TW556169B

TW556169B - Magnetic recording medium, the manufacturing method thereof, and the magnetic recording device using the same

Info

Publication number: TW556169B
Application number: TW090104366A
Authority: TW
Inventors: Tetsuo Nakazawa; Yuzo Kozono; Takashi Naito; Tatsumi Hirano; Hiroki Yamamoto
Original assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 2000-02-29
Filing date: 2001-02-26
Publication date: 2003-10-01
Also published as: KR20010085701A; US6689456B2; US20020034665A1; JP2001319314A

Description

A7 B7 556169 五、發明説明（1 ) 【發明之技術領域】本發明係有關一種具有更性能，且具有高信賴性之磁記錄介質及其製法，與使用其之磁記錄裝置之發明。【以往之技術】特開平1 0 - 1 777 1 2號公報中，係記載者於玻璃基板上形成由T a與B所形成之第1底部層、以c r爲主成分之第2底部層，及磁性層經層合所得之磁記錄介質。其中，第1底部層係具有調整第2底部層與磁性層粒子尺寸之效果，因可對應第1底部層之微細構造之形狀，故可滿足高保磁力與低雜訊之雙重特性。特開平6 - 2 5 9 7 4 3號公報中，係記載著於非磁性基板上，由具有N a C 1型結晶構造之第2底部層、具有體心立體構造之第1底部層，與具有六方最密塡充構造之磁性膜所層合而得之磁記錄介質，其具有提昇磁性膜之定向性之特徵等。特開平7 — 3 1 1 9 29號公報中，係記載著於 N i P底部膜上形成有磁性薄膜之磁記錄介質，且構成磁性薄膜之結晶粒子係受到含有非強磁性非金屬相之結晶粒界部所分離，其係具有高保持力與低介質雜訊特性等特徵〇又，特開平1 1 一 6 6 5 3 3號公報中，係記載著含有 Cr、Pt、Ta、Ni 、Ti 、Ag、Cu、Al 、 Au、W、Mo、Nb、V、Zr 、Zn 中之 1 種元素， (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝. 訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -4 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 556169 A7 B7 五、發明説明（2 ) 或含有2種以上之合金的非磁性底部層上形成磁性薄膜之磁記錄介質，其磁性膜中，係具有由多數磁性粒子受與磁性粒子相同構成元素所構成之粒界相所阻隔之構造，且具有優良的磁特性、保磁力等磁特性等效果。【本發明所可解決之問題】但，前記先前技術中，對於由磁碟介質所構成之磁性膜的磁性粒子尺寸與結晶粒子尺寸之分佈係受到相當之限度，故磁性膜中微細粒子係與粗大粒子呈共存之狀態。因此若於此磁性膜上記錄資訊時，受到微細磁性粒子周圍之粗大磁性粒子洩磁之影響，或於較大磁性粒子間相互作用之影響下，會產生相當之雜訊。故若進行2 0 Gb/ 1 n c h 2之超高密度記錄時，發生此雜訊下則無法進行穩定之記錄。本發明之目的，即是提供一種可安定地進行高密度言己錄之磁記錄介質，與其製造方法。又，並提供使用上記磁記錄介質之磁記錄裝置。【解決問題之方法】本發明者們，發現於結晶性粒子與，包圍結晶性粒子周圍之非結晶質之粒界相所構成之無機化合物膜上，使磁性膜成長時，可使用無機化合物膜之結晶性粒子之粒徑與粒徑分布（換言之，爲粒徑之均勻度），可對應至磁性膜之磁性粒子之粒徑與粒徑分布上。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -5 - J . ^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 556169 A7 B7 五、發明説明（3 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 因此，若使無機化合物膜之結晶性粒子之粒徑分布降低時，即，將無機化合物膜之結晶性粒子控制至微細且均勻之粒徑下，可使粒徑均勻且可使微細之磁性粒子規則地排列，而製得可安定地進行高密度記錄之磁性膜。又，磁性膜若由結晶性磁性粒子與磁性粒子之粒界析出之析出物（粒界相）所構成時’磁性膜之磁性粒子可得到微細且粒徑均勻之磁性膜。又，無機化合物膜與磁性膜之間可設置中間膜，並經由控制中間膜之結晶性粒子與粒徑分布之方式’可對磁性膜之粒子構造進行控制，中間膜性若由結晶性粒子與結晶性粒子之粒界析出之析出物（粒界相）所構成時，特別是磁性膜之結晶粒子可具有微細請均勻之粒徑。以下將說明本發明之主要內容。〔1〕一種磁記錄介質，其係爲具有由基板與，該基板上所層合之多數層膜，且該多數的膜係具有記錄資訊之磁性膜的磁記錄介質，其中，經濟部智慧財產局員工消費合作社印製前記基板與前記磁性膜間設置有含有結晶質之粒子與，包圍該粒子之非結晶質粒界相的無機化合物膜，前記磁性膜係含有結晶質的磁性粒子，且前記磁性粒子之平均粒徑爲4至1 5 n m，粒徑之標準誤差（σ )係爲前記平均粒徑之2 5 %以下者。〔2〕如前記之磁記錄介質，其中，前記磁性膜，係具有結晶質之磁性粒子與包圍該磁性粒子之非結晶質的粒界相。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -6 - 556169 A7 __B7_ 五、發明説明（4 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 〔3〕如前記磁記錄介質，其中，前記無機化合物膜係由具有N a C 1型或尖晶石結晶構造之氧化物所形成之第1構成成分，與週期表第I至V族元素之氧化物、氮化物或硼化物所形成之第2構成成分所構成者，前記粒子與前記粒界相，同時含有第1構成成分與第 2構成成分，且前記粒子所含之第1構成成分遠大於前記粒界相所含之第1構成成分。適合本發明之磁記錄介質的無機化合物膜，係爲含有由（a )具有N a C 1型或尖晶石結晶構造之氧化物所形成之第1構成成分，與（b )週期表第I至V族元素之氧化物、氮化物或硼化物所選出的至少1種第2構成成分的無機化合物膜。具有N a C 1型晶構造之氧化物，特別是以由氧化鈷 (C 〇 0 )、氧化鐵（Fe2〇3)、氧化鎂、氧化錳、氧化鈦、氧化銅或氧化鎳中所選出之至少1種爲佳。又，具有尖晶石結晶構造之氧化物例如以氧化鈷（ C 〇 3 0 4 )、氧化鐵（Fe3〇4)爲佳。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製無機化合物膜之結晶性粒子，其（a ) : ( b )= 6 5至9 8 w t % : 3 5至2 w t % ，且粒界相之（a ) :(b)=50 至 9〇wt% :50 至 l〇wt% 。結晶粒子、粒界相皆可使用同時含有（a )與（b ) 之粒子。