TWI221347B - Semiconductor laser and manufacturing method thereof - Google Patents

Description

1221347 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明有關一具有脊形電流集中部位之半導體雷射， 而且更特定在關於取得藉由改良形狀之半導體雷射以及其 製作方法。 【先前技術】

最近幾年’已發展出一在雙異結構中具有脊形電流集 中部位（脊形部位）之半導體雷射，其用來當作一短波長及 高輸出之光源。在此型雷射中，爲了要獲得一目的雷射特 性，在脊寬上之嚴格控制便非常重要。特別是，使用於唯 讀光碟及唯讀數位影音光碟之高輸出光源之半導體雷射， 必須減少脊寬，以及嚴格控制脊寬。

然而，一般使用濕蝕刻製程中，脊形側表面在經過蝕 刻處理後形成連續細尖狀。因此，當脊寬減少時，會產生 操作電壓增加之問題其歸咎於上脊寬減少以及產生光輸 出-電流特性之扭曲問題。 要注意脊寬及脊高兩部分必須嚴格控制。在習知技術 中，蝕刻停止層要插入覆蓋層中間，且覆蓋層之蝕刻是由 蝕刻停止層所中止，因此便能控制脊高部分。此蝕刻可由 濕蝕刻法達成，但是像反作用離子蝕刻法之類之乾蝕刻法 幾乎無法確定可使用蝕刻停止層來中止鈾刻。因此，濕蝕 刻法必須使用於形成脊形之蝕刻上，而在實際操作上此脊 形無法避免形成連續細尖狀。 - 5- (2)1221347 如上所述，傳統上具有脊形部位之半導體雷射，其脊 形部分之側表面很難形成垂直，此爲阻礙實現高輸出雷射 之原因，因此，必須要求達成一高輸出半導體雷射其能實 現脊形部分之側表面爲垂直，並且防止光輸出-電流特性 之紐曲情形產生，以及半導體雷射之製作方法。 【發明內容】

根據本發明之第一觀點，設有一種半導體雷射包含： 一基底； 一在上述基底上方形成之雙異結構，此雙異結構部份 包括一在上述基底上形成之第一覆蓋層，一在第一覆蓋層 上形成之主動覆蓋層以及一在主動覆蓋層上形成之第二覆 蓋層’此第二覆蓋層在其上表面具有一條紋形凸出物，該 ΰ出物具有其側牆實質上垂直形成在基底表面上之上方部

一在線寬上大於上方部分之線寬之步階形狀之下方部 分；以及 一電流阻隔層，其自凸出物之側表面延伸形成至除了 凸出物之上部分外之第二覆蓋層之上表面。 Β外’根據本發明之第二觀點，設有一半導體雷射其 包含： 一第一導電型複合半導體基底； 一在上述複合半導體基底上方形成之雙異結構部份， 此雙異結構部份具有第一導電型覆蓋層，一主動層，一第 二導電型第一覆蓋層，一第二導電型蝕刻停止層以及一第 冬 (3)1221347 二導電型第二覆蓋層，其相繼在以上複合半導體基底上方 形成’具有電流集中部位之第二覆蓋層在雙異結構上表面 形成並當作是條紋型凸出物，該電流集中部位具有其側牆 實質上垂直形成在基底上之第一脊形部分，以及一在線寬 上大於第一脊形部分線寬之步階形狀之第二脊形部分；以 及

一電流阻隔層，其自第一及第二脊形部分之側表面延 伸形成至除了第一脊形部分之上表面外之第二導電性型第 一覆蓋層。 另外，根據本發明之第三觀點，有一半導體雷射之製 造方法其包含： 一雙異結構部份，其藉由在基底上方相繼形成之第一 覆蓋層，主動層以及第二覆蓋層來形成；

