JPH09293684A - 熱処理用治具 - Google Patents
熱処理用治具Info
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- JPH09293684A JPH09293684A JP10529996A JP10529996A JPH09293684A JP H09293684 A JPH09293684 A JP H09293684A JP 10529996 A JP10529996 A JP 10529996A JP 10529996 A JP10529996 A JP 10529996A JP H09293684 A JPH09293684 A JP H09293684A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 加熱時にシリコンウェーハに生じる接触応力
や摩擦力を低減し、シリコンウェーハ材料特性や信頼性
を維持しうる熱処理用治具を提供する。 【解決手段】 本発明の熱処理用治具は、軸に垂直な支
持部１３Ａ〜１６Ａを所定間隔で備えた複数の支柱１３
〜１６を、支持部が円板状の半導体ウェーハ２の周縁部
に係合するようにかつ各軸が鉛直方向に平行になるよう
に配設したものであって、各支持部に、半導体ウェーハ
の熱処理時の変形を吸収する可動支持体３を備えたこと
を特徴とする。また本発明の熱処理用治具は、軸に垂直
な支持部１１３Ａ〜１１６Ａを所定間隔で備えた複数の
支柱１１３〜１１６を、支持部が円板状の半導体ウェー
ハ２の周縁部に係合するようにかつ各軸が水平方向に平
行になるように配設したものであって、各支持部に、半
導体ウェーハの外縁に係合してウェーハ表面の熱処理時
の変化に追随する可動支持体３０を備えたことを特徴と
する。
や摩擦力を低減し、シリコンウェーハ材料特性や信頼性
を維持しうる熱処理用治具を提供する。 【解決手段】 本発明の熱処理用治具は、軸に垂直な支
持部１３Ａ〜１６Ａを所定間隔で備えた複数の支柱１３
〜１６を、支持部が円板状の半導体ウェーハ２の周縁部
に係合するようにかつ各軸が鉛直方向に平行になるよう
に配設したものであって、各支持部に、半導体ウェーハ
の熱処理時の変形を吸収する可動支持体３を備えたこと
を特徴とする。また本発明の熱処理用治具は、軸に垂直
な支持部１１３Ａ〜１１６Ａを所定間隔で備えた複数の
支柱１１３〜１１６を、支持部が円板状の半導体ウェー
ハ２の周縁部に係合するようにかつ各軸が水平方向に平
行になるように配設したものであって、各支持部に、半
導体ウェーハの外縁に係合してウェーハ表面の熱処理時
の変化に追随する可動支持体３０を備えたことを特徴と
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、被処理体、特に円
板状のウェーハに対して熱処理を施す際に、被処理体を
支持する熱処理用治具に関する。
板状のウェーハに対して熱処理を施す際に、被処理体を
支持する熱処理用治具に関する。
【０００２】
【従来の技術】図６（ａ），（ｂ）を参照して、縦型拡
散炉に用いられる従来の熱処理用治具を説明する。図６
（ａ）は従来の縦型拡散炉に用いられる熱処理用治具を
示す正面図であり、図６（ｂ）はそのうち支柱部分の構
成を示す斜視図である。
散炉に用いられる従来の熱処理用治具を説明する。図６
（ａ）は従来の縦型拡散炉に用いられる熱処理用治具を
示す正面図であり、図６（ｂ）はそのうち支柱部分の構
成を示す斜視図である。
【０００３】図示するように、この熱処理用治具１は石
英やシリコン等から構成され、上下にそれぞれ対向して
配置された円形の天井板１１及び底面板１２の間に、例
えば鉛直方向に各軸が平行に配置された４本の支柱１３
〜１６が設けられている。各支柱１３〜１６の間には、
複数のシリコンウェーハ２を挿入し、シリコンウェーハ
２の周縁部を下から支えるように、切欠部１３Ａ〜１６
Ａ，１３Ｂ〜１６Ｂ，………が備えられている。そのた
め、各支柱１３〜１６はシリコンウェーハ２の外周に位
置している。支柱１３及び支柱１６はほぼシリコンウェ
ーハ２の直径に相当する所に位置し、支柱１４及び支柱
１５は支柱１３及び支柱１６の間のシリコンウェーハ２
の外周部に位置している。また、切欠部１３Ａ〜１６
Ａ，１３Ｂ〜１６Ｂ，………は、シリコンウェーハ２の
外縁部の一部を下から面支持できるように、切欠状にな
っており、その切欠方向はシリコンウェーハ２の外周の
接線方向である。
英やシリコン等から構成され、上下にそれぞれ対向して
配置された円形の天井板１１及び底面板１２の間に、例
えば鉛直方向に各軸が平行に配置された４本の支柱１３
〜１６が設けられている。各支柱１３〜１６の間には、
複数のシリコンウェーハ２を挿入し、シリコンウェーハ
２の周縁部を下から支えるように、切欠部１３Ａ〜１６
Ａ，１３Ｂ〜１６Ｂ，………が備えられている。そのた
め、各支柱１３〜１６はシリコンウェーハ２の外周に位
置している。支柱１３及び支柱１６はほぼシリコンウェ
ーハ２の直径に相当する所に位置し、支柱１４及び支柱
１５は支柱１３及び支柱１６の間のシリコンウェーハ２
の外周部に位置している。また、切欠部１３Ａ〜１６
Ａ，１３Ｂ〜１６Ｂ，………は、シリコンウェーハ２の
外縁部の一部を下から面支持できるように、切欠状にな
っており、その切欠方向はシリコンウェーハ２の外周の
接線方向である。
【０００４】複数のシリコンウェーハ２が挿入された熱
処理用治具１は、そのまま縦型拡散炉（図示せず）に挿
入され、例えば数百〜千数百°Ｃまで加熱され、必要な
処理が行われる。
処理用治具１は、そのまま縦型拡散炉（図示せず）に挿
入され、例えば数百〜千数百°Ｃまで加熱され、必要な
処理が行われる。
【０００５】次に、図８（ａ），（ｂ）を参照して、横
型拡散炉に用いられる従来の熱処理用治具を説明する。
図８（ａ）は従来の横型拡散炉に用いられる熱処理用治
具を示す平面図であり、図８（ｂ）はそのうち支柱部分
の構成を示す斜視図である。
型拡散炉に用いられる従来の熱処理用治具を説明する。
図８（ａ）は従来の横型拡散炉に用いられる熱処理用治
具を示す平面図であり、図８（ｂ）はそのうち支柱部分
