JPH09318961A - 液晶表示装置の製造方法及びそれに用いる検査修正装置並びに液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 冗長配線を組み込みＴＦＴ基板のバスライン
断線を修正することを必要とせず、前記バスラインに断
線が生じないような液晶表示装置の製造方法を提供す
る。 【解決手段】 バスライン形成前に、該バスラインの断
線の原因となる異物等を除去すると共に該除去部に順テ
ーパを形成し、前記バスラインを該順テーパに沿って形
成することによって該バスラインの断線を未然に防ぐ。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電極配線の断線に
より生ずる線欠陥や点欠陥を未然に防ぐことを可能とす
る液晶表示装置の製造方法及びそれに用いる検査修正装
置並びに液晶表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】液晶表示装置は、電極の形成された２枚
の基板によって液晶分子を挾持し、両基板上の電極間に
電気信号を印加することで、外部より入射する光の透過
率を変化させて情報を表示するものである。この液晶表
示装置は、ブラウン管方式と比較して、薄型、軽量、低
消費電力であることを特徴としており、次世代表示装置
として期待されている。

【０００３】図１２に薄膜トランジスタ（以下ＴＦＴと
いう）をスイッチング素子として有するアクティブマト
リックス型の液晶表示装置（以下ＴＦＴ駆動型液晶表示
装置という）のＴＦＴ基板の平面図の一部を示す。ま
た、図１３に図１２のＣ−Ｃ断面図を示す。

【０００４】図１２に示されるように、ＴＦＴ駆動型液
晶表示装置のＴＦＴ基板は、ガラスなどの透光性基板３
１上にゲートバスライン３２、下層絶縁膜３３がこの順
に形成され、その上にソースバスライン３４と画素電極
３５とが形成される。また、前記ゲートバスライン３２
とソースバスライン３４との交差部近傍にはＴＦＴ３６
が形成されており、該ＴＦＴ３６によって前記画素電極
３５と前記ゲートバスライン３２，ソースバスライン３
４とが接続されている。

【０００５】なお、前記透光性基板３１上には、ゲート
バスラン３２との密着性を上げることや、透光性基板３
１の表面のキズを埋めるため等の目的で絶縁膜が形成さ
れることもある。

【０００６】前記ＴＦＴ駆動型液晶表示装置は、前記ゲ
ートバスライン３２に走査信号が入力され、該信号によ
って前記ＴＦＴ３６のスイッチングが制御され、該ＴＦ
Ｔ３６がＯＮとなったときには、前記ソースバスライン
３４に入力されるデータ信号が前記ＴＦＴ３６のドレイ
ン電極を介して画素電極３５に入力され、画素を点灯ま
たは非点灯状態にすることによって表示を行っている。

【０００７】ところで、前記液晶表示装置は、その製造
工程において高度な薄膜形成技術や微細加工技術が必要
であるため欠陥の発生を完全に抑えることは困難であ
り、特にパネルサイズが対角８インチ以上の大型液晶表
示装置においては、従来から１００パーセントの良品率
を達成することは殆ど不可能であった。

【０００８】前記製造工程において発生する欠陥として
は、図１４（ａ）に示されるように透光性基板３１上に
異物が付着してしまうことや、図１５（ａ）に示される
ように前記下層絶縁膜３３の一部が剥離してしまうこと
等によって、図１４（ｂ）や図１５（ｂ）に示すように
生ずるソースバスライン３４の断線が挙げられる。

【０００９】このように、異物の付着や下層絶縁膜の剥
離による欠陥部分によってソースバスライン３４が断線
してしまった場合には、ＴＦＴ３６が正常にスイッチン
グ制御されていても断線箇所より先のソースバスライン
に接続された画素には正常なデータ信号が入力されず、
不良画素となってしまう。該不良画素の集合体は線状に
並ぶため、輝線あるいは黒線が発生し、線欠陥となって
しまう。

【００１０】上述したような異物の付着や膜の剥離等に
よる断線は、ソースバスライン３４に限らず、ゲートバ
スライン３２やＴＦＴ３６のドレイン電極に発生する可
能性もある。

【００１１】上述したような異物の付着や膜の剥離等に
よる断線がゲートバスライン３２に発生した場合には、
ソースバスライン３４から正常なデータ信号が送られて
いても、断線箇所よりも先のゲートバスラインに接続さ
れたＴＦＴには走査信号が入力されないため該ＴＦＴが
正常にスイッチング制御されず、不良画素となってしま
う。この場合も、該不良画素は線欠陥となってしまう。

【００１２】また、上述したような異物の付着や膜の剥
離等による断線がＴＦＴ３６のドレイン電極に発生した
場合、該ドレイン電極に接続されている画素電極３５に
はやはり正常なデータ信号が入力されないため不良画素
となり、点欠陥となってしまう。

