TW581747B - Synthetic quartz glass optical member for ultraviolet light - Google Patents

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synthetic quartz
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Seishi Fujiwara
Norio Komine
Hiroki Jinbo
Original Assignee
Nikon Corp
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Description

581747 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7__ 五、發明說明（I ) 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關用以曝光出準分子雷射光微影法 (excimer laser lithography)等紫外線雷射之成像光學系統之 透鏡材料或積體電路之電路圖案時所使用之光罩（光柵 reticule)等基板，其他繞射光學元件(DOE)、光源用之校準 器(etalon)等所使用之合成石英玻璃構件。 【習知技術】 於1C、LSI等之積體電路圖案的複製上，主要係使用 縮小投影曝光裝置（或光微影裝置）。使用於此裝置之投影 光學系統，係隨著積體電路之高集積化，而要求具有寬廣 之曝光區域、以及於整個曝光區域中有更高之解析力。關 於投影光學系統解析力之提升，可想到更縮短曝光波長、 或增大投影光學系統之開口數(NA)。 關於曝光裝置，係從g線(436nm)到i線(365nm)，推 進到KrF(248mn)或ArF(193nm)準分子雷射之短波長化。 又，當欲推動更局集積化時，現在，檢討著將F2(157nm) 雷射、X射線、電子線作爲光源使用之方法。其中，使用 可活用迄今之設計思想製作之F2雷射之縮小投影曝光裝置 突然地受到注目。 一般，使用較i線具更長波長之光源的縮小投影曝光 裝置之照明光學系統、或作爲投影光學系統之透鏡構件使 用之多成分系之光學玻璃，在較i線具更短波長區域下其 光透過率將急驟地降低，尤其在250nm以下之波長區域下 將無法通過大部分之光學玻璃。因此，以準分子雷射作爲 3 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） --------訂---------線 (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁} 581747 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（〆） 光源構成縮小投影曝光裝置之光學系統的透鏡材料，係使 用合成石英玻璃與氟化鈣結晶。此2種材料係在準分子雷 射之成像光學系統進行色像差(colour aberration)修正時所 必備之材料。 爲以縮小投影曝光裝置在晶圓上進行圖案的曝光，尙 有一個重要的因素，可舉出光柵等之光罩。作爲此光罩用 之基板材料，係合成石英玻璃最爲有效。亦即，除了對準 分子雷射具耐久性，且爲解決由於基板散熱引起之熱膨脹 成爲大的問題，所以具良好之透過率•耐久性並具有低熱 膨脹係數之光學性質的合成石英玻璃亦被認爲適當。 像這種合成石英玻璃，所具有之優點係，在光的透過 損失上少、對於溫度變化具有耐性、並具有良好之耐蝕性 以及彈性性能、室溫附近之線膨脹率低(約5.5 Χ1(Γ7/Κ)等 卓越性質，所以可形成精度高之圖案，且在作業性上亦佳 〇 另一方面，一般的合成石英玻璃被指出尤其在190nm 以下之波長區域因內部吸收或散射將造成大的透過損失， 並且，尙有因雷射引發所造成之色源中心(color center)、 因散熱或螢光致使光學性能減低、以及發生密度變化之稠 密化(compaction)等問題。 因此，一般之合成石英玻璃，適用於ArF準分子雷射 (193nm)附近波長的光時被認爲是界限所在，對於在其以下 波長的光作爲光罩構件使用被認爲有所困難。