の構成を示す斜視図である。
【０００６】図示するように、この熱処理用治具１００
は石英やシリコン等から構成され、左右にそれぞれ対向
して垂直に配置された円形の底面板１１１，１１２の間
に、水平方向に各軸が平行に配置された例えば４本の支
柱１１３〜１１６が設けられている。各支柱１１３〜１
１６の間には、複数のシリコンウェーハ２を垂直に挿入
し、シリコンウェーハ２の下側の周縁部を支えるよう
に、切欠部１１３Ａ〜１１６Ａ，１１３Ｂ〜１１６Ｂ，
………が備えられている。そのため、各支柱１１３〜１
１６はシリコンウェーハ２の下半分の外周に位置し、支
柱１１３及び支柱１１６はほぼシリコンウェーハ２の直
径に相当する所に位置し、支柱１４０及び支柱１１５は
支柱１１３及び支柱１１６の間のシリコンウェーハ２の
下側の外周部に位置している。また、切欠部１１３Ａ〜
１１６Ａ，１１３Ｂ〜１１６Ｂ，………は、シリコンウ
ェーハ２の外縁部の一部を支持できるように、切欠状に
なっており、その切欠方向はシリコンウェーハ２の外周
の接線方向である。
は石英やシリコン等から構成され、左右にそれぞれ対向
して垂直に配置された円形の底面板１１１，１１２の間
に、水平方向に各軸が平行に配置された例えば４本の支
柱１１３〜１１６が設けられている。各支柱１１３〜１
１６の間には、複数のシリコンウェーハ２を垂直に挿入
し、シリコンウェーハ２の下側の周縁部を支えるよう
に、切欠部１１３Ａ〜１１６Ａ，１１３Ｂ〜１１６Ｂ，
………が備えられている。そのため、各支柱１１３〜１
１６はシリコンウェーハ２の下半分の外周に位置し、支
柱１１３及び支柱１１６はほぼシリコンウェーハ２の直
径に相当する所に位置し、支柱１４０及び支柱１１５は
支柱１１３及び支柱１１６の間のシリコンウェーハ２の
下側の外周部に位置している。また、切欠部１１３Ａ〜
１１６Ａ，１１３Ｂ〜１１６Ｂ，………は、シリコンウ
ェーハ２の外縁部の一部を支持できるように、切欠状に
なっており、その切欠方向はシリコンウェーハ２の外周
の接線方向である。
【０００７】複数のシリコンウェーハ２が挿入された熱
処理用治具１は、そのまま横型拡散炉（図示せず）に挿
入され、例えば数百〜千数百°Ｃまで加熱され、必要な
処理が行われる。
処理用治具１は、そのまま横型拡散炉（図示せず）に挿
入され、例えば数百〜千数百°Ｃまで加熱され、必要な
処理が行われる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上述した縦型拡散炉に
用いられる従来の熱処理用治具では以下のような問題点
が生じる。
用いられる従来の熱処理用治具では以下のような問題点
が生じる。
【０００９】図７の切欠部１３Ａ付近の部分拡大図に示
すように、加熱前はシリコンウェーハ２と切欠部１３Ａ
の下面１７Ａとが一定の面積をもって接触していたのに
対して（図７（ａ）参照）、加熱に伴い降伏応力が小さ
くなるため、シリコンウェーハ２が自重により変形しや
すくなり、切欠部１３Ａの下面１７Ａとシリコンウェー
ハ２との接触面積が小さくなる場合（図７（ｂ）参
照）、シリコンウェーハ２に加わる接触応力が大きくな
る。
すように、加熱前はシリコンウェーハ２と切欠部１３Ａ
の下面１７Ａとが一定の面積をもって接触していたのに
対して（図７（ａ）参照）、加熱に伴い降伏応力が小さ
くなるため、シリコンウェーハ２が自重により変形しや
すくなり、切欠部１３Ａの下面１７Ａとシリコンウェー
ハ２との接触面積が小さくなる場合（図７（ｂ）参
照）、シリコンウェーハ２に加わる接触応力が大きくな
る。
【００１０】すなわち、室温に比べて高温下では、単結
晶シリコンの弾性率と降伏応力とはそれぞれ低くなる。
弾性率が低くなるとウェーハは変形しやすくなり、降伏
応力が低くなると転位（スリップ）が生じやすくなる。
そのため、シリコンウェーハの熱処理では、低弾性率化
によって、自重でもウェーハが変形するようになる。こ
の変形によって、切欠部１３Ａとシリコンウェーハ２と
の接触面積が小さくなり、シリコンウェーハ２に作用す
る局部の接触圧力は大きくなる。更に、降伏応力も低く
なるため、転位（スリップ）が生じやすくなる。
晶シリコンの弾性率と降伏応力とはそれぞれ低くなる。
弾性率が低くなるとウェーハは変形しやすくなり、降伏
応力が低くなると転位（スリップ）が生じやすくなる。
そのため、シリコンウェーハの熱処理では、低弾性率化
によって、自重でもウェーハが変形するようになる。こ
の変形によって、切欠部１３Ａとシリコンウェーハ２と
の接触面積が小さくなり、シリコンウェーハ２に作用す
る局部の接触圧力は大きくなる。更に、降伏応力も低く
なるため、転位（スリップ）が生じやすくなる。
【００１１】更に、シリコンウェーハ２の変形により切
欠部１３Ａとシリコンウェーハ２との接触点３０が移動
するため（図７（ｂ）参照）、シリコンウェーハ２に摩
擦力が生じる。
欠部１３Ａとシリコンウェーハ２との接触点３０が移動
するため（図７（ｂ）参照）、シリコンウェーハ２に摩
擦力が生じる。
【００１２】また、この接触応力や摩擦力は、支柱１３
〜１６、天井板１１、底面板１２、及びシリコンウェー
ハ２の熱変形動作がそれぞれ異なる場合、すなわちシリ
コンウェーハの最終的な熱処理温度における熱膨脹差が
異なる場合や、あるいは最終的な熱処理温度における熱
膨脹差が異ならないとしても、昇温中（あるいは降温
中）のある時点の温度において熱膨脹差が異なる場合
に、更に増大する。
〜１６、天井板１１、底面板１２、及びシリコンウェー
ハ２の熱変形動作がそれぞれ異なる場合、すなわちシリ
コンウェーハの最終的な熱処理温度における熱膨脹差が
異なる場合や、あるいは最終的な熱処理温度における熱
膨脹差が異ならないとしても、昇温中（あるいは降温
中）のある時点の温度において熱膨脹差が異なる場合
に、更に増大する。
【００１３】これら接触応力や摩擦力はシリコンウェー
ハ２にスリップやキズ、塵埃を生じさせ、これらのスリ
ップやキズはシリコンウェーハ２の材料特性や信頼性を
損う原因となる。
ハ２にスリップやキズ、塵埃を生じさせ、これらのスリ
ップやキズはシリコンウェーハ２の材料特性や信頼性を
損う原因となる。
【００１４】また、上述した横型拡散炉に用いられる従
