TW546986B

TW546986B - Active matrix organic electroluminescent device simplifying a fabricating process and a fabricating method thereof

Info

Publication number: TW546986B
Application number: TW091114409A
Authority: TW
Inventors: Jae-Yong Park; Juhn-Suk Yoo; Sung-Ki Kim; Yong-In Park
Original assignee: Lg Philips Lcd Co Ltd
Priority date: 2001-07-25
Filing date: 2002-06-28
Publication date: 2003-08-11
Also published as: CN1399504A; CN100364105C; JP4236150B2; GB2381658B; US6771328B2; GB2381658A; JP2003076299A; GB0214836D0; US20040012028A1

Description

五、發明說明（υ 發明背景發明領域尤指一種主動矩本發明係與有機電致發光裝置有關陣電致發光裝置。 Ρ 發明演進最近幾年’輕薄短小兼省電的平板式顯示器（FPD Fiat panel display)裝置儼然已經成為資訊時代一個界等相投入的研究目標。按，FPD裝置基本上可 β ς 發射或接受光線而區分為兩大類，其一屬於發射光'&以显示影像的發光型顯示裝置，另一屬於利用外部光 ^ 影像的受光型顯示裝置，前者如電漿顯示板（PDp/，' ^η

Plasma display paneis)、電場發光顯示（fed， emission display)裝置、及電致發光（EL，， electroluminescence)裝置等，而後者主要為液 (LCD， Liquid crystal display)裝置。 # 一在諸多PD裝置中’ LCD裝置因具有極佳的解像特性色彩顯示、及顯示品質等優點，所以廣為業界採用。而，正因為其係屬一種受光型顯示裝置，所以也具有^此

例如對比欠佳、視角較窄、放大困難等宿命缺點了因此些業界無不引頸企盼能夠發展出可以一舉解決上十型FPD。卿决上述問題的新由於屬於發光型FPD的有機EL顯示裝置相對於LC])且更為寬廣的視角與較佳的對比效果，最近已有不少業^ 極投入這方面的研發工作。因為有機EL顯示裝晉—二貝衣夏7〇全不需 546986 五、發明說明（2) ___ 利用背光，所以，造型上不難達到既輕且薄兼要求。應用時，僅需-個低壓直流電源即可 j ^平顯示裝置，而且反應快速。眾所週知，纟士 w 為el 裝置的有機el顯示裝置因本身為一全不同於LCD 外界的衝擊具有更大的抗力，而且；對於寬^…與LCD或PDP相車交，製作有機孔顯：：：私中，特別是因為僅需沉積與封囊設備，吝=衣為低廉。所以生產成本更傳統上操作有機EL顯示裝置係以_種電晶體（TFTs，Thin film transistors)之被動矩名陣操膝法（Passive matrix operating meth〇d)為之。缺而了陣有機EL顯示裝置在解像度、耗電量、、、與使口用可〒各方面皆有不足之處，近來已有業者發展一 2提供高解像度與大顯像面積且可望 :員“ ^ =動；陣有侧示裝置。在一被動矩 1 "中，柃瞄線與信號線彼此垂直交叉形成一車而在-主動矩陣有機EL顯示裝置中，通常各=狀配置有"'薄膜電晶體（TFT) ’該m係用以之連結之第-電極及另-設於該第-電極掃r ί 被動矩陣有機EL顯示裂置時，必須連續對該等加一掃晦電屢。在選擇時段内，各像素之瞬間亮二二ίτ線數乘以平均亮度所得值，藉以獲得所需之平二儿X。疋以，掃瞄線數愈多，需要的電壓和電流也愈

546986 五、發明說明（3) 〇此所以該被動矩陣有機乩顯示裝置之用於高解像度之 -像2有不足，非但耗電大而且容易受損。之带然而’在該主動矩陣有機^顯示裝置中，施加於像素包^係儲存在一蓄電電容器内部以保持該電壓及驅動該 ^ ^裝置而不計該掃瞄線數量之多寡，直到施加下一資料，包電壓為止。結果，僅須施加一小電流即可效 ί機=製Γ低耗電、高解像度、及大面積之主動矩陣為el》、、員示1置並無特殊困難。 n圖顯示一傳統主動矩陣有機EL顯示裝置之基礎京、、、吉構寻效電路圖。 ^第1圖中’-條落在第一方向上的掃猫線一方向的第二方向上的-條信請^ 3〇 ^ "而疋義了一個像素區，其中該信號線20與電源線 4此分隔一段距離。一切換用TFT " Ts·，，即一 ’一、、、’ 係連結於該掃瞄線10與信號線2〇，而一蓄電 = 、則跨接於該切換用TFT "τ 口口 TFT "Τ丨，中士、店-从b ”电原線30。一驅動用 L ，即一電流源兀件，接於該蓄電電容哭”c " ^ 源線30、及一有機EL二極體"D丨，。思％令时CST 、電

EL 為有機EL —極體DEL"在陽極座陰極膜之雙層結構。當-順向電流施=置;'有機薄忪，一電子與一電洞將分別穿越位於提供 =del 供電子之陰極間之PN接合面而重新結合形^ 、每提偶。該電子-電洞偶具有的能量較为I八电子屯洞為低’即電子與電洞之結合與分隔存在有能量差，^以门發第7頁 546986 五、發明說明（4) =ί i㈣成釋出該能量差。該切換用tft ’’Ts”調整通過該驅動用TFT π T丨，之）値a帝、古、，的突,,r " + D之順向适、抓亚將電荷儲存在該蓄電電容态 lst 内。 =下為該主動矩陣有機EL裝置之驅動原理說明。 :電壓根據選擇信號施加於一擇定之掃瞄線1 〇時， ==、S用UT Ts”之閘極開始導通並允許信號線20 一資料二τίτ過"1 ,換用m ’’ TS,’。胃資料信號㉟即施加於該驅 =用TFT TD與蓄電電容器"Cs/。於是，該驅動用τ{?τ > D的閘極被導通，電源線30的電流遂透過TFT ” TDn進入 j，機EL _極體’’ Del”使之發光。因該驅動用tft " T/閘極導通）程度端視資料信號的情況而定，故調整通過 TD的電流可得一灰色（模糊）電平。其次，由於存放 >畜屯私谷态丨’ cSTn的資料信號即使在非被選定的時段内仍 7、、買％光直到下一資料封包電壓到達並施加於該掃聪線止。從而可知，相對於被動矩陣有機^裝置，該主動矩陣有機EL裝置僅使用一較低電壓與一較低瞬間電流而已。再者在資料封包下，該有機EL二極體仍持續處於被驅動之$態而與掃瞄線的數量無關，所以，主動矩陣有機讥裝 f當可符合低電力消耗、高解像度、與大塊顯示面積等條件所需。、因為在主動矩陣有機EL裝置中有電流通過—TFT，故而採用一種場效機動性高的多元矽（P —Si)TFT應比場效機

