JP2002534604A - 拡散接合スパッターターゲットアセンブリとそれを製造する方法 - Google Patents

拡散接合スパッターターゲットアセンブリとそれを製造する方法

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Abstract

(57)【要約】 低温拡散接合法と、該方法によって接合されたターゲット／バッキングプレートアセンブリとを開示する。この方法によれば、銅および／またはコバルトターゲット（１２）が、Ｉｂ族またはＶＩＩＩ族金属から成るグループから選択される中間層（１４）の使用により、バッキングプレート（１６）に接合される。中間層（１４）はターゲット（１２）とバッキングプレート（１６）の、接合を意図する表面の間に配置され、アセンブリ（１０）が約１９０〜４００℃の低温で拡散接合される。この方法により、接合アセンブリの引張り強さが向上するが、一方、銅ターゲットの場合、望ましくない結晶粒成長が起らない。本発明によりコバルトターゲットを接合する場合、望ましい磁気的性質たとえば貫通磁束が維持される一方、強い接合が実現される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】 本発明は、一般に、物理蒸着薄膜コーティングのためのスパッターターゲット
アセンブリの設計とその製造法に関する。より詳しくは、本発明は、バッキング
プレートアセンブリに拡散接合されたＣｕまたはＣｏ金属およびこれらの金属の
合金から成るターゲットであって、前記ターゲットの接合表面とバッキングプレ
ートの接合表面との間に配置されたＩｂ族またはＶＩＩＩ族金属から成る接合促
進中間層を有するターゲットに関する。
【０００２】 カソードスパッターリングは、スパッターターゲットから、所望の基板上に材
料の薄層または薄膜を蒸着させるために広く使用されている。基本的には、スパ
ッターターゲットを有するカソードアセンブリが、アノードとともに、不活性ガ
ス好ましくはアルゴンのはいった室内に配置される。所望の基板は、室内のアノ
ード近くに、受け面がカソードアセンブリとアノードとの間の通路に垂直に向く
ように配置される。カソードアセンブリとアノードとの間に、高圧電場が印加さ
れる。
【０００３】 カソードアセンブリから放出される電子が不活性ガスをイオン化する。すると
、電場が不活性ガスの正帯電イオンをスパッターターゲットのスパッターリング
面に対して加速する。イオン衝撃によってスパッターターゲットからたたきださ
れた物質は、室内を移動して、基板の受け面に付着し、薄層または薄膜を形成す
る。
【０００４】 基板たとえば半導体デバイス上に薄膜を蒸着するために、一般に、アルミニウ
ムまたは銅基材のバッキングプレートに取りつけられた高純度金属または金属合
金のスパッターターゲットが使用される。これらのスパッターターゲットアセン
ブリは、ターゲット材料をスパッター装置に機械的および電気的に取りつけ、正
しいスパッター室環境条件を維持するための真空シール面を与え、また一般に、
スパッター蒸着時のターゲット材料の効率的冷却のための熱除去通路を与える。
【０００５】 スパッターターゲットは、スパッターリング過程中、スパッターターゲットに
熱エネルギーとして与えられる、衝撃ガスイオンの運動エネルギーによって加熱
される。この熱は、一般にスパッターリング面とは反対側の界面に沿ってスパッ
ターターゲットに接合されたバッキングプレートの下または周囲を循環する冷却
流体による熱交換によって、散逸させられる。
【０００６】 銅とその合金は、大きな導電率とすぐれた移行抵抗（ｍｉｇｒａｔｉｏｎ ｒ
ｅｓｉｓｔａｎｃｅ）とにより、ＵＬＳＩ金属化における相互接続材料としてま
すます多く使用されるようになっている。Ｃｕ相互接続により、高速、高性能、
高信頼性の相互接続デバイスが得られる。高純度銅ターゲットが、Ｓｉウェーハ
上にＣｕ薄膜をスパッター蒸着してこれらの先進の集積回路デバイスを製造する
ために使用される。したがって、Ｃｕターゲットは、Ｃｕ薄膜の多くの性質、た
とえば薄膜の均一性とコンシステンシー、導電率、ステップカバレージ、その他
の決定において重要な役割を演じる。
【０００７】 現在、Ｃｕターゲットは、はんだ接合または高温拡散接合により、軽量の高熱
伝導率バッキングプレートに接合されている。しかし、これらの接合方法には問
題がないわけではない。たとえば、はんだ接合Ｃｕターゲット／バッキングプレ
ートの結合強度は一般に小さく、この強度は、ターゲットがスパッターされて温
度が上昇すると、さらに低下する。さらに、一般に使用されるはんだは低融点と
高蒸気圧とを有し、したがってスパッターリング工程時にウェーハ汚染源となり
うる。一般的なはんだ接合は、約２８ＭＰａ（約４，０００ｐｓｉ）のスパッタ
ー／バッキングプレートアセンブリ結合強さを与える。
【０００８】 拡散接合は、スパッターターゲットをバッキングプレートに接合するのに好ま
しい方法である。しかし、Ｃｕターゲットとそれに付随するＡｌまたはＡｌ合金
バッキングプレートとの間の拡散接合の強さは、ＣｕとＡｌとがいくつかの脆い
化合物を形成するという事実により、非常に小さい。この場合、ＣｕとＡｌまた
はＡｌ合金との間の代表的な結合強さは、約１４ＭＰａ（約２，０００ｐｓｉ）
〜約３５ＭＰａ（約５，０００ｐｓｉ）の範囲にあるが、市販されているＣｕ／
Ａｌターゲットバッキングプレートアセンブリの１つは、約４２〜５４．４ＭＰ
ａ（約６．２〜７．９ｋｓｉ）の結合強さを有する、ということである。
【０００９】 この問題を克服するために、Ｎｉ中間層を配置してＣｕとＡｌバッキングプレ
ートとを高温拡散接合する試みが提案されている。この方法は、大きな結合強さ
を与えるが、使用される高温（すなわち、約４００〜６００℃）のため２次再結
晶による好ましくないターゲット結晶粒成長が起る、ということである。これは
、スパッター性能に非常に好ましくない有害な影響をおよぼす。その結果、その
ようなターゲット／バッキングプレートアセンブリによってスパッターされた薄
膜は、低い薄膜均一性と面積抵抗変動という不利を有する。このタイプの接合は
、また、スパッターリング工程中の好ましくない微粒子放出の増大をももたらし
うる。
【００１０】 コバルトターゲットも、半導体金属化のための各種薄膜、サブミクロン半導体
上のサリサイド（ｓａｌｉｃｉｄｅ）層、および低抵抗率接点の形成のために、
スパッターリング工程で普通に使用されている。これらの用途において重要なこ
とは、スパッターターゲットの必要な磁気的性質を維持して、スパッター室内の
高いプラズマ均一性を与え、均一なコーティング蒸着が起るようにすることであ
る。Ｃｏターゲットとそれに付随するバッキングプレートとの高温接合は、Ｃｏ
の磁気的性質の劣化たとえば透磁率および貫通磁束（ｐａｓｓ ｔｈｒｏｕｇｈ
ｆｌｕｘ）に関する問題をもたらし、透磁率が著しく増大して貫通磁束が減少す
る。
【００１１】 以上のように、この技術分野においては、Ｃｕターゲットをそれに付随するバ
ッキングプレートに接合する方法で、有意のＣｕターゲット結晶粒成長をもたら
さない、許容されるターゲット−バッキングプレート引張り強さを与える方法が
必要である。
【００１２】 同様に、この技術分野においては、Ｃｏターゲットをそれに付随するバッキン
グ構造物に接合する方法で、ターゲットとバッキングプレートとの間の十分な結
合または引張り強さを与えるが、Ｃｏターゲットの必要な磁気的性質には有害な
影響を与えないような方法が必要である。
【００１３】 以上の目的およびその他の目的は、本明細書で開示する方法と構造的組合せと
によって達成される。
【００１４】 本発明者の発見によれば、ＣｕおよびＣｏターゲット（ならびに、Ｃｕおよび
Ｃｏの合金から成るターゲット）を、Ｃｕターゲットの場合には、接合時に有意
のＣｕ結晶粒成長をもたらすことなく、またＣｏターゲットの接合の場合、ター
ゲット貫通磁束の減少と透磁率の増大とをもたらすことなく、付随するバッキン
グプレート部材に首尾良く拡散接合することができる。
【００１５】 本願で開示する方法は、スパッターリングターゲットとバッキングプレートと
を、拡散接合と、これらの間に配置されるＡｇまたはＡｇ合金（または、他のＩ
ｂ族元素たとえばＡｕおよびその合金、もしくはＶＩＩＩ族元素たとえばＰｄ、
Ｐｔ、およびそれらの合金）中間層とを使用することにより接合するのに使用さ
れる。この方法の使用により、好ましくない２次再結晶、異常な結晶粒成長、お
よび結晶学的集合組織の劣化が最小限に抑えられ、一方、ターゲットの本来の微
視組織的および物理的性質が維持される。ＡｇまたはＡｇ合金中間層により、拡
散接合温度を１９０〜４００℃に低下させることができる。
【００１６】 この方法によれば、適当なパラメータ、たとえば母材の表面仕上げと表面清浄
化、接合溝または表面粗さ、中間層厚さ、接合温度と時間、を使用することによ
り、ＣｕターゲットとＡｌ合金バッキングプレートとの間に、９０ＭＰａ（１３
，０００ｐｓｉ）もの大きな結合強さを実現することができる。ＡｇまたはＡｇ
合金中間層は、ターゲットまたはバッキングプレートまたはこれらの両方の必要
な接合表面上に、スパッター蒸着、電気めっき、プラズマコーティング、および
その他の方法たとえば必要な界面領域に沿って箔層を配置することによって、付
着させることができる。必要なＡｇまたはＡｇ合金中間層の厚さは、約１〜１０
０μｍである。ターゲットとバッキングプレートとの接合は、いろいろな方法、
たとえば、低温または中間温度での、高温静水圧圧縮（ＨＩＰ）、真空プレス、
プレス、その他の方法の１つを使用して達成することができる。
【００１７】 本発明により、ＣｏおよびＣｕターゲット（およびこれらの金属を含む合金を
、ＡｌおよびＡｌ合金バッキングプレートまたはＣｕおよび／もしくはＣｕ合金
バッキングプレートに接合することができる。
【００１８】 以下、本発明を、添付の図面と下記の本発明の詳細な記述とにより、さらに詳
しく説明する。
【００１９】 本発明にしたがって、ターゲットとバッキングプレートとを製造する。接合中
間層を、ターゲットとバッキングプレート双方の意図する接合表面の間に中間配
置して、アセンブリを作る。この接合中間層は、Ｉｂ族およびＶＩＩＩ族金属な
らびにこれらの合金から選択した金属から成る。
【００２０】 次に、このアセンブリを、ターゲット接合表面とバッキングプレート接合表面
との界面に沿ってターゲットとバッキングプレートとを拡散接合するために選択
した温度および圧力条件下で圧縮する。接合中間層は、金属箔の形で形成するこ
とができ、あるいは接合表面の１つまたは両方のコーティングによって形成する
ことができる。コーティング方法の例としては、スパッターコーティング、プラ
ズマ溶射、および電気めっきがある。現在のところ、中間層をスパッターコーテ
ィングするのが好ましい。
【００２１】 拡散接合時に使用する温度は、１９０〜約４００℃の程度であり、約２５０〜
４００℃の範囲とするのがさらに好ましい。使用できる圧力は、約７０〜２１０
ＭＰａ（約１０〜３０ｋｓｉ）の程度であり、約７０〜１４０ＭＰａ（約１０〜
２０ｋｓｉ）の範囲とするのがさらに好ましい。好ましくは、中間層は銀または
銀基合金から成る。
【００２２】 接合表面は、まず、各種の公知の方法によって、たとえば脱脂組成物たとえば
アセトン、イソプロピルアルコール、せっけんと水、その他の必要表面への塗布
によって、清浄にして、切削油、指紋、その他を除去する。
【００２３】 次に、ターゲットおよびバッキングプレートの接合表面の１つまたは両方に、
接合に先立って粗面化（ｒｏｕｇｈｅｎｉｎｇ）処理を施すことができる。すな
わち、これらの表面の１つを、米国特許第５，２３０，４５９号明細書の開示に
したがって、溝を、拡散接合すべき表面の１つに閉ループ構成またはパターンの
形で与えて、処理することができる。また、粗面化処理は、他の周知の方法たと
えば粒子ブラスティング、ショットピーニング、エッチング、スチールブラシア
ブレージョン、その他の方法、によって接合表面の１つまたは両方に施すことが
できる。
【００２４】 随意の清浄化および粗面化ステップのあと、必要な中間層を、界面になる接合
表面の１つまたは両方に付着させる。銅ターゲットをＡｌまたはＡｌ合金たとえ
ばＡｌ６０６１に接合すべき場合、スチールブラシを使用してバッキングプレー
トを粗面化し、中間層をターゲットの接合表面に付着させる。
【００２５】 ターゲットと、中間層と、およびバッキングプレートとの拡散接合は、この拡
散接合が前記の低温パラメータによって実施されるならば、いろいろな方法たと
えばＨＩＰおよび真空ホットプレスによって、実施することができる。ＨＩＰの
