TWI220578B - Light-emitting device capable of increasing light-emitting active region - Google Patents

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TWI220578B
TWI220578B TW092125533A TW92125533A TWI220578B TW I220578 B TWI220578 B TW I220578B TW 092125533 A TW092125533 A TW 092125533A TW 92125533 A TW92125533 A TW 92125533A TW I220578 B TWI220578 B TW I220578B
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Ming-De Lin
Rung-Guei Shiu
San-Bau Lin
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Opto Tech Corp
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Description

1220578 、發明說明（1) 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種發光元件，尤指一種可提高發光 作用區域以有效提高發光亮度及使用壽命之發光元件。 【先前技術】 士务光一極體（LED ; Light-Emitting Diode)由於具備 有命命長、體積小、發熱量低、耗電量少、反應速度快、 =1射及單色性發光之特性及優點，因此被廣泛應用於指 不燈、廣告看板、交通號誌燈、汽車車燈、顯示器面板、 通訊器具、消費電子等各項產品中。 按丄習用發光元件，例如平面型發光二極體，如第1 圖及第1，B圖所示，其發光元件1〇主要係在一LED基板 土依序形成有由一第一材料層131及一第二材料層US所 成之遙晶層13，且在第一材料層131與第二材料層 蟣自然形成有一具有發光效果之ΡΝ界面133。為了 '第-姑祖I可順利通過ΡΝ界面1 33，因此，必須移除部分 2 6及部分ΡΝ界面137，其部分截面積長度至少 料戶1Ή ::有效作用區域長度為Η2)，致使部分第-材 ^ I ^ ^ ^面可予以裸露，而第一電極17即可固設於該 層131㉝分表面。又，為了讓工作電流可 接觸二（TCT:此在剩餘之第二材料層135表面設有一透明 極15第一 i19，再ΐ透明接觸層19上表面固設一第二電 3之導電雷敗極17與第二電極15間形成一可通過㈣界面13 之―電電路，藉此以產生正面投射光源u。
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五、發明說明（2) 雖然，習用平面型發光元件10可藉由PN界面133以產 生正面投射光源L1 ’但其退是存在有下列缺點： 1·ΡΝ界面133所產生之正面投射光源L1將有部分被第二 電極1 5所阻隔且吸收，相對將降低發光元件丨〇之輸出 光通量及亮度。 Μ 2·為了第一電極1 7之安置而必須移除部分ρν界面1 37， 相對將損失部分發光作用區域Η1，因此也將降低發光 亮度。 . 3 ·為了第一電極1 7之安置而必須移除部分第二材料層丨3心 5 ，造成第一電極17與第二電極15不在同一水平位置 ，如此將提高後續製作上之困難。 4·由於部分ΡΝ界面137將被移除，相對其發光作用區域 將受到擠壓，不僅工作高溫容易集中在某個區域範圍、 内，因此而降低元件之使用壽命，且亦不適用於高功 率發光元件。 為此’業界發展出另一種習用發光元件，如第2圖所 示，係為一覆晶發光二極體（Flip Chip LED)，覆晶發光 二極體20主要係將先前之平面型發光元件（1〇)予以倒置， 苐一電極17及第二電極150再分別藉由一第一導電凸塊（ 例如錫球）279及第二導電凸塊259而與一設於一基板29上 之第一導電線路2 9 7及第二導電線路2 9 5電性連接。如此， 第一導電線路297、第一導電凸塊279、第一電極17及第二 電極150、第二導電凸塊259、第二導電線路295即可形成· 一導電通路，並提供!^界面133工作電流，而pN界面133所
