TW513622B - Photo-absorbing polymer composition capable of forming photo-absorbing film and photo-absorbing film together with its use as antireflection film - Google Patents

Description

513622 A7 B7 五、發明説明（，） 發明所鼷抟術鮪蟪 本發明係關於光吸收的有機發色圑Μ化學方式结合於 聚合物而得之光吸收性聚合物，含有此光吸收性聚合物 之組成物，Μ及使用此組成物之光吸收膜。尤指利用平 版印刷法製造積體電路元件時，可形成良好反射防止膜 等光吸收膜之光吸收性聚合物，含有此光吸收性聚合物 之組成物，以及由此組成物形成的反射防止膜等光吸收 膜。 習知抟銜 經滴部中决標準局員工消费合作社印繁 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在積體電路元件的製造技術中，為得更高積體度，Κ 平版印刷法進行加工尺寸的微细化，近年來在技術上已 可開發出四分之一微米程度的微细加工。在此平版印刷 製法中，於基板上塗抗蝕劑使用縮小投影曝光裝置，將 光罩圖型轉印到照相抗蝕劑，採用適當顯像溶液加Μ顯 像，而得所需寬度，所需形狀的抗蝕劑圖型。可是積體 電路元件製造中所用基板中，大多反射率高，曝光時通 過照相抗蝕劑層的曝光用之光，即被基板反射，再人射 於抗蝕劑層，光不可照射的抗蝕劑部份，光亦可到達， 故有難Μ獲得所需圖型或圖型發生缺陷的問題。此稱為 靜止波或反射刻痕，為解決此等因反射而造成的問題， 向來研究過各種方法。例如把曝光所用光的波長領域具 有吸收性的色素分散在抗蝕劑中之方法，CVD法、真空 蒸著法等用氮化鈦等無機化合物膜，在基板上形成光吸 收膜之方法，將光吸收性色素分散或溶解於有機聚合物 一 3- 本紙张尺度述川中國1¾家標準（CNS ) Λ4規格（210 Χ 297公釐） 513622 A7 B7 五、發明説明（> ) 經滴部中央標準局員工消費合作社印$!. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 溶液，在基板上塗佈形成光吸收膜之方法，遷有將發色 團以化學方式结合於聚合物之光吸收性聚合物，塗佈於 基板形成光吸收膜之方法等。上述方法當中，光吸收性 色素分散於抗蝕劑中之方法，有抗蝕劑感度降低，顯像 中抗蝕劑變薄，烘烤時色素昇華等問題。另方面，使用 無機反射防止膜之方法，有膜厚的正確控制、膜壓均句 性、進行蒸著的特殊裝置，與抗蝕劑膜的黏著性問題，必 須另行處理乾性侵蝕圖型轉印步驟等各種問題。另外， 將光吸收性色素分散於反射防止膜中之方法，則有利用 旋塗形成反射防止膜聚合物與色素分離，色素溶出於抗 蝕劑溶劑，烘烤時在抗蝕劑膜中的色素昇華等問題。相 對地，使用光吸收性聚合物之方法，無上述諸缺點，故 近年來此方法頗受矚目。於反射防止膜使用光吸收性聚 合物之方法，K及使用此方法之材料，已載於例如特開 平6-75378和6-118656號，W0第9412912號，美國專利 4910122和5057399號等。因此，光吸收性聚合物當中， 尤其使用是光吸收性發色團以化學方式结合於聚合物骨 架的材料之方法，最近最受期望，其研究及其部份係研 究其應用。特別是用e X i in e r雷射波長K下的光之製法， 必須用到反射防止膜，亟需提_具有良好特性的反射防 止膜。 另外一方面，在基板上形成抗蝕劑膜時，要求若基板 面的凹凸大，則塗佈底塗層或中間層，利用此等層使抗 蝕劑塗佈面平滑，形成尺寸精密度高的抗蝕劑圖像，對 -4- 本紙張尺度適用中國囤家標净（CNS ) Λ4規格（210X 297公釐） 513622 A7