場合、缶アセンブリをＨＩＰ室内に配置して、この缶アセンブリに、所定の時間
にわたって所定の温度と圧力でＨＩＰ処理を施す。缶アセンブリには、通常、加
圧ガス通常アルゴンによりすべての側面から同じ圧力が加えられる。ＨＩＰ処理
に使用する特定の条件は、ターゲット、中間層、およびバッキングプレートの間
の強固な拡散接合を実現するための要件に合うように選択する。
【００２６】 好ましいＨＩＰ工程の場合、缶アセンブリは、１０５ＭＰａ（１５ｋｓｉ）の
圧力で、約３時間にわたって、約３５０℃の温度に加熱する。この方法により、
約９８ＭＰａ（約１４ｋｓｉ）もの大きさの、ＣｕターゲットとＡｌバッキング
プレートとの間の引張り強さを有する拡散接合が実現された。また、この方法は
、Ｃｕターゲットの過剰な再結晶または異常な結晶粒成長をもたらさない。本発
明により接合された銅ターゲットの平均結晶粒径は、約１５〜２０μｍの程度で
あった。
【００２７】 また、本発明によるコバルト／Ａｌ６０６１ターゲットの拡散接合により、約
９８ＭＰａ（約１４ｋｓｉ）の大きな引張り結合強さが得られ、かつこの方法で
接合したコバルトターゲットは少なくとも約６０％の貫通磁束を示し、大部分の
もので６５％の貫通磁束が得られた。
【００２８】 使用できる高温静水圧圧縮法のさらなる詳細は、本件と一緒に譲渡された米国
特許第５，２３４，４８７号および第５，２３０，４５９号明細書に記載されて
いる。これらの特許明細書の開示内容を参照されたい。
【００２９】 必要な拡散接合の形成のためのもう１つの方法は、真空ホットプレスであり、
この場合、予熱されたターゲット、中間層、およびバッキングプレートが真空室
内に配置され、それから接合を促進するためにプレスされる。接合操作時に加え
る圧力は広い範囲にわたって変えることができる。真空ホットプレスのほか、ホ
ットプレスも還元ガスまたは不活性ガスの存在下で実施することができる。
【００３０】 本発明により、約３５０℃、圧力１０５ＭＰａ（１５ｋｓｉ）、約３時間のＨ
ＩＰ処理条件によって、銅ターゲットがＡｌ６０６１バッキングプレートに接合
され、またコバルトターゲットが首尾良くＡｌ６０６１バッキングプレートに拡
散接合された。したがって、これらの時間、温度、および圧力条件は好ましいも
のである。
【００３１】 銀および銀合金中間層の使用が好ましいが、他の中間層材料たとえば金、パラ
ジウム、および／または白金も使用できる。
【００３２】 図１には、本発明によって低温拡散接合したスパッターターゲット／バッキン
グプレートアセンブリの模式斜視図を示す。この場合、スパッターターゲットア
センブリ１０は、ターゲット１２を有し、該ターゲットは介在中間層１４の使用
によりバッキングプレート１６に接合されている。ターゲットと中間層とバッキ
ングプレートの接合は、相互拡散タイプのものであり、ターゲットプレート１２
が中間層１４に接合され、中間層１４がバッキングプレート１６に接合されてい
る。
【００３３】 以下、本発明を特定実施形態を実施例として、さらに詳しく説明する。これら
の実施例は単に説明のためのものであり、本発明を限定するものと解釈してはな
らない。
【００３４】実施例１−銅ターゲット ５ＮのＣｕターゲットを、Ａｌ６０６１合金バッキングプレートに接合した。
Ａｇ中間層を、スパッター蒸着法により、バッキングプレートの接合表面に付着
させた。これらのアセンブリを、温度３５０℃、１０５ＭＰａ（１５ｋｓｉ）、
約３時間のＨＩＰ工程により、拡散接合させた。
【００３５】 これらの拡散接合アセンブリのターゲットの結晶粒径を測定したところ、１５
〜２０μｍの範囲にあることがわかった。したがって、接合工程中に好ましくな
い結晶粒成長は起らなかったということが示された。これらの拡散接合アセンブ
リの引張り試験により、結合強さは平均約９８ＭＰａ（１４ｋｓｉ）であること
が示された。
【００３６】実施例２−コバルトターゲット コバルトターゲットを、Ａｌ６０６１合金バッキングプレートに、スパッター
リングによってバッキングプレートに付着させたＡｇ中間層によって拡散接合さ
せた。これらのアセンブリを、３５０℃、１０５ＭＰａ（１５ｋｓｉ）、約３時
間のＨＩＰ工程により、拡散接合させた。平均約９８ＭＰａ（約１４ｋｓｉ）の
結合強さが得られ、またＣｏターゲットの貫通磁束は平均約６５％と測定された
。
【００３７】実施例３−比較例 図２には、中間層を使用しないで拡散接合したＣｕターゲット／Ａｌ６０６１
アセンブリ、従来のハンダ接合Ｃｕ／Ａｌ６０６１アセンブリ、および実施例１
によって接合したＣｕ／Ａｌ６０６１アセンブリの結合強度の比較を示す。中間
層なしで接合したアセンブリは、実施例１に示したものと同じ時間、温度、およ
び圧力条件下でＨＩＰ処理した。はんだ接合比較例においては、通常のＳｎ／Ａ
ｇはんだを使用した。
【００３８】 図３に、４５０℃、３時間、１０５ＭＰａ（１５ｋｓｉ）のＨＩＰ条件下で実
施されるターゲットとバッキングプレートとの従来の高温拡散接合（すなわち、
中間層なし）により、Ａｌ６０６１合金バッキングプレートに接合したＣｕター
ゲットの平均結晶粒径を示す。これは、接合ステップ時に起ったＣｕターゲット
の好ましくない結晶粒成長を示している。これに対して、やはりこのグラフに示
すように、実施例１の手順によって接合したＣｕターゲットの平均結晶粒径は２
０μｍよりも小さい。
【００３９】 以上、本発明のいくつかの実施形態を示して説明したが、本発明には、特許請
求の範囲に定義する本発明の意図と範囲を逸脱することなくなしうるすべての変
形または変更も同様に含まれると解釈すべきである。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明によって製造した、スパッターターゲット／バッキングプレートアセン
ブリの模式斜視図である。
【図２】 本発明によって製造したターゲット／バッキングプレートアセンブリの結合強
さと従来の接合法によって製造したものの結合強さとを示すグラフ表示である。
【図３】 本発明によってバッキングプレートに接合したＣｕターゲットの平均結晶粒径
と高温拡散接合によって製造したＣｕターゲットの平均結晶粒径を示すグラフ表
示である。
【符号の説明】
１０ スパッターターゲットアセンブリ １２ ターゲット １４ 中間層 １６ バッキングプレート

Claims (24)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 接合されたスパッターターゲット／バッキングプレート組合
    せを製造する方法であって、 （ａ）ＣｕおよびＣｏならびにこれらの合金から成るグループから選択される金
    属から成り、接合表面を有するターゲットを作り、 （ｂ）ＡｌおよびＣｕならびにこれらの合金から成るグループから選択される金
    属から成り、接合表面を有するバッキングプレートを作り、 （ｃ）前記ターゲットとバッキングプレートとを、前記ターゲットの接合表面と
    前記バッキングプレートの接合表面とが互いに隣接するように配置し、 （ｄ）前記ターゲットと前記バッキングプレートとの前記接合表面の間に、Ｉｂ
    族およびＶＩＩＩ族金属ならびにこれらの合金から選択される金属から成る接合
    中間層を設けてアセンブリを製造し、 （ｅ）前記アセンブリを、前記ターゲットとバッキングプレートとを拡散接合す
    るために、温度・圧力条件下で圧縮し、前記温度が約１９０〜約４００℃の範囲
    にある、 ことから成ることを特徴とする方法。
  2. 【請求項２】 前記接合中間層が約５〜約１００μｍの厚さを有する金属箔
    であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
  3. 【請求項３】 前記中間層が前記接合表面の少なくとも１つにコーティング
    を与えることによって付着させられることを特徴とする請求項１に記載の方法。
  4. 【請求項４】 前記コーティングがスパッターコーティングによって付着さ
    せられることを特徴とする請求項２に記載の方法。
  5. 【請求項５】 前記コーティングがプラズマ溶射によって付着させられるこ
    とを特徴とする請求項２に記載の方法。
  6. 【請求項６】 前記コーティングが電気めっきによって付着させられること
    を特徴とする請求項２に記載の方法。
  7. 【請求項７】 前記ステップ（ｅ）に先立って、前記接合表面の少なくとも
    １つを粗面化することをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
  8. 【請求項８】 前記ステップ（ｅ）が高温静水圧圧縮（ＨＩＰ）から成るこ
    とを特徴とする請求項１に記載の方法。
  9. 【請求項９】 前記ステップ（ｅ）が真空ホットプレスから成ることを特徴
    とする請求項１に記載の方法。
  10. 【請求項１０】前記ステップ（ｅ）の前記圧力が約７０〜２１０ＭＰａ（約
    １０〜３０ｋｓｉ）であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
  11. 【請求項１１】前記ステップ（ｅ）の前記温度が約２５０〜約４００℃であ
    ることを特徴とする請求項１に記載の方法。
  12. 【請求項１２】前記ターゲットがＣｕまたはＣｕ合金から成り、前記バッキ
    ングプレートがＡｌであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
  13. 【請求項１３】前記ステップ（ｅ）のあと、前記ターゲットが約１０〜３０
    μｍの範囲の結晶粒径を有することを特徴とする請求項１２に記載の方法。
  14. 【請求項１４】前記結晶粒径が約１５〜２０μｍの範囲にあることを特徴と
    する請求項１２に記載の方法。
  15. 【請求項１５】前記ターゲットがＣｏまたはＣｏ合金から成ることを特徴と
    する請求項１に記載の方法。
  16. 【請求項１６】前記ステップ（ｅ）のあと、前記ターゲットが約６０％より
    も多い貫通磁束を有することを特徴とする請求項１５に記載の方法。
  17. 【請求項１７】前記貫通磁束が約６５％よりも多いことを特徴とする請求項
    １６に記載の方法。
  18. 【請求項１８】スパッターターゲットアセンブリであって、 ＣｕおよびＣｏならびにこれらの合金から成るグループから選択される金属か
    ら成るターゲットと、 ＡｌおよびＣｕならびにこれらの合金から成るグループから選択される金属か
    ら成るバッキングプレートと、 Ｉｂ族およびＶＩＩＩ族金属ならびにこれらの合金から成るグループから選択
    される部材から成り、前記ターゲットと前記バッキングプレートとの間に配置さ
    れる中間層と、 から成ることを特徴とするスパッターターゲットアセンブリ。
  19. 【請求項１９】前記中間層が約１〜１００μｍの厚さであることを特徴とす
    ることを特徴とする請求項１８に記載のスパッターターゲットアセンブリ。
  20. 【請求項２０】実質的に銅または銅合金から成るターゲットと、バッキング
    プレートと、および前記ターゲットと前記バッキングプレートとの間に配置され
    るＡｇまたはＡｇ合金の中間層とを有し、前記ターゲットが約１０〜３０μｍの
    結晶粒径を有することを特徴とするスパッターターゲットアセンブリ。
  21. 【請求項２１】前記粒径が約１５〜２０μｍの範囲にあり、前記ターゲット
    とバッキングプレートとが前記中間層に沿って互いに拡散接合されることを特徴
    とする請求項２０に記載のスパッターターゲットアセンブリ。
  22. 【請求項２２】前記バッキングプレートがＡｌまたはＡｌ合金から成ること
    を特徴とする請求項２１に記載のスパッターターゲットアセンブリ。
  23. 【請求項２３】実質的にＣｏまたはＣｏ合金から成るターゲットと、バッキ
    ングプレートと、および前記ターゲットと前記バッキングプレートとの間に配置
    されるＡｇまたはＡｇ合金の中間層とを有し、前記ターゲットが約６０％以上の
    貫通磁束を有することを特徴とするスパッターターゲットアセンブリ。
  24. 【請求項２４】前記バッキングプレートがＡｌもしくはＡｌ合金またはＣｕ
    もしくはＣｕ合金を含み、前記ターゲットと前記バッキングプレートとが前記中
    間層に沿って互いに拡散接合され、前記ターゲットが約６５％以上の貫通磁束を
    有することを特徴とする請求項２３に記載のスパッターターゲットアセンブリ。
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