JP2002350901A - 液晶表示装置およびその修復方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 発生した欠陥画素を目立たなくすることがで
きる液晶表示装置およびその修復方法を提供する。 【解決手段】 画素基板、対向基板および両基板間に挟
持された液晶層を備え、画素基板は、互いに交差した複
数本のソース線３０１ａ、３０１ｂおよび複数本のゲー
ト線３０２ａ、３０２ｂと、これらの信号線により画定
された各画素領域内に配置された画素電極３０４と、ゲ
ート線３０２ａ、３０２ｂからの信号電圧に基づいてソ
ース線３０１ａ、３０１ｂから画素電極３０４への電圧
をスイッチングするスイッチング素子３０３と、所定電
圧を印加可能なゲート線３０２ａ、３０２ｂの間の補助
容量線３０８と、光吸収性材料からなるオーバラップ膜
６０１とを備え、オーバラップ膜６０１は、少なくとも
一部において、画素電極３０４および補助容量線３０８
と重なり合うように配置されており、画素電極３０４
は、補助容量線３０８と絶縁されていることを特徴とす
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、縦横に配列された
複数の画素を有する液晶表示装置およびその修復方法に
関し、より詳細には、レーザ照射により欠陥画素を修復
することができる液晶表示装置およびその修復方法に関
する。

【０００２】

【従来の技術】近年、薄型で消費電力の小さい表示装置
として、液晶表示装置が広く利用されており、表示され
る画像データの高精度化に適合するため、多画素化ある
いは画素構造の微細化に向けて開発が進められている。
しかし、液晶表示装置には以前よりその製造歩留まりに
課題があり、このことは、多画素化あるいは画素構造の
微細化が進められるにつれて、より顕著となる傾向にあ
る。

【０００３】歩留まりを低下させる主要因の一つに、欠
陥画素の発生がある。欠陥画素とは、その画素を制御す
るためのＴＦＴなどのスイッチング素子の異常動作や、
その画素の表示電圧を保持する補助容量の短絡などのた
めに、画面上に輝点または暗点として現れる画素であ
る。特に輝点の欠陥画素は目立ちやすいため、このよう
な欠陥画素を１つでも有すると表示デバイスとしての品
位が損なわれ、程度が著しい場合には不良品となってし
まう。そのため、輝点の欠陥画素を修復するための検討
が従来から行われている。

【０００４】例えば、特開平４−３２４８１９号公報
（以下、「８１９号公報」という）には、輝点モードの
欠陥画素を黒点モードの欠陥画素に修正して目立たなく
する画素欠陥修正方法およびその表示体が開示されてい
る。８１９号公報よると、図２１に示すように、著しく
画質品位を落とす輝点モードの欠陥画素が存在する場合
に、欠陥画素の画素トランジスタ１と修正用配線３とを
レーザ照射７によってショートさせ、画素電極５と導通
した修正用配線３に液晶のしきい値電圧より高い直流電
圧または交流電圧を印加することが示されている。そし
て、これにより、輝点モードの欠陥画素を黒点モードの
欠陥画素に修正して目立たなくすることができるとされ
ている。

【０００５】上記の修復方法は、ＴＮ(Twisted Nemati
c)型液晶表示装置を想定されているが、最近では、視覚
特性や高速応答性の観点から、ＯＣＢ（Optically Comp
ensated Birefringence）型液晶表示装置が注目されて
いる。

【０００６】図１は、ＯＣＢ型液晶表示装置の構成を概
略的に示した断面図である。ここで、図１（ａ）はスプ
レイ配向状態、図１（ｂ）はベンド配向状態をそれぞれ
示している。

【０００７】図示したように、ＯＣＢ型液晶表示装置
は、複数の液晶分子１０１を有する液晶層１０５と、液
晶層１０５を挟持する画素基板１０２ａおよび対向基板
１０２ｂとを備えている。そして、画素基板１０２ａの
液晶層１０５と反対側の表面上には、位相差板１０３ａ
および偏光板１０４ａが順に積層され、対向基板１０２
ｂの液晶層１０５と反対側の表面上には、位相差板１０
３ｂおよび偏光板１０４ｂが順に積層されている。さら
に、図示されていないが、対向基板１０２ｂの液晶層１
０５側の表面上には対向電極が形成され、画素基板１０
２ａの液晶層１０５側の表面上には複数の画素電極、Ｔ
ＦＴなどのスイッチング素子、ソース線およびゲート線
などが形成されている。この複数の画素電極は、各画素
領域ごとに独立して形成され、それぞれが対向電極と対
となって、各画素領域における液晶層１０５に電圧を印
加する。

【０００８】透過型液晶表示装置において、画素基板１
０２ａおよび対向基板１０２ｂは透明であり、画素基板
１０２ａにはガラス基板などで形成されたアクティブマ
トリクス基板が用いられることが多い。また、位相差板
は、入射した光の透過と遮断との切り替えが効果的にな
されるように、入射光の各偏光成分間での位相差を調節
するものである。

【０００９】このように構成されたＯＣＢ型液晶表示装
置において、液晶分子１０１は回転楕円体のような棒状
分子であり、その長軸は、上下の画素基板１０２ａおよ
び対向基板１０２ｂに施されたラビング処理（パラレル
配向処理）により、ラビング方向（図面左右方向）に向
けられ、図示した断面に対して平行となっている。

【００１０】そして、液晶分子１０１の配向状態は、液
晶層１０５に印加される電圧によって制御される。液晶
層１０５に電圧を印加しないスプレイ配向状態（図１
（ａ））では、液晶層１０５の中央付近における液晶分
子１０１は、画素基板１０２ａおよび対向基板１０２ｂ
と液晶層１０５との界面に対してほぼ水平となってい
る。この状態で、液晶層１０５に転移電圧を印加する
と、ベンド配向状態（図１（ｂ））へと転移する。ベン
ド配向状態では、液晶層１０５の中央付近における液晶
分子１０１はスプレイ配向状態から大きく向きを変え、
画素基板１０２ａまたは対向基板１０２ｂと液晶層１０
５との界面に対してほぼ垂直となっている。この転移を
行うためには、比較的大きな転移電圧、例えば２５Ｖ程
度を画素電極と対向電極との間に印加する。この転移電
圧やその印加時間は対象となる液晶表示装置によって異
なる。ベンド配向の状態の液晶分子１０１に駆動電圧を
更に印加することにより、液晶分子１０１を駆動して、
バックライトから液晶層１０５に入射する光の輝度を変
化させることができる。

【００１１】ＯＣＢ型液晶表示装置においては、電源を
オフにしている状態では、液晶層１０５の液晶分子１０
１が、スプレイ配向状態をなしている。そして、電源を
オンにした際に、画素電極と対向電極との間に転移電圧
を印加してスプレイ配向状態をベンド配向状態に転移さ
せ、このベンド配向状態を用いて画面の表示を行う。そ
のため、ＯＣＢ型液晶表示装置は、ツイスト配向状態を
用いる従来のＴＮ（Twisted Nematic）型液晶表示装置
に比べて高速応答の特性に優れている。ＯＣＢ型液晶表
示装置についてのより詳細な説明は、「社団法人電気通
信学会 信学技報 EDI98-144」の199頁を参考にされた
い。

【００１２】このＯＣＢ型液晶表示装置においても、Ｔ
ＦＴなどのスイッチング素子の異常動作や補助容量の短
絡を主要因として、上述のような欠陥画素が発生する。

【００１３】一般に、表示する画像の種類によらず、発
生した欠陥画素を目立たなくするためには、欠陥画素の
表示を黒にすることが有効である。これは、白い（輝度
の高い）欠陥画素よりも黒い（輝度の低い）欠陥画素の
方が目立たないことによる。

【００１４】特にＯＣＢ型液晶表示装置においては、欠
陥画素では電圧が印加されないため、ベンド配向からス
プレイ配向に戻ってしまう。このスプレイ配向状態で
は、特定の角度から観察したときに輝点として見えるの
で、スプレイ配向状態からベンド配向状態に転移させ、
さらに、ベンド配向状態の中でも輝度の低い状態に移行
させることが望ましい。

【００１５】しかし、上述した８１９号公報等に記載さ
れた従来の修復方法をこのＯＣＢ型液晶表示装置の欠陥
画素に適用すると、欠陥画素の表示は黒ではなくグレー
となってしまう場合があり、欠陥画素を確実に修復でき
ないという課題を本発明者らは見いだした。以下、この
課題についてより詳細に説明する。

【００１６】図２は、電圧（任意単位）−輝度（任意単
位）特性曲線を（ａ）ノーマリーホワイト型のＴＮ型液
晶表示装置、（ｂ）ノーマリーホワイト型のＯＣＢ型液
晶表示装置および（ｃ）ノーマリーブラック型のＯＣＢ
型液晶表示装置について示したグラフである。

【００１７】まず、図２（ａ）のノーマリーホワイト型
のＴＮ型液晶表示装置における特性曲線２０１において
は、低電圧側のしきい値電圧Ｖｔ１と、高電圧側のしき
い値電圧Ｖｔ２とが存在する。そして、両しきい値電圧
の間では、液晶層に印加する電圧を高くするほど輝度は
低くなる。しかし、低電圧側のしきい値電圧Ｖｔ１以下
の電圧が印加されると、輝度が最も高い状態で一定とな
り、逆に、高電圧側のしきい値電圧Ｖｔ２以上の電圧が
印加されると、輝度が最も低い状態で一定となる。した
がって、液晶層に印加する電圧が高電圧側のしきい値電
圧Ｖｔ２以上であれば、欠陥画素の表示を確実に黒とす
ることができる。

【００１８】したがって、ＴＮ型液晶表示装置では、例
えば、高電圧側のしきい値電圧Ｖｔ２が６．５〜７．５
Ｖ程度である場合でも、１５Ｖ程度の比較的高い電圧を
欠陥画素の画素電極に印加することにより、特性曲線２
０１に従って欠陥画素の表示を確実に黒とすることが可
能であった。そのため、８１９号公報においても、「画
素電極５と導通した修正用配線３に液晶のしきい値電圧
より高い直流電圧または交流電圧を印加する」と記載さ
れている。

【００１９】これに対し、図２（ｂ）のノーマリーホワ
イト型のＯＣＢ型液晶表示装置における特性曲線２０２
においては、画素の表示を白にするために最適な電圧
（以下、白表示電圧という）Ｖｈと、画素の表示を黒に
するために最適な電圧（以下、黒表示電圧という）Ｖｂ
とが存在する。そして、白表示電圧Ｖｈと黒表示電圧Ｖ
ｂとの間では、ＴＮ型液晶表示装置と同様に、液晶層に
印加する電圧を高くするほど輝度は低くなる。しかし、
ノーマリーホワイト型のＯＣＢ型液晶表示装置では、黒
表示電圧Ｖｂにおいて輝度が最小となり、液晶層への印
加電圧が黒表示電圧Ｖｂ以上の領域では、印加電圧が高
くなると輝度が高くなる輝度浮き特性を有する。また、
液晶層への印加電圧が白表示電圧Ｖｈ以下である場合に
は、印加電圧が低下すると輝度が低下する特性を有す
る。ＯＣＢ型液晶表示装置は、このような特性において
ＴＮ型液晶表示装置と異なる。

【００２０】したがって、ＯＣＢ型液晶表示装置では、
例えば、黒表示電圧Ｖｂが６．５〜７．５Ｖ程度である
場合において、８１９号公報に記載されているようにＴ
Ｎ型液晶表示装置の時と同様に１５Ｖ程度の比較的高い
電圧を欠陥画素の画素電極に印加すると、特性曲線２０
２の輝度浮き特性により、輝度の再び上昇した領域が欠
陥画素の表示に適用されてしまう。そのため、欠陥画素
の表示は黒ではなくグレーとなってしまい、結果として
欠陥画素を修復できないことが判明した。

【００２１】この問題は、ノーマリーブラック型のＯＣ
Ｂ型液晶表示装置においても同様である。即ち、図２
（ｃ）の特性曲線２０３においても、白表示電圧Ｖｈと
黒表示電圧Ｖｂとが存在する。そして、黒表示電圧Ｖｂ
と白表示電圧Ｖｈとの間では、ノーマリーホワイト型の
場合とは逆に、液晶層に印加する電圧を高くすればする
ほど輝度は高くなる。また、黒表示電圧Ｖｂ以下の電圧
が印加されると、輝度が再び上昇し、また白表示電圧Ｖ
ｈ以上の電圧が印加されると、輝度が再び低下する。

【００２２】また、他の従来の技術として、特開平８−
３２８０３５号公報（以下、「０３５号公報」という）
には、図２２に示すように、各画素領域に金属薄膜から
なるアイランド１２を設け、隣接するアイランド１２間
の上方に絶縁層を介してまたがる金属薄膜のブリッジ１
３を設けた液晶表示装置が開示されている。この液晶表
示装置によると、欠陥画素が発生したときに、レーザ光
でアイランド１２とブリッジ１３とを隔てる絶縁層を溶
融させて、アイランド１２とブリッジ１３とを接続し、
欠陥画素を隣接する画素と同電位にして目立たなくする
ことができるとされている。