546986 五、發明說明（5) 動性低的傳統無定形矽（a-Si)TFT更為有利。鑒於p_Si TFT之高場效機動性，適合在基板上利用p_si τρτ形驅動電路以降低驅動1C的成本及簡化其製程。一種透過 =雷射韌化之低溫結晶化法，已廣泛使用做為“i的製 =2一圖係、-傳統主動矩陣有觀裝置之斷面示意圖， TFT :古甘機豇二極體、一蓄電電容器、及-驅動還有’其發光形態係採用光線可透過一低電極之陽極而發射的一種底部發射型者。、低电極之％又，第2圖中形成於一基板1〇上之以丁 " 丁"且一 r^3^2：^,38 ^ ^,5〇 ^.;^δ52 〇 ^ " t J ίτ，^ ^ aEL Μ，，1)-Μ ^ 1f f t 合时CST包括有一對彼此對望之電源電極42與 4 ,且該電源電極42與蓄電電極34之二一 =β 4〇。該有機EL二極體"D ”包含一斜θ 一弟一、、、邑緣層祕，且插入-有飢^二：；=相對望的陽極58與陰力紙LL· ! D4於该兩極間。該TFT " τ, 極50係與該電源電極42連結，而該m τ = 該有機EL二極體"Del"的陽極58相接。，” 2則兵送從;射:m明材料製得以便傳得以供輕易將電子注在頂部發射型中，因為該有撫 θ 線’所以該陰極也必須利用透明：料G穿過陰極發射光至於具有多層結構的絕緣層方面，、其構成主要包括：

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五、發明說明（6) 一介於該基板10與半導體層32之間的緩衝層3〇 ; 一提供給該蓄電電容器” CST"之第一絕緣層4〇 ; 一介於該源極5〇與電源電極42之間的第二絕緣層44 ; 一介於該陽極58及洩極52 之間的第二絕緣層54 ;及一介於該有機以層64與陽極58之 ’ 間的保護層60。該第一、第二、第三絕緣層4〇/44/54及保 · 護層6 0均設有電性連結用接觸孔。第3A至31圖皆為第2圖所示一主動矩陣有機^^裝置之製程斷面圖。其圖案之形成係利用遮罩經過光阻劑（p R， photoresist)塗裝、排列、曝光、與顯影等照相石版製程而完成者。着, 第3A圖中，俟一缓衝層30形成於一基板1〇之全表面後，一活性層32a與一多元晶矽製儲存電極34係透過一第一遮罩製程而形成於該緩衝層3〇之上表面。第3B圖中，俟一閘絕緣層36形成於該基板1 〇之全表面後，一金屬製閘極38係透過一第二遮罩製程而形成於該活性層3 2 a上方該閘絕緣層3 6之上表面。第3C圖中，俟一第一絕緣層4〇形成於該基板1〇之全表面後，一金屬製電源電極42係透過一第三遮罩製於該第，絕緣層40之上表面以遮蔽該儲存電：二…成第3D圖中，一經過第四遮罩製程而形成於該電源電極 42上表面之第二絕緣層44具有一源極接觸孔、一洩極接觸孔46b、與-儲存接觸孔仏，其中該源極接觸孔…與我極接觸孔46b分別曝露該活性層32a之左右兩侧部，而儲存接觸孔48則使該電源、電極42外露。該活性層…左右兩

第10頁 546986 五、發明說明（7) 側部又为別構成一源極區I a與一泡極區I b。其次，具有活性層32a與歐姆接觸層32b之該半導體層32係透過雜質摻入方式以離子滲進該活性層3 2 a兩側而得者。

第3E圖中，一彼此分隔的洩極52與源極5〇係透過一第五遮罩製程而形成於該第二絕緣層44上表面，其中該源極 50係經過源極接觸孔46a (第3D圖）與該源極區ia之歐姆接觸層3 2 b相接；而洩極5 2則係經過洩極接觸孔4 6 a (第3 D圖）與該洩極區la之歐姆接觸層32c相接，且透過該儲存接觸孔4 8 (弟3 D圖）而與§亥電源電極4 2結合。經歷以上過程後，一個具備半導體層3 2、閘極3 8、源極5 0、與洩極5 2之薄膜電晶體（TFT) ΠΤΠ乃告完成。再者，由該電源電極“與蓄電電極3 4共同形成的區域構成一蓄電電容器„ ”。又，該蓄電電極34係與閘極38相接（未示），而該電源電極42係盥平行於信號線的電源線一體化。 ^ 第3F圖中，一經歷第六遮罩製程而具有一洩極接觸孔 5 6之弟二絕緣層5 4係形成於該源極與洩極5 〇 / 5 2之上表面〇第3G圖中，一透過該洩極接觸孔56 (第評圖）接於 52之陽極58係經歷_第七遮罩製程而形成於該第三絕緣層 5 4上表面。曰第3H圖中，一含有開口部62以曝露該陽極58之保護声〇在經歷一第八遮罩製程後形成於基板丨〇之全表面上。^ 保護層60係用以保護TFT "τ，，免受濕氣或雜質侵入。^ 第31圖中，與該陽極58共同建構—有機以二極體" 546986 五、發明說明（8) DEL之—有機EL層64與陰極66係透過該開口（第3H圖）成於該保護層6〇上表面。 1 、矛亦丨（pm夕冶4 廷些製程因包括有高溫沉積、光阻二，嘉处齙及其他如蝕刻等物理或化學之諸多製程處理，產爿b難免党到影響。發明說明對液上2製？冗長而產生的缺失，本發明主要係針，:…不叙置在實質上解決既有技術的缺點與侷限性。產旦及之一在於提供一種能削減遮軍製程以提昇產里及卜低成本之主動矩陣有機EL裝置。至於本發明之其他特性或優點，應可藉由若干實施配合附®的說明與㈣巾請时或透過實作獲得瞭解。為達1上述目的，本發明之一種主動矩陣有機電致發尤 UL’ blectrolununescence)裝置包括有：_ 基板一形成於該基板上表面之半導體層與一儲存電極；二形_ 該半導體層與儲存電極上表面且具有源極/洩極接觸/孔、開絕緣層，·一位於該半導體層上方形成於該閘絕緣層上面之閘極；一第一絕緣層係形成於該閘極上且遮蓋^ P 電極並如同該閘絕緣層般設有源極/洩極接觸孔，· 一以遮葚子該儲存電極位於該第一絕緣層上之電源電極；一透明、導^ 材料構成而形成於該第一絕緣層上表面之陽極；一形成二該陽極上且具有一開口部、一陽極接觸孔、一儲存接觸；