1220578 五、發明說明（3) 產生之背面投射光源L 2即可經由L E D基板11方向投射出去 ，完全不被第二電極1 5 0所阻隔且吸收，藉此以提高輸出 光通量及亮度。 又’第二電極150可選用具有反光效果之導電材料所 製成，或者在磊晶層13與第二電極150之間設有一反光層 155 ’如此即可將PN界面133所產生之正面投射光源（li)反 射導引至正確出光位置，以成為一反射光L4。 雖然，習用覆晶發光二極體可以獲得較佳之發光導出 效率’但其還是有下列之構造缺憾··
1·為了第一電極17之安置還是必須移除部分pN界面（137 )’相對將損失部分發光作用區域及降低發光亮度。 2·為了第一電極17之安置還是必須移除部分第二材料層 (136)，造成第一電極π及第二電極15〇不在同一水平 位置，相對將增加後續製作上之困難。 3·由於部分PN界面（137 )將被移除，相對盆發夹作用F 域將受到擠壓，不僅工作高溫容易集中十；== 圍内，而降低發光元件之使用壽命，且亦不適用於高 功率發光元件。
4· Ϊ 一電極17及第二電極15不在同一水平位置，相對其 第一導電凸塊279與第二導電凸塊259之體積大小也^ 相同，形成製作上之困難度。 5.覆晶發光元件需要植球機及錫球對準技術，不僅技術 層次較高，且將大幅提高製作成本。
1220578 五、發明說明（4) 【發明内容 為此， 均句分佈工 且 第 而有利於後 本發明 域之發光元 術困難點。 本發明 域之發光元 積’藉此以 本發明 域之發光元 ’而有利於 本發明 域之發光元 效提南發光 如何設計 作電流密 電極及第 續之製作 之主要目 件，可有 之次要目 件，可大 有效提高 之又 g 件，第一 後續製作 之又一目 件，藉由 元件之使 出一種新穎之發光元件，不僅可有效 度’以提高發光導出效率及發光亮度 二電極又可自然位於同一水平高度， ’此即為本發明之發明重點。 的’在於提供一種可提高發光作用區 效解決上述習用發光元件所面臨之技 的’在於提供一種可提高發光作用區 幅降低第二材料層及PN界面之移除面 發光作用區域及發光導出效率。 的’在於提供一種可提高發光作用區 電極與第二電極可位於同一水平位置 之進行。 的’在於提供一種可提高發光作用區 較大面積之發光作用區域，不僅可有 用哥命，亦可適用於高功率發光元件 :$上述目的’因&，在本發明之一較佳實施例中， 二主：構造係包括有：一種可提高發光作用區域之發光元:丄ίίίϊΓ系包括有：一LED基板；-蟲晶層，包括 !及一第二材料層，其中第-材料層係形成 於LED基板上表面’第二材料層再形成於第—材料層上表 面，4-材料層與第二材料層之間則自_成#，界面
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主少 第一 一 I狎凹… 4只才矛一 W以，亚延伸 — 一材料層之部分體積，第一延伸凹槽内再依序設有〜弟 隔離層及一第一延伸電極，而第一延伸電極則可藉由四槽 隔_層而與第二材料層電性隔離；一第一電極，隔著=槽 面隔離層而固設於第二材料層之部分上表面，且可與二f :伸電極電性連接；及一第二電#，固設於第二材料：： 其他部分上表面。 ㈢之 【實施方式】 效為使貴審查委員對本發明之結構特徵及所達 功效有更進一步之瞭解與認識，謹佐以較佳之實施例^ 配合詳細之說明，說明如后： ^ ^首先，請參閱第3 A圖及第3 B圖，係分別為本發明 發光70件一較佳實施例之構造截面圖及俯視圖；如圖所示 ，本發明發光元件30主要係在一LED基板31上依序形成 一由一第一材料層331及一第二材料層335所組合而成之磊 晶層33 ’第一材料層331形成於LED基板31上表面後，再= 其上表面形成第二材料層335，且在第一材料層331與第二 材料層335之間自然形成有一ΡΝ界面或發光區3^33，=此可 成為平面型發光二極體。於第二材料層335之適當位置 上1設有至少一可貫穿第二材料層335及部分第一材料層 3gl之第一延伸凹槽371，並於第一延伸凹槽371内表面及 第一電極37預設位置上個別設有一具絕緣特性之凹槽隔離 層377及表面隔離層379,在凹槽隔離層377内再設有一具
1220578 五、發明說明（6) 2電特性之第-延伸電極375，第一延伸電極375可盘一 ::表面隔離層379 表面之第一電極”電性連接，而第 一電極37之部分體積係位於表面 双卸隔離層379之垂直延伸位 置。又，為了讓工作電流可泊句八& m lL ^ Μ 1 〇 ^ 勺勻刀佈’因此在剩餘之第二 : = 135表面設有一歐姆接觸層或透明接 再於透明接觸層39上表面設有—第二電極35。 由於，本發明可利用第—延伸凹槽371及 極375而將第一電極37之導電/電 並不像習用構造般需要鑿今十1 材科層331， 136 )及PN 界面（137) 〇 所以，楚 ^ α ΟΓ7 , + ^ ^ ,Λ u ^ 所以，弟一電極37係置設於第二材 3層335部分上表面之垂直延伸位置，而與第二電極35且 有近似或相同之水平位置，與習一電 極（15)為凹凸不平之愔识畨缺丁门 包彳^興弟一笔 作之進行。 /截…、、不同，因此可有利於後續製 再者’請參閱第4八圖及第4Β圖本 貫施例之構造截面圖及俯禎圄. ^ 將上述m夕τ品 圖所不’其主要係設計 其可將第一電極370第原-¥電引極^^=位置，因此’ 於第二材料層335之上表—面^面積方式整個覆蓋 功能之材質所製成。其Ϊ面第△有導電及反光 之Η -右本^ ^胁中第電極37〇與第二材料層335 =間3又有一表面隔離層379，且第一電極 伸電極375而與第一材料爲^ 糟由弟延 第-延伸電極375 m:^；；電性連接關係。又， ίλ t ^ ^ I伸凹槽371及凹槽隔離層3 77可 0 m種幾何圖形態樣分佈於表面隔離層3 7 9 1220578
各個位置，充分丨了 I „ E + 違到工作電流均勻分佈以提高發光亮度、 延長使用哥命三適用於高功率發光元件之目的。 η ^ ’由於第—電極370及第二電極350具有反光之功效 ，因此，ΡΝ界面所姦丛— “ 卸所產生之正面光源將受到第一電極370或
湓一電極3 50之反射以成為一反射光源L4，而被導引至正 之出光$向。又，為了讓PN界面之作用區域可更為擴大 ，因此在第二材料層335之上表面尚可設有一透明接觸層 (TCL)或歐姆接觸層355，以利於作用電流可通過第一電極 370垂直延伸位置之pN界面，且用以產生背面光u。當然 ，該歐姆接觸層355亦可為一具有反光功能之材質所製^ ’或者就直接為一反光層，同樣可將PN界面所產生之正面 光源反射，以成為一反射光源L4。
又’請參閱第5 A圖及第5 B圖，係為本發明又一實 施例之構造截面圖及俯視圖·，如圖所示，其主要係將第3 A圖所示實施例之第二電極352整個覆蓋於第二材料層335 之大部分上表面，而剩餘部分位置則設有表面隔離層3 7 9 ’且在表面隔離層379之作用範圍内同樣設有第一延伸凹 槽371、凹槽隔離層377及第一延伸電極375，如此，pN界 面所產生之正面光源即可直接受到第二電極3 5 2之反射作 用而導引至正確之出光方向，以成為一反射光源L4。 .另外，請參閱第6圖，係為本發明又一實施例之構造 截面圖；如圖所示，在此實施例中，其主要係將上述實施 例之發光元件（40)予以倒置，致使第一電極370可藉由第 一導電凸塊479而與一設於一基板49上之第一導電線路497
第11頁 山 0578
電性遠垃 _嗖於得，又，第二電極350則藉由第二導電凸塊459而與 艮 [該基板49上之第二導電線路495電性連接，如此， 卜2為一覆晶發光二極體（FHp Chip led)。 _ 當然，其第一導電凸塊479及第二導電凸塊459係可為 ί導電特性之焊料材質、錫球、含金屬物質或任何導 電物=所製成，而基板49則可選擇為一陶瓷、玻璃、氮化 ，化石夕、氧化銘、環氧樹脂、尿素樹脂、塑膠、金剛 石、氧化鈹、氮化硼、電路板、印刷電路板、pC板或含金 屬化合物。 ”