来の熱処理用治具では以下のような問題点が生じる。
来の熱処理用治具では以下のような問題点が生じる。
【００１５】図９の切欠部１１４Ａ付近の部分拡大図に
示すように、加熱に伴い降伏応力が小さくなるため、シ
リコンウェーハ２が自重により横方向に変形しやすくな
る。この変形によって、シリコンウェーハ２が切欠部１
１４Ａに対して斜めになり、シリコンウェーハ２と切欠
部１１４Ａとの接触面積が小さくなり（図９参照）、シ
リコンウェーハ２に加わる接触応力が大きくなる。
示すように、加熱に伴い降伏応力が小さくなるため、シ
リコンウェーハ２が自重により横方向に変形しやすくな
る。この変形によって、シリコンウェーハ２が切欠部１
１４Ａに対して斜めになり、シリコンウェーハ２と切欠
部１１４Ａとの接触面積が小さくなり（図９参照）、シ
リコンウェーハ２に加わる接触応力が大きくなる。
【００１６】また、シリコンウェーハ２の変形により切
欠部１１４Ａとシリコンウェーハ２との接触点１３０が
移動するため、シリコンウェーハ２に摩擦力が生じる。
欠部１１４Ａとシリコンウェーハ２との接触点１３０が
移動するため、シリコンウェーハ２に摩擦力が生じる。
【００１７】また、この接触応力や摩擦力は、支柱１１
３〜１１６、底面板１１１，１１２、及びシリコンウェ
ーハ２の熱変形動作がそれぞれ異なる場合、すなわちシ
リコンウェーハの最終的な熱処理温度における熱膨脹差
が異なる場合や、あるいは最終的な熱処理温度における
熱膨脹差が異ならないとしても、昇温中（あるいは降温
中）のある時点の温度において熱膨脹差が異なる場合
に、更に増大する。
３〜１１６、底面板１１１，１１２、及びシリコンウェ
ーハ２の熱変形動作がそれぞれ異なる場合、すなわちシ
リコンウェーハの最終的な熱処理温度における熱膨脹差
が異なる場合や、あるいは最終的な熱処理温度における
熱膨脹差が異ならないとしても、昇温中（あるいは降温
中）のある時点の温度において熱膨脹差が異なる場合
に、更に増大する。
【００１８】これら接触応力や摩擦力は、前述した従来
の縦型拡散炉に用いられる熱処理用治具と同様に、シリ
コンウェーハ２にスリップやキズ、塵埃を生じさせ、こ
れらのスリップやキズはシリコンウェーハ２の材料特性
や信頼性を損う原因となる。
の縦型拡散炉に用いられる熱処理用治具と同様に、シリ
コンウェーハ２にスリップやキズ、塵埃を生じさせ、こ
れらのスリップやキズはシリコンウェーハ２の材料特性
や信頼性を損う原因となる。
【００１９】そこで本発明の目的は、加熱時にシリコン
ウェーハに生じる接触応力や摩擦力を低減し、シリコン
ウェーハ材料特性や信頼性を維持しうる熱処理用治具を
提供することである。
ウェーハに生じる接触応力や摩擦力を低減し、シリコン
ウェーハ材料特性や信頼性を維持しうる熱処理用治具を
提供することである。
【００２０】
【課題を解決するための手段】本発明の熱処理用治具
は、軸に垂直な支持部を所定間隔で備えた複数の支柱
を、支持部が円板状の半導体ウェーハの周縁部と係合す
るようにかつ各軸が鉛直方向に平行になるように配設し
たものであって、各支持部に、半導体ウェーハの熱処理
時の変形を吸収する可動支持体を備えたことを特徴とす
る。
は、軸に垂直な支持部を所定間隔で備えた複数の支柱
を、支持部が円板状の半導体ウェーハの周縁部と係合す
るようにかつ各軸が鉛直方向に平行になるように配設し
たものであって、各支持部に、半導体ウェーハの熱処理
時の変形を吸収する可動支持体を備えたことを特徴とす
る。
【００２１】このように半導体ウェーハを支持する可動
支持体が、半導体ウェーハの変形を吸収するように動く
ため、半導体ウェーハに生じる接触応力や摩擦力を低減
することができる。
支持体が、半導体ウェーハの変形を吸収するように動く
ため、半導体ウェーハに生じる接触応力や摩擦力を低減
することができる。
【００２２】本発明の熱処理用治具は、可動支持体が球
状あるいは略円筒状の形状を有することを特徴とする。
状あるいは略円筒状の形状を有することを特徴とする。
【００２３】このように可動支持体が半導体ウェーハの
変形に合わせてその変形を吸収するように回転するた
め、半導体ウェーハに生じる接触応力や摩擦力を低減す
ることができる。
変形に合わせてその変形を吸収するように回転するた
め、半導体ウェーハに生じる接触応力や摩擦力を低減す
ることができる。
【００２４】本発明の熱処理用治具は、支持部の半導体
ウェーハの支持面に、可動支持体を所定の範囲に制限す
る凹部が形成されていることを特徴とする。
ウェーハの支持面に、可動支持体を所定の範囲に制限す
る凹部が形成されていることを特徴とする。
【００２５】このように、凹部を形成するため、可動支
持体を所定の範囲にとどめておくことが可能になる。
持体を所定の範囲にとどめておくことが可能になる。
【００２６】本発明の熱処理用治具は凹部の底面が前記
支持面と平行に形成されていることを特徴とする。
支持面と平行に形成されていることを特徴とする。
【００２７】このように、溝を形成するため可動支持体
を所定の範囲にとどめておくことが可能になる。
を所定の範囲にとどめておくことが可能になる。
【００２８】本発明の熱処理用治具は溝の底面が下に凸
状に形成されていることを特徴とする。
状に形成されていることを特徴とする。
【００２９】このように、溝の底面が下に凸状を有する
ため、可動支持体の位置決めをすることが可能になる。
ため、可動支持体の位置決めをすることが可能になる。
【００３０】本発明の熱処理用治具は、軸に垂直な支持
部を所定間隔で備えた複数の支柱を、支持部が円板状の
半導体ウェーハの周縁部と係合するようにかつ各軸が水
平方向に平行になるように配設したものであって、各支
持部に、半導体ウェーハの外縁に係合してウェーハ表面
の熱処理時の変化に追随する可動支持体を備えたことを
特徴とする。
部を所定間隔で備えた複数の支柱を、支持部が円板状の
半導体ウェーハの周縁部と係合するようにかつ各軸が水
平方向に平行になるように配設したものであって、各支
持部に、半導体ウェーハの外縁に係合してウェーハ表面
の熱処理時の変化に追随する可動支持体を備えたことを
特徴とする。