【００１３】前記断線によって生じる欠陥を防ぐため
に、液晶表示装置内の表示領域外にバスラインの冗長配
線を１本または複数本組み込み、断線が生じた電極配線
をカットし、冗長配線につなぐことによって修正を行う
方法が知られている。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たような冗長配線を組み込む場合では、冗長配線数に限
度があるため、一つのＴＦＴ基板で修正できる断線の数
には限りがあり、断線の数が多くなると、これら全てを
修正することができないという問題点があった。

【００１５】また、冗長配線自体に断線が生じた場合
は、該冗長配線を用いて修正することができなくなると
共に、修正できる断線の数が減少してしまうという問題
点があった。

【００１６】さらには、前記冗長配線を液晶表示装置内
の表示領域外に形成することは、液晶表示装置全体の大
きさに対する有効表示領域を小さくさせてしまうという
問題点があった。

【００１７】本発明は、冗長配線を形成することなく、
前記断線が生じることのない液晶表示装置の製造方法及
びそれに用いる検査修正装置並びに液晶表示装置を提供
することを目的とするものである。

【００１８】

【課題を解決するための手段】本発明の請求項１記載の
液晶表示装置の製造方法は、基板上に複数の電極配線が
形成されてなる電極基板を有する液晶表示装置の製造方
法において、電極配線形成部分に欠陥部分がある場合に
は、該欠陥部分を除去するとともに該欠陥部分の除去さ
れた部分に順テーパを形成し、該順テーパに沿って前記
電極配線を形成することを特徴とするものである。

【００１９】本発明の請求項２記載の液晶表示装置の製
造方法は、請求項１記載の液晶表示装置の製造方法にお
いて、前記欠陥部分の除去及び順テーパの形成は、レー
ザー照射によって行うことを特徴とするものである。

【００２０】本発明の請求項３記載の液晶表示装置の製
造方法は、請求項１、２記載の液晶表示装置の製造方法
において、前記電極基板には絶縁膜が形成され、前記電
極配線は該絶縁膜上に形成されていることを特徴とする
ものである。

【００２１】本発明の請求項４記載の液晶表示装置の製
造方法は、基板上にストライプ状の第１のバスライン
と、絶縁膜と、前記第１のバスラインに直交するストラ
イプ状の第２のバスラインと、がこの順に形成されてな
るアクティブマトリックス基板を有する液晶表示装置の
製造方法において、前記第２のバスラインが形成される
前に、該第２のバスラインの形成箇所に欠陥部分がある
かどうか検査する第１の工程と、前記第１の工程におい
て欠陥部分が検出されたとき、該欠陥部分を除去すると
ともに順テーパを形成する第２の工程と、前記第２の工
程の後に前記第２のバスラインを前記順テーパに沿って
形成する第３の工程と、を有することを特徴とするもの
である。

【００２２】本発明の請求項５記載の液晶表示装置の製
造方法は、請求項４記載の液晶表示装置の請求項におい
て、前記第２のバスラインの形成前に、該バスラインの
形成箇所に該バスラインの予備配線を形成し、該予備配
線の形成後に前記第１乃至第３の工程を行うことを特徴
とするものである。

【００２３】本発明の請求項６記載の液晶表示装置の製
造方法は、マトリクス状の画素電極を有し、該画素電極
が薄膜トランジスタをスイッチング素子として有するア
クティブマトリクス基板を有する液晶表示装置の製造方
法において、前記薄膜トランジスタのドレイン電極が形
成される前に、該ドレイン電極の形成箇所に欠陥部分が
あるかどうか検査する第１の工程と、前記第１の工程に
おいて欠陥部分が検出されたとき、該欠陥部分を除去す
るとともに順テーパを形成する第２の工程と、前記第２
の工程の後に前記ドレイン電極を前記順テーパに沿って
形成する第３の工程と、を有することを特徴とするもの
である。

【００２４】本発明の請求項７記載の液晶表示装置の検
査修正装置は、前記欠陥部分の有無を検査し、該欠陥部
分を除去する液晶表示装置の検査修正装置であって、被
検査修正基板の支持固定手段と、該被検査修正基板上の
欠陥部分の有無を検出し、該欠陥部分の位置座標データ
を取得する画像認識手段と、前記画像認識手段によって
得られた欠陥部分の位置座標データを記憶する記憶手段
と、該被検査修正基板の裏面から前記欠陥部分にレーザ
ーを照射し該欠陥部分を除去すると共に、該除去部に順
テーパを形成するレーザー照射手段と、前記記憶手段に
記憶された欠陥部分の位置座標データを読み取り、前記
レーザー照射手段の照射スポットを該欠陥部分に合わせ
る制御部と、を備えていることを特徴とするものであ
る。

【００２５】本発明の請求項８記載の液晶表示装置は、
基板上に複数の電極配線が形成されてなる電極基板を有
する液晶表示装置において、前記電極配線の少なくとも
一部は、欠陥部分を除去した際に形成された順テーパに
沿って形成されていることを特徴とするものである。

