KR20010101225A - 확산 점착된 스퍼터 타켓 조립체 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본원은 저온의 확산 점착 방법과 이 방법에 의하여 점착되는 타켓/백킹판 조립체에 관한 것이다. 상기 방법에 따라서, 동 및/또는 코발트 타켓(12)은 그룹 Ib 또는 그룹 Ⅷ 금속으로 구성된 그룹으로 부터 선택되는 내부층(14)을 사용함으로써 백킹판 부재(16)에 점착된다. 상기 내부층(14)은 타켓(12)과 백킹판(16)의 점착면사이에 개재되며, 상기 조립체(10)는 약 190℃-400℃의 저온에서 확산 점착된다. 이러한 방법은 동 타켓의 경우에 바람직하지 못한 입자 성장을 발생시키지 않으면서 상기 점착된 조립체의 강도를 증가시킨다. 코발트 타켓이 본 발명에 따라서 점착될 때에는, 강한 점착이 성취되면서 자기 관통 플러스와 같은 바람직한 자기 성질이 유지된다.

Description

확산 점착된 스퍼터 타켓 조립체 및 그 제조 방법{Diffusion bonded sputter target assembly and method of making same}
스퍼터 타켓으로부터 바람직한 표면에 재료의 막 또는 얇은 층을 침착시키기 위하여 음극 스퍼터링이 널리 사용되고 있다. 기본적으로, 상기 스퍼터 타켓을 포함하는 음극 조립체는 불활성 가스, 양호하게는 아르곤으로 충전된 챔버에서 양극과 함께 위치된다. 이러한 바람직한 기판은 음극 조립체와 양극사이의 경로에 대하여 수직으로 배치된 수용 표면을 가지고 양극 근처의 챔버에 위치된다. 높은 전압의 전기장은 음극 조립체와 양극을 가로질러서 적용된다.
상기 음극 조립체로부터 방출되는 전자는 불활성 가스를 이온화시킨다. 그다음, 상기 전기장은 스퍼터 타켓의 스퍼터링 표면에 대하여 불활성 가스를 양으로 충전된 이온으로 추진시킨다. 이온의 충격에 의하여 스퍼터 타켓으로부터 이동되는 재료는 상기 챔버를 가로지르며, 얇은 층 또는 막을 형성하기 위하여 기판의 수용 표면위에 침착된다.
알루미늄 또는 동 베이스의 백킹판에 부착되는 고순도의 금속 또는 금속 합금의 스퍼터 타켓은 예를 들면 반도체 장치와 같은 기판위에 박막을 침착시키는데 통상적으로 사용된다. 이러한 스퍼터 타켓 조립체는 스퍼터 장치에 타켓 재료의 기계적이면서 전기적인 부착을 제공하고, 적절한 스퍼터 챔버의 분위기 상태에 진공 밀봉면을 제공하며, 또한 스퍼터 침착동안에 타켓 재료의 효과적인 냉각을 위하여 열제거 경로를 통상적으로 제공한다.
이러한 스퍼터 타켓은 열 에너지로서 스퍼터링 타켓에 부여되는 가스 이온을 충격시키는 운동 에너지에 의하여 스퍼터링 공정동안에 가열된다. 이러한 열은 스퍼터링 표면에 대향된 간섭부를 따라서 스퍼터 타켓에 점착되는 백킹판 주위 또는 그 아래에서 통상적으로 순환되는 냉매에 의해 열교환되어 분산된다.
동과 그 합금은 이들의 높은 전기 전도성과 우수한 이동 저항으로 인하여 ULSI 금속화용의 상호 연결된 재료로 사용되는 것이 증가되고 있다. Cu의 상호 연결부는 보다 빠른 속도와 양호한 성능 및 보다 신뢰성이 있는 상호연결 장치를 발생시킨다. 고순도의 동 타켓은 이들의 향상된 집적회로 장치를 제조하기 위하여 Si 웨이퍼위에 Cu 박막을 스퍼터 침착하는데 사용된다. 이와 같이, 상기 Cu 타켓은 막의 균일성과 일치성, 전기 도전성, 단계의 적용범위등과 같은 많은 Cu막 성질을 결정하는데 중요한 역활을 한다.