【００２３】しかし、上記のように隣接する画素間を接
続する修復方法では、オフィス等で使用されるワープロ
ソフトや図面作成ソフトなどの階調の少ない静止画像や
動きの遅い動画など、特定の表示画像には不向きな場合
があり、欠陥画素を目立たなくするのには限界があっ
た。また、ＸＧＡクラス未満の解像度のものでは効果が
低かった。

【００２４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述した問
題を解決するためになされたものであって、発生した欠
陥画素を目立たなくすることができる液晶表示装置およ
びその修復方法を提供することを目的とする。

【００２５】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成する第１
の発明に係る液晶表示装置は、画素基板と、画素基板に
対向する対向基板と、画素基板と対向基板との間に挟持
された液晶層とを備え、画素基板は、互いに交差してい
る複数本のソース線および複数本のゲート線と、マトリ
ックス状に配置された画素電極と、ゲート線から入力さ
れた信号電圧に基づいてソース線から画素電極に印加さ
れる電圧をスイッチングするスイッチング素子と、隣接
する２本のゲート線の間に形成されて所定電圧を印加可
能な補助容量線と、光吸収性材料からなるオーバラップ
膜とを備えており、対向基板は画素電極と対向する対向
電極を備えており、オーバラップ膜の少なくとも一部
は、画素電極および補助容量線と重なり合うように配置
され、画素電極と補助容量線との間が絶縁層により絶縁
されており、液晶層の輝度は、黒を表示する際に画素電
極と対向電極との間に印加される黒表示電圧を印加した
際に最小値となり、画素電極と対向電極との間に黒表示
電圧よりも高い電圧を印加しても低い電圧を印加しても
液晶層の輝度は上昇し、補助容量線には、黒表示電圧と
ほぼ同じ電圧が印加されている。

【００２６】そして、このような液晶表示装置において
画素電極が欠陥画素となった際には、欠陥画素となった
画素電極に重なり合うオーバラップ膜にレーザを照射し
て画素電極と補助容量線との間の絶縁層を溶融させるこ
とにより画素電極と補助容量線との間を接続させて、液
晶表示装置を修復することができる。上記目的を達成す
る第２の発明に係る液晶表示装置は、画素基板と、画素
基板に対向する対向基板と、画素基板と対向基板との間
に挟持された液晶層とを備え、画素基板は、互いに交差
している複数本のソース線および複数本のゲート線と、
マトリックス状に配置された画素電極と、ゲート線から
入力された信号電圧に基づいてソース線から画素電極に
印加される電圧をスイッチングするスイッチング素子
と、隣接する２本のゲート線の間に形成されて所定電圧
を印加可能な補助容量線と、光吸収性材料からなるオー
バラップ膜とを備えており、対向基板は画素電極と対向
する対向電極を備えており、オーバラップ膜の少なくと
も一部は、画素電極およびゲート線と重なり合うように
配置され、画素電極とゲート線との間が絶縁層により絶
縁されており、液晶層の輝度は、黒を表示する際に画素
電極と対向電極との間に印加される黒表示電圧を印加し
た際に最小値となり、画素電極と対向電極との間に黒表
示電圧よりも高い電圧を印加しても低い電圧を印加して
も液晶層の輝度は上昇し、スイッチング素子をオフにさ
せる信号電圧が黒表示電圧とほぼ同じ電圧である。

【００２７】そして、このような液晶表示装置において
画素電極が欠陥画素となった際には、欠陥画素となった
画素電極に重なり合うオーバラップ膜にレーザを照射し
て画素電極とゲート線との間の絶縁層を溶融させること
により画素電極とゲート線との間を接続させて、液晶表
示装置を修復することができる。上記目的を達成する第
３の発明に係る液晶表示装置は、画素基板と、画素基板
に対向する対向基板と、画素基板と対向基板との間に挟
持された液晶層とを備え、画素基板は、互いに交差して
いる複数本のソース線および複数本のゲート線と、マト
リックス状に配置された画素電極と、ゲート線から入力
された信号電圧に基づいてソース線から画素電極に印加
される電圧をスイッチングするスイッチング素子とを備
えており、対向基板は画素電極と対向する対向電極を備
えており、液晶層の輝度は、黒を表示する際に画素電極
と対向電極との間に印加される黒表示電圧を印加した際
に最小値となり、画素電極と対向電極との間に黒表示電
圧よりも高い電圧を印加しても低い電圧を印加しても液
晶層の輝度は上昇し、対向電極には、黒表示電圧とほぼ
同じ電圧が印加されている。上記目的を達成する第４の
発明に係る液晶表示装置は、画素基板と、画素基板に対
向する対向基板と、画素基板と対向基板との間に挟持さ
れた液晶層とを備え、画素基板は、互いに交差している
複数本のソース線および複数本のゲート線と、マトリッ
クス状に配置された画素電極と、ゲート線から入力され
た信号電圧に基づいてソース線から第１の接続部及び第
２の接続部に印加される電圧をそれぞれスイッチングす
る第１のスイッチング素子および第２のスイッチング素
子と、光吸収性材料からなるオーバラップ膜とを備え、
対向基板は、画素電極と対向する対向電極を備えてお
り、オーバラップ膜の少なくとも一部は、第１の接続
部、第２の接続部、及び画素電極と重なり合うように配
置され、第１の接続部と画素電極との間が電気的に接続
されており、第２の接続部と画素電極との間が絶縁層に
より絶縁されている。

【００２８】そして、このような液晶表示装置において
画素電極が欠陥画素となった際には、ソース線と第１の
接続部とを接続する配線にレーザを照射することによ
り、第１のスイッチング素子を介したソース線と画素電
極との間の接続を切断し、第２の接続部と重なり合う部
分にレーザを照射して第２の接続部と画素電極との間を
電気的に接続することにより、第２のスイッチング素子
を介してソース線と画素電極との間を電気的に接続し
て、液晶表示装置を修復することができる。上記目的を
達成する第５の発明に係る液晶表示装置は、画素基板
と、画素基板に対向する対向基板と、画素基板と対向基
板との間に挟持された液晶層とを備え、画素基板は、互
いに交差している複数本のソース線および複数本のゲー
ト線と、マトリックス状に配置された画素電極と、ゲー
ト線から入力された信号電圧に基づいてソース線から画
素電極に印加される電圧をスイッチングするスイッチン
グ素子と、ゲート線と絶縁層を介して重なり合うように
配置された第１の補助容量膜及び第２の補助容量膜と、
光吸収性材料からなるオーバラップ膜とを備え、対向基
板は、画素電極と対向する対向電極を備えており、オー
バラップ膜の少なくとも一部は、第１の補助容量膜、第
２の補助容量膜、及び画素電極と重なり合うように配置
され、第１の補助容量膜と画素電極との間を電気的に接
続しており、第２の補助容量膜と画素電極との間が絶縁
層により絶縁されている。

【００２９】そして、このような液晶表示装置において
画素電極が欠陥画素となった際には、第１の補助容量膜
と画素電極とを接続しているオーバラップ膜にレーザを
照射することにより第１の補助容量膜と画素電極との間
の接続を切断し、第２の補助容量膜に重なり合う部分の
オーバラップ膜にレーザを照射することにより第２の補
助容量膜と画素電極との間を電気的に接続して、液晶表
示装置を修復することができる。上記目的を達成する第
６の発明に係る液晶表示装置は、画素基板と、画素基板
に対向する対向基板と、画素基板と対向基板との間に挟
持された液晶層とを備え、画素基板は、互いに交差して
いる複数本のソース線および複数本のゲート線と、マト
リックス状に配置された主画素電極と、主画素電極と同
一層に近接して形成された第１の補助画素電極及び第２
の補助画素電極と、ゲート線から入力された信号電圧に
基づいてソース線から主画素電極に印加される電圧をス
イッチングするスイッチング素子と、ゲート線と絶縁層
を介して重なり合うように配置された第１の補助容量膜
及び第２の補助容量膜とを備え、対向基板は、画素電極
と対向する対向電極を備えており、第１の補助画素電極
と主画素電極との間が電気的に接続されており、第２の
補助画素電極と主画素電極との間が絶縁層により絶縁さ
れている。

【００３０】そして、このような液晶表示装置において
画素電極が欠陥画素となった際には、第１の補助画素電
極と主画素電極との間にレーザを照射することにより第
１の補助画素電極と主画素電極との間の接続を切断し、
第２の補助画素電極または主画素電極にレーザを照射す
ることにより第２の補助画素電極と主画素電極との間を
接続して、液晶表示装置を修復することができる。上記
目的を達成する第７の発明に係る液晶表示装置は、画素
基板と、画素基板に対向する対向基板と、画素基板と対
向基板との間に挟持された液晶層とを備え、画素基板
は、互いに交差している複数本のソース線および複数本
のゲート線と、マトリックス状に配置された主画素電極
と、主画素電極と同一層に近接して形成された第１の補
助画素電極及び第２の補助画素電極と、ゲート線から入
力された信号電圧に基づいてソース線から第１の補助画
素電極及び第２の補助画素電極に印加される電圧をそれ
ぞれスイッチングする第１のスイッチング素子および第
２のスイッチング素子と、ゲート線と絶縁層を介して重
なり合うように配置されていると共にそれぞれ第１の補
助画素電極および第２の補助画素電極と接続している第
１の補助容量膜及び第２の補助容量膜とを備え、対向基
板は、画素電極と対向する対向電極を備えており、第１
の補助画素電極は主画素電極と接続されており、第２の
補助画素電極は主画素電極と絶縁されている。

【００３１】そして、このような液晶表示装置において
画素電極が欠陥画素となった際には、 第１の補助画素
電極または主画素電極にレーザを照射して第１の補助画
素電極と主画素電極との間を絶縁することにより第１の
スイッチング素子を介したソース線と画素電極との間の
接続を切断し、第２の補助画素電極または主画素電極に
レーザを照射して第２の補助画素電極と主画素電極との
間を接続することにより第２のスイッチング素子を介し
てソース線と画素電極との間を接続して、液晶表示装置
を修復することができる。

【００３２】

【発明の実施の形態】以下、実施の形態について、図面
を参照しながら詳細に説明する。 （実施の形態１）図３（ａ）は、実施の形態１に係る液
晶表示装置（第１の発明）における画素構成を概略的に
示した平面図であり、図４は、図３（ａ）のＸ１−Ｘ
１’断面における断面図である。実施の形態１に係る液
晶表示装置は、ソース線３０１ａ、３０１ｂと、このソ
ース線３０１ａ、３０１ｂにほぼ直交するゲート線３０
２ａ、３０２ｂと、スイッチング素子となるＴＦＴ３０
３と、画素電極３０４と、補助容量線３０８と、オーバ
ラップ膜６０１と信号制御配線６０４とを備えている。

【００３３】図５（ａ）は、第１の発明における液晶表
示装置の画素構成を概略的に示した回路図である。な
お、図５（ａ）では、１つの画素領域についてのみ記載
されているが、このような画素がマトリクス状に配置さ
れている。このことは、以下の説明においても同様であ
る。

【００３４】図示されているように、ＴＦＴ３０３のソ
ース端子３０３ｘはソース線３０１ａに接続され、ゲー
ト端子３０３ｙはゲート線３０２ａに接続され、ドレイ
ン端子３０３ｚは画素電極３０４に接続されている。ま
た、補助容量線３０８は、隣接する２本のゲート線３０
２ａ、３０２ｂの間に配置されている。

【００３５】また、液晶層の容量である主容量（Ｃ_LC）
３０７は、画素電極３０４と対向電極３０６との間に形
成される。補助容量（Ｃ_st）３０５は、主容量（Ｃ_LC）
３０７を補助するものであり、隣り合う２本のゲート線
３０２ａ、３０２ｂの間に配置された補助容量線３０８
と画素電極３０４との間に形成される。

【００３６】また、ソース線３０１ａ、３０１ｂにはソ
ース信号が伝送され、ゲート線３０２ａ、３０２ｂには
ゲート信号が伝送される。ソース信号は、各画素領域に
おける表示の輝度レベルに対応する信号であり、各画素
領域の画素電極３０４に所定の書込周波数で伝送され
る。ゲート信号は、各画素領域の画素電極３０４に対応
するソース信号を伝送するために、特定のタイミングで
ＴＦＴ３０３のスイッチングを行う信号である。なお、
図３（ａ）では対向電極３０６は省略されている。

【００３７】図示されているように、実施の形態１に係
る液晶表示装置におけるオーバラップ膜６０１は、画素
電極３０４および補助容量線３０８と重なり合うように
配置されており、図４に示されているように画素電極３
０４と補助容量線３０８との間が絶縁層７０１により絶
縁されている。

【００３８】実施の形態１では、ＴＦＴ３０３の異常動
作等により画素電極３０４が欠陥画素になると、欠陥画
素のオーバラップ膜６０１にレーザを照射して、レーザ
を受けた溶融接続部Ａにおいて、図４に示した画素電極
３０４と補助容量線３０８との間の絶縁層７０１を溶融
させ、画素電極３０４と補助容量線３０８との間を接続
する。

