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John M White
Akihiro Hosokawa
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Description

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五、發明説明（） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 發明領域： 本發明的實施例關係於一基板支撐座。 發明背景： 至今’薄膜電晶體已經被製作於大玻璃基板或板上， 以用於監視器、平面顯示器、太陽電池、個人數位助理 (PDA)、大哥大等之中。諸電晶體係藉由在真空室中，依 序沉積各種薄膜而加以完成，諸薄膜包含非晶矽、摻雜及 未摻雜氧化矽、氮化矽等。一種用以沉積電晶體用之薄膜 的方法為化學氣相沉積（CVD)。 CVD係為一相當高溫製程，其需要基板忍受約3〇〇t>c 至約400°C的溫度，甚至超出5〇〇。〇高溫製程。CVD膜製 程已經被大量使用於在基板上製，造積體電路。然而，因為 玻璃為一介電材料，其很脆並當被加熱至高溫時，很容易 下垂、彎曲或破裂，所以必須小心，以避免於加熱及冷卻 時之熱應力並造成損壞。 現行有系統用以在處理之前預熱基板並進行處理後 熱處理操作。傳統加熱室具有一或多數受熱架，用以加熱 一或多數基板。玻璃典型被支撐於間隔件上之架上，以改 良熱均勻性及產量。為了最小化成本，傳統間隔件典型係 由容易加工金屬，例如不鏽鋼、鋁、氮化鋁等所製成。然 而，傳統間隔件可能損壞或損及玻璃表面，可能造成玻璃 表面的不完美。例如，回火以產生低溫多晶矽膜需要加熱 基板至約550°C，這可能造成於90〇mm基板之約4mm的 第4頁 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
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五、發明説明（） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 熱膨脹。該熱膨脹造成於加熱及冷卻睥，妯士掩_ I呷衹叉撐於間隔件 上之玻璃滑動。於玻璃及間隔件間之所得磨擦力，於基板 中造成了到傷、破裂及其他變形。例如，基板經常被：開 成多個面並可能沿著一不是想要位置之刮傷或其他缺陷 破裂，因而造成一或多數之基板缺陷。 於部份例子中，吾人相信與玻璃接觸的間隔件的其他 部份可能與玻璃反應及暫時黏結至玻璃上。當這些黏結隨 後斷開時，先前反應之殘留物仍殘留在該間隔件上，因 而，增加了後續基板於處理時之損傷的可能性。另外，殘 留物可能變成在該熱處理室内之污染源。再者，來自基板 及一間隔件間之黏結的殘留物可能反應，作為於間隔件及 其他基板間之後續化學反應之觸媒，或者進一步劣化了 — 間隔件支撐面或該間隔件的壽命。 因此’有需要一支撐座，其能降低或免除於處理時之 基板損傷。 發明目的及概述： 於本發明之一態樣中，提供了一用以支樓一基板的設 備。於一實施例中，一用以支撐一基.板的設備包含一第一 部份及第二部份。該第二部份包含一插槽，其扣住一球。 該球係適用以支撐一基板於其上，同時，最小化於基板及 該球間之磨擦力及/或化學反應。 於另一實施例中，提供了一用以支撐一基板的設備， 其包含一室體，具有至少一支撐件連接至其上。一或多數 第5頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X 297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
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五、發明説明（） 球係安排於該支撐件上。該等球係可旋轉地支撐該玻璃基 板’並與該支撐件呈一分隔關係。於另一實施例中，該設 備係有用於加熱室及真空隔絕室中，於其中基板發生熱變 化時’並不想要該基板受到損壞或污染。 本發明之上述特性、優點及目的可以參考於附圖中所 不之實施例配合上本發明之詳細說明而取得及更詳細了 解。 然而’應了解的是，附圖只例示本發明之典型實施 例’因此’並不應被認為是限制本發明的範圍，因為，本 發明仍可以採行等效實施例。 1式簡單教日 第1圖為具有多數支撐件及間隔件之加熱室實施例的剖面 圖。 第2圖為具有多數間隔件安排於其上之架/支撐件實施例 的平面圖。 第3圖為一傳統間隔件實施例的側視圖。 第4A圖為本發明之間隔件實施例的剖面圖。 第4B圖為本發明之另一間隔件實施例的剖面圖。 第5圖為球實施例沿著第4A圊之線5巧所取之剖面圏。 第6A圖為本發明之另—間隔件實施例的剖面圖。 第6B圊為本發明之另一間隔件實施例的剖面圖。 第6C圖為本發明之另一間隔件實施例的剖面圖。 第7圖為本發明之另—p ^ 货月之另間隔件實施例的剖面圖。 _ 第6頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210x297------— (請先閲讀背面之注.意事項再填寫本頁)
561575 A7 B7 五、發明説明（） 第8圖為本發明之另一間隔件實施例的剖面圖。 第9圖為第8圖之間隔件沿著第8圖之線9-9所取之剖面 圖。 第1 Ο A圖為一真空隔絕室實施例的剖面圖，其中具有多數 間隔件安置於其上之支撐件。 第1 0B圖.為另一真空隔絕室實施例的剖面圖，其中具有多 數間隔件安置於其上之支撐件。 (請先閱讀背面之注‘意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖號對照說明： 10 加熱室 12 側壁 13 側壁 14 側壁 15 側壁 16 底壁 18 蓋 20 加熱線圈 22 加熱線圈 24 入口管 26 出口管 27 通道 28 支撐件 30 間隔件 32 基板 44 間隙 50 内間隔件 56 第一部份 57 第二部份 58 安.裝銷 62 球 64 插槽 66 球支撐 68 曲面 70 塗覆層 72 中空中心 80 端 82 側壁 84 内部份 88 外部份 、τ 線- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐) 561575 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（） 90 卡匣 92 第二端 92 袖 94 截角 94 狹缝閥 96 埠 150 内間隔件 152 錐面 250 内間隔件 252 支撐珠 254 下凹部 350 内間隔件 352 支撐珠 366 珠支撐面 600 内間隔件 604 距離 606 扣環 608 側壁 610 抬舉銷 612 球支撐面 650 内間隔件 1000 真空隔絕室 1002 室體 1004 玻璃傳送埠 1006 卡匣 1010 抽送埠 1012 通氣孔 1014 過濾器 1016 下板 1018 上板 1022 冷卻板 1100 真空隔絕室 1102 室體 1104 玻璃傳送埠 1060 支撐件 1062 可動卡匣 發明詳細說明= 本發明大致關係於用以支撐基板的間隔件，其係有利 以降低基板損壞。雖然間隔件係特別有利於基板受到溫度 變化的室中，但該間隔件也可適用於其他想要避免基板刮 傷的室中。 第8頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X 297公釐) f請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁〕
^1575 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（） 第1圖例示一玻璃基板32被安排於一代表加熱室1〇 内’其並被支撐於多數間隔件30、50上。加熱室1〇包含 一卡匣90,其係為一軸92所可動地支撐於該室1〇内。該 卡E 90包含側壁12、14、底壁16及一蓋18。加熱室 包含一側壁1 5。一如第2圖之假想線所示之埠96係安置 於鄰近處理系統（未示出）之側壁15中，並被以一狹縫闕 94固定，經由該狹縫閥94玻璃基板32可以由該處理室被 傳送進出在該加熱室10内之卡匣90。 回到第1圖，側壁12及14係被配置有適當加熱線圈 20、22，用以控制卡匣90的溫度。加熱線圈2〇、22可以 為電阻式加熱器及/或一導管，用以循環熱傳遞氣體或液 體底壁1 6係分別被裝配有用以循環受溫控制之流體的 入口及出口管24及26,及/或一通道27,用以配送連接至 一電源（未示出）之加熱線圈20、22。 側壁12、14的内部係被裝配有多數支撐件28。於第 1圖所示之實施例中，支撐件28係為導熱架，其係安排於 壁12、14之間。支撐件28係與壁12、14作良好熱接觸， 以允許以線圈20、22進行支撐件28及被安排於其上之玻 璃基板32之快速及均勻的溫度控制。可以用作為支撐件 28的材料包含但並不限定於鋁、銅、不鏽鋼、護面銅等等。 或者，加熱線圈20、22可以内藏於支撐件28内。 如於第2圖所示，一或多數外間隔件3 〇係適當地安 排於支撐件28上，以支撐該玻璃基板32的圓周。一或多 數内間隔件50係安排於支撐件28上，以支撐玻璃基板32 第9頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再塡寫本頁)
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經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 的内部份。於第2圖所示之實施例中，三個間隔件3〇係 安排於支撐件28的相對側上，以支撐玻璃基板32的圓 周，同時，兩間隔件50係安排於間隔件3〇内，以支撐玻 璃基板32的中心部份。也可以利用其他架構。 參考第1圖，間隔件30、5〇作用以支撐在該卡匿9〇 内之玻璃基板32,使得於支撐件28及玻璃基板32間有一 間隙44。間隙44防止支撐件28直接接觸玻璃基板32, 該直接接觸可能使玻璃基板32有應力及破裂，或造成污 染物被由支撐件28傳送至玻璃基板32。在卡匡9〇内之玻 璃基板32係為輻射及氣體傳導所間接加熱，而不是於玻 璃基板32及支料28 g之直接接觸。另外，内插玻璃基 板32及支撐件28提供於玻璃基板32上及下之加熱，因 而’提供玻璃基板32更快速及均勻的加熱。 第3圖為外間隔件30實施例的側面圖。外間隔件 典型由不鏽鋼構成並於形狀上為圓柱狀。外間隔件3〇具 有一第一端90及一第二端92。第一端9〇係安排於支摔件 28上》第二端92以相對於支撐件28呈一分隔關係地支撐 該玻璃基板32。第二端92的邊緣典型包含一半徑或截角 94。第二端92也可以包含一全半徑，以最小化與基板的 接觸面積。 第4A圖為内間隔件5〇實施例的剖面圖。外間隔件 30也可以類似地架構。用以形成内間隔# 5〇的材料可以 選擇容易製造，並且，於部份實施例中為低成本者。内間 隔件50係典型由不鏽鋼、低碳鋼、ic〇Nel、鎳合金或其 第10頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐)
(請先閱讀背面之注意事項再塡寫本頁) 訂· 線 五、發明説明（） 他適當材料所製成。 内間隔件5 0大致包合筮 匕θ第一部份56及一第二部份57〇 第一部份56典型具有一圓枝 圓枉d面，但也可以使用其他 何形狀。第二部份57包含一奸姚η ^ a 插槽64,其扣持住一球62 , 其與玻璃基板32接觸並支撐玻璃基板32。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 於-實施例中，第—部份56具有—中空中心、Μ，其 適用以收納-由支撐件28所突出之安裝銷…銷Μ將内 間隔件5〇定位於卡匡90内之代表支樓件28上。使用安 裝銷58而不將内間隔件5〇直接安裝於支撐件28上之優 點在於用該内間隔件50及支撐件28的材料選擇要求可能 不同。藉由使用銷58 ’内間隔件5〇的膨脹與收縮可以與 鄰近支撐件2 8分開。内間隔件5 〇也可以使用其他方法或 裝置，而附著至支撲件2 8。例如，可以使用黏著、壓入配 合、溶接、鉚釘、螺固等，以將内間隔件5〇附著至支撐 件28上。應了解的是，也可以想出其他將内間隔件5〇附 著或固定至支撐件28的實施例。内間隔件5〇的第二部份 57大致包含一球62及該插槽64。於一實施例中，該插槽 64包含一球支撐66，其包含具有半徑” r”的曲面68。球支 撐66的曲面68提供與球62的單一接觸點，該球62具有 一半徑”r”，其係小於半徑”R”。 於第4A圖所示之實施例中，球支撐66的外部份88 係被車螺紋並嚙合該插槽64的内部份84，該内部份84 形成一圓柱側壁82的部份，用以扣持住該球62。該側壁 82大致為推拔、縮小或如此形成之端80，以將球62扣持 第11頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐） 561575 A7 B7 i、發明説明（) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在插槽64内。典型地，於球62及端80間提供一小餘隙， 以允許62旋轉及/或橫向移動於插槽内。或者，端8〇及側 壁82可以被架構以允許當基板32移動於其上時（見第4B 阖），球62滾動於球支撐面66上。球62的相對於中心支 標外間隔件30的橫向移動允許玻璃基板32滾動於球62 上’而沒有刮痕。另外，當玻璃基板3 2被移開並將中心 支撐30回到準備下一基板所用之架構時，該球支撐面66 的錐面對中於插槽64内之球62。換句話說，錐形球支撐 面6 6只要基板被移開，即再對中該球6 2。