TW561490B - Methods and apparatus for storing memory test information - Google Patents
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本申請案宣告在35 U.S.C· § 119⑷之下 :6,789,標題為「錯誤儲存」,於讓铜8日提1 = 的美國專利的優先權,所有心在此—併附上作為 發明背景 以:將說明儲存?己憶體測試資訊之方法及裝置。特別是 要揭不,用於儲存具有備援記憶體電路之記憶體的記憶體 測試資訊之方法及裝置。 〜 傳統的记憶體測試方式同時涉及記憶體陣列中所有已失 敗記憶體位址的識別,以及那些記憶體位址中哪些位元已 失敗的識別。典型的記憶體測試牵涉到將各種不同的資料 圖案寫入记憶體之内,然後加以讀取,並將記憶體的輸 出與預期的值或圖案作比較^在預期和實際讀取到的記憶 體值之間的失配,儲存在一外部記憶圖中,通常位於記憶 體測試器本身内。 在所有測試圖案都已執行且失敗的位址(和位元)已識別 出來並加以儲存之後,測試器會根據已儲存的錯誤資料執 行修復分析,決定哪些失敗的位址列及/或行(或1/〇)的位元 (或單元),需要以可用的備援(或備份)記憶體單元取代,才 能使記憶體充份運作。失敗的記憶體資訊通常在所有記憶 體測試結束時進行分析。這允許修復演算法將所有失敗的 記憶體資訊列入考慮,以決定可最大化記憶體作業並以最 有效率方式使用備援記憶體單元之最佳修復結構。除此之 外,一次就把所有已失敗記憶體資訊列入考慮,也會使得 -4 - 本紙張尺度逍用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公釐)
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561490 A7 ____B7 五、發明説明(2 ) 某些無法修復的記憶體狀況提早辨識出來,而且在將有價 值的測試和修復時間浪費在無法修復情況之前,記憶體就 已放棄。 與最傳統測試器有關的限制,需要產生修復資訊並且動 態地使用。由於無效率地使用備援記憶體單元,所以會減 少整體的記憶體良率。在開發速度更快、密度更大的記憶 體時,這些限制也使得記憶體測試成為費用最昂貴且耗時 最冗長的程序。 例如,傳統記憶體測試器的處理時脈速度,通常比他們 平常所需測試的記憶體單元的作業頻率要慢很多。這相當 慢的時脈速度,就無法決定測試中的記憶體在正常作業速 度時,是否會正確地運作。而且,使用這些較慢的傳統測 試器,也無法在正常的作業速度下收集錯誤資訊。因此, 測試器必須能夠儲存大量的錯誤資料,並在「離線狀態」 執行修復演算法來分析這些大量的資料。利用傳統的測試 器’錯誤記憶體的數量必須和預期的失敗位元總數一樣 多。而且,當記憶體密度持續增加時,已受到限制的測試 器記憶體也必須增加,而且測試器的作業電力必須增加, 才能夠處理更複雜的修復演算法解決方案。 傳統測試器的另一個限制,是這類測試器通常僅有有限 的輸入/輸出(1/0)功能。當記憶體變得更密集的時候,測試 圮憶體所需的輸入/輸出數也必須增加。輸入/輸出有限制 的測試器,無法一次就測試完整個記憶體,需要測試程式 分割為一些較小的測試。記憶體測試的分割導致整體的測 -5 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 561490 A7 ~_ ---------67 五、發明説明(3 ) 試時間增加,更影響到記憶體產品的成本β 記憶體設計者已經利用内建的自動測試(或贿)技術解 決-些相關問題。藉由BIST,測試記憶體的圖案產生器, 如同記憶體士在同一半導體晶片(或晶圓)上製造出 來。這允許贿電路「以等速」測試記憶體,也消除因以 較作業速度測試記憶體而導致無法偵測出錯誤的疑慮。 除此之外’BISTf路也解決目前測試器在輸人/輸出方面有 限制的問題β 傳統㈣技術仍有限制存在。例如,大量的錯誤記憶體 仍必須與BIST電路整合,才能儲存失敗的記憶體資訊。並 且,額外的儲存和處理器資源必須合併至記憶體中,才能 執行該修復演算法流程。由於空間和處理器的限制,因此 只有數量有限的錯誤儲存和修復程式碼可以整合至bist設 汁中。S此,傳統的BIST技術繼續使用「快照方法」來偵 測已失敗記憶體的位置。it需要修復演算》「快速」處理 失敗的記憶體資訊,但是,如上曾討冑,這將導致記憶體 晶片上的備援記憶體單元不敷使用。 因此,需要有-種改良技術,用來儲存測試記憶體所產 生的失敗記憶體資訊,以減輕測試器儲存錯誤的負擔,並 降低修復演算法的複雜度,變成較簡單的工作。特定言之, 改良的技術還要能夠,僅儲存對完成分析及產生修^資訊 為必要之失敗記憶體資訊。 發明概要 因此,本發明的目標之一是要以有效率的方式在晶片上 -6 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(2i〇x297公梦y 561490 A7
儲存所有失敗的記憶體資訊4 1標則是以等速儲存所 有的失敗c憶體資訊。而又一目標是支援具有大量1/〇匯流 排記憶體的記憶體測試。再一目標是在啟始修復演算法之 則偵測某些楼法修復記憶體失敗條件。另—目標是要減少 修復演算法本身的複雜性。這些目標均由壓縮資訊之方法 及裝置來解決’其中m資訊與具有記憶體的失敗記憶體位 置有關。 根據-觀點’儲存記憶體測試資訊的方法包括以下步 驟:儲存在測試記憶體時所偵測到的失敗記憶體單元位置 和數量之相關資訊部份。當偵測到失敗的記憶體單元時, 該已儲存資訊會更新,以指示指定一第一型記憶體備份來 修復:失敗記憶體單元、指定—第二互補型記憶體備份來 修復孩失敗記憶體單元、或該記憶體無法修復。該第一型 記憶體備份對應到記憶體的—列和_行部份其中之一,該 第二互補型記憶體備份對應到記憶體的其他列和行部份。 根據相關的觀點,已儲存的資訊,可部份根據失敗記憶 體單元所位於之記憶體個別列或行部份内失敗記憶體單元 的數量是否超過可用的互補型記憶體備份數量,來加以更 新’以指不指定來修復該失敗記憶體單元的記憶體備份類 根據又-相關觀點,該資訊儲存在具有列和行部份的表 格中,表格的每—列和行部份都包括至少-位址/錯誤-計 數輸入資料對組,用以儲存失敗記憶體單元所位於之 體的個別列或行部份的位址’以及在記憶體的個別列或:
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561490 五、發明説明(5 ) 部份中所偵測到失敗記憶體單元的數量。 根據又一相關觀點,該方法進一步包括以下步驟ί :決定 在失敗記憶體單元所位於之記憶體的列和行位址至少其中 之一,以及儲存於表格内的位址輸入資料之間,是否存在 一匹配。 根據又一相關觀點,如果匹配存在,該方法進一步包括 以下步驟:如果成對的錯誤·計數輸入資料等於可用的互補 型記憶體備份的數量,則增加與該匹配的位址輸入資料成 對的錯誤·計數輸入資料。如果匹配同時存在於表袼中的列 和行部份,該方法進一步包括以下步驟:如果每一成對的 錯誤-計數輸入資料,小於可用的互補型記憶體備份的個別 數量,則增加與該匹配的位址輸入資料成對的錯誤-計數輸 入資料。 Μ 根據又一相關觀點,如果匹配存在於表格中的列和行 份其中之一,該方法進一步包括以下步驟:決定不包括 匹配的位址輸入資料的表格列或行部份是否已填滿。如 不包括該匹配位址輸入資料的表格列或行部 <分尚未填滿 該方法進-步包括以下步驟:如果成對的錯誤.計數輸入: 料,小於可用的互補型記憶體備份數量,則增加與該匹纟 的位址輸入資料成對的錯誤_計赵弘 , 尺 < 數輸入資料,並將位址Μ 誤·計數輸入資料對組加入到不句 、 4 4 I括该匹配位址輸入資3 的表格部份’該包括失敗記恃轉错— 双忑匕把早兀所位於之記憶體的; 或行邵伤位址的新增輸入資料對 不匹配表格中的位ί 輸入資料以及一的錯誤-計數。如 果不包括匹配位址輸入^
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料的表格列或行部份已填滿,則儲存在表格内的資訊會更 新,以指示該記憶體無法修復。 根據又一相關觀點,如果匹配不存在,該方法進一步包 括以下步驟··決定是否至少表格列和行部份其中之一已填 滿。如果表格列或行部份都未填滿,該方法進一步包括以 下步驟:將位址/錯誤-計數輸入資料對組加入到表格的列 及行部份,每一新增的輸入資料對組都包括失敗記憶體單 元所位於之記憶體的個別列或行部份的位址,以及一的錯 誤-計數。如果至少表格列和行部份其中之一為已填滿,則 儲存在表袼内的資訊會更新,以指示該記憶體無法修復。 根據又一相關觀點,如果某一類型的記憶體備份總數大 於互補型記憶體備份總數,則決定匹配是否存在的步驟包 括以下步驟:先比較對應到具有備份總數較多的記憶體備 份類型之記憶體列或行部份之位址與表袼内之位址輸入資 料之後,再比較對應到具有備份總數較少的記憶體備份類 型之記憶體列或行部份之位址與表格内之位址輸入資料。 根據又一相關觀點,如果第一和第二型的記憶體備份總 數相等,則決定匹配是否存在的步驟包括以下步驟··隨機 選擇失敗記憶體單元所位於之記憶體列和行部份的位址其 中之一,然後在比較隨機選擇的記憶體列或行部份之位址 與表格内的位址輸入資料之後,再比較非隨機選擇的記憶 體列或行部份之位址與表格内的位址輸入資料。 根據又一相關觀點,該方法進一步包括以下步驟··連結 包含在表格列部份内的位址/錯誤-計數輸入資料對組以及 -9 - 561490 五、發明説明(7 ) 包含在表格行部份内的相關位址/錯誤·計數輸入資料對 組。儲存唯一連結山的連結識別項輸入資料,加入到對應 具有備份總數較多的記憶體備份類型之表格列或行位部份 的每一位址/錯誤-計數對組,用以連結包含在表格列部份 内的位址/錯誤-計數輸入資料對組以及包含在表格行部份 内的相關位址/錯誤·計數輸入資料對組。唯一連結id的數 量等於具有備份總數較少類型的記憶體備份之數量。 、根據又一相關觀點,該表格表示至少第一型記憶體備份 之一與至少第二互補型記憶體備份之一相交的記憶體部 一此處要強調「包括」(comprises)及「包括」(_响叫) 等詞彙,在本專利申請案及申請專利範圍中,係用來指示 所述特徵、步驟或要件的存在,但並不用來排除一或多個 其他相關特徵、步驟、要件或其組合之群組的存在或加入。 圖式簡單說明 上述目標、特徵、和優點,藉由以下詳細說明及附圖將 更清楚,其中相同的參考數字代表類似或相同的元件,盆 中: ’、 圖1說明一般的錯誤儲存決策圖; 圖2Α和2Β說明使用可用的記憶體備份,對偵測到的記憶 體單元失敗之修復; Π ~ 圖3Α和3Β說明錯誤儲存表的列和行部份; 圖4A和4B說明偵測到有許多失敗記憶體位置之記憶體 的範例部份; 561490 A7 _— B7 五、發明説明~f~ - 圖5Α、5Β和5C說明圖4人和4Β所顯示記憶體範例部份的 錯誤儲存程序之各種不同階段; 圖6說明圖4Α和4Β所顯示的記憶體範例部份的修復; 圖7說明描述錯誤儲存程序範例具體實施例之最高階的 流程圖; 圖8說明只偵測到一個記憶體單元錯誤時,用於處理錯 誤的範例例行程序之流程圖·; 圖9說明偵測到一個以上的記憶體單元錯誤時,用於處 理錯誤的範例例行程序之流程圖;以及 圖10說明有R列和C行的記憶體部份。 發明詳細說明 以下將參考附圖來說明較佳具體實施例。下列描述中, 不會詳細說明眾所週知的功能及/或結構,以避免模糊焦 備援電路 如上簡短地描述,為達成記憶體修復所包含的備援電路 係由記憶體陣列所組成,該陣列可藉由將備份記憶體單元 多路傳送(或映射)至所辨識出的失敗記憶體位置,以取代 失敗記憶體位置。修復演算法的修復資訊,指示如何將備 份列或行單元映射到該失敗記憶體位置。用來修復失敗記 憶體位置的有效演算法在案號6〇/296,793,名稱為「用於晶 片上建置的修復分析演算法」的美國專利申請案中加以說 明,該專利申請案與本專利申請案有相同的受讓人,對應 的裝置申請案與本申請案同一天提出。 -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公釐) 561490
只需要一個備份記憶體單元,就可修復任何已知的失敗 记憶f豆位元。通常,備份記憶體單元電路與可定址列備份 單元和行備份單元一起製造。在這類配置中,當一備份列 映射到該位置的時候,會取代與一已知列位址有關的所有 記憶體位元。同樣地,將備份行映射到記憶體之内,將取 代包含在該行中的所有記憶體位元。每一列和行位址的交 點’均選擇一組記憶體位元(或單元)。 其他備援電路配置也能夠映射備份1/0。這些結構將一些 行記憶體陣列組合至一輸出驅動器之内。這使得存在於多 個行位址中的個別資料位元,由單一備份行所取代。備份 行取代行位址的一組i/c^因此,在本文件中,「行」這個 詞係指行以及I/O型的備援電路。 在有若干記憶體核心的記憶體晶片中,用於修復各種不 同核心所包含的備份列和備份行,可個別加以組態。在已 知備援電路中彼此交叉的備份列和行的數量,在決定與備 援電路相關的錯誤儲存表格結構時,是重要的設計準則。 每個錯誤儲存表格,都視為代表一在特定核心中與備份行 叉又的備份列的子區塊。每一備份列和備份行都可以修復 某一範圍的列和行位址。此範圍可定義一「分析區塊」。分 析區塊的列和行位址範圍,將記憶體核心分割為較小的獨 义區域。分析區塊的備份列和備份行可由多個子區塊共 用。分配的數量根據特定記憶體核心的備援結構來決定。 除了能夠修復多個相關的列和行位址,子區塊也有專屬 的備份列和備份行,可用來修復子區塊本身之内所有的失
