TWI222131B - Wet station having improved gas mixing means - Google Patents

Description

五、發明說明（1) 發明所屬之 本發明 特別是有關 FPD)製作的 先前技術 用於平 要控制像是 很大的負擔 液’用洗滌 濕機台的製 濕機台處理 濕機台 或無機污染 體基底上移 劑’要移除 清潔溶劑的 和，假如半 機台的清潔 會將臭氧（0Σ 但是， 度維持與控 濕機台會需 體的密度維 的空間好使 技術領域 種用於”體元件製作的設備，且 濕機台。、千板顯不器⑴at Panel display， =示It製作的半導體基底大過—公尺 寺β冻设備的大小對FPD製造商來 . 液；；：：台：巧r開：是先用清潔： 无進仃一道乾燥過程，考量到這些 力的縮小濕機台的尺寸以；縮短用 千导體基底的時間。 ⑺ ，用來移除吸附於半導體基底上的顆粒、 勿、金屬污染物以及原生氧化層，或是自半導 本J酸(CH3C00H)是用來作為溶劑與剝除 殘遠在+導體基底上的光阻時會被使用到。 使用期間，在半導體基底上的有機物質會被中 導體基底變成親水性的，在使用洗滌液期間、、晶 力會被改善，為了確定半導體基底的親水性= I )注入到清潔溶液内。 ’ 習知的濕機台無法將清潔溶液内的臭氧氣體密 制在一個預期狀態下，結果使用清潔溶液以後 C的洗務液於半導體基底上’好讓k 符在預期的狀態下，因此濕機台需要一個額外 用洗條液，這會讓濕機台變大；而且因為濕機

第6頁 五、發明說明⑵ =要把洗滌液用在半導體基底上，就會需要一段長時間來 f理半導體基底。 一 發明内容 人 1此本發明的目的就是在提供一種具有改良式氣體混 的：又的濕機台，透過使用改良式氣體混合手段可以有效 #將一清潔溶液與一氣體混合並處理在溶液槽内的半導體 基底。 根據本發明的目的之一，提出一種濕機台，此濕機台 土括=溶液槽、一儲存槽、一供應管、一幫浦、一氣體混 合手段、以及一密度控制器。在溶液槽内，半導體基底會¥ f此處理且其中包括一浸泡槽與一喷嘴；儲存槽會連接到 溶液槽’係儲存由溶液槽流出的化學溶液並供應化學溶液 到溶液槽内；供應管係用以作為一通道以供應化學溶液到 溶液槽；幫浦係裝設在供應管的一端以供應化學溶液到溶 液槽；氣體混合手段係裝設在供應管的另一端，會注入一 氣體到化學溶液内，並使氣體與化學溶液混合；而密度栌 制f會顯示由供應管供應且通過氣體混合手段的化學“ 較適㊄的是，氣體混合手段包括一氣體產 # !混合器’其中氣體產生器會由供應管的外：二一乳 官；氣體混合器會裝設在供應管的内部，此至1供應 括一主體與一頭邱，古舻在以义日料μ 乳體混合器包 碩邛，主體係以相對於該供應管 形成，而頭部係形成在垂直方向上，级右邊角度 通過主體。 野m 5亥化學溶液可以

1222131 發明說明（3) 較適當的是，本 display，FPD) _ 1導體元件為平板顯示（flat panel 是自半導體元/而在溶液槽内的半導體元件處理就 臭氧酸層光阻；氣體產生器會產生 管合：J管包括一第-供應管與-第二供應 二供應管會由第二徂ί到溶液槽的浸泡槽之下方部份，第 根據本發明，=延伸並連接到溶液槽的喷嘴上。 液與像是臭氧等*科 < 有效將混合由儲存槽供應的清潔溶 與控制在二清潔溶液内的氣體密度維持 為省略了、先程度下’就可以省略使用洗務液，因 間，因此可=2 ’就可以不需要容納洗蘇液的空 的清潔力，之、： ’;、、機台的尺寸’另外也可以改善濕機台 時間。 & «減少濕機台處理半導體基底所需要的處理 顯易；讓二上f和其他目&、特徵、和優點能更明 細說明如^文特舉—較佳貫施例’並配合所附圖式，作詳 實施方式： 之類：j絮溶液"一詞適用最廣的定義，並不限於像是萨酸 頬的特定化學溶液。 冢疋醋酉夂 來呈t不特徵與本質1"，本發明可以用不同的方式 Β :例來說，氣體混合手段將清潔溶劑與臭氧混 外，Γ疋也可以將清潔溶液與氮氣或是其他氣體混人。另 乳體混合手段會自半導體基底上移除光阻，但^也可 1222131 以用來自半導體基底的表面上移除其他污染物，因此本發 明不應該僅限於在此提到的實施例範圍。 第1圖是根據本發明提供的一種具有氣體混合手段1 5 〇 的濕機台1 0 〇之結構剖面簡示圖。