第12頁 546986 五、發明說明（9) 孔、及一 ^同該閘絕緣層與第一絕緣層般設有源極/洩極接觸孔之第二絕緣層；彼此分隔形成於該第二絕緣層上之 =極與洩極，其中該源極係透過該源極接觸孔接於該半導 ‘ Ϊ 3 ί過該儲存接觸孔接於該電源電極，而該洩極則係 =二，極接觸孔接於該半導體層及透過該陽極接觸孔接 j極:形成於該源極與洩極上之第三絕緣層，該第第Τ ': Ϊ ί如同該第二絕緣層般設有開口部；-形成於該係i =兮二上表面之有機電致發光層，該有機電致發光層声上#:巧口部與陽極接觸；及一形成於該有機電致發光曰表面之不透明導電性陰極。光裂面向中，一種主動矩陣有機電致發儲存電極·，匕在基板上形成一半導體層與一觸孔鱼、朽ί該半導體層與儲存電極上形成一具有源極接接觸孔之閑絕緣層；在該間絕緣層之上表面及存電極之▲亡：：：ί二在該閘極上形成-遮擋該儲孔娜接觸孑匕；在該第-絕緣層之上形成透源電極；在該第-絕緣層上形成-開口部觸ί該陽極上形成一第二絕緣層具有-層與第一的& & Α ^ 保存接觸孔，及如同該閘絕緣二絕：層=觸孔及茂極接㈣；在該第過該源極接觸二二：：之源極與洩極，#中該源極係透該電源電極，繼極則；；存接觸孔接於、j你還過違洩極接觸孔接於該半導

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體層及透過該陽極接觸孔接於該陽極· 上形成-第三絕緣層，該第三絕緣層係與？極之般設有開口部；在該第三絕緣層上^二μ弟一絕緣層層，該有機電致發光層係透過該開：：光在該有機電致發光層之上形成-不透陰緣層一樣具有開口部；一形成於第三絕緣層上表面之有機

第14頁在本發明又一訴求面向中光裝置包括有：一基板；一形層；一形成於該半導體層上表之閘絕緣層；一形成於該閘絕極，該閘極與儲存電極係同時遠半導體層上方；一形成於該一絕緣層，該第一絕緣層和閘孔與洩極接觸孔；兩同時形成源電極與陽極，其中該電源電於遠電源電極與陽極上表面之具有一開口部、一陽極接觸孔閘絕緣層與第一絕緣層一樣，孔；形成於該第二絕緣層且彼該源極係透過該源極接觸孔接接觸孔接於該電源電極，而該接於該半導體層及透過該陽極於該源極與洩極上之第三絕緣 ’一種主動矩陣有機電致發成於4基板上表面之半導體面且具有源極/洩極接觸孔丑緣層上表面之閘極與儲存電形成者，其中該閘極係位於閘極與儲存電極上表面之第絕緣層一樣，具有源極接觸於該第一絕緣層上表面之電極遮住該儲存電極；一形成弟一絕緣層，該第二絕緣層、與一儲存接觸孔，且和該具有源極接觸孔及茂極接觸此分隔之源極與洩極，其中於該半導體層及透過該儲存洩極則係透過該洩極接觸孔接觸孔接於該陽極；一形成層，該第三絕緣層與第二絕

546986 五發明說明（11) 電致發光層，有機電致發光層觸；及，一形成於該有機電致在本啦明又一訴求面向中光裝置之製造方法包括：透過形成一半導體層；摻雜離子進層之上形成一閘絕緣層；利用層之上同時形成一閘極與一儲该半導體層上方；在該閘極與緣層；透過一第三遮罩製程在源電極與一陽極，其中該電邊電源電極與陽極之上形成一罩製程同時在該第二絕緣層形觸孔、及源極與洩極接觸孔，該陽極，該儲存接觸孔用以曝洩極接觸孔用以曝露該半導體 ό亥弟一絕緣層之上形成兩彼此源極係透過該源極接觸孔接於觸孔接於該電源電極，而該汽該半導體層及透過該陽極接觸洩極之上形成一第三絕緣層；三絕緣層形成一用以曝露該陽層之上形成一有機電致發光層該開口部而與該陽極接觸；形成一陰極。係透過該開口部與陽極接發光層上之陰極。，二種主動矩陣有機電致發弟遮罩製程在一基板上入該半導體層；在該半導體一第二遮罩製程在該閘絕^ 存電極，其中該閘極係位於儲存電極之上形成一第一絕第一絕緣層之上同時形成一源電極遮住該儲存電極；在第二絕緣層；透過一第四遮成一陽極接觸孔、一儲存接其中該陽極接觸孔用以曝露路该電源電極，及該源極與層；透過一第五遮罩製程在分隔之源極與洩極，其中該該半導體層及透過該儲存接極則透過該洩極接觸孔接於孔接於該陽極；在該源極與透過一第六遮罩製程在該第極之開口部；在該第三絕緣 ’該有機電致發光層係透過，在該有機電致發光層之上

546986 五、發明說明（12) 以上摘要說明僅作大體陳述，下方將配合若干實施例進一步詳予說明之。 ' 實施例以下茲舉出若干實施例配合相關附圖加以解說，其中同一或功能近似之零件儘可能加註相同編號以利對照了參考。第4圖係本發明主動矩陣有機EL裝置一典型實施例之斷面示意圖。由於此處的主動矩陣有機EL裝置使用多元矽薄膜電晶體（p-Si TFT)，所以採取頂閘型。第1圖中雖僅使用一像素結構為例，然亦有其他結構使用一顆TP?以上甚至多達四顆TFT者。在使用一顆TFT的結構中，該TFT係設於一掃瞒線與一信號線之交點，一有機乩裝置則與該 TFT相接。在使用四顆TFT的結構中，部分係做為補償之用藉以提昇亮度之均勻度。第4圖中，一緩衝層1〇2形成於一基板1〇()上表面。一半導體層104與一互不電性連接之儲存電極1〇6係形成於該緩衝層1 0 2之上。隨後，一閘絕緣層1 Q 7與一閘極1 〇 8依序形成於該半導體層104之上表面中央部。源極丨24與洩極 126分別接於該半導體層1 〇4之右侧部與左侧部。一覆蓋於該儲存電極106上方之電源電極112係接於該源極124。一' 第一絕緣層110插設於該電源電極112與儲存電極丨〇6之間以構成一蓄電電容裔’ CST"。再者，一有機μ二極體，，& "之陽極11 4係與該洩極1 26相接。一具有開口部之第二絕绫層