因此，正檢 討使用即使對於190nm以下波長的光在吸收上亦低，且在 4 ------------f i — !— 訂---------線· (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張又度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 581747 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7_ 五、發明說明（，） 雷射耐久性也良好之氟化鈣(CaF2)單結晶，來製造光罩。 然而，氟化鈣單結晶對於溫度變化其耐性低、脆弱易 損傷、於圖案之形成過程中會發生破損、又線膨脹率大到 石英玻璃之約40倍，故不僅欲形成高精度之光罩有所困難 ，且適用於曝光裝置上進行實際曝光處理時，必須極爲嚴 格地控制溫度。 【發明所欲解決之課題】 像這樣，伴隨著曝光裝置中光源波長之變短，對於透 鏡構件或光罩構件所使用之材料將要求很高之光學性能。 本發明之目的係提供一種於250nm以下、尤其於 190mn以下之特定波長時，可充分發揮曝光裝置原本性能 之光學構件。 【用以解決課題之手段】 本發明人等，針對作爲光罩構件或成像光學系統之透 鏡構件可使用之合成石英玻璃進行檢討。這些合成石英玻 璃，係將四氯化矽、四氟化矽、有機矽等矽化合物作爲原 料者，並爲添加任意量之Ge、Ti、B、F、A1等用以變化 物性的成分所得到之合成石英玻璃。 本發明人等，爲了解決以前述曝光裝置進行積體電路 圖案曝光時所發生曝光不均等問題，乃注目於合成石英玻 璃光學構件之光軸與垂直方向面內之透過率分布。並且， 努力進行檢討之結果，發現到藉由令每lcm厚的構件爲土 1%以內、較佳爲±0·5%以內，來改善在250nm以下波長區 域與光軸垂直方向之透過率的不均，則可得到即使是合成 5 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐) --------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 581747 A7 ______ B7 五、發明說明（叱） 石英玻璃也能充分滿足曝光裝置原有性能的光學構件(不會 發生發生曝光不均等）。 並且，已發現到對於使用具有氟雷射波長（157.6nm)等 真空紫外區域（190nm以下）波長之光源的曝光裝置，藉由 將與光軸垂直方向之透過率不均抑制每1/4英吋厚的構件 爲±1·0%以內，將可達成線寬0.1//m以下，並且不會發生 線寬不均之現象。 因而，本發明所提供之合成石英玻璃構件，係使用於 250mn以下波長區域中，其特徵爲，，在該構件中透過光 線時，與光軸垂直方向上透過率之變動幅度每1/4英吋厚 的構件爲±1·〇%以內。 【發明之實施形態】 如前述，與光軸垂直方向上之透過率變動，係曝光裝 置之性能上不佳所致。 使用於投影光學系統或照明光學系統透鏡等之光學構 件時，光學系統並非由單一透鏡所構成，而使用複數之玻 璃構件所構成，光線透過光學系統時會被累積。因此，藉 將透過率之不均抑制於一定値以內，透過率之減低就不至 於累積，而可將整個光學系統保持在高透過率。 又，使用作爲光罩等基板之合成石英玻璃時，由於透 過率分布之不均勻致使發生局部性之熱膨脹，將無法正常 地進行圖案的曝光，或是線寬發生不均之情形。因此，如 本發明，藉由將透過率之不均抑制成一定値以下，就不至 於發生曝光不均勻等，而可發揮曝光裝置本來之性能。 6 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 581747 A7 __B7 五、發明說明（c) 本發明之合成石英玻璃構件，尤其使用於250nm以下 之特定波長之投影曝光裝置之照明光學光學系統、或作爲 投影光學系統之透鏡構件、或作爲光罩構件使用。 本發明之合成石英玻璃，係可由下列方法得到；a)將 矽化合物在氫氧焰中進行水解以得到玻璃微粒子(即所謂煙 灰(soot))，再堆積該玻璃微粒子以形成多孔質玻璃(即所謂 煙灰體）。將該多孔質玻璃在軟化點附近(較佳爲熔點）附近 以上之溫度透明化，以得到透明石英玻璃之方法。b)將矽 化合物在氫氧焰中進行水解，將所得到之玻璃微粒子堆積 於標的物上同時進行透明玻璃化，以得到透明石英玻璃之 方法等。a之方法稱爲煙灰法，b之方法叫做直接法。 於煙灰法，多孔質玻璃之形成方法並不特別加以限定 ，可使用VADD法、OVD法、溶膠(solgel)法等。 無論於任何方法，爲原料之矽化合物，有SiCl4， SiHCl3等矽的氯化物；SiF4，Si2F6等之矽氟化物，六甲基 矽氧烷(HMDS)，八甲基環四矽氧烷(OMCTS)，四甲基環四 矽氧烷(TMCTS)等矽氧烷類；甲基三甲氧基矽烷，四乙氧 基矽烷），四甲氧基矽烷等矽烷類之有機矽；其他尙有SiH4 ，Si2H6等，但是尤其作爲190nm以上之光學系統透鏡使 用時，由於在合成石英玻璃所含之氯會使紫外線耐久性減 低，所以以矽之氟化物或有機矽作爲原料加以合成者較佳 。又，0H基雖具有抑制透過率減低之效果，但是相反地 ，若太多時會引起稠密化，所以，若於波長爲190mn〜 250nm光源使用光學構件時，0H基濃度爲在500〜 7 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) --------訂---------線一 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 581747 A7 _ B7 五、發明說明（u ) 1200ppm範圍內之濃度爲較佳。oh基濃度爲在500〜 1200ppm範圍內之合成石英玻璃，較佳爲由直接法所獲得 〇 又’使用波長157_6nm之氟雷射等爲i90nm以下之光 源時’由於一般之合成石英玻璃會因〇H基之吸收帶之影 響而不能保持良好之透過率，所以，使用不含有〇H基之 合成石英玻璃，尤其使用含有氟、且OH基爲20ppm以下 之合成石英玻璃較佳。這種合成石英玻璃，較佳爲由煙灰 法進行脫水處理獲得。 欲獲得與光軸垂直方向上透過率之變動幅度每lcm厚 的構件爲±1%以內之合成石英玻璃時，首先，將合成石英 玻璃之內部吸收、內部散射、以及內部缺陷抑制至某個程 度以下較佳。具體上爲將內部吸收(構件每1cm厚度之內部 吸收量)限於1.0%/cm以下，內部缺陷(夾雜(inclusion)，微 視性不均質(microinhomogeneity)，微小泡等）之最大徑限於 0.5//m以下，就可達成透過率之變動幅度每lcin厚的構件 爲±1.0%以內。並且，將這種合成石英玻璃作爲光罩構件 使用’也可得到如下之附加效果。亦即，藉由將內部吸收 限於5.0%/cm以下，就可減低在光罩內發生熱致使圖案變 形之現象；藉由將內部散射抑制至1.0%/cm以下，就可減 低光斑(flare)、雙重影像(ghost image);藉由將內部缺陷之 最大直徑限於0.5//m以下，就可減低內部缺陷之像之複製 〇 又，藉由將對透過率之變動幅度造成影響之成分之含 8 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格(加χ挪公餐） --------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 581747 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _B7 __ 五、發明說明（q ) 有量以及與光軸垂直方向上之分布加以定量化，就可減低 透過率之變動幅度。 對透過率之變動幅度造成影響之成分，主要爲氟、〇H 基、以及金屬雜質。 本發明之合成石英玻璃係含有氟較佳，其較佳範圍爲 0.5wt%以上5.0wt%以下。欲將內部吸收減低到3.0〜 5-0%cm左右以下，將氟含量成爲2.5wt/%以上較佳。但是 ，氟之分布因會對於透過率之變動幅度造成影響，所以， 將其分布在構件內成爲l.Owt/%以下較佳。 OH基濃度，如前述若在190nm以上250nm以下之波 長區域使用時，以500〜1200ppm範圍內之濃度較佳，若 在190nm以下之波長區域使用時，以200ppmm以下較佳 。