【００２６】以下に、上記構成による作用について説明
する。

【００２７】本発明の液晶表示装置の製造方法において
は、電極配線を形成する前に欠陥部分を除去すると共
に、その該除去部分に順テーパを形成し、前記電極配線
を前記順テーパに沿って形成することにより、前記電極
配線の断線が発生するのを防ぐことができる。

【００２８】前記欠陥部分の除去及び順テーパの形成
は、レーザー照射によって容易に行うことができる。

【００２９】前記電極基板が、ストライプ状の第１のバ
スラインと、絶縁膜と、前記第１のバスラインに直交す
るストライプ状の第２のバスラインと、がこの順に形成
されてなるアクティブマトリクス基板である場合には、
前記電極配線として前記第２のバスラインとすることに
よって、該バスラインの断線による線欠陥の発生を防ぐ
ことができる。

【００３０】また、前記第２のバスラインの形成前に、
該バスラインの予備配線を形成することによって、絶縁
膜上に存在する異物や膜剥がれが前記第２のバスライン
の断線となり得るかどうかを容易に判断することができ
る。また、前記予備配線に断線が生じている場合には、
この上に形成される前記第２のバスラインも断線してし
まうので、該予備配線の抵抗検査を行うことによって容
易に欠陥部分を検出することができる。

【００３１】前記電極基板が、マトリクス状の画素電極
を有し、該画素電極が薄膜トランジスタをスイッチング
素子として有するアクティブマトリクス基板である場合
には、前記電極配線として前記薄膜トランジスタのドレ
イン電極とすることによって、該ドレイン電極の断線に
よる点欠陥の発生を防ぐことができる。

【００３２】本発明の液晶表示装置の検査修正装置にお
いては、上述した液晶表示装置の製造方法において必要
となる異物や膜剥がれの検出及びこれらの除去を容易に
行うことができる。

【００３３】本発明の液晶表示装置においては、冗長配
線を組み込むことなく電極配線の断線により生ずる線欠
陥あるいは点欠陥を防ぐことができる。

【００３４】

【発明の実施の形態】

（実施の形態１）本発明の第１の実施形態について、図
１乃至図４を用いて説明する。本実施形態においては、
基板上にまずゲートバスラインを形成し、その後ソース
バスラインを形成する場合、つまりＴＦＴの構造が、ゲ
ート電極が最も下層に位置する逆スタガ構造をとる場合
について説明する。なお、図１はソースバスライン形成
前のＴＦＴ基板の一部の平面図であり、図２は図１のＡ
−Ａ断面における液晶表示装置の製造方法を示す図であ
る。また、図１、図２において、１は透光性基板、２は
ゲートバスライン、３は絶縁膜、５はソースバスライン
を示している。

【００３５】本実施形態では、ＴＦＴ基板を以下のよう
に形成する。まず、ガラス等の透光性基板１上にゲート
バスライン２、絶縁膜３をこの順に形成する。次に、ソ
ースバスライン５を形成する前に、該ソースバスライン
５を形成する箇所に異物の付着による欠陥部分を検出す
る。次に、図１に示されるような異物の付着が前記ソー
スバスラインを形成する箇所に検出された場合、図２
（ａ）に示されるように膜の裏面側から、つまり透光性
基板側からレーザー４を照射し、図２（ｂ）に示される
ように、前記異物を除去するとともに、該除去部に順テ
ーパを形成することによって欠陥部分の修正を行う。そ
の後、図２（ｃ）に示されるようにソースバスライン５
を形成する。このとき、前記ソースバスライン５は、前
工程で形成された順テーパに沿って形成されるため、断
線を生じることなく形成することができる。

【００３６】なお、前記ソースバスライン５を形成する
箇所に絶縁膜の剥がれ部が検出された場合であっても、
図２（ａ）〜（ｃ）に示されるように、先述した方法と
同一の方法によって断線を生じることなくソースバスラ
イン５を形成することができる。

【００３７】以上のように形成されたＴＦＴ基板を有す
る本実施形態の液晶表示装置では、異物の付着や絶縁膜
の剥がれ部等の欠陥部分によるソースバスライン５の断
線を防止することができるため、線欠陥の発生を防ぐこ
とができる。

【００３８】なお、本実施形態において、異物や絶縁膜
の剥がれ部等の欠陥部分を除去する際に形成する順テー
パの角度αは、この上に形成するソースバスライン５及
び絶縁膜３の膜厚にもよるが、例えば両者がともに３０
００オングストロームである場合では、４５°を越える
とソースバスライン５が断線してしまうことがあるの
で、前記順テーパの角度αは４５°以下、望ましくは１
５°〜３０°とするのが良い。

【００３９】前記順テーパの付け方は、レーザー４の強
度の調整や、レーザー４の分布、すなわち出力密度の分
布を調整することによって行うことが可能である。特
に、ＹＡＧレーザーのようにレーザーの分布がガウシア
ン分布となるレーザを用いれば、テーパ角度を自由に調
整することが可能となる。

