TW541706B - Active matrix substrate and method of fabricating the same - Google Patents
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Description
54Π、〇6
【發明背景】 種部分地構成液晶顯示裝 置之主動矩 本發明係關於一 陣基板及其製造方法 2· 之說jg - 板地構成液晶顯示裝置之習知的主動矩陣基 膜1 (19主動it矩陣基板100包含··一玻璃基板101、—薄鉻（Cr) 化石夕膜分璃基板101上作為閘極電極、一氮 =膜103，形成為電性絕緣膜，覆蓋薄絡膜ι〇2與玻璃基 非晶矽膜1 04，形成於氮化矽膜1 03上、n+非晶 105，、部分形成於非晶矽膜1〇4上、一薄鉻（Cr)膜· ，形成於n+非晶矽膜丨〇5上作為阻障膜、以及一氧化麵 錫（mchuni tin 〇xide，IT〇)膜107，作為像素電極且接觸 於非晶矽膜104、η+非晶矽膜105、以及薄鉻膜1〇6並覆蓋 氮化矽膜1 0 3。 主動矩陣基板1 0 0之製造如下。 首先，將界定閘極電極的薄鉻膜丨0 2藉由濺鍍形成於 玻璃基板101上。然後，薄鉻膜丨02圖案化成閘極電極。 然後’藉由電漿增強化學蒸氣沉積（ρ 1 a s m a — e n h a n c e chemical vapor deposition，PECVD)於300 °C 使氮化矽膜 103、非晶矽膜i〇4、以及0+非晶矽膜丨〇5接續形成於玻璃 基板1 0 1上。 541706
然，’由非晶矽膜1〇4與“非晶矽膜1〇5所組成的資料 配線層藉由光刻術與乾蝕刻圖案化成一島。 ^然後’薄鉻膜106藉由濺鍍形成於n+非晶矽膜105上。 薄鉻膜1/06行為如同資料配線層與11^膜1〇7間之阻障層。 然後’薄鉻膜106與n+非晶矽膜1〇5被圖案化。 然後，將界定像素電極的IT〇膜1〇7藉由濺鍍形成，隨 後被圖案化。 因此，經由前述步驟製造一包括有非晶矽膜之薄膜電 晶體的主動矩陣基板丨〇〇，作為開關裝置。 既然玻璃具有高比重，故包括有玻璃基板101的主動 矩陣基板1 0 0係相對地重。 尤其，既然玻璃易破裂，故玻璃基板101必須形成為 具有大厚度，導致主動矩陣基板100不可承受地重。 最近’液晶顯示裝置需要輕且薄，因而，身為液晶顯 不哀置之一部分的主動矩陣基板必須至得更輕且更薄。 然而’由於前述原因，製造包括有更輕且更薄的玻璃 基板之液晶顯不裝受到限制。 所以，為了製造更輕且更薄的液晶顯示裝置，使用樹 脂基板取代玻璃基板，因為樹脂基板輕於玻璃基板且可比 玻璃基板製得更薄。 舉例而言，日本專利申請案公開公報第η_1 03064(Α) ，已建議包括有薄膜電晶體（TFT)作為開關裝置的主動矩 2板，纟中薄膜電晶體包含形成於樹脂基板上晶 石夕膜0
541706
、五、發明說明（3) 薄膜電晶體無可避免地包括有閘極絕緣膜。閘極絕緣 膜一般藉由電漿增強化學蒸氣沉積（PECVD)或濺鍍所形 成0 樹脂基板之最大抗熱值一般約為200 °C。本發明人已 進行許多實驗，發現藉由PECVD或濺鍍於2〇〇 ，亦即樹脂 基板對熱之最大抵抗’或更低時所形成的閘極絕緣膜具有 低密度且造成許多漏電流’導致閘極絕緣膜不可使用。據 此’即使閘極絕緣膜之形成步驟以外的步驟實行於2 〇 Q 或更低’仍不可能形成南品質的閘極絕緣膜。 在前述實驗中，本發明人亦發現藉由PECVI)或濺鍍於 3 0 0 C或更南所形成的閘極絕緣膜具有高密度且僅造成小 漏電流，因而，閘極絕緣膜足堪使用。 然而’ 3 0 0 C超過樹脂基板之最大抗熱值。因而，倘 若PECVD或濺鍍實行於3〇〇。(：或更高用於形成閘極絕緣膜D， 則樹脂基板會被熱所摧毀。 曰本專利申請案公開公報第10 —173194(A)號已建議一 種半導體裝置之製造方法，包括下列步驟：在將形成第一 無機絕緣薄膜的表面未暴露於電漿下形成第一無機絕緣薄 膜於樹脂基板或樹脂膜上；形成一第二無機絕緣薄膜於表 面暴露於電漿的該第一無機絕緣薄膜上；以及形成一薄半 導體膜於該第一無機絕緣薄膜或該第二無機絕緣薄膜。 曰本專利申請案公開公報第n—1 74424(A)號已建議使 用一基板於液晶顯示面板中，該基板係由含有33，卜三 乙基1 ’ 1 一（ 4酚）亞環己基之共聚物聚碳酸酯樹脂、雙
541706 五、發明說明（4) 盼、以及含有範圍為3〇至99莫耳％之雙酚的雙酚組成物所 形成。 曰本專利申請案公開公報第7- 74374(A)號已建議一種 薄膜二極體，包含：一形成於一基板上的第一電極層、一 形成於該第一電極層上的半導體層、一形成於該半導體層 上的緩衝層、以及一形成於該緩衝層上的第二電極層，其 中該半導體層與該緩衝層具有彼此幾乎相同的圖案。 即使在前述公報中仍然無法解決前述問題。 【發明概述】 有f於先前技藝主動矩陣基板之前述問題，本發明之 目的在於提供一種主動矩陣基板，包括一樹脂基板且能避 免樹脂基板被熱毀損。， 、f蓉於前述習知的主動矩陣基板之缺點，本發明人集 中庄心於不而包括有閘極絕緣膜的二極體。亦即，本發明 人選擇二極體作為開關裝置 代薄膜電晶體。 在本發明之一態樣中， 〔a) 一由樹脂所形成的基板 的多晶石夕薄膜二極體。 ，使用於主動矩陣基板中，取 提供一種主動矩陣基板，包括 ，以及（b) —形成於該基板上 柯沾t據本發日月之主動矩陣基板不需包括低品質與低可靠 其/極絕緣膜’不像習知的包括有薄膜電晶體之主動矩 陣基：；確保性能與可靠性之增強。 在外’可使用厚度小於玻璃基板的樹脂基板於依據本
