TW562984B - Liquid crystal display device, method for correcting its pixels and method for driving the device - Google Patents

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技術領域 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明係有關於一種活動矩陣（active matrix)型之液 曰曰顯示裝置、其修正方法及其驅動方法，特別係關於一種 檢電場方式之活動矩陣型液晶顯示裝置、其修正方法及其 驅動方法者。 背景技術 近年來隨著個人電腦之發達，液晶顯示裝置，特別為 活動矩陣型液晶顯示裝置之需求乃有增加之趨勢。又，不 限於個人電腦，對於液晶電視（以下略稱為液晶τν)之需求 亦逐漸增加。 於此，舉出液晶TV所被要求之特性之一，即廣視角。 為實現該廣視角，至此已開發出各種液晶顯示裝置。其中 特別受到矚目乃為橫電場方式（11>8模式）之活動矩陣型液 晶顯示裝置。 一般而言，活動矩陣型液晶顯示裝置之結構為，於兩 片玻璃基板間封入液晶，並於其中之一玻璃基板上設置互 相交叉而呈矩陣狀之多數之信號線（資料線）群與多數之掃 描線（閘線）群。且更於信號線與掃描線之各交叉部分配置 薄膜晶體管（TFT)。 為橫電場方式之活動矩陣型液晶顯示裝置時，則更於 同一基板上設有用以將液晶之配列狀態作每像素控制之像 素電極及與之成對之對向電極。 於顯示影像之際，使掃描線進行掃描，並使位於交叉 部分之薄膜晶體管處於開啟狀態。若使薄膜電晶體處於開 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS〉A4規格（210X297公爱） -4- 562984 A7 B7 五、發明説明（2 啟狀態時，則輸入於信號線之信號電位將被寫入於像素電 極中。如此一來，將給予像素電極與對向電極間電位差， 而進行施加對基板面平行之電場（橫電場），因此液晶將由 初期定向狀態變化為新的定向方向。藉此，則可調節透過 液晶層之光量，即，依施加之信號電壓使透過液晶之光之 偏光狀態變化，再依該偏光狀態顯示明暗於顯示畫面上。 此種橫電場方式之活動矩陣型液晶顯示裝置中，液晶 分子通常以與基板平行之狀態存在，故與將像素電極及對 向電極配置於面板厚度方向之習知液晶顯示裝置相較下， 即使由斜方向看面板，對比亦不易變化，藉此而可大量改 善視角之特性。 兹將習知橫電場方式之活動矩陣型液晶顯示裝置更詳 述於下。第21圖（a)係一平面圖，用以顯示裝設於習知橫電 場方式之活動矩陣型液晶顯示裝置之液晶顯示面板中，一 畫素之電極及配線等之配置；同圖（b)則係前述液晶顯示裝 置之截面圖。又，第22圖（a)係一平面圖，用以顯示裝設於 習知其他橫電場方式之活動矩陣型液晶顯示裝置之液晶顯 不面板中，一畫素之電極及配線等之配置；同圖（b)則係前 述液晶顯示裝置之截面圖。 如第21圖（a)及（b)所示，液晶顯示面板之結構為，對向 配置各自由玻璃基板所構成之陣列（array)基板1〇〇丨與對向 基板1002，並於兩者間設置液晶層1003。該鎮列基板1〇〇1 之表面上形成有相互具有一定間隔之多數掃描線i004...、 與各掃描線1004…交叉之多數信號線1005…、每個像素各 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、言 -5- 562984 A7 B7 五、發明説明（3 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 自具有之像素電極1006、與像素電極1〇〇6成對之對向電極 1007及像素電極1006與信號線1〇〇5間作為開關元件而發揮 功效之TFT1008。更以與該等之掃描線1〇〇4平行之方式設 置對向電極1007。又，陣列基板1〇〇1上形成有透明之絕緣 層1009以覆蓋掃描線1〇〇4及對向電極1〇〇7。像素電極1〇〇6 係由多數之像素電極部分l〇〇6a…與用以連結該多數像素 電極邛为之連結部分1〇〇仍所構成。而連結部分1⑼仍設置 於掃描線1004之上。又，對向電極1〇〇7係由多數對向電極 部为1007a…與用以連結該等多數對向電極部分1⑼π···之 對向電極配線1007b所構成。更於掃描線1〇〇4與連結部分 1006b重疊之部分設有累積容量部1〇15。 TFT1008具體言之則係於陣列基板1〇〇1上設置閘電極 1〇1〇、選擇性地設於前述絕緣層1009上之矽層1〇11、源電 極（source electr〇de)1012、汲電極（drain electrode)1013 而 構成者。 源電極1012連接於信號線1〇〇5，沒電極1〇13則與像素 電極1006連接。像素電極部分i〇〇6a…與對向電極部分 1007a…交互配置。藉此使像素電極部分1〇〇6&與對向電極 部分1007a之間發生與陣列基板1001大致平行之電場，而以 控制各個像素之方式控制液晶分子之配列方向。 又，於陣列基板1001上形成定向膜1〇14，該定向膜係 覆蓋刖述掃描線1004…、像素電極1〇〇6、對向電極1〇〇7及 該等之TFT而用以使液晶定向者。 另一方面，對向基板1002由玻璃基板所構成，其内面 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） -6- 562984 A7 B7 五、發明説明（4 ) 側上設有濾色器（圖中未示）。更形成有覆蓋該濾色器之定 向膜1014。定向膜1014、1014由聚醯亞胺所構成，其表面 上施有摩擦處理。摩擦處理係以附著有人造絲等布料之滾 筒摩擦表面而進行者。 又，陣列基板1001及對向基板1002之外側各自設有偏 光板（圖中未示）。兩偏光板以該等之偏光軸互成正交偏振 狀態而配置。又，以上雖就像素電極1〇〇6之連結部分1〇〇6b 設置於掃描線1004上之情形加以敘述，但其他亦有如第22 圖所示，連結部分1006b設置於對向電極1〇〇7之對向電極配 線上者。此種樣態時，連結部分1 〇〇6b與對向電極配線1 〇〇7b 之間設有累積容量部1016。 如前所述，習知之IPS模式之液晶顯示裝置中，像素電 極1006與對向電極1007之各層間設有由氮化矽層所構成之 絕緣層1009，兩者便藉該絕緣層1〇〇9之存在而互呈絕緣狀 態。但’絕緣層1009相當薄，因此，像訴電極1〇〇6與對向 電極1007立體交叉之部分，舉例言之如第21圖（&)所示不良 部位1017中如有異物等混入絕緣層丨〇〇9時，將會有導通之 情形。又，連結部分1006與掃描線1〇〇4之重疊部分（累積容 量部1015)舉例言之如同圖（a)所示不良部位1〇18及第23圖 (a)所示不良部位1 〇丨9亦因同樣之理由而有導通之情形。 又’平面視之，像素電極1〇〇6與對向電極通常設 計成隔數微米〜數十微米之距離而設置者。因此，以光石 版微縮術程序進行圖像化之際，若兩電極間有圖像不良等 時’像素電極1006與對向電極1007間（第21圖（4所示不良 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（2]0><297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

•、可I 562984 A7 ___B7_ 五、發明説明（5 ) 部位1020及第22圖所示不良部位1021)或像素電極1〇〇6與 前段掃描線1004之間便成為容易發生短路之構造。 如前述般，若像素電極1〇〇6與對向電極1〇〇7發生導通 或短路，則兩電極間相關電位將降低，而產生整個像素變 白或變黑’成為顯示不良之像素（以下只略稱為不良像素) 之問題。 該不良像素之存在於液晶電視中尤為問題。個人電腦 用顯示器之時’解像度為XGA(Extended Graphics Array) 或SXGA(Super Extended Graphics Array)程度。另一方面， 液晶 TV 之解像度為 NTSC(National TV Standards

Committee)程度，與個人電腦用顯示器相較下解像度較 低。因此，液晶TV之像素尺寸較個人電腦用顯示器為大。 因此’液晶電視存在有像素缺陷時，該像素缺陷較存在於 個人電腦用顯示器時更易為人辨識。因此，製造顯示裝置 時為提高成品率必須進行不良像素之補救。 如上述，起因於因像素電極1006與對向電極1007間之 不純物而起之導通或短路而發生之不良像素，通常以照射 雷射光將像素電極與TFT切離而施行修正。舉例言之，如 對不良部位1018則藉於修正部位1〇22照射雷射光而將像素 電極與不良部位1〇1 8切離，以圖補救不良像素。但，修正 後之像素將不動作，即使於ON狀態亦有整個像素發黑之問 題。又’修正後之像素即使可以動作，因累積容量部1015 發生導通’即使將該累積容量部切離，將因液晶容量滲漏 電荷而使該像素之亮度降低，而有產生顯示斑等問題。 -8· (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（Q^) A4規格（2]〇X297公釐） 562984 A7 ~"-- 、又，如日本公開公報特開平5-333376號所揭示之方 去係藉於畫素事先設置兩TFT，使即使一 tft照射雷射 光後切離像素電極而無法動作，藉另一TFT而確保像素之 動作，以避免像素之不良化。但此修正方法中，若於無發 生像素良之-般情形時，因不必要之TFT存在於各像素， 而有像素之開口率降低而像素之傳透率降低之問題。 發明之揭示 本發明鑒於以上問題點，而以提供一種可抑制傳透率 之降低、補救不良像素而提高成品率之液晶顯示裝置、其 修正方法及其驅動方法為目的。 為解決上述課題，本發明相關之液晶顯示裝置係於一 對基板間形成有液晶層，且藉前述基板面之平行電場而驅 動刖述液晶層中之液晶者；前述一對基板中之一基板設有 多數閘線、各與前述多數閘線交叉設置之多數資料線、對 應前述多數閘線與多數資料線之各交又點而連接於前述閘 線及資料線之開關元件、以前述開關元件為中介而與前述 資料線相連接之像素電極，及與前述像素電極成對之對向 電極；進而，對應於前述多數閘線及多數資料線之各交差 點而分散配置有可固持前述像素電極之電荷之多數累積容 量。 依前述結構，對應多數閘線與多數資料線之各交叉 點，換言之則為各個像素上設有開關元件。更將多數之累 積容量分散配置於各個畫素。於此所謂「分散配置」，舉 例言之則意指即使多數累積容量中之一因電力上之短路而 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) C— 訂— -9- 562984 A7 B7 五、發明説明（7 ) 陷於無法動作之狀態下，而將具有該缺陷之累積容量切離 時，其他累積容量亦配置成可動作之樣態者。 藉此，依前述結構，即使將有缺陷之累積容量十刀離， 其他之累積容量依然正常地發揮功能，因此該正常發揮功 月t*之累積容量將補全有缺陷之累積容量而抑制像素電極t 位等級之變化。因此，即使切離具缺陷之累積容量之像素 與正常像素相較下仍可抑制發生極端之差異。依此，而Y 使不良像素於顯示畫面上較不明顯，而可圖成品率之提 前述結構中，前述多數累積容量之至少一部份可採用 直列配置之結構。 另，直列配置之多數累積容量中，對於離前述開關元 件最近之累積容量可設迂迴該累積容量之旁路而構成之。 且，前述結構中，前述多數累積容量之至少一部份可 採用配置成並列狀之結構者。 又’前述結構中，前述多數累積容量之至少一部份可 採用配置成環狀之結構者。 於此，所謂「直列配置」、「並列配置」與「環狀配 置」並非指等價電路上之直列或並列等電力上之接觸，而 係指一像素中於多數累積容量概念上之配置形態。第2〇圖 係一概念圖，概略顯示有多數累積容量之配置形態。所謂 直列配置，舉例言之如同圖所示配置形態。若為該配置 形態’例如由開關元件數來第三個累積容量具有缺陷時， 即使切離該累積容量，可正常動作之累積容量仍有兩個。 因此’可減低與正常像素間之亮度差，而可圖成品率之提 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（21〇χ297公釐） -10- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} .、一-T— 562984

