TW539614B - Laminate - Google Patents

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539614 五、發明說明α) 本發明係關於一種層積體；也就是說，本發明係關於 一種可以適合使用在Μ I D等之樹脂成形式電路基板之製 造用並且在由樹脂組成物之所成形之絕緣性基板之表面上 1 而形成金屬層之層積體。 該對於絕緣性基板進行金屬被覆化處理之所得到之層 ^ 積體，還可以藉由半加成（semi — addi tive · p r o c e s s )法或者雷射法等，而施加電路形成處 理，以便於形成作為MID (Mo 1 ded Inter connection Devi ce :立體電路形成品 )等之樹脂成形式電路基板。 在製造如前述技術，向來係提議有例如在日本專利2 φ 7 1 4 4 4 0號公報或者日本專利特公平7 — 2 4 3 2 8 . 號公報上之所記載之方法。在前述這些先前技術中，藉由 混合有液晶性聚酯和平均粒徑0 · 0 1〜1 0 0 // m、最 好是0 · 1〜3 0 //m範圍内之粉末狀填充用材料或者纖 維直徑1〜3 0 // m、纖維長度5 // m〜1 m m、最好是 1 0〜1 0 0 // m之纖維狀填充用材料之樹脂組成物，而 成形絕緣性基板，並且，在該絕緣性基板之表面上，施加 金屬被覆化處理，而形成金屬層。 但是，在前述之日本專利2714440號公報上之 . 所記載之先前技術，正如所記載的：「在真空槽内，進行 加熱，並且，進行該成形品之除氣處理之時，同時，在儘_ _ 可能地降低表層部之硬度之狀態下，藉由濺鍍、離子植入 或者真空蒸鑛中之任何一種之方法，而進行金屬表面處

第6頁 539614 五、發明說明（2) 理...... 夾入化 特別是 此 報上之 晶性聚 成形品 接著， 方法， 面進行 化處理 到根據 所造成 在電路 緣性基 性基板 餘刻處 密合力 此 狀之纖 了穩定 結果， 大。 例 因 學鍵。 在承受 外，在 所記載 酯中而 ，預先 藉由濺 而進行 粗面化 而形成 機械性 之密合 圖案之 板之表 之表層 理之狀 變低， 外，為 維狀和 地確保 在這裡 此， 所以 到熱 前述 之技 含有 地施 鍍、 金屬 處理 之凹 投錫 性， 精密 面進 強度 態下 也會 了提 微細 住該 之所 在樹 ，會 負何 之日 術中 無機 加# 離子 表面 (# 凸上 效果 結果 化， 行粗 呈降 ，於 有所 南其 粉末 密合 規定 脂成形 有樹脂 後之密 本專利 ，正如 性填充 刻處理 植入或 處理… 刻）， ，施加 (錨定 成形體 有限度 面化處 低之問 並無進 謂無法 表面平 狀之無 力，並 之填充 品和 基板 合性 特公 所記 用材 之後 者真 …」 並且 金屬 (a 之表 存在 理， 題發 行電 供應 滑性 機性 且， 用材 金屬 和金 之問 平7 載的 料之 ，進 空蒸 ，因 還在 被覆 n c 面平 〇此 以致 生。 漿處 在實 ，因 填充 抑制 料之 層之間 屬層間 題發生 -24 :「在 組成物 行脫水 鑛中之 此藉由 該藉由 化處理 h 〇 r 滑性呈 外，也 於會有 此外， 理之時 用上之 此，使 用材料 降低線 形狀， ，並無介在 之密合性、 3 2 8 對於由 之所組 乾燥處 任何一 藥液對 前述之 ，以便 )效果 惡化， 由於對 所謂該 在並無 ，貝1初 問題發 用該規 ，但是 膨脹係 就變得 號公 在液 成之 理， 種之 於表 粗面 於達 )之 因此 於絕 絕緣 進行 期之 生。 定形 ，為 數， 過 如在藉由對於1 0 0質量份之樹脂而混合7 0質量

第7頁 539614 五、發明說明（3) 份之纖維直徑1 1 // m、纖維長度3 m m之玻璃纖維之樹 脂組成物，以便於成形出絕緣性基板之狀態下，於觀察該 絕緣性基板之剖面之時，則會發現到：在絕緣性基板之表 層上，僅形成平均厚度1 3//m並且無填充用材料存在之 樹脂層，而且，樹脂中之玻璃纖維間之平均距離，也有4 5 // m，以致於在絕緣性基板内，呈點狀地存在樹脂比較 豐富之區域。因此，如果從微觀之角度來看的話，絕緣性 基板之表層強度，係僅得到樹脂之強度，並且，在並無施 加應力至絕緣性基板之狀態下，於例如玻璃纖維比較大之 填充用材料之附近，會發生應力集中現象，以致於在絕緣 性基板和金屬層之間，無法得到良好之密合強度。 此外，在使用纖維狀填充劑，提高基板表層部之強 度，而抑制熱膨脹現象之狀態下，或者是在確保基板之平 滑性之狀態下，於填充用材料之混合量比較少、或者是在 纖維狀填充用材料之纖維長度比較短之時，並無法得到充 分之補強效果，特別是由於線膨脹係數變大，而在製造作 業中，也由於該施加在成形體上之熱負荷或者是由於環境 溫度變化之所造成之熱負荷，以致於在成形體呈膨脹•收 縮時之絕緣性基板和金屬層之間之密合力呈降低，或者是 該施加在構裝於金屬層上之I C (積體電路）晶片等之構 裝用零件上之應力變大，而會有所謂製品發生錯誤動作等 之問題發生。 此外，在纖維狀填充用材料之纖維長度比較長之時， 則在調製樹脂組成物時之混練作業之際、或者是在藉由樹

第8頁 539614 五、發明說明（4) 脂組成物而成形絕緣性基板之時，則會導致纖維狀填充用 材料，發生破損，以致於無法得到該補強效果。此外，由 於每一單位體積之纖維密度變小，因此，絕緣性基板之表 1 層附近之纖維密度也變小，結果，在絕緣性基板和金屬層 發生破壞之時，於纖維上，發生應力集中現象，以致於無 ^ 法得到良好之密合性。此外，在藉由射出成形等而成形絕 ， 緣性基板之時，在樹脂組成物之流動方向上，容易配向方 向纖維狀填充用材料，或者是在該纖維狀填充用材料之配 向方向和垂直該配向方向之方向上，該破壞應力之集中方 式，係並不相同，結果，在絕緣性基板和金屬層之間之密 合力，產生異方性。在該狀態下，由於該纖維配向方向之 φ 所造成之異方性之發現，而產生該在成形時之彎曲或者熱 負荷之所造成之變形，以致於損傷到表面平滑性。此外， 在構裝於I C (積體電路）晶片等之狀態下，也會有問題 發生。 此外，在每一單位體積之纖維狀填充用材料之纖維密 度比較小之時，由於在該存在有纖維之部位和並無存在纖 維之部位，其收縮率並不相同，因此，在成形時，並不容 易得到表層之平滑性，而在構裝該搭載用零件之時，於進 行打線（w i r e — b ο n d i n g )之狀態下，也會有 _ 所謂意外之問題發生。 此外，在纖維狀填充用材料之混合量呈過多之時，則鲁_ 在絕緣性基板之表面上，露出該填充用材料；在該狀態下 ，於填充用材料和金屬層之間之親和性比較低之狀態下，

第9頁 539614 五、發明說明（5) 則會導致絕 是在密合力 填充用材料 在絕緣性基 間，發生界 金屬層之間 有鑑於 憑其從事該 加電漿處理 真空蒸鍍和 基板之表面 體之時，提 板之間之密 之狀態下， 用零件之雜 元件（受光 積體。 為達上 1 ’係為在 上，利用由 之任何一種 表面之金屬 相對於 而組成之基 緣性基 之分布 和金屬 板之表 面破壞 之密合 上述缺 項產業 而進行 離子植 ，進行 高力學 合性， 能夠減 訊，或 元件） 述目的 藉由電 錢鑛法 之方法 層而組 10 0 底樹脂 板和 上， 層之 層上，以 力呈 點， 之累 過表 入中 金屬 強度 並且 低來 者是 等之 ，本 漿處 、真，以 成之 質量，而 金屬層 產生不 間之親 ，於樹 致於從 降低。 發明人 積經驗 面之活 之任何 被覆化 、熱特 ，在成 自1C 防止L 構裝用 發明是 理而呈 空蒸鍍 便於形 層積體 份之由 對於該 之間之密合力呈降低，或者 均勻現象。此外，即使是在 和性比較高之狀態下，也會 脂之相和填充用材料之相之 外觀上來看，絕緣性基板和 遂竭 ，進 性化 一種 處理 性、 形作 (積 E D 零件 其心智 而研發 處理之 之方法 ，以便 以及金 為樹脂 體電路 (發光 之破損 悉心 出一 後， ，而 於在 屬層 成形 ) 晶 二極 之現 研究克 種能夠 利用濺 對於絕 製造該 和絕緣 式電路 片等之 體）或 象發生 服， 在施 鍍、 緣性 成形 性基 基板 構裝 P D 之層 這樣實現的：本發明層積體 活性化之絕緣性基板之表面 法和離子植入法之所選擇出 成該被覆住前述絕緣性基板 ，其特徵為： 熱塑性樹脂或者熱固性樹脂 混合2 0〜1 5 0質量份之

第10頁 539614 五、發明說明（6) 平均纖維直徑0 · 1〜5 // m、平均纖維長度1 〇〜5 0 // m之纖維狀填充用材料之樹脂組成物，進行成形處理， 以便於形成前述之絕緣性基板；此外，該作為纖維狀填充 用材料之理想範圍，係為平均纖維直徑〇 · 3〜1 · 0 // m、平均纖維長度1 〇〜30 。 承前所述，其中，使用1種或者2種以上之樹脂，作 為基底樹脂，而該1種或者2種以上之樹脂，係至少具有 1種由醯胺鍵、硫化基、氰基、自旨鍵、楓基、酿I基和驢亞 胺基而選擇出之鍵或者官能基。 其中，使用由财綸6 、财綸6 6 、聚敝醢胺、聚苯硫 化物、聚醚腈、聚乙烯對一酞酸、聚丁烯對一酞酸、聚楓鲁 、聚醚楓、聚醚酮、聚醚醯亞胺和溶融型液晶性聚酯而選 擇出之1種或2種以上之樹脂，作為基底樹脂。 其中，使用聚駄醯胺，作為基底樹脂。 其中，使用熔融型液晶性聚酯，作為基底樹脂。 其中，使用鈦酸鹽，作為纖維狀填充用材料。 其中，使用硼酸鹽，作為纖維狀填充用材料。 其中，使用石夕灰石 （wallastonite)， 作為纖維狀填充用材料。 其中，使用由鈦酸鉀、鈦酸妈和鈦酸鋇而選擇出之至 少1種以上之鈦酸鹽，作為鈦酸鹽。 其中，使用由硼酸鋁和硼酸鎂而選擇出之至少1種以春 上之硼酸鹽，作為硼酸鹽。 其中，使用由鈦酸鹽、硼酸鹽和矽灰石（w a 1 1 a