현재, Cu 타켓은 납땜 점착 또는 고온의 확산 점착에 의하여 경량 및 고온의 도전성 백킹판에 점착된다. 그러나, 이러한 조인팅 기술은 문제점이 없는 것은 아니다. 예를 들면, 납땜 점착된 Cu 타켓/백킹 판의 점착 강도는 통상적으로 낮고, 타켓이 스퍼터될 때에 온도가 증가함에 따라서 부가로 감소된다. 또한, 통상적으로 사용되는 땜납은 낮은 용융점과 높은 증기압을 가지고 있으며, 따라서 이들은 스퍼터링 공정동안에 웨이퍼 오염의 잠재적인 소스 구성한다. 통상적인 땜납 점착은 약 4.000 psi(28 Mpa)의 스퍼터/백킹판 조립체 점착 강도를 발생시킨다.
확산 점착은 백킹판에 스퍼터 타켓을 점착하기 위한 양호한 방법이다. 그러나, 상기 Cu 타켓 및 이들의 관련된 Al 또는 Al 합금 백킹판사이의 확산 점착 강도는 Cu 및 Al이 이들 사이의 몇몇의 부서지기 쉬운 합성물을 형성한다는 사실로 인하여 극도로 약해진다. 이러한 점에 대하여, 하나의 통상적으로 사용가능한 Cu/Al 타켓 백킹판 조립체가 6.2-7.9 ksi(42 Mpa-54.4 Mpa)사이의 점착 강도를 가질지라도, 상기 Cu 및 Al 또는 Al 합금사이의 통상적인 점착 강도는 약 2,000 psi(14 Mpa) 내지 약 5,000 psi(35 Mpa)의 범위를 가진다.
이러한 문제점을 해결하기 위하여, Ni 내부층을 가진 Al 백킹판에 Cu의 고온 확산 점착을 시도하는 것이 제안되었다. 이러한 방법은 고온의 점착 강도를 반복적으로 발생시키지만, 사용되는 고온(즉, 약 400 -600 ℃)은 제 2의 재결정화에 의해서 바람직하지 못한 타켓 입자 성장을 발생시킨다. 이러한 점은 스퍼터 성능에 바람직하지 못한 악영향을 미친다. 결과적으로, 이러한 타켓/백킹판 조립체로 스퍼터되는 막은 불량스러운 막의 균일성과 시트 저항의 변동을 받게 된다. 또한, 이러한 형태의 점착은 스퍼터링 공정동안에 특정 방출에서 바람직하지 못한 증가를 발생시킬 수 있다.
또한, 코발트 타켓은 반도체 금속화용의 다양한 막과, 서브미크론의 반도체 및 낮은 저항의 접촉부위에 살리사이드 층(salicide layer)을 형성하기 위하여 상기 스퍼터링 공정에 통상적으로 사용된다. 이러한 적용에서, 상기 스퍼터 타켓의 바람직한 자기 성질은 균일한 코팅 침착에서 발생하기 위하여 스퍼터 챔버에서 향상된 플라즈마 균일성을 제공하도록 유지되는 것이 중요하다. 이들과 관련된 백킹판에 대한 Co 타켓의 고온 점착은 침투성 및 관통 플럭스와 같은 Co의 자기 성질에서 저하를 발생시킬 수 있고, 침투성을 상당히 증가시키며 또한 관통 플럭스를 감소시킨다.
따라서, 중요한 Cu 타켓의 입자 성장을 발생시키지 않는 백킹판 인장 강도에 대하여 수용가능한 타켓에 발생될 수 있는 관련된 백킹판에 Cu 타켓을 점착시키는 방법이 본 기술에 필요하다.
이와 유사하게, Co 타켓의 바람직한 자기 성질에 악영향을 주지 않으면서 타켓과 백킹판 사이의 중요한 점착 또는 인장 강도를 제공할 수 있는 관련된 백킹 구조에 Co 타켓을 점착시키기 위한 방법을 제공하는 것이 본 기술분야에 필요하다.
