TW564439B - Electro-ceramic component - Google Patents

Description

564439 五、 發明說明 ( 1) 本 發 明 涉 及 一 種 電 子 陶 瓷 組 件，其具有較低之電容及 至 少 二 個 設 在 陶 瓷 基 體 之 表 面 上之接觸層。 例 如 變 阻 器 即 屬 上 述 形 式 之組件。此種組件之基體 通 常 由 不 同 之 金 屬 氧 化 物 (例如，以氧化鋅爲主者）之混 合 物 所 構 成 〇 變 阻 器 之 電 阻 變 化是與電壓成非線性之關 係 其 用 來保 護 一 種 電 路 使 不 會發生過電壓。變阻器之 電 阻 値 隨 著 所 施 加 之 電 壓 上 升 而下降。 多 層 變 阻 器 巨 刖 不 能 作 爲 高 頻電路（例如，天線輸入 端 中 之 局 Jfcs 頻 輸 入 電 路 )之過電壓保護用。此乃因：多層變 阻 器 之 積 層 構 造 及 變 阻 器 陶 瓷 之顆粒極限效應是與變阻 器 之 太 局 之 電 容 有 關 〇 結 果 是 :高頻信號通常會不利地 受 變 阻 器 之 局 的 電 容 所 辰 減 〇 由 文 件 DE1 993 1 05 6A1 中 已 知以下述方式使變阻器之 電 容 下 降 :變阻器基體中 ]配置未相重疊之內電極所形成 之 多 個 層 〇 各 電 極 分 別 只 接 觸 一個接觸層，各電極至其 它 電 極 (其與第二接觸層相連但未與其重疊）分別具有一 種 距 離 〇 已 知 亦 可 在 變 阻 器 基 體上施加一種電性隔離用 之 鈍 性 層 使 電 容 下 降 〇 此 種 方式之缺點是：變阻器基 體 之 電 容 上 升 效 應 就 像 先 前 — 樣仍然存在。一種以氧化 鋅 爲 主 之 變 阻 器 陶 瓷 之 介 電 常 數是在400至800之間。 以 此 方 法 只 可 製 成 電 容 値 在 1 · 5至10PF範圍中之變阻 器 〇 但 就 局 頻 電 路 之 過 電 壓 保 護而言，通常尋求電容較 低 之 變 阻 器 〇 3- 564439 五、發明說明（3 A B 2 〇4例如可以是Ζ η Μ η2 0 4。A及B例如可以元素錳， 鎂，硒（S e)，鈷，鎳，鋅，鋁或鐵來代入。鋅錳尖晶石 之介電常數例如介於1 〇至20之範圍屮而較變阯器材料 之介電常數（400至800)小很多。亦可使用以氧化鋅及氧 化鉍爲主之相位混合物作爲第二陶瓷材料。需要時可使 燒結輔助劑（例如，氧化鉍或一種在適當之溫度時可溶 化之玻璃）添加至第二材料。上述材料之優點是：第一和 桌一陶瓷材料可一起被燒結，使電子組件之製造可大大 地簡化。 本發明以下將依據圖式及實施例作詳述。圖式簡單說 明： 弟1圖傳統之變阻器。 第2圖本發明之變阻器，其具有二種陶瓷材料。 第3圖本發明之變阻器，其具有二種陶瓷材料，其 中第二陶瓷材料未與接觸層相接觸。 第4圖本發明之變阻器，其由第一及第二陶瓷材料 之交替重疊配置之層所構成。 第5圖本發明之變阻器，其內電極以梳形方式互相 接合。 第6圖本發明之變阻器，其內電極以某一間距而互 相直立。 第2圖是本發明之變阻器（Varistor)，其基體由第— 陶瓷材料區1及第二陶瓷材料區5所構成。該二個接觸 564439 五、發明說明（4) 層1 〇，15在本情況中是與該二個陶瓷材料相接觸。在 與先前技藝（第1圖）比較時，變阻器基體之一部份由第 二陶瓷所取代’第二陶瓷之介電常數較小。由丨於第二陶 瓷材料之電容下降可對變阻器造成影響（當第二陶瓷材 料未與接觸面1 0及1 5相接觸時），則第3圖所小之货 施形式是可能的。施加第二陶瓷材料於第一陶瓷材料（ 變阻器陶瓷）上而未與接觸層相接觸。 亦可由第一及第二陶瓷材料之交替地重疊配置之層來 形成一種構造，如第4圖所示。 在此組件之另一種實施形式中，多層變阻器亦可以內 電極2 5來製成，其中每··內電極分別只與接觸層1 〇或 1 5相接觸，因此形成電極堆疊3 0，3 5，其分別只與·一 接觸層相連。各電極層只配置在笫·陶瓷材料及變|;£|器 陶瓷上而未配置在第二陶瓷材料中。 第6圖是另一實施形式，其中各內電極不是以梳形方 式互相接合，而是在梳形之電極堆疊中以某一間距而互 相對立，其中在電極堆疊3 0，3 5之間之區域40由陶瓷 材料1所構成。 本發明之第6圖所示之變阻器及具有內電極之傳統變 阻器（其中基體只由…種材料構成）之間|:|」‘相比較之遒容 測量已顯示：在1 Μ Η Z時木發明之變阻器之電容大約足 0.3PF，傳統之變阻器者大約是1.5PF。變阻器電壓大約 是3 70 V。此二種變阻器形式使用以氧化鋅爲主之變阻 564439 五、發明說明（5) 器陶瓷作爲第一陶瓷材料，本發明之變阻器中另使用 ZnMn204作爲第二材料。 藉助於本發明之變阻器，則可達成〇 . 1 PF之低的電容 値。硏究結果己顯示：變阻器基體之2/3可由第二陶瓷材 料製成而不會影響此阻件之變阻器特性。 本發明不限於已具體描述之實施例。本發明之範圍當 然亦包含其它變阻器，特別是電子組件之構造形式，所 使用之陶瓷材料之數目及配置以及第二陶瓷材料之形式 φ 及特性都可包含在本發明之範圍中。 符號說明 1…第一陶瓷材料 5…第二陶瓷材料 1〇，15…接觸層 · 25...內電極 30,35…電極堆餐 20,40…區域