一般而言，無機化合物膜之結晶性粒子較粒界相中存在有更多之（a)，且粒徑爲4至l5//m，粒徑之標準誤差（σ )爲平均粒徑之2 5 %以下，短徑/長徑爲本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） [556169 Α7 Β7 五、發明説明（5 ) 〇· 7至1 · 0之範圍，粒界相之寬度爲0 · 1至2nm 〇 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 形成於無機化合物膜上之磁性膜，係使用以C 〇爲主體，配合含有至少1種選自P t 、C I·、Ta、Nb元素的合金所構成之強磁性膜。此強磁性膜，係具有以C 〇爲主體之結晶粒子與，結晶粒子之粒界可析出至少1種C r 、Ta、Nb元素之構造。磁性膜之磁性粒子與粒徑分布，係對應無機化合物膜之粒子構造，故幾乎與無機化合物膜具有幾乎相同之內容。因此，可得到磁性粒子爲微細且具有均勻粒徑之磁性膜〇磁性粒子之粒界，可爲由至少1種由週期表第I至V 族之氧化物、氮化物、硼化物所析出者。此時，磁性膜之磁性粒子之粒徑與粒徑分布，可由無機化物膜之粒子構造所對應，磁性膜之磁性粒子，其粒徑爲4至1 5 n m，短徑/長徑0 7至1 · 0之範圍，徑之標準誤差（σ )爲平均粒徑之2 5 %以下。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製又，磁性膜之磁性粒子的晶格係數與，無機化合物膜之粒子之晶格係數之差爲± 1 0 %以內，磁性膜之磁性粒子之粒徑與粒徑分布，可由無機化合物膜之粒子構造所對應。無機化合物膜與磁性膜間所形成之中間膜，可爲C I* 系金屬膜。中間膜之金屬粒子之粒徑與粒徑分布，可對應無機化合物膜之粒子構造，磁性膜之磁性粒子的粒徑與粒本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -8 - 556169 A7 —_ —_B7 五、發明説明（6 ) 徑分布’與無機化合物膜之內容近乎相同，故可使磁性粒子得到微細且均勻粒徑之磁性膜。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 又，中間膜係於C r*系金屬粒子之粒界上，析出至少 1種由週期表第I至v族之氧化物、氮化物、硼化物者。此時’磁性膜之磁性粒子之粒徑與粒徑分布，可由無機化合物膜所對應。【發明之實施形態】〔製法〕以下將對本發明之無機化合物膜之製法進行說明。於基板上形成無機化合物膜之方法，係爲同時使用 (A )由具有N a C 1型結晶構造或尖晶石型結晶構造之氧化物所形成之標靶， (B)由週期表第I至V族之氧化物、氮化物、硼化物中至少1種所形成之標靶，等2種標靶進行濺鍍，或使用（A )與（B )混合所得之混合標靶進行濺鍍者〇經濟部智慧財產局員工消費合作社印製一般於無機化合物膜上形成磁性膜之方法，例如於由 P t及C r 、T a、N b中至少1種所形成之標靶，與週期表第I至V族之氧化物、氮化物、硼化物中至少1種所形成之標靶同時進行濺鍍，或將此些原料混合所得之標祀進行濺鍍。此時，對於Co、Pt及Cr、Ta、Nb中之至少1種係使用6 5至9 8 w t %而言，週期表第I至本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）一 556169 A7 ___B7__ 五、發明説明（7 ) V族之氧化物、氮化物、硼化物中至少1種可以3 5至 2 w t %之方式，以調整標靶之面積比或混合比。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 進行濺鍍之結果，可於無機化合物膜之結晶性粒子上，使磁性膜之磁性粒子產生外延生長，而得到磁性粒子爲微細且具有均勻粒徑之磁性膜。於無機化合物膜上形成C r系金屬中間膜之方法，系將由C I·系金屬所形成之標靶，與週期表第I至V族之氧化物、氮化物、硼化物中至少1種所形成之標靶同時進行濺鍍，或將此些原料混合所得之標靶進行濺鍍。此時，對於C r系金屬係使用6 5至9 8 w t %而言，週期表第I至V族之氧化物、氮化物、硼化物中至少1 種可以3 5至2 w t %之方式，以調整標靶之面積比或混合比。經濟部智慧財產局W工消費合作社印製進行濺鍍之結果，可於無機化合物膜之結晶性粒子上，使中間膜之磁性粒子產生外延生長，而得到磁性粒子爲微細且具有均勻粒徑之中間膜。此中間膜上若鍵度有上述磁性膜時，於中間膜之結晶性粒子上之中間膜的磁性膜中的結晶粒子會產生外延生長，而得到磁性粒子爲微細且具有均勻粒徑之磁性膜。爲使磁性粒子之成長得以順利進行，無機化合物膜或中間膜之結晶粒子之結晶構造，以具有與構成磁性膜之磁性粒子相同之構造或近似之構造爲佳。此近似性，係指對構成磁性膜之磁性粒子的晶格係數而言，與無機化合物膜及中間膜之結晶粒子之晶格係數之本紙張尺度適用中SI國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -10 - 556169 A7 B7 五、發明説明（8 ) 差爲± 1 〇 %以內者，使結晶之成長得以更順利地進行時，以± 5 %以內爲更佳。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 如上所述般，磁性膜之磁性粒子爲微細且均勻之粒徑時，可降低噪音、熱擺動或熱減磁等作用，且磁化反轉單位亦較小，故極適合進行高密度之記錄步驟。例如，磁性膜之磁性粒子之徑4至1 5 n m，短徑/ 長徑0 · 7至1 · 0之範圍，粒徑之標準誤差（σ)之平均粒徑爲2 5 %以下，保磁力爲3 0 0 0〇e以上，磁化反轉單位爲l〇〇nm以下，20Gb/inch2以上之密度下進行記錄。又，磁化反轉單位，係假設反轉之最小單位爲磁性膜之1個磁性粒子之情形，以磁顯微鏡（M F Μ )觀察於記錄或消除時之相當於幾個磁性粒子之方式作爲判斷依據。〔實施例1〕經濟部智慧財產局員工消費合作社印製圖1係爲本實施例中磁記錄介質之模式截面圖。磁記錄介質5，係由於基板1上，層合薄片層之無機化合物膜 2，記錄有資訊之磁性膜3，保護膜4所得者。無機化合物膜2係爲柱狀結晶質之粒子6與，隔著粒子6之非結晶質之粒界相7所構成者；磁性膜3係由磁性粒子1 4以配列方式構成者。本發明中，粒子與粒子之界線係稱爲粒界，其中，粒界上所析出之非結晶質物質具有寬度時，則稱爲粒界相7。圖1之磁性膜3，係於磁性粒子1 4與磁性粒子1 4間具有粒界1 5。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（21〇><297公釐） -11- 556169 A7 B7 五、發明説明（9 ) 使用直徑2 · 5吋之玻璃基板作爲基板1。無機化合物膜2，係由氧化鈷（C 〇 0 )燒結標靶，與氧化矽（ S i〇2 )與氧化鈦（T i〇2 )以莫耳比2 : 1之比例混合所得標靶，並同時使用濺鍍法以形成厚度3 0 nm膜厚者。濺鍍時之放電氣體係使用純A r氣體，放電氣體壓力爲2 m Τ ο I· I·，所投入之高周波電力係於氧化鈷側爲 100 至 l〇〇〇w/l〇〇mm0 ，Si〇2 與 Ti〇2 側爲 100 至 l〇〇〇w/l〇〇mm0。無機化合物膜2之膜厚爲5至5 0 nm爲佳。膜厚低於5 n m時，無機化合物膜因受基板表面構造之影響，而未能充分顯示無機化合物膜之特性。膜厚爲5至5 0 n m 時，則可充分顯示出無機化合物膜之特性，故可使用磁記錄介質之底層膜具有充分之厚度。表1 ，係顯示改變標靶與投入電力的同時進行濺鍍法後所得無機化合物膜之組成與粒子之結晶性。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -12 - 556169 A7 B7 五、發明説明（1〇 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