Μ由於’本發明之發光元件50具有近似或相同水平位置 之第一電極370及第二電極350，因此，其後續製作上所需 要之第一導電凸塊479及第二導電凸塊459則可設為具有相 同大小體積者，如此不僅可方便製作之進行，又可因為第 一導電凸塊479及第二導電凸塊459兩邊作用力狀況相同， 而不致於發生發光元件5 〇偏斜之狀況，藉此以相對提高元 件之工作穩定度者。
而且，由於發光元件50之發光區或ΡΝ界面333並未移 除太大之作用區域，因此，除了與習用覆晶發光二極體構 造一般可以產生背面投射光源L2及反射光源L4外，其亦可 增加一背面投射光源L 3，不僅相對增加其發光亮度，亦可 因為發光作用區域範圍之增加，而相對降低某一區域範圍 内工作電流之電流密度及工作南溫’猎此以有效提升發光 元件之使用壽命。 接續’清參閱弟7 Α圖及弟7 Β圖’係分別為本發明
第12頁 1220578 五、發明說明（9) 又一實施例之構造截面圖及俯視圖；如圖所示，在 例中，主要係在發光元件60之第二材料層335上緊 電極57預設位置鏨設有一可貫穿第二材料層335及部八 —材料層331之隔離凹槽576,隔離凹槽576内又可二: 有一可增加絕緣功效之隔離層577 ’以取代上述實施= 凹槽隔離層377或表面隔離層379。在隔離凹槽576之 ，同樣設有一第一延伸凹槽571及第—延伸電極575，而且 弟一延伸電極575可與設於第二材料層335部分表面 電極5 7電性連接。 弟 在此實施例中，為了讓工作電流可均勻分佈，因 第一材料層135部分表面可設有一透明接 接觸層39，再於透明接觸觸層（TCL)或歐姆 ^ ^ 碉層或歐姆接觸層39部分丧 二m二電極35。又，隔離凹槽576可設於第二材料 二而^位/ ’而沿著隔離凹槽576之側邊設有第一電 J 5 7 “而弟一電極5 7之冑分位置可延伸設有至少 =材料層335及部分第—材料層33 貝牙 或弋延伸電極579，藉此可讓工作電流分佈更為
笙 ^ t 主要係利用隔離凹槽576以作A ^電=與第二電極35隔離之目的，因 ：為 =電，可設置於第二材料層335…上表面，7 ::水平高度，而有利於後續製作流程之進行。 為- f二延伸電極578或第三延伸電極579係可選擇 其組合式形狀，例如在此每：二矩：、直線、半環形或 牡此κ %例中，第二延伸電極578為
第13頁 1220578 五、發明說明（ίο) " -- 一點狀悲樣’而第三延伸雷極5 7 9目丨炎 μ ^ ^ , 、外电往ΰ〖y則為一包覆整個側邊之 食條狀悲樣。 f外，請參閱第8 A圖及第8 B圖，係分別為本發明 又一貫施例之構造截面圖及構造俯視圖；如圖所示，其主 要係將上述實施例之第一電極57〇、第二電極35〇以大面積 方式覆蓋於第二材料層335之上表面。其中，第一電極57〇 可藉由第一延伸電極575而與第一材料層331形成一電性連 接關係。又，第一延伸電極575 '第二延伸電極578及第三 延伸電極579可以直線或圓形等各種幾何圖形態樣分佈= 第二材料層335之一側邊，且與第一電極57〇電性連接。 當然’藉由第一電極570、第二電極350之反光效果、 或在第二材料層335與第二電極35〇之間所設置之反光層、 歐姆接觸層或透明接觸層355 ，同樣可將PN界面所產^之 正面光源予以反射，以成為一反射光源L4，而有利於發光 免度之提升。
…又，請參閱第9 A圖及第9 B圖，係分別為本發明又 一實施例之構造截面圖及構造俯視圖；如圖所示，在此實 施例中’其主要係將本發明精神應用於三元（A1GaA㈧或四 元（AlGalnP)發光元件。一半導體基板89，例如砷化鎵（ GaAs )基板上成長有一磊晶層83。其中，磊晶層83可選擇 為一二元或四元化合物所製成。又，於第二材料層835之 上表面形成有一透光基板81，例如GaP基板、玻璃（GUss) 、藍寶石（Sapphire )、碳化矽（siC)、磷砷化鎵（GaAsP )、硒化鋅（ZnSe )、硫化鋅（ZnS )、硒硫化辞（ZnSSe
