TW576869B

TW576869B - Agent for etching Ti film and etching method

Info

Publication number: TW576869B
Application number: TW090121257A
Authority: TW
Inventors: Ichiro Hayashida; Hiroshi Uzawa; Ken-Ichi Umekita; Mayumi Kimura
Original assignee: Wako Pure Chem Ind Ltd
Priority date: 2000-09-05
Filing date: 2001-08-29
Publication date: 2004-02-21
Also published as: KR100825844B1; JP4661005B2; JP2002155382A; KR20070101196A; KR20020019422A

Description

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 576869 A7 --------------—____B7__ 五、發明說明（1 ) [發明所屬之技術領域] 本發明是有關半導體基板之加工，主要是有關鈦膜或鈦鎢（TiW)合金膜等鈦系膜的蝕刻方法及蝕刻劑。 [先前技術] 一向’鈦或鈦鎢等鈦系膜之蝕刻，主要是使用各向異性蝕刻之RIE (反應性離子蝕刻）法。該RIE法，尤其是在平行平板型RIE法中，通常，做為蝕刻用之氣體是氣氣' 氣化硼、溴化氫等齒化合物等，但做為保護圖案之光罩者是使用泛用之正型光阻，在壓力為5〇 mTorr(6.7泊）、RF-電力為250瓦特，基板溫度在6〇〇c之條件下進行乾蝕刻。然而’在此時的問題點為與使用之光阻之蝕刻選擇比 (被餘刻材料和熱光阻及被蝕刻材料之底層材料之蝕刻速度之比）變小而無充裕之製程安全性，由於保護圖案之熱光阻光罩會消失而得不到所期望之蝕刻圖案，因此鈦鎢膜在高溫喷濺法所使用之合金，在乾蝕刻中容易產生殘渣。並且鈦系膜一般是比鋁系膜蚀刻率慢，有所謂生產能力差的缺點，又，RIE法有不使用高價RIE裝置不可等之經濟缺點。 [發明内容] [發明所欲解決之課題] 有鑑於如上述之狀況，本發明要解決之課題，是提供不產生餘刻殘渣，在不損害光阻面或底層膜下，提高蝕刻選擇比之鈦系膜蝕刻方法及在鈦系膜蝕刻所使用之蝕刻劑，再者，提供適用之便宜的濕式蝕刻法來克服必須使用本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 312959 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 576869

高價乾蝕刻裝置的經濟缺點。 [課題之解決手段] 本發明係有關使用含有過氧化氫和螯合劑之溶液，進行半導體基板上之鈦系膜之蝕刻，以此為特徵之一種蝕刻方法之發明。又，本發明係有關以含有過氧化氳和螯合劑之溶液所做成之半導體基板上的鈦系膜用蝕刻劑的發明。再者’本發明係有關由含過氧化氫、可含羥基之燒聚膦酸類'及硼酸銨所成之溶液，和含有氨之溶液所組成，於使用之時，將此等溶液混合，最終濃度成為含有15至 25重量％過氧化氫、001至6重量％可含羥基之烷聚膦酸類、0.01至20重量％氨、及〇·01至1〇重量％硼酸銨所組成做為餘刻劑用的欽系膜用餘刻劑之發明。本發明人為了解決上述課題經再三銳意研究結果，發現使用含過氧化氫和螯合劑之溶液，蝕刻鈦系臈的話，因可以提高#刻選擇比而能得到所期望之圖案，由於在餘刻中利用化學溶解反應因此即使用高溫喷濺法所作成之合金膜也可以得到不產生蝕刻殘渣等之效果，而能解決如上述以往方法中之問題，再者，使用本發明溶液的話，可以用溶液之濕式蝕刻方法總括處理，與片葉處理之乾式餘刻方法相比較，發現可以得到提高生產能力，設備經費便宜等之效果，能大幅改善生產性或經濟性，而完成了本發明。本發明中之鈦系臈者，是指藉由鈦或鈦鎢等之鈦合金在基板上所形成之膜。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公餐） 312959 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

2 576869 A7 B7 五、發明說明（經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本發明中相關之過氧化氫，使用其之目的是為了將欽膜或鈦鎢合金膜等氧化後，可容易的進行藉由鹼化合物之溶解反應。過氧化氫之使用濃度，在本發明相關溶液中之濃度，通常為15至25重量％，較好為18至23重量％。本發明t使用之螯合劑是為了防止過氧化氫之分解維持氧化力及與使過氧化氳在鈦中配位形成水溶性之錯體，且具有溶解鈦之作用者。做為該螯合劑者，只要在此領域中通常使用者均可，例如可列舉如可含有羥基之烷基亞胺聚羧酸[羥基乙基亞胺二醋酸（HIDA)、亞胺二醋酸（IDA)等]、硝基聚羧酸[罐基三醋酸（NTA)、硝基三丙酸（NTP)等]、羥基烷基、羥基芳基或可含羥基之單或聚烷撐聚胺聚羧酸[乙二胺四醋酸 (EDTA)、乙二胺二醋酸（Edd A)、乙二胺二丙酸二鹽酸鹽 (EDDP)、羥基乙基乙二胺三醋酸（EDTA-OH)、1，6-己二胺 -N，N，N’，N’-四醋酸（HDTA)、三乙四胺六醋酸（TTHA)、二乙三胺-1^队1^，3，，，：^，，_五醋酸（0了？八）、队：^-雙（2-羥基苯甲基）乙二胺-N，N_二醋酸（HBED)等]、聚胺烷聚羧酸[二胺丙烷四醋酸（Methyl-EDTA)、反式-1，2-二胺環己烷N，N，N，，N，-四醋酸（CyDTA)等]、聚胺烷醇聚羧酸[二胺基丙醇四醋酸 (DPTA_〇H)等]、羥基烷基醚聚胺聚羧酸[乙二醇醚二胺四醋酸（GEDTA)等]等之分子中含有1至4個氮原子和2至6 個羧基之含氮聚羧酸類，例如胺基聚（烷基膦酸）[胺基三（甲撐膦酸）等]、硝基聚（烷基膦酸）[硝基三（甲撐膦酸）(NTP〇) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 3 312959 (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁)

^1 -ϋ n n ϋ ·1 1^OJ· 1 n 1 n n an ·1

-ϋ ϋ ϋ «ϋ ϋ n 1« I 576869 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明說明（4 )等]、單或聚燒擇聚胺聚（烧基膦酸）[乙二胺四（甲樓膦酸） (EDTPO)、乙二胺·]雙（甲撐膦酸）（EDDP〇)、異丙二胺四（甲撐膦酸）、二乙三胺_队队]^，，：^，，5]^，，_五（烷撐膦酸）、乙二胺雙（甲撐膦酸）' 己二胺四（甲撐膦酸）等]、烷基胺基聚 (烷基膦酸）[乙基胺基雙（甲撐膦酸）、十二烷基胺基雙（甲撐麟酸）等]等分子中含丨至3個氮原子和2至5個膦酸基之含氮聚膦酸類，例如甲基二膦酸、亞乙基二膦酸、1-羥基亞乙基-1，1’·二膦酸（HEDPO)、1-羥基亞丙基4,1，-二膦酸、1-羥基亞丁基-H、二膦酸等可含有羥基之烷聚膦酸類，例如羥基乙基甘氨酸（DHEG)、N_乙醯甘氨酸等沁取代胺基酸類，例如苯甲基胺等醯胺類，例如乙二胺、丙二胺、異丙一胺、丁二胺等烷撐二胺類，例如三乙醇胺等聚烧醇胺’例如二胺基苯、二胺基萘等芳香族二胺類，例如二乙二胺、二丙三胺、三乙四胺等聚烷撐聚胺類，例如三聚磷酸、六聚磷酸等縮合磷酸類，例如乙醯丙酮、六氟乙醯丙酮等烷醇嗣類，例如鹵化物離子（F_、cl_、Br· ' j )、氰化物離子、硫氰酸離子、硫代硫酸離子、銨離子等具有錯形成能之無機離子等。在此等螯合劑中，於過氧化氫存在下考慮到安定性時，以分子中含有1至3個氮原子和有2至5個膦酸基之含氮聚膦酸類，可含有羥基之烷聚膦酸類等聚膦酸類較好，而以可含有羥基之烷聚膦酸類等聚膦酸類最好。更具體的說，以硝基三（甲撐膦酸）、丨·羥基亞乙基、二膦酸、1-經基亞丙基-1，二膦酸、h經基亞丁基-1，ι’_二麟 Μ氏張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格297公爱) 4 312959 (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁)

I tK9 I ·ϋ ϋ ϋ ϋ · ϋ mmma§ ·ϋ n 1·— Mmmt I I -ϋ ϋ 4- n n ϋ 1· ϋ ϋ 1· I _ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 576869 A7 ---~__ B7_____ 五、發明說明（5 ) 酸較好，纟中尤其以羥基亞乙基H，·二膦酸、卜羥基亞丙基-1，1，-二膦酸、1_羥基亞丁基」，二膦酸最好。螯合劑之使用濃度，本發明相關溶液中之濃〇.〇…重量％、較好是。·…重量％、更好農是度丨通至7 重量％。在本發明中所用之溶液（本發明中相關之蝕刻劑），至少都含有過氧化氫和螯合劑，該溶液通常之？11為72至 10,最好調整到8至10之範圍並維持之，為了維持1)11在此範圍之内，通常以使用緩衝劑較佳。做為本發明中所用之緩衝劑者，只要此領域通常使用之物質即可並無特別限制，可以使用任一種，但在其中仍以使用氨，例如氣化銨、硝酸銨、氟化銨、硼酸銨等無機酸之銨鹽為佳，可以單獨使用或2種以上併用。又，使用此銨鹽時，可將鹽本身直接添加在本發明相關溶液中，亦可在該溶液中將可形成該鹽之酸和氨分別加入該溶液中。更具體而言是，將氨和鹽酸、硝酸、氳氟酸、硼酸等無機酸或此等之鹽[例如鈉、鉀、鋰等驗金屬鹽（具體的’例如四硼酸鈉等）]各別在反應系中存在。此時對於上述之酸或其鹼金屬鹽，氨係過量使用時，結果在反應系中上述無機酸的敍鹽和氨兩者變成共存。在此之中，氨和無機酸，其中以將氨和硼酸加入本發明相關溶液中，或是氨和無機酸之銨鹽，其中以將氨和硼酸之銨鹽加入該溶液中較佳。此等緩衝劑之使用濃度，係依使用之緩衝劑種類等而 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 5 312959 576869 A7 B7 五、發明說明（6 經濟部智慧財產局員 X 消費合作社印製異，所以不能一概而論，例如在使用銨鹽時，本發明相關溶液中之濃度，通常為〇〇1至10重量％，以〇〇5至6重量％為佳，以〇. 1至5重量％更佳。又’在使用氨和銨鹽組合時，銨鹽之量與上述相同，氨量為本發明相關溶液中之濃度，通常為〇〇1至2〇重量 %，以0.05至12重量％為隹，以〇·1至10重量0/❹更佳。在本發明方法中，使用本發明相關溶液（本發明相關蝕刻劑）在半導體基板上餘刻鈦鶴系膜，是期望在驗條件下進行。即，如依下式1及2般，鎢（W)是在過氧化氫中被氧化而生成氧化鎢（W〇3)。因W〇3可溶於驗中，所以與驗作用變成水可溶性之鎢酸離子（WO，），鈦也同樣在鹼性領域中與過氧化氫和螯合劑作用，形成如式3 [ Ti〇(H2〇j EDTA]2 ]之錯體。在TiW合金膜中，也認為是以此等式i 至式3所示之反應進行蝕刻。此時之pH*蝕刻時間的變化顯示在第1圖中。由第1圖之結果可知，在PH愈高之鹼領域蝕刻則有在越短時間内進行之傾向。即’在鹼領域進行蝕刻較佳，具體之pH範圍通常為7.2至10，較佳為7 8至9 8，更好是判定PH在8.2至9.2。在低於上述範圍之1)11雖也不會影響圖案形成，但钱刻之進行需要較多之時間，又，在比該PH範圍更高之pH中’雖#刻之進行不需要時間，但做為圖案保護光罩之光阻會被溶解、剝離。 W+3H202 - W03+3H2〇 r , tl L---_____ [式 1] 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公爱7" 6 312959 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

II--— II 訂--I----- -n I al· ϋ ϋ I n ϋ n ϋ ϋ _ 576869 五、發明說明（經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 W03+2NH40H — 2NH^ Ti + H202+ Y+ 2NH4OH 2NH4- + [Ti 〇(H2〇2)Y] 2 +h2〇 (式2至3中’ Y表示乙二胺四醋酸。）由上述可知在本發明方法中，做為蝕刻半導體基 TiW系膜的條件（pH範圍）’以在鹼性領域較佳具體之上範圍，例如通常為7·2至10,較佳為7 8至9 8〔、 =PH pH在8.2至9.2。之又，本發明之方法所用之本發明相關溶液之pH 如上述pH範圍為佳。 ’、以本發明相關溶液是，將過氧化氳及上述之螯合劑好亦包括緩衝劑調製成如上述之濃度，可以藉由：合产：在水中來調製。又’各成分可依適當之順序在水中順：加混合’亦可全部成分添加後，在水中溶解。，、如此調製之本發明相關溶液以在使用之前先進行過滤處理較佳。又’在此所用之水是指經蒸館、離理過等之精製水即可。在本發明甲，除使用過氧化氫及上述之螯合劑，較好亦使用緩衝劑之外，也可以使用本身周知之钱刻方法常用之試藥類。此類試藥，可例舉如用於降低溶液表面張力而改善半導體表面潤濕性為目的所使用之非離子性界面活性劑、陰離子性界面活性劑、陽離子性界面活性劑、兩性界面活性劑等界面活性劑等’其中尤以NCWl〇〇2(聚氧化乙烯·聚本紙張尺度適用T國國家標準（CNS)A4規格⑵G χ 297公爱5- wo42-+H,o [式2] [式3]

7 312959 製 8 576869 五、發明說明（8 ) 氧化丙烯院醚，和光純藥工業股份有限公司界面活性劑最好。升雕卞性二界面活性劑，通常以此領域所使用之濃度範圍來使用P可，本發明相關溶液之濃度，通常為〇重量％，以〇.〇m5重量％為佳。 · · 本發明之㈣劑，如上述般，使料氧化氫、螯合劑，較佳亦將緩衝劑等，傲袁、、“” 宵〗*做為主成分調製者，以1液系或是2 液系等夕液系等各種形態來供應。又’使用該蝕刻劑時’是在i液系的 !樣：使用即可，而在2液系等之多液系的情形，在使：月】將王部/奋液適當混合，調製成含有如上述全液來使用，當然亦可。 “ :中因有輸送中或保存中等安全性或溶液之安定性等問題，所以使用2液系以上之多液系較佳，具體十之，例如υ含有過氧化氫和聲合劑，較佳者含有緩衝劑：溶液’和2)含有緩衝劑之溶液所成之2液系者較佳。一如上述2液系中各成分較佳樣態是如上述般，更具體 ρ例如由1)含有過氧化氫、可含有羥基之烷聚膦酸類、及顺酸銨所成之溶液，和2)含氨之溶液所組成者特別好。又’如上述多液系中各成分之使用濃度，是適當選擇使王〆合液適當混合所調製之含有全部成分之溶液令之濃度Ρ最終濃度，變成如上述濃度範圍即可。、即，例如在上述2液系中，混合2液時的最終濃度， Kbj通舉為i 5至2重量％，較好為18至23重量％， %尺度適用 312959

訂 m 576869 五、發明說明（9 ) 螯合劑通常為0.01至6重量％，較好為〇1至5 〇更好為…重量％;緩衝劑’例如是使用無=二時’該錢鹽通常為0.01至10重量％ :酸之鍵- ，更好為。…"%;又，缓衝‘：至：二合’氣通常為0.…重量%，較好為。〇5至使 /。’更好為0.1 i 1〇重量％’ 2種溶液分別調數即可。更具體的是’可分別調製混合2液時之過氧化氫通常為15至25重量％，較好為18至23 = 聲合劑通常為0.01至6重量％，較好為〇1 量。’ 更好為！至3重量％;無機酸之錢鹽通常為〇〇ι至^重量〇/。，較好為0.05至6重量％ ’更好為〇1至5重㈣過氧化氫和螯合劑，較好在水中含有緩衝劑又，混入時之最終滚度，氨通常為0.01至2()重量％，較好為口⑽ =重量%’更好為。1至1〇重量%，在水中含有緩衝劑同樣地，如上述多液系中各溶液之PH並無特別限制，適當混合全部溶液調製成如上述含全部成分溶液之阳，即最終PH為在上述1)11範園内，調整各溶液pH即可。

即，例如在上述2液系之場合中，混合2液時的最終 PH為在鹼性領域，具體的，通常？11為7。至1〇,較佳pH 為7.8至9.8,更好pH成為82至92，調整各別溶液之 pH即可。本發明之方法是，將過氧化氳及如上述之螯合劑較 ,料有緩衝劑之本發明㈣溶液當作㈣㈣用，银刻半本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格⑵G x 297公爱-) 9

312959 576869 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明（10 ) 導體基板上之鈦系膜，此外，也可依據本身周知之蝕刻方法如浸泡法或喷錢钱刻法等進行。更具體之例子可列舉如1 )將形成鈦系膜之半導體基板在餘刻劑中浸泡之方法，2)將形成鈦系膜之半導體基板在浸泡蝕刻劑之狀態下以機械方式攪拌該溶液之方法，3) 將开> 成鈇系膜之半導體基板在浸泡飿刻劑之狀態下用超音波等使該溶液振動攪拌之方法，4)將蝕刻劑吹付在形成鈦系膜之半導體基板之方法等。又，於本發明方法中，如上述般進行蝕刻時，視需要亦可搖動鈦系膜。又’在本發明方法中，蝕刻方式並無特別限制，例如可以使用批式、片葉式等。蝕刻在加溫時比在常溫時縮短時間完成，但pH下降則蝕刻控制變困難。因此蝕刻時之溫度以設定在35〇c至Μ °C較佳。以下列舉實施例及比較例更詳細說明本發明，但本發明之範圍不限於此等而已。 [實施方式] [實施例] 實施例1 (1)蝕刻劑之調製調製由下述組合成分所組成之蝕刻劑。過氧化氫 20重量％ (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁}

硼酸銨 0.6重量〇/0

312959 10 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 11 ^^6869

螯合劑（NTPO :硝基三甲基膦酸） 2重量％水 1 75·4 重量〇/〇

pH 9.0 (2)蝕刻將上述（1)所得之蝕刻劑投入泛用之濕镩式小至中，以液循環式溫度調整器，設定液溫為40°C、楯擇4 θ劣 Ί/目架流夏為2 8公升/分鐘。

TiW膜在形成之被蝕刻基板的蝕刻， X 1之用上述餘刻劑，依浸泡法來進行，又，在該蝕刻中，疋使用臈厚500 军微米之TiW膜形成之被蝕刻基板，以及光罩膜厚為1 $ 微米之正光阻。 · (3 )結果示於第2圖。又，在第2圖中 ’各數子分別表不如下。 21 :正光阻 22 •銘 23 :TiW 膜 24 :底層氧化臈 25 :TiW餘刻殘潰比較例1 (1)蝕刻依RIE法進行形成TiW膜之被蝕刻基板的蝕刻。又，與實施例1相同，在該蝕刻中，是使用膜厚500毫微米之本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 312959 (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁)

576869 A7 B7 五、發明說明（U )

TiW膜形成之被餘刻基板，以及光罩膜厚為1 8微米之正光阻。 (2)結果結果和實施例1 一併示於第2圖中。從第2圖之結果可以明暸，相對於用以往之法（比較例1)會產生蝕刻殘渣而言，本發明之方法（實施例1}不會產生餘刻殘 >查，可以得到良好之餘刻，又，不會產生過多側餘刻’再者，因為提高光阻或底層膜之蝕刻選擇比，所以製程安全係數變大。實施例2 (1)蝕刻劑之調製調製由下述組合成分所組成之蝕刻劑。 a)第1液 22重量％ 4.8重量％ 2.2重量％ -羥亞乙基-1，1’·二膦酸） 7 1重量％ 3.5 14重量％ 86重量％ (2)蝕刻除了以上述（1)所得之第1液900毫升和第2液1〇0毫本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21G χ 297公餐）— 19 312959 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製過氧化氫硼酸銨螯合劑 (HEDPO : 水 pH b)第2液氨水 A7

576869 五、發明說明（η ) 之處合物（最終pH 8·2)做為蝕刻劑使用外，其餘與實施例1相同，進行在Tiw膜形成之被蝕刻基板之蝕刻。 (3)結果和實施例1相同，實施例2之方法不會產生蝕刻殘邊’再者，因為提高光阻或底層膜之蝕刻選擇比，所以製程安全係數變大。 [發明之效果] 如上述般’本發明是提供不會產生蝕刻殘渣而使鈦系膜餘刻之方法及鈦系膜蝕刻所使用之蝕刻劑。藉由利用本發明’與以往方法相比蝕刻效果更優秀，而且亦不需要使用馬彳貝之裝置’具有以大的製程安全係數而可便宜得到鈦系臈之蝕刻效果。 [圖式簡單說明] 第1圖表示蝕刻時間和pH之關係圖第2圖表示以實施例1中之本發明方法進行蝕刻之結果和比較例1中使用以往方法進行蝕刻之結果之分別模式圖。 21 正光阻 22 鋁 23 TiW膜 24 底層氧化膜 25 TiW餘刻殘潰本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 312959 (請先閱讀背面之注音心事項再 f 填寫本頁經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -ϋ ϋ n ϋ I n I I - 13

Claims

申請專利範圍經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 576869

.Ψ· « »— »i~^- - ·<*· .»·» *#···»—_*···釀種餘刻方法，其特徵是使用含過氧化氳和螯合劑之溶劑對半導體基板上之鈦系膜進行蝕刻，其中，該螯合劑是選自1)分子中有1至4個氮原子和2至6個羧基之含氮聚叛酸類、2)分子中有！至3個氮原子和2至5個膦酸基之含氮聚膦酸類、3)可含有羥基之烷聚膦酸類、4) N-取代胺基酸類、5)醯胺類、6)烷撐二胺類、7)聚烷醇胺、8)芳香族二胺類、9)聚烷撐聚胺類、1〇)縮合磷酸類、 11)烷醇_類、及12)具有錯形成能之無機離子所成之組群之至少1種螯合劑。 2·如申請專利範圍第丨項之蝕刻方法，其令，螯合劑為可含有經基之燒聚膦酸類。 3. 如申請專利範圍第2項之蝕刻方法，其中，可含有羥基之院聚麟酸類為1-經基亞乙基_U，_二膦酸、丨經基^ 丙基-1，1，·二膦酸、卜羥基亞丁基-^，二膦酸。土 4. 如申請專利範圍第丨項之蝕刻方法，人丄該溶液為另含有緩衝劑者。 5. 如申請專利範圍第4項之蝕刻方法， ^ 々甲該緩衝劑為氣或/及無機酸之銨鹽、或氨及無機酸或其鹼金屬鹽- 者。瓜 6. 如申請專利範圍第5項之蝕刻方法，复 P ’緩衝劑為盏及無機酸、或氨及無機酸之銨鹽者。 " 7. 如申請專利範圍第5或6項之蝕刻 J々忐，其中，妗酸為硼酸者。这…、機 8，如申請專利範圍第1或4項之蝕刻方 _____ ，八中，該溶液 ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21G X 297公楚） Α， 312959 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

576869 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍為驗性溶液者。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 9·如申請專利範圍第1項之蝕刻方法，其中，該溶液之 PH值為7.2至1〇者。 10· —種半導體基板上之鈦系膜用蝕刻劑，係由含有過氧化氫和螯合劑之溶液所組成者，其中，該螯合劑為選自1) 分子中有1至4個氮原子和2至6個羧基之含氮聚羧酸類、2)分子中有1至3個氮原子和2至5個膦酸基之含氮聚膦酸類、3)可含有羥基之烷聚膦酸類、4) N-取代胺基酸類、5)醯胺類、6)烷撐二胺類、7)聚烷醇胺、8)芳香族二胺類、9)聚烷撐聚胺類、1〇)縮合磷酸類、11)烷醇酮類、及12)其有錯形成能之無機離子所成組群之至少一種螯合劑。 11.如申請專利範圍第10項之蝕刻劑，其中，該螯合劑為可含有羥基之烷聚膦酸類。 12·如申請專利範圍第U項之蝕刻劑，其中，可含有羥基之烷聚膦酸類為1-羥基亞乙基_1，1，-二膦酸、1-羥基亞丙基·1，1’·二膦酸、I羥基亞丁基-丨，〗，·二膦酸者。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 13 ·如申請專利範圍第1 〇項之蝕刻劑，其中，該溶液係另含有緩衝劑者。 14·如申請專利範圍第13項之蝕刻劑，其中，緩衝劑為氨或/及無機酸之銨鹽、或氨及無機酸或其驗金屬鹽者。 15·如申請專利範圍第14項之蝕刻劑，其中，緩衝劑為氨及無機酸、或氨及無機酸之銨鹽者。 16 ·如申請專利範圍第1 5項之餘刻劑，其中，溶液為含有本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 15 312959 )/6869 合88 __ C8 * -------」8 _ 一 \ I ^ I »圆 II - ' •wrnmmmmmmmm /、、申請專利範圍過氧化氫' 含氮聚膦酸類、氨及無機酸之銨鹽所組成者。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 17. 如申請專利範園第“至16項中任一項之蚀刻劑其中’該無機酸為硼酸者。 18. 如申請專利範圍第17項之蝕刻劑，其中，係含有5至 25重置％過氧化氳、〇〇1至6重量％含氮聚膦酸類、〇〇1 至20重量❹/〇之氨、及〇〇1至10重量％之硼酸銨所組成者。如申清專利範圍第1 〇或13項之餘刻劑，其中，該溶液之pH值為7.2至1〇者。 2〇·如申清專利範圍第1〇項之蝕刻劑其中，另含有緩衝劑之溶液所組成者。 21·如申請專利範圍第2〇項之蝕刻劑，其中，該緩衝劑為氣或/及無機酸之銨鹽、或氨及無機酸或其鹼金屬鹽者。 22·如申請專利範圍第21項之蝕刻劑，其中，該緩衝劑為氨及無機酸、或氨及無機酸之銨鹽者。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 23·如申請專利範圍第2〇項之蝕刻劑，其中，該溶液為含有過氧化氳、可含有羥基之烷聚膦酸類、氨及無機酸之銨鹽而組成者。 24·如申請專利範圍第21至23項中任一項之蝕刻劑，其中，該無機酸為硼酸者。 25·如申請專利範圍第2〇項之蝕刻劑，其中，係將含有過氧化氳和螯合劑之溶液的pH ,和含有緩衝劑之溶液的本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 16 312959 576869 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 pH ’各自調整到將此等溶液混含時的最終pH為7.2至 1〇之範圍。 26·—種鈦系臈用蝕刻劑，係由含有過氧化氫、可含有羥基之烷聚膦酸類、及硼酸銨所成之溶液，和含有氨之溶液所組成，當使用時將此等溶液混合，最終濃度為含有15 至25重量％過氧化氫、〇〇1至6重量％可含有經基之燒聚膦酸類、0.01至20重量％氨、及〇〇1至1〇重量_ 酸銨之蝕刻劑。 2^申請專利範圍第26項之#刻劑’係將由含有過氧化風、可含有經基之燒聚膦酸類、及硼酸錢所成溶 PH、和含有氨所成之溶液之溶液之pH，此等溶液混合時的最終pH為7 2至1〇之範圍者整到將 II — I ―---^ « — — III — (技明先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) • Ψ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公楚） 312959