備考 1 1 1 1 1 比較例 1 1 1 比較例比較例結晶性〇〇〇〇〇〇〇〇〇 X 〇無機化合物膜粒子短徑/粒子長徑平均値 0.90 0.92 ! 0.93 0.92 r- —H CTn 0.65 0.89 0.88 0.89 1 0.60 職結 14.2 CO Csi r—H ，1 4 ， A CO r—H un r—H 25.6 12.8 〇6 t-H 21.2 1 26.1 平均粒徑 (nm) CO 06 06 ON ro 14.2 18.6 VO 1 20.3 無機化合物膜組成內容(Wt%) 結晶粒界 C〇0:80 Si〇2+Ti〇2：20 Co〇:78 Si〇2+Ti〇2:22 C〇〇:75 Si〇2+Ti〇2：25 CoO:73 Si〇2+Ti〇2：27 CoO:83 Si〇2+Ti〇2：17 Co〇:90 Si〇2+Ti〇2:10 CoO:53 Si〇2+Ti〇2：47 Co〇:50 Si〇2+Ti〇2：50 C〇0:50 Si〇2+Ti〇2：50 Co〇:45 ! Si〇2+Ti〇2：55 1 結晶粒 Co〇:85 Si〇2+Ti〇2：15 Co〇:88 Si〇2+Ti〇2：12 Co〇:93 Si〇2+Ti〇2:7 Co〇:95 Si〇2+Ti〇2：5 Co〇:98 Si〇2+Ti〇2：2 CoO:99.5 Si〇2+Ti〇2：0.5 C〇0:80 Si〇2+Ti〇2：20 Co〇:78 Si〇2+Ti〇2：22 Co〇:65 Si〇2+Ti〇2：35 Co〇:63 1 Si〇2+Ti〇2:37 Co〇:100 標靶及投入電力(W) Si〇2-Ti〇2 8 r—H 8 -i 0 t—H 0 1 Ή 0 \ i 〇 r-H 8 寸 0 〇〇 1000 1000 ! 0 Coo 〇 0 CO 〇 cn 〇〇 r- 1000 〇 CN 8 CM 〇 Csl 〇 0 cn \ i 〇〇 cn 寸 r- 00 ON 〇 r—H (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝·

、1T 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） · 13 - 556169 Α7 Β7 五、發明説明（彳1 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 結果得知，任一無機化合物膜中，含氧化鈷之粒子6 皆呈分散狀態，粒子6爲具有N a C 1型結晶構造之氧化物。Ν ο · 1至5，7至9之粒界則具有粒界相7之形態，N 〇 · 6 ，1 1並未具有粒界相7之形態。又，N 〇 . 1 0之粒子結晶性較差，而不易判斷粒子、粒界之界限。

No · 1至1 1之無機化合物膜的粒子6中，No . 1 0以外之結晶性皆佳，平均粒徑除Ν 〇 · 6 ，1 1以外者皆爲1 5 n m以下，且標準誤差（σ )/粒徑X 1 〇〇之數値爲2 5 %以下。又，Ν ο · 1 〇係爲前述般結晶性不佳之粒子，而不易判斷粒子、粒界之界限。如Ν 〇 · 6 ，1 0，1 1般，粒子6之部分的組成中，C〇〇成分超出65至98wt°/〇，Si〇2 + Ti〇2 成分超出3 5至2 w t %之範圍時，會造成粒子6之結晶性降低，粒徑之標準誤差（σ )過大，而未能得到無機化合物膜之特性。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製圖2係爲使用透過型電子顯微鏡（ΤΕΜ)觀察No • 3之表面圖像。平均粒徑爲9 n m之粒子6係以規則狀態排列，Ν 〇 · 3以外之無機化合物若同樣使用T E Μ觀察結果，則比較例以外之粒子6之間隔，即，粒徑7之寬度爲0.1至2nm。粒子6之直徑，係測定如圖2所示之T E Μ觀察圖像中約3 0 0個粒子數之面積，並求得各個似圓面積直徑之平均値。粒子6在觀察其晶格形狀時得知其爲結晶質，粒界相7中並未確認其晶格相，故得知粒界相7爲非晶質。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） _以- 556169 A7 ___B7 五、發明説明（12 ) 粒子6與粒界相7之組成係以F E - T E Μ (場致發射型Τ Ε Μ )之E D X (能量分散型特性X線分析裝置） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 測定。粒子6係以電子束徑約5 n m，又粒界相7係以電子束徑約0 · 5 n m之方式測定。

No ·3之粒子6中具有NaC1型結晶構造之氧化鈷爲9 3 w t % ，其他之S i〇2 + T i〇2爲7 w t % 。又，粒界相7中，C 〇〇爲7 5 w t % ，其他部分爲 S i〇2與T i〇2。又，對其他樣品進行分析結果，比較例以外之粒子部分之C 〇〇爲5 0至9 0 w t %之範圍，