【００４０】このように、所望のテーパ角度を得ようと
すると照射するレーザーの強度や出力密度の分布を調整
する必要があるが、このように調整されたレーザーを用
いて前記欠陥部分を完全に除去することができるとは限
らない。したがって、図３に示されるように前記欠陥部
分を除去するためのレーザーと、順テーパを形成するた
めのレーザーとを分けて照射するようにしても良い。す
なわち、前記欠陥部分を除去するために、少なくともソ
ースバスライン形成箇所と前記欠陥部分との重なった領
域を含む比較的広い範囲で、かつ前記欠陥部分を除去す
るに足りる高い出力でＡの領域を照射した後に、絶縁膜
３に順テーパを形成するために、少なくともソースバス
ライン形成箇所と前記欠陥部分との境界部分を含む比較
的狭い範囲で、かつ調整された出力でＢの領域を照射す
るようにすれば良い。また、前記欠陥部分を除去するた
めのレーザーは、該欠陥部分の大きさに応じて照射サイ
ズや照射強度を変更したり、複数回に分けて照射しても
良い。

【００４１】次に、上記の欠陥検出および欠陥修正を行
う検査修正装置について図４を用いて説明する。

【００４２】図４は本実施形態の検査修正装置の概略図
である。同装置は、ソースバスライン形成前のＴＦＴ基
板６を支持固定する為の可動ステージ７と、該基板上の
欠陥部分の有無や欠陥部分の位置等を調べる為の画像認
識手段８と、ＸＹステージ９上に固定され、該基板上に
存在する欠陥部分にレーザーを照射し、前記欠陥部分の
除去と、該除去部に順テーパを形成する為のレーザー照
射手段１０と、が設けられている。

【００４３】さらに、前記画像認識手段８によって検出
された欠陥部分の位置を座標データとして記憶する記憶
手段１１と、該記憶手段１１によって記憶された座標デ
ータを読み取り、該データに基づいて前記ＸＹステージ
９を制御し、前記レーザー照射手段１０の照射スポット
を欠陥部分に合わせる為の制御部１２と、が設けられて
いる。

【００４４】また、前記レーザー照射手段１０にはＣＣ
Ｄカメラ１３が設けられており、別に設けられたモニタ
１４にその映像を映し出すようになっている。これは、
欠陥部分の大きさや、異物の材質によって照射回数や照
射出力を変更する必要があるときに、前記モニタ１４を
見ながら手動によって前記照射回数や照射出力を調整す
る為である。また、前記ＣＣＤカメラ１３によって写さ
れた映像は、上述したようにレーザー照射手段１０の照
射スポットを欠陥部分に前記制御部１２により自動で位
置合わせした後、前記モニタ１４を見ながら手動によっ
て照射スポットを微調整する為に用いても良い。

【００４５】上述した本発明の欠陥検査修正装置によっ
て、ソースバスライン形成前の基板６に対して欠陥の検
出及び欠陥部分の除去並びに順テーパの形成を行う方法
を以下に示す。

【００４６】ソースバスライン形成前のＴＦＴ基板６は
可動ステージ７上にセットされた後、第１の所定の位置
に位置決めされる。第１の所定の位置には、ＴＦＴ基板
６の上部に画像認識手段８が設けられている。前記画像
認識手段８によって前記ＴＦＴ基板６上の画像認識処理
が行われ、前記ＴＦＴ基板６上の異物の付着や絶縁膜の
剥がれ部による欠陥部分の有無が検出される。

【００４７】前記画像認識手段８によって異物の付着や
絶縁膜の剥がれ部による欠陥部分が検出されれば、該欠
陥部分の位置を座標データとして記憶手段１１へ転送
し、記憶させる。

【００４８】続いて、可動ステージ７によって、ＴＦＴ
基板６は第２の所定の位置に位置決めされる。第２の所
定の位置には、ＴＦＴ基板６の裏面側、すなわち可動ス
テージ７の下部に、ＸＹステージ９上に固定されたレー
ザ照射手段１０が設けられている。前記ＸＹステージ９
には制御部１２が接続されている。該制御部１２は前記
記憶手段１１に記憶された座標データを受け取り、この
データに基づいて前記ＸＹステージ９を移動させ、前記
レーザ照射手段１０の照射スポットをＴＦＴ基板６の欠
陥部分に合わせる。

【００４９】この後、レーザ照射手段１０のヘッド部に
設けられたＣＣＤカメラ１３によって写された映像をモ
ニタ１４によって確認し、異物の材質や大きさ、絶縁膜
の剥がれ部の大きさに基づいて、作業者がレーザ出力と
レーザ照射領域とを決定し、レーザ照射を行う。

【００５０】このとき、前記画像認識手段８によって、
欠陥位置の座標だけでなく、異物や絶縁膜の剥がれ部の
大きさ、異物の色を識別できるようにしておけば、これ
らの情報を欠陥位置の座標データと共に記憶手段１１に
記憶させ、レーザ照射の際に前記制御部１２によって前
記記憶手段１１から取り出し、該制御部１２によってレ
ーザ出力とレーザ照射領域とを自動的に決定させること
も可能である。