【００３９】液晶表示装置の駆動時には、前記液晶層の
駆動を制御する駆動手段（図示せず）は、図５（ｂ）お
よび図３（ｂ）に示すように、欠陥画素の画素電極３０
４に接続された補助容量線３０８に、黒表示電圧Ｖｂに
調節された電圧を印加する。これにより、欠陥画素の表
示を確実に黒として、欠陥画素を目立たなくすることが
可能となる。実施の形態１では、補助容量線３０８に、
黒表示電圧Ｖｂとして６．５Ｖ〜７．５Ｖの電圧を印加
する駆動条件が有効であり、欠陥画素を効果的に目立た
なくすることができた。

【００４０】第１の発明に係る液晶表示装置によれば、
ＴＦＴ３０３などのスイッチング素子の異常動作等によ
り欠陥画素が発生すると、欠陥画素の上記オーバラップ
膜６０１にレーザを照射して、画素電極３０４と補助容
量線３０８との間の絶縁層を溶融させ、画素電極３０４
と補助容量線３０８との間を接続させることにより、修
復することができる。これにより、補助容量線３０８を
介して画素電極３０４に所望の電圧を印加することがで
きる。そして、液晶表示装置の駆動時に、画素電極３０
４及び対向電極３０６間に黒表示電圧Ｖｂを印加するこ
とにより、欠陥画素の表示を確実に黒として目立たなく
することができる。ＯＣＢ型の液晶表示装置の場合、位
相差板のリタデーション値などにもよるが、黒表示電圧
Ｖｂは、６．５Ｖ〜７．５Ｖとなるのが一般的である。
一例を挙げると、対向電極３０６に印加する電圧を０Ｖ
の一定値とし、補助容量線３０８に印加する電圧を６．
５〜７．５Ｖの振幅で変動させれば良い。尚、補助容量
線３０８と対向電極３０６との間は、液晶層に所望の電
圧を印加するために、確実に絶縁されていることが必要
である。

【００４１】画素電極３０４にはＩＴＯ（Indium Tin O
xide）などの透明電極が用いられるのが一般的であり、
照射したレーザのエネルギーは画素電極３０４において
吸収され難いので、光吸収性材料からなるオーバラップ
膜６０１は照射するレーザの光エネルギーをよく吸収し
て溶融する金属などで形成されていることが望ましい。

【００４２】オーバラップ膜６０１は、図４に示したよ
うな絶縁層７０１を挟まず画素電極３０４の上面に直接
配置されてもよい。これによっても上記と同様の効果を
得ることができる。

【００４３】オーバラップ膜６０１は、ソース線３０１
ａ、３０１ｂ形成時に残された金属層により、透明電極
からなる画素電極３０４と補助容量線３０８との間に配
置されてもよい。この場合、レーザは透明電極からなる
画素電極３０４を通過して画素電極３０４と補助容量線
３０８との間に配置された金属からなるオーバラップ膜
６０１によって吸収され、周囲の絶縁層を溶融して画素
電極３０４と補助容量線３０８との間を電気的に接続し
得る。

【００４４】また、反射型液晶表示装置のように、画素
電極３０４をアルミニウム等から形成して反射電極とし
た場合、補助容量線３０８と重なり合う部分の画素電極
３０４はオーバラップ膜６０１の役割をも兼ねることに
なる。すなわち、この場合には、画素電極３０４とは別
個にオーバラップ膜６０１を形成する必要はない。な
お、反射型液晶表示装置に適したＯＣＢモードの液晶と
しては、Ｒ−ＯＣＢ(Refrective-OCB)が知られている。

【００４５】画素の修復前においては、画素電極３０４
と補助容量線３０８との間が絶縁されており、両者の間
には補助容量（Ｃ_st）３０５が形成されている。この場
合、補助容量線３０８に印加する電圧を変化させると、
その影響を受けて、画素電極３０４の電位が変動する。
したがって、画素電極３０４に印加する電圧の書込周波
数と、補助容量線３０８に印加する電圧の修復周波数と
が一致すると、液晶表示装置における表示画面の上部と
下部で輝度が異なってしまう輝度傾斜が発生する場合が
ある。

【００４６】そこで、第１の発明に係る液晶表示装置
は、前記液晶層の駆動を制御する駆動手段を更に備え、
前記駆動手段は、前記画素電極に印加する電圧の周波数
とは異なる周波数の電圧を、前記補助容量線に印加する
ことが好ましい。前記補助容量線に印加する電圧は黒表
示電圧Ｖｂであることが好ましく、これにより輝度傾斜
の発生を防ぐことができる。

【００４７】上述した輝度傾斜を避けるため実施の形態
１では、書込周波数を、１秒間に６０枚の表示画面を正
および負の両極性で書き込む３０Ｈｚに設定した。そし
て、補助容量線３０８に印加する電圧を変化させる修復
周波数を、書込周波数より高周波の３００Ｈｚとした。
このように、前記駆動手段は、前記画素電極に印加する
電圧の周波数とは異なる周波数、特に書込周波数より高
い周波数の電圧を、前記補助容量線に印加することが望
ましい。なお、補助容量線３０８に印加する電圧の周波
数は、前記画素電極に印加する電圧の周波数である書込
周波数の５倍以上とすることで、良好な画面表示が得ら
れている。

【００４８】前記補助容量線に印加する電圧の周波数
は、前記画素電極に印加する電圧の周波数の５倍以上と
することがより好ましい。これにより、画面のちらつき
を防止して、より良好な画面表示が得られる。

【００４９】尚、前記補助容量の容量が十分でない場合
には、前記画素領域を画定する２本の前記ゲート線のい
ずれかと前記画素電極との間に追加補助容量を更に形成
することにより、容量を補うことができる。追加補助容
量を形成するゲート線は、当該画素領域に対応する前記
スイッチング素子と接続されていないゲート線である前
段ゲート線であることが好ましい。すなわち、図５
（ａ）において、補助容量（Ｃ_st）３０５の容量不足を
補うため、前段のゲート線３０２ｂと画素電極３０４と
の間に追加補助容量（図示せず）を更に形成し、これを
併用してもよい。これにより、前段のゲート線３０２ｂ
における追加補助容量（図示せず）を併用することがで
き、補助容量線３０８における補助容量（Ｃ_st）３０５
を補うことが可能となる。

【００５０】図示されているように、ゲート線３０２ａ
はＴＦＴ３０３のゲート端子を制御する。そして、信号
制御配線６０４は、第１ＴＦＴ接続部６０２を介してＴ
ＦＴ３０３のソース端子をソース線３０１ａに接続し、
画素電極接続部６０３を介してドレイン端子を画素電極
３０４に接続する。

【００５１】ＴＦＴ３０３の異常動作が発生すると、ゲ
ート線３０２ａの制御が無効となり、ソース端子とドレ
イン端子とが導通する場合がある。このとき、ソース線
３０１ａと画素電極３０４とがゲート信号のタイミング
によらず短絡するので、欠陥画素の修復時には、上述の
ように画素電極３０４と補助容量線３０８との間を接続
するとともに、ＴＦＴ３０３による画素電極３０４とソ
ース線３０１ａとの間の接続を切断して、故障したＴＦ
Ｔ３０３を切り離しておくことが望ましい。

【００５２】なお、上記実施の形態１においては、白表
示電圧Ｖｈと黒表示電圧Ｖｂとの間においては、画素電
極と対向電極との間に印加される駆動電圧を高電圧にす
るにつれて低下するノーマリーホワイトモードのＯＣＢ
型液晶表示装置を例に挙げて説明したが、図２（ｃ）に
その特性が示されているノーマリーブラックモードのＯ
ＣＢ型液晶表示装置にも適用できる。この場合、白表示
電圧Ｖｈと黒表示電圧Ｖｂとの間においては、画素電極
と対向電極との間に印加される駆動電圧を低電圧にする
と輝度が低下し、黒表示電圧Ｖｂにおいて最小値を有
し、さらに電圧を低電圧にすると輝度が上昇する。 （実施の形態２）図６（ａ）は、実施の形態２に係る液
晶表示装置（第２の発明）における画素構成を概略的に
示した平面図であり、図７は、図６（ａ）のＸ２−Ｘ
２’断面における断面図である。実施の形態２に係る液
晶表示装置は、ソース線３０１ａ、３０１ｂと、このソ
ース線３０１ａ、３０１ｂにほぼ直交するゲート線３０
２ａ、３０２ｂと、スイッチング素子となるＴＦＴ３０
３と、画素電極３０４と、オーバラップ膜８０１と、信
号制御配線６０４とを備えている。なお、図６（ａ）に
おいては、対向電極３０６等が省略されている。

【００５３】図８（ａ）は、前記第２の発明に係る液晶
表示装置の画素構成を概略的に示した回路図である。図
８（ａ）に示す画素構成は、図５（ａ）に示す補助容量
線３０８がなく、補助容量（Ｃ_st）３０５ａは、ゲート
線３０２ｂと画素電極３０４との間に形成される。その
他の構成は、図５（ａ）に示した構成と同様である。補
助容量（Ｃ_st）３０５ａを形成するゲート線は、画素領
域を画定する２本のゲート線３０２ａ，３０２ｂのう
ち、当該画素領域に対応するスイッチング素子３０３が
接続されていないゲート線である前段ゲート線３０２ｂ
であることが好ましい。

【００５４】図示されているように、実施の形態２に係
る液晶表示装置におけるオーバラップ膜８０１は、前段
のゲート線３０２ｂおよび画素電極３０４と重なり合う
ように配置されており、図７に示されているように画素
電極３０４とオーバラップ膜８０１との間はオーバラッ
プ膜接続部Ｃにおいて接続されているが、前段のゲート
線３０２ｂとオーバラップ膜８０１との間は溶融接続部
Ｂで絶縁されている。なお、オーバラップ膜８０１の光
学的特性は実施の形態１と同様である。

【００５５】実施の形態２では、ＴＦＴ３０３の異常動
作等により欠陥画素が発生すると、欠陥画素のオーバラ
ップ膜８０１にレーザを照射して、レーザを受けた溶融
接続部Ｂにおいて、オーバラップ膜８０１を介した画素
電極３０４と前段のゲート線３０２ｂとの間の接続を絶
縁する絶縁層９０１およびオーバラップ膜８０１を溶融
させ、オーバラップ膜８０１と前段のゲート線３０２ｂ
と間を接続する。オーバラップ膜８０１と画素電極３０
４とは、オーバラップ膜接続部Ｃにおいて接続されてい
るので、結果として、前段のゲート線３０２ｂと画素電
極３０４との間を接続することとなる。

【００５６】これにより、上述した輝度浮き特性のない
ＴＮ型液晶表示装置等を用いる別の実施の形態では、欠
陥画素の表示を確実に黒として、欠陥画素を目立たなく
することができる。

【００５７】しかしながら実施の形態２では、上述した
ＯＣＢ型液晶表示装置のように輝度浮き特性を有する液
晶表示装置、すなわち画素電極３０４と対向電極３０６
との間の電圧が無印加の状態で液晶分子がスプレイ配向
となり、転移電圧の印加によりベンド配向となって、駆
動電圧の印加によりベンド配向状態で駆動される。

【００５８】上述したようにゲート線３０２ａ、３０２
ｂには、一般的にその絶対値が黒表示電圧より高い電圧
が印加されている。ゲート線３０２ａ、３０２ｂに印加
される電圧は、ほとんどの時間においてｌｏｗレベルで
あり、そのゲート線３０２ａ、３０２ｂに接続された画
素電極３０４を選択する場合のみｈｉｇｈレベルとな
る。そして、黒を表示すべき欠陥画素において、その輝
度に影響する印加電圧は、時間的平均化されてほぼｌｏ
ｗレベルの−１５Ｖ程度となるからである。

【００５９】第２の発明に係る液晶表示装置によれば、
ＴＦＴ３０３の異常動作等により画素電極３０４が欠陥
画素となると、この欠陥画素のオーバラップ膜８０１に
レーザを照射して、画素電極３０４と前段ゲート線３０
２ｂとの間の絶縁層を溶融させ、画素電極３０４とゲー
ト線３０２ｂとの間を接続させることにより、修復する
ことができる。

【００６０】一般的にゲート線３０２ａ、３０２ｂに
は、スイッチング素子３０３をオンにしている期間（こ
の期間では、ゲート線３０２ａには＋１５Ｖ程度の電圧
が印加される）を除けば、スイッチング素子３０３をオ
フにするために−１５Ｖ程度のように絶対値の大きな電
圧が印加されているので、ゲート線３０２ａ、３０２ｂ
を欠陥画素の画素電極３０４に接続させると、上述した
輝度浮き特性のないＴＮ型液晶表示装置等では、高電圧
側のしきい値電圧Ｖｔ２以上の電圧が印加されるので
（図２（ａ）参照）、欠陥画素の表示を確実に黒とし
て、欠陥画素を目立たなくすることができる。

【００６１】これに対し、ＯＣＢ型液晶表示装置におい
ては、黒表示電圧が６．５〜７．５Ｖであれば、その絶
対値が黒表示電圧より高い電圧が液晶層に印加されるの
で、輝度浮き特性（図２（ｂ）参照）により欠陥画素を
黒表示にすることができない。そこで、図８（ｂ）およ
び図６（ｂ）に示すように、ＯＣＢ型液晶表示装置に第
２の発明を適用する場合、スイッチング素子３０３をオ
フにする際にゲート線に印加する電圧を黒表示電圧に略
一致するように構成する。