546986 五、發明說明（13) 118設於一TFT "ΤΓ之上方，而一有機EL層132係透過該開口部接於陽極114。又，一陰極134形成於該有機EL層132 上表面做為一共同電極。在該有機EL二極體"DEL" —多層結構中，該閘絕緣層 1 0 7係先形成於該缓衝層1 〇 2上表面，然後依序該第一絕緣層11 〇形成於閘絕緣層1 0 7之上，以及該陽極114形成於第一絕緣層11 〇之上。通常各具有一開口部之第二與第三絕緣層11 8/1 28依序形成於該陽極114之上。該有機EL層1 32 與陰極1 3 4透過該開口部後接於陽極11 4。然後該陽極11 4 穿過一陽極接觸孔連接於該TFT ”T"之洩極126，而該TFT ΠΤ"則利用第三絕緣層128與有機EL層132隔離。兹因本發明主動矩陣有機EL裝置中，該陽極114形成於第一絕緣層110之上及該洩極丨26係接於該陽極114之頂部表面，故而一相當於該洩極接觸孔5 6 (第3F圖）用以連結浪極126與陽極114之接觸孔得與一第一、第二、及儲存接觸孔同時形成，藉以免除一道單獨形成該接觸孔的手續以簡化製程。第5A〜5H圖係第4圖所示該主動矩陣有機裝置之製程斷面示意圖。一夕第5A圖中，一緩衝層102形成於一基板1〇〇上。其後，二=晶矽活性層l〇4a與一多元晶矽之儲存電極丨〇6係透過一第一遮罩製程而形成於該緩衝層丨〇 2上表面。該基板 10 〇係可為玻璃基板、塑膠基板、或可撓性基板之任一種今為形成該多元晶矽活性層1 0 4 a起見，俟無定形矽沉

546986 五、發明說明（14) 積於緩衝層1 0 2上表面後，利用熱處理手段使之脫氫及結晶化，其中該結晶化程序於該第一遮罩製程之前或之後實施皆無不可。又，該緩衝層102係以氧化矽（si〇2)或氮化石夕（S i Nx)等無機材料製得，主要用於進行結晶化時防止該基板1 0 0受損。第5B圖中，一閘絕緣層1〇7形成於該基板丨00之全表面後’ 一閘極1 0 8係透過一第二遮罩製程形成於該閘絕緣層 107上表面，該閘絕緣層1〇7亦係以氧化矽或氮化矽等無機材料製成者。該閘極108得具有一雙層結構，其包括一下鋁層或下鋁合金層及一由鉬（M〇)、鎳（Ni)、或鎢構成 Ο 之上防錄金屬層。該閘極1 〇 8之雙層結構以鋁（a 1 ) /鈥（n d) /銷（Mo )構成者為最佳選擇。一掃瞄線（未示）含該閘極丨〇 8 係形成於該閘絕緣層1 〇 7之上。第5C圖中，俟一第一絕緣層11〇形成於該基板1〇〇之全表面後’一覆蓋該儲存電極1 0 6之電源電極1丨2係透過一第三遮罩製程而形成於該第一絕緣層丨丨〇上表面。該電源電極112與儲存電極106間夾帶第一絕緣層11〇而構成一蓄電電容Is n CST"。構成該第一絕緣層丨丨〇的材質可與該閘絕緣層1 0 7或缓衝層1 〇 2的材質相同，例如氧化矽（s i )或氮化‘ 碎（S i Νχ) 然因δ亥弟一乡巴緣層1 1 〇係供該蓄電電容哭"c " 之用，故採用介電常數高的材質是為上策。例如f氮&矽 (S i Nx)就可k供較咼的電容量與較強的銦錫氧化物（I το ) 附著力。該電源電極11 2可採低電阻金屬材料製作，以鋁合金或雙層結構中之下層採用鋁合金較佳。含該電源電極

546986 五、發明說明（15) 11 2及又越忒掃目田線之電源線（未示）係可時形成於該一絕緣層11 0之上。、第^圖中，一陽極11 4於經歷一第四遮罩製程後，形成於忒第一絕緣層上由掃瞄線與電源線定義的一個像素區内。因為光線係自一有機乩層發射至該陽極114後再傳送出去，所以該陽極114宜利用如銦錫氧化物（ITO， Indium Tin oxide)等透明導電金屬材料製作。笫5 E 0中具有一陽極接觸孔1 2 7、源極與汽極接觸孔120a/120b、及儲存接觸孔122之第二絕緣層118係透過一第五遮罩製程而形成於該基板100上表面。該陽極接觸孔1 2 7、儲存接觸孔1 2 2、與源極與洩極接觸孔 1 2 0 a/ 1 2 0 b分別顯露該陽極114、電源電極丨丨2、及活性層 104a之右/左兩侧部。其次，離子被摻入該活性層1〇4a之右/左兩側部分別形成一歐姆接觸層1〇4b/1〇4c以完成一具備該活性層104a與歐姆接觸層i〇4b/1 04c之半導體層1〇4。此TFT視離子的種類而定，可以是^型或p型電晶體。於摻入離子後，該歐姆接觸層l〇4b/104c可被歸入一源極區π a 與一泡極區I I b。第5F圖中，源極與洩極1 24/ 1 2 6係經歷一第六遮罩製程而形成於遠笫二絕緣層11 8上表面。該源極1 2 4係透過源極接觸孔1 2 0 a (第5 E圖）與該源極區I I a之歐姆接觸層1 〇 4 b 相接，及透過該儲存接觸孔122(第5E圖）與該電源電極112 相接。該洩極126係透過洩極接觸孔120b(第5E圖）與該洩極區I lb之歐姆接觸層1 04c相接，及透過陽極接觸孔1 27與