541706 五、發明說明（5) 主動矩陣基板，
發明之主動矩陣-， —- 高度，因而降低包 顯示裝置之高度。 括有依據本發明之主動矩陣基板之液晶 多晶石夕薄膜二極體最好形成為橫向二極體。 倘若多晶矽薄膜二極體形成為垂直二極體，則必須實 行膜沉積肖雷—射m欠m方膜#由照身于雷射束而 l火則下方膜中之雜質濃度分佈輪廓可能被毀壞。再 者，倘若膜沉積與雷射退火未於真空中實行，則自然氧化 膜會形成於各層間。既然橫向二極體可在不引發前述問題 下形成’故多晶矽薄膜二極體最好形成為橫向二極體。 最好橫向二極體之中央具有摻雜入雜質的區域。 向一極體得設計成具有n i η結構、p i ρ結構、i n i結 構、或i p i結構。 另外，橫向二極體得設計成具有n i或p i蕭特基 (Schottky)結構。 夕曰日砍薄膜二極體得包含兩個橫向二極體，並_聯地彼 此電連接且排列於相反方向上。 基板得由聚乙鱗石黃、聚醯亞胺、聚碳酸S旨、或石夕氧烧 所形成。 主動矩陣基板得設計成更包括一形成於多晶矽薄膜二 極體下方的不透光膜。 不透光膜得包含一鉻膜。 依據本發明之主動矩陣基板得應用於透射型液晶顯示 裝置、C0T型液晶顯示裝置、或反射型液晶顯示裝置。 541706 五、發明說明（6) ' ------ ^ 在本&明之另一悲樣中，提供一種主動矩陣基板之製 =方法，包括下列步驟（a)形成一非晶矽膜於一由樹脂所 t成的基板上；（b )摻雜雜質入該非晶矽膜中之一選定的 :或，（C)照射雷射束至該非晶矽膜，用以結晶化該#晶 J膜成：多晶矽膜；以及⑷圖案化該多晶矽膜成-島， 糟以开> 成一並聯型二極體。 更提供一種主動矩陣基板之製造方法，包括下列步驟 =)形成一電性絕緣膜於一由樹脂所形成的基板上；（b) =成一非晶矽膜於該電性絕緣膜上；（c)摻雜雜質入該非 :矽膜中之一選定的區域；（d)照射雷射束至該非晶矽 ;用以結晶化該非晶矽膜成一多晶矽膜；（e )圖案化該 二晶矽膜成一島；（f)形成一金屬配線，使得該金屬配線 電接觸於該島狀多晶矽膜；（g)形成一層間絕緣膜於由該 =驟（f )所產生的結果之整個上方；（h )穿過該層間絕緣 膜形成一接觸孔，使得該接觸孔達到該金屬配線；以及 (1 )形成一將界定一像素電極的金屬膜，使得該 滿該接觸孔。 將於步驟（i )中形成的金屬膜得為一導電透明的膜例 如氧化銦錫（ΙΤ0)膜。該金屬膜得退火。 此方法得更包括下一步驟：（j)退火該多晶矽膜。該 步驟（j)將實行於該步驟（d)與該步驟（e)間。 / 此方法得更包括下一步驟：（k)施加氫電漿至多晶矽
541706 —-— 五、發明說明（7) 樹脂基板上。 由前述方法所形成的主動矩陣基板得應用於透射型液 晶顯示裝置或C0T型型液晶顯示裝置。 仍更提供一種主動矩陣基板之製造方法，包括下列步 驟（a)形成一電性絕緣膜於一由樹脂所形成的基板上； (b )形成一非晶矽膜於該電性絕緣膜上；（c )摻雜雜質入 該非晶矽膜中之一選定的區域；（d)照射雷射束至該非晶 矽膜，用以結晶化該非晶矽膜成一多晶矽膜；（e )圖案化 該多晶石夕膜成一島；（f )形成一金屬配線，使得該金屬配 線電接觸於該島狀多晶矽膜；（g)塗佈一光敏感膜於由該 =驟（f)所產生的結果之上方，使該光敏感膜曝光，且顯 影該光敏感膜以形成基礎階梯部於一將形成一像素的區域 中，（h)形成一層間絕緣膜於由該步驟（g)所產生的結果 =整個上方；（：1 )穿過該層間絕緣膜形成一接觸孔，使得 =接觸孔達到該金屬配線；以及（j)形成一將界定一像素 電極的金屬膜，使得該金屬膜填滿該接觸孔。 ” ：(k^ 部的is::(成h)。中，該層間絕緣膜得由形成該基礎階梯 法得更包括退火該金屬膜之步驟。 由前述方法所形成的主動矩車 晶顯示裝置。 車基板侍應用於反射型液
mm 第10胃 5417〇6
五、發明說明（8) 下文將說明藉由前述本發明所獲得的優點。 可靠明之主動矩陣基板不再需要包括低品質與低 :二=:極絕緣膜。@而，相較於習知的包括有薄膜電 = 陣基板，依據本發明之主動矩陣基板可表現 卬增強的可靠性。 在依據本發明之主動矩陣基板及其製造方法中，不使 時所形成的薄膜例如非晶矽’該種薄膜於形成 :反取發明之主動矩陣基板及其製造方法能用樹ί基 Γ 璃基板。包括有樹脂基板的主動矩陣基板可形成 :L括有玻璃基板之習知的主動矩陣基板更輕且更薄。 包括有主動矩陣基板的液晶顯示裝置可形成得比包 ^璃基板之習知的主動矩陣基板的液晶顯示裝置更輕 且更溥。 ^相較於習知的包括有薄膜電晶體之主動矩陣基板之製 :使ί岡Ϊ據本發明之主動矩陣基板之製造方法能降低經 θ 〃化的光阻膜而貫行光刻術與蝕刻之光阻步驟之 柄夕制具體言之，習知的包括有薄膜電晶體之主動矩陣基 一 士1造方法必須光阻步驟六次或七次❶相對地，依據 :貫施例之主動矩陣基板之製造方法僅實行光阻步驟五 =外，依據第一實施例之主動矩陣基板包括比玻璃義 其、樹脂基板。據此，相較於包括有玻璃基板妗主動ς 土反，可降低依據第一實施例之主動矩陣基板之高度。
