CN1429353A - 曝光控制光掩模及其形成方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提出了一种用于在抗蚀层图案上形成三维表面结构的具有一层透射光量从100％至0％连续可控的阻光薄膜的曝光控制光掩模及其形成方法。在衬底3上淀积一层阻光薄膜2，再在阻光薄膜2上涂敷一层感光材料6。然后，用电子束曝光技术对感光材料6进行照射，电子束的照射量按位置改变。接着，执行显影，从而使感光材料形成三维表面结构。然后，在刻蚀过程中，通过对感光材料6和作为基底的阻光薄膜2进行深蚀刻，使这三维表面结构转印到阻光薄膜2上。
Description
技术领域
本发明涉及用于制造诸如微透镜、微机构、微齿轮、光集成电路、反射式液晶显示器、微线圈之类的三维表面结构体的曝光控制光掩模及其形成方法。
技术背景
在形成诸如微线圈之类的三维表面结构体的技术中有一种在例如在日本专利No.3132727中所揭示的光刻技术。这种光刻技术采用了一种能连续控制透射光的光量的曝光控制光掩模。在曝光控制光掩模中有以下一些光掩模。
第一种曝光控制光掩模是在日本专利公报No.27636/1994和No.237625/1999的如图13所示的现有技术中所揭示的通过将阻光薄膜层叠成阶梯形状来控制透射光的光量的掩模。第二种曝光控制光掩模是在日本专利公报No.7115/1997和14725/1993中所揭示的如图14所示的通过用一个有选择地绘制在一个阻光薄膜上的网点图案(或孔)调整阻光区域的数值孔径来控制透射光的光量的掩模。在第三种曝光控制光掩模中，如在日本专利公报No.237625/1999中所揭示的那样制备一个模面具有曲面形凹凸部的转印模(transfer die)，压在一个掩模衬底上的调整透射光量的树脂层上。曲面形凹凸部转印到树脂层上后，通过照射紫外线等使树脂层硬化。第三种曝光控制光掩模是用在树脂层内这样形成的曲面形凹凸部的薄膜厚度控制透射光的光量的掩模。
然而，第一种曝光控制光掩模在表面凹凸部具有阶梯式形状。因此，在制造曝光控制光掩模时，每个步骤都要形成凹凸部分的梯状部分。因此，必须反复地执行涂感光树脂层、曝光和显影的光刻，从而使成本增高。此外，由于表面凹凸部具有阶梯形状，衬底上要照样转印的感光树脂也成为阶梯形状的凹凸部。必须通过将外涂剂涂在感光树脂的表面上再进行烧制来形成一个外涂层，以形成曲面形凹凸部。然而，在涂层和烧制处理中很难控制曲面形状呈凹凸部分的感光树脂层。
在第二种曝光控制光掩模中，透射光的光量取决于网点图案(或孔)的大小。因此，很难控制感光树脂横向尺寸和薄膜厚度。
第三种曝光控制光掩模与第一和第二种曝光控制光掩模相比具有平滑的曲面形凹凸部，因此平滑的曲面形凹凸部也可以转印到感光材料上。
按照日本专利公报No.237625/1999，凸部分的顶部之间的节距大约为曲面形凹凸部的高度的1至100倍，最好为25倍左右。例如，在曲面形凹凸部的高度为1.2微米时，凸部分的顶部之间的节距为30微米左右。用机械加压转印印模的方法很难稳定地形成节距较窄的凹凸形状。
下面将说明传统的形成微透镜的方法。
微透镜设置为像素的固态图像传感元，通过有效地将投射到像素上的光会聚到光接收元上来提高灵敏度。
下面将结合图15(1)至15(4)对传统的形成微透镜的方法进行说明。
在固态图像传感元的钝化膜11上形成的整平薄膜12上淀积一层透镜材料薄膜13。再在整个表面上淀积一层抗蚀膜14(图15(1))。然后，将抗蚀膜14曝光和显影，形成分离的每个像素一个的独立图案。具体地说，执行图案形成，使得每个抗蚀膜14位于一个相应的光接收元15处(图15(2))。接着，通过加热熔化处理(回流)使抗蚀膜14成凸曲面形(凸透镜)。然后，用氧和一种具有淀积特性的气体的混合气体对抗蚀膜14和透镜材料薄膜13进行深蚀刻(etching-back)，将上述凸曲面形状转印到透镜材料薄膜13上，从而形成微透镜16(图15(4))。
图15中所示的其他标注数字和符号说明如下。标注数字15、17、18和19分别标示光接收元、半导体衬底、由多晶体构成的垂直转印电极和由铝构成的阻光薄膜。
在以上传统的形成微透镜的方法中，通过将抗蚀层加热和熔化使抗蚀层形成透镜形状。然而，能形成的透镜形状受加热温度和加热时间的限制，因此很难控制曲面形状的精细凹凸部分。
考虑到现有技术的以上这些问题，本发明的目的是提供这样一种曝光控制光掩模及其形成方法，可以使曝光控制光掩模上的阻光薄膜不接触地形成一个较平滑的弯曲表面形状，而且可以将凸部分的顶部之间的节距设置得较窄。
本发明的另一个目的是提供这样一种形成方法，用上述曝光控制光掩模将透镜形状转印到抗蚀层上后对基底材料与抗蚀层一起进行深蚀刻，使透镜形状转印到基底材料上。
本发明的又一个目的是提供一种用曝光量受上述曝光控制光掩模控制的光对光固化树脂进行照射而形成的透镜及其形成方法。
发明概要
在本发明中，将曝光控制光掩模上的阻光薄膜2的区域形成为如图1和2所示的斜面形状。也就是说，在一个电子束制图设备内，将抗蚀层涂在淀积阻光薄膜的光掩模衬底3上，对抗蚀层执行照射，按位置改变电子束的照射量。此后，执行显影，从而使抗蚀层6形成一个与电子束照射量相应的三维表面结构。此后，在蚀刻过程中，在抗蚀层上形成的三维表面结构转刻到基底材料上，从而使基底材料形成这三维表面结构。
在本发明中，上述三维表面结构不局限于图1和2中所示的斜面形状，而是包括由凹曲面和凸曲面构成的曲面形凹凸部。上述电子束照射量控制可以通过改变电子束的照射强度或者保持照射强度不变而改变照射次数和照射时间来实现。在下面的说明中，将说明形成三维表面结构中曲面形凹凸部的情况，以便使本发明更容易理解。
图1示出了用上述方法制成的曝光控制光掩模(A)的区域，这是一个典型的示意图，示出了入射光1和光在通过曝光控制光掩模后形成的明暗情况4。这里，标注数字2和3分别标示阻光薄膜和玻璃衬底。
图2示出了用与以上形成方法不同的方法形成的曝光控制光掩模(B)的区域，典型地示出了入射光和光在透射后形成的明暗情况。在这种方法中，例如，在诸如透明的有机树脂、氧化物之类的材料5淀积在玻璃衬底3上后再层叠一层抗蚀层。此后，通过上述电子束光刻使抗蚀层形成曲面形凹凸部，再通过转印蚀刻使作为基底座的透明材料5形成曲面形凹凸部。接着，将阻光薄膜材料2淀积在整个面上。此后，用诸如蚀刻或抛光整个表面之类的方法形成具有适当厚度的光掩模。
