TW574071B - Mixed metal oxide catalyst - Google Patents

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Sanjay Chaturvedi
Anne Mae Gaffney
Ruozhi Song
Elsie Mae Vickery
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Rohm & Haas
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574071 A7 ---—___B7 ___ 五、發明説明(1 ) 發明範疇 本猞明係關於一種經由蒸氣相催化部分氧化作用使烷類 或烧類及稀類之混合物氧化成其之相對之不飽和羧酸的改 良%媒’及關於此觸媒之製法;及關於使烷類或烷類及烯 類之混合物蒸氣相催化部分氧化成其之相對之不飽和羧酸 的方法。 本發明亦關於一種經由使烷類或烷類及烯類之混合物在 虱之存在下進行蒸氣相催化部分氧化,而製造不飽和腈之 方法。 相關技藝說明 腈,諸如丙烯腈及甲基丙晞腈,在工業上被製造作為用 於农備纖維、合成樹脂、合成橡膠、及其類似物之重要中 間體。製造此種腈之最普遍的方法係使烯烴諸如丙烯或異 丁烯在觸媒之存在下在氣相中在高溫下與氨及氧進行催化 反應。進行此反應之已知觸媒包觸媒、 觸媒、Sb-U-V-Ni-Ο觸媒、Sb-Sn-Ο觸媒、V-SbH〇觸媒 及經由將V-Sb-W-0氧化物及Bl-Ce-M〇-W-0氧化物機械混合 而製得之觸媒。然而,由於在丙烷與丙烯之間或在異丁烷 與異丁烯之間的價格差異,因而將注意力放在發展出一種 經由氨氧化反應而製造丙烯腈或甲基丙烯腈之方法上,疒 此方法中,使用低碳烷,諸如丙烷或異丁烷,作為原料, 及使其與氨及氧在氣相中在觸媒之存在下催化反庳。 尤其’美國專利第5,28 1,745號揭示一種製造不飽和猜之 方法,其包括使烷及氨在氣態中在觸媒之存在下- r1 f遲仃催化 ^紙張尺度適财® ®家標準(CNS) Λ4規格(21G X挪公#) 一 ~ -------- 574071 A7 B7 五、發明説明(2 ) 氧化,其滿足以下之绦件: (1) 混合金屬氧化物觸媒係由以下之實驗式所表示 M〇aVbTecXx〇n 其中X係選自由鈮、鈕、鶴、鈦、鋁、鍅、鉻、錳、鐵、釕 、鈷、铑、鎳、鈀、鉑、録、秘、硼及鈽所組成之群之至 少一元素,及當 a=l 時,b = 0.〇l 至 L〇,c = 0.01 至 10 ’ x二 〇.01 至1 .〇,及η係可滿足金屬元素之總價數的數目;及 (2) 觸媒在其之X-射線繞射圖案中在以下的2Θ角度(土0.3ϋ) 下具有X-射線繞射波峰:22.1°、28.2。、36.2。、45.2°及 50.0° 〇 同樣地’日本公開專利申請案公告第6-228073號揭示一種 腈之製法,其包括使烷在氣相接觸反應中與氨在以下化學 式之混合金屬氧化物觸媒之存在下反應 WaVbTecXx〇n 其中X代表選自鈮、妲、鈦、鋁、锆、鉻、錳、鐵、釕、始 、铑、鎳、鈀 '鉑、銻、鉍、銦及铈之一或多種元素’及 當冴二1 時,b = 0.〇l 至 1〇,〇 = 〇 〇1至1〇,x=0.0 1 至 1.0,及 11 係 由元素之氧化物形態所決定。 美國專利第6,043,185號亦揭示一種有用於經由反應物在 反應區中與觸媒之催化接觸,經由使選自丙烷及異丁烷之 石瑕與分子氡及氨於蒸氣相中之催化反應而製造丙辣腈或 甲基丙烯腈的觸媒,其中觸媒具有以下之實驗式
MoaVbSbcGadXc〇K 其中 X係 As、Te、Se、Nb、Ta、W、丁1、Zr、Cr、Μη、Fe :297公釐) 裝 訂
k -6 - 574071 A7 B7 五、發明説明(3 ) 、Ru、Co、Rh、Ni、Pd、Pt、B、In、Ce、Re、1丨.、Ge、 $ n ^ * 、、P1、驗金屬及驗土金屬之一或多者;及當1 時,b二0·0 至 〇.99,c = 0 〇1至〇 9,d:〇 〇1至〇 5,e二〇 〇至 i 〇 ’及X係由存在陽離子之氧化態所決定。 不飽和緩酸諸如丙烯酸及甲基丙烯酸在工業上係各種合 成樹脂、塗布材料、及塑化劑之重要原料。在商業上,丙 烯酸的目前製法包括以丙烯進料開始的兩步驟催化氧化反 應。在第一階段中,使丙烯在經改質的鉬酸鉍觸媒上轉變 為丙烯醛。在第二階段中,使用主要包含鉬及釩之氧化物 之觸媒將來自第一階段之丙烯酸產物轉變為丙烯酸。在 大多數的情況中,觸媒配方係觸媒供應商所有,但其技術 已經充分建立。此外,有發展出自其之相關之烯製備不飽 和酸之單步驟方法的誘因。因此,先前技藝說明利用錯合 金屬氧化物觸媒於單一步驟中自相關之烯製備不飽和酸的 情況。 歐洲公開專利申請案第〇 63〇 879 B1號揭示一種製造不飽 和醛及缓酸之方法,其包括使丙烯、異丁烯、或第三丁醇 與分子氧在下列成份之存在.下進行氣相催化氧化作用,而 提供相關之不飽和醛及不飽和羧酸:⑴由以下化學式所表 示之觸媒複合氧化物 M〇aBibFecAdBeCtDg〇x 其中A代表Νι及/或Co,㈣表選自Mn、&、〇、心、μ Pb之至少一元素,C代表選自ρ、β、As、Te、w、讣及以之 至少一元素,及D代表選自κ、Rb、〇及丁丨之至少一元素; 本紙張义度適用t國國家標準(CNS) A4規格(210X297公聲__1 574071 五、發明説明(4 及其中當 時,0<bS10,0<C£10,ISdSlO,〇<e<1〇, 一 0及0」g^2’及χ具有視其他元素之氧化態而定十值· 及(U)其本身對該氣相催化氧化實質上為惰性之氣化銷。 曰本公開專利申請案公告第07-053448號揭示在含M〇、v 、Te、〇及χ之混合金屬氧化物之存在下利用丙烯之氣相催 化氧化作用製造丙烯酸,其中X係Nb、Ta、W、Τι、八卜h 、Cr、Μη、Fe、Ru、Co、Rh、Ni、Pd、Pt、Sb、Bi、B、
In、Li、Na、K、Rb、Cs 及 Ce 之至少一者。 公開國際申請案第W〇00/09260號揭示一種用於將丙烯選 擇性氧化成丙烯酸及丙烯醛之觸媒,其包括含以下比之元 素Mo、V、La、Pd、Nb及X之觸媒組合物:
MoaVbLacPddNbeXf 其中X為Cu或Cr或其之混合物, a為1, b為 0.01 至 0.9, c為>〇至〇 2, d為 0.0000001 至 〇 2, 已為〇至0.2,及 f為0至0.2 ;及 其中a、b、c、d、e及f之數值分別代表觸媒中之元素心、v 、La、Pd、Nb及X之相對克屌子比,月. 7兄原十比及兀素係以與氧的組 合存在。 亦存在使用較低成本之丙烷進料製造丙烯酸的商業誘因 口此先如技藝说明使用混合金屬氧化物觸媒於以一步 裝 訂