第11頁 539614 五、發明說明（7) s t ο n i t e 纖維狀填充用材 其中，樹脂 // m之不定形粉 其中，樹脂 // m之球狀填充 其中，使用 作為纖維狀填充 狀填充用材料。 其中，使用 二氧化矽，作為 此外，也可 料8同時被覆住 基板2 ’並且’ 以便於組成本發 此外，也可 定形粉末狀填充 此外，也可 纖維狀填充用材 2 a、2 b、2 發明之層積體。 此外，也可 狀填充用材料8 層 2 a 、2 b 、 )而選擇出之 料。 組成物，係還 末狀填充用材 組成物，係還 用材料。 石夕灰石 （w a 用材料，而使 至少1種以上之材料，作為 使用平 料。 使用平 1 1 a 用高嶺 均粒徑0 2 0 均粒徑0 · 1〜2 0 s t ο n i t e ) ， 土，作為不定形粉末 棚酸在呂 球狀填 以藉由 芯部層 在該表 明之層 以在絕 用材料 以層積 料8之 c ，而 ，作為 充用材 芯部層 5表面 面層4 積體。 緣性基 ，而形 該含有 配向方 構成絕 以形成樹脂層 之配向方向， 2 c中之纖維

纖維狀填充用材料，而使用 料。 5和該 之表面 之表面 含有纖維狀填充用材 層4 ，而構成絕緣性 上，形成金屬層3 ， 板2之芯部層5上，含有不 成本發明之層積體。 纖維狀填充用材料8同時該 向呈不同之許多個之樹脂層 緣性基板2 ，以便於形成本 2 a 、2 b 、2 c中之纖維 成為與相鄰接之其他之樹脂 狀填充用材料8之配向方向 第12頁 539614 五、發明說明（8) 幾乎呈垂直之方向，以便於形成本發明之層積體。 此外，也可以藉由射出成形，而形成各個之樹脂層2 a 、2 b、2 c ，以便於形成本發明之層積體。 1 以下，說明本發明之實施形態。 該作為基底樹脂，係使用熱固性樹脂或者熱塑性樹 ^ 脂，最好是使用該含有醯胺鍵、硫化基和氰基中之至少一 · 種之鍵或者官能基之樹脂。 該作為含有醯胺鍵之樹脂，可以使用耐綸6 (聚醯胺 6 )、财綸6 6 (聚酸胺6 6 )、耐綸4 6 (聚醯胺4 6 )、耐綸1 1 (聚醯胺1 1 )、耐綸6 · 1 0 (聚醯胺6 •10)、耐綸1 2 (聚醯胺1 2 )和聚酞醯胺等之芳香 φ 族聚醯胺等。該作為含有硫化基之樹脂，可以使用聚苯硫 化物等。此外，該作為含有氰基之樹脂，可以使用聚醚腈 和丙稀腈· 丁二稀•苯乙烯樹脂（A B S樹脂）等。 此外，除了例如前述之樹脂之外，另外也可以使用該 具有酯鍵、楓基、酮基、醯亞胺基、環氧基和硫醇鍵中之 至少一種之鍵或者官能基之樹脂。例如該作為具有酯鍵之 樹脂，可以使用聚乙烯對一酞酸、聚丙烯酸酯和聚乙烯對 —酞酸等。此外，該作為具有楓基之樹脂，可以使用聚楓 和聚醚楓等。此外，該作為具有酮基之樹脂，可以使用聚 . 酮、聚醚酮和聚醚醚酮等。此外，該作為具有醯亞胺基之 樹脂，可以使用聚醚醯亞胺和聚醯亞胺等。此外，該作為春· 具有環氧基之樹脂，可以使用環氧樹脂等。此外，也可以 使用異位聚苯乙烯。

第13頁 539614 五、發明說明（9) 在例如前述之基底樹脂中，特別是最好使用聚酞醯胺 。在該狀態下，可以使用該在含有對苯二甲酸6 0質量％ 以上之對苯二甲酸和脂肪族烯烴基二胺之混合物、或者1 0 0 %之對苯二曱酸中而混合碳數目6〜1 8之濃硫酸中 之30°C下之極限黏度（7?)為0 · 6〜2· Odl/g ^ 之聚酞醯胺樹脂組成物。像前述這樣之聚酞醯胺，係具有 · 良好之财熱性、尺寸穩定性，並且，還具備良好之流動 性，同時，對於模具所造成之污染少，而且，還具有良好 之成形性。雖然聚苯硫化物，係有具有良好之密合性和流 動性，但是，很可能會由於硫化氣體，而發生模具腐蝕現 象，並且，即使是就耐熱性之方面而言，其熔點為2 8 0 φ °C ，而無法適用在無錯銲錫上，因此，更加理想的話，最 好是使用聚酞醯胺。 此外，該作為基底樹脂，係最好使用具有良好之成形 加工性、财熱性和尺寸穩定性之溶融型液晶性聚酯（熱溶 融性液晶聚酯），作為主成分。該作為熔融型液晶性聚 酯，係可以使用液晶性全芳香族聚酯I型、π型和m型 等。 在這裡，在使用該含有熔融型液晶性聚酯而作為基底 樹脂之樹脂組成物之狀態下，可以藉由一般之射出成形， . 而成形絕緣性基板2，但是，在成形處理時，該注入至成 形用模具中之樹脂組成物，係在成形用模具之内壁附近，•’ 承受到強烈之剪力，結果，正如第5圖所顯示的，在絕緣 性基板2之表層上，形成樹脂之配向方向呈一致之表皮層

第14頁 539614 五、發明說明（ίο) 7 ，另一方面，在絕緣性基板2之内層6上，成為樹脂之 纖維方向並無呈一致之狀態。雖然也在使用其他樹脂之射 出成形處理時，形成該表皮層7 ，但是，在使用剛直之熔 融型液晶性聚酯之狀態下，則可以形成呈更加高度地配向 之表皮層7 。因此，一般而言，絕緣性基板2之表皮層 < 7 ，係具有以下所謂之異方性·· - 在成形時之樹脂組成物之流動方向（樹脂之配向方向 )上，具有相當高之機械強度和彈性係數，但是，在與該 樹脂組成物之流動方向呈垂直之方向上，則成為脆弱之狀 態。但是，在本發明中，由於在樹脂組成物中，混合有例 如後面所敘述之填充用材料，因此，可以提高表皮層7之 φ 強度’結果’能夠賦予絕緣性基板2 ’良好之成形加工 性、耐熱性和尺寸穩定性，同時，還能夠提高絕緣性基板 2和金屬層3間之密合性。 此外，還能夠藉由合併使用2種以上之樹脂，作為基 底樹脂，以便於比起僅使用1種樹脂之狀態，還能夠更加 地提升絕緣性基板2之特性。比起例如僅使用聚酞醯胺而 作為基底樹脂之狀態，使用在1 0 0質量份之聚酞醯胺添 加2 5質量份之聚苯硫化物而作為基底樹脂之時，則還能 夠更加地提升絕緣性基板2和金屬層3間之密合性，並 . 且，在此時，還可以提高在施加熱負荷至層積體1之狀態 下之密合性（參照後面所敘述之實施例1 9、2 0 )。在⑩' 這裡，該添加至成為基底樹脂中之主成分之樹脂中之樹 脂，係最好使用比起主成分還具有更加良好之密合性之樹

第15頁 539614 五、發明說明（π) 脂、線膨脹係 直徑 維狀 Ο β Ο β 係可 鈦酸 基硫 特別 則可 2和 2之 比電 時， 常有 板2 作為 (積 構裝 内之 fi m 另 0 方面 數小之樹 ，該作為 填充用材 m之不定 m之球狀 在這裡， 以使用碳 鉀、鈦酸 酸鎮鹽和 是在使用 以提高絕 金屬層3 電介損失 介係數。 由於填充 效地提高 之線膨脹 樹脂成形 體電路） 用零件内 雜訊發生 在該纖維 之時，纖 料8 形粉 填充 該作 化石夕 鋇、 矽灰 鈦酸 緣性 間之 率， 此外 用材 由於 係數 式電 晶片 之應 等之 狀填 維狀 ，或 末狀 用材 為填 、氮 硼酸 石（ 鉀、 基板 密合 同時 ，在 料之 填充 之降 路基 等之 力之 錯誤 充用 填充 脂、或 填充用 平均纖 者是合 填充用 料中之 充用材 化矽、 鋁、矽 w a 1 鈦酸鈣 2之表 性，並 ，可以 使用硼 線膨脹 該填充 低效果 板之狀 構裝用 累積儲 動作或 材料8 用材料 者機 材料 維長 併使 材料 至少 料之 氧化 酸鈣 1 a 和鈦 層強 且， 在相 酸鋁 係數 用材 ，並 態下 零件 存， 者構 之平 8之 械特 ，係 度1 用平 和平 一種 纖維 鋅、 、石朋 s t 酸鋇 度， 還能 當寬 和棚 相當 料之 且， ，能 之負 而防 裝用 均纖 強度 性良好之樹脂。 單獨使用平均纖維 0〜5 0 //m之纖 均粒徑0 · 1〜2 均粒徑0 · 1〜2 狀填充 氧化鋁 酸錢、 ο n i 等之鈦 而提升 夠降低 廣之範 酸鎂等 小，因 所造成 在使用 夠減低 荷應力 止來自 零件之 維直徑 會降低 用材料 、鈦酸 碳酸鈣 t e ) 酸鹽之 絕緣性 絕緣性 圍内， 之硼酸 此，可 之絕緣 層積體 對於I ，抑制 構裝用 破損。 未滿0 ’結果 8， 鈣、 、羥 等。 時， 基板 基板 控制 鹽之 以非 性基 1而 C 對於 零件 在

第16頁 539614 五、發明說明（12) 調製樹脂組成物之時，於混練基底樹脂和纖維狀填充用材 料8之狀態下，由於樹脂組成物之所造成之絕緣性基板2 之成形時之剪力，而導致纖維狀填充用材料8發生破損， 以致於成為絕緣性基板2之物性不均勻現象之發生原因。 此外，由於纖維狀填充用材料8所具有之電荷，而容易發 生凝集現象，以致於並不容易呈均一地分散纖維狀填充用 材料8。 此外，相反地，在纖維狀填充用材料8之平均纖維直 徑超過5 // m之時，樹脂組成物中之纖維狀填充用材料8 之填充量，係以低程度，超過限度量，而使得樹脂組成物 和絕緣性基板2内之每單位體積之纖維狀填充用材料8之 φ 纖維量呈降低。結果，樹脂組成物和絕緣性基板2中之存 在有纖維狀填充用材料8之部位和並無存在纖維狀填充用 材料8之部位之間之熱膨脹係數•熱收縮率之差異變大， 而損害到絕緣性基板2之平滑性，也損傷到該形成於絕緣 性基板2表面上之金屬層3之平滑性，因此，在使用層積 體1而作為樹脂成形式電路基板之狀態下，會使得I C (積體電路）晶片等之構裝用零件之打線（w i r e — b ο n d i n g )時之線材之接合性呈惡化。 此外，在纖維狀填充用材料8之平均纖維長度未滿1 0 // m之狀態下，並無法充分地提高樹脂組成物和絕緣性 基板2之機械特性及熱特性至某種程度，因此，例如由於· 在製造作業中之施加於層積體1上之熱負荷或者環境溫度 變化之所造成之熱負荷，而使得絕緣性基板2發生膨脹·