藉由反作用離子蝕刻法中途選擇性蝕刻第二覆蓋層， 並且形成一條紋式凸出物其側牆相關於基座實質上是垂直 的； 在凸出物之側表面上形成一側牆絕緣薄膜；以及 使用此側牆絕緣薄膜當作一遮罩，並且透過濕蝕刻法 部分移除第二覆蓋層之殘留上表面。 【實施方式】 在詳細解釋一實施例之則’先介紹以下實施例之影響 〇 根據此實施例，可藉由反作用離子蝕刻法來形成垂直 -7- (4) (4)1221347 之脊形邊牆，就像用蝕刻來形成一電流集中部位（脊形部 位）。此時，形成此脊型之所有覆蓋層部位並非全使用反 作用離子蝕刻法來蝕刻，但其大部分是使用反作用離子蝕 刻法來蝕刻而且剩下部分是依照濕蝕刻法完成。結果是， 當使用反作用離子蝕刻法維持垂直側時，由於此蝕刻法便 可抑制損害的發生。 更明確地說，當到達鈾刻停止層時才第一次使用反作 用離子蝕刻法，但到達此蝕刻停止層前就要停止。結果是 ，可獲得一與脊形部位垂直之側牆外型。形成一側牆隔離 薄膜後，藉由濕蝕刻剩餘之覆蓋層，需確定蝕刻在此蝕刻 停止層停止，之後濕蝕刻此蝕刻停止層，藉以移除蝕刻停 止層但保留脊形部位。 由第二次蝕刻（濕蝕刻法）所形成之脊寬大於由第一次 蝕刻（反作用離子蝕刻法）所形成之脊寬並具有一尖細型式 。然而，藉由充分地擴大第一次蝕刻之深度以及縮小第二 次蝕刻深度，此脊寬可實質地視爲由第一次蝕刻所得之上 側脊寬。既然此寬度是由反作用離子蝕刻法決定並且無尖 細端，便可根據設計來嚴格控制。 如上所述，根據此實施例，可實現一具有垂直脊形之 雷射結構以及一窄脊寬，並限制光輸出-電流特性之扭曲 ，以及實現一高輸出。 根據本發明之實施例以及相關附隨圖形將在下文中敘 述。 (5) (5)1221347 (第一實施例） 根據本發明第一實施例之紅半導體雷射其配置架構如 圖1A以及1 B所示。一 η型砷化鎵緩衝層1 1，一 n型磷 化鋁銦鎵覆蓋層1 3，一包含非參雜磷化鋁銦鎵/磷化銦鎵 之MQW主動層14，一 p型磷化鋁銦鎵覆蓋層15皆在η 型砷化鎵基座1 〇形成。如圖1 Β所示，一包含ρ型磷化銦 鎵蝕刻停止層1 6，ρ型磷化鋁銦鎵覆蓋層1 7以及ρ型磷 化銦鎵冠蓋1 8之條紋形山脊部位在ρ型磷化鋁銦鎵覆蓋 層1 5上形成。 該脊形部位具有電流集中部位之功能且其側表面經過 實質地垂直處理。再者，Ρ型覆蓋層1 7以及蝕刻停止層 1 6之底部寬度皆比其他區域寬。脊形部分之側表面嵌入 至η型磷化銦鋁阻隔層25，一 ρ型砷化鎵接觸層26在脊 形部位之冠蓋層18上形成並且壓平阻隔層25及其表面。 此外，一 ρ型電極2 7在接觸層2 6上形成，一 η型電極 28在基座10之背面形成。 根據此實施例之雷射製作方法與相關圖示2 Α至2 D 將說明如下。 首先，如圖2 A所示，一厚度〇. 5 μηι之η型砷化鎵緩 衝層1 1在厚度25 Ομηι之砷化鎵基座1〇上長成。然後’ 一厚度1 ·2 μηι之η型磷化銦0·5(鎵〇.3鋁0.7)0.5覆蓋層 13在緩衝層1 1長成，一厚度0.05 μηι之MQW主動層14 包括非參雜憐 化銦 〇·5(鎵 〇·55 鋁 0.45)0.5/磷化銦 0.5 鎵 〇·55，一 (6) (6)1221347 厚度0·2μηι之p型磷化銦0.5(鎵0.3鋁0.7)0.5覆蓋層15 ,一厚度0.01 μ m之p型磷化銦鎵蝕刻停止層1 6，以及一 厚度0·9μηι之p型磷化銦0·5(鎵〇·3鋁〇·7)〇·5覆蓋層17 ，然後形成一雙異結構。