在图1的曝光控制光掩模(A)内曲面形凹凸部是在阻光薄膜上形成的，而在图2的曝光控制光掩模(B)内曲面形是在透明材料上形成的。有一些方法可以用来淀积阻光薄膜。如果阻光薄膜的材料是有机材料，可以用涂敷和CVD之类的方法，而如果阻光薄膜的材料是诸如铬之类的金属，可以用蒸发、溅射和电镀之类的方法。在用作为一种电镀方法的电解电镀方法淀积诸如铬之类的金属时，在预先将透光的导电金属，例如诸如ITO(铟锡氧化物)之类的透明导电金属，淀积在玻璃衬底上的情况下可以执行封闭电镀。
然后，与图2中的曝光控制光掩模类似，在上述导电金属上形成一层透明的绝缘材料5。此后，执行电解电镀，淀积金属。在电解电镀中，电场的强度按照离电极(ITO)的距离而不同，因此电镀增长的速度也不同。在接近电极(ITO)的位置，即绝缘材料薄的位置，电镀增长速度快。在远离电极(ITO)的位置，即绝缘材料厚的位置，电镀增长速度慢。通过控制电压和电流使得电镀厚度成为适当厚度，可以形成厚度均匀的阻光薄膜。
如果采用本发明的曝光控制光掩模，可以直接用电子束在光固型树脂上制图来形成曲面形凹凸部，从而可以省略在上述抗蚀层上制图的过程。
在用本发明的曝光控制光掩模形成透镜的方法中，用曝光量受控的曝光方法按位置改变曝光量使涂在衬底上的抗蚀薄膜曝光，控制抗蚀层在显影后的薄膜厚度。因此，使抗蚀层形成象曲面形凹凸部那样的透镜形状。
在用本发明的曝光控制光掩模形成透镜的方法中，通过从透明衬底侧或上表面使淀积在透明衬底上的光固化树脂曝光，从而使光固化树脂形成透镜形状。
附图简要说明
图1为示出入射光、曝光控制光掩模(A)和透射光的关系的示意图。
图2为示出入射光、曝光控制光掩模(B)和透射光的关系的示意图。
图3为形成曝光控制光掩模(A)的过程的示意图。
图4为用以透明导电材料作为一个电极的电解电镀方法形成曝光控制光掩模(B)的过程的示意图。
图5为示出曝光控制光掩模、抗蚀层在用这掩模曝光、显影后的形状和透射光的明暗度的关系的示意图。
图6为示出曝光控制光掩模、抗蚀层在用这掩模曝光、显影后的形状和透射光的明暗度的关系的示意图。
图7为按处理次序示出用本发明的曝光控制光掩模形成微透镜的方法的剖视图。
图8为示出曝光控制光掩模和抗蚀层在显影后的凸透镜形状的关系的示意图。
图9为示出曝光控制光掩模和抗蚀层在显影后的凹透镜形状的关系的示意图。
图10为按处理次序示出用本发明的曝光控制光掩模形成层内透镜的方法的剖视图。
图11为示出在形成一个相对衬底表面具有水平光轴的透镜的上半部的情况下曝光控制光掩模和抗蚀层在显影后的形状的关系的示意图。
图12为示出在形成相对衬底表面具有水平光轴的透镜的下半部的情况下曝光控制光掩模和抗蚀层在显影后的形状的关系的示意图。
图13为示出传统的阶梯型掩模的入射光和透射光的关系的示意图。
图14为示出传统的网点图案(或孔)型掩模的入射光和透射光的关系的示意图。
图15为按处理次序示出传统的形成微透镜的方法的剖视图。
本发明的最佳实现方式
下面将按照附图详细说明本发明的实施例。图1示出了曝光控制光掩模(A)的剖视图，而图2示出了曝光控制光掩模(B)的剖视图。
这两个光掩模具有同样的控制透射光量的性能，但是它们的形成方法由于阻光薄膜的材料的不同而不同。在阻光薄膜和抗蚀层的蚀刻率不相上下时，可以构成图1所示的曝光控制光掩模(A)。
