TW535132B - Emissive display using organic electroluminescent devices - Google Patents
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Description
535132 A7 ____B7 五、發明説明(1 ) [發明所屬之技術領域] 本發明和顯示裝置一尤其是利用有機EL之發光型顯示 裝置相關。 [先前技術] 隨著有機EL被應用於平面型顯示裝置的發展,而被認為 貝現问輝度動怨矩陣顯不之方法。使用低溫多硅TFT(薄膜電 晶體)之驅動方法,記載於SID99技術摘要372頁至3乃頁。 像素構造方面,採取掃描配線和、信號配線、EL電源配 線及容量基準電壓配線互相交又之方式配置,^ 了驅動乩 ,形成利用η型掃描TFT及儲存電容器之信號電壓的儲存電 路。儲存之信號電壓會施加於設置於像素之卜通道驅動用 TFT的閘門,控制驅動TFT之主電路的傳導。從此電源配線 將驅動TF丁之主電路及有機EL元件串聯於el共同配線上。 驅動此像素時,會從掃描配線施加像素選擇脈衝,經由 掃描TFT將信號電壓寫入至儲存電容器並儲存。儲存之信 號電壓會被視為驅動TFT之閘門電壓,對應由電源配線供 應之來源電壓及汲極電壓決定之驅動TFT的傳導控制及極 笔’控制EL元件之驅動電流,並控制顯示輝度。 然而’此乐統為了控制電流,即使施加相同之信號電壓 ,驅動EL之驅動TFT的臨界值及開啟阻抗變動時,具有此 之驅動電流會變化的性質’故需要誤差較小、特性較一致 之 TFT。 為了實現此種驅動電路,適用的電晶體為移動度較高且 採用可應用於大型基板之雷射鍛燒程序的低溫多娃TF丁, -4 - S紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) · ----—-
然而,因為元杜k 寺性具有誤差,用於有機EL驅動電路時, 因為TFT特性之咆 决差’即使施加同一信號電壓,每一 也會發生輝度莩 ” 、是’而幾法獲得充份之高精度階調顯示。 另外,JP-A-1D 1 η 上 W-232649中之驅動方法,因為像素為亮燈/ 熄燈之數位2值释+ 认卞 ^ 4不,故不必以TFT特性誤差會顯著反映之 〜1值附近做為動作點’具有可以降低輝度誤差的優點。 為了㈣階調顯示’將1圖框時間分割成8個顯示時間不同 之畐丨J圖框,利用]@ > 士扣 J用1圖框牯間内之發光時間變化來控制 輝度。 [發明概要] 士刖述數位驅動方法中,必須在像素内設置可以儲存圖框 時間以上之資料的記憶電路,為了有安定之記憶動作,需 右之私日日體。然而,面積受限之像素内的電晶體 若增加,則開口率會降低,4求高精細化時,電路之配: 囬積而要類比像素之3倍面積而無法獲得高精細化。 本t月之目的,就在於克服前述傳統技術之問題點,鬥 化像素内建之記憶電路,並提供高開口率、高精細化之發 光型顯示裝置。 ' 本發明之另一個目的,則在於提供可降低顯示裝置之電 路消耗電力的發光型顯示裝置。 前述之目的,是針對構成像素内記憶電路的2組反向器 電路,將有機EL元件及電晶體串聯之電路當做t組反向哭 包路使用,可以節省記憶電路之電晶體、簡化電路、並增 加開口率。 _ -5- 本紙浓^*^·適用中@ S家標準(CNS) A4規格(2l〇x撕公爱) 五、發明説明(3 ) 此外’連接2組反向器時,連接 、 運接上應该採取顯示資料 了 1輸入至連接於和有機EL元株计辦 頁钱件亚駱之電晶體閘門配線上 的方式。此種方式可以降低耷 精細化。^4低寫人負何1現高速寫入及高 ▲此外’利用像素所有p _通道電晶體形成不會出現貫通電 流之電路構成’可以降低記憶儲存時之消耗電力。