再者，一厚度〇· 1 之Ρ型磷化 銦鎵冠蓋層1 8在ρ型覆蓋層1 7長成。要特別注意的是’ 各層級〗i至i 8是藉由有機金屬化學汽相陳積法在相同密 室連續長成的。 然後，一厚度0.2 μιη之二氧化矽薄膜被置放在冠蓋層 1 8上，此二氧化矽薄膜用絕緣遮罩來摹製，因此形成一 寬度2.0 μ m之二氧化矽遮罩2 1如圖2 Β所示。然後，此 二氧化矽遮罩2 1藉由反作用離子蝕刻法被用以個別垂直 處理p型磷化銦鎵冠蓋層1 8厚度近於0 . 1 μηι以及p型磷 化鋁鎵銦覆蓋層1 7近於 0 · 8 μπι。結果，第一個寬度爲 2.0 μπα之脊形便形成。反作用離子鈾刻法是在一大氣壓以 及射頻功率2 5 0瓦之情況下使用包含氯氣之鈾刻氣體來達 成。要注意的是通常形成脊形之寬度是1.0 μηι到2.5 μπι。 然後，如圖2C所示，氮化矽薄膜（側牆絕緣薄膜）22 依自我排列方式在第一脊形側牆上形成。特別的是， 0.5 μιη之氮化矽薄膜被沉積在整個表面然後往回蝕刻。結 果，在脊形側牆上便留有厚度0.4 μηι之氮化矽薄膜。 之後，如圖2D所示，側牆絕緣薄膜22用來當作遮 罩，在脊形周圍厚度爲〇」μιη之ρ型磷化鋁銦鎵覆蓋層 1 7是使用磷酸來蝕刻，然後Ρ型磷化銦鎵蝕刻停止層1 6 是使用含溴液體來蝕刻。當使用磷酸時，因爲蝕刻磷化鋁 -10- (7) (7)1221347 銦鎵之速度快到足以與磷化銦鎵相比’所以只有剩餘p型 覆蓋層1 7在反作用離子蝕刻法之後可確保被移除。當使 用含溴液體時，因爲蝕刻磷化銦鎵之速度快到足以與磷化 鋁銦鎵相比，所以鈾刻停止層1 6在不減少P型覆蓋層15 厚度情況下可確保被移除。 濕蝕刻法是與在脊形部位側牆形成之側牆絕緣薄膜 22 —起進行。此濕蝕刻法具有表面定向附屬物’如果蝕 刻執行時無保護側牆絕緣薄膜2 2 ’則形成脊形部位之覆 蓋層1 7其側牆可能變形成尖細狀。 再者，要等鈾刻停止層1 6感光後才能執行反作用離 子蝕刻法蝕刻覆蓋層1 7，但是蝕刻停止層感光前就要立 刻停止，而剩餘覆蓋層1 7之蝕刻則受到濕蝕刻法影響。 因此，可確定覆蓋層1 7之蝕刻在蝕刻停止層1 6中是停止 的。此外，既然鈾刻停止層1 6也是使用濕蝕刻法，在下 方之P型覆蓋層15便不受損害。 之後，只有側牆絕緣薄膜22用乾蝕刻法被選擇性移 除，然後二氧化矽遮罩21被用以向外延長厚度爲0.2 μπι 之η型磷化銦0.5鋁0 · 5隔離層2 5。既然η型磷化銦0 · 5 鋁0.5層不在二氧化矽遮罩21上長成，其便在ρ型磷化 銦0.5 (鎵0.3鋁〇·7)〇·5覆蓋層15上選擇性沉積。 此外，移除在山脊部位上半部之二氧化矽遮罩2 1之 後，P型砷化鎵接觸層26沉積且其表面是扁平的。之後 ，P電極（含鋅之金）27被蒸發，藉由絕緣遮罩形成上半部 電極。再者，砷化鎵基座I 〇被磨光至厚度1 0 0 μ m，然後 -11 - (8) (8)1221347 η電極（含鍺之金）2 8形成，因此得到如圖1之結構。 之後，在攝氏450度之氬氣中進行淬鍊150分鐘，更 進一步地’將晶圓片分開以脊形部位其具有由震盪頻率決 定預定長度那樣的方法製作成一晶片。 如上所述，根據此實施例，由於大多數脊形部位是由 反作用離子蝕刻法形成，所以脊形部位之側牆爲一垂直外 型，而且其上脊寬可根據設計値縮減。 