【００６２】これにより駆動時に、黒表示電圧以上の電
圧を、欠陥画素の画素電極３０４に接続されたゲート線
３０２ｂに印加することにより、欠陥画素の表示を確実
に黒として、欠陥画素を目立たなくすることができた。
特に、駆動手段からゲート線３０２ｂに印加される平均
電圧が１５Ｖの場合において、液晶層のリタデーション
値と、位相差板のリタデーション値とのリタデーション
総和が３０ｎｍ以下であるときに、欠陥画素を効果的に
目立たなくすることができた。この場合の駆動電圧は、
例えば、６．０〜７．０Ｖとすることが好ましく、これ
によって、液晶表示装置を良好に動作させることができ
た。

【００６３】輝度浮き特性をより効果的に抑制するため
に、液晶層の駆動を制御する駆動手段（図示せず）を更
に備えると共に、画素基板又は対向基板の少なくとも一
方に位相差板（図示せず）を設けることが好ましい。

【００６４】図１に示すＯＣＢ型液晶表示装置は、黒表
示電圧を印加したときに、液晶層１０５のリタデーショ
ン値と、画素基板１０２ａ及び対向基板１０２ｂにそれ
ぞれ配置された位相差板１０３ａ，１０３ｂのリタデー
ション値とが相殺された値であるリタデーション総和が
最小となるように設計される。即ち、黒表示電圧印加時
に、上記リタデーション総和の関数である輝度が最も低
くなるように設計されている。リタデーション値は、画
素基板１０２ａ又は対向基板１０２ｂの表面に垂直な方
向における屈折率異方性（Δｎ）と厚み（ｄ）の積とし
て表すことができる。

【００６５】また、液晶層のリタデーション値の印加電
圧による変化は、駆動電圧が高いほど緩やかになる。位
相差板のリタデーション値は印加電圧の影響を受けない
ので、輝度の印加電圧による変化も駆動電圧が高いほど
緩やかになる。そのため、駆動電圧を高くすることによ
り、図２の特性曲線２０２に示したような輝度浮き特性
を抑制することができる。

【００６６】したがって、前記液晶層は、前記画素電極
及び対向電極間の電圧が無印加の状態で液晶分子がスプ
レイ配向となり、転移電圧の印加によりベンド配向とな
って、駆動電圧の印加によりベンド配向状態で駆動され
る液晶表示装置において、前記液晶層の駆動を制御する
駆動手段を更に備えると共に、前記画素基板又は前記対
向基板の少なくとも一方に位相差板が設けられているこ
とが好ましく、前記駆動手段から前記ゲート線に印加さ
れる平均電圧が１５Ｖの場合において、前記液晶層のリ
タデーション値と、前記位相差板のリタデーション値と
のリタデーション総和が３０ｎｍ以下であることが望ま
しい。これにより、修復した欠陥画素を目立たなくする
ことができる。この場合の駆動電圧は、例えば、６．０
〜７．０Ｖとすることが好ましく、これによって、液晶
表示装置を良好に動作させることができる。

【００６７】また、前記液晶層は、前記画素電極及び対
向電極間の電圧が無印加の状態で液晶分子がスプレイ配
向となり、転移電圧の印加によりベンド配向となって、
駆動電圧の印加によりベンド配向状態で駆動される液晶
表示装置において、前記液晶層の駆動を制御する駆動手
段を更に備えると共に、前記画素基板又は前記対向基板
の少なくとも一方に位相差板が設けられていることが好
ましく、前記駆動手段から前記ゲート線に印加される平
均電圧が１２．５Ｖ〜１３．５Ｖの範囲において、前記
液晶層のリタデーション値と、前記位相差板のリタデー
ション値とのリタデーション総和が３０ｎｍ以下である
ことが望ましい。この場合も、修復した欠陥画素を目立
たなくしつつ、液晶表示装置を良好に動作させることが
できる。

【００６８】実施の形態２においては、リタデーション
総和を１０〜３０ｎｍのいずれかの値とし、駆動時に、
ゲート線３０２ａ、３０２ｂに時間的平均値の絶対値が
１４．５〜１５．５Ｖのいずれかの値となる電圧を印加
し、駆動電圧を６．５〜７．５Ｖのいずれかの値とし
た。このとき、液晶パネルの上下には、それぞれ１５ｎ
ｍの位相差板を一枚ずつ画素基板および対向基板と重な
るように配置した。このように設計することにより、修
復した欠陥画素を目立たなくしつつ、液晶表示装置を通
常に動作をさせることができた。

【００６９】また、液晶パネルの上下に、それぞれ１０
ｎｍの位相差板を一枚ずつ配置し、上記のリタデーショ
ン総和を２０ｎｍ以下としてもよい。これにより映像表
示モードにおいても、欠陥画素の表示を確実に黒とし
て、欠陥画素を目立たなくすることができた。

【００７０】このように、輝度浮き特性を抑制するため
には、例えば７．８という比較的大きい液晶層の誘電率
の異方性△εのために実効的な駆動電圧は低下するの
で、駆動電圧を調節するよりもリタデーション値を調節
する方が効果的である。

【００７１】しかし、ゲート線３０２ａ、３０２ｂに印
加する電圧の絶対値を低下させ、黒表示電圧に近づける
こと、すなわち駆動電圧を調節することによって、輝度
浮き特性を抑制してもよい。この実施の形態の場合に
は、前記駆動手段から前記ゲート線に印加される平均電
圧が１２．５Ｖ〜１３．５Ｖの範囲において、前記液晶
層のリタデーション値と、前記位相差板のリタデーショ
ン値とのリタデーション総和が３０ｎｍ以下とした。こ
のように設計することにより、修復した欠陥画素を目立
たなくしつつ、液晶表示装置を通常に動作をさせること
ができる。

【００７２】また、オーバラップ膜８０１と前段のゲー
ト線３０２ｂとの間の容量を補助容量として利用しても
よい。これにより、補助容量を形成するために、限られ
た画素領域内の面積を有効に利用することができる。

【００７３】なお、溶融接続部Ｂとオーバラップ膜接続
部Ｃとの配置を入れ替える、または、オーバラップ膜接
続部Ｃもレーザの照射により溶融する溶融接続部として
もよい。これにより、第２の発明を多種多様な製造プロ
セスに適合させることができる。

【００７４】また、オーバラップ膜８０１は、画素電極
３０４の上面に直接形成されていてもよい。ソース線３
０１ａ、３０１ｂ形成時の金属層を残して、画素電極３
０４の下層に形成されていてもよい。オーバラップ膜８
０１は、画素電極３０４または、前段のゲート線３０２
ｂと一体化して形成されていてもよい。このように、第
２の発明は多種多様な製造プロセスに適合させることが
できる。

【００７５】また、実施の形態２においては、前段のゲ
ート線３０２ｂに代えて、ソース線３０１ａ、３０１ｂ
と画素電極３０４とを接続させることもできる。図示し
ていないが、このとき、オーバラップ膜（図示せず）
は、画素電極３０４およびソース線３０１ａ、３０１ｂ
のそれぞれを覆い、レーザの照射により溶融して画素電
極とソース線とを電気的に接続させて、欠陥画素の修復
を行う。

【００７６】ソース線には、表示画面において、縦方向
に配列された画素に関する表示データに対応したソース
信号が伝送される。このため、縦方向に配列された画素
の画素電極に印加される電圧の平均値が、その欠陥画素
に印加される。そのため、欠陥画素の表示を、明るい画
面では明るく、暗い画面では暗くすることができ、欠陥
画素の表示を画面の表示状態に合わせることができる。 （実施の形態３）この第３の発明は、ＯＣＢ型液晶表示
装置のように液晶層の液晶分子の配向状態が、スプレイ
配向状態またはベンド配向状態をなす液晶表示装置にお
いて、液晶表示装置の駆動時に、対向電極に前記転移電
圧に略等しい電圧となる自発的黒表示電圧を印加するこ
とにより、スイッチング素子が導通せず画素電極に電圧
が印加されない欠陥画素が存在するときに、自発的にそ
の欠陥画素の表示を確実に黒として、欠陥画素を目立た
なくすることができる。

【００７７】図２にその輝度−電圧特性を示したＯＣＢ
型液晶表示装置では、スイッチング素子が導通せず画素
電極に電圧が印加されないと、その電位は０Ｖとなるの
で、対向電極３０６に電圧が印加されないと、液晶分子
の配向状態は、図１の（ａ）に示したスプレイ配向状態
となり、欠陥画素が「輝点」として目立ってしまう。

【００７８】そこで、対向電極に黒表示電圧Ｖｂを常時
印加することにより、スイッチング素子が導通せず電圧
が印加されない欠陥画素である画素電極が存在する場合
であっても、液晶層に電圧を印加して液晶分子がスプレ
イ配向状態となるのを防ぐことができ、欠陥画素を目立
たなくすることができる。

【００７９】ノーマリーブラック型のＯＣＢ型液晶表示
装置では、対向電極に印加する電圧は、周波数が２５〜
３５Ｈｚの範囲で、電圧振幅が２．５Ｖの範囲にあるこ
とが好ましい。 （実施の形態４）画素を制御するＴＦＴなどのスイッチ
ング素子の異常動作や、画素表示状態を保持する補助容
量の短絡に伴う欠陥画素の修復においては、欠陥画素の
表示を確実に黒とすることにより目立たなくすることが
できるが、より完全な修復を望む場合には、正常に動作
する良好な画素へと完全に修復することが好ましい。第
４の発明、第５の発明、第６の発明および第７の発明
は、このような観点からなされたものである。

【００８０】実施の形態４では、ＴＦＴなどのスイッチ
ング素子の異常動作等により発生した欠陥画素におい
て、ＴＦＴそのものを新しいＴＦＴに取り替えて欠陥画
素の修復を行う。即ち、欠陥画素の表示を目立たなくす
るのではなく、通常に動作する良好な画素へと完全に修
復する。

【００８１】図９は、実施の形態４に係る液晶表示装置
（第４の発明）における画素構成を概略的に示した平面
図であり、図１０は、図９のＸ３−Ｘ３’断面における
断面図であり、図１１は、図９のＸ４−Ｘ４’断面にお
ける断面図である。

【００８２】図示されているように、実施の形態４に係
る液晶表示装置（第４の発明）は、ソース線３０１ａ、
３０１ｂと、ゲート線３０２ａ、３０２ｂと、第１のス
イッチング素子及び第２のスイッチング素子である第１
ＴＦＴ３０３ａおよび第２ＴＦＴ３０３ｂと、画素電極
３０４と、第１オーバラップ層１００４と、信号制御配
線１００１とを備えている。これらについては、図１２
に示したものと同様であり、実施の形態４は上述した第
４の発明に係る実施の形態を示している。また、ここで
は省略しているが、対向電極３０６等も備えている。

【００８３】信号制御配線１００１は、信号制御配線接
続部１００２でソース線３０１ａに接続されており、第
１ＴＦＴ３０３ａおよび第２ＴＦＴ３０３ｂは、ゲート
線から入力された信号電圧に基づいてソース線３０１ａ
から第１の接続部１００３に印加される電圧、及びソー
ス線３０１ａから第２の接続部５０２の信号制御配線１
００１側に印加される電圧をそれぞれスイッチングす
る。

【００８４】第１オーバラップ層１００４は、金属のよ
うな光吸収性材料からなり、第１の接続部１００３、第
２の接続部５０２、及び画素電極３０４と重なり合うよ
うに配置され、画素電極接続部１００５を介して、第１
の接続部１００３と画素電極３０４との間が電気的に接
続されている。また、第２の接続部５０２と画素電極３
０４との間が図１１に示した絶縁層１１０１により絶縁
されている。したがって、通常の状態においては、第１
ＴＦＴ３０３ａは、ソース線３０１ａと画素電極３０４
との間をスイッチングする図８（ａ）に示したＴＦＴ３
０３として動作する、これに対し第２ＴＦＴ３０３ｂ
は、第２の接続部５０２により画素電極３０４から切断
された状態となっている。

【００８５】実施の形態４では、第１ＴＦＴ３０３ａの
異常動作等により欠陥画素が発生すると、まず、図９に
示した信号制御配線１００１上の第１ＴＦＴ切断部５０
１にレーザを照射して、故障した第１ＴＦＴ３０３ａに
よるソース線３０１ａと画素電極３０４との間の接続を
切断し、第２ＴＦＴ３０３ｂを介したソース線３０１ａ
と画素電極３０４との間を絶縁する第２の接続部５０２
にレーザを照射して、新しい第２ＴＦＴ３０３ｂにより
ソース線３０１ａと画素電極３０４との間を接続する。

【００８６】これにより、故障した第１ＴＦＴ３０３ａ
を画素電極３０４から切断し、新しい第２ＴＦＴ３０３
ｂを画素電極３０４に接続する処理を容易に行うことが
でき、スイッチング素子の異常に伴う欠陥画素を正常な
画素へと完全に修復することができる。このように、第
２の接続部５０２を信号制御配線１００１と第１オーバ
ラップ層１００４との間に設けることにより、レーザの
照射による接続が容易となる。