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五、發明説明(1〇 ) 敗位置。同樣地, 如果予區塊利用備份列和備份I / 0來組
如上所示, 每個子區塊中備份列和行單元或是1/0的數 量’會隨著記憶體晶片上不同的記憶體核心而改變。雖然 以下提出的記憶體核心範例具體實施例中,每一子區塊使 用兩個備份列和一個備份行(或1/0),熟習此技藝的專家將 會瞭解其它配置也可使用任意數量的備份單元或1/0。 錯誤儲存轰格 錯誤儲存表格僅用來儲存修復分析演算法所需要的資 訊,以產生必要的修復程式碼,將所識別的失敗記憶體單 π映射到備份位置。這可以和傳統錯誤儲存技術對照,該 技術儲存用來修復流程的所有失敗資訊。如上曾討論,每 個備份單元(或I/O)涵蓋某個範圍的位址,因此可一次修 復許多位址。 例如’假使具有備份早元的1己憶體核心,一次可取代, 例如四列的位址,位址的二個最低有效位元(LSB)可視為是 個位址。如果$己憶體核心的列位址一和列位址三上,織 別出記憶體失敗,備份列將取代列位址零、一、二、和三。 因此錯誤儲存表格會將列位址零、一、二、和三視為相同 的位址。此方法可減少為驅動修復分析演算法所儲存的失 敗記憶體資訊的數量。 圖1說明一般的錯誤儲存決策圖。特定決策圖可能來自 於任何已知備援電路結構中,以可用備份列和行(或1/〇)數 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 561490 A7 B7 五、發明説明(11 ) 量為基礎的一般圖表。對錯誤儲存表格的重要性係該圖決 定其表格輸入資料的規則。這些規則乃是以表格所代表的 子區塊中所存在的備份數量為基礎。 二條一般規則決定該圖表的輸入資料。首先,如果已知 行位址上的失敗數量,超過可用備份列數,那麼必須使用 備份行。這種情形如圖2A所描述。其次,如果已知列位址 上的失敗數量,超過可用備份行(或I/O)數,那麼必須使用 備份列。這種情形如圖2B所描述。在有備份I/O的情況下, 則需要額外的表格輸入資料規則--當多個I/O在相同位址上 失敗且超過可用的備份I/O數時,必須使用備份列。 在瞭解這些一般規則之後,如圖1所示的圖表一般排列 成具有水平延伸的1/〇(或行)資訊,以及在圖表上垂直延伸 的列資訊。垂直102和水平104圖表標題,分別說明對應的 列更新和行更新表格的目前狀況(請分別參閱圖3A和3B)。 該“通描述個別的表格,是否:1)未包含任何匹配目前所 處理的失敗列及/或行位址之輸入資料,且尚未填滿;2)包 含匹配目前所處理的失敗列及/或行位址之輸入資料;以及 3)已填滿,且未包含任何匹配目前所處理的失敗列及/或行 位址之輸入資料。該標題也包含指示各種表格輸入資料的 目前列和行錯誤計數之資訊。 決策圖中的每一區塊106,都包括:定義列更新和行更新 表格應如何根據目前所處理的失敗表格輸入資料和位址位 置來加以修改的資訊。左下角區塊輸入資料1〇8對應到列更 新表格指令;左上角單元輸入資料11〇代表行更新表格指 -14 -
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令;以及右下角單元輸入資料112若不是空的,就是設定成 「NG」,指示正在處理的記憶體核心「不佳」或無法修復。 圖3A和3B分別描述列更新和行(或1/〇更新)表格。表格大 小和表格輸入資料的大小都依已知子區塊中所存在的可用 備饧列和行(或I/O)的數量來決定。繼續來看有兩個備份列 和一個備份I/O的子區塊說明範例,表格列輸入資料的數量 為四“兩個輸入資料用於每一可用的備份列,再加上兩個 輸入資料用於兩個可用的備份列與單一可用的備份行之每 一叉點。同樣地,表格行輸入資料的數量為三—一個輸入 負料用於單一可用的備份行,再加上兩個輸入資料用於單 一可用的備份行與兩個可用的備份列之每一交點。 每一列更新和行更新表格,都包括用於目前錯誤計數的 輸入資料。說明範例中,錯誤-計數輸入資料的大小是2位 元。每一表格也具有用於正加以修復的列和行失敗位址之 對應輸入資料。最後,該列更新表格包括將一已知列修復 連結至一對應的行修復之輸入資料。在此一範例中,行id 輸入資料的大小又是2位元。與錯誤儲存表格的大小以及其 各種不同的輸入資料有關的細節,將詳細地在以下標題為 「錯誤表格大小的計算」一節中加以說明。 傳統上’所有失敗記憶體單元位址的儲存是必需的,以 便讓修復分析演算法適當地選擇該如何安排將要修復子區 塊的備份列和行。藉由此處描述的技術,每個備份單元或 I/O可以同時修復若干列,允許若干位址以錯誤表格中的一 個單一位址來表示。在下列範例中,每個備份列可用來修 • 15 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐)
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復記憶體中四個相鄰的列。 其他可縮小錯誤儲存表格必要大小的技術還包括:不在 錯誤表格㈣存備援錯誤、計算已知位址發生錯誤的次 數 '不儲存決定肖已需㈣備份列或備份行共存之錯誤β 這些技術在錯誤儲存程序時間共同執行有限的修復分析, 以影響必須用來修復已知記憶體核心的預先選定之備份單 元或I/O。技術也允許在測試的早期就债測出無法修復的記 憶體裝置’節省有價值的測試時間和資源。 說明範例 圖4Α和4Β描述有若干經過識別的失敗記憶體位置的子 區塊之說明範例。圖4Α描述具有標籤八至;十個錯誤之子區 塊》如圖4Β所示的表格,列出錯誤存在於子區塊内的列和 行位置。如稍早所述,範例的每個備份列都能夠更換予區 塊内的四個列。圖5 Α至5 D描述在實行上述圖4 Α所示範例子 區塊内之錯誤儲存技術時,所執行的各個步驟。 參見圖5 A,當偵測到第一個錯誤八時,會檢查列和ι/〇表 格目前的輸入資料。如果沒有輸入資料存在,表格會以一 對應的列和行輸入資料更新,如圖中步驟丨所示。由於錯誤 A是在列位址4上所偵測到的第一個錯誤,映射至位址 因此錯誤-計數增加為b對應的行輸入資料就有位址丨和一 個1的錯誤-計數。該ID藉由位置將列位址連結至行位址。 由於對應的行位址輸入資料在1/〇表格的位置m = 〇中產 生,這一輸入資料使用相同的1]0在列表格輸入資料中 結。 -16- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公董) -------——
