135879 A JPH11135879 A JP H11135879A JP 10241636 A JP10241636 A JP 10241636A JP 24163698 A JP24163698 A JP 24163698A JP H11135879 A JPH11135879 A JP H11135879A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- ridge
- ridge waveguide
- confinement
- active region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/1071—Ring-lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/2205—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers
- H01S5/2214—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers based on oxides or nitrides
- H01S5/2215—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers based on oxides or nitrides using native oxidation of semiconductor layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
- H01S5/2275—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 光学的閉じ込めを与える自然酸化物層を有す
るリッジウエーブガイド半導体レーザを提供する。 【解決手段】 基板１０２と、前記基板１０２上に形成
されるｎ型Al0.5In0.5P第一クラッド層１０４と、前記
第一クラッド層１０４上に活性領域を形成するドープさ
れないAl0.4Ga0.6As第一閉じ込め層１０６、GaAs活性層
１０８、及びドープされないAl0.4Ga0.6As第二閉じ込め
層１１０と、前記活性領域上に形成されるｐ型Al0.5In
0.5P 第二クラッド層１１２から形成されるリッジウエ
ーブガイ２０８ドであって、前記リッジウエーブガイド
２０８が前記活性領域からの光放射に対して光学的閉じ
込めを与え、前記リッジウエーブガイド２０８が溝２０
４に形成される自然酸化物層２０６によって画定され、
前記自然酸化物層２０６が前記第二クラッド層１１２及
び前記活性領域から形成されるリッジウエーブガイド２
０８と、前記活性領域のバイアスを可能にする第一及び
第二電極２１６、２１８とを含む、リッジウエーブガイ
ド半導体レーザ１００を作製する。
るリッジウエーブガイド半導体レーザを提供する。 【解決手段】 基板１０２と、前記基板１０２上に形成
されるｎ型Al0.5In0.5P第一クラッド層１０４と、前記
第一クラッド層１０４上に活性領域を形成するドープさ
れないAl0.4Ga0.6As第一閉じ込め層１０６、GaAs活性層
１０８、及びドープされないAl0.4Ga0.6As第二閉じ込め
層１１０と、前記活性領域上に形成されるｐ型Al0.5In
0.5P 第二クラッド層１１２から形成されるリッジウエ
ーブガイ２０８ドであって、前記リッジウエーブガイド
２０８が前記活性領域からの光放射に対して光学的閉じ
込めを与え、前記リッジウエーブガイド２０８が溝２０
４に形成される自然酸化物層２０６によって画定され、
前記自然酸化物層２０６が前記第二クラッド層１１２及
び前記活性領域から形成されるリッジウエーブガイド２
０８と、前記活性領域のバイアスを可能にする第一及び
第二電極２１６、２１８とを含む、リッジウエーブガイ
ド半導体レーザ１００を作製する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はリッジウエーブガイ
ド半導体レーザに関し、より詳細には、光学的閉じ込め
及び電気的分離のために、半導体レーザ構造体の上部ク
ラッド層及び活性層から形成される厚い自然酸化物層を
用いるリッジウエーブガイド半導体レーザに関する。
ド半導体レーザに関し、より詳細には、光学的閉じ込め
及び電気的分離のために、半導体レーザ構造体の上部ク
ラッド層及び活性層から形成される厚い自然酸化物層を
用いるリッジウエーブガイド半導体レーザに関する。
【０００２】
【従来の技術】固体半導体レーザは、高速レーザプリン
タ、光ファイバ通信装置、及びその他の用途に非常に望
ましい光源である。一般的なレーザ構造はいわゆる「エ
ッジエミッティング（エッジからの放射）レーザ」であ
り、半導体層のモノリシック構造体の端部から光が放射
される。
タ、光ファイバ通信装置、及びその他の用途に非常に望
ましい光源である。一般的なレーザ構造はいわゆる「エ
ッジエミッティング（エッジからの放射）レーザ」であ
り、半導体層のモノリシック構造体の端部から光が放射
される。
【０００３】リッジウエーブガイド（導波管）は半導体
レーザの横方向の光学的閉じ込め構造を形成することが
できるので、リッジは半導体レーザのエッジエミッショ
ン（端部からの光放射）源を正確に画定する。リッジウ
エーブガイドは典型的には、半導体レーザ構造の活性半
導体層の上部の、概ね平らな上面と傾斜した側壁を有す
る半導体材料の小型のリッジである。
レーザの横方向の光学的閉じ込め構造を形成することが
できるので、リッジは半導体レーザのエッジエミッショ
ン（端部からの光放射）源を正確に画定する。リッジウ
エーブガイドは典型的には、半導体レーザ構造の活性半
導体層の上部の、概ね平らな上面と傾斜した側壁を有す
る半導体材料の小型のリッジである。
【０００４】リッジウエーブガイドを形成する一つの方
法は、レーザ構造体のエピタキシャルに被着された半導
体層の上部クラッド層の一部をエッチングして取り除
き、横方向リッジウエーブガイドを画定するクラッド層
材料の細いリッジを残すことである。リッジの個々の形
状寸法はエッチング手段により異なる。化学的エッチン
グはリッジに傾斜壁を形成する傾向があるが、イオンビ
ームエッチングは垂直な側壁を生成する傾向がある。更
に、イオンビームエッチングは勾配を制御した壁を生成
できる。
法は、レーザ構造体のエピタキシャルに被着された半導
体層の上部クラッド層の一部をエッチングして取り除
き、横方向リッジウエーブガイドを画定するクラッド層
材料の細いリッジを残すことである。リッジの個々の形
状寸法はエッチング手段により異なる。化学的エッチン
グはリッジに傾斜壁を形成する傾向があるが、イオンビ
ームエッチングは垂直な側壁を生成する傾向がある。更
に、イオンビームエッチングは勾配を制御した壁を生成
できる。
【０００５】リッジウエーブガイドを形成するもう一つ
の方法は、不純物拡散により上部クラッド層の部分を無
秩序化することである。この不純物によって生ずる無秩
序化（ＩＩＬＤ）は、クラッド層の無秩序化領域中の元
素の混合を引き起こし、無秩序化されていない領域に比
較して屈折率を低くする。隣接する無秩序化領域同士の