又,利 用像素所有N-通道電晶體,可以減少記憶時之漏電電流, 所以可以降低電路之消耗電力。 說明本發明之作用。在配置於像素内之記憶電路中,有 機:Ltl件會執订二極管之動作’故應和驅動用電晶體 ’執行反向荷元件的動作。以此種方式構成反向※ 電路’並將其和單純由⑽s電晶體構成之另_組反向器: 路進行組合,即可發揮記憶電路之機能。 ^ 將貝料寫入像素記憶時,是以寫入驅動用電晶體之間門 的^式f輸入資料’因閑門容量較小,故可降低驅動負荷 及貫施向速寫入。 [圖式之簡要說明] 圖1為本發明之一個實施例的有機EL顯示裝置像素電路 構成路。 圖2為EL反向器電路之電路構成圖。 圖3為反向器特性之說明圖。 圖4為-實施例之記憶健存格電路的電路構成圖。 圖5為有機队顯示裝置之電路構成方塊圖。 圖6為-實施例之像素電路的動作波形圖。 -6- 535132
圖7為PMOS反向器之像夸帝枚从+ 体京%路的電路構成圖。 圖8為N -通道電晶體之像丰帝 豕’丁、私路的電路構成圖。 圖9為移位暫存器之動作波形圖。 圖1 〇為顯示裝置之概略構成圖。 圖π為2個EL反向器電路之傻丰帝放AA + ^ 心彳冢言私路的電路構成圖。 圖12為像素電路之遮罩配置圖。
裝 圖13為顯示像素發光部之概略圖。 圖Η為像素内發光強度分佈之說明圖。 [發明之實施形態] 以下將利用附圖來進行本發明之複數實施例進行詳細說 明。圖1為第1實施例之顯示裝置的像素f路構成圖。像素 採掃描配線4及資料配線5相交之配置,配線所圈圍之領域 即為像素領域。此外,連接EL電源配線6及虹共用配線7。
像素内部配置著由EL元件8、驅動電晶體9所構成之EL反 向器電路1、以及由連接CM0S之CM〇S反向器電路2所構成 之記憶電路10。記憶電路10經由掃描電晶體3之主電路連接 於資料配線,而掃描電晶體3之閘門則連接於掃描配線4。 圖2為EL反向器電路之動作。驅動電晶體9為通道電晶 體’源極端子連接於EL電源配線6、汲極端子連接於EL元 件之1%極、而EL元件之陰極則連接於el共用配.線7。EL電 源及EL共用配線共同連接於全部像素。對队電源配線6施 加正電壓、對EL共用配線7施加負電壓,反向器之輸出入 端子方面,以驅動電晶體之閘門電極為輸入端子6丨,連接 驅動電晶體及EL元件之端子則具有輸出端子a之機能。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 535132 A7 B7 五、發明説明 圖3為此電路之輸出入特性。EL元件方面,因為電流-電 壓特性代表類似具有臨界值之二極管的指數函數特性,故 輸入電壓為接近EL電源配線之高水準時,驅動電晶體會處 :關閉狀怨’故輸出端子會呈現和共用配線大致相同的 低私璧。輸入端子電壓逐漸下降並超過臨界值時,驅動電 曰日月豆之主私路會開始有電流流過。所以,輸出電壓會對應 EL元件之包流-電壓特性而上昇。輸入電壓更為提高時, 電流會增加,輸出端子之電壓也會更為上昇,並接近杜電 源電壓。 因為會以此方式執行動作,本電路會實施論理反轉電路 亦即3以EL為電路元件在内之反向器電路的動作。後面 ,將此電路稱為EL反向器電路。 圖4為由EL反向器電路及CM〇s反向器電路組合而成之記 憶電路的構成。記憶之基本構造上,將反向器之2個輸入 端子和另一方之輸出端子互相連接。此連接點會被當做資 料之輸入端子輸入來自外部的論理狀態並控制電路之安定 狀怨,且被當做輸出端子在未變化電路狀態下執行讀取, 而被當做記憶電路來使用, 圖4之乩反向器1的輸入端子61連接於CM0S反向器2之輸 出端子7卜此外’ C罐反向器之輸人端子73則連接於紅反 向器之輸出端子62,此連接方式之電路可以發揮雙安定狀 悲之ό己丨思儲存格的機能。 被當做記憶儲存格使用時’因為資料之輸入端子71使用 EL記憶之輸入端子61 ’故為負荷較輕、適合高速動作之記
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憶儲存格。因為此種方式為了使EL元件8發光而儘可能在 像素内形成廣大面積之薄犋構造,端子間容量75應較大。 所以,將EL反向器之輸出端子62當做資料輸入端子使用時 ’可以有較大的容量。 和此數值進行比較,若電路之所有電晶體尺寸的閘門長 度、閘Η寬度皆為、問門容量為〇.3fF///m2,則此反向 器之輸入端子61的容量大致為電晶體之丨個閘門容量的3〇fp 。將另一方之EL反向器輸入端子當做資料輸入端子使用時 ’右像素尺寸為1〇〇以rri、開口率為7〇%、EL元件厚度為〇」 _、及EL元件之平均比誘電率ε為3時,纟容量擴大為63 倍之1.9pF。 所以,經由矩陣配線寫人資料時需要較長的時間,而不 易驅動掃描時間較短之高精細面、以及增加配線阻抗之 大里面板目此’將EL反向器之輸入端子㈠及⑽⑽反向器 =輸出端子71的連接點當做記憶儲存格之輸人端子使用是 高性能化的關鍵。 疋針對使用刚遠n諸存格之像素構成的動作進行 π明。在11 1之記憶電路中,記憶儲存格1G之輸人端子i卜經 由掃描電晶體3之Φ +攸、去^ 包路連接於貧料配線5,以掃描配線4 之電壓來控制掃描電晶體之通路。 ㈤為本各明之顯不裝置的實施例。為了配置内建圖1說 明之記憶儲存格的像素21形成顯示領域22並驅動矩陣,應 將移位暫存器24連接 、 受、貝科配線、以及將掃描驅動電路23 連接於知4¾配線。^:刹此+
裝 訂
心二电路動作之控制信號及顯示資
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料,經由輸入配線25提供。而像素之乩電源配線6及共同 配線7則一起連接於像素電源%。 依據本實施例,驅動電路含有可以高逮寫入像素内之記 憶體’顯示領域周圍之驅動電路之資料側則 暫存器即可,簡單的構成是其特徵。 圖6為像素之顯示動作。會依每⑽框期間對掃描配線施
裝 加依序掃描矩陣之掃描脈衝。對應和掃描脈衝同期之矩陣 列像素的亮燈及熄滅,對資料配線提供高低之2值資料。 施加掃描脈衝之時序,資料配線之電壓狀態會被讀取至記 憶儲存格。此時,若為L狀態之資料,則EL反向器之輸出 會反轉而為Η狀態。此外,CM〇s反向器輸出會變成相反之 L狀態,記憶儲存格會保持此狀態。此時,弘反向器之電 晶體會形成通路,因為豇元件有電流流過,有機乩;成: 發光狀態。
此外,施加掃描脈衝時’資料配線若為H水準,el反向 器輸出會變成L水準,且CM0S反向器之輸出會變成η水準 。此狀態了 ’因為EL元件並無電流流㉟,而為不會發光的 狀態。如上面所述’像素可以對應掃描脈衝執行㈣料配 線之電壓狀態讀取至像素之記憶儲存格的動作。 下面是針對圖7所示之第2實施例進行說明。在本實施例 中,像素内之電晶體是以全部具有同—臨界值特性之卜通 道型所構成”匕方式的特徵是可以簡化電晶體處理,並以 較便宜的成本來製造。 私路構成上,EL元件8及驅動電晶體9的構成和第1實施 -10- 535132 A7 B7 五、發明説明(8 ) 例相同。另一組CMOS反向器則是全部由P -通道電晶體所 構成之PM〇S反向器47。本電路之動作說明如下。 PMOS反向器47則是由2個P-通道電晶體之重設電晶體46 、重定電晶體43、1個MOS二極管之偏二極管44、以及偏容 量45所構成。設定電晶體43在反向器47之輸出變成L水準時 會切至開啟。P-通道之設定電晶體將輸出變成L水準時, 偏容量45及偏二極管44會將設定電晶體43之閘門電壓降至 比EL共用配線7更低的電位。重設電晶體46在將輸出變成Η 水準時會開啟。 採取此種方式連接,PMOS反向器47之輸入端子49連接於 EL反向器之輸入端子48,輸出端子50則連接於重設電晶體 46之閘門。另外,輸入端子49也連接於驅動電晶體9之閘門 。因為二極管固定連接於設定電晶體之閘門端子49,通常 為EL共用電壓之電壓值,設定電晶體為關閉狀態。 此時,將資料信號當做輸入信號而從Η水準變成L水準 時,偏容量45會形成容量結合,設定電晶體之閘門端子49 會後退。設定電晶體因而形成通路,輸出端子48變成L水 準。EL反向器因而生成論理反轉信號,輸出端子會變成Η 水準而使EL元件亮燈,重設電晶體46之閘門電壓為Η水準 ,而處於重設電晶體關閉狀態。所以,PMOS反向器電路之 輸出48保持L水準。 其次,像素輸入49變成Η水準時,設定電晶體之閘門會 因為容量結合而成為關閉狀態。此外,因為同時連接於驅 動電晶體9之閘門,EL反向器輸出50會變成L水準,重設電 -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公釐) 裝 玎
線 535132 A7 B7 五 發明説明(9) 晶體因而變成開啟狀態,PMOS反向器之輸出變成Η水準。 如此,此像素電路為可以將EL反向器電路輸出端子保持 於Η或L水準之雙安定電路,而具有記憶體之機能。此外, PMOS反向器只有在電路狀態變化時才會有電流流過,雖然 只是以PMOS構成之論理電路,仍具有消耗電力極小之優點 。另外,也可以阻抗取代二極管,阻抗時,含時常數電路 之交流結合電路應連接於設定電晶體之輸入電路。阻抗可 以採用i-Si(intrinsic silicon)等之高阻抗層,元件構造比二極 管更為簡單。此外,因為只要控制時常數即可,故可實施 南速寫入。 低消耗電力之電路構成為全部電晶體由N -通道型形成之 第3實施例。如圖8所示,全部電晶體都是以N型來形成。 如掃描電晶體143、設定電晶體142、重設電晶體144、及偏 二極管145。 此電路動作和第2實施例相同。若以薄膜電晶體構成此 電路,在NchTFT採用LDD構造、電晶體串聯構成等之漏電 電流減少構造,因為可以大幅減少電晶體關閉時之電流, 可以將電路消耗電力降至比第2實施例更低。降低漏電電 流之構成方面,一般方法即可。 在第2實施例及第3實施例中,只要像素持續處於亮燈狀 態,設定電晶體及重設電晶體雙方都會處於關閉狀態。所 以’ EL反向器輸入端子之電位會因為掃描電晶體之漏電電 流陸續從L常態向上昇,而呈現不安定,驅動電晶體電流 則會持續向下降。所以,在每次掃描資料信號時,會以施 -12 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)
裝 訂
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加Η之電壓來迴避此情形。 圖9為移位暫存琴 σ動乍。%描脈衝131施加於掃描配線 』間’移位時計在移位資㈣間會施加移位 間,首先,全部資料線輸出端子會一起變= ^匕/月間1線上之全部像素的PMOS反向器輸入端子會 交❹水準。Λ期間最少要保持資料配線之延遲時間以上 的枯間。然後’移位電晶體會依序實施1線份之資料配列 。其後,纟資料輸出狀態會保持超過資料配線延遲時間以 上之時間’再將資料讀取至像素並結束掃描脈衝。 為了貝現上述動作,移位電晶體之各段閂鎖設有重設狀 怎下可以變成Η水準之起始化手&,只要間歇施加移位時 計即可。 圖10為第4實施例。為行動電話等之面板的構成實例, 在同一破璃基板91上形成TFT驅動有機乩矩陣之影像顯示 領域92、周邊驅動電路、以及有機队指示器部%,資料控 制彳§號及電源則經由柔性印刷基板95提供。 像素電路96連接於有機El指示器部之驅動,因為具有記 憶機能及低電力驅動之特徵,不但可以做為矩陣像素,也 可做為個別之有機EL指示器的顯示驅動控制電路,會消除 影像顯示,只亮起指示器94的燈,控制信號也只有在顯示 狀態變化時才會對像素電路96施加資料及掃描脈衝並進行 置換’故可以減少待機時之消耗電力。 圖11為第5之實施例。在本實施例中’將2個論理El反向 為8 1及顯示EL反向器82之輸入及輸出端子相互連接,而只 -13- 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 535132 A7 B7 五、發明説明(11 ) 以3個電晶體來構成像素電路。此時,el元件會對應記憶 狀悲而父互焭燈’負荷EL元件83的面積比顯示用EL元件為 小’且因為没有覆盖著不會妨礙顯示之發光部的遮光層84 ,可以在不會降低顯示對比之情形下減少電晶體數。 圖12為圖1所示之像素電路的遮罩配置圖。配置著掃描 配線4、資料配線5、EL電源配線6、EL共用配線7、CMOS反 向為2、驅動電晶體3、及EL顯示電極丨15。圖上雖然未標示 ,以相同電壓和有機EL層及乩共用配線7連接之EL陰極層 ’疋針對像素之全表面實施的積層。如圖所示,El電源配 線6及EL共用配線7為上下方向配置,並採直達掃描配線之 配列,在依序驅動線時,每行之負荷雖然同時變動,電源 配線6之電流仍然十分安定而無變動,故具有記憶内容十 分t定而有良好顯示之優點。 另外,因為許多配線都採上下配置,虹顯示電極1丨5為 、交侍狹小,然而,封閉於像素内之發光領域較小時之顯示 ,如圖13之像素發光狀態圖所示,矩陣配置之像素内只有 極小部份不會發光。 此像素之輝度狀態如圖14所示。為狹小像素發光領域122 及寬廣發光像素121之發光輝度的位置依賴性。對應像素全 面之平均輝度,狹小像素輝度124具有比寬廣像素輝度125 ^高之輝度’並以點狀呈現出來,故即使在環境光123較高 時,因為發光部之輝度較高,可以使顯示容易判讀。因此 ’以行動電話等有限之電力可以在明亮處仍有良好的顯示 ,可以以低電力提供辨識性良好之顯示是其特徵。 • 14 - 535132 五、發明説明(η 假設戶外之環境光的強度為10000 lux,並考慮照射於完 全擴散面之情形,反射光之輝度為3000cd/rrf以上。此時, 平均輝度、開口部、及發光部之輝度具有公式(1)之關係。 平均輝度=發光部輝度X開口率(1) 此蚪以戶外環境光〉30〇〇(cd/m2)代入公式⑴之發光部輝度 、、丨開率 < 平均輝度/3000。例如,筆記型電腦等時,因 為平均輝度為l〇〇(cd/nf),發光部之開口率為3 %即可。如此 利用公式(1)來決定開口率,在明亮環境下也可以獲得辨 識性良好的顯示。 2因為圖丨2之像素的開σ率為15%,只要平均輝度為45一 m)’即可獲得期待之顯示特性。尤其是和本發明之記憶内 建像;r、之組合’因為具優良均一顯示特性之顯示可以在 外環境光下有良好的辨識,故最適合行動電話 報機器、攜帶式電視等。 飞h 若依據本發明,可以簡化内建於發光型顯示穿 内的記憶電路,故具有提高開口率、實現高精細化2素 的效果。另外,也可降低顯示裝置之電路的消衫像 在%境光下可以提供優良均一顯示特性的顯示。“力。且 [元件符號之說明] 1...EL反向态電路、2..· CMOS反向器電路、 晶體、4…掃描配線、5 ···資料配線、6 ...掃描電 厂..EL共同I線、8··. EL元件、9...驅動電晶體=配線、 儲存格、11···記憶輸入端子、21..·像素、 ⑦、10··.記憶 23·.·掃描驅動電路、24·..移位暫存哭、% 、'域、 .15, 輪入配線、 535132 A7 B7 五 發明説明(13 ) 26…像素電源、46…重設電晶體、47...設定電晶體、 48...PMOS反向器、49..·輸入端子、50...EL反向器輸出端子 、61…輸入端子、62…輸出端子、71…資料輸入端子、 73··.CMOS反向器輸入端子、75...端子間容量、81…論理EL 反向器、82···顯示EL反向器、83…負荷EL元件、84…遮光 層、91···玻璃基板、92…影像顯示領域、93…有機EL指示 器部、94·.·指示器、95···柔性印刷基板、96…像素電路、 1 15…顯示電極、121··.寬廣發光像素、122...狹小像素發光 領域、123..·環境光、124···狹小像素輝度、125…寬廣像素 輝度、142·.·設定電晶體、143..·掃描電晶體、144...重設電 晶體、145…偏二極管。 -16- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)
Claims (1)
- 535132 A8 B8 C8 D8 第090121184號專利申請案 j文申請專利範圍年1月) 申請專利範圍 1·-種發光型顯示裝置,為具有以複數之掃描配線及複數 之乜號配線相互交叉圍成之像素的發光型顯示裝置,其 特徵在於, 前述像素含有包括第1及第2反向器電路在内之記憶電 路, “觔述第1反向器電路含有顯示控制電路,此顯示控制 電路是由以電流驅動之有機多層膜所構成且被視為負荷 兀件之EL元件、以及至少i個之第i電晶體的主電路串聯 而成, 像素顯示情報可對應反向器之主電路通路的開啟及關 閉狀態記憶於前述記憶電路内,且以2值控制來控制前 述EL元件之亮燈及熄滅狀態。 2·如申請專利範圍第1項之發光型顯示裝置,其中前述第2 反向器電路採用CMOS電晶體。 3 .如申請專利範圍第丨項之發光型顯示裝置,前述記憶電 路為前述第1及第2反向器電路之一方的輸入端子和另一 方之輸出端子互相連接之雙安定電路, 構成前述第1反向器電路之電晶體閘門端子部,經由 第2电曰曰體之主電路和前述信號配線相連接,前述第2電 晶體之閘門連接於掃描電極,設有輸入記憶於前述記憶 電路之資料的輸入電路。 4 ·如申請專利範圍第2項之發光型顯示裝置,前述記憶電 路為前述第1及第2反向器電路之一方的輸入端子和另一 方之輸出端子互相連接之雙安定電路, Α8 Β8 C8 D8 申Μ專利祀圍 構成前述第1反向器電路之電晶體閘門端子部,經由 第2電晶體之主電路和前述信號配線相連接,前述第2電 曰曰體之閑門連接於掃描電極,設有輸入記憶於前述記憶 電路之資料的輸入電路。 —種發光型顯示裝置,為具有以複數之掃描配線及複數 之信號配線相互交又圍成之像素的發光型顯示裝置,其 特徵在於, 月』述像素含有包括第1及第2反向器電路而成之記憶電 路, 月J述第1反向器電路含有顯示控制電路,該顯示控制 兒路係串聯以電流驅動之有機多層膜所構成且做為負荷 兀件之E L元件、以及至少1個之第1電晶體的主電路, 則述圮憶電路為前述第1及第2反向器電路之一方的輸入 端子和另一方之輸出端子互相連接之雙安定電路, 像素顯不情報可對應反向器之主電路通路的開啟及關 閉狀態記憶於前述記憶電路内,且以2值控制來控制前 述EL元件之亮燈及熄滅狀態, 配列前述像素之顯示領域的周圍,設有利用移位暫存 器電路之串聯-並聯變換電路,前述移位暫存器之各段 輸出連接於信號配線。 一種發光型顯示裝置,為具有以複數之掃描配線及複數 之信號配線相互交叉圍成之像素的發光型顯示裝置,其 特徵在於, ' 具有電源配線及基準電壓配線、其間之第3電晶體的⑽132 、申請專利範園 主電路及有機EL元件為串聯之第!反向器電路、 ㈣=二前述掃描配線施加之掃描脈衝,控制前述信 路V、别述第1反向器電路之輸入端子連接的抽樣電 利用别述第1反向器電路之輸出來控制前述電源配線 及該第1反向器電路輸入端子之連接的設定電路、 依利用前述抽樣電路抽樣之信號電M, 配線及前述第U“電路輸人端子間之連接的=言= 路、以及含有前述第1反向器電路之記憶電路, 像素顯示情報可對應反向器之主電路通路的開啟及關 閉狀態記憶於前述記憶電路内,且以2值控制來控制前 述EL·元件之亮燈及熄滅狀態。 .如申請專利範圍第6項之發光型顯示裝置,其中 為超過電源或基準電源之電壓而對電晶體之閘門端子 靶加輸入信號,故於前述設定電路或前述重設電路中, 設置採用容量、二極管、或阻抗之交流結合電路, 前述像素之全部電晶體皆以P型或N型構成。 如申請專利範圍第6或7項之發光型顯示裝置,其中 前述信號配線連接可以2值輸出之信號移位暫存器, 而前述掃描配線則連接發生選擇像素之掃描脈衝之掃描 配線驅動電路, 前述信號移位暫存器設有,在掃描脈衝期間會對前述 信號配線施加使前述E L元件熄滅之論理信號的啟始化期 間。 •3- 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(21〇X 297公釐) 5 3 5 2 3 A B c D κ、申請專利範圍 9 · 一種發光型顯示裝置,為具有以複數之掃描配線及複數 之信號配線相互交叉圍成之像素的發光型顯示裝置,其 特徵在於, 前述像素含有包括第1及第2反向器電路在内之記憶電 路, 前述第1及第2反向器電路含有顯示控制電路,此顯示 控制電路係串聯以電流驅動之有機多層膜所構成且被視 為負荷元件之EL元件、以及至少1個之第1電晶體的主電 路, 前述像素顯示情報可對應反向器之主電路通路的開啟 及關閉狀態記憶於前述記憶電路内,具有對前述第2反 向器電路EL元件之發光進行遮光之遮光手段,且以2值 控制來控制前述EL元件之亮燈及熄滅狀態。 10·種發光型顯示裝置,為具有以複數之掃描配線及複數 之信號配線相互交叉圍成之像素的發光型顯示裝置,其 特徵在於, 前述像素含有包括反向器電路在内之記憶電路, 月’J述反向器電路含有顯示控制電路,此顯示控制電路 係串聯以電流驅動之有機多層膜所構成且被視為負荷元 件之EL元件、以及至少}個之第i電晶體的主電路, 像素顯示情報可對應反向器之主電路通路的開啟及關 閉狀態記憶於前述記憶電路内,且以2值控制來控制前 述EL元件之亮燈及熄滅狀態。 U·如申請專利範圍第1至7項之發光型顯示裝置,其中 -4- 本紙張尺度適用中g ®家標準(CNS) Μ規格(MM撕公复)-------- 535132 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 前述像素之對像素面積之發光領域的面積比之開口率 及平均輝度間,具有開口率 < 平均輝度/ 3000之關係。 12.如申請專利範圍第1至7項之發光型顯示裝置,其中 前述反向器電路之電源及基準電源電壓配線配置於像 素之上下方向,且對像素面積之發光領域的面積比之開 口率及平均輝度(cd/m2)間,具有開口率 < 平均輝度/3000 之關係。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)
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