第19頁 546986 五、發明說明（16) 該陽極11 4相接。又，此處亦形成有一包含切換TFT ’，Ts ’’（第1圖）源極之^號線（未示）’該信號線係與電源線互呈平行且分隔之狀態。該源極1 2 4與洩極1 2 6係可利用鉬 (Mo)、鎳（Ni )、鎢（W)之任一種材料製成，或具有鋁/鈥/ 铜（Al/Nd/Mo)形成之雙層結構。結果，一具備半導體層 104、閘極108、源極124、與洩極126的TFT，，Tsn於焉誕生。而且，透過上述製程尚可形成至少另一顆TFT。第5G圖中，一具有開口部130之第三絕緣層128係透過一第七遮罩製程而形成於該基板100之全表面上。該第三絕緣層128主要用以保護該TFT "T"並使之與下一步驟即將〇產生的有機EL層隔離。又，該第三絕緣層1 28係以如氧化矽（Si02)或氮化矽（SiNx)等材料製成者。由上可知，本發明主動矩陣有機孔裝置之遮罩製程手續已經簡化為七道。理由是該陽極114之形成先於該源極 124與洩極126，故該陽極114可透過與該儲存接觸孔 122(第5E圖）、源極接觸孔120a、及洩極接觸孔12〇b(第5E 圖）同時形成之陽極接觸孔127而接於該洩極丨26。因此，原本必要的洩極接觸孔56 (第3F圖）就可省略而簡化製程。第5H圖中，一經由該開口部丨3 0與陽極丨丨4銜接之有機· EL層1 3 2係形成於該第三絕緣層丨2 8之上。然後，該有機 EL層132之上表面形成一陰極134。該陰極134之材質為工作函數低於4eV之不透明金屬如驗金屬等，但以鎭銀合金 (Mg :Ag)、銘鐘合金（A1 :u)、及鋰氟鋁“丨以^)之雙層結構為首選。茲因該有機讥層132之有機材質容易受到濕曰 546986

氣影響形成該有機阢層丨32後不適合再進行遮罩製程，所以’形成該陰極1 3 4時不使用遮罩製程。另一實施例中，利用一遮罩製程可形成電源電極與陽極’其遮罩製程數可進而降低至六道。絲第6圖^本發明主動矩陣有機EL裝置另一典型實施例之斷面示意圖。由於此處的主動矩陣有機EL裝置使用多元矽薄膜電晶體（p —Si TFT),所以採取頂閘型。第i圖中雖僅使用一像素結構為例，但亦得使用一顆TFT以上甚至多達四顆TFT者。在使用一顆TFT的結構中，該TFT係設於一掃瞒線與一信號線之交點，一有機讥裝置則與該TFT相接。在使用四顆TFT的結構中，部分係做為補償之用藉以提昇亮度之均勻度。第6圖中，一緩衝層102形成於一基板i 〇〇上表面，一半導體層1 0 4再形成於該缓衝層1 〇 2之上。隨後，一閘絕緣層107與一閘極1〇8依序分別形成於該半導體層1〇4之上表面中央部。源極124與洩極126分別接於該半導體層1〇4之右側部與左側部。一覆蓋於該儲存電極1 〇 6上方之電源電極112係接於該源極124，及一第一絕緣層110係插設於該電源電極11 2與儲存電極1 〇 6之間以構成一蓄電電容器 ” CST"。再者，一與該洩極126相接之有機EL二極體"DE1/陽極114係與該電源電極11 2居於同一層次。一第二絕緣層 118係形成於一TFT ΠΤ"上方，而一有機EL層132係與該陽極114接觸。又，一陰極134形成於該有機EL層1 32上表面做為一共同電極。

第21頁 546986 五、發明說明（18)

在該有機E L二極體M DEL" —多層結構中，該閘絕緣層 1 0 7係先形成於該缓衝層1 〇 2上表面，然後依序該第一絕緣層11 0形成於閘絕緣層1 〇 7之上，以及該陽極11 4形成於第一絕緣層11 0之上。通常各具有一開口部之第二與第三絕緣層118M28依序形成於該陽極114之上。該有機EL層132 與陰極134透過該開口部後接於陽極114。然後該陽極114 穿過一陽極接觸孔連接於該TFT "Γ1之洩極126，而該TFT "T”則利用第三絕緣層128與有機EL層132隔離。該陽極114 係以透明導電材料製得，銦錫氧化物（IT〇)為最佳選擇。該陰極1 34的材料為具有高反射性的金屬鋁或鋁合金。在頂部發射型有機EL裝置的場合，該陽極與陰極的材料可以互換。又，視TFT的種類而定，該陽極與陰極有時亦可彼此交換。該半導體層104包括有一摻入雜質的活性層i〇4a與右/ 左兩侧部l〇4b/104c。該源極124係可納入一電源線（未示）中’而該電源電極11 2則可納入一相當於該電源線之一額外電源線（未示）。 #兹因本發明主動矩陣有機EL裝置中，該陽極114形成於第一絕緣層110之上及該洩極126係接於該陽極114之頂 f 部表面，故而一相當於該洩極接觸孔5 6 (第3F圖）用以連結極1 26與陽極1 14之接觸孔得與源極接觸孔、洩極接觸孔、與儲存接觸孔同時形成者。藉此可免除一道形成接觸孔!!手續以減少遮罩製程數。尚且，因該陽極11 4係與電源電極11 2同時形成於該第一絕緣層丨丨〇上，該遮罩製程數 546986 五、發明說明（19) 因可進而降至六道。第7A〜7G圖係第6圖所示該主動矩陣有機EL裝置之製程斷面示意圖。

第7A圖中，一緩衝層1〇2形成於一基板100上。一多元晶矽活性層1 〇4a透過一第一遮罩製程而形成於該緩衝層 102上表面。該基板1〇〇係可為玻璃基板、塑膠基板、或可撓性基板之任一種。今為形成該多元晶矽活性層1 〇4a起見，俟無定形矽沉積於緩衝層1 〇 2上表面後，利用熱處理手段使之脫氫及結晶化，其中該結晶化程序於該第一遮軍製程之前或之後實施皆無不可。又，該緩衝層1 〇2係以氧化矽（SiOd或氮化矽（SiNx)等無機材料製得，主要用於進行結晶化時防止該基板1 〇〇受損。

