TW586053B - Multi-layered electro-optical photoreceptor containing tunable reflective elements, electro-optical display device containing the photoreceptor, and method for adjusting the reflectivity of the photoreceptor - Google Patents

Description

586053 Λ__L· 曰 修正 i號 91111/176 五、發明說明（1) 發明背景 Μ 有關於一種多層式光電感光體以及一種調整多 二：ΐ ΐ光體之反射率的方法’特別有關於-種調整多 二=ί ΐ感光體之反射率以符合彩色印表機之内設既定反 射率的方法。 ，^於單色的光電顯像設備，彩色光電顯像設備如彩 ρ:機及影印機，其採用不同且更進步的製造技術。因 "傳，的材料和設備構造被調整以適於精確色彩對位的 :確定：表機構成元件不僅需兼具有色彩正確套色及 元： = i而且印表機裝置還有自我監控程序以協調 目作用。美國專利第5355154號、第5909235 =克偵、538就和第6246844號揭示用於色彩對位校正的 先束偵測器的方法與裝置（beam sens〇r㈣让㈨and的 2s二)’提供在彩色印表機和影印機中用的 2二控及调整私序的例子。這光束偵檢器的方法 、=]=彩色印表機輸出的功能…我監控元;牛 =在印表機的電路板及感光鼓卡匿上eBSMA的構成元件、 中，光二極體感測器是一個非常重要的元件。藉由 體收集光電感光體（electr〇ph〇t〇graphic ° ph〇t〇receptor)(其形式常為鼓形’以下亦稱感光鼓 上的測試圖塊之反射光訊號以完成色彩校正。這此= 塊來自印表機校正程序啟動時，所產生的標準圖 光訊號被光二極體所收集並傳送至主要程序單元 .射

Process unit，MPU)。然後藉由主要程序單元進main j整，並建立最適化之顯像滾筒及佈電滾筒的電壓。X為了

0752-7794F1(N);cathy.ptc 第4頁 586053 _^ 91111476_年 月 a ^,τ___ 五、發明說明（2) 得到成功的校正以提供精確色彩對位，光電感光體被建構 成與偵測光束間具有適當的交互影響，並提供精確反射光 訊號給光二極體感測器。 在上述BSMA和其相關的方法中，如美國專利第 6061538號揭示’新一代的感光鼓（〇rganic p h 〇 t 〇 c ο n d u c t 〇 r，〇 P C ;或 p h 〇 t 〇 r e c e p t 〇 r d r u m)卡 1£ 在製

造時，每個卡匣元件都設定有其最佳性能參數，並被設定 及編碼於卡匣上的記憶晶片中。這代表如果不正確的更換 卡匣中的感光鼓元件，將無法與卡匣中原有感光鼓最佳性 月&參數配合，可能導致不正確地印表機圖像色彩密度補償 板正。產生可靠的色彩輸出需要使印表機的組成元件及供 應物（碳粉及紙張等）間達到平衡及最適化。根據BSMA的揭 示，新一代的印表機將包含有一光密度計及起始資料表， 用於調整佈電滾輪及顯像滾輪的偏壓。且QPC卡匣的記憶 農置中’儲存了關於有機感光鼓上的光密度、廢碳粉量及 校正演算資料等重要的資訊。換句話說，關係到感光鼓反 射率（reflectivity;反射光量）的資訊將被用在調整能量 輸出水準的光密度校正程序中。光密度校正程序主要是在 偵測有機感光鼓上測試塊的反射光。在印表機啟動的期 間’列印系統會進行校正程序與調整程序。因此，為了使 印表機產生可靠的色彩輸出，精確控制有機感光鼓的反射 率是非常重要的。 第1圖顯示一種前述BSMA系統可能架構的示意圖。如 圖所示’佈電滾輪（PCR; primary corona roller)5佈電

586053 _案^ 91111476 年月曰 你π：_J_ 五、發明說明（3) 光鼓8上，感光鼓8表面的電位將由表面電位偵測器9測 得’並將訊號透過電位調整計3傳至μ P U 2中。利用顯像元 件6在感光妓表面形成一測試碳粉圖像11，並藉由圖案讀 取裝置1 0瀆取此測試圖案。圖案讀取裝置1 〇是由光源1 〇 a 及瀆取感應器1 0 b所組成。讀取感應器1 〇 b是由電荷编合元 件（Charge Coupled Device, CCD)或光二極體感應器之光 接受體所構成。藉由光源1 〇 a投射光至測試圖案丨i上，並 反射至讀取感應器1 Ob中。測試圖案11上的碳粉密度可以 由反射光讀取感測器1 0 b測得，透過密度轉換電路4將其轉 換成密度訊號後傳遞至MPU 2中。多餘的碳粉由刮刀1 2刮 除。所有偵測訊號將匯集至MPU中進行校正步驟，以建立 最適化的佈電滾輪5、顯像滾輪6及傳遞滾輪7等的操作偏 壓。例如，當光束偵檢器所測得〇PC表面的反射率大於印 表機内設之最佳反射率時，則訊號傳回MPU後，MPU就會調 整佈電滾輪5、顯像滾輪6及傳遞滾輪7等的操作偏壓，造 成0PC上生成的標準圖像所需的碳粉量增加，並調整入射 光束強度，以期降低表面附有碳粉之光電感光體的反射 率，使得光束偵檢器測得之反射率落於系統内設可操作區 間内。此流程可藉由系統生成之標準圖像來達成印表機自 我校正和調整的程序，以完成色彩校正。 一般而言，有機感光鼓表面的反射光可藉由數種方法 改變，例如，表面粗化、抗反射塗佈及光散射顆粒添加 等，來改變塗層反射率。美國專利第5660 96 1號揭示添加 光散射顆粒至電洞阻絕層（hole-blocking layer)，可以 消除光干涉波紋效應（interference fringe effect)。光