7 B '—\ 明説 明 發五 收 吸 光 置 設 間 之 板 基 與 。 劑 要蝕 必抗 之等 討膜 檢止 M防 加射 有反 求在 要 ， 等又 此 反成 佈烤 塗烘 上 ， 板物 基成 在組 先性 是成 般形 一 膜 ，收 時吸 型光 圖等 劑液 蝕溶 抗性 成成 形形 膜膜 間止 中防 性射 防 射 反 在 塗 等蝕部 膜抗去 止得除 ，劑 法触 製抗 等去 理除 膜處行 劑像進 触顯 ， 抗、等 將光蝕 ，曝侵 後、性 性成乾 溶形用 不經利 劑，後 溶上然 劑膜 ， 蝕收型 抗吸圖 對光劑 法 方 之 膜 皮題 等課 膜的 止決 防解 射要 反所 的明 位發 收往 吸往 光 ， 的低 物度 合解 聚溶 於的 合劑 结溶 式用 方劑 學蝕 化抗 M對 素多 色大 將般 逑一 上 ， ，物 是 合 可聚 性 防溶 射用 反所 。 物 劑成 溶組 的性 同成 不形 劑膜 溶收 用吸 劑光 蝕等 抗劑 與溶 等佈 嗣塗 己 的 環性 用成 採形 須膜 必止 增 ， 會劑 ，溶 中的 當同 路不 電劑 體蝕 積抗 造與 製用 在使 , 因 時又 同 ， 不程 目 所成 劑形 蝕膜 抗收 與吸 ，光 劑加 的止 膜防 止射 防反 射若 反 ， 如時 例行 ，進 外置 另裝 。 佈 能塗 性樣 的同 身用 本使 劑劑 蝕蝕 抗抗 到和 響 ， 影佈 會塗 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 與生 液產 廢會 的' , 時料 佈材 塗膜 劑止 蝕防 抗射 於反 由出 ，析 劑而 溶 ， 劑合 蝕混 抗液 於溶 溶膜 不止 料防 材射 膜反 題用散 問淨分 等洗素 陷的色 缺新子 型置分 圖設低 及須發 以必開 ,, 已 末邊雖 粉周 ， 體和述 固面所 生內上 產板如 ，基 〇 塞淨線 堵洗管 管為應 配，供 的外之 液此劑 廢。溶 板 良 基不 的多 段大 階性 有蓋 具覆 在即 等 ， 此性 惟勻 ，均 膜不 收的 吸大 光很 為有 做厚 ,膜 中 ， 物時 合佈 聚塗 於上 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) Λ4規梠（210X 297公犮） 513622 kl B7 五、發明説明（4 ，亟需有所改 製程中，由於 的膜厚均勻， ，使基板平坦 Μ提高所形成 ，故亟需提供 具有階段的基 的變化，且可 再者，在近 因此，抗蝕劑 雷射（2 4 8 η ία) 善。另外，具有部份階段的基板上在抗蝕 階段而難以塗佈抗蝕劑，或難以使抗蝕劑 在此等情況下，需用成膜材料把階段埋設 ，而在上面塗佈之抗蝕劑膜，膜厚均勻， 抗蝕劑圖型的精密度，同時進行防止反射 一種反射防止膜材料，性能高，可控制在 板上之覆蓋性◦不因烘烤導致反射防止膜 溶於抗蝕劑用溶劑。 來抗蝕製程中，對高解析度化之要求高， 的曝光波長即朝向短波長移動，使用KrF 的製法可K實用。然而，目前所用基板在 請 先 閱 讀 背 面 之 注 意， 事 項 再 填 寫 本 頁 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 會可發膜 性組 ，高光適黏 也又開使 收此 物性等且的 ,薄須即 吸用 合解膜，膜 時膜必， 光及 聚溶止坦劑 同以，高 的M性的防平蝕 的則此收 求， 收劑射板抗 化，因吸 要物 吸溶反基和 度等。的。多成 光用的使板 析法佳長劑諸組 種劑勻，基 解蝕為波蝕此之 一蝕均設與 高乾膜光抗如物 供/抗厚埋 ， 且及收曝種足合 提對膜段高 ,顧吸用多滿聚 於即成階果 高為光所合M性 在，形把效 射故的對配可收。 ，求可，膜 反 ，i,可供吸膜的要板形止 的厚Jt料又提光收目項基情防 域膜防材，在此吸一諸的視射 領的射膜陷旨有光第述段可反 長劑反收缺即含的之上階並種 波蝕好吸膜明 ，成明足有 ，一 短抗良光無發物形發滿具膜成 等少行種亦本合物本 Μ 對收形 此減進一厚 聚成 可 ，吸於 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X297公漦） 513622 kl B7 五、發明説明（：） 著性，乾蝕性、耐熱性優，且解析度優良之抗蝕劑圖型 之光吸收膜。 本發明第二目的，在於提供一種組成物，可形成滿足 上逑諸特性的光吸收膜。 本發明第三目的，在於提供一種方法，可形成滿足上 逑諸特性的光吸收膜。 本發明第四目的，在於提供一種可滿足上述諸特性的 光吸收膜和反射防止膜。 解決課頴的丰段 本發明人等潛心研究結果，發現使用側鏈具有酮基的 單體，做為光吸收性聚合物之重複單位，即可得滿足上 逑諸特性的光吸收性聚合物，而完成本發明。 即本發明在如申請專利範圍第1項所載發明，係至少 具有下式0)所示側鐽具有_基的重複單位，和下式⑵所 示側鐽具有可吸收特定光之有機發色團的重複單位，而 對特定波長的光具有吸收性的光吸收性聚合物。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 和 基 機 R1有 中他 ⑴其 式、 R丨cIΗ

:ICIH 基 烷 、 子 原 氫 表 代 同 不 或 同 (R3::相 OI此:lc——c_ ί 彼 可 基 機 有 之 基 贐 碳 1 少 至 有 具 為 11C-Υ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規枱（210X 297公# ) 513622 A7 B7 五、發明説明（b ) 和 基機主 之 收及 式長 用於之 院有於 物 吸以 有波式時常由膜 、 的合 合 光， 具定下基劑，皮 子長结 聚 明法 。少特 κ_ 蝕時硬 原波基 性 發方 此至收，數抗合成 氫定接 收 本之 於係吸位複對結形 表特連 吸 述膜。定，可單有物子有 代收由 光 上收膜限述而複具合原 ， ，吸經 明 佈吸止非上 ，重 ，聚氫應 同可或 發 塗光防並如位示示性一反 不有接 本 上成射明物單所所收有劑 或具直 述 板形反發合複⑴⑸吸少聯 同為係 上 基烤及本聚重式⑷光至交 栢 Υ 團 有。在烘膜惟性示惟 ® 高基與 此，色 含物，用收，收⑵，式提甲易 彼基發 為成為利吸下吸式物下，亞容 可機機 明組明，光如光和合如在而 ， S 有有 發性發物之明明位聚。存 ，性 ί 他 ，。一成一成成發發單性佳的性活 4 其基子另形又組形本本複收為基解的 R4或之原明膜明性法述，重吸示酮溶子 中基團碳發收發成方詳先示光所此的原 。 ⑵羧色之本吸本形此玆首所的⑸於劑氫徵 式、發鏈 光 膜由 S 光 S 由溶此特 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製

RICIH

Ρ6 X1R 2 - 〇 R—C-C 和 同 不 或 同 相 此 6 彼 R 可 ， 2 基 ί機 有 R1他 中其 ⑶及 式、 基 烷 Λ 子 原 氫 表 代 為

S , 或 基鐽 機支 有、 之鐽 基直 醯之 碳子 一 原 少碳 至 一 有含 具少 為至 6 或 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規枱（210X 297公t ) 513622 A7 B7 五、發明説明（7 ) 環型烷撐基，R7為氫原子，可被取代的苯基，環型、 直鐽或支鐽烷基。 十Η十 ⑷ H COC(R8)(R9)COR10 式中Ri ,R2 ,Rs ,R9 、R 10可彼此栢同或不同，代表氫 原子、烷基，或其他有機基。

Ri R2 十十 (5) H c〇r11coc(r12)(r13)c〇r14 式中1^1,1?2,812,1?13,1^4可彼此相同或不同，代表氫 原子、烷基、或其他有機基，Ru為二價基。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 上述式⑶或式⑷所示構成重複單位之單體，具體例如 下： Η ch3 ί CH2—c CH2===:C 1 1 COCH2COCH3 c〇ch2c〇ch3 H I ch3 1 CH2==:C ch2=c c〇ch2c〇^^ 1 c〇ch2c〇·^^

Η I CH2==::C

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規枱（210X 297公t ) -9- 513622 A7 B7 五、發明説明（ί 又，上逑式（5)所示重複單位，例如式中R u為-0 R 1S 0 -基或_NHR 0-基（R1S為可被取代之直鐽、支鐽或環型 烷撐基，或可被取代之苯撐基）時，Re Μ環氧乙烷基 等烷撐基為佳。式⑶或式⑸所示構成重複單位之單體， 具體例如下：