【００５１】なお、ＴＦＴの構造が、ゲート電極が最も
下層とならない場合、つまりスタガ構造の場合では、基
板上にソースバスライン５、絶縁膜３を形成した後にゲ
ートバスライン２を形成することとなるが、本実施形態
と同様にすればゲートバスライン２の断線を防止するこ
とが可能となる。

【００５２】（実施の形態２）本発明の第２の実施形態
について、図５乃至図７を用いて説明する。本実施形態
においてもＴＦＴが逆スタガ構造をとる場合について説
明する。なお、図５はソースバスライン形成前のＴＦＴ
基板の一部の平面図であり、図６は図５のＢ−Ｂ断面に
おける液晶表示装置の製造方法を示す図である。また、
図５、図６において、１は透光性基板、２はゲートバス
ライン、３は絶縁膜、５はソースバスライン、１５は前
記ソースバスラインの予備配線を示している。

【００５３】本実施形態では、ＴＦＴ基板を以下のよう
に形成する。まず、ガラス等の透光性基板１上にゲート
バスライン２、絶縁膜３をこの順に形成する。次に、ソ
ースバスライン５を形成する前に、図５に示されるよう
に該ソースバスライン５を形成する箇所に、該ソースバ
スライン５と同一幅またはそれ以下の幅で予備配線１５
を形成する。この予備配線１５はＴＦＴの半導体層と同
一の材料で形成すれば、ＴＦＴの半導体層を成膜・パタ
ーニングする際に同時にパターニングすることによっ
て、工程数を増加させることなく形成することができ
る。

【００５４】次に、画像認識手段によって該ソースバス
ライン５を形成する箇所に異物の付着による欠陥部分を
検出する。本実施形態のように、予備配線１５を形成し
た場合では、付着した異物がその後に形成するソースバ
スライン５と重なるかどうかを容易に判断することがで
きる。また、異物の付着による欠陥部分を検出する方法
としては画像認識手段以外にも、予備配線の両端で抵抗
検査を行うことによっても可能となる。この場合、画像
認識手段によって検出するよりも検出時間が短縮される
ことや、欠陥座標が正確に得られる等のメリットがあ
る。

【００５５】次に、図５に示されるような異物の付着が
前記ソースバスライン５を形成する箇所に検出された場
合、図６（ａ）に示されるように膜の裏面側から、つま
り透光性基板側からレーザー４を照射し、前記異物を除
去するとともに、図６（ｂ）に示されるように、該除去
部に順テーパを形成する。その後、図６（ｃ）に示され
るようにソースバスライン５を形成する。このとき、前
記ソースバスライン５は、前工程で形成された順テーパ
に沿って形成されるため、断線を生じることなく形成す
ることができる。

【００５６】なお、前記ソースバスライン５を形成する
箇所に絶縁膜の剥がれ部が検出された場合であっても、
図６（ａ）〜（ｃ）に示されるように、先述した方法と
同一の方法によって断線を生じることなくソースバスラ
イン５を形成することができる。

【００５７】以上のように形成されたＴＦＴ基板を有す
る本実施形態の液晶表示装置では、異物の付着や絶縁膜
の剥がれ部等の欠陥部分によるソースバスラインの断線
を防止することができ、線欠陥の発生を防ぐことができ
る。

【００５８】なお、本実施形態においても、異物や絶縁
膜の剥がれ部を除去する際に形成する順テーパの角度
は、この上に形成するソースバスライン及び予備配線、
絶縁膜の膜厚にもよるが、例えばソースバスライン及び
絶縁膜が３０００オングストローム、予備配線が５００
オングストロームである場合では、４５°を越えるとソ
ースバスラインが断線してしまうことがあるので、前記
順テーパの角度は４５°以下、望ましくは１５°〜３０
°とするのが良い。

【００５９】前記順テーパの付け方は、上述した第１の
実施形態と同じようにすれば良い。また、第１の実施形
態と同様に、照射するレーザーは、異物や絶縁膜の剥が
れ部を除去するためのものと、絶縁膜に順テーパを形成
するためのものとに分けてもよい。さらに、異物や絶縁
膜の剥がれ部を除去するためのレーザーは、異物の大き
さに応じて照射サイズや照射強度を変更したり、複数回
に分けて照射しても良い。

【００６０】次に、上記の欠陥検出および欠陥修正を行
う検査修正装置について図７を用いて説明する。

【００６１】図７は本実施形態の検査修正装置の概略図
である。同装置は、図４に示される第１の実施形態にお
ける検査修正装置とほぼ同じ構成であるので、説明を省
略する。なお、前記第１の実施形態とは、画像認識手段
８とともに予備配線１５の抵抗検査を行うための検査用
プローブ１６が設けられている点が異なる。