Claims (1)

1. 564439 Ml

   7/^-7 六、申請專利範圍 第9 111 4 1 3 8號「電子陶瓷組件」專利案 (9 1年8月修正） 六申請專利範圍： 1. 一種電子陶瓷組件，其具有低的電容且其特徵爲： -具有一個基體，其包含至少一第一陶瓷材料（1) 區及一第二陶瓷材料（5)區， -第二陶瓷材料（5)之介電常數較第一陶瓷材料者 還小， -在基體之表面上設有至少一第一（10)及一第二 (15)接觸層， -第二陶瓷材料至少一部份配置在第一及第二接 觸層之間， -第一陶瓷材料（1)除了未界定電容之外界定了此 組件之電性。 2. 如申請專利範圍第1項之電子陶瓷組件，其中第二陶 瓷材料（5 )區施加在第一陶瓷材料（1 )之由接觸層（1 0 ，15)所裸露之表面之至少一部份上。 3. 如申請專利範圍第1項之電子陶瓷組件，其中該基體 由第一（1)及第二陶瓷材料（5)之交替地重疊配置之層 所構成。 4. 如申請專利範圍第1項之電子陶瓷組件，其中 -基體中存在多個重疊地配置在第一陶瓷材料（1) 區中由第一陶瓷材料之區域（20 )所隔開之導電之電極 564439 六、申請專利範圍 層 (25)，其 分別 導電地與接觸層（10，15)中 之一 相 連 接 ，以配置 二個 電極堆疊（3 0，3 5 )，其分別 與一 接 觸 層 相接觸， -在二個 電極 堆璺（30，35)之間存在一區 (40) 其 由 第一陶瓷 材料 (1 )構成。 5. 如 申請專利 範圍 第1項之電子陶瓷組件，其 中 -存在多 個重 疊地配置在基體之第一陶瓷 材料 (1 ) 中 之由第一 陶瓷 材料之區域（20)所隔開之導 電性 電 極 層 (25)，其 交替 地與二個接觸層（10，15)中 之一 導 電 性地相連， -各電極 層（2 5 )(其分別與相同之接觸層（ 10或 1 5) 相 接觸）形成一種電極堆疊（30，35)。 6. 如 申請專利 範圍 第5項之電子陶瓷組件，其 中第 —. 陶 瓷 材料包含 一種 變阻器陶瓷。 7. 如 申請專利 範圍 第5項之電子陶瓷組件，其 中須 CBB 进 取 第 二陶瓷之 成份 ，使其可與第一陶瓷材料一 起燒 結 〇 8. 如 申請專利 範圍 第7項之電子陶瓷組件，其 中第 二 陶 瓷 材料包含 一種 成份是ΑΒ204之尖晶石陶瓷 〇 9. 如 申請專利 範圍 第8項之電子陶瓷組件，其 中第 二 陶 瓷 材料是ΖηΜη204。 10. 如 申請專利 範圍 第1至4項中任一項之電子 陶瓷 組 件 其中第二 陶瓷 材料包含一種相位混合物。 11. 如 申請專利 範圍 第1 0項之電子陶瓷組件，其中該相 -2- 564439 六、申請專利範圍 位混合物是Zn0/Bi203。 12.如申請專利範圍第1至5項中任一項之電子陶瓷組件 ，其中第一陶瓷材料包含一種變阻器陶瓷；須選取第 二陶瓷之成份，使其可與第一陶瓷材料一起燒結。