TW575786B - Exposure controlling photomask and production method thereof - Google Patents

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Description

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【發明背景】 ， 案號 90106019 五、發明說明（1) 户i ί:係有關製造微型透鏡、微型機械、微型齒輪、杏 積脰卷路、反射型液晶顯示裝置及微型 先 造體時，所使用之曝光量控制用光罩及其制造方法。、面構 【先前技術】 、衣& / 習用形成三維的面構造體技術，係有 報=3 1 32727號所記載的微型線圈之微影技術“亥微寺4公 ^丁 =，係利用可使透射光之光量連續控制的曝光量护 Γ 制用光罩，係有如下之各種構； 公報及特開平u— 23 7625丄：；：Ξ=Γ26號 Κι :】 成階梯狀’形成控制透射光的光量 川5號公報及特開平 ® 1 4 FI - . "" 報的4知技術所記/聚、之 弟14圖所不，在遮光膜選擇性的 霞之 上，調節遮光領域的開口數，形成控制= t 罩。第三種曝光量控制用光罩係如曰： = = !之光 23 7625號公報所記載，：二:開：11 - 面之轉移模型，將其壓在可調整；面，凹凸部的模型 樹脂層上，於該樹脂層上轉土反的光透過比之 射紫外線等使該樹脂層硬化多：：；面,凹凸部’接著照 曲面狀凹凸部之膜厚，形成 透：°此形成的該樹脂層 但是，第-種曝光量控射；=量'光罩：
C:\Logo-5\Five Continents\PFl112a.ptc 第4頁 須-段-段的形成制用口光罩之際’… ----1 梯部1因此有反覆的進行塗 575786
後暴光顯景> 感光性樹脂之顯影技術，而使成本增加。 ，者由於表面之凹凸部係形成階梯狀，因此在如此的狀 悲下，在欲轉移的基板上之感光性樹脂也將變成階梯狀凹 凸W而為使开〉成曲面狀凹凸部，必須在感光性樹脂的表 面塗覆保護膜劑，再予以烘乾形成保護膜層。但是，在塗 覆、烘乾製程中，要將感光性樹脂層控制成曲面狀凹凸 的形狀係非常困難。 在第一種曝光量控制用光罩中，其透射光之光量係被光 點圖木（或孔）之尺寸所調節速律，因此對於感光性樹脂的 橫方=^尺寸控制及膜厚之控制係非常困難。 在第一種曝光量控制用光罩中，與第一及第二種曝光量 控制用光罩相較，由於係具備較平滑的曲面狀凹凸部，因 此可對光阻膜〔感光劑、感光性樹脂層〕進行較平滑的曲 面狀凹凸部之轉移。 ❿
f據日^國特開平1 1 — 237咖號公報之記載，其凸I ^邛間之節距係形成曲面凹凸部的高度之1倍至丨〇 〇倍的程 ^/仏、係2 5倍左右的程度。例如，當曲面凹凸部的高度 ^ . 2微米時，則凸部的上部間之節距為約30微来。再 -距Ξ :械性的壓上而轉移模型的方法中，要安定的形成 即距更狹小的凹凸形狀係很困難。 接著，就習知的微型透鏡之形成方法加以說明。 作為固體攝像元件，微型透鏡係被設在每一個像素上， 感：有效的將射入各像素的光聚光至受光元件，以提高其 315圖的⑴〜（4)之製程，說明習知的微型透鏡之
C:\Logo-5\Five Continents\PF1112a.ptc 第5頁 575786 _案號 90106019 五、發明說明（3) , 形成方法。 在固體攝像元件的純化膜1 1所形成之平坦化膜1 2上堆積 透鏡材膜13。之後，再全面的堆積光阻膜14(第15圖之 (1 ))。接下來，使光阻膜1 4曝光、顯影，在每一像素上形 成分離獨立的圖案。具體而言，進行圖案成形使各光阻膜 14位在受光元件15上（第15圖之（2))。接著，因加熱熔化、 處理而將光阻膜14整形成凸曲面形狀（凸透鏡）（第1 5圖之 (3 )^。