【００６２】上述した本実施形態の検査修正装置によっ
て、ソースバスライン形成前のＴＦＴ基板６に対して欠
陥の検出及び欠陥部分の除去並びに順テーパの形成を行
う方法を以下に示す。

【００６３】ソースバスライン形成前のＴＦＴ基板６は
可動ステージ７上にセットされた後、第１の実施形態と
同様に第１の所定の位置に位置決めされる。そして、検
査用プローブ１６を予備配線１５の両端に接触させ、該
予備配線１５の両端の抵抗値を測定し、断線が生じてい
るかどうか検出する。

【００６４】予備配線１５による抵抗値検査によって予
備配線１５の断線による欠陥が検出されれば、画像認識
手段８によって前記予備配線１５の形状を検査し、前記
欠陥部分の座標データを記憶手段１１へ転送し、記憶さ
せる。

【００６５】続いて、可動ステージ７によって、ＴＦＴ
基板６は第１の実施形態と同様に第２の所定の位置に位
置決めされ、以下第１の実施形態と同様にしてレーザ照
射手段１０の照射スポットをＴＦＴ基板６の欠陥部分に
合わせ、異物や絶縁膜の剥がれ部の形状に基づいてレー
ザ出力とレーザ照射領域とを決定し、レーザ照射を行
う。

【００６６】なお、ＴＦＴの構造が、ゲート電極が最も
下層とならない場合、つまりスタガ構造の場合では、基
板上にソースバスライン５、絶縁膜３を形成した後にゲ
ートバスライン２を形成することとなるが、本実施形態
と同様にすればゲートバスライン２の断線を防止するこ
とが可能となる。

【００６７】（実施の形態３）次に、本発明の第３の実
施の形態を図８を用いて説明する。

【００６８】本実施の形態における液晶表示装置は、透
光性基板１上に絶縁膜１７を形成し、該絶縁膜１７上に
ゲートバスライン２を形成するものである。

【００６９】まず、透光性基板１上に絶縁膜１７を形成
する。次に、ゲートバスライン２を形成する前に、該ゲ
ートバスライン２を形成する箇所に異物の付着による欠
陥部分を検出する。次に、異物の付着が前記ゲートバス
ライン２を形成する箇所に検出された場合、図８（ａ）
に示されるように膜の裏面側から、つまり透光性基板側
からレーザー４を照射し、図８（ｂ）に示されるよう
に、前記異物を除去するとともに、該除去部に順テーパ
を形成することによって欠陥部分の修正を行う。その
後、図８（ｃ）に示されるようにゲートバスライン２を
形成する。このとき、前記ゲートバスライン２は、前工
程で形成された順テーパに沿って形成されるため、断線
を生じることなく形成することができる。

【００７０】なお、前記ゲートバスライン２を形成する
箇所に絶縁膜２の剥がれ部が検出された場合であって
も、図８（ａ）〜（ｃ）に示されるように、先述した方
法と同一の方法によって断線を生じることなくゲートバ
スライン２を形成することができる。

【００７１】その後は、上述した第１または第２の実施
形態で説明した方法に従って液晶表示装置を製造すれ
ば、断線による欠陥のない液晶表示装置を得ることがで
きる。

【００７２】なお、前記欠陥部分の修正は、上述した第
１の実施形態で説明した検査修正装置を用いることによ
って行うことができる。

【００７３】（実施の形態４）次に、本発明の第４の実
施形態を図９を用いて説明する。

【００７４】図９に示すように、ＴＦＴと画素電極とを
接続するドレイン電極１８が形成される箇所に、上述し
たような異物の付着や絶縁膜の剥がれ部が存在した場合
であっても、上述したような第１、第２の実施形態と同
様、画像認識手段によって異物の付着や絶縁膜の剥がれ
部を検出した後、基板の裏面からレーザーを照射するこ
とによって前記異物や絶縁膜の剥がれ部を除去すると共
に、該除去部に順テーパを形成することができ、この上
にドレイン電極１８を形成することによってドレイン電
極１８の断線を防ぐことができる。

【００７５】なお、本実施形態における欠陥修正も、上
述した第１、第２の実施形態で説明した検査修正装置を
用いることによって修正することができる。

【００７６】（実施の形態５）本発明の液晶表示装置の
製造方法は、単純マトリックス駆動型液晶表示装置にも
適用することができる。単純マトリックス駆動型液晶表
示装置とは、図１０に示すようにストライプ状の電極配
線２１，２２が形成された２枚の電極基板１９，２０
を、夫々の電極配線が直交するように所定の間隙を保っ
て対向配置させ、該間隙に液晶分子を挾持しており、電
極配線２１と２２との交差部が画素となっているもので
ある。この単純マトリックス駆動型液晶表示装置の電極
配線２１，２２に断線が生じた場合においても、該断線
箇所より先の電極配線により形成される画素には信号が
入力されないため、線欠陥が発生してしまう。このた
め、単純マトリックス駆動型液晶表示装置においても、
前記断線の発生を防ぐことは重要である。以下に、本実
施形態を図１１を用いて説明する。