其他部分爲S i〇2與T i〇2。在求得粒徑分布之結果時，No · 6、10、11以外之標準誤差（cr)/粒徑X 1 0 0之數値爲2 5 %以下，得知其直徑極爲均勻。隨後，於表1所示之Ν ο · 1至1 1之無機化合物膜 2上，以濺鍍法於形成厚度1 2 n m膜厚之 C 〇 6 9 C r 1 9 P t 1 2膜（原子％ )以作爲磁性膜3 。濺鍍時之標靶係使用C 〇 - C r 一 P t合金，放電氣體經濟部智慧財產局員工消費合作社印製係使用純Ar氣體。放電氣體壓力爲3mTo r r ，投入 DC 電力爲 3 0 0W/1 〇 Omm0 。隨後，於磁性膜3上形成膜厚5 n m之碳（C )膜作爲保護膜4。濺鍍時之條件爲，放電氣體係使用A r氣體。放電氣體壓力爲5mTo r r* ，投入DC電力爲800 W/lOOmmc/)。本實施例之放電氣體係使用Ar ，但亦可以使用含氮氣體，此時，可使保護膜4緻密化。磁性膜3之表面與截面在使用電子顯微鏡觀察結果， -15- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 556169 A7 B7 五、發明説明（13 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 於表1之無機化合物膜2上形成的磁性膜3除N 0 . 9以外幾乎係爲外延生長狀態，無機化合物膜2之粒子6與磁性膜3之粒子1 4幾乎爲同樣之尺寸。在求得磁性粒子1 4之粒徑分布時，標準誤差（σ ) /粒徑X 1 0 0之數値除Ν 〇 · 6、1 0、1 1以外皆爲 2 5 %以下，得知其直徑極爲均勻。此點應爲磁性膜3之磁性粒子1 4，受無機化合物膜2之粒徑、標準誤差形態所對應之結果。於測定此些磁性膜3之磁特性結果，得知Ν 〇 . 6、 10、1 1以外之保磁力爲3 · 0至3 · 8k〇e ，Μ — Η曲線（亦稱爲磁滯曲線：描繪於強磁性材料上施加磁場 Η中，測定磁化Μ之曲線）中，作爲磁滯角型性指標之保磁力角型比S*爲0 · 75至0 · 88，較佳爲具有磁特性。此因係磁性膜3之磁性粒子1 4之直徑較小，且爲均勻之狀態者。又，Ν 〇 · 6、1 0、1 1之磁性膜的保磁力爲2至2 · 5〇e 。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製設置於表1之No · 6、10、1 1等無機化合物膜上之磁性膜，因如上述般無機化合物膜之粒子的結晶性較低，因其粒徑之標準誤差較大，故磁性膜之粒徑亦較標準誤差爲大，故磁特性較差。其次，於保護膜4之表面塗佈潤滑劑後，將磁記錄介質5組裝至磁記錄再生裝置中，再評估記錄再生特性。圖 3係爲磁記錄再生裝置之槪略斜視圖。磁記錄再生裝置，係具有磁記錄介質5、使磁記錄介本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -_ 556169 A7 B7 五、發明説明（14 ) 質迴轉之驅動部8，驅動磁頭1 〇之驅動部9。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 磁頭1 0，係具有再生磁頭與記錄磁頭，記錄磁頭係具有上部磁圈與下部磁圈與間隙膜。其中，記錄磁頭之間隙膜係使用具有2 · 1 T高飽和磁束密度之軟磁性膜，間隙長度爲0 · 1 5 //m。又，再生磁頭係使用具有較大磁阻效果之磁頭。磁頭1 0之記錄介質對向與，磁記錄介質5之磁性膜間之距離爲2 0 n m。磁記錄介質5係記錄相當於 2 OGb/i n c h2之訊號，並對S/N做評估。除於 N 〇 · 6、1 0、1 1以外之無機化合物膜2上形成磁性膜3，係以27至36dB再生出力之方式而得。又，表 1中形成於N 〇 · 6、1 0、1 1之無機化合物膜2所形成之磁性膜3係以1 7至1 9 d B之再生出力所得者。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製其中，使用磁力顯微鏡（M F Μ )測定磁性膜之磁化反轉單位結果，得知除表1中之Ν 〇 . 6、1 0、1 1以外的無機化合物膜2所形成之磁性膜3中，約4至5個左右之磁性粒子1 4係爲磁性反轉單位，故可確認其磁化反轉單位極低。又，以磁力顯微鏡（M F Μ )測定所得之位於磁記錄介質5之軌跡的磁性化遷移區域的Ζ型圖型之寬度亦爲〇 . 1 // m，即低於記錄磁頭之間隙長度以下，故亦爲極小値。又，並未發生熱擺動或熱減磁等現象。此係因磁性膜3之磁性粒子1 4之直徑極爲平均，故磁性粒子1 4間可抵銷磁的相互作用者。又，Z型圖型之本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ 17 · 556169 A7 __B7_ 五、發明説明（15 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 寬度，並非需使軌道全周低於間隙長度，但以軌道全周長爲間隙長度以下者爲佳。此時，可使磁記錄介質之噪音顯著降低。本實施例中磁記錄再生裝置，因Z型圖型之寬度較以往更小，故軌跡間之距離亦較小，而可以2 0 G b / i n c h 2以上之高密度進行記錄。又，本實施例中，基板1可使用玻璃基板，但亦可使用A 1或A 1合金基板，或使用合成樹脂製基板，基板之尺寸亦可作變更，又，爲使基板之表面產生改質，故可使形成NiP或CoCrCrZi:等層亦可。又，磁性膜之磁性粒子成分可使用C 〇爲主體之C I* 、Ta、Nb中之1種元素，或可含有其他元素亦可。〔實施例2〕本實施例，係將圖1之無機化合物膜2，依表2所示 Ν ο · 1至1 0所示標靶而形成者。標靶1係爲N i〇、經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

Fe〇、Mg〇、 Ti〇、Mn〇、 C〇3〇4、 Fe3〇4 或其混合物中所選出之鍛燒標靶。標靶2係使用鹼石灰（ N a 2〇一 S i〇2 — C a ◦系）玻璃之熔融標靶。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） -18 - 556169 A7 B7 五、發明説明（16 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製備考 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 Si 5： 8 糊β 驛鋁 ON CN T—H VO 15.9 I_ oo 13.2 ! Τ—Η ON 1—^ 14.4 v〇 Η 平均粒徑 (nm) 12.2 11.7 cn Ο 11.7 11.2 14.2 12.9 (N ν〇 οο 無機化合物膜標準誤差/平均粒徑 X 100(%) 25.3 vd CO VO H 寸卜·· r i 10.6 csi σ< 1—Η 异 oo \ « τ—Η 平均粒徑 (nm) cn CO 12.3 ί " i 〇 12.4 13.2 VO τ—Η ι Η CNl CO Γ — un m 〇6 1 链結晶粒界 1 NiO:78 玻璃成分:22 Fe〇:73 玻璃成分:27 Ο <p o c3澎 MgO:80 玻璃成分:20 Ti〇:69 玻璃成分:31 Μη〇:81 玻璃成分:19 ON ί <R s链 ^ jf C〇3〇4:72 玻璃成分:28 Fe3〇4：75 1 玻璃成分:25 m 鬆 m 壊結晶粒 NiO:100 Ni〇:88 玻璃成分:12 Fe〇:83 玻璃成分:17 oo — O 〇 jf ΰ澎 MgO:87 玻璃成分:13 Ti〇:89 玻璃成分:11 Μη〇:91 玻璃成分:9 o ί Φ S链 5 jf CJ C〇3〇4：82 玻璃成分:18 Fe3〇4：85 玻璃成分:15 標靶及投入電力(w) Si〇2_Ti〇2 1 鹼石灰玻璃 100W 鹼石灰玻璃 100W 鹼石灰玻璃 100W 鹼石灰玻璃 100W 鹼石灰玻璃 100W 鹼石灰玻璃 100W 鹼石灰玻璃 100W 鹼石灰玻璃 100W 鹼石灰玻璃 100W Co〇 Ni〇 300W Ni〇 300W Fe〇 300W FeO+CoO 300W MgO 300W Ti〇 300W Mn〇 300W CoO+NiO +Ti〇 300W C〇3〇4 300W Fe3〇4 | 300W § CNl cn 寸 oo ON 〇 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、τ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -19 - 556169 A7 B7 五、發明説明（17 ) 使用電子顯微鏡觀察無機化合物膜2之表面時’ N 〇 • 1至8之無機化合物膜2係分散有含有N a C 1型結晶構造之氧化物的結晶粒子6，No · 9至1 〇之無機化合物膜2係分散有含有尖晶石型之氧化物。