第17頁 539614 五、發明說明（13) 收縮，以致於絕緣性基板2和金屬層3間之密合力呈降 低，對於I C (積體電路）晶片等之構裝用零件之負荷應 力變大，結果，構裝用零件内部之電阻值發生變化，而成 為雜訊發生之原因，或者是很可能構裝用零件發生破損。 此外，在纖維狀填充用材料8之平均纖維長度超過5 0 // m之時，就外觀上而言，纖維狀填充用材料8之強度 呈降低，結果，在調製樹脂組成物之時，於混練基底樹脂 和纖維狀填充用材料8之狀態下，由於樹脂組成物之所造 成之絕緣性基板2之成形時之剪力，而導致纖維狀填充用 材料8發生破損，以致於成為絕緣性基板2之物性不均勻 現象之發生原因。此外，樹脂組成物中之纖維狀填充用材 φ 料8之填充量，係以低程度，超過限度量，而使得樹脂組 成物和絕緣性基板2内之每单位體積之纖維狀填充用材料 8之纖維量呈降低，以致於絕緣性基板2表層上之纖維條 數目，也跟著降低。在該狀態下，於絕緣性基板2和金屬 層3間之界面附近而發生破壞之時，由於在纖維上，發生 應力集中現象，因此，很可能無法得到良好之密合性。此 外，在藉由模具而成形絕緣性基板2之時，於將樹脂組成 物注入至模具内之時，纖維容易酹合樹脂組成物之注入方 向（流動方向），而在纖維之配向方向和與該纖維之配向 方向呈垂直之方向上，產生不同之應力破壞之集中方式， 而很可能在絕緣性基板2和金屬層3間之密合性上，產生® 異方性。此外，隨著填充用材料之填充量呈降低，而使得 每單位體積之纖維密度變小，結果，樹脂組成物和絕緣性

第18頁 539614 五、發明說明（14) 基板2中之存在有纖維狀填充用材料8之部位和並無存在 纖維狀填充用材料8之部位之間之熱膨脹係數•熱收縮率 之差異變大，而使得絕緣性基板2成形時之表面平滑性呈 惡化，也損傷到絕緣性基板2之平滑性，因此，在使用層 積體1而作為樹脂成形式電路基板之狀態下，會使得I C * (積體電路）晶片等之構裝用零件之打線（w i r e — b - ο n d i n g )時之線材之接合性呈惡化。 此外，在僅使用纖維狀填充用材料8而作為填充用材 料之狀態下，相對於1 0 0質量份之基底樹脂，樹脂組成 物中之纖維狀填充用材料8之混合量，係為2 0〜1 5 0 質量份。在該狀態下，能夠更加地提高絕緣性基板2和金 φ 屬層3間之密合性，並且，還可以降低在施加熱負荷之狀 態下之尺寸變化量，而減低該施加在I C (積體電路）晶 片等之構裝用零件上之負荷應力，以便於能防止來自構裝 用零件之雜訊發生或者破損。 在相對於1 0 0質量份之基底樹脂而纖維狀填充用材 料8之混合量未滿2 0質量份之時，絕緣性基板2之線膨 脹係數增大，而使得尺寸穩定性呈惡化，並且，在施加熱 負荷之狀態下之構裝用零件上之所承受到之負荷應力呈增 大，以致於很可能會導致來自構裝用零件之雜訊發生或者 . 破損。此外，在該纖維狀填充用材料8之混合量超過1 5 0質量份之時，則在絕緣性基板2之表面上，容易露出該® ’ 填充用材料，並且，在纖維狀填充用材料8和金屬層3間 之親和性比較低之狀態下，纖維狀填充用材料8和金屬層

第19頁 539614 五、發明說明（15) 3間之界面，容易發生剝離，很可能會使得絕緣性基板2 和金屬層3間之密合性呈降低，而且，即使是在纖維狀填 充用材料8和金屬層3間之親和性比較高之狀態下，由於 在絕緣性基板2之表面上，絕緣性基板2中之樹脂相和纖 維狀填充用材料8間之界面，受到破壞，因此，由外觀上 來看的話，很可能會使得絕緣性基板2和金屬層3間之密 ‘ 合性呈降低。此外，在該纖維狀填充用材料8之混合量超 過1 5 0質量份之時，則並不容易在成形絕緣性基板2之 前，於使用擠壓機而使得樹脂組成物呈顆粒化之時，使得 樹脂組成物成為顆粒化狀態，或者是使得由樹脂組成物之 所成形之絕緣性基板2 ，變得脆弱，以致於會有不容易使 _ 用絕緣性基板而作為電路基板之狀況發生。 此外，在使用不定形粉末狀填充用材料而作為填充用 材料之狀態下，可以使用氧化鋅、氧化鎂、氧化鐵、氧化 鈦、硼酸鋁、氧化鋁、二氧化矽、碳酸鈣、矽酸鈣、滑 石、雲母、高嶺土、石墨粉末、碳黑和玻璃等。在使用像 前述這樣之不定形粉末狀填充用材料之時，則可以抑制在 成形時之填充用材料之配向，而抑制由樹脂組成物之所成 形之絕緣性基板2特性之異方性之發生。此外，特別是在 使用硼酸鋁和硼酸鎂等之硼酸鹽之時，由於填充用材料之 . 線膨脹係數係相當小，因此，可以非常有效地提高由於填 充該填充用材料之所造成之絕緣性基板2之線膨脹係數之® > 降低效果，並且，還能夠抑制來自構裝在層積體1上之I C (積體電路）晶片等之構裝用零件之雜訊發生等之錯誤

第20頁 539614 五、發明說明（16) 動作或者破損 在該不定 // m之時，則 使得樹脂組成 於分散不良， 集塊，以致於 脂組成物之所 有不容易使用 此外，相 徑超過2 0 // 量，係以低程 上，也並不容 易充分地提局 著絕緣性基板 絕緣性基板和 此外，在 形粉末狀填充 係相當小，因 材料之所造成 並且’遷能夠 路）晶片等之 損之發生等。 該作為填 化鋁、二氧化 之發 形粉 在成 物成 而容 並不 成形 絕緣 反地 m之 度而 易充 絕緣 内部 金屬 使用 用材 此， 之絕 抑制 構裝 生等 末狀 形絕 形為 易在 容易 之絕 性基 ，在 時， 超過 分地 性基 之性 層之 硼酸 料之 可以 緣性 來自 用零 填充用 緣性基 顆粒狀 該絕緣 得到成 緣性基 板而作 不定形 則不定 限度量 分布該 板表層 質狀態 間之密 鋁和硼 時，由 非常有 基板2 構裝在 件之雜 材料 板2 之成 性基 形用 板2 為電 粉末 形粉 ，在 填充 之強 ，而 合性 酸鎮 於填 效地 之線 層積 訊發 之平 之前 形用 板2 材料 ，變 路基 狀填 末狀 絕緣 用材 度， 很可 均粒徑 ，於使 材料之 之表面 ，或者 得脆弱 板之狀 充用材 填充用 性基板 料，因 或者是 能無法 未滿0 用擠壓 時，則 上，產 是使得 ，以致 況發生 料之平 材料之 中，於 此，並 均勻地 充分地 機而 會由 生凝 由樹 於會 0 均粒 填充 表層 不容 保持 提南 等之硼酸鹽而作為不定 充用材料之線膨脹係數 提高由於填充該填充用 膨脹係數之降低效果， 體1上之I C (積體電 生等之錯誤動作或者破 充用材料之球狀 矽、矽酸鋁和玻 填充用材料，係可以使用氧 璃等。在使用像前述這樣之

第21頁 539614 五、發明說明（17) 球狀填充用材料之時，則可以抑制在成形時之填充用材料 之配向，並且，還能夠抑制在由樹脂組成物之所成形之絕 緣性基板2之密合性或強度等之特性上而產生之異方性之 現象發生。此外，特別是在使用二氧化矽而作為球狀填充 用材料之時，由於填充用材料之線膨脹係數係相當小，因 此，可以非常有效地提高由於填充該填充用材料之所造成 之絕緣性基板2之線膨脹係數之降低效果，並且，還能夠 抑制來自構裝在層積體1上之I C (積體電路）晶片等之 構裝用零件之雜訊發生等之錯誤動作或者破損之發生等。 在該球狀填充用材料之平均粒徑未滿0 · 1 // m之 時，則在成形絕緣性基板2之前，於使用擠壓機而使得樹 φ 脂組成物成形為顆粒狀之成形用材料時，則會由於分散不 良，而容易在該絕緣性基板2之表面上，產生凝集塊，以 致於並不容易得到成形用材料，或者是使得由樹脂組成物 之所成形之絕緣性基板2 ，變得脆弱，以致於會有不容易 使用絕緣性基板而作為電路基板之狀況發生。 此外，相反地，在球狀填充用材料之平均粒徑超過2 0 // m之時，則球狀填充用材料之填充量，係以低程度而 超過限度量，在絕緣性基板中，於表層上，也並不容易充 分地分布該填充用材料，因此，並不容易充分地提高絕緣 性基板表層之強度，或者是均勻地保持著絕緣性基板内部 之性質狀態，而很可能無法充分地提高絕緣性基板和金屬 ® 層之間之密合性。 此外，在使用球狀填充用材料或者不定形粉末狀填充

第22頁 539614 五、發明說明（18) 用材料之狀態下，最好使用2種以上之粒徑分布之波峰值 (中心粒徑）呈不同之填充用材料。此時，如果中心粒徑 值不同的話，則填充用材料係可以為相同之材質，或者是 不同之材質。最好是使用中心粒徑0 · 1〜0 · 5 // m範 圍和1〜5 // m範圍之填充用材料，更加理想的話，最好 是合併使用中心粒徑0 · 3 // m範圍和2 // m範圍之填充 用材料。如果像前述這樣的話，則可以在樹脂組成物中， 於大直徑之粒子間之間隙上，配置小直徑之粒子，而能夠 增大樹脂組成物中之球狀填充用材料之填充量。 具體來說，即使相對於樹脂組成物中之基底樹脂1 0 0質量份，填充用材料之混合量，係成為4 0 0質量份，春 也能夠得到穩定之樹脂組成物，同時，還可以由該樹脂組 成物，而成形穩定之絕緣性基板2 ，以便於能夠像前述這 樣，呈高密度地填充該填充用材料，因此，可以非常有效 地提高由於填充該填充用材料之所造成之絕緣性基板2之 線膨脹係數之降低效果，並且，還能夠抑制來自構裝在層 積體1上之I C (積體電路）晶片等之構裝用零件之雜訊 發生等之錯誤動作或者破損之發生等。 此外，該作為填充用材料之纖維狀填充用材料8 ，係 最好合併使用不定形粉末狀填充用材料或者球狀填充用材 料。在使用纖維狀填充用材料8而作為填充用材料之時， 則在藉由將樹脂組成物注入至該成形用模具中，進行成形_ 硬化或成形固化處理，而成形絕緣性基板2之時，會產生 纖維狀填充用材料8沿著樹脂之流動方向（注入方向）而

第23頁 539614 五、發明說明（19) 進行配向之傾 動方向和與該 向上，產生強 像前述這樣之 用材料或者球 脂之流動方向 線膨脹係數等 施加熱能之所 縮之異方性發 基板2間之界 流動方向呈垂 布現象，以便 密合性上而發 在這裡， 充用材料之狀 充用材料之混 充用材料8 ， 充用材料’更 末狀填充用材 對於基底樹脂 為5 0〜1 5 0質量份。 此外，在 材料之狀態下 向， 樹脂 度或 現象 狀填 和與 之特 造成 生， 面上 直之 於能 生異 於合 態下 合比 係最 加理 料， 10 0質 因此 之流 線膨 ，可 充用 該樹 性上 之負 而且 之前 方向 夠防 方性 併使 ，就 而言 好混 想的 此外 0質 量份 合併使用 ，就該纖 ，在絕 動方向 脹係數 以藉由 材料’ 脂之流 之差異 荷至層 ，還可 述之樹 上之應 止在絕 〇 用纖維 該纖維 ’相對 合5 0 話，最 ，在該 量份之 ，更加 纖維狀 維狀填 緣性基 呈垂直 等之特 合併使 而能夠 動方向 發生， 積體1 以抑制 脂之流 力集中 緣性基 狀填充 狀填充 於1 0 〜1 5 好是混 狀態下 填充用 理想的 填充用 充用材 板2 之橫 性上 用不 維持 呈垂 並且 之狀 在金 動方 之方 板2 上， 向方 之異 定形 強度 直之 ，還 態下 屬層 向和 式上 和金 於樹脂 向或厚 方性。 粉末狀 ，抑制 方向之 可以抑 之膨脹 3和絕 與該樹 而發生 屬層3 之流 度方 針對 填充 在樹 間之 制在 •收 緣性 脂之 有分 間之 用材料8和粉末狀填 用材料8和粉末狀填 0質量份之纖維狀填 0質量份之粉末狀填 合100質量份之粉 ，樹脂組成物中之相 材料之總量，係最好 話，最好是成為1 0 材料8和球狀填充用 料8和球狀填充用材