五、發明説明（8 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 鬲。於此’如前述，若設置一迂迴距離開關元件最近之累 積容量之旁路，則於該累積容量有缺陷時，即使切離該累 積容量，亦可防止其他正常累積容量同時被切離。結果， 更可圖謀成品率之提高。又，所謂並列配置者，意指如同 圖（b)所示配置形態。為該配置形態時，即使切離該有缺陷 之累積容量，所有其他正常累積容量均可動作，因而更可 圖謀成品率之提高。又，所謂環狀配置，意味著如同圖 所示之配置形態。於該配置形態時，因切離有缺陷之累積 容量而其他累積容量可正常動作，仍可求得成品率之提高。 又，為解決前述課題，本發明相關液晶顯示裝置係於 一對基板間形成有液晶層，且藉前述基板面之平行電場而 驅動前述液晶層中之液晶者；前述一對基板中之一基板設 有多數閘線、各與前述多數閘線交叉設置之多數資料線、 對應前述多數閘線與多數資料線之各交叉點而連接於前述 閘線及資料線之開關元件、以前述開關元件為中介而與前 述資料線相連接之像素電極，及與前述像素電極成對之對 向電極；前述像素電極與前述多數閘線之前段或後段閘線 及/或部分前述對向電極挾絕緣層而於多數位置上重疊，且 前述多數重疊部位之至少兩處係用以構成累積容量者。 進而言之，前述結構之前述像素電極中，即使切離用 以構成前述至少兩個蓄積容量中一累積容量之像素電極之 部分，亦可以構成其他累積容量之像素電極之部分連接前 述開關元件而構成之。 若依刖述結構，於各像素中，多數重疊部位中至少兩 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公楚） -11- 562984 B7 五、發明説明（9 個乃作為累積容量而發揮機能，因此，舉例言之，即使於 其中之-發生電力上短路、無法正常動作因此而將有缺陷 之累積容量切離時，亦可藉另一累積容量抑制像素電極之 電位等級變動。其結果為，與正常像素比較下亮度及閃爍 特性等方面並無產生極端差異。因此可使不良像素於顯示 畫面上較不明顯而提高成品率。 —又，於前述結構中，其中前述像素電極設置成相互平 ^，且於與前述對向電極間具備有使前述平行電場發生之 多數像素電極部分及用以連結前述多數像素電極部分之電 極連釔邛分，則述累積容量係以與前述電極連結部分、前 述前段或後段之閘線及/或前述對向電極之一部份重疊而 形成者。 1 更可於前述結構中，藉前述電極連結部分與前述前段 或後段之閘線及/或部分前述對向電極重疊而形成前述之 累積容量。 前述累積容量電極更可以接續電極線為中介連接於像 素電極部分。累積容量電極與前段或後段之閘線及/或部分 前述對向電極間因電力上之短路而將累積容量電極由像素 電極切離時，藉切斷接續電極線而可容易進行累積容量之 切離。藉此，隨著累積容量之切離而可防止如同時切離其 他像素電極，而可確保可顯示領域於最大限度。因此，即 使於將累積容量電極由像素電極切離之情形下，亦可容易 地切斷接續電極線。 又，前述結構中，於前述接續電極線設有用以藉雷射 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） -12- 562984 A7 -------------B7__ 五、發明說明（i〇 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 光進行切斷之切斷部，且更可於前述切斷部上施加記號而 構成之。藉於接續電及線上預先設切斷部，更於該切斷部 上施加記號而可容易實行接續電極線之斷線。結果將可提 供容易以雷射進行修正之液晶顯示裝置。 又，於前述結構中，可使用以構成前述之至少兩個累 積容量之重疊部位面積互為相異。若將構成兩個以上累積 容量中有缺陷之蓄積容量之像素電極部分切斷，則因該有 缺陷之累積容量由電路結構切離，像素全體之累積容量之 谷量值便減少。又，亦有隨前述像素電極部分之切斷而使 液晶容量減少之情形。因此，切斷像素電極之部分後，累 積谷量與液晶容量之容量值之比發生變化。但，若如前述 結構’使構成前述累積容量之重疊部位面積相互不同而各 蓄積容量之容量值相異，則將可抑制液晶容量與累積容量 比之變動。結果，將可使與正常像素之亮度差縮小且防止 閃爍特性變大，因此而可提供不良像素不明顯之液晶顯示 裝置。 又，於前述結構中，前述開關元件以前述像素電極及 汲電極為中介而連接，且前述汲電極及/或前述像素電極中 以前述多數閘線中之部分該段閘線及前述絕緣層為中介而 重疊，並藉此形成補充容量；前述結構可設有至少一個之 δ玄可切斷之補充容量電極。若依前述結構，即使因將兩個 以上之累積谷量中之具缺陷者切離而使液晶容量與蓄積容 量之容量值之和與前述補充容量之容量值之比發生變化， 亦可藉如切斷前述補充容量電極而可調整補充容量之容 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（210X297公楚） -13- 562984 A7 B7_ 五、發明說明（11 ) —'— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 值。結果，將可使液晶容量與蓄積容量之容量值之和與補 充容量之容量值之比（以下略稱為容量值之比）接近正常像 素’進而使顯示畫面中之不良像素更不明顯。 更於前述結構中，前述補充容量電極為多數時，可使 各補充容量電極與前述閘線之一部份之重疊部位面積互為 相異。若依前述結構，藉著使各補充容量電極與前述問線 之面積互為相異，而使各補充容量電極與前述閘線之一部 份間形成之補充容量之容量值互為相異。藉此，切離累積 容量後，若依需要而切離多數之補充容量電極等，則更可 微調累積容量之容量值而使容量值之比更接近正常像素。 為解決前述課題，本發明相關之陣列基板設有多數間 線、各與前述多數閘線交叉設置之多數資料線、對應前述 多數閘線與多數資料線之各交叉點而連接於前述閘線及資 料線之開關元件、以前述開關元件為中介而與前述資料線 相連接之像素電極，及與前述像素電極成對之對向電極； 進而’對應於前述多數閘線及多數資料線之各交差點而分 散配置有可固持前述像素電極之電荷之多數累積容量。 為解決前述課題，本發明相關液晶電視係於一對基板 間形成有液晶層，且藉前述基板面之平行電場而驅動前述 液晶層中之液晶者；前述一對基板中之一基板設有多數閘 線、各與前述多數閘線交叉設置之多數資料線、對應前述 多數閘線與多數資料線之各交叉點而連接於前述閘線及資 料線之開關元件、以前述開關元件為中介而與前述資料線 相連接之像素電極，及與前述像素電極成對之對向電極； 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） -14- 562984 五、發明説明（12 月’j述像素電極與前述多數閘線之前段或後段閘線及/或部 分前述對向電極挾絕緣層而於多數位置上重疊，且前述多 數重疊部位之至少兩處係用以構成累積容量者。 若依前述結構，即使於兩個以上之累積容量中有一者 因電力上之短路而無法正常動作並因此切離具有缺陷之累 積谷量時，因藉另一累積容量抑制像素電極之電位等級之 變動，將不致於亮度及閃爍特性上與正常像素相較下發生 極端之差異。因此，即使為像素尺寸較大之液晶電視，亦可使修正像素於顯示畫面上不明顯而抑制修正像素之可辨 識性進而提供一種可提高成品率且具可製造性之液晶電 視。 為解決前述課題，本發明相關之液晶顯示裝置之像素 修正方法為該液晶顯示裝置具有··一基板，係設有多數之 閘線、與前述多數閘線各自交叉而設之多數資料線、對應 前述多數閘線與多數資料線之各交叉點而與前述閘線與〜 料線連接之開關元件、以前述開關元件為中介而與前述 料線連接之像素電極、及，與前述像素電極成對之對向 極者；另一基板，係與前述基板相對者；及，液晶層， 設於前述之一基板與另一基板間；且藉與前述一基板面T =之電場而驅動位於前述液晶層者；而前述像素電極係二 前述多數閘線中前段或後段之閘線及/或部份前述對向 極挾絕緣層在多數位置上重疊，且使前述多數重疊中至 兩處構成累積容量；於前述重疊部位發生電力短路時， 切斷前述像素f極巾前述短㈣近之前述件側預 資 資 電 係 平 電 少 則 定 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .訂| 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公楚〉 -15- A7 ' --*--- B7 五、發明説明（13 ) "' -- 部位或前述短路附近之前後預定部位。 、+、依前述方法，若像素電極與前段或後段之閘線及/或前 =向電極之—部份間發生電力上之短路時，因將像素電 二短路附近開關元件侧之預定部位或短路附近前後之預 2 P位切斷，將可進行顯示於設有未與開關元件切離之像 曰、電極之領域。又，即使切離之像素電極之部分與累積容 曰^因累積谷量至少設有兩個，其他累積容量將可達 J進行顯不所需要之電荷固持機能。因此，若依前述方法， 即使多數重疊部分發生短路亦可防止其成為不點亮之像 素此外即使短路發生於將構成累積容量之重疊部份， 2他累積容量將補充之而發揮機能，因此修正之像素與正 々像素相k下不致引起極端之亮度降低。因此，依前述方 法，可使顯示畫面中之修正像素不顯眼而提高成品率。 前述方法中，可由離前述開關元件最遠之重疊部分前 述切斷依序進行。依該方法，將可防止無意義地切離像素 電極之一部份，該部分係有關於未發生短路之重疊部分者。 更於前述方法中，可於每次依序由離前述開關元件最 遠之重疊部分進行切斷時進行像素之顯示檢查。 又，前述方法中，前述像素電極與前段或後段之閘線 及前述對向電極之一部份間重疊時，可將像素電極與前段 或後段之閘線間或像素電極與對向電極間何者發生有電力 上短路加以特定後，再進行前述之切斷。依該方法，因像 素電極與前段或後段閘線之一部份間及像素電極與對向電 極之一部份間各自形成有累積容量，若了解兩者中何者發 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公楚)

、?τ· (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ^62984 A7 ' -----—一 —___B7 _ 五、發明説明（Μ ) " '~一 生紐路，則像素電極之切斷程序可減少一半而使作業效 化。 、 ——费-…， (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 又，前述方法中，前述像素電極具有設置成相互平行 之多數電極部分、用以連結前述多數像素電極部分之電極 連結部分與用以形成前述累積容量之累積容量電極，而藉 前述累積電極肖前述前段或後段之閘線及/或前述對向電 極之°卩伤重疊而形成前述容量；於前述重疊部位發生電 力上之短路時，藉切斷前述像素電極中預定之一或二個以 上部位，可使前述發生短路之累積電極容量電極由前述像 素電極切離。 又，於前述方法中，前述切斷可以照射雷射光進行之。 另，前述方法中，進行前述切斷前先進行用以檢出附 著於則述一基板上之附著物之缺陷觀察，而可更於檢出有 前述附著物時，藉於其上照射雷射而除去該附著物。若依 此方法，則可防止對無切斷必要之缺陷也進行切斷之修 正，而提高成品率。 為解決前述課題，本發明相關之液晶顯示裝置之驅動 方法為该液晶顯示裝置係具有：一基板，係設有多數之閘 線、與前述多數閘線各自交叉而設之多數資料線、對應前 述多數閘線與多數資料線之各交叉點而與前述閘線與資料 線連接之開關元件、以前述開關元件為中介而與前述資料 線連接之像素電極、及，與前述像素電極成對之對向電極 者；另一基板，係與前述基板相對者；及，液晶層，係設 於前述之一基板與另一基板間；而係藉與前述一基板面平 本紙張尺度適用中國國家標準（0^) Α4規格（210X297公釐） -17- 562984 A7 五、發明説明（15 ) " "B~ 行之電場而驅動位於前述液晶層者；前述像素電極係與前 述多數閘線中前段或後段之閘線及/或前述對向電極之2 部份挾絕緣層而重疊；前述多數重疊部位中至少兩處更可 構成累積容量；且，對於前述重疊部位發生有電力短路之 $良像素，乃於該不良像素之像素電極中存在有藉切斷前 述短路附近之前述開關元件側預定部位或前述短路附近之 冑後預定部位而進行修正之修正像素時，職前述修正像 t之像素位置及修正像素中之修正位置之f訊而補充施加 於修正像素之資料信號進而驅動該修正像素。 若依前述方法，依據修正像素中之修正位置將可算出 於該修正像素上累積容量之容量值。依該容量值，再考慮 與正常像素比較下修正像素之降低份量，對修正像素施^ #充之資料信號。結果則可使修正像素之亮度接近正常像 素之亮度而加以驅動，修正像素於顯示畫面上更不明顯。 X，所謂補充之資料信號意為電麼較施加於正常像素之資 料信號之電麼為高之資料信號。另，亦可依像素位置及修 正像素中之資訊補充閘信號。 圖式之簡單說明 第1圖（a)係一平面圖，用以顯示本發明實施形態丨相關 i θθ顯示裝置中-像素之像素電極體、對向電極體與配線 等之配置；同圖(b)則係顯示前述液晶顯示裝置之截面圖。 第2圖（a)係一等價電路圖，用以顯示前述液晶顯示裝 置中等價電路之電路結構；而同圖⑻係一電路結構圖，用 以顯示一畫素中等價電路之電路結構。 本紙張尺度適用中國國家標準Γ^7α4規格（2】0X2^7-- -18-