【００３１】このように、半導体ウェーハを支持する可
動支持体が、半導体ウェーハの変形に合わせて、その変
形を吸収するように動くため、半導体ウェーハに生じる
接触応力や摩擦力を低減することができる。
動支持体が、半導体ウェーハの変形に合わせて、その変
形を吸収するように動くため、半導体ウェーハに生じる
接触応力や摩擦力を低減することができる。
【００３２】本発明の熱処理用治具は、可動支持体が半
導体ウェーハの外縁の一部を囲み、半導体ウェーハの厚
さよりやや広い幅を有する支持口を備えたものであるこ
とを特徴とする。
導体ウェーハの外縁の一部を囲み、半導体ウェーハの厚
さよりやや広い幅を有する支持口を備えたものであるこ
とを特徴とする。
【００３３】このように、可動支持体が支持口を備えた
ため、半導体ウェーハが変形に伴い、その変形を吸収す
るように動くため、半導体ウェーハに生じる接触応力や
摩擦力をより低減することができる。
ため、半導体ウェーハが変形に伴い、その変形を吸収す
るように動くため、半導体ウェーハに生じる接触応力や
摩擦力をより低減することができる。
【００３４】
【発明の実施の形態】本発明は、縦型熱拡散炉及び横型
熱拡散炉に使用される熱処理用治具についてのものであ
るが、まず縦型熱拡散炉に使用される熱処理用治具につ
いて説明する。
熱拡散炉に使用される熱処理用治具についてのものであ
るが、まず縦型熱拡散炉に使用される熱処理用治具につ
いて説明する。
【００３５】以下、本発明に係る熱処理用治具の実施の
１形態を図１を参照して説明する。
１形態を図１を参照して説明する。
【００３６】図１（ａ）は、この形態による熱処理用治
具の１つの切欠部１３Ａ付近を示した部分正面図であ
り、図１（ｂ）は図１（ａ）の断面Ａ−Ａ′を矢印方向
から見た切欠部１３Ａの平面図である。
具の１つの切欠部１３Ａ付近を示した部分正面図であ
り、図１（ｂ）は図１（ａ）の断面Ａ−Ａ′を矢印方向
から見た切欠部１３Ａの平面図である。
【００３７】この形態による熱処理用治具の支柱の構成
は、従来の技術で説明したものと同様である。すなわ
ち、図６に示すように、熱処理用ボート１は、バッチ型
ボートであり、上下にそれぞれ対向して配置された円形
の天井板１１及び底面板１２の間に、例えば４本の支柱
１３〜１６が設けられている。
は、従来の技術で説明したものと同様である。すなわ
ち、図６に示すように、熱処理用ボート１は、バッチ型
ボートであり、上下にそれぞれ対向して配置された円形
の天井板１１及び底面板１２の間に、例えば４本の支柱
１３〜１６が設けられている。
【００３８】各支柱１３〜１６の間には、複数のシリコ
ンウェーハ２が挿入され、シリコンウェーハ２の周縁部
を下から間接的に支えるように、切欠部１３Ａ〜１６
Ａ，１３Ｂ〜１６Ｂ，………が備えられている。そのた
め、各支柱１３〜１６はシリコンウェーハ２の外周に位
置し、支柱１３及び支柱１６は、ほぼシリコンウェーハ
２の直径に相当する所に位置し、支柱１４及び支柱１５
は支柱１３及び支柱１６の間のシリコンウェーハ２の外
周部に位置している。
ンウェーハ２が挿入され、シリコンウェーハ２の周縁部
を下から間接的に支えるように、切欠部１３Ａ〜１６
Ａ，１３Ｂ〜１６Ｂ，………が備えられている。そのた
め、各支柱１３〜１６はシリコンウェーハ２の外周に位
置し、支柱１３及び支柱１６は、ほぼシリコンウェーハ
２の直径に相当する所に位置し、支柱１４及び支柱１５
は支柱１３及び支柱１６の間のシリコンウェーハ２の外
周部に位置している。
【００３９】熱処理用治具１は、図１（ａ），（ｂ）に
示すように切欠部１３Ａの下面１７Ａにシリコンウェー
ハ２を支持する例えば球状の可動支持体３が載置されて
いる。更に可動支持体３を所定の範囲にとどめるため、
底面が平らである凹部２０が形成されている。このよう
な可動支持体３及び凹部２０は各切欠部毎に設けられて
いる。
示すように切欠部１３Ａの下面１７Ａにシリコンウェー
ハ２を支持する例えば球状の可動支持体３が載置されて
いる。更に可動支持体３を所定の範囲にとどめるため、
底面が平らである凹部２０が形成されている。このよう
な可動支持体３及び凹部２０は各切欠部毎に設けられて
いる。
【００４０】この形態では、シリコンウェーハ２が自重
により変形する時や加熱により変形する時でも、その変
形に伴い可動支持体３が凹部２０の内部で自在に転がる
ことができるため、シリコンウェーハ２と可動支持体３
との接触部分に生じる摩擦を避けることができる。
により変形する時や加熱により変形する時でも、その変
形に伴い可動支持体３が凹部２０の内部で自在に転がる
ことができるため、シリコンウェーハ２と可動支持体３
との接触部分に生じる摩擦を避けることができる。
【００４１】更に可動支持体３は球状の形態を有してい
るため、シリコンウェーハ２と可動支持体３との接触部
分が移動しても、その接触部分の面積が変化しないた
め、接触応力は増大しない。
るため、シリコンウェーハ２と可動支持体３との接触部
分が移動しても、その接触部分の面積が変化しないた
め、接触応力は増大しない。
【００４２】ここで、実際に直径２０ｃｍ、厚さ０．７
２５ｍｍのシリコンウェーハを、この形態のように炭化
珪素からなる直径１０ｍｍの球状の可動支持体に載置し
て、１２００度Ｃの水素雰囲気の縦型拡散炉に入れて１
時間の熱処理を施した。また、比較のため従来のような
切欠部の下面で直接シリコンウェーハを支持する熱処理
用治具を使用して、直径２０ｃｍ、厚さ０．７２５ｍｍ
のシリコンウェーハを、１２００度Ｃの水素雰囲気の縦
型拡散炉に入れて１時間の熱処理を施した。
２５ｍｍのシリコンウェーハを、この形態のように炭化
珪素からなる直径１０ｍｍの球状の可動支持体に載置し
て、１２００度Ｃの水素雰囲気の縦型拡散炉に入れて１
時間の熱処理を施した。また、比較のため従来のような
切欠部の下面で直接シリコンウェーハを支持する熱処理
用治具を使用して、直径２０ｃｍ、厚さ０．７２５ｍｍ
のシリコンウェーハを、１２００度Ｃの水素雰囲気の縦
型拡散炉に入れて１時間の熱処理を施した。
【００４３】両方の熱処理用治具を使用して加熱したシ
リコンウェーハに発生したスリップ率を比較した（図１
０の図表を参照）。従来の熱処理用治具を使用した場合
（スリップ発生率１００）に比べ、この形態による熱処
理用治具を使用した場合（スリップ発生率１０）の方
が、大幅にスリップの発生率を防止できた。
リコンウェーハに発生したスリップ率を比較した（図１
０の図表を参照）。従来の熱処理用治具を使用した場合
（スリップ発生率１００）に比べ、この形態による熱処
理用治具を使用した場合（スリップ発生率１０）の方
が、大幅にスリップの発生率を防止できた。
【００４４】なお、この可動支持体は転がる形状のもの
であればよく、例えば略円筒状の形状であってもかまわ
ない。
であればよく、例えば略円筒状の形状であってもかまわ
ない。
【００４５】次に、本発明に係る熱処理用治具の実施の
別の形態を図２を参照して説明する。
別の形態を図２を参照して説明する。
【００４６】図２（ａ）は、熱処理用治具の１つの切欠
部１３Ａ付近を示した部分正面図であり、図２（ｂ）は
図２（ａ）の断面Ｂ−Ｂ′を矢印方向から見た切欠部１
３Ａの平面図である。
部１３Ａ付近を示した部分正面図であり、図２（ｂ）は
図２（ａ）の断面Ｂ−Ｂ′を矢印方向から見た切欠部１
３Ａの平面図である。
【００４７】この形態は、可動支持体３を所定の範囲に
とどめるための凹部２０ａの底面を下に凸の形状となる
ように形成することにより、シリコンウェーハを搭載し
ていない時に、可動支持体３の位置出しができるように
している。このような可動支持体３及び凹部２０ａは各
切欠部毎に設けられている。
とどめるための凹部２０ａの底面を下に凸の形状となる
ように形成することにより、シリコンウェーハを搭載し
ていない時に、可動支持体３の位置出しができるように
している。このような可動支持体３及び凹部２０ａは各
切欠部毎に設けられている。
【００４８】この熱処理用治具も、前述した実施の形態
と同様に、シリコンウェーハ２が自重により変形する時
や加熱により変形する時でも、その変形に伴い可動支持
体３が凹部２０ａの内部で自在に転がることができるた
め、シリコンウェーハ２と可動支持体３との接触部分に
生じる摩擦を避けることができる。
と同様に、シリコンウェーハ２が自重により変形する時
や加熱により変形する時でも、その変形に伴い可動支持
体３が凹部２０ａの内部で自在に転がることができるた
め、シリコンウェーハ２と可動支持体３との接触部分に
生じる摩擦を避けることができる。
【００４９】また可動支持体３は球状の形態を有してい
るため、シリコンウェーハ２と可動支持体３との接触部
分が移動しても、その接触部分の面積が変化しないた
め、接触応力は増大しない。
るため、シリコンウェーハ２と可動支持体３との接触部
分が移動しても、その接触部分の面積が変化しないた
め、接触応力は増大しない。
【００５０】更に凹部２０ａが下に凸の形状を有してい
るため、シリコンウェーハ２の搭載前に可動支持体３を
常に安定位置に位置させることができる。
るため、シリコンウェーハ２の搭載前に可動支持体３を
常に安定位置に位置させることができる。
【００５１】ここで、実際に略半球状の凹部にこの形態
のように炭化珪素からなる直径１０ｍｍの球状の可動支
持体を置き、直径２０ｃｍ、厚さ０．７２５ｍｍのシリ
コンウェーハをこの可動支持体に載置して、１２００度
Ｃの水素雰囲気の縦型拡散炉に入れて１時間の熱処理を
施した。また、比較のため従来のような切欠部の下面で
直接シリコンウェーハを支持する熱処理用治具を使用し
て、直径２０ｃｍ、厚さ０．７２５ｍｍのシリコンウェ
ーハを、１２００度Ｃの水素雰囲気の縦型拡散炉に入れ
て１時間の熱処理を施した。
のように炭化珪素からなる直径１０ｍｍの球状の可動支
持体を置き、直径２０ｃｍ、厚さ０．７２５ｍｍのシリ
コンウェーハをこの可動支持体に載置して、１２００度
Ｃの水素雰囲気の縦型拡散炉に入れて１時間の熱処理を
施した。また、比較のため従来のような切欠部の下面で
直接シリコンウェーハを支持する熱処理用治具を使用し
て、直径２０ｃｍ、厚さ０．７２５ｍｍのシリコンウェ
ーハを、１２００度Ｃの水素雰囲気の縦型拡散炉に入れ
て１時間の熱処理を施した。
【００５２】両方の熱処理用治具を使用して加熱したシ
リコンウェーハに発生したスリップ率を比較した（図１
０の図表を参照）。従来の熱処理用治具を使用した場合
（スリップ発生率１００）に比べ、この形態による熱処
理用治具を使用した場合（スリップ発生率２０）の方
が、大幅にスリップの発生率を防止できた。
リコンウェーハに発生したスリップ率を比較した（図１
０の図表を参照）。従来の熱処理用治具を使用した場合
（スリップ発生率１００）に比べ、この形態による熱処
理用治具を使用した場合（スリップ発生率２０）の方
が、大幅にスリップの発生率を防止できた。
【００５３】なお、図３（ａ），（ｂ）に示すように、
凹部２０ｂの溝幅を球状の可動支持体３の直径より小さ
くすることにより、可動支持体３が径方向に対しては自
由に動けるようにする一方で、径方向以外に対しては動
きを拘束するようにすることができる。
凹部２０ｂの溝幅を球状の可動支持体３の直径より小さ
くすることにより、可動支持体３が径方向に対しては自
由に動けるようにする一方で、径方向以外に対しては動
きを拘束するようにすることができる。
【００５４】次に、本発明に係る熱処理用治具の実施の
形態を図４を参照して説明する。
形態を図４を参照して説明する。
【００５５】図４（ａ）は、熱処理用治具の１つの切欠
部１３Ａ付近を示した部分正面図であり、図４（ｂ）は
図４（ａ）の断面Ｃ−Ｃ′を矢印方向から見た切欠部１
３Ａの平面図である。
部１３Ａ付近を示した部分正面図であり、図４（ｂ）は
図４（ａ）の断面Ｃ−Ｃ′を矢印方向から見た切欠部１
３Ａの平面図である。
【００５６】図４（ａ），（ｂ）に示すように切欠部１
３Ａの下面１７Ａにはシリコンウェーハ２を面支持する
ガイド４が設けられ、ガイド４は支点４０を中心にして
その上面の水平面となす角度がある範囲で変化できるよ
うに軸着されている。このようなガイド４は各切欠部毎
に設けられている。
３Ａの下面１７Ａにはシリコンウェーハ２を面支持する
ガイド４が設けられ、ガイド４は支点４０を中心にして
その上面の水平面となす角度がある範囲で変化できるよ