第14頁 1220578 五、發明說明（11) )或石英’並將不透光會吸收投射光源之GaAs基板89予以 去除。 接續’於第一材料層831表面鑿設有一可貫穿第一材 料層831及部分第二材料層835之隔離凹槽576及第一隔離 凹槽571 ’而隔離凹槽576内可選擇是否需要設置有一隔離 層577 ’但第一隔離凹槽571内則需要設有第一延伸電極57 5 ’並可與設於第一材料層831部分表面之第一電極570電 性連接。第二電極350則隔著隔離槽576而設於第一材料層 831之其它部分表面，並與第一電極57〇形成一導電通路。 接續’請參閱第1 〇 A圖及第1 〇 b圖，係分別為本發明 又一貫施例之構造截面圖及構造俯視圖；如圖所示，在此 實施例中，環繞發光元件9〇週邊先鑿設有一可貫穿第二材 料層335及部分第一材料層"I之第三延伸凹槽（或稱第一 延=凹槽）671，且在第二材料層335之上表面先設有一具 有導電或反光效果之透明接觸層、歐姆接觸層或反光層77 ’再於反光層77及第二材料層335週邊設有一隔離層67?， f隔離層677之適當位置鑿設有一第二延伸凹槽651，致使 第二電極65可直接或經由反光層77而電性連接於第二材料 層335^。環繞第二材料層335之週邊且隔著隔離層677可設 有一第一環側電極674，第一環侧電極674可電性連接於第 一電極67，如此亦可達到工作電流均勻分佈、提高發光作 用區域、及致使第一電極67與第二電極65位於同一水平位 置之目的。 當然，第二材料層335週邊亦可用至少一個點狀態樣
1220578 五、發明說明（12) 之第四延伸電極678以取代環狀之第一環側電極674，各個 第四延伸電極678則需藉由一表面電極676而與第一電極67 電性連接。 最後，請參閱第1 1圖，係為本發明又一實施例之構 造截面圖；如圖所示，在此實施例中，主要係將前述發光 元件40 (如第4 A圖所示）置放於一基板91所鑿設之一置 物凹槽917内，利用一透光層94或散熱層99而予以固定。 發光元件40之第一電極3 70可藉由一第一導電引線977而與 一設於該基板91上之第一導電線路979電性連接。同理，
第二電極350則藉由一第二導電引線957而與設於基板91》 一側邊之第二導電線路9 5 9電性連接。藉由第一導電線库 979、第一導電引線977、第一電極370及第二電極350、| 二導電引線957、第二導電線路959而可使發光元件6〇之？ 界面作用，以產生背面投射光源L2、L3，而正面投射光功 則可經由第一電極37〇、第二電極35()或反光層之作用而_ 引至正確出光方向，以成為一反射光源L4，如此在不使月 植球機或錫料準技術支援之情；兄下，料運用傳統之名 光兀=製作方法以取得如同覆晶發光二極體之發光導出交 率’藉此可，化製程及大幅降低生產成本。 又，可選擇為一陶瓷、玻璃、氮化鋁、碳化矽、 :、ϊ ί Γ脂、尿素樹脂、塑膠、金剛石、氧化鈹、氮々 ，_印刷電路板、PC板或含金屬化合物之基板9: ， 了认计為一裱形、矩形或錐形態樣。j 八 凹槽917週邊可設有一反光層915，如此，除了
第16頁 1220578 五、發明說明（13) 正常投射之光源L2、L3、L4外，亦可獲得反射光源L5，而 有效增加其發光亮度。 又，透光層94内亦可設有一由螢光物質、磷光物質或 其組合式組合而成之色轉換層9 4 5 ，藉此以改變投射色光 之波長及顏色。 又’具有散熱功能之散熱層99則包覆於PN界面週圍， 如此可將發光元件40作用時所產生工作高溫藉由散熱層99 而傳導於發光元件40外，藉此以適用於高功率發光元件裝 置中。 练上所述’當知本發明係有關於一種發光元件
二=可提高發光作用區域以有效提高發光亮度及使用壽4 產ί ΐ = ί 1故本發明實為一具有新賴性、進步性及可4 依H + π M gΐ 口我專利法專利申請要件無疑，』 禱。 甲哨祈鈞局早日賜准專利，至感j 惟以上所述者， 非用來限定本發明實 圍所述之形狀、構造 ’均應包括於本發明 ，為本發明之—較佳實施例而已，並 細•之|&圍’舉凡依本發明申請專利範 、：徵及精神所為之均等變化與修飾 之申請專利範圍内。
【圖號對照說明】 10 發光元件 13 蠢晶層 1 LED基板 133 PN界面 131 第一材料層 135 第二材料層