574071 A7 _______B7 五、發明説明(5 ) 驟將丙’丨完轉變為丙稀酸之情況 美國專利第),3 80,933號揭示一種製造不飽和羧酸之方法 ,其包括使烷在a括含Mo、v、Te、〇及X為基本成份之混 合金屬氣化物之觸媒之存在下進行蒸氣相催化氧化反應, 其中X係選自由銳、妲、鎢、鈦、鋁、锆、鉻、錳、鐵、釕 、鈷、铑、鎳、鈀、鉑、銻、鉍、獨、銦及鈽所組成之群 之至少一元素;及其中各別基本成份以不包括氧之基本成 份之總量計之比例滿足以下關係: 0.25<r(Mo)<0.98,〇.〇〇3<r(V)<0 5,〇 003<r(Te)<〇 5 及 0 003<r(X)<0.5,其中 r(Mo)、Γ(ν)、r(Te)及 r(X)分別係 Mo 、V、Te及X以不包括氧之基本成份之總量計之莫耳比率。 亦參見歐洲申請案第EP 0962253號。 公開國際申請案第WO 00/29 106號揭示一種將丙烷選擇性 氧化成包括丙烯酸、丙烯醛及醋酸之氧化產物之觸媒,該 觸媒系統包括含下列成份之觸媒組合物 MoaVbGacPddNbeXf 其中X係選自La、Te、Ge、Zn、Si、In及W之至少一元素, a為1 ’ b為 0.01 至 0.9, c為 >0至 0.2, d 為 〇.〇〇〇〇〇〇 1 至 〇.2, e為>0至0.2,及 f為.0至0.5 ;及 其中a、b、c、d、e及f之數值分別代表觸媒中之元素Μ 〇 -9 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公釐) 574071 A7 _______B7 五、發明説明(6 ) 、V、Ga、Pd、Nb及X之相對克原子比,及元素係以與氧的 組合存在、 曰本公開專利中請案公告第2〇〇〇-〇37623號揭示一種製造 不飽和羧I之方法,其包括使烷在具有以下實驗式之觸媒 之存在下進行蒸氣相催化氧化作用 MoVaNbbXcZdOn 其中Xi*r、运自由Te及Sb所組成之群之至少一元素,z係選自 由w、Cr、Ta、Tl、Zr、Hf、Mn、Re、FeRuC〇Rh、 犯、Pd、Pt、Ag、Zn、B、A卜 Ga、In、Ge、Sn、pb、p、
Bi、Y、稀土元素及鹼土元素所組成之群之至少一元素, 0.1父1.0 ’ 0.01^^.0 ’ 〇叱⑸〇 ’叱松〇,係由其 他元素之氧化態所決定。 w〇99/)3〕:)7中說明使用沈積技術於形成觸媒之一例子, 其中將Pt-Mo合金沈積在使用作為陽極觸媒之碳擔體上。 / s有以上指出之提供將烷類氧化為不飽和羧酸及將烷 類虱乳化為不飽和腈之新穎及改良觸媒的嘗試,但提供此 種催化氧化之商業可行方法的-項阻礙為要確認出提供適 當轉化率及適當選擇性之觸媒,因而提供不飽和產物之足 夠產率。 發明概要 ^本&明,提供經由將包含混合金屬氧化物之觸媒摻 濰金屬或金屬之組合,而增進性能的觸媒。 ^因此,在第一態樣中,本發明提供一種改良觸媒之性能 士 勺方法,此方法包括··提供包括具有以下實驗式之混 10- A4規格(210X297公釐) 574071 A7 B7 五、發明説明(7 ) 合金屬氧化物之觸媒 A a D b E c X J 〇。· 其中Afe選自由m〇及w所組成之群之至少一元素,d係選自 由V及Ce所組成之群之至少一元素,e係選自由Te、Sb及Se 所組成之群之至少一元素,及選自由丁6及讣所組成之群更 佳’及 X係選自由 Nb、Ta、Ti、A1、Zr、Cr、Mn、Fe、Ru 、Co、Rh、Ni、Pt、Sb、Bi、B、In、As、Ge、Sn、Li、
Na、K、Rb、Cs、Fr、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Ra、Hf、Pb 、P、Pm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及 Lu所組成之 群之至少一元素;及a=l,b=O.O 1至1.0,do 1至1 〇, d二0.01至l.o ’及e係視其他元素之氧化態而定;及於該觸媒 上蒸氣沈積用於改良觸媒性能之至少一摻雜劑金屬。 在第一恶樣中,本發明提供一種製造不飽和羧酸之方法 ,其包括使烷或烷及烯之混合物在利用本發明之第一態樣 之方法製得之觸媒之存在下進行蒸氣相催化部分氧化反應。 在第二態樣中,本發明提供一種製造不飽和腈之方法, 其包括使烧或:!:完及烯之混合物、及氨在利用本發明之第一 I k之方法‘彳于之觸媒之存在下進行蒸氣相催化部分氣化 反應。 在本發明之第四態樣中’本發明提供一種製備觸媒之方 法,包括·· a)依序蒸氣沈積複數個薄膜,各薄膜包含元素A、D、£及 X之至少一者’而形成A、D、£及乂之複合物,其中A係選 自由及W所組成之群之至少一元素,[^係選自由v及〇所
574071 A7 B7
五、發明説明(8 ) 殂成之群之至少一元素’ E係選自由丁6、讣及心所級 之至少一元素,及X係選自由Nb、Ta、Tl、AI、&/之部
Mn、Fe、Ru、C0、Rh、Nl、Pt、Sb、Bl、B、ln/A 、Sn、Ll、m cs、Fr、Be、Mg、Ca、心二
Ra、Hf、Ag、Pb、P、Pm、Eu、Gd、Dy、H〇、&、t:
Yb及Lu所組成之群之至少一元素;及 卬 b)將該複數個薄膜煅燒形成包括具有基礎組合物實驗式 AaDbEeXd〇e之混合金屬氧化物之觸媒,其中A、D、E及 如先前所定義,0為氧,及當a=1時,b=〇 〇1至丨〇,。 至1.0,d=0.01至1.0,及€係視該其他元素之氧化態而定。 在第五態樣中,本發明提供一種製備觸媒之方法,包括: 依序蒸氣沈積複數個薄膜,各薄膜包含元素M〇、v、灿 及X之至少一者,而形成&1〇、V、灿及乂之複合物,其中X 係廷自由 Ta、Ti、Al、zr、cr、Mn、Fe、Ru、Co、Rh、Nl
Pt、B、In、Ce、As、Ge、Sn、Li、Na、K、Rb、Cs、Fr 、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Hf、Pb、P、pm、Eu、Gd、Dy 、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Au、Ag、Re、Pr、Zn、Ga、Pd h Nd、Y、Sm、Tb、Cu及Sc所組成之群之至少一元素 ;及 不 般燒該複合物而形成觸媒。 在第六態樣中,本發明提供一種製備觸媒之方法,其包 括下列步驟: ' 依序蒸氣沈積複數個薄膜,各薄膜包含元素M〇、 及X之至少一者,而形成Mo、v、Te及X!之複合物,其中 -12 - 本紙張尺度適用中㈣家標準(CNS) Μ規格(210X297公《) ' --------- ^〇7i
574071 A7 B7 五、發明説明(1〇 ) 現吏明確地詳細參照本發明之第一態樣,經由利用沈積 將金屬柊雜劑引入至觸媒中而製備得改良的觸媒。如文中 所論述,經由使用選自化學蒸氣沈積或物理沈積之沈積技 術而完成沈積步驟。熟悉技藝人士當明暸許多,例如在大 氣塵力或低壓下之化學蒸氣沈積的慣用方法係使用雷射、 電漿輔助、化學蒸氣滲入、光化學蒸氣沈積、金屬_有機化 學蒸氣沈積、化學光束磊晶術或其類似技術。同樣地,熟 悉技藝人士當知曉在物理蒸氣沈積之技術之中使用錢鍍' 分子束磊晶、真空蒸發技術或其類似技術。其他同樣可使 用的適當沈積技術包括,例如,噴塗、電鍍、電化學沈積 或其類似技術。 應明瞭依照論述於此之本發明之較佳態樣,觸媒或觸媒 先質係於其之製備之後摻雜。然而,亦於本發明之範圍内 考慮利用或不利用適當的摻雜劑製備全部的觸媒或觸媒先 質’且經由化學沈積、物理沈積或另一沈積技術而將其沈 積於適當的擔體上。此可經由在沈積之前或沈積之中混合 成份而完成。其亦可經由使用沈積技術建立複數個相同或 不同組合物之層而完成。 根據本發明之製備觸媒的一特佳方法包括先製備觸媒或 觸媒先質’隨後再經由根據本發明沈積(經由使用濺鍍更佳) 而摻雑較佳摻雜劑,其將更詳細說明於文中。