【００７７】まず、透光性基板１９（または２０）上に
絶縁膜２３を形成する。この絶縁膜２３は、透光性基板
１９（または２０）の表面のキズを埋めることや、透光
性基板１９（または２０）とストライプ状の電極配線２
１（または２２）との密着性を上げること等の目的で形
成される。

【００７８】次に、ストライプ状の電極配線２１（また
は２２）を形成する前に、該電極配線２１を形成する箇
所に異物の付着による欠陥部分を検出する。次に、異物
の付着が前記電極配線２１（または２２）を形成する箇
所に検出された場合、図１１（ａ）に示されるように膜
の裏面側から、つまり透光性基板側からレーザー４を照
射し、図１１（ｂ）に示されるように、前記異物を除去
するとともに、該除去部に順テーパを形成することによ
って欠陥部分の修正を行う。その後、図１１（ｃ）に示
されるように電極配線２１（または２２）を形成する。
このとき、前記電極配線２１（または２２）は、前工程
で形成された順テーパに沿って形成されるため、断線を
生じることなく形成することができる。

【００７９】なお、前記電極配線２１（または２２）を
形成する箇所に絶縁膜２３の剥がれ部が検出された場合
であっても、図１１（ａ）〜（ｃ）に示されるように、
先述した方法と同一の方法によって断線を生じることな
く電極配線２１（または２２）を形成することができ
る。

【００８０】その後は、上述した第１または第２の実施
形態で説明した方法に従って液晶表示装置を製造すれ
ば、断線による欠陥のない液晶表示装置を得ることがで
きる。

【００８１】なお、前記欠陥部分の修正は、上述した第
１の実施形態で説明した検査修正装置を用いることによ
って行うことができる。

【００８２】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の液晶表示
装置の製造方法によれば、液晶表示装置の電極基板上に
形成される電極配線を形成する前に、該電極配線の形成
箇所に欠陥部分がある場合には、該欠陥部分を除去する
とともに該除去部に順テーパを形成し、その後該順テー
パに沿って前記電極配線を形成するので、前記電極配線
が断線することを防ぐことができる。

【００８３】したがって、電極配線の断線により生ずる
線欠陥あるいは点欠陥の発生をなくすことができるとい
う効果を奏する。また、一つの電極基板に生じたすべて
の欠陥部分を修正することができるという効果を奏す
る。

【００８４】前記欠陥部分の除去及び順テーパの形成
は、レーザー照射によって容易に行うことができる。レ
ーザー照射を複数回行う場合、例えば欠陥部分の除去用
の照射とテーパ形成用の照射とに分けることによって、
どのような異物や膜剥がれに対してもこれらを確実に除
去すると共に所望のテーパ角を形成することができると
いう効果を奏する。

【００８５】前記電極基板が、ストライプ状の第１のバ
スラインと、絶縁膜と、前記第１のバスラインに直交す
るストライプ状の第２のバスラインと、がこの順に形成
されてなるアクティブマトリクス基板である場合には、
前記第２のバスラインを前記電極配線として形成するこ
とによって、該第２のバスラインの断線による線欠陥の
発生を防ぐことができるという効果を奏する。

【００８６】また、前記第２のバスラインの形成前に、
該バスラインの予備配線を形成することによって、絶縁
膜上に存在する異物や膜剥がれが前記第２のバスライン
の断線となり得るかどうかを容易に判断することができ
るという効果を奏する。また、前記予備配線に断線が生
じている場合には、この上に形成される前記第２のバス
ラインも断線するので、該予備配線の抵抗検査を行うこ
とによって容易に欠陥部分を検出することができるとい
う効果を奏する。

【００８７】前記電極基板が、マトリクス状の画素電極
を有し、該画素電極が薄膜トランジスタをスイッチング
素子として有するアクティブマトリクス基板である場合
には、前記薄膜トランジスタのドレイン電極を前記電極
配線として形成することによって、該ドレイン電極の断
線による点欠陥の発生を防ぐことができるという効果を
奏する。

【００８８】本発明の液晶表示装置の検査修正装置にお
いては、上述した液晶表示装置の製造方法において必要
となる欠陥部分の検出及びこれらの除去を容易に行うこ
とができるという効果を奏する。

【００８９】本発明の液晶表示装置においては、冗長配
線を組み込むことなく電極配線の断線により生ずる線欠
陥あるいは点欠陥を防ぐことができるので、液晶表示装
置全体の大きさに対する有効表示領域を大きくすること
ができるという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態におけるソースバスラ
イン形成前のＴＦＴ基板を示す図である。