然而，在蚀刻率相差很大时，就难以构成曝光控制光掩模(A)。此时，在阻光薄膜和抗蚀层之间配置一个蚀刻率接近阻光薄膜的蚀刻率和抗蚀层的蚀刻率的第三薄膜，通过深蚀刻也可以将形状转印到基底材料上。按照需要，也可以添加第四和第五薄膜。然而，在阻光薄膜与抗蚀层之间配置其他薄膜时，要增强深蚀刻处理，因此处理的精度有所降低。所以，最好是形成性能与曝光控制光掩模(A)相同的图2的曝光控制光掩模(B)。
下面将首先说明在一种具有在玻璃衬底上形成的阻光薄膜的结构内的曝光控制光掩模(A)。
实施例1
实施例1涉及图1所示的曝光控制光掩模(A)及其形成方法。图3(1)至3(5)示意性地示出了形成实施例1的曝光控制光掩模(A)的过程。
在掩模衬底3(图3(1))上淀积一层阻光薄膜2(图3(2))，再在这上面淀积一层抗蚀层6(图3(3))。照射强度按相对抗蚀层6的位置改变，或者将照射强度保持不变而改变照射次数和照射时间。因此，通过控制照射量执行照射，然后执行显影，从而使抗蚀层6形成曲面形凹凸部(图3(4))。接着，将上面的抗蚀层6和基底材料(阻光薄膜)的蚀刻率设置成相同的，再执行深蚀刻，于是将抗蚀层6的曲面形凹凸部转印到基底的阻光薄膜2上(图3(5))。
这里，转印蚀刻是在抗蚀层和基底材料的薄膜厚度设置成相等而蚀刻速率也相同的情况下执行的。然而，不一定要有相同的薄膜厚度和相同的蚀刻速率的这样条件。只要最终能使基底材料形成预定所需的曲面形凹凸部就可以了。
实施例2
在实施例2中将说明图2所示的曝光控制光掩模(B)及其形成方法。
在掩模衬底3上淀积一层诸如氧化膜之类的透明材料5。接着再沉积一层抗蚀层。相对抗蚀层按位置改变照射强度，或者将照射强度保持不变而改变照射次数和照射时间。因此，通过控制照射量执行照射，然后执行显影，使抗蚀层的厚度不同，从而形成曲面形凹凸部。上述抗蚀层和基底绝缘材料的蚀刻率设置成相同的，执行深蚀刻后，使抗蚀层的形状转印到基底绝缘材料5上。在上述绝缘材料上淀积阻光薄膜2后，对阻光薄膜2的整个表面进行蚀刻或抛光，直到得到预定的所需薄膜厚度。
在上述实施例中，也可以通过使掩模衬底本身形成曲面形凹凸部而省略在掩模衬底上淀积诸如氧化膜之类的透明材料的过程。掩模衬底的材料有钠玻璃和石英玻璃。在阻光薄膜的材料中，有诸如铬之类的金属、诸如氧化铬之类的的金属氧化物薄膜和其中散布有诸如染料、色素之类的光吸收材料的树脂(光吸收树脂)。阻光薄膜的材料具有由上述材料构成的单层或多层层叠结构。在淀积铬中，可以用溅射、蒸发、电镀之类的方法，而在淀积树脂中可以用涂敷之类的方法。除上述材料之外，也可以按照曝光中所用的光的波长用其他掩模基底材料和阻光薄膜材料。
下面将结合图4(1)至4(8)说明改变曝光控制掩模(B)的一部分的例子。
图4为形成曝光控制光掩模(B)的过程的示意图，用诸如ITO之类的透明导电材料作为一个电极执行电解电镀，形成弯曲表面的形状。在图4(1)所示的掩模衬底3上淀积一层诸如ITO之类的透明导电材料7(图4(2))，再淀积一层诸如氧化膜之类的透明绝缘薄膜5(图4(3))。然后，淀积一层抗蚀层6(图4(4))。对抗蚀层6执行照射，按位置改变电子束的照射量，执行显影后，使抗蚀层6的厚度不同，从而形成曲面形凹凸部(图4(5))。上述抗蚀层6和基底绝缘材料的蚀刻率设置成相同的，执行深蚀刻后，使抗蚀层6的形状转印到基底绝缘材料5上(图4(6))。将在图4(2)中沉积的透明的导电薄膜7设置为一个电极，用电解电镀方法沉积一层铬之类的金属阻光薄膜材料2(图4(7))，再将整个表面蚀刻或抛光到预定的所需薄膜厚度(图4(8))。如果可以用上述电解电镀方法充分控制电镀生长的薄膜厚度，就可以省略上述对整个表面的蚀刻或抛光过程。