間の無秩序化されていない中央領域は、横方向のインデ
ックスガイディングされたリッジウエーブガイドを形成
する。インデックス（屈折率）ガイディングとは、異な
る材質の半導体層の間の光学的屈折率の相違を用いるこ
とを言い、ウエーブガイドが半導体層の一つからの光の
放射を光学的に閉じ込めることを可能にする。
の方法は、不純物拡散により上部クラッド層の部分を無
秩序化することである。この不純物によって生ずる無秩
序化（ＩＩＬＤ）は、クラッド層の無秩序化領域中の元
素の混合を引き起こし、無秩序化されていない領域に比
較して屈折率を低くする。隣接する無秩序化領域同士の
間の無秩序化されていない中央領域は、横方向のインデ
ックスガイディングされたリッジウエーブガイドを形成
する。インデックス（屈折率）ガイディングとは、異な
る材質の半導体層の間の光学的屈折率の相違を用いるこ
とを言い、ウエーブガイドが半導体層の一つからの光の
放射を光学的に閉じ込めることを可能にする。
【０００６】一般的に、レーザにおける自然酸化物の形
成は、構造体の良好な電気的及び光学的閉じ込めを達成
するのに重要な段階である。酸化物形成の一つの方法は
「表面酸化法」として一般的に知られている。
成は、構造体の良好な電気的及び光学的閉じ込めを達成
するのに重要な段階である。酸化物形成の一つの方法は
「表面酸化法」として一般的に知られている。
【０００７】「表面酸化法」 では、キャップGaAs層は、
レーザ構造体の活性層の上に形成され高いアルミニウム
含量を有する厚いAlGaAs層の上に置かれる。この「表面
酸化法」においては、試料の表面はまず窒化ケイ素でパ
ターニングされ、GaAsキャップ層のある部分は保護しあ
る部分は露出される。露出されたGaAs領域はその後化学
的エッチによって除去され、高いアルミニウム含量を有
する真下のAlGaAs層の表面を露出する。試料は次に水蒸
気中で酸化され、AlGaAs層中の酸化はアルミニウム含量
がより低い活性層に達するまで、表面から下に向かって
進む。活性層はアルミニウム含量が低いので、酸化工程
は活性層に達すると基本的に停止し、レーザ構造体に電
気的及び光学的閉じ込めを与える。
レーザ構造体の活性層の上に形成され高いアルミニウム
含量を有する厚いAlGaAs層の上に置かれる。この「表面
酸化法」においては、試料の表面はまず窒化ケイ素でパ
ターニングされ、GaAsキャップ層のある部分は保護しあ
る部分は露出される。露出されたGaAs領域はその後化学
的エッチによって除去され、高いアルミニウム含量を有
する真下のAlGaAs層の表面を露出する。試料は次に水蒸
気中で酸化され、AlGaAs層中の酸化はアルミニウム含量
がより低い活性層に達するまで、表面から下に向かって
進む。活性層はアルミニウム含量が低いので、酸化工程
は活性層に達すると基本的に停止し、レーザ構造体に電
気的及び光学的閉じ込めを与える。
【０００８】酸化物を形成するためのもう１つの方法
は、いわゆる「埋込み層酸化法」である。この方法で
は、AlAs層がレーザ構造体の活性層の上下に配置され
る。そして溝がエッチングされ、溝の間に露出ストライ
プメサ構造を形成する。エッチングの結果、活性層を間
に挟んでいるAlAs層はメサの側壁に沿って露出される。
酸化工程の際に、これらのAlAs層は横方向に、メサの側
壁から内側に、メサの中心に向かって酸化される。しか
し、構造体の他の層は、アルミニウムの含量が低いの
で、基本的に酸化されないままである。酸化されたAlAs
層は、AlAs層の上及び下の両方の領域の有効屈折率を低
下させ、間に挟まれた活性層に横方向の電気的及び光学
的閉じ込めを与える。
は、いわゆる「埋込み層酸化法」である。この方法で
は、AlAs層がレーザ構造体の活性層の上下に配置され
る。そして溝がエッチングされ、溝の間に露出ストライ
プメサ構造を形成する。エッチングの結果、活性層を間
に挟んでいるAlAs層はメサの側壁に沿って露出される。
酸化工程の際に、これらのAlAs層は横方向に、メサの側
壁から内側に、メサの中心に向かって酸化される。しか
し、構造体の他の層は、アルミニウムの含量が低いの
で、基本的に酸化されないままである。酸化されたAlAs
層は、AlAs層の上及び下の両方の領域の有効屈折率を低
下させ、間に挟まれた活性層に横方向の電気的及び光学
的閉じ込めを与える。
【０００９】この「埋込み層法」の主な欠点は、酸化の
量を制御するのが困難だということである。高いアルミ
ニウム含量を有するAlAsまたはAlGaAsの酸化率は、アル
ミニウムの含有組成率と工程の変動に応じて変化するの
で、アルミニウムの含有組成率または工程のパラメータ
のいかなる変化も酸化速度の変化に反映され、それは次
には酸化量の不確定性を生み出す。この工程は比較的、
温度に敏感である。従って、このような手法がレーザを
形成するのに適用されると、デバイスは典型的に製造適
性及び歩留りの問題を生じる。
量を制御するのが困難だということである。高いアルミ
ニウム含量を有するAlAsまたはAlGaAsの酸化率は、アル
ミニウムの含有組成率と工程の変動に応じて変化するの
で、アルミニウムの含有組成率または工程のパラメータ
のいかなる変化も酸化速度の変化に反映され、それは次
には酸化量の不確定性を生み出す。この工程は比較的、
温度に敏感である。従って、このような手法がレーザを
形成するのに適用されると、デバイスは典型的に製造適
性及び歩留りの問題を生じる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】従って、光学的閉じ込
めを与える自然酸化物層を有するリッジウエーブガイド
半導体レーザの必要性がある。
めを与える自然酸化物層を有するリッジウエーブガイド
半導体レーザの必要性がある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、エッチング及
び湿式酸化によって製造されるリッジウエーブガイド半
導体レーザ構造体を提供する。上部クラッド層は部分的
にエッチングされリッジを形成し、自然酸化物層は残り
の上部クラッド層及びリッジの外側の活性領域から湿式
酸化される。厚い自然酸化物層はリッジウエーブガイド
に強力な光閉じ込めを与える。
び湿式酸化によって製造されるリッジウエーブガイド半
導体レーザ構造体を提供する。上部クラッド層は部分的
にエッチングされリッジを形成し、自然酸化物層は残り
の上部クラッド層及びリッジの外側の活性領域から湿式
酸化される。厚い自然酸化物層はリッジウエーブガイド
に強力な光閉じ込めを与える。
【００１２】
【発明の実施の形態】図１は、自然酸化物層を有するリ
ッジウエーブガイドを形成するために、上部クラッド層
及び活性層の湿式酸化によって製造される、本発明によ
る半導体レーザ構造体１００を示す。
ッジウエーブガイドを形成するために、上部クラッド層
及び活性層の湿式酸化によって製造される、本発明によ
る半導体レーザ構造体１００を示す。
【００１３】図１で示されるように、ｎ型Al0.5In 0.5P
下部クラッド層１０４は、金属有機化学蒸着法（ＭＯＣ
ＶＤ）と一般に称される周知のエピタキシャル成長工程
を用いてｎ型GaAs基板１０２上に成長する。液相エピタ
