TW578219B - Substrate processing apparatus - Google Patents

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TW578219B
TW578219B TW089113228A TW89113228A TW578219B TW 578219 B TW578219 B TW 578219B TW 089113228 A TW089113228 A TW 089113228A TW 89113228 A TW89113228 A TW 89113228A TW 578219 B TW578219 B TW 578219B
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Issei Ueda
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Description

178219 五、發明説明（丨) 本發明係有關於一種基柘卢 裡！板處理裝置，更詳而言之係 一種用以對半導體晶片戋 ’ a义及日日顯不裔用之玻璃基板等 i !-J* --丨裝-- (請先本瓦j 基板進行如抗钱液之塗布處理或顯像處理等之裝置。 在半導體元件製程中之攝影刻印技術中，將半導體 晶圓（以下稱之為晶圓）之表面塗布抗蝕液，並將該塗 布抗姓液曝光處理成指定之電路圖像，進而進行顯像處 理以形成指定圖像之抗蝕膜。此一連串之處理係藉一於 塗布/顯像裝置上連結有曝光裝置之系統而施行者。 第12圖係一用以顯示該裝置習知例之平面®，其係將 收納有 25片如半導贈曰圓楚 干爷體日日圓專之基板的匣C搬入匣站
Ai之匡台i内。此時’依其構造，係形成可藉自動搬 送機器人將收納有例如25片晶圓W之匣c搬入匣台t 内者，又’於£站A1靠外側之近處並沿著£台}:形 成有一自動搬送機器人之搬送道10。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 前述匣站A1連結有一處理站A2，進而處理站A2則以 介面站A3為中介而連結有一曝光裝置A4。處理站A2 具有用以將抗蝕液塗布於晶圓w之塗布單元丨丨（例如 2個）及用以將曝光後之晶圓w顯像的顯像單元（例 如2個），且，該等單元係以2個並排，並設置成2層， 且與載置於匠站A1之E C的排列方向垂直。（在此例 中顯像單元件係排列於下層）。 又，該處理站A2具有將晶圓W載置成多層之3個靼二 丨口 >|N 〇 單元12、13、14’該等架台單元12、13、14之各架二 並分別構成了加熱部、冷卻部及晶圓w之交接部 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -4- 578219 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明説明-, 且構U成，可藉晶圓搬送機構15於前述塗布單元Η、 -頁像單it及架台單元i 2、1 3、14間搬送晶圓w。 在此系、、先中，刖述匣台丨上之匣c内的晶圓w係以交 接#16取出，並經由架台12之交接部而送至塗布單元 11，並在此塗布抗蝕液。之後，晶圓w則以晶圓搬送 機構15—架台單疋13之交接部—介面站曝光裝 置A4之路徑搬送之，以進行曝光。曝光後之晶圓*再 以相反之路徑搬送至處理站A2，且在設於塗布單元i i 下層之圖中未示的顯像單元進行顯像後，以晶圓搬送機 構15—架台12之交接部—匣c之路徑搬送之。又，17 係用以於處理站A2與曝光裝置A4間進行晶圓w之交 接的交接臂。 然而，由於前述曝光裝置A4,只要在處理時裝置稍一 振動，便會使形成回路區域之曝光偏離而導致電路圖像 之形狀惡化，故於裝置之下端側設置底座，並將裝置設 置於其上，以抑制裝置之振動。 另外，在上述塗布、顯像裝置中為求提高輸通量，若考 慮礼加塗布單元或顯像平元之數量時，一般係於與匣站 A1之g C的排列方向相t垂直之方向增漆單元設備。另 外亦有一種方法，係於處理站A2僅配置塗布單元丨j , 而於下層增漆具有顯像單元之處理站。 然而，此等方法則有一項麻煩問題，即，不論在任 何情形，只要系統一追加，就會導致自動搬送機器人之 搬送道10與曝光裝置的距離增長，故在追加系統時， ^1T------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
知不於其他區域重新形成自動搬送機器人之搬送 道而必須增加單元設備或處理站之漆設以外的工程。 本發明係於此情形下形成者，其目的係在提供一種 基板處理裝置，該裝置即使追加處理部，亦可使與處理 站之基板E的排列方向相垂直之方向的長度保持不變。 為達成上述目的，本發明之基板處理裝置包含有一 匣站及一處理站，該匣站具有一用以載置收納有基板之 基板匣的載置部，及一用以對載置於該載置部之基板匣 進行基板交接之交接機構，而該處理站則連結於前述匣 站’係用以處理前述交接機構所送達之基板，而前述處 理站更包含有多數排列於與載置於前述載置部之基板 匣的排列方向相平行之方向上的處理部。 在此構造中，由於處理部係追加於與載置於前述載 置部之基板匣的排列方向相平行之方向上，故即使追加 處理部，與處理站之前述基板匣的排列方向相垂直方向 之長度亦不會有所改變。因此，舉例言之，若不改變用 以將基板E搬出及搬入載置部之自動搬送機器人的搬 送道位置，亦可追加處理部。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在此’前述處理站之構造亦可包含有一用以對前述 處理部進行基板交接之基板搬送機構或將用以進行前 述處理‘部中之前處理及/或後處理等之處理的多數前處 理部及後處理部縱向排列之架台部，具體言之，可將架 台部排列於匣站側與前述處理部之排列方向相平行的 方向上，又，將處理部排列於匣站側之相反側並與前述 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇χ297公釐） 578219 五、發明説明ς ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 架台部相對之方向上，且將基板搬送機構排列於前述架 台部與前述處理部間並與該等相對之方向上。此時，舉 例言之’前述基板搬送機構中至丨⑽係構造成可對： 個相鄰處理部的兩方進行基板交接者。 又，本發明之基板處理裝置於具有2個以下之基板 搬送機構時，前述架台部以另外具有一用以將基板2厘 站交接至處理站之搬入用交接部及一用以將基板由處 理站交接至匣站之搬出用交接部者為佳，又，具有^ 個以上之基板搬送機構時，由E站之方向觀之，以兩側 架台部之一方具有-用以將基板由is站交接至處理站 之搬入用交接部，另一方則具有一用以將基板由處理站 交接至匣站之搬出用交接部為佳。依此等之構造，可使 基板之搬送道單純化，而消除無謂之搬送，並縮短基板 之搬送時間。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 又，本發明之處理部係用以對基板進行塗布處理 者，具體言之，本發明之基板處理裝置係包含有一設於 •前述處理站之匣站的相反側之曝光裝置及一連結於處 理站之E站的相反側並於處理站與曝光裝置中用以進 行基板父接之介面站者，而前述處理部之構造則係於基 板進行抗#液塗布處理之處理部及對已於前述曝光裝 置曝光之基板進行顯像處理的處理部者。 (實施例） 以下就適用於基板之塗布及顯像裝置的實施形態 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） :578219 A7 B7 i、發明説明（5 ) 來說明本發明。第1圖係顯示透視該實施形態内部之概 觀圖，第2圖係概略之平面圖。圖中，S1係匣站，S2 係用以對晶片W進行抗蝕液塗布處理或顯像處理之處 理站，S3係介面站，S4係曝光裝置。 E站S1具有£台21、匣22及交接臂23，該匣台 2 1係構成用以載置晶圓匣22 (以下稱之為「匣」）之載 置部，該晶圓匣22並係構成收納有多數基板如25片晶 圓W之基板匣（例如4個），而該交接臂23則係構成 用以於匣台21上之匣22與後述處理站S2之交接部間 進行晶片W之交接的交接機構。又，該交接臂2 3係構 造成可自由昇降、並可於χ、γ方向自由移動及可環繞 垂直軸自由旋轉者。 又’如第3圖所示（由處理站S2之曝光裝置S4側 觀看之截面圖），處理站S2具有反射防止膜形成單元3 (例如2個）（3A、3Β )、塗布單元4 (例如2個）（4Α、 4B )、顯像單元5 (例如3個）（5A、5B、％ )、具有多 層采台之架台部的多數架台單元r (例如3個）（pj、 R2、R3 )、作為基板搬送機構之多數晶片搬送機構μα (例如3個）（MAI、ΜΑ2、ΜΑ3 )及晶圓交接單元6， 而於處理站S1與介面站S3間進行晶圓W交接，同時 並構造成可於該處理站S2内進行於晶圓w上形成反射 防止膜之處理、於晶圓W上塗布抗蝕液之處理、晶圓 W之顯像處理及於該等處理前後將晶圓加熱、冷卻至 指定溫度之處理。 本紙張尺度適用中國國藏^( CNS ) Α4規格（21〇χ 297公餐） (請先閱讀背面之注意事項再
、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明 若就站S2内之一布置例說明之，則於該站Μ内盘 E站S1相鄰之區域中有3個架台單元r(ri、r2、们、 並列：於與^站S1…1的排列方向相平行之方向 上’若由匣站S1觀之，該箄牟么留—D/^士 碌寻木台早兀R係布置成由左 側開始以R1、R2、R3之順序位置排列者。 又，右由匣站S1觀之，前述台S2與架台單元尺裡 侧之介面站S3相鄰的區域設有多數之處理部（例如8 個）。將該等處理部於與架台單元R之排列方向相平行 之方向上分隔為2層且並列設成多數列（例如4列）。 且，在以後之說明中將以匣站S1側為外側，以曝光裝 置4側為裡側敘述之。 訂 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 然後，如第3圖所示，將2個反射防止形成膜單元 3A、3B分配於由匣站si觀之位於左側上下2層之處 理部，又，將2個塗布零件4 A、4B分配於由匣站s j 觀之位於反射防止膜形成單元右側之上下2層的處理 部。接著將交接單元6分配於由匣站s 1觀之位於塗布 單元4右側的處理部下層，而將顯像單元5分配於剩餘 之處理部。在此例中，反射防止膜形成單元3A、塗布 單元4A各位於處理部之上層，而交接單元6位於顯像 單元5A之下層，顯像單元5C位於交接單元6旁，顯 像單元5B則位於顯像單元5C之上層。 又，如後所述，3個晶圓搬送機構MA係構造成可 自由進退、自由昇降及自由旋轉於垂直軸周圍，且布置 於可藉任一晶圓搬送機構MA在架台單元R之所有架 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇 χ^7公釐） -9- 578219 五、發明説明（7 ) 台及所有處理部間；隹— 1間進仃晶圓W交接之位置。