因此’上脊寬不像濕蝕刻法之例子那樣，其縮減不能 超過所需値。再者，操作電壓之增加量可受到抑制，亦可 實現高輸出。此外，步階部位之影響可防止所產生之光輸 出-電流特性圖扭曲。 附帶一提，雖然脊形部位之底部經由濕蝕刻法處理過 ’因此蝕刻深度相對地很小，即使此部分是尖細型也沒問 題。以實現高輸出雷射之觀點來看，脊形部位之底部高度 小於其上部位之垂直部分高度是令人期待的。 相反地，脊形部位之底部經由反作用離子触刻法蝕刻 後’會在底下之p型覆蓋層1 5產生蝕刻損害。此實施例 中’濕蝕刻脊形部位之底部可防止蝕刻損害的發生。 關於檢查脊形部位之步階範圍結果敘述如下。如圖 2A所示之結構中，建立一樣本厚度爲0.25 μΐΏ之p型覆蓋 層15，厚度爲1.15 μηι之ρ型覆蓋層17以及經由反作用 離子蝕刻法處理寬度爲1 . 6 μιη之ρ型覆蓋層1 7所形成之 胃形部位。此時，產生一樣本爲餘留在脊形下部位之步階 其高度及寬度皆改變，並且可觀察光輸出-電流特性圖產 -12- (9) (9)1221347 生之扭曲程度。圖3顯示其結果。 圖3顯示防止扭曲程度及步階高度寬度變化至0.4 μηι ，〇 . 7 μ ηι及1 · Ο μ m之關係，”優”表示無扭曲，”差，，表示有 扭曲，”良”表示沒扭曲但輸出較低。 從圖3結果可知，局度必須小於1 · 〇 μ m，以及〇 . 7 μ m 或更低才是令人滿意的。而且，寬度必須小於〇 . 7 μ m，以 及〇·4μπι或更小才是令人滿意的。 根據資料在某些範例中步階高度與ρ型覆蓋層1 7厚 度之相關比例不能小於50%(例如，在步階高度υμη， 步階寬度0·7μηι，以及ρ型覆蓋層厚度1·15μηι之例子中） ，但是在確認邊際效應時降低比例至5 0%或更低卻是令人 滿意的。 (第二實施例） 根據本發明第二實施例中之紅半導體雷射，如圖4所 不阻隔層4 5是由二氧化5夕所組成。 在一 η型砷化鎵基座3 0上形成一 η型砷化鎵緩衝層 3 1 ’ 一 η型磷化銦鋁鎵覆蓋層3 3，一包括非參雜磷化銦 鎵鋁/磷化銦鎵MQW活動層34，一 ρ型磷化銦鋁鎵覆蓋 層3 5，一包括ρ型磷化銦鎵蝕刻停止層3 6之條紋形山脊 部位，~ ρ型憐化銘銦鎵覆蓋層3 7，一 ρ型憐化銦鎵冠 蓋層3 8以及一 ρ型砷化鎵接觸層4 6在其上形成。 脊形部位之側表面實質上是垂直處理的，Ρ型覆蓋層 3 7以及蝕刻停止層3 6之底部寬度皆比其他區域寬。此脊 »13- (10) (10)1221347 形部位側表面嵌入二氧化矽薄膜（阻隔層）45，而且此表面 是扁平的。此外，p側電極4 7在脊形部位之接觸層4 6以 及二氧化矽薄膜4 5上形成，而η側電極4 8在基座1 0背 面形成。 根據此實施例之雷射製作方法以及相關圖示5 Α及5 Β 敘述如下。 首先，像上述第一實施例中，在厚度25 Ομηι之η型 砷化鎵基座3 0上長成一厚度0.5 μπι之η型砷化鎵緩衝層 3 1，一厚度1 · 2 μ m之η型磷化銦0 · 5 (鎵0.3鋁0 · 7 ) 0.5 覆蓋層33，一厚度（Κ05μηι之MQW活動層34其包括非參 雜磷 化銦 0.5 (鎵 0.55 鋁 0.45) 0.5/磷化銦 0.5 鎵 0.55， 一厚度0·2μηι之ρ型磷化銦0.5 (鎵0·3鋁0.7) 0.5覆蓋 層35，一厚度0.01 μπι之ρ型磷化銦鎵蝕刻停止層36，以 及一厚度0.9 μηι之ρ型磷化銦〇·5 (鎵0.3鋁0.7) 0.5覆蓋 層37，以及一厚度Ο.