キシー（ＬＰＥ）、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）など
の被着工程、またはその他の既知の結晶成長工程もま
た、用いることができる。下部クラッド層１０４のアル
ミニウムモル分率及びドーピングレベルはそれぞれ、５
０パーセント、及び１〜５ｘ１０18ｃｍ-3の範囲であ
る。AlInP クラッド層１０４の厚さはおよそ１ミクロン
（μｍ）である。ｎ型GaAs基板１０２のドーピングレベ
ルは、およそ５ｘ１０18ｃｍ-3であるかそれより高い。
図示しないが、より低い生産性が許容できる場合には、
下部クラッド層１０４の被着の前にバッファ層が被着さ
れてもよい。
下部クラッド層１０４は、金属有機化学蒸着法（ＭＯＣ
ＶＤ）と一般に称される周知のエピタキシャル成長工程
を用いてｎ型GaAs基板１０２上に成長する。液相エピタ
キシー（ＬＰＥ）、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）など
の被着工程、またはその他の既知の結晶成長工程もま
た、用いることができる。下部クラッド層１０４のアル
ミニウムモル分率及びドーピングレベルはそれぞれ、５
０パーセント、及び１〜５ｘ１０18ｃｍ-3の範囲であ
る。AlInP クラッド層１０４の厚さはおよそ１ミクロン
（μｍ）である。ｎ型GaAs基板１０２のドーピングレベ
ルは、およそ５ｘ１０18ｃｍ-3であるかそれより高い。
図示しないが、より低い生産性が許容できる場合には、
下部クラッド層１０４の被着の前にバッファ層が被着さ
れてもよい。
【００１４】これらの層の上部には、ドープされないAl
0.4Ga0.6As下部閉じ込め層１０６があり、この層はおよ
そ４０％のアルミニウム含量とおよそ１２０ナノメータ
の厚さを有する。この下部閉じ込め層１０６が被着され
た後、GaAs活性層１０８が被着され、これにより８４０
ナノメータ（の波長）での光放射が生じる。活性層１０
８は単一量子井戸、多重量子井戸、または量子井戸の厚
さより大きい厚さを有する層であってもよい。量子井戸
の厚さは、典型的には５ナノメータから２０ナノメータ
の範囲である。活性層１０８の上部には、ドープされな
いAl0.4Ga0.6As上部閉じ込め層１１０がある。この閉じ
込め層１１０のアルミニウム含量は典型的には４０％
で、厚さはおよそ１２０ナノメータである。下部及び上
部閉じ込め層１０６、１１０は、活性層１０８と共に、
より低いしきい電流とより小さな光の発散を有する層構
造を一般的に生成する。
0.4Ga0.6As下部閉じ込め層１０６があり、この層はおよ
そ４０％のアルミニウム含量とおよそ１２０ナノメータ
の厚さを有する。この下部閉じ込め層１０６が被着され
た後、GaAs活性層１０８が被着され、これにより８４０
ナノメータ（の波長）での光放射が生じる。活性層１０
８は単一量子井戸、多重量子井戸、または量子井戸の厚
さより大きい厚さを有する層であってもよい。量子井戸
の厚さは、典型的には５ナノメータから２０ナノメータ
の範囲である。活性層１０８の上部には、ドープされな
いAl0.4Ga0.6As上部閉じ込め層１１０がある。この閉じ
込め層１１０のアルミニウム含量は典型的には４０％
で、厚さはおよそ１２０ナノメータである。下部及び上
部閉じ込め層１０６、１１０は、活性層１０８と共に、
より低いしきい電流とより小さな光の発散を有する層構
造を一般的に生成する。
【００１５】上部閉じ込め層１１０が形成された後、お
よそ１ミクロンのｐ型Al0.5In 0.5P上部クラッド層１１
２が被着される。典型的には、このクラッド層１１２は
５０パーセントのアルミニウム含量と５ｘ１０18ｃｍ-3
のマグネシウムドーピングレベルを有する。上部ｐ型Al
0.5In 0.5Pクラッド層１１２の上部にはGa0.5In0.5P層
１１４があり、この層は典型的には４０％のアルミニウ
ム含有組成率、５０ナノメータの厚さ、及びおよそ５ｘ
１０18ｃｍ-3のマグネシウムドーピングレベルを有す
る。このGaInP 層１１４は、GaInP 層１１４上に被着さ
れたp+-GaAs キャップ層１１６と共に、レーザ構造体へ
のオーム性接触の形成を促進する。このp+-GaAs キャッ
プ層１１６は典型的には１００ナノメータであり、１ｘ
１０19ｃｍ -3のマグネシウムドーピングレベルである。
よそ１ミクロンのｐ型Al0.5In 0.5P上部クラッド層１１
２が被着される。典型的には、このクラッド層１１２は
５０パーセントのアルミニウム含量と５ｘ１０18ｃｍ-3
のマグネシウムドーピングレベルを有する。上部ｐ型Al
0.5In 0.5Pクラッド層１１２の上部にはGa0.5In0.5P層
１１４があり、この層は典型的には４０％のアルミニウ
ム含有組成率、５０ナノメータの厚さ、及びおよそ５ｘ
１０18ｃｍ-3のマグネシウムドーピングレベルを有す
る。このGaInP 層１１４は、GaInP 層１１４上に被着さ
れたp+-GaAs キャップ層１１６と共に、レーザ構造体へ
のオーム性接触の形成を促進する。このp+-GaAs キャッ
プ層１１６は典型的には１００ナノメータであり、１ｘ
１０19ｃｍ -3のマグネシウムドーピングレベルである。
【００１６】図１に示される半導体構造１００の全ての
半導体層が被着された後、窒化ケイ素ストライプ２００
がホトリソグラフィ法によって半導体構造体の上面１１
８に形成される。窒化ケイ素ストライプ２００は幅が４
ミクロンで、半導体構造の表面１１８を長さ方向に延び
ている。
半導体層が被着された後、窒化ケイ素ストライプ２００
がホトリソグラフィ法によって半導体構造体の上面１１
８に形成される。窒化ケイ素ストライプ２００は幅が４
ミクロンで、半導体構造の表面１１８を長さ方向に延び
ている。
【００１７】図２に示されるように、半導体構造体１０
０は、窒化ケイ素ストライプの片側の領域２０２をエッ
チングし、溝２０４を形成する。溝は、角度のついた側
壁を有する深いくぼみを形成する反応性イオンエッチン
グのような方法によって、エッチングされる。溝２０４
はGaAsキャップ層１１６、GaInP 層１１４、及び部分的
にAl0.5In0.5P 上部クラッド層１１２を貫いて、８００
ナノメータの深さまでエッチングされ、上部閉じ込め層
１１０上上部クラッド層１１２を２００ナノメータ残
す。
０は、窒化ケイ素ストライプの片側の領域２０２をエッ
チングし、溝２０４を形成する。溝は、角度のついた側
壁を有する深いくぼみを形成する反応性イオンエッチン
グのような方法によって、エッチングされる。溝２０４
はGaAsキャップ層１１６、GaInP 層１１４、及び部分的
にAl0.5In0.5P 上部クラッド層１１２を貫いて、８００
ナノメータの深さまでエッチングされ、上部閉じ込め層
１１０上上部クラッド層１１２を２００ナノメータ残
す。
【００１８】窒化ケイ素ストライプ２０が表面に残った
状態で溝を形成した後、半導体構造体１００は湿式酸化
処理を受ける。構造体は、典型的には５３０℃を超える
高温の窒素雰囲気中で、およそ４時間、水蒸気で酸化さ
れる。酸化工程中、残りの上部クラッド層１１２は、溝
２０４の部分で酸化雰囲気にさらされる。こうして、高
いアルミニウム含量を有するAlInP から成る上部クラッ