No · 2至10中，粒子6之粒徑爲6 · 5至 13 · 2nm，粒子之短徑/長徑爲〇 · 7至1 · 〇，粒徑分布之標準誤差（σ)亦爲平均粒徑之9·2至 20 · 1%的較低値，故粒徑極爲均勻。又，No · 1之平均粒徑爲2 3 nm，其爲超過粒徑分布之標準誤差（σ )的2 5 %者。 Ν 〇 · 2至1 0之無機化合物膜，於粒子6之粒界上記具有由析出之非晶質的氧化物所形成之粒界相7，但， Νο·1則未明確地觀察出粒界相。於表2之無機化合物膜2上形成磁性膜3後，可使 Ν 〇 · 2至1 0之磁性膜3之磁性粒子1 4，對應出無機化合物膜2之粒徑、標準誤差形態等。但，Ν ο · 1之磁性膜則未能產生對應情形，此應肇因於磁性粒子之粒徑爲1 5 n m以上，且粒徑分布之標準 .^ --—ν 誤差（σ )亦超過平均粒徑之2 5 %等原因。因此，於進行2 0 G b / i n c h 2以上之高密度記錄時，以使用ν 〇 .2至1 0之無機化合物膜爲佳。如上所述般，使用含有具有N a C 1型或尖晶石型結晶構造之氧化物的結晶粒子6，與由非結晶質之粒界相所構成之無機化合物膜結果，可得到可進行高密度記錄之磁本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝. 訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -20- 556169 A7 B7 五、發明説明（18 ) 記錄介質。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 〔實施例3〕本實施例，係於圖1之基板1上，使用氧化鈷（ C 〇 0 )，與添加有 Si3N4、TiN、Fe2B 或 C ο B之以N a 2〇一S i〇2 — C a〇爲主成分之鹼石灰 .系玻璃作爲標靶，同時以鍵鍍法形成具有3 0 n m膜厚之無機化合物膜2。濺鍍時之放電氣體係使用純A r氣體，放電氣體壓力爲2 m T 〇 r r ，所投入之高周波電力係於氧化鈷側爲 3 0 0 W，鹼石灰系玻璃標靶側爲2 0 0 W。成膜中係將基板加熱至3 0 0 t。於使用T E Μ觀察無機化合物膜表面時，得知其爲平均粒徑9 . 8至 1 2 · 5 n m，短徑/長徑0 · 7至1 · 0之結晶粒子與該結晶粒周圍存在有非晶質粒界相之形態。又，因粒子呈結晶化，故該粒子之粒徑分布（σ )爲平均粒徑1 1 · 9 至2 0 · 1 %之範圍。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製粒界相則含有S i 0 2、N a 2 0與C a〇及，所添加之S i3N4、TiN、Fe2B或CoB等成分。粒界相之厚度爲0 · 5至1 · 〇nm。標耙若添加S i3N4、 TiN、？62；6或（：〇：6等成分時，將會使粒界相之厚度增加。〔實施例4〕本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公αΊ -21 - 556169 A7 B7 五、發明説明（19 ) 本實施例係使用與實施例1之N 0 . 3相同條件性形成無機化合物膜2之基板1 ，並依表3所示內容製作磁性介質Ν ο · 1至7。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _之2 _ 556169 A7 B7 五、發明説明（2〇 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

備考 I_ 圖 4(a) 圖 4(b) 圖 4(c) 圖 4(d) m 標準誤差/ 平均粒徑 χ100(%) 20.6 〇\ r·· i oo 18.2 14.6 i 4 对平均粒徑 (nm) 〇 cn o in > ·Η i "H 10.8 cn o 10.5 10.8 磁性膜用標靶標靶2 1 1 1 1 1 Si〇2+Ti〇2 (Si〇2：Ti〇2=l:l) 100W Si〇2+Ti〇2 (Si〇2：Ti〇2=l:l) 100W 標靶1 1_ Co69Crl9Ptl2(Co:69at%, Cr. 19at%,Pt:: 12at%) 300W Co69Crl9Ptl2(Co:69at%, Cr.l9at%,Pt::12at%) 300W Co69Crl9Ptl2(Co:69at%, Cr.l9at%,Pt::12at%) 300W Co69Crl9Ptl2(Co:69at%, Cr.l9at%,Pt::12at%) 300W Co69Crl9Ptl2(Co:69at%, Cr.l9at%,Pt::12at%) 300W Co69Crl9Ptl2(Co:69at%, Cr.l9at%,Pt::12at%) 300W Co69Crl9Ptl2(Co:69at%, Cr.l9at%,Pt::12at%) 300W 中間膜晶格係數 (A ) 2.9244 2.9606 2.9964 3.0297 1 1 未形成中間膜，fi兹性膜直接形成於無機化合物膜上。 | 標準誤差/ 平均粒徑 χ100(%) 20.1 r· Λ od ON i 1 '4 CO r-H Os i i 1—* 平均粒徑 (nm) 〇 cn CN υη r—H H 11.2 vn 〇 o 雖標靶2 1 1 1 1 S1O2+T1O2 (Si〇2：Ti〇2=l:l) 100W Si〇2+Ti〇2 (Si〇2：Ti〇2=l:l) 100W m Se 標靶1 Crl00(Cr:100at%) 300W Cr90Til0(Cr:90at%. Ti:10at%) 300W Cr80Ti20(Cr:80at%. Ti:20at%) 300W Cr70Ti30(Cr:70at%. Ti:30at%) 300W Cr90Til0(Cr:90at%. Ti:10at%) 300W Cr90Til0(Cr:90at%. Ti:10at%) 300W NO. i i ro CO 寸 VO (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ _ 556169 A7 B7 五、發明説明（21 ) 請先閲讀背面之注意事項再填本頁