於其他實施例 中’球支撐6 6可以包含外表面幾何，用以接觸及扣持該 球6 2 〇 線_ 第5圖為球實施例沿著第4 A圖之剖面線5 - 5所取之 剖面圖。球62係大致包含金屬或非金屬材料。球62可以 另外提供於球62及玻璃基板32間之磨擦力降低及/或禁止 化學反應。典型地，球62係由一金屬或金屬合金、石英、 藍寶石、氮化矽或其他適當之非金屬材料所構成。於一實 施例中，球62具有一 4微吋或更平滑的表面光製。 經濟部智慧財產局員Η消費合作社印製 或者，該球62可以被塗覆、電鍍、或電研磨以一塗 覆層70。例如，塗覆層70可以具有足夠厚度，以提供一 阻障層’其降低於球62及玻璃基板32間之磨擦力。於玻 璃基板32及球62間之降低磨擦力大大地防止對玻璃基板 32的損壞，該等損壞係由磨擦、振動、熱膨脹或於玻璃基 板32及62間之其他接觸所造成。塗覆層7〇可以另外或 選用地降低於包含球62及玻璃基板32之材料間之化學反 第12頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210x297公變) 561575 A7 B7 五、發明説明（） 應。於其他實施例中，内間隔件5 〇的其他部份可以被同 樣地塗覆，以降低於其間之磨擦力及/或化學反應。 能降低或免除於球62及玻璃基板32間之磨擦力的塗 覆層70可以藉由化學氣相沉積（CVD)硝化製程、物理氣相 沉積（PVD)錢鑛製程、喷鍍、電鍵或其他製程加以沉積。 於一實施例中，塗覆層70具有至少約3微米的厚度。於 另一實施例中’塗覆層70係被形成以於約3微米至約20 微米間之厚度。於另一例子中，上述球62可以放置於一 反應室中並被曝露至一含氨、及/或氮、及/或氫、及/或其 他還原氣體的氣氛中，以在球62的曝露表面上，形成一 硝化塗覆層。於另一實施例中，塗覆層70係由例如PVD 之濺鍍製程所形成，以在球62的外表面上形成一硝化表 面，並例如包含氣化鈦。 表面塗覆層70大致提供一平滑外表面給球62。吾人 相信上述表面塗覆層7 0的其他實施例可以維持至少與球 62的原始表面光製一般的平滑表面。或者，塗覆層70可 以例如藉由電解拋光或其他方法加以處理，以改良塗覆層 70的光製。吾人也相信具有上述表面塗覆層70的内間隔 件50將降低於被支撐於内間隔件50上之玻璃基板32間 之磨擦力，同時，也於部份實施例中將降低於球62内及/ 或安置於其上之玻璃32内污染物間之化學反應。或者， 塗覆層70可以應用至外間隔件30上。 也可以了解的是，一依據本發明態樣所製造之内間隔 件50係適用於進行於250°C以上之熱處理操作中。其他使 第13頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(2l〇X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} -訂_ 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 561575 Α7 Β7 、發明説明（） 用本發明之内間隔件50的熱處理操作，例如用以低溫多 晶矽製造的熱處理也可以進行。吾人相信依據本伋明所製 造的間隔件50係適用於超出45 0°C以上之熱處理，最多並 包含600°C，這係取決於應用及玻璃材料特性而定。吾人 更相信依據本發明製造之間隔件50將降低當玻璃基板32 移動於内間隔件50上時，磨擦的發生率。更者，吾人相 信上述之表面塗覆層70可以提供額外之保護層，以降低 被球62與予以被支撐的玻璃基板32間之磨擦損壞的或然 率，同時，也作為一阻障層，以防止於球62及玻璃基板 3 2内之污染物或金屬間之反應。 内間隔件50的實施例已經被顯示及說明為一中心支 樓件’以降低基板損壞。上述之實施例示範一内間隔件$ 〇 作為一中心支撐件，但傳統外間隔件3〇也可以使用以支 撐玻璃基板32的周邊。也可以想出部份或所有之外間隔 件30可以選用地類似或相同於内間隔件5〇般地架構。 雖然内間隔件50已經針對特定材料加以說明，但可 以相信其他熱處理應用也可以利用由其他不同材料所製 成之間隔件50並且也可以使用上述材料以外之其他材料 來作為塗覆層70。 第6A圖描繪内間隔件15〇的另一實施例。内間隔件 150係類似於内間隔件5〇般地架構，除了内間隔件！ π 於一錐形表面152上支樓球62之外。錐表面152大致對 中於内間隔件150内之球62 ,同時，允許球62實質自由 地旋轉。 第Η頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210χ 297公爱) (請先閲讀背面之注‘意事項再填寫本頁)
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、發明説明( 第6B圖描繪内間隔件 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 _ τ ^ Γβ\ 隔件600的一球支撐表面612係加入該支撐件28内。球 62係座落於每一球支撐面612上並維持該基板32與該夫 撐件28呈一分隔關係。球支撐面612可以為平坦、錐^、 球形或其他幾何形，以允許球62橫向及/或旋轉於間隔件 6〇〇 内。 第6C圖描繪内間隔件650的另一實施例，其中，想 要於基板32與支撐件間之更接近間距，以例如加強導熱 率。一球支撐表面602係凹陷内支撐件28 一深度，以允 許於球62與支撐件28間之距離604剛好許可於基板3: 與支撐件28間之餘隙《球支撐表面6〇2可以為平坦、錐 形、球形或其他幾何形，以允許球62橫向及/或旋轉於間 隔件650内，防止對基板32的刮傷或其他損壞即可。一 扣環606可以選用地安排於連接球支撐表面6〇2至支撐件 28表面的側壁608中，以防止球62由支撐件28掉出。支 撐件28另外包含多數抬舉銷61〇(其一被顯示）。抬舉銷61( 可以經由傳統裝置加以作動，以允許於基板32及支撐件 間之基板傳送機制（未示出）靠近，以利基板傳送。 第7圖描繪内間隔件25〇的另一實施例。内間隔件25( 係類似於内間隔件50及150般地架構，除了内間隔件25( 支撐球62於多數内部分隔之支撐珠252上。支撐珠25: 係大致安置於球支撐面66中之個別下凹部254中。或者， 下凹部254可以包含一單環或凹槽，以扣持住多個支樓珠 支揮珠252大致將球62對中於内間隔件250内，同 第15頁
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561575 A7 B7 五、發明説明（） 時，當基板移動於其上時，允許球62實際地自由旋轉。 雖本發明已經說明用於玻璃基板32,但本發明之其 他實施例的内間隔件也可以用以降低於内間隔件與不同 基板材料間之磨擦損壞及/或化學反應。雖然本發明已經說 明用於上述之加熱系統1〇中，但其他熱處理系統及製程 室也可以使用。本發明之方法與設備可以無關於本發明實 施例所用之製程室類型。 第8圖描繪内間隔件3 5 0的另一實施例。内間隔件3 5 〇 係類似内間隔件50、150及250般地架構，除了内間隔件 350將球62支撐於一陣列排列之支撐珠352上。球62大 致具有一半徑R，及支撐球3 52具大一直徑d。支撐珠3 52 大致排列於一珠支撐面366上。珠支撐面366大致具有一 半徑R”，其係大於R’ + d的總和。珠支撐面366的較大半 徑允許當基板32移動於球62上時，球62予以自由地旋 轉及/或橫向移動於珠支撐面366上。 第9圖描繪沿著第8圖之剖面線9 - 9所取之内間隔件 3 50的剖面圖，其例示一陣列之支撐珠3 52的實施例，其 包含十六個（16)支撐珠352。也可以想出具有不同數量支 撐珠352的陣列。 第10A圖描繪出一真空隔絕室1〇〇〇實施例的剖面 圖’其中安排有至少一内間隔件50。真空隔絕室1 〇〇〇大 致包含一室體1002，具有兩玻璃傳送埠1〇〇4(只有一個被 示於第10A圖中）。每一玻璃傳送埠·ι〇〇4係選擇地為一狹 縫閥1008(以虛線表示）所密封。真空隔絕室ι〇〇〇係安排 第16頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -、? 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 561575 A7 五、發明説明（ 於-第-氣氛與-真空氣氛間，該真空氣份係例如包含於 製程室（未示出）中，其係分別連接至傳料1004並被用以 允許玻璃基板32㈣鄰近傳送埠lm料進出真空氣氛 中’而不會損及真空。 室體1002另外包含一抽送埠1〇1〇，經由該抽送璋 1〇1〇在室體1〇〇2内之壓力可以被調節。或者，室體ι〇〇2 可以包含-通氣孔1012,用以由真空狀態升高於室體ι〇〇2 内之壓力。典型地，經由通氣孔1〇12進入室1〇〇〇的空氣 或液體係通過一過濾器1014,以最小化進入室1〇〇〇的微 粒。此等過濾器係可以由美國紐澤西州之河戴之Camfu_ USA公司購得。 一卡E 1006係可移動地安排於室體1〇〇2内並包含一 下板1016及一上板1〇18連接至一電梯軸1〇2〇。該卡匣 1〇〇6係架構以支撐一第一基板32於一或多數間隔件3〇 上及至少一由下板1016延伸之間隔件50上，及一第二基 板（未示出）被支撐於一或多數間隔件3〇及由上板1〇18延 伸之至少一間隔件50上。卡匣1〇〇6可以上升或下降，以 對齊被支撐於該卡匣1006上之任一基板與埠1〇〇4。 室體1002同時也可以包含一冷卻板1〇22。冷卻板 1022具有多數孔’以允許由下板1〇16延伸之間隔件30、 5〇穿過其間。當卡匣1〇〇6下降時，座落於間隔件30、50 上之基板3 2係被移動更靠近冷卻板1 〇 2 2。一循環經冷卻 板1022的熱傳送流體移去由基板32傳送的熱至冷卻板 1022，藉以降低基板32的溫度。因此，間隔件50允許基 第17頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
B7 五、發明説明（） (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁} 板32在真空隔絕室1000内膨脹及收縮，而不會毀損或破 壞基板。一可以適用於本發明之真空隔絕室可以是申請於 1999年十二月15日之美國專利申請第〇9/464,362號該 案係併入本案作為參考。 第10B圖描繪另一真空隔絕室n〇〇的剖面圖，及至 少一内間隔件50係安置於其中。真空隔絕室π 〇〇大致包 含一室體1 102，其具有兩玻璃傳送埠η〇4(只有一個被示 於第10Β圖中）。每一玻璃傳送埠11〇4係選擇地為一狹縫 閥ιι〇8(以虛線顯示）密封。真空隔絕室ι1〇〇係安排於第 一氣氛與一真空氣氛間，例如包含於分別連接至傳送埠 1104之製程室（未示出）中，並且，被利用以允許玻璃基板 32(以虛線表示）經由鄰近傳送埠n〇4傳送進出真空氣 氛，而不損及真空。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 多數基板32均個別被支撐於室體ι1〇2内於支撐件 1160(為清楚起見，第10B圖中只顯示一基板32)上。支撐 件1160可以連接至室體i 1〇2或安排於一可動卡匣丨162 内。於第10B圖所繪之實施例中，一可動卡匣1 1 62包含 至少一間隔件30及至少一間隔件5〇連接至十二個垂直堆 疊的支撐件1160。因此，當基板32咚脹或收縮時，基板 3 2可以移動於間隔件5 〇上，而不會毁損或破壞基板。一 可以適用於本發明之真空隔絕室係例如由美國加州聖塔 卡拉之應用材料分支所購得之AKT。 雖然，前述係針對本發明之實施例，但本發明的其他 進一步實施例可以在不脫離其基本範圍下加以想出，其範 第18頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐) 561575 A7 B7 五、發明説明（） 圍係由以下之申請專利範圍所決定。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第19頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐)

Claims (1)