第11頁 541706 五、發明說明（9) ，而，相較於包括有玻璃基板的習知的主動矩陣基板之液 =示裝置’可降低依據第一實施例包括有主動矩陣基板 的液晶顯示裝置之高度。 【較佳實施例之詳細說明】 [第一實施例] 面圖圖2係依據本發明第一實施例之主動矩陣基板1〇之刻 ' 依據第一實施例之主動矩陣基板1 0包含· _ i ^ π =的基板i、一二氧化補，形成於；“板丨由二所 電性絕緣膜、一二極體"，形成於二氧化矽膜2上、一叙 (CO膜7，形成於二氧化矽膜2上作為金屬配線膜， 膜7電連接於二極體〗！之相對的末端、一、 ' =二間絕緣膜8上作為州極且= 牙匕層間、、、邑緣膜8而達到鉻膜7之接觸孔8a。 形成樹脂基板！係由聚乙㈣（pQlyethersulfQn，⑽所 々·社1體11係由多晶矽所形成的橫向二極體，I有nin 動液晶顯示裝置時電流—伏特（Η)特徵必須對稱因為在驅 在况明書中，「樹脂基板」—詞係指 形成於其上的形式，以及平柄狀 ’、 有可讓二極體 係被「樹脂基板」一詞所涵蓋。土板。牛例而言’樹脂膜 第12頁 541706 五、發明說明（ίο) 圖3係包含有依據第一實 型液晶顯示裝置2〇之剖面圖。 驗陣基板1G之透射 透射型液晶顯示裝置2〇包含： 對基板21，配置成面對菩 動矩陣基板10、一相 23，夾於主動拓眭| / 動矩陣基板10、以及一液晶層 =主動矩陣基板1〇與相對基板21間。 以及-形：Ϊ ί板1 〇更包括一面對著液晶層2 3的對準膜2 4 相脂基板1之底表面上的偏極板25。 陣声27，: 一電性絕緣透明的基板26、-黑矩 ί;/,:電性絕緣透明的基板26上作為不透光層、 色、-對準膜= ί黑==彩 形成於電性絕緣透明的t 导冤層“ Μ,覆蓋導電層31基板26之底表面上、以及-偏極板 —^ =電層Μ防止由液晶顯示面板接觸於某物所造成的電 何電性影響液晶層23。 抖日匕^色層28係由一含有紅（R)、綠（G)、與藍（B)顏料的 樹脂膜所構成。 # πI膜24與3〇黏附至主動矩陣基稜10與相對基板21， 1對準膜24與30彼此相面對，在摩擦後使得液晶層23句 相地對準從像素電極延伸的方向傾斜大約丨〇至大約3〇度之 為了確保主動矩陣基板10與相對基板21間之間隙，其 間夾有分隔物（未圖示），且液晶層23之周圍密封以防止液
541706 五、發明說明（11) 晶分子漏出液晶層2 3。 圖4係從液晶層23處觀看的主動矩陳A 圖。圖2係沿著圖4中之線π_η之剖面^基板10之平面 膜7作如Λ4ΙΓ二極體11排列成矩陣於樹脂基板1上。鉻 膑7作為像素電極係形成得關聯於每一二做上鉻 列的二極體11經由掃描線i 2相互電連 _ 行狀排 含有延伸於行方向的鉻膜7。電連接錢描線12係包 圖6係從液晶層23處觀看的相對g2i之平 即，在由圖3中之箭號6所指示的方向上觀看。亦 於後3如3圖5相所ΛΛ對基板21包括形成於其上的複數條信 延4申於與掃描線12之延伸方向垂直、 透射型液晶顯示裝置20得以任何方式驅動。舉例而 二透射1液晶顯示裝置20得依據習知的程序驅動 而曰，s· MatSum〇t〇，”LiqUid Crystal Display
Technique Active Matrix LCD » M 996,pp. 1 55- 1 5 8中揭露一種驅動此透射型液晶顯示裝置之方法。 雖J依據第一貫施例之主動矩陣基板丨〇應用於圖3之 =射型液晶顯示裝置20中，但主動矩陣基板10仍得應用於 cot型液晶顯示裝置。 万、 此處，cot型液晶顯示裝置意指一種液晶顯示裝置， 〃對應於圖3所示的彩色層28之遽色器形成於開關裝置 上。此處，開關裝置包括一薄膜電晶體與一二極體。亦 即’ f’COT”意謂「滤色器在川（薄膜電晶體）上」與「遽色 541706 五、發明說明（12) 器在TED(薄膜二極體）上」兩者。 圖6A至6G係依據第一實施例之主動矩陣基板1〇之剖面 圖’顯不其製造方法之各步驟。下文將參照圖6 A至6G說明 主動矩陣基板10之製造方法。 ' ^如後述每一步驟中說明地，每一步驟所實^之溫度係 荨於或低於樹脂基板1之最大抗熱值、。 首先，如圖6Α所示，二氧化矽膜2藉由濺鍍形成於由 聚乙醚磺（PES)所形成且最大抗熱值約為18〇艽的樹脂基板 1上作為覆蓋膜。二氧化矽膜2之厚度為6〇〇〇埃。 然後，非晶矽（a-Si)膜3藉由濺鍍形成於樹脂基板j 上’使得非晶矽膜3之厚度為50 0埃。 樹脂基板1與非晶矽膜3藉由濺鍍之形成條件如下。
射頻功率：4 kW 氬氣壓力：5 mtorr 樹脂基板1溫度：1 5 〇 °c =如_所示’光阻塗佈於整個非晶石夕膜3上，然 後先阻猎由光刻術與蝕刻圖案化藉以形成遮罩4。 矽膜，磷(P)藉由離子摻雜技巧經由遮罩4摻雜入非晶 非果’掺雜入n型雜質的雜質摻雜區域5形成於 非日日石夕M3中之選定的區域中。 離子摻雜之實行條件如下。
力口速電壓：2〇 KeV 所摻雜的磷：2 X 1015 cnr2 在移除遮罩4之後，非晶矽膜3藉由準分子雷射退火結
第15頁 541706 五、發明說明（13) 化成多晶矽膜6，如圖6C所示。雜質摻雜區域5藉由準分 子雷射退火同時變形成多晶矽膜6。 準分子雷射退火之實行條件如下。 光源：X e C1 能量密度：350 mJ/cm2 光束直徑.250 X 0.4 πηπ 掃描輻射之間距：〇. 〇4 mm . 然後，多晶矽膜6在氳氣體環境中於15〇。退火一 時。 然後，在光阻已塗佈於多晶矽膜6上方之後，光阻藉 5刻術與乾㈣圖案化藉以形遮罩。然後，彡晶石夕膜曰6 猎由乾蝕刻經由遮罩圖案化成島，如圖6D所示。 ^然，，將作為金屬配線層7的鉻膜藉由濺鍍而形成， 凡全覆蓋島狀多晶石夕膜6與二氧化石夕膜2。 鉻膜藉由濺鍍之形成條件如下。 射頻功率：4 kW 氬氣壓力：5 mtorr