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清單中的下-個錯誤是Ββ此一錯誤位於子區塊的列位 址2和仃位址3。因為這些位置不匹配列或ι/〇更新表格内的 任何列或仃輸人資料,表格再_次以目前的錯誤資訊更 新。如圖中的步騾2所示。 圖5Β顯示下__階段的錯誤處理。範例中偵測到的下一個 錯誤是錯誤C。這一錯誤位於列位址2和行位址丨。這一錯 -吳的位置匹列更新表格的目前輸人資料,因此有列位址2 的列更新表格輸人資料的錯誤·計數增加為卜如圖中的步 驟3所示。如上所描述套用—般規則,由於列]的錯誤-計數 超過可用行備份的數量(這一範例中其中之一),該列必須 由^可用的備份列之_修復。既然列2上的所有錯誤將由 所指定的列備份修復,錯誤C的對應輸入資料,就不需要 加入到行表格。 下-個偵測到錯誤是錯誤D。這一錯誤不匹配任何現有 錯誤位址,且該表格利用新的錯誤資訊加以更新。如圖中 :步驟續示。應注意,行輸入資料表格,在輸入錯誤〇的 貪枓(後是填滿的。因此’任何額外偵測到 '不匹配目前 行位址輸入資料的錯誤,將使這一裝置無法修復而允許 測試週期停止。 範例中偵測到的下-個錯誤是錯誤£。這一錯誤匹配ι/〇 ^新表格中的目前行輸人資料,但是不匹配任何目前的列 、=輸人料。因&,該列表格以新的錯誤資訊更新。應 注〜、,錯誤E列表格輸入資料設定成〇的行山,對應與行i 相關的1/〇表格識別項。ID = 〇的錯誤-計數增加為2,以記 -17 -
561490 15 五、發明説明( 錄額外偵測到的行錯誤。這些更新如圖中的步驟5所示。 圖^^下—階段的錯誤儲存程序1例中偵測到的下 ^固·曰戎疋錯誤F。這—錯誤位於子區塊的列3和行丨。該錯 疾匹配有錯誤-計數2的行輸入資# (ID=〇)。該錯 致行輸入資料的錯誤計數超過可用的列備份數。:次套用 :上討論的—般規則’指定單一可用的行備份來修復錯 …既然錯誤由指定的備份行修復,對應的資料就 在列輸入資料表格中輸入。 重要的是要注意到如果增加的錯誤·計數(3)不超過可用 的備份列數(2),那麼將決定裝置是無法修復。原因為:列 輸入資料表格已填滿,因此無法更新列表袼來增加列位址3 的失敗資訊。該表格已經過大小調整,可符合所有可修復 資 的(和一些不可修復的)錯誤圖案。因此,超過表格輸二 料有&助於在測試程序的早期,識別出無法修復的裝置。 範例中接下來的三個錯誤G、11和1,全部匹配現有的輸 入資料,因此在儲存決策程序中加以忽略。在修復分析程 個 列 識 備 序中,一點也不需要考慮相同的錯誤。範例中的最後一 錯誤’錯誤J,是-個新的錯誤,但是它已由預先指定的 備份所修復。這一事實可由列表格的錯誤-計數輸入資料 別出來。列輸入資料中所有值為2的錯誤計數都必須使用1 份列,因為此值超過可用的備份行數。所有輸入資料為3 的仃輸入資料,都必須利用行備份來修復,因為此值超過 可用的備份列數。 當所有錯誤都經過處理,而且錯誤儲存表袼完成的時 561490
候’修復分析演算法會解釋表格結果,以決定修復是否合 成功。圖6描述修復分析是如何解釋錯誤儲存表格可影^ 修復。檢視錯_存表格的行更新部份,備份扣用來修 復行位址1’因為此輸入資料的錯誤_計數(例如,3)超過可 用的備份列數(例如,2)。然後,兩個可用的備份列之一 ri, 用來修復列位址2。再一次指定備份列,因為此列位址的錯 誤數輸入資料(例如,2)超過可用的備份行數(例如,0。 最後,錯誤表格的列更新部份,經檢視決定要如何指定 最後一個可用的備份列。重新呼叫已指定的備份行^,指 定為行位址1,有一行ID=0。因此,行ID==〇的所有列位址 錯誤輸入資料,都將由已指定的備份行C1所修復。經過檢 視的列表格指出,除了列位址4上記錄下來的錯誤以外,所 有錯誤要不是由所指定的備份行C1就是由指定的備份列 R1所修復。因此,指定最後可用的備份列R2來修復列4的 錯誤D,並且利用備份記憶體單元或1/0來成功地修復子區 塊的所有錯誤。 用於說明範例的流菘18}砉 圖7描述錯誤儲存程序範例具體實施例之最高階的流程 圖。該程序從定義為閒置模式的步驟702開始。下一步,決 定在步驟704是否決定從記憶體擷取錯誤儲存(ES)表格資 訊,例如,從包含在SRAM的記憶體晶片上擷取。如果決 定不擷取ES資訊則程序回到閒置狀態702,如果決定進行 擷取則跳到步驟706,從SRAM讀取ES資訊。在讀取來自 SRAM的ES資訊之後,程序跳至步驟708,在該處決定是否 -19 - 561490 A7 ____B7 五、發明説明(17 ) 將更新的ES資訊寫入SRAM。如果決定要更新es資訊,就 會在步驟710更新ES表格,且程序回到步驟7〇2的閒置狀 態。如果決定不更新ES表格,將從步驟712開始錯誤測試 和處理。 如果有任何錯誤信號的話,在步驟712測試子區塊以決定 I/O輸入上所作用的錯誤信號數。如果偵測到一個以上的錯 誤信號,則程序跳到步驟720,執行大於一個錯誤信號的例 行程序。如果偵測到一個或更少的錯誤信號,程序會跳到 步驟714 ’在該處決定是否偵測到正好一個錯誤信號。如果 偵測到正好一個錯誤信號,則程序跳到步驟718,執行正好 一個錯誤信號的例行程序。如果沒有偵測到任何錯誤,則 目前週期不採取任何行動,且程序經由步驟716跳到步驟 7〇8 ’在該處再度決定是否要更新sraM中的ES表格。再次 在步驟712至步驟720步驟中執行偵測和處理錯誤信號的 程序。 圖8說明只偵測到一個記憶體單元錯誤時,用於處理錯 誤的範例例行程序之流程圖。圖表中說明的某些步驟,特 別是針對包括有一備份行(或1/0)和兩個備份列的備援電路 說明範例。應瞭解到該圖表内所呈現的一般觀念,可延伸 至具有任意數量的備份列和行的備援電路。 例行程序從步驟8〇2開始,由例如圖7所示的最高階程序 步驟718呼叫。錯誤的位址在步驟8〇4與列更新表格内的輸 入資料相比較’決定是否存在相匹配的列。如果列匹配確 實存在,例行程序從步驟806—直向下進行到步驟822。在 -20 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(21〇χ 297公釐) _ 裝 訂
561490 A7 B7 五、發明説明(18 ) 這些步驟中,在步驟808和814決定對應的I/O位址是否存 在,如果是這樣,並在步騾810和816決定I/O計數是否等於 2。如果I/O計數等於2,且如果列計數等於1,如步驟806所 決定,則列計數增加,並在步驟812時I/O計數設定成3。但 是,如果在步驟806中列計數不等於1,則只有I/O計數在步 驟818會增加。 如果在步驟808和814發現沒有I/O匹配,或如果I/O計數 在步驟810和816不等於2,則如果列計數在步驟806等於1, 只有列計數在步驟822會增加。但是,如果列計數在步驟806 不等於1,則在步驟820不採取任何動作。 如果步驟804未存在列匹配,該例行程序將在步騾838決 定列更新表格是否是填滿的。如果列表格未填滿,例行程 序將在步驟824審視I/O位址匹配的I/O更新表格。如果發現 I/O位址匹配,將在步驟826檢視I/O計數。如果I/O計數大於 2(範例中的備份列數),那麼I/O計數在步驟828設定成3,否 則會加入一個新的列輸入資料,而且對應的I/O計數在步驟 830增加。如果在步驟824未發現任何I/O匹配,則在步驟832 決定I/O表格是否已填滿。如果表格已滿,則受到檢視的記 憶體核心將在步驟834加上無法修復的標籤,否則將在步 驟836加入一個新列和I/O表格輸入資料。 如果在步驟838發現列表格已滿,例行程序將在步驟840 找尋對應的I/O位址匹配。如果找不到任何匹配,則記憶體 核心再一次在步驟834加上無法修復的標籤。如果發現I/O 匹配,將在步驟842檢視對應的錯誤-計數。如果錯誤I/O錯 -21 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 561490