  1. ABCD 561575 夂、申請專利範圍 1· 一種將一基板支撐於一室中之設備，該室具有至少一基 板支撐件連接至該室，該設備至少包含： 一主體’具有第一部份及一第二部份，該第一部份 適用以與該支撐件相交界； 一插槽安排於該第二部份中並具有一球支撐面；及 一球，可旋轉地安置於該插槽的球支撐面上，該球 適用以在其上接觸並支撐一基板。 2·如申請專利範圍第丨項所述之設備，其中上述之球被塗 覆、電鍍或電解拋光。 3 ·如申請專利範圍第1項所述之設備，其中上述之球被塗 覆或電鍍以鉻、鋁合金、氮化矽或氮化鎢。 4.如申請專利範圍第丨項所述之設備，其中上述之球支撐 面的半徑係大於球的半徑。 5·如申請專利範圍第丨項所述之設備，其中上述之球支撐 面為錐形。 6.如申請專利範圍第丨項所述之設備，其中上述之球支撐 面更包含： 至少一下凹部或凹槽；及 多數球支撐珠安排於該下凹部或凹槽中，以支撐該 第20頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公愛) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -訂. 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 561575 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 球。 7 ·如申請專利範圍第1項所述之設備，更包含： 多數球支撐珠，安置於該球支撐面與該球之間。 8 · —種支撐一玻璃基板的設備，至少包含： 一室體； 至少一支撐件，連接至該室體，·及 一或多數球安排於該支撐件上，該球係可旋轉地支 撐該玻璃基板，以與該支撐件呈一分隔關係。 9 ·如申請專利範圍第8項所述之設備，更包含： 一間隔件，具有一第一部份及一第二部份，該第一 部份係安置於該支撐件上及該第二部份具有一插槽，其 可以旋轉地將該球扣持於其中。 10·如申請專利範圍第9項所述之設備，其中上述之插槽更 包含： 一球支撐，安置於一圓柱側壁内。 11.如申請專利範圍第1 0項所述之設備，其中上述之球支 撐更包含： 一曲面，具有一與該球接觸的單一接觸點。 第21頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公楚) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •訂· 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 561575 A8 B8 C8 D8______ 六、申請專利範圍 12·如申請專利範圍第1〇項所述之設備，其中上述之球支 撐更包含： (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 一錐形面，接觸該球。 13·如申請專利範圍第1〇項所述之設備，其中上述之球支 撐將該球對中於插塞内。 14·如申請專利範圍第8項所述之設備，其中上述之球具有 一 4微吋或更平滑的表面粗糙度。 15.如申請專利範圍第9項所述之設備，更包含： 多數安裝銷連接至該支撐件，每一銷連接至一相關 間隔件。 1 6·如申請專利範圍第1 5項所述之設備，其中上述之第一 部份為中空並收納該安裝銷的至少一部份。 1 7·如申請專利範圍第8項所述之設備，其中上述之球的至 少之一係定位以支撐該基板的中心,部份。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 8_如申請專利範圍第8項所述之設備，其中上述之部份球 支撐該基板的圓周部份及至少一球被定位以支推該基 板的中心部份。 第22頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐) 6 5 5 7 5 ABCD 六、申請專利範圍 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 19.如申請專利範圍第8項所述之設備，其中多數之間隔件 具有固定頂面以支撐該基板的圓周部份及至少一球定 位以支撲該基板的一中心部份。 20·如申請專利範圍第8項所述之設備，其中上述之多數球 係被塗覆、電鍍或電解抛光。 21.如申請專利範圍第8項所述之設備，其中上述之球被塗 覆或電鑛以鉻、銘合金、氮化石夕或氮化鶴。 2 2 ·如申凊專利範圍第§項所述之設備，其中上述之每一支 撐件更包含： 多數球支撐珠安排於該支撐件與該球之間。 23. —種支撐一玻璃基板的設備，至少包含： 一室體； 至少一支撐件，連接至該室體； 一或多數球，安排於該支撐件上，該等球係可旋轉 地支撐該玻璃基板並與該支樓件呈一分隔關係；及 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 一間隔件，具有一第一部份及一第二部份，該第一 部份安排於該支撐件上及第二部份具有一插槽，其可旋 轉地將該等球扣持於其中。 24. 如申請專利範圍第23項所述之設備，其中上述之插槽 第23頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公爱) 561575 ABCD 六、申請專利範圍 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 更包含： 球支撐面’安排於一圓柱側壁内。 25·如申研專利範圍帛24項所述之設備，其巾上述之球支 撐面更包含： 曲面’具有單一接觸點與該球接觸。 26·如申請專利範圍第24項所述之設備，其中上述之球支 撐面更包含： 一錐形面，接觸該球。 士申凊專利範圍第24項所述之設備，其中上述之球支 撐面將球對中於插槽内。 28·如申請專利範圍第23項所述之設備，其中上述之球具 有一 4微吋或更平之表面粗糙度。 29.如申請專利範圍第23項所述之設備，更包含： 多數安裝銷連接至該支撐件，每一安裝銷連接至一 個別間隔件。 3〇·如申請專利範圍第29項所述之設備，其中上述之第一 部份為中空並收納該安裝銷的至少一部份。 第以頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先間讀背面之注意事項再填寫本頁) #· 線 561575 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 31·如申請專利範圍第23項所述之設備，其中上述之至少 一球係定位以支撐該基板的中心部份。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 32·如申請專利範圍第23項所述之設備，其中上述之多數 間隔件包含一第一群，具有一支撐基板的圓周部份的非 紅轉面以及，一第一群，具有支撐該基板中心部份的 球。 33·如申請專利範圍第23項所述之設備，其中上述之多數 球係被塗覆、電鍍或電解拋光。 34·如申請專利範圍第23項所述之設備，其中上述之多數 球係被塗覆或電鍍以鉻、鋁合金、氮化矽或氮化鹤。 線 35.如申凊專利範圍第23項所述之設備，其中上述之室體 係為 熱處理室。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 36·如申請專利範圍第23項所述之設備，其中上述之室體 更包含： 一第一基板傳送璋，安排於一第一側壁上；及 一第二基板傳送埠，安排於一第二側壁上。 37·如申請專利範圍第23項所述之設備，其中上述之室體 更包含： 第25頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X 297公釐) 6 5 75 5 ABCD ττ、申清專利範圍 一第一基板傳送埠，安排於一第一側壁上；及 一第二基板傳送埠，安排於一第二側壁上。 38.如申請專利範圍第23項所述之設備，更包含. 多數球支撐珠，安排於該支撐件的球支撐面與球之 間。 39·如申請專利範圍第23項所述之設備，其中上述之球相 對於該支撐件作橫向移動。 40·—種用以支撐一玻璃基板的設備，至少包含： 一基板加熱室，具有至少一側壁； 多數支撐件，連接至該側壁； 至少一間隔件，安排於每一支撐件上，該間隔件具 有第一部份及第二部份，該第一部份安排於該支撐件上 及第二部份具有一插槽；及 一球，可旋轉地安排於該插槽内並適用以支撐該玻 璃基板，並與該支撐件呈一分隔關係。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 41·如申請專利範圍第40項所述之設備，其中上述之基板 加熱室係為一回火室。 42·如申請專利範圍第40項所述之設備，更包含： 多數球支撐珠，安排於該插槽的球支樓面與該球之 第26頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐) 561575 ABCD 六、申請專利範圍 間。 43·如申請專利範圍第40項所述之設備，其中上述之球相 對於插槽作橫向移動及/或旋轉。 44. 一種支撐一玻璃基板之設備，至少包含： 一真空隔絕室，具有第一基板傳送埠，安排於第一 側壁中及第二基板傳送埠，安排於第二側壁中； 至少一支撐件，安排於該室中； 至少一間隔件，安排於該支撐件上；該間隔件有一 第一部份及一第二部份，該第一部份安排於該支撐件上 及第二部份具有一插槽；及 一球，可旋轉地安排於該插槽内並適用以支撐該玻 璃基板，並與該支撐件呈一分隔關係。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 45·如申請專利範圍第44項所述之設備，更包含： 多數球支撐珠，安排於該插槽的球支撐面與該球之 間。 46·如申請專利範圍第44項所述之設備，其中上述之球相 對於插槽作橫向移動及/或旋轉。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210χ 297公釐)
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7651079B2 (en) 2005-07-29 2010-01-26 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Substrate support plate transfer apparatus for fabricating organic light emitting display

Families Citing this family (181)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6528767B2 (en) * 2001-05-22 2003-03-04 Applied Materials, Inc. Pre-heating and load lock pedestal material for high temperature CVD liquid crystal and flat panel display applications
US20040065656A1 (en) * 2002-10-04 2004-04-08 Makoto Inagawa Heated substrate support
US6917755B2 (en) * 2003-02-27 2005-07-12 Applied Materials, Inc. Substrate support
WO2004097928A1 (en) * 2003-04-30 2004-11-11 Sang-Ki Lee Support holder of the substrate and device for centering or feeding using the same
US20040226513A1 (en) * 2003-05-12 2004-11-18 Applied Materials, Inc. Chamber for uniform heating of large area substrates
US8033245B2 (en) 2004-02-12 2011-10-11 Applied Materials, Inc. Substrate support bushing
US7780793B2 (en) * 2004-02-26 2010-08-24 Applied Materials, Inc. Passivation layer formation by plasma clean process to reduce native oxide growth
US20050230350A1 (en) * 2004-02-26 2005-10-20 Applied Materials, Inc. In-situ dry clean chamber for front end of line fabrication
US20060051966A1 (en) * 2004-02-26 2006-03-09 Applied Materials, Inc. In-situ chamber clean process to remove by-product deposits from chemical vapor etch chamber
US20060016398A1 (en) * 2004-05-28 2006-01-26 Laurent Dubost Supporting and lifting device for substrates in vacuum
US7497414B2 (en) 2004-06-14 2009-03-03 Applied Materials, Inc. Curved slit valve door with flexible coupling
US7550381B2 (en) * 2005-07-18 2009-06-23 Applied Materials, Inc. Contact clean by remote plasma and repair of silicide surface
TWI295816B (en) 2005-07-19 2008-04-11 Applied Materials Inc Hybrid pvd-cvd system
JP4642610B2 (ja) * 2005-09-05 2011-03-02 東京エレクトロン株式会社 基板位置合わせ装置および基板収容ユニット
US20080105201A1 (en) * 2006-11-03 2008-05-08 Applied Materials, Inc. Substrate support components having quartz contact tips
JP2008282858A (ja) * 2007-05-08 2008-11-20 Ulvac Japan Ltd 基板支持ピン
US7942969B2 (en) * 2007-05-30 2011-05-17 Applied Materials, Inc. Substrate cleaning chamber and components
EP2141259B1 (en) 2008-07-04 2018-10-31 ABB Schweiz AG Deposition method for passivation of silicon wafers