…：——费…： (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂丨 562984 A7 ~~ B7 五、發明説明（16 ) 第3圖為前述液晶顯示裝置中用以說明容量結合驅動 a之電壓波形圖：同圖⑷顯示閘線閘電壓之波 $ ;同圖(b)則係顯示影像信號電壓及像素電極電壓之波形 圖〇 第4圖係一平面圖，用以顯示前述實施形態1相關其他 液曰曰顯示裝置中一像素之像素電極體、對向電極體及配線 等之配置。 第5圖（a)係一平面圖，用以顯示本發明實施形態2相關 液曰曰顯不裝置中-像素之像素電極體、對向電極體及配線 等之配置’同圖(b)係-平面圖，用以顯示前述實施形態2 相關其他液晶顯示襄置中一像素之像素電極體、對向電極 體及配線等配置。 第6圖係平面圖，用以顯示本發明實施形態3液晶顯 不裝置中一像素之像素電極體、對向電極及配線等之配置。 第7圖（a)係一平面圖，用以顯示本發明實施形態4相關 液晶顯示裝置中-像素之像素電極體、對向電極體與配線 等之配置；同圖（b)則係液晶顯示裝置之截面圖。 第8圖係一平面圖，用以顯示前述液晶顯示裝置中像素 電極體之要部。 第9圖係一平面圖，用以顯示本發明實施形態5液晶顯 示裝置中一像素之像素電極體、對向電極及配線等之配置。 第10圖係一平面圖，用以顯示前述實施形態6相關液晶 顯示裝置中一像素之像素電極體、對向電極體及配線等之 配置。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（210X297公釐） -----，-----1------0^----- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、^τ— -19- 562984 五、發明説明（17 ) 第11圖（a)係一平面圖，用 一 其他液晶顯示装置中一像素之顯示前述實施形態6相關 配線等之配置；糾圖⑻係〜2電極體、對向電極體及 其他液晶顯示裝置中一像素貝電路圖，用以顯示前述 第12®後 專價電路之電路結構。 第12圖係_平面圖，用以 丹 曰顯干奘番占 * ”不本發明實施形態7相關液 之配置。 €極體、對向電極體及配線等 第13圖係一平面圖，用以 侦、、畜曰翩-壯 不本發明實施形態7相關其 線等之配置。 素電極體、對向電極體及配 第14圖係一平面圖，用以 曰+ 不本發明實施形態8相關液 之配置。 體、對向電極體及配線等 第15圖係一平面圖，用以顯 a # 下本發明實施形態9相關液 日曰顯不裝置中一像素之像素電極 之配置。 體料電極體及配線等 第16圖係一平面圖’為用以顯示前述實施形態i相關液 晶顯示裝置中設有補充容量部時—像素中之要部者。 第Π圖係設置前述補充容量部時之等價電路圖。 第18圖係-平面圖，為用以顯示前述實施形態i相關液 晶顯不裝置中設有其他補充容量部時一 第19圖係-塊狀圖，用以說明本發明相關液晶顯示裝 置之驅動方法。 第20圖係一概念圖，用以概略顯示本發明相關多數累 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 卜，…一------Λ^ί: (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •、可· -20- 562984 A7 -—--------- B7 __ 五、發明説明（18 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 積容量之配置形態··同圖0)係顯示多數累積容量呈直列配 置之樣態；同圖（b)係顯示多數累積容量呈並列配置之樣 態；而同圖（c)則係顯示呈環狀配置之樣態。 第21圖（a)係一平面圖，為用以顯示習知橫電場方式之 活動矩陣型液晶顯示裝置所設置之液晶顯示面板中，一像 素之電極及配線等之配置者；同圖（b)為前述液晶顯示裝置 之截面圖。 第22圖（a)係一平面圖，用以顯示設置於習知其他橫電 場方式之活動矩陣型液晶顯示裝置之液晶顯示面板中，一 像素之電極與配線等；同圖則係前述液晶顯示裝置之截 面圖。 本發明之最佳實施形態 (實施形態1) 茲將本發明實施形態i相關之Ips(In_piane Switching) 模式之活動矩陣型液晶顯示裝置（以下稱為液晶顯示裝置） 說明如下。第1圖⑷係-平面圖，用以顯示前述液晶顯示 裝置中，一像素之像素電極體、對向電極體及配線等之配 置；同圖（b)則係一用以顯示液晶顯示裝置之截面圖。第2 圖（a)係一等價電路圖，用以顯示前述液晶顯示裝置中等價 電路之電路結構；同圖（b)亦為一等價電路圖，用以顯示一 像素中等價電路之電路結構。 本實施形態1相關液晶顯示裝置如第丨圖⑺)所示，舉例 言之則對向配置有各由玻璃基板等構成之陣列基板丨及對 向基板2，更具有於彼等間設有液晶層3之結構。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） -21- 562984 A7 ______B7____ 五、發明説明（19 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 前述陣列基板1上如第2圖（a)所示，以矩陣狀設有閘匯 流線X與資料匯流線γ ,而閘匯流線X與資料匯流線γ之各 交叉位置設有作為（主動）開關元件之TFT13。閘匯流線X中 之各閘線（掃描線）以X〗、χ2、...χ^、Xm(m表示行數）表示。 資料匯流線中之各資料線（信號線）則以丫丨、γ2、γ3、…γη」、 Υη表示。又，各單位像素（以下僅稱為像素）中如第1圖（幻 所示’形成有像素電極體（像素電極）11及與像素電極體^ 成對之對向電極體（對向電極）12。像素之尺寸則舉例言之 如20型電視中掃描線有480條時，定為橫211 μιηχ縱633 μιη。 又，陣列基板1上形成有用以將液晶定向之定向膜（圖 中未示）’該膜覆蓋於前述之閘匯流線X、資料匯流線γ、 像素電極體11、對向電極體12及TFT13。 另一方面，對向基板2之内面側亦形成有定向膜，定向 膜舉例言之以聚醯亞胺構成，其表面則施有習知方法之摩 擦處理。 前述TFT13由設置於陣列基板上之閘電極4、舉例言之 由氮化矽層等（SiNx)所構成之絕緣層5、選擇性設於絕緣層 5上之非晶質矽層（a_si)6、源電極7、汲電極8與舉例言之由 氮化矽構成之保護層9所構成。源電極7與資料線γη ΐ連 接。另一方面，汲電極則與像素電極體丨丨連接。 前述像素電極體11為與多數像素電極部分lla.··、電極 連結部分lib〜lid交互連結成連續長條之線狀電極體。各 像素電極部分1 la…除相互設成平行外對資料匯流線¥亦 设成平行。又，電極連結部分i lb、丨lc設置為挾絕緣層與 本紙張尺度適财ϋ國家標準（CNS) Α4規格（210X297公楚) "~ " -22- 562984 A7 ---- —_B7 五、發明説明（2。） "" -- 前段閘線Xm]之-部份重疊。藉此，於重疊部分上形成累 積容量部14a、Ub。因此電極連結部分爪、iu亦有作為 累積谷ϊ電極之機能。 ^ 又，前述對向電極體12之多數對向電極冑分心··為與 對向電極配線12b呈垂直而連結之電極體。各對向電極部分 12a…相互配設成平行且對像素電極部分丨u亦成平行配 置。又，如同圖所明*，像素電極部分Ua••顧向電極部 分12a···呈交互配置。像素電極部分Ua與對向電極部分 之間距約為ΙΟμιη。對向電極配線12b以與閘匯流線χ平行之 樣態配設於單位像素之中央部。 為本發明主要構成要素之累積容量部14a、14b藉由液 晶容量CLC滲漏電荷而具有抑制像素電極體丨丨之電位等級 發生變動之機能。如前述，累積容量部j 4a係藉前段閘線 Xm· 1之一部份與電極連結部分11 b重疊而設置者。另一方 面，累積容量部14b則係藉前段閘線Xml之一部份與電極連 結部分1 1 C重疊而設置者。又，累積容量部設置於閘線Xm】 與電極連結部分lib、lie之間。絕緣層5之厚度為一定值， 但電極連結部分1 lb、1 lc之面積則各自相異。藉此，使累 積容量部14a之累積容量Cstl與累積容量相異。舉例而 言，令電極連結部分lib之面積為1〇80〇μιη、電極連結部分 1 lc之面積為7200μιη時，則Cstl=2.16pF而累積容量Cst2= 1.44pF。又，液晶容量cLC係便於說明而以總稱表示者，實 際上如第2圖所示，為液晶容量cLC1、液晶容量Clc2及液晶 容量CLC3之總和。液晶容量cLci為前述第1圖（a)中點鎖線所 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐）

訂| 广請先閲讀背面之涑意箏項真填寫本貢) 562984 五、發明説明（21 ) 不領域16所形成之液晶容量，液晶容量a㈡則為領域口所 形成之液晶容量，而液晶容量Cl。為領域18所形成之液晶 容量。 於此，於一像素中設置累積容量部14&、141)之理由如 下所述。 如前述第1圖所示，若起因於閘線^與電極連結部分 11c間電力短路（以下僅以短路略稱之）之不良部分a〗存在 於累積容量部14b時，於修正部分a3，施以雷射修正，並使 具有缺陷之電極連結部llb由像素電極體11切離。於此，若 為習知之雷射修正方法，則以將具不良部分之像素由其他 良好而可動作之像素群切離，而使顯示不良現象僅止於具 不良部分之像素。相對於此，若為前述之結構，則因殘留 有正常且可動作之像素電極部分na與累積容量部W，像 素將為可動作之狀態而可防止其成為無法顯示之不良像 素。又’累積容量部…亦正常發揮機㊣，因此，可抑制起 因於像素中可驅動領域16、17之液晶容量滲漏 電荷之像素電極體U電位等級發生變動。藉此，修正後之 像素（以下亦有稱為修正像素者）中，可防止極端之亮度降 低而抑制與其他正常像素間之亮度溝增大。結果將可抑制 顯示斑之發生。此外，因修正不良像素並使之呈可顯示狀 態，故亦可圖成品率之提高。 相同地，因短路而起之不良部分&或&發生時， 各藉於修正部分Al，、A2,、心，施行雷射修正而防止該像素 成為無法顯示之不良像素。 本紙張尺度義巾目Η緖準(CNS) Α4規格（210X297公釐丁

(請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 一 口 -24- 562984 A7 B7

五、發明説明（U -----·-----------夢…： (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 累積容量部14a及累積容量部14b之容量值之所以相 異’乃因對應雷射修正後液晶容量之變化。因此，若以雷 射G正使像素電極體11之一部份切斷，所切離之部分已無 法驅動液晶。。因此像素全體之液晶容量因雷射修正而減 少。又’以雷射修正進行像素電極體n之切斷，正常而可 動作之像素電極部分11a…數量減少，像素電極部分之長度 總和減短，結果液晶容量之電荷滲漏量亦發生變化（因電荷 滲漏量與像素電極部分11&之長度成比例）。更於打丁13亦 發生電荷滲漏。考慮上述各點，於修正後之像素中，累積 容量部14a宜具有可對應正常且可動作之像素電極部分 11 a…及TFT13之電荷滲透量之容量值。具體言之，則累積 容量部14a之容量值宜較累積容量部i4b之容量值大。進行 雷射修正之修正部分如前所述因事先設定為Αι，〜a4，之任 一者，若於該等修正部分中之任一修正部分進行雷射修 正，則可預先想定液晶容量及累積容量之容量值與補充容 量之容量值比將發生何種變化。因此，可依該想定之情形， 以容篁值之比不發生大幅變化之前提下事先決定累積容量 部14a及累積容量部14b之容量值。藉如前述般進行容量值 之設定，可使來自前段閘線Xw之電壓耦合量大致相等， 雖修正像素之亮度因雷射修正而多少降低些許，但可使臨 界值特性與位修正之正常像素大致相同。又，累積容量1 設置三個以上時，則最少離TFT13最近之累積容量部具有 最大之容量值。舉例而言，如由TFT 13側依序將α Ρ、γ : 個累積容量部直列配置時，該等累積容量部則可設為如= 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（210X297公釐) ' 〜 ---- -25- 562984 A7 ------— B7__ 五、發明説明（23 ) " "~" '一" 足α>β=γ、α>β>γ、α呻、之大小關係之值。 又藉叹置累積容量部14a、14b，而可使用來自閘線Km」 之電位耦合之容篁結合驅動法。該容量結合驅動法如曰本 特許2568659號所揭示，係於像素中寫入電位後而開關元件 處於OFF之期間内，以前段或後段閘線或另設之共通容量 、、東為中”施加重疊電壓之方法。若採用該驅動方法，除可 減少消費電力外，尚可改善畫質，提高信賴度。 更加針對该容量結合驅動法說明如下。第3圖係本實施 开I 1相關液晶顯示裝置中用以說明結合驅動法之電壓波 形圖：同圖（a)係顯示前段閘線Xmi及該段閘線Xm中閘電壓 之波形；同圖（b)則顯示有影像信號電壓及像素電極電壓之 波幵y圖。首先，若對正常像素之情形作敘述，則該段閘線 乂⑴為ON期間時，像素電壓為V5(信號電壓）所充電。使該段 閘線Xm處於〇FF期間後，若於前段閘線重疊補償電壓 νι ’則像素電極電位Vd將重疊AV。於此，重疊電壓Δν以 △V Vlx (Cstl + Cst2)/(Cstl+Cst2+CLc)表示。對此，於不良像 素施加雷射修正而成為修正像素之時，舉例言之於累積容 量部14b等發生短路時，因該累積容量部14b已被切離而無 法動作。但累積容量部14a為正常且可動作，因此若於前段 閘線Xm-!上重疊與前述相同重疊補償電壓Vl，則像素電極 電位Vd上重疊有AV，。於此，重疊電壓Δν，以△v，==ViX Csti/(Cstl+Cst2+CLC)表示。因此，本實施形態相關液晶顯示 裝置中’即使係雷射修正後之修正像素亦可進行容量結合 驅動。但’若為習知之液晶顯示裝置，於對累積容量部中 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（210X297公釐） -26- ——----------------0^—— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

•、可I 562984 A7 B7 _ 五、發明説明（24 ) ^ ~~ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 具有缺陷之不良像素進行雷射修正時，該累積容量部將變 得無法動作而使重疊電壓為〇。因&於習知之液晶_以 中已無法使修正像素進行容量結合驅動。 茲以以下所述方法製作具有前述結構之IPS模式液晶 顯示裝置。 首先，於科寧公司所製玻璃基板（產品號碼1737)之單 面上使用真空成膜裝置披著舉例而言膜厚約02|11111程度之 Cr金屬薄膜層。之後以預定形狀將該〇金屬薄膜層圖像 化，選擇性地形成閘匯流線X、閘電極4與對向電極體12。 以下，將該基板作為陣列基板。又，閘電極4為用以構成各 TFT13之一部份之電極，與各閘線Χι、χ2、· χιη ΐ、^連 接。又，各閘線Xi、X2、."χ^、Xm之端部圖像化以呈可 連接閘信號驅動電路（用以於閘匯流線χ上施加閘信號之 驅動電路）之端子電極者。 其次’於玻璃基板之全面上使用電漿CVD裝置依次層 積作閘絕緣層用之絕緣層5(氮化矽層（siNx))、幾乎不含不 純物而作絕緣閘型晶體管之通路（(^&111161)用之非晶質矽層 及作為層間絕緣層用之氮化矽層。該等之各層厚舉例言之 乃定為0·3μηι、〇·〇5μηι、Ο.ίμιη。接著藉將氮化矽層加以蝕 刻’使該氮化矽層只選擇性地殘留於閘電極4上，而其它未 形成閘電極4之領域則露出非晶質之矽層。 接著’於玻璃基板之全面上使用電漿CVD裝置形成含 有不純物之磷之非晶質矽層。該矽層之層厚舉例言之則定 為〇·〇5μηι。接著，將非晶質矽層蝕刻以形成非晶質矽層6。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（210χ297公釐） -27- 562984 A7 £7_ 五、發明説明（25 ) " 該非晶質矽層6只於必須與資料線γ作電力接觸之通路部 含有礙。 更於玻璃基板上使用真空成膜裝置披著膜厚〇邛111程 度之紹薄膜，之後加以蝕刻而選擇性地形成資料匯流線 Y、源電極7、像素電極體11及汲電極8。此時，源電極7以 與 > 料線Yn_ 1連接之樣態形成。又，沒電極8以與像素電極 體11連接之樣態而形成。更於資料匯流線γ之端部圖像化 而成為可與 > 料、施驅動電路（施加資料信號於資料匯流 線Υ之驅動電路）連接之端子電極。 其次於玻璃基板全面上堆積氮化矽層，形成保護層（純 化膜）9。更於玻璃基板周緣部之一端將作層間絕緣膜用之 氮化矽層及保護膜9去除，藉此使設於閘匯流線X之端部之 端子電極亦露出。再藉前述之動作使閘匯流線X及資料匯 流線Υ可與各自將電力信號輸出至彼等匯流線之閘信號驅 動電路或資料信號驅動電路連接。 更於保護膜9上以習知之方法形成定向膜而完成陣列 基板。 其次，進行製作與陣列基板成對之對向基板。具體言 之，首先，於玻璃基板上形成黑底顯像管（black matrix)及 由R(紅色）G(綠色）B(藍色）所構成之濾色器（圖中未示）。更 於該濾色器上形成定向膜，而製作對向基板。又黑色顯像 管於陣列基板與對向基板貼合之際為與閘匯流線X及資料 匯流線Y之配線位置一致而形成為格子狀。 接著，貼合陣列基板與對向基板後，以習知之方法 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） -28- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂— 562984 五、發明説明（26 ^液曰曰而形成液晶I，製作液晶顯示面才反。更於該液晶顯 不面板之周邊實際裝設閘信號驅動電路及資料信號驅動電 路藉此70成本實施形態1相關之液晶顯示裝置。 、對於如前述製作之液晶顯示裝置，更藉進行檢查程序 2檢查不良像素，於該部量像素巾特定^良部分。具體 a之’藉點亮檢查而調查像素電極體11與何配線發生短 路。舉例言之，以前述方法製作之液晶顯示裝置若為不給 予像素電極體11與對向電極體12電位差時便為黑顯示之顯 不裝置情形下，給予對向電極體12交流電壓而黑顯示時， 則係像素電極體11與對向電極體12間發生短路。另一方 面’白顯示時則為前段閘線Xm-1與像素電極體1U1發生短 路0 於”亥檢查程序中特定不良部分後更進行不良像素之修 正。不良像素之修正舉例言之則採用照射雷射光之擦去 (abrasion)法又，雷射光之照射乃最初對離最遠之 G正邛刀A#進行，於點亮檢查後，再進行確認像素不良是 否已又到G正。未受到修正時，更對較最初照射雷射光之 修正部分距離TFT13更近之修正部分A3,照射雷射光，接著 進行點亮檢查。以下，至不良部分受到修正為止，反覆進 行照射雷射光、點亮檢查之步驟。 藉反覆進行前述之步驟，觀察進行修正後之液晶顯示 面板。結果，修正前之像素中，像素全體成為黑顯示，但 藉施加照射雷射光之修正，而使不良像素之一部份領域亦 可顯不。藉此’於顯示畫面中’可使像素不良不顯眼而提 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格公釐）

•訂— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -29- 562984 A7 B7 五、發明説明（27 高成品率。 :·…；ί::?: (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 又’於本實施形態1中，如第1圖所示，亦可設迂迴累 積容量部14a之旁路19。此係因於累積容量Ua存在有因短 路而起之不良部分As而有必要於修正部分A,施行雷射修 正時，其將可防止正常可動作之累積容量部14b等亦同時遭 到切離之故。藉此，可於像素之全領域驅動液晶，更提高 成品率。但，設置旁路19時，除前述修正部分，外，亦必 須於A5”施行雷射修正。 又，本實施形態1中，對向電極體亦可採用第4圖所示 之具有平面形狀之電極體。第4圖係一平面圖，用以顯示本 實施形態相關其它液晶顯示裝置中，—像素之像素電極 體、對向電極體及配線等。 、一*ΰ 如同圖所示，對向電極體（對向電極）15交互與多數對 向電極部分15a···及電極連結部分15b .連結，為長條狀連 續線形之電極體。X ’對向電極體15之用以與相鄰接像素 中之對向電極艘連接之接續電極線15e乃設置於離所13 最达之對向電極部分上。 採用具有該種平面形狀之對向電極體15時，作為可处 發生短路之部分則可考慮到兩個不良部分Α6 ·•及;: Α7。對該等不良料施行雷射修科，對兩個不: 則可於修正部分〜進行修正；而對不良部分⑽可 部分Α7，進行修正。因此，若為料結構，㈣減少可能發 生之不良部分數量，因而亦可減低修正部分之數^。 (實施形態2) ^ ° 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（210X297公釐） -3〇- 562984 A7 B7 五、發明説明（28 ) — 兹將本發明之實施形態2—面參閱第5圖（a)及第5圖（b) 一面說明如下。第5圖（a)係一平面圖，用以顯示本實施形 態相關液晶顯示裝置中，一像素之像素電極體、對向電極 體及配線等之配置；同圖（b)亦係一平面圖，用以顯示本實 施形態相關其它液晶顯示裝置中，一像素之像素電極體、 對向電極體及配線等之配置。 本實施形態2相關液晶顯示裝置與前述實施形態1先關 液晶顯示裝置相較下，概略而言，相異點在於其係於像素 電極體與對向電極體間設置累積容量部。若將該相異點更 加具體地描述則如下所述。 本實施形態2相關像素電極體（像素電極μΐ如第5圖（a) 所示，係由相互平行配置之像素電極部分21a…與連結該等 像素電極部分21a…之電極連結部分21b〜2Id所構成。電極 連結部分21b、21c挾氮化矽層設置於對向電極配線i2b上， 並藉此各自於與對向電極配線12b之間形成累積容量部 22a、22b 〇 於此，使電極連結部分21b、21c之面積各自相異。藉 此，使累積容量部22a之累積容量與累積容量部22b之面積 互為不同。舉例言之，令電極連結部分2lb之面積為 10800μηι2、電極連結部分21c之面積為7200μηι2時，則累積 容量部22a之容量值為2.16pF、累積容量部22b之容量值為 1.44pF 〇 前述結構之液晶顯示裝置中，累積容量部22b中存在有 起因於對向電極配線12b與電極連結部分21c間短路之不良 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