誤-計數是卜則記憶體核心會加上無法修復的標籤,因為 列更新表格中沒有任何額外的空間。但是,如果ι/〇計數在 步得於卜1/0計數會設定成3。控制權在所有表格更 新冗成後,在步驟846回到圖7所示的主要錯誤處理例行程 序。 圖9說明偵測到一個以上的記憶體#元錯誤日寺,用於處 理錯誤的範例例行程序之流程圖。再次圖表中說明的某些 步驟,特別是針對包括有一備份行(或1/〇)和兩個備份列的 備援電路說明範例。如上所述,應瞭解到該圖表内所呈現 的一般觀念,可延伸至具有任意數量的備份列和行的備援 電路。 例行程序從步驟902開始,由例如圖7所示的最高階程序 步驟718呼4。列更新表格在步驟受到檢視。如果發現 一個列匹配,則列錯誤_計數在步驟9〇6設定成2。但是,如 果未發現任何列匹配,則在步驟9〇8決定列更新是否已滿。 如果表格已滿,則受到測試的記憶體核心在步驟91〇加上無 法修復的標籤。如果表格在步驟9〇8尚未填滿,則在新的列 表格中輸入設定為3的行id值,以及錯誤-計數設定成2。控 制權在步驟914如圖7所示回到主要的錯誤處理例行程序。 錯誤表格大小的計算 從上述程序重新呼叫,將錯誤表格的大小調整為符合所 有可修復的(和一些不可修復的)錯誤圖案。以下描述可使 錯誤表格大小達到這種結果的計算方法。圖1〇說明有R列 和C行的記憶體子區塊。子區塊包括備份行%和備份列 -22 - 本尺度適财a S家標準(CNS) A4規格(21〇 X 297公釐)
裝 訂
線 561490 A7 B7 五、發明説明(2〇 ) SR,用以修復分析區塊之内的失敗記憶體單元。 如上所述,每個包含在分析區塊中的子區塊都需要個別 的錯誤儲存表格。圖3 A和3B分別描述錯誤表格的列更新和 行(或I/O)更新部份。表格輸入資料的格式包括位址/錯誤-計數對組。額外ID輸入資料包含在有大多數備份的更新表 格(列或行)中。ID輸入資料在錯誤儲存表格列和行部份之 間提供連結。 下列各等式可用來計算列和行更新表格的計數/位址對 組的大小:
RowCnt = [log2(5c + 2)"| =「log2 ⑻
ColumnCnt = f"log2(5^ + 2)] ColumnAddr = f"log2(c)"| 其中: Sc =備份行的數量(或I/O) R =子區塊的列數,
Sr =備份列數’以及 C =子區塊的行數。 連結ID所需的NID值和連結ID所需的NID數量都可使用 下列等式計算: [log2(C£)"] if Re > Ce [log i(Re)] if Ce > Re
\Ce if Re^lCe if Cs > Re 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 561490 A7 ______B7___ 五、發明説明(21 ~Γ ~~ 一 " 其中:CE=行(或1/0)輸入資料的數量=、*(^ + 1), re =列輸入資料的數量=Sc * (Sr +丨),以及 NID =連結ID的數量。 使用上述等式,錯誤儲存表格的大小可計算成: * (^〇wCnt + RowAddr + ID) ^Ce* {ColumnCnt + ColumnAddr) if Re >Ce 12 * (RowCnt + RowAddr) + C£ * {ColumnCnt + ColumnAddr + ID) if Ce> Re 某些辭彙係為方便描述範例具體實施例而加以使用,但 疋不應用來限制此處描述的一般觀念。例如,特別提及記 憶體的「列」或「行」部份或記憶體備份類型時,就可解 釋成包括這些記憶體的任何部份或記憶體備份的類型。在 记憶體備份的情況下,特定的辭彙代表互補型的記憶體備 份,其中如果不使用某一類型的記憶體備份來修復已知的 圮憶體·單元位置,則其他互補型的記憶體備份可用來修復 位置。而且,辭彙「單元」或r記憶體單元」可解釋成代 表記憶體中一或多個記憶體單元或位置。 與许多範例具體實施例相關的各種不同觀點,已經加以 說明。為有助於這些具體實施例的瞭解,許多觀點利用可 由電腦系統或微控制器元件執行的動作序列來說明。例 如’可發現到在每一具體實施例中,各種不同的動作可由 特殊化的電路(例如,互連以執行特殊化功能的不連續邏輯 閘)、由一或多個處理器執行的程式指令,或雨者的組合來 加以執行。 而且,該範例具體實施例可視為任何形式的電腦可讀式 -24 - ----- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公复y 561490
浐媒々部份,該媒體已在該處儲存一組適當的 =令’該《指令將會導致—處理器執行此處所 = , 同的觀點以許多不同的形式來具體表達, 而且所有這類形式都視為本發明所描述的㈣之内。就各 種不同的觀點而言,任何這類形式的具體實施例,在此處 '田仅、’且態為某種形式的邏輯」以執行所說明的動作, 或另方面當做「某種邏輯」來執行所說明的動作。 ^隹;、、:已說月各種不同的範例具體實施例,但是熟習本技 藝的士家應瞭解這些具體實施例僅用來說明,言午多其他的 八to貫施例仍為可能的。本發明所希望的範_由下列申請 專利範圍而非之前的描述所定義,此處並包括落在本申請 專利範圍範疇之内的所有變化。 -25 -
Claims (1)
- 561490 A8 B8 C8 _______D8 申請專利範圍 1. 2. 3. 一種儲存記憶體測試資訊之方法,該方法包括以下步驟: 儲存在測試記憶體時所偵測到的失敗記憶體單元位置 和數量之相關資訊的一部份;以及 當偵測到失敗記憶體單元時,更新該已儲存資訊,以 指示指定一第一型記憶體備份來修復一失敗記憶體單 疋、指定一第二互補型記憶體備份來修復該失敗記憶體 單元、或該記憶體無法修復; 其中該第一型記憶體備份對應到記憶體的一列和一行 部份其中之一,以及該第二互補型記憶體備份對應到記 隐姐的其他該列和該行部份。 如申請專利範圍第丨項之方法,其中該已儲存資訊,會部 份根據該失敗記憶體單元所位於的記憶體的一個別二或 行部内失敗§己憶體單元的數量,是否超過可用的互補 型圮憶體備份的數量,來加以更新,以指示指定來修復 該失敗記憶體單元的記憶體備份類型。 如申請專利範圍第2項之方法,其中該資訊儲存在具有列 和行部份的一表格中,該表格的每一列和行部份都包栝 至少一位址/錯誤-計數輸入資料對組,用以儲存失敗記憶 體單元所位於之記憶體的該個別列或行部份的一位址, 以及在|己憶體的該個別列或行部份中所偵測到失敗記憶 體單元的數量。 如申請專利範圍第3項之方法,進一步包括以下步驟: 決疋在该失敗記憶體單元所位於之記憶體的該列和該 行部份的位址至少其中之一,以及儲存於該表格内的〆 -26 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(21〇χ297公釐) 561490 A8 B8 C8 D8 六 申請專利範圍位址輸入資料之間,是否存在一匹配。 5. 如申凊專利範圍第4項之方法,其中如果存在一匹配,該 方法進一步包括以下步驟: 如果該成對的錯誤-計數輸入資料等於可用的互補塑 記憶體備份的數量,則增加與該匹配的位址輸入資料成 對的該錯誤-計數輸入資料。 如申專利範圍第4項之方法,丨中如果一匹配同時存在 於該表格的列和行部份,該方法進一步包括以下步驟: 如果每一該成對的錯誤-計數輸入資料,小於可用的互 補型記憶體備份的個別數量,則增加與該匹配的位址輸 入'貝料成對的錯誤-計數輸入資料。 7. 如申請專利範圍第4項之方法,其中如果-匹配存在於該 表格的列和行部份其中之-,該方法進-步包括以下步 驟: 決定不包括該匹配的位址輸入資料的表格列或行部份 是否已填滿。 如申請專利範圍第7項之方法,其中如果不包含該匹配的 位址輸人資料的表格列或行部份尚未填滿,該方法進一 步包括以下步驟: 如果該成對的錯誤.并赵& 冲數輸入資料小於可用的互補裂 1己憶體備份的數量,則辦力备二 J㈢加與琢匹配的位址輸入資料成 對的錯誤-計數輸入資料;以及 將一位址/錯誤-計數輪入咨 爾入#料斜組加入到不包栝該匹 配的位址輸入資料的表抵却 衣格邵份,包括失敗記憶體單元所 -27 - I紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α#ϋ(2ΐϋ X -----------. 561490 A8 B8 C8位立止的新增輸入資料對 A資料以及一的錯誤-計 位於之記憶體的該列或行部份 組,不匹配該表格中的位址輸 數0 9.如申請專利範圍第7項之方法,其中 、 址輸入資料的表格的該列或行部::不包括該匹配位 表格内的貪訊會更新以指示該記憶體無法修復。 10·如申請專利範圍第4項之方法,並 " 今、a / 也a ,、中如果沒有匹配存在, 该万法進一步包括以下步驟: 決定是否該表格的列和行部份至少其中之一已填滿。 11·如申請專利範圍第項之方法,直、> 、 /、中如果該表格列或行 邵份都未填滿,該方法進一步包括以下步驟: 將-位址/錯誤-計數輸入資料對组加入到該表格的列 及行邵份,每—新增的輸人資料#組都包括該失敗記憶 禮早7C所位於之記憶體的該列或行部份的個別位址以 及一的錯誤-計數。 12·如:請專利範圍第1〇項之方法,其中如果至少該表格列 和订部份其中之一已填滿,則儲存在該表格内的資訊會 更新以指示該記憶體無法修復。 13·^申請專利範圍第4項之方法,其中如果某一類型的記憶 體備份總數大於互補型記憶體備份總數,則決定一匹配 是否存在的步驟包括以下步驟: 先比較對應到具有備份總數較多的記憶體備份類型之 吞己憶體該列或行部份之位址與該表格内之位址輸入資料 <後’再比較對應到具有備份總數較少的記憶體備份類 -28 - 561490型之記憶體的該列或行部份之位址與該表格内之 入資料。 "•如申請專利範圍第4項之方法,其中如果該第一和第二型 的記憶體備份總數相等’則決定一匹配是否存在的步驟 包括以下步驟: ,隨機選擇該失敗記憶體單元所位於之記憶體該列和行 部份的位址其中之一;以及 先比較隨機選擇的記憶體該列或行部份之位址與該表 格内的位址輸入資料,再比較非隨機選擇的記憶體該列 或行部伤之位址與戎表格内的位址輸入資料。 15·如申請專利範圍第3項之方法,進一步包括以下步驟: 連結包含在該表格列部份内的位址/錯誤-計數輸入資 料對組與包含在該表格行部份内的相關位址/錯誤·計數 輸入資料對組。 16·如申請專利範圍第15項之方法,其中一用於儲存唯一連 結ID的連結識別項輸入資料,加入到對應到具有備份總 數較多的記憶體備份類型之表格該列或行位部份的每二 位址/錯誤·計數對組,用以連結包含在該表格列部份内的 位址/錯誤-計數輸入資料對組與包含在該表格行部份内 的相關位址/錯誤-計數輸入資料對組。 17·如申請專利範圍第16項之方法,其中唯一連結出的數量 等於具有備份總數較少類型的記憶體備份之數量❶ 18.如申請專利範圍第3項之方法,其中該表格表示至少該第 一型記憶體備份其中之一與至少該第二互補型記憶體備 -29 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) ABCD 561490 々、申請專利範圍 份其中之一相交的記憶體部份。 19. 如申請專利範圍第3項之方法,其中該表格的大小由以下 等式決定: Size = ^RowCnt + RowAddr +ID) + ^ * {ColumnCnt + ColumnAddr) if Re >Ce * {RowCnt + RowAddr) ^Ce* {ColumnCnt + ColumnAddr + ID) if Ce> Re 其中 CE =表格行部份内的輸入資料之數量=SR* (sc+l); Re =表格列部份内的輸入資料之數量=Sc* (Sr+1); RowCnt =表格列部份内的錯誤-計數之大小= l〇g2(Sc + 2); RowAddr =表格列部份内的位址大小=log2(R); ColumnCnt =表格行部份内的錯誤-計數之大小 =log2(SR+ 2); ColumnAddr=表格行部份内的位址大小=log2(C); R =記憶體列部份内的列數; Sr =第一或第二型記憶體備份的數量; Sc =互補型記憶體備份的數量; C =記憶體行部份内的行數;以及 ID =連結 ID 的大小=「(log2(CE)1(如果 RE2CE); 「l〇g2(RE )1(如果 Ce〉Re)。 20. 如申請專利範圍第1項之方法,其中記憶體的該列部份包 括至少一列的記憶體,以及記憶體的該行部份包括至少 -30 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 561490 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 一行的記憶體。 21·如申請專利範圍第丨項之方法,其中記憶體的該行部份包 括至少一輸入/輸出(I/O)裝置,該至少一;[/〇裝置提供一輸 入和輸出路徑,以用於至少一行的記憶體。 22.—種儲存記憶體測試資訊之裝置,包括·· 儲存在測試記憶體時所偵測到的失敗記憶體單元位置 和數里相關資訊部份之邏輯;以及 當偵測到失敗記憶體單元時,更新該已儲存資訊,以 指示指定一第一型記憶體備份來修復一失敗記憶體單 元、指定一第二互補型記憶體備份來修復該失敗記憶體 單元、或該記憶體無法修復之邏輯; 其中該第一型記憶體備份對應到記憶體的一列和一行 部份其中之一,以及該第二互補型記憶體備份對應到記 憶體的该其他列和行部份。 23·如申請專利範圍第22項之裝置,其中該已儲存資訊,會 •部份根據失敗記憶體單元所位於之記憶體一個別列或行 部份内失敗記憶體單元的數量,是否超過可用的互補型 記憶體備份的數量,來加以更新,以指示指定來修復該 失敗記憶體單元的記憶體備份類型。 24·如申請專利範圍第23項之裝置,進一步包括: 一用以儲存資訊的表格,該表袼具有列和行部份,該 表格的每-列和行都包括至少一位址/錯誤_計數輸入資 :t二::儲存該失敗記憶體單元所位於之記憶體的 μ個別列或行部份的一位址,以 久在α己If體的孩個別列 -31 - 本紙張尺度適用中國國家標準(Cns) A4規格(210 X 297公釐) 561490 A8 B8 C8 六、申請專利範園 或行部份中所偵測到的失敗記憶體單元的數量。 25·如申請專利範圍第24項之裝置,進一步包括·· 決定在該失敗記憶體單元所位於之記憶體的該列和行 部份的位址至少其中之一,以及儲存於該表格内的位址 輸入資料之間,是否存在一匹配之邏輯。 26.如申請專利範圍第25項之裝置,進一步包括: ,如果該成對的錯誤-計數輸人資料等於可用的互補型 記憶體備份的數量,則當_匹配存在時,增加與該匹配 位址輸入資料成對的錯誤-計數輸入資料之邏輯。 27·如申請專利範圍第25項之裝置,進一步包括·· 如果每一成對的錯誤_計數輸入資料,小於可用的互補 型記憶體備份的個別數量,則匹配存在於該表格列 和行部份時,增加與該匹配的位址輸入資料成對的錯誤-計數輸入資料之邏輯。 28·如申請專利範圍第25項之裝置,進一步包括: 當一匹配存在於該表格列和行部份其中之一時,決定 不包括該匹配的位址輸入資料的該表格列或行部份是否 已填滿之邏輯。 29·如申請專利範圍第28項之裝置,進一步包括: ,如果該成對的錯誤-計數輸入資料,小於可用的互補型 記憶體備份的數量,則當—匹§£存在於該表袼列和行二 份其中之-日争,增加與該匹酉己的位址輸入資料成對的錯 誤-計數輸入資料之邏輯;以及 曰 當一匹配存在於該表格列和行部份其中之一時,將一 -32 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 561490 A8 B8 C8 D8 — - . -- -—-- 六、申請專利範圍 位址/錯誤-計數輸入資料對組加入到不包括該匹配位址 輸入資料的該表格部份,包括該失敗記憶體單元所位於 之記憶體的該列或行部份位址的新增輸入資料對組,不 匹配該表格中的一位址輸入資料以及一的錯誤-計數之 邏輯。 30·如申請專利範圍第28項之裝置,進一步包括: 當不包括該匹配位址輸入資料的該表格列或行部份已 填滿時,指示該記憶體無法修復之邏輯。 31·如申請專利範圍第25項之裝置,進一步包括: 當沒有匹配存在時,決定是否至少該表格列和行部份 其中之一已填滿之邏輯。 32. 如申請專利範圍第31項之裝置,進一步包括: 當沒有匹配存在時,將一位址/錯誤·計數輸入資料對組 加入到該表格的列和行部份,每一新增的輸入資料對組 都包括該失敗記憶體單元所位於之記憶體的該列或行部 份的個別位址,以及一的錯誤-計數之邏輯。 33. 如申請專利範圍第31項之裝置,進一步包括: 當至少該表格列和行部份其中之一已填滿時,指示該 記憶體無法修復之邏輯。 34. 如申請專利範圍第25項之裝置,其中決定一匹配是否存 在之邏輯包括: 當某一型的記憶體備份總數大於互補型記憶體備份總 數時’先比較對應到具有備份總數較多的記憶體備份類 型之記憶體該列或行部份之位址與該表格内之位址輸入 -33 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 561490 A B c D 六、申請專利範圍 貝料再比較對應到具有備份總數較少的記憶體備份類 型d隐體孩列或行部份之位址與該表格内之位址輸入 資料之邏輯。 3 5·如申明專利範園第25項之裝置,纟中決定一匹配是否存 在之邏輯包括: 田居第和第二型記憶體備份總數相等時,隨機選擇 ^失敗〃己隐體單元所位於之記憶體該列和行部份的位址 其中之一之邏輯;以及 當孩第一和第二型記憶體備份總數相等時,先比較隨 機選=的記憶體㈣或行部份之位址與該表格内的位址 輸入、料,再比較非隨機選擇的記憶體該列或行部份之 位址與該表格内的位址輸入資料之邏輯。 36·如申請專利範圍第24項之裝置,進一步包括: 連結包含在該表格列部份内的位址/錯誤_計數輸入資 料對組與包含在該表格行部份内的相關位址/錯誤-計數 輸入資料對組之邏輯。 37·如申請專利範圍第36項之裝置,進一步包括: 將用以儲一存唯一連結1〇的連結識別項輸入資料,加 入到對應到具有備份總數較多的記憶體備份類型之該表 格列或行部份的每一位址/錯誤·計數對組,用以連結包含 在該表格列部份内的位址/錯誤_計數輸入資料對組與包 含在該表格行部份内的相關位址/錯誤·計數輸入資料對 組之邏輯。 38·如申請專利範圍第37項之裝置,其中唯一連結ID的數量 -34 - 本紙張尺度逋用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 561490 8 8 8 8 A BCD 々、申請專利範圍 等於具有備份總數較少類型的記憶體備份之數量。 39·如申請專利範圍第24項之裝置,其中該表格表示至少該 第一型記憶體備份其中之一與至少該第二互補型記憶體 備份其中之一相交的記憶體部份。 -35 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)
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DE60320745D1 (de) * | 2003-02-12 | 2008-06-19 | Infineon Technologies Ag | Verfahren und MBISR (Memory Built-In Self Repair) zum Reparieren eines Speichers |
US6937531B2 (en) * | 2003-07-21 | 2005-08-30 | Infineon Technologies Ag | Memory device and method of storing fail addresses of a memory cell |
