TW533514B - Physical vapor deposition target/backing plate assemblies; and methods of forming physical vapor deposition target/backing plate assemblies - Google Patents
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- TW533514B TW533514B TW090126576A TW90126576A TW533514B TW 533514 B TW533514 B TW 533514B TW 090126576 A TW090126576 A TW 090126576A TW 90126576 A TW90126576 A TW 90126576A TW 533514 B TW533514 B TW 533514B
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 64
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 title abstract description 29
- 238000000429 assembly Methods 0.000 title abstract 5
- 230000000712 assembly Effects 0.000 title abstract 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 46
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 46
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims abstract description 46
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 30
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 27
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 27
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 17
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 110
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 101
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 30
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 12
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 10
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 9
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 229910019222 CoCrPt Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910008651 TiZr Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 7
- -1 AlCuFe Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910018979 CoPt Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910015372 FeAl Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910015136 FeMn Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 5
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 3
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 claims 4
- 229910052778 Plutonium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims 1
- OYEHPCDNVJXUIW-UHFFFAOYSA-N plutonium atom Chemical compound [Pu] OYEHPCDNVJXUIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims 1
- 238000009941 weaving Methods 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 10
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 9
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 4
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000270295 Serpentes Species 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012476 oxidizable substance Substances 0.000 description 1
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 229910052704 radon Inorganic materials 0.000 description 1
- SYUHGPGVQRZVTB-UHFFFAOYSA-N radon atom Chemical compound [Rn] SYUHGPGVQRZVTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3435—Target holders (includes backing plates and endblocks)
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
- H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
- H01L21/28512—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L21/2855—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table by physical means, e.g. sputtering, evaporation
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
533514 A7
ϋϋϋ^ 本發明係關於物理氣相沈積標靶/背板組件及形成物理氣 相沈積標靶/背板組件之方法。在特別的應用中，本發明關 於將黏合層插入物理氣相沈積標靶/背板組件中標靶與背板 勺方法，因典型黏合層是在低於或等於約5⑼。◦的溫度 下少於或等於24小時内可與標靶形成強擴散鍵之層。，，強 擴散鍵係$義為可通過在此所㈣之剝落試驗的黏結。在 其他應用中，本發明係關於將鈦、錘及銅中之一或多種摻 入物理氣相沈積標靶/背板組件中標靶與背板間之黏合層的 方法。 發明背i 物理氣相沈積（PVD)標靶在希望製得薄膜之製造程序中具 有廣泛用途，並且包括，例如噴濺標靶。一種典型的pvD 私序疋一種噴濺程序’而且一項典型PVD程序之應用是在 半導體加工應用中形成薄膜於半導體基材上。 以圖表方式將先前PVD程序技術表示於圖1中。更特別地 ’圖1說明一個基材14上包含一個Pvd標靶/背板組件12之裝 置10 °組件12包含一個連接在背板18上的喷濺標靶16。標 革巴16可包含任何數目之金屬元素及合金且背板18可包含多 種導笔及導熱材料如，例如銅或I呂。 標革巴16具有一逐出物質之表面2〇，其被認為是一個噴濺 表面。操作時，表面20係暴露在撞擊該表面之離子或原子 中’而且被用於從該表面朝基材丨4逐出物質。所逐出的物 貝在圖1中係以箭頭2 2表示。此所逐出的物質沈積在基材1 4 -4- ______ ---- 本紙張尺度適用中S g家標準(CNS) A4規格(21G X 297^ϊ)-娜 533514 A7 _____ B7 五、發明説明（2 ) 上，在該基材上形成一薄膜（未顯示出）。 背板1 8在圖1所示噴濺應用過程中提供數項功能。例如， 背板1 8的外形一般係設計成可使組件〖2可移動地保留在喷 錢裝置室（未顯不出）中。而且，背板丨8 一般係由導電/導熱 材料形成的並可用於通過電場以噴濺標靶16。標靶16與背 板1 8間的界面應最好包含一種強得足以在噴濺操作過程中 將標革巴16保留在背板18上之黏結，並且也包含一種連續、 均勻及導電構造物使電場可均勻地從背板18至標靶16通過 界面。在這些方法中，目前形成標靶至背板界面所用的方 法是一種提供焊劑於標靶與背板之間（圖丨中丨5所示）以將標 靶黏至背板的方法。該焊劑可包含，例如錫與銦中之一種 或兩種。 利用焊劑的困難處係在於焊劑無法牢固地黏在標靶材料 上，因此若背板/標靶黏結中只使用一種焊劑，標靶會與背 板分離。此問題在使用含有鈕、鈷、錯、鉑、鐵、銳、錦 、鉻、鋁、銅及錳之標靶時特別顯著。為了克服此困難， 經常在將標靶表面黏至背板之前，在標靶表面上提供一過 渡層19。在所示標靶/背板構造中，標靶16具有一個最終用 於與背板18形成黏結的表面17。過渡層19係在標靶與背板 結合之前形成於表面17上。 過渡層19 一般含有鎳。鎳被認為對各種標靶材料的黏性 比銦或錫基質焊劑好，而且銦或錫基質焊劑對鎳的黏性比 對標靶材料黏更好。因此，過渡層19最後與焊劑丨5結合以 保留標乾1 6於背板1 8上。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) -5 - 533514 A7 B7
五、發明説明（ 含錄過渡層可改善各種標靶材料對背板的黏性。彳曰是， 發現即使提供此種材料，仍會遭遇到PVD標靶在噴濺2序 過程中自標靶/背板組件分離或脫層的問題。特別是含 有 Ta、Co、Zr、Pt、Fe、Nb、Mn、Cr' A卜 Cut 之:或: 種的標靶組合物一起使用時，含鎳過渡層無法令人滿咅= k無與为板的分離可能發生在’例如鎳過渡層與標乾間之 界面。若脫層超過標靶表面積之約5%，使標靶/背板組件變 成热法加工，因為其將無法在理想參數中完成。在某些例 子中，脫層比例大於或等於約1%可能使標靶/背板組件變成 無法加工。因此，希望發展黏貼標靶至背板的新方法以避 免鎳過渡層有關之脫層問題。 發明概述 在一項特點中，本發明包括一種PVD標靶/背板組件。該 組件包含一個具有一表面之PVD標靶及該表面上之黏合層 。該黏合層具有不同於標靶表面之組成，並提供一個藉I 少一層黏合層與PVD標靶表面分離之背板。此黏合層係包 含一種可在低於或等於約5 〇 〇 t的溫度下少於或等於2 4小時 的時間内與標靶形成強擴散鍵的材料，並且可包含，例如 銅、鈦及鍅中之一或多種。在特定具體實例中，黏合層可 包含或基本上係由銅、鈦及錘中之一或多種所組成的。，，強 擴散鍵係定義為可通過在此所描述之剝落試驗的黏結。 在另一項特點中，本發明包括一種形成PVD標靶/背板組 件之方法。一種黏合層係形成於PVD標靶表面上，而且背 板係與黏合層相連。因此，背板與PVD標靶表面相隔至少 -6 - 533514
-層黏合層。黏合層可包含’例如鋼、鈦及锆中之 種。 乂夕 藉參考下列所附圖形描述本發明較佳具體實例於下。 圖1是一部分先前技術PVD裝置之圖式截面圖。 圖2是本發明方法中起始加工步驟時pvD標靶的_式戴面 圖3為圖2後之加工步驟所顯示的圖2標乾圖。 圖4係圖3後之加工步驟所顯示的圖2標乾圖。 圖5係圖4後之加工步驟所顯示的圖2標乾圖。 圖6係顯示在PVD標靶/背板組件中且圖5後之加工步驟所 顯示的圖2標靶圖。 圖7為圖6組件的俯視圖。 具體f例之細節描述 本發明包括形成標靶/背板組件之方法以及涵蓋可藉此 方法形成之標靶/背板組件。本發明方法可應用於許多金 屬P V D彳示把組合物，包括，例如含有一或多種過渡金屬 之組合物以及含有T1及A1中之一或兩種的組合物。本發 明方法對含有钽、鈷、锆、鉑、鐵、鈮、錳、鉻、鋁及 鋼；即此種可造成本揭示文中”背景”部分所描述之先前 技術方法相關困難之組合物的PVD標靶具有特別可應用 性，其中該困難可以本發明方法克服。另外，本發明方 法特別可應用於基本上包含或由Ta、Co、CoTaZr、CoPt 、Pt、FeTa、TiZr、CoNb、Mo、CoCrPt、A1、AlCuFe、 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 x 297公釐)
裝 訂
k 533514 A7 _______B7 五明説明(一~ — ' —~-
FeMn及FeAl所組成的PVD標靶。需了解所列的錯合物如 ，例如CoTaZr係以錯合物之成分項而非化學計量法進行 描述。例如，可存在許多包含或基本上由各種化學計I 關係之CoTaZ!^組成的錯合物，而且命名法，，c〇TaZr°” = 涵蓋所有此類錯合物。 參考圖2-7描述-個本發明方法實例。首先參考圖2，以 截面圖說明PVD標靶30。標靶30包含一個噴濺表面32及噴 濺表面32呈對立關係的背部表面34。背部表面^係顯示包 含相當於，例如附著物、污染物或其他表面粗糙外觀之表 面反常處36。特徵36係以相對於標靶30之誇大尺寸呈現以 說明特徵36。需了解特徵36一般相對於標靶丁能遠小於 所呈現的。 圖3况明令表面34進行清洗程序後的標靶3〇。典型的清洗 程序包括先以溶劑清洗表面以自該表面除去碎屑，接著暴 露該表面於電漿蝕刻中以除去附著物或其他不想要的表面 特徵並因此後得平滑表面34。溶劑最好係經過選擇，其實 貝上不與；f示乾3 0材料發生反應以避免標乾3 〇在表面3 4上 乳化及/或腐蝕，其中示範性溶劑是一種有機溶劑，如異 丙醇。和適合的電漿蝕刻可在1 200伏特下以氬電漿進行 、。勺20刀知。此1虫刻最好是在真空壓力下如，例如約1 (Γό托 的壓力下進行。 麥考圖4’標革巴30表面上36具有黏合層40。黏合層40可包 s ’例如欽、鋼及錯中之一或多種；而且在特定具體實例 中基本上包έ或係由鈦、錯或銅中之一或多種所组成的。 -8 - ㈣中關家標準--- 533514 A 7 ________B7 五、發明説明（6 ) 黏合層40最後與標靶30形成強的黏結，而且其可為，例如 一層可在低於或等於約5 00°C的溫度下少於或等於約24小時 内與標靶形成強的擴散鍵之黏合層。”強，，擴散鍵係定義為 可通過在此所描述之剝落試驗的黏結。 在不範具體實例中，層40包含鈦。此示範具體實例係藉 視層40為一種含鈦層40而描述於下。但是，需了解除了所 視為含鈦層之外，本發明可用於其他材料，而且所描述的 加工也可用於連接，例如含錘層4〇或含銅層4〇。 藉參考層40包含鈦的示範性具體實例，含鈦層4〇可具有 鈦作為主要元素（以，，主要元素，，一詞指鈦的存在濃度係高於 其他任何元素，而且可包括，例如一種具有3〇:重量％鈦之材 料，條件為無其他元素的存在濃度大於或等於3〇重量。/〇)， 基本上係由鈦所組成或係由鈦所組成的。若層4〇及標乾3〇 兩者包含鈦，層40可包含異於標靶30之鈦組合物。 形成層4 0之方法實例為離子沈積。特別是可在真空壓 力如，例如1 0 6托之壓力下將標乾3 〇置於真空室中並提供 正或負電荷。若層40包含鈦，提供鈦基材與標靶3〇相反 之電荷並使其暴露於電子束搶中。然後鈦自基材蒸發並 撞擊標靶。離子沈積程序在技術上係為人所熟知的。離 子沈積是一種形成鈦層40之示範性實例，但為數種可用 於形成鈦層40之技術中之一。另一種可用於形成層4〇之 方法是電鍍。 離子沈積方法的一項特點是該程序所衍生的塗佈材料實 IV、上可參透短距離進入標乾3 0表面3 6並形成塗層4〇於表面 -9- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) ----* 533514 A7 ------------ 87 五、發明説明（7 ) '一~一 ^~ -- 3 6上。可形成厚度為，例如從約2,〇〇〇埃至約4,〇〇〇埃，其中 示範厚度係約3,000埃之塗層40。塗層4〇的材料有時在形成 塗層40過程中或之後可擴散鍵至標靶3〇。此種擴散鍵最好 發生在低於；)〇〇t之溫度下（如，例如低於或等於2〇〇它的溫 度下）少於或等於約24小時的時間（如，例如數小時的時間） 。擴散鍵最好形成一個強的黏結，其中，，強，，係定義為可通 過在此所描述之剝落試驗的黏結。 右離子沈積用於形成層40，擴散鍵可發生在離子沈積過 程中。最好在沈積程序過程中有擴散鍵發生，相對於擴散 鍵發生在不同於沈積程序之步驟中的具體實例，如此可節 省加工步驟。 因為電漿清洗（參考圖3所描述的）及鈦塗層（參考圖4所描 述的）兩者可在真空壓力下進行，標靶3〇可從電漿清洗步驟 開始時直到離子沈積完成皆保持在真空壓力條件下。 若材料40包含容易氧化的物質（如鈦），希望在材料㈣上 形成一保護（或被動）層以減緩層4〇之物質的氧化作用。圖5 說明被動層42形成於層40上。被動層42可包含，例如鎳， 且可藉，例如鎳之離子沈積所形成。在所示具體實例中， 層40包含上表面41及側壁表面43 ;及被動層42只形成於上 表面41上。但是，需了解本發明涵蓋其他被動層42也形成 於側壁表面上43的具體實例。被動層42最好為至少12〇〇埃 厚’且可為，例如至少丨5 〇〇埃厚。 在被動層42係藉離子沈積所形成的具體實例中，被動層 可在真空壓力如，例如10-6托之壓力下形成。因此，標靶34 本紙張尺度適财關家標準(⑽）撕讀) 533514 A7
可從電漿清洗步驟開始時（參考圖3所描述的）直到被動層Ο 7成後皆料在真空壓力下。如此可降低㈣3()暴露於大 氣所攜帶的污染物中。 參考圖6，被動層42上具有一焊劑層料。焊劑層料可包含 ，例如錫與銦中之一或兩者。將背板46靠著焊劑料並經由 焊劑44黏在具有標靶3〇及層4〇和42的組件上。背板“可 包各，例如銅。可行形成，例如至少約丨〇,〇〇〇埃厚的焊劑 44。形成焊劑44之示範方法包括將第一部分焊劑塗佈在 鎳層44上，接著加熱鎳至約2〇(rc。接著，將第二部分焊 劑塗佈在第一部分上並將兩部分焊劑壓在組件5〇中的背 板46及標靶3 〇之間。在擠壓組件5〇内之焊劑的過程中， 焊劑係呈軟化或受熱狀態。將組件夾在一起並使其冷卻4 至5小日^以達到焊劑黏結將背板4 6固定在層4 2上。此種黏 結或者可視為是一種黏結，其中背板46係經由焊劑層44 、被動層42及黏合層40固定在標靶3〇上。圖6的組件50可 視為一種PVD標靶/背板組件。 組件50係不同於先前技術標靶/背板組件12(圖1 )，其中組 件50包含一種含鈦層40(或另一種本發明所涵蓋的黏合層40) 以取代先前技術組件之含鎳過渡層丨9。或者可將組件5〇視 為包含一個隔著至少一層黏合層4〇與標靶30分離之背板46 。在所示具體實例中，背板46實際上不止隔著黏合層40， 而且也藉焊劑層44及被動層42與標靶3 0分離。但是，需了 解本發明涵蓋其他省略層44與42中之一或兩者的具體實例（ 未顯示出）。例如，黏合層40可利用擴散鍵方法直接黏在背 -11 - 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格^210X297公釐) ' '" 參 裝 訂 線 533514 A7 B7 五、發明説明（9 板4 6上。 钻口層40係不同於標靶3 〇，其中黏合層4〇包含不同於標 靶州之組成。若黏合層4〇包含部分與標靶3〇重疊的物質， /辰度不同於私靶0〇;或若其包含不同於標靶Μ之物質， 則钻a層40可具有不同於標乾3〇之組成。本發明方法之一 項優點是其可在黏合層4〇與標乾3〇之間形成強的擴散鍵， 即使層40與標乾3〇不包含共同主要元素。例如，黏合層㈣ 在標靶30不含銅的應用中主要包含銅。另一彳固實例是層4〇 在標靶3〇不含鈦的應用中主要包含鈦。另一個實例是層40 在標靶30不含錘的應用中主要包含鍅。 在被動層42包含鎳的構造中，另一種對組件5〇的看法是 可將組件50視為包含圖1先前組件12中之含鎳過渡層，但包 含此如藉黏合層40與標靶30分離之含鎳層42的層。 本發明黏合層中利用鈦、锆及/或銅之優點是此材料適合 與包括過渡金屬、蛇及铭等多種金屬及合金形成強的黏結 作用力。例如，相對於，例如熱膨脹，鈦可與金屬及合金 互容。在剝落試驗中，已發現鈦層4〇對標靶3〇具有極佳黏 性。為元成剝落試驗，用手將15釐米寬尼奇朋川化比抓顶透 明膠帶條沿著標靶板3 〇直徑壓在焊劑4 4上形成包含焊劑4 4 、含鎳被動層42、含鈦層40及含有鈷/妲/錘之標靶3〇的構造 仁，、中此構造物仍未被黏至背板上。然後將此膠帶自焊 劑層剝掉，觀看黏在膠帶上的量。沿著完成第一次試驗之 直徑旋轉90。的直徑覆蓋上第二條膠帶以重複此試驗。此膠 V條4* 1¾然顯自已黏在該膠帶上之焊劑層、含鎳層 -12- 本紙張尺度適财ϋ國家標準(CNS) A4規格(210X297公着)------- 533514 A7 B7
五、發明説明（1〇 、含鈦層40或標靶3 0剝落的物質，指示鈦層4〇與標乾3 〇之 間具有極佳黏性。黏合層係定義為與標靶形成一種，，強的，， 黏結’若黏合層可通過上述剝落試驗。換言之，若黏合層 充刀黏在彳木|£ ’藉覆盍I尼奇朋（Nichiban)™透明膠帶及自 黏合層表面兩垂直方向將其剝除，無黏合層自標乾剝落。 膠帶可直接應用在黏合層上或已黏在黏合層上之一或多層 上。最好將膠帶直接應用在黏合層上。若將膠帶應用在已 黏在黏合層上之一或多層上，若一或多層彼此分離，則此 試驗可能是非決定性的’而不是賦予黏合層足夠應力以測 定黏合層是否與標靶分離。 雖然本發明方法可使用含有多種元素及組合物之一的 標靶構造物，但由於，例如某些元素及组合物與黏合層 4〇形成比其他元素及組合物更弱的黏結，某些元素及組 合物可能比其他元素及組合物更不偏好。例如，比起其 他標乾，本發明方法中較不偏好使用含有銦-錫-氧化物 (ITO)之標乾。 圖7是圖6組件50之俯視圖病名組件50在特定具體實例令 可包含圓形外型。注意圖2-7只是本發明之示範性實例，而 且除了特別顯示的形狀之外，本發明方法中可利用其他背 板及標乾。 雖然藉參考層40包含鈦之示範性具體實例將本發明描述 於上’但須注意若黏合層40包含其他物質如，例如錯或鋼 ，可利用類似程序。若層4 〇包含錯，該層可具有錘作為主 要元素，基本上係由錯組成或可包含懿。若層4〇包含鋼，
本紙張尺度適財_家鮮(CNS) M規格(2igx 297公寶) 533514
AT B7 五、發明説明（11 ) 該層可具有銅作為主要元素，基本上係由銅組成或可包含 銅。 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐)
Claims (1)
- 533514 第090126576號專利申請案 中文申請專利範圍替換本(92年1月) A B c D 六、申請專利範圍 1. 一種PVD標靶/背板組件，包含： 一個具有一表面之PVD標靶；PVD標靶包含Ta、Co、 CoTaZr、CoPt、Pt、FeTa、TiZr、CoNb、Mo、CoCrPt 、A1、AlCuFe、FeMn或FeAl中一或多種；其中所列錯合 物係以成分項而非化學計量法進行描述； 該PVD標靶表面上之黏合層；此黏合層具有不同於標 靶表面之組成；此黏合層與該標靶形成一種強的擴散鍵 :及 一個藉至少一層黏合層與該PVD標靶表面相隔之背 板。 2. 如申請專利範圍第1項之組件，其中該黏合層包含鈦。 3. 如申請專利範圍第1項之組件，其中該黏合層基本上係由 鈦所組成的。 4. 如申請專利範圍第1項之組件，其中該黏合層包含锆。 5. 如申請專利範圍第1項之組件，其中該黏合層基本上係由 錯所組成的。 6. 如申請專利範圍第1項之組件，其中該黏合層包含銅。 7. 如申請專利範圍第1項之組件，其中該黏合層基本上係由 銅所組成的。 8. 一種PVD標靶/背板組件，包含： 一個具有一表面之PVD標乾； 該PVD標靶表面上之含鈦黏合層；此黏合層具有不同 於標乾表面之組成；及 一個藉至少一層黏合層與該PVD標靶表面相隔之背 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐)申請專利範9· 板。 如申請專利範圍第8項之組件， 元素。 其中鈦是該黏合層之主要 10. 如申凊專利範圍第8項之組件， 凡素’而且其中該黏合層具有 厚度。 其中鈦是該黏合層之主要 從約2000埃至約4000埃之 11 ·如申凊專利範圍第8項之組件， 鈦所組成的。 其中該黏合層基本上係由 12. 如申請專利範圍第8項之組件， 成的。 其中該黏合層係由鈦所組 1 3.如申請專利範圍第8頊 ^ 項之、、且件，另外在該背板與該黏合層 <間包含一層焊劑。 Η如：請專利範圍第_之組件，其中該焊劑層包含μ Sn中之一或兩者。 15.如申請專利範圍第8項之組件，另外包含： 該黏合層上之一被動層；及 該背板與該被動層間之—焊劑層，此焊劑層係、靠著該 被動層及該背板。 16·如申請專利範圍第15項之組件，其中該焊劑層包含化及 Sn中之一或兩者。 17.如中請專利範圍第15項之組件，其中該被動層包含犯並 具有至少約15〇〇埃之厚度。 18·如申請專利範圍第15項之組件，其中該被動層包含犯。 19.如申請專利範圍第15項之組件’其中該被動層基本上係 A B c D 533514 六、申請專利範圍 由Ni所組成的。 20. 如申請專利範圍第15項之組件，其中該被動層係由Ni所 組成的。 21. 如申請專利範圍第8項之組件，其中該PVD標靶包含至少 一種過渡金屬。 22. 如申請專利範圍第8項之組件，其中該PVD標靶包含T1、 Ta、Co、Zr、Pt、Fe、Nb、Mn、Cr、A1 及 Cu 中之一或 多種。 23. 如申請專利範圍第8項之組件，其中該PVD標靶基本上係 由 Ta、Co、CoTaZr、CoPt、Pt、FeTa、TiZr、CoNb、 Mo、CoCrPt、A1、AlCuFe、FeMn 或 FeAl所組成的；其 中錯合物係以成分項而非化學計量法進行描述。 24. —種PVD標靶/背板組件，包含： 一個具有一表面之PVD標靶； 該PVD標靶表面上之含錘黏合層；此黏合層具有不同 於標靶表面之組成；及 一個藉至少一層黏合層與該PVD標靶表面相隔之背 板。 25. 如申請專利範圍第24項之組件，其中锆是該黏合層之主 要元素。 26. 如申請專利範圍第24項之組件，其中锆是該黏合層之主 要元素，而且其中該黏合層具有從約2000埃至約4000埃 之厚度。 27. 如申請專利範圍第24項之組件，其中該黏合層基本上係 -3 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐）533514 A8 B8 C8 D8 穴、申请專利乾圍 由錯所組成的。 28·如申請專利範圍第24項之組件，其中該黏合層係由錯所 組成的。 29·如申請專利範圍第24項之組件，其中該PVD標靶包含71 、Ta、 Co 、 Zr、Pt、Fe 、Nb 、 Mn 、 Cr、A1 及 Cu 中之一 或多種。 30·如申請專利範圍第24項之組件，其中該pVD標靶基本上 係由 Ta、Co、CoTaZr、CoPt、Pt、FeTa、TiZr、CoNb、 Mo、CoCrPt、A1、AlCuFe、FeMn 或 FeAl所組成的；其 中錯合物係以成分項而非化學計量法進行描述。 31· —種PVD標靶/背板組件，包含： 一個具有一表面之PVD標靶； 該PVD標數表面上之含銅黏合層；及 一個藉至少一層黏合層與該PVD標靶表面相隔之背 板。 32·如申請專利範圍第3 1項之組件，其中銅是該黏合層之主 要元素。 33. 如申請專利範圍第31項之組件，其中銅是該黏合層之主 要元素，而且其中該黏合層具有從約2〇〇〇埃至約4〇〇〇埃 之厚度。 ' 34. 如申請專利範圍第31項之組件，其中該黏合層基本上係 由銅所組成的。 35·如中請專利範圍第31項之組件，其中該㈣層係由銅所 組成的。 -4- 533514 、申請專利範圍 A B c D 36’如申請專利範圍第31項之組件，其中該PVD標靶包含T1 、Ta、Co、Zr、Pt、Fe、、Mn、Cr及 A1 中之一或多種 ο 37.如申請專利範圍第31項之組件，其中該PVD標靶基本上 係由 Ta、Co、CoTaZr、CoPt、Pt、FeTa、TiZr、CoNb、 Mo、CoCrPt、A卜 AlCuFe、FeMn 或 FeAl所組成的；其 中錯合物係以成分項而非化學計量法進行描述。 一種形成PVD標靶/背板組件之方法，包括： 在該PVD ‘乾一表面上形成一個黏合層並在低於或等 於約500 C的溫度下少於或等於24小時内此黏合層與該標 靶之間形成一種強的擴散鍵；形成此黏合層包括藉離 沈積塗覆黏合層於該表面上；此強的擴散鍵係形 子沈積過程中；及 將一個背板黏至該標靶上；該背板係經由一種包含 少一層黏合層之連接黏結，因此藉至少一層黏合芦PVD標表面隔離。 39.如:請專利範圍第38項之方法，另外包括在形成黏 之刖，將該PVD標靶表面暴露於電漿蝕刻中。 4〇·如申請專利範圍第39項之方法，另外包括： 在該黏合層上形成一層被動層； 在該被動層上形成一層焊劑；且其中 連接該背板至該標乾包括黏結該背板與該 該PVD“乾從暴露該標t於電聚姓刻中至少 劑層之形成步驟皆保持暴露在真空壓力下。夕 38. 子離 至 與該 合層 :及 直到輝 -5- 巧張尺度適财_㈣準(CNS)織格(21GX2^^533514 申請專利範圍 利!!圍第40項之方法，其中該被動層包含鎳。 要元:。利犯圍第38項之方法，其中鈦是該黏合層之主 43.如申請專利範圍第38項之方 由鈦所組成的。 ’、中該黏合層基本上係 :::專利祀圍第38項之方法，其中錯是該黏合層之主 45. 如申請專利範圍第％項之 由錯所組成的。 ”中該黏合層基本上係 46. 專利範圍第38項之方法，其中銅是該黏合層之主 裝 47· ^請專利範圍第％項之方法，其中該黏合層基本上传 由銅所組成的。 乐 4δ·如申請專利範圍第38項之方法，另外包括： 在該黏合層上形成一層被動層； 在該被動層上形成一層焊劑；且 :中：接該背板至該標靶包括黏結該背板與該焊劑。 49. 如申請專利範圍第38項之方法，其中該pvD標 少一種過渡金屬。 50. 如申請專利範圍第38項之方法，其中該pvD標 、Ta、C〇、Zr、Pt、Fe、Nb、Mn、CrA^c_2_ 或多種。 51. 如申請專利範圍第38項之方法，其中該標乾基本上 係由 Ta、Co、coTaZr、c〇pt、pt FeTa TiZr c〇Nb、 -6 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公嫠I 533514 •、申請專利範圍 Mo、CoCrPt、A1、A1CuFe、所組成的；其 中錯合物係以成分項而非化學計量法進行描述。 52. —種形成pVD標靶/背板組件之方法，包括： 在該PVD標靶一表面上形成一個黏合層，此黏合層包 含锆及鈦中之一或兩種；及 將一個背板黏至該標靶上；該背板係經由一種包含至 少一層黏合層之連接黏結並因此係藉至少一層黏合層與 該PVD標乾表面隔離。 53. ^申請專利範圍第52項之方法，其中形成該黏合層包括 藉離子沈積塗覆黏合層於該表面上。 认如申請專利範圍第52項之方法，另外包括在形成黏合層 之前，將該PVD標靶表面暴露於電漿蝕刻中；其中形成 垓黏合層包括藉離子沈積塗覆黏合層於該表面上；且其 中該p v D標乾在暴露與塗覆期間係保持暴露在真空壓力 55.如申請專利範圍第54項之方法，另外包括： 在該黏合層上形成一層被動層； 在該被動層上形成一層焊劑；且其中 連接該背板至該標靶包括黏結該背板與該焊劑；及 該PVD縣從暴露該縣於電隸料至/ 劑層之形成步驟皆保持暴露在真空壓力下。 56·如申請專利範圍第55項之方法，其t該被動層包含鐵。 53351457· Μ請專利範圍第52項之方法，其中形成該黏合層包括 藉離子/尤積塗覆黏合層於該表面上；該方法在形成該黏 合層之前另外包括： 以一種有劑溶劑清洗該表面；及 暴露已清洗表面於電漿蝕刻中。 5δ·如申請專利範圍第52項之方法，其中鈦是該黏合層之主 要元素。 如申明專利|已圍第52項之方法，其中該黏合層基本上係 由鈦所組成的。 60. 如申請專利範圍第52項之方法，其中錯是該黏合層之主 要元素。 61. 如申請專利範圍第52項之方法，其中該黏合層基本上係 由锆所組成的。 62. 如申請專利範圍第52項之方法，另外包括： 在該黏合層上形成一層被動層； 在該被動層上形成一層焊劑；且 其中連接該背板至該標靶包括黏結該背板與該焊劑。 63·如申凊專利範圍第52項之方法，其中該pvD標靶包含至 少一種過渡金屬。 64·如申凊專利範圍第52項之方法，其中該pvD標靶包含卩 、Ta、Co、Zr、Pt、Fe、Nb、Mn、Cr、A1 及 Cu 中之一 或多種。 -8- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 x 297公董） 533514 A8 B8 C8 D8 、申請專利範圍 65.如申請專利範圍第52項之方法，其中該PVD標靶基本上 係由 Ta、Co、CoTaZr、CoPt、Pt、FeTa、TiZr、CoNb、 Mo、CoCrPt、A1、AlCuFe、FeMn 或 FeAl所組成的；其 中錯合物係以成分項而非化學計量法進行描述。 -9- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐）
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/699,899 US6376281B1 (en) | 2000-10-27 | 2000-10-27 | Physical vapor deposition target/backing plate assemblies |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW533514B true TW533514B (en) | 2003-05-21 |
Family
ID=24811389
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW090126576A TW533514B (en) | 2000-10-27 | 2001-10-26 | Physical vapor deposition target/backing plate assemblies; and methods of forming physical vapor deposition target/backing plate assemblies |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6376281B1 (zh) |
| EP (1) | EP1352104A2 (zh) |
| JP (1) | JP2004523652A (zh) |
| KR (1) | KR20030045138A (zh) |
| CN (1) | CN1494601A (zh) |
| AU (1) | AU2002249859A1 (zh) |
| TW (1) | TW533514B (zh) |
| WO (1) | WO2002061167A2 (zh) |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3554835B2 (ja) * | 1997-08-19 | 2004-08-18 | 株式会社小松製作所 | バッキングプレートの製造方法 |
| US6619537B1 (en) * | 2000-06-12 | 2003-09-16 | Tosoh Smd, Inc. | Diffusion bonding of copper sputtering targets to backing plates using nickel alloy interlayers |
| JP3905295B2 (ja) * | 2000-10-02 | 2007-04-18 | 日鉱金属株式会社 | 高純度コバルトターゲットと銅合金製バッキングプレートとの拡散接合ターゲット組立体及びその製造方法 |
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-
2000
- 2000-10-27 US US09/699,899 patent/US6376281B1/en not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-10-19 AU AU2002249859A patent/AU2002249859A1/en not_active Abandoned
- 2001-10-19 CN CNA018181201A patent/CN1494601A/zh active Pending
- 2001-10-19 WO PCT/US2001/050345 patent/WO2002061167A2/en not_active Application Discontinuation
- 2001-10-19 KR KR10-2003-7005724A patent/KR20030045138A/ko not_active Application Discontinuation
- 2001-10-19 EP EP01998103A patent/EP1352104A2/en not_active Withdrawn
- 2001-10-19 JP JP2002561098A patent/JP2004523652A/ja not_active Withdrawn
- 2001-10-26 TW TW090126576A patent/TW533514B/zh not_active IP Right Cessation
-
2002
- 2002-01-03 US US10/040,020 patent/US6649449B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1352104A2 (en) | 2003-10-15 |
| US6376281B1 (en) | 2002-04-23 |
| CN1494601A (zh) | 2004-05-05 |
| AU2002249859A1 (en) | 2002-08-12 |
| KR20030045138A (ko) | 2003-06-09 |
| JP2004523652A (ja) | 2004-08-05 |
| WO2002061167A3 (en) | 2003-07-24 |
| WO2002061167A2 (en) | 2002-08-08 |
| US6649449B2 (en) | 2003-11-18 |
| US20020068386A1 (en) | 2002-06-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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| MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |