TW512361B - Multiple output current mirror with improved accuracy - Google Patents

Description

512361 A7 _ B7 五、發明説明（1 ) 簦背景 發明領域 請 先 閲 讀 背 面 之 注 意 事 項 再 填‘ ί轉 頁 Υ 本發明大抵上係關於電流鏡，特別是，關於具有改善 精確度之多輸出電流鏡。 背景資訊 訂 電流鏡是許多電路的一種基本的基礎材料，並且允許 流經一元件之已知電流，被複製到其他的元件上。電流鏡 的精確度，是視被複製的電流，或是其倍數，跟原來電流 的準位有多接近來決定的。在一個多輸出的電流鏡中，多 於一個原電流之複製的電流，是被提供來當作輸出。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 一個多輸出電流鏡先前的技藝是顯示在圖1中，得到在 讀取多準位儲存元件上的應用。在此安排中，在讀取作業 的期間，電流Iuh流經標示的儲存元件30。此電流的準位， 是視儲存元件是在（k+ 1 )的哪一個狀態而定。爲了要決定 此狀態，電流在電流鏡1〇中被複製k次，而產生L·，12，...， U。電晶體41，42 ’…，49系列中之一 ’之後被放置來接收 個別的電流，其每一個是被個別的參考電流値1,^，1,山， …，卩…所控制的，因此扮演一系列的參考電路，來感測相 對於多個參考電流"的川値。此舉使得k個電流L·，能夠 跟結果由k個量測安培SAiK決定的結果之k個參考準位相比 較。圖1的電路是從美國專利案5虎5,172,338 (U.S. Patent Number 5，1 7 2,3 3 8 )所改編的’藉此參考文獻納入在其中， -4- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（X297公釐） 512361 A7 B7 五、發明説明（2 ) 其中此電路及許多的變化，被詳加地描述。圖1之週邊部分 特別的細節，除了要來提供多輸出電流鏡1 〇的內容外，別 無他用。電流鏡10之相關特性是，在沒有降低原參考電流 Iuu的情況下，提供電流L·到Ik的精確値。 電流鏡10是一種1到k的排列，其第一電晶體20是在第 一隻腳上，而一組k個第二電晶體21，22，…，29，則在第 二隻腳的每一個支路上。當電流1。^在第一隻腳流動時，在 第二隻腳的每一個支路上的第二電晶體，是當作一電流源 ，並且在其支路上提供一個複製的電流。此複製的電流與 原電流的比値，是根據第二電晶體21，22，…，29，對第一 電晶體20的相對大小，按比例來排列。在圖1中，顯示出來 的電流鏡10之所有的電晶體的大小都相同，並以符號“ X” 來表示。此導致一種1到k的電流鏡，其中第一電流是被複 製於第二隻腳所有的支路上，理論上是，而 且La並沒有減少。一個較爲一般的電流比値組，可以藉由 描述在前一段所引用的專利上，藉由改變相對寬度對長度 的比値之方法來設定。 實際上，因爲有好幾種原因，其結果並不是十分的理 想。上述的討論假設所有的電晶體都能夠以想要的尺寸來 製造，而且跟處理過程的變數無關。其同時假設電晶體所 有的功能都是理想化的，或者至少作用相同，與溫度的增 減率以及其他在電路表面將引起作業特性與一電晶體跟下 一個電晶體實體的位置不同的其他變數無關。因此，假設 加在被鏡射的電晶體20之控制閘上相同的電壓，同時也加 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 一 「— -. b m n ! I is - -- I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 512361 A7 B7 五、發明説明（3 ) 在每一個鏡射的電晶體21，22，…，29的控制閘上’而在第 —分路的電晶體2 1及第k之路的電晶體2 9之間’沒有任何的 損失。而在積體電路日益發展的情形下’如較小的體積' 以及較低的操作電壓之設計上的需求’更使得這些問題惡 化。 如同電晶體的響應是依賴其寬度對長度的比値而定’ 一種改善精確度的方法，是增加其一維或二維的大小’以 至於在任意一維大小變異的相對效應’能夠減到最小。相 反的，當設備的尺寸減小時，這些相對維數的變異’因爲 在設備特性上的設備變異’而導致較大的設備。例如’在 圖1的應用上，通常電晶體的大小是由儲存元件的節距大小 來決定的。