US20100122655A1 (en) * 2008-11-14 2010-05-20 Tiner Robin L Ball supported shadow frame
JP5549441B2 (ja) * 2010-01-14 2014-07-16 東京エレクトロン株式会社 保持体機構、ロードロック装置、処理装置及び搬送機構
US9324576B2 (en) 2010-05-27 2016-04-26 Applied Materials, Inc. Selective etch for silicon films
KR101157192B1 (ko) * 2010-08-31 2012-06-20 주식회사 테라세미콘 배치식 기판 처리 장치
US10283321B2 (en) 2011-01-18 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma
US8771539B2 (en) 2011-02-22 2014-07-08 Applied Materials, Inc. Remotely-excited fluorine and water vapor etch
US9371584B2 (en) * 2011-03-09 2016-06-21 Applied Materials, Inc. Processing chamber and method for centering a substrate therein
US9064815B2 (en) 2011-03-14 2015-06-23 Applied Materials, Inc. Methods for etch of metal and metal-oxide films
US8999856B2 (en) 2011-03-14 2015-04-07 Applied Materials, Inc. Methods for etch of sin films
US8771536B2 (en) 2011-08-01 2014-07-08 Applied Materials, Inc. Dry-etch for silicon-and-carbon-containing films
US8679982B2 (en) 2011-08-26 2014-03-25 Applied Materials, Inc. Selective suppression of dry-etch rate of materials containing both silicon and oxygen
US8679983B2 (en) 2011-09-01 2014-03-25 Applied Materials, Inc. Selective suppression of dry-etch rate of materials containing both silicon and nitrogen
US8927390B2 (en) 2011-09-26 2015-01-06 Applied Materials, Inc. Intrench profile
US8808563B2 (en) 2011-10-07 2014-08-19 Applied Materials, Inc. Selective etch of silicon by way of metastable hydrogen termination
WO2013070436A1 (en) 2011-11-08 2013-05-16 Applied Materials, Inc. Methods of reducing substrate dislocation during gapfill processing
US9267739B2 (en) 2012-07-18 2016-02-23 Applied Materials, Inc. Pedestal with multi-zone temperature control and multiple purge capabilities
US9373517B2 (en) 2012-08-02 2016-06-21 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control
US9034770B2 (en) 2012-09-17 2015-05-19 Applied Materials, Inc. Differential silicon oxide etch
US9023734B2 (en) 2012-09-18 2015-05-05 Applied Materials, Inc. Radical-component oxide etch
US9390937B2 (en) 2012-09-20 2016-07-12 Applied Materials, Inc. Silicon-carbon-nitride selective etch
US9132436B2 (en) 2012-09-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Chemical control features in wafer process equipment
US8765574B2 (en) 2012-11-09 2014-07-01 Applied Materials, Inc. Dry etch process
US8969212B2 (en) 2012-11-20 2015-03-03 Applied Materials, Inc. Dry-etch selectivity
US9064816B2 (en) 2012-11-30 2015-06-23 Applied Materials, Inc. Dry-etch for selective oxidation removal
TWI514463B (zh) * 2012-11-30 2015-12-21 Global Material Science Co Ltd 乾蝕刻設備中的靜電吸附板表面凸點的製造方法
US8980763B2 (en) 2012-11-30 2015-03-17 Applied Materials, Inc. Dry-etch for selective tungsten removal
US9111877B2 (en) 2012-12-18 2015-08-18 Applied Materials, Inc. Non-local plasma oxide etch
US8921234B2 (en) 2012-12-21 2014-12-30 Applied Materials, Inc. Selective titanium nitride etching
US10256079B2 (en) 2013-02-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations
US9362130B2 (en) 2013-03-01 2016-06-07 Applied Materials, Inc. Enhanced etching processes using remote plasma sources
US9040422B2 (en) 2013-03-05 2015-05-26 Applied Materials, Inc. Selective titanium nitride removal
US8801952B1 (en) 2013-03-07 2014-08-12 Applied Materials, Inc. Conformal oxide dry etch
US10170282B2 (en) 2013-03-08 2019-01-01 Applied Materials, Inc. Insulated semiconductor faceplate designs
US20140271097A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Applied Materials, Inc. Processing systems and methods for halide scavenging
US8895449B1 (en) 2013-05-16 2014-11-25 Applied Materials, Inc. Delicate dry clean
US9114438B2 (en) 2013-05-21 2015-08-25 Applied Materials, Inc. Copper residue chamber clean
US9493879B2 (en) 2013-07-12 2016-11-15 Applied Materials, Inc. Selective sputtering for pattern transfer
US9773648B2 (en) 2013-08-30 2017-09-26 Applied Materials, Inc. Dual discharge modes operation for remote plasma
US8956980B1 (en) 2013-09-16 2015-02-17 Applied Materials, Inc. Selective etch of silicon nitride
JP6194733B2 (ja) * 2013-10-04 2017-09-13 株式会社島津製作所 基板移載システム
US8951429B1 (en) 2013-10-29 2015-02-10 Applied Materials, Inc. Tungsten oxide processing
US9236265B2 (en) 2013-11-04 2016-01-12 Applied Materials, Inc. Silicon germanium processing
US9576809B2 (en) 2013-11-04 2017-02-21 Applied Materials, Inc. Etch suppression with germanium
US9520303B2 (en) 2013-11-12 2016-12-13 Applied Materials, Inc. Aluminum selective etch
US9245762B2 (en) 2013-12-02 2016-01-26 Applied Materials, Inc. Procedure for etch rate consistency
US9117855B2 (en) 2013-12-04 2015-08-25 Applied Materials, Inc. Polarity control for remote plasma
US9287095B2 (en) 2013-12-17 2016-03-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor system assemblies and methods of operation
US9263278B2 (en) 2013-12-17 2016-02-16 Applied Materials, Inc. Dopant etch selectivity control
US9190293B2 (en) 2013-12-18 2015-11-17 Applied Materials, Inc. Even tungsten etch for high aspect ratio trenches
US9287134B2 (en) 2014-01-17 2016-03-15 Applied Materials, Inc. Titanium oxide etch
US9293568B2 (en) 2014-01-27 2016-03-22 Applied Materials, Inc. Method of fin patterning
US9396989B2 (en) 2014-01-27 2016-07-19 Applied Materials, Inc. Air gaps between copper lines
US9385028B2 (en) 2014-02-03 2016-07-05 Applied Materials, Inc. Air gap process
US9499898B2 (en) 2014-03-03 2016-11-22 Applied Materials, Inc. Layered thin film heater and method of fabrication
US9299575B2 (en) 2014-03-17 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Gas-phase tungsten etch
US9299537B2 (en) 2014-03-20 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves
US9299538B2 (en) 2014-03-20 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves
US9136273B1 (en) 2014-03-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Flash gate air gap
US9903020B2 (en) 2014-03-31 2018-02-27 Applied Materials, Inc. Generation of compact alumina passivation layers on aluminum plasma equipment components
US9269590B2 (en) 2014-04-07 2016-02-23 Applied Materials, Inc. Spacer formation
US9309598B2 (en) 2014-05-28 2016-04-12 Applied Materials, Inc. Oxide and metal removal
US9847289B2 (en) 2014-05-30 2017-12-19 Applied Materials, Inc. Protective via cap for improved interconnect performance
US9406523B2 (en) 2014-06-19 2016-08-02 Applied Materials, Inc. Highly selective doped oxide removal method
US9378969B2 (en) 2014-06-19 2016-06-28 Applied Materials, Inc. Low temperature gas-phase carbon removal
US9425058B2 (en) 2014-07-24 2016-08-23 Applied Materials, Inc. Simplified litho-etch-litho-etch process
US9159606B1 (en) 2014-07-31 2015-10-13 Applied Materials, Inc. Metal air gap
US9378978B2 (en) 2014-07-31 2016-06-28 Applied Materials, Inc. Integrated oxide recess and floating gate fin trimming
US9496167B2 (en) 2014-07-31 2016-11-15 Applied Materials, Inc. Integrated bit-line airgap formation and gate stack post clean
US9165786B1 (en) 2014-08-05 2015-10-20 Applied Materials, Inc. Integrated oxide and nitride recess for better channel contact in 3D architectures
US9659753B2 (en) 2014-08-07 2017-05-23 Applied Materials, Inc. Grooved insulator to reduce leakage current
US9553102B2 (en) 2014-08-19 2017-01-24 Applied Materials, Inc. Tungsten separation
US9355856B2 (en) 2014-09-12 2016-05-31 Applied Materials, Inc. V trench dry etch
US9478434B2 (en) 2014-09-24 2016-10-25 Applied Materials, Inc. Chlorine-based hardmask removal
US9368364B2 (en) 2014-09-24 2016-06-14 Applied Materials, Inc. Silicon etch process with tunable selectivity to SiO2 and other materials
US9613822B2 (en) 2014-09-25 2017-04-04 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity enhancement
US9966240B2 (en) 2014-10-14 2018-05-08 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment
US9355922B2 (en) 2014-10-14 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment
US11637002B2 (en) 2014-11-26 2023-04-25 Applied Materials, Inc. Methods and systems to enhance process uniformity
US9299583B1 (en) 2014-12-05 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Aluminum oxide selective etch
US10573496B2 (en) 2014-12-09 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Direct outlet toroidal plasma source
US10224210B2 (en) 2014-12-09 2019-03-05 Applied Materials, Inc. Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source
US9502258B2 (en) 2014-12-23 2016-11-22 Applied Materials, Inc. Anisotropic gap etch
US9343272B1 (en) 2015-01-08 2016-05-17 Applied Materials, Inc. Self-aligned process
US11257693B2 (en) 2015-01-09 2022-02-22 Applied Materials, Inc. Methods and systems to improve pedestal temperature control
US9373522B1 (en) 2015-01-22 2016-06-21 Applied Mateials, Inc. Titanium nitride removal
US9449846B2 (en) 2015-01-28 2016-09-20 Applied Materials, Inc. Vertical gate separation
US9728437B2 (en) 2015-02-03 2017-08-08 Applied Materials, Inc. High temperature chuck for plasma processing systems
US20160225652A1 (en) 2015-02-03 2016-08-04 Applied Materials, Inc. Low temperature chuck for plasma processing systems
US9881805B2 (en) 2015-03-02 2018-01-30 Applied Materials, Inc. Silicon selective removal
KR102386998B1 (ko) * 2015-07-30 2022-04-15 엘지디스플레이 주식회사 서포터 핀 및 이를 포함하는 열처리장치
US9741593B2 (en) 2015-08-06 2017-08-22 Applied Materials, Inc. Thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9691645B2 (en) 2015-08-06 2017-06-27 Applied Materials, Inc. Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9349605B1 (en) 2015-08-07 2016-05-24 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity systems and methods
US10504700B2 (en) 2015-08-27 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection
CN111474826A (zh) 2015-12-15 2020-07-31 Asml荷兰有限公司 衬底保持器、光刻设备及制造器件的方法
US10504754B2 (en) 2016-05-19 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US10522371B2 (en) 2016-05-19 2019-12-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
EP3258279A1 (en) * 2016-06-16 2017-12-20 Multitest elektronische Systeme GmbH Pressing device and method of pressing a carrier against an electrical contact unit
US9865484B1 (en) 2016-06-29 2018-01-09 Applied Materials, Inc. Selective etch using material modification and RF pulsing
US10062575B2 (en) 2016-09-09 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Poly directional etch by oxidation
US10629473B2 (en) 2016-09-09 2020-04-21 Applied Materials, Inc. Footing removal for nitride spacer
US9934942B1 (en) 2016-10-04 2018-04-03 Applied Materials, Inc. Chamber with flow-through source
US10546729B2 (en) 2016-10-04 2020-01-28 Applied Materials, Inc. Dual-channel showerhead with improved profile
US9721789B1 (en) 2016-10-04 2017-08-01 Applied Materials, Inc. Saving ion-damaged spacers
US10062585B2 (en) 2016-10-04 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Oxygen compatible plasma source
US10062579B2 (en) 2016-10-07 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Selective SiN lateral recess
US9947549B1 (en) 2016-10-10 2018-04-17 Applied Materials, Inc. Cobalt-containing material removal
US10163696B2 (en) 2016-11-11 2018-12-25 Applied Materials, Inc. Selective cobalt removal for bottom up gapfill
US9768034B1 (en) 2016-11-11 2017-09-19 Applied Materials, Inc. Removal methods for high aspect ratio structures
US10242908B2 (en) 2016-11-14 2019-03-26 Applied Materials, Inc. Airgap formation with damage-free copper
US10026621B2 (en) 2016-11-14 2018-07-17 Applied Materials, Inc. SiN spacer profile patterning
US10566206B2 (en) 2016-12-27 2020-02-18 Applied Materials, Inc. Systems and methods for anisotropic material breakthrough
US10403507B2 (en) 2017-02-03 2019-09-03 Applied Materials, Inc. Shaped etch profile with oxidation
US10431429B2 (en) 2017-02-03 2019-10-01 Applied Materials, Inc. Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity
US10043684B1 (en) 2017-02-06 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Self-limiting atomic thermal etching systems and methods
US10319739B2 (en) 2017-02-08 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Accommodating imperfectly aligned memory holes
US10943834B2 (en) 2017-03-13 2021-03-09 Applied Materials, Inc. Replacement contact process
US10319649B2 (en) 2017-04-11 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopy (OES) for remote plasma monitoring
US11276590B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Multi-zone semiconductor substrate supports
US11276559B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow
US10049891B1 (en) 2017-05-31 2018-08-14 Applied Materials, Inc. Selective in situ cobalt residue removal
US10497579B2 (en) 2017-05-31 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Water-free etching methods
US10920320B2 (en) 2017-06-16 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors
US10541246B2 (en) 2017-06-26 2020-01-21 Applied Materials, Inc. 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling
US10727080B2 (en) 2017-07-07 2020-07-28 Applied Materials, Inc. Tantalum-containing material removal
US10541184B2 (en) 2017-07-11 2020-01-21 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching
US10354889B2 (en) 2017-07-17 2019-07-16 Applied Materials, Inc. Non-halogen etching of silicon-containing materials
US12027407B2 (en) * 2017-07-19 2024-07-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Substrate support apparatus and method
US10170336B1 (en) 2017-08-04 2019-01-01 Applied Materials, Inc. Methods for anisotropic control of selective silicon removal
US10043674B1 (en) 2017-08-04 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Germanium etching systems and methods
US10297458B2 (en) 2017-08-07 2019-05-21 Applied Materials, Inc. Process window widening using coated parts in plasma etch processes
US10128086B1 (en) 2017-10-24 2018-11-13 Applied Materials, Inc. Silicon pretreatment for nitride removal
US10283324B1 (en) 2017-10-24 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Oxygen treatment for nitride etching
US11033963B1 (en) * 2017-10-31 2021-06-15 United States Of America As Represented By The Administrator Of National Aeronautics And Space Administration Method for making small diameter nickel-titanium metal alloy balls
US10256112B1 (en) 2017-12-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Selective tungsten removal
US10903054B2 (en) 2017-12-19 2021-01-26 Applied Materials, Inc. Multi-zone gas distribution systems and methods
US10854426B2 (en) 2018-01-08 2020-12-01 Applied Materials, Inc. Metal recess for semiconductor structures
US10964512B2 (en) 2018-02-15 2021-03-30 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods
US10679870B2 (en) 2018-02-15 2020-06-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus
TWI766433B (zh) 2018-02-28 2022-06-01 美商應用材料股份有限公司 形成氣隙的系統及方法
US10593560B2 (en) 2018-03-01 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment
US10319600B1 (en) 2018-03-12 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Thermal silicon etch
US10497573B2 (en) 2018-03-13 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Selective atomic layer etching of semiconductor materials
US10573527B2 (en) 2018-04-06 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Gas-phase selective etching systems and methods
US10490406B2 (en) 2018-04-10 2019-11-26 Appled Materials, Inc. Systems and methods for material breakthrough
US10699879B2 (en) 2018-04-17 2020-06-30 Applied Materials, Inc. Two piece electrode assembly with gap for plasma control
US10886137B2 (en) 2018-04-30 2021-01-05 Applied Materials, Inc. Selective nitride removal
US10755941B2 (en) 2018-07-06 2020-08-25 Applied Materials, Inc. Self-limiting selective etching systems and methods
US10872778B2 (en) 2018-07-06 2020-12-22 Applied Materials, Inc. Systems and methods utilizing solid-phase etchants
US10672642B2 (en) 2018-07-24 2020-06-02 Applied Materials, Inc. Systems and methods for pedestal configuration
US10892198B2 (en) 2018-09-14 2021-01-12 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved performance in semiconductor processing
US11049755B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate supports with embedded RF shield
US11062887B2 (en) 2018-09-17 2021-07-13 Applied Materials, Inc. High temperature RF heater pedestals
US11417534B2 (en) 2018-09-21 2022-08-16 Applied Materials, Inc. Selective material removal
US11682560B2 (en) 2018-10-11 2023-06-20 Applied Materials, Inc. Systems and methods for hafnium-containing film removal
US11121002B2 (en) 2018-10-24 2021-09-14 Applied Materials, Inc. Systems and methods for etching metals and metal derivatives
US11215929B2 (en) * 2018-10-30 2022-01-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist system and method
US11437242B2 (en) 2018-11-27 2022-09-06 Applied Materials, Inc. Selective removal of silicon-containing materials
US11721527B2 (en) 2019-01-07 2023-08-08 Applied Materials, Inc. Processing chamber mixing systems
US10920319B2 (en) 2019-01-11 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Ceramic showerheads with conductive electrodes
CN110273142B (zh) * 2019-07-31 2021-06-04 常州时创能源股份有限公司 硅片的对位装置和对位方法
KR200491813Y1 (ko) * 2019-11-18 2020-06-09 주식회사 엘에스텍 포스비 위치 보정 장치
CN115938998A (zh) * 2022-02-28 2023-04-07 长沙瑶华半导体科技有限公司 一种改善基板封装翘曲的方法

Family Cites Families (97)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3448023A (en) * 1966-01-20 1969-06-03 Hammond Machinery Builders Inc Belt type electro-chemical (or electrolytic) grinding machine
US3873512A (en) * 1973-04-30 1975-03-25 Martin Marietta Corp Machining method
US4108455A (en) * 1975-12-22 1978-08-22 The Boeing Company Cargo pallet incorporating retractable ball units
US4839993A (en) * 1986-01-28 1989-06-20 Fujisu Limited Polishing machine for ferrule of optical fiber connector
JPH0697674B2 (ja) * 1986-02-19 1994-11-30 キヤノン株式会社 ボ−ル接触型ウエハチヤツク
US4801144A (en) * 1987-09-01 1989-01-31 Roll-A-Puck Limited Hockey puck
JPH01193166A (ja) * 1988-01-28 1989-08-03 Showa Denko Kk 半導体ウェハ鏡面研磨用パッド
US4934102A (en) * 1988-10-04 1990-06-19 International Business Machines Corporation System for mechanical planarization