【図２】本発明の第１の実施形態における液晶表示装置
の製造方法を示す図である。

【図３】レーザーの照射スポットを示す図である。

【図４】本発明の第１の実施形態における液晶表示装置
の検査修正装置を示す図である。

【図５】本発明の第２の実施形態におけるソースバスラ
イン形成前のＴＦＴ基板を示す図である。

【図６】本発明の第２の実施形態における液晶表示装置
の製造方法を示す図である。

【図７】本発明の第２の実施形態における液晶表示装置
の検査修正装置を示す図である。

【図８】本発明の第３の実施形態における液晶表示装置
の製造方法を示す図である。

【図９】本発明の第４の実施形態におけるドレイン電極
形成前のＴＦＴ基板を示す図である。

【図１０】本発明の液晶表示装置を示す図である。

【図１１】本発明の第５の実施形態における液晶表示装
置の製造方法を示す図である。

【図１２】液晶表示装置のＴＦＴ基板を示す図である。

【図１３】図１２におけるＣ−Ｃ断面図である。

【図１４】異物の付着により生ずるソースバスラインの
断線を示す図である。

【図１５】絶縁膜の剥離により生ずるソースバスライン
の断線を示す図である。

【符号の説明】

１ 透光性基板 ２ ゲートバスライン ３ 絶縁膜 ４ レーザー ５ ソースバスライン ６ ソースバスライン形成前のＴＦＴ基板 ７ 可動ステージ ８ 画像認識手段 ９ ＸＹステージ １０ レーザー照射手段 １１ 記憶手段 １２ 制御部 １３ ＣＣＤカメラ １４ モニタ １５ 予備配線 １６ 検査用プローブ １７ 絶縁膜 １８ ドレイン電極 １９ 電極基板 ２０ 電極基板 ２１ 電極配線 ２２ 電極配線 ２３ 絶縁膜

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に複数の電極配線が形成されてな
   る電極基板を有する液晶表示装置の製造方法において、 電極配線形成部分に欠陥部分がある場合には、該欠陥部
   分を除去するとともに該欠陥部分の除去された部分に順
   テーパを形成し、該順テーパに沿って前記電極配線を形
   成することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
2. 【請求項２】 前記欠陥部分の除去及び順テーパの形成
   は、レーザー照射によって行うことを特徴とする請求項
   １記載の液晶表示装置の製造方法。
3. 【請求項３】 前記電極基板には絶縁膜が形成され、前
   記電極配線は該絶縁膜上に形成されていることを特徴と
   する請求項１、２記載の液晶表示装置の製造方法。
4. 【請求項４】 基板上にストライプ状の第１のバスライ
   ンと、絶縁膜と、前記第１のバスラインに直交するスト
   ライプ状の第２のバスラインと、がこの順に形成されて
   なるアクティブマトリックス基板を有する液晶表示装置
   の製造方法において、 前記第２のバスラインが形成される前に、該第２のバス
   ラインの形成箇所に欠陥部分があるかどうか検査する第
   １の工程と、 前記第１の工程において欠陥部分が検出されたとき、該
   欠陥部分を除去するとともに順テーパを形成する第２の
   工程と、 前記第２の工程の後に前記第２のバスラインを前記順テ
   ーパに沿って形成する第３の工程と、 を有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
5. 【請求項５】 前記第２のバスラインの形成前に、該バ
   スラインの形成箇所に該バスラインの予備配線を形成
   し、該予備配線の形成後に前記第１乃至第３の工程を行
   うことを特徴とする請求項４記載の液晶表示装置の製造
   方法。
6. 【請求項６】 マトリクス状の画素電極を有し、該画素
   電極が薄膜トランジスタをスイッチング素子として有す
   るアクティブマトリクス基板を有する液晶表示装置の製
   造方法において、 前記薄膜トランジスタのドレイン電極が形成される前
   に、該ドレイン電極の形成箇所に欠陥部分があるかどう
   か検査する第１の工程と、 前記第１の工程において欠陥部分が検出されたとき、該
   欠陥部分を除去するとともに順テーパを形成する第２の
   工程と、 前記第２の工程の後に前記ドレイン電極を前記順テーパ
   に沿って形成する第３の工程と、 を有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
7. 【請求項７】 前記欠陥部分の有無を検査し、該欠陥部
   分を除去する液晶表示装置の検査修正装置であって、 被検査修正基板の支持固定手段と、 該被検査修正基板上の欠陥部分の有無を検出し、該欠陥
   部分の位置座標データを取得する画像認識手段と、 前記画像認識手段によって得られた欠陥部分の位置座標
   データを記憶する記憶手段と、 該被検査修正基板の裏面から前記欠陥部分にレーザーを
   照射し該欠陥部分を除去すると共に、該除去部に順テー
   パを形成するレーザー照射手段と、 前記記憶手段に記憶された欠陥部分の位置座標データを
   読み取り、前記レーザー照射手段の照射スポットを該欠
   陥部分に合わせる制御部と、を備えていることを特徴と
   する液晶表示装置の検査修正装置。
8. 【請求項８】 基板上に複数の電極配線が形成されてな
   る電極基板を有する液晶表示装置において、 前記電極配線の少なくとも一部は、欠陥部分を除去した
   際に形成された順テーパに沿って形成されていることを
   特徴とする液晶表示装置。