下面将说明形成图2的曝光控制光掩模(B)的方法在改变上述实施例2的过程的一部分(即不用电解电镀)时的情况。
在掩模衬底3上淀积一层诸如氧化膜之类的透明绝缘薄膜5。接着，淀积一层抗蚀层6。对抗蚀层6执行照射，按位置改变电子束的照射量，执行显影后，使抗蚀层6形成曲面形凹凸部。将抗蚀层6和基底绝缘材料的蚀刻率设置成相同的，执行深蚀刻，使抗蚀层6的形状转印蚀刻到基底绝缘材料5上，形成曲面形凹凸部。然后，淀积一层阻光薄膜材料。此后，将阻光薄膜的整个表面蚀刻或抛光到预定的所需薄膜厚度，从而形成了这种光掩模。
在部分改变实施例(2)的过程的形成方法中，在透明的绝缘薄膜用光固化树脂代替氧化膜时，可以用电子束曝光在光固化树脂上直接形成曲面形凹凸部。因此，可以省略对抗蚀层的制图过程和转印蚀刻过程。此外，也可以用激光和离子束在阻光薄膜上直接形成曲面形凹凸部。还有一种方法，用波束将一种元素作为阻光薄膜材料植入衬底来调整浓度。
在本发明的这种实施方式中，曝光控制光掩模不仅可以用于投影曝光设备，而且还可以用于反射型曝光设备的光掩模。也就是说，在这种光掩模中，使反射型镜面掩模衬底上的阻光薄膜形成曲面形凹凸部，从而可以将反射光量控制成与阻光薄膜的薄膜厚度成比例。此外，在曝光设备中所用的光可以是紫外线、近紫外线、X射线、软X射线等。
下面将说明用本发明的曝光控制光掩模形成透镜的情况。
在形成微透镜时，在透镜材料薄膜上形成一层抗蚀膜，再用曝光量控制的曝光方法使这层抗蚀膜曝光，通过显影使抗蚀层成为透镜形状。在这种成形中，有一种将基底材料设置为透镜材料薄膜直接形成透镜形状的方法和一种用基底材料作为印模框架将透镜材料薄膜淀积在这基底材料上的间接形成透镜形状的方法。上述曝光量控制曝光方法是一种通过在使用掩模的曝光设备内按位置改变对抗蚀层的曝光量来控制抗蚀层在显影后的薄膜厚度的方法。
也可以用光固化型树脂代替抗蚀层或透镜材料薄膜。也就是说，在用光固化型树脂代替抗蚀层时，可以通过以曝光量受控的方式直接照射光，使光固化型树脂形成透镜形状。在用光固化型树脂代替透镜材料薄膜时，例如通过将光固化树脂填入透镜形状的框架再用光照射整个表面，使透镜印模框内的光固化树脂形成透镜形状。
下面将结合附图所示的实施例对本发明的形成微透镜的方法进行详细说明。
具体实例1
图7(1)至7(3)为按过程次序示出本发明的形成微透镜的方法的一个实例的剖视图。
在固态图像传感元的钝化膜11上形成的整平薄膜12上淀积一层透镜材料薄膜13。再在整个表面上沉积一层抗蚀膜14(图7(1))。通过用曝光量受控制的曝光方法对抗蚀膜14进行曝光和显影，使抗蚀膜14形成使每个像素分别独立的图案，再使每个像素的形状成为凸透镜形状(图7(2))。此后，用氧和具有淀积特性的气体的混合气体对抗蚀膜14和透镜材料薄膜13进行深蚀刻，从而将上述凸透镜形状转印到透镜材料薄膜13上。
标注数字17、18、19和20分别标示半导体衬底、由多晶体构成的垂直转印电极、由铝构成的阻光薄膜和开口。