0752-7794Fl(N);cathy.ptc 第6頁 586053 _案號9U11476_年月日 條正 · 五、發明說明（4) 散射顆粒包括有氧化錫、氧化銦錫、氧化鈦、氧化;5夕及其 他無機顆粒等。相似的方法被揭示在美國專利第5〇51328 號、第 5 1 39907 號、第 52 1 5839 號、第564 1 599 號、第 5 958638號和第6 1 56468號。前述的專利主要揭示添加光散 射物質可減弱反射光及消除光干涉波紋效應。其他如美國 專利第6 2 5 5 0 2 7號揭示可藉由對光散射顆粒進行外層塗佈 來調整反射率。不同基材表面處理技術應用在調整反射率 的方法，包含有表面粗化、陽極處理及抗反射塗佈等，被 揭示在美國專利第46 1 8552號、第5 096792號、第51 04756 號、第5 1 399 07號、第59 1 6720號和第6 1 56468號。 上述提及的專利所揭示的技術是為了削弱基材表面反 射光，藉以抑制列印結果生成π波紋狀”（m〇ire)的干涉波 紋圖像（interference fringe patterns)。美國專利第 4 6 1 8 5 5 2號揭示一種不同於光散射的方法，其將光吸收物 質加在可彎曲式導電基材中以減弱反射光。美國專利第 4756993號揭示一光電感光體，其包括一導電基材，在導 電基材上之感光層（electrophotographic photosensitive layer)，以及在導電基材上之光散射層 或光吸收層，藉此可以得到清晰且無光干涉及碳粉不均的 圖像。此光散射層或光吸收層與感光層在相反側。其中光 散射層由無機微粒及高分子載體組成，光吸收層則由吸& 性染料及高分子載體組成。其他相關的方法有應用光吸收 顏料顆粒分散在透明的基層中，此法被揭示在美國專利第 5051328 5虎中。其結構為一多層感光體，包含電荷傳遞層 (CTL; charge transport layer)，電荷發生層（CGL;

0752-7794Fl(N);cathy.ptc 第 7 頁 586053 _____案號 91111476 __年月日_ 修正__* 五、發明說明（5) charge generation layer)，透明低反射材料的導電基板 和一底部有抗捲曲（an t i -cur 1)塗佈的絕緣基材層。此專 利揭示添加光吸收物質至絕緣基材層中，具有吸收來自抗 捲曲塗層與空氣界面間的二次反射光的效果。與其相似的 方法見於美國專利第5460911號，其揭示感光體膜層中的 電洞阻絕層是由溶於或分散於高分子載體中的吸光性染 料、顏料或其混合物所組成。值得注意的是其電洞阻絕層 中除了含有吸光材料外，並未添加光散射物質。另外還有 如美國專利第5641599號展示一多層感光體中的電洞阻絕 層是由具有短電洞區間及電子傳遞能力的有機顏料固態微 粒分散在咼分子薄膜的母體中所組成。在此有機顏料擔任 電洞阻礙及電子傳遞的材料，而非當作光吸收或光反射物 質。 簡言之’在習知色彩校正的方法中，當光束偵檢器測 得光電感光體表面之反射率和印表機内設之反射率不符 時，訊號會傳到MPU中，MPU就會調整佈電滾輪5、顯像滾 輪6及傳遞滾輪7等的操作偏壓，以改變〇pc上的標準圖像 所需的碳粉吸附量及入射光束強度，來調整表面附有碳粉 之光電感光體的反射率，以符合印表機内設之可操作區間 的反射率。值得注意的是，在可操作區間内的0PC感光鼓 雖可正常列印’但其列印品質並非在最佳狀態。因此，適 當的調整0PC反射率有利於使光偵檢器測得之反射率落在 印表機内設之最適操作區間内，以達到最佳列印品質。 發明之目的及概述

586053 案號9mu7R 五、發明說明（6) 本發明之目的即 層式光電感光體，其 缺陷、干涉效應造成 致的套色偏差，且可 本發明之另一目 彩色印表機，其包括 本發明之又一目 射率的方法。藉由調 對光電感光體的光電 印品質，例如色彩的 為了達成本發明 光體包括一導電基材 該底層上之一電荷發 尚分子載體和一可調 光吸收材料、光散射 本發明調整一光 一為改變可調式反射 射率。另一種方法為 感光體之反射率。 η 曰 修正 為提供 可改善 的波紋 精確色 的為提 本發明 的為提 整反射 性質無 明暗、 之上述 、在該 生層和 式反射 顆粒、 電感光 成份之 ，改變 一種可 印表機 缺陷及 彩對位 用於彩色 輸出因電 感光鼓反 印表機内之多 荷不足導致的 射率異常所導 供一種光電顯像設備，例如 之多層式光電感 供一種調整一光 達到精確 響，甚至 及密度等 率，可 不良影 飽和度 目的，本發明之 導電基 一電荷 成份， 或上述 體之反 濃度， 底層之 材上之一 傳遞層。 此可調式 兩者之混 射率的方 以調整光 塗佈厚度 光體。 電感光體之反 色彩對位，但 可改善其他列 〇 多層式光電感 底層、以及在 此底層包括一 反射成份包括 合物。 法有兩種，其 電感光體之反 ’以調整光電 發明之詳細敘述 材料製備： 氨錯合精練之氧化鈦酞花菁（TiOPc): Ti OPc之合成及氨處理過程與方法已於先前揭示於中 ^ ^ 利第0850 0 0號及美國專利第5567559號，此法可

586053 __案號 91111476_车月日_ί±^__· 五、發明說明（7) 獲得高感度TiOPc晶型結構。其配製之方法簡述如下，將 TiOPc置於球磨罐中研磨3〜7日，然後將此非晶型Ti〇Pc 分散於氣苯中，並將氨氣導入此分散的溶液中，以機械授 拌或震盪的方式，使Ti〇pc之氯苯分散液能與氨分子充分 接觸，此程序持續大約1 〇小時後，將T i OPc以過濾的方式 分離並純化，即可得到高感度之氨錯合精練之T i 〇Pc。 召型氧化鈦酞花菁（卢-type TiOPc):

TiOPc經合成純化後，以球磨方式獲得非晶型Ti〇pc， 再經氣苯震盪處理10小時後，過濾乾燥，即可得卢-type TiOPc。 α型氧化鈦敝花菁（α-type TiOPc):

TiOPc經合成純化後，以球磨方式獲得非晶型Ti〇pc， 再經四氫呋喃震盪處理丨〇小時後，過濾乾燥，即可得α -type TiOPc 〇 /5 型銅駄花菁（y5 一 type CuPc): 經合成純化為不含氯之Cupc後，再經乙醇水溶液以球 磨方式處理數天後，蒸除乙醇，並以稀酸和稀鹼清洗，過 濾乾燥後，即可得α型銅酞花菁（a_type CuPc)。將此α -type CuPc加入丙酮，並球磨24小時，蒸除丙酮，再以稀 酸和稀驗清洗，過濾乾燥後即可得沒_type Cupc。 一請參閱第2圖，顯示本發明多層式光電感光體之構造 的示意圖。此多層式光電感光體包括一導電基材2〇、在導 電基材20上之一底層3〇、以及在底層3〇上之一光感應層 40。光感應層40可包括一電荷發生層（CGL)41和一電荷傳 it$(CTL)42 ’其兩者的位置可互換，亦即，依實際需

