TW575923B - Plasma treating apparatus and plasma treating method - Google Patents

Description

五、發明說明（1) 曼明之背二曼 本發明係關於一 法，其中-種電將Ϊ電漿處理裝置以及-種電漿處理方 以實施。 4理乃於例如石夕晶圓之半導體基材上加 在製造將用於 小基材厚度之薄^導體裝置中之矽晶圓的過程中，實施減 化作業之實於二化作業’並減小半導體裝置之戶由\ 1 '、、知係於石夕美材声而μ π #中 之厚度。該薄 :研磨-電路形：面二„圖案’且接著機 、:“犮戶、知一種電漿處理。 斤產生之受 〆電水處理中，該矽晶圓係以欲經處理 上之方式被固持住。基此，該矽晶圓之固持：背面）朝 路形成面朝向基材設置部之設置表面。此時了將^ :該電 黏附於該電路形成面上，以預防電路因與該設詈一保護帶 接接觸而受損。 σ又置表面之直 作為固持該石夕晶圓之方法，已知一種利用靜^電。 法。該方法中，該矽晶圓設置於基材設置部上，^附之= 體之表面塗覆一絕緣薄層，施加一直流電壓予=中一導 。次 > 體，以 使該基材設置部之表面成為靜電吸附表面，且一庫人 〔coulomb)力施加於該矽晶圓和該導體（設置於該絕:層下 方）間，故將該矽晶圓固持於該基材設置部中。 水曰 在以該靜電吸附方式固持具有該保護帶黏附於該砂晶圓 上之情事中，除該絕緣層外，另設置一絕緣保鑊黑 ^ 叉咿，該庫 侖力則與該保護帶相作用。相較於矽晶圓直接密封式地结

ΪΓ^ 一 第5頁 C:\2D-C0DE\91-ll\91119370.ptd 575923 五、發明說明（2) 合於該靜電吸附表面而無保護帶之情事，該靜電吸附力較 小且在某些情況無法有足夠之固持力。同時，在該矽晶圓 表面上形成一樹脂層供密封或接線用且該樹脂層側面經密 封式地結合於該靜電吸附表面以實施該靜電吸附之情事 中，會再產生相同問題。 發明之概述 因此，本發明之一目的在於提供一種電漿處理裝置及一 種電漿處理方法，其可藉由足夠之靜電固持力，固持半導 體基材，以消除缺失。 在一種對矽晶圓實施電漿處理之電漿處理裝置中，該矽 晶圓具備黏附於電路形成面上之保護帶，且該矽晶圓設置 於一設置表面上，該設置表面設置於由導電金屬所構成之 下電極的上表面上，且該保護帶朝向該設置表面。當一直 流電壓將藉由供靜電吸附用之直流電力部（以在電漿處理 中吸附且固持該矽晶圓於該下電極上）而施予該下電極 時，該保護帶作為供靜電吸附用之電介質材料。因而，該 電介質材料可儘量地薄，且該矽晶圓可被足夠之靜電固持 力固持住。 較佳具體例之詳細說明 下文，參考諸附圖，將詳述本發明之具體例。圖1為剖 面視圖，顯示根據本發明一種具體例之電漿處理裝置；圖 2為剖面視圖，顯示根據本發明具體例之電漿處理裝置的 基材設置部；圖3為剖面視圖，顯示根據本發明具體例之 電漿處理裝置；圖4為圖表，顯示根據本發明具體例之電

C:\2D-C0DE\91-ll\91119370.ptd 第6頁 575923 五、發明說明（3) 浆處理裝置中之靜電吸附力；圖5為流程圖，顯示根據本 發明一種具體例之電漿處理方法；圖6和圖7例示根據本發 明具體例之電裝處理方法的處理過程的視圖；以及圖8顯 示根據本發明具體例之電漿處理方法之基材設置部的視 圖。 首先，參考圖1和2，將詳述該電漿處理裝置。圖1中， 真空室1之内部作為實施電聚處理之處理室2，且下電極3 和上電極4乃於该處理室2中彼此錯直相向著。該下電極3 經由一向下延伸之支撐部3 a以電絕緣狀態連結至該真空室 1，再且，該上電極4經由一向上延伸之支撐部“以導電狀 態連結至該真空室1。 該下電極3以一種導電金屬製得，且該下電極3之上表面 具備幾與石夕晶圓6之平面形狀相同之形狀（圖2 )，該石夕晶圓 為一待處理之半導體基材’且作為供承置該半導體基材於 其上之设置表面3 d。因此，該下電極3作為一基材設置 部’且具備一设置表面’該設置表面面對一導體，並用以 承置该半導體基材於其上。該石夕晶圓6在一電路形成表面 之背側經機械研磨之後隨即加以設置，且保護帶6a黏附於 該石夕晶圓6之電路形成表面，以防止該電路形成表面遭受 如圖2所示之於機械研磨際所產生的衝擊。該石夕晶圓6以保 護帶6a側朝向該下電極3之設置表面3d且該機械研磨過之' 表面朝上的狀怨，設置於該設置部之設置表面上。在該設 置狀態中，提供一絕緣層，接觸將作為導體之設置表面。 該機械研磨過之表面受該電漿處理之影響，故該研磨作業

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五、發明說明（4) 所產生之叉損層會被移除^ 烯^保ί 為一種樹脂帶，其之製得乃將一種利用& 焯烴、聚亞醯脸十取 但〜用聚鏈 形成-具備約I二乙严，二甲酸_ 圓6之電路形成度之膜，且以膠黏劑黏附於石夕晶 形成於該電路开成面(= 於該石夕晶圓6 μ t成面（表面）上之絕纟轰層，日今纟73这 文將詳述之把哕石々曰門巴4層且ϋ亥絶緣層在下 為一電介質材^ 靜電吸附於該設置表面上中係作 面。55:1輪延進出之閘閥18設置於該真空室1之側表 w經由機構（圖中未示）開啟或關閉。排氣 構7進入一開启1狀〜乂而連接至該真空室1。當閥開啟機 處理室2的内部被動；排氣泵8時，該真空室1中之 熊時，空氣被導入兮、。當空氣開啟機構9進入一開啟狀 、圖2所二入//理室2 ’故該真空便不復存在。 極3上，且與下電朽九面開啟之諸多吸附孔3e設置於下電 該吸入孔3b、經由\==入孔3b相連通。如圖1所示’ 泵1 2，且該氣歸乾私官路轉換開關機構1 1連接至真空吸附 和氦氣進給部=換開關機構11連接至氮氣進給部13 嗲吸入孔3b可# n "由切換該氣體管路轉換開關機構11 , s亥及？L3b 了被璉擇性地連接至該真空 進給部13以及該氦氣進給部14。 付泵12。亥虱軋 當该真空吸附粟！ 2以該吸入孔3 狀態被驅動時’真空吸入經由該吸附= = 於該設置表面3d上之議圓6受該真空;附\^^^

C:\2D-CODE\9Ml\91119370.ptd 第8頁 575923

五、發明說明（5) 會被固持住。基此Γ π 12作為真空固持裴置。"^附孔3e、吸入孔3b和真空吸附泵 完成該真空吸入广故直f經由開向該設置表3d之吸附孔3e 持於該設置表®3d上：工吸附該板狀基材，該基材將被固 部14，故气G G $接至該氮氣進給部13或該氦氣進給 表面。： = = 自該吸附孔㈣向該石夕晶圓6之下 曰m 土 文將々迹者，該氮氣為一種吹氣，以ίό佶兮a 日日® 6运離該設置表面“ 乳以追使该矽 體，該埶交換乃用以y # 為一種供熱交換之氣 祖方Γ 在電漿處理際供促進矽晶圓之、人欠 ”產生電漿用之氣體進給仏 Q cf。 ί之用）經由-氣體進給控制部31連接至：直2漿的氣 至2。該氣體進給控制部3〗係由控制 =ς工至1之處理 送給至該直空室1之fρ/、工八產生電漿用之氣體 ^者所構成。—種主要包含氣系氣 ·^之*!調節 生電漿用之氣·，且為求移除該研磨：為該 =佳以主要包含SF6(六氟化硫)之氣體作為者受 =外，供冷卻用之冷卻管道允係設置於兮 y部管道3c連接至—冷卻機構1() 極3中。 命例如冷卻水之冷卻劑於該 ^ ‘ =该冷卻機 ”理際因所產生之熱而提高溫度以：循環，故將電 下電極3上之該保護帶6a冷卻。該下和點附於該 構1 〇作為供冷卻該將為基材設置部之/二3:和該冷卻機 置。 电極3的冷卻裴 m 第9頁 C:\2D-00DE\91-n\9lH9370.pid 575923 五、發明說明（6)

該下電極3經由匹配電路16電連接至—古 藉由驅動該高頻電力部1 7，一高頻電壓施高類電力部1 7。 該下電極3間，該上、下電極以電導通方該上電極4和 1，該真空室1以一接地部1 9接地。故而，X ^妾至該真空室 產生電漿放電。該匹配電路1 6匹配電漿放^该處理室2中 供於該處理室2和該高頻電力部1 7中產生電兔騎電路之阻抗， 3、上電極4以及該高頻電力部1 7作為產生兒電衆將。該下電極 生電漿，以對該設置表面上所設置之該你曰裝裝置’供產 處理。 曰日圓6實施電漿 雖然業經例示以一種將高頻電壓施於該# r ^ ^ ^ n ^ ^ /1 ^ M -y HtT ^ 胃1^平 <亍平板電 極（該下電極3和上電極4)間之方法的實施例~卞订千 裝置，得利用其他種方法，例如，一種脾太作為產生電漿 w屋生雷漿駐 入該處 置於該處理室2之上部以經由下降氣流使雷將电κ放置设 &冤漿進給 理室2的方法。 再者’供靜電吸附之直流—電力*部18經由RF濾波器15 至該下電極3。如圖3 (a)所示’藉由·Ι區動該供靜電吸附 直流電力部1，施加一直流電壓予該下電極3，故負電#^ 存於該下電極3之表面上。在該狀態中，隨後，該高頻^儲 力部1 7被驅動，以於該處理室2中產生電漿，如圖3 (b)' ^ 示者（參見圖式中之虛線部20)。因此，經由該處理室2 $ 之電漿，形成直流施加電路21，供該設置表面3(1上所設置 之矽晶圓6連接至該接地部1 9。故形成封閉電路，供依^賣 連接該下電極3、RF濾波器1 5、供靜電吸附之直流電^ : 1 8、該接地部1 9以及該矽晶圓6，而且，正電荷儲存於兮

575923 丨 111 五、發明說明（7) 矽晶圓6中 :庫侖力在該下電極3中所 所儲存之正電荷間作用。藉.子之負電荷和該矽晶圓6中 7為-電介質材料之曰而1侖力，該矽晶圓6 時：聊濾波器15防止該於該下電極3中。此 予5亥供靜電吸附之直流電力部】8 4】7之高頻電壓直接施 吸附之直流電力部〗8作為靜電吸附讀下電極3和該供靜電 6，該矽晶圓6將藉由該靜電吸附f裝置，供固持該矽晶圓 板狀基材。該供靜電吸附之直汗 成為该設置表面3 d上之 成為陽性抑或陰性。 1 “力部1 8的極性或得對調 參考圖4，將洋述一靜電吸附力。 附力F之表示式為：ρ = 1 / 2 ε ( v / 以5亥庫命力所得之吸 材料之電介質係數，V表示欲施力’其中該£表示電介質 電介質材料之厚度。圖4顯示靜°^直流電壓，且d表示該 電壓間的關係，該直流電壓乃於以1附力和欲施加之直流 6a黏附於該矽晶圓6上且作& ~種樹脂製得之保護帶 的情事中獲得。 、砰〃吸附中之電介質材料 二種樹脂材料（例如，聚鏈烯炉、取 對苯二甲酸賴）係供該保護帶心，I;;;::;::聚乙稀 得之厚度為一百Am)分別以曲 计/貝施例用（其中製 起見，曲線ά顯示當厚产-π 、'、 、b和^顯示。茲為比較 設置表面上且…絕：百作 :靜電吸附不具備保護帶之…時所得到之靜；：：料 m 第11頁 C:\2D-C0DE\91-ll\91119370.ptd 575923 五、發明說明（8) 如圖4所示，在聚鏈烯烴實施例中，該吸附力幾乎等於 習知鋁土絕緣層情事中者。在兩種材質（例如，使用聚亞 醯胺以及聚乙烯對苯二曱酸酯）的情事中，得到之吸附力 較利用該鋁土絕緣層所得者為大。 更具體言之，不需於下電極上形成一絕緣層，該下電極 乃為習知電漿處理裝置中實施靜電吸附所必需者；且再 者，得施予絕佳之吸附力。此外，該保護帶係直接與該下 電極3之表面接觸，而無例如具備低導熱性之銘土的絕緣 層。因此，可獲致絕佳之冷卻效果，且可舒緩保護帶6a和 碎晶圓6之熱彳貝害。 該電漿處理裝置之結構係如上所詳述者。下文將參考圖 6和7，根據圖5中之流程，詳述一種電漿處理方法。圖5 中，首先，待處理標的之矽晶圓6輸送入該處理室2中 (ST1 )，且設置於該下電極3之設置表面3d上（設置步驟）。 此時，因為該矽晶圓6 為薄且可彎曲狀，在某些情事，便 如圖6(a)中所示，產生一勉曲，故該設置完成後，會在該 矽晶圓6和該設置表面3 d間產生一空隙。接著，該閘閥1 a 關閉（ST 2 )且該真空吸附泵1 2被驅動。如圖6 ( b )中所示， 因而，經由該吸附孔3 e和吸入孔3 b進行真空吸入，故該矽 晶圓6之真空吸附狀態便啟動（ST3 )。如圖6 ( c )中所示，故 該矽晶圓6以與該設置表面3 d密封式地接觸狀態，被該真 空吸附固持住（固持步驟）。 其次，該排氣栗8被驅動，以使該處理室2成為真空，且 該氣體進給控制部3 1運作，以將供產生電漿用之氣體進給

||麗_ C:\2D-CODE\91-ll\91119370.ptd 第12頁 575923 五、發明說明（9) 入該處理室2中（ST4)。接著，該供靜電吸附用之直流電力 部1 8被驅動，以啟動直流電壓之施加（ST 5 )，且該高頻電 力部1 7被驅動，以開始電漿放電（S T 6 )。如圖7 (a)中所 示，因此，於該下電極3上所設置之該石夕晶圓6和上電極4 之下表面間的空隙產生電漿，故進行欲對該矽晶圓6之電 漿處理（電漿處理步驟）。在該電漿處理中，於該下電極3 和該矽晶圓6間產生一靜電吸附力（參見圖3 (b ))，且藉由 該靜電吸附力，該矽晶圓6固持於該下電極3中。 其後，該氣體管路轉換開關機構1 1被驅動，以關閉該真 空吸附（ST7)，且完成後氦氣之導入（ST8)。質言之，如圖 7 ( a)所示，該藉由真空吸入而固持於該下電極3中之將矽 晶圓6會被釋開，且供熱傳用之氦氣接者自該氦氣進給部 1 4經由該吸入孔3 b而進給，並從該吸附孔3 e喷向該矽晶圓 6之下電極。在該電漿處理中，該下電極3乃藉由冷卻機構 1 0加以冷卻，且電漿處理而具備被提高溫度之矽晶圓6的 熱，經由一種具備良好熱傳特性氣體之氦氣，傳至該下電 極3。因此’該碎晶圓6可被有效地冷卻。 倘經過預定之電漿處理時間且該放電已完成（ST 9 )，停 止供給該後氦氣以及供產生電漿用之氣體（ST1 0 )，且如圖 7 (b )中所示，該真空吸附再次地被啟動（ST 1 1 )。 因此，該矽晶圓6藉由該真空吸附力而固持於該設置表 面3 d上，該真空吸附力乃取代完成電漿放電後所消除之靜 電吸附力。 接著，該供靜電吸附用之直流電力部1 8被停止，以關閉

C:\2D-C0DE\9Ml\91119370.ptd 第13頁 575923 五、發明說明（ίο) 遠直流電壓（ST 1 2 )，且該空氣開啟機構9被驅動，以於該 處理室2中完成大氣開啟（ST1 3)。 。之後’該氣體管路轉換開關機構1 1被再次驅動，以關閉 该真空吸附（ST 1 4 )。之後，完成晶圓吹氣（ST丨5 )。更明確 而言’如圖7(c)中所示，氮氣經由該吸入孔3b進給，且因 此從該吸附孔3e喷出。因此，該矽晶圓6自該下電極3之設 置表面3d移離。接著，當該閘閥1 a進入開啟狀態（ST 1 6 )且 该石夕晶圓6被輸送至該處理室2外（S T 1 7 )時，該晶圓吹氣被 關閉（ST 1 8 )，且完成一電漿處理週期。 如上所述，根據本具體例之電漿處理中，產生電漿於該 處理室2中，故在產生靜電吸附力前，該矽晶圓6藉由真空 吸附力固持於該下電極3中。同時，在欲用例如該矽晶圓6 之薄且可彎曲式板狀基材的情事中，該矽晶圓6可持續密 封地結合該下電極3之設置表面3 d，且可因此適當地被固 持住。故得在密封結合無效之情事中防止於該下電極3之 上表面和該矽晶圓6之下表面間之空隙產生不正常放電， 教防止該石夕晶圓6因冷卻失效而過熱。 取代下電極3 (其中整個該設置表面3 d為一導體）時，得 以一種如圖8中所示之下電極3 ’作為下電極。本實施例 中，如圖8 (a )中所示，具備一預定寬度之絕緣部3，f形成 於外緣部中，其中設置表面3，d大於該將做為半導體基材 之矽晶圓6且其大小突出該矽晶圓6。該絕緣部3，f以一種 例如紹土之陶瓷製成，且其平面形狀取決於將設置於該設 置表面3 ’ d上之矽晶圓的形狀。圖8 (b)和8 ( c )顯示該絕緣

C:\2D.mDE\9Ml\91H9370.ptd 第14頁 575923 五、發明說明（11) 部3 ’ f造形之實施例，其各為無指示矽晶圓方向之定向平 面的情事和有定向平面的情事。 藉由該種下電極3 ’之使用，得獲致已設置矽晶圓之該下 電極3’之上表面上所設置的導體不直接暴露於電漿且可對 該下電極3 ’之設置表面產生更均勻的電漿放電之進步性。 雖然業於該具體例中詳述黏附於該矽晶圓6之樹脂保護 帶6 a為供靜電吸附用之作為絕緣層之電介質材料的實施 例，得密封式地結合該設置表面與一種用來密封該矽晶圓 之電路形成面的絕緣樹脂層或者一種用以在該電路形成面 上形成另外接線層的絕緣樹脂層，並以該絕緣樹脂層作為 供該靜電吸附之電介質材料。 根據本發明，該基材設置部之設置表面變成一導體，且 該半導體基材之設置係使該絕緣層側朝向該設置表面；而 且，該半導體基材之絕緣層作為供該靜電吸附用之電介質 材料，以靜電方式吸附該半導體基材於該設置表面上。故 而，該半導體基材可藉由足夠之靜電固持力予以固持住。 元件編號之說明 1 真 空 室 la 閘 閥 2 處 理 室 3 下 電 極 3， 下 電 極 3a 支 撐 部 3b 吸 入 孔

C:\2D-C0DE\91-ll\91119370.ptd 第15頁 575923 五、發明說明（12) 3c 冷卻管道 3d 設置表面 3e 吸附孔 3 ’ d 設置表面 3 ’ f 絕緣部 4 上電極 4a 支撐部 6 矽晶圓 6a 保護帶 7 閥開啟機構 8 排氣泵 9 空氣開啟機構 10 冷卻機構 11 氣體管路轉換開關機構 12 真空吸附泵 13 氮氣進給部 14 氦氣進給部 15 RF濾波器 16 匹配電路 17 高頻電力部 18 直流電力部 19 接地部 2 0 虛線部 21 直流施加電路

C:\2D-CODE\9Ml\91119370.ptd 第16頁 575923 五、發明說明（13) 31 氣體進給控制部 _·_ιι 第17頁 C:\2D-CODE\9Ml\91 119370.ptd 575923 圖式簡單說明 圖1為剖面視圖，顯示根據本發明一種具體例之電漿處 理裝置； 圖2為剖面視圖，顯示根據本發明具體例之電漿處理裝 置的基材設置部； 圖3 (a)及（b)為剖面視圖，顯示根據本發明具體例之電 漿處理裝置； 圖4為圖表，顯示根據本發明具體例之電漿處理裝置中 之靜電吸附力； 圖5為流程圖，顯示根據本發明一種具體例之電漿處理 方法； 圖6 (a)至（c )例示根據本發明具體例之電漿處理方法的 處理過程的視圖； 圖7 ( a)至（c )為例示根據本發明具體例之電漿處理方法 的視圖；以及 圖8 (a)至（c )顯示根據本發明具體例之電漿處理方法之 基材設置部的視圖。

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Claims (1)

1. 575923 六、申請專利範圍 1 · 一種電漿處理裝置，供對半導體基材實施電漿處理， 該半導體基材於一表面上具備一絕緣層，該裝置包含： 基材設置部，設有設置表面，該設置表面具備一導體， 該導體對著至少部分基材設置部，且該設置表面用以設置 該半導體基材，並使一絕緣層側朝向該設置表面； 供藉由靜電吸附方式之靜電吸附裝置，將該半導體基材 固持於該設置表面上；以及 電漿產生裝置，供產生電漿，以處理該設置表面上所設 置之該半導體基材； 其中该半導體基材之該絕緣層作為該靜電吸附之絕緣材 ^4 ° 、、、、 2 ·如申請專利範圍第丨項之電漿處理裝置，其中該絕声 、層為黏附於該半導體基材之表面的樹脂帶。 巴、冬 μ 3 ·如申請專利範圍第2項之電漿處理裝置，其中該 帶之材料為聚鏈烯烴、聚亞醯胺以及聚乙烯 μ及月曰 Φ ^ 岬對本二曱酸酯 4·如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中今 體基材為具備電路形成面之石夕晶圓，且該絕後、°二' ¥ ^ φ ^ ^ m 巴，層為供保護 巧冤路形成面用之保護帶。 5 ·如申請專利範圍第4項之電漿處理裝置，甘心> ^ ^ ^ ^ ^ 其中該保護 v之材枓為聚鏈烯烴、聚亞醯胺以及聚乙烁 中之一者。 作對本二曱酸酯 6·如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其曾 體基材為具備電路形成面之石夕晶圓，且該絕緣層二導樹

   575923 六、申請專利範圍 * 脂層，用以密封該電路形成面。 7 ·如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中該半導 體基材為具備電路形成面之石夕晶圓，且該絕緣層為絕緣樹 脂層，經設置以於該電路形成面上形成一接線層。 8 ·如申請專利範圍第j項/之電漿處理裝置，另包含真空 固持裝置，供經由開向該設置表面之吸附孔的真空吸入， 真空吸附該半導體基材，^固持該設置表面上之該半導體 基材，並於電漿以至少該電衆產生裝置產生之前，該半導 體基材藉由該真空固持衆置固持於該設置表面上。 9.如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，另包含冷卻 裝置’供冷卻該半導體設置部。 1 0 ·如申請專利範圍第8項之電漿處理裝置，另包含熱傳 遞氣體進給裝置，供進給將熱傳遞至該吸附孔之氣體。 1 1 _如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中該設置 部包括一較該半導體基材為大之設置表面，該對著一導體 之该设置表面部分設置於該設置表面之中央部，且自該$ 置表面外側上之該半導體基材突出之外緣部係以一絕終二 形成。 、水月且 1 2 · —種電漿處理方法，供以於 表面上具備絕緣層之 半導體基材藉由靜電吸附固持於基材設置部之設置 的狀態，實施電漿處理；該方法包含下列步驟·· & 至少部分該設置表面設為導體’且使該導體接觸該絕緣 層，並使4半V脰基材之一絕緣層侧朝向該基材設置部之 該設置表面，故完成設置；

   C:\2D-CODE\91-ll\91119370.ptd 第20頁 575923 六、申請專利範圍 施直流電壓予該基材設置部，產生電漿，故對該半導體 基材實施電漿處理； 其中該半導體基材藉由庫余力而靜電吸附入該設置表 面，在實施該電漿處理步驟中，利用該絕緣層為供靜電吸 附用之電介質材料，該庫侖力產生於儲存在該半導體基材 中之電荷和儲存在該設置表面中之電荷間。 1 3.如申請專利範圍第1 2項之電漿處理方法，其中該絕 緣層為黏附於該半導體基材之表面的樹脂帶。 1 4.如申請專利範圍第1 3項之電漿處理方法，其中該樹 脂帶之材料為聚鏈烯烴、聚亞醯胺以及聚乙烯對苯二曱酸 酉旨中之一者。 1 5.如申請專利範圍第1 2項之電漿處理方法，其中該半 導體基材為具備電路形成面之矽晶圓，且該絕緣層為供保 護該電路形成面用之保護帶。 1 6.如申請專利範圍第1 5項之電漿處理方法，其中該保 護帶之材料為聚鏈烯烴、聚亞醯胺以及聚乙烯對苯二甲酸 酯中之一者。 1 7.如申請專利範圍第1 2項之電漿處理方法，其中該半 導體基材為具備電路形成面之矽晶圓，且該絕緣層為絕緣 樹脂層，用以密封該電路形成面。 1 8.如申請專利範圍第1 2項之電漿處理方法，其中該半 導體基材為具備電路形成面之矽晶圓，且該絕緣層為絕緣 樹脂層，經設置以於該電路形成面上形成一接線層。 1 9.如申請專利範圍第1 2項之電漿處理方法，另包含真

   C:\2D-CODE\91-ll\91119370.ptd 第21頁 575923 六、申請專利範圍 空固持裝置，供經由開向該設置表面之吸附孔的真空吸 入’真空吸附該半導體基材’且固持該設置表面上之該半 導體基材，並於至少該電漿產生之前，該半導體基材藉由 該真空固持裝置固持於該設置表面上。 2 0.如申請專利範圍第1 2項之電漿處理方法，另包含冷 卻裝置，供冷卻該半導體設置部，當以該冷卻裝置冷卻該 絕緣層時，實施電漿處理。 2 1.如申請專利範圍第1 9項之電漿處理方法，其中供進 給熱傳遞之氣體用之熱傳遞氣體進給裝置設置於該吸附孔 中，並停止該真空固持裝置之真空固持，且該供熱傳遞用 之氣體進給至該吸附孔，而至少該半導體基材被靜電吸附 於該設置表面上。

   C:\2D-C0DE\9Ml\9ni9370.ptd 第22頁