再者，因氧氣與具堆積性的氣體之混合氣體而將光 阻膜1 4及透鏡材膜丨3回蝕，且將該凸曲面形狀轉移至透鏡 材膜13而形成微型透鏡16(第15圖之（4))。 接者’就第丨5圖所示的其他符號加以說明。 光元件，符號17係半導體基板’ 18係由多結晶矽 垂直y移電極，符號丨9係由鋁所構成的遮光膜。 、 但是，在上述習知的微型透鏡之形成方法，雖 j松 化且整形光阻膜以形成透鏡形狀，但光 的曲面狀凹凸部係很困難。 工制成彳政細 【發明目的] 本毛明之第一目的，乃在提供一種曝光 去，其在非接觸的情況下，可使曝2ί 罩上的遮光膜形成更平滑之曲面狀凹凸部，且直t制用光 部間之節距可形成更狹小之節距。 /、凸部的上 本發明之第二目的，乃在提供— 層材料的形成方法，其係利用上述；；以：轉移至底 --1—f. 與該抗蝕層 575786 案號 90106019 五、發明說明（4) 起回钱，而將透鏡形狀轉移至底層材料 本發明之第三目的’乃在提供一種 甘於m ，丄曰丨曰 —八爪 從逐親汉兴瓜风乃法7 其係利用上述曝光S控制用也 士飞 x 市」用先罩，將控制曝光量的光照射 在光硬化樹脂而形成透鏡。 【發明概要】 本發明的曝光量控制用Φ罢 ^ $ 9 @ ^ _ .. 先罩上之遮光膜2的斷面係如第1 或2圖所不，开,成傾斜面的形 置，在堆積有遮光膜的光罩其^冷变，于末彳田、、日衣 _ τ 尤卓基板3上塗覆光阻膜6，在每一 個光阻膜6之處改變照射量的 & 里的電子束進仃照射，之後進行 rv=r:合電子束照射量形成三維面構造。接 進行使形成在光阻膜6的三維面構造 =蝕刻至底層材料之製程，而使底層材料形成三維面構 本發明的上述三維面播；生，、，Τ 〜 — ,,_ ^ , d ^ 構k 亚不只限疋於第1或2圖稃示 妝、4:形狀亦包含由凹曲面或凸曲面所構成的ε面 十述電子束照射量的控制係可改變電子束的照 射強度，或疋使照射強度形成且 照射時間而予以實現。在以下抝_ μ%明士又’、、、射-人數戈 在以下例不的況明中，為了女旦5 解本發明，就三維面構乎φ的Α二也如Λ Γ 马了合易理 明。 苒乂中的曲面狀凹凸部的形成加以說 第1圖係以上述方法所势造的 面FI ，豆在矣-Λ Μ I 的曝先里制用光罩（A)之斷 2圖，其係表不入射光丨及該曝光量控制用光 光明暗度4之模式圖。於.，锌 氺 、過後的 璃基板。 A此们虎2係遮先勝，符號3係坡 ϋ圖”與上述，方法相異的方法所形成之… WRM 謹IVmk憾*--- ' ----- U 里
C:\Log〇-5\Five Continents\PFl112a.ptc 第7頁 575786 ---案號 9010601Q 五、發明說明（5)
控制用光罩（B )之斷面圖’其係表示入射光及透射後的光 明暗度之模式圖。其方法係在玻璃基板3上，堆積例如透 明的有機樹脂或氧化物等之材料5，之後再層疊抗蝕劑。 接著，使用上述電子束微影使光阻膜形成曲面狀凹凸^部。 接下來’全面的堆積遮光膜材料2。之後，透過全面的餘 刻或研磨等的方法形成適當之厚度。 弟1圖的曝光量控制用光罩（A)，係在遮光膜上形成有曲 面狀凹凸部；第2圖的曝光量控制用光罩（β )，係在透明材 料上形成有曲面狀凹凸部。而堆積該遮光膜的方法，係有 好幾種方法。若遮光膜的材料為有機材二 或CVD等方法：若是锛等的全屬，則右—a 則有塗復 八 右疋鲒寻的至屬，則有瘵發、濺鍍法及鍍 i屬二^ ί t的一種，例如使用電解鑛金法堆積鉻等的 ^預先在玻璃基板上堆積可使光透射的導電性金 ΐ可：銦一錫氧化物)等的透明導電性金屬的話， 則可獲侍更緻密的鍍金。 p J J ’在與第2圖的曝光量控制用光罩相同之上述導電 性=屬上，使透明的絕緣體材料5形成面形狀。之 仃電解鍍金而堆積金屬。在電解鍍金 的距離，其形成電場的強度也不 :ί=(ΙΤ〇)的場所’即絕緣體材料越薄的 度，列可使鑛金的厚度形成適當之厚 ⑴j开7成均一厚度的遮光膜。 接量控制用光罩，可在光硬化樹脂上直 曲面狀凹凸#，因此可節劣力….