0752-7794Fl(N);cathy.ptc 第10頁 586053 曰 案號 91111476 五、發明說明（8) 要，電荷發生層41可在電荷傳遞層42之上或之下。在底層 3 0與光感應層4 0之間可選擇性加入電荷阻絕層或黏結層 (未顯示）。 本發明的第一特徵在於，底層30包括一高分子載體和 一可調式反射成份（RTE; reflectivity-tuning element)，而此可調式反射成份包括光吸收材料、光散射 顆粒、或上述兩者之混合物。含有可調式反射成份的底層 30位於光感應層（CGL，CTL)40和導電基材（如銘管）2〇之 間。此可調式反射成份可提供感光體調整及控制反射光的 能力，並不具有電荷發生或傳遞的特性，因此不會干擾光 感應層（CGL，CTL)的機能。 敌存導！: ί材20的厚度並沒有一定的限制’ 一般是依機械 強度及成本而定。典型的導電基材為金屬，例如鋁、鍅、 鈮、鈦、鎳、不銹鋼及其合金等。 σ 適用於本發明之光散射顆粒最好是無機材料 晶形二氧切及礦物質#。典型的礦物f包含 非 7、石夕酸鹽、碳酸鹽、硫酸鹽、氫氧化物、磷酸鹽、黏 土、硫嶒及其他礦物等。選擇光散射顆 為 射率需不同於高分子載體，# 要依據為折 及消除干涉波紋的影響。且代表§的散射效果 在1.54 - 1顯著地^表^的广分子載體折射率約 有氧化矽、氧化鋁、氧化銻、氧 適田材枓包括 氧化錫、氧化鎂、氧化鈦、氧化 ：化鉛、軋化鎳、

0752-7794Fl(N);cathy.ptc $ 11頁 酸鈉、硫化鋅、碳酸鐵、碳酸鈉、氫；化硫 氯化銅、氣化鉛及其他相似物質# ^ '虱巩化鐵、 586053

屋號 9ll1U7fi 發明說明（9) ^ 金屬氧化物中的二氧化鈦（折射 2.〇2)。 手夂76)及乳化鋅（折射率 雖然選擇無機光散射顆粒如金 θ _ 型高分子载體折射率的優點，高於典 ί 5 類的無機顆粒’⑨常具有較載體高的密 :二C生沈澱的問題。此現象將對感光體底層 :==利的影f，並且會影響到列印的品質。i /可藉由對光散射顆粒進行表面處理來增進其八 散的穩疋性。f見的表面處理材料有矽烷偶合劑、鈦酸： 偶合劑、錯酸鹽偶合劑、鋁偶合劑或者像聚醯胺矽烷氣 (polyazamide silane)和聚二曱基矽氧烷 (polydimethyl si l〇xane)之類的高分子等。他們具有抑制 光散射顆粒表面的親水性及提升親油性或親有機性，強化 顆粒與而分子載體間物理及化學的交互作用以達到分散穩 定的效果。根據化合物分類，偶合劑的型式包含有丙烯三 曱基矽氧烷（allyltrimthoxysilane)，丙烯三乙基矽氧貌 (allyltriethoxysilane), r -丙胺三甲基矽氧烷 (r-aminopropyltrimethoxysilane), r - 丙胺三乙基矽 氧烧（T-aminopropyltriethoxysilane)，乙烯三甲基矽 氧烧（vinyltrimethoxysilane)， 乙烯三乙基石夕氧院 (vinyl triethoxysi lane), 乙烯三甲基二甲基石夕氧烧 (vinyltrimethyldimethoxysilane), 7-甲基丙稀氧基丙 基三曱基矽氧烷（r -methacryloxy-propyltrimethoxysilane)， r_ 丙基異氰 酸酯三乙基矽氧烷

0752-7794Fl(N);cathy.ptc 第12頁 586053 —— _案號 91111476_年 月 日 修正 · 五、發明說明（10) (r -isocyanatopropyltriethoxyailane), r -環氧丙氧 基丙基三甲基石夕氧烧（γ -glyci doxy propyl tri met hoxysi lane),丙烯二甲基氣石夕 烧（allyldimethylchlorosilane),丙烯二甲基石夕氧燒 (allyldimethyloxysilane)和其他類似化合物。 適用於本發明之光吸收材料，可為有機顏料或染料， 較佳者為有機顏料。有機顏料的具體例子包括^ —type CuPc、/3-type CuPc、非晶型銅酞花菁（CuPc)、 a-type TiOPc、type TiOPc、非晶型TiOPc、2,7-雙（3-(2-氣 苯胺羧基）-2 -羥基萘-1-偶氮）芴-9-酮 [2，7-bis(3-(2-chloro-ani1ino-carboxy)-2-hydroxy-naphthalen - l-yl - azo) fluoren-9 - one]、和 2，7-雙 (3-(2-氣苯胺魏基）-2 -經基桌-1_偶氣）苟-9-網 [2, 7-bis(3-(2-fluoro-anilino-carboxy)-2-hydroxy-na phthalen -l-yl -azo) f luoren-9 - one ] ° 和車交佳的光吸收 材料需具有極低或可忽略的光感度，符合此條件的有機顏 料包括 /3-type CuPc、/3-type TiOPc和非晶型 TiOPc 等。 適用於底層30的高分子載體，需具備有接合導電基材 20和光感應層40的能力。常使用的高分子載體包括了熱塑 性及熱固性樹脂，例如聚酯（ρο 1 y e s t er s)， 環氧樹脂 (epoxy resins),聚苯乙烯（polystyrenes)，聚醯胺 (polyamides)， 聚曱基丙烯酸曱酯（polymethyl methacrylate),聚乙烯縮丁醛（polyvinyl butyral)，酚 酿樹脂（phenonic resins)，三聚氰胺樹脂（melamine