ίμηι之ρ型磷化銦鎵冠蓋層38。 上述步驟皆與第一實施例中完全相同。然後，厚度 〇·1μηι之ρ型砷化鎵接觸層46更進一步在冠蓋層38長成 。要特別注意的是各層級3 1至3 8以及46是藉由有機金 屬化學汽相陳積法在相同密室連續長成的。 然後，將厚度爲〇 · 2 μ m之二氧化矽薄膜在接觸層4 6 上沉積，此二氧化矽薄膜用絕緣遮罩來摹製，然後寬度爲 2.0 μ m之二氧化矽遮罩4 1便形成如圖5 A所示。隨後，該 二氧化砂遮罩4 1是用來各自垂直處理ρ型砷化鎵接觸層 -14 - (11) (11)1221347 46使厚度近於〇·1μηι，p型磷化銦鎵冠蓋層38使厚度近 於〇 · 1 μ m，p型磷化銦鋁鎵覆蓋層3 7使厚度近於〇 · 8 μ m。 由此做法，便形成一寬度爲2 · Ο μ m之第一脊形。 之後，如圖5 B所示，二氧化矽薄膜（側牆絕緣薄膜 )42依自我排列方式在第一脊形側牆上形成。特別的是， 〇·5μηι之二氧化矽薄膜沉積在整個表面然後往回鈾刻。結 果在脊形側牆上便留有厚度0.4 μηι之二氧化矽薄膜。 之後，將側牆絕緣薄膜4 2用來當作遮罩，用磷酸將 在脊形周圍之ρ型覆蓋層37蝕刻成0.1μηι，以及用含溴 液體蝕刻ρ型磷化銦鎵蝕刻停止層3 6。在此例中，如第 一實施例，只有藉反作用離子蝕刻法保持完整之ρ型覆蓋 層1 7在使用磷酸蝕刻後可確保被移除，而且在不減少ρ 型覆蓋層1 5厚度之情況下使用含溴液體蝕刻可確定移除 倉虫刻停止層1 6。再者，濕蝕刻法是與既有之側牆絕緣薄 膜4 2 —同執行，就可防止此脊形之垂直側牆部分成尖細 狀。 之後，側牆絕緣薄膜42便被移除，而二氧化矽阻隔 層45被旋轉覆蓋上而具有0.1 μηι之厚度，然後沉積。此 外，二氧化矽阻隔層4 5之整個表面被回蝕刻成〇 . 1 μηι， 而且只有脊形上半部暴露出來。一 ρ電極47(含鋅之金）在 接觸層4 6上蒸發，之後上部電極因絕緣遮罩而形成。此 外，砷化鎵基座30被磨光而形成1 〇〇 μηι之厚度，然後一 η電極4 8 (含鍺之金）形成’而其結構如圖4所不。 之後，在攝氏4 5 0度之氬氣中進行淬鍊1 5分鐘作熱 -15- (12) (12)1221347 處理’更進一步地，將晶圓片分開然後製作成晶片，以脊 形d位長度成爲由震备頻率決定預定長度那樣的方法。 在此實施例中，上脊寬同樣地可根據一設計値縮減， 其藉由使用反作用離子蝕刻法形成大多數脊形部位之方法 ’上脊寬不像由濕蝕刻法形成之例子那樣，其縮減不能超 過所需値。因此，要獲得與第一實施例相等之優點是有可 能的。此外，既然電流阻隔層4 5是由漏泄特徵上較優之 絕緣薄膜所形成，所以要實現較高輸出便成爲可能。 (修改） 要注意本發明並不侷限在上述之實施例。雖然脊形部 位之垂直側表面是令人期待的，但是本發明並不侷限在完 全垂直之側表面，只要此側表面實質上接近垂直狀態即使 有點傾斜也不會有問題發生。此外，一形成雙異結構部位 之物質也不完全要侷限在以磷化銦鋁鎵爲基底之物質上， 依照設計說明書可適當地改變。再者，蝕刻停止層之物質 並不侷限在磷化銦鎵，也可以使用任何對於覆蓋層具備充 分蝕刻選擇能力之物質。 此外，雖然蝕刻停止層是設置用來嚴格控制脊形部位 之高度，但當藉由反作用離子蝕刻法進行覆蓋層之蝕刻實 現嚴格之深度控制時，此蝕刻停止層即被消除（見圖6)。 