JPH07160028A

JPH07160028A - 電子写真要素および電子写真方法

Info

Publication number: JPH07160028A
Application number: JP6231150A
Authority: JP
Inventors: Douglas E Bugner; ユージーンバグナーダグラス; Hsin C Kan; チアカンシン; Neil F Haley; フレデリックハレーニール; Michael R Detty; レイデティマイケル; Rodney R Bucks; アール．バックスロドニー
Original assignee: Eastman Kodak Co
Current assignee: Eastman Kodak Co
Priority date: 1993-09-27
Filing date: 1994-09-27
Publication date: 1995-06-23
Also published as: EP0645680A3; EP0645680A2; US5403686A

Abstract

(57)【要約】【目的】レーザー干渉パターンを十分に除去し、なお
優れた性能を維持する容易に製造される光電導要素を提
供する。【構成】導電基体並びに近赤外放射線吸収増感剤およ
び近赤外放射線吸収添加剤を含む光電導層を含んでな
る、減少したレーザー干渉パターンの現像傾向を示す静
電画像形成の電子写真要素。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、電子写真要素およびそ
の要素を近赤外線で露光する方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】電子写真画像形成に使用する光電導要素
は、良く知られている。光電導要素は、写真複写機（ph
otocopier, photoduplicator）に通常用いられるものの
ような、通常の光学的露光において使用される。また、
光電導要素は、発光ダイオード（ＬＥＤ）のアレイもし
くはレーザー照射を走査することのいずれかにより画像
を形成できるとしても知られている。ＬＥＤもしくはレ
ーザー照射のいずれかを用いて、再生される画像は、種
々の方法により、ディジタル情報の流れに変換されてい
る。ディジタル的に像形成された光電導要素を用いる機
械は、一般的にプリンター、時にレーザープリンターと
呼ばれる。

【０００３】ディジタル像形成を行うのに用いられるレ
ーザーもしくはＬＥＤは、通常、スペクトルの近赤外
（近ＩＲ）の領域の光（本発明の目的のために、６５０
〜９００ｎｍの範囲の波長を有する光として定義する）
を放射する。従って、光電導要素は、この波長領域の光
を吸収できなければならない。近ＩＲ感受性光電導要素
の多くは、その性能に影響を与える問題を有している。
例えば、そのような要素を、比較的高出力の近ＩＲレー
ザーで像形成すると、光電導要素に在る近ＩＲ吸収色素
もしくは顔料が、レーザーで照射した入射光の全部を吸
収しそこなう可能性がある。結果として、過剰の、吸収
されない光が、一般的にレーザー干渉パターン（「プラ
イウッド（plywood ）」もしくは「ウッドグレイン（wo
od grain）」としても知られている）として知られてい
る画像産物を生成する。

【０００４】この問題の他の解法は、特願昭５８−１６
２９７５号、同５８−１７１０５７号、同６０−１１２
０４９号各明細書に開示される粗面を有する電導性基体
を使用することを含んでいる。もう一つの可能性のある
解法は、米国特許第４，７５６，９９３号および同５，
０５１，３２８号各明細書に開示される、感光性層の反
対側に、光散乱層を有し、それにより、レーザー放射が
感光性層の裏面に反射されてレーザー干渉パターンを起
こすことを防止する基体を用いることである。しかし、
レーザー干渉パターンのこれらの解法は、欠点が無いわ
けではない。これらの解法は、要素の構成をさらに複雑
にし、融通性を少なくし、電子写真要素の性能を低下さ
せる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】以上述べたことから、
レーザー干渉パターンを十分に除去し、なお優れた性能
を維持する容易に製造される光電導要素を供給する必要
性がある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明によると、導電基
体並びに近赤外放射線吸収増感剤および近赤外放射線吸
収添加剤を含む光電導層を含んでなる静電画像形成の電
子写真要素を提供する。本発明の別の態様では、導電基
体、近赤外放射線吸収増感剤を含む電荷発成層、電荷移
動層、およびその電荷移動層に在る近赤外吸収添加剤を
含む多機能電子写真要素を提供する。

【０００７】また、本発明は、最初に、導電基体、近赤
外放射線吸収増感剤を含む電荷発成層、電荷移動層、お
よび前記導電基体と前記電荷発成層との間の電子写真要
素に在る近赤外放射線吸収添加剤を含んでなる要素を静
電的に充電する工程を含んでなる。帯電した要素を近赤
外放射線に対して、その後、像様に露光して潜像を生成
し、この要素に、帯電したトナー粒子を適用することに
より現像して階調画像を生成する。そして、階調画像を
適当な受容体（receiver）に転写する。

【０００８】本発明の別の態様では、電子写真画像形成
方法が、最初に、導電基体ならびに近赤外放射線吸収増
感剤および１×１０⁵ Ｌ／モルｃｍより大きいモル吸光
係数を有する、近赤外放射線吸収添加剤を含む光電導層
を含んでなる要素を静電的に充電する工程を含むことを
開示している。そして静電的に帯電した要素を、近赤外
放射線に対して像様に露光し、静電潜像を生成する。こ
の潜像を、この要素に、帯電したトナー粒子を適用する
ことにより現像し、階調画像を生成し、そして適当な受
容体に転写する。