CH 丨2-

Η I =C COOCH2CH2OCOCH2COCH3 (¾先閱讀背而之注意事項再填寫本頁)

CH 2" Η I :c c〇〇ch2ch2oc〇ch2co-^^ ch3 CHo^^C I COOCH2CH2OCOCH2COCH3 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 H 1 ch2==c conhch2ch2ococh2coch3 另方面，上述式⑵所示重複單位，進一步具體例有如 式（6)或式⑺所示： ?4 ?5 •C-C 一 (6) Η

Ar 10- 本紙張尺度適用中國國家標皐（(：、$)/\4規格（210/297公蝥） 513622 A7 B7五、發明説明（# ) 式中R4和Rs可彼此栢同或不同，代表氫原子、烷基、 羧基，或其他有機基，Ar為可吸收特定波長光之發色團 ，可以取代基取代之笨環基，縮合環基或雜環基，此等 基可直接或經由連接基結合於主鐽之碳原子。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製

RIC—H 和 此基支 彼機、 可有鐽 1Π 他直 {其的 或子 4 R ，原 中基碳 式羧 一 2 X 同 I, 〇 :丨C-C 栢 7 或 子 烷 原6»一 sRleff 表Μ之 代，基 ,S撐 同’烷 不Ξ狀 An或豸環 —， 2 X 或 ，鐽 基 烷 含 少 至 基 撐 烷 鐽 支 或 鏈 直 狀 環 或 基 苯 之 代 取 被 可 子 原 氦 為 16 所經 基或 代_接 取直 被可 可基 ，等 團此 色 ， 發基 的環 光雜 長或 波基 定環 特 合 收縮 吸 、 可基 為環 1 苯 ΑΓ之 ，代 基取 下 如 體 單 之 位 單 複 8 S 成 構 示 ο 所 2 XS 於式 合或 結⑹ 基式 接述 連上 由 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規枱（210Χ 297公t ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 513622 A7 B7 經濟部中决標準局員工消費合作社印^ 五、發明説明（π )

CH3ch2=? ch2 COίο ch3 Ich2=c _c〇och2ch2n(ch3)h^^-n〇2no2

ϋϋ^ ml m.—^ nm nm —mi mu In (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、11 L# -12- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) 513622 kl 五、發明説明（、《 )

CH3 Η2〇===0 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) cooch2 〇6〇 ch3

I CH2—/=\ C〇NH_\_/"C0~\_/ 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 另外，本發明光吸收性聚合物除上述式⑴和式⑵重複 單位之外，為使聚合物賦有高度光吸收性，高度侵蝕速 度，對特定溶劑的溶解性、良好保存安定性、交聯（硬 化）性，或其也良好特性，亦可具有式⑴和式⑵Μ外之 重複單位。構成此等其他重複單位的單體，有例如對聚 合物賦予可溶性之通常為丙烯酸酯類、異丁烯酸酯類等 ，且為提高Tg ,亦可用苯乙烯類。做為式⑴和式⑵Κ外 之重複單位，可賦予良好特性之其他共聚單體例有：異 丁烯酸甲酯、丙烯酸甲酯、2 -羥乙基異丁烯酸酯、異丁 烯酸乙酯、2-(異丁醯氧基）乙基異丁烯酸酯、異丁烯酸 丁酯、異丁烯酸特丁酯、異丁烯酸縮水甘油酯、異丁烯 酸、丙烯酸、丙烯睛、丙烯_胺、羥甲基丙烯醯胺、2- -1 3 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規枱（210X 297公漦） 513622 A7 B7 五、發明説明（…） 異氰酸根絡乙基異丁烯酸酯、4-乙贐氧基苯乙烯、3-甲 基-4-羥基苯乙烯、苯乙烯、氯乙烯、乙基乙烯醚、丁 基乙烯醚、異丁基乙烯醚、環己基乙烯醚、甲基乙烯醚 、馬來酐、馬來醯亞胺、Ν-取代馬來醯亞胺、乙酸乙烯 酯、2-異氰酸根絡乙基丙烯酸酯等。其中以異丁烯酸甲 酯、異丁烯酸、丙烯酸甲_、2 -羥乙基異丁烯酸酯、羥 甲基丙烯醯胺、異丁烯酸丁酯、異丁烯酸特丁酯、異丁 烯酸縮水甘油酯、甲基乙烯醚、丁基乙烯醚等為佳。 主要因具有此共聚單體所賦予特性，就特性類別為例 ,與有機發色團同時使用時，更能提高光吸收性者有例 如2 -異氟酸根絡乙基丙烯酸酯、馬來酐、馬來醯亞胺、 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) Ν -取代馬來醯亞胺、2 -異氰酸根络乙基異丁烯酸酯等， 提高侵蝕速度者有例如異丁烯酸甲酷、丙烯酸甲酯、2-羥乙基異丁烯酸酯、異丁烯酸乙酯、異丁烯酸丁酯、異 丁烯酸特丁酯、丙烯酸、氯乙烯等，為改善對PGMEA 、 乳酸乙酯等通常做為照相抗蝕劑所用溶劑之溶解性者， 有例如2_(異丁烯醯氧基）乙基異丁烯酸酯、丙烯酸、4-乙醸氧基苯乙烯、3-甲基-4-羥基苯乙烯、乙基乙烯醚 、丁基乙烯醚、異丁基乙烯醚、環己基乙烯醚、甲基乙 烯醚、乙酸乙烯醚等，為改善交/聯（硬化）性者，有例 如2-異氰酸根絡乙基丙烯酸酯、2-異氰酸根络乙基異丁烯 酸酯、異丁烯酸、異丁烯酸縮水甘油酯、羥甲基丙烯醯 胺等，為提高U者，有例如苯乙烯、3 -甲基-4-羥基苯 乙烯等。然而，上述具體共聚單體，Κ及此共聚單體所 一 14 一 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規枱（210X297公t) 513622 Α7 Β7 五、發明説明（ο ) 陚特性之例，僅供舉例而言，並不限於所舉之例，所賦 特性同樣不限於具體例。 另外，構成在側鐽具有吸收特定波長光的有機發色團 之重複單位的單體，有例如存在於主鏈的酐基或羧基， Μ化學方式結合含有羥基或胺基之有機發色團者。 本發明光吸收性聚合物的分子量和重複單位之比例為 廣範圍內變化例所得者，做為光吸收膜材料，Κ 1,000 〜500,000左右的分子量，且式⑴所示重複單位佔全部 重複單位至少5莫耳％ ,而式⑵所示重複單位佔全部重 複單位至少1 〇莫耳％為佳。式⑴和式（2)所示重複單位Κ 佔全部重複單位15莫耳％ Μ上更好。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明光吸收性聚合物溶於溶劑，可用做例如積體電 路製造時的底部反射防止膜。本發明光吸收性聚合物用 於製造積體電路時，若Μ紫外光至遠紫外光為曝光光源 ，則宜使用在180〜450ηΐδ的波長範圍内具有強吸收域者 。因此，光吸收性聚合物欲得具有在此波長範圍之吸收 特性，選用上述式⑵所示重複單位，或必要時式⑴甚至 式⑴和式⑵所示重複單位Μ外的重複單位。使用此等對 曝光波長具有強吸收域的⑵所示重複單位，即可藉光吸 收膜強烈吸收曝光用的波長光，防止從基板反射照射光 ,形成無缺陷的抗蝕劑圖型。 另方面，本發明光吸收膜形成性組成物，含有上述光 吸收性聚合物，必要時再於此聚合物將添加成份溶於各 種溶劑而構成。本發明組成物所用溶劑，使用習知形成 一 15 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規枱（210/297公#_ ) 513622 A7 B7 五、發明説明（β ) 波膜之組成物所用者，只要可溶解本發明光吸收性聚合 物及添加成份即可。較佳溶劑有例如7 -丁內酯、環己 _、二甲基乙醯胺、二甲基甲醯胺、二甲亞硪、Ν -甲基 吡咯烷_、乳酸乙酯（EL)、甲氧基丙醇（PGME)、丙二醇 單甲醚乙酸酯（PGMEA)、甲基戊基甲詷（ΜΑΚ),或其任意 混合物。其中特佳溶劑為7 - 丁內酯、環己酮、EL、PGME 、PGMEA、和PGME與PGMEA的混合溶劑。 另外，組成物中吸收光的聚合物較佳濃度，視組成物 使用目的，光吸收膜的膜厚，而廣泛變化。例如用做反 射防I h膜時，通常濃度在2 0重量S：以下。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 再者，製造本發明光吸收膜形成性組成物時的添加成 份，有例如習知光吸收性化合物，或改善對基板的黏著 性和塗佈特性用之界面活性劑，或矽烷系的匀化劑等。 為提高膜形成時的交聯密度，可添加一般所知交聯劑和 交聯肋劑。此等交聯劑或交聯助劑，具體例有蜜胺系、 取代尿素系，利用熱或光發生酸K促進交聯的酸發生劑 、雙封阻異氰酸酯、封阻異氰酸酯、或含環氧基之聚合 物等。此等交聯劑或交聯助劑凡低分子化合物或聚合物 均可。此等交聯劑或交聯肋劑之添加量，相對於光吸收 性聚合物K0.1〜50重量為佳。/又，光吸收膜形成性組 成物除上述光吸收性聚合物外，為改善皮膜形成性，必 要時可含有低分子化合物，或本發明聚合物以外的聚合 物0 本發明含光吸收性聚合物的光吸收膜在例如基板上形 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規輅（210X297公# ) 513622 kl 五、發明説明（^ ) 成時，可採用將光吸收性聚合物和必要時將添加成份溶 於溶劑所得光吸收膜形成性組成物，塗佈於基板上，或 視情形在基板上進行上述聚合物的形成反應，在基板上 直接形成反應生成物膜之方法。 光吸收膜形成性組成物可在基板上視使用目的塗佈成 適當膜厚。例如形成反射防止膜時，可利用旋塗、流塗 、輥塗等K乾燥膜厚300〜5000 1之厚度加Μ塗佈於基板 上。塗佈後，塗膜在熱板上或於烘箱中烘烤，使其不溶 於抗蝕劑溶劑，烘烤溫度為90〜2601C左右，K1601CK 上為佳。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 於基板上所形成反射防止膜等光吸收膜上，塗佈特定 膜厚的抗蝕劑後，成為預浸物，形成抗蝕劑膜，抗蝕劑 可用正型或負型。可用抗蝕劑的代表例，有酚醛樹脂與 酲二蠡氮物系感光劑構成的正型抗蝕劑，化學增幅型抗 蝕劑等，惟抗蝕劑不限於此。另外，抗蝕劑的溶劑通常 使用EL、PGME、PGMEA、詷類等。預浸物溫度視所用抗蝕 劑而異，通常在30〜200¾左右的範圍。抗蝕劑的曝光 可視所用抗蝕劑，選用可見光，紫外線、遠紫外線、 KrF eximer雷射，氟化氩（ArF)雷射光（193niD)、X射 線、或電子射線等。為防止反射，在光吸收膜所用光吸 收性聚合物，適當選擇上述曝光用照射波長領域具有吸 收性者，曝光後，必要時進行後烘烤，利用顯像液顯像 ，形成抗蝕劑圖型。然後，使用氧氣電漿等氣體電漿， 進行反射防止膜等光吸收膜之乾性侵蝕。如此，即形成 -17- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規枱（210X 297公总） 513622 A7 五、發明説明（4 ) 成基板加工或處理時無缺陷之抗蝕劑圖型。顯像液可用 習知顯像液，即將金鼷的氫氧化物、有機胺類等溶解所 得鹼性水溶液。 本發明光吸收膜形成性組成物，視製法條件，具有防 止光反射的功能，Μ及防止基板與抗蝕劑的相互作用， 或防止抗蝕麵所用材料或抗蝕劑曝光時所生成物對基板 的不良作用等功能之膜，而且於圖型已形成至階段的基 板（階段基板）上塗佈抗蝕劑時，可將基板的階段埋平 ，使在上面塗佈抗蝕劑等，提高塗膜之膜厚均勻性，之 平滑膜功能。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明光吸收膜用做平滑膜時，使光吸收性聚合物的玻 璃化溫度（Tg)稍微降低，進行烘烤時稍會流動，到完全 凝固後，即可溶於抗蝕劑的溶劑之方法。因此，可以考 慮利用光吸收性聚合物藉由熱，Μ減少交聯功能之方法 。達成如此平滑的功能，可Κ考慮光吸收性聚合物的聚 合度、組成物中的光吸收性聚合物濃度，選擇式⑴或式 ⑵所示重複單位的取代基，式⑴所示重複單位與式⑵所 示重複單位在聚合物中的比例，選擇式⑴或式⑵Μ外的 共聚單位，選擇添加成份等各種方法。 本發明光吸收膜形成性組成％因可溶於照相抗蝕劑溶 劑，故可用與抗蝕劑同樣的塗佈裝置和廢液裝置Μ及淋 洗溶液，另外在使用本發明光吸收性聚合物的反射防止 膜中，特別為了形成對DUV(248niH)波長有高度吸收性之 皮膜，K使用對DUV的感應性化學增幅型抗蝕劑用反射 -18 一 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規枱（210X29"?公赞） 513622 Α7 Β7 五、發明説明卜7 ) 防止膜為佳。再者，由於本發明光吸收膜對抗蝕劑的依 賴性少，在1C製造時的抗蝕劑變化中，不必改變反射防 止膜材料，因此不必研究改變製法，對使用者非常有利 。例如在目前市售反射防止膜用材料，赫斯特公司Mi-線（365nm)為光源的抗蝕劑用AZ-BARLi係Μ環己酮為良 溶劑，因難溶於抗蝕劑的溶劑，於反射防止膜塗佈時或 邊緣淋洗時，很難和抗蝕劑使用同樣塗佈裝置，為其缺 點。另外，AZ-BARLi本身雖對DUV有吸收性，但有抗蝕 劑依賴性，視情形在抗蝕劑型態會呈琨長腳foot in g或 底缺。另外，本發明光吸收性聚合物雖可溶於抗蝕劑溶 劑，惟在基板上塗佈後經適當溫度加熱形成之膜，即不 溶於抗蝕劑溶劑，且不溶抗蝕劑用水性鹼性顯像液，為 其特徵。因此，在本發明反射防止膜等光吸收膜上塗佈 抗蝕劑膜時，Κ及曝光後的抗蝕劑濕式顯像時，反射防 止膜等光吸收膜不會溶解。此外，本發明光吸收膜使用 抗蝕劑圖像為侵蝕光罩時，利用乾式侵蝕即可容易除去 ，為其特徵。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明光吸收性聚合物，可利用已知各種合成方法製 得，其一例為，在側鐽具有酮基的前述式⑴重複單位相 對應單體，與具有有機發色團的前述式⑵重複單位相對 應單體，共聚合之方法。具有有機發色團的單體，可例 如由具有羥基或胺基的有機發色團化合物可利用已知方 法，由其丙烯酸酯或醯胺製得。製得光吸收性聚合物的 方法，上述共聚合方法雖為最具一般性，惟亦可採取令 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規輅（210Χ29?公势） 513622 A7 B7 五、發明説明（d ) 具有反應性基的聚合物，與具有羥基或胺基等有機發色 團化合物反應，於聚合物導入光吸收基之方法。 本發明之聚合可用自由基或離子性反應開始劑，在適 當溶劑中進行。共聚物可採取無規共聚物、嵌段共聚物 等各種構成。進行聚合時較好溶劑有甲苯、四氫呋喃、 苯、二甲基甲醯胺、二甲亞6JS、乳酸乙酯、丙二醇單甲 醚乙酸酯（PGMEA)、環戊酮、環己嗣、丁内酯、2-庚嗣 、3-乙氧基丙酸乙酯、乙二醇單乙基乙酸酯、3-甲氧基 丙酸甲酯等。此等溶劑可單獨亦可二種以上組合使用。 反應開始劑的具體例有2,2’-偶氮雙（異丁腈）（纟181〇 、2, 2’-偶氮雙（4_甲氧基-2, 4-二甲基正戊腈）、2,2’-偶氮雙（2-環丙基丙腈）、2,2’-偶氮雙（2,4-二甲基正戊 腈）、2, 2’-偶氮雙（2,4-二甲基戊腈）、1,1’-偶氮雙（環 己烷腈）、笼甲醯過氧化物、特丁基過氧苯甲酸酯、二 特丁基二過氧酞酸酯、特丁基過氧-2-乙基己酸酯、特 丁基過氧特戊酸酯、特戊基過氧特戊酸酯、丁基鋰等， 惟開始劑不限於此。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 此等聚合物從溶劑分離後，再溶於適當溶劑，可做為 反射防止膜或光吸收膜用組成物，合成時所用溶劑可用 做反射防止膜或光吸收膜用組成.物溶劑時，即使不分離 聚合物，亦可直接用做反射防止膜或光吸收膜用組成物 ,將反應结束後的溶液直接塗佈在晶圓等基板。反射防 止膜或光吸收膜用組成物宜使用例如0.5、0.2和0.1等 微孔瀘材過滤，除去不溶性微粒。再者，過濾溶液可例 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規枱（210X297公漦） 513622 Α7 Β7 五、發明説明（β) 如直接塗佈在晶圓等基板上。 所得聚合物分子量受到聚合時間，反應溫度，使用單 體和開始劑濃度、反應媒質等所左右，經適當選擇或調 節此等參變數，即可容易控制所得聚合物分子量。另外 ，藉選用離子性聚合，可得具有狹小分子量分佈之聚合 物。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 光吸收聚合物中的共聚單體莫耳比，因各單體的反應 速度、使用反應條件而定。對所需波長的光吸收性Κ及 最終聚合物的折射率值，在決定其聚合物是否可用做底 面反射防止膜等方面，具有重要意義。膜的光吸收以每 一微米厚在2〜40範圍的吸收為佳，而Μ 5〜25更好。即 使為三元Κ上的共聚物，亦必須具有此吸收性。吸收太 強或太弱，均得不到反射防止膜的良好結果。而反射防 止膜材料所要求的光吸收特性，視其上所塗佈照栢抗蝕 爾材料的光吸收特性Κ及折射率而定。反射防止膜的折 射率最好與上面所塗佈抗蝕劑層的折射率一致較佳，惟 至少也要接近才好。反射防止膜材料的光吸收特性，視 含發色團的單體之分子光吸收特性和莫耳比而定。含發 色團的單體莫耳％ ，對反射防止膜材料具有重要性。在 本發明中容易控制具有有機發色團的單體充填比例，且 可製造所需數值之聚合物。 Η利用實施例詳逑本發明，惟實施例懂供說明，而非 限定本發明範圖。 合成例1合成9 -馬丁烯醯氬某甲某Μ 一 21 一 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210Χ 297公漦） 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 513622 Α7 Β7 五、發明説明（w) 取9-羥甲基M87.5克（0.42莫耳）於室溫添加於500 毫升乙酸乙酷。再加7.3克（60毫升）4 -二甲胺基吡啶 後，攪拌中滴加無水異丁烯酸83克（0.5 4莫耳）。然後 ,混合溶液在6 0 1C攪拌反應約4小時，到反應结束為止 。反應終止後，將反應物冷卻到室溫，加乙酸乙酯，有 機層利用鹼水，再用水洗淨後，將有機溶劑減壓餾除， 得固體標的物。產量80克（73¾)。此生成物測定甲醇 中的紫外線吸收和HMR 。紫外線吸收測量結果，在248 ηιη的莫耳吸光係數為1.05X105 。另外 (s , 1 Η ) , 5 . 9 ( s , 1 Η ) , 6 ♦ 2 ( s，2 Η ) , 7 , 4 9 - 7 ♦ 7 ( m , 4 Η ) ,8·12(ιη , 2Η), 8.4(® , 2Η), 8.67(s, 1Η)顯示信號。 合成例2合成1-畕丁烯醮防某Μ 取1 -胺基饈2 5克（0 . 1 3莫耳），於室溫溶於1 2 0毫升 乙酸乙酯，於此添加0.61克（5毫莫耳）4-二甲基胺基 吡啶，攪拌中5分鐘内滴加無水異丁烯酸2 4. 6克（0.1 6莫 耳）和乙酸乙酯30毫升的混合溶液。然後，混合溶液在 5 0 t反應3小時，攪拌後，冷卻到室溫，將析出的沉澱 物過濾。用乙酸乙酷洗淨沉澱物二次，經真空乾燥，得 標的物1-異丁烯酸胺基Μ,產氣18.6克（60%)。再由 滹液，得約9克標的物。甲醇中的紫外線吸收測定結果 ，在248ηιπ的莫耳吸光係數為4.1Χ104 。 奮_例1 在室溫，取9 -異丁烯氧基甲基憩55.2克（0.2莫耳） 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X297公漦） (請先閱讀背而之注意事項再填寫本頁 、\υο f 513622 A7 B7 五、發明説明（w) ，和乙醯基乙氧基乙基異丁烯酸酯42,8克（0.2莫耳）， 溶於四氫呋喃（THF) 500毫升後，添加自由基開始劑偶 氮雙異丁腈（AIBN)3.28克（20毫升），在室溫導人氮氣 中，攪伴15分鐘，其次，將反應混合溶液在回流溫度加 熱10小時。然後，將反應溶液冷卻到室溫後，於異丙醇 (IPA)沉澱，將沉澱物過滤，再用IPA洗淨，於501C經 真空乾燥，得聚合物（以下稱聚合物A )。產量78克 (82¾) , M1}]-NMR(DMS〇-d6)確認蒽的芳族環上的質 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 子（6 , 5〜8 , 3 p p in) , K及在饈取代的亞甲質子（5 . 2〜6 · 3 ppm),再由乙藤基乙氧基乙基異丁烯酸酯由來的乙基質 子（-OCH2CH2O-, 3〜4ρρβι)積分比，可知聚合物中的 9 -異丁烯醯氧基甲基憩單體與乙醯基乙氧基乙基異丁烯 酸酯之莫耳比，約1.06:1。以移動層使用二甲基甲醯胺 ，標準物質為聚環氧乙烷的GPC分析，可知聚合物A的 重量平均分子量Mw為17,000,數平均分子量Μη為8,430, 分散度Mw/Mn為2.03。將聚合物A溶於PGME,形成可K 旋塗法在矽晶圓上塗佈約1 0 0 η πι膜厚的澹度，在矽晶圓 上成膜，於2 0 0 1C烘烤6 0秒所得膜，利用分光惰圓計測 定结果，在248 n m的膜光學吸收係數（k值）為0.58。 將聚合物A混合PG ME A使在溶液中形成10重量％ ，於室 溫攪拌時，聚合物全部溶解。 奮施例2 除9-異丁烯醻基甲基®(ΜΑ0ΜΑ)和乙醯基乙氧基乙基 異丁烯酸酯（AAEM)充填比，改為表1所載合成1〜2號所 -23 - 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) Λ4規枱（210X297公势） 513622