본 발명은 물리적인 증착 박막 코팅용 스퍼터 타켓 조립체와 그 제조 방법에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 타켓과 백킹판(backing plate)의 점착된 표면 사이에 있게 되는 Ib 그룹 또는 Ⅷ 그룹의 중간 점착을 용이하게 하는 층을 가진 백킹판 조립체에 확산 점착되는 Cu 또는 Co 금속 타켓 및 이들의 합금에 관한 것이다.
도 1은 본 발명에 따라서 제조되는 스퍼터 타켓/백킹판 조립체의 개략적인 사시도.
도 2는 본 발명에 따라서 준비되는 타켓/백킹판 조립의 점착 강도와, 종래의 점착 기술에 따라서 제조되는 타켓/백킹판 조립의 점착 강도를 도시하는 그래프.
도 3은 본 발명에 따라서 백킹판에 점착되는 Cu 타켓의 평균입자 크기와, 고온의 확산 점착에 의하여 준비되는 Cu 타켓의 평균입자 크기를 도시하는 그래프.
이러한 목적 및 다른 목적은 본원에 설명되는 방법 및 구조적인 조합에 의해 만족된다.
본 출원인은 Cu 및 Co 타켓(및 Cu 및 Co의 합금을 포함하는 타켓)이 Cu 타켓의 경우에 점착동안에 중요한 Cu 입자 성장을 발생시키지 않고, 그리고 Co 타켓이 점착될 때에 타켓의 관통 플러스와 자기 침투성의 감소를 발생시키지 않고 관련된백킹판 부재에 성공적으로 확산 점착될 수 있다는 것을 알았다.
상술된 방법들은 확산 점착을 사용하여서 백킹판에 스퍼터링 타켓을 결합시키는데 사용되며, Ag 또는 Ag 합금(또는 Au 및 이들의 합금과 같은 다른 IB 요소, 또는 Pd,Pt 및 이들의 합금과 같은 Ⅷ 요소)가 이들 사이에 층을 이룬다. 결과적으로, 바람직하지 못한 제 2의 결정화, 비정상적인 입자 성장 및 결정조직의 악화는 타켓의 원래 미세조직 및 물리적인 성질이 얻어지는 동안에 감소된다. Ag 또는 Ag 합금 내부층으로서, 상기 확산 점착 온도는 190 내지 400℃ 사이로 감소될 수 있다.
이러한 방법에서, 13,000 psi(90 Mpa)의 높은 점착 강도는 모 재료(parent material)와 점착 홈의 표면 가공 및 표면 세척 또는, 표면 거칠기, 내부층의 두께 , 점착 온도 및 시간을 포함하는 적절한 인자를 사용하여서 Cu 타켓과 Al 합금 백킹판 사이에서 성취된다. 상기 Ag 또는 Ag 합금 내부층은 스퍼터 침착, 전기 도금, 플라즈마 코팅 및 바람직한 경계면의 점착 영역을 따라서 포일층(foil layer)의 위치를 포함하는 다른 방법에 의하여 타켓 또는 백킹판 또는 이들 둘다의 바람직한 점착 표면위에 침착될 수 있다. 이러한 바람직한 Ag 또는 Ag 합금 내부층의 두께는 약 1 미크론 내지 100 미크론사이이다. 상기 타켓 및 백킹판의 점착은 뜨거운 등압성형(HIP;hot isostatic pressing), 진공 성형, 가압 성형 또는, 저온 또는 중간 온도에서의 다른 방법을 포함하는 다양한 방법중의 하나를 사용하여서 성취될 수 있다.
Co 및 Cu 타켓(이러한 금속을 포함하는 합금)은 본 발명에 따라서 Al 및 Al합금 백킹판 또는 Cu 및/또는 Cu 합금 백킹판에 점착될 수 있다.
다음은, 본 발명을 첨부된 도면을 참고로 하여서 설명한다.
본 발명에 따라서, 타켓 및 백킹판이 준비된다. 그 다음, 조립체를 형성하기 위하여 타켓과 백킹판의 점착 표면사이에 점착 내부층이 개재된다. 이러한 점착 내부층은 그룹 Ib 및 그룹 Ⅷ으로 부터 선택되는 금속과, 이것의 합금을 포함한다.
그 다음, 상기 조립체는 타켓 점착 표면과 백킹판 점착 표면의 경계면을 따라서 상기 타켓과 백킹판을 함께 확산 점착시키기 위하여 선택되는 온도 및 압력 상태하에서 강화된다. 이러한 점착 내부층은 금속 포일의 형태로 제공될 수 있거나, 또는 이것은 점착 표면의 하나 또는 둘다를 코팅함으로써 제공될 수 있다. 전형적인 코팅 방법은 스퍼터 코팅, 플라즈마 스프레이 및 전기 도금을 포함한다. 이 때에 상기 내부층을 스퍼터 코팅하는 것이 양호하다.
상기 확산 점착동안에 사용되는 온도는 약 190℃- 약 400℃ 정도이고, 보다 양호한 범위는 약 250℃-400℃이다. 압력은 약 10-30 ksi정도이고, 보다 양호한 범위는 10-20 ksi이다. 양호하게는, 상기 내부층은 은 또는 은 베이스의 합금으로 구성되는 것이다.
상기 점착 표면은 먼저 기계류의 오일, 지문등을 제거하기 위하여 요구되는 표면에 아세톤, 이소프로필 알코올, 비누 및 물 등과 같은 탈지 합성물을 포함한다.
그 다음, 상기 타켓 및 백킹판의 점착 표면중의 하나 또는 둘다는 점착이전에 거칠은 처리를 하게된다. 즉, 상기 표면중의 하나는 홈이 확산 점착될 표면중의 하나에 폐쇄된 루프 형상 또는 패턴으로 제공되는 미국 특허 제 5,230,459 호의 명세서에 따라서 처리될 수 있다. 또한, 거칠은 처리는 입자 블라스팅(blasting), 쇼트 피닝(shot peening), 에칭, 스틸 브러쉬 연마 또는, 다른 방법을 포함하는 다른 잘 공지된 기술에 의하여 점착 표면중의 하나 또는 둘다에 제공될 수 있다.
선택적인 세척 및 거칠은 단계이후에, 바람직한 내부층은 서로 경계면의 점착 표면중의 하나 또는 둘다에 적용된다. 동 타켓이 Al 또는 Al 6061과 같은 Al 합금에 점착되는 경우에, 스틸 브러쉬는 타켓의 점착 표면에 적용되는 내부층으로 상기 백킹판을 거칠게 하는데에 사용된다.
상기 타켓, 내부층 및 백킹판의 확산 점착은 HIPing 및 진공의 고온 성형을 포함하는 다양한 기술에 의하여 성취될 수 있으며, 상기 확산 점착이 상술된 바와 같은 저온 인자에 의하여 성취되는 것을 제공한다. 상기 HIPing 기술에 대해서는,캔 조립체가 HIP 챔버에 위치되고, 선택된 시간 주기동안에 소정의 온도와 압력에서 HIPing 공정을 겪게된다. 상기 캔 조립체는 통상적으로 아르곤인 가스를 가압함으로써 모든 측부로부터 동일한 압력에 있게 된다. 상기 HIP 공정을 위하여 사용되는 특정의 상태는 타켓, 내부층 및 백킹판사이의 견고한 확산 점착을 성취하기 위하여 필요한 요구를 만족시키기 위하여 선택된다.
상기 양호한 HIP 공정에서, 상기 캔 조립체는 약 3시간의 주기동안에 15 ksi의 압력에서 약 350℃의 온도에 노출된다. Cu 타켓과 Al 백킹판사이에서 약 14 ksi와 만큼 큰 인장 강도를 가지는 확산 점착은 상기 방법에 따라서 성취된다. 또한, 상기 방법은 Cu 타켓의 초과적인 재결정화 또는 비정상적인 입자 성장을 발생시키지 않는다. 본 발명에 따라서 점착되는 동 타켓의 평균 입자크기는 약 15-20 미크론 정도로 된다.
본 발명에 따른 Al 6061에 대한 코발트의 확산 점착은 약 14 ksi의 증가된 인장 점착 강도를 발생시키고, 이 방법에 따라서 점착되는 코발트 타켓은 플럭스를 관통하는 적어도 약 60% 자기 관통 플럭스를 나타내며, 대부분은 65%의 자기 관통 플럭스를 얻게 된다.
사용될 수 있는 고온 등압 성형 방법에 관한 부가의 상세한 설명은 본원의 공통의 양수인에게 양도된 미국 특허 제 5,234,487 호 및 제 5,230,459 호에 기재되어 있다. 이들 특허의 설명은 참고로 본원에 합체된다.
바람직한 확산 점착을 형성하기 위한 다른 방법은 미리 가열된 타켓, 내부층 및 백킹판이 진공 챔버에 위치되고, 그 다음 점착을 촉진시키기 위하여 가압되는진공 고온 성형이다. 이러한 점착 작동동안에 적용되는 압력은 넓은 범위에 걸쳐서 변화될 수 있다. 진공 고온 성형에 부가하여서, 고온 성형 또한 환원 가스 또는 불활성 가스 형태로 도입될 수 있다.
동 타켓은 본 발명에 따라서 Al 6061 백킹판에 점착되고, 코발트 타켓은 약 3시간의 주기 동안에 15 ksi의 압력에서 약 350℃에 실행되는 HIPing 상태에 따라서 Al 6061 백킹판에 성공적으로 확산 점착된다. 따라서, 이러한 시간, 온도 및 압력 상태는 양호한 것이다.
은 및 은 합금의 내부층의 사용이 양호할지라도, 금, 팔라듐, 및/또는 플라티늄과 같은 다른 내부층의 재료가 사용될 수 있다.
도 1에 도시된 바와 같이, 도 1은 본 발명에 따라서 저온의 확산 점착 스퍼터 타켓/백킹판 조립체를 개략적으로 도시하는 사시도이다. 여기에서, 상기 스퍼터 타켓 조립체(10)는 개입된 내부층(14)을 사용하여서 상기 백킹판(16)에 점착되는 타켓(12)을 포함한다. 상기 타켓과 내부층과 백킹판사이의 점착은 상호 확산 형태이며, 여기에서 상기 타켓판(12)은 내부층(14)에 결합되며, 상기 내부층(14)은 백킹판(16)에 결합된다.
실시예
다음은, 본 발명을 특정 실시예에 따라서 설명한다. 이러한 설명은 예시적인 것이지, 본 발명을 제한하도록 구성된 것은 아니다.
실시예 1- 동 타켓
5N Cu 타켓이 Al 6061 합금의 백킹판에 확산 점착된다. Ag 내부층은 스퍼터증착 방법에 의하여 백킹판의 점착면에 적용된다. 이러한 조립체는 약 3시간의 주기동안에 15 ksi에서 350℃의 온도에서 HIPing에 의하여 확산 점착된다.
상기 확산 점착된 조립체에서의 타켓의 입자 크기가 측정되어서, 15-20 미크론의 범위로 됨으로써, 바람직하지 못한 입자 성장이 점착 공정동안에 발생되지 않는다는 것을 증명하고 있다. 상기 확산 점착 조립체에 대한 인장 테스트는 상기 점착 강도가 약 14 ksi의 평균으로 있게 된다는 것을 증명하고 있다.
실시예 2-코발트 타켓
코발트 타켓은 스퍼터링을 통하여 백킹판에 침착되는 Ag 증간층으로 Al 6061 합금 백킹판에 확산 점착된다. 상기 조립체는 약 3시간의 주기동안에 15 ksi의 350℃에서 HIPing에 의하여 확산 점착된다. 평균적으로 약 14 ksi의 점착 강도가 발생되고, Co타켓의 자기 관통 플럭스를 관통하는 자기가 측정되어서 평균적으로 약 65%을 나타내게 된다.