0752-7794Fl(N);cathy.ptc 第13頁 586053 __案號91111476__年月日 修正_' 五、發明說明（11) resins),聚氨基曱酸酯（p〇lyurethanes)，乙烯-醋酸乙 烯共聚物（ethylenevinyl acetate copolymer),聚碳酸 酯（polycarbonates)，聚矽氧烷（p〇iySi loxanes),聚氣 乙烯（polyvinyl chlorides), 聚丙烯酸酯 (polyacrylates)，氨基樹脂（amino resins)，聚乙烯醇 (polyvinyl alcohols)，聚醋酸乙烯（p〇iyvinyl acetates)及其相關的局分子等。一種或多種高分子樹脂 溶於適當的溶劑中，當作底層的塗液。底層3 〇之膜厚範圍 在0.5/zm至30/zm之間，較佳的膜厚範圍在至10//111之 適用於本發明之可調式反射成份的粒徑範圍最好是在 0.05//m至l//m之間。底層組成中，高分子載體與可調式 反射成份之重量比範圍為1:1〇至2〇:1。當可調式反射成份 同時包括光吸收材料和光散射顆粒時，光吸收材料和光散 射顆粒之重量比範圍可為1 : 5至1 : 1 〇 〇之間。 發明實例之一揭示以冷—type CuPc和氧化鈦（二氧化 鈦）做為底層的RTEs (reactivity-tuning elements;可 调式反射成份）’氨錯合之Ti〇Pc(ammonia-modified TiOPc)使用於CGL作為電荷發生物質。底層塗液的製備是 由RTEs、高分子載體、甲醇及正丁醇混合溶解後，經由充 分砂磨或震盪混合而成。在未混合高分子載體前，点 -1 y p e C u P c需先與正丁醇混合，並以砂磨珠研磨至少6小 時以上。高分子載體溶液則是將高分子溶於甲醇及正丁醇 中而付。然後將混合均勻的点一 t y p e c u P c的正丁醇溶液、 高分子載^溶1液及氧化鈦粉粒置入球磨設備中混合，進行

0752-7794Fl(N);cathy.ptc 第14頁 586053 案號 91111476 Λ_η 曰 修正 五、發明說明（12) 劇烈震盪及研磨。此程序所需的時間為1〜5天，較佳的時 間為1〜2天，即可獲得一RTEs與高分子載體充分均勻混合 之底層塗液。上述底層中所需的光吸收材料和光散射顆粒 的重量比為1:5至1:100，較佳的重量比是在1:1〇至1:6〇之 間。高分子載體與RTEs的重量比為1 : 1 〇至2〇 :丨，較佳的比 例為1 : 1至1 0 : 1。這些組成比例下製備的感光體，在光致 放電曲線（PIDC; photo-induced discharge curve)中有 最佳光感度及視覺檢查下有南品質的輸出。具有共聚醢胺 (copolyamide)不對稱主幹結構之樹脂可被用為底層中的 高分子載體。此高分子載體由Da ice 1-Huls公司所提供， 商品名為D A I A Μ I D。極性的酿胺結構使得醇溶性的高分子 載體與電荷發生物質及RTEs間，能產生緊密的交互作用。 其它具有類似結構的南分子樹脂如Elvamide 8061 Elvamide 8064, Elvamide 8023 (E.I. Dupont Nemour), CM8000 (Toray), Vestamelt 171, Vestaraelt 470 (Degussa AG)和polyviny 1 butyral 等。使用於底層中的 光散射顆粒的粒徑大小在0·05 至1·〇 ，較佳^大小 為0 · 1 /z mm至0 · 3 // m。適用於本發明之光散射顆粒可為 Ishihara Sangyo Kaisha 公司所提供，品名為ET5〇〇w 的二 氧化鈦粉末。此二氧化鈦粉末的外觀為圓形，表面披覆^ 薄膜，粒徑範圍在0 · 2〜0 · 3 // m之間。

依據本發明’可同時使用光吸收材料和光散射顆粒兩 者作為可調式反射成份’光吸收材料可補光散射顆粒（如 金屬氧化物顆粒）在光反射調整的不足。光吸收材料也可 能包含其他顏料’例如偶氮系（azo)、茈系（perylene)和

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案號 91111476 五、發明說明（13) 絲喹系（squaraine)等顏料。光吸收材料的選 大的光吸收能力及遠小於電荷發生層中的電荷發生為’ 電荷發生能力。以避免可調式反射成份弁八 度產生不良的影響。 电订知生及先感 本發明的另一實例揭示底層中的光吸收物質 不同形式的TiOPc，如type Ti〇Pc，々一type、Ti〇pc更和用 非晶型TiOPc。此光吸收物質與正丁醇混合及劇烈研磨 後，形成均勻分散的微粒。其粒徑大小可為〇. 〇5以m至^ m，較佳粒徑範圍在(Μ //„1至〇.3以„1。此光吸收物質盥正 丁醇之重量比由1 :2至1 :50，較佳的比例為1 :5至1 : 20。上述比例可使光吸收物質與玻璃珠有效的接觸研磨， 並在研磨過程中維持溶液的均句性。然後加入醇溶性 copolyamide高分子溶液及選擇性加入的光散射顆粒，最 後再以甲醇及正丁醇稀釋此混合液。其 %至5〇%’較佳的固含量川％·%。整個混需 要時間為1〜5天，較佳的操作時間為2〜3天，便可獲得混 合均勻的底層塗佈液。 電荷發生層的塗佈液是由氨錯合Ti〇pc分散於曱乙酮 及聚乙烯縮丁醛的環己酮溶液而得。其中氨錯合Ti〇PC是 將T iO^Pc^經由一連串處理程序，如球磨、在含氯的有機溶 劑及氨氣下濕磨、過濾及乾燥等過程而獲得。製備此塗佈 液的方法是’首先將氨錯合T i 〇Pc加入環己酮中研磨，隨 後再加入甲乙s同及聚乙烯縮丁醛的環己酮溶液，並連續研 磨至產生均勻塗佈液為止。其他已知可用於CGL中的高分 ΙΗΙΙ^^Ι 子載體有polyester，polystyrene, polyvinyl acetate -__________________________________ 586053 案號 91111476 年月 日 修正 五、發明說明（14) polyvinyl butyral, polyvinyl chloride, polymethyl methacrylate, polycarbonate (雙紛A 型或Z 型（ bisphenol A type 或Z type))，酚醛樹脂 (phenol-formaldehyde resins)和石夕樹月旨（silicone resins)。高分子載體與電荷發生物質的重量比一般設定 在1 : 1 0至1 0 : 1，較佳的比例為1 : 2至2 : 1。C G L的厚度 變化範圍在0.01/zm至5/zm，較佳的厚度為〇e〇5#m至2/z m ° 電荷傳遞層是由高分子載體與電荷傳遞物質所組成。 本發明多層式光電感光體之電荷傳遞層中所使用的高分子 載體必須是耐磨耗物質，同時高分子載體與電荷傳遞物質 的相容性會顯著的影響到塗料固化後的熱力相穩定。此 外，高分子載體需有較強的極性以使電荷傳遞物質能有效 地傳遞電荷。一般用於CTL中的高分子載體樹脂包括 polycarbonates 如bisphenol A type 或Z type resins, polystyrene,聚楓（polysul f one)，壓克力樹脂（aery 1 ic resins)和丙烯腈-苯乙烯共聚物 (acrylonitrile-sytrene copolymers) ° 商用的電荷傳遞 物質通常須具有電荷移動能力在1〇_6〜l〇-4(cm2V-isec-i )， 如三芳香胺系（aromatic tertiary amino)分子，腙系 (h y d r a ζ ο n e)衍生物，σ惡嗪二口坐系（〇 X a d i a ζ ο 1 e)衍生物， 喹唾系（quinazoline)衍生物和芴_ *(fluorenone)分子 等。本發明的實例採用h y d r a ζ ο n e作為電荷傳遞物質，此 hydrazone分子被溶解分散在Z type polycarbonates的曱 苯溶液中，以形成CTL的塗佈液。Hydrazone與Z type