第7B圖中，一閘絕緣層1〇7形成於該基板1〇〇之全表面後，一閘極108與一儲存電極110係透過一第二遮罩製程形成於該閘絕緣層107上表面，該閘絕緣層1〇7亦係以氧化石夕或氮化矽等無機材料製成者。該閘極1 〇 8得具有一雙層結構，其包括一下铭層或下铭合金層及一由銦（M〇)、鎳 (N1)、或鎢（W )構成之上防銹金屬層。該閘極1 〇 8之雙層結構以链（A 1) /鈥（Nd ) /鉬（Mo)構成者為最佳選擇。一掃瞒線 (未示）含該閘極1 〇 8係形成於該閘絕緣層1 〇 7之上。再者，在讜活性層1 〇 4 a被摻入離子後，其右侧部1 〇 4 b與第二側部 1 0 4c變成具有導電性。一包含該右側部丨〇4b與第二側部 l〇4c之半導體層1〇4將依掺入之離子種類被區分為11〜型或 p-型。若屬於p-型，則有機EL二極體之陽極與陰極之極性 546986 五、發明說明（20) 可被父換。又由於該閘絕緣層107仍存留在該基板1〇〇的整個表面上’該問極1〇8和儲存電極丨1〇僅需經歷一次遮罩製程即可完成。弟7c圖中三俟一第一絕緣層110形成於該基板100之全表面後/一覆蓋該儲存電極106之電源電極112及一陽極 114係透過一第三遮罩製程而形成於該第一絕緣層11 〇上表面。違電源電極112與儲存電極1〇6間夾帶第一絕緣層丨1〇而構成一蓄電電容器"CST·，。構成該第一絕緣層11〇的材質可厂忒閘二巴緣層1 〇 7或緩衝層1 〇 2的材質相同，例如氧化矽 (S1 〇2)或氮化矽（s i nx )。然因該第一絕緣層丨丨〇係供該蓄電電容『CST”之用，故採用介電常數高的材質是為上策。例 ^，氮化矽（S1 Nx)就可提供較高的電容量與較強的丨τ〇附著力。，者，因為光線係自一有機EL層發射至該陽極U 4 後再傳迗出去，所以該陽極11 4宜利用如1 T0等透明導電金屬材料製作。從而，該電源電極11 2亦以透明導電材料製作為宜。縱然，傳統有機EL裝置之陽極與電源電極係以、別遮罩製程形成，該陽極與電源電極依然可透過本發明一遮罩製程而形成，仍可縮減遮罩製程數。第7D圖中，一具有一陽極接觸孔123、源極與洩極觸孔120a/120b、及儲存接觸孔122之第二絕緣層118係過一第四遮罩製程而形成於該基板1〇〇上表面。該陽極觸孔123、儲存接觸孔122、與源極與洩極接觸孔 120a/120b分別顯露該陽極114、電源電極112、及活性声 104a之右/左兩侧部。由於該陽極接觸孔123、儲存接觸\ 546986 五、發明說明（21) 1 2 2、與源極與洩極接觸孔1 2 0 a/ 1 2 0 b係透過同一遮罩製程而同時形成，故可減少遮罩製程數。另外，濕式及乾式飯刻法可用以提昇接觸特性。第7E圖中，源極與洩極1 24/ 1 2 6係經歷一第五遮罩製程而形成於該第二絕緣層118上表面。該源極124係透過源極接觸孔120a(第7D圖）與源極區之歐姆接觸層l〇4b相接，及透過該儲存接觸孔122 (第7D圖）與該電源電極112相接。該洩極126則係透過洩極接觸孔120b(第7D圖）與源極區之歐姆接觸層1 0 4 c相接，及透過該陽極接觸孔1 2 3與該陽極 114相接。一電源線（未示）包含該源極丨24，及一相當於該+ 電源線之額外電源線（未示）包含該電源電極11 2。該源極 124與洩極126係由鉬（Mo)、鎳（Ni)、鎢（W)之任一種或一鋁鈦/鉬（AINd/Mo)雙層結構構成。結果，一具備半導體； 104、閘極108、源極124、與洩極126之薄膜電晶體日 (TFT)"T"於焉完成。 ' 第7F圖中，一具有開口部1 3 〇之第三絕緣層丨28係透過一第六遮罩製程而形成於該基板1〇〇之全表面上。該第三絕緣層1 2 8主要用以保護該T F T ” T"並使之與下一步驟即將產生的有機EL層隔離。又，該第三絕緣層128係以如氧化、矽（si〇2)或氮化矽（SiNx)等材料製成者。該陽極114透過誃零, 開口部1 3 0外露。 ° 由上可知，本發明主動矩陣有機EL装置之遮罩製程續已經簡化為六道。理由是該陽極114之形成先於該源極 124與洩極126 ’故該陽極114可透過與該儲存接觸孔

546986 五、發明說明（22) 122(第7D圖）、源極接觸孔12〇a、及洩極接觸孔12〇b(第7d 圖）同時形成之陽極接觸孔丨23而接於該洩極126。因此，原本必要的洩極接觸孔56 (第3F圖）就可省略而簡化製程。再者，因為該陽極1丨4與電源電極丨丨2係同時經由一個遮罩製程所形成，遂得將遮罩製程減為六道。第7G圖中，一經由該開口部130與陽極114銜接之有機 E L層1 3 2係形成於該第三絕緣層1 2 8之上。然後，該有機 EL層132之上表面形成一陰極134。該陰極134之材質為工作函數低於4eV之不透明金屬如鹼金屬等，但以鎂銀合金 (Mg .Ag)、鋁鋰合金（A1 :Li)、及鋰氟鋁（LiF/A1)之雙層結構為首選。茲因該有機讥層132之有機材質容易受到濕氣影響，形成該有機EL層132後不適合再進行遮罩製程，所以，形成該陰極1 3 4時不使用遮罩製程。一結果，因為遮罩製程減少，製作時間與成本得以降低而實現了一個可以改善產量的主動矩陣有機乩裝置。而一且，在不增加遮罩製程數的條件下提供了一個額外電源線’可免因原電源線出岔而影響品質。以上’對於熟悉本發明領域的人士而言，本發明的基本理念當可運用於其他不同的方式，故本發明提示之實二例僅供例證而非用以限制其實施範圍者，惟任何引伸之變化仍應受申請專利範圍各申請項之節制。

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第26頁 546986 圖式簡單說明為期相關人士能對本發明之結構、特徵、及效用等更易於瞭解起見，以下茲舉實施例配合相關圖式詳細說明之，其中：第1圖係一傳統主動矩陣有機EL裝置之基本像素結構等效電路圖；第2圖係該傳統主動矩陣有機EL裝置之斷面示意圖；第3A〜31圖皆為第2圖所示主動矩陣有機EL裝置之製程斷面圖；第4圖係本發明主動矩陣有機EL裝置一典型實施例之斷面示意圖；第5 A〜5H圖係第4圖所示該主動矩陣有機EL裝置之製程斷面示意圖；第6圖係本發明主動矩陣有機EL裝置另一典型實施例之斷面示意圖；及第7 A〜7G圖係第6圖所示該主動矩陣有機EL裝置之製程斷面示意圖。圖式編號說明 10 掃瞒線、基板 2 0信號線 3 0電源線 32半導體層 3 2 a活性層 32b 、32c歐姆接觸層