、树月曰基板1溫度· i u u L 盥乾=二i光：已塗佈於鉻膜上之後，★阻藉由光刻術 ::刻圖案化藉以形成遮罩。鉻膜經由所形成： :„成金屬配線層7 ’使得金屬配線 島狀多晶矽膜6，如圖6Ε所示。 膜ι4ΐ雜如圖6F所示’將作為層間絕緣膜8的二氧化石夕 膜精由歲鍍而形成’完全覆蓋二氧化石夕膜2、金屬配線層
541706 五、發明說明（14) 7、以及多晶秒膜6。 二氧化矽膜藉由濺鍍之形成條件如下。
射頻功率：4 kW 氬氣壓力：5.2 mtorr 樹脂基板1溫度：1 5 〇 °c =後，在光阻已塗佈於層間絕緣膜8上之後，光阻藉 遮罩二：與Ϊ蝕刻圖案化藉以形成遮罩。然後，藉由使用 成一牙過層間絕緣膜8的接觸杨，達到金屬配線 鍍形：3 @ :導電透明的膜例如氧化銦錫(IT0)膜藉由濺 鍍形成於層間絕緣膜8上方，使 日W β 孔8a。 便侍導電透明的膜填滿接觸 導電透明的膜藉由濺鍍之形成條件如下。
射頻功率：4 kW 鼠氣壓力：5.5 mtorr
樹脂基板1溫度：1 5 5 °C 然後，在光阻已塗佈於導電透明的膜上 與乾餘刻圖案化藉以形成遮罩。、然後，導=且藉 6G所：所形成的遮罩圖案化藉以形成像素電極9，如圖明 降低接^電述人驟所產生之成果於1 Μ 1退火一小時以 經由前述步驟，具有nin結構的多晶
第17頁 541706 五、發明說明（15) 特（Ι-Ό特徵必須對稱，故二極體 說明到目前為止，依攄笛—一，、有ηιη、'，σ構。 不再需要包括低品質盘低# & :貫施例之主動矩陣基板10 據第-實施例之主；矩： = = = ^因… 在依據第-實施例改良與可靠性。 PECVD所形成的薄膜例士動矩陣基板10中，不使用藉由 製程溫度等成:或 18〇。〇。攄此，π被楚=极1之最大抗熱值（具體言之， 板10可形成得比包括有破璃其/ Μ &基板1的主動矩陣基 輕且更薄。此確保包；；主 主動矩陣基板更 可形成得比包括有玻璃基板之習：=的液晶顯示裝置 顯示装置更輕且更薄。 0主動矩陣基板的液晶 相較於習知的包括有薄 造方*，依據第一實施例之主以Jf 5矩陣基板之製 低了經由使用圖案化的光阻膜而：車=之製造方法降 步驟之數目。具體言之，習知的；==㈣之光阻 矩陣基板之製造方彖必須光阻丄;；之主動 貫施例之主動矩陣基板丨。之製造方法僅實行光阻 此外，依據第一實施例之主動 基板薄的樹脂基板i。據此，相較動=基古板10包括比玻璃 動矩陣基板，彳降低依據第—實、匕括有玻璃基板的主 ^ 貝知例之主動矩陣基板1 0之 第18頁 五、發明說明（16) 高度。因而，相 板之液晶顯示裝 陣基板1 0的液晶 較於包括有玻璃基板的習知的主動矩陣基 置，可降低依據第一實施例包括有主 顯示裝置之高度。 [第二實施例] 面圖圖7係依據本發明第二實施例之主動矩陣基板4 〇之剖 形成；=實包含··-由樹脂所 為電性絕綾腔、一 ^ 形成於樹脂基板41上作 鉻 蹬4 、、一形成於二氧化矽膜42上的二極體43、一 》成於二氧化石夕膜42上作為金屬配線膜，使 侍鉻膜4 7電接觸於二極體4 3之相董 =蓋鉻膜47、二極體43、：=;二 且t」τ!)二4 V形成於層間絕緣膜48上作為像素電極 且填f牙過層間絕緣膜48而達到鉻膜47的接觸孔48&。 树脂基板41係由聚醯亞胺（p〇lyimide，ρι)所形 一極體43係由多晶石夕所形成的橫向二極體，且 =Ξ Ξ體j裝置藉由具有不對稱結構的二極體 保電二伏特之:：:極體彼此環狀電連接以確 - 電連接。 itKy)孓夕日日矽杈向二極體以環狀方式彼此 如圖8所示，在二極體之環狀連接中，兩個二極體平 541706 五、發明說明（Π) 行且在相反方向上電連接至彼此。精確言之，在二極體之 環狀連接中，第一二極體51與第二二極體52排列成第一二 極體51之雜質摻雜區域51a面對著第二二極體52之多晶石夕 區域52b，並且第一二極體51之多晶石夕區域面對著第二 二極體52之雜質摻雜區域52a。 類似於依據第一實施例之主動矩陣基板丨〇，依據第二 貝施例之主動矩陣基板4 〇付應用於圖3所示的透射型液晶 顯示裝置。依據第二實施例之主動矩陣基板4〇得應用於 C0T型液晶顯示裝置。 圖9 A至9 G係依據第二實施例之主動矩陣基板4 〇之剖面 圖，顯不其製造方法之各步驟。下文將參照圖9人至96說明 主動矩陣基板40之製造方法。 如後述每一步驟中說明地，每一步驟所實行之溫度係 等於或低於樹脂基板4 1之最大抗熱值。 又 首先，如圖9A所示，二氧化矽膜42藉由濺鍍形成於由 聚醯亞胺（pi)所形成且最大抗熱值為220 1的樹脂基板41 上作為覆蓋膜。二氧化矽膜42之厚度為6〇〇〇埃。 然後’非晶石夕（a —Si)膜43藉由濺鍍形成於樹脂基板41 上’使得非晶矽膜43之厚度為500埃。
樹脂基板41與非晶矽膜43藉由濺鍍之形成條件如下。 射頻功率：4 kW 氩氣壓力：5 mtorr
樹脂基板41溫度：150 °C 然後如圖9B所示，光阻塗佈於整個非晶矽膜43上，然
541706
後，ΐί藉與㈣圖案化藉以形成遮罩44。 然後，磷（ρ)精由離子摻雜技巧 晶矽膜43中。結果’摻雜入〇型雜質的J =44摻雜入非 成於非晶石夕膜43中之選定的區域中。”貝多雜區域45形 離子摻雜之實行條件如下。 加速電壓：20 KeV 所摻雜的磷：2 X l〇i5 cnr2 在移除遮罩44之後，非晶矽膜43藉 結晶化成多晶矽膜46，如圖9C所示。雜 勿子雷射退火 準分子雷射退火同時變形成多晶石夕膜46質摻雜區域45藉由 準分子雷射退火之實行條件如下。 光源：XeCl 能量密度·· 35 0 mJ/cm2 光束直徑：250 X 0.4 mm 掃描輻射之間距：〇. 〇4 mm 然後，氫電漿施加至多晶矽膜46。 加氫電漿至多晶石夕膜4 6之條件如下。 放電功率：300 W 氫氣壓力：1 torr 樹脂基板41溫度：2 0 0。〇 然後’在光阻已塗佈於多晶矽膜46上方 ^ 由光刻術與乾蝕刻圖案化藉以形遮罩。麸德後，光阻耩 藉由乾㈣經由遮罩圖案化成島，如圖⑽所干多晶石夕祕 然後，將作為金屬配線層47的鉻膜藉由；鍍而形成，
第21頁 541706 五、發明說明（19) 膜46與二氧化矽膜42 鉻膜藉由濺鍍之形成條件如下。 射頻功率：4 kW 氬氣壓力：5 mtorr 樹脂基板41溫度：1 5〇 然後，在光阻已塗佈於鉻膜上之後，光 j乾姓刻圖案化藉以形成遮罩。鉻膜經 成金屬配線層47，使得金屬配線層二 於島狀夕晶矽膜46，如圖9E所示。 邛伤重立 膜雄如圖⑼所示，將作為層間絕緣臈48的1化石夕 膜猎由歲鍍而形成，完全覆蓋 乳化少 47、以及多晶矽膜46。 乳化夕膜42、金屬配線層 二氧化矽膜藉由濺鍍之形成條件如下。
射頻功率：4 kW 氬氣遷力：5 mtorr 树脂基板4 1溫度：1 5 〇 ’、、、;後，在光阻已塗佈於層間絕 由光刻術與乾蝕刻圖案化萨以 淹、48上之後，光阻藉 遮罩形成一穿過声門铝縫/成遮罩。然後，藉由使用 線層47。 緣膜48的接觸孔術，達到金屬配 鍍形成二門：：透明的膜例如氧化銦錫(I TO)膜藉由濺 孔48a。 力使传導電透明的膜填滿接觸 導電透明的膜藉 541706
五、發明說明（20)
射頻功率·· 4 kW 氬氣塵力·· 5 mtorr 樹脂基板41溫度·· 150 °C 然後，在光阻已塗佈於導電透明的膜上之， — 由光刻術與乾蝕刻圖案化藉以形成遮罩。、然後，、’光阻藉 的膜經由所形成的遮罩圖案化藉以形成像;1電透明 9G所示。 ”电，如圖 然後，前述步驟所產生之成果於2〇〇 ^ 降低接觸電阻。 退火一小時 以 形 經由前述步驟，具有ni結構的多晶矽橫向二 成於樹脂基板41上。 似瓶匕 依據第二實施例之主動矩陣基板4〇提供相同於 據第一實施例之主動矩陣基板1〇所獲得的優點。、9依 [第三實施例] π 面圖 圖10係依據本發明第三實施例之主動矩陣基板6〇 之剖 依據第三實施例之主動矩陣基板60包含··一 =成的基板61、-二氧切膜62，形成於樹脂基板61丄 為電性絕緣膜、一形成於二氧化矽膜62上的二極體63、— ，（⑴膜67，形成於二氧切膜62上作為金屬配線膜 付絡膜67電接觸於二極體63之相對的末端、一層間絕緣 68，覆蓋鉻膜67、二極體63、與二氧化矽膜62、以及、一氣 化銦錫（ΙΤ0)膜69，形成於層間絕緣膜68上作為像素電極 且填滿一穿過層間絕緣膜68而達到鉻膜67的接觸孔68&。
五、發明說明（2D 成樹脂基板61係由聚碳酸酯（P〇iycarbonate，Pc)所形 二極體63係由多晶矽所形成的橫向二極體，且且有 ini或ipi結構。在橫向二極體中之ini或ipi結構對應於 謂的背對背結構，其中在垂直二極體令之ni*pi蕭特基= 構在相反方向上電連接至彼此，且具有高對稱的〗—V特 類似於依據第一實施例之主動矩陣基板丨0，依據第三 實施例之主動矩陣基板60得應用於圖3所示的透射型液晶一 顯示裝置。依據第三實施例之主動矩陣基板6〇得應用於曰曰 COT型液晶顯示裝置。 圖11 至11G係依據第三實施例之主動矩陣基板6〇之 面圖，顯TF其製造方法之各步驟。下文將參照圖1 1 A至1 π 說明主動矩陣基板60之製造方法。 =後述每-步驟中說明地，每一步驟所實行之溫度係 專於或低於樹脂基板6 1之最大抗熱值。 百先’如圖11Α所示，二氧化石夕膜62藉由 = = 形成且最大抗熱值為13以的樹脂^反 61上作為覆盍膜。二氧化矽膜62之厚度為60〇〇埃。 上 =ί a ί日日矽（a —Sl)膜63藉由濺鍍形成於樹脂基板61 使付非日日矽膜63之厚度為5〇〇埃。 树知基板41與非晶矽膜63藉由濺鍍之形成條件如下。
射頻功率·· 4 kW 氬氣壓力：5 mtorr 五、發明說明（22) 樹脂基板6 1溫度：1 5 〇。〇 秋後，、I :且C I不，光阻塗佈於整個非晶石夕膜63上， …、後，先阻精由光刻術與蝕刻 然後，磷（P)葬由雜；狹换# 形成遮罩64。 晶㈣3中Λ果摻雜入:ί:經由遮罩64摻雜入非 成於非曰故膜φ 7、 η i雜質的雜質摻雜區域65形 从％非日日矽膜6 3中之選定的區域中。 λ ^ 離子摻雜之實行條件如下。
加速電壓：20 KeV 所摻雜的磷：2 X i〇i5 cnr2 結晶S = 後’非晶石夕膜63藉由準分子雷射退火 ,^成夕日日矽膑6 6，如圖11 C所示。雜質摻雜F # 由準分子雷射退火同時變形成多晶石夕細、。€雜£域65错 準分子雷射退火之實行條件如下。 光源：XeCl 能量密度：350 mJ/cV 光束直徑·· 250 X 〇. 4 mm 掃描輻射之間距：〇. 〇4 _ 然後，氫電漿施加至多晶矽膜6 6。 施加氫電漿至多晶矽膜66之條件如下。 放電功率：300 W 氧氣壓力：1 torr 樹脂基板61溫度：1〇〇 °c 由央f:後’在光阻已塗佈於多晶矽膜66上方之後，光阻藉 &晶矽膜6 九d術與乾姓刻圖案化藉以形遮罩。然後，^ 541706 五、發明說明（23) --- 藉由乾餘刻經由遮罩圖案化成島，如圖丨丨D所示。 然後’將作為金屬配線層6 7的鉻膜藉由濺鍍而形成， 完全覆蓋島狀多晶矽膜66與二氧化矽膜62。 鉻膜藉由濺鍍之形成條件如下。 射頻功率·· 4 kW 氫氣壓力：5 mtorr 樹脂基板61溫度：15〇 然後，在光阻已塗佈於鉻膜上之後，光阻藉由光刻術 與乾蝕刻圖案化藉以形成遮罩。鉻膜經由所形成的遮罩圖 案化藉以形成金屬配線層67，使得金屬配線層67部份重聂 於島狀多晶矽膜6 6，如圖11 e所示。 且 *，後，如圖1 1 F所示，將作為層間絕緣膜68的二氧化 矽膜藉由濺鍍而形成，完全覆蓋二氧化矽膜62、金屬配 層6 7、以及多晶石夕膜6 6。 二氧化矽膜藉由濺鍍之形成條件如下。
射頻功率：4 kW 鼠氣壓力：5 mtorr 樹脂基板61溫度：150 °C 然後，在光阻已塗佈於層間絕緣膜6 8上之後，光阻夢 由光刻術與乾蝕刻圖案化藉以形成遮罩。然後，藉由使^ 遮罩形成一穿過層間絕緣膜68的接觸孔68&，達到9金屬配 線層6 7。 * /然後，一導電透明的膜例如氧化錮錫（IT〇)膜藉由濺 鍍形成於層間絕緣膜68上方，使得導電透明的膜填滿接觸 541706 五、發明說明（24) 孔6 8a。 導電透明的膜藉由濺鍍之形成條 射頻功率：4 kW 、 ★下。 氬氣壓力：5 mtorr 樹脂基板6 1溫度：1 5 0 然後，在光阻已塗佈於導電透 由光刻術與乾蝕刻圖案化藉以形 U後道光阻藉 的膜經由所形成的遮罩; 後，導電透明 11G所示。 皁間化藉以形成像素電極69，如圖 時以 然後，前述步驟所產生之成果於13〇t 降低接觸電阻。
經由前述步驟，且右彳η Ί· ά士姐々Q /、有1111結構的多晶矽橫向二極體p 形成於樹脂基板6 1上。 還已 依據第三實施例之主動矩陳美柘 墟筑^ ^ ? ^ ^ , 轫矩丨早暴板6〇楗供相同於藉由依 據苐一只把例之主動矩陣基板10所獲得的優點。 [第四實施例] 圖1 2係依據本發明第四實施例之主動矩陣基板7〇 面圖。 w ^ 、依據第四實施例之主動矩陣基板7〇包含··一由樹脂所 形成的基板61、——不透光膜71，包含一形成於樹脂基板61 上的鉻膜、一二氧化矽膜62，形成於樹脂基板61上作為電 随絕緣膜，覆蓋不透光膜71、一形成於二氧化矽膜62上的 二極體63、一鉻（Cr)膜67，形成於二氧化矽膜62上作為金 屬配線膜’使得鉻膜67電接觸於二極體63之相對的末端、
第27頁 541706 、發明說明（25) 「層間絕緣膜68，覆蓋鉻膜67、二極體63、與二氧化矽膜 2、以及一氧化錮錫（IT0)膜69，形成於層間絕緣膜68上 作為像素電極且填滿一穿過層間絕緣膜6 8而達到鉻膜6 7 接觸孔68a。 每 > 相較於依據第三實施例之主動矩陣基板6〇，依據第四 κ施例之主動矩陣基板7〇更包括不透光膜71。除了額外具 有不透光膜71以外，主動矩陣基板7〇之結構相同於主動矩 陣基板60之結構。 —依據第四實施例之主動矩陣基板7〇提供相同於藉由依 據第三實施例之主動矩陣基板6〇所獲得的優點。此外，既 然主動矩陣基板70更包括不透光膜71，故主動矩陣基板7〇 可防止由在透射型液晶顯示裝置中之背光所造成的未具有 下電極的橫向二極體之失能。 _類似於依據第一實施例之主動矩陣基板1 0，依據第四 貫施例之主動矩陣基板7〇得應用於圖3所示的透射型液晶 裝置。依據第四實施例之主動矩陣基板7〇得應用於 聖聖液晶顯示裝置。除了不透光膜71之形成步驟以 :二^四實施例之主動矩陣基板7 〇之製造方法的步驟 實第三實施例之主動矩陣基板6〇之製造方法 矩陣基板70之製 藉由濺鍍形成於 阻藉由光刻術與 具體言之，在依據第四實施例之主動 造方法中，將形成不透光膜71的鉻膜首先 樹脂基板61上。鉻膜之厚度為15〇〇埃。 然後’在光阻已塗佈於鉻膜上時，光
第28頁 541706 左、發明說明（26) 乾蝕刻圖案化藉以形成遮罩。然後，鉻膜經由所形成的遮 罩圖案化精以形成不透光膜71。 ' 然後，實行已經參照圖11 B至1 1 G所說明的步驟。 經由前述步驟，已形成具有i n i結構之多晶石夕橫向二 極體於樹脂基板6 1上。 ' [第五實施例] 圖1 3係依據本發明第五實施例之主動矩陣基板8 〇之 面圖。 依據第五實施例之主動矩陣基板80包含：一由樹脂所 形成的基板81、一二氧化矽膜82，形成於樹脂基板81上作 為電性絕緣膜、一形成於二氧化矽膜82上的二極體83、美 礎階梯部84，形成於二氧化矽膜82上將形成像素之區域土 中、一鉻（Cr)膜85形成於二氧化矽膜82上作為金屬配線 膜，使得鉻膜85電接觸於二極體83之相對的末端、一声 絕緣膜86，t蓋鉻膜85、二極體83、二氧化碎膜82、二^ 礎階梯部84、以及-氧化銦錫（ΙΤ())·7，形成於層間絕土 上作為像素電極且填滿一穿過層間絕緣膜“而 鉻膜8 5的接觸孔8 6 a。 樹脂基板81係由矽氧烷（sil〇xane)所形成。 • •二極體83係由多晶矽所形成的橫向二極體，且具 1 n i或i p i結構。 ’、 既然:樹脂基板一般比玻璃基板具有更大的光學非 性，故關於顯示品質而言最好伟田批 ^ ^ L ϋ取好使用樹脂基板於在光路徑上 僅包括有-基板的反射型液晶顯示裝置中。鱗仫上
