TW532052B - Production method of a distribution substrate - Google Patents

Description

532052 五、發明說明（1 ) 【發明所屬技術領域】 本發明係有關於一種配線基板之製造方法，爲將所定圖 型之導體層形成在樹脂絕緣層上，更甚者，係將上部樹脂 絕緣層積層於其上，特別是有關於一種配線基板之製造方 法’係在有以所希望之表面粗度粗化、且附著Pd之樹脂 絕緣層上，藉由Cu電鍍而形成導體層。 【習知技術之說明】 過去以來，已知有在表面已粗化之樹脂絕緣層上，形成 有所定圖型之導體層，再者，於其上係形成有上部樹脂絕 緣層之配線基板。 例如，係列舉有第6圖所示之局部放大斷面圖之配線基 板1 0 1。此種配線基板1 0 1係具備有表面已粗化之樹脂絕 緣層103。在樹脂絕緣層103上，係形成有由無電解Cu電 鍍及電解Cu電鍍所形成之配線或墊部（pad )等所定圖型 之導體層107。而在樹脂絕緣層103及導體層107上，係 形成有上部樹脂絕緣層105。 此種配線基板1 0 1，係例如由下述所製造。亦即，準備 具有樹脂絕緣層1 03之基板111，以所希望之表面粗度蝕 刻粗化樹脂絕緣層103之表面（參照第7圖）。係爲用以 提昇在此之後形成於其上之導體層107或上部樹脂絕緣層 105的密著強度。 之後，如第7圖所示，使形成無電解Cu電鍍層時之金 屬作爲Pdl 13而附著至已粗化之樹脂絕緣層103之表面。 532052 五、發明說明（2) 接著，在已附著Pd 113之基板111上實施無電解Cu電 鍍，於樹脂絕緣層1 03之約略整面上形成第8圖中以粗線 所示之無電解C U電鍍層11 5。 接著以120°C、60分鐘期間加熱無電解Cu電鍍層115 所形成之基板1 1 1。此作業之理由係爲，使濕潤狀態之基 板111乾燥的同時，強固樹脂絕緣層103與無電解Cu電 鍍層1 1 5之密著強度等。 之後，在無電解Cu電鍍層115上形成所定圖型之電鍍 防蝕層11 7 (參照第8圖）。 之後，在已形成電鍍防蝕層1 1 7之基板1 1 1上實施電解 Cu電鍍，如第8圖所示，在由電鍍防蝕層1 1 7露出之無電 解Cu電鍍層115上形成電解Cu電鍍層119。 接著，去除電鍍防蝕層117。 之後，將已去除電鍍防蝕層1 17之基板1 1 1以150°C、 120分鐘期間加熱。此係爲用以強固樹脂絕緣層103與無 電解Cu電鍍層115之密著、以及無電解Cu電鍍115與電 解Cu電鑛層1 19之密著。 之後，如第9圖所示，藉由蝕刻而去除以電鍍防蝕層 11 7所覆蓋之無電解Cu電鍍層11 5，形成所定圖型之上述 導體層1 0 7。此時，在樹脂絕緣層1 〇 3中，由配線間隔等 、導體層107露出之露出部（以下均稱之爲露出部）中， 係有Pbll3或Cu的金屬殘渣121未完全去除而殘留的情 況。 532052 五、 發明說明 ( 3) 在此， 接 著 以過 鐘 酸溶液洗淨基板111。藉此， 而 兀 全 去 除 殘留 在 樹 脂絕 緣 層103之露出部上之金屬殘渣 121。 之 後， 倘 若 在樹 脂 絕緣層103及導體層107上形成 上 部 樹 脂 絕緣 層 105時 j 便可達成第6圖所示之上述配 線 基 板 101 c [ 發 明所 欲 解 決之 課 題】 然 而， 爲 了 去除 金 屬殘渣121而進行之過錳酸處 理係 爲 藉 由使 樹 脂 絕緣 層 103之表面溶解而連同樹脂去 除 金 屬 殘 渣 121 因 此， 在 進行過錳酸處理後，樹脂絕緣 層 103 之 表 面粗 度 將 被破 壞 (參照第6圖）。因此，減低 樹 脂 絕 緣 層 103 與 上部絕 緣 層105之密著強度。 另 一方面 若未 進 行過錳酸處理，在樹脂絕緣層 103 之 露 出 部上 ， 以 殘留 Pdll3或Cu的金屬殘渣121的狀 態 下 積 層 上部 樹 脂 絕緣 層 105，而有在配線基板101上 產 生 短 路 或 絕緣 電 阻 減低 等 不良狀況之虞。 本 發明 之 巨 的係有 鑒於現狀而提供一種配線基板 之 製 造 方 法 ，係在 表 面已 粗 化、且附著Pd之樹脂絕緣層 上 以 Cu 電鍍形成所定圖 1型之導體層，再者，針對於在其上 積 層 有 上 部樹 脂 絕 緣層 之 配線基板，去除附著於樹脂絕 緣 層 之 露 出 部之 Pd 等， 且 可確保樹脂絕緣層與上部樹脂 絕 緣 層 之 密 著強 度 0 [ 用 以解 決 課 題之手 段、作用及效果】 其 解決 手 段 係爲 一種配線基板之製造方法，爲 -5- 具 備 有 532052 五、發明說明（4) :樹脂絕緣層；導體層，爲呈所定圖型而形成於該樹脂絕 緣層上；以及上部樹脂絕緣層，係積層在上述樹脂絕緣層 及導體層上之配線基板之製造方法，其中，具備有：導體 層形成程序，在具有以所希望之表面粗度粗化、且附著Pd 之上述樹脂絕緣層之基板中，於上述樹脂絕緣層上以無電 解Cu電鍍及電解Cu電鍍而形成上述導體層；氰處理程序 ，係將上述導體層所形成之基板使用氰溶液來洗淨；以及 上部樹脂絕緣層形成程序，已經過上述氰處理之基板中， 於上述樹脂絕緣層及導體層上，形成上部樹脂絕緣層。 如前所述，爲去除附著於由配線間隔等導體層所露出之 樹脂絕緣層之露出部（以下均稱爲露出部）之Pd或Cu的 金屬殘渣而進行過錳酸處理後，截至樹脂絕緣層爲止之表 面平面度係遭到破壞，而減低樹脂絕緣層與上部樹脂絕緣 層之密著強度。 相對於此，在本發明中，係以進行由氰溶液洗淨基板之 氰處理來取代過錳酸處理。氰溶液係不至破壞樹脂絕緣層 之表面粗度而可去除Pd或Cu的金屬殘渣。從而，可防止 在配線基板上之短路或絕緣電阻減低等不良情況，進而確 保樹脂絕緣層與上部樹脂絕緣層之密著強度i 此外，所謂的氰溶液係將氰化鉀或氰化鈉等無機氰化合 物之水溶液、或是無機氰化合物作爲主成分，而將其添加 有氧化劑或pH調整劑之物。 再者，於上述配線基板之製造方法中，在前述氰處理程 532052 五、 發明說明 ( 5； ) 序 之 中 係可成 爲介於使前述 基板乾 燥 之 程 序 之 間 以 多 數 次 且 以 刖 述 氰溶液而洗淨 上述基 板 之 製 造 配 線 基 板 之 製 造 方 法 〇 在本 發 明 中 在以氰溶液洗淨基板 後 使 基 板 暫 時 乾 燥 再 度 以 氰 溶 液 洗淨基板。再 者，倘 若 需 要 則 重 複 其 過 程 〇 藉 此 倘 若 以 介於使基板暫 時乾燥 之 程 序 而 由 氰 溶 液 洗 淨 時 相 較 於 爲 使其乾燥而長 時間洗淨的 情 況下 可 將 附 著 在 樹 脂 絕 緣 層 之露出部上之 Pd或< :u 的 金 屬 殘 渣 更 加 確 實 地 去 除 〇 因 此 ，可更加確實 地防止在 基 板 上 產 生 短 路 等 不 良 情 況 0 再 者 ， 於 上 述 任何一項所記 載之配 線 基 板之 製 造 方 法 中 由 一 刖 述 導 體 層 形成程序至前 述氰處 理 程 序 係 可 爲 將 基 板 溫 度 維 持在約 85°C以下之配 線基板 之 製 造 方法 〇 如 刖 述 之 習 知 製造方法中， 於導體 層 形成程序 至 氰 處 理 程 序 之 間 係 2 次進行將基板於高溫 加 熱 之 程 序 〇 亦即 在 實 施 Μ j\\\ 電 解 Cu電鍍後，進 行有將 基 板 以 約 120t： 60 分 鐘 期 間 加 熱 之 加熱處理、以 及在去 除 電 鍍 防 蝕 層 後 ， 將 基 板以 約 15(TC 、120分鐘期 間加熱 之 加 熱 處 理 〇 進 行 該 等 加 熱 處 理 > 係用以強固樹脂 絕緣層 與 並 j\\\ 電 解 Cu 電 鑛 層 之 密 著 或 是 4rrr Ι1ΙΓ j ^ 電解Cu電鍍層與電解< ：u 電 鍍 層 之 密 著 〇 然 而 樹 脂 絕 緣 層與無電解Cu電鍍 層 之 密 著 在 形 成 強 固 後 於形成 導 體 層之際，於樹 脂絕緣 層 之 露 出 部 上 將 容 易 殘 留 有 Pd或 Cu 的金屬殘渣。 -7 此外， 此 種 金 屬 殘 渣 因 呈 較 532052 五、發明說明（6) 爲強固地附著在樹脂絕緣層上，故亦有難以由氰處理確實 地去除。 相對於此，在本發明中，由導體層形成程序至氰處理程 序之間，亦即，由使Pd附著於樹脂絕緣層至以氰溶液洗 淨基板之間，基板之溫度係維持在約85 °C以下。因此，在 形成導體層之際，將減少殘留於樹脂絕緣層之露出部上之 Pd或Cu的金屬殘渣。此外，該等金屬殘渣係未呈極強固 地附著在樹脂絕緣層上。從而，可由氰處理程序來將露出 部之金屬殘渣更加確實地去除，而可更爲確實地防止產生 在配線基板上之短路等不良情況。 再者，於上述任何一項所記載之配線基板之製造方法中 ，係可具備有加熱處理程序，係爲在前述氰處理程序後、 前述上部樹脂絕緣層形成程序前，將已經過上述氰處理之 基板加熱至超過約85 °C之溫度。 在本發明中，於氰處理後，進行將基板加熱至超過約 8 5 °C之溫度之加熱處理。倘若進行此種加熱處理，便可使 樹脂絕緣層與無電解Cu電鍍層之間之密著、以及無電解 C u電鍍層與電解C u電鍍層之密著強固化。此外，此種加 熱處理因進行在氰處理之後，故而以此種加熱處理係難以 在樹脂絕緣層之露出部上殘留Pd或Cu的金屬殘渣，此外 ，藉由此種加熱處理將無難以由氰處理去除金屬殘渣之事 〇 再者，於上述配線基板之製造方法中，於前述加熱處理 532052 五、發明說明（7) 程序後、前述上部樹脂絕緣層形成程序前，係可具備有粗 化前述導體層表面之導體粗化程序之配線基板之製造方法 〇 爲提昇導體層與上部樹脂絕緣層之密著強度，具有粗化 導體層表面之情況。然而，於加熱處理前進行導體層表面 粗化後，將無法順利地進行粗化，而有無法將導體層表面 粗化成所希望之表面粗度之事。 相對於此，在本發明中，係於加熱處理後粗化導體層表 面。藉此因以加熱而軟化導體層（被改質），故而可將導 體層表面確實地粗化呈所希望之表面粗度，而可提昇導體 層與上部樹脂絕緣層之密著強度。 此外，其他的解決手段係爲，一種配線基板之製造方法 ，係具備有：樹脂絕緣層；導體層，爲呈所定圖型而形成 於該樹脂絕緣層上；以及上部樹脂絕緣層，係積層在上述 樹脂絕緣層及導體層上，其中，具備有：無電解Cu電鍍 程序，係在具有附著以所希望之表面粗度粗化之Pd之上 述樹脂絕緣層之基板中，於上述樹脂絕緣層上形成無電解 Cu電鍍層；乾燥程序，係將已形成有上述無電解Cu電鍍 層之基板以約85°C以下之溫度乾燥；電鍍防蝕層形成程序 ，上述乾燥程序後，於上述無電解Cu電鍍層上形成所定 圖型之電鍍防鈾層；電解Cu電鍍程序，於由上述電鍍防 蝕層所露出之上述無電解Cu電鍍層上，形成電解Cu電鍍 層；電鍍防蝕層去除程序，係於上述電解Cu電鍍程序後 532052 五、發明說明（8 ) ’去除上述電鍍防蝕層；蝕刻程序，係蝕刻去除覆蓋於上 述電鍍防蝕層之上述無電解Cu電鍍層，而形成上述導體 層；氰處理程序，係使用氰溶液來洗淨上述導體層所形成 之基板；以及上部樹脂絕緣層形成程序，已經過上述氰處 理之基板中，於上述樹脂絕緣層及導體層上形成有上部樹 脂絕緣層。 在本發明中，以蝕刻程序將露出之無電解Cu電鍍層蝕 刻去除後，以進行由氰溶液洗淨基板之氰處理來取代習知 之過錳酸處理。氰溶液係不至破壞樹脂絕緣層之表面粗度 而可去除Pd或Cu的金屬殘渣，因此，可防止在配線基板 上之短路或絕緣電阻減低等不良情況，進而確保樹脂絕緣 層與上部樹脂絕緣層之密著強度。 此外，在本發明中，係以約85°C以下之較低溫度加熱、 乾燥之程序來取代習知於無電解Cu電鍍後將基板以高溫 加熱（120°C、60分鐘）之程序。因此，樹脂絕緣層與無 電解Cu電鍍層之密著係未呈極強固地附著，故而在蝕刻 程序中，可容易地去除無電解Cu電鍍層或Pd，而減少殘 留於樹脂絕緣層之露出部之Pd或Cu的金屬殘渣。此外， 以之後之氰處理程序將可容易地去除殘留在露出部之金屬 殘渣。從而，可更爲確實地防止產生在配線基板上之短路 等不良情況。 再者，於上述配線基板之製造方法中，在前述氰處理程 序之中，係可成爲介於使前述基板乾燥之程序之間，以多 -10- 532052 五、發明說明（9) 數次 '且以前述氰溶液而洗淨上述基板之製造配線基板之 製造方法。 在本發明中，在以氰溶液洗淨基板後，使基板暫時乾燥 ’再度以氰溶液洗淨基板。再者，倘若需要則重複其過程 。藉此’倘若以介於使基板暫時乾燥之程序而由氰溶液洗 淨時’較爲使其乾燥而長時間洗淨的情況下，可將附著在 樹脂絕緣層之露出部上之Pd或Cu的金屬殘渣更加確實地 去除。因此，可更加確實地防止在基板上產生短路等不良 情況。 再者，於上述任何一項所記載之配線基板之製造方法中 ，係可具備有加熱處理程序，係爲在前述氰處理程序後、 前述上部樹脂絕緣層形成程序前，將已經過上述氰處理之 基板加熱至超過約85°C之溫度。 在本發明中，進行將基板加熱至超過約85°C之溫度之加 熱處理。倘若進行此種加熱處理，便可使樹脂絕緣層與無 電解Cu電鍍層之間之密著、以及無電解Cu電鍍層與電解 Cu電鍍層之密著強固化。此外，此種加熱處理因進行在氰 處理之後，故而以此種加熱處理係難以在樹脂絕緣層之露 出部上殘留Pd或Cu的金屬殘渣，此外，藉由此種加熱處 理將無難以由氰處理去除金屬殘渣之事。 再者，於上述配線基板之製造方法中，於前述加熱處理 程序後、前述上部樹脂絕緣層形成程序前’係可具備有粗 化前述導體層表面之導體粗化程序之配線基板之製造方法 -11- 532052 五、發明說明（1〇) 〇 爲提昇與上部樹脂絕緣層之密著強度而在加熱處理前進 行導體層表面粗化後’將無法順利地進行粗化，而有無法 將導體層表面粗化成所希望之表面粗度之事。 相對於此，在本發明中，係於加熱處理後粗化導體層表 面。藉此因以加熱而軟化導體層（被改質），故而可將導 體層表面確實地粗化呈所希望之表面粗度，而可提昇導體 層與上部樹脂絕緣層之密著強度。 【本發明較佳實施例之詳細說明】 (實施例） 參照圖面以說明本發明之實施例。 針對於本實施例之配線基板1，在第1圖揭示主面2側 之局部放大斷面圖。此種配線基板1係形成爲具有主面2 及未圖示之裏面之略呈矩形之板狀，於其中心係具備有板 狀核心基板5，係以於玻璃纖維布中使浸漬環氧樹脂之複 合材料所形成。並且在其兩面上分別積層有由環氧樹脂等 所形成之第1樹脂絕緣層7。另外，在其之上係積層有由 相同環氧樹脂等所形成之第2樹脂絕緣層9。再者，於第 2樹脂絕緣層9上係積層有由環氧樹脂等所形成之焊劑防 蝕塗層（樹脂絕緣層）1 1。第1樹脂絕緣層7及第2樹脂 絕緣層9之表面係分別以表面粗度Ra =約〇 . 45 // m粗化。 因此’第1樹脂絕緣層7與第2樹脂絕緣層9、以及第2 樹脂絕緣層9與焊劑防蝕塗層1 1之密著強度係爲高。 -12- 532052 五、發明說明（11) 其中，於核心基板5上係於所定位置上呈多數形成有將 其貫通之通孔導體貫通孔14,於該等內周面上係分別形成 有略呈筒狀之通孔導體15。而在各個通孔導體15內’充 塡有由環氧樹脂等形成之略呈圓柱狀之封塞材料1 6。 在第1樹脂絕緣層7中，係於所定位置上呈多數形成有 將其貫通之連通（via)用貫通孔18,各連通用貫通孔18 中係形成有略呈圓柱狀之連通孔塡充物1 9。 同樣地，在第2樹脂絕緣層9中，亦於所定位置上呈多 數形成有將其貫通之連通（via)用貫通孔22,各連通用 貫通孔2中係形成有略呈圓柱狀之連通孔塡充物23。 此外，焊劑防蝕塗層11中，係於所定位置上呈多數形 成有將其貫通之墊部用開口 25。 在核心基板5與第1樹脂絕緣層7之層疊之間，形成配 線或墊邰等所定圖型之第1導體層2 7，且與核心基板5之 通孔導體1 5或第1樹脂絕緣層7之連通孔塡充物1 9連接 〇 此外，在第1樹脂絕緣層7與第2樹脂絕緣層9之層疊 之間，亦形成配線或墊部等所定圖型之第2導體層29，且 與第1樹脂絕緣層7之連通孔塡充物1 9或第2樹脂絕緣 層9之連通孔塡充部23連接。 此外，於第2樹脂絕緣層9與焊劑防蝕塗層11之層疊 之間，亦形成配線或墊部等之所定圖型之第3導體層3 1， 且與第2樹脂絕緣層9之連通孔塡充部23連接。另外， -13- 532052 五、發明說明（12) 第3導體31之一部份的墊部係爲，因該配線基板1上搭 載有1C晶片等電子構件，故而露出焊劑防蝕塗層11之墊 部用開口 25內。而在此種墊部表面上係形成有用以防止 氧化之Ni電鍍層，再者，於其之上形成有Au電鍍層（未 圖示）。 該等第1、第2、第3導體層27、29、31之任一表面上 均成爲表面粗度Ra=約0.40/z m之粗化面。因此，第1導 體層27與第1樹脂絕緣層7、第2導體層29與第2樹脂 絕緣層9、以及第3導體層31與焊劑防蝕塗層1 1之密著 強度係分別爲高。 接著，針對上述配線基板1之製造方法，參照圖面進行 說明。 首先，準備有一種基板，係以習知方式於核心基板5上 形成第1導體層27，更甚者，於其上面形成有第1樹脂絕 緣層7。 具體而言，爲準備一種在核心基板5之兩面上貼有銅箔 之兩面銅箔貼成核心基板5，且將通孔導體用貫通孔1 4呈 多數形成在所定位置上。並且在核心基板5之兩面之略呈 整面上形成電鍍層的同時，於通孔導體用貫通孔1 4之內 周面形成略呈筒狀之通孔導體15。之後，於通孔導體15 內充塡形成由環氧樹脂等所形成之封塞材料1 6。之後，於 上述電鍍層上形成所定圖型之鈾刻防飩層，蝕刻去除由該 防蝕層所露出之電鍍層，在核心基板5上形成所定圖型之 -14- 532052 五、發明說明（13) 第；導體層27。之後，粗化第1導體層27之表面。之後 ，於核心基板5與第1導體層27等之上，形成具有第1 連通用貫通孔1 8之第1樹脂絕緣層7。 接著，在樹脂粗化程序中，如第2圖所示之上述基板4 1 中之第1樹脂絕緣層7之表面附近（在第1圖中爲以一點 鍊線圈選之部分），將第1樹脂絕緣層7之表面與連通用 貫通孔1 8之內周面（未圖示）使用過錳酸鉀水溶液而蝕 刻粗化，達成表面粗度Ra爲約0.45 // m之粗化面。 具體而言，首先，將基板41以約50°C約5分鐘期間， 以有機酸處理、脫脂。爲用以去除附著於樹脂絕緣層7表 面之膜。且將基板41進行水洗。之後，將基板41以約 8(TC約15.5分鐘期間，以氫氧化鈉等處理。且再將基板 41進行水洗。之後，將基板41以約80°C約10分鐘期間 ，以過錳酸鉀與氫氧化鈉進行處理。藉此，於樹脂絕緣層 7之表面上形成凹凸，表面粗度Ra如上述形成約0.45// m 。且再將基板41進行水洗。之後，將基板41以約45°C約 5分鐘期間，以硫酸還原處理、進行中和。且再將基板41 進行水洗、再進行中和。於最後，使基板4 1以約80t約 1 6 . 5分鐘期間乾燥。 接著，在Pd附著程序中，使Pd43附著於已粗化之第1 樹脂絕緣層7之表面上，Pd43係作爲用以形成後述之無電 解Cu電鍍層45之觸媒金屬。 接著，在無電解Cu電鍍程序中，於第1樹脂絕緣層7 -15- 532052 五、發明說明（14) 之表面及連通用貫通孔1 8內，形成有如第3圖中以粗線 所示之厚度約0.70# m之無電解Cu電鍍層45。 具體而言，首先，將基板41以約65°C約5分鐘，以作 爲鹼性調節器之氨基聚羧酸進行處理。爲用以均勻樹脂絕 緣層7之表面。且將基板41進行水洗。之後，將基板41 以約30°C約1分鐘期間，以過硫酸鈉與硫酸進行處理。爲 用以微蝕（soft etching)露出於連通用貫通孔18之底 面之Cu表面（第1導體層27之表面）。且再將基板41 進行水洗。之後，將基板41以約30°C約1分鐘期間、以 10%之硫酸洗淨。爲用以去除露出於連通用貫通孔18之 底面之Cu表面（第1導體層27之表面）之污點。在此， 所謂的除污，乃爲去除Cu表面之氧化膜及變色。且再將 基板41進行水洗。之後，將基板41以約30°C約2分鐘期 間，以氯化鈉進行處理。爲用以調整基板41之表面。之 後，將基板41以約25°C約5分鐘期間，以氯化鈉、氯化 亞錫、氯化IG進行催化處理（catalyst process)。爲用 以使基板41表面吸附膠體（colloid)粒子（Pd/Sn)。 且再將基板41進行水洗。之後，將基板41以約25°C約8 分鐘期間，以黃氫氟酸進行處理。爲用以去除膠體表面層 (Sn )。且再將基板41進行水洗。之後，將基板41以約 4 5°C約10分鐘期間，以EDTA-2Na、硫酸銅、甲醛、氫氧 化鈉進行處理，而形成上述之無電解Cu電鍍層45。此時 ，Cu係將Pd作爲觸媒而析出。且再將基板4 1進行水洗。 -16- 532052

五、發明說明（15) 接著，在乾燥程序中，將形成無電解Cu電鍍層45之基 板41，使其在以濕風下將基板溫度設爲80°C、44分鐘期 間乾燥。此外，乾燥時間亦可爲3 3分鐘之程度。在此種 程序中，雖可完全地乾燥基板4 1，然而因加熱溫度較低， 故第1樹脂絕緣層7與Pd43及無電解Cu電鍍層45之密 著強度並未大幅提昇。 接著，在電鍍防飩層形成程序中，係將所定圖型之電鍍 防蝕層47形成在無電解Cu電鍍層45上（參照第3圖） 〇 具體而言，首先，將基板41以約80°C預熱，之後，便 以約110°C、約2m/min之速度將乾薄膜（電鍍防蝕）貼 附在基板41上。之後，使用所定圖型之遮罩將乾薄膜進 行曝光。曝光條件係爲，曝光100mJ/cm2、照度30mW/ cm2。之後，以約lm/min之速度剝離PET。之後，將乾薄 膜以約25°C、以Na2C03處理、曝光。最後，以空氣吹拂 基板41而使其乾燥。 接著，在電解C u電鍍程序中，如第3圖所示，於該基 板4 1上實施電解Cu電鍍，在形成連通孔充塡物1 9 (未圖 示）的同時，將電解Cu電鍍層49形成在第1樹脂絕緣層 7之無電解Cu銅電層45上。 具體而言’首先，將基板41以約6 5 °C約5分鐘期間， 以有機酸與1 %硫酸銅進行處理、脫脂。爲用以去除表面 之膜。且將基板41進行水洗。之後，將基板41以約30°C -17- 532052 五、發明說明（16) 約1分鐘期間，以10%之硫酸洗淨。爲用以去除Cu表面 之污點。且再將基板41進行水洗。之後，將基板41以約 22°C約60分鐘期間，以硫酸銅、硫酸、氯等進行處理， 形成上述之電解電鍍層4 9。且再將基板4 1進行水洗。最 後，使基板41以約65°C約9分鐘期間乾燥。 接著，在電鍍防蝕層去除程序中去除電鍍防蝕層47 (參 照第4圖）。 具體而言，將基板41以約50°C約1分40秒期間，藉由 以氫氧化鈉進行處理而剝離電鍍防蝕層47。且將基板4 1 進行水洗。之後，使基板41吹拂空氣而乾燥。 接著，在蝕刻程序中，如第4圖所示，藉由蝕刻而去除 已露出之無電解Cu電鍍層45 (覆蓋至電鍍防飩層47之無 電解Cu電鍍層45 )，形成所定圖型之第2導體層29。 具體而言，首先，將基板41以約25°C約2分鐘期間， 以過硫酸鈉與硫酸進行處理，且蝕刻去除一方之面所露出 之無電解Cu電鍍層45。且將基板41進行水洗。之後，使 基板41吹拂空氣而乾燥。之後，反轉基板41，再度以 25°C約2分鐘期間，以過硫酸鈉與硫酸進行處理，且蝕刻 去除另一方之面所露出之無電解Cu電鍍層。且將基板41 進行水洗。之後，以空氣吹拂基板41而使其乾燥。 此時，由第2導體層29露出之第1樹脂絕緣層7之露 出部上，係殘留有未完全蝕刻去除之Pd或Cu的金屬殘渣 51 ° -18- 532052 五、發明說明（彳7) 由Pd附著程序至該種蝕刻程序爲止之程序係爲，任何 一種程序均將基板溫度維持在約85它以下之較低溫度。因 此’第1樹脂絕緣層7與Pd43及無電解Cu電鍍層45之 密著強度並未大幅提昇，故，無電解Cu電鍍層45或Pd43 係易以蝕刻去除，殘留在第1樹脂絕緣層7之露出部上之 金屬殘渣5 1係較習知爲少。 此外’在本實施例中，由無電解Cu電鍍程序至蝕刻程 序爲止’意即，導體形成程序係相當於無電解Cu電鍍程 序、乾燥程序、電鍍絕緣層形成程序、電解Cu電鍍程序 、電鍍防蝕層去除程序、鈾刻程序。 接著，在氰處理程序中，將形成有第2導體層29基板 41使用30g/ 1之氰化鈉水溶液，以約28°C、5分鐘期間 進行洗淨。藉此而完全地去除附著在第1樹脂絕緣層7露 出部之Pd或Cu等金屬殘渣5 1。然而，係不同於以習知之 過錳酸處理之情況（參照第6圖），第1樹脂絕緣層7之 表面粗度將不使受到破壞（參照第5圖）。之後，將基板 4 1進行水洗。 之後，使該基板41以基板溫度65°C、約22分鐘期間進 行乾燥。且再度使用30g/ 1之氰化鈉水溶液，以約28°C 、5分鐘期間洗淨基板41。如此’藉由在介於暫時乾燥之 程序而以氰溶液進行洗淨，較單以氰溶液進行長時間之洗 淨，可更確實地去除Pd或Cu等金屬殘渣5 1。此外，在氰 處理程序後之金屬殘渣51之有無係使用螢光顯微鏡，藉 -19- 532052 五、發明說明（18) 以辨識第1樹脂絕緣層7之露出部而可容易地進行判斷。 之後，再將基板41進行水洗。且該基板41以基板溫度 65°C、約22分鐘期間進行乾燥。 此外，亦可將80°C程度之溫度作爲使基板4 1乾燥之溫 度。 在本實施例中，由Pd附著程序至氰處理程序爲止之任 一種程序，均是將基板4 1保持在約8 5 °C以下之較低溫度 來進行處理。從而，殘留在第1樹脂絕緣層7之露出部之 金屬殘渣5 1係未呈極強固地附著在第1樹脂絕緣層7上 ，因此，可藉以此種氰處理程序而確實地去除金屬殘渣5 1 。藉此，可確實地防止產生在第2導體層29上之短路或 絕緣電阻減低之情況。 接著，在加熱處理程序中，以150°C、120分鐘期間加 熱氰處理後之基板41。此外，可將此種加熱處理作爲，例 如，以約100°C約30分鐘期間加熱、亦可作爲以約120°C 約30分鐘期間加熱、更可作爲以約150°C約120分鐘期間 加熱。藉此強固第1樹脂絕緣層7與第2導體層29之無 電解Cu電鍍層45之密著、以及強固第2導體層29之無 電解Cu電鍍層45與電解Cu電鍍層49之密著。此外，該 程序係在氰處理程序後進行，因而在氰處理程序中，並無 難以去除殘留在第1樹脂絕緣層7之露出部上之金屬殘渣 5 1的不良情況。 接著在導體粗化程序中，使用含有蟻酸之餽刻液，將第 -20- 532052 五、發明說明（19) 2導體層29之表面以形成表面粗度Ra =約0.40//m而進 行蝕刻粗化（參照第5圖）。藉此，可提昇第2導體層29 與後述之第2樹脂絕緣層9之密著強度。 具體而言，係將基板41以約35°C、並以含有蟻酸之蝕 刻液進行處理，粗化第2導體層29之表面。且將基板41 進行水洗。之後，將基板41以約25°C、並以鹽酸進行處 理。爲用以去除污點。且再將基板41進行水洗。 在本實施例中，爲藉由上述加熱處理程序而使軟化第2 導體層29 (被改質），因此，在此種導體粗化程序中，係 可將第2導體層29之表面確實地粗化呈所希望之表面粗 度。 之後，在防銹程序中進行於第2導體層29中之防銹處 理。具體而言，爲將基板41以約25°C、並以甲醇進行處 理，形成有機被覆膜。且將基板41進行水洗。之後’使 基板41以約86. 5°C進行乾燥。 接著，在第2樹脂絕緣層形成程序（上部樹脂絕緣層形 成程序）中，如第5圖所示，在第1樹脂絕緣層7及第2 導體層29上形成具有連通用貫通孔22 (未圖示）之第2 樹脂絕緣層9。 具體而言，係重疊由感光性環氧樹脂等所形成之薄板狀 之未硬化樹脂，進行加熱處理而使其半硬化。之後，使用 所定圖型之遮罩，曝光、顯像半硬化樹脂絕緣層，更使其 加熱、硬化，而形成具有連通用貫通孔22之第2樹脂絕 -21 - 532052 五、發明說明（2〇) 緣層9。 此時’第1樹脂絕緣層7係被粗化呈所希望之表面粗度 (Ra= 0.45/z m)，此外，第2導體29亦被粗化呈所希望 之表面粗度（Ra=〇.4〇//m)，因此，係分別提高第1樹 脂絕緣層7與第2樹脂絕緣層9之密著強度、以及第2導 體層29與第2樹脂絕緣層9之密著強度。 之後’依據在第1樹脂絕緣層7中形成第2導體層29 等方法，在第2樹脂絕緣層9中形成第3導體層31。亦即 ’依次以樹脂粗化程序、Pd附著程序、無電解Cu電鍍程 序、乾燥程序、電鍍防蝕層形成程序、電解Cu電鍍程序 、電鍍防蝕層去除程序、蝕刻程序、氰處理程序、加熱處 理程序、導體粗化程序、以及防銹處理。 之後，在焊劑防蝕塗層形成程序（上部樹脂絕緣層形成 程序）中，在第2樹脂絕緣層9及第3導體層31上，形 成具有墊部用開口 25之焊劑防蝕塗層1 1。 具體而言，在第2樹脂絕緣層9及第3導體層31上， 形成半硬化之焊劑防蝕塗層，使用對應於墊部用開口 25 之所定圖型遮罩而進行曝光、顯像。之後，再進行加熱處 理使其硬化，形成具有墊部用開口 25之焊劑防蝕塗層11 〇 如此，在第2樹脂絕緣層9中形成第3導體層3 1 ’再者 ，形成焊劑防蝕塗層1 1之各個程序’係與前述在第1樹 脂絕緣層7中形成第2導體層29及第2樹脂絕緣層9之 -22- 532052 五、發明說明（2〇 各個程序相同，因此’即使在該等程序中，亦可獲得相同 之效果。 在形成焊劑防鈾塗層1 1後，於N i - Au電鍍程序中，爲 防止由焊劑防蝕塗層1 1露出之墊部等之氧化而形成N i電 鍍層，再者，於其上形成Au電鍍層。 如此而完成第1圖所示之配線基板1。此外，在由焊劑 防蝕塗層1 1所露出之墊部上，以焊接等方式立設有銷（ P i η )，或是亦可形成焊料墊部。 上述中，雖將本發明就實施例進行說明，然，本發明並 、不僅限定於上述實施例，想當然爾，係爲適用在不脫離其 要旨之範圍內而適當地進行變更。 例如，在上述實施例中，作爲導體層形成程序，進行導 體層形成程序、無電解Cu電鍍程序、乾燥程序、電鍍防 蝕層形成程序、電解Cu電鍍程序、電鍍防蝕層去除程序 、以及蝕刻程序’而形成有第2、第3導體層29、31。亦 即，藉由所謂的半添加法（semi-additive process)而 形成有第2、第3導體層29、31。 不過，除此以外之方法，亦可藉由例如移除法（ subtractive process)來形成第 2、第 3 導體層 29、31 。適用於移除法的情況，係進行無電解Cu電鍍程序、乾 燥程序後進行電解Cu電鍍程序以作爲導體層形成程序。 之後，形成蝕刻防蝕層（蝕刻防触層形成程序），蝕刻去 除由該防蝕層露出之電解Cu電鍍層及其下之無電解Cu電 -23- 532052 五、發明說明（22) 鍍層而形成第2或第3導體層29、3 1 (蝕刻程序），之後 ，亦可去除蝕刻防蝕層（蝕刻防蝕層去除程序）。 圖式簡單說明 第1圖所示係關於實施例之配線基板之局部放大斷面圖 〇 第2圖所示係關於實施例中配線基板之製造方法，顯示 使Pd附著至表面已粗化之第1樹脂絕緣層上之說明圖。 第3圖所示係關於實施例中配線基板之製造方法，顯示 將電解Cu電鍍層形成在由電鍍防蝕層露出之無電解Cu電 鍍層上之說明圖。 第4圖所示係關於實施例中配線基板之製造方法，顯示 飩刻去除覆蓋至電鍍防蝕層上之無電解Cu電鍍層之說明 圖。 第5圖所示係關於實施例中配線基板之製造方法，顯示 形成第2樹脂絕緣層之說明圖。 第6圖所示係有關習知技術之配線基板之局部放大斷面 圖。 第7圖所示係有關習知技術之配線基板之製造方法，顯 示使Pd附著在表面已粗化之樹脂絕緣層上之說明圖。 第8圖所示係有關習知技術之配線基板之製造方法，顯 示將電解Cu電鍍層形成在由電鍍防蝕層露出之無電解Cu 電鑛層上之s兌明圖。 第9圖所示係有關習知技術之配線基板之製造方法，顯 -24- 532052 五、發明說明（23) 示蝕刻去除覆蓋至電鍍防蝕層上之無電解Cu電鍍層之說 明圖。 【圖式符號說明】 1 :配線基板 5 :核心基板 7 :第1樹脂絕緣層 9 :第2樹脂絕緣層 1 1 :焊劑防蝕塗層（樹脂絕緣層） 27 :第1導體層 29 :第2導體層 31 :第3導體層 41 :基板 43 ： Pd 45 :無電解Cu電鍍層 47 :電鍍防蝕層 49 :電解Cu電鍍層 51 : ( Pd或Cu之）金屬殘渣 -25-

Claims (1)

1. 532052 身 六、申請專利範圍 第9 1 1 1 4047號「配線基板之製造方法」專利案 (92年2月10日修正） 六申請專利範圍： 1 · 一種配線基板之製造方法，爲具備有：樹脂絕緣層；導 體層，爲呈所定圖型而形成於該樹脂絕緣層上；以及上 部樹脂絕緣層，係積層在上述樹脂絕緣層及導體層上之 配線基板之製造方法，其特徵在於具備有： 導體層形成程序，在具有附著以所希望之表面粗度粗 化、且附著Pd之上述樹脂絕緣層之基板中，於上述樹 脂絕緣層上以無電解Cu電鍍及電解Cu電鍍而形成上述 導體層； 氰處理程序，係將上述導體層所形成之基板使用氰溶 液來洗淨； 以及上述樹脂絕緣層形成程序，已經過上述氰處理之 基板中，於上述樹脂絕緣層及導體層上，形成上部樹脂 絕緣層。 2 ·如申請專利範圍第1項之配線基板之製造方法，其中在 前述氰處理程序之中，介於使前述基板乾燥之程序之間 ，以多數次、且以上述氰溶液而洗淨上述基板。 3 ·如申請專利範圍第 2項之配線基板之製造方法，其中 由前述導體層形成程序至前述氰處理程序，係將基板溫 度維持在約85°C以下。 4 ·如申請專利範圍第1至3項中任一項之配線基板之製造 532052 六、申請專利範圍 方法，其中具備有加熱處理程序，係爲在前述氰處理程 序後、前述上部樹脂絕緣層形成程序前，將已經過上述 氰處理之基板加熱至超過約85t之溫度。 5 ·如申請專利範圍第4項之配線基板之製造方法，其中具 備有導體粗化程序，係爲在前述加熱處理程序後、前述 上部樹脂絕緣層形成程序前，粗化前述導體層之表面。 6 · —種配線基板之製造方法，爲具備有：樹脂絕緣層；導 體層，爲呈所定圖型而形成於該樹脂絕緣層上；以及上 部樹脂絕緣層，係積層在上述樹脂絕緣層及導體層上之 配線基板之製造方法，其特徵在於具備有： 無電解Cu電鍍程序，係在具有附著以所希望之表面 粗度粗化、且附著Pd之上述樹脂絕緣層之基板中，於 上述樹脂絕緣層上形成無電解Cu電鍍層； 乾燥程序，係將已形成有上述無電解Cu電鍍層之基 板以約85°C以下之溫度乾燥； 電鍍防蝕層形成程序，上述乾燥程序後，於上述無電 解Cu電鍍層上形成所定圖型之電鍍防蝕層； 電解Cu電鍍程序，於由上述電鍍防蝕層所露出之上 述無電解Cu電鍍層上，形成電解Cu電鑛層； 電鍍防蝕層去除程序，係於上述電解Cu電鍍程序後 ，去除上述電鍍防蝕層； 蝕刻程序，係蝕刻去除覆蓋於上述電鍍防蝕層之上述 無電解Cu電鍍層，而形成上述導體層； - 2 - 532052 六、申請專利範圍 氰處理程序，係使用氰溶液來洗淨上述導體層所形成 之基板； 以及上部樹脂絕緣層形成程序，已經過上述氰處理之 基板中，於上述樹脂絕緣層及導體層上形成有上部樹脂 絕緣層。 7 ·如申請專利範圍第6項之配線基板之製造方法，其中在 前述氰處理程序之中，爲介於使前述基板乾燥之程序之 間，以多數次、且以前述氰溶液而洗淨上述基板。 8 .如申請專利範圍第6項或第7項之配線基板之製造方法 ，其中具備有加熱處理程序，係爲在前述氰處理程序後 、前述上部樹脂絕緣層形成程序前，將已經過上述氰處 理之基板加熱至超過約85t之溫度。 9 .如申請專利範圍第8項之配線基板之製造方法，其中具 備有導體粗化程序，係爲在前述加熱處理程序後、前述 上部樹脂絕緣層形成程序前，粗化前述導體層之表面。 —3-