第27頁 546986 圖式簡單說明 3 4蓄電電極 3 6閘絕緣層 38 閘極 4 0 第一絕緣層 4 2 電源電極 44 第二絕緣層 4 6 a 源極接觸孔 46b 洩極接觸孔 48接觸孔 50 源極 5 2泡極 5 4 第三絕緣層 5 6 茂極接觸孔 58 陽極 6 0保護層 62 開口部 64 有機EL層 66 陰極 100基板 1 0 2緩衝層 104半導體層 1 0 4 a活性層 1 0 4 b 歐姆接觸層（右測部） 1 0 4 c歐姆接觸層（左測部）

546986 圖式簡單說明 1 0 6儲存電極 1 0 7 閘絕緣層 I 0 8 閘極 II 0 第一絕緣層 11 2 電源電極 11 4 陽極 11 8 第二絕緣層 1 2 0 a 源極接觸孔 120b 洩極接觸孔 1 2 2儲存接觸孔 1 2 3 陽極接觸孔 124 源極 1 2 6 洩極 127陽極接觸孔 1 2 8 第三絕緣層 1 3 0 開口部 132 有機EL層 134 陰極

第29頁

Claims

546986 六、申請專利範圍一種主動矩陣有機電致發光裝置，包括一基板；一形成於該基板上之半導體層與儲存電極；一形成於該半導體層與儲存電極上之閘絕緣声，緣層設有源極與Ά極接觸孔；、巴一形成於該閘絕緣層之上且位於該半導I#芦極； h方之閑一第一絕緣層係形成於該閘極之上且遮蓋該儲存⑧ 該第一絕緣層並如同該閘絕緣層般設有源極/洩極接觸一形成於該第一絕緣層之上且位於該儲存電極源電極； 41¾ 一形成於該第一絕緣層上之第一電極；一形成於該第一電極上且具有一開口部、一孔、與-儲存接觸孔之第二絕緣層，該第二絕該閘絕緣層與第一絕緣層般設有源極/洩極接觸孔曰者/冋彼此分隔形成於該第二絕緣層上之源極與$極，1中源極係透過該源極接觸孔接於該半導體層及透過該儲〜觸孔接於該電源電&，而該&極則係透過該&極接觸孔接於該半導體層及透過該電極接觸孔接於該第一電極· -形成於該源極與茂極上之第三絕緣層，該第係如同該第二絕緣層般設有開口部；豕曰一形成於該第三絕緣層上之有機電致發光層，該有機電致發光層係透過該開口部與該第一電極接觸；及第30頁 546986

六、申請專利範圍

一形成於該有機電致發光層上之第二電極。 2 ·如申請專利範圍第1項所述之裝置，其中該第一、第二、與第三絕緣層係以無機絕緣材料製成。 3 ·如申請專利範圍第2項所述之裳置，其中該無機絕緣材料係氧化砍（S i 〇2)及氮化矽（S 1 Nx)之任一種。 4。如申請專利範圍第1項所述之裝置，其中該半導體層與儲存電極係同時形成者。〃 5·如申請專利範圍第1項所述之裝置，其中該半導體層與儲存電極係位於同一層級者。、 6·如申請專利範圍第1項所述之裝置，其中該半導體層之複數個側端部經以離子掺入。曰了·如申請專利範圍第i項所述之裝置，其中該第一電極採透明導電材料製得者。％ '、 8. 如申請專利範圍第7項所述之裝置，其中該透明料係銦錫氧化物（ITO)。 ” 9. 如申請專利範圍第i項所述之裝置，其中該第二電極係以一種工作函數稍低於4eV之不透明導電材料製成。、 10. 如申請專利範圍第9項所述之裝置，其中該不透明材料係為驗金屬。 11 ·如申請專利範圍第9項所述之裝置，其中該不透明導電材料係鎂/銀（Mg : Ag)合金或鋁/鋰（A1 :Li)合金或鋰敦 (L i F)與銘（A 1 )雙層結構之任一種。 12·如申請專利範圍第1項所述之裝置，其進而包括一沿第一方向延伸之掃瞄線及一沿第二方向延伸之信號線與電源

第31頁 546986 六、申請專利範圍 ^千其中"亥知目苗線包含該閘才泰，該信號線句人m 0 邊電源線包含與該信號線隔離之電源電二…源極，及 β如申凊專利範圍第1項所述之裝置，复由^ 光層具有一雷、、門、、士冷、η Α 其中該有機電致發電子輸；層…入層一電洞輪送層、-發射層、及- 其中該有機電致發其中該半導體層係 1丄4·如申請專利範圍第1項所述之裝置 $層係透過一種真空蒸鑛法而形成者 Υ .如申請專利範圍第1項所述之裝置採用多元晶矽製得。 1 6· —種主動矩陣有機電致發光裝置之 ΐ一基板上形成-半導體層與-儲存電;二方法’包括：在該半導體層與儲存電極上形成—具有;，接觸孔之閘絕緣層； ’原極接觸孔與洩極，該間絕緣層之上表面及該半在該間極上形成—第一絕緣層，該：：成：閘極；儲存電極上方且如同該閘絕緣層 _ 1，遮蓋於該接觸孔；百'原極接觸孔與洩極在該第一絕緣層之上形成一遮擋該儲存電極在該第一絕緣層上形成一第一電極；电源電極；在該第一電極上形成一第二絕緣層，該，口部、-電極接觸孔、一儲存接觸孔，且如同；j:: 層與弟-絕緣層般設有源極接觸孔及茂極接觸孔Ί-、巴緣在該第二絕緣層上形成彼此分隔之源極與浪極，龙極係透過該源極接觸孔接於該半導體層&透過該儲存= 546986