【００８７】なお、第１ＴＦＴ切断部５０１は、信号制
御配線１００１のうちソース線３０１から第１ＴＦＴ３
０３ａを介して第１ＴＦＴ接続部１００３に至るまでの
経路上、または、第１オーバラップ層１００４のうち、
第１ＴＦＴ接続部１００３から画素電極接続部１００５
に至るまでの経路上に、第２ＴＦＴ３０３ｂを介してソ
ース線３０１から画素電極３０４に至る経路を保護しつ
つ設けるとよい。また、第２の接続部５０２は、ソース
線３０１と第２ＴＦＴ３０３ｂとの間および第２ＴＦＴ
３０３ｂと画素電極３０４との間のいずれかを絶縁し、
レーザの照射により溶融して絶縁箇所を接続するもので
あればよい。

【００８８】図１２は、第４の発明及び第５の発明を説
明するために、液晶表示装置の画素構成を概略的に示し
た回路図である。図示されているように、液晶表示装置
は、ソース線３０１ａ、３０１ｂと、ゲート線３０２ａ
と、前段のゲート線３０２ｂと、画素電極３０４と、対
向電極３０６とを備えており、これらについては、図５
（ａ）または図８（ａ）に示した液晶表示装置と同様で
ある。

【００８９】第４の発明に係る液晶表示装置は、図８
（ａ）に示したＴＦＴ３０３に代えて、それぞれ第１の
スイッチング素子及び第２のスイッチング素子である第
１ＴＦＴ３０３ａおよび第２ＴＦＴ３０３ｂを備えてい
る。第１ＴＦＴ３０３ａを介したソース線３０１ａと画
素電極３０４との間は電気的に接続されており、第２Ｔ
ＦＴ３０３ｂを介したソース線３０１ａと画素電極３０
４との間は、第２ＴＦＴ絶縁部５０２において絶縁され
ている。したがって、通常の状態においては、第１ＴＦ
Ｔ３０３ａが図８（ａ）に示したＴＦＴ３０３として動
作する。

【００９０】第１ＴＦＴ３０３ａの異常動作等により欠
陥画素が発生すると、ソース線３０１ａと画素電極３０
４とを接続する配線の任意の箇所にレーザを照射して、
第１ＴＦＴ３０３ａを介したソース線３０１ａと画素電
極３０４との間の接続を切断する（図１２の第１ＴＦＴ
切断部５０１）。そして、第２ＴＦＴ絶縁部５０２にレ
ーザを照射して、第２ＴＦＴ３０３ｂを介したソース線
３０１ａと画素電極３０４との間を電気的に接続する。
これにより、スイッチング素子の異常に伴う欠陥画素を
正常な画素へと完全に修復することができる。 （実施の形態５）実施の形態５は、補助容量の短絡によ
り発生した欠陥画素において、補助容量そのものを新し
い補助容量に取り替えて欠陥画素の修復を行う。即ち、
欠陥画素の表示を目立たなくするのではなく、通常に動
作する良好な画素へと完全に修復する。

【００９１】図１３は、実施の形態５に係る液晶表示装
置（第５の発明）における画素構成を概略的に示した平
面図であり、図１４は、図１３のＸ５−Ｘ５’断面にお
ける断面図であり、図１５は、図１３のＸ６−Ｘ６’断
面における断面図である。

【００９２】実施の形態５に係る液晶表示装置（第５の
発明）は、ソース線３０１ａ、３０１ｂと、ゲート線３
０２ａ、３０２ｂと、スイッチング素子となるＴＦＴ３
０３と、画素電極３０４と、第２オーバラップ層１３０
３と、信号制御配線６０４とを備えている。なお、実施
の形態５では、前段のゲート線３０２ｂに代えて、補助
容量線３０８を用いているが、これらについては、図１
２に示したものと同様であり、実施の形態５は上述した
第５の発明に係る実施の形態を示している。また、ここ
では省略しているが、対向電極３０６等も備えている。

【００９３】また、実施の形態５に係る液晶表示装置
（第５の発明）は、ゲート線３０２ａと絶縁層１４０１
を介して重なり合うように配置された第１の補助容量膜
１３０１ａ及び第２の補助容量膜１３０１ｂを備えてい
る。そして、第１の補助容量膜１３０１ａは、補助容量
線３０８との間に第１補助容量（Ｃ_st1）３０５ｂを形
成し、第２の補助容量膜１３０１ｂは、補助容量線３０
８との間に第２補助容量（Ｃ_st2）３０５ｃを形成する
（図１２参照）。

【００９４】第２オーバラップ層１３０３は、光吸収性
材料からなり、第１の補助容量膜１３０１ａ、第２の補
助容量膜１３０１ｂおよび画素電極３０４と重なり合う
ように配置され、画素電極接続部１３０４を介して画素
電極３４０に接続されている。

【００９５】また、図１５に示されているように、第１
の補助容量膜１３０１ａは、第１補助容量接続部１３０
２を介して第２オーバラップ層１３０３と接続されてい
るので、画素電極と接続されていることとなる。しか
し、第２の補助容量膜１３０１ｂと画素電極３０４との
間の接続が、第２補助容量絶縁部５０４で絶縁されてい
る。したがって、第１補助容量（Ｃ_st1）３０５ｂだけ
が補助容量として動作し、第２補助容量（Ｃ_st2）３０
５ｃは切り離された状態となっている。

【００９６】実施の形態５では、第１補助容量
（Ｃ_st1）３０５ｂの短絡により欠陥画素が発生する
と、第１の補助容量膜１３０１ａと画素電極３０４との
間の第２オーバラップ層１３０３上に設けられた第１補
助容量切断部５０３にレーザを照射して、第１の補助容
量膜１３０１ａと画素電極３０４との間の接続を切断
し、第２の補助容量膜１３０１ｂと画素電極３０４との
間を絶縁する第２オーバラップ層１３０３上に設けられ
た第２補助容量絶縁部５０４にレーザを照射して、第２
の補助容量膜１３０１ｂと画素電極３０４との間を接続
する。これにより、短絡した第１補助容量（Ｃ_st1）３
０５ｂを切断し、第２補助容量（Ｃ_st2）３０５ｃを補
助容量として接続することができ、欠陥画素を通常に動
作する良好な画素へと完全に修復することができる。こ
のように、画素電極３０４と第１の補助容量膜１３０１
ａとの間、および、画素電極３０４と第２補助容量絶縁
部５０４との間を接続する第２オーバラップ層１３０３
とを備えていることにより、レーザの照射による接続が
容易となる。

【００９７】なお、第２補助容量絶縁部５０４は、第２
の補助容量膜１３０１ｂと画素電極３０４との間を絶縁
し、レーザの照射により溶融して絶縁箇所を接続するも
のであればよい。

【００９８】なお、第１補助容量切断部５０３は、欠陥
画素の発生原因となる短絡した箇所を孤立させるため
に、第２オーバラップ層１３０３のうち、第１補助容量
接続部１３０２から画素電極接続部１３０４に至るまで
の経路上に、第２補助容量絶縁部５０４から画素電極接
続部１３０４に至る経路を保護しつつ設けるとよい。

【００９９】また、第５の発明に係る液晶表示装置は、
第１の補助容量膜及び前記第２の補助容量膜を備えるこ
とにより、図８（ａ）に示した補助容量（Ｃ_st）３０５
ａに代えて、第１補助容量（Ｃ_st1）３０５ｂおよび第
２補助容量（Ｃ_st2）３０５ｃを備えている。第１補助
容量膜１３０１ａは画素電極３０４に電気的に接続され
ており、第２補助容量膜１３０１ｂと画素電極３０４と
の間は第２補助容量絶縁部５０４で絶縁されている。し
たがって、第１補助容量（Ｃ_st1）３０５ｂが図８
（ａ）に示した補助容量（Ｃ_st）３０５ａとして動作す
る。

【０１００】第１補助容量（Ｃ_st1）３０５ｂの短絡に
より欠陥画素が発生すると、第１補助容量（Ｃ_st1）３
０５ｂを形成する第１の補助容量膜１３０１ａと画素電
極３０４とを接続する配線の任意の箇所にレーザを照射
して、第１の補助容量膜と画素電極との間の接続を切断
する。そして、第２補助容量絶縁部５０４にレーザを照
射して、第２補助容量（Ｃ_st2）３０５ｃを形成する第
２の補助容量膜１３０１ｂと画素電極３０４との間を電
気的に接続する。これにより、補助容量の異常に伴う欠
陥画素を正常な画素へと完全に修復することができる。
尚、第１補助容量（Ｃ_st1）３０５ｂおよび第２補助容
量（Ｃ_st2）３０５ｃを、補助容量線３０８に代えて、
ゲート線３０２ｂと画素電極３０４との間に形成するこ
とも可能である。 （実施の形態６）図１６は、実施の形態６に係る液晶表
示装置（第６の発明）における画素構成を概略的に示し
た平面図であり、図１７は、図１６のＸ７−Ｘ７’断面
における断面図である。

【０１０１】実施の形態５の場合と同様に、実施の形態
６に係る液晶表示装置（第６の発明）は、ソース線３０
１ａ、３０１ｂと、ゲート線３０２ａ、３０２ｂと、ス
イッチング素子となるＴＦＴ３０３と、信号制御配線６
０４とを備えている。なお、実施の形態６では、前段の
ゲート線３０２ｂに代えて、補助容量線３０８を用いて
いるが、これらについては、図１２に示したものと同様
であり、実施の形態６は上述した第６の発明に係る実施
の形態を示している。また、ここでは省略しているが、
対向電極３０６等も備えている。

【０１０２】また、実施の形態６に係る液晶表示装置
（第６の発明）は、ゲート線３０２ａと絶縁層１７０１
を介して重なり合うように配置された第１の補助容量膜
１６０１ａ及び第２の補助容量膜１６０１ｂを備えてい
る。そして、第１の補助容量膜１６０１ａは、補助容量
線３０８との間に第１補助容量（Ｃ_st1）３０５ｂを形
成し、第２の補助容量膜１６０１ｂは、補助容量線３０
８との間に第２補助容量（Ｃ_st2）３０５ｃを形成す
る。このことは実施の形態５と同様である。

【０１０３】しかし、実施の形態６に係る液晶表示装置
（第６の発明）は、各画素領域内に配置された主画素電
極３０４’と、主画素電極３０４’と同一層に近接して
形成された第１の補助画素電極３０４ｂ及び第２の補助
画素電極３０４ａとを備える。そして第１の補助画素電
極３０４ｂと主画素電極３０４’との間の切断線５０
３’では、第１の補助画素電極３０４ｂと主画素電極３
０４’との間は電気的に接続されており、第２の補助画
素電極３０４ａと主画素電極３０４’との間の第２補助
容量絶縁部５０４では、第２の補助画素電極３０４ａと
主画素電極３０４’との間が絶縁層により絶縁されてい
る。

【０１０４】そして、第１の補助容量膜１６０１ａは、
第１補助容量接続部１６０２を介して主画素電極３０
４’と接続された第１の補助画素電極３０４ｂに接続さ
れているが、第２の補助容量膜１６０１ｂは、主画素電
極３０４’と絶縁された第２の補助画素電極３０４ａと
接続されており、図１７に示されているように、第２の
補助画素電極３０４ａと主画素電極３０４’との間は、
第２補助容量絶縁部５０４で絶縁されている。したがっ
て、第１補助容量（Ｃ_st1）３０５ｂだけが補助容量と
して動作する。なお、第２の補助画素電極３０４ａは、
主画素電極３０４’と同時に形成されるとよい。

【０１０５】実施の形態６では、第１補助容量
（Ｃ_st1）３０５ｂの短絡により欠陥画素が発生する
と、第１の補助容量膜１６０１ａに接続された第１の補
助画素電極３０４ｂと主画素電極３０４’との間に設け
られた第１補助容量切断部５０３にレーザを照射して、
短絡した第１の補助容量膜１６０１ａに接続された第１
の補助画素電極３０４ｂを、主画素電極３０４’から切
り離す。

【０１０６】そして、次に第２の補助容量膜１６０１ｂ
に接続された第２の補助画素電極３０４ａと主画素電極
３０４’との間を絶縁する第２補助容量絶縁部５０４に
レーザを照射して、第２の補助容量膜１６０１ｂに接続
された第２の補助画素電極３０４ａと主画素電極３０
４’との間を接続する。

【０１０７】これにより、短絡した第１補助容量（Ｃ
_st1）３０５ｂを切断し、第２補助容量（Ｃ_st2）３０５
ｃを補助容量として接続することができ、第１補助容量
（Ｃ_{s t1}）３０５ｂの短絡により発生した欠陥画素を通
常に動作する良好な画素へと完全に修復することができ
る。

【０１０８】このように主画素電極３０４’および第１
の補助画素電極３０４ｂとは別に第２の補助画素電極３
０４ａを配置することにより、主画素電極３０４’と第
１の補助画素電極３０４ｂとの間で切断を行い、主画素
電極３０４’と第２の補助画素電極３０４ａとの間で接
続を行うことができるので、上述したオーバラップ層が
不要となる。これにより、各画素領域の開口を拡大させ
ることができ、また、製造工程を短縮化させることが可
能となる。

【０１０９】図１２を参照すると、第６の発明に係る液
晶表示装置は、第１の補助画素電極１６０１ａと画素電
極３０４に対応する主画素電極３０４’との間が電気的
に接続されているので、ゲート線３０２ｂと第１の補助
容量膜１６０１ａとの間に第１補助容量（Ｃ_st1）３０
５ｂが形成される。一方、第２の補助画素電極１６０１
ｂと主画素電極３０４’との間が絶縁層により絶縁され
ているので、第２補助容量（Ｃ_st2）３０５ｃと主画素
電極３０４’との間は第２補助容量絶縁部５０４で絶縁
されている。

【０１１０】第１補助容量（Ｃ_st1）３０５ｂの短絡に
より欠陥画素が発生すると、第１の補助画素電極３０４
ｂと主画素電極３０４’との間にレーザを照射して、第
１の補助画素電極３０４ｂと主画素電極３０４’との間
の接続を切断し、第２補助容量絶縁部５０４にレーザを
照射して、第２の補助画素電極３０４ａと主画素電極３
０４’との間を接続する。これにより、第１補助容量
（Ｃ_st1）３０５ｂを新しい第２補助容量（Ｃ_st2）３０
５ｃに交換することができ、第１補助容量（Ｃ_{s t1}）３
０５ｂの短絡により発生した欠陥画素を正常な画素へと
完全に修復することができる。 （実施の形態７）図１８は、実施の形態７に係る液晶表
示装置（第７の発明）における画素構成を概略的に示し
た平面図である。図１９は、図１８のＸ８−Ｘ８’断面
における断面図である。

【０１１１】実施の形態４または６の場合と同様に、実
施の形態７に係る液晶表示装置（第７の発明）は、ソー
ス線３０１ａ、３０１ｂと、ゲート線３０２ａ、３０２
ｂと、第１のスイッチング素子及び第２のスイッチング
素子である第１ＴＦＴ３０３ａおよび第２ＴＦＴ３０３
ｂと、信号制御配線１８０６とを備えている。これらに
ついては、図１２に示したものと同様であり、実施の形
態７は上述した第７の発明に係る実施の形態を示してい
るが、実施の形態７では、図１２に示した第１ＴＦＴ切
断部５０１および第１補助容量切断部５０３を一体化し
て第１接続部５０１３に変更し、第２の接続部５０２お
よび第２補助容量絶縁部５０４を一体化して第２接続部
５０２４に変更した。

【０１１２】第１ＴＦＴ３０３ａおよび第２ＴＦＴ３０
３ｂは、ゲート線３０２ａから入力された信号電圧に基
づいてソース線３０１ａから第１接続部５０１３及び第
２接続部５０２４に印加される電圧をそれぞれスイッチ
ングするように配置されている。

【０１１３】しかし、実施の形態６の場合と同様に、実
施の形態７に係る液晶表示装置（第６の発明）は、各画
素領域内に配置された主画素電極３０４’と、主画素電
極３０４’と同一層に近接して形成された第１の補助画
素電極３０４ｂ及び第２の補助画素電極３０４ａとを備
える。そして第１の補助画素電極３０４ｂと主画素電極
３０４’との間の切断線５０１３’では、第１の補助画
素電極３０４ｂと主画素電極３０４’との間は電気的に
接続されており、第２の補助画素電極３０４ａと主画素
電極３０４’との間の第２接続部５０２４では、第２の
補助画素電極３０４ａと主画素電極３０４’との間が絶
縁層により絶縁されている。

【０１１４】したがって、第２ＴＦＴ３０３ｂを介した
ソース線３０１ａと主画素電極３０４’との間の接続
は、第２接続部５０２４で絶縁されており、第１ＴＦＴ
３０３ａだけがＴＦＴ３０３として動作する。詳細な接
続は以下の通りである。

【０１１５】第１の補助容量膜１８０１ａは、画素電極
接続部１８０２を介して第１の補助画素電極３０４ｂに
接続された主画素電極３０４’に接続され、また、第１
ＴＦＴ接続部１８０４を介して信号制御配線１８０６に
接続されている。信号制御配線１８０６は、第１ＴＦＴ
３０３ａを介してソース線３０１ａに接続されている。
これに対し、第２の補助容量膜１８０１ｂは、画素電極
接続部１８０３を介して第２の補助画素電極３０４ａに
接続され、また、第２ＴＦＴ接続部１８０５を介して信
号制御配線１８０６に接続されている。そして、信号制
御配線１８０６は、第２ＴＦＴ３０３ｂを介してとソー
ス線３０１ａに接続されるように配置されている。しか
し、主画素電極３０４’と第２の補助画素電極３０４ａ
との間は第２接続部５０２４において絶縁されており、
第２ＴＦＴ３０３ｂは、第２接続部５０２４により主画
素電極３０４’から切断された状態となっている。

【０１１６】一方、第１の補助容量膜１８０１ａおよび
第２の補助容量膜１８０１ｂは、ゲート線３０２ａと図
１９に示した絶縁層１９０１を介して重なり合うように
配置されている。第１の補助容量膜１８０１ａは、第１
補助容量接続部１８０２を介して主画素電極３０４’と
接続されているが、第２の補助容量膜１８０１ｂは、主
画素電極３０４’と絶縁された第２の補助画素電極３０
４ａと接続されている。したがって、第１補助容量（Ｃ
_st1）３０５ｂだけが補助容量として動作する。

【０１１７】以上をまとめると、第１接続部５０１３は
第１の補助容量膜１８０１ａを介して第１の補助画素電
極３０４ｂに接続され、第２の接続部５０２４は第２の
補助容量膜１８０１ｂを介して第２の補助画素電極３０
４ａに接続されており、第１の補助画素電極３０４ｂと
主画素電極３０４’との間が電気的に接続され、第２の
補助画素電極３０４ａと主画素電極３０４’との間が絶
縁層１９０１により絶縁されている。

【０１１８】実施の形態７では、第１ＴＦＴ３０３ａの
異常動作または第１補助容量（Ｃ_{st 1}）３０５ｂの短絡
により欠陥画素が発生すると、第１の補助容量膜１８０
１ａに接続された第１の補助画素電極３０４ｂと主画素
電極３０４’との間に設けられた第１接続部５０１３に
レーザを照射して、短絡した第１の補助容量膜１８０１
ａおよび第１ＴＦＴ３０３ａのドレイン端子に接続され
た第１の補助画素電極３０４ｂを、主画素電極３０４’
から切り離す。

【０１１９】そして、次に第２の補助容量膜１８０１ｂ
および第２ＴＦＴ３０３ｂのドレイン端子に接続された
第２の補助画素電極３０４ａと主画素電極３０４’との
間を絶縁する第２接続部５０２４にレーザを照射して、
第２の補助容量膜１８０１ｂに接続された第２の補助画
素電極３０４ａと主画素電極３０４’との間を接続す
る。

【０１２０】これにより、第１補助容量（Ｃ_st1）３０
５ｂを切断し、第２補助容量（Ｃ_st2）３０５ｃを補助
容量として接続することができるとともに、第１ＴＦＴ
３０３ａを主画素電極３０４’から切断し、新しい第２
ＴＦＴ３０３ｂを主画素電極３０４’に接続する処理を
容易に行うことができる。これにより、第１補助容量
（Ｃ_st1）３０５ｂが短絡した場合にも、第１ＴＦＴ３
０３ａが故障した場合にも、同じ処理により、欠陥画素
を通常に動作する良好な画素へと完全に修復することが
できるので、欠陥画素の修復処理を大きく簡略化するこ
とができる。

【０１２１】また、実施の形態６と同様に、主画素電極
３０４’と第１の補助画素電極３０４ｂとの間で切断を
行い、主画素電極３０４’と第２の補助画素電極３０４
ａとの間で接続を行うことができるので、オーバラップ
層が不要となる。また、これにより各画素領域の開口を
拡大させることができ、また、製造工程を短縮化させる
ことが可能となる。

【０１２２】図１２を参照すると、第７の発明に係る液
晶表示装置は、第１の補助画素電極３０４ｂと主画素電
極３０４’との間が電気的に接続されているので、ゲー
ト線３０２ｂと第１の補助容量膜３０４ｂとの間に第１
補助容量（Ｃ_st1）３０５ｂが形成される。一方、第２
の補助画素電極３０４ａと主画素電極３０４’との間が
絶縁層により絶縁されているので、第２補助容量（Ｃ
_st2）３０５ｃと主画素電極３０４’との間は第２補助
容量絶縁部５０４で絶縁されている。また、第１のスイ
ッチング素子である第１ＴＦＴ３０３ａを介したソース
線３０１ａと主画素電極３０４’との間は、第１の補助
画素電極３０４ｂ及び主画素電極３０４’間の接続によ
り電気的に接続されており、第２のスイッチング素子で
ある第２ＴＦＴ３０３ｂを介したソース線３０１ａと主
画素電極３０４’との間は、第２の補助画素電極３０４
ａ及び主画素電極３０４’間の絶縁により絶縁されてい
る。

【０１２３】第１補助容量（Ｃ_st1）３０５ｂの短絡又
は第１ＴＦＴ３０３ａの故障により欠陥画素が発生する
と、第１の補助画素電極３０４ｂと主画素電極３０４’
との間にレーザを照射して、第１の補助画素電極３０４
ｂと主画素電極３０４’との間の接続を切断し、第２補
助容量絶縁部５０４にレーザを照射して、第２の補助画
素電極３０４ａと主画素電極３０４’との間を接続す
る。これにより、第１補助容量（Ｃ_st1）３０５ｂ及び
第１ＴＦＴ３０３ａを、新しい第２補助容量（Ｃ_{s t2}）
３０５ｃ及び第２ＴＦＴ３０３ｂに交換することがで
き、第１補助容量（Ｃ _st1）３０５ｂの短絡又は第１Ｔ
ＦＴ３０３ａの故障により発生した欠陥画素を正常な画
素へと完全に修復することができる。 （実施の形態８）実施の形態８では、欠陥画素の画素電
極と、隣接する正常な画素の画素電極とを接続すること
で、欠陥画素の修復を行う。すなわち実施の形態８は、
欠陥画素の表示を黒とするのではなく、周囲の良好な画
素とと同じ表示にすることによって点欠陥を見えにくく
することを目的とする。

【０１２４】図２０は、本発明の実施の形態に係る液晶
表示装置における画素構成を概略的に示した平面図であ
る。図示されているように、実施の形態８に係る液晶表
示装置におけるオーバラップ膜２００３は、ゲート線３
０２ｂを越えて画素電極３０４および隣接する画素電極
３０４’のそれぞれをを覆い、オーバラップ膜接続部２
００２を介して画素電極３０４と接続され、溶融接続部
２００３により隣接する画素電極３０４’と絶縁される
ように配置されている。

【０１２５】実施の形態８では、ＴＦＴ３０３の異常動
作等により欠陥画素が発生すると、オーバラップ膜２０
０３上の溶融接続部２００３にレーザを照射して、隣接
する画素電極３０４’と補助容量線３０８との間の絶縁
層およびオーバラップ膜２００３を溶融させ、オーバラ
ップ膜２００３と隣接する画素電極３０４’とを接続さ
せる。これにより、画素電極３０４は隣接する画素電極
３０４’とともに、隣接するＴＦＴ３０３’によって制
御される。これにより、欠陥画素に周囲の良好な画素と
同じ表示をさせることができ、欠陥画素を目立たなくす
ることができる。

【０１２６】また、欠陥画素と周囲の良好な画素との間
で画素電極間を接続するとき、液晶表示装置がカラーフ
ィルタを有するカラー表示のディスプレイの場合には、
同一色の画素の画素電極間を接続する必要がある。その
ため、実施の形態８では、そのカラーフィルタが、画面
の縦方向に同一色の画素が並んだ方式であるストライプ
配列の液晶表示装置を用いた。カラーフィルタの配列に
は他の方式としてデルタ配列が存在するが、デルタ配列
においては、同一色が隣接しないので実施の形態８には
不向きである。

【０１２７】また、実施の形態８では、特にアナログ的
な映像が多いＡＶ向け用途に有効であり、液晶ＴＶ等に
最適である。なお、ここで言う「アナログ的な映像」と
は、自然画や映画等の多階調、動きの激しい動画などの
一般的な画像をいい、会社のオフィス等で使用されるワ
ープロソフトやインターネット端末などのあまり階調表
示が必要でないような表示画像（いわゆるＯＡ環境で使
用するような画像）は含まないという意味である。

【０１２８】また、解像度が高くＸＧＡクラスの解像度
以上ではより効果が高い。ここでＸＧＡクラスとは縦方
向表示線数が７００本以上のものをいう。したがって、
実施の形態７において、液晶表示装置は、表示画面の縦
方向に対する表示画素数を７００以上有することが望ま
しい。このような液晶表示装置では、特に隣接する画素
に接続させた欠陥画素が目立ちにくい。

【０１２９】なお、別の実施の形態では、溶融接続部２
００３とオーバラップ膜接続部２００２との配置を入れ
替える、または、両者をレーザの照射により溶融する溶
融接続部とする。これにより、多種多様な製造プロセス
に適合させることができる。

【０１３０】

【発明の効果】本発明により、発生した欠陥画素を目立
たなくすることができる液晶表示装置およびその修復方
法が提供される。

【図面の簡単な説明】

【図１】 ＯＣＢ型液晶表示装置の構成を概略的に示し
た断面図である。ここで、図１（ａ）はスプレイ配向状
態、図１（ｂ）はベンド配向状態をそれぞれ示してい
る。

【図２】 電圧（任意単位）−輝度（任意単位）特性曲
線を（ａ）ノーマリーホワイト型のＴＮ型液晶表示装
置、（ｂ）ノーマリーホワイト型のＯＣＢ型液晶表示装
置および（ｃ）ノーマリーブラック型のＯＣＢ型液晶表
示装置について示したグラフである。

【図３】 図３（ａ）は、実施の形態１に係る液晶表示
装置（第１の発明）における画素構成を概略的に示した
平面図である。図３（ｂ）は、ノーマリーホワイト型の
ＯＣＢ型液晶表示装置における電圧（任意単位）−輝度
（任意単位）特性曲線である。

【図４】 図３（ａ）のＸ１−Ｘ１’断面における断面
図である。

【図５】 図５（ａ）は、第１の発明における液晶表示
装置の画素構成を概略的に示した回路図である。図５
（ｂ）はノーマリーホワイト型のＯＣＢ型液晶表示装置
における電圧（任意単位）−輝度（任意単位）特性曲線
である。

【図６】 図６（ａ）は、実施の形態２に係る液晶表示
装置（第２の発明）における画素構成を概略的に示した
平面図である。図６（ｂ）は、ノーマリーホワイト型の
ＯＣＢ型液晶表示装置における電圧（任意単位）−輝度
（任意単位）特性曲線である。

【図７】 図６（ａ）のＸ２−Ｘ２’断面における断面
図である。

【図８】 図８（ａ）は、第２の発明に係る液晶表示装
置の画素構成を概略的に示した回路図である。図８
（ｂ）はノーマリーホワイト型のＯＣＢ型液晶表示装置
における電圧（任意単位）−輝度（任意単位）特性曲線
である。

【図９】 実施の形態４に係る液晶表示装置（第４の発
明）における画素構成を概略的に示した平面図である。

【図１０】 図９のＸ３−Ｘ３’断面における断面図で
ある。

【図１１】 図９のＸ４−Ｘ４’断面における断面図で
ある。

【図１２】 第４の発明及び第５の発明を説明するため
に、液晶表示装置の画素構成を概略的に示した回路図で
ある。

【図１３】 実施の形態５に係る液晶表示装置（第５の
発明）における画素構成を概略的に示した平面図であ
る。

【図１４】 図１３のＸ５−Ｘ５’断面における断面図
である。

【図１５】 図１３のＸ６−Ｘ６’断面における断面図
である。

【図１６】 実施の形態６に係る液晶表示装置（第６の
発明）における画素構成を概略的に示した平面図であ
る。

【図１７】 図１６のＸ７−Ｘ７’断面における断面図
である。

【図１８】 実施の形態７に係る液晶表示装置（第７の
発明）における画素構成を概略的に示した平面図であ
る。

【図１９】 図１８のＸ８−Ｘ８’断面における断面図
である。

【図２０】 本発明の実施の形態に係る液晶表示装置に
おける画素構成を概略的に示した平面図である。

【図２１】 従来技術である特開平４−３２４８１９号
公報の図１に記載された液晶表示装置の画素電極を示す
平面図である。

【図２２】 従来技術である特開平８−３２８０３５号
公報の図１に記載された液晶表示装置の画素電極を示す
平面図である。

【符号の説明】

３０１ａ、３０１ｂ ソース線 ３０２ａ、３０２ｂ ゲート線 ３０３ ＴＦＴ ３０３ａ 第１ＴＦＴ ３０３ｂ 第２ＴＦＴ ３０４ 画素電極 ３０４’ 主画素電極 ３０４ａ 第２の補助画素電極 ３０４ｂ 第１の補助画素電極 ３０５、３０５ａ 補助容量（Ｃ_st） ３０５ｂ 第１補助容量（Ｃ_st1） ３０５ｃ 第２補助容量（Ｃ_st2） ３０６ 対向電極 ３０７ 主容量（Ｃ_LC） ３０８ 補助容量線 ５０１ 第１ＴＦＴ切断部 ５０２ 第２の接続部 ５０３ 第１補助容量切断部 ５０４ 第２補助容量絶縁部 ５０１３ 第１接続部 ５０１３’ 切断線 ５０２４ 第２接続部 ６０１ オーバラップ膜 ６０２ 第１ＴＦＴ接続部 ６０３ 画素電極接続部 ６０４ 信号制御配線 ７０１ 絶縁層 ８０１ オーバラップ膜 ９０１ 絶縁層 １００１ 信号制御配線 １００２ 信号制御配線接続部 １００３ 第１の接続部 １００４ 第１オーバラップ層 １００５ 画素電極接続部 １１０１ 絶縁層 １３０１ａ 第１の補助容量膜 １３０１ｂ 第２の補助容量膜 １３０２ 第１補助容量接続部 １３０３ 第２オーバラップ層 １３０４ 画素電極接続部 １４０１ 絶縁層 １６０１ａ 第１の補助容量膜 １６０１ｂ 第２の補助容量膜 １６０２ 第１補助容量接続部 １７０１ 絶縁層 １８０１ａ 第１の補助容量膜 １８０１ｂ 第２の補助容量膜 １８０２ 画素電極接続部 １８０３ 画素電極接続部 １８０４ 第１ＴＦＴ接続部 １８０５ 第２ＴＦＴ接続部 １８０６ 信号制御配線 １９０１ 絶縁層 Ａ 溶融接続部 Ｂ 溶融接続部 Ｃ オーバラップ膜接続部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０９Ｆ 9/35 Ｇ０９Ｆ 9/35 Ｈ０１Ｌ 29/786 Ｈ０１Ｌ 29/78 ６１２Ａ (72)発明者 小林 淳一 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 田中 好紀 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 津田 圭介 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 河島 秀弥 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 2H088 EA47 FA13 FA14 GA12 HA01 HA02 HA04 HA08 HA12 HA15 JA04 JA05 JA09 KA07 KA26 KA27 MA01 MA03 MA04 MA20 2H092 GA11 GA28 JA24 JB01 JB07 JB11 JB21 JB22 JB31 JB56 JB71 NA01 NA25 NA26 NA29 PA01 PA02 PA08 5C094 AA42 BA03 BA43 CA19 DA13 GB10 HA08 5F110 AA27 BB01 BB02 NN73 QQ30 5G435 AA17 BB12 CC09 HH12 KK05 LL06 LL07 LL08