うに軸着されている。このようなガイド４は各切欠部毎
に設けられている。
【００５７】この実施の形態では、シリコンウェーハ２
が変形する時でも、その変形を吸収するようにガイド４
が動くため、シリコンウェーハ２に生じる摩擦を避ける
ことができる。
が変形する時でも、その変形を吸収するようにガイド４
が動くため、シリコンウェーハ２に生じる摩擦を避ける
ことができる。
【００５８】またガイド４はシリコンウェーハ２を面で
支持するため、上述した形態に比較して、シリコンウェ
ーハ２に加わる応力集中を小さくすることができる。
支持するため、上述した形態に比較して、シリコンウェ
ーハ２に加わる応力集中を小さくすることができる。
【００５９】ここで、実際に直径２０ｃｍ、厚さ０．７
２５ｍｍのシリコンウェーハを、この形態のように炭化
珪素からなるガイドに載置して、１２００度Ｃの水素雰
囲気の縦型拡散炉に入れて１時間の熱処理を施した。ま
た、比較のために従来のような切欠部の下面で直接シリ
コンウェーハを支持する熱処理用治具を使用して、直径
２０ｃｍ、厚さ０．７２５ｍｍのシリコンウェーハを、
１２００度Ｃの水素雰囲気の縦型拡散炉に入れて１時間
の熱処理を施した。
２５ｍｍのシリコンウェーハを、この形態のように炭化
珪素からなるガイドに載置して、１２００度Ｃの水素雰
囲気の縦型拡散炉に入れて１時間の熱処理を施した。ま
た、比較のために従来のような切欠部の下面で直接シリ
コンウェーハを支持する熱処理用治具を使用して、直径
２０ｃｍ、厚さ０．７２５ｍｍのシリコンウェーハを、
１２００度Ｃの水素雰囲気の縦型拡散炉に入れて１時間
の熱処理を施した。
【００６０】両方の熱処理用治具を使用して加熱したシ
リコンウェーハに発生したスリップ率を比較した（図１
０の図表を参照）。従来の熱処理用治具を使用した場合
（スリップ発生率１００）に比べ、この形態による熱処
理用治具を使用した場合（スリップ発生率４０）の方
が、大幅にスリップの発生率を防止できた。
リコンウェーハに発生したスリップ率を比較した（図１
０の図表を参照）。従来の熱処理用治具を使用した場合
（スリップ発生率１００）に比べ、この形態による熱処
理用治具を使用した場合（スリップ発生率４０）の方
が、大幅にスリップの発生率を防止できた。
【００６１】次に、横型熱拡散炉に使用される熱処理用
治具について説明する。
治具について説明する。
【００６２】本発明に係る熱処理用治具の実施の形態を
図５を参照して説明する。
図５を参照して説明する。
【００６３】図５（ａ）は、熱処理用治具の１つの切欠
部１１３Ａ付近を示した部分正面図であり、図５（ｂ）
は図５（ａ）の断面Ｄ−Ｄ′を矢印方向から見た切欠部
１１４Ａの正面図である。
部１１３Ａ付近を示した部分正面図であり、図５（ｂ）
は図５（ａ）の断面Ｄ−Ｄ′を矢印方向から見た切欠部
１１４Ａの正面図である。
【００６４】この形態による熱処理用治具の支柱の構成
は、従来の技術で説明したものと同様である。すなわ
ち、図８に示すように、熱処理用ボート１００は、バッ
チ型ボートであり、左右にそれぞれ対向して配置された
円形の底面板１１１，１１２の間に、例えば４本の支柱
１１３〜１１６が水平方向に設けられている。
は、従来の技術で説明したものと同様である。すなわ
ち、図８に示すように、熱処理用ボート１００は、バッ
チ型ボートであり、左右にそれぞれ対向して配置された
円形の底面板１１１，１１２の間に、例えば４本の支柱
１１３〜１１６が水平方向に設けられている。
【００６５】各支柱１１３〜１１６の間には、複数のシ
リコンウェーハ２を垂直に挿入し、シリコンウェーハ２
の周縁部を支えるように、切欠部１１３Ａ〜１１６Ａ，
１１３Ｂ〜１１６Ｂ，………が備えられている。そのた
め、各支柱１１３〜１１６はシリコンウェーハ２の下半
分の外周に位置し、支柱１１３及び支柱１１６は、ほぼ
シリコンウェーハ２の直径に相当する所に位置し、支柱
１１４及び支柱１１５は支柱１１３及び支柱１１６の間
のシリコンウェーハ２の下側の外周部に位置している。
リコンウェーハ２を垂直に挿入し、シリコンウェーハ２
の周縁部を支えるように、切欠部１１３Ａ〜１１６Ａ，
１１３Ｂ〜１１６Ｂ，………が備えられている。そのた
め、各支柱１１３〜１１６はシリコンウェーハ２の下半
分の外周に位置し、支柱１１３及び支柱１１６は、ほぼ
シリコンウェーハ２の直径に相当する所に位置し、支柱
１１４及び支柱１１５は支柱１１３及び支柱１１６の間
のシリコンウェーハ２の下側の外周部に位置している。
【００６６】図５（ａ），（ｂ）に示すように切欠部１
１４Ａにはシリコンウェーハ２を支持する可動支持体３
０が設けられている。可動支持体３０は、シリコンウェ
ーハ２の変形を吸収するように、すなわち支点４０を中
心にしてシリコンウェーハ２の表面となす角度がある範
囲で変化できるように支柱１１４に軸着されている。可
動支持体３０のシリコンウェーハ２の支持部分には、シ
リコンウェーハ２の厚さよりやや幅が広い支持口４１が
形成されている。このような支持口４１を有する可動支
持体３０は各切欠部毎に設けられている。
１４Ａにはシリコンウェーハ２を支持する可動支持体３
０が設けられている。可動支持体３０は、シリコンウェ
ーハ２の変形を吸収するように、すなわち支点４０を中
心にしてシリコンウェーハ２の表面となす角度がある範
囲で変化できるように支柱１１４に軸着されている。可
動支持体３０のシリコンウェーハ２の支持部分には、シ
リコンウェーハ２の厚さよりやや幅が広い支持口４１が
形成されている。このような支持口４１を有する可動支
持体３０は各切欠部毎に設けられている。
【００６７】この実施の形態では、シリコンウェーハ２
が加熱により変形する時でも、シリコンウェーハ２の変
形に伴い、可動支持体３０がその変形を吸収するように
動くため、シリコンウェーハ２に生じる摩擦を避けるこ
とができる。更に、シリコンウェーハ２が変形しても、
シリコンウェーハ２と支持部とが面接触を保ち、また接
触応力も増加しない。
が加熱により変形する時でも、シリコンウェーハ２の変
形に伴い、可動支持体３０がその変形を吸収するように
動くため、シリコンウェーハ２に生じる摩擦を避けるこ
とができる。更に、シリコンウェーハ２が変形しても、
シリコンウェーハ２と支持部とが面接触を保ち、また接
触応力も増加しない。
【００６８】ここで、実際に直径２０ｃｍ、厚さ０．７
２５ｍｍのシリコンウェーハを、この形態のように炭化
珪素からなる直径１０ｍｍの球状の可動支持体に載置し
て、１２００度Ｃの水素雰囲気の横型拡散炉に入れて１
時間の熱処理を施した。また、比較のために従来のよう
な切欠部の面で直接シリコンウェーハを支持する熱処理
用治具を使用して、直径２０ｃｍ、厚さ０．７２５ｍｍ
のシリコンウェーハを、１２００度Ｃの水素雰囲気の横
型拡散炉に入れて１時間の熱処理を施した。
２５ｍｍのシリコンウェーハを、この形態のように炭化
珪素からなる直径１０ｍｍの球状の可動支持体に載置し
て、１２００度Ｃの水素雰囲気の横型拡散炉に入れて１
時間の熱処理を施した。また、比較のために従来のよう
な切欠部の面で直接シリコンウェーハを支持する熱処理
用治具を使用して、直径２０ｃｍ、厚さ０．７２５ｍｍ
のシリコンウェーハを、１２００度Ｃの水素雰囲気の横
型拡散炉に入れて１時間の熱処理を施した。
【００６９】両方の熱処理用治具を使用し、加熱したシ
リコンウェーハに発生したスリップ率を比較した（図１
０の図表を参照）。従来の熱処理用治具を使用した場合
（スリップ発生率１００）に比べ、この形態による熱処
理用治具を使用した場合（スリップ発生率８５）の方
が、スリップの発生率を減少できた。
リコンウェーハに発生したスリップ率を比較した（図１
０の図表を参照）。従来の熱処理用治具を使用した場合
（スリップ発生率１００）に比べ、この形態による熱処
理用治具を使用した場合（スリップ発生率８５）の方
が、スリップの発生率を減少できた。
【００７０】なお、可動支持体はシリコンウェーハの平
面の変化を吸収できる態様ならどのようなものでもよ
い。
面の変化を吸収できる態様ならどのようなものでもよ
い。
【００７１】
【発明の効果】本発明によれば、加熱時にシリコンウェ
ーハに生じる接触応力や摩擦力を低減し、シリコンウェ
ーハ材料特性や信頼性を維持しうる熱処理用治具を提供
することができる。
ーハに生じる接触応力や摩擦力を低減し、シリコンウェ
ーハ材料特性や信頼性を維持しうる熱処理用治具を提供
することができる。
【図１】本発明の熱処理用治具による第１の実施の形態
を示す部分正面図及び断面Ａ−Ａ′を矢印方向から見た
平面図。
を示す部分正面図及び断面Ａ−Ａ′を矢印方向から見た
平面図。
【図２】本発明の熱処理用治具による第２の実施の形態
を示す部分正面図及び断面Ｂ−Ｂ′を矢印方向から見た
平面図。
を示す部分正面図及び断面Ｂ−Ｂ′を矢印方向から見た
平面図。
【図３】本発明の熱処理用治具による第２の実施の形態
を示す部分正面図及び断面Ａ−Ａ′を矢印方向から見た
平面図。
を示す部分正面図及び断面Ａ−Ａ′を矢印方向から見た
平面図。
【図４】本発明の熱処理用治具による第３の実施の形態
を示す部分正面図及び断面Ｃ−Ｃ′を矢印方向から見た
平面図。
を示す部分正面図及び断面Ｃ−Ｃ′を矢印方向から見た
平面図。
【図５】本発明の熱処理用治具による第４の実施の形態
を示す部分正面図及び断面Ｄ−Ｄ′を矢印方向から見た
正面図。
を示す部分正面図及び断面Ｄ−Ｄ′を矢印方向から見た
正面図。
【図６】従来の縦型拡散炉に用いられる熱処理用治具を
示す正面図及び支柱部分の構成を示す斜視図。
示す正面図及び支柱部分の構成を示す斜視図。
【図７】図６の切欠部付近を示す部分拡大図。
【図８】従来の横型拡散炉に用いられる熱処理用治具を
示す平面図及び支柱部分の構成を示す斜視図。
示す平面図及び支柱部分の構成を示す斜視図。
【図９】図８の切欠部付近を示す部分拡大図。
【図１０】従来の熱処理用治具及び本発明による熱処理
用治具を使用して熱処理した結果のスリップ発生率を示
す図表。
用治具を使用して熱処理した結果のスリップ発生率を示
す図表。
１，１００ 熱処理用治具 ２ シリコンウェーハ ３，３０ 可動支持体 ４ ガイド ２０，２０ａ 凹部 １３〜１６，１１３〜１１６ 支柱 １３Ａ〜１６Ａ，１１３Ａ〜１１６Ａ 切欠部
Claims (7)
- 【請求項１】軸に垂直な支持部を所定間隔で備えた複数
の支柱を、前記支持部が円板状の半導体ウェーハの周縁
部と係合するようにかつ各軸が鉛直方向に平行になるよ
うに配設した熱処理用治具において、 前記各支持部に、前記半導体ウェーハの熱処理時の変形
を吸収する可動支持体を備えたことを特徴とする熱処理
用治具。 - 【請求項２】前記可動支持体は球状あるいは略円筒状の
形状を有することを特徴とする請求項１に記載の熱処理
用治具。 - 【請求項３】前記支持部の半導体ウェーハの支持面に、
前記可動支持体を所定の範囲に制限する凹部が形成され
ていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載
の熱処理用治具。 - 【請求項４】前記凹部の底面が前記支持面と平行に形成
されていることを特徴とする請求項３に記載の熱処理用
治具。 - 【請求項５】前記凹部の底面が下に凸状に形成されてい
ることを特徴とする請求項３に記載の熱処理用治具。 - 【請求項６】軸に垂直な支持部を所定間隔で備えた複数
の支柱を、前記支持部が円板状の半導体ウェーハの周縁
部と係合するようにかつ各軸が水平方向に平行になるよ
うに配設した熱処理用治具において、 前記各支持部に、前記半導体ウェーハの外縁に係合して
ウェーハ表面の熱処理時の変化に追随する可動支持体を
備えたことを特徴とする熱処理用治具。 - 【請求項７】前記可動支持体は前記半導体ウェーハの外
縁の一部を囲み、前記半導体ウェーハの厚さよりやや広
い幅を有する支持口を備えたものであることを特徴とす
る請求項６に記載の熱処理用治具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10529996A JPH09293684A (ja) | 1996-04-25 | 1996-04-25 | 熱処理用治具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10529996A JPH09293684A (ja) | 1996-04-25 | 1996-04-25 | 熱処理用治具 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09293684A true JPH09293684A (ja) | 1997-11-11 |