孔接於該電源電極，而該洩極則係透過該洩極接觸孔接於該半導體層及透過該電極接觸孔接於該第一電極；在該源極與洩極之上形成一第三絕緣層，該第三絕緣層如同該第二絕緣層般設有開口部； ~ 在該第三絕緣層上形成一有機電致發光層，該有機電致發光層係透過該開口部與該第一電極接觸；及， a x 在該有機電致發光層之上形成一第二電極。 17.如申請專利範圍第16項所述之方法，其中該電極接觸孔、儲存接觸孔、源極與泡極接觸孔皆係同時形成者。 18·如申請專利範圍第16項所述之方法，其中該/半導與該儲存電極係同時形成者。立曰 1 9 ·如申請專利範圍第丨6項所述之方法，其中該第—、第二、與第三絕緣層皆係採用無機絕緣材料製成者。 2〇·如申請專利範圍第16項所述之方法，其進而包括以子摻入該半導體層之端部。 H·如申請專利範圍第16項所述之方法，其中該第一電極係以透明導電材料形成者。免ϋ 22·如申請專利範圍第21項所述之方法，其中該透明導材料係採銦錫氧化物（ΙΤ0)。 23·如申請專利範圍第16項所述之方法，其中該第二♦ 係利用工作函數稍低於4eV之不透明導電材料形成^包才亟 24.^如申請專利範圍第丨6項所述之…方法，其進而包括有沿一第一方向延伸之掃瞄線及沿一第二方向延伸之信〜電源線，其該掃瞄線包含該閘極，該信號線包含該^極了

546986 六、申請專利範圍及該電源線包含該電源電極及係與該信號線分隔。 2 5 ·如申請專利範圍第丨6項所述之方法，其中該有機電致發光層具有一電洞注入層、一電洞輪送層、一發射声、 —電子輸送層。其中該有機電致 0 其中該半導體層 2 6 ·如申請專利範圍第丨6項所述之方法^ 發光層係透過一種真空蒸鍍法而形成者 2 7 ·如申請專利範圍第丨6項所述之方法，係以多元晶矽製成者。 ❶ 28· —種主動矩陣有機電致發光裝置，包括·· 一基板；一形成於該基板上之半導體層； ; = 導體層上之閘絕緣層’"I絕緣層設有源極 : = = : =…，極與儲存電極’其中該閘極係二第一絕緣層係形成於該閘極與儲存電極之上，且該第一 :ί : : =5亥閘絕緣層般設有源極/洩極接觸孔； •桎ΐ = 緣層上之電源電極與第-電極，且電源私極係位於該儲存電極之上方；包狂形成於該電源電極與第一電極上 4嚷一絕縫爲目女 0Β <乐一絕緣層，邊第一 ' 曰’、有開口部一電極接觸；f| 、命笫-绍給© *包位接觸孔、與一儲存接觸孔之弟一、、、巴、·彖層，其亚如同該閘絕極/洩極接觸孔者； /、弟、、、巴緣層般5又有源彼此分隔形成於該第二絕緣層上之源極與茂極，其中該源

第34頁 546986 六、申請專利I巳圍極係透過該源極接觸孔接於該半導體層及透過該儲存接觸孔接於該電源電極，而該洩極則係透過該洩極接觸孔接於該半導體層及透過該電極接觸孔接於該第一電極；一形成於該源極與洩極上之第三絕緣層，該第三絕緣層係如同該第二絕緣層般設有開口部；一形成於該第三絕緣層上之有機電致發光層，該有機電致發光層係透過該開口部與該第一電極接觸；及一形成於該有機電致發光層上之第二電極。 29. 如申請專利範圍第28項所述之裝置，其中該半導體層係以多元晶矽為其材料。丑曰 30. 如申請專利範圍第28項所述之裝置，其中該閘極與該儲存電極係同時形成者。 31. 如&申請專利範圍第28項所述之裝置，其中該電源電極及該第一電極係同時形成者。 3 2·如申請專利範圍第28項所述之裝置，其中該第一電極係以透明導電材料製成者。 33·如申請專利範圍第28項所述之裝置，其係一底型者。 34.如申請專利範圍第32項所述之装置，其中該透明導電材料係銦錫氧化物（I τ 0)。 35·如申請專利範圍第28項所述之敦置，其中該第二電極係以透明導電材料製成者。 3 6·如申請專利範圍第28項所述之裝置，其係一頂部型者。对

546986 六、申請專利範圍 3 7 ·如申請專利範圍第2 8項所述之裝置，其中該閘絕緣声係形成於該基板之全表面。 4马 3 8 ·如申請專利範圍第2 8項所述之裝置，其進而包括、、八第一方向延伸之掃瞄線，及沿一第二方向延伸之信號電源線’其中該掃瞄線包含該閘極，該信號線包含兮^ 極，及該電源線包含該電源電極且與該信號線分^二源 3 9, —種主動矩陣有機電致發光裝置之製造方法，""包透過弟一遮罩製程在一基板上形成一半導體声· 在該半導體層之上形成一閘絕緣層；利用一第二遮罩製程在該閘絕緣層之上同時形成一一儲存電極，其中該閘極係位於該半導體層上二w — 子進入該半導體層； ’乡雜離在該閘極與儲存電極之上形成一第一絕緣層；製程在第一絕緣層之上同時形成-電源電極〔、第一電極，其中該電源電極遮住該儲存電極；在該電源電極與第一電極之上形成一第二絕緣層· 程同時在該第二絕緣層形成二電極接觸 υϊΐ 源極與茂極接觸孔，其中該電極接 ΐ極電極，該儲存接觸孔用以曝露該電源，、及忒源極與洩極接觸孔用以曝露該半導體声； ί ί: ί ΐ=罩ΐ程在該第二絕緣層之上形成心此分隔導碱屌^ ΐ '、中該源極係透過該源極接觸孔接於該半透』“ίί::儲存接觸孔接於該電源電極’而該㈣則 ",接觸孔接於該半導體層及透過該電極接觸孔接

546986 六、申請專利範圍於該第一電極；在成源極與戍極之上形成—^第三絕緣層；透過一第六遮罩製程在該第三絕緣層形成一用以曝露該第一電極之開口部；在邊第二絕緣層之上形成〆有機電致發光層，該有機電致發光層係透過該開口部而與該第一電極接觸；及，在該有機電致發光層之上形成一第二電極。 4 0 ·如申請專利範圍第3 9項所述之方法，其中該半導體詹係以多元晶石夕製成。 41 ·如申請專利範圍第3 9項所述之方法，其中該源極接觸孔與洩極接觸孔之形成係依序對該閘絕緣層、第一與第二絕緣層進行钱刻而得者。 42·如申請專利範圍第39項所述之方法，其中該源極接觸孔與洩極接觸孔之形成係同時對該第二絕緣層、第一絕緣層、及該閘絕緣層進行钱刻而得者。 43·如申請專利範圍第39項所述之方法，其中該儲存與電極接觸孔之形成係同時對該第二絕緣層進行蝕刻而得者。 44·如申請專利範圍第39項所述之方法，其進而包括形成一包含該電源電極在内之額外電源線，及形成一包含該源極在内相當於該額外電源線之電源線。