【０００９】提供される本発明の画像形成方法および要
素は、近赤外感受性であり、感光性の低下、足（toe ）
電圧の増加、低電荷受容性、より高い暗導電度、等の有
害な副作用を生じることなしに、レーザー干渉パターン
の生成傾向の低下を示す。さらに、本発明の要素は、よ
り低い暗導電度の形の改良された性能を、予期せず表わ
す。

【００１０】

【具体的な態様】上記のように、本発明は、静電画像形
成の電子写真要素に関する。一つの態様では、本発明の
要素は、導電基体ならびに近赤外放射線吸収増感剤およ
び近赤外放射線吸収添加剤を含む光電導層を含んでな
る。有用な導電基体は、任意の導電層および電子写真プ
ロセスに普通に用いられる支持体を包含する。これら
は、例えば、紙（相対湿度２０％の）、アルミニウム紙
積層物、金属ホイル（例えば、アルミニウムホイル、亜
鉛ホイル等）、金属板（例えば、アルミニウム、銅、亜
鉛、黄銅および亜鉛メッキ板）、再生セルロースおよび
セルロース誘導体、並びにある種のポリエステル、特に
それにコートした薄い導電層（例えば、沃化銅）を有す
るポリエステルを包含する。

【００１１】本発明に従う単一層要素では、光電導層
は、近赤外放射線吸収増感剤および近赤外放射線吸収添
加剤を含有する。使用する近赤外増感剤は、一般的に近
赤外放射線に感受性を有するいずれの色素もしくは顔料
も含めることができる。適当な色素および顔料は、シア
ニン系統（特にフタロシアニン系統より選ばれるもの）
より選ばれるものを包含する。好まし増感剤は、フタロ
シアニン、チタニルフタロシアニン等を包含し、最も好
ましいのは、チタニルテトラフルオロフタロシアニンで
あり。有用な近赤外吸収増感剤のその他の例は、米国特
許第４，７５６，９９３号および同４，８８２，２５４
号各明細書に含まれている。

【００１２】近赤外増感剤は、単一層要素中０．１〜１
０重量％で存在し、好ましくは、０．１〜１．０重量％
で存在する。近赤外増感剤の濃度を、要素の電子写真特
性の数（例えば、感光性、暗導電度、再生安定性、等）
並びに重要な物性（例えば、基体接着性、耐摩耗性、ク
ラッキング等）のバランスをとるように注意深く選択す
る。従って、単に増感剤の濃度を増加して、これらの特
性の一つ以上に悪影響を与えないでレーザー干渉パター
ンを除くことは不可能である。

【００１３】出願人は、本発明に従って、電子写真要素
に近赤外放射線吸収添加剤を含める（追加的に近赤外増
感剤）と、レーザー干渉パターンを広範囲に除去し、こ
の要素の暗導電度を下げることを、予期せずに見出し
た。本発明の単一層要素では、近赤外添加剤は、１×１
０⁴ Ｌ／モルｃｍ、好ましくは１×１０⁵ Ｌ／モルｃｍ
より大きい溶液のモル吸光係数を有する方が良い。モル
吸光係数は、ベール−ランバートの法則：Ａ＝（Ｅ）（ｂ）（ｃ）（式中、Ａは、溶液の観察される吸光度であり、ｃは、
モル／リットルで表わす、吸収化学種の濃度であり、そ
してｂは、ｃｍで表わす溶液の経路長である）により定
義される。Ｅは、比例定数でありモル吸光係数である。

【００１４】有用な近赤外添加物の例は、次式の化合
物：

【００１５】

【化１】

【００１６】〔式中、Ｒ¹ は、−Ｈ、−ＮＯ₂ 、アルキ
ル、アリール、−ＳＯ₂ Ｒ⁵ 、ハロ、−ＯＲ⁵ 、

【００１７】

【化２】

【００１８】（ここで、Ｒ⁵ は、アルキル、アリール、
または置換されたアルキルもしくはアリールである）で
あり、Ｒ² は、−Ｈもしくは炭素数１〜１２のアルキル
であり、Ｒ³ およびＲ⁴ は、同一もしくは異なることが
でき、−Ｈ、−Ｘ、

【００１９】

【化３】

【００２０】、ハロ、アルキル、もしくはアリール、
（ここで、Ｒ⁶ は、アルキル、アリールまたは置換され
たアルキルもしくはアリールであるか、または環を形成
する炭素数０〜３の結合となることができる）であり、
Ｙは、−Ｓ−、−Ｏ−、もしくは−Ｃ（Ｒ⁷ ）₂ −、
（ここで、Ｒ⁷ は、Ｈもしくは炭素数１〜３のアルキル
基である）であり、−Ｘは、アニオンであり、そしてｂ
は、１〜３の整数である〕、並びに、次式の化合物：