Family
ID=14403823
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10529996A Pending JPH09293684A (ja) | 1996-04-25 | 1996-04-25 | 熱処理用治具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09293684A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003034473A3 (en) * | 2001-10-17 | 2003-07-31 | Applied Materials Inc | Substrate support |
| JP2004260191A (ja) * | 2003-02-27 | 2004-09-16 | Applied Materials Inc | 基板支持体 |
| JP2006511970A (ja) * | 2002-12-20 | 2006-04-06 | マトソン テクノロジー カナダ インコーポレイテッド | 工作物の支持及び熱処理の方法とシステム（関連出願のクロスリファレンス）本出願は２００２年１２月２０日提出の米国特許出願番号６０／４３４，６７０及び２００３年５月８日提出の米国仮出願番号６０／４６８，６５９による優先権の恩恵を請求する。これらの出願は、ここに引用することで本明細書に取り入れられるものである。 |
| JP2006222266A (ja) * | 2005-02-10 | 2006-08-24 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 熱処理ボートの評価方法 |
| JP2009272386A (ja) * | 2008-05-01 | 2009-11-19 | Sumco Corp | ウェーハ支持治具へのウェーハ支持方法 |
| US9070590B2 (en) | 2008-05-16 | 2015-06-30 | Mattson Technology, Inc. | Workpiece breakage prevention method and apparatus |
| JP2016139703A (ja) * | 2015-01-28 | 2016-08-04 | 株式会社島津製作所 | 基板支持具 |
-
1996
- 1996-04-25 JP JP10529996A patent/JPH09293684A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003034473A3 (en) * | 2001-10-17 | 2003-07-31 | Applied Materials Inc | Substrate support |
| JP2006511970A (ja) * | 2002-12-20 | 2006-04-06 | マトソン テクノロジー カナダ インコーポレイテッド | 工作物の支持及び熱処理の方法とシステム（関連出願のクロスリファレンス）本出願は２００２年１２月２０日提出の米国特許出願番号６０／４３４，６７０及び２００３年５月８日提出の米国仮出願番号６０／４６８，６５９による優先権の恩恵を請求する。これらの出願は、ここに引用することで本明細書に取り入れられるものである。 |
| US9627244B2 (en) | 2002-12-20 | 2017-04-18 | Mattson Technology, Inc. | Methods and systems for supporting a workpiece and for heat-treating the workpiece |
| JP2004260191A (ja) * | 2003-02-27 | 2004-09-16 | Applied Materials Inc | 基板支持体 |
| EP1511077A2 (en) * | 2003-02-27 | 2005-03-02 | Applied Materials, Inc. | Substrate support |
| EP1511077A3 (en) * | 2003-02-27 | 2006-08-23 | Applied Materials, Inc. | Substrate support |
| CN100353517C (zh) * | 2003-02-27 | 2007-12-05 | 应用材料公司 | 基片支撑件 |
| JP4640917B2 (ja) * | 2003-02-27 | 2011-03-02 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 基板支持体 |
| JP2006222266A (ja) * | 2005-02-10 | 2006-08-24 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 熱処理ボートの評価方法 |
| JP2009272386A (ja) * | 2008-05-01 | 2009-11-19 | Sumco Corp | ウェーハ支持治具へのウェーハ支持方法 |
| US9070590B2 (en) | 2008-05-16 | 2015-06-30 | Mattson Technology, Inc. | Workpiece breakage prevention method and apparatus |
| JP2016139703A (ja) * | 2015-01-28 | 2016-08-04 | 株式会社島津製作所 | 基板支持具 |
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