C:\Logo-5\Five Continentς\ΡΡη 第8頁 575786 ___案號90106019_年月 曰 你π 五、發明說明（6) 阻膜上描纟會的製程。 在使用本發明的曝光量控制用光罩以形成透鏡的方法 中，將塗覆在基板的光阻膜依據曝光量控制曝光法，於每 一處改變曝光量的進行曝光，且由於控制顯影後的光阻膜 之膜厚，而將曲面狀凹凸部的光阻膜整形成透鏡形狀。 在使用本發明的曝光量控制用光罩以形成透鏡的方法 中’將堆積在透明基板上的光硬化樹脂，從透明基板侧或 上面曝光，而使光硬化樹脂形成透鏡形狀。 【圖式說明】 為了本發明之上述其他目的、特徵和優點能更明顯，下 文特舉本發明較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明 如下。 第1圖：入射光、曝光量控制用光罩（Α)及透射光之 圖。 Ρ ’丁、 第2圖：入射光、曝光量控制用光罩（Β)及透射光 圖。 .係 第3圖：曝光量控制用光罩（Α)之製程圖。 鍍金法 、顯影 、_彰 所 後 後 第4圖·將透明導電性材料作為電極使用的電解 製造之曝光量控制用光罩（β )的製程圖。 第5圖：曝光量控制用光罩及使用該光罩於曝光 ，光阻膜形狀及透射光的明暗關係之示意圖。 第6圖：曝光量控制用光罩及使用該光罩於曝光 =光阻膜形狀及透射光的明暗關係之示意圖。 成 鏡<
第7圖·使用本發明曝光量控制用光罩的微型透 製程順序表示的斷面圖
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MM 9〇inRniQ
五、發明說明（7) ---a_i±^ 第8圖·曝光量控制用光及 形狀關係的示意圖。 早及頌衫後的光阻膜之凸透鏡 第9圖··曝光量控制用光罩 形狀關係的示意圖。 汉頌影後的光阻膜之凹透鏡 第1 0圖：使用本發明曝光量批 成：法以製程順序表示的斷“制用光罩的層内透鏡之形 第11圖··對於基板面其光 之曝光量控制用光軍及顯$ 2圯成水平透鏡的上半部分 第12圖：光阻膜形狀關係的示意圖。 之曝光量控制用亦置月廳ί ί 成水平透鏡的下半部分 意圖。 第14圖 光關係的 第15圖 斷面圖。 【圖號說明] 1 入射光 4 托運片 6 光阻膜 第i 3图· ^先罩員衫後光阻膜形狀關係的示意圖。 弟圖.省知的階梯型光罩之入射光及透射光關係的示 習知的光點圖案（或孔）型光罩之入射光及 意圖。 習知的微型透鏡之形成方法以製程順序表j的 光罩基板 遮光膜 3 透明絕緣材料 透明導電性材料^ 11 鈍化膜 12 平坦化膜 13 14 光阻膜 15 受光元件 16 17 20 半導體基板 開口部 18 多結晶矽 19 透鏡材膜 微型透鏡 遮光膜
第10頁 575786 修正 fjfe 901060Κί 五、發明說明（8) 第1 下Η待优狀本^曰明i之實施形態參照圖面加以詳細說明。 里控制用光罩（B)的斷面圖。 :然該二光罩皆具有相同的控制透射 於遮光膜的材料的不同，豆制.方氺介4田]在此彳一田 $ π μ ^ μ ^ t 其衣法亦相異。當遮光膜與 光…勺“率較為相等時，雖可製成第1圖的曝光量 控制用光罩（A );但是冬名占方| 士、玄，女4JU 、， 一疋田蝕刻比率有較大差異時，則很困 難。此日守，：於遮光膜與光阻膜之間設置-蝕刻比率分別 車父接近遮光膜與光阻膜的數值之第3膜，且亦可順序的回 蝕，移1成在底層材料。且亦可配合其需要性，進而追 加第4、5膜。但是，在遮光膜與光阻膜之間設置其他的 膜，則將增加蝕刻的製程，且也會降低加工的精密度。因 此，較佳使用與曝光量控制用光罩（A)具相同性能的第2圖 之曝光量控制用光罩（B)。 