JPH02121347A (ja) * 1988-10-31 1990-05-09 Tokyo Electron Ltd ウエハの位置決め装置
CH678156A5 (zh) * 1989-03-20 1991-08-15 Exnii Metallorezh Stankov
US5136817A (en) * 1990-02-28 1992-08-11 Nihon Dempa Kogyo Co., Ltd. Automatic lapping apparatus for piezoelectric materials
JPH0424943A (ja) * 1990-05-15 1992-01-28 Mitsubishi Electric Corp ウエハチャック
US5096550A (en) * 1990-10-15 1992-03-17 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Method and apparatus for spatially uniform electropolishing and electrolytic etching
US5217586A (en) * 1992-01-09 1993-06-08 International Business Machines Corporation Electrochemical tool for uniform metal removal during electropolishing
US5225034A (en) * 1992-06-04 1993-07-06 Micron Technology, Inc. Method of chemical mechanical polishing predominantly copper containing metal layers in semiconductor processing
BR9306604A (pt) * 1992-06-26 1998-12-08 Gillette Co Caneta esferográfica e processo de variar a quantidade de fluxo de tinta da mesma
US5562529A (en) * 1992-10-08 1996-10-08 Fujitsu Limited Apparatus and method for uniformly polishing a wafer
US5534106A (en) * 1994-07-26 1996-07-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Apparatus for processing semiconductor wafers
US5567300A (en) * 1994-09-02 1996-10-22 Ibm Corporation Electrochemical metal removal technique for planarization of surfaces
US6017265A (en) * 1995-06-07 2000-01-25 Rodel, Inc. Methods for using polishing pads
US5486282A (en) * 1994-11-30 1996-01-23 Ibm Corporation Electroetching process for seed layer removal in electrochemical fabrication of wafers
US5893796A (en) * 1995-03-28 1999-04-13 Applied Materials, Inc. Forming a transparent window in a polishing pad for a chemical mechanical polishing apparatus
US6024630A (en) * 1995-06-09 2000-02-15 Applied Materials, Inc. Fluid-pressure regulated wafer polishing head
US5804507A (en) * 1995-10-27 1998-09-08 Applied Materials, Inc. Radially oscillating carousel processing system for chemical mechanical polishing
US5738574A (en) * 1995-10-27 1998-04-14 Applied Materials, Inc. Continuous processing system for chemical mechanical polishing
JPH09293684A (ja) * 1996-04-25 1997-11-11 Toshiba Corp 熱処理用治具
US5871392A (en) * 1996-06-13 1999-02-16 Micron Technology, Inc. Under-pad for chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers
US6056851A (en) * 1996-06-24 2000-05-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Slurry supply system for chemical mechanical polishing
US6183354B1 (en) * 1996-11-08 2001-02-06 Applied Materials, Inc. Carrier head with a flexible membrane for a chemical mechanical polishing system
US6082950A (en) * 1996-11-18 2000-07-04 Applied Materials, Inc. Front end wafer staging with wafer cassette turntables and on-the-fly wafer center finding
FR2758285B3 (fr) * 1997-01-13 1998-12-04 Struers As Procede de fixation d'un agent abrasif ou de polissage, sous forme de feuille, sur un support magnetique
US6020264A (en) * 1997-01-31 2000-02-01 International Business Machines Corporation Method and apparatus for in-line oxide thickness determination in chemical-mechanical polishing
US5938801A (en) * 1997-02-12 1999-08-17 Micron Technology, Inc. Polishing pad and a method for making a polishing pad with covalently bonded particles
US5955858A (en) * 1997-02-14 1999-09-21 Applied Materials, Inc. Mechanically clamping robot wrist
US5911619A (en) * 1997-03-26 1999-06-15 International Business Machines Corporation Apparatus for electrochemical mechanical planarization
US5807165A (en) * 1997-03-26 1998-09-15 International Business Machines Corporation Method of electrochemical mechanical planarization
US5990010A (en) * 1997-04-08 1999-11-23 Lsi Logic Corporation Pre-conditioning polishing pads for chemical-mechanical polishing
JPH10329007A (ja) * 1997-05-28 1998-12-15 Sony Corp 化学的機械研磨装置
US5931719A (en) * 1997-08-25 1999-08-03 Lsi Logic Corporation Method and apparatus for using pressure differentials through a polishing pad to improve performance in chemical mechanical polishing
US6033293A (en) * 1997-10-08 2000-03-07 Lucent Technologies Inc. Apparatus for performing chemical-mechanical polishing
US6103096A (en) * 1997-11-12 2000-08-15 International Business Machines Corporation Apparatus and method for the electrochemical etching of a wafer
US6171467B1 (en) * 1997-11-25 2001-01-09 The John Hopkins University Electrochemical-control of abrasive polishing and machining rates
JP3523197B2 (ja) * 1998-02-12 2004-04-26 エーシーエム リサーチ，インコーポレイティド メッキ設備及び方法
US6004880A (en) * 1998-02-20 1999-12-21 Lsi Logic Corporation Method of single step damascene process for deposition and global planarization
US6210257B1 (en) * 1998-05-29 2001-04-03 Micron Technology, Inc. Web-format polishing pads and methods for manufacturing and using web-format polishing pads in mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates
US6201901B1 (en) * 1998-06-01 2001-03-13 Matsushita Electronic Industrial Co., Ltd. Border-less clock free two-dimensional barcode and method for printing and reading the same
US6395152B1 (en) * 1998-07-09 2002-05-28 Acm Research, Inc. Methods and apparatus for electropolishing metal interconnections on semiconductor devices
US6447668B1 (en) * 1998-07-09 2002-09-10 Acm Research, Inc. Methods and apparatus for end-point detection
US6248222B1 (en) * 1998-09-08 2001-06-19 Acm Research, Inc. Methods and apparatus for holding and positioning semiconductor workpieces during electropolishing and/or electroplating of the workpieces
US6176992B1 (en) * 1998-11-03 2001-01-23 Nutool, Inc. Method and apparatus for electro-chemical mechanical deposition
US6541381B2 (en) * 1998-11-06 2003-04-01 Beaver Creek Concepts Inc Finishing method for semiconductor wafers using a lubricating boundary layer
JP3477384B2 (ja) * 1998-11-27 2003-12-10 シャープ株式会社 光磁気記録媒体
US6726823B1 (en) * 1998-11-28 2004-04-27 Acm Research, Inc. Methods and apparatus for holding and positioning semiconductor workpieces during electropolishing and/or electroplating of the workpieces