Pd-Au合金、Ga、 、Sm、Tb、In、Βι 待佺具體實施例中 當使用時’摻雜劑係選自由Pd、Au、
Cu、Ag、N丨、Zn、pr、Re、[r、Nd、Y 及Se或其混合物所組成之群較佳。在一 -14 - 574071 A7 B7 五、發明説明(11 ) ""一""~" 一* 杈祧刎係選自由Pd、Pd-AU合金及其混合物所組成之群。 一特佳的Pd-Ati合金包括比例為1:5至5:丨的金及鈀,及丨:1更 佳° 在苐一步驟中,可經由將金屬化合物(其之至少一者包含 乳較佳),及至少一溶劑,以適當量混合形成混合物,其可 為料名、溶液或其之組合,而形成觸媒先質混合物。然後 將液體移除,及將先質混合物煅燒。 更明確言之,如所說明,雖然可形成料漿,但在此觸媒 哀備k #又形成先貝浴液較佳。一般而言,溶液中之金屬化 合物將包含如先前所定義之元素A、D、e、X、及〇。 先貝〉谷液之適當溶劑包括水;醇包括,但不限於,甲醇 、乙酵、丙醇、及二元醇等等;以及其他技藝中已知之極 性溶劑。一般而言’水為較佳。水係任何適用於化學合成 的水’其包括,但不限於,蒸餾水及去離子水。水的存在 量係足以使元素維持溶液夠長的時間,而可實質上地避免 或使在製備步驟中之組成及/或相凝析減至最小的量較佳。 因此’水之量將根據結合物料的量及溶解度而異。雖然可 使用較低濃度的水於形成料漿,但如前所述,水之量係足 以確保在混合時形成水溶液較佳。 舉例來說,當要製備化學式M〇aVbTeeNbd〇e之混合金屬氧 化物時(其中元素A為Mo,元素D為V,元素E為Te,及元素 X為Nb),將草酸鈮之水溶液及七鉬酸銨、偏釩酸銨及棒酸 之水溶液或料漿混合,以致各別金屬元素之原子比將係在 所指定的比例内。
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本紙張尺度適财關家料(CNS) A4規格(210 x 297公釐) 574071 A7 B7 ) 五、發明説明(12 旦生成所得之經處理混合物,則利用技藝中已知用於 形成觸媒先質之任何適當方法將其令之液體移除。此種方 ^ ^但不限於,真空乾燥、冷凍乾燥、喷霧乾燥、旋 轉…、μ及工氣乾燥。真空乾燥一般係在自1 〇毫米汞柱至 米Κ柱之範圍内的壓力下進行。冷凍乾燥典型上伴隨利 。例如液恶氮,將料漿或溶液冷凍,及將經冷凍料漿 或,合液在真空中乾燥。噴霧乾燥-般係在惰性大氣諸如氮 或氬中,利用自125tj20〇k入口溫度及自 之出口酿度進行。旋轉蒸發一般係在自25π至9〇它之浴溫 及自1()毫米汞柱至76G毫米汞柱之壓力下進行,以在自40t 至9〇t之浴溫及自10毫米汞柱至35〇毫米汞柱之壓力下較佳 ,在自4(TC至6(TC之浴溫及自1〇毫米汞柱至4〇毫米汞柱之 壓力下更佳。空氣乾燥可在自25〇c至卯艺之溫度下進行。 旋轉蒸發或空氣乾燥一般為較佳。 一旦製得,則將生成之觸媒先質煅燒。煅燒可在含氧大 乳或在貫質上不存在氧,例如,在惰性大氣或在真空中進 仃。惰性大氣可為實質上為惰性,即不與觸媒先質反應或 乂互作用的任何材料。適當的例子包括,但不限於,氮、 氬、a、氦或其混合物。惰性大氣為氬或氮較佳。惰性大 氣可於觸媒先質之表面上流動,或可不於其上流動(靜態環 境)。當惰性大氣於觸媒先質之表面上流動時,流率可在寬 廣的範圍内變化,例如’在自1至500/小時之空間速度下。 般燒通常係在自35CTC至850 t之溫度下進行,以自400°c 至700 C奴佳’自500 c至640 :’C更佳…煅燒係經進行適合於 -16 - 本紙張尺度適用肀國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) J/4U71
形成前述觸媒的车 旦 小時,、里典型上,般燒係經進行自0.5至3C 白 至2 5小時龄社 , 望的摻雜混合金屬氧化物 以小時更佳,而製得期 - = 先質係分兩階段锻燒。在第 至4〇〇t之、、=^在氧化環蝴如㈣中在自听 時較佳;U| 275^325tl15分鐘至8小 〇 J、—更佳。在第二階段中’將來自第一階 之材料在非氧化環境(例如,惰性大氣,諸如氬)令在自 八立至7〇〇h溫度下,以自別。C至650t車交佳,煅燒15 刀知至8小時,以自1至3小時較佳。視需要可在第二階段锻 k中加入還原氣體,諸如,比方說,氨或氫。 在锊佳操作模式中,將第一階段中之觸媒先質在室溫 下置於期王的氧化大氣中,然後再提高至第一階段烺燒溫 度,並於該溫度下維持期望的第一階段烺燒時間。然後對 第一 ^又煅燒以期望的非氧化大氣取代大氣,將溫度提高 至期望的第二階段煅燒溫度,並於該溫度下維持期望的第 二階段煅燒時間。 雖然在緞燒過程中可利用任何類型的加熱機構,例如, 爐,但在指定氣態環境之流動下進行煅燒較佳。因此,可 在具有期望氣體連續流動通過固態觸媒先質顆粒之床的床 中有利地進行煅燒。 藉由煅燒,生成具有化學式AaDbEeXd〇e之觸媒,其中A、 D、E、X、〇、a、b、c、d及e係如先前所定義。 雖然可在煅燒之前或之t加入本發明之摻雜劑’但其係 -17-
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本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(21〇Χ 297公黄) 574071 五、發明説明(η ) 於版燒之咬加入輕 他方式將㈣劑两二加入係經由引入原子通量,或以其 媒接觸而進行。Γ 分割,及使所得之源物料與觸 雜劑引入至觸媒具體實施例中,經由賴將捧 。因此,考岸”其中之崎係包括前述之推雜劑 反广•用)之…多個步驟中將整體量(即足供商業規模 汉L用)之斶媒或觸媒八士 0 ^ ^ . /、貝此ΰ物衣入至濺鍍塗布機之室中
錢錢塗布機亦蔣6 A 、匕括έ #雜劑之濺鍍靶。將室抽直介 然後再利用適當的搞Α 打至柚具工, ^ ^ §的工作氣體(例如,惰性氣體諸如氬) 填充至適當壓力f你I上 . ’ (例如’㈣3⑻毫托爾(ΠΠ11_))較佳。施 加適當刺激足夠的時間,將 允 ^ ^ 1以形成%漿或以其他方式將所產 之m體離子加速至相反偏壓的濺料中。比方,兒, 刺激可為電流(例如,10至8〇毫安培)。錢鍛之時間可自數秒 直至數分鐘(例如,對左^ s . A . +母6至1〇克之觸媒或觸媒先質混合物 至少1 〇秒’及約20秒至約〗办、# /土、、 > 主、力120#更佳)。視需要可重複此程 序,直至獲得期望量或觸媒性能為止。 、上之、二杉4 μ σ金屬氧化物的原料並不限於前述原料 。可使用範圍寬廣的材料,其包括,例如,氧化物、硝酸 鹽、鹵化物或氧鹵化物、栌今% ^七 W 坟氧化物、乙醯丙酮鹽、及有機 金屬化合物。舉例來說,可利用七銷酸録作為觸媒中之翻 的來源。然而,亦可利用諸如Mo〇3、M〇〇2、心α、