-31- 五、發明説明（29 ) 口P刀B丨時，藉實施雷射修正 ^ Φ ^ ^ ^ ^ v 、乜正口「刀心上而可使具短路 中由像素電極體21分離。因此，修正像素 中殘留有正常而可動作之像私 可顯示之狀態，而可防止其成為心二修正像素處於 丹珉馮無法顯不之不良像素。結 甘，：可提高成品率。又，修正像素並不單只可顯示，與 其它正常像素相較亦可抑制亮度低下，即，可防止閃燦特 性大幅相異。而其理由為正常動作之累積容量部22a尚殘留 之故。結果將亦可抑制顯示斑之發生。更因累積容量部並 非設於閘線Xw上，隨閘線時間常數之增大而將無閘電壓 波形歪曲變大之虞。藉此’將可提供大型且可平均顯示之 液晶顯示裝置。 又，本實施形態2中，尚可採用第5圖（1))所示樣態。即， 取代前述像素電極體21，亦可設置由像素電極部分23a...、 連結該等像素電極部分23a之電極連結部分23b及與像素電 極部分23a連接且於對向電極配線12b上挾氮化矽層等絕緣 層而δ又置之累積容量電極23 c〜23 e所構成之像素電極體23。 各像素電極部分23 a…除相互呈平行設置外，對資料匯 流線γ亦呈平行而設置。又，累積容量2孔〜236挾絕緣層$ 設置於對向電極配線12b上，形成閘線Xw之一部份與累積 容量部24a、24b。於此，使累積容量部23c〜23e之面積各自 相異。藉此，使累積容量部24a之累積容量、累積容量部之 24b之累積容量與累積容量部24c之累積容量相異。舉例言 之，令累積容量電極23c之面積為7200μηι2、累積容量電極 23 d之面積為7200μηι2、累積容量電極23e之面積為3600μπι2 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（210X297公釐） -32- 562984 A7 ^^—----B7___ 五、發明説明（3〇 ) 時’累積容量部24a之容量值為1.44pF、累積容量部24b之 各量值為1.44pF、累積容量部24c之容量值為〇.72pF。 如前述結構之液晶顯示裝置中，累積容量部24c中存在 有起因於對向電極配線1213與電極連結部分23e間短路之不 良部分B3時，藉實施雷射修正於修正部分b3，上而可使具短 路之電極連結部分23e由像素電極體23分離。又，於累積容 量部24b存在有不良部分&時，藉於修正部分b4,施行修正 而使具缺陷之累積容量電極23d由像素電極體23分離。藉 此’與前述相同，除可提高成品率外，並可提供大型且平 均顯示之液晶顯示裝置。 (實施形態3) 本發明實施形態3係一面參照第6圖一面說明如下。第6 圖為一平面圖，用以顯示本實施形態相關液晶顯示裝置 中’一像素之像素電極體、對向電極體及配線等配置。 本實施形態3相關液晶顯示裝置與前述實施形態3相較 下’概略言之相異點則係更在於像素電極體與對向電極體 間設置累積容量部。若將此相異點更具體描述則如下所示。 本實施形態3相關之像素電極體（像素電極）3 1如第6圖 所示由相互平行配置之像素電極部分3丨a••及與該等像素 電極部分31a連接之電極連結部分31b〜31d所構成。電極連 結部分31b、31 d挾絕緣層5設於前段閘線上，藉此各自 於與閘線Xm-i間形成累積容量部32a、32c。另一方面，電 極連結部分31c挾絕緣層5設於對向電極配線i2b上，藉此形 成累積容量部32b於與對向電極配線i2b之間。即，電極連 本紙張尺度適用中國國家標準（®S) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

-33- 562984 A7 '—---— B7____ 五、發明説明（31 ) 結部分31b〜31 d亦有作累積容量電極用之機能。 於此，使電極連結部分3 1 b〜3 Id之面積各自相異。藉 此，使累積容量部32a之容量值與累積容量部321)之容量值 互為不同。舉例言之，令電極連結部分31b之面積為 7200μιη2、電極連結部分31〇之面積為72〇〇μιη2、電極連結 部分31〇1之面積為360(^1112時，則累積容量部32&、321)之容 量值為1.44pF、累積容量部32c之容量值為〇.72pF。 如前述結構之液晶顯示裝置中，累積容量部32c中存在 有起因於閘線Xm-1與電極連結部分31d間短路之不良部分 匕時，藉實施雷射修正於修正部*Ci，上而可使具短路之電 極連結部分31d由像素電極體31分離。又，於累積容量部32b 存在有不良部分C2時，藉於修正部分C2,施行修正而使具缺 陷之累積容量電極31c由像素電極體31分離。因此，修正像 素中殘留有正常而可動作之像素電極部分31a，修正像素處 於可顯示之狀態，而可防止其成為無法顯示之不良像素。 因此而可提高成品率。又，於修正部分C〗，進行雷射修正 時，累積容量部32a、32b可正常動作，另一方面，於修正 部分C2’進行雷射修正時，累積容量部32a可正常動作。藉 此，修正像素並不單只可顯示，與其它正常像素相較亦可 抑制免度低下。結果亦將可抑制顯示斑之發生。 若將容易發生短路之累積容量部分開設置於前段閘線 Xw與對向電極配線12b上，則容易以檢查短路發生位置進 行特定。該檢查方法舉例言之則可採用以下之方法。 首先，將液晶顯示裝置之顯示畫面全面點亮，藉此特 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS〉Α4規格（2〗0Χ297公釐） ------------—— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ·、\^τ— -34- 562984 A7 __________ _____B7__ 五、發明説明（32 ) ' " '~- 定成為黑顯示之不良像素。 其次，對於不良像素，於進行〇1^/〇1?17控制之該段閘線

Xm上施加閘電壓’使不良像素中之TFTn動作。此時，預 先使將影像信號寫入不良像素之資料線Υη-l為0V。 於此，以電力之方法進行檢查時，係進行有以下之〇) 及（2) 〇 (1) 於則段之閘線Xm-1施加5¥之閘電壓，並於對向電極 體12施加0V之電壓。 (2) 於刖段閘線xml施加〇¥之閘電壓，並於對向電極體 12施加5 V之電壓。 進行前述（1)或（2)，並於各自情形下檢查像素電極體31 之電流值。 結果，舉例言之如累積容量部32c發生短路時，若進行 (1) ’則經過液晶容量之充電時間後，像素電極體31之電流 值將成為0。另一方面，若進行（2)則像素電極體31中電流 將持續流動。 又，於累積容量部32b發生短路時，若進行（1)則電流 將持續流動，而另一方面若進行則經過一定時間後像素 電極體3 1之電流將為〇。 進行該檢查之結果為，可特定短路等缺陷係發生於前 段閘線Xmd與像素電極3丨a間所設之累積容量部32c或發生 於對向電極配線12b與電極連結部分3丨c間之累積容量部 32b 〇 又’用以取代前述電力上之方法，亦可以光學上之方 本紙張尺度適用中國國家標準（QsjS)从規格（21〇χ297公釐） (請先閲讀背面之注意事项再填寫本頁) 、一-ΰ -35- 562984 A7 ---—----—____________________________________B7____ 五、發明説明（33 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 法特定短路發生之位置。實行該方法時，於不良像素之前 段閘線Xm-1上施加0V之閘電壓，並於對向電極體12上施加 ±5V之交流電壓。因此，若短路發生在設於對向 電極配線 12b與電極連結部分31c間之累積容量部32卜則不良像素將 不點冗°若其為點壳狀態則係短路發生於累積容量部32b 以外。 因進行以上檢查，而可特定不良部分係發生於前段閘 線Xm」上或係發生於對向電極配線12b上，因此接著進行雷 射修正之際，可容易選定欲修正之部位。舉例言之，若可 特疋其發生於對向電極配線12b上，修正部分，則可依該 選定而自動切離，以利作業效率之提高。 (實施形態4) 茲將本發明之實施形態4參照第7圖及第8圖說明如 下。第7圖（a)係一平面圖，用以顯示液晶顯示裝置中，一 像素之像素電極體、對向電極體及配線等之配置；同圖（b) 則係液晶顯示裝置之截面圖。第8圖為用以顯示像素電極體 要部之平面圖。 本實施形態4相關液晶顯示裝置與前述實施形態3相關 液晶顯示裝置比較下，概略言之，於像素電極體與前段閘 線間、及像素電極體與對向電極體間設置累積容量部為共 通點，但將兩累積容量部以並列配置之點則兩者相異。茲 針對該相異點更具體描述如下。 本實施形態4相關像素電極體（像素電極）4i如第7圖（a) 所示，係具有多數之像素電極部分41a···、連接該等像素電 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） -36- 562984 A7 ______B7_ 五、發明説明（34 ) 極部分41 a…之電極連結部分41b、設置於對向電極配線12b 上之累積谷3：電極41c、多數像素電極部分41a…及連接累 積容量電極41c之接續電極線4Id···。 各像素電極部分41a…除相互配設呈平行外，對資料匯 流線Y亦設置呈平行。 電極連結部分41b挾絕緣層5設置於前段閘線Xmi上， 形成閘線Xm之一部份與累積容量部42。即，與閘線Xmi 重疊之電極連結部分41b亦具有累積容量電極之機能。 又’累積容量電極41c挾絕緣層5設於電極連結部分i2b 上，形成電極連結部分12b之一部份與累積容量部42b。 各接續電極線41d·.·更如第8圖所示，具備有為使照射 雷射光之際容易進行切斷之切斷部43、及為使可易於碟認 該切斷部43之標誌部44。切斷部43之配線寬度d2(例如4μηι) 較電極連結部分12b之配線寬度d!(例如8μηι)為細，而使以 照射雷射光進行之切斷較為容易。標誌部44之配線寬度 七（如20μηι)較電極連結部分12b之配線寬度七（如8μιη)為 寬。又’標誌部44之長度12舉例言之亦可定為2〇μιη。又， 本發明相關之切斷部並不限於前述之切斷部43，舉例而言 可依雷射之照射點而设定形狀及大小’而可依需要適當改 變設計。又，本發明相關之標誌部雖並不限定於前述標誌 部44，但必須最少具有可確保於顯微鏡下之觀察辨識性程 度之大小。又，其形狀可依需要而改變設計。 刖述結構之液晶顯示裝置中，累積容量部42a中存在有 起因於閘線Xm·!與電極連結部分41 b間短路之不良部分d 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -、τ -37- 562984 五、發明説明（35 ) 時’藉施行雷射修正於位在不良部分Di前後之兩修正部分 、D〆’而使具缺陷之電極連結部分仙由像素電極體二 分離。又，累積容量部42b存在有不良部分〇2時，藉於兩 修正部分IV、d2’施行雷射修正，使具缺陷之累積：量電 極41c由像素電極體41分離。如本實施形態所示，若係將累 積容量部42a與累積容量部421)並列配置之結構，則即使切 離其中一累積容量部，因其他累積容量部可正常動作，故 於修正後亦可使像素全領域動作。藉此，可使不良像素之 存在更不明顯，以利提高成品率。 (實施形態5) 茲將本發明之實施形態5參閱第9圖說明如下。第9圖係 一平面圖，用以說明液晶顯示裝置中，一像素之像素電極 體、對向電極體及配線等。 本實施形態5相關液晶顯示裝置與前述實施形態丨相關 其它液晶顯示裝置相較下，於像素電極體與對向電極體間 更設置有其他累積容量部之點則不同。 具體言之，如第9圖所示，像素電極體（像素電極）51係 具有多數像素電極部分51a..·、與該等像素電極部分51a.·· 連接之電極連結部分5 lb〜5 Id、設置於對向電極配線12b上 之累積容量電極51e、連接像素電極部分51a…及累積容量 電極51e之接續電極線51 f…者。又，於接續電極線51f…中， 可採用具有前述實施形態4中說明之切斷部及標誌部之結 構。 於前述結構之液晶顯示裝置中，存在有起因於短路之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（2]〇χ297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁)