關於側牆絕緣薄膜，在脊形部位形成步驟之後即可消 除之例子中已舉例說明，但是電流阻隔層能在側牆絕緣薄 膜保持原封不動之情形下形成（見圖7)。 -16- (13) (13)1221347 進一步而言，關於此實施例中之主動層基座側是由η 型所決定而相對側是由ρ型所決定，他們是可相互交換的 〇 如上所詳述，根據本發明之實施例，側表面具有垂直 狀之脊形部位可被實現，此步驟可供脊形底部使用，在半 導體雷射中光輸出-電流特性之扭曲可被抑制，而且可實 現一更高輸出。 在此項設計中對於那些技術而言很容易產生附加之優 點及修飾。因此，本發明以廣泛角度而言並不侷限在特定 之細節、顯示之象徵實施例以及其中之敘述。於是，在不 違背一般發明槪念之精神或領域下可作不同之修改，此發 明槪念在附加申請專利範圍及其同義詞中所定義之。 【圖式簡單說明】 圖1 Α是根據第一實施例中紅半導體雷射元件構造之 橫截面圖示； 圖1B是半導體雷射之透視圖，其在圖1A中η型磷 化銦鋁層2 5上之階層之前形成； 圖2Α至2D是一連續根據第一實施例製造半導體雷 射步驟之橫截面圖示； 圖3顯示一檢測脊形部分步階之高度與寬度以及抑制 光輸出·電流特性之扭曲所造成影響之關係結果表格； 圖4是根據第二實施例中紅半導體雷射元件構造之橫 截面圖示； -17- (14)1221347 圖5 A及5 B是一連續製造圖4中描述之雷射之步驟 橫截面圖示； 圖6是第一實施例之修飾橫截面圖示；以及 圖7是第二實施例之修飾橫截面圖示。 元件符號表 1 0,30 基底

11,31 η型砷化鎵緩衝層 1 3，3 3 η型磷化鋁銦鎵覆蓋層 14,34 MQW主動層 1 5，1 7 5 3 5 5 3 7 ρ型磷化鋁銦鎵覆蓋層 1 6，3 6 蝕刻停止層 18, 38 ρ型磷化銦鎵冠蓋層 2 1，4 1 二氧化矽遮罩 2 2，4 2 絕緣薄膜

25 η型磷化鋁銦阻隔層 4 5 二氧化矽阻隔層 26, 46 Ρ型砷化鎵接觸層 27，47 ρ型電極 2 8, 4 8 η型電極 -18-

Claims (1)

1. (1) (1)1221347 拾、申請專利範圍 1 · 一種半導體雷射包含： —基底； 一在上述基底形成之雙異結構，此雙異結構部份包括 一在上述基底形成之第一覆蓋層，一在第一覆蓋層形成之 主動層，以及一在主動層形成之第二覆蓋層，此第二覆蓋 層在上表面具有條紋型凸出物，該凸出物具有其側牆實質 上垂直形成在基底表面上之上方部分，以及一在線寬上大 於上方部分之線寬之步階形狀之下方部分、；以及 一電流阻隔層，其自凸出物之側表面延伸形成至除了 凸出物之上部分外之第二覆蓋層之上表面。 2. 如申請專利範圍第1項之半導體雷射，其中凸出 物上部分之高度大於下部分之高度。 3. 如申請專利範圍第1項之半導體雷射，其中在第 二覆蓋層厚度方向之中間包括一蝕刻停止層’以及設置在 触刻停止層上之第二覆蓋層之凸出物。 4. 如申請專利範圍第1項之半導體雷射，其中凸出 物下部分之高度少於0 · 1 m。 5. 如申請專利範圍第1項之半導體雷射，其中凸出 物下部分之步階形側向濟出長:度小於0 · 7 P m ° 6. 如申請專利範圍第1項之半導體雷射，其中以導 電性類型而言電流阻隔層是個與第二覆蓋層不同之半導體 層。 7. 