MoOCU、McHOC^5)5、乙醯丙酮鉬、磷鉬酸及矽鉬酸之化 合物,以替代七銷酸錢。同樣地,可利用偏叙酸録作為觸 媒中之釩的來源。然而,亦可利用諸如v,〇5 ' v,〇、、 νοα;、να4、v〇(OC2h5),、乙酿丙_飢及乙酿丙鋼銳酸 -18 - 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 574071 A7 B7 五 、發明説明(π 酯之化合物,以替代偏釩酸銨。碲源可包括碲酸、TeCI4、 T e (0 C 2 Η,)、、τ e (0 C H (C Η 3) 2) 4及T e〇2。銳源可包括草酸錄 妮、Nha、NbCi5、鈮酸或Nb(〇C2H5h以及更習知的草酸 說° 如所論述,但不具限制性’較佳處理源之例子包括鈀或 金-免合金’其係設置為濺鍍靶α較佳的金_鈀合金包括比例 為1:)至5:1之金及鈀,及1:1更佳。可使用其他的金屬,諸 如 Ga、Cu、Ag、Ni、Zn、Pr、Re、!r、Nd、Υ、Sm、Tb、 h、Bi、及Se或其之混合物,其限制條件為此金屬可以濺 鍍靶提供。 如此製得之經摻雜混合金屬氧化物的本身展現優異的催 化活性。然而,可經由在濺鍍之前、之中或之後研磨,而 將混合金屬氧化物轉變為具較高活性之觸媒。關於研磨方 法並然特殊之限制,而可使用習知之方法。關於乾式研磨 方法,例如,可提及使用氣流研磨機之方法,其中使粗顆 粒於供研磨用之高速氣流中彼此碰撞。研磨不僅可以機械 方式進行,在小規模操作的情況中,其亦可經由使用研缽 或其類似物而進行。 關於經由將水或有機溶劑加至以上之混合金屬氧化物而 於濕式狀態中進行研磨的濕式研磨方法,可提及使用旋轉 圓筒型介質磨或介質攪拌型磨之習知方法。旋轉圓筒型介 質磨係使待研磨物體之容器旋轉之類型的濕式磨,且其包 括,例如,球磨及棒磨。介質攪拌型磨係利用攪拌裝置攪 摔包含於容器中之待研磨物體之類型的濕式磨,且其包括 -19 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公爱) 五、發明説明(16 如,旋轉螺桿型磨、及旋轉碟型磨。 化I:生磨:條:適當地設定成符合前述經換雜昆合金观氧 度等箄:式研磨之情況中使用之溶劑之黏度、濃 媒::::置之最適條件。然而’進行研磨直至經 多5物件 顆粒大小通常係至多20微米較佳,至 …。可由於此種研磨而發生催化性能的改良。 之觸二Ϊ 一些情況中,可經由進-步將溶劑加至經研磨 改=先貝以形成溶液或料裝,隨後再次乾燥,而進-步 \化活性。對於溶液或料漿之濃度並無特殊之限制, 溶液或料聚’以致經研磨觸媒先質化 自1G至崎量百纽。然後制諸如喷霧乾 1床乾燥、蒸發至乾或真空乾燥之方法將此溶液或料 :乾無’以利用喷霧乾燥方法較佳。此外,在進 磨的情況中’亦可進行類似的乾燥。 …、 可將利用前述方法製得之氧化物使用作為最終觸蛘,作 可使其進行進—步的熱處理’通常係在自200。至·。c之溫 度下自0. 1至10小時。 m 可將生成之混合金屬氧化物的本身使用作為固體觸媒。 亦可根據技藝中揭示之技術’利用適當的載體,將1形成 為觸媒。此外’可視反應器之規模或系統,使用技藝中揭 示之技術將其加工成為適當的形狀或顆粒大小。 現更明確地詳細提及本發明之第二態樣,本發明提供一 種製造不飽和幾酸之方法,其包括錢、或炫及稀之昆合 物(「炫/缔」)在含有以上之經梅雜混合金屬氧化物之觸媒 -20- 574071 A7 B7 的存在下進忭洛氣相催化氧化反應,而產生不飽和羧酸。 /土此一不飽和羧酸之製造中叫吏用包含蒸氣之原料氣體 車乂佳。在此一情況中,通常使用包括含蒸氣之烷、或含蒗 氣之烷及烯之混合物、及含氧氣體之氣體混合物作為供給 至反C不施之原料氣體。然而,可將含蒸氣之烷、或含蒸 氣之烷及烯之混合物、及含氧氣體交替供給至反應系統。 所使用之蒸氣可於反應系統中以蒸氣氣體的形式存在,且 其之引入方式並無特殊之限制。 此外,可供給惰性氣體諸如氮、氬或氦作為稀釋氣體。 原料氣中之莫耳比(燒或院及婦之混合物):(氧):(稀釋 氣體)··(H2〇)係(i) : (0丨至⑺):(〇至2〇) : (〇 2至7〇)較佳, (1) · (1 至 5.0) : (〇 至 1〇) : (5 至 4〇)更佳。 备將洛氣與烷、或烷及烯之混合物一起供給作為原料氣 體時’對不飽和羧酸之選擇性明顯地改良’且可僅僅經由 於一階段中接觸,而以良好產率自烷、或烷及烯之混合物 製得不飽和羧酸。然而,習知之技術係利用稀釋氣體諸如 氮、氬或氦於稀釋原料。關於此一稀釋氣體,為調整空間 速度、氧分壓及蒸氣分壓,可將惰性氣體諸如氮、氬或氦 與蒸氣一起使用。 關於原料烷,使用C3_8烷較佳,尤其係丙烷、異丁烷或正 丁烧’丙現或異丁烧更佳;丙烧最佳。根據本發明,可以 良好的產率自此一烷製得不飽和羧酸諸如卢-不飽和羧酸 。舉例來說’當將丙烷或異丁烷使用作為原料烷時,將分 別以良好的產率製得丙烯酸或甲基丙烯酸。 -21 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公釐)
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線 574071 A7 一 —________B7 五、發明説明(18 ) 在本發明’使用烷及C3_x烯之混合物,尤其係丙烷及 丙烯、異丁炫及異丁烯或正丁烷及正丁烯之混合物作為烷 及烯之原料混合物較佳。關於烷及烯之原料混合物,丙烷 及丙烯或異丁烧及異丁烯更佳。丙烷及丙烯之混合物最佳 。根據本發明’可以良好的產率自此一烧及烯之混合物製 得不飽和羧酸諸如α,/?-不飽和羧酸。舉例來說,當將丙烧 及丙烯或異丁炫及異丁烯使用作為烷及烯之原料混合物時 ,將分別以良好的產率製得丙烯酸或甲基丙烯酸。在烷及 烯之混合物中’烯係以至少0.5重量百分比之量存在較佳, 至少1.0重量名分比至95重量百分比更佳;3重量百分比至 90重量百分比最佳。 或者’亦可將會在反應條件下脫水形成其之相對烯(即異 丁烯)之烷醇,諸如異丁醇,使用作為本方法之進料,或可 將其與先前提及之進料氣流結合。 原料烷之純度並無特殊之限制,且可使用包含低碟燒諸 如甲烧或乙烧、空氣或一氧化碳為不純物之烧’而不合有 任何特殊的問題。此外,原料烷可為各種烷之混合物。同 樣地,:):完及稀之原料混合物之純度並無特殊之限制,