請參照第1圖，濕機台1 〇 〇包括溶液槽i丨0、儲存槽 1 2 0、供應管1 4 0、幫浦1 3 0、氣體混合手段丨5 〇、以及密度 控制器160。用來處理半導體基底丨7〇的溶液槽110包括一 個浸泡槽114以及一個噴嘴112，儲存槽丨2〇會被連接到溶 液槽11 0，用以儲存由溶液槽11 〇流出的清潔溶液並供應清 潔溶液到溶液槽110内；供應管140是用來供應清潔溶液到 溶液槽110 ;幫浦130會裝設在供應管14〇的一端以供應清 潔溶液到溶液槽；氣體混合手段1 5 〇會裝設在供應管丨4 〇的 另一端’將空氣注入到清潔溶液内，並將空氣與清潔溶液 混合；密度控制器160會顯示由供應管14〇供應且通過氣體 混合手段1 5 0的化學溶液之密度。

在溶液槽11 0内，清潔溶液的應用方式可以用喷嘴11 2 將清潔溶液喷灑在半導體基底丨70上，也可以用浸泡槽112 將半導體基底1 7 0浸泡在清潔溶液内。供應管丨4 〇包括連接 到浸泡槽11 4下方埠份的第一供應管丨42以及連接到喷嘴 1 1 2的第一供應管1 4 4，因此儲存槽1 2 0與浸泡槽1 1 4間的距 離可以縮短，這會更方便將清潔溶液内的氣體密度控制在 一個預定狀態下，舉例來說，1%的臭氧在99%的醋酸内。 另外，氣體混合手段150不是裝設在儲存槽12〇，而是 直接連接到供應管1 40上，並利用氣體混合器丨54將清潔=

1222131 五、發明說明（5) 液與氣體產生器1 52產生的臭氧相混入， 清潔溶液内的臭氧濃度維持在預定狀"態下乂。可以有效的將 密度控制器160不是裝設在儲存 接到供應管140，好讓濕機台!。。可以：20二直接連 的臭氧氣體密度控制在預定的狀態。、、、將巧冷溶液内 第2圖是氣體混合手段15〇 合手段150上的氣體混合器154 I第第3 =氣體遇 ':面，而第4圖是沿著第3圖的線段v_v 。月多照第2圖至第4圖，在第}圖中的 人 Θ 包二氣體產生器150與氣體混合氣154，如第「二手心〇 體混合1§154包括一個主體156與頭部158 ^ 乳 在相對於供應管14G的右邊角度上， 體56 =形成 5方向上，好讓該化學溶液可以通過主體58九形成在垂 氣體產生器1 52供應的氣體像是臭氧等 ^，由 關的主體15“後會溶在清潔溶V内在二^ 管i 40提供的清潔溶^ 8()㈣氣^ k曰讓在由供應 狀態下。 X、、隹符在預定的 根據本發明，利用有效的將 ;種”像是臭氧混合，並將氣體密产 下，精由減少使用洗滌液需要的 J：：， 少濕機台處理半導體基底所需要 。 、本叙明已以一較佳實施例揭露 以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離二 第10頁 1222131

第11頁 1222131 圖式簡單說明 圖式簡單說明 第1圖是根據本發明提供的一種具有氣體混合手段的 濕機台之結構剖面簡示圖； 第2圖是氣體混合手段的剖面圖； 第3圖是氣體混合手段上的氣體混合器，係沿著第2圖 的線段IV-IV’剖面；以及 第4圖是沿著第3圖的線段V-V’之剖面圖。 圖式標示說明： 100 濕機台11 0 溶液槽 112 喷嘴11 4 浸泡槽 120 儲存槽1 3 0 幫浦 140 供應管1 42 第一供應管 144 第二供應管150 密度控制器 152 氣體產生器154 氣體混合器 156 主體1 5 8 頭部 160 密度控制器170 半導體基底 180 清潔溶液1 90 氣體

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Claims (1)

1222131 六、申請專利範圍 1 · 一種濕機台，包括： 喷嘴了溶液槽’會在其中處理一半導體元件，且其中有- 來的：ί ί ?二Ϊ该溶液槽連通，會儲存由該溶液槽流過 末的一化學溶液並供應該化學溶液到該溶液槽； 、 溶 液槽y供應官’用來作為_通道以供應該化學溶劑到該 到該溶液槽； 一幫浦，裝设在該供應管之伊端用以供應該化學 入 以 二=j控制器，顯示透過該供應管供應以 體混合手段之該化學溶液的密度。 幻/札 體元m”範圍第1項所述之濕機台，其中該半導 體7G件為一平板顯示器。 T Y 3·如申請專利範圍第丨項所述之， 表面上移除一光阻。 元疋自孩丰導體70件的一 4·如申請專利範圍第1項所述 甘士# A 混合手段包括·· /“、、機口 ，其中该軋體 一氣體產生器，由該供應管外 及 Γ °卩連接到該供應管；以 一氣體混合器，裝設在供應管的内部。

六 、申請專利範圍 5 ·如申請專利範圍第4項所述之濕機台，其中該氣體 產生器會產生一臭氧氣體。 、 6 ·如申請專利範圍第4項所述之濕機台，其中該氣 混合器包括·· —主體，以相對於該供應管的右邊角度形成；以及 過該主形成在垂直方向上，好讓該化學溶液可以通 管包括·. 如申請專利範圍第1項所述之濕機台，其中 該供應 槽係儲ΞΓϊ專利範圍第1項所述之濕機台，其中 槽進二JIΪ專利範圍第1項所述之濕機台，其中 接到該 該儲存 ^ ，，該溶液 次泡槽，用以承裝由噴嘴噴灑的一化學溶