No.1至4之磁記錄介質，係於無機化合物膜2上，形成變更C I*與T i組成比之中間膜4，並於中間膜4 上形成磁性膜3。圖4 ( a )爲N 〇 . 1之磁記錄介質模式之截面圖。中間膜係使用C r 一 T i合金標靶，以濺鍍法成型，其膜厚爲1 0 nm。濺鍍時之放電氣體係使用純A I*氣體，放電氣體壓力爲3mTorr ，所投入之DC電力爲 8O〇W/l〇〇mm0〇磁性膜係使用C 〇 - C I* — P t合金標靶，以濺鍍法成型，其膜厚爲1 2 nm。濺鍍時之放電氣體係使用純 Αι·氣體，放電氣體壓力爲3mT〇ri* ，所投入之DC 電力爲8O〇W/l〇〇mm0。如表3所示般，Ν ο · 1至4之磁記錄介質的中間膜 1 3，係對應於無機化合物膜2之粒徑及其分布狀態，故顯示出良好之平均粒徑與粒徑分布狀態。又，磁性膜3亦對應於中間膜1 3之粒徑及其分布，故亦顯示出良好之平均粒徑與粒徑分布狀態。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製圖4 ( a )所示之中間膜1 3 ，係由中間膜粒子1 7 所排列，而中間膜粒子間則爲粒界1 8。又，中間膜1 3之晶格係數，可由T i濃度所控制’ 若以將中間膜1 3之晶格係數調整至無機化合物膜之晶格係數與磁性膜之晶格係數間之方式調整T i濃度時’可以容易且確實方式，使其以無機化合物膜—中間膜-磁性膜與各膜產生成長。本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ·之4 556169 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（22 ) 圖4 ( a )所示之磁性膜列，而磁性粒子間則爲粒界1 5。 N 〇 . 5之磁記錄介質，係於成由結晶質之中間膜粒子1 7與非之中間膜1 3 ，並於中間膜1 3上 b ))。中間膜1 3係由N 〇 . 2之磁所使用之Cr90Til0之合金鈦以莫耳比1 : 1混合煅燒所得之而形成者。磁性膜3，係依Ν ο · 1至4 法所形成者。N 〇 · 5之磁記錄介 • 1至4之磁記錄介質之磁性膜3 之分佈較佳。 Ν 〇 . 6之磁記錄介質，係與相同方法般形成中間膜1 3 ，並於粒子1 4與非晶質之粒界相1 6所 (c )所示之磁性膜3，係由磁性性粒子間則爲粒界1 6。磁性膜3，係以Ν 〇 · • 1至4 之C 〇 - C r 一 P t作爲合金標靶莫耳比1 : 1混合煅燒所得之標靶成者。No · 6之磁記錄介質之磁 4之磁記錄介質之磁性膜3相比較係由磁性粒子1 4所排無機化合物膜2上，形晶質之粒界相1 9所得形成磁性膜3 (圖4 ( 記錄介質中形成中間膜標靶與，氧化矽與氧化標靶，並同時進行濺鍍之磁記錄介質之相同方質之磁性膜3，與Ν 〇相比較時，其磁性粒徑 No·5之磁記錄介質中間膜4上形成由磁性構成之磁性膜3。圖4 粒子1 4所排列，而磁之磁性膜形成時所使用與，氧化矽與氧化鈦以，並同時進行濺鍍而形性膜3，與Ν ο · 1至時，其磁性粒徑之分佈請先閲讀背面之注意事項再会本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -25- 556169 A7 B7 五、發明説明（23 ) 較佳。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) N 〇 · 7之磁記錄介質的磁性膜3，並未設置中間膜 ’其係於無機化合物膜2上，直接形成由結晶質之磁性粒子與非晶質之粒界相所構成之磁性膜3。圖4 ( d )所示之磁性膜3，係由磁性粒子1 4所排列，而磁性粒子1 4間則爲粒界1 6。磁記膜3，係與 N 〇 · 6之磁記錄介質相同方法般形成磁性膜，N 〇 · 7 之磁記錄介質之磁性膜3，與Ν ο · 1至4之磁記錄介質之磁性膜3相比較時，其磁性粒徑之分佈較佳。使用TEM觀察No·1至7之磁記錄介質的各膜表面與截面時，得知任一磁記錄介質之中間膜1 3與磁性膜 3，皆於無機化合物膜2上形成外延生長。但，如Ν 〇 . 6、7般，形成具有磁性粒子1 4與粒界相1 6之磁性膜 3時，其磁性粒徑分布更爲良好。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本實施例，係爲改善無機化合物膜2與磁性膜3之整合性時，使中間膜1 3具有效性之C r 一 T i系合金材料之例示，於Cr中加入Ti 、乂、1^〇、“11、：6、界等之合金系列亦可得到相同之效果。基於無機化合物膜之形成，可使形成於其上之中基膜的粒徑與分佈得到良好之控制。此外，中間膜在使中間膜形成粒子成分與粒界相形成成分與共存之結果，將可使中間膜之粒徑，及分佈得到良好之控制。〔實施例5〕本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） · 26 556169 A7 B7 五、發明説明（24 ) 本實施例，係依表4之No·1至12所示內容製造磁碟。爲形成No·1至12所示內容磁碟之無機化合物膜，其標靶係依下列方法所製得者。將平均粒徑2 · 3與3 · 2 // m之氧化鈷上，依表4 所示比例添加N a 2 0 — S i〇_ C a〇系玻璃，或特級藥品之S i〇2與T i〇2之混合物（S i〇2與丁 i 〇2之莫耳比爲1 : 1 )。於此組合物中添加乙基醇形成淤漿狀之均勻混合物後，再經吹風機乾燥、造粒。將此造粒物加壓成型，以.熱壓煅燒方式形成標靶。對各標靶使用高週波濺鍍法，形成厚度3 0 n m之無機化合物膜。各無機化合物膜之結晶性與平均粒徑與標準誤差/平均粒徑、膜組成等內容係如表4所示。又，於各無機化合物膜上形成厚度1 〇 n m之磁性膜 (Co69Crl9Ptl2)。對所得之介質使用磁碟裝置以相當SOGb/M nch2之速度寫入數據，與讀出時之S/N (dB)比亦記載於表4中。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -27· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 556169 A7 B7 五、發明説明（25 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製備註比較例 • • • • 幽比較例 • • • • 比較例磁碟 S/N(dB) Ρί 二 cs m m οο 二無機化合物膜粒界:非品質粒界寬度:<〇.lnm 粒界:非品質粒界寬度:〇.lnm 粒界:非晶質粒界寬度:〇.5nm B 〇粒界:非品質粒界寬度:1.2nm | 粒界:非晶質粒界寬度:2.9nm 粒界:非晶質粒界寬度:〇.7nm I 1^1 粒界:非品質粒界寬度:Unm 粒界:非品Γί 粒界寬度:2nm 粒界:非晶Γί 粒界宽度:2.7nm 粒子:CoO結品 1、:均粒禅:17.0nm 標準誤范/平均粒徑X 100:29% 粒子:CoO結均粒徑:12.0nm 標準誤盖/平均粒徑xl〇0:18.2% 粒子:Co◦結晶 T均粒徑:11.2nm 標準誤盖冲均粒徑xl〇0:17.5% 粒子:〇3〇結晶平均粒徑:ll.〇nm 標準誤差/平均粒徑xl〇0:16.1% 粒子:CoO結晶平均粒徑:l〇.2nm 標準誤差/平均粒徑xl〇〇:15.2% 粒子:CoO結晶平均粒徑:7.2nm 標準誤差/平均粒徑xl〇0:14.2% 粒子:非晶質平均粒徑:6.0nm 標準誤差/平均粒徑xl〇〇:26.3% 粒子:CoO結晶平均粒徑:13.2nm 標準誤茇/平均粒徑xl〇0:16.2% 粒子:CoO結晶平均粒徑:12.0nm 標準誤差/平均粒徑xlOO:13.3% 粒子:CoO結晶平均粒徑:12.0nm 標準誤差/平均粒徑xl〇0:16.2% 粒子:CoO結晶平均粒徑:l〇.2nm 標準誤差/平均粒徑x 100:13.1 % 粒子:非品質平均粒徑:4.2nm 標準誤差/平均粒徑xl〇〇:26.3% 無機化合物股粒子中之 CoO iit(wt%) 94.5 84.2 3 89.6 85.3 80.1 62.5 標靶紺成内容組成(wt%) Na2〇-SiCh-CaO 系玻璃:0.5 Na2〇-Si〇2-CaO系玻璃丄5 Nai0-Si〇2-Ca0 系玻璃:5 Na2〇-Si〇2-CaO 系玻璃:10 Na2〇-SiOCaO 系玻璃:15 Na2〇-Si〇2-CaO 系玻璃:30 NaiO-SiOCaO 系玻璃:45 Si〇2+Ti〇2：5 Si〇2+Ti〇2：10 Si〇2+Ti〇2：15 Si〇2+Ti〇2：20 Si〇2+Ti〇2：45 CoO:99.5 CoO:98.5 CoO:95 C〇0:90 CoO:85 C〇0:70 CoO:65 CoO:95 C〇0:90 CoO:85 CoO:80 CoO:65 2 一 m r- 〇〇 ON Ο 二 <ni (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 556169 A7 五、發明説明（26 ) 表4中No·1之磁碟，其無機化合物膜中之粒子部分的Co〇量爲99wt% ，其粒界相之寬度極小，而無機化合物之粒徑較大時其標準誤差/平均粒徑亦較大，而磁性膜之粒徑較大時S / N亦較低。

No·7之磁碟，係與No·1相反般，膜中之 Co〇量爲63wt% ，故粒界相之寬度較大，而無機化合物膜之粒徑則極小，又，結晶性亦不佳，故磁性膜未能對應於無機化合物膜之粒徑。其結果將造成不易控制磁性膜之粒徑，而使S / N比爲較低之數値。

No·1〇之磁碟，係將與C〇0混合之成分以 S i〇2 + T i〇2替代Na2〇一S i〇2— Ca〇系玻璃所得者。在改變與C ο 0混合之成分後，亦具有幾乎相同之傾向。由表4得知，無機化合物膜中之粒子部分的C 〇〇量請先閲讀背之注意事項再填寫頁爲 5 - 9 8 w t %時（例如表4之Ν 2至6 ，8至經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 11)，其S/Ν比爲25以上。因此，爲製得具有此特性之組成範圍的膜所使用之標靶，其C 〇〇之量以6 5至9 8 °/◦爲佳。又，作爲無機化合物膜之粒界相成分的材料之標靶中的比例，係受粒界相之寬度所控制。粒界相之寬度於 0 · 1至2 n m時，磁性膜之磁性粒子間之距離爲最適當者，其可抵減磁性膜之磁性粒子間的相互作用。因此’經由抵減磁性粒子間之磁相互作用之結果，可得到可降低記錄或消除時具有低磁化反轉單位之磁碟。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ 29 - 556169 A7 B7 五、發明説明（27 ) 本實施例中，如Co〇與Na2〇一S i〇2_Ca〇系玻璃，C〇〇與8丨〇2 + 丁丨〇2所示般，可使用 N a C 1型或尖晶石型之結晶構造的氧化物替代^ 〇〇。又，Na2〇一S i〇2 — Ca〇系玻璃，或S i〇2 + T i〇2之物質等，可以週期表第I至V族之氧化物、氮化物、硼化物替代時亦可具有相同之效果。如上所示般，對於無機化合物膜、中間膜、磁性膜等各部分，以改變材料之選擇或成膜條件之方式，可對構成粒子及粒界相之物質、濃度（組成比）、膜之定向性、粒徑、粒界相之厚度、粒界之分布等作一控制。各膜之結晶粒子，以對容易對晶格係數進行相互整合之結晶定向者爲佳。經濟部智慧財產局s貝工消費合作社印製又，本實施例中，係使用基板1與玻璃基板，但亦可使用聚乙烯、聚酯、聚烯烴、纖維素、聚氯化乙烯、聚醯亞胺、聚碳酸酯等高分子材料，鋁、鋁合金、鈦合金等金屬材料，鋁玻璃等陶瓷玻璃，或其複合材料等皆可使用。基板之形狀，除圓盤狀以外，亦可爲薄膜狀、薄片狀、卡片狀、鼓狀等。磁記錄介質之資訊記錄方式，可大分爲記錄之磁化面係形成與膜面內部方向之面內記錄方式與，記錄之磁化面係形成與膜面垂直方向之垂直記錄方式。面內記錄介質之磁性層，係使用六方最密構造之 C 0〇合金等。C 〇合金膜中之c膜係爲具有極易磁化軸之單軸異向性，故c軸係於膜內面進行定向。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -3〇 556169 A7 B7 五、發明説明（28 ) 請先閲讀背之注意事項再填寫本頁又，使用垂直記錄介質時亦可使用六方最密構造之 Co合金等。此時，c軸係與膜面成垂直定向。磁性膜之定向性，係受無機化合物膜，或無機化合物膜與磁性膜間所形成之中間膜所控制。因此，本發明可使用面內記錄方式或垂直記錄方式皆可。【發明之效果】依本發明之結果，可使磁性膜之結晶粒子呈微細且均勻之粒徑，而可進行高密度之記錄。圖示之簡單說明】圖1爲實施例1之磁記錄介質的截面構造槪略圖。圖2爲無機化合物膜之代表性構造之丁 Ε Μ照片。圖3爲磁記錄裝置之槪略構造的斜視圖。圖4爲實施例4之磁記錄介質構造之截面圖。【主要元件符號之說明】經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1…基板，2…無機化合物膜，3…磁性膜，4…保護膜，5…磁記錄介質，6…粒子，7、1 6、1 9…粒界相，8、9…驅動部，1 0…磁頭，1 1…磁頭擺臂， 1 2…音圈馬達，1 3…中間膜，1 4…磁性粒子，1 5 、1 8…粒界，1 7…中間膜粒子 •31 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )八4規格（210Χ297公釐）

Claims

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^:讀委員明示，^年^m提之經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 {本有無變§質内容是否准予修正。第90104366 i專利申請案〃中文申請專利範圍修正本民國92年4月I5日修正 1、一種磁記錄介質，其係爲具有由基板與，該基板上所層合之多數層膜，且該多數的膜係具有記錄資訊之磁性膜的磁記錄介質，其中，前記基板與前記磁性膜間設置有含有結晶質之粒子與，包圍該粒子之非結晶質粒界相的無機化合物膜，前記磁性膜係含有結晶質的磁性粒子，且前記磁性粒子之平均粒徑爲4至1 5 .n m，粒徑之標準誤差（σ )係爲前記平均粒徑之〇〜2 5%之範圍者。 2、一種磁記錄介質，其係爲具有由基板與，該基板上所層合之多數層膜，且該多數的膜係具有記錄資訊之磁性膜的磁記錄介質，其中，前記基板與前記磁性膜間設置有含有結晶質之粒子與，包圍該粒子之非結晶質粒界相的無機化合物膜，前記磁性膜係含有結晶質的磁性粒子與包圍該結晶粒. 子之非結晶質之粒界相，且前記磁性粒子之平均粒徑爲4 至1 5 n m，粒徑之標準誤差（σ )係爲前記平均粒徑之 0〜25%之範圍者。 3、一種磁記錄介質，其係爲具有由基板與.，該基板上所層合之多數層膜，且該多數的膜係具有記錄資訊之磁性膜的磁記錄介質，其中， ^ 前記基板與前記磁性膜間設置有含有結晶質之粒子與 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 訂本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 556169 Α8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍，包圍該粒子之非結晶質粒界相的無機化合物膜， ---------装-- (請先聞資背面之注意事項再填寫本頁) 前記磁性膜係由含有N a C 1型或尖晶石型結晶構造之氧化物所構成之第1構成成分與，週期表第I至V族元素之氧化物、氮化物或硼化物所構成之第2構成成分所構成，前記粒子與前記粒界相，皆含有第1構成成分與第2 構成成分，且前記粒子中中含有較前記粒界相更多之第1 構成成分。 4、如申請專利範圍第3項之磁記錄介質，其中，前記粒子係含有65至98wt%之第1構成成分，與3 5 至2 w t %之氧化物、氮化物或硼化物的第2構成成分；前記粒界相係含有5 0至9 Owt%之第1構成成分，與 5 0至1 Owt%之氧化物、氮化物或硼化物的第2構成成分。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 5、如申請專利範圍第3項之磁記錄介質，其中，前記第1構成成分之N a C 1型結晶構造之氧化物係爲氧化鈷（C 〇〇）、氧化鐵（F e 2〇3 )、氧化鎂、氧化錳、氧化鈦、氧化銅或氧化鎳。 6、如申請專利範圍第3項之磁記錄介質，其中，前記第1構成成分之尖晶石型結晶構造之氧化物係爲氧化鈷 (0〇3〇4)、氧化鐵（？63〇4)。 7、如申請專利範圍第3項之磁記錄介質，其中，前記粒子之平均粒徑爲4至1 5 n m，粒徑之標準誤差（σ )爲前記平均粒徑之〇〜2 5 %之範圍’前記粒子之短徑本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -2 · 556169 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 /長徑爲0 · 7至1 · 0，粒界相之寬度爲0 . 1至 2 n m之範圍間。 8、如申請專利範圍第3項之磁記錄介質，其中，前記磁性膜係爲含C 〇之合金。 9、如申請專利範，圍第3項之磁記錄介質，其中，前記磁性膜係含有結晶質之磁性粒子與包圍該磁性粒子之非晶質粒界相。 1 〇、如申請專利範圍第3項之磁記錄介質，其中，前記粒界相係含有週期表第I至V族元素之氧化物、氮化物或硼化物者。 1 1、如申.請專利範圍第3項之磁記錄介質，其中，於前記無機化合物膜與前記磁性膜之間係設置有中間膜，該中間膜係含有結晶質之中間膜粒子，該中間膜粒子之平均粒徑爲4至1 5 nm，粒徑之標準誤（σ )爲前記平均粒徑之0〜2 5%之範圍者。 1 2、如申請專利範圍第1 1項之磁記錄介質，其中，前記中間膜係含有結晶質之前記中間膜粒子與，包圍該中間膜粒子之非結晶質的粒界相。 1 3、一種磁記錄介質之製造方法，其係爲於基板上層合多數層膜與，該多數的膜係具有記錄資訊之磁性膜，且於前記基板與前記磁性膜之間係設置有無機化合物膜的磁記錄介質的製造方法，其特徵爲，將具有N a C 1型或尖晶石型結晶構造的氧化物所構成之第1標’與由週期表第I至V族之氧化物、氮化物本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

-3 - 556169 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍、硼化物中所選出至之至少1種化合物所構成之第2標靶，同時進行濺鍍以形成無機化合物膜者。 1 4、一種磁記錄介質之製造方法，其係爲於基板上層合多數層膜與’該多數的膜係具有記錄資訊之磁性膜，且於前記基板與前記磁性膜之間係設置有無機化合物膜的磁記錄介質的製造方法，其特徵爲，將具有N a C 1型或尖晶石型結晶構造的氧化物與，由週期表第I至V族之氧化物、氮化物、硼化物中所選出至之至少1種化合物混合所得之標靶進行濺鑛以形成無機化合物膜者。 1 5、一種磁記錄介質之製造方法，其係爲於基板上層合多數層膜與，該多數的膜係具有記錄資訊之磁性膜，且於前記基板與前記磁性膜之間係設置有無機化合物膜的磁記錄介質的製造方法，其特徵爲，將Cr、Ta、Nb中至少1種之元素，c〇與Pt 所構成之第1標靶，與由週期表第I至V族之氧化物、氮化物、硼化物中所選出至之至少1種化合物所構成之第.2 標靶，同時進行濺鍍以形成磁性物膜者。 1 6、一種磁記錄介質之製造方法，其係爲於基板上層合多數層膜與，該多數的膜係具有記錄資訊之磁性膜，且於前記基板與前記磁性膜之間係設置有無機化合物膜的磁記錄介質的製造方法，其特徵爲，將Cr、Ta、Nb中至少1種之元素，c〇與Pt 與，由週期表第I至V族之氧化物、氮化物、硼化物中所本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） ----^-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -4 - 556169 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍選出至之至少1種化合物所得的混合物作爲標靶，並進行濺鍍以形成磁性物膜者。1 7、一種磁記錄裝置，其特徵係使用申請專利範圍第1、2或3項之磁記錄介質者。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (請先閱嘩背面之注意事項再填寫本頁)

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