ド層１１２は、溝の各々から放射上に外に向かって酸化
され、自然酸化物層２０６になる。
状態で溝を形成した後、半導体構造体１００は湿式酸化
処理を受ける。構造体は、典型的には５３０℃を超える
高温の窒素雰囲気中で、およそ４時間、水蒸気で酸化さ
れる。酸化工程中、残りの上部クラッド層１１２は、溝
２０４の部分で酸化雰囲気にさらされる。こうして、高
いアルミニウム含量を有するAlInP から成る上部クラッ
ド層１１２は、溝の各々から放射上に外に向かって酸化
され、自然酸化物層２０６になる。
【００１９】湿式酸化中、窒化ケイ素ストライプ２００
の外側の残りのAl0.5In0.5P 上部クラッド層１１２が最
初に酸化され、次に窒化ケイ素ストライプ２００の外側
の上部Al0.4Ga0.6As閉じ込め層１１０の活性領域、GaAs
活性層１０８及び下部Al0.4Ga0.6As閉じ込め層１０６が
酸化される。
の外側の残りのAl0.5In0.5P 上部クラッド層１１２が最
初に酸化され、次に窒化ケイ素ストライプ２００の外側
の上部Al0.4Ga0.6As閉じ込め層１１０の活性領域、GaAs
活性層１０８及び下部Al0.4Ga0.6As閉じ込め層１０６が
酸化される。
【００２０】図３に示されるように、Al0.5In0.5P 半導
体材料はAlx Ga1-x As（ｘ＞0.4 ）半導体材料よりずっ
とゆっくりと酸化する。Al0.5In0.5P （より遅い酸化）
及びAlGaAs合金（より速い酸化）の選択的酸化を用い
て、厚い自然酸化物層を有するリッジウエーブガイドレ
ーザ構造体は、ｐ型Al0.5In 0.5Pクラッド領域を取り去
る(pinch off)ことなしに、AlGaAs/GaAs 活性領域を貫
いて酸化することにより製造することができる。酸化速
度は合金に依存しており、リン化物ベース合金はヒ化物
ベース合金よりずっとゆっくりと酸化する。
体材料はAlx Ga1-x As（ｘ＞0.4 ）半導体材料よりずっ
とゆっくりと酸化する。Al0.5In0.5P （より遅い酸化）
及びAlGaAs合金（より速い酸化）の選択的酸化を用い
て、厚い自然酸化物層を有するリッジウエーブガイドレ
ーザ構造体は、ｐ型Al0.5In 0.5Pクラッド領域を取り去
る(pinch off)ことなしに、AlGaAs/GaAs 活性領域を貫
いて酸化することにより製造することができる。酸化速
度は合金に依存しており、リン化物ベース合金はヒ化物
ベース合金よりずっとゆっくりと酸化する。
【００２１】Alx Ga1-x As（ｘ＞0.7 ）がｐ型クラッド
層で用いられる通常のAlGaAs赤外レーザ構造体における
単純な酸化工程によって、このような厚い自然酸化物層
リッジウエーブガイド構造体を形成することは不可能で
ある。７０％の酸化を超えるAl組成を有するAlGaAs合金
は、活性領域で用いられるAl0.4Ga0.6Asよりずっと速く
酸化するので、ｐ型クラッド層は取り去られ、最初に完
全に酸化されると考えられる。
層で用いられる通常のAlGaAs赤外レーザ構造体における
単純な酸化工程によって、このような厚い自然酸化物層
リッジウエーブガイド構造体を形成することは不可能で
ある。７０％の酸化を超えるAl組成を有するAlGaAs合金
は、活性領域で用いられるAl0.4Ga0.6Asよりずっと速く
酸化するので、ｐ型クラッド層は取り去られ、最初に完
全に酸化されると考えられる。
【００２２】図２に示される酸化が終了すると、窒化ケ
イ素ストライプは除去される。自然酸化層２０６が、窒
化ケイ素ストライプによって被覆されないAl0.5In0.5P
上部クラッド層１１２、Al0.4Ga0.6As下部閉じ込め層１
０６、GaAs活性層１０８、及びAl0.4Ga0.6As上部閉じ込
め層１１０から形成されることになる。
イ素ストライプは除去される。自然酸化層２０６が、窒
化ケイ素ストライプによって被覆されないAl0.5In0.5P
上部クラッド層１１２、Al0.4Ga0.6As下部閉じ込め層１
０６、GaAs活性層１０８、及びAl0.4Ga0.6As上部閉じ込
め層１１０から形成されることになる。
【００２３】図４に示されるように、残りの酸化されて
いないAl0.4Ga0.6As下部閉じ込め層１０６、GaAs活性層
１０８、及びAl0.4Ga0.6As上部閉じ込め層１１０は、光
放射のための活性領域を形成する。残りの酸化されてい
ないAl0.5In 0.5P上部クラッド層１１２は、活性領域か
ら放射される光の光学的閉じ込めのためにリッジウエイ
ブガイド２０８を形成する。
いないAl0.4Ga0.6As下部閉じ込め層１０６、GaAs活性層
１０８、及びAl0.4Ga0.6As上部閉じ込め層１１０は、光
放射のための活性領域を形成する。残りの酸化されてい
ないAl0.5In 0.5P上部クラッド層１１２は、活性領域か
ら放射される光の光学的閉じ込めのためにリッジウエイ
ブガイド２０８を形成する。
【００２４】リッジウエイブガイド２０８は屈折率の差
により光を案内する(index-guided)。自然酸化物層２０
６の屈折率はおよそ1.6 、活性領域１０６、１０８及び
１１０の屈折率はおよそ3.2 、AlInP リッジウエイブガ
イド２０８の屈折率はおよそ3.0 である。屈折率の差異
は、リッジウエーブガイドによって活性領域から放射さ
れる光の、強力な光学的閉じ込めを与える。
により光を案内する(index-guided)。自然酸化物層２０
６の屈折率はおよそ1.6 、活性領域１０６、１０８及び
１１０の屈折率はおよそ3.2 、AlInP リッジウエイブガ
イド２０８の屈折率はおよそ3.0 である。屈折率の差異
は、リッジウエーブガイドによって活性領域から放射さ
れる光の、強力な光学的閉じ込めを与える。
【００２５】自然酸化物領域２０６はまた、レーザ構造
体の電流閉じ込め能力も高め、電流の広がりを厳密に制
限する。
体の電流閉じ込め能力も高め、電流の広がりを厳密に制
限する。
【００２６】活性領域と、リッジウエイブガイドと、自
然酸化物層との間の境界は、エピタキシャル成長工程及
びホトリソグラフ工程によって画定されるので、比較的
滑らかで急である。酸化物領域２０６同士の間の間隔
は、ホトリソグラフィマスク及びエッチング工程を用い
て制御される。ホトリソグラフ工程は精度が高いので、
酸化物領域２０６同士の間の間隔は最小にできる。ま
た、これらの酸化された領域はエピタキシャル工程が完
了した後画定されるので、この方法で工程の融通性が高
度に許容される。
然酸化物層との間の境界は、エピタキシャル成長工程及
びホトリソグラフ工程によって画定されるので、比較的
滑らかで急である。酸化物領域２０６同士の間の間隔
は、ホトリソグラフィマスク及びエッチング工程を用い
て制御される。ホトリソグラフ工程は精度が高いので、
酸化物領域２０６同士の間の間隔は最小にできる。ま
た、これらの酸化された領域はエピタキシャル工程が完
了した後画定されるので、この方法で工程の融通性が高
度に許容される。
【００２７】酸化工程の後、図４に示されるように、金
属コンタクト２１６及び２１８が、レーザをバイアスす
るために基板の表面及び底面上にそれぞれ形成される。
上部電極２１６は接触層１１４及び１１６のみを被覆す