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、發明説明（36 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 不良部分E〗〜E4時，對於不良部分^可進行於雷射修正於修 正部分El ’；對不良部分E2則可進行雷射修正於其前後之兩 修正部分匕’、E2,；對不良部分匕則可進行雷射修正於其 則後之兩修正部分、e3,；對不良部分E4則可進行雷射 修正於其前後之兩修正部分e4，、E4，。 若為前述結構之像素電極體51，特別於即使只進行雷 射修正於修正部分E3,或修正部分，時，電極連結部分5lc 可以累積容量電極51e為中介維持與TFT13之連接。因此， 於修正後累積容量部亦可正常動作。結果，即使電荷由液 晶容量滲漏，修正像素亦與正常像素相同地可抑制像素電 極體5 1之電位等級變動。 、τ· (實施形態6) ^將本實施形態6參閱第1 〇圖及第丨丨圖說明如下。第j 〇 圖係一平面圖，用以顯示液晶顯示裝置中，一像素之像素 電極體、對向電極體及配線等之配置。 本實施形態6相關液晶顯示裝置與前述實施形態丨相關 =晶顯示裝置相較下，雖於像素電極體與前段閘線間設有 夕數累積谷量部之點相通，但將該等累積容量部並列配置 之點則相異。又，為將累積容量部並列配置，像素電極體 及對向電極體如以下構造之點亦相異。 即，如第10圖所示，本實施形態相關像素電極體（像素 電極）6丨係具有多數像素電極部分6U…、連接於該等像素 電極連結部份中於閘線Xm側端部之電極連結部分6ib、及 於該等像素電極部分61a·.·中之閘線心』端部而呈直角

-39- 562984 A7 B7 五、發明説明（37 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 狀連接之累積容量電極61c〜61e者。各像素電極部分6ia··. 除相互設置呈平行外，對資料匯流線γ亦設置成平行。又， 電極連結部分61b設置於閘線xm之附近並與該閘線平 行。累積容量電極01c〜6le更挾絕緣層5設置於對向電極配 線63b上，而形成對向電極配線63b之一部份與累積容量部 62a〜62c。另，累積容量電極61c〜61e以配置效率之層面觀 之’亦可使各自之面積相異而藉此使累積容量部62a〜62c 之容量值相異。 、可· 又，對向電極體（對向電極）63為其多數之對向電極部 分63a···與對向電極配線63b成直角狀而連結之電極體。各 對向電極部分63a…相互設置呈平行，且配設成對像素電極 部分61a…亦為平行。又，如同圖所明示，像素電極部分 61a…與對向電極部分63a…呈交互配置。對向電極配線63fc 設置於前段閘線Xm-1之附近並與該閘線i平行。 於上述結構之液晶顯示裝置中，存在有起因於短路之 不良部分時，對於不良部則可進行雷射修正於Fi，、對 不良部分F2則可進行雷射修正於!?2,、對於不良部分匕則可 進行雷射修正於F3,。 於此，本實施形態中將累積容量部62a〜62c並列配置， 因此’即使於前述修正部分Fch中之任一進行雷射修正， 只要短路不發生於全部之不良部分Fl〜F3處，就不至失去所 有之累積容量部62a〜62c。因此，可極力抑制累積容量部之 喪失而可更進一步提高成品率。 又，本實施形態中也可採用具有如第1圖所示平面形狀 -40- 562984 五、發明説明（38 ) 之電極體（使用於前述實施形態1#之對向電極體）作為對 向電極體用。第11圖⑷係-平面圖，用以顯示本實施形能 相關其它液晶顯示裝置中，一像素之像素電極體、對向電 極體及配線等配置。此時，像素電極體61中之累積容量電 極6lc〜6!el絕緣層5設置於前段閘線Xm“上而形成問線 乂…1之一部份與累積容量部64a〜64c。 相關結構之對向電極體12與像素電極體61組合時，有 可能發生短路之部分可知為不良部分f4〜F6。欲對該等不良 部分進行雷射修正時’則可對於不良部分F4進行雷射修正 於F4’、對不良部分F5則可進行雷射修正於F〆、對於不良部 分F6則可進行雷射修正於ρ6， 本實施形態中更將累積容量部64a〜64c並列配置，因 此，即使於刖述修正部分F4〜中之任一進行雷射修正，只 要短路不同時發生於全部之不良部分&〜F6處，就不至失去 所有之累積容量部64a〜64c，因此與前述相同，可極力抑制 累積容量部之喪失而可達到更進一步提高成品率之效果。 又，如本實施形態般將累積容量部並列配置時，將形 成如下之電路結構。第11圖（b)係一等價電路圖，用以顯示 前述其它液晶顯示裝置中，一像素之等價電路之電路結 構。由同圖可知，液晶容量Clc實際上為液晶容量Clc4、液 晶谷量CL(：5、液晶容量CLC：6及液晶容量CLC7之總和。液晶 容量CLC4係以前述第11圖（a)中點鎖線顯示之領域65所形 成之液晶容量，液晶容量CLC5為領域66所形成之液晶容 量’而液晶容量CLC0為領域67所形成之液晶容量，液晶容 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公楚） 562984 A7 £7___ 五、發明説明（39 ) 量匸!^7則為領域68所形成之液晶容量。 (實施形態7) 茲將本發明之實施形態7參閱第12圖及第13圖說明如 下。第12圖係一平面圖，用以顯示本實施形態相關液晶顯 示裝置中，一像素之像素電極體、對向電極體及配線等之 配置。第13圖亦係一平面圖，用以顯示本實施形態相關其 它液晶顯示裝置中，一像素之像素電極體、對向電極體及 配線等之配置。 本實施形態7相關液晶顯示裝置與前述實施形態6之其 它液晶顯示裝置比較下，於像素電極體與前段閘線間設有 多數累積容量部之點為共通，但像素電極體如以下所述結 構之點則不同。 即’如第12圖所示，本實施形態相關像素電極體（像素 電極）71與多數像素電極部分71a••及電極連結部分71b·.. 交互連結，且累積容量電極71c、71d各自以接續電極線71e 為中介設置於像素電極部分71a…上。更詳細言之，像素電 極部分71a···中，由1^丁13處起數第1及第3個之像素電極部 分71a…各自延伸至前段閘線Xmi處。接著，第“固像素電 極部分71a以與累積容量電極71c呈直角狀連接之，第3個像 素電極部分71a則以與累積容量電極71d呈直角狀連接之。 累積容量電極71c、71d挾絕緣層5設置於前段閘線Xm l上而 形成閘線Xm之一部份與累積容量部72&、72b。更使累積 容量部71c、71d之面積各相異，藉此使累積容量部72a、72b 之谷量值互異。又，各像素電極部分7ia…除相互設置呈平 本紙張尺度適用中國國家標準（〇^)八4規格（21〇父297公楚·） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •、可| -42- 562984 A7 I— -----______ 五、發明説明（4〇 ) 行外，對資料匯流線Y亦設成平行。又，電極連結部分7ib 設置為與閘匯流線X呈平行。S，接續電極線71e亦可採 用具有前述實施形態4中說明之切斷部及標誌部之結構。 於前述結構之液晶顯示裝置中，若起因於短路之不良 邛刀G!、G2存在於閘線xm ^與累積容量電極71c或累積容量 電極71 d時，則各自於修正部分g丨’或修正部分，實行雷射 修正。 於此，因本實施形態中將累積容量部72a〜72c並列配 置，故即使於前述修正部分Gl，、G2,中任一進行雷射修正， 只要短路不同時發生於…、G2，將不至同時失去累積容量 部72a、72b，並藉此而可更進一步提高成品率。又，即使 於修正部分G〆、〇2,任一中進行雷射修正，因沒有無法使 狀像素電極冑分71a，@彳以修正像素之全領域驅動液 晶。藉此，可使修正像素更不明顯而提高成品率。 另，本實施形態中，可更於像素電極體71與對向電極 配線12b間設置累積容量部。具體言之，如第13圖所示，於 對向電極12b上，藉設置以TFT13側起數第2個像素電極部 分71a與接續電極線718為中介而連接之累積容量電極 71f，㈣累積容量電極71f與對向電極配線⑶間形成累積 容量部72c。再藉設置該累積容量部72c，而使累積容量部 之數量增加且使之分散配置，更可達到減低像素成為完全 不良狀態確率之效果。又，於累積容量部72c存在有起因於 累積容量電極71f與對向電極配線12b間短路之不良部分^ 時’於修正部分G3 ’施行雷射修正即可。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公爱）

----- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂— -43· 562984 A7 ------Β7 _ 五、發明說明（41 ) (實施形態8) 將本發明之實施形態8參閱第丨4圖說明如下。第j 4 圖係一平面圖，用以顯示液晶顯示裝置中，一像素之像素 電極體、對向電極體及配線等之配置。 本實施形態8相關液晶顯示裝置與前視實施形態2相關 液晶顯不裝置相較下，係於將累積容量部並列配置之點相 如第14圖所示，本實施形態相關液晶顯示裝置中，像 素電極體（像素電極81)與多數像素電極部分及電極 連結部份81 b父互連結，而係一呈長條連續之線型者。累積 令量電極81c〜81e更各由TFT13側依序以接續電極線81f為 中w與各像素電極部分8la…連接。又，該等累積容量電極 81c〜81 e挾絕緣層5設置於對向電極配線12b上而形成對限 電極配線12b之一部份及累積容量部82a〜82c。各像素電極 部分81 a除設置成相互平行外，對資料匯流線γ亦設置成平 行。又，電極連結部分81b…設置成與閘匯流線χ相互平 行。且，各接續電極線81f具有為於照射雷射光之際容易進 行切斷而設之切斷部（圖中未示），及，為可容易確認該切 斷部而設之標誌部（圖中未示）。又，使累積容量電極8丨c〜 81e之面積各自相異，藉此使累積容量部82a〜82c之容量值 互異。 若則述結構之陣列基板上，於對向電極配線與12b與累 積容量電極81c〜81e間任一存在有起因於短路之不良部分 ΗπΗ3時，則各於修正部分Hl，〜h3,進行雷射修正。 —------------------- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐）

----- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •、可I 562984 A7 ΒΊ_ 五、發明説明（42 ) " " " (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 因本實施形態中將累積容量部82a〜82c&列配置，故即 使於前述修正部分士，〜Η，中任一進行雷射修正，只要短路 不同時發生於Hl〜H3，將不至同時失去累積容量部82卜82 c ’並藉此而可更進一步提高成品率。又，即使於修正部分 ^’〜Η，任一中進行雷射修正，因沒有無法使用之像素電極 部分81 a，而可使修正像素之全領域動作。 (實施形態9) 兹將本發明之實施形態9參閱第15圖說明如下。第15 圖係一平面圖，用以顯示液晶顯示裝置中，一像素之像素 電極體、對向電極體及配線等之配置。 本實施形態9相關液晶顯示裝置係以於像素電極體與 對向電極體間直列配置多數累積容量部為特徵。具體言之 則如下所述。 如第15圖所示，像素電極體（像素電極91)與多數像素 電極部分91a···及電極連結部份91b…交互連結，而係一呈 長條連續之線型者。其又係對向電極體（對向電極9 2)與多 數對向電極部分92a…及電極連結部份92b···交互連結，而 係一呈長條連續之線型者。 各像素電極部分91 a除設置成相互平行外，對資料匯流 線Y亦設置成平行。又，像素電極體91中電極連結部分 9lb…及對向電極體92中之電極連結部分92b···亦設置成與 閘匯流線X相互平行。 像素電極體91之電極連結部分91b與對向電極體92之 電極連結部分92b之一部份挾絕緣層5而重疊，藉此由 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） -45- 562984 A7 ---—___________B7_____^ 五、發明説明（43 ) TFT13側依序形成直列配置之累積容量部93a〜93c。 若前述結構之陣列基板上，於像素電極體91之像素電 極部分91a…與對向電極體92之對向電極部分92&間存在有 起因於短路之不良部分h、込時，則各於修正部分L，、 進行雷射修正。藉此可利於提高成品率。此外，藉使用前 述結構之像素電極體91及對向電極體92，可取消配設於像 素中央部之對向電極配線12b而使像素之開口率提高。結 果’將可使顯示畫面更為明亮。 (其它事項） 前述實施形態1〜9中係以多數累積容量部配置為直 列、並列或環狀之樣態為例加以說明者，但本發明並不限 於此。舉例言之，樣態亦可係依需要而適當組合前述三種 配置中之任意兩種配置者；或係組合三種配置之樣態者。 又’前述各實施形態1〜實施形態9中更可為消減修正 像素與正常像素間亮度及閃爍特性之差而具備有補充容量 部。舉例言之，前述實施形態1相關液晶顯示裝置中設有補 充容量部時則結構如下。 第16圖係一平面圖，用以顯示於前述實施形態1中設有 補充容量部時一像素之要部。第17圖係設置有補充容量部 時之等價電路圖。第18圖係一平面圖，用以顯示前述實施 形態1相關液晶顯示裝置中，設有其它補充容量部時之一像 素中之要部。 如第16圖所示，補充容量部101係藉補充容量電極1〇2 挾絕緣層5與閘線xm之一部份重疊而形成者。又，各補充 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