J 使用包含低碳烯諸如乙烯、低碳烷諸如甲烷或乙烧、空氣 或二氧化碳為不純物之烷及烯之混合物,而不會有任何才士 殊的問題。此外,烷及烯之原料混合物可為各種院及歸之 混合物。 對於烯之來源並無限制。可購得其之本身,或其與综及/ 或其他不純物之混合物。或者,其可以烷氧化作用之 -22- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公釐) 彡、發明説明(19 ) 物製得。同樣地’對於炫之來源並無限制。可瞒得其之本 :’或其與烯及/或其他不純物之混合物。此外,視須要可 知不宫來源為何之烷與不管來源為何之烯摻混。 並不清楚明瞭本發明之氧化反應的詳細機構,但氧化反 應係藉由存在於以上混合金屬氧化物中之氧原子或存在於 進料氣體中之分子氧進行。為將分子氧加入至進料氣體中 ’此種分子氧可域氧氣。#而’由於並不特別需要純度 因而使用含氧氣體諸如空氣通常更為經濟。 對蒸氣相催化反應,亦可實質上在不存在分子氧之下’ 僅使用烷、或烷及烯之混合物。在此一情況中用有時 適當地將一部分之觸媒自反應區取出,然後送至氧化再生 器,將其再生,然後再送回至反應區供再利用之方法較佳 。關於觸媒之再生方法,可提及’例如,包括在再生器中 ’通常在自300。至600t之溫度下,使氧化氣體諸如氧、空 氣或一氧化氮與觸媒接觸之方法。 將對使用丙烧作為原料烷及使用空氣作為氧源之情況, 再更詳細地說明本發明之第二態樣。反應系統可為固定床 系、'充車又佳。供給至反應系統之空氣的比例對於生成之丙稀 酸的選擇性相當重要’且其對每莫耳之丙烷通常係至多?_5 莫耳’以自0.2至18莫耳較佳’由此可以高選擇性製得丙稀 酸。此反應通常可在大氣壓力下進行,但亦可在稱高壓力 或稍低壓力下進行。關於其他的烷諸如異丁晚,咬炫及缚 之混合物諸如丙烷及丙烯,可根據丙烷之條件而還擇進料 氣體之組合物。
本紙張又度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 574071 五、發明説明(2〇) 在實行本發明時,可利用將丙 70 4吳丁烷軋化成丙烯酸 或曱基丙烯酸的典型反應條件。 π 一、此方法可以單程模式(僅將 新野進料供給至反應器),或 σ ’及以再循裱模式(將至少一部分之 反應杰流出物送回至反應器)實行。 丁 本發明之方法的一般條 件係如下:反應溫度可自200t:變化 l又化至70〇 C,但其通常係 在自200C至550C之範圍内, 囷网2)〇C至48(TC更佳,3〇〇t至 400 C最佳,蒸氣相反應中之氧^ 心丁心乳肢空間連度SV通常係在自 ⑽至从_/小時之範圍内,以3⑻至6_小時較佳遍 至2,_/小時更佳;與觸媒之平均接觸時間可自ΰ〇ι錢秒 以上,但通常係在自〇 i至10粆 王W杉之靶圍内,以自0.2至6秒較 佳;反應區中之壓力通常係自0至75 psig,但以不多於5〇 pslg較佳。在單程模式方法中’自含氧氣體諸如空氣供哈氧 較佳。單程模式方法亦可利用氧添加而實行。在實料 環模式方法時,氧氣之本身對於避免在反應區中之惰 體的累積為較佳來源。 * ,當然丨在本發明之氧化反應中,應將進料氣體中之烴及 氧濃度維持於適當值下,以減小或避免在反應區内,^尤 其係在反應器區之出口成為可燃狀態。一般而言,出口 = 濃度低,而可使後燃燒減至最小,及尤其係在再 = 俱式中,使再循環氣態流出物流中之氧的量減至 % 1、較佳 。此外,在低溫(低於45(TC)下的反應操作由於後機繞較不 成問題而極具吸弓丨力,其可對期望產物達到較高之 ;本發明之觸媒在記述於上之較低溫度範圍下更 1C , 从半地 徕作,而顯著地降低醋酸及碳氧化物之生成,及提高對丙
574071 A7 B7 五 發明説明( 21 烯酸之選擇性。可使用惰性氣體諸如氮、氬或氦,作為用 於調签空間速度及氧分壓之稀釋氣體。 田利用本發明之方法進行丙烧之氧化反應,及尤其係丙 院及丙烯之氧化反應時’除了丙烯酸之外,尚會產生一氧 化私、二氧化碳、醋酸等等為副產物。此外,在本發明之 方法中有k會視反應條件而生成不飽和g筌。舉例來說, 當原料混合物中存在丙烷時,會生成丙烯醛;及當原料混 δ物中存在兴丁烧時’會生成甲基丙烤酸。在此一情況中 ’可經由使此一不飽和醛再次與本發明之含經摻雜之混合 金屬氧化物之觸媒進行蒸氣相催化氧化作用,或經由使其 與不飽和盤之習知之氧化反應觸媒進行蒸氣相催化氧化反 應’而將其轉變為期望的不飽和叛酸。 現更明確地詳細提及本發明之第三態樣,本發明之方法 包括使烧或烧及婦之混合物與氨在含有以上混合金屬氧化 物之觸媒之存在下進行蒸氣相催化氧化反應,而產生不飽 和腈。 在此一不飽和腈之製造中,關於原料烷,使用C3_8烷諸如 丙炫、丁烧、異丁烷、戊烷、己烷及庚烷較佳。然而,鑑 於製得之腈的工業應用’使用具3或4個碳原子之低碳烷較 佳,尤其係丙烷及異丁烷。 同樣地,關於烷及烯之原料混合物’使用Cw烷及C3_s烯 之混合物,諸如丙烷及丙烯、丁烷及丁烯、異丁烷及異丁 烯、戊烷及戊烯、己烷及己烯、及庚烷及庚烯較佳。然而 ,鑑於製得之睛的工業應用,使用具3或4個碳原子之低碳 -25- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 574071 A7 B7 五、發明説明(22 ) - 烷及具J或4個碜原子之低碳烯之混合物更佳,尤其係丙烷 及丙烯或異丁烷及異丁烯。在烷及烯之混合物中,烯係以 至^ 0」重5百分比之量存在較佳’至少1.0重量百分比至95 重里百分比更佳’ 3重量百分比至90重量百分比最佳。 原料烷之純度並無特殊之限制,且可使用包含低碳烷諸 ^ 院 二氣或一氧化碳為不純物之烧,而不會有 任何特殊的問題。此外,原料垸可為各種院之混合物。同 樣地烷及烯之原料混合物之純度並無特殊之限制,且可 使用包含低碳烤諸如乙烤、低碳烧諸如甲烧或乙炫、空氣 或一氧化碳為不純物之烷及烯之混合物,而不會有任何特 殊的問題。此外,烧及稀之原料混合物可為各種烧及婦之 混合物。 、對於烤之來源並無限制。可購得其之本身,或其與烧及/ 或其他不純物之混合物。或者,其可以炫氧化作用之副產 物製得。同樣地,·對於烧之來源並無限制。可講得其之本 身,或其與烯及/或其他不純物之混合物。此外,視須要可 將不管來源為何之烷與不管來源為何之烯摻混。 並不清楚明瞭本發明之此態樣之氨氧化反應的詳細機構 然而,氧化反應係藉由存在於以上之經摻雜混合金屬氧 化物中之氧原子或進料氣體中之分子氧進行。當將分子氧 加入至進料氣體中時,氧可為純氧氣。然而,由於並不需 要咼純度,因而使用含氧氣體諸如空氣通常較經濟。 關於進料氣Μ,可使用包含烷、或烷及烯之混合物、氨 及含乳氣體之氣體混合物。然而,可交替供給包含烷或烷 -26- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公聲) 574071 A7 B7 23 五、發明説明( 及稀之混合物及氨、及含氧氣體之氣體混合物。 當使用烷、或烷及烯之混合物、及實質上不含分子氧之 氨作為進料氣體而進行氣相催化反應時,最好使用定期取 出一部分之觸媒,並將其送至氧化再生器進行再生,及將 再生觸媒送回至反應區之方法。關於觸媒之再生方法,可 提及使氧化氣體諸如氧、空氣或一氧化氮在再生器中,通 常在自300°C至6001之溫度下流過觸媒之方法。 將對使用丙烷作為原料烷及使用空氣作為氧源之情況, 更詳細地說明本發明之第三態樣。供給至反應之空氣的比 例對於生成之丙婦腈的選擇性相當重要。換言之,當對每 莫耳之丙烷供給在至多25莫耳之範圍内,尤其係1至15莫耳 之空氣時,對丙烯腈得到高選擇性。對反應所供給之氨的 比例係對每莫耳之丙烷在自〇2至5莫耳之範圍内較佳,尤 其係自0.5至3莫耳。此反應通常可在大氣壓力下進行,但 亦可在稍问壓力或稍低壓力下進行。關於其他的烷諸如異 丁烷,或烷及烯之混合物諸如丙烷及丙烯,可根據丙烷之 條件而選擇進料氣體之組合物。 本發明之第三態樣的方法可在例如,自25〇t至48〇。〇之 溫度下進行。溫度係自辑至幫更佳。氣相反應中之 氣體空間速度sv通常係在自刚幻⑼⑽/小時之範圍内, 以目300至6,〇〇〇/小時較佳’自3〇〇至2,⑼〇/小時更佳。可使 用惰性氣體諸如氮、氬或氦,作為用於調整空間速度及氧 分壓之_氣體。#利用本發明之方法進行丙淀之氨氣化 作用時’丨余了丙稀晴之外’尚會生成一氣化唆 '二氣化暖