0752-7794Fl(N);cathy.ptc 第17頁 586053 案號 9111147R 五、發明說明（15) polycarbonates的重量比被保持在3 :5至丨：ι，間。較高 ==巧=!電荷傳遞效率，但需付出塗料固化 後熱力相穩疋幸父差的代價。士々k ^ . ττ + Ί u 八1貝此外，包含Hydrazone與z type P〇lycarb〇nates的重量固含量 %。所得的CTL厚度範圍在1()心㈣▼行 2。㈣至40㈣。_在10㈣至5。_，較佳的厚度為 在一彩色印表機中，正確的色彩表現取決於四色碳粉 不同比例（灰階）的套色結果。因此， ^ = M此 百效的灰階表現及石患 度控制，對於彩色列印輸出具有決 本發明，光電感光體（有機感光鼓；〇pc)中有添加可調 反射成份，藉由改變可調式反射成份之濃度，可有效改變 士光體(0PC)的反射率’達到精確控制來自〇pc表面 的反射光，因而可達到控制碳粉灰階及密度的目的。因 此，可以適度的調整0PC列印性能，來達到精確的色彩套 色’使其符合不同彩色印表機及影印機的要求。

本發明調整光電感光體之反射率的方法，和傳統上 整光電感光體之反射率的方法並不相同。如上所述，在 知色彩校正的方法+，係利用調整佈電滾輪、顯像滚輪及 傳遞滾輪等的操作偏壓’改變碳粉吸附量，以達到調整 電感光體表面的光反射量的目的，以符合印表機内設之 射率。本發明則是利用改變光電感光體本身成份的配方 來改變光電感光體的反射率。依據本發明，有兩種方法 用來調整光電感光體的反射率。其一為調整本發明多層 光電感光體中可調式反射成份之濃度，以調整反射率7 = 一種方法為调整光電感光體之底層的塗佈厚度，以听整反 0752-7794Fl(N);cathy.ptc 第18頁 586053 案號 91111476 年 月 曰 修正 五、發明說明（16) 射率。 本發明之多層式光電感光體可裝設於各種不同的光電 顯像設備中，例如雷射印表機、發光二極體印表機及影印 機中，特別是裝設於一彩色印表機中。 以下具體說明本發明多層式光電感光體的應用。冑# 發明多層式光電感光體裝設在一光電顯像設備（例如彩色 印表機）中時，若測得感光體之反射率與光電顯像設備之 内設既定的反射率範圍不符時，可改變感光體的配方，重 新製作新的感光體，以改變感光體的反射率，以配合光電 顯像設備之内設既定的反射率。 例如，當光電感光體之底層含有光吸收材料時，而測 得感光體之反射率比光電顯像設備之内設既定的反射率範 圍大時，可增加光吸收材料的濃度，重新製作新的感光 體，以降低光電感光體之反射率，以配合光電顯像設備之 内設既定的反射率。或者，當測得感光體之反射率比光電 顯像設備之内設既定的反射率範圍小時，可減少光吸收材 料的濃度，重新製作新的感光體，以提高光電感光體之反 射率，以配合光電顯像設備之内設既定的反射率。 同樣地，當光電感光體之底層含有光散射顆粒時，而 測得感光體之反射率比光電顯像設備之内設既定的反射率 範圍大時，可增加光散射顆粒的濃度，重新製作新的感光 體，，以=低光電感光體之反射率，以配合光電顯像設備之 内口又:无疋的反，率。或者，當測得感光體之反射率比光電 顯像設備之内設既定的；5 Μ、玄，^ I „ # _，#新_ 2 率範圍小_ ,可減少光散射顆 -粒的上度£新體，以提高光電感光體之反 586053

射率，以配合光電顯 由於光散射顆粒 射率，而光吸收材料 反射率。因此，實際 收材料和光散射顆粒 光電顯像設備之内設 射顆粒的濃度，可大 光吸收材料的濃度， 此’可使操作區間加 度0 像設備之 的濃度改 的濃度改 應用上， 的感光體 既定的反 幅調整感 則可對於 大，獲得 内設既 變，會 變，僅 可採用 。當測 射率不 光體的 感光體 更明顯 定的反 大幅變 會小幅 底層中 得感光 符時， 反射率 的反射 的灰階 射率。 動感光 變動感 同時含 體之反 藉由改 ，而藉 率作微 變化及 體的反 光體的 有光吸 射率和 變光散 由改變 調。如 碳粉密 電咸：ΐ2也可利用改變底層之塗佈厚度來調整* · 電感先體的反射率。例如，當測得感光體之反射率比光電 :像設備之内設既定的反射率範圍大時，可增加底層的塗 {厚度，重新製作新的感光體，以降低光電感光體之反射 率，以配合光電顯像設備之内設既定的反射率。或者，當 測得感光體之反射率比光電顯像設備之内設既定的反射^ 範圍小時，可減少底層之塗佈厚度，重新製作新的感光 體，以提高光電感光體之反射率，以配合光電顯像設備之 内設既定的反射率。 以下藉由數個實施例以更進一步說明本發明之方法、 鲁 特徵及優點，但並非用來限制本發明之範圍，本發明之範 圍應以所附之申請專利範圍為準。 實施例1 10 0g 共聚醯胺（copolyamide) (DAIAMID，

0752-7794Fl(N)；cathy.ptc 586053 _酿91111476_年月日 修正_1 五、發明說明（18)

Daicel - Hulls)的高分子載體、280g的正丁醇與280g的甲 醇混合溶解後，再加入15g二氧化鈦粉末（ET50 0W， I · S · K ·)的光散射顆粒混合成樹脂載體溶液。然後再加入 均勻分散的万-type CuPc重量分率10%之正丁醇溶液 1 0 g ’並進行劇烈震盪及研磨2 4 h r後得到底層塗佈液。以 浸潰塗佈（dip coat ing)的方式將塗佈液塗佈至無陽極處 理之亮面鋁基材上，形成厚度約4. 5//m的底層。 CGL塗液的配製是將I4g的氨錯合精練之Ti〇pc與366g 的環己酮混合劇烈震盪研磨4hr。然後添加7g聚乙烯縮丁 酸（PVB，Sekisui)及313g曱乙酮再劇烈震盪研磨48hr後得 到塗佈液。所製得之塗佈液塗佈於底層上，形成膜厚約〇 · 5 // m的電荷產生層。 CTL的塗佈液是由83g的hydrazone、605g的甲苯及 101g 的聚碳酸醋（Z-type polycarbonate，Mitsubishi