【００２１】

【化４】

【００２２】（式中、Ｌ¹ およびＬ² は、同一もしくは
異なることができ、Ｔｅ、Ｓｅ、Ｓ、もしくはＯであ
り、Ｒ⁸ 、Ｒ⁹ 、Ｒ¹⁰、およびＲ¹¹は、同一もしくは異
なることができ、−Ｈもしくは炭素数１〜５のアルキル
基であり、Ｒ¹²、Ｒ¹³、およびＲ¹⁴は同一もしくは異な
ることができ、−Ｈもしくは−ＣＨ₃ であり、−Ｘは、
アニオンであり、そしてｄは、１もしくは２である）を
包含する。

【００２３】具体的な近赤外添加剤の例は、次の化合物
である：

【００２４】

【化５】

【００２５】

【化６】

【００２６】

【化７】

【００２７】

【化８】

【００２８】

【化９】

【００２９】

【化１０】

【００３０】

【化１１】

【００３１】

【化１２】

【００３２】

【化１３】

【００３３】

【化１４】

【００３４】

【化１５】

【００３５】

【化１６】

【００３６】特に好ましい、近赤外添加剤を、式
（１）、（２）、（９）、（１０）、（１３）、（２
８）、および（２９）に記載する。近赤外添加剤は、こ
の要素中に、０．１〜１０重量％、好ましくは０．１〜
１．０重量％の濃度で存在する。実際では、特定の添加
剤のレベルを、レーザー干渉パターンを除くのに必要な
最小量が見つかるまで、通常の実験法により調節する。

【００３７】本発明の要素の単一層要素の光電導層は、
必要に応じて、バインダーを含むことができる。電子写
真要素に普通に用いられるバインダーのいずれも使用す
ることができる。有用な電気絶縁バインダーには、ポリ
カーボネート類、ポリエステル類、ポリオレフィン類、
フェノール樹脂、等が含まれる。そのようなポリマー
は、１×１０⁵ Ｖ／ｃｍ（好ましくは、１×１０⁶ Ｖ／
ｃｍ）を越える電場を支持することができ、電荷の低暗
減衰を示す方が良い。

【００３８】好ましいバインダーは、スチレン−ブタジ
エンコポリマー類、シリコーン樹脂、スチレンアルキッ
ド樹脂、大豆アルキッド樹脂、ポリ（塩化ビニル）、ポ
リ（塩化ビニリデン）、塩化ビニリデン、アクリロニト
リルコポリマー、ポリ（酢酸ビニル）、塩化ビニルコポ
リマー類、ポリ（ビニルアセタール）（例えば、ポリ
（ビニルブチラール））、ポリアクリル酸エステルおよ
びメタクリル酸エステル類（例えば、ポリ（メチルメタ
クリレート）、ポリ（ｎ−ブチルメタクリレート）、ポ
リ（イソブチルメタクリレート）、等）、ポリスチレ
ン、ニトロ化ポリスチレン、ポリ（ビニルフェノー
ル）、ポリメチルスチレン、イソブチレンポリマー類、
ポリエステル類、ケトン樹脂、ポリアミド類、ポリカー
ボネート類、等である。このタイプの樹脂の製造方法
は、従来の技術分野において多く記載されている。例え
ば、米国特許第２，３６１，０１９号および同２，２５
８，４２３号各明細書に記載される方法により、スチレ
ンアルキッド樹脂を調製することができる。本発明の要
素に使用するために考えられるタイプの有用な樹脂は、
VitelPE 101-X（商標）、Cymac （商標）、Piccapole 1
00 （商標）、Saran F-220 （商標）等の商品名で販売
されている。

【００３９】このバインダー（使用する場合）は、単一
層要素中に、１０〜９０重量％、好ましくは４０〜６０
重量％の濃度で存在する。本発明の要素の光電導層を、
必要ならば、導電基体もしくは支持体に直接的に接着す
ることができるが、導電層もしくは基体と光電導層との
間に一つ以上の中間下引き層を用いて、導電基体との接
着を改良し、そして／または、光電導層と基体との間の
電気的および／もしくは化学的障壁として作用すること
が望ましい。

【００４０】そのような下引き層（使用する場合）は、
典型的に、０．１〜５μｍの範囲の乾燥厚さを有する。
有用な下引き層材料は、硝酸セルロース、ポリエステル
類、コポリマー類もしくはポリ（ビニルピロリドン）お
よび酢酸ビニル等のフィルム状ポリマー類、並びに少な
くとも６０重量％の塩化ビニリデンを含有するモノマー
もしくはプレポリマーの重合性配合物から調製される、
２、３および４成分ポリマー類を含む種々の塩化ビニリ
デン含有ポリマー類を包含する。その他の有用な下引き
材料は、米国特許第３，５０１，３０１号明細書に記載
されるいわゆるターゲル類（tergels ）を包含する。

【００４１】本発明では、必要に応じて、上塗り層が有
用である。例えば、表面硬度および耐摩耗性を改良する
ために、本発明の光電子写真要素の表面層を一つ以上の
有機ポリマー皮膜もしく無機皮膜で被覆することができ
る。そのような皮膜の多くは、当該技術分野では周知で
あり、従って、それらの詳細な議論は省略する。そのよ
うな上塗りのいくつかは、例えば、リサーチディスクロ
ージャー（Research Disclosure ）、「Electorophotog
raphic Elements, Materials, and Processes」, Vol.
109, ページ６３、Ｖ節、１９７３年５月、に記載され
ている。

【００４２】もう一つの態様では、本発明の要素は、導
電基体（前述）、電荷発成層（ＣＧＬ）、および電荷移
動層（ＣＴＬ）を含む多機能電子写真要素である。本発
明による多機能要素は、好ましくは逆コンポジット構造
である。即ち、導電支持体、電荷発成層、および電荷発
成層と導電支持体と分離する電荷移動層である。このＣ
ＴＬは、モノマー、ポリマーもしくは無機材料を包含す
る広い範囲の電荷移動材料を含むことができる。それら
を単独もしくは組み合せて用いることができ、ｎ−タイ
プ（電子移動型）、ｐ−タイプ（ホール移動型）、もし
くは二態様（bimodal ）材料となることができる。広範
囲の有用な移動材料の例は、米国特許第４，７０１，３
９６号明細書に記載されている。

【００４３】好ましくは、電荷移動材料を、ポリマーバ
インダー中の固溶体として電荷移動層に組み込む。特に
好ましい電荷移動材料は、トリ−４−トリルアミン、
１，１−ビス−［４−（ジ−４−トリルアミノ）フェニ
ル］シクロヘキサン、およびジフェニルビス−（４−ジ
エチルアミノフェニル）メタンの重量比１９／１９／２
の混合物である。もう一つの好ましいホール移動材料
は、３，３’−ビス−［４−ジ−４−トリルアミノ）フ
ェニル］−１−フェニルプロパンである。ホール移動材
料もしくは材料混合物の適当な濃度は、乾燥したＣＴＬ
の１０〜６０重量％、好ましくは、３０〜５０重量％の
範囲である。

【００４４】単一層に関して議論した上記バインダーの
いずれも適当であるが、ＣＴＬに好ましいポリマーバイ
ンダーは、ビスフェノール−Ａポリカーボネート（商品
名 Makrolon 、Mobay Chemical Corporation製）であ
る。このバインダーの好ましい濃度は、乾燥したＣＴＬ
の５０〜７０重量％の範囲である。電荷移動材料および
ポリマーバインダーに追加して、性能もしくは物性（例
えば、平準化（leveling）補助、接着促進、等）を高め
るためＣＴＬ中にその他の添加剤が在っても良い。

【００４５】ＣＴＬの適当な厚さは、５〜３０μｍの範
囲であり、逆コンポジット構造の場合、好ましい厚さ
は、１０〜２０μｍである。本発明の多機能要素の電荷
発成層は、上記の単一層要素の光電導層の形を取ること
ができる（即ち、近赤外増感剤、近赤外添加剤、および
必要ならばバインダー）。しかし、好ましくは、電荷発
成層は、近赤外添加剤が電荷発成層以外の層（即ち、電
荷移動層、下引き層、障壁層、もしくは上塗り層、また
は上記層の一つと物理的に接触する分離層）に存在する
と共に、近赤外増感剤および必要ならばバインダーを含
む。

【００４６】このように、既に議論したバインダーのい
ずれも適当であるが、多機能電子写真要素の電荷発成層
に使用する好ましいバインダーは、テレフタル酸、アゼ
ライン酸、および４，４’−（２−ノルボルニリデン）
ビスフェノールのモル比３０／２０／５０のコポリエス
テルである。このバインダーは、乾燥したＣＧＬの重量
に対して、１〜９９％、好ましくは６５〜９９％の範囲
の濃度で、ＣＧＬ層中に存在することができる。

【００４７】単一層要素に関して上述したように、当該
技術分野において公知の、他の添加剤が、この要素の性
能およびもしくは物性を高めるために、本発明のＣＧＬ
中にに存在することができる。好ましい逆コンポジット
構造に存在する場合、この要素のＣＧＬは、０．５〜１
０μｍ、好ましくは４〜８μｍの範囲である。近赤外添
加剤がＣＴＬ中に存在する場合、この近赤外添加剤の好
ましい濃度は、乾燥ＣＴＬの０．１〜１．０重量％であ
る。実際では、特定の添加剤のレベルを、レーザー干渉
パターンを除くのに必要な最小量が決定されるまで、通
常の実験法により調節する。

【００４８】また、本発明は、電子写真画像形成方法を
包含する。本発明の方法は、本発明の要素を、最初に静
電的に帯電する工程を含む。帯電した要素を近赤外放射
線に像様に露光して、静電潜像を形成し、帯電したトナ
ー粒子をこの要素に適用することにより現像して階調の
ある画像を生成する。そして、階調画像を適当な受容体
（例えば、紙）に転写することができる。

【００４９】このトナー粒子は、ダスト、パウダー、樹
脂キャリヤー中の顔料、もしくはトナー粒子が運ばれる
電気絶縁性液体中に運び込まれている液体現像剤、の形
状である。このような現像方法は、広く知られており、
例えば、米国特許第２，２９６，６９１号、同３，８９
３，９３５号、同４，０７６，８５７号および同４，５
４６，０６０号各明細書に記載されている。

【００５０】本発明を、好ましい態様を含む以下の例に
よりさらに説明する。

【００５１】

【実施例】例１二種類の多層光電導フィルム、サンプルＡおよびサンプ
ルＢ、を以下の手順により調製した。電荷移動層を、ト
リ−４−トリルアミン（電荷移動物質）３０重量部、ビ
スフェノール−Ａポリカーボネート（ポリマーバインダ
ー）６７．５重量部、およびポリ［エチレン−テレフタ
レート−コ−ネオペンチル−テレフタレート−（５５／
４５）］（接着促進剤）２．５重量部を混合して調製し
た。この混合物を、厚さ７ミル（ｍｉｌ）および光学濃
度０．４のニッケル処理（nickellized ）したポリ（エ
チレンテレフタレート）支持体上に塗布した。要素上の
電荷移動層の乾燥塗布量は、１３．０ｇ／ｍ² であっ
た。

【００５２】ポリ［４，４’−（２−ノルボルニリデ
ン）ビスフェノールテレフタレート−コ−アゼレート−
（４０／６０）］（バインダー）６７重量部と共に、ト
リ−４−トリルアミン（光電導剤）２８重量部、ジフェ
ニルビス−（４−ジエチルアミノフェニル）メタン（光
電導剤）２重量部、およびチタニルテトラ−４−フルオ
ロフタロシアニン（増感剤）３部を混合して調製した電
荷生成層を、その後、電荷移動層の上に塗布した。サン
プルＡの電荷生成層の乾燥塗布量は。６．５ｇ／ｍ² で
あった。サンプルＡは、近赤外添加剤を含有しなかった
ので、対照とした。サンプルＢを、電荷移動層のバイ
ンダー０．３０部を上述した近赤外添加剤（１３）と置
き換えた以外は、サンプルＡと同様に調製した。近赤外
添加物を、米国特許第５，０２８，５０４号明細書に記
載する手順により調製した。

【００５３】サンプルＡおよびＢの相互のセンシトメト
リー特性を、それぞれの光減衰および暗減衰をテストし
て評価した。各フィルムの一部を、先ず約＋５００ボル
ト（Ｖ）にコロナ帯電させた。このフィルムを、その
後、暗所で２秒間減衰させ、次に８３０ｎｍで約５ｅｒ
ｇ／ｃｍ² 秒の露光で光減衰させた。暗減衰を２秒間の
電荷減衰の速度（ボルト／秒）として表わす。フィルム
を＋１００Ｖまで放電させるのに必要とした露光量を用
いて、サンプルＡとＢとの光減衰を比較する。

【００５４】８３０ｎｍで、各フィルムの光学的濃度
（Ｏ．Ｄ．）を、透過型分光光度計を用いて測定した。
測定した各Ｏ．Ｄ．を、それぞれの値から０．４０を引
くことにより補正して、ニッケル導電層の光学的濃度を
補償した。得られた値は、ＣＧＬおよびＣＴＬによる光
学的濃度のみ表わす。センシトメトリーおよび光学的濃
度評価の結果を以下の表Ｉに要約する。

【００５５】表Ｉサンプル光減衰暗減衰Ｏ．Ｄ． (erg/cm²) （Ｖ／秒）Ａ（対照）１２２０．５９Ｂ２２３１．１０表Ｉに示されるように、サンプルＢは、対照サンプルＡ
と比較すると、僅かに遅い光速度（photospeed）（より
高い光減衰値）および比較暗減衰速度を示す。この僅か
に低い感光度は、これらのフィルムを画像形成するため
に予定されているレーザーが高出力のため、性能にとっ
て不利であるとは考えられない。このより低い感光度
が、近赤外吸収添加剤がサンプルＢの共増感剤として作
用していないことを示していることもまた注意された
い。さらに、表Ｉは、サンプルＢの近赤外添加剤の追加
が、対照と比較して、そのフィルムの光学的濃度をほと
んど２倍にすることを示している。

【００５６】このサンプルを、再生安定性についても分
析した。再生テストを、各サンプルに、帯電、露光、そ
して消去のサイクルを２００回与えることにより実施し
た。各サイクルにおいて、サンプルを、（１）コロナ帯
電により＋５００Ｖに帯電させ、（２）フラッシュ露光
を用いて階段ウェッジを通して露光し（約６５０ｎｍよ
り長い波長を有する光のみを透過させるフィルターを用
いる）、そして（３）全体（blanket ）露光で消去し
た。帯電直後の電圧（Ｖｏ）およびフィルムの最大露光
領域の電圧（Ｖｔ）を、回数の関数としてモニターし
た。サンプルＡおよびＢのデータを以下の表ＩＩに表わ
す。

【００５７】表ＩＩサンプルＶｏＶｔ回数回数１２００１２００Ａ（対照）＋５０７Ｖ＋４８９Ｖ＋６１Ｖ＋７５ＶＢ４８５４７１９５９７表ＩＩに示されるように、サンプルＢは、対照サンプル
Ａに対して再生安定性を示す。理想的には、サイクル継
続時のＶｏおよびＶｔの双方とも、最小限の変動である
方が良い。従って、表ＩＩに示されるように、対照サン
プルＡおよび本発明にサンプルＢの両方とも、優れた再
生安定性を示す。

【００５８】例２四種類の多層光電導フィルム（サンプルＣ、Ｄ、Ｅおよ
びＦとする）を、例１に記載されるように調製した。サ
ンプルＣの電荷生成層は、２５重量部の４−ジシアノメ
チレン−２−フェニル−６−（４−トリル）−４Ｈ−チ
オピラン−１，１−ジオキサイドおよび５重量部のトリ
−４−トリルアミン（光電導剤）、３重量部のチタニル
テトラ−４−フルオロフタロシアニン（増感剤）、６７
重量部のポリ［４，４’−（２−ノルボルニリデン）ビ
スフェノールテレフタレート−コ−アゼレート−（４０
／６０）］（バインダー）を含有した。このＣＧＬの乾
燥塗布量は６．５ｇ／ｍ² であった。

【００５９】サンプルＣの電荷移動層は、１９重量部の
トリ−４−トリルアミン、１９重量部の１，１−ビス−
［４−（ジ−４−トリルアミノ）フェニル］シクロヘキ
サン、および２重量部のジフェニルビス−（４−ジエチ
ルアミノフェニル）メタン（電荷移動物質）、５８重量
部のビスフェノール−Ａポリカーボネート（バインダ
ー）、並びに２重量部のポリ［エチレン−テレフタレー
ト−コ−ネオペンチル−テレフタレート−（５５／４
５）］（接着促進剤）を含有した。この電荷移動層を、
乾燥塗布量１５ｇ／ｍ² で塗布した。

【００６０】サンプルＤを、ＣＴＬバインダーの０．１
２５重量部を、上述した近赤外添加剤（１）と置き換え
た以外は、上記サンプルＣに記載したのと同様に調製し
た。近赤外添加剤（１）を、７．８５ｇ（０．０４モ
ル）のクロコン酸を２００ｍｌのｎ−ブタノールに溶解
して調製した。クロコン酸の溶解後、１５０ｍｌのトル
エン中の１６．４ｇ（０．０８モル）の２，３，３−ト
リ−メチル−５−ニトロインドリンを、クロコン酸溶液
の一部に加えた。得られた溶液を攪拌しながら３０分間
還流して、近赤外添加剤（１）を晶出させた。この混合
物を室温まで冷却し、２時間攪拌した。近赤外添加剤
（１）を真空濾過して除去し、５０ｍｌのｎ−ブタノー
ルで二回、そして１００ｍｌのエーテルで一回洗浄し
た。近赤外添加剤（１）のモル吸光係数は、１．５×１
０⁵ Ｌ／モルｃｍである。

【００６１】サンプルＥを、ＣＴＬバインダーの０．２
５重量部を、近赤外添加剤（１）と置き換えた以外は、
上記サンプルＣに記載したのと同様に調製した。サンプ
ルＦを、ＣＴＬバインダーの０．５重量部を、近赤外添
加剤（１）と置き換えた以外は、上記サンプルＣに記載
したのと同様に調製した。サンプルＣ、Ｄ、Ｅ、および
Ｆを光減衰および暗減衰の両方においてテストした。光
減衰を、＋５００ボルト（Ｖ）に帯電しているフィルム
サンプルを、８３０ｎｍで約５ｅｒｇ／ｃｍ² 秒露光し
て測定した。フィルムを＋１００Ｖまで放電させるのに
必要とした露光量を用いて、それぞれのフィルムの光減
衰を比較する。暗減衰を、４０℃で平衡に達しているフ
ィルムサンプルで測定した。それらのサンプルを約＋６
００ｖに帯電させ、暗所で３０秒間放電する量を測定す
る。暗減衰を３０秒間の電荷減衰の速度（ボルト／秒）
として表わす。、光学的濃度値と同様に、各フィルムの
光減衰および暗減衰結果を以下の表ＩＩＩに要約する。

【００６２】表ＩＩＩサンプル光減衰暗減衰 (erg/cm²) （Ｖ／秒）Ｃ（対照）１５７．６Ｄ１９５．１Ｅ２０６．３Ｆ２５５．２表ＩＩＩに示されるように、サンプルＤ、Ｅ、およびＦ
は、対照サンプルＣよりも僅かに遅い光速度（より高い
光減衰値）および有利なより遅い暗減衰速度を示す。こ
れらのフィルムに画像を形成するのに用いるレーザーの
出力により、この僅かに減じた感度は容易に補償される
ので、僅かに低い感光性は、本発明のフィルム性能に有
害ではない。しかし、より遅い暗減衰は、非常に有利で
あり、特に、低出力および／もしくは高温で操作する電
子写真プロセスにおいて有利である。

【００６３】サンプルＣ、Ｄ、Ｅ、およびＦを、レーザ
ー干渉パターンの形成についても評価した。これを行う
ため、先ず、透過型分光光度計を用いて、サンプルＣ、
Ｄ、Ｅ、およびＦのそれぞれの８３０ｎｍでの光学的濃
度を測定した。測定した光学的濃度を、また、０．４０
引くことにより補正して、ニッケル導電層を補償した。
従って、得られた光学的濃度は、この要素の電荷生成お
よび電荷移動層のみに起因する。

【００６４】レーザー干渉パターンについて、各フィル
ムを次のように評価した。このサンプルを、コロナ帯電
で約＋５００Ｖに帯電させ、そしてフィルムの１００ｍ
ｍ×１６０ｍｍ範囲が、一定の露光を受けるように、８
３０ｎｍレーザーで画像形成した。白色紙受容体に転写
すると約１．０の反射濃度を表わす階調画像を生じるよ
うに露光を選択した。レーザー干渉パターンを表わすフ
ィルムの場合、「ウッドグレイン」に見えるようなパタ
ーンが、転写の前か後のいずれかで階調画像に見られ
る。レーザー干渉パターンを表わさないフィルムは、一
定の濃度の非常に均一な画像を生成する。このテストの
結果を以下の表ＩＶに表わす。

【００６５】表ＩＶサンプルＯ．Ｄ．(830nm) 干渉パターンＣ（対照）０．３４有りＤ０．６０有りＥ０．８１無しＦ１．４０無し表ＩＶに示されるように、レーザー干渉パターンを効果
的に除くためには、約０．６〜０．８の最小限の光学的
濃度が必要である。

【００６６】以下のように、フル−プロセス再生テスト
を、フィルムＣ、Ｄ、Ｅ、およびＦについて行った。先
ず、ブレッドボード上で、このフィルムを２００回のフ
ル−プロセス画像形成に供した。各サイクルは、（１）
コロナ帯電で約＋６００Ｖに帯電させる、（２）約６５
０ｎｍを越える波長を有する光のみを透過させるフィル
ターをつけたフラッシュ露光を用いて透明原画を通して
光学的に露光する、（１）（３）二成分正電荷現像剤を
用いて現像する、（４）受容体に転写する、（５）ファ
ーブラシクリーナーで洗浄する、そして（６）全体露光
で消去する、からなっていた。最大に露光したフィルム
領域の電圧（Ｖｔ）と最小に露光したフィルム領域の電
圧（Ｖｓ）（現像場所の直前に置いた電位計で測定し
た）、をサイクル数の関数としてモニターした。理想的
には、継続サイクル時のＶｔとＶｓとの変動は最小であ
る方が良い。

【００６７】サンプルＣ、Ｄ、Ｅ、およびＦに関して、
得られたデータを以下の表Ｖに要約する。表ＶサンプルＶｏＶｔ回数回数１２００１２００Ｃ（対照）＋５６５Ｖ＋５４８Ｖ＋１２１Ｖ＋１０８ＶＤ＋６０２＋５８６＋１０２＋１２１Ｅ＋６０７＋５７６＋１１６＋１１６Ｆ＋５９９＋５７２＋１５４＋１３１表Ｖに示されるように、サンプルＣ、Ｄ、Ｅ、およびＦ
は、優れた再生安定性を示す。

【００６８】例３二種類の多層光電導フィルム（サンプルＧおよびＨ）
を、例２に記載するように調製した。サンプルＧ（対
照）の電荷生成層は、２５重量部の４−ジシアノメチレ
ン−２−フェニル−６−（４−トリル）−４Ｈ−チオピ
ラン−１，１−ジオキサイドおよび５重量部のトリ−４
−トリルアミン（光電導剤）、３重量部のチタニルテト
ラ−４−フルオロフタロシアニン（増感剤）、ならびに
６７重量部のポリ［４，４’−（２−ノルボルニリデ
ン）ビスフェノールテレフタレート−コ−アゼレート−
（４０／６０）］（バインダー）を含有した。このＣＧ
Ｌの乾燥塗布量は６．５ｇ／ｍ² であった。

【００６９】サンプルＧの電荷移動層は、１９重量部の
トリ−４−トリルアミン、１９重量部の１，１−ビス−
［４−（ジ−４−トリルアミノ）フェニル］シクロヘキ
サン、および２重量部のジフェニルビス−（４−ジエチ
ルアミノフェニル）メタン（電荷移動物質）、５８重量
部のビスフェノール−Ａポリカーボネート（バインダ
ー）、並びに２重量部のポリ［エチレン−テレフタレー
ト−コ−ネオペンチル−テレフタレート−（５５／４
５）］（接着促進剤）を含有した。この電荷移動層を、
乾燥塗布量１５ｇ／ｍ² で塗布した。

【００７０】サンプルＨは、ＣＴＬのバインダーの０．
２５重量部を、上述した近赤外添加剤（２９）と置き換
えた以外は、サンプルＧと同様の組成を有した。近赤外
添加剤（２９）を、米国特許第４，３６５，０１７号、
同４，９１６，１２７号および同４，９６３，６６９号
各明細書に記載される手順により調製した。サンプルＧ
およびＨを、上記例２の手順に従って、光減衰および暗
減衰の両方においてテストした。光減衰および暗減衰結
果を以下の表ＶＩに要約する。

【００７１】表ＶＩサンプル光減衰暗減衰 (erg/cm²) （Ｖ／秒）Ｇ（対照）２３８．４Ｈ３６７．０表ＶＩに示されるように、サンプルＨは、対照サンプル
Ｇよりも僅かに遅い光速度（より高い光減衰値）および
より遅い暗減衰速度を示す。既に述べたように、本発明
に記載するようなこれらのフィルムに画像を形成するの
に用いる通常のレーザーは、感度の僅かな差を補うのに
十分な出力を有するので、僅かに遅い暗減衰速度は、有
害な性能とは考えられない。しかし、より遅い暗減衰
は、非常に有利であり、特に、低出力および／もしくは
高温で操作する電子写真プロセスにおいて有利である。

【００７２】サンプルＧおよびＨを、例２に記載したの
と同じ方法で、レーザー干渉パターンの形成についても
評価した。このテストの結果を以下の表ＶＩＩに要約す
る。表ＶＩＩサンプルＯ．Ｄ．(830nm) 干渉パターンＧ（対照）０．４０有りＨ１．１１無し表ＶＩＩに示されるように、サンプルＨ（近赤外添加剤
（２９）を含有する）は、例２で確認した最小光学濃度
要件を越え、レーザー干渉パターンを、結果として生じ
ない。

【００７３】本発明は、導電基体並びに近赤外放射線吸
収増感剤およびレーザー干渉パターンを広範囲に除くと
同時になお優れた性能を維持する近赤外放射線吸収添加
剤を含有する光電導層を含んでなる、静電画像形成のた
めの電子写真要素を提供する。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者ニールフレデリックハレーアメリカ合衆国，コロラド 80549，ウェリントン，アルブランドコート 9521 (72)発明者マイケルレイデティアメリカ合衆国，ニューヨーク 14617, ロチェスター，マウントエアリードライブ 46 (72)発明者ロドニーアール．バックスアメリカ合衆国，ニューヨーク 14580, ウェブスター，フィールドクレストドライブ 1442

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】導電基体並びに近赤外放射線吸収増感剤
および近赤外放射線吸収添加剤を含む光電導層を含んで
なる、減少したレーザー干渉パターンの現像傾向を示す
静電画像形成のための電子写真要素。
【請求項２】減少したレーザー干渉パターンの現像傾
向を示す静電画像形成のための多機能電子写真要素であ
って、導電基体、近赤外放射線吸収増感剤を含む電荷生成層、電荷移動層、および前記導電基体と前記電荷生成層との
間の電子写真要素に存在する近赤外放射線吸収添加剤、
を含んでなる写真要素。
【請求項３】導電基体並びに近赤外放射線吸収増感剤
および近赤外放射線吸収添加剤を含む光電導層を含んで
なる要素を静電的に帯電させること、前記要素を近赤外放射線に対して像様に露光して静電潜
像を形成すること、帯電したトナー粒子を前記要素に適用することにより前
記静電潜像を現像して階調画像を生成すること、そして
適当な受容体に前記階調画像を転写すること、の工程を
含んでなる電子写真方法。
【請求項４】導電基体、近赤外放射線吸収増感剤を含
む電荷生成層、電荷移動層および前記導電基体と前記電
荷生成層との間の電子写真要素に存在する近赤外放射線
吸収添加剤を含んでなる要素を静電的に帯電させるこ
と、前記要素を近赤外放射線に対して像様に露光して静電潜
像を形成すること、帯電したトナー粒子を前記要素に適用することにより前
記静電潜像を現像して階調画像を生成すること、そして
適当な受容体に前記階調画像を転写すること、の工程を
含んでなる電子写真方法。