TW533481B - Substrate processing apparatus, conveying unit thereof, and semiconductor device fabricating method - Google Patents

Substrate processing apparatus, conveying unit thereof, and semiconductor device fabricating method Download PDF

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Tatsuhisa Matsunaga
Hiroshi Sekiyama
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Hitachi Int Electric Inc
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Description

>33481 A7 _ "______________B7 五、發明説明（1 ) 曼1領域 本發明關於一種基材加工裝置、其輸送單元及使用該 装置之半導體元件製造方法，更特別相關於一種使用在基 材加工裝置之密封腔室中之輸送單元，以及使用該裝置之 半導體元件製造方法。 fea背景 ^ 一般地，基材加工裝置被用來在一半導體晶圓上形成 諸如絕緣膜或金屬膜之化學蒸氣沉積（CVD)膜，或是擴散 不純物至晶圓上。 在美國專利第5,571，33〇號中有提供一種傳統的基材 加工裝置’其係揭露-供垂直型熱處理裝置用之裝載鎖腔 至。裝載鎖腔室被配置在垂直型熱處理裝置的處理腔室下 方’並且可以在不透氣的條件下裝人用以將晶圓置放置處 理腔室中之晶舟，且穿過處理腔室的下部分從處理腔室將 晶舟卸下。 裝載鎖腔室藉由包括-具有不同尺寸且連接其間之構 件的第-與第二伸縮軟管的可垂直伸長/收縮之中空結構 而被形成。當中空結構被最大地收縮時，第—與第二伸縮 軟管在連接構件中被可伸縮地套裝。中空結構的開口上部 端被與位於其上之處理腔室密封_和，而其下部端藉由 -晶舟被安裝至其上之可移動構件而被氣密地關閉。連接 構件與可移動構件被與位在外側之升降機構與中空結構接 合’使得被安裝在中空結構内側之晶舟可以藉由被^其密 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（210X297公楚） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、可_ 4 533481 A7 _____B7 _ 五、發明説明（2 ) 封地隔絕之升降機構驅動而向上與向下地移動。 然而，上述供垂直型熱處理裝置用之裝載鎖腔室具有 一重要的缺陷。若垂直型熱處理裝置加工一具有直徑3〇〇 mm的晶圓時，第一與第二伸縮軟管的直徑必須分別大於 400 nm與500 nm，包括400 nm與500 nm兩者。在該情況 下，每當第一與第二收縮軟管在真空狀態下時，因為在大 軋壓力（1 kgf/cm2，或約98 kPa)與各收縮軟管的真空壓力 之間的壓力差，所以約2000kgf (約20000 N)與1200kgf (約 12000 N)的力量就會分別作用在第一與第二收縮軟管上。 結果，當被垂直型熱處理裝置加工之晶圓具有3〇〇 mm的直 徑時，應该要採用一非常大尺寸的驅動機構來驅動裝載鎖 腔室之可垂直伸長/收縮機構。 曰本專利公告公開案第p10-18187〇號揭露一種用在傳 統基材加工裝置中不同型式的輸送器。密封封閉之輸送器 包括一被包含在密閉外殼中之支撐物來支撐物件，以及一 用以驅動支撐物之驅動機構。密閉外殼包括一輸送空間與 -驅動機構外蓋空間，其中一導電佈線被設置。兩個空間 藉由第-伸縮軟管與第二伸縮軟管而被相互密封地分離， 使得在輸送空間中與驅動機構外蓋空間中的壓力被獨立地 控制。 可被預期的是採用上述供晶舟升降機構用在垂直型熱 處理裝置中垂直地移動晶舟之經密封封閉的輸送器。然 在該情況中，為了下列目的：保護第-與第二收縮軟 管免於由於在各收縮軟管的内側與外側間之壓力差所造成 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（2〗0Χ297公复）
裝— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、?τ. 533481 五、發明説明（ 其可能的變形；以及單獨收縮與伸長第-與第二收縮軟 管，第-與第二伸縮軟管之内部壓力需要根據在裝载鎖腔 室内之壓力變化而被控制。然而，為了達成上述目的，— 預期的壓力控制閥系統及其控制系統應該被採用。 曼明之概要說明 所以，本發明的主要目的在於提供一具有實用尺寸之 晶舟升降機構使得可以對其採用簡單的控制計劃之基材加 工裝置。 〃在本發明之另-層面中，提供有一基材加工裝置，其 係包括··-用以加工基材之處理腔室；一相鄰於處理腔室 而被配置之密封腔室；一可移動構件，係被配置在密封腔 室内側，用以支播基材；一可伸長/收縮結構，係包括分別 設置在可移動構件之兩相對侧邊上之第一可伸長/收縮構 件與第二可伸長/收縮構件，其中第一與第二可伸長/收縮 構件的内部與密封腔室的外部連通；以及一驅動構件，係 被》又置在可伸長/收縮結構中，用以移動可移動構件，其中 驅動構件藉由可伸長/收縮結構而與密封腔室的内部空間 隔離。 一在本發明之另-層面中，提供有一種使用包括一密封 [至處理腔室、及一定置在密封腔室中的基材輸送單 =之基材加工裝置之半導體元件製造方法，其中基材輸送 皁元包括a) 一用以支撑晶舟之可移動構件；b)第-與第二 可伸長/收縮構件，係分別設置在可移動構件之兩相對側邊 本紙張尺度適财關家辟（⑽）A4規格（2wx297公爱）