Chemical)混合溶解和劇烈攪拌6hr後所得。所製得之塗佈 液塗佈於感光鼓之CGL上，形成電荷傳遞層。 實施例2 本實施例之塗佈液的配製、感光體的塗佈方法及塗佈 厚度和實施例1相同。唯一的不同在於鋁基材採用有陽極 處理之霧面鋁管。其它材料及配製方法如底層、CGL及CTL 等，皆與實施例1相同。 實施例3

586053 ~-___案號91111476_年月曰 修正__ 五、發明說明（19) 厚度和實施例2相同。唯一的不同在於底層塗液中，光吸 收顏料/3 - type CuPc改為添加lg /5 - type TiOPc。其它材 料及配製方法如CGL及CTL等，皆與實施例2相同。 實施例4 本實施例之塗佈液的配製、感光體的塗佈方法及塗佈 厚度和實施例2相同。其不同處在於光散射顆粒ET50 0W的 添加量改為l〇g。其它材料及配製方法如CGL及CTL等，皆 與實施例2相同。 實施例5 本實施例之塗佈液的配製、感光體的塗佈方法和實施 例4相同。其不同處在於底層塗佈厚度改為2 μ m。其它材 料及配製方法如CGL及CTL等，皆與實施例4相同。 比較例1 本實施例之塗佈液的配製、感光體的塗佈方法及塗佈 厚度和實施例1相同。不同點在於感光體不塗含可調式反 射成份的底層。其它材料及配製方法如CGL及CTL等，皆與 實施例1相同。 比較例2 本實施例之塗佈液的配製、感光體的塗佈方法及塗佈 厚度和實施例2相同。不同點在於感光體不塗含可調式反 射成份的底層。其它材料及配製方法如CGL及CTL等，皆與

0752-7794Fl(N);cathy.ptc 第22頁 586053

實施例2相同。 比較例3 本實施例之塗佈液的配製、感光體的塗佈方 厚度和實施例2相同。不同點僅在於底層塗液 調式反射成份’亦即，底層塗液中不添加二氧化+ (ET500W)及点-type CuPc。其它材料及配製方如 CTL等，皆與實施例2相同。 比較例4

本實施例之塗佈液的配製、感光體的塗佈方法和實* 例2相同。唯一的不同在於底層配方中，只添加15g的光黄 射顆粒ET500W，但不添加石-type CuPc的光吸收顏料。^ 它材料及配製方法如等，皆與實施例2相同。 比較例5

本實施例之塗佈液的配製、感光體的塗佈方法及塗佈 厚度和實施例2相同。唯一的不同在於底層塗液中，光吸 收顏料万- type CuPc增加為l〇g，且不添加光散射顆粒 ET^OOW。其它材料及配製方法如CGL及CTL等，皆與實施例 2相同。 比較例6 本實施例之塗佈液的配製、感光體的塗佈方法及塗佈 厚度和實施例2相同。唯一的不同在於底層配方中，光散

0752-7794Fl(N);cathy.ptc 第23頁 586053

射顆粒ET50 0W增加為30g，但不添加 收顏料。其它材料及配製方法如等^ β -type CuPc 的光吸 皆與實施例2相同。 比較例7 本實施例之塗佈液的_、π , 例5相同。不同處在於底層膜厚：光，的塗佈方法和比較 ϋΠη 料及配製方法如CGL及CTL等，皆 與比較例5相同。 寸白 電性測試： 本發明的光電感光體之各種電氣性質是以 pDt-2000 (qea)儀器量測獲得。首先利用6.5κ伏特的電晕 ^，並在感光體表面佈上靜電，產生約_7〇〇伏特的表面 電^連續佈電、曝光、除電等步驟重複循環8次，測得 t次感光體表面電位後，求其平均值後定義其為感光體 表面電荷接受度（charge acceptance，V。）。暗衰減電位 Uark decay)則定義為佈電後在未曝光的狀況不維持2秒 後，所測得的表面電位與V。間的差值（叫）。感光體在佈電 後，並以波長為78Onm的光源照射。此時感光體中的CGL會 有光致，電現象發生，進而中和表面電荷導致表面電位下 降。半衰減能量（ha If-exposure energy，E1/2)則定義為 感光體表面電位下降至起始電位的一半時（v〇/2)，所需的 曝光能量值。其值越小表示感光體的光電效應越佳，也就 疋光感度越好。殘餘電位（residual potential，Vr)的定 義為連續曝光後，感光體表面最終電位值。本發明各每施 586053 案號 91111476 曰 修正 五、發明說明（22) 例中的電性測量採用1 · 5 // J /cm2的最終曝光能量，其所對 應之表面電位即是殘留電位。 各實施例及比較例的光致放電曲線（Photo- Induced

Discharge Curve，PIDC)測試結果如表一所示。由表一可 知’本發明在有機感光鼓中增加含可調式反射成份之底 f，並不會，著影響其電性。其中殘餘電位的變化較顯 f，由表中可以發現無陽極處理之鋁基材其殘餘電位顯著 較低。 ^

第25頁 586053 曰 修正 表一'PIDC，得的電性數據 I V〇 T7：-Γ 案號 9111]47r 五、發明說明（23) —-------^ Vr DD2 Ei/2 實施例1 709.7 42.8 14.7 0.136 實施例2 93.0 _ 14.7 0.177 實施例3 717.8 83.9 15.9 0.157 實施例4 690.7 106.9 17.1 0.188 實施例5 687.1 70.7 16.0 0.142 比較例1 698.8 58.2 13.4 0.151 比較例2 700.7 97.7 19.5 0.177 比較例3 686.9 105.3 17.1 0.182 比較例4 699.5 57.0 8.5 0.141 比較例5 712.9 90.9 12.2 0.192 比較例6 704.1 112.5 15.9 0.178 比較例7 703.6 57.2 12.2 0.158

列印品質與碳粉密度測試 本發明各實施例所製備的有機感光鼓，皆以型號 4500之惠普彩色雷射印表機^⑽丨以卜packard c〇1〇r LaserJet 4500 )作為測試平台。其中除了將Hp c〇 1〇r LaserJet 45 00感光鼓卡匣内的惠普原廠 發明所製備之感光鼓外，其餘列印 \先政置換成本 ----八餘夕】P裝置如碳粉、傳送套件