ることができる、または図４に示されるように、電気的
に絶縁している自然酸化物層２０６を部分的に被覆する
ようにリッジの下方に延在することができる。コンタク
トを形成するのに用いられる典型的な素材は、チタン／
金の２層薄膜である。
属コンタクト２１６及び２１８が、レーザをバイアスす
るために基板の表面及び底面上にそれぞれ形成される。
上部電極２１６は接触層１１４及び１１６のみを被覆す
ることができる、または図４に示されるように、電気的
に絶縁している自然酸化物層２０６を部分的に被覆する
ようにリッジの下方に延在することができる。コンタク
トを形成するのに用いられる典型的な素材は、チタン／
金の２層薄膜である。
【００２８】レーザ構造体１００は、半導体構造体１０
０の長さ方向に延在する２５０μｍの長さのキャビティ
を有し、リアファセット（図示せず）上の高反射誘電体
ミラースタック（Ｒ＞９５％）及びフロントまたは放射
ファセット（同様に図示せず）上のパッシベーション層
（Ｒおよそ２５％）で被覆される。レーザ構造体１００
は、3.5 ｍＡのＣＷしきい電流及び３５％／ファセット
の微分量子効率を有する。Ｌ−Ｉ曲線が図５に示されて
いる。９ｍＡでの出力スペクトルが図６に示されてい
る。ビームプロファイラを用いてビームプロファイルが
検討された。駆動電流が１１ｍＡ未満のとき、単一のピ
ークが横方向に沿って観察された。駆動電流が増大する
につれて、図７に示されるように、二つのピークが観察
された。単一横モード動作には、ウエーブガイドモード
の計算からリッジ幅が１μｍ未満である必要がある。
０の長さ方向に延在する２５０μｍの長さのキャビティ
を有し、リアファセット（図示せず）上の高反射誘電体
ミラースタック（Ｒ＞９５％）及びフロントまたは放射
ファセット（同様に図示せず）上のパッシベーション層
（Ｒおよそ２５％）で被覆される。レーザ構造体１００
は、3.5 ｍＡのＣＷしきい電流及び３５％／ファセット
の微分量子効率を有する。Ｌ−Ｉ曲線が図５に示されて
いる。９ｍＡでの出力スペクトルが図６に示されてい
る。ビームプロファイラを用いてビームプロファイルが
検討された。駆動電流が１１ｍＡ未満のとき、単一のピ
ークが横方向に沿って観察された。駆動電流が増大する
につれて、図７に示されるように、二つのピークが観察
された。単一横モード動作には、ウエーブガイドモード
の計算からリッジ幅が１μｍ未満である必要がある。
【００２９】自然酸化物層はまた、良好な熱放散を与え
る。自然酸化物層は３０Ｗ／ｋｍの良好な熱コンダクタ
ンスを有するが、この熱コンダクタンスはクラッド層及
びウエーブガイドのAlInP より５倍良好で、GaAsキャッ
プ層の熱コンダクタンスより２倍高い。レーザ素子は低
いしきい値及び高い効率を有するので、隣接するレーザ
ダイオード間の熱クロストークは小さいと予想される。
る。自然酸化物層は３０Ｗ／ｋｍの良好な熱コンダクタ
ンスを有するが、この熱コンダクタンスはクラッド層及
びウエーブガイドのAlInP より５倍良好で、GaAsキャッ
プ層の熱コンダクタンスより２倍高い。レーザ素子は低
いしきい値及び高い効率を有するので、隣接するレーザ
ダイオード間の熱クロストークは小さいと予想される。
【００３０】モノリシックレーザ構造体の製造に湿式酸
化法を用いる利点はいくつかある。湿式酸化は、埋め込
みリッジウエーブガイドレーザ構造体を画定するのに用
いられるエッチング及び再成長方法に取って代わり、よ
り高い歩留り及びより良いダイオード性能をもたらす。
強力な光学的閉じ込めはより狭いストライプレーザ及び
（リングキャビティレーザのような）湾曲した形状レー
ザの作製を可能にする。より狭いストライプを用いて、
非常に密接に配置されるエッジエミッティングレーザを
作製することが可能である。より大きな横方向での屈折
率の変化はまた、より狭いストライプのより大きな横方
向での回折角度を意味する。これにより、出力ビームプ
ロファイルは、より対称的に、光ファイバ結合やより円
状のビーム形状を必要とする他の用途により適するよう
に形作られる。
化法を用いる利点はいくつかある。湿式酸化は、埋め込
みリッジウエーブガイドレーザ構造体を画定するのに用
いられるエッチング及び再成長方法に取って代わり、よ
り高い歩留り及びより良いダイオード性能をもたらす。
強力な光学的閉じ込めはより狭いストライプレーザ及び
（リングキャビティレーザのような）湾曲した形状レー
ザの作製を可能にする。より狭いストライプを用いて、
非常に密接に配置されるエッジエミッティングレーザを
作製することが可能である。より大きな横方向での屈折
率の変化はまた、より狭いストライプのより大きな横方
向での回折角度を意味する。これにより、出力ビームプ
ロファイルは、より対称的に、光ファイバ結合やより円
状のビーム形状を必要とする他の用途により適するよう
に形作られる。
【００３１】クラッド層にAl0.5In 0.5P合金を用いるも
う一つの利点は、AlInP が AlGaAsよりずっと大きなバ
ンドギャップを有しているということである。AlInP ク
ラッド層を含む赤外レーザは、全てのAlGaAsレーザよ
り、より高い動作温度でより小さなリーク電流を有す
る。
う一つの利点は、AlInP が AlGaAsよりずっと大きなバ
ンドギャップを有しているということである。AlInP ク
ラッド層を含む赤外レーザは、全てのAlGaAsレーザよ
り、より高い動作温度でより小さなリーク電流を有す
る。
【００３２】レーザ構造体はAlInP/AlGaAs合金からなる
が、本発明の自然酸化層を含むリッジウエーブガイド半
導体レーザは、In0.5(AlGa)0.5P/AlGaAsのようなほかの
半導体材料を用いることにより、0.7 μｍから１μｍの
レーザ波長を網羅する。
が、本発明の自然酸化層を含むリッジウエーブガイド半
導体レーザは、In0.5(AlGa)0.5P/AlGaAsのようなほかの
半導体材料を用いることにより、0.7 μｍから１μｍの
レーザ波長を網羅する。
【００３３】前記の構成、ドーパント、ドーピングレベ
ル、及び寸法は単に例示的なものであり、これらのパラ
メータの変更は許容可能である。更に、図で示される層
に加えて、他の層を含んでもよい。温度及び時間のよう
な実験条件における変更も許容される。最後に、GaAs及
びGaAlAsの代わりにGaAlSb、InAlGaP 、またはアルミニ
ウムを含む他のIII-V 族合金のような他の半導体材料も
用いることができる。
ル、及び寸法は単に例示的なものであり、これらのパラ
メータの変更は許容可能である。更に、図で示される層
に加えて、他の層を含んでもよい。温度及び時間のよう
な実験条件における変更も許容される。最後に、GaAs及
びGaAlAsの代わりにGaAlSb、InAlGaP 、またはアルミニ
ウムを含む他のIII-V 族合金のような他の半導体材料も
用いることができる。
【図１】本発明のリッジウエーブガイドレーザ構造体の
半導体層の断面側面図である。
半導体層の断面側面図である。
【図２】エッチング及び湿式酸化後の、本発明のリッジ
ウエーブガイドレーザ構造体の半導体層の断面側面図で
ある。
ウエーブガイドレーザ構造体の半導体層の断面側面図で
ある。
【図３】数種の半導体材料の酸化厚さ対温度の逆数のグ