第17頁 1220578 五、發明說明（14) 136 移 除第 二 材 料層 137 移 除PN 界 面 15 第 二電 極 150 第 二 電 極 155 反 光層 17 第 — 電 極 19 透 明接 觸 層 20 覆 晶 發 光 元 件 259 第 二導 電 凸 塊 279 第 一 導 電 凸 塊 29 基 板 295 第 二 導 電 層 297 第 一導 電 層 30 發 光 元 件 31 LED基板 33 晶 層 331 第 一材 料 層 333 PN 界 面 335 第 二材 料 層 35 第 二 電 極 350 第 二電 極 352 第 二 電 極 355 歐姆接觸層 37 第 一 電 極 370 第 一電 極 371 第 延 伸 凹 槽 375 第 一延 伸 電 極 377 凹 槽 隔 離 層 379 表 面隔 離 層 40 覆 晶 發 光 元 件 459 第 二導 電 凸 塊 479 第 _ 幽 導 電 凸 塊 49 基 板 495 第 _丨丨— 導 電 層 497 第 一導 電 層 50 發 光 元 件 57 第 一電 極 571 第 — 延 伸 凹 槽 575 第 一延 伸 電 極 576 隔 離 凹 槽 577 隔 離層 578 第 二 延 伸 電 極 579 第 三延 伸 電 極 60 發 光 元 件 65 第 二電 極 651 第 二 延 伸 凹 槽 67 第 一電 極 671 第 三 延 伸 凹 槽
第18頁 1220578 五、發明說明（15) 674 第 一 環 側 電 極 676 表 面 電 極 677 隔 離 層 678 第 四 延 伸 電 極 70 發 光 元 件 77 反 光 層 80 發 光 元 件 81 透 光 基 板 83 晶 層 831 第 一 材 料 層 835 第 二 材 料 層 89 石申 化 鎵 基 板 91 基板 915 反 光 層 917 置 物 凹 槽 945 色 轉 換 層 957 第 二 導 電 引 線 959 第 二 導 電 線 路 977 第 一 導 電 引 線 979 第 一 導 電 線 路 99 散 敎 層
第19頁 ❿ 1220578 圖式簡單說明 第1 A圖：係習用平面型發光元件之構造截面圖； 第1 B圖：係習用平面型發光元件之構造俯視圖； 第2圖：係習用覆晶發光元件之構造截面圖； 第3 A圖：係本發明發光元件一較佳實施例之構造截面圖 第3 B圖：係本發明如第3 A圖所示實施例之構造俯視圖 第4 A圖：係本發明發光元件又一實施例之構造截面圖； 第4 B圖：係本發明如第4 A圖所示實施例之構造俯視圖 第5 A圖：係本發明發光元件又一實施例之構造截面圖； 第5 B圖：係本發明如第5 A圖所示實施例之構造俯視圖 第6圖：係本發明應用於覆晶發光元件之構造截面圖； 第7 A圖：係本發明又一實施例之構造截面圖； 第7 B圖：係本發明如第7 A圖所示實施例之構造俯視圖 j 第8 A圖：係本發明又一實施例之構造截面圖； 第8 B圖：係本發明如第8 A圖所示實施例之構造俯視圖 第9 A圖：係本發明又一實施例之構造截面圖； 第9 B圖：係本發明如第9 A圖所示實施例之構造俯視圖 第1 0 A圖：係本發明又一實施例之構造截面圖；
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Claims (1)

1220578 六、申請專利範圍 - 1 · 一種可提鬲發光作用區域之發光元件，其主要構造係 包括有： 一 L E D基板； 一蠢晶層，包括有一第一材料層及一第二材料層，其 中第一材料層係形成於該LED基板上表面，第二材 料層再形成於該第一材料層上表面，第一材料層與 第二材料層之間則自然包括有一發光區； 至少一第一延伸凹槽，可貫穿第二材料層，並延伸至 -第一材料層之部分體積，第一延伸凹槽内再依序設 有一凹槽隔離層及一第一延伸電極，而第一延伸電籲 極則可藉由凹槽隔離層而與該第二材料層電性隔離 j 一第一電極，隔著一表面隔離層而固設於該第二材料 層之部分上表面，且可與該第一延伸電極電性連接 ;及 一第二電極，固設於該第二材料層之其他部分上表面 〇 2 ·如申請專利範圍第1項所述之發光元件，其中該第一 電極係與第二電極有近似水平位置者。 3 ·如申•專利範圍第1項所述之發光元件，其中該第-· 延伸電極係位於第一電極之垂直延伸位置。 4 ·如申請專利範圍第1項所述之發光元件，其中該第二_ 電極與第二材料層之間尚可選擇設有一透明接觸層、 歐姆接觸層、反光層及其組合式之其中之一者。