KR100684471B1 (ko) * | 2005-02-25 | 2007-02-22 | 장훈 | 내장 에스램의 자체 복구 방법 및 장치 |
US7774643B2 (en) * | 2006-01-06 | 2010-08-10 | Dot Hill Systems Corporation | Method and apparatus for preventing permanent data loss due to single failure of a fault tolerant array |
US8612797B2 (en) * | 2006-03-31 | 2013-12-17 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Systems and methods of selectively managing errors in memory modules |
US7958390B2 (en) * | 2007-05-15 | 2011-06-07 | Sandisk Corporation | Memory device for repairing a neighborhood of rows in a memory array using a patch table |
US7966518B2 (en) * | 2007-05-15 | 2011-06-21 | Sandisk Corporation | Method for repairing a neighborhood of rows in a memory array using a patch table |
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GB2506041A (en) | 2011-06-30 | 2014-03-19 | Hewlett Packard Development Co | A memory module that includes a memory module copy engine for copying data from an active memory die to a spare memory die |
KR101373668B1 (ko) * | 2012-06-22 | 2014-03-13 | 연세대학교 산학협력단 | 메모리 수리 장치 및 방법 |
TWI545582B (zh) * | 2013-11-15 | 2016-08-11 | 慧榮科技股份有限公司 | 存取快閃記憶體中儲存單元的方法以及使用該方法的裝置 |
WO2016032784A1 (en) * | 2014-08-25 | 2016-03-03 | Rambus Inc. | Buffer circuit with adaptive repair capability |
KR101548875B1 (ko) | 2014-08-28 | 2015-09-01 | 성균관대학교산학협력단 | 메모리의 오류검사정정 성능 향상방법 |
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KR102487553B1 (ko) * | 2016-12-07 | 2023-01-11 | 삼성전자주식회사 | 리페어 가능한 휘발성 메모리를 포함하는 스토리지 장치 및 상기 스토리지 장치의 동작 방법 |
US10452468B2 (en) | 2016-12-30 | 2019-10-22 | Western Digital Technologies, Inc. | Method and system for managing non-volatile memory |
DE102020134945A1 (de) * | 2020-02-27 | 2021-09-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Dynamische fehlerüberwachung und -reparatur |
US11380415B2 (en) * | 2020-02-27 | 2022-07-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Dynamic error monitor and repair |
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---|---|---|---|---|
US164513A (en) * | 1875-06-15 | Improvement in sad-iron heaters | ||
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US6032264A (en) * | 1997-04-22 | 2000-02-29 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and method implementing repairs on a memory device |
US6011734A (en) * | 1998-03-12 | 2000-01-04 | Motorola, Inc. | Fuseless memory repair system and method of operation |
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JP2001006388A (ja) * | 1999-06-23 | 2001-01-12 | Toshiba Corp | 冗長回路内蔵半導体記憶装置 |
JP2001043698A (ja) | 1999-08-03 | 2001-02-16 | Hitachi Ltd | 内蔵メモリアレイの自己検査回路および自己検査方法 |
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US6795942B1 (en) * | 2000-07-06 | 2004-09-21 | Lsi Logic Corporation | Built-in redundancy analysis for memories with row and column repair |
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