US6251235B1 (en) * 1999-03-30 2001-06-26 Nutool, Inc. Apparatus for forming an electrical contact with a semiconductor substrate
US6413388B1 (en) * 2000-02-23 2002-07-02 Nutool Inc. Pad designs and structures for a versatile materials processing apparatus
US6409904B1 (en) * 1998-12-01 2002-06-25 Nutool, Inc. Method and apparatus for depositing and controlling the texture of a thin film
US6077337A (en) * 1998-12-01 2000-06-20 Intel Corporation Chemical-mechanical polishing slurry
US6328872B1 (en) * 1999-04-03 2001-12-11 Nutool, Inc. Method and apparatus for plating and polishing a semiconductor substrate
JP2000183146A (ja) * 1998-12-18 2000-06-30 Ibiden Co Ltd 静電チャック
US6244935B1 (en) * 1999-02-04 2001-06-12 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for chemical mechanical polishing with an advanceable polishing sheet
US6066030A (en) * 1999-03-04 2000-05-23 International Business Machines Corporation Electroetch and chemical mechanical polishing equipment
US6238592B1 (en) * 1999-03-10 2001-05-29 3M Innovative Properties Company Working liquids and methods for modifying structured wafers suited for semiconductor fabrication
GB2347784B (en) * 1999-03-11 2004-02-11 Applied Materials Inc Scanning wheel for ion implantation process chamber
US6431968B1 (en) * 1999-04-22 2002-08-13 Applied Materials, Inc. Carrier head with a compressible film
US6238271B1 (en) * 1999-04-30 2001-05-29 Speed Fam-Ipec Corp. Methods and apparatus for improved polishing of workpieces
US20020077037A1 (en) * 1999-05-03 2002-06-20 Tietz James V. Fixed abrasive articles
US6261168B1 (en) * 1999-05-21 2001-07-17 Lam Research Corporation Chemical mechanical planarization or polishing pad with sections having varied groove patterns
JP2000353737A (ja) * 1999-06-14 2000-12-19 Toray Ind Inc 基板整列装置
US6381169B1 (en) * 1999-07-01 2002-04-30 The Regents Of The University Of California High density non-volatile memory device
US6234870B1 (en) * 1999-08-24 2001-05-22 International Business Machines Corporation Serial intelligent electro-chemical-mechanical wafer processor
US6406363B1 (en) * 1999-08-31 2002-06-18 Lam Research Corporation Unsupported chemical mechanical polishing belt
US6520843B1 (en) * 1999-10-27 2003-02-18 Strasbaugh High planarity chemical mechanical planarization
US6551179B1 (en) * 1999-11-05 2003-04-22 Strasbaugh Hard polishing pad for chemical mechanical planarization
US6569004B1 (en) * 1999-12-30 2003-05-27 Lam Research Polishing pad and method of manufacture
US6368184B1 (en) * 2000-01-06 2002-04-09 Advanced Micro Devices, Inc. Apparatus for determining metal CMP endpoint using integrated polishing pad electrodes
US6630059B1 (en) * 2000-01-14 2003-10-07 Nutool, Inc. Workpeice proximity plating apparatus
US7066800B2 (en) * 2000-02-17 2006-06-27 Applied Materials Inc. Conductive polishing article for electrochemical mechanical polishing
US6537144B1 (en) * 2000-02-17 2003-03-25 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for enhanced CMP using metals having reductive properties
JP2001269862A (ja) * 2000-03-27 2001-10-02 Toshiba Corp 研磨パッド、研磨装置及び研磨方法
US6261959B1 (en) * 2000-03-31 2001-07-17 Lam Research Corporation Method and apparatus for chemically-mechanically polishing semiconductor wafers
US6402591B1 (en) * 2000-03-31 2002-06-11 Lam Research Corporation Planarization system for chemical-mechanical polishing
US6428394B1 (en) * 2000-03-31 2002-08-06 Lam Research Corporation Method and apparatus for chemical mechanical planarization and polishing of semiconductor wafers using a continuous polishing member feed
US7112121B2 (en) * 2000-08-30 2006-09-26 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for electrical, mechanical and/or chemical removal of conductive material from a microelectronic substrate
US7160176B2 (en) * 2000-08-30 2007-01-09 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for electrically and/or chemically-mechanically removing conductive material from a microelectronic substrate
JP2002093761A (ja) * 2000-09-19 2002-03-29 Sony Corp 研磨方法、研磨装置、メッキ方法およびメッキ装置
US6572463B1 (en) * 2000-12-27 2003-06-03 Lam Research Corp. Methods for making reinforced wafer polishing pads utilizing direct casting and apparatuses implementing the same
US6561889B1 (en) * 2000-12-27 2003-05-13 Lam Research Corporation Methods for making reinforced wafer polishing pads and apparatuses implementing the same
US6736952B2 (en) * 2001-02-12 2004-05-18 Speedfam-Ipec Corporation Method and apparatus for electrochemical planarization of a workpiece
WO2002070200A1 (en) * 2001-03-01 2002-09-12 Cabot Microelectronics Corporation Method for manufacturing a polishing pad having a compressed translucent region
US6811680B2 (en) * 2001-03-14 2004-11-02 Applied Materials Inc. Planarization of substrates using electrochemical mechanical polishing
US6899804B2 (en) * 2001-12-21 2005-05-31 Applied Materials, Inc. Electrolyte composition and treatment for electrolytic chemical mechanical polishing
US6479962B2 (en) * 2001-03-16 2002-11-12 Hewlett-Packard Company In-device charging system and method for multi-chemistry battery systems
US6517426B2 (en) * 2001-04-05 2003-02-11 Lam Research Corporation Composite polishing pad for chemical-mechanical polishing
KR20030015567A (ko) * 2001-08-16 2003-02-25 에스케이에버텍 주식회사 웨이브 형태의 그루브가 형성된 화학적 기계적 연마패드
US6776693B2 (en) * 2001-12-19 2004-08-17 Applied Materials Inc. Method and apparatus for face-up substrate polishing
JP2003239952A (ja) * 2002-02-12 2003-08-27 Takai Corporation:Kk 確実に回転するボールを持ったツバ付きボールプランジャー
US6917755B2 (en) * 2003-02-27 2005-07-12 Applied Materials, Inc. Substrate support

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7651079B2 (en) 2005-07-29 2010-01-26 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Substrate support plate transfer apparatus for fabricating organic light emitting display

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