但是，與氟同樣，其分布會對於透過率之變動幅度造成 影響，特別是使用OH基濃度高之合成石英玻璃時，將其 分布在構件內成爲50ppm以下較佳。 金屬雜質在合成石英玻璃之合成製程及熱處理製程儘 量排除較佳，金屬雜質之總計爲50ppb以下較佳。尤其因 鈉對於透過率減低之影響顯著，所以成爲lOppb以下較佳 。又，因鋁在熱處理時會發生內部缺陷，所以，成爲 20ppb以下較佳。 茲將F2雷射作爲光源之投影曝光裝置構成之一例說明 如下。按，關於將F2雷射作爲光源之投影曝光裝置之光學 系統之詳細內容，係在日本特願平10-370143號詳細地記 載。 1紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
! , --------訂---------線I 9 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 581747 A7 B7 五、發明說明（？） 第2圖係將備有反射折射光學系統之投影曝光裝置之 整體構成以槪略地表示之圖。按，於第2圖，與構成投影 光學系統之反射折射光學系統8之光軸AX平行的方向係 定爲Z軸；垂直於光軸AX之面內、平行於第2圖之紙面 的方向定爲X軸；垂直於紙面的方向定爲Y軸。 圖示之投影曝光裝置，係作爲供給紫外區域之照明光 所用之光源，備有F2雷射(振盪中心波長157.6nm)。從光 源1射出之光線，係經由照明光學系統2，對形成既定圖 案之光罩進行均一的照明。 按，在從光源1到照明光學系統2之光路，視其需要 配置有光路偏向所用之一個或複數折射鏡。又，照明光學 系統2係具有例如:由複眼透鏡(flyeye lens)或內面反射型積 分器（integrator)所構成、形成既定尺寸•形狀之面光源之 光學積分器(optical integrator)，或規定在光罩3上照明區 域之尺寸·形狀所用之視野光闌、將此視野光闌之像投影 於光罩上之視野光闌成像光學系統等之光學系統。並且， 光源1與照明光學系統2間之光路係由外殻(未圖示)所密 封，從光源1到照明光學系統2中之最接近光罩側之光學 構件之空間，係由曝光光線之吸收率爲低之鈍性氣體所置 換。 光罩3係經由光罩保持器4在光罩台5上保持成平行 於χγ平面。在光罩3形成有欲複製之圖案，在整個圖案 區域之中，沿著Y方向具有長邊並且沿著X方向具有短邊 之矩形狀(狹縫狀)之圖案區域係受到照明。 10 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱1 ---------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 581747 A7 B7 五、發明說明（1 ) 光罩台5在構成上係可沿著光罩面(亦即XY平面)進 行二度空間移動，其位置座標由使用有光罩移動鏡6之干 涉儀7所量測並進行位置控制。 從形成於光罩3之圖案所來的光，係經由反射折射型 之投影光學系統8，在感光性基板之晶圓9上形成光罩圖 案像。晶圓9係經由晶圓保持器10，保持成平行於晶圓台 11上之XY平面。並且，爲能夠光學性地對應於光罩3上 之矩形狀之照明區域，在晶圓9上沿著Y方向具有長邊並 且沿著X方向具有短邊之矩形狀之曝光區域中形成有圖案 像。 晶圓台11在構成上可沿著晶圓面(亦即XY平面)進行 二度空間移動，其位置座標係由使用晶圓移動鏡12之干涉 儀I3所量測.並進行位置控制。 又，於圖示之投影曝光裝置在構成上其投影光學系統 8之內部爲保持成氣密狀態，投影光學系統8內部之氣體 係由鈍性氣體置換。 並且，在照明光學系統2與投影光學系統8間之窄小 光路中，配置有光罩3及光罩台5等，而將光罩3及光罩 台5等密封包圍之外殼(未圖示）內部塡充有鈍性氣體。 又，在投影光學系統8與晶圓9間之窄小光路中’配 置有晶圓9及晶圓台11等，而將晶圓9及晶圓台11等在 所密封包圍之外殻（未圖示）內部塡充有氮氣或氦氣等鈍性 氣體。 像這樣，從光源1及至晶圓9之整個光路中，可形成 11 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------------------訂---------線· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 581747 A7 _ B7 五、發明說明（) 幾乎不會吸收曝光用光之周圍氣氛。 