图8为示出在用形成凸微透镜的凸透镜曝光量控制光掩模对抗蚀层进行曝光和显影后的具有凸透镜形状的抗蚀层和曝光控制光掩模的关系的示意图。图9为示出在用形成凹微透镜的凹透镜的曝光控制光掩模对抗蚀层进行曝光和显影后的具有凹透镜形状的抗蚀层和曝光控制光掩模的关系的示意图。
具体实例2
下面将结合附图所示的实施例对形成层内透镜(intraformational lens)的方法进行详细说明。图10(1)至10(4)为按过程次序示出形成层内透镜的一个实例的剖视图。
在固态图像传感元的钝化膜11的整个表面上形成抗蚀层14(图10(1))。通过用曝光量控制曝光方法对抗蚀膜14进行曝光和显影使形成图案的抗蚀层的形状成为凹透镜形状(图10(2))。此后，通过用氧和具有淀积特性的气体的混合气体对抗蚀膜14和钝化膜11进行深蚀刻将上述凹曲面形状转印到钝化膜11上(图10(3))。最后通过淀积一层透镜材料薄膜(在这里是一层整平薄膜)完成层内透镜11(图10(4))。
在这个实例中，如图10(4)所示，是使钝化膜11形成凹透镜形状，但不一定要是钝化膜11。也就是说，可以使钝化膜11上的整平薄膜成为透镜形状，可以在整平薄膜上淀积一层材料作为透镜材料薄膜，也可以在这层材料上形成透镜形状。在这个图中，作为上面的微透镜的凸透镜和作为下面的层内透镜的凹透镜是分别形成的，但是这上下两个透镜也可以作为一个双凸透镜连在一起形成。
此外，也可以用光固化树脂代替抗蚀层直接形成透镜形状。也就是说，通过将光固化树脂淀积到诸如玻璃衬底、塑料衬底之类的透明衬底上用曝光控制曝光方法从玻璃衬底侧或上部对光固化树脂进行曝光，使得具有凸透镜形状和凹透镜形状的光固化树脂可以在玻璃衬底上硬化、成形。
图11和12为示出形成相对衬底表面具有水平光轴的透镜的曝光控制光掩模和在抗蚀层用这种掩模进行曝光和显影后的抗蚀层形状的示意图。
可以形成一个相对衬底表面具有水平光轴的平凸透镜，如果这个透镜是用形成图7的微透镜和图10的层内透镜的方法形成和用上述曝光控制光掩模垂直层叠的话。此外，可以形成诸如双凸透镜、双凹透镜、凸弯月形透镜、凹弯月形透镜、消球差透镜、菲涅耳透镜、衍射光栅之类的各种形状的透镜。还可以形成光轴相对衬底表面具有任意角度的透镜。也就是说，首先形成形状如透镜的下表面的印模框，再淀积透镜材料，形成形状如透镜上表面的部分，从而形成这样的透镜。
工业应用
如上所述，用本发明的曝光控制光掩模可以形成具有紧凑的和封闭的三维表面结构的立体形状。因此，可以形成诸如微线圈、微齿轮、微机构之类的超精密的器件。
还可以形成微透镜、反射型液晶显示器、光学集成电路等的器件。例如，在形成微透镜中，可以用本发明的曝光控制光掩模高度精确地形成具有用传统的加热熔化方法不能形成的形状的透镜(例如，相对衬底表面光轴为水平和倾斜的透镜)和尺寸紧凑的透镜。此外，还可以省略加热熔化的处理过程。
Claims (12)
1.一种形成曝光控制光掩模的方法，其特征是所述形成方法包括下列步骤：
在一个掩模衬底上淀积一层阻光薄膜；
在所述阻光薄膜上淀积一层抗蚀层；
用电子束照射所述抗蚀层，电子束的照射量按位置改变；
执行显影，使抗蚀层具有与所述电子束照射量相应的三维表面结构；以及
对所述抗蚀层和作为基底的一层阻光薄膜材料进行深蚀刻，将所述抗蚀层的形状转印到基底阻光薄膜上。
