JP2001305586A - 液晶表示装置、その画素修正方法及びその駆動方法 - Google Patents

液晶表示装置、その画素修正方法及びその駆動方法

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JP2001305586A JP2001038135A JP2001038135A JP2001305586A JP 2001305586 A JP2001305586 A JP 2001305586A JP 2001038135 A JP2001038135 A JP 2001038135A JP 2001038135 A JP2001038135 A JP 2001038135A JP 2001305586 A JP2001305586 A JP 2001305586A
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pixel electrode
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Akinori Shioda
昭教 塩田
Hirofumi Yamakita
裕文 山北
Katsuhiko Kumakawa
克彦 熊川
Sadakichi Hotta
定吉 堀田
Yoneji Takubo
米治 田窪
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
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Abstract

(57)【要約】 【課題】透過率の低下を抑制し、不良画素を救済して歩
留まりの向上を図ることが可能な液晶表示装置、その画
素修正方法およびその駆動方法を提供する。 【解決手段】一対の基板間に液晶層が形成され、前記基
板面に平行な電界によって前記液晶層に於ける液晶を駆
動させる液晶表示装置は、前記一対の基板のうち一方の
基板上には、複数のゲート線と、前記複数のゲート線に
それぞれ交差する様に設けられた複数のデータ線と、前
記複数のゲート線と複数のデータ線との各交差点に対応
して、前記ゲート線及びデータ線に接続されたスイッチ
ング素子と、前記スイッチング素子を介して前記データ
線に接続された画素電極と、前記画素電極と対をなす対
向電極とが設けられ、さらに前記複数のゲート線と複数
のデータ線との各交差点に対応して、前記画素電極の電
荷を保持する複数の蓄積容量が分散配置された構成を有
する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、アクティブマトリ
クス型の液晶表示装置、その修正方法及びその駆動方法
に関し、特に横電界方式のアクティブマトリクス型液晶
表示装置、その修正方法及びその駆動方法に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、パーソナルコンピュータの発達に
伴い液晶表示装置、とりわけアクティブマトリクス型液
晶表示装置の需要が増加する傾向にある。またパーソナ
ルコンピュータに限らず、液晶テレビジョン(以下、液
晶TVと略称する。)に対しても需要は増してきてい
る。
【0003】ここで、液晶TVに要求される特性の一つ
に広視野角が挙げられる。この広視野角を実現するた
め、これまで様々な種類の液晶表示装置が開発されてき
た。その中で特に注目されているのが、横電界方式(I
PSモード)のアクティブマトリクス型液晶表示装置で
ある。
【0004】一般に、アクティブマトリクス型液晶表示
装置は、2枚のガラス基板間に液晶が封入されており、
一方のガラス基板上には複数の信号線(データ線)群
と、複数の走査線(ゲート線)群とがそれぞれ交差して
マトリックス状となるように設けられた構成となってい
る。さらに、信号線と走査線との各交差部分には、薄膜
トランジスタ(TFT)が配置されている。
【0005】横電界方式のアクティブマトリクス型液晶
表示装置の場合には、さらに液晶の配列状態を画素毎に
制御するための画素電極、及びこれと対をなす対向電極
が同一基板上に設けられる。
【0006】画像表示の際には、走査線を走査して、交
差部分にある薄膜トランジスタをオン状態にする。薄膜
トランジスタがオン状態になると、信号線に入力された
信号電位が画素電極に書き込まれる。そうすると、画素
電極と対向電極との間に電位差が与えられ、基板面に対
して平行な電界(横電界)が印加されるので、液晶も初
期配向状態から新たな配向状態に変化する。これによ
り、液晶層を透過する光の量を調節することが可能とな
る。即ち、印加する信号電圧に応じて液晶を透過する光
の偏光状態が変化し、その偏光状態に応じた明暗が表示
画面に表示される。
【0007】この横電界方式のアクティブマトリクス型
液晶表示装置では、液晶分子が常に基板と平行な状態で
存在するため、画素電極と対向電極とをパネルの厚さ方
向に配置した従来の液晶表示パネルに比べて、パネルを
斜め方向から見てもコントラストが変化しにくく、これ
により視角特性を格段に改善できる。
【0008】以下に、従来の横電界方式のアクティブマ
トリクス型液晶表示装置について、さらに詳しく説明す
る。図21(a)は、従来の横電界方式のアクティブマ
トリクス型液晶表示装置に設けられる液晶表示パネルに
於いて、1画素に於ける電極及び配線等の配置を示す平
面図であり、同図(b)は前記液晶表示装置の断面図で
ある。また、図22(a)は、従来の他の横電界方式の
アクティブマトリクス型液晶表示装置に設けられる液晶
表示パネルに於いて、1画素に於ける電極及び配線等の
配置を示す平面図であり、同図(b)は前記液晶表示装
置の断面図である。
【0009】図21(a)および(b)に示すように、
液晶表示パネルは、各々ガラス基板からなるアレイ基板
1001と対向基板1002とが対向して配置され、両
者の間には液晶層1003が設けられた構成となってい
る。このアレイ基板1001の表面には、相互に一定の
間隔を有する複数の走査線1004…と、各走査線10
04…に交差する複数の信号線1005…と、各画素毎
に備えられる画素電極1006と、画素電極1006と
対をなす対向電極1007と、画素電極1006と信号
線1005との間のスイッチング素子として機能するT
FT1008とが形成されている。さらにこれらの走査
線1004…と平行になるように対向電極1007が設
けられている。また、アレイ基板1001上には、走査
線1004及び対向電極1007を覆う様にして、透明
な絶縁層1009が形成されている。画素電極1006
は、複数の画素電極部分1006a…と、これら複数の
画素電極部分1006a…を連結する連結部分1006
bとからなる。連結部分1006bは走査線1004の
上に設けられている。また、対向電極1007は、複数
の対向電極部分1007a…と、これら複数の対向電極
部分1007a…を連結する対向電極配線1007bと
からなる。さらに、走査線1004と連結部分1006
bとの重なり部分には、蓄積容量部1015が設けられ
ている。
【0010】TFT1008は、具体的には、アレイ基
板1001上に、ゲート電極1010と、前記絶縁層1
009上に選択的に設けられたシリコン層1011と、
ソース電極1012と、ドレイン電極1013とが設け
られて構成されている。
【0011】ソース電極1012は信号線1005に接
続され、ドレイン電極1013は画素電極1006に接
続されている。画素電極部分1006a…と、対向電極
部分1007a…とは交互配置されている。これによ
り、画素電極部分1006aと、対向電極部分1007
aとの間で、アレイ基板1001にほぼ平行な電界を発
生させ、液晶分子の配列状態を画素毎に制御する。
【0012】また、アレイ基板1001上には、前記走
査線1004…、信号線1005…、画素電極100
6、対向電極1007及びこれらのTFT1008を覆
う様にして、液晶を配向させるための配向膜1014が
形成されている。
【0013】一方、対向基板1002はガラス基板から
なり、その内面側には、カラーフィルター(図示しな
い)が設けられている。さらに、このカラーフィルター
を覆うようにして配向膜1014も形成されている。配
向膜1014・1014はポリイミドからなり、その表
面にはラビング処理が施されている。ラビング処理は、
レーヨン等の布を付着したロールで表面を擦ることによ
り行われている。
【0014】また、アレイ基板1001及び対向基板1
002の外側には、それぞれ偏光板(図示しない)が設
けられている。2枚の偏光板は、それらの偏光軸が互い
にクロスニコル状態となる様に配置されている。なお、
以上に於いては、画素電極1006に於ける連結部分1
006bが走査線1004の上に設けられている場合に
ついて述べたが、その他にも、図22に示すように、連
結部分1006bが対向電極1007に於ける対向電極
配線1007bの上に設けられた態様の場合もある。こ
の態様の場合、連結部分1006bと対向電極配線10
07bとの間に、蓄積容量部1016が設けられてい
る。
【0015】すでに述べた様に、従来のIPSモードの
液晶表示装置においては、画素電極1006と対向電極
1007との各層の間に、窒化シリコン層からなる絶縁
層1009が設けられており、両者はこの絶縁層100
9の存在によって互いに絶縁状態にされている。しか
し、絶縁層1009は薄いので、画素電極1006と対
向電極1007とが立体的に交差する部分、例えば図2
1(a)で示す不良箇所1017では、例えば異物など
が絶縁層1009に混入していた場合、導通することが
ある。また、連結部分1006bと走査線1004との
重なり部分(蓄積容量部1015)、例えば同図(a)
で示す不良箇所1018や図22(a)で示す不良箇所
1019でも、同様の理由により導通することがある。
【0016】また、平面視に於いて、画素電極1006
と対向電極1007とは、通常数ミクロン〜十数ミクロ
ンの距離を置いて形成される様に設計されている。従っ
て、フォトリソグラフィ工程でパターニングを行う際
に、両電極間でパターン不良などがあった場合には、画
素電極1006と対向電極1007間(図21(a)で
示す不良箇所1020や図22(a)で示す不良箇所1
021)または、画素電極1006と前段走査線100
4との間で電気的に短絡しやすい構造となっている。
【0017】この様に、画素電極1006と対向電極1
007との短絡等が起こると、両電極間にかかる電位が
低下して、画素全体が暗くまたは白くなってしまい表示
不良画素(以下、単に不良画素と略称する。)となる問
題が存在していた。
【0018】この不良画素の存在は、液晶TVにおいて
特に問題となる。パーソナルコンピュータ用ディスプレ
イの場合、その解像度はXGA(Extended Graphics Ar
ray)またはSXGA(Super Extended Graphics Arra
y)程度である。一方、液晶TVの解像度はNTSC(N
ational TV Standards Committee)程度であり、パーソ
ナルコンピュータ用ディスプレイと比較して解像度が低
い。従って、液晶TVの画素サイズはパーソナルコンピ
ュータ用ディスプレイと比べて大きくなる。従って、液
晶TVに画素欠陥が存在する場合、その画素欠陥はパー
ソナルコンピュータ用ディスプレイで存在する場合より
も視認されやすいものとなる。このため、不良画素の救
済は、表示装置の製造の際に、歩留まり向上のため必要
なものである。
【0019】以上の様な、画素電極1006と対向電極
1007との間の不純物による導通または短絡に起因す
る不良画素の発生に対しては、通常レーザー光の照射に
より画素電極をTFTと切り離すことで修正が施されて
きた。例えば不良箇所1018に対しては、修正箇所1
022にレーザー光を照射することにより、画素電極1
006と不良箇所1018とを切り離して、不良画素の
救済を図っていた。しかし、修正後の画素は動作しなく
なって、ON時に於いても全体が真っ黒になってしまう
という問題があった。また、修正後の画素がたとえ動作
可能であったとしても、蓄積容量部1015に導通が生
じたことにより、その蓄積容量部1015を切り離した
場合には、液晶容量から電荷のリークに起因して、その
画素の輝度が低下し、表示ムラなどが発生するという問
題があった。
【0020】また、特開平5−333376号公報に開
示されている様に、1画素に予め2つのTFTを設ける
ことにより、レーザー光の照射後に一方のTFTと画素
電極とが切り離されて動作しなくなっても、他方のTF
Tによって画素の動作を確保し、画素の不良化を回避す
る方法も提案されている。しかし、この修正方法におい
ては、画素の不良が発生しない通常の場合には、不必要
なTFTが各画素に存在するため、画素の開口率が低く
なり画素の透過率が低下するという問題があった。
【0021】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題点
に鑑みてなされたものであり、その目的は、透過率の低
下を抑制し、不良画素を救済して歩留まりの向上を図る
ことが可能な液晶表示装置、その修正方法およびその駆
動法方法を提供することにある。
【0022】
【課題を解決するための手段】前記の課題を解決するた
めに、本発明に係る液晶表示装置は、一対の基板間に液
晶層が形成され、前記基板面に平行な電界によって前記
液晶層に於ける液晶を駆動させる液晶表示装置であっ
て、前記一対の基板のうち一方の基板上には、複数のゲ
ート線と、前記複数のゲート線にそれぞれ交差する様に
設けられた複数のデータ線と、前記複数のゲート線と複
数のデータ線との各交差点に対応して、前記ゲート線及
びデータ線に接続されたスイッチング素子と、前記スイ
ッチング素子を介して前記データ線に接続された画素電
極と、前記画素電極と対をなす対向電極とが設けられ、
さらに前記複数のゲート線と複数のデータ線との各交差
点に対応して、前記画素電極の電荷を保持する複数の蓄
積容量が分散配置されていることを特徴とする。
【0023】前記の構成によれば、複数のゲート線と複
数のデータ線との各交差点に対応して、換言すれば各画
素毎に、スイッチング素子が設けられている。さらに、
各画素毎に複数の蓄積容量も分散して配置されている。
ここで、各画素毎に複数の蓄積容量が「分散配置されて
いる」とは、例えば複数の蓄積容量のうちの1つが、電
気的な短絡により正常に動作できない状態になり、かつ
この欠陥のある蓄積容量を切り離した場合でも、他の蓄
積容量が動作可能な様に配置されていることを意味す
る。
【0024】よって、前記の構成によれば、欠陥のある
蓄積容量を切り離してもその他の蓄積容量は正常に機能
しているので、この正常に機能する蓄積容量が、欠陥の
ある蓄積容量を補完して画素電極の電位レベルの変動を
抑制する。よって、欠陥のある蓄積容量が切り離された
画素と、正常画素とを比較しても、輝度およびフリッカ
特性等に極端な差異が生じるのを抑制できる。これによ
り、不良画素を表示画面上で一層目立たなくさせること
ができ、歩留まりの向上が図れる。
【0025】前記構成に於いて、前記複数の蓄積容量の
少なくとも一部は、直列的に配置された構成を採用する
ことができる。