실시예 3-비교
도 2는 내부층을 사용하지 않고 Cu 타켓/Al 6061 확산 점착된 조립체와, 실시예 1에 따라서 점착된 종래의 납땜 점착된 Cu/Al 6061 조립체 및 Cu/Al 6061 조립체사이에서의 점착 강도를 비교하는 것을 도시한다. 내부층이 없는 조립체는 실시예 1에서 상술한 바와 같은 동일한 시간, 온도 및 압력 상태하에서 HIP된다. 상기와 같은 납땜 점착 비교를 위하여, 종래의 Sn/Ag 납땜이 사용된다.
도 3은 450℃, 3시간, 15 ksi의 HIPing상태하에서 실행되는 백킹판에 타켓의 종래의 고온 확산 점착을 거쳐서 Al 6061 합금 백킹판(즉, 내부층이 없는)에 점착되는 Cu 타켓의 평균 입자크기를 도시한다. 이것은 점착 단계동안에 발생되는 Cu 타켓의 바람직하지 못한 입자 성장을 도시하는 것이다. 상기 그래프에 도시된 것과는 대조적으로, 실시예 1의 방법에 따라서 점착된 Cu 타켓의 평균 입자 크기는 20미크론 이하이다.
본 발명의 몇몇 실시예를 도시하고 설명하였지만, 첨부된 청구범위에서 정의된 바와 같이 본 발명의 정신과 범위로 벗어나지 않고 어떠한 변화 또는 수정이 이루어질 수 있다.

Claims (24)

  1. 점착된 스퍼터 타켓 및 백킹판 조합을 형성하기 위한 방법에 있어서,
    (a) 상기 타켓이 Cu 및 Co 및 그 합금으로 구성된 그룹으로 선택되는 금속으로 구성되는 점착표면을 구비하는 타켓을 제공하는 단계와,
    (b) 상기 백킹판이 Al 및 Cu 및 그 합금으로 구성된 그룹으로 선택되는 금속으로 구성되는 점착표면을 구비하는 백킹판을 제공하는 단계와,
    (c) 상기 타켓의 점착면과 백킹판의 점착면이 서로에 대하여 인접하게 될 수 있도록 상기 타켓과 백킹판을 위치시키는 단계와,
    (d) 조립체를 형성하기 위하여 상기 타켓과 백킹판의 점착면 사이에서 있으며 그룹 Ib와 그룹 Ⅷ 금속과 그 합금으로 부터 선택된 금속을 포함하는 점착 내부층을 제공하는 단계와,
    (e) 상기 타켓과 백킹판을 함께 확산 점착하기 위하여 고형화 상태의 온도 및 압력에 상기 조립체를 노출시키는 단계를 포함하고,
    상기 온도는 약 190℃- 약 400℃사이에 있게되는 점착된 스퍼터 타켓 및 백킹판 조합을 형성하기 위한 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 점착 내부층은 약 5 내지 약 100미크론의 두께를 가지는 금속 포일(foil)인 점착된 스퍼터 타켓 및 백킹판 조합을 형성하기 위한 방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 내부층은 적어도 하나의 점착면에 코팅을 제공함으로써 적용되는 점착된 스퍼터 타켓 및 백킹판 조합을 형성하기 위한 방법.
  4. 제 2 항에 있어서, 상기 코팅은 스퍼터 코팅에 의하여 적용되는 점착된 스퍼터 타켓 및 백킹판 조합을 형성하기 위한 방법.
  5. 제 2 항에 있어서, 상기 코팅은 플라즈마 스프레이에 의하여 적용되는 점착된 스퍼터 타켓 및 백킹판 조합을 형성하기 위한 방법.
  6. 제 2 항에 있어서, 상기 코팅은 전기도금에 의하여 적용되는 점착된 스퍼터 타켓 및 백킹판 조합을 형성하기 위한 방법.
  7. 상기 단계 (e)이전에 상기 점착면중의 적어도 하나를 거칠게 가공하는 단계를 또한 포함하는 점착된 스퍼터 타켓 및 백킹판 조합을 형성하기 위한 방법.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 단계 (e)는 고온 등압 성형(HIP)을 포함하는 점착된 스퍼터 타켓 및 백킹판 조합을 형성하기 위한 방법.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 단계 (e)는 진공의 고온 가압성형을 포함하는 점착된 스퍼터 타켓 및 백킹판 조합을 형성하기 위한 방법.
  10. 제 1 항에 있어서, 상기 단계 (e)에서의 압력은 약 10-30 ksi인 점착된 스퍼터 타켓 및 백킹판 조합을 형성하기 위한 방법.
  11. 제 1 항에 있어서, 상기 단계 (e)에서의 온도는 약 250℃-약 400℃인 점착된 스퍼터 타켓 및 백킹판 조합을 형성하기 위한 방법.
  12. 제 1 항에 있어서, 상기 타켓은 Cu 또는 Cu 합금으로 구성되고, 백킹판은 Al으로 구성되는 점착된 스퍼터 타켓 및 백킹판 조합을 형성하기 위한 방법.
  13. 제 12 항에 있어서, 상기 단계 (e) 이후에는, 상기 타켓은 약 10-30㎛의 사이의 입자 크기를 가지는 점착된 스퍼터 타켓 및 백킹판 조합을 형성하기 위한 방법.
  14. 제 12 항에 있어서, 상기 입자의 크기는 약 15-20㎛사이인 점착된 스퍼터 타켓 및 백킹판 조합을 형성하기 위한 방법.
  15. 제 1 항에 있어서, 상기 타켓은 Co 또는 Co합금으로 구성되는 점착된 스퍼터 타켓 및 백킹판 조합을 형성하기 위한 방법.
  16. 제 15 항에 있어서, 상기 단계 (e) 이후에 상기 타켓은 약 60% 이상의 자기 관통 플럭스를 가지는 점착된 스퍼터 타켓 및 백킹판 조합을 형성하기 위한 방법.
  17. 제 16 항에 있어서, 상기 자기 관통 플럭스는 약 65% 이상인 점착된 스퍼터 타켓 및 백킹판 조합을 형성하기 위한 방법.
  18. Cu와 Co 및 그 합금의 그룹으로 선택되는 금속으로 구성된 타켓과,
    Al과 Cu 및 그 합금으로 구성된 그룹으로 선택된 금속을 포함하는 백킹판 및,
    상기 타켓과 백킹판사이에 위치되어 있으며, 그룹 Ib 및 그룹 Ⅷ 금속 및 그 합금으로 구성된 그룹으로 선택된 부재를 포함하는 내부층을 포함하는 스퍼터 타켓 조립체.
  19. 제 18 항에 있어서, 상기 내부층은 약 1 내지 100 미크론 두께인 스퍼터 타켓 조립체.
  20. 기본적으로 동 또는 동합금으로 구성된 타켓과 백킹판과, 상기 타켓과 백킹판사이에 위치된 Ag 또는 Ag합금의 내부층을 포함하고, 상기 타켓은 약 10-30㎛의 입자크기를 가지는 스퍼터 타켓 조립체.
  21. 제 20 항에 있어서, 상기 입자 크기는 약 15-20㎛ 사이이며, 상기 타켓과 백킹판은 상기 내부층을 따라서 서로에 대하여 확산 점착되는 스퍼터 타켓 조립체.
  22. 제 21 항에 있어서, 상기 백킹판은 Al 또는 Al합금을 포함하는 스퍼터 타켓 조립체.
  23. 기본적으로 Co 또는 Co 합금으로 구성된 타켓과, 백킹판 및, 상기 타켓과 백킹판사이에서 Ag 또는 Ag 합금의 내부층을 포함하며, 상기 타켓은 약 60% 이상의 자기 관통 플럭스를 구비하는 스퍼터 타켓 조립체.
  24. 제 23 항에 있어서, 상기 백킹판은 Al 또는 Al 합금 또는 Cu 또는 Cu 합금을 포함하고, 상기 타켓과 상기 백킹판은 상기 내부층을 따라서 서로 확산 점착되고, 상기 타켓은 약 65% 이상의 자기 관통 플럭스를 구비하는 스퍼터 타켓 조립체.
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