第29頁 541706
此外， 之二極體83 光膜71。 既然光並非直接照射 ’故主動矩陣基板8〇 至反射型液晶顯示裝置中 不需包括圖12所示的不透 型液包括有主動矩陣基板《。之反射 對美=型ίΐ!示裝置90包含：主動矩陣基板8°、-相 =基板91 ’配置成面對著主動矩陣基板8〇、以及 ，夾於主動矩陣基板80與相對基板91間。 曰 93。主動矩陣基板80更包括一面對著液晶層92的對準膜 相對基板91包含：一電性絕緣透明的基板95、一彩色 曰96，形成^電性絕緣透明的基板“上、一覆蓋彩色層“ 之透明的覆蓋層97、一形成於覆蓋層97上的對準膜98、一 相位差板99，形成於電性絕緣透明的基板95上，在液晶層 92之相對側、以及一形成於相位差板99上的偏極板88。 圖1 5Α至1 5Ε係依據第五實施例之主動矩陣基板8〇之剖 面圖，顯示其製造方法之各步驟。下文將參照圖15Α至15Ε 說明主動矩陣基板80之製造方法。 々 如後述每一步驟中說明地，每一步驟所實行之溫度係 荨於或低於樹脂基板8 1之最大抗熱值。 首先，如圖1 5Α所示，以相同於第一實施例之方式， 二極體83與金屬配線層85形成於由矽氧烷所形成且最大抗 熱值約為2 5 0 C的樹脂基板8 1上。 然後，如圖1 5Β所示，一光敏感有機膜形成於二氧化
第30頁 541706 五、發明說明（28)
與顯 影而 圖案化成基礎 =於將光 然後 而繃緊。 倘若需要時，基礎階梯部84藉由於100t烘烤 時，ί ί傕Ϊί15(：所示，基礎階梯部84於2〇〇t退火-小 ^猎以使基礎階梯部84平順或圓滑。 膜/1:後2 i15D所示’ 一將形成層間絕緣膜86的有機 84 :以及：ΐί盍二極體83、金屬配線層85、基礎階梯部 84、以及一乳化矽膜82。 1 然後，在光阻已塗佈於有機膜上之後，光阻藉 術與乾餘刻圖案化藉以形成遮罩。然後，藉由使 j 成-穿過層間絕緣膜86的接觸孔86a，達到金屬配線層罩〉 使得二真鍍形成於層間絕緣_上方
鋁膜8 7藉由濺鑛之形成條件如下。 射頻功率：4 kW 氬氣壓力：5 mtorr 樹脂基板61溫度：17〇t 然後 …、队 π το 二--------，口狀〇丨上炙後，光阻藉由朵 術與乾敍刻圖案化藉以形成遮罩。妙;德，々 …、1交’銘膜87經由所 成的遮罩圖案化藉以形成像素電極87，如圖15E所厂田。所 然後，前述步驟所產生之成果於15(rc退火一=睹 降低接觸電阻。 541706 £、發明説明（29) 經由前述步驟，已形成具有ini結構的多晶矽橫 極體於樹脂基板8 1上。 、 如前所述，依據第五實施例之主動矩陣基板8〇 反射型液晶顯示裝置。 5於 依據第五貫施例之主動矩陣基板8 〇提供相同於藉由 據第一實施例之主動矩陣基板丨〇所獲得的優點。 俠 在前述第一至第五實施例中，僅說明本發明中之特& 部分，而熟悉此項技藝之人士所熟知的部份並未詳加說王 明。然而，應注意即使其並未被詳細說明，熟悉此項技藝 之人士仍可容易瞭解。
第32頁 541706
圖1係習知的主動矩陣基板之剖 圖2係依據本發明第一實施例之 圖 面圖。 t動矩陣基板之剖面 圖3係包括有依據第一實施例主動 液晶顯示裝置之剖面圖。 動矩陣基板的透射型 =4 所示的透射型液晶顯示裝置中之 板之底視平面圖。 圖5係圖3所示的透射型液晶顯示裝置中之相對基板之 底視平面圖。 ^ 圖6 A至6 G係依據第一實施例之主動矩陣基板之剖面 圖’顯不其製造方法之各步驟。 圖7係依據本發明第二實施例之主動矩陣基板之剖面 圖。 圖8係安置於依據第二實施例之主動矩陣基板上的二 極體之底視平面圖。 圖9A至9G係依據第二實施例主動矩陣基板之剖面圖， 顯示其製造方法之各步驟。 圖1 0係依據本發明第三實施例之主動矩陣基板之剖面 圖0 圖11 A至11 G係依據第三實施例之主動矩陣基板之剖面 圖，顯示其製造方法之各步驟。 圖1 2係依據本發明第四實施例之主動矩陣基板之剖面 圖0 圖1 3係依據本發明第五實施例之主動矩陣基板之剖面
第33頁 541706 i式簡單說明 圖。 圖1 4係包括有依據第五實施例之主動矩陣基板之反射 型液晶顯示裝置之剖面圖。
圖1 5A至1 5E係依據第五實施例之主動矩陣基板之剖面 圖，顯示其製造方法之各步驟。 【符號說明】 1 基板 2 二氧化矽膜
3 非晶矽膜 4 遮罩 5 雜質摻雜區域 6 多晶矽膜
7 鉻膜/金屬配線層 8 層間絕緣膜 8a 接觸孔 9 氧化銦錫膜/像素電極 10 主動矩陣基板 11 二極體 12 掃描線 20 透射型液晶顯示裝置 21 相對基板 23 液晶層 24 對準膜
第34頁 541706