【0026】さらに、直列的に配置されている複数の蓄
積容量のうち、前記スイッチング素子に最も近い蓄積容
量に対して、該蓄積容量を迂回するバイパスが設けられ
ている構成とすることもできる。
【0027】また、前記構成に於いて、前記複数の蓄積
容量の少なくとも一部は、並列的に配置された構成を採
用することができる。
【0028】また、前記構成に於いて、前記複数の蓄積
容量の少なくとも一部は、ループ状に配置された構成を
採用することができる。
【0029】ここで、「直列的に配置された」、「並列
的に配置された」および「ループ状に配置された」と
は、等価回路上の直列または並列接続等の電気的接続を
意味するものではなく、1画素に於ける複数の蓄積容量
の概念上の配置形態を意味する。図20に、複数の蓄積
容量の配置形態を概略的に示した概念図を示す。直列的
な配置とは、例えば同図(a)に示すような配置形態を
意味する。この配置形態であると、例えばスイッチング
素子から数えて3番目の蓄積容量に欠陥がある場合、こ
の蓄積容量を切り離しても、正常に動作可能な蓄積容量
が2つ残っている。従って、正常画素との間の輝度差を
低減し、歩留まりの向上が図れる。ここで、前記したよ
うに、スイッチング素子に最も近い蓄積容量を迂回する
バイパスが設けられていると、この蓄積容量に欠陥があ
った場合に、当該蓄積容量を切り離しても、その他の正
常な蓄積容量までが同時に切り離されるのを防止でき
る。この結果、一層歩留まりの向上が図れる。また、並
列的な配置とは、例えば同図(b)に示すような配置形
態を意味する。この配置形態の場合、欠陥のある蓄積容
量を切り離しても、その他の蓄積容量は全て動作可能で
あるため、さらに一層歩留まりの向上が図れる。また、
ループ状の配置とは、例えば同図(c)に示すような配
置形態を意味する。この配置形態の場合に於いても、欠
陥のある蓄積容量を切り離して、他の蓄積容量を正常に
動作させることが可能であるため、やはり歩留まりの向
上が図れる。
【0030】また、前記の課題を解決するために、本発
明に係る液晶表示装置は、一対の基板間に液晶層が形成
され、前記基板面に平行な電界によって前記液晶層に於
ける液晶を駆動させる液晶表示装置であって、前記一対
の基板のうち一方の基板の上には、複数のゲート線と、
前記複数のゲート線にそれぞれ交差する様に設けられた
複数のデータ線と、前記複数のゲート線と複数のデータ
線との各交差点に対応して、前記ゲート線及びデータ線
に接続されたスイッチング素子と、前記スイッチング素
子を介して前記データ線に接続された画素電極と、前記
画素電極と対をなす対向電極とが設けられ、前記画素電
極は、前記複数のゲート線のうち前段若しくは後段のゲ
ート線および/または前記対向電極の一部と、絶縁層を
介して複数の位置で重なっており、前記複数の重なりの
うち少なくとも2つは蓄積容量を構成することを特徴と
する。
【0031】さらに前記の構成は、前記画素電極に於い
て、前記少なくとも2つの蓄積容量のうち一方の蓄積容
量を構成する画素電極の部分が切り離されても、他方の
蓄積容量を構成する画素電極の部分が前記スイッチング
素子と接続されている構成とすることができる。
【0032】前記各構成によれば、各画素に於いて、複
数の重なりのうち少なくとも2つは蓄積容量として機能
するので、例えばそのうちの1つが電気的な短絡により
正常に動作せず、これにより欠陥のある蓄積容量を切り
離した場合でも、もう一方の蓄積容量によって画素電極
の電位レベルの変動を抑制することができる。この結
果、正常画素と比較して輝度およびフリッカ特性等に極
端な差異が生じることもない。よって、不良画素を表示
画面上で目立たなくさせることができ、歩留まりの向上
が図れる。
【0033】また、前記構成に於いて、前記画素電極
は、相互に平行に設けられ、かつ前記対向電極との間で
前記平行な電界を発生させる複数の画素電極部分と、前
記複数の画素電極部分を連結する電極連結部分とを備
え、前記蓄積容量は、前記電極連結部分と前記前段若し
くは後段のゲート線および/または前記対向電極の一部
との重なりによって形成される構成とすることができ
る。
【0034】また、前記画素電極は、相互に平行に設け
られた複数の画素電極部分と、前記複数の画素電極部分
を連結する電極連結部分と、前記蓄積容量を形成するた
めの蓄積容量電極とを備え、前記蓄積容量電極は、前記
前段若しくは後段のゲート線および/または前記対向電
極の一部と重なることにより、前記蓄積容量を形成する
構成とすることができる。
【0035】さらに、前記の構成に於いて、前記電極連
結部分は、前記前段若しくは後段のゲート線および/ま
たは前記対向電極の一部と重なることにより、前記蓄積
容量を形成する構成とすることができる。
【0036】さらに、前記蓄積容量電極は、接続電極線
を介して画素電極部分に接続されていてもよい。蓄積容
量電極と、前記前段若しくは後段のゲート線および/ま
たは前記対向電極の一部との間での電気的な短絡によっ
て、蓄積容量電極を画素電極から切り離す場合にも、接
続電極線を切断することにより、蓄積容量電極の切り離
しが容易に行える。これにより、蓄積容量電極の切り離
しに伴って、例えば他の画素電極部分なども同時に切り
離されてしまうのを防止することができ、表示可能な領
域を最大限に確保できる。この結果、不良画素を表示画
面に於いて一層目立たなくさせることができる。
【0037】その上さらに、前記構成に於いて、前記接
続電極線の少なくとも一部の配線幅は、前記画素電極部
分の幅よりも小さい構成とすることができる。これによ
り、蓄積容量電極を画素電極から切り離す場合にも、接
続電極線を容易に切断することができる。
【0038】また、前記構成に於いて、前記接続電極線
にはレーザー光により切断するための切断部が設けられ
ており、さらに前記切断部にはマーキングが施されてい
る構成とすることもできる。接続電極線に予め切断部を
設け、さらにこの切断部にマーキングを施しておくこと
により、接続電極線の断線が容易となる。この結果、レ
ーザー修正による不良画素の修正が容易な液晶表示装置
を提供することができる。
【0039】また、前記構成に於いて、前記少なくとも
2つの蓄積容量を構成している重なりの面積が、相互に
異なっているものとすることができる。2つ以上の蓄積
容量のうち欠陥のある蓄積容量を構成する画素電極の部
分が切断されると、その欠陥のある蓄積容量は回路構成
から切り離されるため、画素全体に於ける蓄積容量の容
量値は減少する。また、前記画素電極の部分の切断に伴
って液晶容量が減少する場合もある。よって、画素電極
の部分の切断後は、蓄積容量と液晶容量の容量値の比は
変化する。しかしながら、前記構成のように、蓄積容量
を構成する重なりの面積を相互に異ならせて、各蓄積容
量の容量値を各々相違させると、液晶容量および蓄積容
量の比の変動を抑制することが可能となる。この結果、
正常な画素との輝度差を小さくし、かつフリッカ特性も
大きく変わってしまうのを防ぐので、不良画素の目立た
ない液晶表示装置を提供することができる。
【0040】また、前記の構成に於いて、前記スイッチ
ング素子は前記画素電極とドレイン電極を介して接続さ
れており、前記ドレイン電極および/または前記画素電
極には、前記複数のゲート線のうち当段のゲート線の一
部と前記絶縁層を介して重なることにより補正容量を形
成する、切断可能な補正容量電極が少なくとも1つ設け
られている構成とすることができる。前記の構成によれ
ば、2つ以上の蓄積容量のうち、欠陥のある蓄積容量が
切り離されることによって、液晶容量および蓄積容量の
容量値の和と、補正容量の容量値との比が変化しても、
例えば前記補正容量電極を切断することにより、補正容
量の容量値を調整することができる。この結果、液晶容
量および蓄積容量の容量値の和と補正容量の容量値との
比(以下、容量値の比と略称する。)が正常画素に近づ
くようにすることができ、表示画面に於いて不良画素を
一層目立たなくさせることができる。
【0041】さらに、前記の構成に於いて、前記補正容
量電極が複数ある場合、各補正容量電極と前記ゲート線
の一部との重なり面積は相互に異なっているものとする
ことができる。前記の構成によれば、各補正容量電極と
前記ゲート線の一部との重なり面積を相互に異ならせる
ことにより、各補正容量電極とゲート線の一部との間で
形成する補正容量の容量値を互いに相違させている。こ
れにより、蓄積容量が切り離された場合に、必要に応じ
て複数の補正容量電極を切断するなどすれば、蓄積容量
の容量値をさらに微調整することができ、容量値の比を
正常画素に一層近づけさせることができる。
【0042】前記の課題を解決するために、本発明に係
るアレイ基板は、複数のゲート線と、前記複数のゲート
線にそれぞれ交差する様に設けられた複数のデータ線
と、前記複数のゲート線と複数のデータ線との各交差点
に対応して、前記ゲート線及びデータ線に接続されたス
イッチング素子と、前記スイッチング素子を介して前記
データ線に接続された画素電極と、前記画素電極と対を
なす対向電極とが設けられ、さらに前記複数のゲート線
と複数のデータ線との各交差点に対応して、前記画素電
極の電荷を保持する複数の蓄積容量が分散配置されてい
ることを特徴とする。
【0043】前記の課題を解決するために、本発明に係
る液晶テレビジョンは、一対の基板間に液晶層が形成さ
れ、前記基板面に平行な電界によって前記液晶層に於け
る液晶を駆動させる液晶テレビジョンであって、前記一
対の基板のうち一方の基板の上には、複数のゲート線
と、前記複数のゲート線にそれぞれ交差する様に設けら
れた複数のデータ線と、前記複数のゲート線と複数のデ
ータ線との各交差点に対応して、前記ゲート線及びデー
タ線に接続されたスイッチング素子と、前記スイッチン
グ素子を介して前記データ線に接続された画素電極と、
前記画素電極と対をなす対向電極とが設けられ、前記画
素電極は、前記複数のゲート線のうち前段若しくは後段
のゲート線および/または前記対向電極の一部と、絶縁
層を介して複数の位置で重なっており、前記複数の重な
りのうち少なくとも2つは蓄積容量を構成することを特
徴とする。
【0044】前記の構成によれば、2つ以上の蓄積容量
のうち1つが電気的な短絡により正常に動作せず、これ
により欠陥のある蓄積容量を切り離した場合でも、もう
一方の蓄積容量によって画素電極の電位レベルの変動を
抑制するので、正常画素と比較して輝度およびフリッカ
特性に極端な差異が生じることもない。よって、画素サ
イズの大きい液晶テレビジョンであっても、修正画素を
表示画面上で目立たなくさせ、修正画素が視認されるの
を抑制することができる。これにより、歩留まりを向上
させて製造可能な液晶テレビジョンを提供することがで
きる。
【0045】前記の課題を解決するために、本発明に係
る液晶表示装置の画素修正方法は、複数のゲート線、前
記複数のゲート線にそれぞれ交差する様に設けられた複
数のデータ線、前記複数のゲート線と複数のデータ線と
の各交差点に対応して前記ゲート線及びデータ線に接続
されたスイッチング素子、前記スイッチング素子を介し
て前記データ線に接続された画素電極、および前記画素
電極と対をなす対向電極が設けられた一方の基板と、前
記基板に対向する他方の基板と、前記一方の基板および
他方の基板の間に設けられた液晶層とを有し、前記一方
の基板面に平行な電界によって前記液晶層に於ける液晶
を駆動させる液晶表示装置の画素修正方法であって、前
記画素電極は、前記複数のゲート線のうち前段若しくは
後段のゲート線および/または前記対向電極の一部と、
絶縁層を介して複数の位置で重なり、さらに前記複数の
重なりのうち少なくとも2つは蓄積容量を構成してお
り、前記重なりで電気的な短絡が生じた場合に、前記画
素電極に於いて、前記短絡近傍であって前記スイッチン
グ素子側の所定の箇所または前記短絡近傍であって前後
の所定の箇所を切断することを特徴とする。
【0046】前記の方法によれば、画素電極と前段若し
くは後段のゲート線および/または前記対向電極の一部
との間で電気的な短絡が生じた場合に、画素電極に於け
る短絡近傍であってスイッチング素子側の所定の箇所ま
たは短絡近傍であって前後の所定の箇所を切断するの
で、スイッチング素子と切り離されていない画素電極が
設けられている領域では、表示をさせることができる。
また、切り離された画素電極の部分が蓄積容量に関わる
ものであっても、蓄積容量は少なくとも2つ設けられて
いることから、他の蓄積容量が表示に必要な電荷保持の
機能を果たす。よって、前記の方法によれば、複数の重
なっている部分で短絡が生じても、不点灯画素になるの
を防止できる。加えて、短絡が蓄積容量を構成する重な
りの部分で生じた場合であっても、他の蓄積容量がこれ
を補完して機能するので、修正された画素が正常な画素
と比較して極端に輝度の低下を招来することもない。よ
って、前記方法によれば、表示画面に於いて修正画素を
目立たなくさせることができ、歩留まりの向上が図れ
る。
【0047】前記の方法に於いて、前記切断は、前記ス
イッチング素子から最も離れて重なっている部分から順
次行うことができる。この方法によれば、短絡の生じて
いない重なりの部分に関わる画素電極の一部が無用に切
り離されるのを防止することができる。
【0048】さらに、前記の方法に於いて、前記スイッ
チング素子から最も離れて重なっている部分から順次切
断を行う毎に、画素の表示検査を行うことができる。
【0049】また、前記の方法に於いて、前記画素電極
が、前記前段若しくは後段のゲート線および前記対向電
極の一部との間で重なっている場合に、画素電極と前段
若しくは後段のゲート線との間、または画素電極と対向
電極との間の何れで電気的な短絡が生じているのかを特
定した後に、前記切断を行うことができる。この方法に
よれば、画素電極と前段若しくは後段のゲート線の一部
との間、および画素電極と対向電極の一部との間でそれ
ぞれ蓄積容量が形成されているので、両者のうち何れで
短絡を生じているのかが分かれば、画素電極の切断の工
程は半分ですみ、作業の効率化が図れる。
【0050】また、前記の方法に於いて、前記画素電極
は、相互に平行に設けられ、かつ前記対向電極との間で
平行な電界を発生させる複数の画素電極部分と、前記複
数の画素電極部分を連結する電極連結部分とを備え、前
記蓄積容量は、前記電極連結部分と前記前段若しくは後
段のゲート線および/または前記対向電極の一部とが重
なることによって形成される場合であって、前記重なり
で電気的な短絡が生じている場合に、前記画素電極に於
ける所定の1または2以上の箇所を切断することによ
り、前記短絡のある電極連結部分を画素電極から切り離
すことができる。
【0051】また、前記の方法に於いて、前記画素電極
は、相互に平行に設けられた複数の画素電極部分と、前
記複数の画素電極部分を連結する電極連結部分と、前記
蓄積容量を形成するための蓄積容量電極とを備え、前記
蓄積容量電極は、前記前段若しくは後段のゲート線およ
び/または前記対向電極の一部と重なることにより前記
蓄積容量を形成している場合であって、前記重なりで電
気的な短絡が生じている場合に、前記画素電極に於ける
所定の1または2以上の箇所を切断することにより、前
記短絡のある蓄積容量電極を前記画素電極から切り離す
ことができる。
【0052】さらに、前記の方法に於いて、前記蓄積容