首先，就在玻璃基板上形成遮光膜構造的曝光量控用 光罩（A)加以說明。 〔 (實施例1 ) 實施例1係有關第1圖所示的曝光量控制用光罩（A)及其 製造方法。第3圖之（1)〜（5 )係實施例1的曝光量控制用光 罩（A )之製程的說明圖。在第3圖之（1)所示的基板3上堆積 遮光膜2(第3圖之（2))，且進而堆積光阻膜第3圖之 、 (3 ))。對该光阻膜6，在每一個光阻膜6之處改變照射強 度，或是使照射強度保持一定而改變照射次數或照射時 間’以控制照射量的進行照射，之後顯影使光阻膜6形成 曲面狀凹凸部（第3圖之（4))。接著，將上述光阻膜6與底
575786 案號 9010ftnici 修正 五、發明說明（9) __ 層材料（遮光膜）的蝕刻比率 s 膜6的曲面狀凹凸部之开彡壯保持相同的進行回蝕，使光阻 (5))。 乂狀轉移至底層的遮光膜2(第3圖之 在此，係使光阻膜鱼庇s 個钱刻速度在相同的條件=料的膜厚形成相等，且將各 在相同膜厚、钱刻速度的停=移餘刻，但也不一定要 料上形成最終所要的曲面行，只要是可於底層材 (實施例2) 狀凹凸部之條件即可。 實施例2係就第2圖所 造方法加以說明。在光先置控制用光罩（B)及其製 材料5，接著堆積光阻膜/反^堆積氧化膜等的絕緣體 之處改變照射強度，或是、日”μ光阻膜，在每一個光阻膜 次數或照射時間，以控制照J保:!：定而；變照射 光阻膜的厚度形成曲面狀凹凸二以射，之後顯影使 底層的絕緣體材料之蝕妾者，將上述光阻辦與 阻膜的曲面狀凹凸部之;;持相同的進行回钱，k光 在上述絕緣體材料上堆積遮光^至底層的絕緣體材料5。 磨直到所要的膜厚為止。、、、、、^ ，進行全面韻刻或研 在上述實施例中，由於 部，因此亦可省略在光罩A :反身形成曲面狀凹凸 之製程。作為光罩基= = 等的透明材料 玻璃。而遮光膜的材料，則可使η用:鹼玻璃、石英 的金屬氧化膜、染料或顏料等的光‘收二:、氧化路等 (光吸收性樹脂），且係上述材料的單獨解，月旨 法及 構 ilWiPi脈哪ΗΛ卿，丨·舰丨、仙 ----—----- 広寻；而 第12頁 C:\Logo-5\Five Continents\PFllI2a.ptc 575786 案號 90106019 五、發明說明（10) 曰 修正 樹脂的堆積，則有塗覆法等方、 可配合用於曝光的光之波异法。除了上述材料以外， 遮光膜材料。 ' 而使用其他光罩基板材料/或 接著，將局部變更曝光旦 第（4)圖之（1)〜（8)予以言兒里明空。制用光罩（B)的例示，根據 第4圖係將ITO等的透明導带。 行電解鍍金法以製造曲面狀兒性材料作為電極使用，而進 (B)之製程的說明圖。在第4 =凸部的曝光量控制用光罩 ITO等的透明導電性材料7(…圖之（1)所示的基板3上堆積 等的透明絕緣膜5(第4圖之圖之（2))，之後堆積氧化膜 之（4))。對該光阻膜6，在々））。進而堆積光阻膜6(第4圖 狀凹凸部（第4圖之（5))。 先阻艇6的厗度形成曲面 絕緣體材料的银刻比率伴:3二，上述光阻膜6與底層的 的形狀轉移至底層的絕；；行回姓’…， 之⑺中所堆積的透明導圖之⑷）°以第“ ^ ^ ,, A ^ 膜7作為電極，使用電解鑛金法 面^夕丨卞&屬遮光膜材料2堆積後（第4圖之（7))，進行全 磨直到所要的膜厚為止(第4®之⑻）。再者， 充分的控制鑛金成長之膜厚的 、 ^名各上述王面蝕刻或研磨的製程。 制京ίϋ.變更上述實施例2的製程，即不使用電解鑛金而 衣^ =2圖的曝光量控制用光罩（Β)之製造方法加以說明。 一 —f基板3上堆積氧化膜等的透明絕緣膜5。接著，堆 ^的帝膜6。對忒光阻膜，在每一個光阻膜6之處改變照射 里一_ 束進打照射’之後顯影使該光阻膜β形成曲面狀