第35頁 圖式簡單說明 25 偏極板 26 電性絕緣透明的基板 27 黑矩陣層 28 彩色層 29 覆蓋層 30 對準膜 31 導電層 32 偏極板 33 信號線 40 主動矩陣基板 41 基板 42 二氧化矽膜 43 二極體/非晶矽膜 44 遮罩 45 雜質摻雜區域 46 多晶矽膜 47 鉻膜/金屬配線層 48 層間絕緣膜 48a 接觸孔 49 氧化銦錫膜/像素電極 51 第一二極體 51a 雜質摻雜區域 51b 多晶石夕區域 52 第二二極體 541706 圖式簡單說明 52a 雜質摻雜區域 52b 多晶矽區域 60 主動矩陣基板 61 基板 62 二氧化矽膜 63 二極體/非晶矽膜 64 遮罩 65 雜質摻雜區域 6 6 多晶石夕膜 67 鉻膜/金屬配線層 68 層間絕緣膜 68a 接觸孔 69 氧化銦錫膜/像素電極 70 主動矩陣基板 71 不透光膜 80 主動矩陣基板 81 基板 82 二氧化矽膜 83 二極體 84 基礎階梯部 85 鉻膜/金屬配線層 86 層間絕緣膜 86a 接觸孔 87 氧化銦錫膜/像素電極
第36頁 541706
第37頁 圖式簡單說明 88 偏極板 90 反射型液晶顯示裝置 91 相對基板 92 液晶層 93 對準膜 95 電性絕緣透明的基板 96 彩色層 97 覆蓋層 98 對準膜 99 相位差板 100 習知的主動矩陣基板 101 玻璃基板 102 薄鉻膜 103 氮化矽膜 104 非晶矽膜 105 n+非晶矽膜 106 薄鉻膜 107 氧化銦錫膜
Claims (1)
- 541706六、申請專利範圍 申請專利範圍： • 一種主動矩陣基板，包含： (a) —由樹脂所形成的基板；以及 Ο (b) 一形成於該基板上的多晶矽薄膜二極體 如申請專利範圍第1項之主動矩陣基板，其中該多晶石夕 薄膜二極體係一橫向二極體。 3·如申請專利範圍第2項之主動矩陣基板，其中該橫向二 極體之中央具有一摻雜入雜質的區域。 4·如申請專利範圍第1項之主動矩陣基板，其中該多晶石夕 薄膜二極體包含兩個橫向二極體彼此並聯地電連接且排列 於相反方向上。 5 ·如申請專利範圍第1至4項中任一項之主動矩陣基板， 其中該基板係由聚醯亞胺所形成。 6 ·如申請專利範圍第1至4項中任一項之主動矩陣基板， 其中該基板係由聚碳酸酯所形成。 7.如申請專利範圍第1至4項中任一項之主動矩陣基板， 其中該基板係由矽氧烷所形成。第38頁 541706矢、申請專利範圍 8.如申請專利範圍第1至4項中任一項之主動矩陣基板 其中該基板係由聚乙醚磺所形成。 9 ·如申請專利範圍第1至4項中任一項之主動矩陣基板’ 更包含一形成於該多晶矽薄膜二極體下方的不透光膜。 10· 一種主動矩陣基板之製造方法，包含下列步驟· (a) 形成—非晶矽膜於一由樹脂所形成的基板上， (b) 摻雜雜質入該非晶矽膜中之一選定的區域； (c) 照射雷射束至該非晶矽膜，用以結晶化該非晶石夕 膜成一多晶石夕膜；以及 (d) 圖案化該多晶矽膜成一島，藉以形成一並聯髮二 極體。 11· 一種主動矩陣基板之製造方法，包含下列步驟： (a)形成一電性絕緣膜於一由樹脂所形成的基板上’ (b )形成一非晶矽膜於該電性絕緣膜上； (c )摻雜雜質入該非晶矽膜中之一選定的區域； (d )照射雷射束至該非晶矽膜，用以結晶化該非晶矽 膜成一多晶矽膜； (e)圖案化該多晶矽膜成一島； (f )形成一金屬配線，使得該金屬配線電接觸於該島 狀多晶矽膜； (g )形成一層間絕緣膜於由該步驟（f )所產生的結果第39頁 541706 兴、申請專利範圍 之整個上方； (h )穿過該層間絕緣膜形成一接觸孔，使得該接觸孔 達到該金屬配線；以及 + )形成一將界定一像素電極的金屬膜，使得該金屬 取填滿該接觸孔。 12 •如申請專利範圍第11項之主動矩陣基板之製造方法， 更包含下一步驟： (j) 退火該多晶矽膜，該步驟（j)係實行於該步驟（d) 輿該步驟（e)間。 •如申請專利範圍第11項之主動矩陣基板之製造方法， 更包含下一步驟： (k) 施加氫電漿至該多晶矽膜。 =·如申請專利範圍第11項之主動矩陣基板之製造方法 更包含下一步驟： (1)形成一不透光膜於該基板上。 15 一種主動矩陣基板之製造方法，包含下列步驟： (a)形成一電性絕緣膜於一由樹脂所形成的基板上； (b )形成一非晶矽膜於該電性絕緣膜上； (c)摻雜雜質入該非晶矽膜中之一選定的區域； (d )照射雷射束至该非晶矽膜，用以結晶化該非晶矽第40頁 541706 六、申請專利範圍 膜成一多晶$夕膜， (e )圖案化該多晶石夕膜成一島； (f )形成一金屬配線，佶π 八M 4 便传该金屬配線電接觸於該島 狀多晶矽膜； 屯條嘴）y邊岛 (g) 塗佈一光敏感膜於由兮此 、么由该步驟（f)所產生的結果之 上方，使該光敏感膜曝光，曰 且顯影该光敏感膜以形成基礎 階梯部於一將形成一像素的區域中； 7成土足 (h )形成一層間絕緣膜於士 冬眠於由該步驟（g)所產生的結果 之整個上方； (i )穿過該層間絕緣膜形士、 &總β ^ , 眠計乂成一接觸孔，使得該接觸孔 達到該金屬配線；以及 (j)形成將界定一像素電極的一金屬膜，使得該金屬 膜填滿該接觸孔。 16.如申請專利範圍第15項之主動矩陣/板之製造方法， 更包含下一步驟： (k)退火該基礎階梯部，用以平順化該基礎階梯部， 該步驟（k)係實行於該步驟（§)與該步驟（h)間。 1J.如申請專利範圍第15項之主動矩陣基板之製造方法， ^中在該步驟（h)中該層間絕緣膜係形成該基礎階梯 部相同的材料所形成。 〃
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