586053 __案號91111476 _年月曰 修正_ 五、發明說明（24) 及熱壓套件等，皆使用惠普原廠附件。測試的方法採用HP Color LaserJet 4500 内建印表機訊息（Information Menu)中的印表機組態頁（Configuration Page)及印表機 展示頁（LaserJet Demo)，作為色彩灰階、密度及套色之 標準測試頁。其中，印表機組態頁包含黑（K)、青藍（C)、 洋紅（Μ )及黃色（Y )四種碳粉之色塊，且每一色皆具有四種 灰階變化之色塊。而破粉密度是藉由Macbeth公司所生產 之RD-92 1反射式密度計，偵測上述組態頁中之色塊而得。 各實施例及比較例的列印測試評比如表二所示。表三 顯示不同灰階色塊的碳粉密度。 由表二可見，本發明（實施例1至5 )在有機感光鼓中增 加含可調式反射成份之底層，具有較佳的列印品質。 在表二的列印評比及表三碳粉密度的偵測中，清楚的 說明若有機感光鼓無可調式反射成份之底層（比較例1、2 及3)’不論其使用的銘基材是否有陽極處理，所得的列印 結果傾向色彩的灰階無法有效顯現，碳粉密度較低，導致 不佳的套色結果及低劣的輸出品質。例如對照實施例1、3 與比較例1、2之測試結果得知，含可調式反射成份之底層 的有機感光鼓可以大幅改善色彩的灰階表現、增加輸出碳 粉密度及正確的套色列印。 此外，比較例3 ' 4、6及實施例2、4相互比較發現， 隨著光散射顆粒含量增加，列印輸出的品質及密度增加。 但光散射顆粒若過量，則會造成碳粉密度過高，因而導致 碳粉暈染、色彩過飽和及灰階不易辨識等缺陷。相類似的 結果亦出現在貫施例4、5，和比較例5、7的比較，當含可

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:周式反射成分的底層較厚時’其列印輸出的品質及密度增 口。但當底層過薄時，會造成碳粉密度過低，導致色 和度不足及灰階不易辨識等缺陷。 值得注意的是，底層中可調式反射成份若只含有光散 ，顆b =或光，收顏料時（如比較例4、5、6、7)，由表三的 =1¾密度值付知’其列印輸出的灰階品質將較同時含有光 月射顆粒及光吸吹顏料之底層差（如實施例1、2、3、4)。 表二、列印評比 ^ ---- 碳粉密度 (Image _ Density) 套色 (Color Matching) 灰階 (Grayscale) E E E —2 E E E 實〜 一 E E E E E E G G G G P P G P P 比 F P P 比較命j 4 E G G F G G E G G _比較例7 G G G E ·極奸 ;G:良好 ;F:尚可 ;P:不妤

586053 案號91111476_年月日 修正

五、發明說明（26) 表三、不同灰階色塊的碳粉密度 實施例1 碳粉密度 比較例2 碳粉密度 C Μ Υ Κ C Μ Υ Κ G1 1.41 1.23 1.03 1.47 G1 1.22 0.85 0.84 1.47 G2 1.10 0.77 0.90 1.10 G2 0.29 0.13 0.17 1.31 G3 0.54 0.43 0.44 0.74 G3 0.14 0.11 0.07 1.01 G4 0.25 0.1S 0.15 0.38 G4 0.12 0.11 0.07 0.43 實施例2 碳粉密度 比較例3 碳粉密度 C Μ Υ Κ C Μ Υ Κ G1 1.43 1.25 1.00 1.48 G1 1.13 0.6(5 0.87 1.48 G2 1.25 0.98 0.95 1.08 G2 0.18 0.12 0.14 1.35 G3 0.67 0.56 0.59 0.73 G3 0.14 0.11 0.08 1.07 G4 0.31 023 0.24 0.38 G4 0.12 0.11 0.07 0.44 實施例3 碳粉密度 it較例4 碳粉密度 C Μ Υ Κ C Μ Υ Κ G1 1.41 1.28 0.98 1.40 G1 1.41 1.21 0.92 1.46 G2 1.25 1.00 0.93 1.12 G2 1.33 1.05 0.90 0.90 G3 0.70 0.54 0.51 0.69 G3 0.84 0.61 0.51 0.58 G4 0.30 0.22 0.18 0.32 G4 0.47 0.26 0.17 0.32 實施例4 碳粉密度 比較例5 碳粉密度 C Μ Υ Κ C Μ Υ Κ G1 1.42 1.27 0.98 1.48 G1 0.9 0.61 0.63 1.43 G2 1.26 0.99 0.94 1.09 G2 0.41 0.29 0.27 1.03 G3 0.79 0.61 0.58 0.76 G3 0.25 0.18 0.13 0.57 G4 0.26 0.20 0.19 0.34 G4 0.12 0.11 0.06 0.22 實施例5 碳粉密度 比較例6 碳粉密度 C Μ Υ Κ C Μ Υ Κ G1 1.31 1.16 0.93 1.46 G1 1.46 1.2ό 0.99 1.51 G2 0.(58 0.53 0.57 0.96 G2 1.39 1.19 1.00 1.23 G3 0.40 0.32 0.25 0.63 G3 1.06 0.80 0.74 0.81 G4 0.28 0.12 0.13 0.40 G4 0.52 0.36 0.32 0.36 11 1 I III 0752-7794Fl(N);cathy.ptc 第29頁 586053 _案號 91111476 _年月日 條正 五、發明說明（27) 比較例1 碳粉密度 C Μ Υ Κ G1 1.35 0.99 0.94 1.51 G2 0.26 0.14 0.11 1.44 G3 0.15 0.12 0.09 1.00 G4 0.12 0.11 0.08 0.43 tb較例7 碳粉密度 C Μ Υ Κ G1 1.06 0.80 0.62 1.46 G2 0.50 0.35 0.42 1.10 G3 0.26 0.19 0.18 0.(52 G4 0.14 0.10 0.06 0.25 G1-G4代表不同灰階密度.G1的灰階 密度值最高’G4的灰階密度值最低- 反射光的量測： 反射光的量測是用International Light公司的 I L1 4 0 0光度計，整個量測的裝置如圖第3圖所示。測量反 射光時，感光鼓5 4被經過濾鏡的鹵素燈光源5 1照射。此光 束透過光纖55傳遞至感光鼓54表面，並藉由矽的光二極體 5 3偵測其反射光。此反射光訊號透過光二極體5 3傳送至 IL1400光度計52中，並顯示出反射光強度。 針對比較例1、3及實施例1、2、4、5進行反射光測 量’其結果如表四所示。由表中反射率數據得知，本發明 在底層添加可調式反射成份時，可有效降低反射光，且與 不含可調式反射成份的底層（比較例1、3)及基材是否處理 (貫施例1、2)無關。此外，反射率亦隨可調式反射成份含 f及厚度增加而降低。因此，控制可調式反射成份的含量 (實施例2、4 )及底層厚度（貫施例4、5 )，可有效調整〇 p ◦ 的反射率以適用不同的色彩校正系統。