本紙張尺度遇用中_家標準(CNS) A4規格(210 X 裝 訂 27 - 574071 24 五、發明説明( 、乙睛、氫氰酸及丙烯醛為副產物。 現更明確料細提及本發明之“㈣’如先前所論述 ’可利用沈積技術諸如化學蒸氣沈積、物理蒸氣沈積或其 技術選擇性地生成觸媒或觸媒先質,然後再視需要根 據前述之摻雜而摻雜。將觸媒或觸媒先質之成份於適當的 擔體表面上逐層沈積為各別成份之薄膜較佳。其後將生成 之材料煅燒或以其他方式處理。 關於本發明之以上之第_至第三較佳態樣而說明的混合 金屬氧化物可透過目前的沈積技術而方便地製備得。在另 一甚佳具體實施例中,較佳的生成氧化物材料係以M〇-V-Nb-X之氧化物為主,其中χ係選自由Ta、^、μ、△、& 、Μη、Fe、Ru、Co、Rh、Νι、pt、B、^、以、μ、^、 Sn、U、Na、K、Rb' Cs、Fr、Be、Mg、ca、sr、Β&、耵 、Pb、P、Pm、Eu、Gd、Dy、H〇、&、Tm、^、Lu、Au 、Ag、Re、Pr、Zn、Ga、pd、Ir、Nd、γ、&、几、&及 Sc所組成之群之至少一元素。另一較佳的生成氧化物材料 係經定義為以Mo-V-Te_Xi之氧化物為主’其中^係選自由
Sc Y La Re、Ir、Cu、Ag、Au、Zn、Ga、Si、Ge、As 、Pb、S、Se、Sn及出所組成之群之至少一元素。 然後將生成的觸媒或觸媒先質使用於前述之烷或烷及烯 之混合物之蒸氣相催化氧化成其之相對不飽和缓酸的方法 中,或經由錢或院及稀之混合物在氨之存在下進行蒸氣 相催化氧化作用而製造不飽和腈。 如由以下的實施例所說明,本發明之經處理觸媒相較於 本紙張尺度適用中國國私標準(CNS) A4規格(210 X 297公發) -28 - 574071 五、發明説明(a 未,經處理-> 辟丄计, 〜上某組合物展現優異的轉化率、選广: 特性。比方却、, 度半 , °對各相關反應,本發明之經處理觸媒組人
h相1隹化部分氧化反應中展現使用類似組合物之未 :處理觸媒所可達成之產率之至少1.1倍的產率較佳,及至 倍的產率更佳,及至少2倍的產率又更佳。對各相關 患’本發明之經處理觸媒組合物展現使用類似纟且合物之 未經處理觸媒所可達成之轉化率之至少1.1倍㈣歧/烯々 料氣體轉化率較佳,及至少15倍的轉化率更佳,及至少; 倍的轉化率又更佳。此外,料相關反應,本發明之經處 里觸媒、、且a物展現使用類似組合物之未經處理觸媒所可達 成之〜擇丨生之土 J 1丨倍的選擇性較佳,及至少1 5倍的選擇 性更佳,及至少2倍的選擇性又更佳。 本發明之另一效益為使用濺鍍可免除利用濕式化學或溶 液處理技術於改良催化性能的需求。此依序可避免耗時且 需要昂責能源之額外的洗滌、過濾、乾燥或鍛燒步驟。以 金屬替代其之各別鹽處理觸媒的能力亦提供顯著的製造彈 性。當然,本發明可利用或不利用金屬鹽,而與濕式化學 或溶液處理結合使用。 貫施例 實施例1-5 於含有J» 90克水之燒瓶中,46.4克之四水合七鉬酸錄
(Aldrich Chemical Company)、9.2 克之偏釩酸銨(Alfa-Aesar) 及 13·9克之碲酸(Aldrich Chemica丨 Company)當加熱至 80°C 時溶解°於冷卻至2 0」C後’將含1 〇 _ 44毫莫耳/克銳之2 0 1 · 3 -29 - 本紙張尺度適用中國國家檬率(CiMS) 規格(210X297公釐.) 574071 A7
克之早酸鈮之水溶液(RefereKe Me㈤$ 其混合 而侍♦灰。利用旋轉蒸發器在5〇°C之溫度及2S毫米汞柱 之堡力下將此溶液之水移除,而得73克之先質固體。將乃 克之固體先質於石英管中煅燒。明確言之,將石英管置於 烘箱中在空氣大氣下。將烘箱加熱至抓,並於該溫度下 維持1小時。開始氬在先質材料上之流動⑽立方公分/分鐘) ’並將烘f自加熱至_t ’然後將其在該溫度下維持2小時 知'如此製侍之經煅燒觸媒於模具中加壓,然後破碎並篩 〜得10-2G網目之顆粒。將大約Q 5克之顆粒填充至石英管反 亿為中進行丙烷之氣相氧化。氧化係以1/3/96之丙烷/蒸氣/ =氣之進料比進行。利用紅外光譜術(IR)分析來自反應'器之 l出物以測疋丙院轉化率及丙稀酸之產率。結果(連同滞 留時間及反應溫度)示於表1。
裝 |貫施例 滯留時間(秒) --—-—---- 丙院轉化 率(%) 丙稀酸選 擇性(%) --—------ 丙烤酸產 率(%) 1 -------—-— 3 344 5.0 40.0 2.0 2 勹 j 362 8.0 50.0 4.0 〇 j j 372 11.0 45.0 5.0 4 j 380 13.0 54.0 7.0 5 390 16.0 50.0 8.0 玎
線 實施例6 -1 0 將大約6克之於實施例1中製備得之觸媒(微細觸媒粉衣)置 於铭稱重盤中,並放入至濺鍍塗布機中。將Au-Pd合金(1 : 1 ) -30 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)八4規格(210X 297公釐):~ ' ' 574071
片材使用作為濺鍍靶’並在Ar大氣(15〇毫托爾)中在4〇毫安 培下濺鍍20秒之期間。將如此製得之經摻雜觸媒於模具中 加壓,然後破碎並篩選得[〇-2〇網目之顆粒。將大約〇 5克之 顆粒填充至石英管反應器中進行丙烷之氣相氧化。氧化係 以1/3/96之丙烷/蒸氣/空氣之進料比進行。利用紅外光譜術 (1R)分析來自反應器之流出物,以測定丙烷轉化率及丙烯酸 之產率。結果(連同滯留時間及反應溫度)示於表2。 表2
實施例 沛' 留時間(秒) ―溫度(。〇— 丙烧轉化 率(%) 丙烯酸選 擇性(%) ------- 丙烯酸產 率(〇/〇) 6 3 326 9.0 78.0 1 V 7 υ/ 7.0 7 3 344 13.0 77.0 10.0 8 3 355 16.0 75.0 12.0 9 3 369 26.0 63.0 17.0 10 3 376 27.0 61.0 17 0 JL / . \J m -—-J 實施例1 1 -15 將大約6克之於實施例丨中製備得之觸媒(微細觸媒粉末)置 於鋁稱重盤中,並放入至濺鍍塗布機中。將Au_pd合金(丨… 片材使用作為濺鍍靶,並在Ar大氣(15〇毫托爾)中在4〇毫安 培下濺鍍40秒之期間。將如此製得之經摻雜觸媒於模具中 加壓,然後破碎並篩選得1〇-2〇網目之顆粒。將大約〇 5克之 顆粒填充至石英管反應器中進行丙烷之氣相氡化。氧化係 以1/3/96之丙烷/蒸氣/空氣之進料比進行。利用紅外光譜術 (丨R)分析來自反應器之流出物,以測定丙烷轉化率及丙烯酸 -31 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210X297公釐) 574071 五、發明説明(μ ) 之產率。 