C:\Logo-5\Five C〇ntlnents\PFl112a.ptc 苐13頁 575786 月 曰 修正 案號 90106019 五、發明說明（11) 凹凸部。接著，將該光阻膜6與底層的 比率保持相同的進行❹，使該光二.=體材料之钱刻 至底層的絕緣體材料5以形成曲面狀凹凸j形狀，移蝕刻 遮光膜的材料。之後，進行全面鞋 °。妾者，堆積 的膜厚為止。 /研磨直到完成所要 在局部變更實施例（2)的製程之製 ：; r#^^ 中 可直接在光硬化樹脂上开彡成Λ ; u,、 果·^光 略對抗蝕層的描繪製程及轉移蝕 ：凸：者因：可省 :雷直接在遮光膜上形成曲面=凸：可： 進行調節濃度的方法。 素打入基板，而 作為本發明的實施態樣，其曝光 ，用於投影曝光裝I，亦可適用於反== = :只 ^即J其係使反射型鏡面光罩基板上的遮=漏 旦夕本w s 土艽胰之胲厚成比例的可控制光的反射光 1f罩。再者，曝光裝置中所使用的光之種類，俜有妙 外線、近紫外線、X線、軟x線等。 仏有本 法Π說：使用本發明曝光量控制用光罩的透鏡之製造方 微ϋΐ鏡的形成時，在透鏡材膜上形成光阻膜，將該 光阻胺利用曝光量控制曝光法予以曝光，且由於使其顯 :从：Τ ΐ*阻膜正开〉成透鏡形狀。該整形方法，係有將底 ϋ 鏡材膜上直接形成透鏡形狀的方法，及將底層 材料衣&成权型框’且在其上堆積透鏡材膜以間接形成透 _丨丨 第14頁 C:\Logo-5\Five Continents\PF1112a.ptc 575786 一一^ 案號 90106019_年 修正 五、發明說明（12) " " -- 鏡形狀的方法。上述曝光量控制曝光法，其係一種在使用 =罩的曝光裝置中，由於可在每一處改變對光阻膜的曝光 里’而可控制顯影後的光阻膜之膜厚的方法。 再者，亦可使用光硬化樹脂來取代光阻膜或透鏡材膜。 即’使用光硬化樹脂來取代光阻膜，則只要將曝光量被控 制的光直接照射，即可形成透鏡形狀；而使用光硬化樹脂 來取代透鏡材膜，則例如在透鏡形狀的模型框中注滿光硬 化樹脂’之後由於全面的進行光之照射，透鏡模型框内的 光硬化樹脂即可形成透鏡形狀。 以下，4文照圖式的貫施例，详細的說明本發明之微型透 鏡的形成方法。 (具體例示1 ) 第7圖（1 )〜（3)係本發明微型透鏡的形成方法之具體例 示，以製程表示的斷面圖。 在固體攝像元件的鈍化膜11所形成之平坦化膜12上::^|^ 透鏡材膜13。之後，再全面的形成光阻膜14(第7圖之 (1 ))接下來’由於利用曝光i控制曝光法使光阻膜1 4曝 光、顯影，且進行圖案成形使每一像素分離獨立，因此每 一像素的形狀形成凸透鏡形狀（第7圖之（2 ))。之後，因氧 氣與具堆積性的氣體之混合氣體而將光阻膜丨4 透 ㈣，且將該凸透鏡形狀轉移至透鏡材膜13而== 透鏡16(第7圖之（3))。 符號17係半導體基板，18係由多結晶矽所構成的垂直轉 移電極’符號1 9係由紹所構成的遮光膜，符號2 〇係開口 部。 ^ 汗
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C:\Logo-5\Five Continents\PFl112a.ptc 第15頁 575786 案號 90106019 年 Ά 曰 五、發明說明（13) 第8圖係為了形成凸狀的试型透鏡，利用凸透鏡曝光量 控制用光罩曝光、顯影後之凸透鏡形狀的光阻膜與曝光 量控制用光罩的關係之示意圖。再者，第9圖係為了形+成 凹狀的微型透鏡，利用凹透鏡曝光量控制用光罩曝光'顯 影後之凹透鏡形狀的光阻膜，與曝光量控制用光罩的關係 之示意圖。 (具體例示2) 按照圖式的實施例’样細的說明本發明之層内透鏡的形 成方法。第1 0圖（1 )〜（4)係本發明層内透鏡的形成方法之 具體例示，以製程表示的斷面圖。 在固體攝像元件的鈍化膜11上全面的形成光阻膜i 4 (第 10圖之（1))。由於利用曝光量控制曝光法使光阻膜14曝 光、痛影’可使被進行圖案成形的光阻膜之形狀形成凹透 鏡形狀（第1 0圖之（2 ))。之後，因氧氣與具堆積性的^奠 之混合氣體而將光阻膜1 4及純化膜11回钱，且將該凹;也:每| 形狀轉移至鈍化膜11(第10圖之（3))。最後，堆積透鏡材^ 膜1〇 (於此為平坦化的膜），以完成層内透鏡U (第10圖 之（4))。 在本實施例中，雖然如第1 〇圖之（4 )所示使純化膜1 1形 成凹透鏡形狀，但也不一定必須是鈍化膜丨丨。即，只要將 其上之平坦化的膜整形成透鏡形狀即可，進而亦可在其上 堆％形成透鏡材膜1 〇的材料，而在該材料上形成透鏡形 狀。在該圖式中，雖然上方的微型透鏡之凸透鏡與下方的 層内透鏡之凹透鏡係形成分離，但亦可連接上下的透鏡， 而形成二個凸透鏡。 575786
案號 901060Μ 五、發明說明（14) 再者，亦可使用光硬化樹脂來 鏡形狀。π，在玻璃基板或塑膠基;=且：明形成透 光硬化樹脂，且利用曝光量控制曝法… $反上堆積 硬化樹脂硬化、整形。 透鏡开，狀及凹透鏡形狀的光 第11及1 2圖係表示對於基板面其 曝光量控制用光罩，盘使用兮朵I s軸為形成水平透鏡的 形狀之示意圖。 使…罩曝光、顯影後的光阻膜 使用上述曝光量控制用朵 透鏡及第1(1円所- It: 利用第7圖所示的微型 :上下層疊，則對基板面其光軸可形成一水平的予 j。另外，亦可形成二凸透鏡、二凹透鏡、凸彎月形透 ^凹、寫'月形透鏡、非球面透鏡、菲度耳透鏡、衍射光栅 寺：^形狀的透鏡。再者，亦可形成對基板面其光軸豆有 任思角度的透鏡。即，首先形成構成透鏡下面 的:^{| 之模型框’接著堆積透鏡材，進㈣成構成透鏡^ 的形狀而完成之。 【發明之效果】
—根據本發明的曝光量控制用光罩，由於可形成更小且緻 密的三維面構造之立體形狀，因此可製造微型線圈、微型 齒輪、微型機械的超精密元件等。 A 再者，亦可製造微型透鏡、反射型液晶顯示裝置、光積 體電路的元件等。例如，於微型透鏡的製造上，由於使用 本發明的曝光量控制用光罩，可高精密度的形成習知加熱 溶化方法中所無法形成之透鏡形狀（例如，對基板面其光… 575786 _案號 90106019_年月日__ 五、發明說明（15) 軸呈水平或傾斜的透鏡），及尺寸較小的透鏡。而且，亦 可省略加熱熔化的製程。 雖然本發明已以上述較佳實施例揭示，然其並非用以限 定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和 範圍内，也可使用其他的方法實施。因此，本說明書中所 記載之最佳實施例只是例示，並不受限定。
C:\Logo-5\Five Continents\PF1112a.ptc 第18頁 575786 案號 90106019 年月日 修正
C:\Logo-5\Five Continents\PF1112a.ptc 第19頁

Claims (1)