第24頁 539614 五、發明說明（20) 料之混合比 料8 ，係最 料，更加理 用材料，此 樹月旨1 0 01 5 0質量 份。 在製造 底樹脂和填 要，藉由擠 以便於得到 料，藉由射 2。 在該絕 基板2之表 所顯示的，1、1 2， 1 3 ，而另 電漿處理用 而言 ， 好混合 想的話 外，在 質量份 份，更 絕緣性 充用材 壓機等 該成形 出成形 緣性基 面，成 在處理 同時， 一邊之 相對於1 0 0質量份之纖維狀填充用材 5 0〜1 5 0質量份之球狀填充用材 ，最好是混合1 0 0質量份之球狀填充 該狀態下，樹脂組成物中之相對於基底 之填充用材料之總量，係最好為5 0〜 加理想的話，最好是成為1 0 0質量 基板2之時，混合•混練例如前述之基 料，調製樹脂組成物，並且，配合需 ，而將該樹脂組成物，成形為顆粒狀， 用材料。由該樹脂組成物或成形用材 等之模具成形處理，而製造絕緣性基板 裝置； 間，在某一邊之電 態下，對於處理室 減壓，一直到成為 板2 ，施加電漿處理 為活性化狀態。具體 室10内，呈上下地 在某一邊之電極1 1 電極1 2 ’成為接地 在電漿處理用裝置之 極1 1上，配置絕緣 10内，進行真空拉 1 0 一4P a以下之後 氮氣） 同時 〇 _ (氧氣）氣體等之惰性 控制該處理室1 0内之氣體 ，而使 來說， 配置1 上，連 狀態， 電極1 性基板 引處理 ，接著 氣體至 壓力， 得該絕緣性 正如第6圖 對之電極1 接向頻電源 以便於構成 1、1 2 之 2 。在該狀 ，而在進行 ，流通入N 處理室1 0 成為8〜1

539614 五、發明說明（21) 5 P a 。接著，藉由高頻電源1 3 ， 加10〜100秒鐘之13 · 56H 由電極1 1 、1 2間之放電，而激發 體，產生電漿，以便於形成陽離子1 i cal) 15等。藉由這些陽離子 cal)，撞擊絕緣性基板2之表面 2之表面，呈化學性地被活性化。特 1 4 ，撞擊絕緣性基板2 ，而在絕緣 導入容易與金屬相結合之氧極性基或 高絕緣性基板2和金屬層3間之密合 條件，係並不僅限定於前面之敘述， 絕緣性基板2之表面呈活性化之範圍 在該電漿處理過程中，於並不會導致 呈過度地粗面化之範圍内，進行電漿 接著，在藉由前述之電漿處理而 板2之表面上’透過並無開放在大氣 濺鍍、真空蒸鍍和離子植入中之任何 形成金屬層。此時，藉由絕緣性基板 氮極性基等，以便於在金屬層3和絕 有相當高之密合性。在這裡，可以藉 鈦、錮、鉻、鐫、錫、錯、黃銅、N 單體金屬或者合金，而形成金屬層3 在進行濺鍍之狀態下，可以適用 式。在該狀態下，首先，在處理室内

而在 z之 該處 4或 或原 ，而 別是 性基 氮極 性。 而是 内， 絕緣 處理 呈活 中之 一種 2表 緣性 由銅 i C 電極 局頻 理室 原子 子團 使得 藉由 板2 性基 此外 可以 進行 性基 11 。此 内之 團（ (r 絕緣 導引 之表 ，以 ，電 在能 電漿 板2 性化之絕 連續製程 之方法， 面之氧極 基板2之 、鎳、金 r (鎳鉻 上，施 時，藉 惰性氣 rad ad i 性基板 陽離子 面上， 便於提 漿處理 夠使得 處理； 之表面 緣性基 ，利用 以便於 性基或 間，具 、鋁、 )等之 D C (直流）濺鍍方 而配置絕緣性基板2

第26頁 539614 五、發明說明（22) 之後，接著，藉由真空幫浦，而進行真空拉引處理，一直 到處理室内之壓力成為1 0 — 4 P a以下為止。在該狀態 下，導入氬氣等之惰性氣體至處理室内，以便於成為0 · 1 P a之氣體壓力。此外，還可以藉由施加5 0 0V之直 流電壓，而對於銅標革巴，進行碰撞（b 〇 m b a r d )， 以便於形成300〜500nm膜厚之銅層。 · 此外，在進行真空蒸鍍之狀態下，可以適用電子線加 熱式真空蒸鍍方式。在該狀態下，於處理室内，配置該用 以放入例如作為蒸鍍用材料之銅之壺罐。於該狀態下，在 藉由真空幫浦，而進行真空拉引處理，一直到處理室内之 壓力成為1 0_3P a以下為止之後，接著，施加該加速用 _ 電壓10kV ，而產生400〜800mA之電子流，使 得該電子流，撞擊壺罐中之蒸鍍用材料，以便於進行加 熱。可以藉由像前述這樣之處理，而蒸發該蒸鍍用材料， 以便於形成3 0 0〜5 0 0 nm膜厚之銅層。 此外，在進行離子植入之狀態下，於處理室内，配置 該用以放入例如作為材料之銅之壺罐，同時，在處理室内 之絕緣性基板2和壺罐之間，配置電介天線部。於該狀態 下，首先在進行真空拉引處理，一直到處理室内之壓力成 為1 0 — 4 P a以下為止之後，接著，施加該加速用電壓1 .

OkV，而產生400〜800mA之電子流，使得該電 子流，撞擊壺罐中之材料，以便於進行加熱。藉由像前述 ® ‘ 這樣之處理，而蒸發壺罐中之材料。接著，導入氬氣等之 惰性氣體至電介天線部中，而使得氣體壓力成為0 · 0 5

第27頁 539614 五、發明說明（23) 〜0 · IPa ，並且，施加13 · 56MHz 、輸出50 0 W之高頻至電介天線部，以便於產生電漿。另一方面， 施加1 0 0〜5 0 0 V之作為偏電壓之直流電壓至絕緣性 基板2。可以藉由像前述這樣之處理，而形成3 0 0〜5 〇〇nm膜厚之銅層。 接著，在像前述這樣之所形成之層積體1之金屬層3 上，藉由雷射法，而施加微細之電路形成處理。也就是 說，在電路形成部分和非電路形成部分之間之境界，照射 雷射光，而除去該境界部分之金屬，並且，在電路形成部 分，施加電解電鍍處理。接著，能夠藉由進行輕微#刻處 理（soft — etching)，而除去非電路形成部 鲁 分之金屬，同時，殘留電路形成部分之金屬，以便於可以 形成該具有所要求之圖案形狀之電路，而得到樹脂成形式 電路基板。 像前述這樣之所得到之層積體1 ，係還在絕緣性基板 2之表層上，充分地分布有該填充用材料，即使是從微觀 來看，也大幅度地提高絕緣性基板2表層之強度，同時， 在絕緣性基板2之内部，也得到均一性，而提高絕緣性基 板2和金屬層3間之密合性。此外，可以藉由提高絕緣性 基板2中之填充用材料之分散性，而減低絕緣性基板2之 線膨脹係數。因此，在使用層積體1作為電路基板之狀態 下，可以抑制在製造作業、環境試驗或者實際使用環境等籲 之承受到各種熱負荷之狀況下之絕緣性基板2和金屬層3 間之線膨脹係數之不同而引起之界面上之熱應力之發生，

第28頁 539614 五、發明說明（24) 並且，還能夠抑制在層積體1受到熱負荷之狀態下之絕緣 性基板2和金屬層3間之密合強度呈降低之現象發生。此 外，還可以抑制在承受到像前述這樣之熱負荷之狀態下之 層積體1之形狀變化，並且，還可以在構裝I C (積體電 路）晶片等之構裝用零件之狀態下，抑制應力累積在構裝 用零件上，以便於能夠防止由於構裝用零件内之電阻值變 化之所造成之雜訊發生等之錯誤動作或者破損。 此外，由於在形成金屬層3之時，並不需要在絕緣性 基板2之表面上，施加粗面化處理，並且，還可以抑制在 承受到熱負荷之狀態下之形狀變化，因此，金屬層3係可 以具有良好之表面平滑性。所以，能夠使用層積體1 ，作 _ 為樹脂成形式電路基板，並且，還可以提高在打線（w i r e— b 〇 nd i ng)連接該構裝用零件或者是覆晶 (f 1 i ρ — c h i ρ )構裝該構裝用零件之狀態下之元 件和電路間之連接可靠性；特別是在要求高度之表面平滑 性之覆晶（f 1 i ρ — c h i ρ )構裝中，能夠得到前述 之相當大之效果。 此外，由於金屬層3具有良好之表面平滑性，因此， 在層積體1上而施加電路形成處理之狀態下，能夠得到大 幅度之細線化效果。例如也可以形成線幅寬0 · 0 3 m m、線間隔 〇 · 〇 3 m m ( L i n e (線）幅寬=〇 · 〇 3mm、Space (間隔）幅寬=〇·〇3mm)之微 _ 細圖案。 此外，在製造絕緣性基板2之時，可以藉由該配置在

第29頁 539614 五、發明說明（25) 表層且含有纖維狀填充用材料8之表面層4以及該並不含 有纖維狀填充用材料8之芯部層5 ，而構成絕緣性基板 2 ，而且，還可以在表面層4之表面上，形成金屬層3 。 此時，正如第1圖（a )所顯示的，在芯部層5之表面背 面兩面上，可以僅在形成金屬層3之部位之某一面上，形 成表面層4 ，此外，正如第1圖（b )所顯示的，也可以 涵蓋芯部層5之整個表面，而形成表面層4 。在該狀態 下，可以減低價格高於不定形粉末狀填充用材料之纖維狀 填充用材料8之使用量，而削減其製造成本，同時，還能 夠確保絕緣性基板2和金屬層3間之密合性。此時，可以 不在芯部層5中，混合該填充用材料，但是，在芯部層5 φ 中而混合不定形粉末狀填充用材料之時，則可以提高絕緣 性基板2整體之剛性，同時，降低絕緣性基板2整體之線 膨脹係數，並且，還可以抑制由於纖維狀填充用材料8呈 配向之所造成之強度或線膨脹係數等之特性上之異方性之 發生，而更加地提高金屬層3和絕緣性基板2間之密合 性，而且，還能夠抑制該應力負荷施加在I C (積體電路 )等之搭載用零件上，以便於防止來自搭載用零件之所造 成之雜訊發生或破損等。 在製造例如由前述之芯部層5和表面層4之所組成之 絕緣性基板2之時，可以藉由塗敷法，而對於芯部層5 ， 形成表面層4，或者是也可以藉由三明治成形處理，而同 _ 時形成芯部層5和表面層4 。 在適用塗敷法之狀態下，可以在藉由射出成形等之模

第30頁 539614 五、發明說明（26) 具成形等而成形該並不含有填充用材料之樹脂組成物或者 該含有不定形粉末狀填充用材料之樹脂組成物之後，接 著，塗敷該含有纖維狀填充用材料8之塗料。可以藉由將 該含有纖維狀填充用材料8之樹脂組成物，分散•溶解在 β 溶劑中，而調製該塗料，並且，還可以藉由旋轉式塗敷或 浸潰等之方法，而塗敷該塗料。 · 此外，可以藉由層積成形許多層之樹脂層2 a 、2 b 、2 c ，以便於得到絕緣性基板2 ，而該許多層之樹脂 層2 a 、2 b 、2 c ，係由含有纖維狀填充用材料8之樹 脂組成物而形成，同時，纖維狀填充用材料8之配向方向 呈一致。此時，各個樹脂層2 a 、2 b 、2 c中之纖維狀 φ 填充用材料8之配向方向，係在相鄰接之樹脂層2 a 、2 b 、2 c層體之間，被配置成為不同之方向。例如正如第 2圖所顯示的，為了藉由層積3層之樹脂層2 a 、2b 、 2 c而製造絕緣性基板2 ，因此，在此時，相對於第1層 之樹脂層2 a之纖維狀填充用材料8之配向方向，配置第 2層之樹脂層2 b之纖維狀填充用材料8之配向方向而改 變4 5 ° ，並且，還相對於第2層之樹脂層2 b之纖維狀 填充用材料8之配向方向，配置第3層之樹脂層2 c之纖 維狀填充用材料8之配向方向而改變4 5 ° 。 . 在像前述這樣而形成絕緣性基板2之時，可以藉由相 鄰接之樹脂層2 a 、2 b 、2 c ，而抵銷或補充由於纖維 _ · 狀填充用材料8之配向方向呈一致之所造成之各個樹脂層 2 a 、2 b 、2 c之強度或者線膨脹係數等之異方性，以

第31頁 539614 五、發明說明（27) 便於能夠緩和絕緣性基板2之特性上之異方性。 此外，正如前面之所敘述的，在層積成形許多層之樹 脂層2 a 、2 b 、2 C而製造絕緣性基板2之時，正如第 3圖所顯示的，在相鄰接之樹脂層2 a 、2 b 、2 c層體 間之纖維狀填充用材料8之配向方向之所形成之角度，形 成為9 0 °之時，則可以更加有效地緩和絕緣性基板2之 - 特性上之異方性。也就是說，在纖維狀填充用材料8之配 向方向呈一致之樹脂層2 a 、2 b 、2 c ，於該纖維狀填 充用材料8之配向方向和與該配向方向呈垂直之方向之 間，特別是會出現相當大之強度或線膨脹係數等之特性上 之差異，因此，可以藉由相鄰接之樹脂層2 a 、2 b 、2 φ c層體間之纖維狀填充用材料8之配向方向幾乎呈垂直， 而相當有效地抵銷或補充該由於纖維狀填充用材料8之配 向方向呈一致之所造成之各個樹脂層2 a 、2 b 、2 c之 強度或者線膨脹係數等之特性上之異方性，以便於能夠更 加地緩和絕緣性基板2之特性上之異方性。 正如前面之所敘述的，在層積成形許多層之樹脂層2 a 、2 b 、2 c而製造絕緣性基板2之時，各層之樹脂層 2 a 、2 b 、2 c ，係可以藉由射出成形等之模具成形處 理，而成形該含有纖維狀填充用材料8之樹脂組成物。此 . 外，在層積成形許多片之樹脂層2 a 、2 b 、2 c而得到 絕緣性基板2之時，可以適用三明治成形法或者二色成形籲· 法。 第4圖係呈概念地顯示藉由插入式成形而層積形成樹

第32頁 539614 五、發明說明（28) 脂層2a 、2b 、2c許多層之作業。首先，在藉由模具 而成形第1層之樹脂層2 a之時，以圖中之符號9所示之 方向，作為閘門方向，而朝向該閘門方向，注入樹脂組成 物至模具内，進行成形固化，以便於製造第1層之樹脂層 2 a 。在藉由模具而成形第2層之樹脂層2 b之時，於其 他之模具内，配置第1層之樹脂層2 a ，以圖中之符號1 - 0所示之方向，作為閘門方向，而朝向該閘門方向，注入 樹脂組成物至模具内，以便於成形第2層之樹脂層2 b ， 而層積在第1層之樹脂層2 a上。在圖式所顯示之例子 中，改變第1層之樹脂層2 a和第2層之樹脂層2 b之成 形時之閘門方向，成為9 0 ° ，而使得該相鄰接之第1層 φ 之樹脂層2 a和第2層之樹脂層2 b上之纖維狀填充用材 料8之配向方向，形成為幾乎垂直。像前述這樣，可以藉 由按照順序呈插入式地成形樹脂層2 a 、2 b 、2 c ，同 時，按照順序地改變此時之閘門方向（樹脂組成物之注入 方向），以便於能夠層積成形樹脂層2 a 、2 b 、2 c ， 而成形絕緣性基板2。 此外，在藉由二色成形而層積成形樹脂層2 a 、2 b 、2 c之狀態下，例如在成形第1層之樹脂層2 a之 後，接著，反轉模具，而成形第2層之樹脂層2 b ;在此 . 時，該用以成形第2層之樹脂層2 b之閘門之位置，係配 置在閘門方向（樹脂組成物之注入方向）與第1層之樹脂 _ · 層2 a之纖維狀填充用材料8之配向方向呈不同之方向 上、最好是呈垂直之方向上。

第33頁 539614 五、發明說明（29) 為使 茲藉由下述 貴審 具體 做一詳細說明， 各個 下 理，係 之間， 處理室 a以下 制該處 由南頻 鐘之1 此 先，在 空幫浦 為1 0 氣體至 外，還 行碰撞 之銅層 此 式：在 室内之 加速用 於形成 列之 在第 於某10 之後 理室 電源 3 · 外， 處理，而—4 p 處理 藉由 (b 〇 外， 藉由 壓力 電壓 3 0 6圖 一邊 内， ，接 10 13 濺鍍 室内 進行 a以 室内 施加 〇m 查委員暸 之實施例 說明如后 之實施例 所示之電 之電極1 進行真空 著，流通 内之氣體 5而在電 Η z之高 處理，係 而配置絕 真空拉引 下為止。 ，以便於 5 0 0 V bard 解本創作之目的、特徵及功效， ，並配合所附之圖式，對本創作 、參考 漿處理 1上， 拉引處 入N 2 壓力， 極1 1 頻電壓 適用D 緣性基 處理， 在該狀 成為0 之直流 )，以 例和比較例中，電漿處 用裝置之電極11、12 配置絕緣性基板2 ，對於 而在減壓至1 0 -4 〔氮氣）氣體，同時，控 成為10Pa 。接著，藉 、1 2之間，施加3 0秒 〇 C (直流）濺鍍方式；首 板2之後，接著，藉由真 一直到處理室内之壓力成 態下，導入氬氣等之惰性 • IPa之氣體壓力。此 電壓，而對於銅標靶，進 便於形成3 0 0 nm膜厚 真空蒸鍍，係適用電子線加熱式真空蒸鍍方 真空幫浦，而進行真空拉引處理，一直到處理 成為1 0 — 3 P a以下為止之後，接著，施加該 1 OkV ，而產生400mA之電子流，以便 0 nm膜厚之銅層。

第34頁 539614 五、發明說明（30) 此外，離子植入處理，首先係在進行真空拉引處理， 而一直到使得處理室内之壓力成為1 〇-4P a以下為止之 後，然後，施加該加速用電壓1 0 k V。接著，導入氬氣 等之惰性氣體，而使得氣體壓力成為〇 · 1 P a 。在該狀 | 態下，施加2 Ο Ο V之偏電壓至絕緣性基板2 ，並且，還 施加13 · 56MHz 、500W之高頻電壓至電介天 - 線，以便於形成3 Ο Ο n m膜厚之銅層。 (實施例1〜6 、比較例1 ) 在針對表1所示之基底樹脂和填充用材料，藉由擠壓 機，以便於使得對於1 0 0質量份之基底樹脂按照表格所 記載之混合比例而混合該填充用材料之所得到之樹脂組成 Φ 物，成為顆粒化之後，接著，藉由射出成形，而成形3 0 m m X 4 0 m m X 1 m m之絕緣性基板2。對於該絕緣性 基板2施加電漿處理而使得表面成為活性化之後，實施例 1 、2和比較例1 ，係藉由丨賤鍍處理，而形成由銅之所組 成之厚度300nm之金屬層3 ，實施例3 、4 ，係藉由 真空蒸鍍處理，而形成由銅之所組成之厚度3 0 0 nm之 金屬層3 ，實施例5 、6 ，係藉由離子植入處理，而形成 由銅之所組成之厚度3 0 0 nm之金屬層3之後，接著， 藉由雷射法，而施加電路形成處理，並且，在電路形成部 . 分，施加電解銅電鑛處理。此外，藉由進行輕微#刻處理 (soft — etching)，除去非電路形成部分之 金屬，同時，殘留電路形成部分之金屬，以便於形成該所 要求之圖案形狀之電路。

第35頁 539614 五、發明說明（31) 有關於該 2成形時之樹 向，測定線膨 脹係數，作為 係數，作為分 此外，有 為對於絕緣性 時之樹脂組成 測定9 0 °剝 °剝離強度， 0 °剝離強度 此外，在 理之後，接著 謂1 6 0 °C之 下，保持1小 電流至I C ( 晶片，同時， 之輸出，以便 訊發生。 以上之結 層積體1中之絕緣性基板2 ，就絕緣性基板 脂組成物之注入方向和該方向呈垂直之方 脹係數，配置樹脂組成物之注入方向之線膨 分母，配置與該方向呈垂直之方向之線膨脹 子，以便於評價線膨脹係數之異方性。 關於像前述一樣之所得到之層積體1 ，就成 基板2電路之銅電鍍膜之絕緣性基板2成形 物之射出方向以及與該方向呈垂直之方向， 離強度，配置樹脂組成物之射出方向之9 0 作為分母，配置與該方向呈垂直之方向之9 ，作為分子，以便於評價密合力之異方性。 藉由雷射法而對於層積體1進行電路形成處 ，搭載I C (積體電路）晶片，並且，在所 溫度下，保持1小時，在一 4 0 °C之溫度 時，還回復至室溫之施加熱負荷之間，流動 積體電路）晶片，而啟動1C (積體電路） 藉由示波器，而觀察來自I C (積體電路） 於測定有無來自I C (積體電路）晶片之雜 果，係顯示在表1中。

第36頁 539614 五、發明說明（32) 【表1】 基 底 樹 月& 填充劑 線膨版係 數 異方性 (X I 0 一 6/ t ) 密合力 異方性 (N/m m ) 雜訊 徨類 混合粉 (質f 幻 f饨 例I 聚 酞 胺 级維狀鈦級鉀（直程 0 ^ 3 ^ 0 r 6 m ^ 長度ΙΟ〜20μιη) 7 0質 f粉 35/27 0. 8/0. 7 無 r铯 例2 绒维狀硎级鋁（直徑 0 r 5 〜I r 0 A m、 長度l 0〜3 〇Am) 7 0質 f粉 22/10 l. I/O. 95 無 贫施 例3 级維狀鈦级鉀（直t 0，3 〜0 r 6 A m、 長度l0〜20em) 了 0質 f粉 35/27 0. 7/0. 6 無 f施 例4 绒維狀硎级鋁（直徑 0 r 5 〜I，0 A m、 長度l 0〜3 Oym) 7 0質 f粉 22/10 0. 5/0. 45 無 f施 例5 绫維狀鈦&鉀（直程 0 r 5 〜I，0 A m、 長度l 0〜20iim) 7 0質 f粉 35/27 l. 0/0. 85 無 實施 例6 绫維狀硎腹鋁（直程 0 r 3 〜0 r 6 e m、 長度ΙΟ〜30jam) 7 0質 f扮 22/10 0. 7/0. 6 無 比輭 例I 玻碡缠維（直徑I I μ m、長度 3 in m ) 7 0質 f份 45/15 0.65/0.5 有 實而 -並， IX ， 古同 例低較 施較比 實比也。 在係，生 ’，性發 1^^數合訊 例係密雜 較脹之之 比膨間件 起線3零 比之層用 ，2屬裝6 的板金構1 載基和自例 記性2來施 所緣板無實 格絕基並~ 表其性認7 如，緣確例 正6絕還施 11^J，，實 施且且{

第37頁 539614 五、發明說明（33) 在針對表2所示之基底樹脂和填 機，以便於使得對於1 0 0質量份之 記載之混合比例而混合該填充用材料 物，成為顆粒化之後，接著，藉由射 m m X 4 0 m m X 1 m m之絕緣性基 基板2施加電聚處理而使得表面成為 藉由濺鍍處理，而形成由銅之所組成 金屬層3之後，然後，藉由雷射法， 理，並且，在電路形成部分，施加電 外，藉由進行輕微I虫刻處理（s 〇 f )，除去非電路形成部分之金屬，同 分之金屬，以便於形成該所要求之圖 有關於像前述一樣之所得到之層 對於絕緣性基板2電路之銅電鍍膜之 外，在形成金屬層3之後，即使是對 0 °C、2小時之熱負荷，也同樣地測 該測定之結果，係顯示在表2中。 充用 基底 之所 出成 板2 活性 之厚 而施 解銅 t — 時， 案形 積體 9〇 於層 定9 材料 樹脂 得到 形， 。對 化之 度3 加電 電鍍 e t 殘留 狀之 1， 。剝 積體 0。 ，藉由 按照表 之樹脂 而成形 於該絕 後，接 Ο Ο η 路形成 處理。 c h i 電路形 電路。 測定該 離強度 1施加 剝離強 擠壓 格所 組成 3 0 緣性 著， m之 處 此 n g 成部 成為 〇此 16 度。

第38頁 539614 五、發明說明（34) 【表2】 基底樹脂 實施例7 耐綸6 賨施例8 耐綸6 6 實施例9 聚站醯胺 實施例1 0 聚苯硫化物 實施例1 1 聚i睛 實施例1 2 聚丁烯對一 狄酸 實施例1 3 聚1 實施例1 4 聚醚1 實施例1 5 實施例1 6 聚i醯亞胺 種類 矽灰石（w alias t □ n i t e )(直徑2 μ m、長度 3 Ο μ m ) 塡充劑 5 混合份 (質量 份） 0質量 份 9 0°剝離強度 (N / m m ) 金屬層形 成後 熱負荷後 0-71 一 0-78 一 0 _ 7 1 — 1 0 1 0 _ 8 1-18 0 · 9 2 0-38 0-26 0 · 4 0-63 0 · 9 0*42 1 0 3 0-92 0 _ 7 0-76 ❿ (實施例1 7、比較例2 ) 在針對表3所示之基底樹脂和填充用材料，藉由擠壓 機，以便於使得對於1 0 0質量份之基底樹脂按照表格所 記載之混合比例而混合該填充用材料之所得到之樹脂組成 物，成為顆粒化之後，接著，藉由射出成形，而成形3 0 m m X 4 0 m m X 1 m m之絕緣性基板2。對於該絕緣性

第39頁 539614 五、發明說明（35) 基板2施加電漿 藉由濺鍍處理， 金屬層3之後， 理，並且，在電 外，藉由進行輕 )，除去非電路 分之金屬，以便 在這裡，填 徑0 · 3〜0 · 之纖維狀之鈦酸 維直徑1 1 // m 對於1 0 0質量 係成為5 0質量 有關於像前 對於絕緣性基板 之樹脂組成物之 0 °剝離強度。 層積體1施加1 9 0 °剝離強度 於相同於比較例 由於並無剝離該 度。 處理 而形 然後 路形 微蝕 形成 於形 充用 6 β 鉀， 、纖 份之 份。 述一 2電 射出 此外 6 0 〇該 2之 電鑛 而使 成由 ，藉 成部 刻處 部分 成該 材料 m 、 填充 維長 基底 得表面 銅之所 由雷射 分，施 理（s 之金屬 所要求 ，於實 纖維長 用材料 度1 m 樹脂， 樣之所得到 路之銅電鍍 方向以及與 ，在形成金 °C、2小時 測定之結果 試料而並無 膜，因此， 成為活性化之後，接著， 組成之厚度3 0 0 nm之 法，而施加電路形成處 加電解銅電鍍處理。此 oft — etching ，同時，殘留電路形成部 之圖案形狀之電路。 施例1 7 ，係使用纖維直 度10〜2 0/zm之範圍 ，於比較例2 ，係使用纖 m之玻璃纖維，並且，相 該填充用材料之混合ΐ ’ 之層積體1 ，測定該成為 膜之絕緣性基板2成形時 該方向呈垂直之方向之9 屬層3之後，即使是對於 之熱負荷，也同樣地測定 ，係顯示在表3中。在對 進行電漿處理之狀態下， 無法測定該9 0 °剝離強

第40頁 539614 五、發明說明（36) 【表3 基底樹脂 塡充劑 9 0 °剝 離強度 (N / m m ) 種類 混合份（質 量份） 實施例1 7 熔融型液 晶性聚酯 纖維狀鈦酸鉀（直 徑0 3〜0 · 6 M m、長度1 0〜 2 0 μ m ) 5 0質量 份 0 5 5 比較例2 玻璃纖維（直徑1 1 y m、長度1 m m ) 5 0質量 份 0 · 2 5 正如表格之所記載的，經 晶性聚酯，作為基底樹脂，並 3〜0 · 6 // m、平均纖維長 填充用材料，作為填充用材料 和金屬層3間之密合性。 (實施例1 8 、1 9 ) 在針對表4所示之基底樹 機，以便於使得對於1 0 0質 記載之混合比例而混合該填充 物，成為顆粒化之後，接著， mmx 4 0 m m X 1mm 之絕 基板2施加電漿處理而使得表 藉由濺鍍處理，而形成由銅之 過確認：藉由使用熔融型液 且，使用平均纖維直徑0 · 度1 0〜2 0 //m之纖維狀 ，以便於提高絕緣性基板2 脂和填充用材料，藉由擠壓 量份之基底樹脂按照表格所 用材料之所得到之樹脂組成 藉由射出成形，而成形3 0 緣性基板2。對於該絕緣性 面成為活性化之後，接著， 所組成之厚度3 0 0 nm之

第41頁 539614 五、發明說明（37) 金屬層3之後，然後，藉由雷射法，而施加電路形成處 理，並且，在電路形成部分，施加電解銅電鍍處理。此 外，藉由進行輕微I虫刻處理（s 〇 f t — e t c h i n g )，除去非電路形成部分之金屬，同時，殘留電路形成部 分之金屬，以便於形成該所要求之圖案形狀之電路。 有關於像前述一樣之所得到之層積體1 ，測定該成為

對於絕緣性基板2電路之銅電鍍膜之絕緣性基板2成形時 之樹脂組成物之射出方向以及與該方向呈垂直之方向之9 〇°剝離強度。此外，在形成金屬層3之後，即使是對於 層積體1施加1 6 0 °C、2小時之熱負荷，也同樣地測定 9 0 °剝離強度。該測定之結果，係顯示在表4中。 【表4】 基底樹脂 塡充劑 9 0°剝離 強度（N / mm) 種類 混合份 (質量 份） 金屬層 形成後 熱負 荷後 實施例1 8 聚St醯胺 矽灰石（w a 1 1 a s t ο n i t e )(直徑2 μ m、長度3 0 Μ m ) 5 0質量 份 0 · 7 1 0 · 5 4 實施例1 9 聚狄醯胺1 0 0質量份 /聚苯硫化 物2 5質量 份 0 · 9 5 0 7

正如表格之所記載的，經過確認：比起單獨之聚酞醯

第42頁 539614 五、發明說明（38) 胺之狀態，可以藉由使用在聚酞醯胺中而添加入聚苯硫化 物，作為基底樹脂，而能夠更加地提高絕緣性基板2和金 屬層3間之密合性。 (實施例2 0 、2 1 ) 在針對表5所示之基底樹脂和填充用材料，藉由擠壓 機，以便於使得對於1 0 0質量份之基底樹脂按照表格所 記載之混合比例而混合該填充用材料之所得到之樹脂組成 物，成為顆粒化之後，接著，藉由射出成形，而成形3 0 m m X 4 0 m m X 1 m m之絕緣性基板2。對於該絕緣性 基板2施加電漿處理而使得表面成為活性化之後，接著， 藉由濺鍍處理，而形成由銅之所組成之厚度300nm之 φ 金屬層3之後，然後，藉由雷射法，而施加電路形成處 理，並且，在電路形成部分，施加電解銅電鍍處理。此 外，藉由進行輕微I虫刻處理（s 〇 f t — e t c h i n g )，除去非電路形成部分之金屬，同時，殘留電路形成部 分之金屬，以便於形成該所要求之圖案形狀之電路。 有關於前述之絕緣性基板2 ，就絕緣性基板2成形時 之樹脂組成物之注入方向和該方向呈垂直之方向，測定線 膨脹係數，配置樹脂組成物之注入方向之線膨脹係數，作 為分母，配置與該方向呈垂直之方向之線膨脹係數，作為 分子，以便於評價線膨脹係數之異方性。 此外，有關於像前述一樣之所得到之層積體1 ，就成 ® 為對於絕緣性基板2電路之銅電鍍膜之絕緣性基板2成形 時之樹脂組成物之注入方向以及與該方向呈垂直之方向，

第43頁 539614 五、發明說明（39) 測定9 0 °剝離強度，配置樹脂組成物之注入方向之9 0 °剝離強度，作為分母，配置與該方向呈垂直之方向之9 0 °剝離強度，作為分子，以便於評價密合力之異方性。 以上之結果，係顯示在表5中。 【表5】 基底 塡充 劑 線 膨脹 係 密合力 樹脂 種類 混合份( 質 數 異 方性 量份〕 1 異方性 (Η / m ( X 1 0 I η ) 一 6 /V :) 實施 聚醯 纖維 狀硼酸鋁（ 直 7 〇質 里 2 2 / 1 1 • 1 / 例2 胺 徑0 _ 5 〜1 0 份 0 0 9 5 0 μ m 、長度1 0 3 0 μ m ) 實施 纖維狀硼酸鋁（ 直 3 5質 里 2 3 / 2 0 .9 / 例2 徑0 .5 〜1 0 份 4 0 .( 3 1 β m 、長度1 0 3 0 y m ) 球狀 二氧化矽（ 直 3 5質 量 徑 0 · 2 从 m ) 份 正 如表 格之所 記載的 經 過 確 認 ： 相 對 於 僅 使 用 該 成 為 纖 維 狀填 充用 材 料8之 硼 酸 鋁 而 作 為 填 充 用 材 料 之 實 施 例 2 0 ，其 線膨脹 係數之 異 方 性 之 評價 係 為 2 • 2 ， 密 合 力 之 異方 性之評價，係 為 1 • 1 6 J 相 對 地 在 使 用 該 成 為 球 狀填 充用 材 料之二 氧 化 矽 添 加 至 該 成 為 纖 維 狀 填 充 用 材 料 8之 .硼酸鋁 中而作 為 填 充 用 材 料 之 實 施 例 2 1 j 其 線 膨 脹 係數 .之異方 性之評價 係 為 0 • 9 6 密 合 力 之 異 方 性 之 評價 ，係為 1 · 0 因 此 ， 更 加 大 幅 度 地 緩 和 其 異

第44頁

539614 五、發明說明（40) 方性。 (實施例2 2 、2 3 ) 在針對表6所示之基底樹脂和填充用材料，藉由擠壓 機，以便於使得對於1 0 0質量份之基底樹脂按照表格所 記載之混合比例而混合該填充用材料之所得到之樹脂組成 物，成為顆粒化之後，接著，藉由射出成形，而成形3 0 m m X 4 0 m m X 1 m m之絕緣性基板2。對於該絕緣性 基板2施加電漿處理而使得表面成為活性化之後，接著， 藉由濺鍍處理，而形成由銅之所組成之厚度3 0 0 nm之 金屬層3之後，然後，藉由雷射法，而施加電路形成處 理，並且，在電路形成部分，施加電解銅電鍍處理。此 外，藉由進行輕微#刻處理（s 〇 f t — e t c h i n g )，除去非電路形成部分之金屬，同時，殘留電路形成部 分之金屬，以便於形成該所要求之圖案形狀之電路。 有關於前述之絕緣性基板2 ，則相同於前述之實施例 2 0 、2 1之狀態，而評價線膨脹係數之異方性和密合力 之異方性。 以上之結果，係顯示在表6中。

第45頁 539614 五、發明說明（41) 【表6】 基底 樹脂 塡充劑 線膨《係 數 異方性 (X 1 0 -6 /°C ) 密合力 異方性 (H / m m ) 種類 混合份（質 量份） 實施 例2 2 胺 矽灰石（w a 1 1 a s t □ n i t e )(直徑2 μ m、長度3 0 μ m ) 7 0質量 份 4 5/3 0 0 · 7 5 / 0 _ 6 實施 例2 3 矽灰石（w a 1 1 a s t ο n i t e )(直徑2 m m、長度3 0 μ m ) 3 5質量 份 4 0/4 0 0 _ 7 / 0 7 高嶺土（直徑0 · 8 μ m ) 3 5質量 份 正如表格之所記載的，經過確認：相對於僅使用該成 為纖維狀填充用材料8之石夕灰石（w a 1 1 a s t ο n i t e )而作為填充用材料之實施例2 3 ，其線膨脹係數之 異方性之評價，係為1 · 5 ，密合力之異方性之評價，係 為1 · 2 5 ，相對地，在使用該成為不定形粉體狀填充用 材料之高嶺土添加至該成為纖維狀填充用材料8之矽灰石 (wal lastonite)中而作為填充用材料之實 施例2 4 ，其線膨脹係數之異方性之評價，係為1 · 0 ， 密合力之異方性之評價，係為1 · 0 ，因此，更加大幅度 地緩和其異方性。 (實施例2 4、2 5和比較例3 、4 )

第46頁 539614 五、發明說明（42)

在針對表7所示之基底樹脂和填充用材料，藉由擠壓 機，以便於使得對於1 0 0質量份之基底樹脂按照表格所 記載之混合比例而混合該填充用材料之所得到之樹脂組成 物，成為顆粒化之後，接著，藉由射出成形，而成形3 0 mmx 4〇mmx 1 m m之絕緣性基板2。對於該絕緣性 基板2施加電漿處理而使得表面成為活性化之後，接著， 藉由濺鍍處理，而形成由銅之所組成之厚度3 0 0 nm之 金屬層3之後，然後，藉由雷射法，而施加電路形成處 理，並且，在電路形成部分，施加電解銅電鍍處理。此 外，藉由進行輕微钱刻處理（s 〇 f t — e t c h i n g )，除去非電路形成部分之金屬，同時，殘留電路形成部 分之金屬，以便於形成該所要求之圖案形狀之電路。 此外，有關於前述之絕緣性基板2 ，則就絕緣性基板 2成形時之樹脂組成物之射出方向，測定線膨脹係數。 此外，有關於像前述一樣之所得到之層積體1 ，則就 該成為對於絕緣性基板2電路之銅電鍍膜之絕緣性基板2 成形時之樹脂組成物之射出方向，測定9 0 °剝離強度。

此外，在藉由雷射法而對於層積體1進行電路形成處 理之後，接著，隨著搭載I C (積體電路）晶片，並且， 在1 6 0 °C之溫度下，保持1小時之後，接著，在一4 0 °C之溫度下，保持1小時，還回復至室溫，以便於測定有 無來自I C (積體電路）晶片之雜訊發生。 以上之結果，係顯示在表7中。

第47頁 539614 五、發明說明（43) 【表7】 基底 樹脂 塡充用1 料 線膨脹 係數 (X 1 〇 -6 / r ) 密合力 (Η / m m ) 雜訊 種類 ?比口里 比較 聚K 纖維狀硼酸 1 5質量 4 5 1 3 有 例3 醯胺 鋁（直徑0 份 5 實施 5 〜1 0 2 0質量 3 5 1 _ 2 無 例2 y m、長度 份 7 4 1 0 〜3 0 實施 β m ) 1 5 0質 8 0 8 無 例2 5 量份 比較 2 0 0質 成形不良 例4 量份

正如表格之所記載的，在纖維狀填充用材料之混合量 未滿2 0質量份之時，則會出現線膨脹係數呈增大之傾 向，同時，引起來自I C (積體電路）晶片之雜訊發生， 並且，在超過1 5 0質量份之比較例4 ，於成形處理時， 並沒有得到顆粒，而無法成形層積體1 。此外，經過確 認：在纖維狀填充用材料之混合量2 0〜1 5 0質量份之 間，可以得到良好之密合力和線膨脹係數。 (實施例2 6〜2 8 )

在針對表8所示之基底樹脂和填充用材料，藉由擠壓 機，以便於使得對於1 0 0質量份之基底樹脂按照表格所 記載之混合比例而混合該填充用材料之所得到之樹脂組成 物，成為顆粒化之後，接著，藉由射出成形，而成形3 0 m m X 4 0 m m X 1 m m之絕緣性基板2。對於該絕緣性

第48頁 539614 五、發明說明（44) 基板2施加電漿處理而使得表面成為活性化之後，接著， 藉由濺鍍處理，而形成由銅之所組成之厚度3 0 0 nm之 金屬層3之後，然後，藉由雷射法，而施加電路形成處 理，並且，在電路形成部分，施加電解銅電鍍處理。此 外，藉由進行輕微#刻處理（s 〇 f t — e t c h i n g )，除去非電路形成部分之金屬，同時，殘留電路形成部 分之金屬，以便於形成該所要求之圖案形狀之電路。 此外，有關於像前述一樣之所得到之層積體1 ，則測

定與該成為對於絕緣性基板2電路之銅電鍍膜之絕緣性基 板2成形時之樹脂組成物之射出方向呈垂直之方向之測定 9 0 °剝離強度。 以上之結果，係顯示在表8中。 【表8】 基底 塡充用材料 比電介 電介損 密合力 樹脂 種類 人-Ο· 口里 係數 失 (Η / mm) 實施 例2 6 聚K 醯胺 鈦酸鈣（直徑 0 _ 3 〜Q _ 6 y m、長度 1 0 〜2 0 y 7 0質 量份 9 5 0 · 0 0 0 9 0 8 實施 例2 7 鈦酸鋇（直徑 0 . 3 〜0 6 μ m、長度 1 0 〜2 0 y 7 0質 量份 2 4 0 0 ·〇 17 0 7 6 實施 例2 8 纖維狀硼酸鋁 (直徑0 · 5 〜1 · 0 y m、 長度1 0〜3 0 μ m ) 7 ◦質 量份 5 6 0 · 0 0 1 1 1

正如表格所記載的，該使用由鈦酸鹽之所組成之纖維

第49頁 539614 五、發明說明（45) 狀填充用材料8而作為填充用材料之實施例2 6 、2 7 、 其金屬層3和絕緣性基板2 ，係具有相當高之密合性，並 且，比起該使用纖維狀硼酸鋁之實施例2 8 ，絕緣性基板 2 ，係具有比較低之電介損失。 正如前面所敘述的，由於本發明層積體1 ，係為在藉 由電漿處理而呈活性化之絕緣性基板之表面上，利用由濺 - 鍍法、真空蒸鍍法和離子植入法之所選擇出之任何一種之 方法，以便於形成該被覆住前述絕緣性基板表面之金屬層 而組成之層積體，其中，相對於1 〇 〇質量份之由熱塑性 樹脂或者熱固性樹脂而組成之基底樹脂，而對於該混合2 ◦〜150質量份之平均纖維直徑0·1〜5//m、平均 φ 纖維長度1 0〜5 0 # m之纖維狀填充用材料之樹脂組成 物，進行成形處理，以便於形成前述之絕緣性基板；因 此，在絕緣性基板之表層上，也能夠充分地分布該填充用 材料，而由微觀之方面來看，大幅度地提高該絕緣性基板 表層之強度，同時，還可以在絕緣性基板之内部，得到均 一性，而提高絕緣性基板和金屬層之間之密合性。此外， 运可以精由提南該絕緣性基板中之填充用材料之分散性’ 而減低絕緣性基板之線膨脹係數，並且，還可以在使用成 形體而作為電路基板之狀態下，於製造作業、環境試驗或 ~ 者實際使用環境等而承受到各種熱負荷之狀態下，抑制由 於在絕緣性基板和金屬層之間之線膨脹係數之不同而在界 _ ’ 面上之所造成之熱應力之發生，以便於能夠抑制在成形體 承受到熱負荷之狀態下之絕緣性基板和金屬層之間之密合

第50頁 539614 五、發明說明（46)

強度呈降低之現象發生。此外，在承受到像前述這樣之熱 負荷之狀態下，可以抑制整體之成形體之形狀變化，並 且，在構裝有I C (積體電路）晶片等之構裝用零件之狀 態下，可以防止由於構裝用零件内之電阻值變化之所造成 之雜訊發生等之錯誤動作或者破損。此外，由於在形成金 屬層之時，並不需要在絕緣性基板之表面上，施加粗面化 處理，並且，還可以抑制在承受到熱負荷之狀態下之形狀 變化，因此，金屬層係可以具有良好之表面平滑性，而 且，能夠使用該成形體，作為樹脂成形式電路基板，並 且，還可以提高在打線（wi re— bonding)連 接該構裝用零件或者是覆晶（f 1 i P — c h i p )構裝 該構裝用零件之狀態下之元件和電路間之連接可靠性；特 別是在要求高度之表面平滑性之覆晶（f 1 i P — c h i p )構裝中，能夠得到前述之相當大之效果。此外，可以 藉由金屬層具有良好之表面平滑性，以便於在成形體上而 施加電路形成處理之狀態下，能夠得到大幅度之細線化效 果。

此外，由於本發明層積體，係混合1種或者2種以上 之樹脂，作為基底樹脂，而該1種或者2種以上之樹脂， 係至少具有1種由醯胺鍵、硫化基、氰基、酯鍵、楓基、 酮基和醯亞胺基而選擇出之鍵或者官能基，因此，能夠更 加地提升絕緣性基板和金屬層之間之密合性。 如前所述之層積體之發明，係使用由耐綸6 、耐綸6 6 、聚酞醯胺、聚苯硫化物、聚醚腈、聚乙烯對一酞酸、