此舉有效地限制對於將被感測的整組電晶體寬 度之鏡射電晶體的寬度。在這種安排下，鏡射電晶體的寬 度，也許能夠藉由增加節距的大小來增加，但是有許多因 素是決定節距的大小，而電流鏡電晶體的寬度只是其中之 一。電晶體的長度並沒有受到限制，但是長度的增加將導 致印膜的加大，而且產生的是任何不是在操作上的，就是 在過程上之位置相依的變異數的變大。 有了一多輸出的電流鏡，一些電晶體2 0到2 9是進一步 的被需要從一個已知的或是其他的電流鏡而來，以至於在 支腳數增加時過程的變異數，導致較不精確的鏡射。此實 體的分隔同時使得多輸出的電流鏡，對於溫度的梯度以及 在電路中操作條件上的其他變異，更加的敏感。相同的’ 一已知的鏡射電晶體愈是從被鏡射的電晶體而來，在個別 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -6- 512361 A7 B7 五、發明説明（4 ) 控制閘上的電壓愈是會因爲從在其他支腳插入的電晶體來 的損失，以及其他沿路上的損失而不同。 當設備的操作電壓變小時，電流的準位已經相對的減 小，以至於介於不同的鏡射電流Ls以及原被鏡射的參考電 流之可接受的變異數，變得更爲緊要。在多準位、非揮發 性記憶體的範例中，大量製造精確記憶體晶片的能力，關 鍵地取決於精確的電流鏡，而來區別儲存元件的狀態。此 對於在一複製的電流上之相關變異數需要被減小到最低的 類比電路也是如此的。因此，本發明的一個目的是要來提 供一較精確的多輸出電流鏡，並且對於上述描述的問題不 那麼敏感。 發明摘要 本發明提出一多輸出電流鏡。一參考電流在好幾個分 路中被鏡射，在沒有降低原電流的情形下，產生原電流的 複製電流。原電流流動所經之被鏡射的電晶體，以及提供 複製電流在每一分路上的鏡射電晶體，兩者被區分成好幾 個分開的電晶體。一對應的原電晶體之有效的頻道寬度， 是在所有形成此區分出來的部分之間共享的。這些被區分 的元件，之後被排列成好幾個部分的電流鏡，其輸出被結 合成爲總電流鏡。由於在一部份鏡射中的變異數抵銷在另 一部份鏡射中的變異數，藉由從一部份的鏡射來改變下一 個實體部分元件的安排，在跟位置相關之操作特性及製造 過程的變異減少了。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） · (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 512361 A7 B7 五、發明説明（5 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在一實施例中，產生參考電流之被鏡射的元件，以及 在每一 k分路中的鏡射元件，每一個都是由具有寬度的n個 電晶體組成，對每一個元件產生一有效寬度W = Nw，以及對 所有分路一個爲1的鏡射定量。這些以一種N部分的電流鏡 ，每一個有（k+ 1 )個電晶體之線性排列的方式來安置的所 有N ( k+ 1 )個電晶體，其中每一個部分的電流鏡，包含一 個供應被鏡射電流之部分的電晶體，以及從每一 k分路鏡射 的一個電晶體。每一個N部分的電流鏡具有以不同排列來安 排的k+ 1個元件。 本發明之額外的目的、優點、以及特性，將從下列較 佳實施例的說明而變得更淸楚，而其說明應與附加的圖形 結合在一起。 圖形之簡要說明 圖1表示先前技藝在一種特殊的應用上之多輸出電流鏡 的範例。 圖2是本發明結構的示意圖形。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖3是從圖2之示意圖的一個實施例的實體排列。 圖4是圖3之簡化的形式，來闡明從那裡得到元件之安 置。 元件對照表 10 電流鏡 20-29 第二電晶體 -8- 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) A4規格（210>< 297公釐） 512361 A7 Β7 五、發明説明（6 ) 30 標不的儲存元件 41-49 電晶體 200 元件 201-209 電晶體 211-219 電晶體 221-229 電晶體 210 元件 220 元件 290 元件 250-259 漏極線 260 導線 30 1 -305 電流鏡 351 漏極 353 控制閘 355 源極 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 較J圭實施例的說明 本發明幾個外觀是顯示在圖2中。