果(連同滯留時間及反應溫度)示於表 T------_ 表3 實施例 滞留時間(秒) I—- 溫度(。〇 丙烷轉化 率(〇/〇) 丙晞酸選 擇性(%) -------- 丙婦酸產 ^(%)一 11 —_ 327 ' ' — 8.0 6? 〇 5.0 12 〇 349 ----- 13.0 62.0 8.0 13 η 356 15.0 67.0 10.0 14 3 371 21.0 62.0 13.0 15 _ 3 383 26.0 56.0 15.0 實施例1 6 - 2 0 將大約6克之於實施例丨中製備得之觸媒(微細觸媒粉末)置 於鋁稱重盤中,並放入至濺鍍塗布機中。將Au_pd合金(1 〇 片材使用作為濺鍍靶,並在Ar大氣(15〇毫托爾)中在4〇毫安 坨下羼鍍60秒之期間。將如此製得之觸媒於模具中加壓, 然後破碎並篩選得1〇_2〇網目之顆粒、將大约〇 5克之顆粒填 充至石英g反應态中進行丙烷之氣相氧化。氧化係以1门 之丙烷/ f於氣/空氣之進料比進行。利用紅外光譜術(IR)分析 來自反應器之流出物,以測定丙烷轉化率.及丙烯酸之產率 。結果(連同滯留時間及反應溫度)示於表4·。 裝 訂 線 滯留時間(秒) 溫度(°C) 一--- 丙坑轉化 率(%) 丙稀酸選 擇性(%) 丙烤酸產 率(%) ^ ^ r 〜 J Ό 11.0 73.0 8.0 350 15.0 67.0 10.0 -32- 574071 A7
18 J —-----—-— 357 18.0 67.0 12.0 19 3 -__ 371 24.0 63.0 —-, 15.0 —_20 3 384 30.0 52.0 —-~~~~~~ 16.0 實施例21-25 將大約6克之於實施例丨中製備得之觸媒(微細觸媒粉末)置 於鋁稱重盤中,並放入至濺鍍塗布機中。將Au_pd合金(^) 片材使用作為濺鍍乾,並在Ar大氣〇5G毫托爾)中在4〇毫安 培下濺鍍12G秒之„。將如此製得之觸媒於模具中加壓, 然後破碎並篩選得10-20網目之顆粒。將大約〇 5克之顆粒填 充至石英管反應器中進行丙垸之氣相氧化。氧化係以Μ/% 之丙烷/洛氣/空氣之進料比進行。利用紅外光譜術(ir)分析 來自反應器之流出物,以測定丙烷轉化率及丙烯酸之產率 。結果(連同滯留時間及反應溫度)示於表5。 表5 實施例 滞' 溫度rc) 丙烧轉化 —------ 丙烯酸選 丙稀酸產 — 率(%)」 擇性(%) _ 率(%) 21 3 338 11.0 73.0 Q A 22 3 350 15.0 67.0 O.U 1 0 0 23 358 19.0 63.0 1? 〇 24 j 372 24.0 _ 63.0 Jl »\J HO 一25 3 385 30.0 52.0 16.0 貫施例2 6 - 2 8 -33 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 574071 A7 B7 五、發明説明(3〇 ) 於含有1 5 0克水之燒瓶中,3 4.0 0克之四水合七錦酸錄 (Aldrich Chemical Company)、6.69 克之偏釩酸銨(A丨fa-Aesai.)及 I 〇· 1 7 克之蹄酸(Aldrich C hemic a丨 Company)當加熱 至70°C時溶解。於冷卻至40°C後’將含15.28毫莫耳/克鈮之 155.9:)克之草 銳之水;^液(Reference Metals Comp any)及
j>.76克之草酸(Aldrich Chemical Company)與其混合,而得 溶液。利用旋轉蒸發器在50°C之溫度及28毫米汞柱之壓力 下將此溶液之水移除,而得先質固體。將固體先質於石英 管中#又燒。明確吕之,將石英管置於烘箱中在空氣大氣下 。將烘箱加熱至275 t,並於該溫度下維持i小時。然後開 始氬在先質材料上之流動(1〇〇立方公分/分鐘),並將烘箱加 熱至,然後將其在該溫度下維持2小時。將如此製得 之經煅燒觸媒於模具中加壓,然後破碎並篩選得1〇_2〇網目 之顆粒。將其中之10克之顆粒填充至不銹鋼11形管反應器 (内徑u公分)中進行丙烧之氣相氧化。將u形管反應器置I 溶融鹽浴中,並供給具有1/1〇/3之丙烷 j坑/工虱/袋虱之進料比 且具有1200/小時之空間速度之丙院、 工吼及给虱的混合物 。將反應器之流出物凝結’以分離液相及氣相。利用氣相 層析術分析氣相,以測定丙烷轉化率。 丄 」扪用虱相層析術 刀析/夜相’以測定丙稀酸之產率。姓 干、、、口不(連冋滯留時間及反 應溫度)示於表6。 了间及反 表6
574071
實施例2 9 - 3 3 將大約Η)克之於實施例26中製備得之觸媒(微細觸媒粉末) 置於紹稱重盤巾,並放人至濺鍵塗布機中。將㈣白使用作 為賤鍍乾,並在Αι•大氣(15G毫托爾)中在4Q毫安培下麟6〇 秒之期間。將如此製得之觸媒於模具中加壓,然後破碎並 篩選得10-20網目之顆粒。將其中之4〇克之顆粒填充至不錄 鋼直下流動(SDF)管式反應器(内徑hl公分)中以于丙炫之氣 相氧化。將SDF反應益置於爐中,並供給具有1/1〇/3之丙烷/ 空氣/恶氣之進料比且具有1200/小時之空間速度之丙烷、空 氣及蒸氣的混合物。將反應器之流出物凝結,以分離液相 及氣相。利用氣相層析術分析氣相,以測定丙烧轉化率。 亦利用氣相層析術分析液相,以測定丙烯酸之產率。結果 (連同滯留時間及反應溫度)示於表7。 表7 實施例 滯留時間(秒) 溫度rc) 丙烷轉化 率(%) 丙烯酸選 擇性(%) 丙稀酸產 率(%) 29 6 344 71.4 55.2 ! 39.4 30 3 345 58.9 61.8 36,4 31 4.5 344 — 一~. 69.7 55.9 38.9 32 j 347 65.1 58.0 1 37.8 J 350 65.2 59.6 i :38.8 -35 -
裝 訂
k 本紙張尺度適用中國國家標準(CMS) A4規格(210 X 297公慶) 574071 A7 ______Β7 五、發明説明(32 ) 實施例34-37 將大約1 0克之於實施例26中製備得之觸媒(微細觸媒粉末) 置於鋁稱重盤中,並放入至濺鍍塗布機中。將Au_pd合金 (丨:1 )片材使用作為濺鍍靶,並在Al.大氣(丨5〇毫托爾)中在40 耄女培下;賤鍍6 0秒之期間。將如此製得之觸媒於模具中加 壓’然後破碎並篩選得10-20網目之顆粒。將其中之4.〇克之 顆粒填充至不銹鋼直下流動(SDF)管式反應器(内徑丨」公分) 中進行丙:!:元之氣相氧化。將S D F反應器置於爐中,並供給具 有1/10/3之丙烧/空氣/蒸氣之進料比且具有Moo/小時之空間 速度之丙烧、空氣及蒸氣的混合物。將反應器之流出物凝 結’以分離液相及氣相。利用氣相層析術分析氣相,以測 疋丙烧轉化率。亦利用氣相層析術分析液相,以測定丙烯 酸之產率。結果(連同滯留時間及反應溫度)示於表8。 表8 實施例 滯留時間(秒) 溫度(。〇 丙烧轉化 率(%) 丙烯酸選 擇性(%) 丙烯酸產 率(%) 34 4.5 350 69.6 53.8 37.4 35 3 353 69.1 58.6 40.5 36 346 58.5 62.7 36.7 37 4.5 353 70.1 53.5 37.5 實施例38-3 9 進行物理蒸氣沈積,以連續沈積複數個具有控制薄膜厚 度之不同金屬薄膜°將以下材料依所列次序及以括號中所 示之厚度沈積: -36 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Λ4規格(210X297公釐) 574071 A7 B7