7 7 A B 五、發明説明（一） 載值外，和實施例1同樣合成聚合物。所得聚合物的 MAOMA和AAEM的共聚合比（莫耳比）利用NMR測定、確 認。使用分光惰圓計測定聚合物膜248ηιη的光學吸收係 數k 。各測定结果如表1所示。再者，進行溶解性試驗 ，可知任何聚合物均可溶於P G Μ E A般的抗蝕劑溶劑。由 上述结果可知本發明可提供高吸收，可溶於抗蝕劑溶劑 的聚合物再琨性良好。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 〔表1〕 合成號次 單體的充填莫耳比 由NMR解析所得聚合物中的 k值 MAOMA：AAEM MA0MA:AAEM 莫耳比 (248mn) 1 0·5:1 0.55：1 0.48 2 0.6:1 0,5 :1 0.51 3-1 (實施例1 ) 1:1 1,06:1 0.58 3-2 (重複實施例1 ) 1:1 1.1:1 0·59 -24- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規枋（210X29*7公犮） 513622 A7 B7 五、發明説明（w) 奮敝例3 於室溫，取1-異丁烯醯基胺基憩52.2克（0.2莫耳） 和乙酿基乙氧基乙基異丁烯酸酯42.8克（0,2莫耳）， 溶於四氫呋喃（THF) 500毫升，再加自由基開始劑偶氮 雙異丁睛（AIBN)3.28克（20毫升），在室溫導人氮氣中 ，攪拌1 5分鐘後，將反應混合溶液在回流溫度加熱1 0小 時。然後，將反應溶液冷卻到室溫，於異丙醇U P A)沉 澱，將沉澱物過滹，再用IPA洗淨，於50 °C經真空乾燥 ，得聚合物生成物。產量82克（89¾)。由 1 H-HMR(DMS〇-d6 ),利用®部份的質子與乙醯基乙氧 基乙基異丁烯酸酯由來的乙基質子（-OCH2 CH2 〇-)之積 分比，確認聚合物中二單體比大約1 : 1 。K二甲基甲釀