圖二是所涉及的一些 觀念的示意圖，而並沒有描述出在一晶片上各種元件的實 體安排’實體安排的部分是描述在圖3及圖4中。如圖1般， 圖2表示一丨到k的電流鏡，而且相對應的元件是以相同的方 式標不。原參考電流1〇同樣的流到元件MIR200上，並經由 MBK290，在元件MB1 2 1 0上被鏡射，來產生I ^到Μϋ別的電 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) a4規格（210X 297公釐） -9 - 512361 A7 B7 五、發明説明（7 ) 流。然而，相較於圖1，每一個在那裡得到的電晶體，一般 來說，是被區分成好幾個分開的電晶體。 圖2中具有N個電晶體的元件200，MIR〇201到MIRN209， 取代了圖1中的電晶體2 0，劃分了介於其中的原寬度w，但 卻維持頻道的長度。這些電晶體的每一個同樣的具有漏極 連接到柵極，而所有的柵極由導線2 6 0連接在一起的特性。 在這種方式下，每一個MIR〇201到MIRn209，具有一寬度W/N ，並提供1 /N的總電流。相結合的N個電晶體的總維數，是 跟標示在圖1中的電晶體20之“ X”相同，並且各個的支電 流聚集在共漏極線DLd50上，來產生I。的總電流。（具體的 說，總寬度W可能可以在MIR,*，以非對稱的方式分配，並 且可能有不同的長度；但在本實施例中，兩者均不採用， 而且如果採用這些變化的化，將模糊下面所將討論的主題 。這種變化是與本文所參考的技藝，美國專利案號5,172,3-3 8相當類似。同樣的，下面所討論的其他電晶體，除了特別 註明之外，假設一共同的頻道長度。） 同樣的，元件MB 1 2 10是被區分成nl個電晶體， Μ B 1 ! 2 1 1到Μ B 1 n! 2 1 9，其每一個柵極連接到導線2 6 0上。其 總寬度W!是在這些電晶體之間被劃分，以致於每一個具有 的寬度爲Wi/nl。經由MBL·之每一個的個別的支電流’在漏 極線DLi251上聚集，以產生由MB1 210來的總電流L·。 電流鏡其他的分路是以相同的方式來區分。在每一種 情形下，總頻道寬度W,是在m個電晶體之間被劃分，以至 於每一個具有Wi = Wi/ni的寬度。因此，每一個貢獻1/ηι部分 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） . In . In -4- --- I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -10- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 512361 A7 B7 五、發明説明（8 ) 的電流給聚集在漏極線D L i之總電流I,。有關於相互間及原 參考電流I。兩者之每一個被鏡射的電流到之相關値，是 由相對應的寬度WJ 1及\^個別的比例來決定的（或者是 ’長度）。舉例來說，如果Wi = 2W2 (或Li = 2L2 )，則L· = 2 12。此在總寬度上的差異，可以藉由使得在Μ B 1上的電晶 體的數目跟在ΜΒ2上的相等（nl=n2)，但每一個在ΜΒ1上 的寬度爲在ΜΒ2上的兩倍。或者，每一個在ΜΒ1及ΜΒ2上的 電晶體能夠具有相同的尺寸（WJnl = W2/n2 )，但是在MB1 上的電晶體的數目爲在MB2上的兩倍，使得nl爲n2的兩倍。 (當然，相關的數目及大小能夠在更複雜的排列中做變化 。）因此，雖然個別的電晶體能夠被當作具有同樣的大小 ，但是電流的比率卻能夠藉由變動η 1到nk彼此及對N的關係 ，來維持固定値。 剩下來大部分的討論，將取N = η 1 = η 2 = ... = n k及W = W 1 = W 2 =…=Wk來使得討論更簡化，並且用做一個特別有用的實施 例。在此情形下，電流鏡100理想上將產生I。丄I:...丄=1:1: 1:…：1的比率。較爲常見的情形將在結尾時做評論。 將這些假設的情形帶回圖2中，並進一步考慮當k = 3的 特例，而使得電流鏡1 〇〇爲一個1到3的電流鏡。被鏡射的元 件MIR200及鏡射元件MB1 210，MB2 220，及MB3 290中的 每一個，兩者都含有寬度爲W/N的N個電晶體。再者，圖2 是一個電路的示意圖，並不是要來表示這些電晶體實際上 的實體位置。 本發明藉由電晶體實體的擺設，減少許多跟多輸出電 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） Γ77] (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

512361 A7 B7 五、發明説明（9) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 流鏡相關之精確度的問題。除了實體的安置之外，在製造 電晶體過程的變異中，將產生不具有預期的、額定之電晶 體的尺寸。這些電晶體實際上的大小應隨著一種分佈的情 形，也就是，電晶體的數目愈多，此分佈的平均値應該愈 靠近其額定値，因此，電流鏡的精確度愈高。或者，這可 以被考慮來當作是一種獲得更寬的有效頻道寬度，即使是 當提供給單一電晶體的實際之頻道寬度是受到限制的。在 發明背景部分之記憶體陣列的例題中，在電流鏡中之單一 電晶體的寬度w，是受到節距大小的限制。結合N個這種的 電晶體將使得一有效的頻寬成爲η倍節距的大小，W = N w， 因而鬆解此寬度對節距大小的依賴。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在圖2中的電晶體是以實體的安排在積體電路上，來減 少由於在處理過程及作業的變異所引起的效應，此處理過 程及作業的變異是跟位置相關的，並且跟在每一個分路MB-i 上鏡射電晶體對在ΜIR 2 0 0上被鏡射電晶體鄰近的差異相關 。此是藉由從 MIR200，ΜΒ1 210，ΜΒ2 22 〇，MBk 290 的每 一個，插入N個電晶體中的一個來達成，以形成一個次電流 鏡或部分的電流鏡。此過程之後一直重覆（N - 1 )次，但每 一次電晶體以不同的排列次序來安排。在此情形下，雖然 一溫度梯度可能會影響Μ B 1的電晶體更甚於在一部份的電 流鏡上形成MB 2的電晶體，但這將在其他MB 1及MB 2位置相 反的電流鏡上被抵銷，因而減少^及^結果的不同性。同樣 的’在其他依賴作業特性之位置的變化，以及在處理流程 的變化，在介於元件MIR 200及鏡射分路ΜΒι間被校平的。

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐）~ 7Z 512361 A7 B7 五、發明説明（10) 結果是，電晶體的總數爲（k + 1 ) N。如果所有不同的 排列都被選擇一次的話，N= ( k+Ι ) !，則一共產生（k+1 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) )(k+1 ) !的電晶體。對在此使用之k = 3的範例，一共有 9 6個電晶體。要使得電流鏡要儘可能的準確，必須要在一 電路中，對減小大小及組成元件的數量之只能選其中之一 的目標來做平衡。由於其目的是要使得每一個電流I,能夠精 確的反應出I。，最好是只選擇那些將介於部分被反射元件 MIRi以及在一已知部分的電流鏡中，在每一個分路上的部 分原件MB h到MBkdS平均距離減少到最小的安排。因此， 如果電晶體是放置在一頻道是以線性的方式放置的電路上 ，在MIR200中的MIRi將被集中地放置；也就是，在每一個 次電流鏡中，如果k是偶數的話，其將是中間的電晶體，若 k是奇數的話，則其將是兩個中間電晶體中的一個。此將最 大排列的數目，在所需要印膜的區域中，將之減少了（ k + .l )倍，而成爲（k+1 ) !。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如果一些被鏡射的電流，跟其他的電流比較起來，能 夠被當作沒有那麼重要的話，則排列數可以被更進一步的 減少。這是一種必須來衡量整體的準確度對電路大小的設 計決定。例如，如在圖1中所示，在讀取多狀態儲存元件的 應用中，電流的準確性就來的比12或L·重要。在這種情況 下，一些不再加以強調h的排列能夠被忽略，以減少在記憶 體晶片上週邊緣件的數量，而只使用了比部分電流鏡之最 大數目還少的元件。 圖3表示利用這種比最大數目還少的元件之電流鏡實體 -13- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 512361 A7 B7 五、發明説明（11) 的安排。MIR200的五個電晶體，以及三個分路MB1 210， (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) Μ B 2 2 2 0，Μ B 3 2 9 0的每一個，是以直線的方式排列成共五 組、各四個，具有電晶體MIR43每一組，在一個具有從每 一個鏡射的分路完成此組之電晶體的中央部位，提供部分 的參考電流I。。圖4是圖3之簡化的圖形，只是要來指出此種 安排，而不做詳細的介紹。注意到第六個可能的排列（ 1-3-0-2，從上數起），可能使得在MIR 200中的電晶體在相 同位置上的機會並不存在，降低了 h及h對於重要性。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖3中的二十個電晶體，是以直線的方式排列成五個部 分的電流鏡Μ!’到M，，301到305，每一個電流鏡具有四個電 晶體。每一個電晶體具有一由虛線之長方形所表示的擴散 區。在這上面放置了控制閘，其由水平的橫條表示，頻道 則形成在底下。對於最底下的電晶體MB U11，這些區域被 標示出來，其中控制閘G3 5 3爲介於源極S 3 5 5及漏極D351之 間的頻道。這些區域在其他的設備上都是一樣的，但是爲 了簡化圖形而沒有標示出來。像往常一樣，在任何或所有 的設備中，源極及漏極能夠是反向的。頻道的長度是由L來 標示，並且一個單一的電晶體之寬度是由w = W/5來表示，使 得MIR 200以及分路ΜΒι之每一個的總有效頻帶寬度爲W。 觀察部分的電流鏡UOl，其是由MB3J31，MB2!221 ，MIRJ01，ΜΒ1Θ1 1 (由上而下）所組成的。當MIRJ01放 置在中央時，其到MB2J21及是爲等距離的。假設 ，當一個溫度梯度從圖3中由下往上竄升，MB2t221及 MBh21 1以及MIRJ01將相互不同地操作。此種效應在上面 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29?公釐） 6 3 2 1X 5 A7 B7 五、發明説明（12 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 一個電流鏡M2’3 02中剛好相反，其中MB1及MB2對應元件的 位置是相反的。因此，當在假設各種的支電流的情形時， 因爲梯度所造成在I!及12間之不同的情形減低了。同樣的， 在操作情形或處理過程中其他跟位置相關的變異，也被改 善了。對於組成I;在精確度上同樣的變異，在’到M5’， 3 01到305的其他排列中也被降低了。在沒有詳加描述圖3之 下，圖4提出這些排列的示意圖，其中“ 0”代表MIR的次元 件，“ Γ代表Μ B 1的次元件。再一次，在本實施例中値得 注意的是，一種可能的第六種排列Μ6’被省略，來指出比最 大數目還少之電流鏡的實施例，以12及b較低精確度的代價 ，可以用來節省空間。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 形成部分的電流鏡的每一個之部分的電流或是支電流 ，.之後由垂直的漏極線DU到DL3所聚集起來。連接到對應 的漏極線是以點來標示。參考電流D L。2 5 0的漏極線，同時 有一個第二點，來使得MIRjfj MIR5，201到2 05的柵極，連 接到個別的漏極。爲簡化圖3，兩組額外的連接被隱藏住： 所有的柵極相連接如在圖2中油導線2 60所連接之，其還可 以藉由另一條平行於DL·之導線，連接到每一個柵極；以及 所有需要被連接到一外加電壓的源極，如在圖2所示的V。。， 其同樣也可以被完成。 具體的說，圖二之部分的電流鏡能夠被排列成跟圖3中 所示之不同的擺置。例如，個別的電流鏡仍然可以包含電 晶體之直線的排列，但是不同的支電流鏡可能不一定是成 一直線狀的。雖然實際上節距的大小可能限制適用的可能 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 512361 A7 ___________ B7______ 五、發明説明（13) 性之數目，但可能也可以利用上述的次電流鏡共同距心的 安排之各種的歸納。 各個電流的比率，可以不是1。：11:12:...:1^1:1:1:.":丨這種 的比率。此可以藉由改變在電流鏡中相對的維數之標準的 方法來達成，使得寬度對長度的比例不再是相等的。此外 ，或者能夠藉由改變每一個元件MIR或ΜΒι被區分成的次元 件相對的數目來達成。例如，在所有被製造成具有相同維 數的電晶體中，電流的比例是由包含一已知元件的次元件 之數目的比例來設定的。因此，如果MIR 200及MB 1 2 10每 一個都是由六個次元件所組成，每一個都進入到六個部分 的電流鏡中，而MB2 200只由三種元件組成，而且只出現在 三個部分的電流鏡中，其比例將可以被設定成1。丄：12:…= 2:2 :1 :…等等的比率。因此，只要其至少有一個MIRt，並不是 每一個部分的電流鏡需要包含一對應於電流鏡的每一支腳 的次元件。同樣的，每一個部分的電流鏡可以包含在被鏡 射的元件中、或ΜΒι分路元件之一個以上的次元件。電流比 之後由在形成I。： h之源極線DL〇到DU，250到25 9所聚集起來 元件之總數的比例來決定。 在圖3中電路的一個應用，是來提供一個倂入到非揮發 儲存元件之更精確的電流鏡，如圖1中所示之。此可能像是 在前述納入參考文獻之美國專利案號5, 172,338中所描述的 多準位電子式可淸除程式化唯讀記憶體或快閃記憶裝置， 或是一種像是描述在正在審理的裝置在美國專利申請序號 09/505,5 5 5 ( U.S. patent application Ser. No. 09/5 05,5 5 5 ) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21 OX 297公釐） _ 1β _ lcfc (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ---:---訂— 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 f i_ - ...... I— - -= · 512361 A7 _ _B7 _____ 五、發明説明（14) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ，於 2000年 2 月 17日，由 Kevin M. Conley，John S. Mangan, 及 Jeffery G. Craig，所提出之 “Flash EEPROM System with Simultaneous Multiple Data Sector Programming and Storage of Physical Block Characteristics in Other Designated Blocks” 中 。 鏡射電晶體可以跟儲存元件一起形成。它們的擴散區 可能跟在記憶電晶體上適當的擴散區，在同一時間形成。 控制閘可以被形成來當作在儲存元件中用來做控制柵門第 三個表層的一部份，而漏極線形成爲第二金屬表層。多準 位儲存元件是以整組的方式來排列，對應於在一讀取單元 中元件的數目。其每一個可能包含16個元件，其實際的大 小則是介於讀取更多的複雜性、及讀取較少的緩慢性之間 設計的抉擇。此被選擇之感測組大小的節距，之後決定鏡 射電晶體所能夠放置在其中之允許的寬度。藉由取出N個電 流鏡，不但將使得一個W = Nw之有效的電晶體寬度，或是在 實施例中範例的5 w，同時也減少上述任何跟位置相關的變 異 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 執行及方法之各種的細節，只是用來說明本發明。可 以在本發明的範疇中，對於只受限在附錄的申請專利範圍 的細節，作各種的改變。 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）

Claims (1)

1. 512361 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1 . 一種在積體電路上的多輸出電流鏡，包含： 一 N個電晶體的第一組，N大於二，其中該第一組的每 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 一個電晶體的漏極連接到其柵極，並且該第一組所有N個電 晶體的漏極連接在一起，以提供一參考電流；以及 多個N個電晶體的第二組，其中在該第二組之中已知一 組之所有電晶體的漏極，被連接在一起，來提供多個相對 應的電流， 其中該所有電晶體的柵極連接在一起，.而且該所有電 晶體的源極是在相同的電壓準位下， ； 其中該電晶體是以N個部分的電流鏡，實體地安置在積 體電路上，其每一個包含一在第一組的電晶體，以及在該 第二組中每一個的電晶體，其中在該電流鏡中每一個的電 晶體，是以一種線性的排列，而且在以線性安排的該電流 鏡中每一個的電晶體，是以不同的次序來排列的。 2 .