如申請專利範圍第1項之半導體雷射，其中電流 -19- (2) (2)1221347 阻隔層是一絕緣層。 8 . —半導體雷射包含： 一第一導電性型複合半導體基底； 一在上述複合半導體基底上形成之雙異結構部份，此 雙異結構部份具有第一導電性型覆蓋層，一主動層，一第 二導電性型第一覆蓋層，一第二導電性型蝕刻停止層以及 一第二導電性型第二覆蓋層，其相繼在以上複合半導體基 底上形成，具有電流集中部位之第二覆蓋層在雙異結構上 表面形成並當作是條紋型凸出物，該電流集中部分具有其 側牆實質上垂直形成在基底上之第一脊形部分，以及一在 線寬上大於第一脊形之線寬之步階形狀之第二脊形部分； 以及 一電流阻隔層，其自第一及第二脊形部分之側表面延 伸形成至除了第一脊形部分之上表面外之第二導電性型第 一覆蓋層。 9 .如申請專利範圍第8項之半導體雷射，其中第一 脊形部分之高度大於第二山脊部分。 10.如申請專利範圍第8項之半導體雷射，其中第二 脊形部分之高度小於1.0 μηι。 1 1 ·如申請專利範圍第8項之半導體雷射，其中第二 脊形部分之步階型式側向擠出長度小於0.7 μηι。 12·如申請專利範圍第8項之半導體雷射，其中電流 阻隔層是一第一導電性型半導體雷射。 13.如申請專利範圍第8項之半導體雷射，其中電流 -20 - (3)1221347 阻隔層是一絕緣層。 14· 一種半導體雷射之製造方法，包含： 相繼形成一第一覆蓋層，一主動層以及一在基底 第二覆蓋層來行成一雙異結構部份； 藉由反作用離子蝕刻法中途選擇性蝕刻第二覆蓋 並且形成一條紋式凸出物其側牆相關於基底實質上是 在凸出物之側表面上形成一側牆絕緣薄膜；以及 使用此側牆絕緣薄膜當作一遮罩，並且透過濕蝕 部分移除第二覆蓋層之殘留上表面。 1 5 .如申請專利範圍第1 4項之半導體雷射之製 法，其中該側牆絕緣薄膜之形成包括在凸出物側表面 一絕緣薄膜，其藉由沉積此絕緣薄膜然後再往回蝕刻 緣薄膜。 ]6 .如申請專利範圍第1 4項之半導體雷射之製 法，其中基底是一第一導電性型式之複合式半導體基 第一覆蓋層是屬於第一導電性型式，以及第二覆蓋層 於第二導電性型式。 1 7 ·如申請專利範圍第1 6項之半導體雷射之製 法，其中該第二覆蓋層之形成包括相繼形成一屬於第 電性型式之第一次要覆蓋層，一屬於第二導電性型式 刻停止層以及一屬於第二導電性型式之第二次要覆蓋^ 上述藉由反作用離子蝕刻法中途選擇性蝕刻第二 層包括：藉由反作用離子蝕刻法選擇性蝕刻第二導電 上之 層， 垂直 刻法 造方 留下 此絕 造方 底， 是屬 造方 二導 之蝕 罾。 覆蓋 性型 -21 - (4) (4)1221347 式第二次要覆蓋層至其層厚度之一半，以及透過濕蝕刻法 將第二覆蓋層之殘留上表面部分移除，其包括藉由濕蝕刻 法將第二次要覆蓋層之殘留部分移除。 1 8 .如申請專利範圍第1 4項之半導體雷射之製造方 法’還包括在上述透過濕蝕刻法部分移除第二覆蓋層之殘 留上表面之後，在凸出物側表面形成一電流阻隔層。 1 9 ·如申請專利範圍第1 8項之半導體雷射之製造方 法’其中該凸出物側表面上電流阻隔層之形成包括在保持 側牆絕緣薄膜原封不動情形下形成電流阻隔層。 2 0 ·如申請專利範圍第1 8項之半導體雷射之製造方 法，其中在該凸出物側表面上電流阻隔層之形成包括在移 除側牆絕緣薄膜之後形成電流阻隔層。 -22-