第22頁 1220578 六、申請專利範圍 5 ·如申請專利範圍第丄項所述之發光元件，其中該表面 隔離層與第二材料層之間尚可選擇設有一透明接觸層 、歐姆接觸層、反光層及其組合式之其中之一者。 6 ·如申請專利範圍第1項所述之發光元件，尚可包括有 一基板，其上表面分別設有一第一導電層及第二導電 層，其中第一導電層係玎藉由一第一導電凸塊而與該 弟一電極電性連接，第二導電層則可藉由一第二導電 凸塊而與該第二電極電性連接。 7 ·如申請專利範圍第6項所述之發光元件，其中該發光
元件係為一覆晶發光二極體。 8 ·如申請專利範圍第6項所述之發光元件，其中該基板 係可選擇為一陶瓷、玻璃、氮化鋁、碳化矽、氧化鋁 、環氧樹脂、尿素樹脂、塑膠、金剛石、氧化鈹、氮 化蝴、電路板、印刷電路板、P C板、含金屬化合物及 其組合式之其中之一者。 9 ·如申請專利範圍第1項所述之發光元件，其中該發光 元件係為一平面型發光二極體。 I 0 ·如申請專利範圍第1項所述之發光元件，其中該LED
基板係可選擇為一GaP基板、玻璃（Glass )、藍寶石 (Sapphire )、碳化矽（SiC )、磷砷化鎵（GaAsP ) 、石西化鋅（ZnSe )、硫化鋅（ZnS )、硒硫化鋅 (ZnSSe )、石英及其組合式之其中之一者。 II ·如申請專利範圍第1 〇項所述之發光元件，其中該蠢晶 層係可選擇為一三元、四元及其組合式之其中之一材
第23頁 1220578 六、申請專利範圍 料所製 12 ·如申請 基板， 物凹槽 性連接 藉由第 二導電 13 ·如申請 凹槽内 14 ·如申請 層内尚 合式之 15 ·如申請 凹槽内 成者。 專利範圍 該基板内 ，其中該 於一設於 二導電引 線路。 專利範圍 尚可設有 專利範圍 設有一可 其中之一 專利範圍 尚可設有 第1項所述之發光元件， 鑿設有一可用以置放該發 尚包括有一 光元件之置 第一電極可藉由一第一導電引線而電 弟一電極則 基板上之第 基板上之第一導電線路’ 線而電性連接於另一設於 第1 2項所述之發光元件， 一環設於該發光元件週邊 第1 3項所述之發光元件， 選擇由一螢光物質、磷光 所製成的色轉換層。 第1 2項所述之發光元件， 一可環設於該發光元件週 其中該置物 之透光層。 其中該透光 物質及其組 其中該置物 邊之散熱層 16 如申請專利範圍第丨2項所述之發光元件，其中該基板 係可選擇為一陶甍、玻璃、氮化铭、礙化石夕、氧化铭 、環氧樹脂、尿素樹脂、塑膠、金剛石、氧化鈹、氮 化爛、電路板、印刷電路板、P C板、含金屬化合物及 其組合式之其中之一者。 17 如申請專利範圍第丨2項所述之發光元件，其中該置物 凹槽係可選擇為一錐形、圓形及環形之其中之一態樣 者。 18 如申請專利範圍第丨2項所述之發光元件，其中該置物
第24頁
19 20 21 凹槽之内表面尚設有一反光層。 2申請專利範圍第i項所述之發光元件，其中該第一 ^伸凹槽係可環設於第一電極之週邊位置。 t申請專利範圍第丨9項所述之發光元件，其中該第一 ^伸凹槽内設有至少一延伸電極，而每一個延伸電極 可藉由一設於其上表面之表面電極而與該第一電極電 性連接。 22 23 如申請專利範圍第20項所 延伸電極係可選擇為一點 起形、直線、半環形及其 如申請專利範圍第1項所 t 及第二電極係可覆蓋 直延伸位置，且分別由一 所製成者。 述之發光元件，其中該第一 狀、長條狀、環狀、圓形、 組合式之其中之一者。 述之發光元件，其中該第一 整個第二材料層上表面之垂 具有導電及反光功能之材質
24 25 如申請專利範圍第1項所述之發光元件，其中該第一 延伸凹槽係環設於該第二材料層之週邊，且可貫穿第 一材料層之部分體積，第一延伸凹槽内再依序設有一 凹槽隔離層及第一延伸電極。 如申請專利範圍第2 3項所述之發光元件，其中該第一 延伸電極係為一環側電極。 如申請專利範圍第23項所述之發光元件，其中該表面 隔離層可盤設有一第二延伸凹槽，致使可裸露第二材 料層部分上表面，而該第二電極則可固設於第二延伸 凹槽内及第二材料層之其他部分上表面。