舉例言之，曰冋1A
曰曰圓搬送機構μα係並列設置於架台單 元R與處理部間之F ^ £域内與架台單元R之排列方向相 平行的方向上’ 1個晶圓搬送機構係配置成可進入1個 或相^之2個架台單元R及相鄰之2列層（4個） 的處理4者。換言之，在此例中，若由匣站s 1觀之， 從左側開始晶圓搬送機構係以^、^、觀之順 序配置且°亥等晶圓搬送機構乃布置成使晶圓搬送機構 ΜΑ1可進入架Α垔；r« 口早疋R1、反射防止膜形成單元3及塗 布單元4及使晶圓搬送機構MA2可進入架台rj、R2、 又接單兀6及顯像單元5A，並使晶圓搬送機構MA3可 進入架台R2、R3、交接單元6及顯像單元5者。 刖述架台單元R ( R1、R2、R3 )，如第4圖中所示 乂采σ單元R1為代表者，係將用於加熱晶圓w之多數 加熱部31、用以冷卻晶圓w之多數冷卻部32及具有 於其與匣站S1間或晶圓搬送機構M A相互間用以進行 晶圓w父接之交接台的交接部33縱向排列者。進而於 1個架台單元R1設有一用以進行晶圓w之位置調整的 校準部3 4。 前述加熱部31若將晶圓W載置於經加熱器所加熱 之加熱板表面上，可將該晶圓w加熱達指定溫度。又 冷卻部32若將晶圓W載置於經由冷媒之流通所冷卻的 冷卻板表面上，則可將該晶圓w冷卻至指定溫度。該 等加熱部3 1或冷卻部32乃相當於本發明所稱之前後處 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) M規格（2丨〇><297公楚 ： I-J ---批衣-- (請先閱讀背面之注意事項再^^本頁)
、1T 10· 578219 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（g ) 理4。進而’在此例中，由於具有3個晶圓搬送機構 MA’故使用前述架台單元r中兩外側之架台單元ri、 R3的交接部33，以於其與匣台S1間進行晶圓w之交 接。換言之，一方面架台單元R1之交接部33係構造 成用以將晶圓W由匣台S1交接至處理台S2内之搬入 用交接部者，另一方面，架台單元r3之交接部33則 係構造成用以將晶圓W由處理台S2交接至臣台s J之 搬出用交接部者。 又，就塗布單元4而言’若以第5圖說明之，則 41係一杯體，該杯體41内並設有一具有真空吸著功能 且可自由旋轉之旋轉卡盤42。該旋轉卡盤42藉昇降機 構43而構成可自由昇降之狀態，且，當其位於杯體‘I 之上方側時，並可於其與前述晶圓搬送機構MA之後述 臂5 1間進行晶圓w之交接。 就該晶圓W之交接而言，旋轉卡盤42係可由其下 方側相對上升，而於杯體4 1之上方側承接臂5 1上之晶 圓W，又，藉其相反動作，亦可將該晶圓w由旋轉卡 盤42交接至臂51。44係吐出喷嘴、45係抗蝕液供給 管、46則係使喷嘴水平移動之支撐臂，而在該等塗布 單元4中，由吐出喷嘴44將塗布液之抗蝕液滴於旋轉 卡盤42上之晶圓W的表面，並旋轉旋轉卡盤42以使 抗蝕液延展塗布於晶圓W上。 又’反射防止膜形成單元3及顯像單元5與塗布單 元4大體上乃同一構造’顯像單元5係構造成吐出噴嘴 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ' -11 - 裝 訂 線 (讀先閱讀背面之注意事項再填苟本頁) 578219 五、發明説明（9 : 44具有排列於如晶圓w之直徑方向的多數供給孔，進 請 先 閱 讀 背 意 事 項 頁 曰出喷鳴44吐出為塗布液之顯像液於旋轉卡盤42 ^晶圓W表面，且可藉將旋轉卡盤旋轉半圈，而於 Ba圓y上進行顯像液之堆積，以形成顯像液之液膜。 刖述日日圓搬送機構MA1、MA2、MA3乃同一構造， 如第6圖所不’其等均具有一用以固定晶圓w之臂51， 用乂支撐該臂51而使其自由進退之基台，一對用 以支撐該基台52而使其自由昇降之引道53、54，用以 刀別將該等引道53、54之上端及下端加以連結的連結 構件 55、56，一 3 ΒΛ IL iHr -Τ» 呈一體地安裝於引道下端之連結構件 56上俾驅動由引道53、54及連結構件55、56所構成 之木體使其環繞垂直軸自由旋轉之旋轉驅動部5 7，， 訂 及叹於引導軌道上端之連結構件55上的旋轉軸部 58。 。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 臂5 1乃形成3層之構造而可分別固定晶圓w，並 將晶圓w之周緣擺放於分別設於各層之爪部59 (例如 3片）上。臂5 1之基端部係構造成可沿著設於基台52 長向之引溝50而滑動者。又，59a係用以安裝可檢測 出臂51上有無晶圓w之光感測器的感測器支撐構件， 其係固定於基台52上。 前述晶圓之交接單元6係用以於匣站si與介面站 S3間進行晶圓w之交接者，舉例言之，晶圓w之交接 部60係構造成可於匣站s丨側之位置與介面站幻側之 位置間移動者。換言之，交接部6〇係構造成可於晶圓
本紙張尺度適财酬家標準^Ta—4規格（21〇7^F -12- 578219 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 --------- -^B7_ 五、發明説明L )" ----—— 搬送機構MA2、MA3之交接臂51的衝程範圍内_ ^側之位置與設於介面站S3之後述交接臂7〇的衝程 範圍内介面站S3側之位置間移動者。 曰此處之交接台60,舉例言之，係於對應於板上面 圓之中央部的位置上具有多數未達晶圓搬送機構 ΜA之臂5丨緩衝限度高度的針體者，並構造成可將晶 圓W載置於該等針體上後使臂5 1下降，接著並使其後 退，而將晶圓W交接至交接台6〇。又，架台單元尺之 父接部33亦為同樣之構造。 進而’處理部係對其他區域呈一密閉空間。換言 之，即與設於晶圓搬送機構MA之區域間以分隔壁8 隔開，且構造成可經由設於頂板部之過濾器F使已經 淨化之空氣進入處理部中（參照第3圖及第7圖），又， 於分隔壁8上形成一用以於各處理部與晶圓搬送機構 MA間進行晶圓W交接之晶圓冒的交接口 81，及一用 以於交接單元6與後述之介面台S3的交接臂70間進 行晶圓W交接之晶圓W的交接口 82。交接單元6之晶 圓W交接口 81與交接口 82分別設有擋門構件18 j、 182。且，通常擋門構件ι81、182中至少有一方係用以 關閉晶圓W交接口 8 1及交接口 8 2中之一方者。 舉例言之，過濾器單元F係設成可覆蓋處理站S2 之上方側，而如第3圖所示，經由設於處理站S2下部 之通氣孔板而回收之該台S2内的下側氣體則除可由排 氣孔84排入工廠排氣系統外，另外，一部分則導入過 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公羡） ---------批衣------π------線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -13- 8219 A7 __________B7_ 五、發明説明h ) 濾器裝置85，並將經由該過濾器裝置85淨化之空氣送 往形成於其與側壁間之壁道86，再經由設於頂板部之 過濾器單元F以下向流之方式吹入處理台S2内。 過濾器單元F設有用以淨化空氣之過濾器、為去除 空氣中之驗性成分（例如氨成分或胺）而漆加有酸性成 分之化學過濾器、吸入風扇、以及加熱機構和加濕機構 等’將經淨化、去除氨成分並調整至指定溫定及濕度之 工氣送至下方側之處理空間内。若使用化學放大型之抗 姓液作為抗钱液時，由於須防止氨成分進入顯像處理環 境内’故使處理部呈一密閉空間並使用化學過濾器以防 止氨成分由外部侵入。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 又’化學放大型之抗蝕液可藉曝光產生酸，該酸則 可藉加熱處理而擴散，產生催化劑之作用，而將抗蝕液 材料中之主成分，即基礎樹脂分解，以及改變分子構造 而使顯像液變成可溶。因此，在使用此種抗蝕液時，只 要空氣中所含之微量氛或由壁塗料等所產生之胺等驗 性成分一觸及抗蝕液表面部之酸，便會抑制酸之催化反 應，使電路圖像之形狀惡化，故必須去除鹼性成分。 然後，在處理台S2中，藉晶圓搬送機構MA1對架 台單元R1、反射防止膜形成單元3A、3B及塗布單元 4A、4B進行晶圓W之交接，藉晶圓搬送機構MA2對 架台單元R1、R2、塗布單元4A、4B、交接單元6及 顯像單元5A進行晶圓w之交接，及藉晶圓搬送機構 MA3對架台單元R2、R3、交接單元6、及顯像單元5A、 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210x297公羡） -14- 578219 經濟部智慧財產局員工消費合4社印製 A7 B7 五、發明説明（η ) 5B、5C進行晶圓w之交接。 介面站S3係連結於處理站S2之隔壁，且，該介面 站S3之裡側乃連結一用以對形成抗蝕膜之晶圓冒進行 曝光之曝光裝置S4。又，介面站S3具有一用以將晶圓 W加熱及冷卻之CHP裝置7,及一用以於處理站S2與 曝光裝置S4間和處理站S2與CHP裝置間進行晶圓W 交接之交接臂70。 舉例言之，前述CHP裝置7具有一用以將晶圓W 加熱之加熱板及一用以將晶圓W冷卻之冷卻板，而可 先將晶圓載置於加熱板並加熱達指定溫度後，若以諸如 犬出針體將晶圓W由加熱板舉起，且同時將冷卻板移 動至晶圓.W下方側之位置，並將晶圓交接至冷卻板， 而將晶圓載置於冷卻板上，將其冷卻至指定溫度。由於 此裝置可藉加熱板與冷卻板間晶圓W之交接而控制加 熱時間，故可防止過度烘燒。 接著’參照第8圖說明上述實施形態之作用。首先， 以自動搬送機器人（或作業者）將收納有晶圓W (如 25片）之g 22搬入匣台21，又，以交接臂23將晶圓 W由£ 22内取出並置於處理站S2之架台單元R1内的 輸入用交接部3 3 ( 1 )。然後，將晶圓w以晶圓搬送機 構MA1 ( 2 )搬送（3 )至反射防止膜形成單元μ ( 3B) 而在此處形成反射防止膜。因此，形成反射防止膜乃是 由於’ 一旦使用化學放大型之抗蝕液便會於曝光時在抗 1虫液之下側形成反射，是以此反射防止膜防止之。 本紙張尺度適财關家標準（CNsTIi^M 2H)x-297公楚） ---------辦衣------1T------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -15- 8219 五、發明説明 力接著’舉例言之，將晶圓以晶圓搬送機構mai⑷ 、。早疋R1之加熱部31(5)—冷卻部32⑷— 晶圓搬送機構MA2(MA1)(7)—塗布單ua(4b) ⑷之路《送’而於加熱部31加熱至指^溫度並 於冷部部32冷卻至指定溫度後，於塗布單元“MB) 塗布抗钱液。然後，將塗布單元4A(4B)之晶圓w以 晶圓搬送機構MA2 (MA1) (9)—架台單元R2 (ri、 R3)之加熱部31( 10) —冷卻部32( u)之路徑搬送， ::加熱部31加熱達指定溫度，再於冷卻部32冷卻至 指定溫度。