0752-7794Fl(N);cathy.ptc 第 30 頁 586053 -----案號91111476__年月日 修正 五、發明說明（28) 表四、不同底層组成與膜厚下的反射率 實施例 DAIAMD ET500W β -Type β -Type 反射率 基材 联厚 CuPc TiOPc (°/〇) 處_理 (um) 比較例1 0 0 0 0 59 無陽極 4.5 比較例3 100 0 0 0 55 陽極 4.5 實施例1 100 15 1 0 33 無陽極 4.5 實施例2 100 15 1 0 32 陽極 4.5 實施例4 100 10 1 0 40 陽極 4.5 實施例5 100 10 1 0 46 陽極 2.0

吸收光的量測·· 吸收光的量測是用Perkin Elmer公司的Lamb da 11 UV/VISC紫外光/可見光）光譜儀。測量吸收光時，底層、 CGL及CTL各層的塗佈液被塗佈在載玻片上，作為光譜測試 片。而空白的載玻片當成UV/VIS(紫外光/可見光）光譜儀 的空白基材比對測試片。所得底層（UCL)、CGL及CTL各層 的吸收光譜圖如第4圖所示。

0752-7794Fl(N);cathy.ptc 第31頁 586053 案號 91111476 圖式簡單說明 第1圖顯示傳統上色彩對位校正用的光束谓測器的方 法與裝置（BSMA)之示意圖。 第2圖為本發明光電感光體的組成構造之示意圖。 第3圖為〇 P C表面反射光债測裝置之示意圖。 第4圖為電荷傳遞層、電荷發生層及底層的紫外光/ 可見光吸收光譜圖。 標號說明 1〜雷射光源，

2〜MPU， 3〜電位調整計， 4〜密度轉換電路， 5〜佈電滾輪（PCR)， 6〜顯像元件， 7〜傳遞滾輪， 8〜感光鼓（0PC)， 9〜表面電位偵測器， 10〜圖案讀取裝置， 1 0 a光源，

l〇b〜讀取感應器， 11〜測試碳粉圖像， 1 2〜刮刀， 20〜導電基材， 3 0〜底層， 4 0〜光感應層，

0752-7794Fl(N);cathy.ptc 第32頁 586053 案號 91111476 曰 修正 圖式簡單說明 4卜 42〜 5卜 52〜 53〜 54〜 55〜 電荷發生層（CGL) 電荷傳遞層（CTL) 鹵素燈光源， 光度計， 光二極體， 感光鼓， 光纖。 ΪΒ·! 0752-7794Fl(N);cathy.ptc 第33頁

Claims (1)

1. 586053 Ά .91111476 六、申請專利範圍 1· 一種多層式光電感光體，其包括： 一導電基材、在該導電基材上之一底層、以及在該底 層上之一電荷發生層和一電荷傳遞層，其中該底層包括一 高分子載體和-可調式反射成份，該可調式反射成份包括 光吸收材料、或光散射顆粒、或上述兩者之混合物。 2·如申請專利範圍第丨項所述之多層 其中該底層組成中的光吸收材料為有機顏料。& 3·如申請專利範圍第2項所述之多層式光電感光體， 其中该光吸收材料為α型銅駄花菁（a-type CuPc)、/3型 銅酞花菁（/3-type CuPc)、非晶型銅酞花菁（CuPc)、 氧化鈦酞花菁（a - type TiOPc)、/3型氧化鈦酞花菁（万 -type TiOPc)、非晶型氧化鈦酞花菁（非晶型Ti〇Pc)、 2, 7 -雙（3-(2 -氯苯胺魏基）-2 -經基萘-1—偶氮）芴_9_酮[2, 7-bis(3-(2-chloro-anilino-carboxy)-2-hydroxy-napht halen-l-yl-azo) fluoren-9-one]、或2，7 -雙（3-(2-氟苯 胺叛基）-2 -經基奈-1-偶氣）苟_9 -綱 [2, 7-bis(3-（2-fluoro-anilin〇-carboxy)-2-hydroxy-na phthalen -l-yl-azo) fluoren-9-one]。 4 ·如申請專利範圍第1項所述之多層式光電感光體， 其中該底層組成中的光散射顆粒為二氧化鈦。 5 ·如申請專利範圍第1項所述之多層式光電感光體， 其中該底層組成中高分子載體與可調式反射成份之重量比 範圍為1 :10至20 :1。 6 ·如申請專利範圍第1項所述之多層式光電感光體，

   0752-7794Fl(N);cathy.ptc 第34頁 586053 ---91111476 牟 月 日 樣|1： · 六、申請專利細 ' ' ' 其中讀可調式反射成份包括光吸收材料和光散射顆粒。 7·如申請專利範圍第6項所述之多層式光電感光體， 其中该底層組成中之光吸收材料與光散射顆粒之重量比範 圍為1 : 5至1 : 100。 8 ·如申請專利範圍第1項所述之多層式光電感光體， 其中該底層組成中可調式反射成份的粒徑範圍在〇. 〇 5 V m 至1 // m之間。 9 ·如申請專利範圍第1項所述之多層式光電感光體， 其中該底層之塗佈厚度範圍為〇·5//πι至30/zm之間。 10· —種光電顯像設備，其包括一多層式光電感光 體’其中該多層式光電感光體包括： 一導電基材、在該導電基材上之一底層、以及在該底 層上之一電荷發生層和一電荷傳遞層，其中該底層包括一 高分子載體和一可調式反射成份，該可調式反射成份包括 光吸收材料、光散射顆粒、或上述兩者之混合物。 11 ·如申請專利範圍第1 〇項所述之光電顯像設備，其 為一彩色印表機或影印機。 12· —種調整一光電感光體之反射率的方法，其中該 光電感光體包括一導電基材、在該導電基材上之一底層、 以及在該底層上之一電荷發生層和一電荷傳遞層’其中該 底層包括一高分子載體和一可調式反射成份， 其中該方法包括：改變該可調式反射成份之濃度，以 調整該光電感光體之反射率。 1 3 ·如申請專利範圍第1 2項所述之方法，其中該方法

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