量電極が接続電極線を介して前記画素電極部分に接続さ
れている場合に、前記接続電極線に於ける所定の箇所を
切断することにより、前記短絡のある蓄積容量電極を前
記画素電極から切り離すことができる。
【0053】また、前記の方法に於いて、前記切断はレ
ーザー光を照射して行うことができる。
【0054】また、前記の方法に於いて、前記切断の前
に、前記一方の基板上に付着した付着物を検出するため
の欠陥観察を行い、さらに前記付着物が検出された場合
には、これにレーザーを照射することにより該付着物の
除去を行うことができる。この方法によれば、切断の必
要が無い欠陥に対してまで、切断により修正が行われる
のを防止することができ、歩留まりの向上が図れる。
【0055】前記の課題を解決するために、本発明に係
る液晶表示装置の駆動方法は、複数のゲート線、前記複
数のゲート線にそれぞれ交差する様に設けられた複数の
データ線、前記複数のゲート線と複数のデータ線との各
交差点に対応して前記ゲート線及びデータ線に接続され
たスイッチング素子、前記スイッチング素子を介して前
記データ線に接続された画素電極、および前記画素電極
と対をなす対向電極が設けられた一方の基板と、前記基
板に対向する他方の基板と、前記一方の基板および他方
の基板の間に設けられた液晶層とを有し、前記画素電極
は、前記複数のゲート線のうち前段若しくは後段のゲー
ト線および/または前記対向電極の一部と、絶縁層を介
して複数の位置で重なり、さらに前記複数の重なりのう
ち少なくとも2つは蓄積容量を構成している液晶表示装
置の駆動方法であって、前記重なりに於いて電気的な短
絡のある不良画素に対し、該不良画素に於ける画素電極
に於いて、前記短絡近傍であって前記スイッチング素子
側の所定の箇所または前記短絡近傍であって前後の所定
の箇所を切断することにより修正された修正画素が存在
する場合に、前記修正画素の画素位置および修正画素に
於ける修正位置の情報に基づいて、修正画素に印加する
データ信号を補正し、該修正画素を駆動させることを特
徴とする。
【0056】前記の方法によれば、修正画素に於ける修
正位置に基づいて、当該修正画素での蓄積容量の容量値
を算出することができる。この容量値に応じて、正常な
画素と比較した修正画素の輝度の低下分を考慮し、修正
画素に対しては、補正されたデータ信号を印加する。こ
の結果、修正画素の輝度を正常な画素の輝度に近づけて
駆動させることが可能となり、表示画面に於いて修正画
素を一層目立たなくさせることができる。なお、補正さ
れたデータ信号とは、正常画素に印加するデータ信号の
電圧よりも、高い電圧のデータ信号を意味する。また、
画素位置および修正画素に於ける修正位置の情報に基づ
いて、ゲート信号を補正してもよい。
【0057】
【発明の実施の形態】(実施の形態1)本発明の実施の
形態1に係るIPS(In-Plane Switching)モードのア
クティブマトリクス型液晶表示装置(以下、液晶表示装
置と称する。)について、以下に説明する。図1(a)
は、前記液晶表示装置に於いて、1画素に於ける画素電
極体、対向電極体及び配線等の配置を示す平面図であ
り、同図(b)は液晶表示装置を示す断面図である。図
2(a)は、前記液晶表示装置における等価回路の回路
構成を示す等価回路図であり、同図(b)は1画素に於
ける等価回路の回路構成を示す等価回路図である。
【0058】本実施の形態1に係る液晶表示装置は、図
1(b)に示すように、例えばそれぞれガラス基板など
からなるアレイ基板1と対向基板2とが対向して配置さ
れ、さらにそれらの間に液晶層3が設けられた構成を有
している。
【0059】前記アレイ基板1の上には、図2(a)に
示すように、ゲートバスラインXと、データバスライン
Yとがマトリックス状となる様に設けられ、ゲートバス
ラインXと、データバスラインYとの各交差位置には
(能動)スイッチング素子としてのTFT13…が設け
られている。ゲートバスラインXに於ける各ゲート線
(走査線)は、X1、X2、…Xm-1、Xm(mは行の数を
示す。)で示す。データバスラインYに於ける各データ
線(信号線)は、Y1、Y2、Y3、…Yn-1、Yn(nは
列の数を示す。)で示す。また、各単位画素(以下、単
に画素と称する。)には、図1(a)に示すように、画
素電極体(画素電極)11と、画素電極体11と対をな
す対向電極体(対向電極)12とが形成されている。画
素のサイズは、例えば20型TVで走査線が480本の
場合、横211μm×縦633μmとしている。
【0060】また、アレイ基板1上には、前記ゲートバ
スラインX、データバスラインY、画素電極体11、対
向電極体12及びTFT13などを覆う様にして、液晶
を配向させるための配向膜(図示しない)が形成されて
いる。
【0061】一方、対向基板2の内面側にも配向膜が形
成されている。配向膜は、例えばポリイミドからなり、
その表面には従来公知の方法にてラビング処理が施され
ている。
【0062】前記TFT13は、アレイ基板1上に、ゲ
ート電極4と、例えば窒化シリコン層(SiNx)など
からなる絶縁層5と、絶縁層5の上に選択的に設けられ
た非晶質シリコン層(a−Si)6と、ソース電極7
と、ドレイン電極8と、例えば窒化シリコン層からなる
保護膜9とが設けられて構成されている。ソース電極7
はデータ線Yn-1に接続されている。その一方、ドレイ
ン電極8は画素電極体11に接続されている。
【0063】前記画素電極体11は、複数の画素電極部
分11a…と電極連結部分11b〜11dとが交互に連
結した、長尺な一続きの線形状となっている電極体であ
る。各画素電極部分11a…は相互に平行に配設されて
いると共に、データバスラインYに対しても平行に設け
られている。また、電極連結部分11b・11cは、絶
縁層5を介して、前段のゲート線Xm-1の一部と重なる
ようにして設けられている。これにより、重なり部分に
於いて、蓄積容量部14a・14bを形成している。よ
って、電極連結部分11b・11cは、蓄積容量電極と
しての機能も有している。
【0064】また、前記対向電極体12は、複数の対向
電極部分12a…が対向電極配線12bに直交する様に
連結した電極体である。各対向電極部分12a…は相互
に平行に配設されており、かつ画素電極部分11a…に
対しても平行に配設されている。また、同図からも明ら
かな様に、画素電極部分11a…と対向電極部分12a
…とは、交互に配置されている。画素電極部分11aと
対向電極部分12aとの離間距離は、約10μmとして
いる。対向電極配線12bは、単位画素の中央部に、ゲ
ートバスラインXに平行となる様に配設されている。
【0065】本発明の主要構成要素である前記蓄積容量
部14a・14bは、液晶容量CLCから電荷がリークす
ることにより、画素電極体11の電位レベルが変動する
のを抑制する機能を有している。前述のように、蓄積容
量部14aは、前段のゲート線Xm-1の一部と電極連結
部分11bとが重なることにより設けられている。その
一方、蓄積容量部14bは、前段のゲート線Xm-1の一
部と電極連結部分11cとが重なることにより設けられ
ている。また、ゲート線Xm-1と電極連結部分11b・
11cとの間に設けられている。絶縁層5の層厚は一定
としているが、電極連結部分11b・11cの面積はそ
れぞれ異ならせている。これにより、蓄積容量部14a
の蓄積容量Cst1と、蓄積容量部14bの蓄積容量Cst2
とを互いに相違させている。例えば、電極連結部分11
bの面積を10800μm2とし、電極連結部分11c
の面積を7200μm2とした場合、Cst1=2.16p
Fであり、蓄積容量Cst2=1.44pFである。な
お、液晶容量CLCは、説明の便宜上総称して表したもの
であって、実際には図2(b)に示すように、液晶容量
LC1、液晶容量CLC2および液晶容量CLC3の総和であ
る。液晶容量CLC1は前記図1(a)に於いて一点鎖線
で示された領域16で形成される液晶容量であり、液晶
容量CLC2は領域17で形成される液晶容量であり、液
晶容量CLC3は領域18で形成される液晶容量である。
【0066】ここで、1画素内に蓄積容量部14a・1
4bを設けたのは、以下に述べる理由による。
【0067】前記図1に示す様に、ゲート線Xm-1と電
極連結部分11cとの電気的短絡(以下、単に短絡と略
称する。)に起因する不良箇所A3が、蓄積容量部14
bに存在する場合、修正箇所A3’にレーザー修正を施
して、画素電極体11から短絡欠陥のある電極連結部分
11bを分離させる。ここで、従来のレーザー修正方法
であると、不良箇所のある画素を他の良好に動作可能な
画素群から切り離すことにより、表示不良を不良箇所の
ある画素だけに止めるものであった。これに対して前記
構成であると、正常に動作可能な画素電極部分11aと
蓄積容量部14aとが残っているので、画素は表示可能
な状態であり、表示のできない不良画素となるのを防止
できる。また、蓄積容量部14aも正常に機能すること
から、画素に於いて駆動可能な領域16・17に於ける
液晶容量CLC1・CLC2からの電荷のリークによって画素
電極体11の電位レベルが変動するのを抑制することが
できる。これにより、修正後の画素(以下、修正画素と
称する場合もある。)に於いて、極端な輝度の低下を防
止し、他の正常な画素との間で輝度のギャップが大きく
なるのを抑制する。その結果、表示ムラの発生を抑制す
ることができる。加えて、不良画素を修正し、これを表
示可能な状態にするため、歩留まりの向上も図れる。
【0068】同様に、短絡に起因する不良箇所がA1
2またはA4に発生する場合には、それぞれ修正箇所A
1’、A2’またはA4’にレーザー修正を施すことによ
り、当該画素が表示のできない不良画素となるのを防止
できる。
【0069】蓄積容量部14aおよび蓄積容量部14b
の容量値を相互に異ならせているのは、レーザー修正後
の液晶容量の変化に対応させるためである。レーザー修
正により画素電極体11の一部が切断されると、切り離
された部分では、もはや液晶を駆動させることはできな
い。よって、画素全体としての液晶容量は、レーザー修
正により減少する。また、レーザー修正による画素電極
体11の切断によって、正常に動作可能な画素電極部分
11a…の数が少なくなり画素電極部分11a…の長さ
の総和が短くなる結果、液晶容量の電荷のリーク量も変
化する(電荷のリーク量は、画素電極部分11aの長さ
に比例するからである。)。さらに、TFT13からも
電荷のリークは起こっている。これらの点を考慮する
と、修正後の画素に於いて、蓄積容量部14aは、正常
に動作可能な画素電極部分11a…およびTFT13の
電荷のリーク量に対応可能な容量値を有しているのが好
ましい。具体的には、蓄積容量部14aの容量値は、蓄
積容量部14bの容量値よりも大きくなっているのが好
ましい。レーザー修正を行う修正箇所は、前述した様
に、A1’〜A4’の何れかに予め設定されているので、
これらの修正箇所のうちどの修正箇所にレーザー修正を
行えば、液晶容量および蓄積容量の容量値と、補正容量
の容量値との比がどの様に変化するのかは、想定するこ
とができる。よって、この想定に基づいて、容量値の比
が大幅に変化しない様に、蓄積容量部14aおよび蓄積
容量部14bの容量値を決めておけばよい。この様に容
量値の設定を行うことにより、前段のゲート線Xm-1
らの電圧カップリング量をほぼ等しくすることができ、
修正画素の輝度はレーザー修正により多少低下するもの
の、しきい値特性を未修正の正常な画素とほぼ等しくで
きる。なお、蓄積容量部を3つ以上設ける場合には、少
なくともTFT13に最も近い蓄積容量部が最も大きい
容量値を有していればよい。例えばTFT13側から順
にα、β、γの3つの蓄積容量部を直列的に配置した場
合、これらの蓄積容量部は、それらの容量値が例えばα
>β=γ、α>β>γ、α=β>γの大小関係を満たす
様に設ける。
【0070】なお、蓄積容量部14a・14bを設けた
ことにより、ゲート線Xm-1からの電位カップリングを
用いた容量結合駆動法を可能にしている。この容量結合
駆動法は、日本国特許2568659号に開示されてい
るように、画素に一旦電位を書き込んだ後の、スイッチ
ング素子がOFFの期間に、前段若しくは後段のゲート
線、または別途設けられた共通容量線を介して重畳電圧
を印加する方法である。この駆動方法を採用すると、消
費電力を減少させると共に、画質を改善し、信頼性の向
上が図れる。
【0071】この容量結合駆動法について、さらに説明
を加えると以下の通りである。図3は本実施の形態1に
係る液晶表示装置に於いて、容量結合駆動法を説明する
ための電圧波形図であって、同図(a)は前段のゲート
線Xm-1、および当段のゲート線Xmに於けるゲート電圧
の波形を示し、同図(b)はデータ信号電圧および画素
電極電圧の波形図を示す。先ず、正常画素の場合につい
て述べると、当段のゲート線XmがON期間であると
き、画素電位はVs(信号電圧)に充電される。当段の
ゲート線XmをOFF期間とした後に、前段のゲート線
m-1に補償電圧V 1を重畳すると、画素電極電位Vdに
はΔVが重畳される。ここで、重畳電圧ΔVはΔV=V
1×(Cst1+Cst2)/(Cst1+Cst2+CLC)で表さ
れる。これに対して、不良画素にレーザー修正を加えた
修正画素の場合には、例えば蓄積容量部14bに短絡な
どがあった場合、この蓄積容量部14bはすでに切り離
されているので、動作できなくなっている。しかし、蓄
積容量部14aは正常に動作可能であるので、前段のゲ
ート線Xm-1に前記と同様に補償電圧V1を重畳すると、
画素電極電位VdにはΔV’が重畳される。ここで、重
畳電圧ΔV’はΔV’=V1×Cst1/(Cst1+Cst2
LC)で表される。よって、本実施の形態に係る液晶表
示装置に於いては、レーザー修正後の修正画素であって
も、容量結合駆動することが可能である。しかし、従来
の液晶表示装置であると、蓄積容量部に欠陥のある不良
画素に対しレーザー修正を行った場合、その蓄積容量部
は動作できなくなるので、重畳電圧ΔVは0である。よ
って、従来の液晶表示装置に於いては、修正画素はもは
や容量結合駆動をさせることができなくなる。
【0072】以上の様な構成を有するIPSモードの液
晶表示装置は、以下に述べる方法にて作製する。
【0073】先ず、コーニング社製のガラス基板(商品
コード1737)の片面上に、真空成膜装置を用いて、
例えば膜厚0.2μm程度のCr薄膜金属層を被着す
る。その後、このCr薄膜金属層を所定の形状にパター
ニングして、ゲートバスラインX、ゲート電極4及び対
向電極体12を選択的に形成する。以下、この基板をア
レイ基板1とした。なお、ゲート電極4は、各TFT1
3…の一部を構成する電極であって、各ゲート線X1
2、…Xm-1、Xmと接続されている。また、各ゲート
線X1、X2、…Xm-1、Xmの端部は、ゲート信号駆動回
路(ゲートバスラインXにゲート信号を印加する駆動回
路)に接続可能な端子電極となる様にパターニングして
いる。
【0074】次に、ガラス基板の全面に、プラズマCV
D装置を用いて、ゲート絶縁層としての絶縁層5(窒化
シリコン層(SiNx))、不純物をほとんど含まず絶
縁ゲート型トランジスタのチャネルとなる非晶質のシリ
コン層、及び層間絶縁層としての窒化シリコン層を順次
積層する。それぞれの層厚は、例えば0.3μm、0.
05μm、0.1μmとする。続いて、窒化シリコン層
をエッチングすることにより、その窒化シリコン層がゲ
ート電極4上にのみ選択的に残る様にし、その他のゲー
ト電極4が形成されていない領域では非晶質のシリコン
層を表出させる。
【0075】次に、ガラス基板の全面に、プラズマCV
D装置を用いて、不純物としてリンを含む非晶質のシリ
コン層を形成する。このシリコン層の層厚は、例えば
0.05μmとする。続いて、非晶質のシリコン層をエ
ッチングすることにより、非晶質シリコン層6を形成す
る。この非晶質シリコン層6は、データバスラインYと
の電気的接続に必要なチャネル部にのみリンを含んでい
る。
【0076】さらに、ガラス基板上に、真空成膜装置を
用いて、膜厚0.3μm程度のアルミ薄膜を被着し、そ
の後エッチングしてデータバスラインY、ソース電極
7、画素電極体11及びドレイン電極8を選択的に形成
する。このとき、ソース電極7はデータ線Yn-1と接続
する様に形成する。また、ドレイン電極8は、画素電極
体11と接続する様に形成する。さらに、データバスラ
インYの端部は、データ信号駆動回路(データバスライ
ンYにデータ信号を印加する駆動回路)に接続可能な端
子電極となる様にパターニングしている。
【0077】次に、ガラス基板の全面に窒化シリコン層
を堆積して、保護膜(パッシベーション膜)9を形成す
る。さらに、ガラス基板の周縁部の一端に於いて、層間
絶縁層としての窒化シリコン層および保護膜9を除去す
ることにより、ゲートバスラインXの端部に設けられた
端子電極を表出させる。また、アレイ基板1の周縁部の
他端に於いて、保護膜9を除去することにより、データ
バスラインYの端部に設けられた端子電極も表出させ
る。これにより、ゲートバスラインXおよびデータバス
ラインYを、これらのバスラインにそれぞれ電気信号を
出力するゲート信号駆動回路またはデータ信号駆動回路
と接続できる様にする。
【0078】さらに、保護膜9上に、従来公知の方法で
配向膜を形成して、アレイ基板1を完成する。
【0079】次に、アレイ基板1と対をなす対向基板2
の作製を行う。具体的には、先ず、ガラス基板上にブラ
ックマトリクスおよびR(赤色)・G(緑色)・B(青
色)で構成されるカラーフィルター(図示しない。)を
形成する。さらに、このカラーフィルター上に配向膜を
形成して、対向基板2を作製する。なお、ブラックマト
リクスは、アレイ基板1と対向基板2とを貼り合わせる
際に、ゲートバスラインXおよびデータバスラインYの
配線位置と一致する様に、格子状に形成する。
【0080】続いて、アレイ基板1と対向基板2とを貼
り合わせた後、従来公知の方法で液晶を注入することに
より液晶層を形成して、液晶表示パネルを作製する。さ
らに、この液晶表示パネルの周辺にゲート信号駆動回路
およびデータ信号駆動回路を実装し、これにより本実施
の形態1に係る液晶表示装置を完成する。
【0081】以上の様にして作製された液晶表示装置に
対して、さらに検査工程を行うことにより、不良画素を
チェックして、その不良画素に於ける不良箇所を特定す
る。具体的には、点灯検査により画素電極体11とどの
配線とが短絡しているかを調べる。例えば、前記方法に
て作製した液晶表示装置が、画素電極体11と対向電極
体12とに電圧差を与えないときに黒表示となる表示装
置である場合に、対向電極体12に交流電圧を与え、黒
く表示されたときには画素電極体11と対向電極体12
との間で短絡が生じている。その一方、白く表示された
ときには、前段のゲート線Xm-1と画素電極体11との
間で短絡が生じている。
【0082】この検査工程に於いて不良箇所が特定され
た場合には、さらにその不良画素の修正を行う。不良画
素の修正には、例えばレーザー光の照射によるアブレー
ション法を採用する。また、レーザー光の照射は、TF
T13から最も離れている修正箇所A4’に対して最初
に行い、点灯検査を行った後、画素不良が修正されてい
るか否かの確認を行う。修正されていない場合には、最
初にレーザー光を照射した修正箇所よりもTFT13に
近い修正箇所A3’に対してさらにレーザー光を照射
し、引き続き点灯検査を行う。以下、不良箇所の修正が
なされるまで、レーザー光の照射、点灯検査の手順を繰
り返し行う。
【0083】前記の手順を繰り返すことにより、修正を
行った後の液晶表示パネルを観察する。その結果、修正
前の不良画素に於いては、画素全体が黒表示になってい
たが、レーザー光の照射による修正を施すことにより、
不良画素の一部の領域も表示させることができる。これ
により、表示画面に於いて、画素不良を目立たなくさせ
ることができ、歩留まりを向上させることができる。
【0084】なお、本実施の形態1に於いては、図1に
示すように、蓄積容量部14aを迂回するバイパス線1
9を設けることもできる。これは、蓄積容量部14aで
短絡に起因する不良箇所A5が存在し、修正箇所A5’に
レーザー修正を施す必要が生じた場合、正常に動作可能
な蓄積容量部14bなども同時に切り離されるのを防ぐ
ためである。これにより、画素の全領域で液晶を駆動さ
せることができ、一層歩留まりの向上が図れる。但し、
バイパス線19を設けた場合には、前記修正箇所A5
の他にA5”にもレーザー修正を施す必要がある。
【0085】また、本実施の形態1に於いては、対向電
極体として、図4に示す平面形状を有する電極体を採用
することも可能である。図4は、本実施の形態に係る他
の液晶表示装置に於いて、1画素に於ける画素電極体、
対向電極体及び配線等の配置を示す平面図である。
【0086】同図に示すように、対向電極体(対向電
極)15は、複数の対向電極部分15a…と電極連結部
分15b…とが交互に連結した、長尺な一続きの線形状
となっている電極体である。また、対向電極体15は、
隣接する画素に於ける対向電極体と接続するための接続
電極線15cが、TFT13から最も離れた対向電極部
分15aに設けられている。
【0087】この様な平面形状を有する対向電極体15
を採用した場合、短絡が生じる可能性のある箇所として
は、2つの不良箇所A6…と、不良箇所A7とが考えられ
る。これらの不良箇所に対してレーザー修正を行う場
合、2つの不良箇所A6…に対しては修正箇所A6’に、
不良箇所A7に対しては修正箇所A7’に修正を行うこと
ができる。よって、前記の構成であると、発生する可能
性のある不良箇所の数を減らすことができ、これに伴い
修正箇所の低減も図ることができる。
【0088】(実施の形態2)本発明の実施の形態2に
ついて、図5(a)および図5(b)を参照しながら以
下に説明する。図5(a)は、本実施の形態に係る液晶
表示装置に於いて、1画素に於ける画素電極体、対向電
極体及び配線等の配置を示す平面図である。同図(b)
は本実施の形態に係る他の液晶表示装置に於いて、1画
素に於ける画素電極体、対向電極体及び配線等の配置を
示す平面図である。
【0089】本実施の形態2に係る液晶表示装置は、前
記実施の形態1に係る液晶表示装置と比較して、概略的
には、画素電極体と対向電極体との間に蓄積容量部を設
けた点が異なる。この異なる点についてさらに具体的に
述べると、以下の通りである。
【0090】本実施の形態2に係る画素電極体(画素電
極)21は、図5(a)に示すように、相互に平行に配
置された画素電極部分21a…と、これらの画素電極部
分21a…を連結する電極連結部分21b〜21dとか
らなる。電極連結部分21b・21cは、対向電極配線
12bの上に窒化シリコン層を介して設けられており、
これによりそれぞれ対向電極配線12bとの間に蓄積容
量部22a・22bを形成している。
【0091】ここで、電極連結部分21b・21cの面
積はそれぞれ異ならせている。これにより、蓄積容量部
22aの蓄積容量と、蓄積容量部22bの蓄積容量とを
互いに相違させている。例えば、電極連結部分21bの
面積を10800μm2とし、電極連結部分21cの面
積を7200μm2とした場合、蓄積容量部22aの容
量値は2.16pFであり、蓄積容量部22bの容量値
は1.44pFである。
【0092】前記構成の液晶表示装置に於いて、蓄積容
量部22bに、対向電極配線12bと電極連結部分21
cとの短絡に起因する不良箇所B1が存在する場合、修
正箇所B1’にレーザー修正を施すことにより、画素電
極体21から短絡欠陥のある電極連結部分21cを分離
させることができる。よって、修正画素には正常に動作
可能な画素電極部分21a…が残っているので、修正画
素は表示可能な状態であり、表示のできない不良画素と
なるのを防止できる。この結果、歩留まりの向上が可能
となる。また、修正画素は、単に表示が可能なだけでな
く、他の正常な画素と比べて輝度の低下も抑制され、か
つフリッカ特性が大幅に異なるのを防止する。その理由
は、正常な動作をする蓄積容量部22aが残っているか
らである。この結果、表示ムラの発生も抑制することが
できる。さらに、ゲート線Xm-1の上に蓄積容量部を設
けるものではないので、ゲート線時定数の増大により、
ゲート電圧の波形歪が大きくなることもない。よって、
大型で均一な表示を可能とする液晶表示装置を提供する
ことができる。
【0093】なお、本実施の形態2に於いては、さらに
図5(b)に示す態様も採用することができる。すなわ
ち、前記画素電極体21に替えて、画素電極部分23a
…と、これらの画素電極部分23a…を連結する電極連
結部分23bと、画素電極部分23a…にそれぞれ接続
され、かつ対向電極配線12bの上に、窒化シリコン層
などの絶縁層を介して設けられた蓄積容量電極23c〜
23eとからなる画素電極体23を設けることもでき
る。
【0094】各画素電極部分23a…は相互に平行に配
設されていると共に、データバスラインYに対しても平
行に設けられている。また、蓄積容量電極23c〜23
eは、対向電極配線12bの上に絶縁層5を介して設け
られており、ゲート線Xm-1の一部と蓄積容量部24a
・24bを形成している。
【0095】ここで、蓄積容量電極23c〜23eの面
積はそれぞれ異ならせている。これにより、蓄積容量部
24aの蓄積容量と、蓄積容量部24bの蓄積容量と、
蓄積容量部24cの蓄積容量とを互いに相違させてい
る。例えば、蓄積容量電極23c・23dの面積を72
00μm2とし、蓄積容量電極23eの面積を3600
μm2とした場合、蓄積容量部24a・24bの容量値
は1.44pFであり、蓄積容量部24cの容量値は
0.72pFである。
【0096】この様な構成の液晶表示装置に於いて、蓄
積容量部24cに、対向電極配線12bと蓄積容量電極
23eとの短絡に起因する不良箇所B3が存在する場
合、修正箇所B3’にレーザー修正を施すことにより、
画素電極体23から短絡欠陥のある蓄積容量電極23e
を分離させる。また、蓄積容量部24bに不良箇所B4
が存在する場合には、修正箇所B4’にレーザー修正を
施すことにより、画素電極体23から短絡欠陥のある蓄
積容量電極23dを分離させる。これにより、前記した
のと同様に、歩留まりの向上が図れると共に、大型で均
一な表示を可能とする液晶表示装置を提供することがで
きる。
【0097】(実施の形態3)本発明の実施の形態3に
ついて、図6を参照しながら以下に説明する。図6は、
本実施の形態に係る液晶表示装置に於いて、1画素に於
ける画素電極体、対向電極体及び配線等の配置を示す平
面図である。
【0098】本実施の形態3に係る液晶表示装置は、前
記実施の形態1に係る液晶表示装置と比較して、概略的
には、さらに画素電極体と対向電極体との間にも蓄積容
量部を設けた点が異なる。この異なる点についてさらに
具体的に述べると、以下の通りである。
【0099】本実施の形態3に係る画素電極体(画素電
極)31は、図6に示すように、相互に平行に配置され
た画素電極部分31a…と、これらの画素電極部分31
a…を連結する電極連結部分31b〜31dとからな
る。電極連結部分31b・31dは、前段のゲート線X
m-1の上に絶縁層5を介して設けられており、これによ
りそれぞれゲート線Xm-1との間に蓄積容量部32a・
32cを形成している。その一方、電極連結部分31c
は対向電極配線12bの上に絶縁層5を介して設けられ
ており、これにより対向電極配線12bとの間に蓄積容
量部32bを形成している。つまり、電極連結部分31
b〜31dは、蓄積容量電極としての機能も有してい
る。
【0100】ここで、電極連結部分31b〜31dの面
積はそれぞれ異ならせている。これにより、蓄積容量部
32aの容量値と、蓄積容量部32bの容量値と、蓄積
容量部32cの容量値とを互いに相違させている。例え
ば、電極連結部分31b・31cの面積を7200μm
2とし、電極連結部分31dの面積を3600μm2とし
た場合、蓄積容量部32a・32bの容量値は1.44
pFであり、蓄積容量部32cの容量値は0.72pF
である。
【0101】この様な構成の液晶表示装置に於いて、蓄
積容量部32cに、ゲート線Xm-1と電極連結部分31
dとの短絡に起因する不良箇所C1が存在する場合、修
正箇所C1’にレーザー修正を施すことにより、画素電
極体31から短絡欠陥のある電極連結部分31dを切り
離す。また、蓄積容量部32bに不良箇所C2が存在す
る場合には、修正箇所C2’にレーザー修正を施すこと
により、画素電極体31から短絡欠陥のある電極連結部
分31cを切り離す。これにより、修正画素には正常に
動作可能な画素電極部分31a…が残っているので、修
正画素は表示可能な状態であり、表示のできない不良画
素となるのを防止できる。よって、歩留まりの向上が可
能となる。また、修正箇所C1’にてレーザー修正を行
った場合には、蓄積容量部32a・32bが正常に動作
可能であり、その一方、修正箇所C2’にてレーザー修
正を行った場合には、蓄積容量部32aが正常に動作可
能である。これにより、修正画素は、単に表示が可能な
だけでなく、他の正常な画素と比べて輝度の低下も抑制
される。この結果、表示ムラの発生も抑制することがで
きる。
【0102】短絡の起きやすい蓄積容量部を前段ゲート
線Xm-1と対向電極配線12bとの上に分けて設ける
と、短絡発生位置を検査により特定することが容易にな
る。その検査方法としては、例えば次の様な方法を採用
することができる。
【0103】先ず、液晶表示装置の表示画面を全面点灯
することにより、黒表示となっている不良画素を特定す
る。
【0104】次に、不良画素に対してON/OFF制御
を行っている当段のゲート線Xmにゲート電圧を印加
し、不良画素に於けるTFT13を動作させる。このと
き、不良画素にデータ信号を書き込むデータ線Yn-1
0Vにしておく。
【0105】ここで、電気的方法により検査を行う場合
には、以下の(1)および(2)を行う。
【0106】(1)前段のゲート線Xm-1に5Vのゲー
ト電圧を印加し、対向電極体12に0Vの電圧を印加す
る。
【0107】(2)前段のゲート線Xm-1に0Vのゲー
ト電圧を印加し、対向電極体12に5Vの電圧を印加す
る。
【0108】前記(1)および(2)を行い、それぞれ
の場合に於ける画素電極体31の電流値を検査する。
【0109】その結果、例えば蓄積容量部32cで短絡
が生じている場合、(1)を行うと、液晶容量の充電時
間の経過後に画素電極体31の電流値は0となる。その
一方、(2)を行うと画素電極体31に電流は流れ続け
る。
【0110】また、蓄積容量部32bで短絡が生じてい
る場合、(1)を行うと電流が流れ続ける一方、(2)
を行うと一定時間の経過後に画素電極体31の電流が0
となる。
【0111】この検査の結果、短絡などの欠陥が、前段
のゲート線Xm-1と画素電極部分31aとの間に設けら
れた蓄積容量部32cに発生しているのか、或いは対向
電極配線12bと電極連結部分31cとの間に設けられ
た蓄積容量部32bに発生しているのかが特定できる。
【0112】また、前記した電気的方法に替えて、光学
的方法により短絡発生位置を特定することもできる。こ
の方法の場合、不良画素の前段のゲート線Xm-1に0V
のゲート電圧を印加し、対向電極体12に±5Vの交流
電圧を印加する。これにより、短絡が対向電極配線12
bと電極連結部分31cとの間に設けられた蓄積容量部
32bに発生していれば、不良画素は不点灯となる。点
灯すれば、短絡は蓄積容量部32b以外で発生している
ことになる。
【0113】以上の検査を行うことにより、不良箇所が
前段のゲート線Xm-1上にあるのか、或いは対向電極配
線12b上にあるのかを特定できると、次に行うレーザ
ー修正の際に、修正箇所の選定を容易にすることができ
る。例えば、対向電極配線12b上にあることが特定で
きれば、修正箇所C1’はその選定から自動的に外すこ
とができ、作業効率の向上が図れる。
【0114】(実施の形態4)本発明の実施の形態4に
ついて、図7および図8を参照しながら以下に説明す
る。図7(a)は、液晶表示装置に於いて、1画素に於
ける画素電極体、対向電極体及び配線等の配置を示す平
面図であり、同図(b)は液晶表示装置の断面図であ
る。図8は画素電極体の要部を示す平面図である。
【0115】本実施の形態4に係る液晶表示装置は、前
記実施の形態3に係る他の液晶表示装置と比較して、概
略的には、画素電極体と前段のゲート線との間、および
画素電極体と対向電極体との間に蓄積容量部を設けた点
で共通するが、2つの蓄積容量部を並列的に配置した点
で両者は相違する。この異なる点についてさらに具体的
に述べると、以下の通りである。
【0116】本実施の形態4に係る画素電極体(画素電
極)41は、図7(a)に示すように、複数の画素電極
部分41a…と、これらの画素電極部分41a…を連結
する電極連結部分41bと、対向電極配線12bの上に
設けられた蓄積容量電極41cと、複数の画素電極部分
41a…および蓄積容量電極41cを接続する接続電極
線41d…とを有する電極体である。
【0117】各画素電極部分41a…は相互に平行に配
設されていると共に、データバスラインYに対しても平
行に設けられている。
【0118】電極連結部分41bは前段のゲート線X
m-1の上に、絶縁層5を介して設けられており、ゲート
線Xm-1の一部と蓄積容量部42aを形成している。つ
まり、ゲート線Xm-1と重なる電極連結部分41bは、
蓄積容量電極としての機能も有している。
【0119】また、蓄積容量電極41cは、対向電極配
線12bの上に絶縁層5を介して設けられており、対向
電極配線12bの一部と蓄積容量部42bを形成してい
る。
【0120】さらに、各接続電極線41d…は、図8に
示すように、レーザー光の照射の際に切断を容易にする
ための切断部43と、この切断部43を容易に確認でき
るようにするためのマーキング部44とを備えている。
切断部43の配線幅d2(例えば、4μm)は対向電極
配線12bの配線幅d1(例えば、8μm)よりも細く
なっており、レーザー光の照射による切断を容易にして
いる。切断部43の長さl1は例えば10μmとするこ
とができる。また、マーキング部44は、切断部43を
挟むようにして設けられており、切断部43の確認を容
易にしている。マーキング部44に於ける配線幅d
3(例えば、20μm)は対向電極配線12bの配線幅
1(例えば、8μm)よりも太くなっている。また、
マーキング部44の長さl2は、例えば20μmとする
ことができる。
【0121】なお、本発明に係る切断部としては、前記
切断部43に限定されるものではなく、例えばレーザー
の照射点に応じた形状および大きさとなる様に設定する
など、適宜必要に応じて設計変更が可能である。また、
本発明に係るマーキング部は、前記マーキング部44に
限定されるものではないが、少なくとも顕微鏡観察での
視認性が確保できる程度の大きさを有している必要があ
る。また、その形状は適宜必要に応じて設計変更が可能
である。
【0122】この様な構成の液晶表示装置に於いて、蓄
積容量部42aに、ゲート線Xm-1と電極連結部分41
bとの短絡に起因する不良箇所D1が存在する場合、不
良箇所D1の前後にある2つの修正箇所D1’・D1’に
レーザー修正を施すことにより、画素電極体41から短
絡欠陥のある電極連結部分41bを分離させる。また、
蓄積容量部42bに不良箇所D2が存在する場合には、
2つの修正箇所D2’・D2’にレーザー修正を施すこと
により、画素電極体41から短絡欠陥のある蓄積容量電
極41cを分離させる。本実施の形態の様に、蓄積容量
部42aと蓄積容量部42bとを並列的に配置した構造
であると、何れか一方の蓄積容量部を切り離したとして
も、他方の蓄積容量部は正常に動作可能であるので、修
正後に於いても、画素の全領域を動作させることができ
る。これにより、不良画素の存在を一層目立たなくする
ことができ、歩留まりの向上が図れる。
【0123】(実施の形態5)本発明の実施の形態5に
ついて、図9を参照しながら以下に説明する。図9は、
液晶表示装置に於いて、1画素に於ける画素電極体、対
向電極体及び配線等の配置を示す平面図である。
【0124】本実施の形態5に係る液晶表示装置は、前
記実施の形態1に係る他の液晶表示装置と比較して、画
素電極体と対向電極体との間に、さらに他の蓄積容量部
を並列的に配置した点が異なる。
【0125】具体的には、図9に示すように、画素電極
体(画素電極)51は、複数の画素電極部分51a…
と、これらの画素電極部分51a…を連結する電極連結
部分51b〜51dと、対向電極配線12bの上に設け
られた蓄積容量電極51eと、画素電極部分51a…お
よび蓄積容量電極51eを接続する接続電極線51f…
とを有する電極体である。なお、接続電極線51f…に
おいては、前記実施の形態4で説明した切断部およびマ
ーキング部を備えた構造を採用することができる。
【0126】この様な構成の液晶表示装置に於いて、短
絡に起因する不良箇所E1〜E4が存在する場合、レーザ
ー修正は、不良箇所E1に対しては修正箇所E1’で、不
良箇所E2に対してはその前後にある2つの修正箇所
2’・E2’で、不良箇所E3に対してはその前後にあ
る2つの修正箇所E3’・E3’で、不良箇所E4に対し
てはその前後にある2つの修正箇所E4’・E4’で行う
ことができる。
【0127】前記構成の画素電極体51であると、特に
レーザー修正を修正箇所E3’または修正箇所E4’での
み行った場合でも、電極連結部分51cは蓄積容量電極
51eなどを介してTFT13との接続を維持できる。
従って、修正後に於いても蓄積容量部52bは正常に動
作できる。この結果、修正画素は、液晶容量から電荷が
リークしても、正常画素と変わりなく画素電極体51の
電位レベルの変動を抑制することができる。
【0128】(実施の形態6)本発明の実施の形態6に
ついて、図10および図11を参照しながら以下に説明
する。図10は、液晶表示装置に於いて、1画素に於け
る画素電極体、対向電極体及び配線等の配置を示す平面
図である。
【0129】本実施の形態6に係る液晶表示装置は、前
記実施の形態1に係る他の液晶表示装置と比較して、画
素電極体と前段のゲート線との間に複数の蓄積容量部を
設けた点は共通するが、それらの蓄積容量部を並列的に
配置した点が異なる。また、蓄積容量部を並列的に配置
するために、画素電極体および対向電極体を、以下に述
べる構成にした点も異なる。
【0130】すなわち、図10に示すように、本実施の
形態に係る画素電極体(画素電極)61は、複数の画素
電極部分61a…と、これらの画素電極部分61a…に
於いてゲート線Xm側の端部で接続された電極連結部分
61bと、これらの画素電極部分61a…に於いてゲー
ト線Xm-1側の端部で直角となる様に接続された蓄積容
量電極61c〜61eとを有する電極体である。各画素
電極部分61a…は相互に平行に配設されていると共
に、データバスラインYに対しても平行に設けられてい
る。また、電極連結部分61bは、ゲート線Xmの近傍
を、これと平行となる様にして設けられている。さら
に、蓄積容量電極61c〜61eは、対向電極配線63
b上に絶縁層5を介して設けられており、対向電極配線
63bの一部と蓄積容量部62a〜62cを形成してい
る。なお、蓄積容量電極61c〜61eは、これらの配
置の効率の面から、各々相互に面積を異ならせ、これに
より蓄積容量部62a〜62cの容量値を互いに異なら
せてもよい。
【0131】また、対向電極体(対向電極)63は、複
数の対向電極部分63a…が対向電極配線63bに直角
となる様に連結した電極体である。各対向電極部分63
a…は相互に平行に配設されており、かつ画素電極部分
61a…に対しても平行に配設されている。また、同図
からも明らかな様に、画素電極部分61a…と対向電極
部分63a…とは、交互に配置されている。対向電極配
線63bは、前段のゲート線Xm-1の近傍を、これと平
行になる様に配設されている。
【0132】この様な構成の液晶表示装置に於いて、短
絡に起因する不良箇所F1〜F3が存在する場合、レーザ
ー修正は、不良箇所F1に対しては修正箇所F1’で、不
良箇所F2に対しては修正箇所F2’で、不良箇所F3
対しては修正箇所F3’で行うことができる。
【0133】ここで、本実施の形態に於いては、蓄積容
量部62a〜62cを並列的に配置しているので、前記
した修正箇所F1’〜F3’の何れでレーザー修正を行っ
ても、全ての不良箇所F1〜F3で同時に短絡が発生しな
い限り、全ての蓄積容量部62a〜62cが失われるこ
とはない。このため、蓄積容量部の喪失を極力抑制する
ことができ、歩留まりを一層向上させることができる。
【0134】なお、本発明の実施の形態に於いては、対
向電極体として、図11に示す平面形状を有する電極体
(前記実施の形態1等で使用した対向電極体)を採用す
ることも可能である。図11(a)は、本実施の形態に
係る他の液晶表示装置に於いて、1画素に於ける画素電
極体、対向電極体及び配線等の配置を示す平面図であ
る。
【0135】この場合、画素電極体61に於ける蓄積容
量電極61c〜61eは、前段のゲート線Xm-1の上に
絶縁層5を介して設けられており、ゲート線Xm-1の一
部と蓄積容量部64a〜64cを形成している。
【0136】かかる構成の対向電極体12と、画素電極
体61とを組み合わせた場合、短絡が生じる可能性のあ
る箇所としては、不良箇所F4〜F6が考えられる。これ
らの不良箇所に対してレーザー修正を行う場合、不良箇
所F4に対しては修正箇所F4’で、不良箇所F5に対し
ては修正箇所F5’で、不良箇所F6に対しては修正箇所
6’で行うことができる。
【0137】さらに、蓄積容量部62a〜62cは並列
的に配置されていることから、前記した修正箇所F4
〜F6’の何れでレーザー修正を行っても、全ての不良
箇所F 4〜F6で同時に短絡が発生しない限り、全ての蓄
積容量部64a〜64cが失われることはなく、これに
より前記したのと同様に、歩留まりの一層の向上が図れ
るという効果を奏することができる。
【0138】なお、本実施の形態の様に蓄積容量部を並
列的な配置とした場合には、次のような回路構成とな
る。図11(b)は前記他の液晶表示装置に於いて、1
画素に於ける等価回路の回路構成を示す等価回路図であ
る。同図から理解される様に、液晶容量CLCは、実際に
は液晶容量CLC4、液晶容量CLC5、液晶容量CLC6およ
び液晶容量CLC7の総和として表される。液晶容量CLC4
は前記図11(a)に於いて一点鎖線で示された領域6
5で形成される液晶容量であり、液晶容量CLC5は領域
66で形成される液晶容量であり、液晶容量CLC6は領
域67で形成される液晶容量であり、液晶容量CLC7
領域68で形成される液晶容量である。
【0139】(実施の形態7)本発明の実施の形態7に
ついて、図12および図13を参照しながら以下に説明
する。図12は、本実施の形態に係る液晶表示装置に於
いて、1画素に於ける画素電極体、対向電極体及び配線
等の配置を示す平面図である。図13は、本実施の形態
に係る他の液晶表示装置に於いて、1画素に於ける画素
電極体、対向電極体及び配線等の配置を示す平面図であ
る。
【0140】本実施の形態7に係る液晶表示装置は、前
記実施の形態6に係る他の液晶表示装置と比較して、画
素電極体と前段のゲート線との間に複数の蓄積容量部を
設けた点は共通するが、画素電極体を以下に述べる構成
にした点が異なる。
【0141】すなわち、図12に示すように、本実施の
形態に係る画素電極体(画素電極)71は、複数の画素
電極部分11a…と電極連結部分71b…とが交互に連
結しており、かつ画素電極部分11a…に蓄積容量電極
71c・71dがそれぞれ接続電極線71e…を介して
設けられた構造である。より詳細には、画素電極部分7
1a…のうち、TFT13側から1番目および3番目の
画素電極部分71a…は、それぞれ前段のゲート線X
m-1まで延在している。そして、1番目の画素電極部分
71aには蓄積容量電極71cが直角となる様に接続し
ており、3番目の画素電極部分71aには蓄積容量電極
71dが直角となる様に接続している。蓄積容量電極7
1c・71dは、前段のゲート線Xm-1上に絶縁層5を
介して設けられており、ゲート線Xm-1の一部と蓄積容
量部72a・72bを形成している。さらに、蓄積容量
電極71c・71dはそれぞれ相互に面積を異ならせて
おり、これにより蓄積容量部72a・72bの容量値を
互いに異ならせている。また、各画素電極部分71a…
は相互に平行に配設されていると共に、データバスライ
ンYに対しても平行に設けられている。また、電極連結
部分71b…は、ゲートバスラインXと平行になる様に
して設けられている。なお、接続電極線71e…は、前
記実施の形態4に於いて説明した切断部およびマーキン
グ部を備えた構造を採用することもできる。
【0142】この様な構成の液晶表示装置に於いて、ゲ
ート線Xm-1と、蓄積容量電極71cまたは蓄積容量電
極71dとの間に、短絡に起因する不良箇所G1・G2
存在する場合、それぞれ修正箇所G1’または修正箇所
2’でレーザー修正を行う。
【0143】ここで、本実施の形態に於いては、蓄積容
量部72a〜72cを並列的に配置しているので、前記
した修正箇所G1’・G2’の何れでレーザー修正を行っ
ても、不良箇所G1・G2で同時に短絡が発生しない限
り、蓄積容量部72a・72bの双方が同時に失われる
ことはなく、これにより歩留まりを一層向上させること
ができる。また、修正箇所G1’・G2’の何れでレーザ
ー修正を行っても、使用不可能となる画素電極部分71
a…がないので、修正画素の全領域で液晶を駆動させる
ことができる。これにより、修正画素を一層目立たなく
させることができ、歩留まりの向上が一層図れる。
【0144】なお、本実施の形態に於いては、画素電極
体71と対向電極配線12bとの間にさらに蓄積容量部
を設けてもよい。具体的には、図13に示すように、対
向電極配線12bの上に、TFT13側から2番目の画
素電極部分71aと接続電極線71gを介して接続され
た蓄積容量電極71fを設けることにより、蓄積容量電
極71fと対向電極配線12bとの間に蓄積容量部72
cを形成する。この蓄積容量部72cを設けたことによ
り、蓄積容量部の数を増やして分散配置したので、さら
に画素が全面不良となる確率を減らすことができるとい
う効果を奏する。なお、蓄積容量部72cに、蓄積容量
電極71fと対向電極配線12bとの短絡に起因する不
良箇所G3が存在する場合には、修正箇所G3’にレーザ
ー修正を施せばよい。
【0145】(実施の形態8)本発明の実施の形態8に
ついて、図14を参照しながら以下に説明する。図14
は、液晶表示装置に於いて、1画素に於ける画素電極
体、対向電極体及び配線等の配置を示す平面図である。
【0146】本実施の形態8に係る液晶表示装置は、前
記実施の形態2に係る液晶表示装置と比較して、蓄積容
量部を並列的に配置した点が異なる。
【0147】図14に示すように、本実施の形態に係る
液晶表示装置に於いて、画素電極体(画素電極)81
は、複数の画素電極部分81a…と電極連結部分81b
…とが交互に連結した、長尺な一続きの線形状となって
いる電極体である。さらに、各画素電極部分81a…に
は、TFT13側から順に蓄積容量電極81c〜81e
がそれぞれ接続電極線81fを介して接続されている。
また、これらの蓄積容量電極81c〜81eは、対向電
極配線12bの上に絶縁層5を介して設けられており、
対向電極配線12bの一部と蓄積容量部82a〜82c
を形成している。各画素電極部分81a…は相互に平行
に配設されていると共に、データバスラインYに対して
も平行に設けられている。また、電極連結部分81b…
は、ゲートバスラインXと平行となる様にして設けられ
ている。また、各接続電極線81f…は、レーザー光の
照射の際に切断を容易にするための切断部(図示しな
い)と、この切断部を容易に確認できるようにするため
のマーキング部(図示しない)とを備えている。なお、
蓄積容量電極81c〜81eはそれぞれ相互に面積を異
ならせており、これにより蓄積容量部82a〜82cの
容量値を互いに異ならせている。
【0148】この様な構成のアレイ基板1に於いては、
対向電極配線12bと、蓄積容量電極81c〜81eの
何れかとの間に、短絡に起因する不良箇所H1〜H3が存
在する場合、それぞれ修正箇所H1’〜H3’でレーザー
修正を行う。
【0149】蓄積容量部82a〜82cは並列的に配置
されているので、前記した修正箇所H1’〜H3’の何れ
でレーザー修正を行っても、不良箇所H1〜H3で同時に
短絡が発生しない限り、蓄積容量部82a〜82cの全
てが同時に失われることはなく、これにより歩留まりを
一層向上させることができる。また、修正箇所H1’〜
3’の何れでレーザー修正を行っても、使用不可能と
なる画素電極部分81a…がないので、修正画素の全領
域を動作させることができる。
【0150】(実施の形態9)本発明の実施の形態9に
ついて、図15を参照しながら以下に説明する。図15
は、液晶表示装置に於いて、1画素に於ける画素電極
体、対向電極体及び配線等の配置を示す平面図である。
【0151】本実施の形態9に係る液晶表示装置は、画
素電極体と対向電極体との間に、複数の蓄積容量部を直
列的に配置したことを特徴としている。具体的には、以
下の通りである。
【0152】図15に示すように、画素電極体(画素電
極)91は、複数の画素電極部分91a…と電極連結部
分91b…とが交互に連結した、長尺な一続きの線形状
となっている電極体である。また、対向電極体(対向電
極)92は、複数の対向電極部分92a…と電極連結部
分92b…とが交互に連結した、長尺な一続きの線形状
となっている電極体である。
【0153】各画素電極部分91a…および対向電極部
分92a…は相互に平行に配設されていると共に、デー
タバスラインYに対しても平行に設けられている。ま
た、画素電極体91に於ける電極連結部分91b…およ
び対向電極体92に於ける電極連結部分92b…は、ゲ
ートバスラインXと平行となる様にして設けられてい
る。
【0154】さらに、画素電極体91に於ける電極連結
部分91b…と、対向電極体92に於ける電極連結部分
92b…との一部は、絶縁層5を介して重なっており、
これによりTFT13側から順に、直列的に配列された
蓄積容量部93a〜93cを形成している。
【0155】この様な構成のアレイ基板1に於いては、
画素電極体91に於ける画素電極部分91a…と、対向
電極体92に於ける対向電極部分92a…との間に、短
絡に起因する不良箇所I1・I2が存在する場合、それぞ
れ修正箇所I1’または修正箇所I2’でレーザー修正を
行う。これにより、歩留まりの向上を図ることができ
る。加えて、前記構成の画素電極体91および対向電極
体92を用いたことにより、画素の中央部に配設されて
いた対向電極配線12bを無くすことができ、画素の開
口率を向上させることができる。この結果、表示画面を
一層明るくすることができる。
【0156】(その他の事項)前記各実施の形態1〜実
施の形態9に於いては、複数の蓄積容量部が直列的、並
列的またはループ状に配置された態様を例にして説明し
たが、本発明はこれに何ら限定されるものではない。例
えば、前記3つの配置のうち、任意の2つの配置を適宜
必要に応じて組み合わせた態様であってもよく、或いは
3つの配置を組み合わせた態様であってもよい。
【0157】また、前記各実施の形態1〜実施の形態9
に於いてはさらに、修正画素と正常画素との間で輝度お
よびフリッカ特性の差を一層無くすため、補正容量部を
備えさせることもできる。例えば、例えば、前記実施の
形態1に係る液晶表示装置に、補正容量部を設けた場合
には、次の様に構成される。
【0158】図16は、前記実施の形態1に係る液晶表
示装置に於いて、補正容量部を設けた場合の1画素に於
ける要部を示す平面図である。図17は、補正容量部を
設けた場合の等価回路図である。図18は、前記実施の
形態1に係る液晶表示装置に於いて、他の補正容量部を
設けた場合の1画素に於ける要部を示す平面図である。
【0159】図16に示すように、補正容量部101
は、補正容量電極102がゲート線X mの一部と絶縁層
5を介して重なることにより形成されている。また、各
補正容量電極102a〜102dは、ドレイン電極8に
接続している。さらに、各補正容量電極102a〜10
2dはゲート線Xmとの重なり部分に於ける面積が互い
に相違しており、TFT13に近いものほどその面積は
小さくなっている。これにより、各補正容量部101a
〜101dのうちTFT13に近いものほど補正容量の
容量値を小さくしている。各補正容量部101a〜10
1dの補正容量の容量値を異ならせているのは、レーザ
ー修正による修正箇所の場所に応じて補正容量の容量値
を調整し易くするためである。
【0160】例えば、前記した図1に於いて、修正箇所
3’にレーザー修正を行った場合、液晶容量の容量値
のと蓄積容量の容量値との比は、修正前の比と比べて変
化する。そのため、前記実施の形態1に於いては、その
変化を予め想定して蓄積容量部14aの容量値と、蓄積
容量部14bの容量値とを相違させている。一方で、そ
の画素の属しているゲート線からのゲート信号のカップ
リングによる画素電圧の変動量は、容量値の比に応じた
量である。これにより、液晶容量と蓄積容量との比が極
力変化しない様にしている。
【0161】これに対して、補正容量部101は、液晶
容量および蓄積容量の容量値の和と補正容量の容量値と
の比を微調整し、その比を正常画素に一層近づけようと
するものである。具体的には、各補正容量電極102a
〜102dのうち1つまたは2つ以上を、レーザートリ
ミングによりドレイン電極8から切り離し、補正容量部
101全体としての容量値が変えることにより、液晶容
量および蓄積容量の容量値の和と、補正容量の容量値と
の比が最適となる様に調節する。
【0162】以上に於いては、ドレイン電極8に接続し
た補正容量電極102とゲート線X mとを絶縁層5を介
して重ねることにより補正容量部101を設けた場合を
例にして説明したが、本発明はこれに限定されるもので
はない。例えば、本発明に係る液晶表示装置は、図18
に示すように、ドレイン電極8に接続した補正容量電極
103aとゲート線Xmとを重ねることにより設けた補
正容量部104aと、電極連結部分11dに接続した補
正容量電極103bとゲート線Xmとを重ねることによ
り設けた補正容量部104bと、画素電極部分11aに
接続した補正容量電極103cとゲート線Xmとを重ね
ることにより設けた補正容量部104cとを有する構造
であってもよい。この場合、例えば修正箇所A3’にレ
ーザー修正を行うと、ゲート線Xm-1と短絡した電極連
結部分11cを画素電極体11から分離すると共に、補
正容量電極103cも切り離すことができる。この結
果、一度のレーザー修正で、不良画素の修正が図れると
共に、液晶容量および蓄積容量の容量値の和と補正容量
の容量値との比の変化も自動的に調整することができ、
調整を行うための工程の効率化・省略化が図れる。
【0163】また、前記各実施の形態1〜実施の形態9
に於いては、レーザー修正の前に、ゴミなどの付着物が
アレイ基板上に付着していないかどうかの検査と、付着
物が付着している場合にはその付着物を除去することを
目的とした修正を行うのが好ましい。具体的には、顕微
鏡を用いて、アレイ基板上の欠陥観察を行う。この検査
で検出できる付着物は、例えば20μm程度のゴミなど
である。検査の結果、ゲート線やデータ線などにゴミな
どが付着していた場合には、レーザー光の照射を行うこ
とにより、そのゴミと共にゲート線またはデータ線の一
部をくりぬき修正する。このとき、ゲート線またはデー
タ線が断線しない様に修正を行う必要がある。この修正
を行うことにより、画素電極体の一部の切り離しを行う
必要の無い短絡欠陥の場合にまで、レーザー修正が施さ
れるのを防止し、歩留まりの向上が一層図れる。
【0164】さらに、前記各実施の形態1〜実施の形態
9に於いては、修正画素に関する情報に基づいて、以下
に述べる駆動方法により液晶表示装置を駆動させること
ができる。図19は、本発明に係る液晶表示装置の駆動
方法を説明するためのブロック図である。同図に示すよ
うに、液晶表示パネル111には、前記ゲートバスライ
ンXにゲート信号を印加するゲート信号駆動回路112
と、前記データバスラインYにデータ信号を印加するデ
ータ信号駆動回路113とが設けられている。ゲート信
号駆動回路112およびデータ信号駆動回路113は、
液晶表示パネル111を駆動するためのコントロール信
号を作るコントローラ114に接続されている。また、
このコントローラ114は対向電極体に電圧を供給する
対向電極体電源115にも接続されている。さらにコン
トローラ114は調整信号演算回路116に接続されて
いる。調整信号演算回路116は、修正画素に関する情
報を記憶する外部記憶装置117に接続されている。
【0165】この様な構成の駆動回路に於いては、以下
の様な方法にて液晶表示パネル111を駆動させる。す
なわち、先ず、液晶表示パネル111に於いてレーザー
修正された不良画素(すなわち、修正画素)に関する情
報を外部記憶装置117にメモリさせる。修正画素に関
する情報とは、具体的には画素位置、および修正画素内
に於ける修正位置の情報((X、Y、R)(X、Y:画
素位置、R:修正画素内に於ける修正位置))である。
これらの情報は、調整信号演算回路116に入力され
る。調整信号演算回路116は、入力された修正画素に
関する情報に基づき、修正画素を最適に駆動させるべく
調整電圧を演算する。演算に際しては、修正画素に於け
る修正位置の情報に基づいて修正画素の蓄積容量の容量
値が計算によって算出されるので、この容量値に応じて
輝度低下分を考慮して行う。この演算結果に基づき、コ
ントローラ114は、正常画素については通常のコント
ロール信号を生成する一方、修正画素については補正さ
れたコントロール信号を生成する。さらにこれらのコン
トロール信号に基づき、ゲート信号駆動回路112およ
びデータ信号駆動回路113は、修正画素に対してゲー
ト信号および補正されたデータ信号を印加し、液晶表示
パネル111の最適な駆動を実現する。ここで、補正さ
れたデータ信号とは、正常画素に対して印加するデータ
信号よりも高い電圧のデータ信号を意味する。
【0166】
【発明の効果】本発明は、以上のように説明した形態で
実施され、以下に述べる効果を有する。
【0167】すなわち、本発明に係る液晶表示装置によ
れば、短絡のある蓄積容量だけを切り離すので、不良画
素であっても表示させることができ、しかも欠陥のある
蓄積容量の分離後も、残っている正常な蓄積容量が画素
電極の電位レベルの変動を抑制するので、正常画素と比
較して輝度およびフリッカ特性などに極端な差異が生じ
ることもない。よって、不良画素を表示画面上で一層目
立たなくさせることができ、歩留まりの向上が図れる。
【0168】また、本発明に係る液晶表示装置の画素修
正方法によれば、画素電極と前段若しくは後段のゲート
線および/または前記対向電極の一部との間で電気的な
短絡が生じても、短絡が発生した重なりの部分のみを切
り離すので、その他の短絡に関わらない領域では表示が
依然として可能である。よって、前記の方法によれば、
短絡が発生した不良画素であっても不点灯画素になるの
を防止できる。加えて、短絡が蓄積容量を構成する重な
りの部分で生じても、他の蓄積容量がこれを補完して機
能するので、修正された画素が正常な画素と比較して極
端に輝度の低下を招来することもない。これにより、不
良画素のある液晶表示装置を正常に表示可能な状態に近
づけ、歩留まりの向上を図ることができる。
【0169】さらに、本発明に係る液晶表示装置の駆動
方法によれば、正常画素に対しては、通常のゲート信号
およびデータ信号を印加して駆動させる一方、修正画素
に対しては、その画素位置および修正画素内の修正位置
に基づき、その修正画素に応じたゲート信号およびデー
タ信号を印加して駆動させる。これにより、修正画素の
輝度を正常な画素の輝度に近づけて駆動させることが可
能となり、表示画面に於いて修正画素を一層目立たなく
させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態1に係る液晶表示装置に於
いて、1画素に於ける画素電極体、対向電極体及び配線
等の配置を示す平面図であり、同図(b)は前記液晶表
示装置を示す断面図である。
【図2】前記液晶表示装置における等価回路の回路構成
を示す等価回路図であり、同図(b)は1画素に於ける
等価回路の回路構成を示す等価回路図である。
【図3】前記液晶表示装置に於いて、容量結合駆動法を
説明するための電圧波形図であって、同図(a)はゲー
ト線Xm-1、Xmに於けるゲート電圧の波形を示し、同図
(b)はデータ信号電圧および画素電極電圧の波形図を
示す。
【図4】前記実施の形態1に係る他の液晶表示装置に於
いて、1画素に於ける画素電極体、対向電極体及び配線
等の配置を示す平面図である。
【図5】本発明の実施の形態2に係る液晶表示装置に於
いて、1画素に於ける画素電極体、対向電極体及び配線
等の配置を示す平面図であり、同図(b)は前記実施の
形態2に係る他の液晶表示装置に於いて、1画素に於け
る画素電極体、対向電極体及び配線等の配置を示す平面
図である。
【図6】本発明の実施の形態3に係る液晶表示装置に於
いて、1画素に於ける画素電極体、対向電極体及び配線
等の配置を示す平面図である。
【図7】本発明の実施の形態4に係る液晶表示装置に於
いて、1画素に於ける画素電極体、対向電極体及び配線
等の配置を示す平面図であり、同図(b)は液晶表示装
置の断面図である。
【図8】前記液晶表示装置に於ける画素電極体の要部を
示す平面図である。
【図9】本発明の実施の形態5に係る液晶表示装置に於
いて、1画素に於ける画素電極体、対向電極体及び配線
等の配置を示す平面図である。
【図10】本発明の実施の形態6に係る液晶表示装置に
於いて、1画素に於ける画素電極体、対向電極体及び配
線等の配置を示す平面図である。
【図11】前記実施の形態6に係る他の液晶表示装置に
於いて、1画素に於ける画素電極体、対向電極体及び配
線等の配置を示す平面図であり、図11(b)は前記他
の液晶表示装置に於いて、1画素に於ける等価回路の回
路構成を示す等価回路図である。
【図12】本発明の実施の形態7に係る液晶表示装置に
於いて、1画素に於ける画素電極体、対向電極体及び配
線等の配置を示す平面図である。
【図13】前記実施の形態7に係る他の液晶表示装置に
於いて、1画素に於ける画素電極体、対向電極体及び配
線等の配置を示す平面図である。
【図14】本発明の実施の形態8に係る液晶表示装置に
於いて、1画素に於ける画素電極体、対向電極体及び配
線等の配置を示す平面図である。
【図15】本発明の実施の形態9に係る液晶表示装置に
於いて、1画素に於ける画素電極体、対向電極体及び配
線等の配置を示す平面図である。
【図16】前記実施の形態1に係る液晶表示装置に於い
て、補正容量部を設けた場合の1画素に於ける要部を示
す平面図である。
【図17】前記補正容量部を設けた場合の等価回路図で
ある。
【図18】前記実施の形態1に係る液晶表示装置に於い
て、他の補正容量部を設けた場合の1画素に於ける要部
を示す平面図である。
【図19】本発明に係る液晶表示装置の駆動方法を説明
するためのブロック図である。
【図20】本発明に係る複数の蓄積容量の配置形態を概
略的に示した概念図であって、同図(a)は複数の蓄積
容量が直列的に配置された様子を示し、同図(b)は複
数の蓄積容量が並列的に配置された様子を示し、同図
(c)はループ状に配置された様子を示している。
【図21】従来の横電界方式のアクティブマトリクス型
液晶表示装置に設けられる液晶表示パネルに於いて、1
画素に於ける電極及び配線等の配置を示す平面図であ
り、同図(b)は前記液晶表示装置の断面図である。
【図22】従来の他の横電界方式のアクティブマトリク
ス型液晶表示装置に設けられる液晶表示パネルに於い
て、1画素に於ける電極及び配線等の配置を示す平面図
であり、同図(b)は前記液晶表示装置の断面図であ
る。
【符号の説明】
1 アレイ基板 2 対向基板 3 液晶層 8 ドレイン電極 11、21、23、31、41、51、61、71、8
1、91 画素電極体(画素電極) 12、15、92 対向電極体(対向電極) 13 TFT(スイッチング素子) 14a・14b、22a・22b、24a〜24c、3
2a〜32c、42a・42b、52a・52b、62
a〜62c、64a〜64c、72a〜72c、82a
〜82c、93a〜93c 蓄積容量部 19 バイパス線 43 切断部 44 マーキング部 101 補正容量部 102 補正容量電極 112 ゲート信号駆動回路 113 データ信号駆動回路 114 コントローラ 115 対向電極体電源 116 調整信号演算回路 117 外部記憶装置
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H04N 5/66 102 H04N 5/66 102A (72)発明者 熊川 克彦 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 堀田 定吉 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 田窪 米治 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内

Claims (28)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 一対の基板間に液晶層が形成され、前記
    基板面に平行な電界によって前記液晶層に於ける液晶を
    駆動させる液晶表示装置であって、 前記一対の基板のうち一方の基板上には、 複数のゲート線と、 前記複数のゲート線にそれぞれ交差する様に設けられた
    複数のデータ線と、 前記複数のゲート線と複数のデータ線との各交差点に対
    応して、前記ゲート線及びデータ線に接続されたスイッ
    チング素子と、 前記スイッチング素子を介して前記データ線に接続され
    た画素電極と、 前記画素電極と対をなす対向電極とが設けられ、 さらに前記複数のゲート線と複数のデータ線との各交差
    点に対応して、前記画素電極の電荷を保持する複数の蓄
    積容量が分散配置されていることを特徴とする液晶表示
    装置。
  2. 【請求項2】 前記複数の蓄積容量の少なくとも一部
    は、直列的に配置されていることを特徴とする請求項1
    に記載の液晶表示装置。
  3. 【請求項3】 直列的に配置されている前記複数の蓄積
    容量のうち、前記スイッチング素子に最も近い蓄積容量
    に対して、該蓄積容量を迂回するバイパスが設けられて
    いることを特徴とする請求項2に記載の液晶表示装置。
  4. 【請求項4】 前記複数の蓄積容量の少なくとも一部
    は、並列的に配置されていることを特徴とする請求項1
    に記載の液晶表示装置。
  5. 【請求項5】 前記複数の蓄積容量の少なくとも一部
    は、ループ状に配置されていることを特徴とする請求項
    1に記載の液晶表示装置。
  6. 【請求項6】 一対の基板間に液晶層が形成され、前記
    基板面に平行な電界によって前記液晶層に於ける液晶を
    駆動させる液晶表示装置であって、 前記一対の基板のうち一方の基板の上には、 複数のゲート線と、 前記複数のゲート線にそれぞれ交差する様に設けられた
    複数のデータ線と、 前記複数のゲート線と複数のデータ線との各交差点に対
    応して、前記ゲート線及びデータ線に接続されたスイッ
    チング素子と、 前記スイッチング素子を介して前記データ線に接続され
    た画素電極と、 前記画素電極と対をなす対向電極とが設けられ、 前記画素電極は、前記複数のゲート線のうち前段若しく
    は後段のゲート線および/または前記対向電極の一部
    と、絶縁層を介して複数の位置で重なっており、 前記複数の重なりのうち少なくとも2つは蓄積容量を構
    成することを特徴とする液晶表示装置。
  7. 【請求項7】 前記画素電極に於いて、前記少なくとも
    2つの蓄積容量のうち一方の蓄積容量を構成する画素電
    極の部分が切り離されても、他方の蓄積容量を構成する
    画素電極の部分が前記スイッチング素子と接続されてい
    ることを特徴とする請求項6に記載の液晶表示装置。
  8. 【請求項8】 前記画素電極は、相互に平行に設けら
    れ、かつ前記対向電極との間で前記平行な電界を発生さ
    せる複数の画素電極部分と、前記複数の画素電極部分を
    連結する電極連結部分とを備え、 前記蓄積容量は、前記電極連結部分と前記前段若しくは
    後段のゲート線および/または前記対向電極の一部との
    重なりによって形成されることを特徴とする請求項6ま
    たは請求項7に記載の液晶表示装置。
  9. 【請求項9】 前記画素電極は、相互に平行に設けられ
    た複数の画素電極部分と、前記複数の画素電極部分を連
    結する電極連結部分と、前記蓄積容量を形成するための
    蓄積容量電極とを備え、 前記蓄積容量電極は、前記前段若しくは後段のゲート線
    および/または前記対向電極の一部と重なることによ
    り、前記蓄積容量を形成することを特徴とする請求項6
    または請求項7に記載の液晶表示装置。
  10. 【請求項10】 前記電極連結部分は、前記前段若しく
    は後段のゲート線および/または前記対向電極の一部と
    重なることにより、前記蓄積容量を形成することを特徴
    とする請求項9に記載の液晶表示装置。
  11. 【請求項11】 前記蓄積容量電極は、接続電極線を介
    して画素電極部分に接続されていることを特徴とする請
    求項9または請求項10に記載の液晶表示装置。
  12. 【請求項12】 前記接続電極線の配線幅は、前記画素
    電極部分の幅よりも小さいことを特徴とする請求項11
    に記載の液晶表示装置。
  13. 【請求項13】 前記接続電極線にはレーザー光により
    切断するための切断部が設けられており、 さらに前記切断部にはマーキングが施されていることを
    特徴とする請求項11または請求項12に記載の液晶表
    示装置。
  14. 【請求項14】 前記少なくとも2つの蓄積容量を構成
    している重なりの面積が、相互に異なっていることを特
    徴とする請求項1〜請求項13の何れか1項に記載の液
    晶表示装置。
  15. 【請求項15】 前記スイッチング素子は前記画素電極
    とドレイン電極を介して接続されており、 前記ドレイン電極および/または前記画素電極には、前
    記複数のゲート線のうち当段のゲート線の一部と前記絶
    縁層を介して重なることにより補正容量を形成する、切
    断可能な補正容量電極が少なくとも1つ設けられている
    ことを特徴とする請求項1〜請求項14の何れか1項に
    記載の液晶表示装置。
  16. 【請求項16】 前記補正容量電極が複数ある場合、各
    補正容量電極と前記ゲート線の一部との重なり面積は相
    互に異なっていることを特徴とする請求項15に記載の
    液晶表示装置。
  17. 【請求項17】 複数のゲート線と、 前記複数のゲート線にそれぞれ交差する様に設けられた
    複数のデータ線と、 前記複数のゲート線と複数のデータ線との各交差点に対
    応して、前記ゲート線及びデータ線に接続されたスイッ
    チング素子と、 前記スイッチング素子を介して前記データ線に接続され
    た画素電極と、 前記画素電極と対をなす対向電極とが設けられ、 さらに前記複数のゲート線と複数のデータ線との各交差
    点に対応して、前記画素電極の電荷を保持する複数の蓄
    積容量が分散配置されていることを特徴とするアレイ基
    板。
  18. 【請求項18】 一対の基板間に液晶層が形成され、前
    記基板面に平行な電界によって前記液晶層に於ける液晶
    を駆動させる液晶テレビジョンであって、 前記一対の基板のうち一方の基板の上には、 複数のゲート線と、 前記複数のゲート線にそれぞれ交差する様に設けられた
    複数のデータ線と、 前記複数のゲート線と複数のデータ線との各交差点に対
    応して、前記ゲート線及びデータ線に接続されたスイッ
    チング素子と、 前記スイッチング素子を介して前記データ線に接続され
    た画素電極と、 前記画素電極と対をなす対向電極とが設けられ、 前記画素電極は、前記複数のゲート線のうち前段若しく
    は後段のゲート線および/または前記対向電極の一部
    と、絶縁層を介して複数の位置で重なっており、 前記複数の重なりのうち少なくとも2つは蓄積容量を構
    成することを特徴とする液晶テレビジョン。
  19. 【請求項19】 複数のゲート線、前記複数のゲート線
    にそれぞれ交差する様に設けられた複数のデータ線、前
    記複数のゲート線と複数のデータ線との各交差点に対応
    して前記ゲート線及びデータ線に接続されたスイッチン
    グ素子、前記スイッチング素子を介して前記データ線に
    接続された画素電極、および前記画素電極と対をなす対
    向電極が設けられた一方の基板と、 前記基板に対向する他方の基板と、 前記一方の基板および他方の基板の間に設けられた液晶
    層とを有し、 前記一方の基板面に平行な電界によって前記液晶層に於
    ける液晶を駆動させる液晶表示装置の画素修正方法であ
    って、 前記画素電極は、前記複数のゲート線のうち前段若しく
    は後段のゲート線および/または前記対向電極の一部
    と、絶縁層を介して複数の位置で重なり、 さらに前記複数の重なりのうち少なくとも2つは蓄積容
    量を構成しており、 前記重なりで電気的な短絡が生じた場合に、前記画素電
    極に於いて、前記短絡近傍であって前記スイッチング素
    子側の所定の箇所または前記短絡近傍であって前後の所
    定の箇所を切断することを特徴とする液晶表示装置の画
    素修正方法。
  20. 【請求項20】 前記切断は、前記スイッチング素子か
    ら最も離れて重なっている部分から順次行うことを特徴
    とする請求項19に記載の液晶表示装置の画素修正方
    法。
  21. 【請求項21】 前記スイッチング素子から最も離れて
    重なっている部分から順次切断を行う毎に、画素の表示
    検査を行うことを特徴とする請求項20に記載の液晶表
    示装置の画素修正方法であって、。
  22. 【請求項22】 前記画素電極が、前記前段若しくは後
    段のゲート線および前記対向電極の一部との間で重なっ
    ている場合に、画素電極と前段若しくは後段のゲート線
    との間、または画素電極と対向電極との間の何れで電気
    的な短絡が生じているのかを特定した後に、前記切断を
    行うことを特徴とする請求項20または請求項21に記
    載の液晶表示装置の画素修正方法。
  23. 【請求項23】 前記画素電極は、相互に平行に設けら
    れ、かつ前記対向電極との間で平行な電界を発生させる
    複数の画素電極部分と、前記複数の画素電極部分を連結
    する電極連結部分とを備え、前記蓄積容量は、前記電極
    連結部分と前記前段若しくは後段のゲート線および/ま
    たは前記対向電極の一部とが重なることによって形成さ
    れる場合であって、前記重なりで電気的な短絡が生じて
    いる場合に、 前記画素電極に於ける1または2以上の所定の箇所を切
    断することにより、前記短絡のある電極連結部分を画素
    電極から切り離すことを特徴とする請求項19に記載の
    液晶表示装置の画素修正方法。
  24. 【請求項24】 前記画素電極は、相互に平行に設けら
    れた複数の画素電極部分と、前記複数の画素電極部分を
    連結する電極連結部分と、前記蓄積容量を形成するため
    の蓄積容量電極とを備え、前記蓄積容量電極は、前記前
    段若しくは後段のゲート線および/または前記対向電極
    の一部と重なることにより前記蓄積容量を形成している
    場合であって、前記重なりで電気的な短絡が生じている
    場合に、 前記画素電極に於ける1または2以上の所定の箇所を切
    断することにより、前記短絡のある蓄積容量電極を前記
    画素電極から切り離すことを特徴とする請求項19に記
    載の液晶表示装置の画素修正方法。
  25. 【請求項25】 前記蓄積容量電極が接続電極線を介し
    て前記画素電極部分に接続されている場合に、 前記接続電極線に於ける所定の箇所を切断することによ
    り、前記短絡のある蓄積容量電極を前記画素電極から切
    り離すことを特徴とする請求項24に記載の液晶表示装
    置の画素修正方法。
  26. 【請求項26】 前記切断はレーザー光を照射して行う
    ことを特徴とする請求項19〜請求項25の何れか1項
    に記載の液晶表示装置の画素修正方法。
  27. 【請求項27】 前記切断の前に、前記一方の基板上に
    付着した付着物を検出するための欠陥観察を行い、さら
    に前記付着物が検出された場合には、付着物にレーザー
    を照射することにより該付着物の除去を行うことを特徴
    とする請求項19〜請求項26の何れか1項に記載の液
    晶表示装置の画素修正方法。
  28. 【請求項28】 複数のゲート線、前記複数のゲート線
    にそれぞれ交差する様に設けられた複数のデータ線、前
    記複数のゲート線と複数のデータ線との各交差点に対応
    して前記ゲート線及びデータ線に接続されたスイッチン
    グ素子、前記スイッチング素子を介して前記データ線に
    接続された画素電極、および前記画素電極と対をなす対
    向電極が設けられた一方の基板と、 前記基板に対向する他方の基板と、 前記一方の基板および他方の基板の間に設けられた液晶
    層とを有し、 前記画素電極は、前記複数のゲート線のうち前段若しく
    は後段のゲート線および/または前記対向電極の一部
    と、絶縁層を介して複数の位置で重なり、 さらに前記複数の重なりのうち少なくとも2つは蓄積容
    量を構成している液晶表示装置の駆動方法であって、 前記重なりに於いて電気的な短絡のある不良画素に対
    し、該不良画素に於ける画素電極に於いて、前記短絡近
    傍であって前記スイッチング素子側の所定の箇所または
    前記短絡近傍であって前後の所定の箇所を切断すること
    により修正された修正画素が存在する場合に、前記修正
    画素の画素位置および修正画素に於ける修正位置の情報
    に基づいて、修正画素に印加するデータ信号を補正し、
    該修正画素を駆動させることを特徴とする液晶表示装置
    の駆動方法。
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007156407A (ja) * 2005-12-02 2007-06-21 Lg Phillips Lcd Co Ltd 平板表示装置とその製造方法、製造装置、画質制御方法及び画質制御装置
JP2007183622A (ja) * 2005-12-29 2007-07-19 Lg Philips Lcd Co Ltd 横電界方式の液晶表示装置用アレイ基板及びその製造方法
JP2007213011A (ja) * 2006-02-06 2007-08-23 Lg Phillips Lcd Co Ltd 平板表示装置とその製造方法、その画質制御方法及び装置
JP2008009438A (ja) * 2006-06-29 2008-01-17 Lg Phillips Lcd Co Ltd 平板表示装置とその画質制御方法
US7700949B2 (en) 2004-10-06 2010-04-20 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor array substrate, method for manufacturing the same, liquid crystal display having the substrate, and method for manufacturing the liquid crystal display
US8421937B2 (en) 2007-11-22 2013-04-16 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix substrate, liquid crystal panel, television receiver, method for producing liquid crystal panel
JP2013186466A (ja) * 2012-03-08 2013-09-19 Lg Display Co Ltd 液晶表示装置アレイ基板及びその製造方法
JP2020087921A (ja) * 2018-11-14 2020-06-04 日亜化学工業株式会社 光源装置および光源装置の調整方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03194516A (ja) * 1989-12-25 1991-08-26 Hosiden Corp 液晶表示素子
JPH06195048A (ja) * 1992-11-09 1994-07-15 Sony Corp 画素欠陥補償装置
JPH07128683A (ja) * 1993-11-04 1995-05-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜トランジスター集積装置
JPH0862634A (ja) * 1994-08-24 1996-03-08 Toshiba Corp 液晶表示装置
JPH0980395A (ja) * 1995-09-12 1997-03-28 Hitachi Ltd 液晶表示素子およびその製造方法
JPH09318961A (ja) * 1996-05-31 1997-12-12 Sharp Corp 液晶表示装置の製造方法及びそれに用いる検査修正装置並びに液晶表示装置
JPH1010556A (ja) * 1996-06-26 1998-01-16 Advanced Display:Kk 液晶表示装置
JPH1048672A (ja) * 1997-05-27 1998-02-20 Hitachi Ltd アクティブマトリックス型液晶表示装置

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03194516A (ja) * 1989-12-25 1991-08-26 Hosiden Corp 液晶表示素子
JPH06195048A (ja) * 1992-11-09 1994-07-15 Sony Corp 画素欠陥補償装置
JPH07128683A (ja) * 1993-11-04 1995-05-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜トランジスター集積装置
JPH0862634A (ja) * 1994-08-24 1996-03-08 Toshiba Corp 液晶表示装置
JPH0980395A (ja) * 1995-09-12 1997-03-28 Hitachi Ltd 液晶表示素子およびその製造方法
JPH09318961A (ja) * 1996-05-31 1997-12-12 Sharp Corp 液晶表示装置の製造方法及びそれに用いる検査修正装置並びに液晶表示装置
JPH1010556A (ja) * 1996-06-26 1998-01-16 Advanced Display:Kk 液晶表示装置
JPH1048672A (ja) * 1997-05-27 1998-02-20 Hitachi Ltd アクティブマトリックス型液晶表示装置

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7700949B2 (en) 2004-10-06 2010-04-20 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor array substrate, method for manufacturing the same, liquid crystal display having the substrate, and method for manufacturing the liquid crystal display
JP2007156407A (ja) * 2005-12-02 2007-06-21 Lg Phillips Lcd Co Ltd 平板表示装置とその製造方法、製造装置、画質制御方法及び画質制御装置
JP2007183622A (ja) * 2005-12-29 2007-07-19 Lg Philips Lcd Co Ltd 横電界方式の液晶表示装置用アレイ基板及びその製造方法
JP2007213011A (ja) * 2006-02-06 2007-08-23 Lg Phillips Lcd Co Ltd 平板表示装置とその製造方法、その画質制御方法及び装置
US7889165B2 (en) 2006-02-06 2011-02-15 Lg Display Co., Ltd. Flat display apparatus, fabricating method, picture quality controlling method and apparatus thereof
JP2008009438A (ja) * 2006-06-29 2008-01-17 Lg Phillips Lcd Co Ltd 平板表示装置とその画質制御方法
KR101243800B1 (ko) 2006-06-29 2013-03-18 엘지디스플레이 주식회사 평판표시장치와 그 화질제어 방법
US8421937B2 (en) 2007-11-22 2013-04-16 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix substrate, liquid crystal panel, television receiver, method for producing liquid crystal panel
JP2013186466A (ja) * 2012-03-08 2013-09-19 Lg Display Co Ltd 液晶表示装置アレイ基板及びその製造方法
JP2020087921A (ja) * 2018-11-14 2020-06-04 日亜化学工業株式会社 光源装置および光源装置の調整方法
JP7402408B2 (ja) 2018-11-14 2023-12-21 日亜化学工業株式会社 光源装置および光源装置の調整方法

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