如申請專利範圍第1項之多輸出電流鏡，其中該部 分的電流鏡的每一個，出自於該第一組的電晶體是集中放 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 咅 I 該同 中在 其是 ’ 列 鏡排 流的 電性 出線 輸該 多於 之至 項以 !-*·第 1 圍排 範安 利的 專此 請如 申是 如鏡 .流 〇 3 電 ΓΒ 置分 一 度 在長 中對 其度 ，寬 鏡有 流具 電成 出造 輸製 多被 之， 項體 第晶 圍電 範該 利的 專有 請所 申之 。.如中 的 · 組 上 4 的 線 知 直 已 率 比 的 第 該 中 其 鏡 流 電 出 輸 多 之 項 4 第 圍 範 利 專 請 甲 如 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -18- 512361 經濟部智慧財產局員工消費合Α社印製 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 二組的數目是等於三。 6 ·如申請專利範圍第5項之多輸出電流鏡，其中N等 於五。 7 ·如申請專利範圍第4項之多輸出電流鏡，其中該積 體電路是一種非揮發性的記憶體®路° 8 ·如申請專利範圍第7項之多輸出電流鏡’其中該非 揮發性的記憶體電路包含一快閃電子式可淸除程式化唯讀 記憶體元件的陣列。 9 ·如申請專利範圍第8項之多輸出電流鏡，其中該快 閃電子式可淸除程式化唯讀記憶體元件事多準位的儲存元 件。 1〇·如申請專利範圍第8項之多輸出電流鏡，其中該 電晶體具有一個對應於該快閃電子式可淸除程式化唯讀記 憶體元件之陣列的感測組節距之頻道寬度。 1 1 . 一種在積體電路上形成多輸出電流鏡的方法， 其中該電流鏡包含一被鏡射的元件，來提供參考電流以及 多個鏡射的分路，其每一個提供一個別的鏡射電流，包含 區分該被鏡射的元件成爲N部分的被鏡射元件，其中N 是一個大於二的整數； 區分該多個鏡射分路的每一個，成爲部分的分路元件 形成Μ之多個部分的電流鏡，Μ並不大於N，其中該部 分分流鏡的每一個至少是由該部分被鏡射元件中的一個， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

   -19- 512361 A8 B8 C8 D8 ____ 六、申請專利範圍 以及至少該部分的分路元件中的一個所組成，以& 在積體電路上以一種實體的排列，安排每一個該部分 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 的電流鏡之元件，以至於每一個該實體的排列是不相同的 〇 1 2 ·如申請專利範圍第1 1項之形成多輸出電流鏡的 方法，其中每一個該實體的排列是一種線性的排列’而且 在以線性安排的該電流鏡中每一個的元件，是以不同的次 序來排列的。 1 3 ·如申請專利範圍第1 1項之形成多輸出電流鏡的 方法，其中該部分的電流鏡是如此的安排’以至於該線性 的排列是在同一直線上的。 1 4 ·如申請專利範圍第1 3項之形成多輸出電流鏡的 方法，其中Μ等於N · ..，並且在每一個該部分的電流鏡中’該 部分被鏡射的元件是集中放置的。 1 5 ..如申請專利範圍第1 4項之形成多輸出電流鏡的 方法，其中在該多個鏡射分路的每一個之中’部分分路元 件的數目等於Ν。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 6 ·如申請專利範圍第1 5項之形成多輸出電流鏡的 方法，其中該多個鏡射分路的數目等於三。 1 7 ·如申請專利範圍第1 6項之形成多輸出電流鏡的 方法，其中Ν等於五。 1 8 ·如申請專利範圍第1 4項之形成多輸出電流鏡的 方法，其中該積體電路是一種非揮發性的記憶體電路。 1 9 ·如申請專利範圍第1 8項之形成多輸出電流鏡白勺 本紙張尺度適用中國國家榇準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -20- 512361 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 方法，其中該非揮發性的記憶體電路包含一快閃電子式可 淸除程式化唯讀記憶體元件的陣列。 2 0 .如申請專利範圍第11項之形成多輸出電流鏡的 方法，其中該快閃電子式可淸除程式化唯讀記憶體元件事 多準位的儲存元件。 (請先閣讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）