之後，將晶圓W以晶圓搬送機構ΜΑ% ΜΑ)) (12)—交接單元6之交接台6〇(13)—介面站“之 交接臂70(14)—曝光裝置S4(15)之路徑搬送以進 行曝光。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 將曝光後之晶圓w以相反之路徑，即曝光裝置S4 —交接臂70 ( 16) — CHP裝置7 ( 17)搬送之，且， 在此處加熱達指定溫度後，再將其冷卻至指定溫度以抑 制過度烘燒。接著，將晶圓W以交接臂70(18)—交 接單元6之交接台60( 1 9 )—晶圓搬送機構MA3( MA2 ) (20)—顯像單元5B(5A、5C)(21)之路徑搬送之， 而於該單元5 B進行顯像處理。 之後’將晶圓W以晶圓搬送機構MA3 ( MA2 ) ( 22 ) —架台單元R2 ( R3 )之加熱部31 ( 23 )—冷卻部32 (24 )—晶圓搬送機構MA3 (25) —架台單元R3之搬 出用交接部33 ( 26 )—交接臂23 ( 27 )之路徑搬送之， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -16- 578219 A7 B7 經濟,智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明“ 而經由架台單元R3之搬出用交接部33,將暫且經加熱 至指定溫度後再冷卻至指定溫度之晶圓w送回至原先 之匣22内。 在此處之處理站S2中，係將晶圓W依序送至架台 單元R1之搬入用交接部33，再以晶圓搬送機構MM —空反射防止膜形成單元3—晶圓搬送機構架 台單元R1之空加熱部31—空冷卻部32〜晶圓搬送機 構ΜΑ!、MA2—空塗布單元4—晶圓搬送機構mai、 MA2—架台單元R1、R2、R3之空加熱部3i—空冷卻 部3 2—晶圓搬送機構MA2、MA3~>交接單元6—介面 站S3之路徑搬送之，又，曝光後之晶圓w則以介面站 S3之空CHP裝置h交接臂7〇—交接單元“晶圓搬 送機構MA2、MA3_>空顯像單元5〜晶圓搬送機構 MA2、MA3—架台單元R2、R3之空加熱部3卜空冷卻 部32—晶圓搬送機構MA3—架台單元R3之搬出用交 接部33之路徑搬送為佳。然而，亦可於"因或]個相 隔離之架台R或處理部間搬送晶圓w，此時，可經由 架台單元R之交接部3於晶圓搬送機構MA相互間進 行晶圓W之交接。 在上述之實施形態中’由於處理部係排列於與匣站 ^之匡2丨的排列方向相平行之方向上，故在增加反射 防止膜形成單S3、塗布單元4或顯像單元5時可於 與前述E 2!之排列方向相平行的方向上追加處理部。 因此，乃可於其與處理站82之厘站si相垂直方向之 抑衣------、玎------0 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 17-
9 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（15 ) 長度不改變下，亦即，在不改變匠站S1與曝光裝置^ 間之距離下，追加處理部。因而’可於不隨著處理部之 增加而重新形成曝光裝置S4之底座或用以將匠台η 搬入及搬出E^S1之自動搬送機胃人的搬送道下〇輕易 追加處理部。且，即使追加了處理部，處理站幻之匣 站S1向内之深度仍可保持短淺，故可提高清潔室之利 用效率。 又，在上述之例中，於處理站S2内，將架台單元R、 晶圓搬送機構MA及處理部由匣站S1側開始依序排 列，同時，由於有3個以上之晶圓搬送機構，故將搬入 用交接部33設於由匣站S1觀之位於兩端之架台單元 Rl、R3的一方，另一方則設有搬出用交接部33 ,而可 抑制無謂之晶圓W的搬送。換言之，如上所述，晶圓 W藉晶圓搬送機構MA由架台單元R1開始以反射防止 膜形成單元3—架台單元R之加熱部3 1及冷卻部32 — 塗布單元4—架台單元R之加熱部3 1及冷卻部32—交 接單元6—介面站S3—曝光裝置S4—介面站S3—交接 單元6—顯像裝置5—架台單元R之加熱部3丨及冷卻 部32—架台單元R3之搬出用交接部33的路徑搬送 之，而不通過未進行處理之單元。 進而，在上述之例中，若於塗布單元4塗布抗蝕液 後’亦可於介面站S3之CHP裝置7進行晶圓w之加 熱及冷卻，因此，於處理部進行處理後，即刻搬送至介 面站時，由於處理部排列於介面站S3側，故晶圓w將 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公楚）
-18 ^/8219 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 -----_ 五、發明説明（6 ) ' --- 不通過未進行處理之架台單元&，而沒有無謂之搬送。 因此’由於沒有無謂之搬送而可於短時間内搬送晶圓 w，故可望提高輸通量。 對此，若採用如習知技術般，將處理部設於與匣站 1之E 21的排列方向相垂直之方向上，並將架台單元 R配置於匣站S 1側與介面站S3側之系統時，當處理部 之數量增加，固然會準備配置了塗布單元4之塗布用處 理站及配置了顯像單元5之顯像用處理站，並分別將塗 布用處理站配置於匣站S 1側以及將顯像用處理站配置 於介面站S3側，但在此例中，已塗布抗蝕液之晶圓冒 將通過未進行處理之顯像用處理站内而搬送至曝光裝 置，又，顯像後之晶圓W亦將通過未進行處理之塗布 用處理站内而搬送至匣站S1，因此將產生無謂之搬 送。進而，於相鄰之處理站間或晶圓搬送機構相互間進 行晶圓W之交接時，由於必須通過架台單元之交接 部’故使搬送道重疊，而由此情形亦產生無謂之搬送。 以上係就有3個以上之晶圓搬送機構MA的情形加 以說明者，而以下則係就有2個以下之晶圓搬送機構的 情形加以說明。舉例言之，第9圖係顯示有2個晶圓搬 送機構MA ( MAI、ΜΑ2 )、3個架台單元R(R1、R2、 R3 )、3層X 2列之處理部（在此例中諸如1個反射防止 膜形單元3、1個塗布單元4、1個交接單元6及3個顯 像單元5 )時之處理站的布置例。在此例中，3個架台 單元R，由匣站S1觀之，係從左側開始以ri、R2、 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 裝 訂 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -19- 五 们之續序並列設於與…1之E 2!的排列方向相平 订之方向上’又’由架台單元R1之匣站S1觀之，於 、1、丨有2個晶圓搬送機構MA，此2個晶圓搬送機構 MA由匣站S1觀之，係從左側開始以搬送機構％幻、 隐2之順序並列設於與架台單元R之排列方向相平行 的方向上。 又，由搬送機構ΜΑ之匣站S1觀之，於裡側，有6 個處理部並列設於與架台單元之排列方向相平行的方 向上’且’分別將反射防止膜形成單元3分配於由匣站 :1觀之位於左側之處理部上層，塗布單元4則分配於 -下層’又’分別將交接單元6分配於由匣站W觀之 :中央處理部之上層，顯像單元5A則分配於其下 層，而將顯像單元5B、5C分別分配於由£站si觀之 位於右側之上下2個處理部。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 進而，在此例中，於3個架台單元R1、R2、们之 個（如木σ單元R2 )分別設有用以將晶圓w由匣 站s 1又接至處理站S2之搬入用交接部及用以將晶圓 w由處理站S2交接至匣台S1之搬出用交接部。 八人將之布置成可藉晶圓搬送機構mai，於架台 單元Rl、R2、反射防止膜形成單& 3、、塗布單元4、交 接單元6及顯像單元5A間進行晶圓w之交接，以及藉 晶圓搬送機構ΜA2，於架台單元R2、R3、交接單元6、 及顯像單元5A、5B、5C間進行晶圓w之交接者。 兹以第10圖說明此處理站S2内晶圓w之流程， 本Λ張尺度適用中關豕標準（CNS ) A4規格（2⑴X撕公爱） -20 - 578219 A7 B7 五 、發明説明j 即，將晶圓W以架台單元R2之搬入用交接部（i )— 晶圓搬送機構MA1 (2)—反射防止膜形成單元3 (3) —晶圓搬送機構MA1 (4)—架台單元ri (R2)之加 熱部31 (5)-冷卻部32(6) —晶圓搬送機構MA1(7) —塗布單元4 ( 8 )—晶圓搬送機構ΜΛ1 ( 9)—架台單 元R2(R1)之加熱部31 (10)—冷卻部320〗）—晶 圓搬送機構MA2 ( MA1 ) ( 12)—交接單元6之交接台 60 (13) —介面站S3之交接臂70 (14)曝光裝置 S4—交接臂70— CHP裝置7—交接臂7〇—交接單元6 之交接台60 ( 15)—晶圓搬送機構MA2 ( MA1 ) ( 16) —顯像單元5B ( 5A、5C) ( 17)—晶圓搬送機構MA2 (MA1) (18)—架台單元R3 (R2、ri)之加熱部h (19)—冷卻部32 ( 2〇)—晶圓搬送機構MA2 ( ΜΑι) (21) —架台單元R2之搬出用交接部33(26)4交接 臂23 (27)之路徑搬送之。 如此’當晶圓搬送機構MA在2個以下時，即使將 搬入用交接部及搬出用交接部分別設於任一個架台單 元R，由於晶圓之搬送路徑不會重叠，故可抑制無謂之 搬送，縮短搬送時間，且可望提高輸通量。此時，搬入 用交接部及搬ώ用交接部可設於同一架台單元尺，亦可 设於不同之架台單元R。又，如上例所述，亦可將之構 造成由g站S1觀之位於兩側之架台單元R1、R3 一方 的交接部33為搬入用交接部33，另一方之交接部33 則為搬出用交接部。 ---------辦衣------、玎------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
-21 - 578219 A7 B7 五、發明説明丨（) 請 先 閱 讀 背 ιέ 意 事 項 'L· 頁 。在以上之本發明中，可將用以收納反射防止膜形成 單元3、塗布單元4、顯像單元5或交接單元6之處理 部堆疊成3層或4層，亦可於i層中排列3列以上之處 理邓。而，分配於處理部之反射防止膜形成單元3、塗 布單元4及顯像單元5的數量則可與之配合而適當選擇 之’進而，並可適宜增減架台單元R之數量或晶圓搬 送機構之數量。 進而，架台單元R之加熱部31及冷卻部32、CHp 裝置等之數量則並不限於上述之例，亦可冑cHp裝置 7設於架台單元R，而於形成反射防止膜後或於塗布抗 蝕液後，於該CHP裝置7中進行晶圓|之加熱及冷卻。 此時，CHP亦相當於前後處理部。 訂 又，當晶圓搬送機構MA之數量在3個以上時，由 節省無謂之搬送這方面來說，則以昆站S1兩側之架台 單元R中之一方為搬入用交接部33,而另—方為搬出 用交接部33為佳，但不一定須構造造成如此之結構， 亦可將搬入用交接部33及搬出用交接部33分別設於任 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 一架台單元R。且，不限定晶圓搬送機構河八之數量， 亦可於任一架台單元尺設置搬入及搬出兼用之搬出及 搬入用交接部33。 進而，在本發明中，晶圓搬送機構MA未必要佈置 成可進入相鄰之2個架台單元R，亦可經由諸如交接單 元6而於晶圓搬送機構間進行晶圓w之 · 人我Γ。又，當 曰曰 圓搬送機構Μ Α之數量在2個以上時，舉例十， 。之除 ( CNS ) mm ( 21^297^t -22- 578219 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 Β7 五、發明説明％ ) — 交接單元6外，可於處理部中另外設置一用以於晶圓搬 送機構MA間進行晶圓w交接之交接部，，亦可經由 空反射防止膜形成單元3等進行晶圓W之交接。 進而’本發明亦適用於以進行疏水化處理取代形成 反射防止膜之情形，舉例言之，此時乃將構成前後處理 部之疏水化處理部設於架台單元R ,而在此進行疏水化 處理後，於塗布單元4進行塗布抗蝕液。 又，如第11圖所示，亦可於介面站83及處理站S2 之間設置可進入處理部3 A、4A等之多數晶圓搬送機構 191 〇 進而，本發明中所謂之基板並不限於晶圓，亦可為 液晶顯示器用之玻璃基板。 根據本發明，由於處理部係排列在與載置於載置部 上之基板E的排列方向相平行的方向上，故可追加處理 部，而不改變與處理站之基板匣的排列方向相垂直方向 上之長度。 (圖式之簡單說明） 第1圖係顯示本發明實施形態中之塗布、顯像裝置 的概觀圖。 第2圖係顯示前述塗布、顯像裝置之概略平面圖。 第3圖係由前述塗布、顯像裝置之處理站的顯像裝 置側觀看之截面圖。 第4圖係顯示架台單元、晶圓搬送機構及處理部之 批衣 訂 n 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -23- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（21 ) 一例的側面圖。 第5圖係顯示塗布單元之截面圖。 第6圖係顯示晶圓搬送機構之立體圖。 第7圖係顯示處理部之透視圖。 第8圖係顯示處理站之晶圖流程的平面圖。 第9圖係顯示其他處理站例子之平面圖。 第10圖係顯示處理站之晶圓流程的平面圖。 第11圖係顯示關於其他實施形態之塗布、顯像裝 置的概略平面圖。 ~ 第丨2圖係顯示習知之塗布、顯像裝置的概略平面 圖0 【主要元件標號】 w…半導體晶圓 C·.·匣 1 5…晶圓搬送機構 16…交接臂 A1…匣站 17··.交接臂 A2···處理站 S 1...匣站 A3…介面站 S2…處理站 A4…曝光裝置 S3…介面站 1 〇…自動機器人之 S4···曝光裝置 搬送道 21 ...匣台 11···塗布單元 22…晶圓匣（£ ) 12···架台單元 23...交接臂 13···架台單元 3…反射防止膜形成 14···架台單元 單元 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 578219 A7 B7 五 發明說明（22 ”經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 3A...反射防止膜形 32...冷卻部 成單元 33...交接部 3B…反射防止膜形 34…校準部 成單元 41…杯體 4...塗布單元 42...旋轉卡盤 4A...塗布單元 43...昇降機構 4B…塗布單元 44…吐出喷嘴 5··.顯像單元 45...抗蝕液供給管 5A...顯像單元 46...支撐臂 5B…顯像單元 50…引溝 5C...顯像單元 51 ·.·臂 6··.交接單元 52…基台 R…架台單元 53…引軌 R1...架台單元 54...引軌 R2…架台單元 55...連結構件 R3··.架台單元 56…連結構件 MA...晶圓搬送機構 57···旋轉驅動部 MA1 ...晶圓搬送機 58···旋轉軸部 構 59…爪部 MA2...晶圓搬送機 59a...感測器支撐構 構 件 Μ A3...晶圓搬送機 60...交接台 構 31.··加熱部 7...CHP 裝置 70…交接臂 -------------裝-----：----訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -25- 578219 A7 _B7五、發明說明（23 ) F...過濾器單元 8.. .分隔壁 81.. .交接口 82.. .交接口 83.. .通氣孔板 84···排氣口 85.. .過濾器裝置 86…壁道 181…擋門構件 182…擋門構件 191…晶圓搬送機構 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -----^----訂--------- %, 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -26-

Claims (1)

  1. 57SU9-
    六、申請專利範圍 A B c D «ϋιΝΜΚζϊϊι示，本案修正後是否變更摩實贺内衮 第’3228號專利申請案申請專利範圍修正本92年♦日 1. 一種基板處理裝置，包含有： 一匣站，其包括一用於將多數個匣殼體基板安裝於 其上，使得卡匣可以連續地排列並大致相互等高之安裝 區域、一沿著該安裝區域設置並延伸在該安裝區域之縱 向的第一轉移通道，以及可移動式地設置在該第一轉移 通道内，以將基板自安裝於該安裝區域之該卡匣卸下及 將基板負載至安裝於該安裝區域之卡匣的傳送機構； 一處理站，其連結於該匣站，係用以處理被該傳送 機構所轉移的基板；以及 一第二轉移通道，其係設置在該處理站内並延伸於 與θ亥匡站及遠第一轉移通道相同的方向， 該處理站包括： .多數個處理區域，其等係排列平行於安裝在安 裝區域之卡匣之排列方向的方向並延伸於與該昆 站相同的方向，以及 一傳送單元，其係可移動式地設置在該第二轉 移通道内，以將基板轉移至處理區域。 2·如申請專利範圍第1項之裝置， 其中該處理站係包括一基板轉移機構，其用於自該 處理區域接收基板以及將基板送至該處理區域。 3 ·如申請專利範圍第1項之裝置， 其中該處理站包括一架台區域，其中多數個用於在 •該處理區内進行預處理及/或後處理之預處理及後處理
    本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） •27- 578219 A B c D 申請專利範圍 區域係呈垂直排列。 4 ·如申請專利範圍第1項之裝置， 其中ό亥處理區域包括有·· 多數個基板轉移機構，其㈣排列於平行該處理區 域之排列方向的方向，以用於自該處理區域接收基板以 及將基板送至該處理區域；以及 多數個架台區域，其等係排列於平行該處理區域之 排列方向的方向，在個架台區域内，多數個用於在該處 理區内進行預處理及/或後處理之預處理及後處理區域 係呈垂直排列。 5·如申請專利範圍第4項之裝置， 其中至少一該基板轉移機構係被建構成，允許自相 鄰二處理區域兩者接收基板及將基板送至相鄰二處理 區域兩者。 6·如申請專利範圍第4項之裝置， 其中該處理站包括二或較少基板轉移機構，而該架 台區域分別包括一用於將基板自該匣站傳送至該處理 站之輸入傳送區域以及一用於將基板自該處理站傳送 至該匣站之輸出傳送區域。 7·如申請專利範圍第4項之裝置， 其中遠處理站係包括三或更多基板轉移機構，且由 該匣站所視，在兩側上之架台的一者係包括一用於將基 板自該匣站傳送至該處理站之輸入傳送區域而另一架 •台係包括一用於將基板自該處理站傳送至該匣站之輸 本紙張尺度朝巾_祕準（C-NS) Μ祕 。η”公幻 -28- 578219
    申請專利範圍 出傳送區域。 8·如申請專利範圍第1項之裝置， 其中該處理站包括： 一架台區域，其係排列在該g站側邊； 處理區域，係排列成面向位在該匣站側之相對側上 的架台區域；以及 基板轉移機構，係排列成面向該架台區域以及位於 該架台區域與該處理區域間之處理區域。 9·如申請專利範圍第1項之裝置， 其中該處理區域係用於執行對基板之塗佈處理。 1〇·如申請專利範圍第1項之裝置， 其中一對準器係被允許連接於該處理站之匣站的 相對側上， 該裝置進一步包含一界面站，其係連接至相對於該 處理站之該E站的側邊，以用於將基板傳送於該處理站 與該對準器之間， 其中該處理區域包括一用於執行對基板之光阻溶 液之塗佈處理的處理區域以及一用於執行曝露在該對 準器内之基板之顯影處理的處理區域。 11· 一種基板處理裝置，其係被允許與用以對基板進行曝 光處理之對準器相連接，包含有： j 一匣站，其包括一用於將多數個匣殼體基板安裝於 其上使彳寸卡匣可以連續地排列並大致相互等高之安裝 •區域、一沿著該安裝區域設置並延伸在該安裝區域之縱
    -29-
    A B CD 向的第一轉移通道，以及可移動式地設置在該第一轉移 通道内，以將基板自安裝於該安裝區域之該卡匣卸下及 將基板負載至安裝於該安裝區域之卡匣的傳送機構； 處理站，其連結於該匣站，係用以處理被該傳送 機構所轉移的基板；以及 界面站’其係連接至相對於該處理站之該匣站的 側邊，以用於將基板傳送於該處理站與該對準器之間， 遠處理站包括： 多數個第一處理區域，其等係以平行於安裝在 安裝區域之卡E之排列方向的方向排列鄰近該匣 站並延伸於與該匣站相同的方向； 夕數個第一處理區域，其等係以平行於安裝在 安裝區域之卡g之排列的方向排列鄰近該界面站 並延伸於與該匣站相同的方向； 一第二轉移通道，其係設置於該第一處理區域 與該第二處理區域之間並延伸於與該匣站及該第 一轉移通道相同的方向； 一基板轉移元件，其係可移動式地設置在該第 二轉移通道内，以將基板轉移於此等處理區域之間 一第一傳送埠，其係設置在至少該第二處理區 域之一者内之基板轉移元件側邊上；以及 一第二傳送埠，其係設置在至少該第二處理區 域之一者内之界面站側邊上。 参紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（21〇><297公笼） Η
    -30 ^/8219
    12 ’如申睛專利範圍第11項之裝置， 者係執行對晶圓之 者係執行對基板之 其中至少該第一處理區域之一 熱處理，以及 其中至少該第二處理區域之一 溶液處理。 13·如申請專利範圍第11項之裝置， i其中-第-關閉件及一第二關閉件係分別設置在 遠傳送單元之第一及第二傳送埠内，以及 其中至少該第一關閉件與該第二關閉件之一者係 關閉該傳送埠。 —種基板處理裝置，其包含： 一匣站，其包括一用於將多數個匣殼體基板安裝於 其上之安裝區域，以及用於自安裝於該安裝區域之該多 數個卡g接收基板及將基板送至安裝於該安裝區域之 該多數個卡匣的傳送機構；以及 一處理站，其連結於該匣站，係用以處理被該傳送 機構所轉移的基板， 該處理站包括多數個處理區域，各處理區域係排列 於大體平行於多數個卡匣係安裝於該安裝區域上之平 面的平面内。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） -31 -
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