如前述，由投影光學系統8所規定之光罩3上之視野 區域(照明區域)及晶圓9上之投影區域(曝光區域），係沿著 X方向具有短邊之矩形狀。因此，使用驅動系統及干涉儀 (7，13)等一邊進行光罩3及晶圓9之位置控制，一邊使得 光罩台5與晶圓台11(應該說是光罩3與晶圓9)沿著矩形 狀之曝光裝置及照明區域之短邊方向（亦即沿著X方向）同 步移動(掃描），藉此，對在晶圓9上具有等於曝光區域長 邊寬度、並且具有對應於晶圓9之掃描量(移動量）之區域 實施光罩圖案之掃描曝光。 於第2圖，作爲構成投影光學系統8之折射光學構件( 透鏡構件），係使用由二氟化鈣結晶所構成之光學構件或本 發明之合成石英玻璃，作爲光罩構件則使用本發明之合成 石英玻璃構件。 改善了 190mn以下之透過率特性之本發明之合成石英 玻璃，較佳爲由VAD法所製造。首先，將矽化合物在火焰 中水解所得之玻璃微粒子堆積來形成多孔質玻璃，再將該 多孔質玻璃實施脫0H基處理，並在含氟周圍氣氛中進行 加熱處理以添加氟使之透明化。 此合成石英玻璃，係藉由將〇H基濃度減低到iPPm 以下來減低起因於OH基之160nm附近之吸收。然而’因 減低OH基將生成新的缺氧型之缺陷(Vo)三Si-Si三，結果 仍然在160nm附近形成吸收帶。於是，藉由於此合成石英 玻璃中含有氟使得缺陷構造的終端成爲^Si-F來減低內部 12 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐) -------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 581747 A7 --B7 五、發明說明（“） 吸收。爲了將內部吸收減低到3〜5%/lcm以下，氟含有量 爲具有2.5wt%以上較佳。 像這樣，藉儘量減低內部吸收，就可得到與光軸垂直 方向上透過率變動幅度每1/4英吋厚的構件爲±1·〇%以內 之合成石英玻璃。這就是本發明尤其於190mn以下之特定 波長所使用之合成石英玻璃。 茲將本發明依實施例說明如下。第1圖係表示依本發 明之合成石英玻璃構件之有效直徑內之透過率分布(垂直於 光軸方向之透過率分布)之測定結果一例。 【實施例1】 使用氫氧焰之直接法，合成實施例1，6，7，8之合 成石英玻璃塊。原料係從實施例1依序使用四氯化矽、四 氟化矽、HMDS、OMCTS。於直接法，得到了 0H基濃度 高之合成石英玻璃，在合成時形成0H基濃度分布。於本 實施例爲了儘量排除此0H基濃度分布，乃使得燃燒器與 堆積合成石英玻璃之標的物進行相對的水平移動，以合成 OH基濃度分布少之直徑200〜400mm左右之玻璃錠。更 具體地，藉由使得燃燒器或標的物之擺動幅度在玻璃錠直 徑的10%以上35%以下，就可將折射率分布成爲近於平坦 〇 按，作爲將OH基分布均質化之其他方法，也可進行 合成直徑50〜200mm左右之玻璃錠之後，加熱成形此玻璃 红使其直徑成爲200〜450mni左右的處理等。 從玻璃錠切出所需厚度之構件，進行熱處理及退火處 13 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 581747 A7 B7 五、發明說明（V〆） 理之後，對金屬雜質、0H基濃度(分布）、氟濃度(分布）、 內部吸收、內部散射、內部缺陷、以及作爲光學構件使用 時與光軸垂直方向上對於波長193nm的光在透過率之變動 幅度。金屬雜質以外之結果係示於表1。金屬雜質係以 ICP-AES、ICP-MS、或放射化學分析法加以測定，確認出 所有的測定結果金屬雜質都爲lOppb以下，且合計不超過 50ppb。OH基濃度及分布係以IR吸光法由I380nm或 2730nm之吸收峰算出。氟濃度及分布係由拉曼(Raman)分 光法加以測定。或者，也可由離子色層分離法 (chromatohraphy)加以測定。透過率之變動幅度及內部吸收 係使用第3圖所示真空紫外域之分光光度計加以測定。尤 其，欲求取透過率之變動幅度時，係以第4圖所示光束形 狀，掃描被測定物加以測定。內部散射係由使用積分球之 散射測定器加以測定。或者，亦可以測定對於入射光方向 朝90度方向散射之散射光之光量之方法來測定。內部缺陷 係由光學顯微鏡加以觀察。 實施例1、6、7、8之透過率變動幅度，係如表1及 第Ι-a圖所示，確認了所有實施例之構件皆滿足了在每單 位厚度的透過率變動爲±1.0%以內。將此構件再加工成所 需之透鏡形狀（030〜300mmXtl〜100mm)之後，若以其製 作光源爲ArF準分子雷射的準分子雷射步進機光學系統， 將可得到作爲ArF準分子雷射步進機之良好的成像性能(在 線與空間0.15 以下未發現線寬不均之情形）。 【實施例2】 14 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 581747 A7 B7 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 五、發明說明（0 實施例2〜5、9〜12，係由煙灰法如下地製造。首先 ，以VDA法合成Si02之多孔質體。此時，在原料方面， 於實施例2〜5係使用四氯化矽，於實施例9、10係使用四 氟化矽，於實施例11係使用有機矽之六甲基二矽氧烷 (HMDS)，於實施例12則使用有機矽之八甲基環四矽氧烷 (OMCTS)。爲了減低所得到之多孔質體之OH基濃度，乃 在氯及氦環境氣氛中，加熱至約l〇50°C進行脫水處理，接 著於除了實施例9以外之實施例中，爲了添加氟，乃在 SiF4以及氦周圍氣氛中，加熱至約1250°C進行氟添加處理 。其後，加熱至約1600°C將多孔質體透明化，以得到070 Xt280左右之透明石英玻璃。所得到之透明石英玻璃，再 以等壓加壓製程，在1775°C約處理1小時，加工成直徑約 230mm之形狀。其後，進行切斷、硏磨成爲□ 120〜 18〇11111^11/4英吋(6.35111111)左右之光罩基板。 作爲抑制折射率變動幅度之方法，本發明之特徵爲進 行等壓加壓。等壓加壓之溫度係1750°C以上，時間爲從30 分鐘到2小時。若以更低的溫度實施長時間等壓加壓處理 ，石英玻璃中之氟將會擴散，而有透過率變動幅度增大之 傾向。 茲將實施例2〜5、9〜12之測定結果表示於表丨。就 金屬雜質而言，確認出這些實施例中金屬雜質都爲10ppb 以下，合計不超過50ppb。又，就實施例2〜5、9〜12之 透過率之變動幅度而言，如表1及第l-a圖所示，確認出 任一實施例皆滿足構件之每單位厚度爲±1.0%以內。若使 --------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) 15 581747 A7 五、發明說明（\A) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 用這些構件作爲氟準分子雷射光源之準分子雷射步進機之 光罩基板時，將可得到作爲氟準分子雷射步進機之良好成 像性能(在線與空間0.09/zm未發現線寬不均之情形）。 〔表1〕 去 勝斗 OH基濃度 mm 簕駿 mm 卿徽 _谢 酬1 麵去 Si〇4 900ppm — ArF纖 0.6°/c/cm <05βτη ±0.03/cm(193nm) _窗_ !®^VAD)法 a〇4 ^0.01ppm 25wl°/fl(0.4wl%) f2耀 l.〇P/c/cm 0.6%tm ^0.5/zm ±03/1/4 刺 157nm) 養刪3 火卿竭法 Si〇4 O.lppm I? NfApa 3.0^011 0.8%fcm $0.5/zm ±0.5/1/4 英l^j(157nm) 窗獅 Si〇4 O.lppm 25wl°/〇(a9wl%) F· 3.0%^ 0.8°/c/cm ^05 μτη ±0.9/l/43®rj(157nm) 讎丨J5 ：(：卿卿去 Si〇4 12ppm 2.5wl°/((a5wl%) F2牆 5.〇P/(/an l.〇P/c/cm ^05βτη ± 1.01/4 英付(157nm) 變娜 _去 sf4 BOOppm 0.05w(% AiF邏 0.65%fcm ^05 βϊη ±0.Q2/ai<193nm) 獅η 讎去 HMDS 1200ppm — AiF應 0.7%tm ^05 βπ\ ±0.OI/cm(193_ mwW\ 麵去 OMCTS lOOOppm — ArF通 0.7°/c/cm ^0.5 βη\ ±a〇5/cn<193nm) 瓣丨J9 ®ayAD肢 SiP4 O.lppm 2Λ\Μ°/<0.4\Μ°/〇) 17 νΓ/.ps O^/c/cm ^0.5 μ m ±03/1/4 英Iil57nm) 働_〇 ®iVAD胺 SiP4 O.lppm 2.7wl°/((a4wl%) f2牆 l-OP/c/cm ^0.5 ±(Wl/4 英Kj(157nm) g^VAD肤 HMDS O.lppm 22wl°/t(a4wl%) ϋ Nf/Pg l.〇P/c/cm £0.5βπ\ ±0.5/l/45Wl57nm) 麵丨J12 OMCTS O.lppm 23wl°/fl(0.4w1%) €0.5 μ m ±0.5/l/4 英I^(157nm) 【發明之效果】 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 依據本發明，係以四氯化矽、四氟化矽、有機矽等矽 化合物爲原料製造合成石英玻璃，來構成光柵（光罩）基板 或成像光學系統之透鏡構件，而將前述構件與光軸垂直方 向上透過率之偏差抑制爲每單位厚度±1.0%以內，藉此即 可製造出一使用具所需性能之紫外光之半導體曝光裝置。 【圖式之簡單說明】 第1圖係對於本發明之合成石英玻璃構件之垂直於光 軸方向之透過率分布之測定結果。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 581747 A7 _____B7___ 五、發明說明（） 第2圖係槪略地顯示備有反射折射光學系統之投影曝 光裝置之全體構成之圖。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 第3圖係示意顯示用以測定透過率之變動幅度及內部 吸收之真空紫外域之分光光度計。 第4圖係顯示以真空紫外域之分光光度求取透過率之 變動幅度時，掃描被測定物之光束形狀。 【符號說明】 1 雷射光源 2 照明光學系統 3 光罩 4 光罩保持器 5 光罩台 6，12 移動鏡 7，13 干涉儀 8 .投影光學系統 9 晶圓 10 晶圓保持器 11 晶圓台 AX 光軸 17 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐）

Claims (1)

  1. 581747 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1·一種合成石英玻璃構件，係用於250nm以下之特定 波長，其特徵爲； 在該構件中讓光線透過時與光軸垂直方向上透過率的 變動幅度，每lcm厚的前述構件爲±1.0%以內。 2.如申請專利範圍第丨項之合成石英玻璃構件，其中 該構件係用於190nm以下之特定波長，在該構件中透過光 線時與光軸垂直方向上透過率的變動幅度，每1/4英吋厚 的前述構件爲±1.0%以內。 3·如申請專利範圍第1項之合成石英玻璃構件，其中 該構件係用於190nm以下之特定波長，又該構件中〇H基 濃度爲2〇ppm以下。 4·如申請專利範圍第1項之合成石英玻璃構件，其中 該構件係用於190nm以上250nm以下之特定波長，又該構 件中OH基濃度在5〇Oppm以上l2〇Oppm以下。 5·如申請專利範圍第1項之合成石英玻璃構件，其內 部吸收在5.0%/cm以下。 6_如申請專利範圍第1項之合成石英玻璃構件，其內 部散射在l.〇%/cm以下。 7·如申請專利範圍第1項之合成石英玻璃構件，其內 部缺陷之最大直徑在〇·5/zm以下。 8·如申請專利範圍第1〜第7項中任一項之合成石英玻 璃構件，該構件係透鏡構件。 9·如申請專利範圍第1〜第7項中任一項之合成石英玻 璃構件，該構件係光罩構件。 1 --------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）
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