胺為流動層，聚環氧乙烷為標準物質之GPC分析，可知 所得聚合物的重量平均分子量為35,000,數平均分子 量Μη為15,200,分散度Mw/Mn為2,3 。此聚合物在2001C 烘烤6 0秒所得膜Κ分光惰圓計測量结果，2 4 δ n in的光學 吸收係數k為0.4 。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 當_例4 於室溫，取 ΜΑ0ΜΑ 41,1 克（0.15莫耳），AAEM32.1 克 (0.15莫耳）和異丁烯酸甲酯15克（0·15莫耳），溶於 四氫呋喃（THF) 500毫升，再加自由基開始劑偶氮雙異 丁腈（A I Β Ν ) 3 . 2 8克（2 0毫莫耳），於室溫導入氮氣，攪 拌15分鐘後，將反應混合溶液在回流溫度加熱10小時。 然後，將反應溶液冷卻到室溫，於異丙醇（I P A)沉澱， -25- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規枱（210X 297公费） 513622 A7 B7 五、發明説明（4) 將沉澱物過滤，再用IPA洗淨，在501C經真空乾燥，得 聚合物（Μ下稱聚合物Β )。產量68·8克（80S：)。以 二甲基甲醯胺為流動層，標準物質為聚環氧乙烷之GPC 分析，所得聚合物的重量平均分子量Mw為30,000,數平 均分子量Μη為14,300，分散度Mw/Mri為2.1 。此聚合物 在200 °C烘烤60秒所得膜，以分光惰圓計測量結果，在 248nm的光學吸收係數k為0.53。另由溶解性試驗结果 ,可知對PGMEA, PGME, EL等抗蝕劑溶劑具有高度溶解 性。 奮_例5製诰光吸收忡絹成物 取上述實施例1所得聚合物A 6克，於室溫攪拌中溶 於PGMEA 100克，俟聚合物完全溶解後，此溶液M0.1微 米的濾材過濾，得光吸收膜形成性組成物C 。其次，於 此光吸收膜形成性組成物C ,溶解六甲氧基甲基蜜胺 (對聚合物A為20重量),和2, 4-隻三氯甲基_6-苯 乙烯基-3-三嗪（對聚合物A為2重量％ ) , M0.1微米 濾材過溏，得光吸收膜形成性組成物D 。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 另外，取實施例4所得聚合物B 5克，在室溫攪拌中 溶解於100克PGMEA ,再混合日本聚胺酯公司製品克羅 尼多2507 (雙異氰酸酯嵌段物）.使對聚合物呈15重量％ ，短暫攪拌後，以0.1微孔滤材過滤，而得光吸收膜形 成性組成物E 。 l:h較例1 取赫斯特公司市售反射防止膜用AZ-BARLi溶液，分別 -26 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規枱（210X297公勢) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 513622 A7 B7 五、發明説明（4) 在4吋矽晶圓上，Μ適當條件旋塗，所得用於比較實驗。 啻确例6 取上述實施例5製成的光吸收膜形成性組成物C , D ，Ε ,分別在4时矽晶圓上，Κ適當條件旋塗，所得用 於以下比較實驗。 當敝例7饼烤前的淋洗Irh齩奮驗 於旋塗器上W 800rpm轉數旋轉的矽晶圓上烘烤前之光 吸收膜形成性組成物，滴加淋洗液（P G Μ E : P G Μ E A = 7 0 : 3 0 重量比）10秒、20秒、30秒，觀察光吸收膜的淋洗狀態 ，结果，由本發明光吸收膜形成性組成物C , D , Em 形成實施例6的光吸收膜，利用10秒淋洗即可完全除去 ,比較例1的AZ-BERLi膜，即使淋洗30秒，只能溶解除 去一部份。 當嫌例8覆蓋性比較實驗 首先，在矽晶圓形成抗蝕劑圖型，利用約2 5 0 1C高溫 烘烤，使抗蝕劑圖型不溶於抗蝕劑溶劑，為防抗蝕劑圖 型與光吸收膜形成性組成物相互作用，且為使掃描型電 子顯微鏡（SEM)容易觀察，再於其上蒸著白金後，於此 具有階段的矽晶圓上分別塗佈上述實施例5的光吸收膜 形成性組成物C , D , Ε 。另方面，為供比較，塗佈赫 斯特公司的AZ-BARLi。凡此在100C熱板上烘烤90秒後， 利用掃描型電子顯微鏡（SEM)觀察圖型斷面。結果，由 本發明光吸收性聚合物所得薄膜，沿圖型形狀塗佈，可 知與AZ-BARLi膜具有同樣覆蓋性。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210Χ 297公势） (請先閱讀背面之注意事項耳填寫本頁)

、1T 513622 Α7 Β7 五、發明説明（4 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 另外，由變化單體比率降低Tg的聚合物所得本發明光 吸收膜形成性組成物，在適當溫度，例如在交聯溫度以 下的溫度條件烘烤，使聚合物層流動後提高烘烤溫度， 聚合物即交聯，即可K埋沒抗蝕劑圖型階段的形式塗佈 。具有如此特性者，一般可用做平滑膜。 管狍例9烘烤後反射防丨h膜對抗蝕爾鬼Μ之复出t驗 取本發明光吸收性組成物E ,在矽晶圓上塗佈成乾燥 後膜厚ΙΟΟΟΧ ,經1801C, 2001C, 220¾溫度烘烤後， 在此膜滴下抗蝕劑溶劑的EL、PGMEA、ΜΑΚ, 2分鐘後擦 拭皮膜上液體，測定膜減量。结果如表2所示。由表2 結果可知使用可溶於抗蝕劑溶劑的光吸收性聚合物，在 適當溫度烘烤所形成本發明光吸收膜，在形成抗蝕劑膜 時，不會溶於抗飩劑組成物等而產生膜本身的變化。於 此膜滴加顯像液（氫氧化四甲基銨2.38重量％水溶液） ，同樣測定膜減量，可得同樣優良結果。 〔表2〕 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 烘烤溫度 180¾ 20 0 t 2 20 I 〇 ο 0 EL 57 0 A 70 A 5 A Ο ο ο PGME A 1 0 5 0 Α 60 A -ΙΑ Ο 0 ο MAK 67 0 Α 35 A -ΙΑ —28— 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規枱（210X297公势） 513622 A7 B7 五、發明説明（π ) 管）fe例1 0 杭蚰_圖型啻酴 取本發明光吸收膜形成性組成物D和E ,分別在矽晶 圓上塗佈成乾燥後的膜厚約600 ¾，在22 0 1C烘烤60秒， 形成反射防止膜後，將赫斯特公司DUV用抗触劑，AZ DX1100P塗成膜厚0.75微米，於特定條件曝光、顯像、 在反射防止膜上製成抗蝕劑圖型。為供比較，在AZ-BAR Li 構成1 20 0 X膜厚的反射防止膜上，同樣形成抗蝕劑圖型 。所得抗蝕劑圖型斷面，MSEM觀察時，確認使用本發 明反射防止膜者，可得更高解析度的抗蝕劑圖型，而無 抗蝕劑的長腳和底缺。另方面，使用AZ-BARU者，於抗 蝕劑圓型觀察到長腳。長腳的發生可視為在抗蝕劑曝光 部份發生的酸與AZ-BARLi反射防止膜發生相互作用。 又，本發明所得反射防止膜上使用其他DUV抗蝕劑的 圓型試驗結果，均可得良好画型。 奮）fe例1 1 停触fch較富驗 經消部中决標準局貝工消f合作社印說 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明光吸收性組成物所得反射防止膜，與AZ-BARLi 所得反射防止膜，製成同樣厚度，於22 0 °C烘烤後，使 用乾性侵蝕裝置進行侵蝕比較試驗。各膜侵蝕速度比較 結果，可知本發明聚合物膜，具有和AZ-BARLi同樣程度 的侵蝕速度，其中也有侵蝕速度較AZ-BARLi為快者。 發明效果 如上所述，本發明光吸收性聚合物由於適當加入吸收 波長不同的色素，除可得對特定光波長具有良好光吸收 性者，並可形成黏著性良好的反射防止膜外，由於可溶 本紙張尺度適州中阐囚家標4M CNS ) Λ4規格（210X 297公釐） 513622 kl B7 五、發明説明（) 於抗蝕劑的溶劑，在實施抗蝕製程時，可Κ使用與抗蝕 劑同樣的塗佈裝置和廢液裝置，以及淋洗溶液，具有節 省不必要製法和設備的效果。 另外，本發明光吸收性聚合物除可容易形成皮膜外， 由於在塗佈後經適當溫度加熱，變成不溶於抗蝕劑溶劑 ，可形成在抗蝕劑膜形成中或顯像中對抗蝕劑組成物或 顯像液不溶解的反射防止膜等光吸收膜，且可利用乾性 侵蝕容易除去，具有在抗蝕處理中較好的皮膜特性。 而且，本發明光吸收膜形成用組成物，即使在形成反 射防止膜的基板具有階段時，亦可具有良好的覆蓋性， 在具有階段的基板上容易形成解析度高的光罩圖型之效 果。再者，在抗蝕製程中，雖然有必要在階段基板上的 階段弄平，Κ改進抗蝕劑的處理邊緣，但本發明光吸收 性皮膜組成物，可藉聚合物的共聚合比，共聚單體的選 擇、組成、烘烤溫度等的適當調節，使階段平滑，而於 抗蝕處理中，具有可Κ廣泛應用的效果。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 即使以對基板要求嚴格的DUV抗蝕劑而言，本發明光 吸收膜對抗蝕劑的依賴性少，使用不同抗蝕劑時，具有 使用同樣反射防止膜的效果。 -30- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X2W公楚）

Claims (1)

1. 513622

   利範圍 第8 7 1 0 8 0 5 7號「光吸收性聚合物、光吸收膜形成性組 成物及光吸收膜及用它之反射防止膜」專利案 (91年3月5日修正） 六申請專利範圍： ct承實質内' 1 . 一種可吸收特定波長光之光吸收性聚合物，具有至 少佔全部重複單位之5莫耳％的下式⑴所示之重複單 位，和至少佔全部重複單位的1 〇莫耳％之下式⑵所 示之重複單位， R丨 C—H ο 闩—c——c 式⑴中和R2可彼此相同或不同，代表氫原子、烷 基或其他有機基，R3爲具有至少一碳醯基之有機基， R4ICIH Rnoli- Y 式⑵中R4和R5可彼此相同或不同，代表氫原子、烷 基、羧基、或其他有機基，Y爲具有可吸收特定波 長的有機發色團，有機發色團係直接或藉經連接基 結合於主鏈之碳原子； 其中式⑴所示重複單位係（a )下式⑷所示重複單位、 (b)下式⑸所示重複單位： 513622 六、申請專利範圍 闩1 闩2 H-f—j 十 (4) H C〇C(R8)(R9)COR10 式中R!，R8、R】q可彼此相同或不同，代表氨原 子、烷基，或其他有機基； +"〒？十 （5) H C0RuC0C(R,2m3)C0Hu 式中1，1?2,1^2,1^13,1^4可彼此相同或不同，代表氯原 子、烷基、或其他有機基，而Ru代表二價基。 2 ·如申請專利範圍第1項之可吸收特定波長光之光吸 收性聚合物，其中式⑸內R n爲-0 R !5 〇 -基，而r 15代 表可被取代的直鏈、支鏈、環型院撐基，或可被取 代的苯撐基者。 3 .如申請專利範圍第1項之可吸收特定波長光之光吸 收性聚合物，其中R15爲乙烯基。 4 .如申請專利範圍第1項之可吸收特定波長光之光吸 收性聚合物，其中式⑸內R n爲-NHR150 -基，而R】5 代表可被取代的直鏈、支鏈、環型烷撐基、或可被 取代的苯撐基者。 5 .如申請專利範圍第4項之可吸收特定波長光之光吸 513622 六、申請專利範圍 收性聚合物，其中r15爲乙烯基者。 6 ·如申請專利範圍第1 - 5項中任一項可吸收特定波長 光之光吸收性聚合物，其中式⑵所示重複單位爲下 式（6)所示重複單位： 式中R4和R5可彼此相同或不同，代表氫原子、烷 基、羧基，或其他有機基，A r爲可吸收特定波長光 的發色團，可以取代基加以取代的苯環基，縮合環 基或雜環基，此等基直接或經由連接基結合於主鏈 碳原子者。 7 ·如申請專利範圍第1 - 5項中任一項可吸收特定波長 光之光吸收性聚合物，其中式⑵所示重複單位爲下 式⑺所示： ?4 ?5~+~| —⑺ H COXsA^ 式中R4和R5可彼此相同或不同，代表氫原子、烷 基、羧基，或其他有機基，χ2爲〇，s，NR16，或 至少含一碳原子的直鏈、支鏈或環狀烷撐基之任一 種烷撐基，R i 6代表氫原子，可被取代的苯基、環 型、直鏈或支鏈烷基，A r!爲可吸收特定波長光的發 513622 六、申請專利範圍 色團，可被取代基取代的苯環基、縮合環基或雜環基， 此等基直接或藉由連接基結合於x2。 8 .如申請專利範圍第1項之光吸收性聚合物；其係使 用於光吸收膜形成性組成物上。 9 .如申請專利範圍第8項之光吸收性聚合物，其係使用 於一種將之塗布在基板上，並加以烘烤以形成光吸 收膜之形成吸收膜的方法中。 1 0 .如申請專利範圍第1 - 5項中任一項之光吸收性聚合 物，其係使用於光吸收膜上。 1 1 .如申請專利範圍第1 〇項之光吸收性聚合物，其中 光吸收膜爲反射防止膜。