ラフである。
ラフである。
【図４】本発明のリッジウエーブガイドレーザ構造体の
断面側面図である。
断面側面図である。
【図５】図４のリッジウエーブガイドレーザ構造体の電
力−電流曲線を示すグラフである。
力−電流曲線を示すグラフである。
【図６】図４のリッジウエーブガイドレーザ構造体のＣ
Ｗスペクトルを示すグラフである。
Ｗスペクトルを示すグラフである。
【図７】図４のリッジウエーブガイドレーザ構造体のビ
ームプロファイルを示すグラフである。
ームプロファイルを示すグラフである。
１００ リッジウエーブガイド半導体レーザ １０２ 基板 １０４ ｎ型Al0.5In0.5P 第一クラッド層 １０６ Al0.4Ga0.6As第一閉じ込め層 １０８ GaAs活性層 １１０ Al0.4Ga0.6As第二閉じ込め層 １１２ ｐ型Al0.5In 0.5P第二クラッド層 ２０４ 溝 ２０６ 自然酸化物層 ２０８ リッジウエーブガイド ２１４ ウエーブガイド
Claims (2)
- 【請求項１】 リッジウエーブガイド半導体レーザであ
り、 基板と、 前記基板上に形成されるｎ型Al0.5In0.5P 第一クラッド
層と、 前記第一クラッド層上に活性領域を形成するドープされ
ないAl0.4Ga0.6As第一閉じ込め層、GaAs活性層、及びド
ープされないAl0.4Ga0.6As第二閉じ込め層と、 前記活性領域上に形成されるｐ型Al0.5In0.5P 第二クラ
ッド層から形成されるリッジウエーブガイドであって、
前記リッジウエーブガイドが前記活性領域からの光放射
に対して光学的閉じ込めを与え、前記リッジウエーブガ
イドが溝に形成される自然酸化物層によって画定され、
前記自然酸化物層が前記第二クラッド層及び前記活性領
域から形成されるリッジウエーブガイドと、 前記活性領域のバイアスを可能にする第一及び第二電極
とを含む、 リッジウエーブガイド半導体レーザ。 - 【請求項２】 前記自然酸化物層が、アルミニウムを含
む半導体材料の自然酸化物を含む、請求項１に記載のリ
ッジウエーブガイド半導体レーザ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/920,444 US6044098A (en) | 1997-08-29 | 1997-08-29 | Deep native oxide confined ridge waveguide semiconductor lasers |
| US920444 | 1997-08-29 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11135879A true JPH11135879A (ja) | 1999-05-21 |
| JP4213261B2 JP4213261B2 (ja) | 2009-01-21 |
Family
ID=25443756
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24163698A Expired - Lifetime JP4213261B2 (ja) | 1997-08-29 | 1998-08-27 | リッジウエーブガイド半導体レーザ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6044098A (ja) |
| EP (1) | EP0905836B1 (ja) |
| JP (1) | JP4213261B2 (ja) |
| DE (1) | DE69809675T2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100361593B1 (ko) * | 2000-11-23 | 2002-11-22 | 주식회사일진 | 볼록 요철을 갖는 광학집적회로 소자, 그 제조방법, 그광학집적 회로 소자를 이용하여 제조한 광통신용 송수신장치의 모듈 |
| KR100396742B1 (ko) * | 2000-11-23 | 2003-09-02 | 주식회사일진 | 광학집적회로 소자 및 그 제조방법, 그리고 그 광학집적회로 소자를 이용하여 제조한 광통신용 송수신 장치의 모듈 |
| JP2003283052A (ja) * | 2002-03-22 | 2003-10-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| US7177490B2 (en) | 2003-03-20 | 2007-02-13 | Fujitsu Limited | Optical waveguide, optical device, and method of manufacturing optical waveguide |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6272275B1 (en) * | 1999-06-25 | 2001-08-07 | Corning Incorporated | Print-molding for process for planar waveguides |
| US6665330B1 (en) * | 1999-09-14 | 2003-12-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor device having a semiconductor ring laser with a circularly formed ridge optical waveguide |
| US6757313B1 (en) * | 1999-11-12 | 2004-06-29 | Trumpf Photonics Inc. | Control of current spreading in semiconductor laser diodes |
| CA2388858A1 (en) * | 1999-11-12 | 2001-05-17 | Princeton Lightwave, Inc. | Control of current spreading in semiconductor laser diodes |
| US6731663B1 (en) * | 2000-03-28 | 2004-05-04 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Ridge waveguide type semiconductor laser device |
| US6654534B1 (en) * | 2000-11-13 | 2003-11-25 | Bookham Technology, Plc | Electrode, termination for reduced local heating in an optical device |
| US20020197016A1 (en) * | 2001-06-20 | 2002-12-26 | Sethumadhavan Chandrasekhar | Photodetector having a waveguide and resonant coupler and a method of manufacture therefor |
| JP3913194B2 (ja) * | 2003-05-30 | 2007-05-09 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体発光素子 |
| JP2007510313A (ja) * | 2003-11-06 | 2007-04-19 | ブックハム テクノロジー ピーエルシー | 高温レーザダイオード |
| US7508857B2 (en) * | 2004-12-14 | 2009-03-24 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Semiconductor laser diode and method of manufacturing the same |
| KR100710048B1 (ko) * | 2004-12-14 | 2007-04-23 | 한국전자통신연구원 | 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법 |
| US20070217470A1 (en) * | 2006-03-20 | 2007-09-20 | Nlight Photonics Corporation | Laser diode stack end-pumped solid state laser |
| CN102017336B (zh) * | 2008-05-06 | 2012-07-04 | 惠普开发有限公司 | 微环形激光器系统和方法 |
| US9059356B1 (en) * | 2013-11-22 | 2015-06-16 | Sandia Corporation | Laterally injected light-emitting diode and laser diode |
| US11658453B2 (en) * | 2018-01-29 | 2023-05-23 | Ronald LaComb | Concentric cylindrical circumferential laser |
| EP3881029B1 (en) * | 2018-11-16 | 2024-01-03 | Oscps Motion Sensing Inc. | Optical gyroscopes and methods of manufacturing of optical gyroscopes |
| CN113644549B (zh) * | 2021-08-11 | 2023-10-13 | 中国科学院半导体研究所 | 电泵激光器及其制备方法 |
| CN114825046B (zh) * | 2022-06-27 | 2022-09-02 | 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 | 一种半导体发光结构及其制备方法 |
| CN115799990A (zh) * | 2022-11-14 | 2023-03-14 | 中国科学院半导体研究所 | 一种高铝组分的氧化限制半导体激光器及其制备方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4230997A (en) * | 1979-01-29 | 1980-10-28 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Buried double heterostructure laser device |
| US5262360A (en) * | 1990-12-31 | 1993-11-16 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | AlGaAs native oxide |
| US5327448A (en) * | 1992-03-30 | 1994-07-05 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Semiconductor devices and techniques for controlled optical confinement |
| US5550081A (en) * | 1994-04-08 | 1996-08-27 | Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Method of fabricating a semiconductor device by oxidizing aluminum-bearing 1H-V semiconductor in water vapor environment |
| US5832019A (en) * | 1994-11-28 | 1998-11-03 | Xerox Corporation | Index guided semiconductor laser biode with shallow selective IILD |
-
1997
- 1997-08-29 US US08/920,444 patent/US6044098A/en not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-08-17 EP EP98115466A patent/EP0905836B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-08-17 DE DE69809675T patent/DE69809675T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-08-27 JP JP24163698A patent/JP4213261B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100361593B1 (ko) * | 2000-11-23 | 2002-11-22 | 주식회사일진 | 볼록 요철을 갖는 광학집적회로 소자, 그 제조방법, 그광학집적 회로 소자를 이용하여 제조한 광통신용 송수신장치의 모듈 |
| KR100396742B1 (ko) * | 2000-11-23 | 2003-09-02 | 주식회사일진 | 광학집적회로 소자 및 그 제조방법, 그리고 그 광학집적회로 소자를 이용하여 제조한 광통신용 송수신 장치의 모듈 |
| JP2003283052A (ja) * | 2002-03-22 | 2003-10-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| US7177490B2 (en) | 2003-03-20 | 2007-02-13 | Fujitsu Limited | Optical waveguide, optical device, and method of manufacturing optical waveguide |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6044098A (en) | 2000-03-28 |
