TW534998B - Contact structure formed by photolithography process and method for producing the same - Google Patents

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Description

534998 A7 B7 五、發明説明（y 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 8 〇 夾 具 1 7 〇 探 針 卡 1 9 0 接 觸 裝 1 1 0 電 纜 1 9 4 接 線 1 9 7 電 極 1 9 3 電 容 器 1 9 5 電 容 器 1 9 6 條 片 線 3 〇 接 觸 裝 置 2 〇 接 觸 基 體 4 〇 矽 基 體 3 2 〇 接 觸 巨 2 4 連 接 絲 2 3 通 道 孔 2 2 電 極 4 8 硼 摻 雜 層 3 5 導 電 層 5 2 絕 緣 層 6 2 角 支 撐 3 6 白 由 空 間 4 2 光 阻 層 4 3 特 定 部 分 5 4 二氧化砂層 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -14-

Claims (1)

  1. 534998
    經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 附件2a··第89101415號專利申請案修正後無劃線 之中文申請專利範圍替換本 民國92年1月28日修正 1 . 一種用來測試被測裝置的接觸裝置，包括： 一矽基底，具有以各向異性蝕刻法所製成的斜支撐部 5 形成於該砂基底上的複數條棒狀部，從斜支撐部突伸 出，該棒狀部每一個都包括：· 一絕緣層，用以使該棒狀部與其它部分電氣絕緣；以 及 一導電層，由導電材料所製成，形成於絕緣層上，俾 使絕緣層與導電層構成一棒狀部； 其中’該棒狀部在其橫向方向上顯現簧力，當該棒狀 部的尖端壓向一接觸目標時，該棒狀部建立一接觸力。 2 ·如申請專利範圍第1項的接觸裝置，更包括一硼 摻雜層，位於該矽基底與該絕緣層之間。 3 .如申請專利範圍第1項的接觸裝置，其中該導電 層是由導電金屬所製成，且是以電鍍法來予以形成。 4 .如申請專利範圍第1項的接觸裝置，其中該絕緣 層是由二氧化矽所構成的。 .5 · —種用來測試被測裝置的接觸裝置，包括： 複數條接觸棒，每一條都在其橫向方向上顯現簧力， (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝· 、1T 線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 534998 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 當該接觸棒的尖端壓向一接觸目標時，該接觸棒建立一接 觸力，每一條該接觸棒包括： 一矽基底’具有以各向異性蝕刻法所製成的斜支撐部 一絕緣層，用以使該棒狀部與其它部分電氣絕緣；以 及 一導電層，由導電材料所製成，形成於絕緣層上，俾 使絕緣層與導電層構成一棒狀部； 一接觸基體，用以固定該複數條接觸棒，該接觸基體 具有槽，用以容納該矽基底於其中，其係以對角線的方向 固定該接觸棒；以及 複數條接觸絲，配置於該接觸基體的表面，並分別連 接到該接觸棒，以建立與接觸基體向外之電氣組件間的信 號路徑。 6 ·如申請專利範圍第5項的接觸裝置，其中該接觸 基體是由矽所製成的。 7 ·如申請專利範圍第5項的接觸裝置，其中該接觸 基體是由陶瓷所製成的。 8 ·如申請專利範圍第5項的接觸裝置，更包括： 在該接觸基體上的複數個通道孔，並連接到該複數條 接觸絲，用以建立該接觸基體之上表面與底表面間的電氣 連接；以及 複數個電極連接到該複數個通道孔，用以建立該外部 電氣阻件到該接觸基體的電氣連接。 本#^張尺度適用中國國家標準（（：奶）厶4規格（210\297公釐） ^ ： ' (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 534998
    經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 9 ·如申請專利範圍第5項的接觸裝置，更包括一硼 摻雜層，位於該矽基底與該絕緣層之間。 1 〇 .如申請專利範圍第5項的接觸裝置，其中該導 電層是由導電金屬所製成，且是以電鍍法來予以形成。 1 1 .如申請專利範圍第5項的接觸裝置，其中該絕 緣層是由二氧化矽所製成的。 1 2 · —種用來測試被測裝置的接觸裝置，包括： 複數條接觸棒，每一條都在其橫向方向上顯現簧力， 當該接觸棒的尖端壓向一接觸目標時，該接觸棒建立 一接觸力，每一條該接觸棒包括： 一砂基底，具有兩個斜部，至少其中之一是以各 向異性蝕刻法所製成； 一絕緣層，用以使該棒狀部與其它部分電氣絕緣 ;以及 一導電層，由導電材料所製成，形成於絕緣層上 ，俾使絕緣層與導電層構成一棒狀部； 一接觸基體，用以固定該複數條接觸棒，該接觸基體 具有一平面供安裝該矽基底，以黏著劑將該接觸棒在 對角線的方向固定於該矽基底；以及· 複數條接觸絲，配置於該接觸基體的表面，並分·別連 接到該接觸棒，以建立與接觸基體向外之電氣組件間 的信號路徑。 . 1 3 ·如申g靑專利fe圍弟1 2項的接觸裝置，其中該 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） :3 -"： (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝· 、1T 線
    534998 六、申請專利範圍 4 接觸基體是由矽所製成的。 1 4 ·如申請專利範圍第1 2項的接觸裝置，其中該 接觸基體是由陶瓷所製成的。 1 5 .如申請專利範圍第1 2項的接觸裝置，更包括 在該接觸基體上的複數個通道孔，並連接到該複數條 接觸絲，用以建立該接觸基體之上表面與底表面間的電氣 連接；以及 複數個電極連接到該複數個通道孔，用以建立該外部 電氣阻件到該接觸基體的電氣連接。 1 6 ·如申請專利範圍第1 2項的接觸裝置，更包括 一硼摻雜層，位於該矽基底與該絕緣層之間。 1 7 ·如申請專利範圍第1 2項的接觸裝置，其中該 導電層是由導電金屬所製成，且是以電鍍法來予以形成° 1 8 ·如申請專利範圍第1 2項的接觸裝置’其中該 絕緣層是由二氧化矽所構成的。 19.一種製造用來測試被測裝置之接觸裝置的方法 ，其步驟包括： 提供一砂基體，在它的（1 0 0 )晶面切割； 在該矽基體的上表面施加第一光刻製程，用以在該矽 基體的表面上形成硼摻雜層； 在該硼摻雜層上形成第一絕緣層； - 在該矽基體的底表面上形成第二絕緣層； 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ^— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 534998 A8 B8 C8 D8 年月輯 々、申請專利範圍 5 在該第二絕緣層上施加第二光刻製程，用以在該第二 絕緣層上形成鈾刻窗口； 透過該鈾刻窗口執行各向異性蝕刻；以及 在該第一絕緣層上施加第三光刻製程，用以形成導電 層； 其中每一次的該光刻製程包括塗布光阻、遮罩、曝光 、及去除光阻等步驟。 ---------装------1T------ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐）
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