2.一种形成曝光控制光掩模的方法，其特征是所述形成方法包括下列步骤：
在一个掩模衬底上淀积一层透明材料；
在所述透明材料的薄膜上淀积一层抗蚀层；
用电子束照射所述抗蚀层，电子束的照射量按位置改变；
执行显影，使抗蚀层具有与所述电子束照射量相应的三维表面结构；
对所述抗蚀层和作为基底的一层透明绝缘材料进行深蚀刻，将所述抗蚀层的形状转印到基底透明材料上；以及
在所述透明材料的凹槽区域内淀积一层阻光薄膜。
3.一种形成曝光控制光掩模的方法，其特征是所述形成方法包括下列步骤：
在一个掩模衬底上淀积一层导电透明材料；
在所述导电透明材料的薄膜上淀积一层绝缘透明材料；
在所述绝缘透明材料的薄膜上淀积一层抗蚀层；
用电子束照射所述抗蚀层，电子束的照射量按位置改变；
执行显影，使抗蚀层具有与所述电子束照射量相应的三维表面结构；
对所述抗蚀层和作为基底的绝缘透明材料进行深蚀刻，将所述抗蚀层的形状转印到基底绝缘透明材料上；以及
用电解电镀方法在所述绝缘透明材料的凹槽区域内淀积一层阻光薄膜。
4.一种按照权利要求1至3中任何一个权利要求所述的形成曝光控制光掩模的方法，其中所述抗蚀层在显影后的形状是表面倾斜的形状。
5.一种按照权利要求1至3中任何一个权利要求所述的形成曝光控制光掩模的方法，其中所述抗蚀层在显影后的形状是表面凹凸弯曲的形状。
6.一种按照权利要求2或3所述的形成曝光控制光掩模的方法，其中所述绝缘透明材料是光固化树脂。
7.一种曝光控制光掩模，所述曝光控制光掩模用按照权利要求1至6中任何一个权利要求所述的形成方法形成。
8.一种使抗蚀层形成图案的方法，其特征是在用曝光控制光掩模使所述抗蚀层形成图案的光刻过程中通过用按照权利要求1至6中任何一个权利要求所述的形成方法形成的曝光控制光掩模控制所述抗蚀层的曝光量使所述抗蚀层形成具有三维弯曲结构的预定的所需图案。
9.一种形成微透镜的方法，其特征是在一层整平的透镜材料薄膜上涂敷一层抗蚀膜，用按照权利要求8所述的使抗蚀层形成图案的方法使所述抗蚀膜形成呈透镜上表面的形状的图案，然后进行深蚀刻除去所述抗蚀膜，从而同时在所述透镜材料薄膜上形成透镜。
10.一种形成微透镜的方法，其特征是在一层作为整平的印模框的材料上涂敷一层抗蚀膜，用按照权利要求8所述的使抗蚀层形成图案的方法使所述抗蚀膜形成呈透镜下表面的形状的图案，然后进行深蚀刻除去所述抗蚀膜，同时在作为所述印模框的材料上形成透镜的下表面，再通过在所述印模框的凹槽区域内淀积一层透镜材料薄膜形成透镜。
11.一种按照权利要求10所述的形成微透镜的方法，其中所述透镜材料薄膜是光凝固型树脂。
12.一种透镜，所述透镜用按照权利要求9至11中任何一个权利要求所述的形成方法形成。
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| PB01 | Publication | ||
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| C14 | Grant of patent or utility model | ||
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