| DE69809675D1 (de) | 2003-01-09 |
| DE69809675T2 (de) | 2003-04-10 |
| EP0905836A2 (en) | 1999-03-31 |
| EP0905836B1 (en) | 2002-11-27 |
| JP4213261B2 (ja) | 2009-01-21 |
| EP0905836A3 (en) | 1999-04-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4213261B2 (ja) | リッジウエーブガイド半導体レーザ | |
| US6052399A (en) | Independently addressable laser array with native oxide for optical confinement and electrical isolation | |
| US5747366A (en) | Method of fabricating a surface emitting semiconductor laser | |
| US8716044B2 (en) | Optical semiconductor device having ridge structure formed on active layer containing P-type region and its manufacture method | |
| US5208821A (en) | Buried heterostructure lasers using MOCVD growth over patterned substrates | |
| US5999553A (en) | Monolithic red/ir side by side laser fabricated from a stacked dual laser structure by ion implantation channel | |
| JP2012089895A (ja) | インデックスガイド型埋め込みヘテロ構造窒化物レーザダイオード構造 | |
| US6167074A (en) | Monolithic independently addressable Red/IR side by side laser | |
| JP2024036486A (ja) | エッチングされた平坦化ｖｃｓｅｌおよびその作製方法 | |
| US20120236890A1 (en) | P-type isolation regions adjacent to semiconductor laser facets | |
| US5737351A (en) | Semiconductor laser including ridge structure extending between window regions | |
| US5886370A (en) | Edge-emitting semiconductor lasers | |
| US6287884B1 (en) | Buried hetero-structure InP-based opto-electronic device with native oxidized current blocking layer | |
| US4416012A (en) | W-Guide buried heterostructure laser | |
| US5917847A (en) | Independently addressable semiconductor laser arrays with buried selectively oxidized native oxide apertures | |
| JPS5940592A (ja) | 半導体レ−ザ素子 | |
| US5309465A (en) | Ridge waveguide semiconductor laser with thin active region | |
| EP0422941B1 (en) | Method of manufacturing a window structure semiconductor laser | |
| US4759025A (en) | Window structure semiconductor laser | |
| JP7297875B2 (ja) | 利得導波型半導体レーザおよびその製造方法 | |
| EP0284684B1 (en) | Inverted channel substrate planar semiconductor laser | |
| JP2001057459A (ja) | 半導体レーザ | |
| JP4638753B2 (ja) | 半導体光素子および半導体光素子の製造方法 | |
| US20050078724A1 (en) | Single mode distributed feedback lasers | |
| JPH07312462A (ja) | 面発光レーザダイオードの製造方法，及び面発光レーザダイオード |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050826 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080428 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080527 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080707 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080930 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20081030 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111107 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111107 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121107 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121107 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131107 Year of fee payment: 5 |
|
| S201 | Request for registration of exclusive licence |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R314201 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |