TW575923B - Plasma treating apparatus and plasma treating method - Google Patents
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Description
五、發明說明(1) 曼明之背二曼 本發明係關於一 法,其中-種電將Ϊ電漿處理裝置以及-種電漿處理方 以實施。 4理乃於例如石夕晶圓之半導體基材上加 在製造將用於 小基材厚度之薄^導體裝置中之矽晶圓的過程中,實施減 化作業之實於二化作業’並減小半導體裝置之戶由\ 1 '、、知係於石夕美材声而μ π #中 之厚度。該薄 :研磨-電路形:面二„圖案’且接著機 、:“犮戶、知一種電漿處理。 斤產生之受 〆電水處理中,該矽晶圓係以欲經處理 上之方式被固持住。基此,該矽晶圓之固持:背面)朝 路形成面朝向基材設置部之設置表面。此時了將^ :該電 黏附於該電路形成面上,以預防電路因與該設詈一保護帶 接接觸而受損。 σ又置表面之直 作為固持該石夕晶圓之方法,已知一種利用靜^電。 法。該方法中,該矽晶圓設置於基材設置部上,^附之= 體之表面塗覆一絕緣薄層,施加一直流電壓予=中一導 。次 > 體,以 使該基材設置部之表面成為靜電吸附表面,且一庫人 〔coulomb)力施加於該矽晶圓和該導體(設置於該絕:層下 方)間,故將該矽晶圓固持於該基材設置部中。 水曰 在以該靜電吸附方式固持具有該保護帶黏附於該砂晶圓 上之情事中,除該絕緣層外,另設置一絕緣保鑊黑 ^ 叉咿,該庫 侖力則與該保護帶相作用。相較於矽晶圓直接密封式地结
ΪΓ^ 一 第5頁 C:\2D-C0DE\91-ll\91119370.ptd 575923 五、發明說明(2) 合於該靜電吸附表面而無保護帶之情事,該靜電吸附力較 小且在某些情況無法有足夠之固持力。同時,在該矽晶圓 表面上形成一樹脂層供密封或接線用且該樹脂層側面經密 封式地結合於該靜電吸附表面以實施該靜電吸附之情事 中,會再產生相同問題。 發明之概述 因此,本發明之一目的在於提供一種電漿處理裝置及一 種電漿處理方法,其可藉由足夠之靜電固持力,固持半導 體基材,以消除缺失。 在一種對矽晶圓實施電漿處理之電漿處理裝置中,該矽 晶圓具備黏附於電路形成面上之保護帶,且該矽晶圓設置 於一設置表面上,該設置表面設置於由導電金屬所構成之 下電極的上表面上,且該保護帶朝向該設置表面。當一直 流電壓將藉由供靜電吸附用之直流電力部(以在電漿處理 中吸附且固持該矽晶圓於該下電極上)而施予該下電極 時,該保護帶作為供靜電吸附用之電介質材料。因而,該 電介質材料可儘量地薄,且該矽晶圓可被足夠之靜電固持 力固持住。 較佳具體例之詳細說明 下文,參考諸附圖,將詳述本發明之具體例。圖1為剖 面視圖,顯示根據本發明一種具體例之電漿處理裝置;圖 2為剖面視圖,顯示根據本發明具體例之電漿處理裝置的 基材設置部;圖3為剖面視圖,顯示根據本發明具體例之 電漿處理裝置;圖4為圖表,顯示根據本發明具體例之電
C:\2D-C0DE\91-ll\91119370.ptd 第6頁 575923 五、發明說明(3) 浆處理裝置中之靜電吸附力;圖5為流程圖,顯示根據本 發明一種具體例之電漿處理方法;圖6和圖7例示根據本發 明具體例之電裝處理方法的處理過程的視圖;以及圖8顯 示根據本發明具體例之電漿處理方法之基材設置部的視 圖。 首先,參考圖1和2,將詳述該電漿處理裝置。圖1中, 真空室1之内部作為實施電聚處理之處理室2,且下電極3 和上電極4乃於该處理室2中彼此錯直相向著。該下電極3 經由一向下延伸之支撐部3 a以電絕緣狀態連結至該真空室 1,再且,該上電極4經由一向上延伸之支撐部“以導電狀 態連結至該真空室1。 該下電極3以一種導電金屬製得,且該下電極3之上表面 具備幾與石夕晶圓6之平面形狀相同之形狀(圖2 ),該石夕晶圓 為一待處理之半導體基材’且作為供承置該半導體基材於 其上之设置表面3 d。因此,該下電極3作為一基材設置 部’且具備一设置表面’該設置表面面對一導體,並用以 承置该半導體基材於其上。該石夕晶圓6在一電路形成表面 之背側經機械研磨之後隨即加以設置,且保護帶6a黏附於 該石夕晶圓6之電路形成表面,以防止該電路形成表面遭受 如圖2所示之於機械研磨際所產生的衝擊。該石夕晶圓6以保 護帶6a側朝向該下電極3之設置表面3d且該機械研磨過之' 表面朝上的狀怨,設置於該設置部之設置表面上。在該設 置狀態中,提供一絕緣層,接觸將作為導體之設置表面。 該機械研磨過之表面受該電漿處理之影響,故該研磨作業
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五、發明說明(4) 所產生之叉損層會被移除^ 烯^保ί 為一種樹脂帶,其之製得乃將一種利用& 焯烴、聚亞醯脸十取 但〜用聚鏈 形成-具備約I二乙严,二甲酸_ 圓6之電路形成度之膜,且以膠黏劑黏附於石夕晶 形成於該電路开成面(= 於該石夕晶圓6 μ t成面(表面)上之絕纟轰層,日今纟73这 文將詳述之把哕石々曰門巴4層且ϋ亥絶緣層在下 為一電介質材^ 靜電吸附於該設置表面上中係作 面。55:1輪延進出之閘閥18設置於該真空室1之側表 w經由機構(圖中未示)開啟或關閉。排氣 構7進入一開启1狀〜乂而連接至該真空室1。當閥開啟機 處理室2的内部被動;排氣泵8時,該真空室1中之 熊時,空氣被導入兮、。當空氣開啟機構9進入一開啟狀 、圖2所二入//理室2 ’故該真空便不復存在。 極3上,且與下電朽九面開啟之諸多吸附孔3e設置於下電 該吸入孔3b、經由\==入孔3b相連通。如圖1所示’ 泵1 2,且該氣歸乾私官路轉換開關機構1 1連接至真空吸附 和氦氣進給部=換開關機構11連接至氮氣進給部13 嗲吸入孔3b可# n "由切換該氣體管路轉換開關機構11 , s亥及?L3b 了被璉擇性地連接至該真空 進給部13以及該氦氣進給部14。 付泵12。亥虱軋 當该真空吸附粟! 2以該吸入孔3 狀態被驅動時’真空吸入經由該吸附= = 於該設置表面3d上之議圓6受該真空;附\^^^
C:\2D-CODE\9Ml\91119370.ptd 第8頁 575923
五、發明說明(5) 會被固持住。基此Γ π 12作為真空固持裴置。"^附孔3e、吸入孔3b和真空吸附泵 完成該真空吸入广故直f經由開向該設置表3d之吸附孔3e 持於該設置表®3d上:工吸附該板狀基材,該基材將被固 部14,故气G G $接至該氮氣進給部13或該氦氣進給 表面。: = = 自該吸附孔㈣向該石夕晶圓6之下 曰m 土 文將々迹者,該氮氣為一種吹氣,以ίό佶兮a 日日® 6运離該設置表面“ 乳以追使该矽 體,該埶交換乃用以y # 為一種供熱交換之氣 祖方Γ 在電漿處理際供促進矽晶圓之、人欠 ”產生電漿用之氣體進給仏 Q cf。 ί之用)經由-氣體進給控制部31連接至:直2漿的氣 至2。該氣體進給控制部3〗係由控制 =ς工至1之處理 送給至該直空室1之fρ/、工八產生電漿用之氣體 ^者所構成。—種主要包含氣系氣 ·^之*!調節 生電漿用之氣·,且為求移除該研磨:為該 =佳以主要包含SF6(六氟化硫)之氣體作為者受 =外,供冷卻用之冷卻管道允係設置於兮 y部管道3c連接至—冷卻機構1() 極3中。 命例如冷卻水之冷卻劑於該 ^ ‘ =该冷卻機 ”理際因所產生之熱而提高溫度以:循環,故將電 下電極3上之該保護帶6a冷卻。該下和點附於該 構1 〇作為供冷卻該將為基材設置部之/二3:和該冷卻機 置。 电極3的冷卻裴 m 第9頁 C:\2D-00DE\91-n\9lH9370.pid 575923 五、發明說明(6)
該下電極3經由匹配電路16電連接至—古 藉由驅動該高頻電力部1 7,一高頻電壓施高類電力部1 7。 該下電極3間,該上、下電極以電導通方該上電極4和 1,該真空室1以一接地部1 9接地。故而,X ^妾至該真空室 產生電漿放電。該匹配電路1 6匹配電漿放^该處理室2中 供於該處理室2和該高頻電力部1 7中產生電兔騎電路之阻抗, 3、上電極4以及該高頻電力部1 7作為產生兒電衆將。該下電極 生電漿,以對該設置表面上所設置之該你曰裝裝置’供產 處理。 曰日圓6實施電漿 雖然業經例示以一種將高頻電壓施於該# r ^ ^ ^ n ^ ^ /1 ^ M -y HtT ^ 胃1^平 <亍平板電 極(該下電極3和上電極4)間之方法的實施例~卞订千 裝置,得利用其他種方法,例如,一種脾太作為產生電漿 w屋生雷漿駐 入該處 置於該處理室2之上部以經由下降氣流使雷將电κ放置设 &冤漿進給 理室2的方法。 再者’供靜電吸附之直流—電力*部18經由RF濾波器15 至該下電極3。如圖3 (a)所示’藉由·Ι區動該供靜電吸附 直流電力部1,施加一直流電壓予該下電極3,故負電#^ 存於該下電極3之表面上。在該狀態中,隨後,該高頻^儲 力部1 7被驅動,以於該處理室2中產生電漿,如圖3 (b)' ^ 示者(參見圖式中之虛線部20)。因此,經由該處理室2 $ 之電漿,形成直流施加電路21,供該設置表面3(1上所設置 之矽晶圓6連接至該接地部1 9。故形成封閉電路,供依^賣 連接該下電極3、RF濾波器1 5、供靜電吸附之直流電^ : 1 8、該接地部1 9以及該矽晶圓6,而且,正電荷儲存於兮
575923 丨 111 五、發明說明(7) 矽晶圓6中 :庫侖力在該下電極3中所 所儲存之正電荷間作用。藉.子之負電荷和該矽晶圓6中 7為-電介質材料之曰而1侖力,該矽晶圓6 時:聊濾波器15防止該於該下電極3中。此 予5亥供靜電吸附之直流電力部】8 4】7之高頻電壓直接施 吸附之直流電力部〗8作為靜電吸附讀下電極3和該供靜電 6,該矽晶圓6將藉由該靜電吸附f裝置,供固持該矽晶圓 板狀基材。該供靜電吸附之直汗 成為该設置表面3 d上之 成為陽性抑或陰性。 1 “力部1 8的極性或得對調 參考圖4,將洋述一靜電吸附力。 附力F之表示式為:ρ = 1 / 2 ε ( v / 以5亥庫命力所得之吸 材料之電介質係數,V表示欲施力’其中該£表示電介質 電介質材料之厚度。圖4顯示靜°^直流電壓,且d表示該 電壓間的關係,該直流電壓乃於以1附力和欲施加之直流 6a黏附於該矽晶圓6上且作& ~種樹脂製得之保護帶 的情事中獲得。 、砰〃吸附中之電介質材料 二種樹脂材料(例如,聚鏈烯炉、取 對苯二甲酸賴)係供該保護帶心,I;;;::;::聚乙稀 得之厚度為一百Am)分別以曲 计/貝施例用(其中製 起見,曲線ά顯示當厚产-π 、'、 、b和^顯示。茲為比較 設置表面上且…絕:百作 :靜電吸附不具備保護帶之…時所得到之靜;::料 m 第11頁 C:\2D-C0DE\91-ll\91119370.ptd 575923 五、發明說明(8) 如圖4所示,在聚鏈烯烴實施例中,該吸附力幾乎等於 習知鋁土絕緣層情事中者。在兩種材質(例如,使用聚亞 醯胺以及聚乙烯對苯二曱酸酯)的情事中,得到之吸附力 較利用該鋁土絕緣層所得者為大。 更具體言之,不需於下電極上形成一絕緣層,該下電極 乃為習知電漿處理裝置中實施靜電吸附所必需者;且再 者,得施予絕佳之吸附力。此外,該保護帶係直接與該下 電極3之表面接觸,而無例如具備低導熱性之銘土的絕緣 層。因此,可獲致絕佳之冷卻效果,且可舒緩保護帶6a和 碎晶圓6之熱彳貝害。 該電漿處理裝置之結構係如上所詳述者。下文將參考圖 6和7,根據圖5中之流程,詳述一種電漿處理方法。圖5 中,首先,待處理標的之矽晶圓6輸送入該處理室2中 (ST1 ),且設置於該下電極3之設置表面3d上(設置步驟)。 此時,因為該矽晶圓6 為薄且可彎曲狀,在某些情事,便 如圖6(a)中所示,產生一勉曲,故該設置完成後,會在該 矽晶圓6和該設置表面3 d間產生一空隙。接著,該閘閥1 a 關閉(ST 2 )且該真空吸附泵1 2被驅動。如圖6 ( b )中所示, 因而,經由該吸附孔3 e和吸入孔3 b進行真空吸入,故該矽 晶圓6之真空吸附狀態便啟動(ST3 )。如圖6 ( c )中所示,故 該矽晶圓6以與該設置表面3 d密封式地接觸狀態,被該真 空吸附固持住(固持步驟)。 其次,該排氣栗8被驅動,以使該處理室2成為真空,且 該氣體進給控制部3 1運作,以將供產生電漿用之氣體進給
||麗_ C:\2D-CODE\91-ll\91119370.ptd 第12頁 575923 五、發明說明(9) 入該處理室2中(ST4)。接著,該供靜電吸附用之直流電力 部1 8被驅動,以啟動直流電壓之施加(ST 5 ),且該高頻電 力部1 7被驅動,以開始電漿放電(S T 6 )。如圖7 (a)中所 示,因此,於該下電極3上所設置之該石夕晶圓6和上電極4 之下表面間的空隙產生電漿,故進行欲對該矽晶圓6之電 漿處理(電漿處理步驟)。在該電漿處理中,於該下電極3 和該矽晶圓6間產生一靜電吸附力(參見圖3 (b )),且藉由 該靜電吸附力,該矽晶圓6固持於該下電極3中。 其後,該氣體管路轉換開關機構1 1被驅動,以關閉該真 空吸附(ST7),且完成後氦氣之導入(ST8)。質言之,如圖 7 ( a)所示,該藉由真空吸入而固持於該下電極3中之將矽 晶圓6會被釋開,且供熱傳用之氦氣接者自該氦氣進給部 1 4經由該吸入孔3 b而進給,並從該吸附孔3 e喷向該矽晶圓 6之下電極。在該電漿處理中,該下電極3乃藉由冷卻機構 1 0加以冷卻,且電漿處理而具備被提高溫度之矽晶圓6的 熱,經由一種具備良好熱傳特性氣體之氦氣,傳至該下電 極3。因此’該碎晶圓6可被有效地冷卻。 倘經過預定之電漿處理時間且該放電已完成(ST 9 ),停 止供給該後氦氣以及供產生電漿用之氣體(ST1 0 ),且如圖 7 (b )中所示,該真空吸附再次地被啟動(ST 1 1 )。 因此,該矽晶圓6藉由該真空吸附力而固持於該設置表 面3 d上,該真空吸附力乃取代完成電漿放電後所消除之靜 電吸附力。 接著,該供靜電吸附用之直流電力部1 8被停止,以關閉
C:\2D-C0DE\9Ml\91119370.ptd 第13頁 575923 五、發明說明(ίο) 遠直流電壓(ST 1 2 ),且該空氣開啟機構9被驅動,以於該 處理室2中完成大氣開啟(ST1 3)。 。之後’該氣體管路轉換開關機構1 1被再次驅動,以關閉 该真空吸附(ST 1 4 )。之後,完成晶圓吹氣(ST丨5 )。更明確 而言’如圖7(c)中所示,氮氣經由該吸入孔3b進給,且因 此從該吸附孔3e喷出。因此,該矽晶圓6自該下電極3之設 置表面3d移離。接著,當該閘閥1 a進入開啟狀態(ST 1 6 )且 该石夕晶圓6被輸送至該處理室2外(S T 1 7 )時,該晶圓吹氣被 關閉(ST 1 8 ),且完成一電漿處理週期。 如上所述,根據本具體例之電漿處理中,產生電漿於該 處理室2中,故在產生靜電吸附力前,該矽晶圓6藉由真空 吸附力固持於該下電極3中。同時,在欲用例如該矽晶圓6 之薄且可彎曲式板狀基材的情事中,該矽晶圓6可持續密 封地結合該下電極3之設置表面3 d,且可因此適當地被固 持住。故得在密封結合無效之情事中防止於該下電極3之 上表面和該矽晶圓6之下表面間之空隙產生不正常放電, 教防止該石夕晶圓6因冷卻失效而過熱。 取代下電極3 (其中整個該設置表面3 d為一導體)時,得 以一種如圖8中所示之下電極3 ’作為下電極。本實施例 中,如圖8 (a )中所示,具備一預定寬度之絕緣部3,f形成 於外緣部中,其中設置表面3,d大於該將做為半導體基材 之矽晶圓6且其大小突出該矽晶圓6。該絕緣部3,f以一種 例如紹土之陶瓷製成,且其平面形狀取決於將設置於該設 置表面3 ’ d上之矽晶圓的形狀。圖8 (b)和8 ( c )顯示該絕緣
C:\2D.mDE\9Ml\91H9370.ptd 第14頁 575923 五、發明說明(11) 部3 ’ f造形之實施例,其各為無指示矽晶圓方向之定向平 面的情事和有定向平面的情事。 藉由該種下電極3 ’之使用,得獲致已設置矽晶圓之該下 電極3’之上表面上所設置的導體不直接暴露於電漿且可對 該下電極3 ’之設置表面產生更均勻的電漿放電之進步性。 雖然業於該具體例中詳述黏附於該矽晶圓6之樹脂保護 帶6 a為供靜電吸附用之作為絕緣層之電介質材料的實施 例,得密封式地結合該設置表面與一種用來密封該矽晶圓 之電路形成面的絕緣樹脂層或者一種用以在該電路形成面 上形成另外接線層的絕緣樹脂層,並以該絕緣樹脂層作為 供該靜電吸附之電介質材料。 根據本發明,該基材設置部之設置表面變成一導體,且 該半導體基材之設置係使該絕緣層側朝向該設置表面;而 且,該半導體基材之絕緣層作為供該靜電吸附用之電介質 材料,以靜電方式吸附該半導體基材於該設置表面上。故 而,該半導體基材可藉由足夠之靜電固持力予以固持住。 元件編號之說明 1 真 空 室 la 閘 閥 2 處 理 室 3 下 電 極 3, 下 電 極 3a 支 撐 部 3b 吸 入 孔
C:\2D-C0DE\91-ll\91119370.ptd 第15頁 575923 五、發明說明(12) 3c 冷卻管道 3d 設置表面 3e 吸附孔 3 ’ d 設置表面 3 ’ f 絕緣部 4 上電極 4a 支撐部 6 矽晶圓 6a 保護帶 7 閥開啟機構 8 排氣泵 9 空氣開啟機構 10 冷卻機構 11 氣體管路轉換開關機構 12 真空吸附泵 13 氮氣進給部 14 氦氣進給部 15 RF濾波器 16 匹配電路 17 高頻電力部 18 直流電力部 19 接地部 2 0 虛線部 21 直流施加電路
C:\2D-CODE\9Ml\91119370.ptd 第16頁 575923 五、發明說明(13) 31 氣體進給控制部 _·_ιι 第17頁 C:\2D-CODE\9Ml\91 119370.ptd 575923 圖式簡單說明 圖1為剖面視圖,顯示根據本發明一種具體例之電漿處 理裝置; 圖2為剖面視圖,顯示根據本發明具體例之電漿處理裝 置的基材設置部; 圖3 (a)及(b)為剖面視圖,顯示根據本發明具體例之電 漿處理裝置; 圖4為圖表,顯示根據本發明具體例之電漿處理裝置中 之靜電吸附力; 圖5為流程圖,顯示根據本發明一種具體例之電漿處理 方法; 圖6 (a)至(c )例示根據本發明具體例之電漿處理方法的 處理過程的視圖; 圖7 ( a)至(c )為例示根據本發明具體例之電漿處理方法 的視圖;以及 圖8 (a)至(c )顯示根據本發明具體例之電漿處理方法之 基材設置部的視圖。
C:\2D-C0DE\9Ml\91119370.ptd 第18頁
Claims (1)
- 575923 六、申請專利範圍 1 · 一種電漿處理裝置,供對半導體基材實施電漿處理, 該半導體基材於一表面上具備一絕緣層,該裝置包含: 基材設置部,設有設置表面,該設置表面具備一導體, 該導體對著至少部分基材設置部,且該設置表面用以設置 該半導體基材,並使一絕緣層側朝向該設置表面; 供藉由靜電吸附方式之靜電吸附裝置,將該半導體基材 固持於該設置表面上;以及 電漿產生裝置,供產生電漿,以處理該設置表面上所設 置之該半導體基材; 其中该半導體基材之該絕緣層作為該靜電吸附之絕緣材 ^4 ° 、、、、 2 ·如申請專利範圍第丨項之電漿處理裝置,其中該絕声 、層為黏附於該半導體基材之表面的樹脂帶。 巴、冬 μ 3 ·如申請專利範圍第2項之電漿處理裝置,其中該 帶之材料為聚鏈烯烴、聚亞醯胺以及聚乙烯 μ及月曰 Φ ^ 岬對本二曱酸酯 4·如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置,其中今 體基材為具備電路形成面之石夕晶圓,且該絕後、°二' ¥ ^ φ ^ ^ m 巴,層為供保護 巧冤路形成面用之保護帶。 5 ·如申請專利範圍第4項之電漿處理裝置,甘心> ^ ^ ^ ^ ^ 其中該保護 v之材枓為聚鏈烯烴、聚亞醯胺以及聚乙烁 中之一者。 作對本二曱酸酯 6·如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置,其曾 體基材為具備電路形成面之石夕晶圓,且該絕緣層二導樹575923 六、申請專利範圍 * 脂層,用以密封該電路形成面。 7 ·如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置,其中該半導 體基材為具備電路形成面之石夕晶圓,且該絕緣層為絕緣樹 脂層,經設置以於該電路形成面上形成一接線層。 8 ·如申請專利範圍第j項/之電漿處理裝置,另包含真空 固持裝置,供經由開向該設置表面之吸附孔的真空吸入, 真空吸附該半導體基材,^固持該設置表面上之該半導體 基材,並於電漿以至少該電衆產生裝置產生之前,該半導 體基材藉由該真空固持衆置固持於該設置表面上。 9.如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置,另包含冷卻 裝置’供冷卻該半導體設置部。 1 0 ·如申請專利範圍第8項之電漿處理裝置,另包含熱傳 遞氣體進給裝置,供進給將熱傳遞至該吸附孔之氣體。 1 1 _如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置,其中該設置 部包括一較該半導體基材為大之設置表面,該對著一導體 之该设置表面部分設置於該設置表面之中央部,且自該$ 置表面外側上之該半導體基材突出之外緣部係以一絕終二 形成。 、水月且 1 2 · —種電漿處理方法,供以於 表面上具備絕緣層之 半導體基材藉由靜電吸附固持於基材設置部之設置 的狀態,實施電漿處理;該方法包含下列步驟·· & 至少部分該設置表面設為導體’且使該導體接觸該絕緣 層,並使4半V脰基材之一絕緣層侧朝向該基材設置部之 該設置表面,故完成設置;C:\2D-CODE\91-ll\91119370.ptd 第20頁 575923 六、申請專利範圍 施直流電壓予該基材設置部,產生電漿,故對該半導體 基材實施電漿處理; 其中該半導體基材藉由庫余力而靜電吸附入該設置表 面,在實施該電漿處理步驟中,利用該絕緣層為供靜電吸 附用之電介質材料,該庫侖力產生於儲存在該半導體基材 中之電荷和儲存在該設置表面中之電荷間。 1 3.如申請專利範圍第1 2項之電漿處理方法,其中該絕 緣層為黏附於該半導體基材之表面的樹脂帶。 1 4.如申請專利範圍第1 3項之電漿處理方法,其中該樹 脂帶之材料為聚鏈烯烴、聚亞醯胺以及聚乙烯對苯二曱酸 酉旨中之一者。 1 5.如申請專利範圍第1 2項之電漿處理方法,其中該半 導體基材為具備電路形成面之矽晶圓,且該絕緣層為供保 護該電路形成面用之保護帶。 1 6.如申請專利範圍第1 5項之電漿處理方法,其中該保 護帶之材料為聚鏈烯烴、聚亞醯胺以及聚乙烯對苯二甲酸 酯中之一者。 1 7.如申請專利範圍第1 2項之電漿處理方法,其中該半 導體基材為具備電路形成面之矽晶圓,且該絕緣層為絕緣 樹脂層,用以密封該電路形成面。 1 8.如申請專利範圍第1 2項之電漿處理方法,其中該半 導體基材為具備電路形成面之矽晶圓,且該絕緣層為絕緣 樹脂層,經設置以於該電路形成面上形成一接線層。 1 9.如申請專利範圍第1 2項之電漿處理方法,另包含真C:\2D-CODE\91-ll\91119370.ptd 第21頁 575923 六、申請專利範圍 空固持裝置,供經由開向該設置表面之吸附孔的真空吸 入’真空吸附該半導體基材’且固持該設置表面上之該半 導體基材,並於至少該電漿產生之前,該半導體基材藉由 該真空固持裝置固持於該設置表面上。 2 0.如申請專利範圍第1 2項之電漿處理方法,另包含冷 卻裝置,供冷卻該半導體設置部,當以該冷卻裝置冷卻該 絕緣層時,實施電漿處理。 2 1.如申請專利範圍第1 9項之電漿處理方法,其中供進 給熱傳遞之氣體用之熱傳遞氣體進給裝置設置於該吸附孔 中,並停止該真空固持裝置之真空固持,且該供熱傳遞用 之氣體進給至該吸附孔,而至少該半導體基材被靜電吸附 於該設置表面上。C:\2D-C0DE\9Ml\9ni9370.ptd 第22頁
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