(請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂— 線........ 6 533481 A7 -----_ Β7 __ 五、發明説明（4 ) 上，該第一與第二可伸長/收縮構件的内部係與内部環境連 通；以及C) 一驅動構件，係被設置在第一與第二可伸長/收 縮構件中，用以移動可移動構件，驅動構件係藉由第一與 第二可伸長/收縮構件而與密封腔室之内部空間隔離，該方 法係包括下列步驟：將至少一個基材裝入停在密封腔室中 之晶舟中；藉由使用基材輸送單元而從密封腔室將晶舟裝 入處理腔室中；以及處理該至少一個在晶舟中之基材。 在本發明之另一層面中，提供有一被使用在密封腔室 中之輸送單元，該輸送單元係包括：一被配置在密封腔室 中的可移動構件，該可移動構件係支撐物件；分別被設置 在可移動構件之兩相對側邊上之一第一可伸長/收縮結構 與一第二可伸長/收縮結構，其中第一與第二可伸長/收縮 結構的内部分別與密封腔室之外部連通；以及一驅動構 件，係被設置在第一與第二可伸長/收縮結構中，用以移動 可移動構件，其中驅動構件藉由第一與第二可伸長/收縮結 構而與密封腔室之内部空間隔離。 I式之簡短說明 本發明上述與其他目的與特徵將會因為連同附呈圖式 一起所提供之較佳實施例之下列說明而變得顯而易明，其 中： 第1圖表示根據本發明較佳實施例之批次型Cvd裝置 的截面平面圖； 第2圖為沿著第1圖之線段11-；[1所截取的截面側視圖； -- —一— --— ___________ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（21〇χ297公釐）
------------卜--I--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -、τ. -7 - 533481 A7 ___B7 五、發明説明（5 ) 第3圖表示沿著第1圖另一條線段ΠΙ-ΙΠ所截取的截面 側視圖； 第4圖描述晶舟升降器的部分展開側視圖； 第5A圖顯示沿著第4圖之線段a_a所截取的截面圖； 第5B圖描述沿著第4圖之線段b_b所截取的截面圖； 第5C圖提供沿著第4圖之線段c_c所截取的截面圖； 第5D圖例示根據本發明另一較佳實施例，對應於第5B 圖之截面圖； 第6圖陳述一顯示其中晶舟被裝入一處理腔室中之程 序階段的截面圖；以及 第7圖顯示第6圖的截面後視圖。 較佳實施例之詳細說明 參考第1至7圖，根據本發明較佳實施例之基材加工裝 置將會被詳細地說明。相似的標號在圖式中表示相似的部 件。 根據較佳實施例之基材加工裝置為一批次型垂直擴散 /CVD裝置1(其後稱為批次型CVD裝置），其係適於使用在 用以在一晶圓上形成例如一絕緣膜或一金屬膜之cvd膜 《CVD程序m以將不純物擴散至晶圓上之不純物擴 散程序中。批次型CVD裝置！採用一供晶圓輸送用之前開 一體艙箱（FOUP，其後稱為艙箱）。 在下列說明中’前、後、左與右側邊在第1圖所示之部 #基底上被定義。這也就說，前側邊就是開艙器Μ被定置 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（2Κ}χ297公釐）
、τ. (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝- 533481 A7 五、發明説明（6 ) 《位置處；後側邊就是裝載鎖腔室4被定置之位置處；左 ㈣就是清潔氣體單元37被定置之位置處；並且最後右側 邊就是晶圓傳送單元30之升降器36被定置之位置處。 如第1至3圖所示，批次型CVD裝置丨包括一蓋殼2。形 成:晶舟19位於此處之前室3於其中的裝載鎖腔室4被設置 在盍殼2之後側邊處。前室3為一能夠在其中維持亞大氣壓 力t密封外殼。裝載鎖腔室4為一個大到足夠將晶舟19容納 於其中之近似矩形箱體之形狀。一晶圓裝載/卸載開口5穿 過装載鎖腔至4的刚壁而被形成，其係藉由一閘門6選擇地 開啟或關閉。 一修復/檢驗開口 7貫穿裝載鎖腔室4而被形成。為了修 復或檢驗，一晶舟19透過修復/檢驗開口7而被裝入前室3 中或從則室3卸下，其係除了修復或檢驗之時通常會藉由另 一閘門8關閉。 如第3圖所示，一排氣管線9與一氣體供應管線1〇被單 獨地連接至裝載鎖腔室4之底部壁上。排氣管線9用來將前 室3排氣，使得其内部壓力減少在大氣壓力之下。氮（N2) 氣每當需要時會透過氣體供應管線10被導入前室3中。 如第2與3圖所示，一被活門12選擇地開啟或關閉之晶 舟裝载/卸載開口 11被形成在裝載鎖腔室4之頂板壁中。一 | 加熱器單元13在裝載鎖腔室4上被垂直地配置，並且一具有 被形成在其中之中空空間中的處理腔室14之處理管15被配 置在加熱器單元13内側。處理管15為一具有一封閉上部與 一開放下部之圓柱形狀且被與加熱單元13同心地配置於其 &氏張尺度適用?A4規格⑵0Χ297公爱)--—
(請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -訂— 533481 A7 ___ _B7 五、發明説明（7 ) 中。 處理管15被一位在裝載鎖腔室4之頂板壁上之支管16 支撐，並且氣體供應管線17與排氣管線18被連接至支管16 上，其中來源氣體或排出氣體透過氣體供應管線17被導入 處理腔室14中，並且處理管15透過排氣管線18被排氣。支 管16被與裝載鎖腔室4之晶舟裝載/卸載開口 ^同心地配 置。 用來垂直地移動晶舟19之輸送單元或晶舟升降器2〇被 配置在前室3之左後側處。晶舟升降器2〇包括一總導軌23 與一進給螺桿24,其係被垂直地配置在一上裝設板21a與一 下裝a又板2 2 a之間。總導執2 3引導一作為推進器之升降器台 25。升降器台25被與進給螺桿24螺旋搞和，使得升降器台 25可以在進給螺桿24被旋轉時沿著總導執23向上或向下地 移動。 為了便於平穩的操作與正確的退回，一球螺旋機構被 適當地應用在進給螺桿24與升降器台25之耦和上。進給螺 桿24的上邊緣部貫序地通過上裝設板2U與裝載鎖腔室4之 頂板壁，最後從前室3之頂部伸出。一被裝設在前室3外側 之馬達26被接合至進給螺桿24之上邊緣部上，藉此順時鐘 或逆時鐘地旋轉進給螺桿24。 手臂27從升降器台25之一侧邊水平地伸出，並且平 行手臂運轉之密封頂蓋28被配置在一被設置在手臂27之邊 緣部分處的垂直伸出構件上。密封頂蓋28垂直地支撐晶舟 19並用來氣密地關閉作為處理管15之鎔爐口的晶舟裝載/ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、?T— 10 533481 A7 -------- ---B7_ 五、發明説明（8 ) 卸载開口 11。晶舟19同心地收納大量的晶圓”W”(例如25、 5〇、1〇〇、125或150片晶圓）。接著，晶舟19與密封頂蓋28 —-------0裝…： (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 被曰θ舟升降器20升起或下降一致地被裝入處理管丨$之處理 腔室14中，或從處理管15之處理腔室14中卸下。 如第1與2圖所示’配置在外蓋2内側之晶圓傳送單元3 〇 被組構成傳送晶圓”W，，。晶圓傳送單元30具有旋轉致動器 31，其係驅動一被裝設於其上之第一線性致動器32，使得 第一線性致動器32可以在水平平面上旋轉。一第二線性致 動器33被裝設在第一線性致動器32上，其係水平地移動第 二線性致動器33。一移動台34被裝設在第二線性致動器％ 上’其係水平地移動該移動台34。 在移動台34上，若干的水平捏鉗35(在本實施例中為5 對）被以其間之等間距配置。每對捏钳35作來支撐被設置在 其上之晶圓” W”。晶圓傳送單元30被具有進給螺桿機構或 相似者之升降器36升起或降下。清潔空氣單元37相對於升 降器36而被配置。此外，第i圖的標號29表示一切口配合單 元。 如第1與2圖所示，另一晶圓裝載/卸載開口 38穿過外蓋 2的前壁而被形成，使得晶圓可以透其而被裝入外蓋2中， 或從外蓋2中取出。開艙器39被配置在晶圓裝載/卸載開口 38處。開艙器39具有一用於安裝一艙箱” p”於其上之裝載台 39a以及-頂蓋元件39b。頂蓋元件3外用來移除或恢復被安 裝在裝載台22上之艙箱，’p”的頂蓋，藉此開啟或關閉艙 箱”P”的晶圓通道。艙箱”P”藉由一諸如軌道引導運輸裝置 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210 X 297公爱^ --- 11 五、發明說明（9 )之艙相輸达系統（未顯示）而被供應至裝載台39a上， 或從裝載台39a上移除。 為々據4考第4至5D圖詳細地例示之較佳實施例，一作 Y第可伸出/收縮結構之第一收縮軟管41以及一作為第 a Z伸出/收縮結構之第二收縮軟管42分別被配置在升降 參之頂邛與底部上，其中總導執23以及進給螺桿24被容 納在由第一與第二收縮軟管41與42所定義之垂直延伸的内 部空間中。笛—你够一 、， 乐一興弟二收縮軟管41與42之内部空間與裝載 鎖腔室4的内部空間密封地隔離。 第一連通孔43穿過裝載鎖腔室4之頂板壁與上裝設 板21a而被形成。一第二連通孔亦穿過裝載鎖腔室*之底 邛壁以及下裝設板22&而被形成。第一與第二連通孔43與44 讓第與第一收縮軟管41與42的内部空間與環境獨立地連 ^使得由第一與第二收縮軟管41與42所定義之整個内部 空間可以被維持在大氣壓力下。 各第一與第二收縮軟管41與42被設置有水平第二連通 孔45(在此較佳實施例中有4片），其係被以垂直等距地配 置。強化片45用來避免第一與第二收縮軟管41與42從其垂 直或水平外觀變形。第5A圖所示之各強化片45為一其直徑 大於第一與第二收縮軟管41與42之直徑（第2圖）的薄圓盤 形狀。一脫離孔47與複數個導引孔48(在本較佳實施例中有 3個孔）貫穿各強化片而被形成，如第5B圖所示。總導執以 與進給螺桿24通過脫離孔47。 通過導引孔48,對應數量的辅助導軌49(在本較佳實施 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公董） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
•訂I 12 533481 A7 ----------B7 五、發明説明（1(^ ' --- 例中有3條辅助導執）在第一與第二收縮軟管4工與内側， 被垂直地配置在上與下裝設板2U與22&之間。強化片C沿 者辅助導執49平穩地向上與向下地滑動。因為辅助導執 49,所以強化片45可以在垂直方向上被安全地引導，而沒 有橫向的移動。 此外，升降台25具有一總導引孔25a、一螺旋孔25b、 及輔助導引孔25c。總導軌23平穩地通過總導引孔25a，而 各辅助導軌49平順地通過其對應之輔助導引孔25c。升降台 25經由螺旋孔25b，母螺旋，而與進給螺桿螺旋耦和。此外， 取代採用總導執23以及進給螺桿會通過大的脫離孔47，一 供總導執23用之主導引孔46，以及一供進給螺桿μ用之脫 離孔47a會被獨立地形成在強化片45上，如第5]〇圖所示。 藉由強化片45,第一收縮軟管41被分成複數個被以大 致相等長度垂直地配置之次收縮軟管部分41a(在本較佳實 施例中有5個部分）。次收縮軟管部分41a之上周邊被氣密地 固定在一被定置於其上方之強化片45的底部表面上，且其 下周邊被氣密地固定在另一被定置於其下部之強化片45的 頂部表面上。然而，最上面的次收縮軟管部分4丨&之上周邊 被固定在上裝設板21 a之底部表面上，而最下面的次收縮軟 管41 a之下周邊被固定在另一個被設置在升降台25上之上 裝設板2 lb的頂部表面上。第二收縮軟管42亦被分成複數個 次收縮軟管部分42a，各個次收縮軟管部分42a係被氣密地 固定至對應的強化片45、下裝設板22a與/或另一被設置在 升降台下方的下裝設板22b上。 本紙張尺度適用中國國家標準（®S) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
13 〜"+〇1 、發明說明 —收縮軟管接收部50被置於前室3之底部角落的凹入 P處’使彳于收縮軟管接收部50在第二收縮軟管42被完全地 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) I缩時可以接收第二收縮軟管。此即，其他的底部角落在 收縮軟管接收部5〇上方被升起直至一個例如僅准許晶舟19 的移動衝程之下限的程度，使得前室3之内部空間下降至對 應於升起部之量。如收縮軟管接收部50之周邊升起地一般 多，裝載鎖腔室4之底部壁掉到地面，藉此其之間提供一空 間51。電流箱52以及排氣管線9與氣體供應管線會被設置 在該空間51中。 、上述批次型CVD裝置被用來供根據較佳實施例之半 導體製造方法之用。#後，冑會說明一膜形成程序，其係 、?τ— 構成一部分根據較佳實施例之半導體元件製造方法的基材 加工方法。 C:· 複數片個其上將有一膜被形成之晶圓” w”被收納在艙 箱P中，並藉由輸送系統（未顯示）被傳送至批次型cvd裝 置1中。如第1與2圖所示，被輸送之艙箱”p”被安裝在裝載 台39a上。艙箱，，p”之頂蓋接著被頂蓋元件39b移除，使得艙 箱’’P”的晶圓入口被開啟。 在艙箱”P”的晶圓入口被開艙器39開啟之後，設置在外 蓋2内側之晶圓傳送單元的捏钳35從搶箱，，p”取起晶 圓’’W’’。在此時之後，捏鉗35同時會取起五片晶圓。接著， 捏鉗35將五片取起之晶圓通過其裝載/卸載開口％裝入外 蓋2中。在五片晶圓被晶圓傳送單元3〇裝入外蓋2之後，閘 門6會開啟裝載鎖腔室4之裝載/卸載開口5。之後，五片被 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（2】0Χ297公釐） 14 A7 ----_B7__ 五、發明説明（12 ) ------〜---- ==元30之捏钳35支播的晶圓藉由晶圓傳送單元-曰日®凌載/卸載開口 5而被裝進晶舟19中。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 其後’上述之進料操作被重覆來藉由晶圓傳送單元3〇 而將晶圓”W”從驗箱”p”移動到晶舟19。在進料操作期間， ，舟裝载/卸載開口 11被活門12關I使得前室3被保護 :，到處理管15之高溫狀態。所以’正被裝入或取出之晶 圓w被保β蒦免文到高溫狀態，使得任何因為暴露在高溫 $造成之諸如晶圓”w”的天然氧化仙之反作用可以被^ 如第1與2圖所示，若預定數量之晶圓” w”被裝進晶舟 B中時’晶圓裝載/卸載開口 5被閘門6關閉。此外，裝載鎖 腔室4之修復/檢驗開口 7被閘門8關閉，並且晶舟裝載/卸載 開口 11被活門12關閉。在上述裝載鎖狀態中，前室3透過排 氣管線9而被抽氣至真空，接著氮(N2)氣透過氣體供應管線 10而被導人其中，使得留在其中之氧氣或水氣被消除。因 為别室3的體積已經由於收縮軟管接收部5〇的上升周邊而 減少，所以儉省供真空排氣以及吹除氣體供應用的處理時 間。 在氧氣與水氣藉由真空排氣與吹除氣體供應而被從前 室3中移除之後，活門12開啟晶舟裝載/卸載開口 u，如第6 圖所示。接著，晶舟升降器20之升降器台25升起被密封頂 蓋28支撐之晶舟19，使得晶舟19被裝入處理管15之處理腔 室14中。在晶舟19到達晶舟19之移動衝程的上限時，支撐 晶舟19之密封頂蓋28之一上表面的周邊氣密地關閉晶舟裝 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公楚） 15 A7 A7
載開：ιι。因此’處理管15之處理腔室i4被密封地封 在此時之後，因為氧氣或水氣預先從前室3移除，確保 請 先 閲 讀 背 面 之 注 意 事 項 再 填 寫 本 頁 晶舟19被裝人其中的同時，氧氣或水氣避免被導入處理 腔室14中。 ° °〇' 白上移動而將晶舟19傳送至處理腔室14 保被包含在第-與第二收縮軟管41與42的内部空間中的氧 氣或水氣在上述收縮與伸長，特収H㈣⑽的收 縮期_被導入前室3中。為了相同理由，由總導軌& 升降器口 25之螺旋孔25b、與/或進給螺桿24的潤滑油所產 生之經蒸發氣體亦免於在上述第_與第二收縮軟⑽糾 之收縮或伸長期間污染前室3。 第收縮車人s 41與第二收縮軟管42分別被向上地收縮 與伸長。根據本發明，因為第—與第二連通孔^44分別 、十於第與第一收縮軟管41與42的内部空間提供大氣麼 力，所以第-_軟㈣的向上收縮與第二收縮軟管烟 向上伸長可以被輕易地達成。此外，因為第一與第二收缩 軟管41與42之中空内部空間與前室3密封地隔離。所以，確 接著，處理管15之氣密關閉的處理腔室14經由排氣管 線18被排氣降到預定壓力，接著處理腔室14被加熱器單元 13加熱至預定溫度。一處理氣體接著以預定流速經由氣體 供應管線17而被導入處理腔室14中，藉此在目前的加工條 件下在各晶圓”W”上形成一層所欲膜。 經過預定加工時間之後，晶舟升降器2〇之升降器台25 將晶舟19下降，使得容納加工晶圓”w”之晶舟19被從處理 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4规格（210X297公釐） 16 533481 A7 ____B7_ 五、發明説明（14 ) 腔室14卸下，並回到前室3中。如先前所述者，第一與第二 連通孔43與44分別提供大氣壓力至第一與第二收縮軟管41 與42中。所以，隨著升降台25向下移動，第一收縮軟管“ 的向下伸長與第二收縮軟管42的向下收縮可以被輕易地達 到。 此外如先前所述者，第一與第二收縮軟管41與42的内 部空間被與前室3的内部空間密封地隔離。所以，被確保的 是，在其内部空間中的污染物免於在上述收縮與伸長期 間，特別是第二收縮軟管42之收縮期間被導入前室3中。 在晶舟19回到前室3之後，前室3之裝載鎖狀態在活門 12關閉晶舟裝載/卸載開口丨丨的同時被釋放。這也就是說， 閘門6以此類經加工之晶圓” w”可以藉由晶圓傳送單元川 而從晶舟19中出料之方式來開啟前室3之晶圓裝載/卸載開 口5。其後’開艙器39開啟外蓋2之晶圓裝載/卸載開口 ％ 以及被安裝在開艙器39之裝載台39a上之空舱箱”p”的頂 蓋。接著，被晶圓傳送單元30出料之經加工晶圓，，w，，再經 由晶圓裝載/卸載開口 38而被裝到空艙箱，，p”中，其係被安 裝在裝載台39a上。 ” 在預定數量的經加工晶圓”w”再被裝入艙箱”p，，中之 :灸，開艙器39之頂蓋元件39b將頂蓋回到艙箱” p，，上。艙 箱’’P”接著被輸送系統從裝載台3%傳送到下一個程序二。 上述之出料與在裝入步驟被重覆，直到所有在晶舟中之 經加工晶圓” W”被傳送至下一個程序台上。 其後’上述之操作被重覆㈣批切序藉*批次型 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（2】〇χ297公爱） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) _裝_ *\^τ— 17 533481 A7 厂 ----— B7 五、發明説明（15 ) ^ ~ CVD裝置1應用到預定數量的晶圓，例如25、5〇、丨⑼、125 或150片的晶圓”w”上。 如先前所述者，第一與第二收縮軟管41與42的内部空 間在與大氣壓力之環境連通的同時被與前室3隔離。所以， 若前室3被排氣成真空時，各第一與第二收縮軟管41與42 因為在其内部與外部之間的壓力差而會從其垂直或水平外 ㈣形。然而，在較佳實施例中，水平強化片45在第一與 第二收縮軟管41與42中沿著總導執23或輔助導執49被垂直 地配置。因此，第一與第二收縮軟管41與42的變形被確實 地避免，儘管有上述之壓力差。 換言之，因為前室3之真空排氣造成在各個第一與第二 收縮軟管41與42的内側與外側之間的壓力差，所以一股力 里被徑向地作用在第一或第二收縮軟管41與42的内部表面 上。然而，儘管有被作用在其内部空間的徑向力量，第一 與第二收縮軟管41與42之垂直或水平外觀免於被移位，因 為次收縮軟管部41a與42a的各個端部被固定在強化片45、 上裝設板21a、21b或下裝設板22a、2孔上，此外，各強化 片45被總導執23與/或辅助導執49引導。 另外，因為複數個輔助導執49在強化片上升或下降的 | 移動期間安全地引導強化片45，所以各強化片45可以被平 穩地升起或下降，而不會左右搖擺。因此，被確保的是各 強化片45很難影響第一與第二收縮軟管41與42的伸長與收 縮。此外，因為強化片45與辅助導執49被設置在第一與第 二收縮軟管41與42的内側，所以確保前室3被保護免於遭受 本紙張尺度A4m (2K)X297nl --- -18 -
、一-T— (請先閲讀背面之注意事嗔再填寫本頁) 五、發明説明（16) 由強娜之滑動移動所產生的污染物。 另方面，各收縮軟管的螺紋數量 而需要被增加，並且碎一 食』使用可命 旦 收縮之收縮軟管的高度與其螺紋數 罝成正比。因為，晶舟對於各批次程序往復運動一次，所 以用於晶糾降器之收縮軟管對於各批次程序會伸長並收 縮人t假叹各批次程序約耗費一小時，則各收縮軟管 之伸長/收、％數里在一天中會變成24次，且例如五年之後合 到達42,000次。 曰 相車乂於此’在125片的晶圓在各個批次程序期間被加工 的情況下，_作為批次型CVD裝置之晶圓傳送系統的升 降器一次運送5片晶®，但是料器對於各批次程序會往復 運動25次。所以，供晶圓傳送系統之升降器用的收縮軟管 需要比晶舟升降器的使用壽命更長5〇倍。未達刺倍較長 的使用壽命，因為完全收縮之收縮軟管的高度與螺紋的數 S成正比，所以晶圓傳送系統之升降器需要具有比晶圓 降器用之收縮軟管大於15至2倍的完全收縮長度。 換言之’在收縮軟管被用於晶舟升降器的情況下，一 在批次型CVD裝置用之收縮軟管所欲的使用壽命被確保 的同時，晶圓升降器用之收縮軟管的完全收縮高度相較於 晶圓傳送系統之升降器用的收縮軟管之完全收縮高度可 被顯著地減少。 下列優點可以根據本發明上述實施例被達到。 1)第一與第二收縮軟管分別被設置在裝設於前室 之晶舟升降器之升降器台上與上方。第一與第二收縮軟管 升 且 以 中 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 19 533481 __B7 五、發明説明（Π / 的内部空間各自與大氣壓力的 7旧外。卩％玩連通。所以，即使 I力會在前室中變化，因為相望 u 馮相4的壓力分別作用在升降器 σ之頂部與底部上，包括進认虫 或馬輕垂直移動升降 為的升降n台之驅動機構可以被縮小尺寸。 2) 因為在第一與第二收縮軟管内侧的中空部各自盥 外部環境連通而於其中自動地維持大氣壓力，第一斑第二 收縮軟管可以獨立地收縮或伸長，而沒有額外的麼力、控制 疋件或相似物。所以’無須對於設置與特複雜的屢力控 制閥機構以及控制系統。 3) 晶舟升降器之進給螺管或導軌藉由第一與第二收 縮軟管而與前室密封地隔絕。因此，確保在第一與第二收 縮軟管内部中的壓器或水氣在收縮或伸長第一與第二收縮 軟管期間免於被導入前室中。為了相同的原因，由導執、 升降裔台、或進給螺桿的潤滑油所產生之蒸發氣體在上述 收縮與伸長期間避免被導入前室中。 4) 因為複數個強化片沿著被設置在第一與第二收縮軟 苔内側之總導軌或輔助導軌被垂直地設置，第一與第一收 縮軟管免於變形，即使壓力在各個第一與第二收縮軟管的 内側與外側之間會不同。因此，讀保第一與第二收縮軟管 的内部空間可以與外部空間連通，於其中自動地維持大氣 壓力。 ' 5) 複數條輔助導執穩定地引導各個強化片，使得各個 強化片可以與升降器台上升或下降一致地被平穩地升起或 下降而不會左右搖擺。所以，各強化片很少會影響第一與 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（2〗〇><297公釐） 20 J刀斗δΐ J刀斗δΐ 五 18 Β7 發明説明 Α收縮軟&的收縮或伸長，並確保前室避免受到在強化 片之⑺動運動期間所產生可能的污染物。 ^ 6)將π全收縮之第二收縮軟管容納於其中之收縮軟 ^妾收P被叹置在刖室之底部角落的凹入部處。此即，收 縮軟管接收部的周邊相對地被升起，使得前室的内部空間 會減少至相對於升起部之量。所以，真空排器以及吹除氣 體供應用之處理時間可以被減少，使得批次型CVD裝置、 膜形成程序以及半導體製造方法之產率可以被增加。 —7)因為晶舟升降器與收縮軟管機構被設置在前室的 角洛區域處，所以可以減少批次型⑽裝置的無用區域。 料，因為前室的内部空間亦被減少，故真空排氣與吹除 氣體供應所需要的處理時間可以被縮短。結果，批次型 CVD裝置、膜形成程序以及半導體製造方法之產率可以被 增加。 、、=本發明之較佳實施财，收縮軟管接收部已被說明 為被&置在别至之底部處。然而，收縮軟管接收部會被交 #形成在刖至之上部區域處，或是兩組收縮軟管接收部 會分別被設置在前室之底部與上部區域處。 根據本發明較佳實施例，收縮軟管對於各個第一與第 一可伸長/收縮結構被選擇，各個係具有内部空間。然而， 取代採用收縮軟管，第-與第二可伸長/收縮結構會具有一 由具有適當強度與撓性之薄壁所製成的似袋形狀。此外， 第或第一可伸長/收縮結構會具有似望遠鏡的形狀，在此 複數個管相互被套疊地連接或套在一起。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Μ規格（21〇χ297公爱）
--------多…： (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂· 21 533481 五、發明説明（19 上述之批次型CVD裝置不僅可以被採用在膜形成程 序中’亦可以被採用在氧化程序或擴散程序中。雖然較佳 實施例已經參考批次型CVD裝置被言兒明，但本發明亦可以 被應用在其他的基材加工裝置上。 雖然本發明已經根據較佳實施例被顯示與說明，但是 熟習此技者將會了解各種變化與修正可被進行，不會背離 如附呈申叫專利範圍所界定之本發明的精神與範圍。 元件標號對照表 0^1^----- f請先閱讀背面之注意事項再填窝本頁；> 1 批次型CVD裝置 2 盖殼 3 前室 4 裝載鎖腔室 5 晶圓裝載/卸載開口 6 閘門 7 修復/檢驗開口 8 閘門 9 排氣管線 10 氣體供應管線 11 晶舟裝載/卸载開口 12 活門 13 加熱器單元 14 處理腔室 15 處理管 16 支管 17 氣體供應管線 18 排氣管線 19 晶舟 20 晶舟升降器 21a 上裝設板 21b 上裝設板 22a 下裝設板 22b 下裝設板 •、|-1丨 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（2Κ)χ297公爱） 22 533481 A7 B7 五、發明説明（2G) 23 總導執 25 升降器台 25b 螺旋孔 26 馬達 28 密封頂蓋 30 晶圓傳送單元 32 第一線性致動器 34 移動台 36 升降器 38 晶圓裝載/卸載開口 39a 裝載台 41 第一收縮軟管 42 第二收縮軟管 43 第一連通孔 45 第二連通孔 47a 脫離孔 49 輔助導軌 51 空間 24 進給螺桿 25a 導引孔 25c 輔助導引孔 27 手臂 29 切口配合單元 31 旋轉致動器 33 第二線性致動器 35 捏鉗 37 清潔空氣單元 39 開艙器 39b 頂蓋元件 41a 次收縮軟管部分 42a 次收縮軟管部分 44 第二連通孔 47 脫離孔 48 導引孔 50 收縮軟管接收部 52 電流箱 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 23

Claims (1)

  1. 533481 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1 · 一種基材加工裝置，係包含： 一處理腔室，係用以加工基材； 一密封腔室，係相鄰於該處理腔室而被配置； 一可移動構件，係被配置在該密封腔室的内侧， 用以支撐基材； 一可伸長/收縮結構，係包括分別設置在該可移動 構件之兩相對側邊上之一第一可伸長/收縮構件與一 第一可伸長/收縮構件，其中該第一與該第二可伸長/ 收縮構件的内部與該密封腔室之外部連通；以及 一驅動構件，係被設置在該可伸長/收縮結構中， 用以移動該可移動構件，其中該驅動構件藉由該可伸 長/收縮結構而與該密封腔室之一内部空間隔離。 2·如申明專利範爵第1項之基材加工裝置，其中各該第一 可伸長/收縮構件與該第二可伸長/收縮構件被^置有 用以避免该第一與該第二可伸長/收縮構件變形之 強化構件。 3.如中請專利範圍第i項之基材加工襄置，其中該可移動 構件被連接至-容納基材之晶舟上，該晶舟係藉由該 可移動構件而被選擇地裝入該處理腔室或從該處理腔 室取出。 4·二°申請專利範圍第1項之基材加工裝置，其中-收縮軟 s接收#被配置在該密封腔室中，該收縮軟管接收部 係接收至少一個該第一可伸長/收縮構件與該第二可 伸長/收縮構件’各構件係被完全地收縮。 張尺度適财國國家標準（cns)峨格⑵⑽97公 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂丨 -24- 6· 曰曰 腔 包 、申請專利範圍 5·=申請專利範圍第1項之基材加工裝置，其中該密封腔 至被選擇呈真空或惰性氣體狀態。 如申請專利第！項之基材加工裝置，其中該可伸長 /收縮構件被配置在該密封腔室的角落部分處。 7·如申請專㈣圍第！項之基材加工裝置，其中該可伸長 /收縮結構會垂直地伸長與收縮。 8·-種半導體製造方*，係使用—包括一密封腔室、一 處理腔室、及一被定置在該密封腔室中之基材輸送單 兀之基材加工裝置，其中該基材輸送單元包括勾一用 以支撐一晶舟之可移動構件；b) 一第一與第二可伸 長/收縮構件，係分別被設置在該可移動構件的兩側邊 上，該第一與該第二可伸長/收縮構件的内部係與一外 部環境連通；以及c) 一驅動構件，係被設置在該第一 與該第二可伸長/收縮構件中並用以移動該可移動構 件，該驅動構件係藉由該第一與該第二可伸長/收縮構 件而與該密封腔室之一内部空間隔離，該方法係包含 下列步驟： 將至少一片基材裝入停留在該密封腔室中之該 舟中； 藉由使用該基材輸送單元而將該晶舟從該密封 室裝入該處理腔室中；以及 加工該至少一片裝在該晶舟中之晶圓。 9· 一種輸送單元，係用在密封腔室中，該輸送單元係 含： 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐）
    _-訂丨 (請先閲讀背面之注意事唄导曝窩払罠) 25 、申請專利範園 動二::=:封腔〜移動構件，該可移 …第件的兩相對側邊上，其中該第 室的外部連通，·以及 ㈣内部各自與該密封腔 -驅動構件’係被設置在該第—與該第二可伸長/ 件=構中並用以移動該可移動構件，其中該驅動構 =該第一與該第二可伸長/收縮結構而被與該密 封腔至之一内部空間隔離。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210 X 297公釐） 26
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111687861A (zh) * 2017-09-12 2020-09-22 长鑫存储技术有限公司 具有摄像侦测装置的机械手臂组件及半导体生产设备

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100483428B1 (ko) * 2003-01-24 2005-04-14 삼성전자주식회사 기판 가공 장치
JP4567541B2 (ja) * 2004-07-12 2010-10-20 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 電子デバイス製造工具占有スペースを減少させる方法および装置
US7771563B2 (en) * 2004-11-18 2010-08-10 Sumitomo Precision Products Co., Ltd. Systems and methods for achieving isothermal batch processing of substrates used for the production of micro-electro-mechanical-systems
US8128753B2 (en) 2004-11-19 2012-03-06 Massachusetts Institute Of Technology Method and apparatus for depositing LED organic film
US8986780B2 (en) 2004-11-19 2015-03-24 Massachusetts Institute Of Technology Method and apparatus for depositing LED organic film
KR100779118B1 (ko) * 2005-12-09 2007-11-27 주식회사 테라세미콘 평판표시장치 제조시스템
US8556389B2 (en) 2011-02-04 2013-10-15 Kateeva, Inc. Low-profile MEMS thermal printhead die having backside electrical connections
KR20100029204A (ko) 2007-06-14 2010-03-16 메사츄세츠 인스티튜트 어브 테크놀로지 필름 증착 제어 방법 및 장치
US8899171B2 (en) 2008-06-13 2014-12-02 Kateeva, Inc. Gas enclosure assembly and system
US9604245B2 (en) 2008-06-13 2017-03-28 Kateeva, Inc. Gas enclosure systems and methods utilizing an auxiliary enclosure
US8383202B2 (en) * 2008-06-13 2013-02-26 Kateeva, Inc. Method and apparatus for load-locked printing
US9048344B2 (en) 2008-06-13 2015-06-02 Kateeva, Inc. Gas enclosure assembly and system
US10434804B2 (en) 2008-06-13 2019-10-08 Kateeva, Inc. Low particle gas enclosure systems and methods
US10442226B2 (en) 2008-06-13 2019-10-15 Kateeva, Inc. Gas enclosure assembly and system
US20100188457A1 (en) * 2009-01-05 2010-07-29 Madigan Connor F Method and apparatus for controlling the temperature of an electrically-heated discharge nozzle
JP5427464B2 (ja) * 2009-04-27 2014-02-26 株式会社ミラプロ 基板搬送装置のベローズ機構及びそのベローズ機構を用いた基板搬送装置。
KR101040371B1 (ko) * 2010-11-25 2011-06-13 유창우 쇼핑백용 손잡이끈 제조장치
JP5779957B2 (ja) * 2011-04-20 2015-09-16 東京エレクトロン株式会社 ローディングユニット及び処理システム
US9120344B2 (en) 2011-08-09 2015-09-01 Kateeva, Inc. Apparatus and method for control of print gap
CN103828085B (zh) 2011-08-09 2016-08-17 科迪华公司 面向下的打印设备和方法
EP3087623B1 (en) 2013-12-26 2021-09-22 Kateeva, Inc. Thermal treatment of electronic devices
US9343678B2 (en) 2014-01-21 2016-05-17 Kateeva, Inc. Apparatus and techniques for electronic device encapsulation
KR101813828B1 (ko) 2014-01-21 2017-12-29 카티바, 인크. 전자 장치 인캡슐레이션을 위한 기기 및 기술
JP6208588B2 (ja) * 2014-01-28 2017-10-04 東京エレクトロン株式会社 支持機構及び基板処理装置
JP6461195B2 (ja) 2014-04-30 2019-01-30 カティーバ， インコーポレイテッド 基板コーティングのためのガスクッション装置および技法
JP6239485B2 (ja) * 2014-10-30 2017-11-29 本田技研工業株式会社 流体貯留装置
WO2016086192A1 (en) 2014-11-26 2016-06-02 Kateeva, Inc. Environmentally controlled coating systems
CN205980793U (zh) * 2016-08-12 2017-02-22 深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司 一种低压扩散炉炉门密封装置
JP2019218621A (ja) * 2018-06-22 2019-12-26 東京エレクトロン株式会社 基板載置台及び成膜装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6377687A (ja) * 1986-09-19 1988-04-07 富士通株式会社 送り機構の発塵防止装置
JP3149206B2 (ja) * 1991-05-30 2001-03-26 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
JP3134137B2 (ja) * 1993-01-13 2001-02-13 東京エレクトロン株式会社 縦型処理装置
JPH10181870A (ja) * 1996-12-20 1998-07-07 Kokusai Electric Co Ltd 密閉容器内搬送装置
US6113599A (en) * 1997-06-04 2000-09-05 Kalpa Engineering, Inc. Apparatus for internal mandibular distraction

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111687861A (zh) * 2017-09-12 2020-09-22 长鑫存储技术有限公司 具有摄像侦测装置的机械手臂组件及半导体生产设备
CN111687861B (zh) * 2017-09-12 2021-12-21 长鑫存储技术有限公司 具有摄像侦测装置的机械手臂组件及半导体生产设备

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