、可I -46- 562984 A7 B7 五、發明説明（44 容量電極102a〜102d與閘線xm重疊部分之面積相異，越接 近TFT13則該面積越小。藉此，各補充容量部1〇la〜1〇ld中 離TFT13越近者補充容量之容量值越小。使各補充容量部 101a〜101d之補充容量之容量值相異之目的在於，使其易於 依雷射修正之修正部分位置而調整補充容量之容量值。 舉例言之，前述第1圖中，於修正部分A3，施行雷射修 正時’液晶容量之容量值與累積容量之容量值之比與修正 前之比相較將發生變化。因此，預先想定該變化，使前述 實施形態1中累積容量部14a之容量值與累積容量部14b之 容量值互異。另一方面，因耦合屬於該像素之閘線所放出 之掃描信號而生之像素電壓變動量為依容量值比之量。藉 此’使液晶容量與累積容量間之比不極力發生變化。 對此，補充容量101係將液晶容量及累積容量之容量值 之和與補充容量之容量值間之比微調，使該比更接近正常 像素者。具體言之，將各補充容量電極102a〜102d中之一或 一者以上藉雷射修整（laser trimming)而由汲電極8切離，使 補充容量部101全體之容量值改變，藉此將液晶容量及累積 容量之容量值之和與補充容量之容量值間之比調節至最合 適之程度。 前述中係以將連接於汲電極8之補充容量電極102與閘 線Xm挾絕緣層重疊而設置補充容量部1〇1之情形為例加以 說明，但本發明並不限於此。舉例言之，本發明相關之液 晶顯示裝置如第18圖所示，亦可係具有將連接於汲電極8 之補充容量電極l〇3a與閘線Xm挾絕緣層重疊而設置之補 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（210X297公釐） — ----- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、τ -47- 562984 A7 I ---------- 五、發明説明（45 ) 充容量部104a、將連接於電極連結部分lld之補充容量電極 103b與閘線Xm重疊而設置之補充容量部1〇仆、及將連接像 素電極部分iia之補充電極容量103(：與閘線Xm重疊而設置 之補充容量部104c之構造。此時，舉例言之，若於修正部 分A，進行雷射修正，則除將與閘線Xm i短路之電極連結部 分1 lc由像素電極體分離外，亦可切離補充容量電極1〇3〇。 結果，一次之雷射修正除可修正不良像素外，並可自動調 整液晶容量及累積容量之容量值之和與補充容量之容量值 間之比之變化，因而有利效率化及省略化為進行調整而進 行之程序。 I 又’前述實施形態1〜實施形態9中，進行雷射修正前 宜先進行檢查有無廢料等附著物附著於陣列基板上，及， 於有附著物附著時以除去該附著物為目的之修正。具體言 之，使用顯微鏡進行陣列基板上之缺陷觀察。該檢查所可 檢查出之附著物係舉例言之如2〇μιη程度之廢料等。檢查之 結果，若閘線與資料線等附著有廢料等時，則實施雷射光 之照射，藉此將該廢料與閘線或資料線之一部份一起挖空 而修正之。此時，必須使閘線或資料線不斷線而進行修正。 藉進行该修正，可防止為無須進行切離像素電極之一部份 之短路缺陷時亦施行雷射修正，因而更提高成品率。 於前述各實施形態1〜實施形態9中，更可依關於修正 像素之資訊，藉以下所述驅動方法驅動液晶顯示裝置。第 19圖係一塊狀圖’用以說明本發明相關液晶顯示裝置之驅 動方法，如同圖所示，液晶顯示面板丨丨丨中，設有施加閘信 本紙張尺度適用中標準（CNS) A4規格（21〇χ297公楚) '

、可I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 562984 A7 —__________B7_ 五、發明説明（46 ) 滅於則述閘匯流線X之閘信號驅動電路1 12及施加資料信 號於前述資料匯流線γ之資料信號驅動電路113。閘信號驅 動電路112及資料信號驅動電路113連接於控制器114，該控 制器係用以製造驅動液晶顯示面板丨丨丨之控制信號者。又， 该控制器114亦與用以供給電壓予對向電極體之對向電極 體電源115連接。且控制器114更與調整信號演算電路116 連接。調整信號演算電路116則與用以記憶修正像素相關資 訊之外部記憶裝置117連接。 於前述結構之驅動電路中，係以以下方法驅動液晶顯 不面板111。即’首先’使外部記憶裝置i 17記憶有關液晶 顯示面板m中受到雷射修正之不良像素（即修正像素）之 資訊。所謂有關修正像素之資訊，具體言之即係像素位置 及於修正像素内修正位置之資訊（(X、Y'R)(X、Y:像素 位置’ R:修正像素内之修正位置))。這些資訊將輸入於調 整信號演算電路116中。調整號演算電路116可依輸入之修 正像素相關資訊演算出驅動修正像素之最適調整電愿。於 演算之際，乃依修正像素中修正位置之資訊而以計算算出 修正像素=積容量之容量值，因此，依該容量值考慮亮度 降低之份量而進行演算。依該演算結果，控制器114一方面 針對正常像素產生通常之控制信號，另一方面則針對修正 像素產生已補充之控制信號。更依該等控制信號’閉信號 動電路及資料信號驅動電路113乃對修正像素施加閑信 補充之資料信號，而實現液晶顯示面板之最佳驅 動。在此，所謂已補充之資料信號意指與針對正常像素而 本紙張尺度適财關緖準規格（21^^·------ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

-49- 562984 A7 -~--B7 五、發明説明（47 ) "~'一 -—--- 施加之資料信號相較下電壓較高之資料信號。 工業上之可利用性 本發明可如前述說明之形態實施，而具有如下之效果 即丄若依本發明相關液晶顯示裝置，因只切離具短路 之累積谷置，可使為不良像素者亦能顯示，且於具缺陷之 累積容量分離後，殘餘之正常累積容量將抑制像素電極之 電位等級之變動，與正常像素相較下亮度及閃燦特性等將 不致產生極端之差異。因此，可使不良像素於顯示晝面上 控不顯眼而可提高成品率。 又，右依本發明相關液晶顯示裝置之像素修正方法， 像素電極與前段或後段之閘線及/或前述對向電極之一部 伤即使發生電力上之短路，亦因僅切離發生短路之重疊部 分，故其它無關短路之領域依然可進行顯示。因此，依前 述方法可防止發生短路之不良像素成為不點亮像素。此 外短路即使發生於構成累積容量之重疊部分，因其他累 積容量將彌補該部分發揮機能，將不致引起受到修正之像 素與正常像素相較下亮度極端降低。藉此，可使具有不良 像素之液晶顯示裝置接近正常之顯示狀態而可提高成品 率。 更依本發明相關液晶顯示裝置之驅動方法，對正常像 素係施加一般之閘信號與資料信號而使之驅動，另一方面 針對修正像素則依該像素位置及修正像素内之修正位置並 因應該修正像素而施加閘信號與資料信號以進行驅動。藉 此’可使修正像素之亮度接近正常像素而驅動之，而使修 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐）

---- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) t. 562984 A7 B7 五、發明説明（48 ) 正像素於顯示晝面上更不明顯。 因此，本發明乃於產業上具有重大意義。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

•、可I 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） -51- 562984 A7 B7 五、發明説明（49 ) 1.. .陣列基板 2.. .對向基板 3.. .液晶層 4.. .閘電極 5.. .絕緣層 6.. .非晶質矽層 7.. .源電極 8… >及電極 9.. .保護層 11…像素電極體 11a...像素電極部分 lib·.·電極連結部分 11c...電極連結部分 lid...電極連結部分 12.. .對向電極體 12a...對向電極部分 12b·.·對向電極配線 13 …TFT 14a···累積容量部分 14b...累積容量部分 15.. .對向電極體 15a...對向電極部分 15b...電極連結部分 元件標號對照表 15c...接續電極線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 16.. .領域 17.. .領域 18…領域 19…旁路 21.. .像素電極體 21a...像素電極部分 21b...電極連結部分 21c...電極連結部分 21d...電極連結部分 22a...累積容量部 22b·.·累積容量部 23…像素電極體 23a...像素電極部分 23b...電極連結部分 23c...累積容量電極 23d...累積容量電極 24a...累積容量部 24b…累積容量部 24c...累積容量部 31…像素電極體 31a...像素電極部分 31b...電極連結部分 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） -52- 562984 A7 B7 五、發明説明（50 ) 31c. ..電極連結部分 61d. ,..累積容 量電極 32a. ..累積容量部 61e. ..累積容 量電極 32b. ..累積容量部 62a. ..累積容 量部 32c. ..累積容量部 62b. ..累積容 量部 41"· 像素電極體 62c. ..累積容 量部 41a. ..像素電極部分 63.., .對向電極體 41b. ..電極連結部分 63a. ..對向電 極部分 41c. ..累積容量電極 63b. ..對向電 極配線 41d. ..接續電極線 64a...累積容 量部 42a. ..累積容量部 64b. ..累積容 量部 42b. ..累積容量部 64c. ..累積容 量部 43"· 切斷部 65... >領域 44... 標諸部 66... .領域 51... 像素電極體 67··· ，領域 51a. ..像素電極部分 68... >領域 51b. ..電極連結部分 71... ，像素電極體 51c. ..電極連結部分 71a. ..像素電 極部分 51d. ..電極連結部分 71b. ..電極連結部分 51e. ..累積容量電極 71c. ..累積容 量電極 51f. ..接續電極線 71d. ..累積容 量電極 61...像素電極體 71e. ..接續電 極線 61a. ..像素電極部分 72a. ..累積容 量部 61b. ..電極連結部分 72b. ..累積容 量部 61c. ..累積容量電極 81…像素電極體 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） -53- 562984 A7 B7 五、發明説明（51 ) 81a...像素電極部分 81b...電極連結部分 81c...累積容量電極 81d...累積容量電極 81f...接續電極線 82a...累積容量部 82b...累積容量部 82c...累積容量部 91.. .像素電極體 91 a...像素電極部分 91b...電極連結部分 92.. .對向電極體 92a...對向電極部分 92b...電極連結部分 93a...累積容量部 93b...累積容量部 93c…累積容量部 101…補充容量部 101a...補充容量部 101b…補充容量部 101c…補充容量部 101d…補充容量部 102.. .補充容量電極 102a...補充容量電極 102b...補充容量電極 102c...補充容量電極 102d...補充容量電極 103a...補充容量電極 103b...補充容量電極 103c...補充容量電極 104a...補充容量部 104b...補充容量部 104c...補充容量部 111.. .液晶顯示面板 112.. .閘信號驅動電路 113.. .資料信號驅動電路 114…控制器 115.. .對向電極體電源 116.. .調整信號驅動電路 117.. .外部記憶裝置 1001…陣列基板 1002…對向基板 1003.. .液晶層 1004.. .定向膜 1005…信號線 10 0 6…^(象素電才亟 1006a···像素電極部分 1006b...連結部分 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -54- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 562984 A7 B7 C〆〜C2’.··修正部分 Clc...液晶容量 ClCI〜ClC7液晶容量 CsTl〜CsT2...累積容量 Di〜D2…不良部分 Di ’〜D2’…修正部分 dl...配線寬度 d2…配線寬度 d3…配線寬度 Ei〜E4…不良部分 Ei’〜E4’···修正部分 Fi〜F4...不良部分 Fi，〜F6’…修正部分 Gi〜G3…不良部分 G1 ’〜G 3 ’…修正部分 仏〜化…不良部分 H!’〜H3’···修正部分 Ii〜I2...不良部分 h’〜12’···修正部分 X…閘匯流線 Xi-Xm…閘線 Y...資料匯流線 YfYn...資料線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 五、發明説明（52 )

1007.. .對向電極 1007a...對向電極部分 1007b...對向電極配線 1008 …TFT 1009…絕緣層 1010.. .閘電極 1011.. .矽層 1012.. .源電極 1013.. .汲電極 1014.. .定向膜 1015…累積容量部 1016…累積容量部 1017.. .不良部分 1018_不良部分 1019…不良部分 1020…不良部分 1021.. .不良部分 A!〜A7…不良部分 Ai’〜A/···修正部分 B1...不良部分 B!’··.修正部分 B2〜B4…不良部分 B2’〜B4’···修正部分 Cl〜C2…不良部分 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（210X297公釐） -55-

Claims (1)

1. 562984

   六、+清本利範圍 第90103438號案申請專利範圍修正本91年12月30曰 1· 一種液晶顯示裝置，係於一對基板間形成有一液晶 層，並藉與前述基板面平行之電場而驅動前述液晶層 中之液晶者； 而前述一對基板中之一基板上係設有： 多數閘線； 各與前述多數閘線交叉設置之多數資料線； 對應前述多數閘線與多數資料線之各交叉點而連 接於前述閘線及資料線之開關元件； 以前述開關元件為中介而與前述資料線相連接之 像素電極；及 與前述像素t極成對之對向電極； 進而，對應於前述多數閘線及多數資料線之各交差 點而分散配置有可固持前述像素電極之電荷之多數累 積容量。 2·如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中前述多數 之累積容量之至少一部份係呈直列配置者。 3·如申請專利範圍第2項之液晶顯示裝置，其並設有一旁 路，該旁路係相對於前述呈直列配置之多數累積容量中 離前述開關元件最近之累積容量而迂迴該累積容量者。 4·如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中前述多數 累積容量之至少一部份係呈並列配置者。 5·如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中前述多數 累積容量中之至少一部份係呈環狀配置者。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

   -56- 562984 申請專利範圍 6· —種液晶顯示裝置，係於一對基板間形成有液晶層，且 藉與前述基板面平行之電場而驅動位於前述液晶層之 液晶者； 而前述一對基板中之一基板上係設有·· 多數閘線； 各與前述多數閘線交又設置之多數資料線； 連 對應前述多數閘線與多數資料線之各交又點而 接於前述閘線及資料線之開關元件； 之 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 以前述開關元件為中介而與前述資料線相連接 像素電極；及 與前述像素電極成對之對向電極； 而前述像素電極係與前述多數閘線中前段或後段 之閘線及/或前述對向電極之—部份挾絕緣層而於多數 位置上重疊， ,MW! 前述多數重叠部份中至少兩處係可構成累積容量 者。 7·如申請專利範圍第6項之液晶顯*裝置，其中前述像素 電極中’即使切離用以構成前述至少兩累積容量中之一 累積容量之像素電極之部分，用以構成另—累積容量之 像素電極部分依然與前述開關元件連接。 8.如申請專㈣6項之液裝置其中前述像素 電極係具有：設置成相互平行，且可於與極 間發生前述平行電場之多數像素電_分^^ 二ΐϋϋϋϋϋΐ㈣—； 本紙張尺度適用令國®^準(⑽纖格⑵0Χ2嶋「 -57- 562984

   、申請專利範園 而’前述累積容量則係藉使前述電極連結部分與前 述前段或後段之閘線及/或前述對向電極之—部 而形成者。 且 9·如申料職㈣6項之液晶.㈣裝置，其巾前述像素 電極係具備有相互平行設置之多數像素電極部分、用以 連結前述多數像素電極部分之電極連結部分及用以形 成前述累積容量用之累積容量電極； 而刖述累積容量電極係藉與前述前段或後段之閘 線及/或前述顯示電極之一部份重疊而形成前述累積容 量者。 10·如申請專利範圍第9張液晶顯示裝置，其中前述電極連 結部分係藉與前述前段或後段之閘線及/或前述對向電 極之一部份重疊而形成前述累積容量者。 11 ·如申請專利範圍第1 〇項之液晶顯示裝置，其中前述累積 容量電極係以接續電極線為中介而與前述像素電極部 分連接者。 12·如申請專利範圍第11項之液晶顯示裝置，其中前述接續 電極線之配線寬度較前述像素電極部分之寬度為小。 13.如申請專利範圍第丨丨項之液晶顯示裝置，其中前述接績 電極線設有以雷射光進行切斷之切斷部， 且更於前述切斷部施有記號。 14·如申請專利範圍第6項之液晶顯示裝置，其係使用以構 成前述至少兩累積容量之重疊部分的面積相異者。 15·如申請專利範圍第6項之液晶顯示裝置，其中前述開關 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) M規格（210 X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .訂— __ Ur. -58- 562984 申請專利範圍 元件係以前述畫素電極與汲電極為中介而連接； (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 前述汲電極及/或前述像素電極中設有至少一個補 充容量電極，該補充容量電極係藉以前述多數閘線中該 段之閘線的一部分及前述絕緣層為中介並重疊之狀 態，而形成補充容量者。 16.如申請專利範圍第15項之液晶顯示裝置，其中前述補充 容量電極為多數時，各補充容量電極與前述閘線之—部 分之重疊面積相異者。 17 · —種陣列基板，係設有： 多數閘線； 各自與前述複數閘線交又設置之多數資料線； 對應前數多數閘線與多數資料線之各交叉點而連 接别述閘線與資料線之開關元件；以前述開關元件為中 介而連接前述資料線之像素電極；及， 與前述像素電極成對之對向電極； 進而，對應前述多數閘線與多數資料線之各交又點 乃分散配置可固持前述像素電極之電荷之多數累積容 量。 18. —種液晶電視，係於一對基板間形成有液晶層，且藉與 前述基板面平行之電場驅動位於前述液晶層之液晶者； 而前述一對基板中之一基板上係設有： 多數閘線； 與前述多數閘線各自交叉而設之多數資料線； 對應前述多數閘線與多數資料線之各交又點而與 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） -59· 562984 A8 B8 C8 ____________D8 六、申請專利範圍 前述閘線與資料線連接之開關元件； 以前述開關元件為中介而與前述資料線連接之像 素電極；及， 與前述像素電極成對之對向電極； 而前述像素電極係與前述多數閘線中前段或後段 之閘線及/或前述對向電極之—部錄絕緣層而於多數 位置上重疊， 且前述多數重叠部位中最少兩處係可構成累積容 量者。 19· -種液晶顯示裝置之像素修正方法，該液晶顯示裝置係 具有： -基板’係設有多數之閘線、與前述多數閘線各自 交叉而設之多數資料線、對應前述多數閘線與多數資料 線之各交又點而與前述閘線與資料線連接之開關元 件、以前述開關70件^中介而與前述資料線連接之像素 電極、及，與前述像素電極成對之對向電極者； 另一基板，係與前述基板相對者；及， 液晶層，係設於前述之一基板與另一基板間； 且藉與前述一基板面平行之電場而驅動位於前述 液晶層者， 而前述像素電極係與前述多數閘線中前段或後段 之閘線及/或部份前述對向電極挾絕緣層在多數位置上 重疊， 且使前述多數重疊中至少兩處構成累積容量； 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210 X 297公釐） ^ 1 f •---------I---·------f I--- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、訂丨 Ur. -60- 562984 A8 B8 C8 ——----D8___ 六、申請專利範圍 於前述重疊部位發生電力短路時，則切斷前述像素 電極中則述短路附近之前述開關元件侧預定部位或前 述短路附近之前後預定部位。 20.如申請專利範圍第19項之液晶顯示裝置之像素修正方 法，其中前述切斷係由離前述開關元件最遠之重疊部位 開始依序進行切斷者。 21·如申請專利範圍第2〇項之液晶顯示裝置之像素修正方 法，其係於每一次欲進行由距離前述開關元件最遠之重 疊部位開始依序切斷時，進行像素之顯示檢查。 22·如申請專利範圍第2〇項之液晶顯示裝置之像素修正方 法，其中前述電極與前述前段或後段之閘線及部分前述 對向電極間重疊時，將於像素電極與前段或後段之閘線 間或像素電極與對向電極間之任一發生電力短路加以 特定後再進行前述之切斷。 23·如申請專利範圍第19項之液晶顯示裝置之像素修正方 法’别述像素電極係設為相互平行且於與前述對向電極 間具有使平行電場發生之多數像素電極部分及連結前 述夕數像素電極之電極連結部分，而藉與前述電極連結 部分、前述前段或後段閘線及/或部分前述對向電極重 疊而形成前述累積容量且於前述重疊處發生電力上之 短路時， 藉切斷前述像素電極中一或二個以上預定處而使 前述發生短路之電極連結部分由像素電極切離。 24·如申請專利範圍第19項之液晶顯示裝置之像素修正方 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210 X 297公釐）

   (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -61- 562984 A8 B8 C8 -----— 卯 A ' 申請專'" -- T前述像素電極具有相互平行設置之多數像素電極部 刀用以連結則述多數像素電極之電極連結部分及用以 形成前述累積容量之累積容量電極，而前述累積容量電 極藉與前述前段或後段之閘線及/或部分前述對向電極 重疊而形成前述累積容量且於該累積容量發生電力上 之短路時， 藉切斷刚述像素電；^中一或二個以上預定處而使 前述發生短路之電極連結部分由像素電極切離。 25·如申請專利範圍第24項之液晶顯示裝置之像素修正方 法’於前述累積容量電極以接續電極線為中介連接前述 像素電極部分時， 藉切斷前述接續電極線中預定部位，而使前述發生 短路之累積容量電極由前述像素電極切離。 26·如申請專利範圍第19項之液晶顯示裝置之像素修正方 法，其中前述之切斷係照射雷射光而進行者。 27·如申請專利範圍第19項之液晶顯示裝置之像素修正方 法，其於進行前述切斷前先進行檢出附著於前述一基板 上之附著物用之缺陷觀察，且更於檢出前述附著物時以 雷射光照射附著物而進行該附著物之去除。 28· —種液晶顯示裝置之驅動方法，該液晶顯示裝置係具 有： 一基板，係設有多數之閘線、與前述多數閘線各自 交叉而設之多數資料線、對應前述多數閘線與多數資料 線之各交叉點而與前述閘線與資料線連接之開關元 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（210 X 297公釐）

   、可丨 (請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) ΙΗ----1*·. -62- 562984 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 件、以前述開關元件為中介而與前述資料線連接之像素 電極、及，與前述像素電極成對之對向電極者； 另一基板，係與前述基板相對者；及， 液晶層，係設於前述之一基板與另一基板間； 而係藉與前述-基板面平行之電場而驅動位於前 述液晶層者； 前述像素電極係與前述多數閘線中前段或後段之 閘線及/或前述對向電極之一部份挾絕緣層而重疊； 前述多數重疊部財至少兩處更可構成累積容量； 且，對於前述重疊部位發生有電力短路之不良像 素，乃於該不良像素之像素電極巾存在有藉切斷前述短 路附近之前述開關元件侧預定部位或前述短路附近之 前後預定部位而進行修正之修正像素時，則依前述修正 像素之像素位置及修正像素中之修正位置之資訊而補 充施加於修正像素之資料信號進而驅動該修正像素。 瘭V -------------·-------Γ---- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂丨 • JHL· 63- 562984

   第19圖 11:7

   19/22 562984 第120圖 (a) 開關元件 (b) 開關元件 (c) .開關元件

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