1220578 六、申請專利範圍 2 6 · —種可提高發光作用區域之發光元件，其主要構造係 包括有： 一 L E D基板； 一磊晶層，包括有一第一材料層及一第二材料層，其 中弟'一材料層係形成於该L E D基板上表面，第二材 料層再形成於該第一材料層上表面，第一材料層與 第二材料層之間則自然包括有一發光區； ^ 一第二電極，固設於該第二材料層之部分上表面； 一第一電極，固設於該第二材料層之其他部分上表面 ， 至少一延伸凹槽，分設於該第一電極之適當位置，每 一延伸凹槽可貫穿第二材料層及第一材料層部分$ 積，且在延伸凹槽内設有至少一可與該第一電極電 性連接之延伸電極；及 μ 至少一隔離凹槽，設於該第一電極與第二電極之間， 並可貫穿第二材料層及第一材料層部分體積。曰’ 27 ·如申請專利範圍第26項所述之發光元件，其中該第— 電極係與第二電極有近似水平位置者。 28 ·如申請專利範圍第26項所述之發光元件，其中該第 材料層與第一電極之間尚可選擇設有一透明接觸= 歐姆接觸層、反光層及其組合式之其中之一者。曰 2 9 ·如申請專利範圍第2 6項所述之發光元件，尚可包括 一基板，其上表面分別設有一第一導電層及第二導有 層，其中第一導電層係可藉由一第一導電凸塊而與$
第一電極電性連接，第二導電層則可藉由一第二導電 3 〇 •凸塊而與該第二電極電性連接。 如申請專利範圍第2 9項所述之發光元件，其中該基板 係可選擇為一陶兗、玻璃、氮化|g、碳化石夕、氧化|呂 環氧樹脂、尿素樹脂、塑膠、金剛石、氧化鈹、氮 化蝴、電路板、印刷電路板、PC板、含金屬化合物及 Μ 其組合式之其中之一者。 ’ 如申請專利範圍第2 9項所述之發光元件，其中該發光 ， 疋件係為一覆晶發光二極體。 3 2 如申請專利範圍第2 6項所述之發光元件，尚包括有一 _ 基板’該基板内馨設有一玎用以置放該發光元件之置 物凹槽，其中該第一電極玎藉由一第一導電引線而電 性連接於一設於基板上之第一導電線路，第二電極則 藉由第二導電引線而電性連接於另一設於基板上之第 二導電線路。 3 3 ·如申請專利範圍第2 6項所述之發光元件，其中該延伸 凹槽係可選擇為一點狀、長條狀、環狀、圓形、矩形 、直線、半環形及其組合式之其中之一者。 3 4 ·如申請專利範圍第2 6項所述之發光元件，其中該隔離 凹槽内尚可設有一隔離層。 _ 3 5 ·如申請專利範圍第2 6項所述之發光元件，其中該第一 電極及弟一電極係可覆|整個弟一材料層上表面，且 · 分別由一具有導電及反光功能之材質所製成者。 3 6 ·如申請專利範圍第2 6項所述之發光元件，其中該第一 ’
1220578 申請專利範圍 材料層與第二電極之間尚可選擇設有一透明接觸層、 歐姆接觸層、反光層及其組合式之其中之一者。 37 ·如申請專利範圍第26項所述之發光元件，其中該LED 基板係可選擇為一 GaP基板、玻璃（Glass)、藍寶石 (Sapphire)、碳化矽（Sic)、磷砷化鎵（GaAsp) 、石西化辞（ZnSe)、硫化鋅（ZnS)、硒硫化鋅 (ZnSSe )、石英及其組合式之其中之一者。 Ο Ο a
•如申請專利範圍第37項所述之發光元件，其中該磊晶 層係可遥擇為一三元、四元及其組合式之其中之一材 料所製成者。 Q Λ 如申晴專利範圍第2 6項所述之發光元件，其中該延伸 凹槽係環設於該第二材料層之週邊，且可貫穿第一材 料層之部分體積，延伸凹槽内再設有該延伸電極。 40 ·如申請專利範圍第39項所述之發光元件，其中該延伸 電極係為一環側電極。 41 ·如申請專利範圍第3 9項所述之發光元件，其中該第二
材料層表面尚可設有一表面隔離層，表面隔離層可馨 5又有一第二延伸凹槽，致使可裸露第二材料層部分上 表面’而該第二電極則玎固設於第二延伸凹槽内及第 二材料層之其他部分上表面。
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