第51頁 539614 五、發明說明（47) 聚丁烯對一酞酸、聚楓、聚醚碉、聚醚酮、聚醚醯亞胺和 熔融型液晶性聚酯而選擇出之1種或2種以上之樹脂，作 為基底樹脂，因此，能夠賦予絕緣性基板由於熔融型液晶 性聚酯之所造成之良好之成形加工性、而t熱性和尺寸穩定 性，同時，還可以藉由填充用材料，而相當有效地提升該 形成於絕緣性基板之表層上並且呈高度地配向方向有樹脂 · 之表皮層之強度，以便於能夠更加地提升絕緣性基板和金 屬層之間之密合性。 此外，在本發明中，如果在用以成形絕緣性基板之樹 脂組成物中而混合至少2種以上之樹脂的話，比起僅使用 一種樹脂之狀態，像前述這樣之方法，還比較能夠提高絕 $ 緣性基板之密合力、熱特性或者機械特性等之特性；例如 在除了基底樹脂中之主成分之樹脂之外，另外，還可以合 併使用該比起主成分之密合性還更加良好之樹脂、線膨脹 係數還更小之樹脂、或者是機械特性還更加良好之樹脂。 此外，在本發明中，如果合併使用纖維狀填充用材料 和球狀填充用材料而作為該用以成形絕緣性基板之樹脂組 成物中之所混合之填充用材料的話，則能夠藉由球狀填充 用材料，而緩和在樹脂組成物之模具成形時之所發生之纖 維狀填充用材料之配向方向，並且，還可以在成形體之特 . 性上，抑制異方性之發生。 此外，在本發明中，如果合併使用纖維狀填充用材料 _ ^ 和不定形粉末狀填充用材料而作為該用以成形絕緣性基板 之樹脂組成物中之所混合之填充用材料的話，則能夠藉由

第52頁 539614 五、發明說明（48) 不定形粉末狀填充用材料’而緩和在樹脂組成物之模具成 形時之所發生之纖維狀填充用材料之配向方向，並且，還 可以在成形體之特性上，抑制異方性之發生。 此外，在本發明中，如果在該用以成形絕緣性基板之 舞 樹脂組成物中而對於1 〇 〇質量份之基底樹脂混合2 0〜 1 5 0質量份之纖維狀填充用材料的話，則可以相當有效 · 地減低絕緣性基板之線膨脹係數，並且，能夠更加有效地 維持該在成形體承受到熱負荷之狀態下之絕緣性基板和金 屬層之間之密合強度，同時，還可以更加確實地防止該由 於構裝用零件内之電阻值變化之所引起之雜訊發生等之錯 誤動作或破損現象。此外，還能夠抑制該所成形之絕緣性 φ 基板呈脆化。 此外，在本發明中，如果在該用以成形絕緣性基板之 樹脂組成物中而混合鈦酸鹽作為纖維狀填充用材料的話， 則能夠更加地提高絕緣性基板表層之強度，並且，還可以 更加地提升絕緣性基板和金屬層之間之密合強度，此外， 還能夠減低絕緣層之電介損失率（電介損失），同時，可 以控制比電介率。 此外，在本發明中，如果在該用以成形絕緣性基板之 樹脂組成物中而混合硼酸鹽作為纖維狀填充用材料的話， . 則填充用材料本身之線膨脹係數，係非常低，而能夠更加 地減低絕緣性基板之線膨脹係數，並且，還能夠更加有效鲁' 地維持該在成形體承受到熱負荷之狀態下之絕緣性基板和 金屬層之間之密合強度，同時，還可以更加確實地防止該

第53頁 539614 五、發明說明（49) 由於構裝用零件内之電阻值變化之所引起之雜訊發生等之 錯誤動作或破損現象。 此外，在本發明中，如果藉由芯部層和該含有纖維狀 填充用材料同時被覆住芯部層表面之表面層而構成絕緣性 基板，並且，在該表面層之表面上，形成金屬層的話，則 能夠維持該含有纖維狀填充用材料之表面層和金屬層之間 之密合性，同時，還可以削減纖維狀填充用材料之使用 量，而降低其製造成本。 此外，在本發明中，如果在絕緣性基板之芯部層中而 含有不定形粉末狀填充用材料的話，則可以在表面層，藉 由纖維狀填充用材料，而維持絕緣性基板和金屬層之間之 φ 密合性，同時，還能夠削減纖維狀填充用材料之使用量， 而降低其製造成本。 此外，在本發明中，如果層積該含有纖維狀填充用材 料同時該纖維狀填充用材料之配向方向呈不同之許多個之 樹脂層而構成絕緣性基板的話，則可以抵銷或補充由於纖 維狀填充用材料之配向方向而產生之方向上之異方性，以 便於能夠緩和絕緣性基板之特性上之異方性。 此外，在本發明中，如果形成樹脂層中之纖維狀填充 用材料之配向方向，成為與相鄰接之其他之樹脂層之纖維 狀填充用材料之配向方向呈垂直之方向的話，則可以配合 纖維狀填充用材料之配向方向以及所謂與該方向呈垂直之 ® 方向、即強度或線膨脹係數等之特性出現非常不同之方 向，而層積樹脂層，以便於相當有效地抵銷或補充該特性

第54頁 539614 五、發明說明（50) 上之異方性，而能夠緩和絕緣性基板之特性上之異方性。 此外，在本發明中，如果藉由射出成形而形成各個之 樹脂層的話，則可以藉由控制樹脂組成物之注入方向，而 控制樹脂層中之纖維狀填充用材料之配向方向，同時，還 可以層積及形成該含有纖維狀填充用材料同時該纖維狀填 充用材料之配向方向呈不同之許多個之樹脂層。 此外，在本發明中，如果使用聚酞醯胺而作為基底樹 脂的話，則絕緣性基板，係可以得到良好之耐熱性、成形 性和尺寸穩定性。

綜前所述，本發明層積體之構造創新，實為一創新且 具進步性與產業利用性之發明，已符合申請發明專利之要 件，特提出申請，並請 貴審查委員能早曰賜予發明專利 為禱。 雖本發明以數個較佳實施例揭露如上，但並非用以限 定本發明實施之範圍。任何熟習此項技藝者，在不脫離本 發明之精神和範圍内，當可作些許之更動與潤飾，即凡依 本發明所做的均等變化與修飾，應為本發明專利範圍所涵 蓋，其界定應以申請專利範圍為準。

第55頁 539614 圖式簡單說明 第 1 圖 ( a ) 係 為 本 發 明 之 實 施 形 態 之 某 一 例 子 之 剖 面 圖 而 第 1 圖 ( b ) 係 為 本 發 明 之 實 施 形 態 之 其 他 例 子 之 剖 面 圖 〇 第 2 圖 係 為 本 發 明 之 實 施 形 態 之 另 外 之 其 他 例 子 之 圖 式 而 第 2 圖 ( a ) 係 為 分 解 立 體 圖 第 2 圖 ( b ) 係 為 剖 面 圖 0 第 3 圖 係 為 本 發 明 之 實 施 形 態 之 另 外 之 其 他 例 子 之 圖 式 及 剖 面 圖 第 3 圖 ( a ) 係 為 分 解 立 體 圖 第 3 圖 ( b ) 係 為 剖 面 圖 〇 第 4 圖 係 為 本 發 明 之 實 施 形 態 之 另 外 之 其 他 例 子 之 概 念 圖 0 第 5 圖 係 為 本 發 明 之 實 施 形 態 之 另 外 之 其 他 例 子 部 分 剖 面 圖 0 第 6 圖 係 為 電 漿 處 理 作 業 之 某 例 子 之 概 略 圖 〇 圖 號 簡 單 說 明 ； 1 層 積 體 2 • 絕 緣 性 基 板 2 a 樹 脂 層 2 b 樹 脂 層 2 C • • • • • 樹 脂 層 3 參 金 屬 層 4 表 層 5 • 芯 部 層 6 内 層 7 • 表 皮 層 8 • 纖 維 狀 填 充 用 材 料 1 0 處 理 室 1 1 電 極 1 2 • 電 極

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539614

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Claims (1)

1. 539614 -企告_- 六、申 ---' 1 · 一種層積體，係為在藉由電漿處理而呈活性化之絕緣 性基板之表面上，利用由濺鍍法、真空蒸鍍法和離子 植入法之所選擇出之任何一種之方法，以便於形成該 被覆住前述絕緣性基板表面之金屬層而組成之層積體 ，其特徵為： 相對於1 0 0質量份之由熱塑性樹脂或者熱固性 樹脂而組成之基底樹脂，而對於該混合2 0〜1 5 0 質量份之平均纖維直徑0 · 1〜5 # m、平均纖維長 度1 0〜5 0 // m之纖維狀填充用材料之樹脂組成物 ，進行成形處理，以便於形成前述之絕緣性基板 〇 2 ·如申請專利範圍第1項之層積體，其中，使用1種或 者2種以上之樹脂，作為前述之基底樹脂，而該1種 或者2種以上之樹脂，係至少具有1種由醯胺鍵、硫 化基、氰基、s旨鍵、楓基、酮基和醯亞胺基而選擇出 之鍵或者官能基。 3 ·如申請專利範圍第2項之層積體，其中，使用由耐綸 6 、耐綸6 6 、聚酞醯胺、聚苯硫化物、聚醚腈、聚 乙烯對一酞酸、聚丁烯對一酞酸、聚楓、聚醚楓、聚 醚酮、聚醚醯亞胺和熔融型液晶性聚酯而選擇出之1 種或2種以上之樹脂，作為前述之基底樹脂。

   4 ·如申請專利範圍第3項之層積體，其中，使用聚酞醯 胺，作為前述之基底樹脂。 5 ·如申請專利範圍第3項之層積體，其中，使用熔融型

   第58頁 539614 六、申請專利範圍 液晶性聚酯，作為前述之基底樹脂。 6 ·如申請專利範圍第1項之層積體，其中，使用鈦酸鹽 ，作為前述之纖維狀填充用材料。 7 ·如申請專利範圍第1項之層積體，其中，使用硼酸鹽 ，作為前述之纖維狀填充用材料。 8 ·如申請專利範圍第1項之層積體，其中，使用矽灰石 (wallastonite)，作為前述之纖維狀 填充用材料。 9 ·如申請專利範圍第6項之層積體，其中，使用由鈦酸

   钾、鈦酸#5和鈦酸鋇而選擇出之至少1種以上之鈦酸 鹽，作為前述之鈦酸鹽。 1 0 ·如申請專利範圍第7項之層積體，其中，使用由硼 酸鋁和硼酸鎂而選擇出之至少1種以上之硼酸鹽， 作為前述之硼酸鹽。 1 1 ·如申請專利範圍第4項之層積體，其中，使用由鈦 酸鹽、硼酸鹽和石夕灰石 （wal lastonit e )而選擇出之至少1種以上之材料，作為前述之 纖維狀填充用材料。 1 2 ·如申請專利範圍第1項之層積體，其中，前述之樹 脂組成物，係還使用平均粒徑0 · 1〜2 0 // m之 不定形粉末狀填充用材料。

   1 3 ·如申請專利範圍第1項之層積體，其中，前述之樹 脂組成物，係還使用平均粒徑0 · 1〜2 0 // m之 球狀填充用材料。

   第59頁 539614 六、申請專利範圍 1 4 ·如申請專利範圍第1 2項之層積體，其中，使用矽 灰石（wallastonite)，作為前述之 纖維狀填充用材料，而使用高嶺土，作為不定形粉 末狀填充用材料。 1 5 ·如申請專利範圍第1 3項之層積體，其中，使用硼 酸鋁，作為前述之纖維狀填充用材料，而使用二氧 化矽，作為球狀填充用材料。

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