  1. 575786 曰 修正 丄 ___案號 9010601Q 年 周 六、申請專利範圍 1、一種曝光量控制用光罩的製造方法，其係包含： 在光罩基板上堆積一遮光膜； S 在該遮光膜上堆積一光阻膜； 對該光阻膜於每一處連續性的控制 而進行照射； 利文夂電子束照射量 顯影對應該電子束照射量之具厚度 構造的光阻膜形狀，·及 子度連‘受化之三维面 將該光阻膜與底層遮光膜材料進 2 膜的形狀轉移至底層遮光膜。 ，且將該光阻 二，曝光量控制用光罩的製造方法，复 J J罩基板上堆積-絕緣性透明材料？係包含： 對該光阻膜於每一卢版上堆積一光卩且腺· 而進行照射； 、 工制改、楚電子束照射量 顯影對應該電子束昭 η 構造的光阻膜形狀了于量之具厚度連續變化之三㈣〜. 將該光阻膜與底層的 該光阻膜的形狀月材料進行回韻，且將 在該、、、巴緣性透明材料的凹 ^透明材料；及 一種曝光量控制用光』 隹積〜遮光膜。 在光罩基板上堆積=製造方法，其係包含： 在該導電性透二f電性透明材料； 在該絕緣性透明材料積-絕緣性透明材料； 對該光阻膜於每一處上堆積一光卩且觀； 處連績性的控制改變電子束照射量 ίί •Ptc C:\Logo-5\Five Continents\PFlli2a 575786 皇號90]_iq 六、申請專利範圍 而進行照射 曰 —修正 顯影對應該電子击B77 構造的光阻膜形狀射量之具厚度連續變化之三維面 將該光阻膜盘底爲 該光阻膜的形狀4移：緣性透明1料進行回蝕，且將 在該絕緣性透明：：：底層的絕緣性透明材料；及 積一遮光膜。才枓的凹槽位置，利用電解鍍金法堆 罩的^ 3 ^圍第1、2或3項所述之曝光量控制用光 其顯影後的光阻膜之形狀係形成傾斜 、依申請專利筋If]楚1 罩的製造方法，i g§、&或3項所述之曝光量控制用光 曲面形狀為其特徵後的光阻膜之形狀係形成凹凸 ί i; i利ϊ，ϊ2或3項所述之曝光量控制用光！的 為其特徵。…^性透明材料係由光硬化樹脂所 、依申請專利範圍第 罩的製造方法，所制、&二項所述之爆光量控制用光 、一種光阻膜的圖案成形方豆=丸罩。 用光罩將光阻膜進彳 ，、π'在使用曝光量控制 請專利範圍第r、=/成形的微影製程中，利用申 、一種微型透鏡的形成方法，其係在“:：:透鏡材
    C:\Logo-5\Five C〇ntinents\PFll!2a ptc 第21頁 光量控制用光罩，控制兮古β :&方法所製造之曝 阻膜形成所要的且：士膜的曝光量，以使該光 575786 AE 901QR019 月 曰 修正 ，且利 形方法 之形狀 鏡材膜 形成方 覆光阻 之圖案 透鏡下 可於形 模型框 用申請專 ，將該光 後，進行 上形成透 法，其係 臈，且利 成形方法 面之形狀 成該模型 的凹槽位 六、申請專利範圍 膜上塗覆光阻膜 光阻膜之圖案成 以形成透鏡上面 ，同時可於該透 1 0、一種微型透鏡的 型框的材料上塗 項所述的光阻膜 案成形，以形成 阻膜除掉，同時 的下面，且在該 成透鏡為其特徵 11、依申請專利範圍 其透鏡材膜係由 1 2、依申請專利範圍 利範圍第8項所述的 阻膜進行圖案成形， 回餘將該光阻膜除掉 鏡為其特徵。 在被平坦化的形成模 用申請專利範圍第8 ’將該光阻膜進行圖 後’進行回银將該光 框的材料上形成透鏡 置堆積透鏡材膜以形 第1 0項所述之微型透鏡的形成方法， 光硬化犁樹脂所構成為其特徵。 第9項所述的形成方法所製造之透鏡 1 3、依申雨專利範圍第1 〇項所述的形成方法所製造之选:滅: 〇 1 4、依申請專利範圍第丨][項所述的形成方法所製造之透鏡 〇 15、依申請專利範圍第i、2或3項所述之微型透鏡的形成 方法，其利用控制電子束之照射強度、照射次數、照 射時間’以連續性的改變電子束照射量。
    C:\Logo-5\Five Continents\PFl112a·ptc
    第22頁
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