Claims (22)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 画素基板と、前記画素基板に対向する対
   向基板と、前記画素基板と前記対向基板との間に挟持さ
   れた液晶層とを備え、 前記画素基板は、互いに交差している複数本のソース線
   および複数本のゲート線と、マトリックス状に配置され
   た画素電極と、前記ゲート線から入力された信号電圧に
   基づいて前記ソース線から前記画素電極に印加される電
   圧をスイッチングするスイッチング素子と、隣接する２
   本の前記ゲート線の間に形成されて所定電圧を印加可能
   な補助容量線と、光吸収性材料からなるオーバラップ膜
   とを備えており、 前記対向基板は前記画素電極と対向する対向電極を備え
   ており、 前記オーバラップ膜の少なくとも一部は、前記画素電極
   および前記補助容量線と重なり合うように配置され、前
   記画素電極と前記補助容量線との間が絶縁層により絶縁
   されており、 前記液晶層の輝度は、黒を表示する際に前記画素電極と
   前記対向電極との間に印加される黒表示電圧を印加した
   際に最小値となり、前記画素電極と前記対向電極との間
   に前記黒表示電圧よりも高い電圧を印加しても低い電圧
   を印加しても前記液晶層の輝度は上昇し、 前記補助容量線には、前記黒表示電圧とほぼ同じ電圧が
   印加されている、液晶表示装置。
2. 【請求項２】 前記液晶層は、前記画素電極と前記対向
   電極との間に印加される電圧が無印加の状態ではスプレ
   イ配向となり、前記画素電極と前記対向電極との間に転
   移電圧を印加することによりベンド配向となるＯＣＢモ
   ードの液晶分子からなる、請求項１に記載の液晶表示装
   置。
3. 【請求項３】 前記液晶層の駆動を制御する駆動手段を
   更に備え、前記駆動手段は、前記画素電極に印加する電
   圧の周波数とは異なる周波数の電圧を、前記補助容量線
   に印加する、請求項１に記載の液晶表示装置。
4. 【請求項４】 前記補助容量線に印加する電圧の周波数
   は、前記画素電極に印加する電圧の周波数の５倍以上と
   する、請求項２に記載の液晶表示装置。
5. 【請求項５】 前記補助容量線に印加する電圧は６．５
   〜７．５Ｖである、請求項１に記載の液晶表示装置。
6. 【請求項６】 前記画素電極との間に追加補助容量を形
   成する追加補助容量線が、前記隣接する２本のゲート線
   の間に形成されている、請求項１に記載の液晶表示装
   置。
7. 【請求項７】 画素基板と、前記画素基板に対向する対
   向基板と、前記画素基板と前記対向基板との間に挟持さ
   れた液晶層とを備え、 前記画素基板は、互いに交差している複数本のソース線
   および複数本のゲート線と、マトリックス状に配置され
   た画素電極と、前記ゲート線から入力された信号電圧に
   基づいて前記ソース線から前記画素電極に印加される電
   圧をスイッチングするスイッチング素子と、隣接する２
   本の前記ゲート線の間に形成されて所定電圧を印加可能
   な補助容量線と、光吸収性材料からなるオーバラップ膜
   とを備えており、 前記対向基板は前記画素電極と対向する対向電極を備え
   ており、 前記オーバラップ膜の少なくとも一部は、前記画素電極
   および前記補助容量線と重なり合うように配置され、前
   記画素電極と前記補助容量線との間が絶縁層により絶縁
   されており、 前記液晶層の輝度は、黒を表示する際に前記画素電極と
   前記対向電極との間に印加される黒表示電圧を印加した
   際に最小値となり、前記画素電極と前記対向電極との間
   に前記黒表示電圧よりも高い電圧を印加しても低い電圧
   を印加しても前記液晶層の輝度は上昇し、 前記補助容量線には、前記黒表示電圧とほぼ同じ電圧が
   印加されている液晶表示装置において画素電極が欠陥画
   素となった際に前記液晶表示装置を修復する方法であっ
   て、 欠陥画素となった前記画素電極に重なり合うオーバラッ
   プ膜にレーザを照射して前記画素電極と前記補助容量線
   との間の前記絶縁層を溶融させることにより前記画素電
   極と前記補助容量線との間を接続させる、液晶表示装置
   を修復する方法。
8. 【請求項８】 画素基板と、前記画素基板に対向する対
   向基板と、前記画素基板と前記対向基板との間に挟持さ
   れた液晶層とを備え、 前記画素基板は、互いに交差している複数本のソース線
   および複数本のゲート線と、マトリックス状に配置され
   た画素電極と、前記ゲート線から入力された信号電圧に
   基づいて前記ソース線から前記画素電極に印加される電
   圧をスイッチングするスイッチング素子と、隣接する２
   本の前記ゲート線の間に形成されて所定電圧を印加可能
   な補助容量線と、光吸収性材料からなるオーバラップ膜
   とを備えており、 前記対向基板は前記画素電極と対向する対向電極を備え
   ており、 前記オーバラップ膜の少なくとも一部は、前記画素電極
   および前記ゲート線と重なり合うように配置され、前記
   画素電極と前記ゲート線との間が絶縁層により絶縁され
   ており、 前記液晶層の輝度は、黒を表示する際に前記画素電極と
   前記対向電極との間に印加される黒表示電圧を印加した
   際に最小値となり、前記画素電極と前記対向電極との間
   に前記黒表示電圧よりも高い電圧を印加しても低い電圧
   を印加しても前記液晶層の輝度は上昇し、 前記スイッチング素子をオフにさせる前記信号電圧が前
   記黒表示電圧とほぼ同じ電圧である、液晶表示装置。
9. 【請求項９】 前記液晶層は、前記画素電極と前記対向
   電極との間に印加される電圧が無印加の状態ではスプレ
   イ配向となり、前記画素電極と前記対向電極との間に転
   移電圧を印加することによりベンド配向となるＯＣＢモ
   ードの液晶分子からなる、請求項８に記載の液晶表示装
   置。
10. 【請求項１０】 前記液晶層の駆動を制御する駆動手段
    を更に備えると共に、前記画素基板又は前記対向基板の
    少なくとも一方に位相差板が設けられている、請求項８
    に記載の液晶表示装置。
11. 【請求項１１】 前記駆動手段から前記ゲート線に印加
    される平均電圧が１５Ｖの場合において、前記液晶層の
    リタデーション値と、前記位相差板のリタデーション値
    とのリタデーション総和が３０ｎｍ以下である、請求項
    １０に記載の液晶表示装置。
12. 【請求項１２】 前記駆動手段から前記ゲート線に印加
    される平均電圧が１２．５Ｖ〜１３．５Ｖの範囲におい
    て、前記液晶層のリタデーション値と、前記位相差板の
    リタデーション値とのリタデーション総和が３０ｎｍ以
    下である、請求項１０に記載の液晶表示装置。
13. 【請求項１３】 画素基板と、前記画素基板に対向する
    対向基板と、前記画素基板と前記対向基板との間に挟持
    された液晶層とを備え、 前記画素基板は、互いに交差している複数本のソース線
    および複数本のゲート線と、マトリックス状に配置され
    た画素電極と、前記ゲート線から入力された信号電圧に
    基づいて前記ソース線から前記画素電極に印加される電
    圧をスイッチングするスイッチング素子と、隣接する２
    本の前記ゲート線の間に形成されて所定電圧を印加可能
    な補助容量線と、光吸収性材料からなるオーバラップ膜
    とを備えており、 前記対向基板は前記画素電極と対向する対向電極を備え
    ており、 前記オーバラップ膜の少なくとも一部は、前記画素電極
    および前記ゲート線と重なり合うように配置され、前記
    画素電極と前記ゲート線との間が絶縁層により絶縁され
    ており、 前記液晶層の輝度は、黒を表示する際に前記画素電極と
    前記対向電極との間に印加される黒表示電圧を印加した
    際に最小値となり、前記画素電極と前記対向電極との間
    に前記黒表示電圧よりも高い電圧を印加しても低い電圧
    を印加しても前記液晶層の輝度は上昇し、 前記スイッチング素子をオフにさせる前記信号電圧が前
    記黒表示電圧とほぼ同じ電圧である液晶表示装置におい
    て画素電極が欠陥画素となった際に前記液晶表示装置を
    修復する方法であって、 欠陥画素となった画素電極に重なり合うオーバラップ膜
    にレーザを照射して前記画素電極と前記ゲート線との間
    の前記絶縁層を溶融させることにより前記画素電極と前
    記ゲート線との間を接続させる、液晶表示装置を修復す
    る方法。
14. 【請求項１４】 画素基板と、前記画素基板に対向する
    対向基板と、前記画素基板と前記対向基板との間に挟持
    された液晶層とを備え、 前記画素基板は、互いに交差している複数本のソース線
    および複数本のゲート線と、マトリックス状に配置され
    た画素電極と、前記ゲート線から入力された信号電圧に
    基づいて前記ソース線から前記画素電極に印加される電
    圧をスイッチングするスイッチング素子とを備えてお
    り、 前記対向基板は前記画素電極と対向する対向電極を備え
    ており、 前記液晶層の輝度は、黒を表示する際に前記画素電極と
    前記対向電極との間に印加される黒表示電圧を印加した
    際に最小値となり、前記画素電極と前記対向電極との間
    に前記黒表示電圧よりも高い電圧を印加しても低い電圧
    を印加しても前記液晶層の輝度は上昇し、 前記対向電極には、前記黒表示電圧とほぼ同じ電圧が印
    加されている、液晶表示装置。
15. 【請求項１５】 画素基板と、前記画素基板に対向する
    対向基板と、前記画素基板と前記対向基板との間に挟持
    された液晶層とを備え、 前記画素基板は、互いに交差している複数本のソース線
    および複数本のゲート線と、マトリックス状に配置され
    た画素電極と、前記ゲート線から入力された信号電圧に
    基づいて前記ソース線から第１の接続部及び第２の接続
    部に印加される電圧をそれぞれスイッチングする第１の
    スイッチング素子および第２のスイッチング素子と、光
    吸収性材料からなるオーバラップ膜とを備え、 前記対向基板は、前記画素電極と対向する対向電極を備
    えており、 前記オーバラップ膜の少なくとも一部は、前記第１の接
    続部、前記第２の接続部、及び前記画素電極と重なり合
    うように配置され、前記第１の接続部と前記画素電極と
    の間が電気的に接続されており、前記第２の接続部と前
    記画素電極との間が絶縁層により絶縁されている、液晶
    表示装置。
16. 【請求項１６】 画素基板と、前記画素基板に対向する
    対向基板と、前記画素基板と前記対向基板との間に挟持
    された液晶層とを備え、 前記画素基板は、互いに交差している複数本のソース線
    および複数本のゲート線と、マトリックス状に配置され
    た画素電極と、前記ゲート線から入力された信号電圧に
    基づいて前記ソース線からそれぞれ配線を介して第１の
    接続部及び第２の接続部に印加される電圧をそれぞれス
    イッチングする第１のスイッチング素子および第２のス
    イッチング素子と、光吸収性材料からなるオーバラップ
    膜とを備え、 前記対向基板は、前記画素電極と対向する対向電極を備
    えており、 前記オーバラップ膜の少なくとも一部は、前記第１の接
    続部、前記第２の接続部、及び前記画素電極と重なり合
    うように配置され、前記第１の接続部と前記画素電極と
    の間が電気的に接続されており、前記第２の接続部と前
    記画素電極との間が絶縁層により絶縁されている液晶表
    示装置において画素電極が欠陥画素となった際に前記液
    晶表示装置を修復する方法であって、 前記ソース線と前記第１の接続部とを接続する前記配線
    にレーザを照射することにより、前記第１のスイッチン
    グ素子を介した前記ソース線と前記画素電極との間の接
    続を切断し、 前記第２の接続部と重なり合う部分にレーザを照射して
    前記第２の接続部と前記画素電極との間を電気的に接続
    することにより、前記第２のスイッチング素子を介して
    前記ソース線と前記画素電極との間を電気的に接続す
    る、液晶表示装置を修復する方法。
17. 【請求項１７】 画素基板と、前記画素基板に対向する
    対向基板と、前記画素基板と前記対向基板との間に挟持
    された液晶層とを備え、 前記画素基板は、互いに交差している複数本のソース線
    および複数本のゲート線と、マトリックス状に配置され
    た画素電極と、前記ゲート線から入力された信号電圧に
    基づいて前記ソース線から前記画素電極に印加される電
    圧をスイッチングするスイッチング素子と、前記ゲート
    線と絶縁層を介して重なり合うように配置された第１の
    補助容量膜及び第２の補助容量膜と、光吸収性材料から
    なるオーバラップ膜とを備え、 前記対向基板は、前記画素電極と対向する対向電極を備
    えており、 前記オーバラップ膜の少なくとも一部は、前記第１の補
    助容量膜、前記第２の補助容量膜、及び前記画素電極と
    重なり合うように配置され、前記第１の補助容量膜と前
    記画素電極との間を電気的に接続しており、前記第２の
    補助容量膜と前記画素電極との間が絶縁層により絶縁さ
    れている、液晶表示装置。
18. 【請求項１８】 画素基板と、前記画素基板に対向する
    対向基板と、前記画素基板と前記対向基板との間に挟持
    された液晶層とを備え、 前記画素基板は、互いに交差している複数本のソース線
    および複数本のゲート線と、マトリックス状に配置され
    た画素電極と、前記ゲート線から入力された信号電圧に
    基づいて前記ソース線から前記画素電極に印加される電
    圧をスイッチングするスイッチング素子と、前記ゲート
    線と絶縁層を介して重なり合うように配置された第１の
    補助容量膜及び第２の補助容量膜と、光吸収性材料から
    なるオーバラップ膜とを備え、 前記対向基板は、前記画素電極と対向する対向電極を備
    えており、 前記オーバラップ膜の少なくとも一部は、前記第１の補
    助容量膜、前記第２の補助容量膜、及び前記画素電極と
    重なり合うように配置され、前記第１の補助容量膜と前
    記画素電極との間を電気的に接続しており、前記第２の
    補助容量膜と前記画素電極との間が絶縁層により絶縁さ
    れている液晶表示装置において画素電極が欠陥画素とな
    った際に前記液晶表示装置を修復する方法であって、 前記第１の補助容量膜と前記画素電極とを接続している
    オーバラップ膜にレーザを照射することにより前記第１
    の補助容量膜と前記画素電極との間の接続を切断し、 前記第２の補助容量膜に重なり合う部分のオーバラップ
    膜にレーザを照射することにより前記第２の補助容量膜
    と前記画素電極との間を電気的に接続する、液晶表示装
    置の修復方法。
19. 【請求項１９】 画素基板と、前記画素基板に対向する
    対向基板と、前記画素基板と前記対向基板との間に挟持
    された液晶層とを備え、 前記画素基板は、互いに交差している複数本のソース線
    および複数本のゲート線と、マトリックス状に配置され
    た主画素電極と、前記主画素電極と同一層に近接して形
    成された第１の補助画素電極及び第２の補助画素電極
    と、前記ゲート線から入力された信号電圧に基づいて前
    記ソース線から前記主画素電極に印加される電圧をスイ
    ッチングするスイッチング素子と、前記ゲート線と絶縁
    層を介して重なり合うように配置された第１の補助容量
    膜及び第２の補助容量膜とを備え、 前記対向基板は、前記画素電極と対向する対向電極を備
    えており、 前記第１の補助画素電極と前記主画素電極との間が電気
    的に接続されており、前記第２の補助画素電極と前記主
    画素電極との間が絶縁層により絶縁されている、液晶表
    示装置。
20. 【請求項２０】 画素基板と、前記画素基板に対向する
    対向基板と、前記画素基板と前記対向基板との間に挟持
    された液晶層とを備え、 前記画素基板は、互いに交差している複数本のソース線
    および複数本のゲート線と、マトリックス状に配置され
    た主画素電極と、前記主画素電極と同一層に近接して形
    成された第１の補助画素電極及び第２の補助画素電極
    と、前記ゲート線から入力された信号電圧に基づいて前
    記ソース線から前記主画素電極に印加される電圧をスイ
    ッチングするスイッチング素子と、前記ゲート線と絶縁
    層を介して重なり合うように配置された第１の補助容量
    膜及び第２の補助容量膜とを備え、 前記対向基板は、前記画素電極と対向する対向電極を備
    えており、 前記第１の補助画素電極と前記主画素電極との間が電気
    的に接続されており、前記第２の補助画素電極と前記主
    画素電極との間が絶縁層により絶縁されている液晶表示
    装置において画素電極が欠陥画素となった際に前記液晶
    表示装置を修復する方法であって、 前記第１の補助画素電極と前記主画素電極との間にレー
    ザを照射することにより前記第１の補助画素電極と前記
    主画素電極との間の接続を切断し、 前記第２の補助画素電極または前記主画素電極にレーザ
    を照射することにより前記第２の補助画素電極と前記主
    画素電極との間を接続する、液晶表示装置の修復方法。
21. 【請求項２１】 画素基板と、前記画素基板に対向する
    対向基板と、前記画素基板と前記対向基板との間に挟持
    された液晶層とを備え、 前記画素基板は、互いに交差している複数本のソース線
    および複数本のゲート線と、マトリックス状に配置され
    た主画素電極と、前記主画素電極と同一層に近接して形
    成された第１の補助画素電極及び第２の補助画素電極
    と、前記ゲート線から入力された信号電圧に基づいて前
    記ソース線から第１の補助画素電極及び第２の補助画素
    電極に印加される電圧をそれぞれスイッチングする第１
    のスイッチング素子および第２のスイッチング素子と、
    前記ゲート線と絶縁層を介して重なり合うように配置さ
    れていると共にそれぞれ前記第１の補助画素電極および
    第２の補助画素電極と接続している第１の補助容量膜及
    び第２の補助容量膜とを備え、 前記対向基板は、前記画素電極と対向する対向電極を備
    えており、 前記第１の補助画素電極は前記主画素電極と接続されて
    おり、前記第２の補助画素電極は前記主画素電極と絶縁
    されている、液晶表示装置。
22. 【請求項２２】 画素基板と、前記画素基板に対向する
    対向基板と、前記画素基板と前記対向基板との間に挟持
    された液晶層とを備え、 前記画素基板は、互いに交差している複数本のソース線
    および複数本のゲート線と、マトリックス状に配置され
    た主画素電極と、前記主画素電極と同一層に近接して形
    成された第１の補助画素電極及び第２の補助画素電極
    と、前記ゲート線から入力された信号電圧に基づいて前
    記ソース線から第１の補助画素電極及び第２の補助画素
    電極に印加される電圧をそれぞれスイッチングする第１
    のスイッチング素子および第２のスイッチング素子と、
    前記ゲート線と絶縁層を介して重なり合うように配置さ
    れていると共にそれぞれ前記第１の補助画素電極および
    第２の補助画素電極と接続している第１の補助容量膜及
    び第２の補助容量膜とを備え、 前記対向基板は、前記画素電極と対向する対向電極を備
    えており、 前記第１の補助画素電極は前記主画素電極と接続されて
    おり、前記第２の補助画素電極は前記主画素電極と絶縁
    されている液晶表示装置において画素電極が欠陥画素と
    なった際に前記液晶表示装置を修復する方法であって、 前記第１の補助画素電極または前記主画素電極にレーザ
    を照射して前記第１の補助画素電極と前記主画素電極と
    の間を絶縁することにより前記第１のスイッチング素子
    を介した前記ソース線と前記画素電極との間の接続を切
    断し、 前記第２の補助画素電極または前記主画素電極にレーザ
    を照射して前記第２の補助画素電極と前記主画素電極と
    の間を接続することにより前記第２のスイッチング素子
    を介して前記ソース線と前記画素電極との間を接続す
    る、液晶表示装置を修復する方法。