五、發明説明(33 接著Nb(10奈米) 接著Nb(10奈米) 實施例38 : Mo(72奈米)、接著v(19奈米 、接著T e (3 6奈米)° 貫施例39 : Mo(72奈米)、接著v(19奈米 、接著Te(36奈米)、接著Nb(l〇奈米)。 將混合金屬氧化物薄膜沈積於Sl晶圓(7 7公分X 7 7公分) 上’然後將其分割成則平方公分之樣品。然後將此等Z 煅燒,其後再視需要摻雜。接著將樣品置於石英管反應器 中進行丙烷之氣相氧化。氧化係以1/3/96之丙烷/蒸氣/空氣 之進料比進行。利用紅外光譜術(IR)分析來自反應器之流出 物,以測定丙烷轉化率及丙烯酸之產率。結果至少係在以 上表1的結果附近。經由在氧化反應之前在薄膜上進一步沈 積Au-Pd合金,而達到改良的轉化率、產率及選擇性纟士果。 -37 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)

Claims (1)

  1. 574071 Α8 .Λ,, Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 一種改良觸媒之性能特性的方法,包括: a)提供包括具有基礎組合物實驗式AaDbEeXdOe之混合 金屬氧化物之觸媒, 其中A係選自由Mo及W所組成之群之至少一元素,D係 選自由V及Ce所組成之群之至少一元素,E係選自由Te、 Sb及Se所組成之群之至少一元素,及X係選自由Nb、Ta 、Τι、A1、Zr、Cr、Mn、Fe、Ru、Co、Rh、Νι、Pt、Sb 、Bi、B、In、As、Ge、Sn、Li、Na、K、Rb、Cs、Fr 、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Ra、Hf、Ag、Pb、P、pm、 Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及Lu所組成之群之至少 一元素;及當 a = l 時,b = 0.01 至 1.0,c = 〇 至 ^ , d=0.01至1.0,及e係視該其他元素之氧化態而定;及 b)於該觸媒上蒸氣沈積用於改良催化性能之至少一摻 雜劑金屬。 根據申請專利範圍第丨項之方法,其中該摻雜劑金屬之蒸 氣沈積係經由濺鍍摻雜選自由Pd、Au、Pd_Au合金、Ga 、Cu、Ag、Nl、Zn、ΡΓ、Re、Ir、Nd、γ、—、几、^ 、及Se所組成之群之至少一摻雜劑而完成。 根據申請專利範圍第2項之方法,豆中 Q么头〒。豕糁雜劑金屬係選 自由Pd、Au及Pd-Au合金所組成之群之至少_摻雜劑。 根據申請專利範圍第3項之方法,豆中兮换 万沄具f 5亥摻雜劑金屬係包 括1:5至5:1之比之金及鈀wPd-Au合金。 根據申請專利範圍第β之方法,其中該“沈積係利用 物理蒸氣沈積完成。 -38 -
    574071 A B c D 申請專利範圍 6· -種以根據申請專利範圍第i項之方法製得之觸媒組合物 ’其中該觸媒組合物相較於類似基礎組合物實驗式之未 經摻雜觸媒組合物於蒸氣相催化部分氧化反應中可具有 王1. 1倍的烷或烷/烯原料氣體之轉化率。 7. -種以根據申請專利範圍第i項之方法製得之觸媒組合物 ’其中該m某組合物相較於類似基礎組合物實驗式之未 經摻雑觸媒組合物於蒸氣相催化部分氧化反應中可具有 至少1.5倍的烧或烧/嫦原料氣體之轉化率。 8· 一種以根據申請專利範圍第丨項之方法製得之觸媒組合物 ,其中该觸媒組合物相較於類似基礎組合物實驗式之未 經摻雜觸媒組合物於烷或烷/烯至丙烯酸之蒸氣相催化部 分氧化反應中可具有至少U倍的反應產物之產率。 9 一種製造不飽和羧酸之方法,其包括使烷或烷及烯之混 δ物在利用根據申睛專利範圍第1項之方法製得之觸媒之 存在下進行蒸氣相催化部分氧化反應。 10. —種製造不飽和腈之方法,其包括使烷或烷及烯之混合 物、及氦在利用根據申請專利範圍第1項之方法製得之觸 媒之存在下進行蒸氣相催化氧化反應。 11. 一種製備觸媒之方法,包括: a)依序蒸氣沈積複數個薄膜,各薄膜包含元素A、D、 E及X之至少一者,而形成a、D、£及X之複合物,其中 A係選自由Mo及W所組成之群之至少一元素,D係選自由 V及Ce所組成之群之至少一元素,E係選自由〜、讣及以 所組成之群之至少一元素’及X係選自由Nb、Ta、Τι、 -39- 本紙張尺度適州t國國家標準(CMS) A4規格(210 X 297公釐) /4071 A8 B8
    l" ,/*\S、Ore、3U、 Co 、 Rh 、 Ni 、 、Pt、Sb、h Dy、Ho、Er、Tm、
    、、C:a、Sr、Ba、Ra Gd、f)\,、ur~、c:~、t — 化態而定。 b)將該複數個薄膜煅燒形成包括具有基礎組合物實驗 式AaDbEeXd〇e之混合金屬氧化物之觸媒,其中a、D、运 及X‘如先鈾所定義,〇為氧,及當a=l時,b = 0.01至1〇 c-0.01至ί ο,d=0 〇1至丨〇,及e係視該其他元素之氡 12.根據申請專利範圍第丨丨項之方法,其中該蒸氣沈積係利 用化學蒸氣沈積完成。 b.根據申請專利範圍第丨丨項之方法,其中該蒸氣沈積係利 用物理蒸氣沈積完成。 14. 一種製備觸媒之方法,包括: 依序蒸氣沈積複數個薄膜,各薄膜包含元素Mo、V、 Nb及X之至少一者,而形成、v、Nb及X之複合物, 其中 X係選自由 Ta、Τι、A卜 Zr、Cr、Mn、Fe、Ru、C。 Rh、Ni、Pt、B、in、Ce、As、Ge、Sn、Li、Na、K 、Rb、Cs、F卜 Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Hf、Pb、P、Pm 、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Au、Ag、Re 、Pr、Zn、Ga、Pd、lr、Nd、Y、Sm、Tb、Cu及 Sc所組 成之群之至少一元素;及 煅燒該複合物而形成觸媒。 本紙張尺度適用中國國家標箏(CNS) Λ4^Τ21〇Χ297^«) 574071 8 8 8 8 A BCD 々、申請專利範圍 15. —種製備觸媒之方法,包括下列步驟: 依序蒸氣沈積複數個薄膜,各薄膜包含元素Mo、V、 Te及X1之至少一者,而形成Mo、V、Te及X1之複合物, 其中 X1 係選自由 Sc、Y、La、Re、Ir、Cu、Ag、Au、Zn 、Ga、Si、Ge、As、Pb、S、Se、Sn 及 Bi 所組成之群之 至少一元素;及 般燒該複合物而形成觸媒。 -41 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 χ 297公釐)
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